專利名稱：半導體存儲卡的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種帶有存儲器的半導體存儲卡，該存儲器具有破壞性讀出特性。
背景技術(shù)：
隨著集成電路(IC)技術(shù)等的發(fā)展，帶有中央處理單元(CPU)和存儲器的半導體存儲卡，即所謂的IC卡，已經(jīng)被使用并且吸引了人們的注意。IC卡中的存儲器例如是只讀存儲器(ROM)、隨機存取存儲器(RAM)等。
在IC卡的一些存儲器中，當存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)被讀出時，存儲的數(shù)據(jù)破壞其自身。作為這種存儲器，已知的例如以鐵電物質(zhì)的極化狀態(tài)來存儲數(shù)據(jù)的鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)等。
FeRAM和DRAM的特征在于從數(shù)據(jù)寫入開始到數(shù)據(jù)寫入結(jié)束的時間段短，換句話說，可以以高的速度來寫入數(shù)據(jù)；它們的高集成度使得相同尺寸的芯片可以安裝有更大容量的存儲器；功耗低等等。
FeRAM和DRAM通常在數(shù)據(jù)被讀出之后立即將數(shù)據(jù)重寫到存儲器中以便保持相同的數(shù)據(jù)?？梢哉f這不是防止數(shù)據(jù)被破壞，而是通過在數(shù)據(jù)被破壞之后立即寫入相同的數(shù)據(jù)來恢復該數(shù)據(jù)。
同時，近年來，在服務業(yè)等行業(yè)中，IC卡已經(jīng)用于各種應用當中。當使用IC卡時，存在這樣的情況，即，用戶僅讀出一次存儲在存儲器中的數(shù)據(jù)，然后希望刪除該數(shù)據(jù)。這種情況的一個例子是，當IC卡利用密碼與讀/寫器和主機通信時，在僅僅使用一次加密密鑰之后，用戶為了安全起見希望刪除該加密密鑰。另一個例子是，用戶希望刪除在制造IC卡期間寫入的測試參數(shù)。
然而，常規(guī)IC卡不具有自動刪除存儲的數(shù)據(jù)的功能。因此，希望提供一種IC卡，其具有在僅讀出一次存儲在存儲器中的數(shù)據(jù)之后自動刪除數(shù)據(jù)的功能。
為了實現(xiàn)上述目的，提出了一種包括反饋選擇單元的IC卡。將包括從讀出破壞性存儲單元讀出的數(shù)據(jù)的讀出信號作為反饋信號輸入到反饋選擇單元中，然后，根據(jù)從控制電路輸出的選擇信號，反饋選擇電路將反饋信號作為包括數(shù)據(jù)的寫入信號輸出或者不輸出到讀出破壞性存儲單元中。
發(fā)明內(nèi)容
對于上述IC卡，需要從外部指示控制電路是否執(zhí)行讀出破壞。然而，常規(guī)地，還沒有提出這種控制電路的任何實際實施的方式。IC卡的絕大多數(shù)應用都是與安全相關的應用。在控制電路的一些實際實施方式中，存在著安全性可能受到攻擊的風險。如果篡改意味著操縱控制電路，則可以想象得到需要保持存儲的數(shù)據(jù)可能被刪除，從而需要一個防篡改控制電路。
存在著這樣一種情況，當存儲在IC卡的讀出破壞性存儲單元中的數(shù)據(jù)被讀出時，用戶希望選擇對該數(shù)據(jù)的處理。這種情況的一個例子是用戶希望選擇用于保持已經(jīng)被讀出的數(shù)據(jù)的處理，或者用于刪除這種數(shù)據(jù)的處理。
本發(fā)明已經(jīng)考慮到上述問題，并且本發(fā)明的目的是提供一種半導體存儲卡，利用該存儲卡，用戶可以在存儲在讀出破壞性存儲單元中的數(shù)據(jù)被讀出時，選擇對該數(shù)據(jù)的處理。
為了實現(xiàn)上述目的，提供了本發(fā)明的半導體存儲卡，包括第一存儲單元，用于存儲數(shù)據(jù)，該第一存儲單元具有數(shù)據(jù)被讀出之后數(shù)據(jù)在第一存儲單元中變得不確定的特性；第二存儲單元，用于存儲處理模式說明信息，該信息在存儲的數(shù)據(jù)被讀出之后指定寫入到第一存儲單元的每個地址的模式；讀取單元，用于讀出存儲在第一存儲單元的指定地址中的數(shù)據(jù)；處理模式確定單元，用于在存儲的數(shù)據(jù)被讀取單元讀出時，將指定的地址與處理模式說明信息相比較以確定寫入到指定地址的模式；以及寫入單元，用于在存儲在指定地址的數(shù)據(jù)被讀出之后，根據(jù)處理模式確定單元確定的模式而將特定數(shù)據(jù)寫入或者不寫入到指定的地址中。
為每個指定的地址確定寫入的模式，從而當存儲在第一存儲單元中的數(shù)據(jù)被讀出時，用戶可以選擇對該數(shù)據(jù)的處理。
寫入單元可用于將作為具體值的特定數(shù)據(jù)寫入到指定地址中。相應地，可以完全擦除已經(jīng)被讀出的數(shù)據(jù)的記錄(trace)。
本發(fā)明的半導體存儲卡還可以包括用于產(chǎn)生隨機數(shù)的隨機數(shù)產(chǎn)生單元，其中寫入單元可用于將作為由隨機數(shù)產(chǎn)生單元產(chǎn)生的隨機數(shù)的特定數(shù)據(jù)寫入到指定地址中。相應地，變得難以猜測已經(jīng)被讀出的數(shù)據(jù)的痕跡。
寫入單元可用于將讀取單元讀出的特定數(shù)據(jù)寫入到指定地址中。相應地，保持了已經(jīng)被讀出的數(shù)據(jù)。
指定的地址可以不同于將要被讀取單元和寫入單元處理的地址。
指定的地址的特定部分可以用于確定寫入的模式。
本發(fā)明可以提供一種半導體存儲卡，利用該存儲卡，當存儲在讀出破壞性存儲單元中的數(shù)據(jù)被讀出時，用戶可以選擇對該數(shù)據(jù)的處理。
根據(jù)本發(fā)明的半導體存儲卡，通過指定地址，用戶在數(shù)據(jù)被讀出時可以改變處理模式。相應地，可以防止數(shù)據(jù)被對讀出破壞性存儲單元的不安全訪問所破壞。這意味著存儲在本發(fā)明的半導體存儲卡中的數(shù)據(jù)的安全強度強。
此外，本發(fā)明可以實施為包括使用本發(fā)明的半導體存儲卡的特征元件的步驟的方法；實施為使計算機執(zhí)行所述步驟的程序；實施為存儲該程序的存儲介質(zhì)，例如CD-ROM；以及實施為集成電路。該程序能夠經(jīng)由傳輸介質(zhì)，例如通信網(wǎng)絡來發(fā)送。
關于本申請的技術(shù)背景的進一步信息這里引入2004年5月25日遞交的日本專利申請No.2004-155188的包括說明書、附圖和權(quán)利要求書的全文的內(nèi)容作為參考。
從以下結(jié)合附圖介紹本發(fā)明的具體實施例的說明中，本發(fā)明的這些和其他目的、優(yōu)點和特征將變得顯而易見。在附圖中圖1是示出IC卡的使用環(huán)境的整體圖；圖2是示出IC卡的硬件結(jié)構(gòu)的圖；圖3是示出根據(jù)第一實施例的IC卡的一部分的軟件結(jié)構(gòu)的圖；圖4是示出讀出數(shù)據(jù)時的處理中的步驟的流程圖；圖5是示出對每個讀出地址進行的寫入處理中的步驟的流程圖；圖6是根據(jù)第一實施例示出指定了寫入到每個地址的模式的表格的圖，其中在所述每個地址已經(jīng)預先存儲了被讀出的數(shù)據(jù)；圖7是根據(jù)第一實施例示出FeRAM中的每個區(qū)域的圖；圖8是示出根據(jù)第二實施例的IC卡的一部分的軟件結(jié)構(gòu)的圖；圖9是根據(jù)第二實施例示出指定了寫入到每個地址的模式的表格的圖，其中在所述每個地址已經(jīng)預先存儲了被讀出的數(shù)據(jù)；圖10是根據(jù)第二實施例示出FeRAM中的每個區(qū)域的圖；圖11是示出根據(jù)第一實施例的IC卡中的一些功能被實施為LSI的圖；以及圖12是示出根據(jù)第二實施例的IC卡中的一些功能被實施為LSI的圖。
最佳實施方式以下結(jié)合附圖介紹本發(fā)明的最佳實施方式。
第一實施例首先，介紹使用根據(jù)第一實施例的半導體存儲卡，更具體地是IC卡的例子。該IC卡由具有便攜式設備例如便攜式電話以及用作與主機的接口的讀/寫器的用戶使用。圖1是示出IC卡1300的使用環(huán)境的整體圖。
圖1中的操作環(huán)境包括主機1000；通信網(wǎng)絡1100；便攜式設備1210；讀/寫器1220；以及IC卡1300。
使用讀/寫器1220或者便攜式設備1210作為接口的主機1000通過通信網(wǎng)絡1100向IC卡1300提供各種服務。所述服務例如是電子商務(EC)服務等。
讀/寫器1220例如是信用卡公司或者金融機構(gòu)的自動柜員機，或者是安裝在商店的收銀機中的設備。讀/寫器1220向IC卡1300提供電能，并且與IC卡1300無線地通信。讀/寫器1220連接到通信網(wǎng)絡1100。經(jīng)由讀/寫器1220和IC卡1300，用戶可以接收主機1000提供的服務。
便攜式設備1210是與IC卡1300連接或者其中插入了IC卡1300的設備，并且中繼IC卡1300和主機1000之間的通信。在便攜式設備1210上，安裝了用戶接口程序例如瀏覽器軟件，并且使用該程序，用戶可以接收主機1000提供的服務。
接著，介紹根據(jù)第一實施例的IC卡1300的硬件結(jié)構(gòu)。
圖2是示出IC卡1300的硬件結(jié)構(gòu)的圖。IC卡1300是根據(jù)本發(fā)明的半導體存儲卡的一個例子。如圖2所示，IC卡1300包括CPU120；I/F 122；RAM 123；ROM 124；FeRAM 125；EEPROM 126；以及總線121。CPU 120、I/F 122、RAM 123、ROM 124、FeRAM 125和EEPROM 126連接到總線121。IC卡1300具有圖2所示的結(jié)構(gòu)，并且可以產(chǎn)業(yè)化地制造。
EEPROM 126是其中數(shù)據(jù)以預定的存儲器塊為單位被讀出和寫入的非易失性存儲器。另一方面，F(xiàn)eRAM 125是其中數(shù)據(jù)以字節(jié)為單位被讀出和寫入的非易失性存儲器。與EEPROM 126相比，F(xiàn)eRAM125中的讀/寫速度快。然而，與具有相同存儲容量的EEPROM 126的價格相比，F(xiàn)eRAM 125的價格通常較高。此外，F(xiàn)eRAM 125具有數(shù)據(jù)在被讀出之后變得不確定的特性。因此，為了在FeRAM 125中保持數(shù)據(jù)，需要在數(shù)據(jù)已經(jīng)被讀出之后寫入相同的數(shù)據(jù)。第一實施例的特征在于當FeRAM 125中的數(shù)據(jù)被讀出時的處理。FeRAM 125和EEPROM可以同時存在。兩種存儲器克服了各自的缺點，并且可以一起實施在單個IC卡1300上。
ROM 124是存儲用于操作IC卡1300的程序的只讀存儲器。所述程序例如是操作系統(tǒng)(OS)、JAVATM虛擬機、應用程序等。
CPU 120執(zhí)行存儲在ROM 124中的各種程序。
圖3是其中將包括圖2的IC卡1300中的ROM 124、CPU 120和FeRAM 125的一部分轉(zhuǎn)換成軟件結(jié)構(gòu)的圖。
在指定預定地址之后，讀取單元301讀出存儲在容量為64K字節(jié)的FeRAM 125中的數(shù)據(jù)。該地址由地址解碼器300指定。已經(jīng)被讀出的數(shù)據(jù)被FeRAM的特性破壞。在數(shù)據(jù)被讀出之前，無法預測破壞引起的數(shù)據(jù)的變化。因此，為了保持數(shù)據(jù)，寫入單元302需要將被讀出的數(shù)據(jù)重寫到已經(jīng)預先存儲了該數(shù)據(jù)的地址中。
這里，在第一實施例中，當數(shù)據(jù)被讀出時，處理模式確定單元303比較存儲在處理信息存儲單元305中的處理模式說明表和存儲了讀出數(shù)據(jù)的地址，并且根據(jù)該地址確定寫入到該地址中的模式。處理模式說明表是指定寫入到已經(jīng)預先存儲了被讀出數(shù)據(jù)的地址的模式的表格。
即，處理模式確定單元303根據(jù)該地址，從以下處理(1)到(4)中確定在已經(jīng)預先存儲了被讀出數(shù)據(jù)的地址中將要進行用于寫入的處理之一(1)不寫入任何數(shù)據(jù)；(2)寫入與被讀出的數(shù)據(jù)相同的數(shù)據(jù)；(3)寫入具體數(shù)據(jù)；或者(4)寫入基于隨機數(shù)的數(shù)據(jù)。具體數(shù)據(jù)是分配給所有地址的具有“0”或“1”的具體值的數(shù)據(jù)。隨機數(shù)由隨機數(shù)產(chǎn)生單元304產(chǎn)生。
參照圖4的流程圖介紹FeRAM 125中的數(shù)據(jù)被讀出時進行的上述處理。
首先，讀取單元301給予地址解碼器300一個讀出地址，以便讀出數(shù)據(jù)(S401)。地址解碼器300對給定的地址進行解碼，并且讀取單元301讀出存儲在FeRAM 125的解碼地址中的數(shù)據(jù)(S402)。在這個步驟，F(xiàn)eRAM 125中已經(jīng)被讀出的數(shù)據(jù)被破壞。
當讀取單元301讀出FeRAM 125中的數(shù)據(jù)時，處理模式確定單元303獲得存儲在處理信息存儲單元305中的處理模式說明表以及存儲了讀出數(shù)據(jù)的地址，將它們進行比較，并且確定寫入到該地址的模式。在下面將更詳細地說明寫入模式的確定。通過由處理模式確定單元303確定的模式，寫入單元302將特定數(shù)據(jù)寫入到已經(jīng)預先存儲了讀出數(shù)據(jù)的地址中，或者不寫入數(shù)據(jù)(S403)。
接著，參照圖5的流程圖，詳細介紹了用于寫入數(shù)據(jù)的處理在已經(jīng)預先存儲了被讀出數(shù)據(jù)的地址中是如何執(zhí)行的。
處理模式確定單元303接收其中存儲了讀出數(shù)據(jù)的地址，然后將該地址與存儲在處理信息存儲單元305中的處理模式說明表600進行比較，并且根據(jù)該地址確定寫入模式(S501)。參照圖6，處理模式說明表600是指定寫入到已經(jīng)預先存儲被讀出數(shù)據(jù)的地址的模式的表格。
參照圖7的存儲分配圖630，F(xiàn)eRAM 125中的區(qū)域分為非破壞性讀出區(qū)域621；自我破壞性區(qū)域622；具體值寫入?yún)^(qū)域623；以及隨機數(shù)寫入?yún)^(qū)域624。
(1)非破壞性讀出區(qū)域621是地址從“0x0000”到“0x3FFF”的區(qū)域。(2)自我破壞性區(qū)域622是地址從“0x4000”到“0x7FFF”的區(qū)域。(3)具體值寫入?yún)^(qū)域623是地址從“0x8000”到“0xCFFF”的區(qū)域。(4)隨機數(shù)寫入?yún)^(qū)域624是地址從“0xD000”到“0xFFFF”的區(qū)域。用于地址區(qū)域的上述設置是一個例子，并且可以設置其他的地址區(qū)域。
以下介紹將被讀出的數(shù)據(jù)的地址(讀出地址)屬于以上四個地址區(qū)域的情況下的各個寫入處理。
(1)當讀出地址屬于非破壞性讀出區(qū)域621時(S502)，進行以下處理。
寫入單元302獲得讀出地址和被讀出的數(shù)據(jù)，并且將與已經(jīng)被讀出的數(shù)據(jù)相同的數(shù)據(jù)寫入到FeRAM 125中的讀出地址中(S503)。即，當讀出地址屬于非破壞性讀出區(qū)域621時，讀出處理執(zhí)行為非破壞性讀出，并且儲存讀出源中的數(shù)據(jù)。
(2)當讀出地址屬于自我破壞性區(qū)域622時(S504)，進行以下處理。
寫入單元302獲得讀出地址和被讀出的數(shù)據(jù)。然而，寫入單元302不進行用于寫入到FeRAM 125中的讀出地址中的處理。即，當讀出地址屬于自我破壞性區(qū)域622時，讀出處理執(zhí)行為破壞性讀出，從而讀出源中的數(shù)據(jù)不被儲存，并且變成不可預測的值。
(3)當讀出地址屬于具體值寫入?yún)^(qū)域623時(S505)，進行以下處理。
寫入單元302獲得讀出地址和被讀出的數(shù)據(jù)。然而，寫入單元302不將已經(jīng)被讀出的數(shù)據(jù)寫入到FeRAM 125中的讀出地址中，而是寫入作為“1”或“0”的具體值(S506)。
即，當讀出地址屬于具體值寫入?yún)^(qū)域623時，讀出處理執(zhí)行為破壞性讀出，并且將具體值寫入到讀出地址中。
(4)當讀出地址屬于隨機數(shù)寫入?yún)^(qū)域624時(S507)，進行以下處理。
寫入單元302獲得讀出地址和被讀出的數(shù)據(jù)。然而，寫入單元302不將已經(jīng)被讀出的數(shù)據(jù)寫入到FeRAM 125中的讀出地址中。隨機數(shù)產(chǎn)生單元304產(chǎn)生隨機數(shù)(S508)。寫入單元302將基于隨機數(shù)產(chǎn)生單元304產(chǎn)生的隨機數(shù)的值寫入到FeRAM 125中的讀出地址中(S509)。
即，當讀出地址屬于隨機數(shù)寫入?yún)^(qū)域624時，數(shù)據(jù)讀出被執(zhí)行為破壞性讀出。
下面介紹讀出地址屬于隨機數(shù)寫入?yún)^(qū)域624和讀出地址屬于自我破壞性區(qū)域622時的寫入處理的差別。
當讀出地址屬于隨機數(shù)寫入?yún)^(qū)域624時，將基于隨機數(shù)產(chǎn)生單元304產(chǎn)生的隨機數(shù)的數(shù)據(jù)寫入到該地址中。因此，與利用FeRAM 125特有的讀出破壞特性(自我破壞)的情況相比，變得更加難以預測將要存儲在讀出地址中的數(shù)據(jù)。在利用FeRAM 125特有的讀出破壞特性的情況下，不可能在數(shù)據(jù)被破壞之后預測數(shù)據(jù)，但是存在著這樣一種可能性，即，電特性可能引起存儲器中值分布的偏差。另一方面，當隨機數(shù)產(chǎn)生的值被寫入時，可以減少存儲器中值的偏差。
第二實施例圖8是其中將包括圖2的IC卡1300中的ROM 124、CPU 120和FeRAM 125的一部分轉(zhuǎn)換成軟件結(jié)構(gòu)的圖。
下面介紹與根據(jù)第一實施例的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)。
FeRAM 825僅安裝有容量為16K字節(jié)的存儲器。地址解碼器800對16位地址的一部分進行解碼，除了其較高2位之外。換句話說，在第二實施例中，對于與包括上述較高2位的地址相對應的真實存儲器不進行處理。上述較高2位，其是“A15”和“A14”，用于確定寫入模式。
處理模式確定單元802獲得上述較高2位，其是“A15”和“A14”的值，并且參考圖9所示的處理模式說明表900，根據(jù)獲得的值的組合來確定寫入模式。處理模式確定單元802向?qū)懭雴卧?01告知確定的模式。處理模式說明表900存儲在處理信息存儲單元805中。
下面介紹根據(jù)讀出地址的較高2位的組合而改變的用于寫入的處理，所述讀出地址的較高2位是“A15”的值和“A14”的值。
(1)當“A14”的值是“0”并且“A15”的值是“0”時，如圖9所示，執(zhí)行一種讀出模式作為非破壞性讀出(921)。即，執(zhí)行該讀出模式，作為對地址從“0x0000”到“0x3FFF”的區(qū)域的非破壞性讀出。在這種情況下，執(zhí)行與在上述S502和S503的處理相同的用于寫入的處理。在第一實施例中已經(jīng)介紹了上述步驟。注意到，執(zhí)行上述讀出處理作為對虛擬地址的讀出處理。即，較高的2位不被解碼，以便指定將被處理的地址。如圖10中的陰影部分所示，將被處理的地址范圍是真實地址從“0x0000”到“0x3FFF”的范圍。
(2)當“A14”的值是“1”并且“A15”的值是“0”時，如圖9所示，執(zhí)行一種讀出模式作為破壞性讀出(922)。即，執(zhí)行該讀出模式，作為對地址從“0x4000”到“0x7FFF”的區(qū)域的破壞性讀出。在這種情況下，執(zhí)行與在上述S504的處理相同的用于寫入的處理。在第一實施例中已經(jīng)介紹了上述步驟。注意到，執(zhí)行上述讀出處理作為對虛擬地址的讀出處理。即，較高的2位不被解碼，以便指定將被處理的地址。如圖10中的陰影部分所示，將被處理的地址范圍是真實地址從“0x0000”到“0x3FFF”的范圍。
(3)當“A14”的值是“0”并且“A15”的值是“1”時，如圖9所示，執(zhí)行一種讀出模式作為破壞性讀出，并且寫入具體值(923)。即，執(zhí)行該讀出模式作為破壞性讀出，并且將具體值寫入到地址從“0x8000”到“0xCFFF”的區(qū)域中。在這種情況下，執(zhí)行與在上述S505和S506的處理相同的用于寫入的處理。在第一實施例中已經(jīng)介紹了上述步驟。注意到，執(zhí)行上述讀出處理作為對虛擬地址的讀出處理。即，較高的2位不被解碼，以便指定將被處理的地址。如圖10中的陰影部分所示，將被處理的地址范圍是真實地址從“0x0000”到“0x3FFF”的范圍。
(4)當“A14”的值是“1”并且“A15”的值是“1”時，如圖9所示，執(zhí)行一種讀出模式作為破壞性讀出，并且寫入隨機數(shù)(924)。即，執(zhí)行該讀出模式作為破壞性讀出，并且將隨機數(shù)寫入到地址從“0xD000”到“0xFFFF”的區(qū)域中。在這種情況下，執(zhí)行與在上述S507到S509的處理相同的用于寫入的處理。在第一實施例中已經(jīng)介紹了上述步驟。注意到，執(zhí)行上述讀出處理作為對虛擬地址的讀出處理。即，較高的2位不被解碼，以便指定將被處理的地址。如圖10中的陰影部分所示，將被處理的地址范圍是真實地址從“0x0000”到“0x3FFF”的范圍。
如上所述，通過指定FeRAM 125的地址，用戶可以改變寫入到已經(jīng)預先存儲了被讀出數(shù)據(jù)的地址的模式。相應地，可以防止數(shù)據(jù)被對破壞性存儲器的不安全訪問所破壞。
此外，寫入單元在數(shù)據(jù)被讀出之后將具體值寫入到預定地址中。相應地，可以完全擦除已經(jīng)被讀出的數(shù)據(jù)的痕跡。
而且，寫入單元在數(shù)據(jù)被讀出之后將基于隨機數(shù)的值寫入到預定地址中。相應地，變得難以猜測已經(jīng)被讀出的數(shù)據(jù)的痕跡。
注意到，寫入單元在寫入具體值時可以比寫入基于隨機數(shù)的值時更快地完成寫入處理。
對實施例的第一點補充已經(jīng)如上所述介紹了第一和第二實施例。注意到，當CPU執(zhí)行計算機程序時，實現(xiàn)了IC卡1300中包括的讀取單元301、寫入單元302、處理模式確定單元303以及隨機數(shù)產(chǎn)生單元304的各自功能。程序可以存儲在IC卡1300內(nèi)部的ROM中，或者可以從外部下載，然后存儲在IC卡1300的非易失性存儲器中。
對實施例的第二點補充讀取單元301、寫入單元302、處理模式確定單元303和隨機數(shù)產(chǎn)生單元304可以實施為LSI，其是與例如CPU、RAM、ROM和非易失性存儲器的硬件資源相結(jié)合的集成電路。讀取單元301、寫入單元302、處理模式確定單元303和隨機數(shù)產(chǎn)生單元304可以分別集成，或者它們中的一部分或者全部可以集成為單個芯片。
圖11示出根據(jù)第一實施例的IC卡1300的電路集成的一個例子。圖12示出根據(jù)第二實施例的IC卡1300的電路集成的一個例子。LSI1001和1002是電路集成的例子。圖11和12中用虛線包圍的每個范圍代表其中功能塊被實施為集成電路的例子。集成電路根據(jù)它們的集成度可以被稱為IC、系統(tǒng)LSI、超級LSI或者甚大LSI。
集成電路不限于LSI，并且它可以實施為專用電路或者通用處理器。還可以使用在制造了LSI之后可以被編程的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)，或者其中LSI內(nèi)部的電路單元的連接和設置可以被重新配置的可重構(gòu)處理器。
而且，如果由于半導體技術(shù)或者它們的衍生物的發(fā)展，出現(xiàn)用于集成電路的新技術(shù)來代替LSI，那么也可以使用這種技術(shù)來將所包圍的功能塊實施為集成電路。例如，可以將生物技術(shù)、有機化學技術(shù)等應用于上述實施方式。
工業(yè)實用性本發(fā)明作為帶有具有破壞性讀出特性的存儲器的IC卡等是有用的。本發(fā)明可以應用于RF標簽等的使用當中。
權(quán)利要求
1.一種半導體存儲卡，包括第一存儲單元，用于存儲數(shù)據(jù)，該第一存儲單元具有數(shù)據(jù)被讀出之后該數(shù)據(jù)在該第一存儲單元中變得不確定的特性；第二存儲單元，用于存儲處理模式說明信息，其指定在所存儲的數(shù)據(jù)被讀出之后寫入到該第一存儲單元的每個地址的模式；讀取單元，用于讀出存儲在該第一存儲單元的指定地址中的數(shù)據(jù)；處理模式確定單元，用于在所存儲的數(shù)據(jù)被該讀取單元讀出時，通過將該指定的地址與該處理模式說明信息進行比較來確定寫入到該指定地址的模式；以及寫入單元，用于在存儲在該指定地址的數(shù)據(jù)被讀出之后，根據(jù)該處理模式確定單元確定的模式而將特定數(shù)據(jù)寫入或者不寫入該指定的地址中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲卡，其中該寫入單元用于將作為具體值的特定數(shù)據(jù)寫入到該指定的地址中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲卡，進一步包括用于產(chǎn)生隨機數(shù)的隨機數(shù)產(chǎn)生單元，其中該寫入單元用于將作為由該隨機數(shù)產(chǎn)生單元產(chǎn)生的隨機數(shù)的特定數(shù)據(jù)寫入到該指定的地址中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲卡，其中所述寫入單元用于將所述讀取單元讀出的特定數(shù)據(jù)寫入到該指定的地址中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲卡，其中該指定的地址不同于將被所述讀取單元和所述寫入單元處理的地址。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲卡，其中所述指定地址的特定部分用于確定寫入的模式。
7.一種在包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲單元的半導體存儲卡中用于在該數(shù)據(jù)被讀出之后處理該存儲單元的方法，該存儲單元具有數(shù)據(jù)被讀出之后數(shù)據(jù)在該存儲單元中變得不確定的特性，該方法包括讀出存儲在該存儲單元的指定地址中的數(shù)據(jù)；當所存儲的數(shù)據(jù)在該讀出步驟中被讀出時，通過將該指定的地址與處理模式說明信息進行比較來確定寫入到該指定地址的模式，該處理模式說明信息指定在存儲的數(shù)據(jù)被讀出之后寫入到該存儲單元的每個地址中的模式；并且在存儲在該指定地址中的數(shù)據(jù)被讀出之后，根據(jù)寫入模式的確定步驟中確定的模式而將特定數(shù)據(jù)寫入或者不寫入到該指定的地址中。
8.一種在包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲單元的半導體存儲卡中的集成電路，該存儲單元具有數(shù)據(jù)被讀出之后數(shù)據(jù)在該存儲單元中變得不確定的特性，該集成電路包括讀取單元，用于讀出存儲在該存儲單元的指定地址中的數(shù)據(jù)；處理模式確定單元，用于在所存儲的數(shù)據(jù)被該讀取單元讀出時，通過將該指定的地址與處理模式說明信息進行比較來確定寫入到該指定地址的模式，該處理模式說明信息指定在所存儲的數(shù)據(jù)被讀出之后寫入到該存儲單元的每個地址中的模式；以及寫入單元，用于在存儲在該指定地址的數(shù)據(jù)被讀出之后，根據(jù)所述處理模式確定單元確定的模式而將特定數(shù)據(jù)寫入或者不寫入該指定的地址中。
9.一種在包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲單元的半導體存儲卡中用于在該數(shù)據(jù)被讀出之后處理該存儲單元的程序，該存儲單元具有數(shù)據(jù)被讀出之后數(shù)據(jù)在該存儲單元中變得不確定的特性，該程序使計算機執(zhí)行讀出存儲在該存儲單元的指定地址中的數(shù)據(jù)；當所存儲的數(shù)據(jù)在該讀出步驟中被讀出時，通過將該指定的地址與處理模式說明信息進行比較來確定寫入到該指定地址的模式，該處理模式說明信息指定在所存儲的數(shù)據(jù)被讀出之后寫入到該存儲單元的每個地址中的模式；并且在存儲在該指定地址的數(shù)據(jù)被讀出之后，根據(jù)寫入模式的確定步驟中確定的模式而將特定數(shù)據(jù)寫入或者不寫入到該指定的地址中。
10.一種存儲介質(zhì)，其存儲了在包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲單元的半導體存儲卡中用于在該數(shù)據(jù)被讀出之后處理該存儲單元的程序，該存儲單元具有數(shù)據(jù)被讀出之后數(shù)據(jù)在該存儲單元中變得不確定的特性，該程序使計算機執(zhí)行讀出存儲在該存儲單元的指定地址中的數(shù)據(jù)；當所存儲的數(shù)據(jù)在該讀出步驟中被讀出時，通過將該指定的地址與處理模式說明信息進行比較來確定寫入到該指定地址的模式，該處理模式說明信息指定在所存儲的數(shù)據(jù)被讀出之后寫入到該存儲單元的每個地址中的模式；并且在存儲在該指定地址的數(shù)據(jù)被讀出之后，根據(jù)寫入模式的確定步驟中確定的模式而將特定數(shù)據(jù)寫入或者不寫入到該指定的地址中。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導體存儲卡，利用該半導體存儲卡，當存儲在讀出破壞性存儲單元中的數(shù)據(jù)被讀出時，用戶可以選擇對該數(shù)據(jù)的處理。IC卡(1300)包括FeRAM(125)，其存儲數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)在被讀出之后在FeRAM(125)中變得不確定；處理信息存儲單元(305)，其存儲處理模式確定信息；讀取單元(301)；處理模式確定單元(303)，其在該數(shù)據(jù)被讀取單元(301)讀出時，確定寫入到FeRAM(125)的指定地址中的模式，將指定的地址與該信息進行比較；以及寫入單元(302)，其在指定地址中的數(shù)據(jù)被讀出之后，根據(jù)確定的模式而將特定數(shù)據(jù)寫入或者不寫入指定的地址中。
文檔編號G11C11/22GK1942883SQ20058001104
公開日2007年4月4日 申請日期2005年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月25日
發(fā)明者植田榮治 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社