專利名稱：光記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)方法、記錄條件確定方法、記錄方法、光盤裝置、程序及其記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)方法，用于通過(guò)向諸如光盤的光記錄介質(zhì)輻射激光來(lái)記錄兩級(jí)(level)的二進(jìn)制數(shù)據(jù)或者三級(jí)或更多級(jí)的多級(jí)數(shù)據(jù)。本發(fā)明還分別涉及一種用于確定在光盤上記錄三級(jí)或更多級(jí)的多級(jí)數(shù)據(jù)的記錄條件的記錄條件確定方法、記錄方法、光盤裝置、程序、以及用于記錄多級(jí)數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)。本發(fā)明還涉及一種記錄方法和光盤裝置，用于通過(guò)使用脈沖光發(fā)射來(lái)輻射激光而在光盤的記錄層中記錄數(shù)據(jù)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，通過(guò)根據(jù)預(yù)定的標(biāo)準(zhǔn)周期(基準(zhǔn)周期)T來(lái)在光記錄介質(zhì)上依序形成標(biāo)記和凹坑來(lái)在光記錄介質(zhì)中記錄期望的數(shù)據(jù)。所述在光記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法通常使用二進(jìn)制化的數(shù)據(jù)(二進(jìn)制數(shù)據(jù))，所述二進(jìn)制數(shù)據(jù)依賴于是否在光記錄介質(zhì)的預(yù)定區(qū)域上存在(寫入)了記錄標(biāo)記。但是，為了以更大的傳送速度和更高的密度來(lái)實(shí)現(xiàn)信息的記錄，使用多級(jí)數(shù)據(jù)，所述多級(jí)數(shù)據(jù)在單個(gè)記錄單元中記錄多個(gè)信息。
例如，日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第61-94244號(hào)公開(kāi)了一種通過(guò)改變光束的數(shù)量、按照數(shù)據(jù)值(數(shù)據(jù)級(jí))來(lái)轉(zhuǎn)換被輻射到光盤上的激光束的光量的方法。使用這種方法，可以按照數(shù)據(jù)值多級(jí)地改變?cè)诠獗P上形成的凹坑的深度。而且，日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第2-31329號(hào)公開(kāi)了一種向相變記錄介質(zhì)上輻射激光束的方法，所述激光束具有按照數(shù)據(jù)值而轉(zhuǎn)換的光量。使用這種方法，可以按照數(shù)據(jù)值來(lái)多級(jí)地相變所述相變記錄介質(zhì)。而且。日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第4-238088號(hào)公開(kāi)了一種對(duì)應(yīng)于金屬絡(luò)合物(metal complex)的取向(orientation)的變化而記錄多級(jí)信息的方法。例如，在使用8面取向的情況下，可以通過(guò)使用最大6個(gè)變量(variation)的變量來(lái)記錄最大6級(jí)(值)的多級(jí)數(shù)據(jù)。
但是，上述多級(jí)記錄方法通常具有一個(gè)問(wèn)題其中，在執(zhí)行高密度記錄的情況下，再現(xiàn)信號(hào)中的直流電平的改變和符號(hào)間干擾(intersymbolinterference)引起誤差率，使得相當(dāng)大地變差。
而且，日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第8-287468和11-25456號(hào)公開(kāi)了一種改變記錄凹坑的面積和形狀/結(jié)構(gòu)的方法或一種定義記錄標(biāo)記位置和記錄標(biāo)記排列的各種組合以便提供多級(jí)的平均反射率(反射系數(shù))的方法。
為了通過(guò)多級(jí)記錄來(lái)提高記錄密度，期望降低用于記錄的單元的尺寸。而且，使用這種尺寸降低的單元，期望放大反射率改變的動(dòng)態(tài)范圍。而且，優(yōu)選的是，從記錄速度和驅(qū)動(dòng)成本的方面來(lái)看，避免使用復(fù)雜的記錄脈沖策略(strategy)。
考慮到這些點(diǎn)，在日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第8-287468和11-25456號(hào)所示的多級(jí)記錄的傳統(tǒng)方法中，存在記錄脈沖的策略被復(fù)雜化的問(wèn)題。而且，這些多級(jí)記錄方法是用于具有包括相變材料之記錄層的可重寫型光記錄介質(zhì)的記錄方法，其中，迄今還沒(méi)有獲得用于可記錄型光記錄介質(zhì)(例如一次寫入多次記錄型的光記錄介質(zhì))的滿意的多級(jí)記錄方法。尤其是，在具有包括有機(jī)色料之記錄層的使用短波長(zhǎng)激光可記錄的可記錄光記錄介質(zhì)中，僅僅可以使用有機(jī)色料(coloring material)，所述有機(jī)色料在接近藍(lán)色半導(dǎo)體激光器振蕩波長(zhǎng)中心的405nm處具有大的折射率和較小的吸收系數(shù)(大約0.05-0.07)。因此，相對(duì)于記錄/再現(xiàn)波長(zhǎng)的改變，可記錄光記錄介質(zhì)具有不穩(wěn)定行為的問(wèn)題。因此，迄今還沒(méi)有獲得具有滿意特性的可記錄型光記錄介質(zhì)。
而且，在日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第60-150240號(hào)公開(kāi)的發(fā)明中，在輻射低強(qiáng)度激光束(再現(xiàn)激光)的同時(shí)輻射記錄脈沖，由此在形成凹坑后立即將激光輻射停止預(yù)定時(shí)間。雖然日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第60-150240號(hào)的波形看起來(lái)與本發(fā)明的圖1-3(特別是圖2)的波形類似，但是它是完全不同的波形。就是說(shuō)，如果以與圖1-3所示的本發(fā)明的波形相同的方式來(lái)重寫和表達(dá)日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第60-150240號(hào)的發(fā)明的記錄波形，則發(fā)明之間的差別就明顯了(參見(jiàn)圖36)。
日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第63-113938號(hào)公開(kāi)了一種用于在可逆變化的記錄層(相變記錄層)中進(jìn)行記錄的方法和用于重寫型介質(zhì)的策略。這種方法在消除功率(Pe)上應(yīng)用記錄功率，并且在應(yīng)用所述記錄功率之后，立即提供不大于所述消除功率的冷卻功率(Pc)。雖然這看起來(lái)類似于在圖2中所示的本發(fā)明的記錄脈沖，但是如果以與在圖1-3中所示的本發(fā)明的記錄脈沖相同的方式來(lái)表達(dá)記錄脈沖，則發(fā)明之間的差別就明顯了(參見(jiàn)圖37)。而且，因?yàn)橄蛳嘧儾牧线M(jìn)行記錄一般是重寫的前提，因此為了不變地應(yīng)用預(yù)定功率以便在消除已經(jīng)寫入的記錄凹坑的同時(shí)寫入新的記錄凹坑，使用消除功率(Pe)。同時(shí)，在向傳統(tǒng)的可記錄型光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄的情況下，使用具有等于或小于再現(xiàn)功率的功率的激光束來(lái)執(zhí)行聚焦和跟蹤，并且通過(guò)輻射具有大于所述再現(xiàn)功率的功率的光束來(lái)執(zhí)行記錄。
另一方面，本發(fā)明包括進(jìn)一步向再現(xiàn)功率應(yīng)用偏置功率以增強(qiáng)記錄特性的新特征。
同時(shí)，由于近些年來(lái)在數(shù)字技術(shù)上的進(jìn)步和在數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)中的改進(jìn)，包括CD(致密盤)和DVD(數(shù)字通用盤)的光盤正在作為用于記錄諸如音樂(lè)、電影、照片和計(jì)算機(jī)軟件之類的信息(以下也稱為“內(nèi)容”)的媒體而贏得關(guān)注，所述DVD與CD相比較具有相同的直徑，但是具有更大的記錄容量(大約7倍的數(shù)據(jù))。而且，使用光盤來(lái)作為信息記錄媒體的光盤裝置正在變得廣泛地使用，因?yàn)楣獗P正在變得更便宜。
在所述光盤裝置中，通過(guò)在其上形成了螺旋或同心軌道的光盤的記錄表面上形成精細(xì)的光點(diǎn)來(lái)執(zhí)行信息的記錄和消除。而且，根據(jù)從光盤的記錄表面反射的光來(lái)執(zhí)行例如信息的再現(xiàn)。
通過(guò)使用具有不同反射率和長(zhǎng)度的標(biāo)記區(qū)域和空白(space)區(qū)域以及所述區(qū)域的組合來(lái)在光盤中記錄信息。在這種情況下，通過(guò)將所述信息轉(zhuǎn)換為0和1的組合(二進(jìn)制化處理)來(lái)在光盤中記錄信息。使用所述二進(jìn)制化處理的記錄方法如下所述。
在光盤中記錄信息之前，光盤裝置作為測(cè)試在測(cè)試區(qū)域(被稱為PCA，功率校準(zhǔn)區(qū)域)中寫入(記錄)數(shù)據(jù)，并且獲得最佳的記錄功率，以便可以在光盤的目標(biāo)區(qū)域上形成期望長(zhǎng)度的標(biāo)記區(qū)域和空白區(qū)域。這個(gè)處理被稱為OPC(最佳功率控制)處理。
在可記錄型光盤(例如，一次寫入多次讀取的光盤，其具有包含有機(jī)染料的記錄層，諸如CD-R(CD-可記錄)、DVD-R(DVD-可記錄)和DVD+R(DVD+可記錄))形成標(biāo)記區(qū)域的處理中，通過(guò)提高被輻射在光盤上的激光束的發(fā)射功率來(lái)加熱在光盤的記錄層中的染料，由此引起染料的變形和/或分解，并且因此使得接觸被加熱染料的盤基底的一部分變形和/或分解。在可記錄型光盤形成空白區(qū)域的處理中，將激光束的發(fā)射功率控制到基本上等于在再現(xiàn)期間的發(fā)射功率的程度，使得在染料和在盤基底上不引起變形和/或分解。由此，以低于空白區(qū)域的反射率來(lái)形成標(biāo)記區(qū)域。應(yīng)當(dāng)注意，在標(biāo)記區(qū)域的形成期間的發(fā)射功率被稱為記錄功率。而且，在空白區(qū)域的形成期間的發(fā)射功率被稱為再現(xiàn)功率。
在形成標(biāo)記區(qū)域的這種情況下，按照定義發(fā)射功率的脈沖的形狀、大小等的規(guī)則(公式)來(lái)設(shè)置所述發(fā)射功率的脈沖的形狀、大小等(其被稱為“記錄策略”)，以便降低熱分布的波動(dòng)，其依賴于在目標(biāo)標(biāo)記區(qū)域前和/或后形成的標(biāo)記區(qū)域或空白區(qū)域的類型。因?yàn)樗鲇涗洸呗詫?duì)于記錄質(zhì)量具有大的影響，因此期望優(yōu)化所述記錄策略。
同時(shí)，當(dāng)內(nèi)容的數(shù)量繼續(xù)增加時(shí)，用于在單個(gè)光盤中記錄更大數(shù)量的信息的期望也增大。用于使得能夠在光盤中記錄更多信息的一種方法是通過(guò)將信息轉(zhuǎn)換為多級(jí)數(shù)據(jù)(三個(gè)或更多類型的數(shù)據(jù)級(jí)，或符號(hào))的組合而在光盤中寫入數(shù)據(jù)的方法。因此，繼續(xù)進(jìn)行積極的研究以將這個(gè)技術(shù)投入實(shí)用(例如參見(jiàn)日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第2001-184647、2002-25114、2002-83445、2002-334438、2002-352428、2002-352429、2002-367182、2003-151137和2003-141725)。將信息轉(zhuǎn)換為3級(jí)或更多級(jí)的組合的處理以下被稱為多級(jí)處理，并且被執(zhí)行多級(jí)處理的數(shù)據(jù)被稱為多級(jí)數(shù)據(jù)。而且，使用多級(jí)處理的記錄方法被稱為多級(jí)型記錄方法。
在執(zhí)行用于獲得滿意的記錄質(zhì)量的多級(jí)型記錄方法(例如參見(jiàn)日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第2003-151137、2003-141725和2003-132536號(hào))中，期望與二進(jìn)制型記錄方法相同的獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗?。在多?jí)型記錄方法中，與二進(jìn)制型記錄方法相比較，線性記錄密度更高，并且被記錄了多級(jí)數(shù)據(jù)的單個(gè)單位(unit)(符號(hào)(symbol))的記錄區(qū)域(單元)的尺寸比激光光斑的點(diǎn)直徑更小。因此，所述多級(jí)型記錄方法易于受到符號(hào)間干擾，在日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第2003-132536中所示的例子中，不考慮符號(hào)間干擾問(wèn)題，因此，當(dāng)單元的尺寸正在變得更小時(shí)，所獲得的記錄功率和記錄策略有可能變得不適合。
另外，因?yàn)轭A(yù)期在二進(jìn)制型記錄方法中的最短標(biāo)記區(qū)域的長(zhǎng)度和/或在多級(jí)型記錄方法中的單元的尺寸變得更短/更小，因此通過(guò)使用先前使用的記錄策略，可能不能將標(biāo)記區(qū)域形成為期望的形狀(目標(biāo)形狀)。

發(fā)明內(nèi)容
可以使用按照本發(fā)明的下述處理來(lái)解決上述問(wèn)題。
本發(fā)明的一般目的是提供一種記錄/再現(xiàn)方法，用于通過(guò)使用單個(gè)記錄脈沖策略來(lái)實(shí)現(xiàn)雙值(級(jí))的二進(jìn)制記錄或三值或更多值(級(jí))的多級(jí)記錄。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，提供了下面的1)到18)發(fā)明(以下稱為發(fā)明1-18)。
1)一種記錄和再現(xiàn)方法，其中，在下述條件下執(zhí)行記錄將再現(xiàn)功率(Pr)和偏置功率(Pbi)的比率Pbi/Pr設(shè)置為0.5或大于0.5，并且總是在向可記錄型光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄時(shí)引入將偏置功率(Pbi)加到再現(xiàn)功率(Pr)的功率，所述可記錄型光記錄介質(zhì)具有導(dǎo)槽(guiding groove)和至少一個(gè)記錄層，它們可以通過(guò)將激光輻射時(shí)間或激光輻射長(zhǎng)度調(diào)制到兩個(gè)或更多的值而執(zhí)行記錄和再現(xiàn)。
2)一種記錄和再現(xiàn)方法，其中，在下述條件下執(zhí)行記錄被設(shè)置為激光(激光束的直徑)的中心強(qiáng)度的1/e2的光束的直徑D與用于多級(jí)的記錄標(biāo)記的記錄單位(基本單元)的長(zhǎng)度L的比率是D/L＞1的范圍，以及再現(xiàn)功率(Pr)和偏置功率(Pbi)的Pbi/Pr比率被設(shè)置為0.5或大于0.5，并且總是在向可記錄型光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄時(shí)引入將偏置功率(Pbi)加到再現(xiàn)功率(Pr)的功率，其中，記錄標(biāo)記的記錄單位是規(guī)則圓形(cycle)，通過(guò)激光束的輻射，在所述記錄單位中的記錄標(biāo)記的α種(α≥3)尺寸和/或深度被改變和多級(jí)數(shù)據(jù)被記錄，并且檢測(cè)由記錄標(biāo)記的尺寸和/或深度的不同而導(dǎo)致的α種(α≥3)相互不同的反射級(jí)，以及可以再現(xiàn)多級(jí)數(shù)據(jù)。
3)如在2)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，使用下述策略來(lái)執(zhí)行記錄至少最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt和基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度Lt的比率Wt/Lt在0.3-0.8之間。
4)如在3)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，在導(dǎo)槽的軌道間距0.25-0.5微米、深度15-150nm和平均槽寬度0.15-0.35微米的條件下在可記錄型光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，并且使用在450nm之下的藍(lán)色波長(zhǎng)范圍內(nèi)的激光束的非記錄的反射率是2-50％。
5)如1)到4)的一個(gè)或多個(gè)的記錄和再現(xiàn)方法，其中，導(dǎo)槽的平均槽寬Wg和用于多級(jí)的記錄標(biāo)記的記錄單位(基本單元)的長(zhǎng)度L的比率Wg/L在0.7到1.5之間。
6)如1)到5)的一個(gè)或多個(gè)的記錄和再現(xiàn)方法，其中，用于多級(jí)的記錄標(biāo)記的記錄單位(基本單元)的長(zhǎng)度L和導(dǎo)槽的深度Dp的比率L/Dp在3和8之間。
7)如1)到6)的一個(gè)或多個(gè)的記錄和再現(xiàn)方法，其中，使用由兩級(jí)或多于兩級(jí)的不同記錄功率構(gòu)成的策略來(lái)執(zhí)行記錄。
8)如在7)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，所述記錄功率是兩階段的，并且，使用下述策略來(lái)執(zhí)行記錄前半部分的記錄功率(Pf)和后半部分的記錄功率(Pb)的比率Pf/Pb在0.3和1之間。
9)如在7)或8)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，所述記錄功率是兩階段的，并且使用下述策略來(lái)執(zhí)行記錄最大級(jí)標(biāo)記的后半部分的記錄功率的脈沖時(shí)間寬度Wb和整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt的比率Wb/Wt在0.3和0.8之間。
10)如在8)或0)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，執(zhí)行記錄，由此，前半部分的記錄功率(Pf)和后半部分的記錄功率(Pb)的轉(zhuǎn)換點(diǎn)對(duì)應(yīng)于基本單元的中心。
11)如1)到10)的一個(gè)或多個(gè)的記錄和再現(xiàn)方法，其中，在可記錄型光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述可記錄型光記錄介質(zhì)至少具有在其襯底之上的包括R和Q的每個(gè)元素的薄層(RO層(R是從由Y、B、I、In和鑭系元素構(gòu)成的組選擇的一個(gè)或多個(gè)元素，O表達(dá)氧))和有機(jī)材料的薄層。
12)如在11)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，在可記錄型光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，其中，RO膜包括從下組選擇的一個(gè)或多個(gè)元素M所述組的構(gòu)成是Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb。
13)如在11)或12)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，在可記錄型光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述可記錄型光記錄介質(zhì)的構(gòu)成是依序在其襯底上的至少RO膜、有機(jī)材料的薄膜和反射層的層。
14)如在11)或12)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，在可記錄型光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述可記錄型光記錄介質(zhì)的構(gòu)成是依序在其襯底上的至少反射層、有機(jī)材料的薄膜、RO層和覆蓋層的層。
15)如在11)或12)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，在可記錄型光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述可記錄型光記錄介質(zhì)至少具有在其襯底之上的薄層(RO層)和介電層，所述薄層包括R和O的每個(gè)元素(R是從由Y、B、I、In和鑭系元素構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)或多個(gè)元素，O表達(dá)氧)，所述介電層具有作為主要成分的ZnS。
16)如在15)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，在可記錄型光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，其中，RO膜包括從下組選擇的一個(gè)或多個(gè)元素M所述組的構(gòu)成是Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb。
17)如在15)或16)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，在可記錄型光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述可記錄型光記錄介質(zhì)的構(gòu)成是依序在其襯底上的至少RO膜、介電層和反射層的層，所述介電層具有作為主要成分的ZnS。
18)如在15)或16)中所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中，在可記錄型光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述可記錄型光記錄介質(zhì)的構(gòu)成是依序在其襯底上的至少反射層、介電層、RO層和覆蓋層的層，所述介電層具有作為主要成分的ZnS。
按照本發(fā)明的另一個(gè)方面，本發(fā)明的另一個(gè)和更具體的目的是提供一種記錄條件確定方法，用于確定用于在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)的記錄條件，所述記錄條件確定方法包括步驟a)在多個(gè)測(cè)試區(qū)域中寫入具有相同值的多個(gè)多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)，每個(gè)測(cè)試區(qū)域具有在與軌道相切的線的方向上的指定長(zhǎng)度，所述指定長(zhǎng)度大于在軌道上形成的光點(diǎn)的點(diǎn)直徑；和b)按照從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)(level)來(lái)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 在按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄條件確定方法中，當(dāng)在再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最大值和最小值之間的差不大于參考值時(shí)可以獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 在按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄條件確定方法中，所述參考值可以被記錄在光盤中。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄條件確定方法中，所述方法可以還包括步驟c)確定光盤的類型；其中，按照光盤的類型從預(yù)定值選擇參考值。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄條件確定方法中，所述參考值可以包括通過(guò)計(jì)算公式{|DR|/{γ·(α-1)}}而獲得的值，其中，α是不大于3的多級(jí)數(shù)據(jù)的值，DR是在未記錄區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)和其中記錄了最大標(biāo)記的區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)之間的差，γ是不小于1的值。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄條件確定方法中，所述多級(jí)數(shù)據(jù)可以包括對(duì)應(yīng)于最大標(biāo)記的多級(jí)數(shù)據(jù)，其中，通過(guò)涉及從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)來(lái)獲得所述參考值。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄條件確定方法中，當(dāng)再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的平均值落入預(yù)定范圍中時(shí)可以獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 在按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄條件確定方法中，當(dāng)在再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最大值和再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最小值的至少一個(gè)和再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的平均值之間的差不大于預(yù)定參考值時(shí)可以獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 在按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄條件確定方法中，在測(cè)試區(qū)域中可以記錄的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)的數(shù)量被設(shè)置為滿足公式β＝A+2其中，β表示在測(cè)試區(qū)域中記錄的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)的數(shù)量，其中，A表示當(dāng)上舍入(round up)2R÷S的計(jì)算結(jié)果時(shí)的整數(shù)，其中，2R表示光點(diǎn)的點(diǎn)直徑，其中，S表示測(cè)試區(qū)域的長(zhǎng)度。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄條件確定方法中，可以通過(guò)省略通過(guò)下舍入(round down)R÷S的計(jì)算結(jié)果而獲得的最前(foremost)測(cè)試區(qū)域和最后(rearmost)測(cè)試區(qū)域的多級(jí)值而得到從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)。
而且，本發(fā)明提供了一種用于在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)的記錄方法，所述記錄方法包括步驟通過(guò)使用利用本發(fā)明的上述方法而獲得的適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗詠?lái)在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)。
而且，本發(fā)明提供了一種用于在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)的光盤裝置，所述光盤裝置包括寫入部分，用于在多個(gè)測(cè)試區(qū)域中寫入具有相同值的多個(gè)多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)，每個(gè)測(cè)試區(qū)域具有在與軌道相切的線的方向上的指定長(zhǎng)度，所述指定長(zhǎng)度大于在軌道上形成的光點(diǎn)的點(diǎn)直徑；獲得部分，用于按照從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)來(lái)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗?；以及記錄部分，用于通過(guò)使用所獲得的記錄功率和記錄策略來(lái)在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置中，當(dāng)在再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最大值和最小值之間的差不大于參考值時(shí)可以獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 在按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置中，所述參考值可以被記錄在光盤中。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置中，所述光盤裝置可以還包括確定部分，用于確定光盤的類型；其中，按照光盤的類型從預(yù)定值選擇參考值。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置中，所述參考值可以包括通過(guò)計(jì)算公式{|DR|/{γ·(α-1)}}而獲得的值，其中，α是不小于3的多級(jí)數(shù)據(jù)的值，DR是在未記錄區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)和其中記錄了最大標(biāo)記的區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)之間的差，γ是不小于1的值。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置中，所述多級(jí)數(shù)據(jù)可以包括對(duì)應(yīng)于最大標(biāo)記的多級(jí)數(shù)據(jù)，其中，通過(guò)涉及從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)來(lái)獲得所述參考值。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置中，所述記錄部分還可以在光盤中記錄所獲得的參考值。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置中，當(dāng)再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的平均值落入預(yù)定范圍中時(shí)可以獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 在按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置中，當(dāng)在再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最大值和再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最小值的至少一個(gè)和再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的平均值之間的差不大于預(yù)定參考值時(shí)可以獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 在按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置中，在測(cè)試區(qū)域中記錄的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)的數(shù)量被設(shè)置為滿足公式β＝A+2，其中，β表示在測(cè)試區(qū)域中記錄的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)的數(shù)量，其中，A表示當(dāng)上舍入2R÷S的計(jì)算結(jié)果時(shí)的整數(shù)，其中，2R表示光點(diǎn)的點(diǎn)直徑，其中，S表示測(cè)試區(qū)域的長(zhǎng)度。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置中，可以通過(guò)分別省略通過(guò)下舍入R÷S的計(jì)算結(jié)果而獲得的最前測(cè)試區(qū)域和最后測(cè)試區(qū)域的多級(jí)值來(lái)得到從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)。
而且，本發(fā)明提供了一種用于光盤裝置的程序，所述光盤裝置可用于在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)，所述程序包括寫入處理，用于在多個(gè)測(cè)試區(qū)域中寫入具有相同值的多個(gè)多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)，每個(gè)測(cè)試區(qū)域具有在與軌道相切的線的方向上的指定長(zhǎng)度，所述指定長(zhǎng)度大于在軌道上形成的光點(diǎn)的點(diǎn)直徑；獲得處理，用于按照從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)來(lái)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗?；以及記錄處理，用于通過(guò)使用所獲得的記錄功率和記錄策略來(lái)在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)。
而且，本發(fā)明提供了一種計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)，其包括本發(fā)明的上述程序。
按照本發(fā)明的另一個(gè)方面，本發(fā)明的另一個(gè)和更具體的目的是提供一種用于在光盤的記錄層上記錄數(shù)據(jù)的記錄方法，所述記錄方法包括步驟a)通過(guò)向光盤上輻射至少單個(gè)預(yù)熱脈沖而將記錄層預(yù)熱到小于初始標(biāo)記形成溫度的溫度，所述預(yù)熱脈沖具有大于光盤的再現(xiàn)功率和小于光盤的記錄功率的功率級(jí)；b)通過(guò)向光盤上輻射至少單個(gè)主脈沖而將記錄層加熱到等于或大于所述初始標(biāo)記形成溫度的溫度；所述主脈沖具有與光盤的記錄功率相同的功率級(jí)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述記錄方法中，所述預(yù)熱脈沖可以具有不大于記錄功率的80％的功率級(jí)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述記錄方法中，所述預(yù)熱可以包括第一脈沖和第二脈沖，其中，所述第一脈沖具有與第二脈沖的功率級(jí)不同的功率級(jí)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述記錄方法中，所述第一脈沖和所述第二脈沖之一可以具有不大于記錄功率的40％的功率級(jí)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述記錄方法中，在光盤中記錄的數(shù)據(jù)可以包括二進(jìn)制化的數(shù)據(jù)和具有三個(gè)或更多值的多級(jí)數(shù)據(jù)的至少一個(gè)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述記錄方法中，當(dāng)被記錄到光盤的數(shù)據(jù)是二進(jìn)制化數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)在記錄層上形成的標(biāo)記中的一個(gè)標(biāo)記是最短時(shí)可以執(zhí)行步驟a)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述記錄方法中，所述主脈沖可以包括至少單脈沖。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述記錄方法中，所述記錄層的溫度在達(dá)到初始標(biāo)記形成溫度之前可以具有溫度突變的點(diǎn)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述記錄方法中，記錄層的溫度可以沒(méi)有在記錄層的溫度不小于初始標(biāo)記形成溫度之后溫度突變的點(diǎn)。
而且，本發(fā)明提供了一種光盤裝置，用于在光盤的記錄層上記錄數(shù)據(jù)，所述光盤裝置包括光學(xué)拾取裝置，用于通過(guò)使用脈沖發(fā)射來(lái)輻射激光；預(yù)熱部分，用于通過(guò)向光盤上輻射至少單個(gè)預(yù)熱脈沖而將記錄層預(yù)熱到小于初始標(biāo)記形成溫度的溫度，所述預(yù)熱脈沖具有大于光盤的再現(xiàn)功率和小于光盤的記錄功率的功率級(jí)；加熱部分，用于通過(guò)在光盤上輻射至少單個(gè)主脈沖而將記錄層加熱到等于或大于初始標(biāo)記形成溫度的溫度，所述主脈沖具有與光盤的記錄功率相同的功率級(jí)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置中，所述預(yù)熱脈沖可以具有不大于記錄功率的80％的功率級(jí)。在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述光盤裝置中，所述預(yù)熱脈沖可以包括第一脈沖和第二脈沖，其中，所述第一脈沖具有與第二脈沖的功率級(jí)不同的功率級(jí)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述光盤裝置中，所述第一脈沖和所述第二脈沖之一具有不大于記錄功率的40％的功率級(jí)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述光盤裝置中，在光盤中記錄的數(shù)據(jù)可以包括二進(jìn)制化的數(shù)據(jù)和具有三個(gè)或更多值的多級(jí)數(shù)據(jù)的至少一個(gè)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述光盤裝置中，當(dāng)被記錄到光盤的數(shù)據(jù)是二進(jìn)制化數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)在記錄層上形成的標(biāo)記中的一個(gè)標(biāo)記是最短時(shí)可以執(zhí)行所述預(yù)熱。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述光盤裝置中，所述主脈沖可以包括至少單脈沖。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述光盤裝置中，所述記錄層的溫度在達(dá)到初始標(biāo)記形成溫度之前可以具有溫度突變的點(diǎn)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的所述光盤裝置中，記錄層的溫度可以沒(méi)有在記錄層的溫度不小于初始標(biāo)記形成溫度之后溫度突變的點(diǎn)。


本發(fā)明的其他目的和特征在結(jié)合附圖閱讀時(shí)將從下述詳細(xì)說(shuō)明中變得更為清楚。
圖1是表示策略A的記錄波形的圖；圖2是表示策略B的記錄波形的圖；圖3是表示策略C的記錄波形的圖；圖4是表示從記錄了分級(jí)波(stepped wave)的部分獲得的再現(xiàn)信號(hào)的圖；圖5是表示通過(guò)使用在圖1中所示的記錄波形而執(zhí)行分級(jí)波記錄中的整個(gè)脈沖寬度的功率相關(guān)性(dependency)的測(cè)試結(jié)果的示意圖；圖6是表示在通過(guò)使用在圖2中所示的記錄波形而執(zhí)行分級(jí)波記錄中的整個(gè)脈沖寬度的功率相關(guān)性的測(cè)試結(jié)果的圖；圖7是表示在通過(guò)使用在圖3中所示的記錄波形而執(zhí)行分級(jí)波記錄中的整個(gè)脈沖寬度的功率相關(guān)性的測(cè)試結(jié)果的示意圖；圖8是表示向在圖2中所示的波形記錄引入偏置功率(Pbi)的效果的示意圖；圖9是表示在Wt/Lt(其是在使用圖2和3中所示的波形的隨機(jī)記錄的情況下，在最高級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間間隔Wt和基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間間隔Lt之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖10是表示在Wg/L(其是在使用圖2和3中所示的波形的隨機(jī)記錄的情況下，在導(dǎo)槽的平均槽寬Wg和基本單元長(zhǎng)度之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖11是表示在L/Dp(其是在使用圖2和3中所示的波形的隨機(jī)記錄的情況下，在基本單元長(zhǎng)度L和導(dǎo)槽深度Dp之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖12是表示在Pf/Pb(其是在使用圖2中所示的波形的隨機(jī)記錄的情況下，在記錄功率Pf和Pb之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖13是表示被改變到記錄功率Pb的圖12的x軸的示意圖；圖14是表示在Wb/Wt(其是在使用圖2中所示的波形的隨機(jī)記錄的情況下，在脈沖時(shí)間間隔Wb和最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間間隔Wt之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖15是表示有機(jī)材料的復(fù)數(shù)折射率的實(shí)數(shù)部分n和虛數(shù)部分k的改變的示意圖；圖16是表示在有機(jī)材料的主吸收帶和記錄/再現(xiàn)波長(zhǎng)之間的關(guān)系的示意圖；圖17是在商業(yè)可獲得的DVD-R上進(jìn)行記錄的情況下通過(guò)襯底表面的一部分的AFM觀察而獲得的視圖；圖18是表示在有機(jī)材料的主吸收帶和記錄/再現(xiàn)波長(zhǎng)之間的關(guān)系的示意圖；圖19是表示在通過(guò)使用圖1-3中所示的策略來(lái)執(zhí)行分級(jí)波記錄中整個(gè)脈沖寬度的功率相關(guān)性的測(cè)試結(jié)果的示意圖；圖20是表示引入偏置功率的效果的示意圖；圖21是表示在Wt/Lt(其是在使用圖2中所示的雙級(jí)波(two-step wave)的隨機(jī)記錄的情況下，在最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間間隔Wt和基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間間隔Lt之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖22是表示在Wg/L(其是在使用圖2和3中所示的波形的隨機(jī)記錄的情況下，在導(dǎo)槽的平均槽寬和基本單元長(zhǎng)度之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；
圖23是表示在L/Dp(其是在使用圖2和3中所示的波形的隨機(jī)記錄的情況下，在基本單元長(zhǎng)度L和導(dǎo)槽Dp深度之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖24是表示在Pf/Pb(其是在使用圖2中所示的波形的隨機(jī)記錄的情況下，在記錄功率Pf和Pb之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖25是表示在Wb/Wt(其是在使用圖2中所示的波形的隨機(jī)記錄的情況下，在脈沖時(shí)間間隔Wb和最高級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間間隔Wt之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖26是表示在基本單元長(zhǎng)度和多值記錄脈沖位置之間的關(guān)聯(lián)性的示意圖；圖27是表示在每個(gè)級(jí)的多值和中心位置之間的關(guān)系的示意圖；圖28是表示按照本發(fā)明的第三實(shí)施例的相對(duì)于酞菁染料介質(zhì)通過(guò)使用圖1-3中所示的策略來(lái)執(zhí)行分級(jí)波記錄時(shí)的整個(gè)脈沖寬度的功率關(guān)聯(lián)性的測(cè)試結(jié)果的示意圖；圖29是表示按照本發(fā)明的第三實(shí)施例的相對(duì)于TeO介質(zhì)通過(guò)使用圖1-3中所示的策略來(lái)執(zhí)行分級(jí)波記錄時(shí)的整個(gè)脈沖寬度的功率關(guān)聯(lián)性的測(cè)試結(jié)果的示意圖；圖30是表示引入偏置功率的效果的示意圖；圖31是表示在Wt/Lt(其是在使用圖2中所示的雙級(jí)波的隨機(jī)記錄的情況下，在最高級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間間隔Wt和基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間間隔Lt之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖32是表示在Wg/L(其是在隨機(jī)記錄的情況下，在導(dǎo)槽的平均槽寬Wg和基本單元長(zhǎng)度之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖33是表示在L/Dp(其是在使用圖2和3中所示的波的隨機(jī)記錄的情況下，在基本單元長(zhǎng)度L和導(dǎo)槽深度Dp之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖34是表示在Pf/Pb(其是在使用圖2中所示的波的隨機(jī)記錄的情況下，在記錄功率Pf和Pb之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；圖35是表示在Wb/Wt(其是在使用圖2中所示的波的隨機(jī)記錄的情況下，在脈沖時(shí)間間隔Wb和最高級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間間隔Wt之間的比率)和SDR值之間的關(guān)系的示意圖；
圖36是示意圖，其中表示以與在圖1-3中所示的本發(fā)明的波形相同的方式重寫在日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第60-150240中所示的發(fā)明的記錄波形；圖37是示意圖，其中表示以與在圖1-3中所示的本發(fā)明的波形相同的方式重寫在日本公開(kāi)專利申請(qǐng)第63-113938中所示的發(fā)明的記錄波形；圖38是表示按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置的配置的方框圖；圖39是用于說(shuō)明信息的多級(jí)的圖；圖40是用于說(shuō)明在圖38中所示的光學(xué)拾取裝置的配置的圖；圖41是用于說(shuō)明按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄處理的流程圖；圖42是用于說(shuō)明單個(gè)測(cè)試區(qū)域的示意圖；圖43是用于說(shuō)明測(cè)試區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)的波形圖；圖44A-44C是用于說(shuō)明單個(gè)測(cè)試區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)的波形圖；圖45A-45B是用于說(shuō)明在測(cè)試區(qū)域包括10個(gè)單元的情況下的再現(xiàn)信號(hào)的波形圖；圖46是用于說(shuō)明包括三個(gè)單元的測(cè)試區(qū)域的示意圖；圖47A-47B是用于說(shuō)明在圖46中所示的測(cè)試區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)的波形圖；圖48是用于說(shuō)明按照本發(fā)明實(shí)施例的修改的記錄處理的流程圖；圖49是用于說(shuō)明在圖38中所示的激光控制電路的示意圖；圖50是用于說(shuō)明按照本發(fā)明實(shí)施例的在模擬中使用的虛擬盤的配置的示意圖；圖51是用于說(shuō)明按照本發(fā)明實(shí)施例的在模擬中使用的虛擬盤的特性的表；圖52是用于說(shuō)明在模擬中的虛擬盤上和在單元中記錄的多級(jí)數(shù)據(jù)的示意圖；圖53是用于說(shuō)明相對(duì)于單元中心的記錄層的溫度的改變的示意圖；圖54是用于說(shuō)明包括在模擬中使用的預(yù)熱脈沖和主脈沖的光發(fā)射脈沖的示意圖；圖55是用于說(shuō)明在使用圖54的光發(fā)射脈沖中的模擬結(jié)果的示意圖；圖56是用于說(shuō)明用于比較目的的僅僅主脈沖的光發(fā)射脈沖的示意圖；圖57是用于說(shuō)明在使用圖56的光發(fā)射脈沖中的模擬結(jié)果的示意圖；圖58A是在使用圖54的光發(fā)射脈沖的情況下單元B的等溫線圖；圖58B是在使用圖56的光發(fā)射脈沖的情況下單元B的等溫線圖；
圖59是用于說(shuō)明在將圖56的記錄功率設(shè)置為6.0mW的情況下的模擬結(jié)果的示意圖；圖60是用于說(shuō)明在將圖56的記錄功率設(shè)置為5.5mW的情況下的模擬結(jié)果的示意圖；圖61是用于說(shuō)明圖54的光發(fā)射脈沖的第一修改例子的示意圖；圖62是用于說(shuō)明在使用圖61的光發(fā)射脈沖中的模擬結(jié)果的示意圖；圖63是用于說(shuō)明按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄處理的流程圖；圖64A-64D是用于說(shuō)明記錄層的溫度和在開(kāi)始輻射后的過(guò)去時(shí)間的關(guān)系的示意圖；圖65是用于說(shuō)明圖54的光發(fā)射脈沖的第二修改例子的示意圖；圖66是用于說(shuō)明圖54的光發(fā)射脈沖的第三修改例子的示意圖；圖67是用于說(shuō)明圖54的光發(fā)射脈沖的第四修改例子的示意圖；圖68是用于說(shuō)明圖54的光發(fā)射脈沖的第五修改例子的示意圖；圖69是用于說(shuō)明圖54的光發(fā)射脈沖的第六修改例子的示意圖；圖70是用于說(shuō)明在使用二進(jìn)制記錄類型的情況下包括預(yù)熱脈沖的第一光發(fā)射脈沖的示意圖；圖71是用于說(shuō)明在使用二進(jìn)制記錄類型的情況下包括預(yù)熱脈沖的第二光發(fā)射脈沖的示意圖；以及圖72是用于說(shuō)明在使用二進(jìn)制記錄類型的情況下包括預(yù)熱脈沖的第三光發(fā)射脈沖的示意圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)在附圖中所述的實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
像發(fā)明1那樣，這些發(fā)明人發(fā)現(xiàn)存在下述效應(yīng)通過(guò)將再現(xiàn)功率(Pr)和偏置功率(Pbi)的比率(Pbi/Pr)設(shè)置為0.5或大于0.5、并且總是在記錄時(shí)間引入向再現(xiàn)功率(Pr)加上偏置功率(Pbi)的功率，提高了記錄靈敏度和降低了SDR值。優(yōu)選的是，Pbi/Pr是1或大于1，更優(yōu)選的是，Pbi/Pr在2和4之間。但是，因?yàn)樽罴训腜bi/Pr隨著介質(zhì)的反射率和記錄速度而改變，當(dāng)執(zhí)行本發(fā)明時(shí)，期望計(jì)算每種介質(zhì)的最佳Pbi/Pr。本發(fā)明中的再現(xiàn)功率是在被記錄介質(zhì)再現(xiàn)時(shí)用于讀取的激光功率，并且在本發(fā)明中總是引入的功率是將偏置功率加到上述再現(xiàn)功率的功率。圖1-3被描述為發(fā)明1的波形的例子。在這些附圖中，Pf是前半部分的記錄功率，Pb是后半部分的記錄功率，Wf是前半部分的記錄功率的脈沖時(shí)間寬度，Wb是后半部分的記錄功率的脈沖時(shí)間寬度。
而且，像發(fā)明2那樣，當(dāng)被設(shè)置為激光(激光束的直徑)D的中心強(qiáng)度的1/e2的光束的直徑與用于多級(jí)的記錄標(biāo)記的記錄單位(基本單元)的長(zhǎng)度L的比率是D/L＞1的范圍并且在短于光束直徑的長(zhǎng)度的基本單元中執(zhí)行多級(jí)記錄時(shí)，這些發(fā)明人發(fā)現(xiàn)存在下述效應(yīng)通過(guò)將再現(xiàn)功率(Pr)和偏置功率(Pbi)的比率(Pbi/Pr)設(shè)置為0.5或大于0.5、并且總是在記錄時(shí)引入將偏置功率(Pbi)加到再現(xiàn)功率(Pr)的功率，來(lái)提高記錄靈敏度和降低SDR值。優(yōu)選的是，Pbi/Pr是1或大于1，并且更優(yōu)選的是，Pbi/Pr在2和4之間。但是，因?yàn)樽罴训腜bi/Pr隨著介質(zhì)的反射率和記錄速度而改變，當(dāng)執(zhí)行本發(fā)明時(shí)，期望計(jì)算每種介質(zhì)的最佳Pbi/Pr。
SDR是等同于在2值記錄中的抖動(dòng)的系數(shù)(index)。當(dāng)由由α種構(gòu)成的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)mi(m0，m1，m2，…，mα-2，mα-1)的每個(gè)反射級(jí)被設(shè)置為Ri(R0，R1，R2，…，Rα-2，Rα-1)并且在多級(jí)級(jí)mi中的反射級(jí)Ri的標(biāo)準(zhǔn)偏差被設(shè)置為σmi時(shí)，它是由下面的公式給出的值。
SDS＝(σm0+σm1+σm2+…+σmα-2+σmα-1)/[(1+α)|R0-Rα-1]在發(fā)明3中，除了發(fā)明2的要求之外，使用最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt和基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度Lt的比率Wt/Lt至少在0.3-0.8之間的策略來(lái)執(zhí)行記錄。通過(guò)如此進(jìn)行，尤其對(duì)于隨機(jī)信號(hào)記錄，能夠降低SDR值。
對(duì)于發(fā)明3的記錄和再現(xiàn)方法，在發(fā)明4中，在導(dǎo)槽的軌道間距0.25-0.5微米、深度15-150nm和平均槽寬度0.15-0.35微米的條件下的可記錄型光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，并且使用在450nm之下的藍(lán)色波長(zhǎng)范圍內(nèi)的激光束，非記錄的反射率是2-50％。在這種情況下，可以特別對(duì)于隨機(jī)的信號(hào)記錄降低SDR值。沒(méi)有波長(zhǎng)的下限，如果開(kāi)發(fā)LD，則雖然可以無(wú)限制地使用短波長(zhǎng)，但是在當(dāng)前條件下，BeMgZnSe是具有2.68-4.72電子伏特的大的禁區(qū)寬度的直接改變II-VI族復(fù)合半導(dǎo)體，并且如果將磷酸鎵(GaP)和硅(Si)用作襯底材料，則能夠覆蓋紫外線域的295-345nm。
而且，像發(fā)明5那樣，優(yōu)選的是，導(dǎo)槽的平均槽寬Wg和用于多級(jí)的記錄標(biāo)記的記錄單元(基本單元)的長(zhǎng)度L的比率Wg/L在0.7到1.5之間。如果Wg/L小于0.7，則串?dāng)_的影響變大，并且如果Wg/L大于1.5，則在代碼之間的干擾變大。
而且，像發(fā)明6那樣，優(yōu)選的是，用于多級(jí)的記錄標(biāo)記的記錄單位(基本單元)的長(zhǎng)度L和導(dǎo)槽的深度Dp的比率L/Dp在3和8之間。如果L/Dp小于3，則在代碼之間的干擾變大，并且如果L/Dp大于8，則SDR值變差。
在發(fā)明7中，使用由兩級(jí)或多于兩級(jí)的不同記錄功率構(gòu)成的策略來(lái)執(zhí)行記錄。
雖然這些發(fā)明人發(fā)現(xiàn)也可能通過(guò)縮短脈沖寬度和通過(guò)每個(gè)記錄標(biāo)記使得在代碼之間的干擾變小來(lái)降低SDR值，但是必須提高記錄功率，并且靈敏度降低以使得脈沖寬度小和獲得等同的調(diào)制。因此，作為審查的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)按照發(fā)明7的條件獲得良好的SDR值而不降低靈敏度。
例如，像發(fā)明8那樣，如果所述記錄功率是雙級(jí)的，并且使用前半部分的記錄功率(Pf)和后半部分的記錄功率(Pb)的比率Pf/Pb在0.3-1之間的策略來(lái)執(zhí)行記錄，則可以容易地獲得上述的效果，但是，當(dāng)擴(kuò)大前半部分的記錄功率Pf時(shí)，則看不見(jiàn)降低靈敏度的多數(shù)效果。雖然從0.3到1的范圍展示出良好的SDR值，但是更優(yōu)選為從0.4到0.9的范圍。發(fā)明8的波形的例子是圖2。雖然期望前半部分和后半部分如后面的發(fā)明10所述那樣是相同的脈沖時(shí)間寬度，但是如果將前半部分和后半部分劃分到不影響記錄特性的程度，則其將是滿意的。
在發(fā)明9中，使用脈沖時(shí)間寬度Wb和最大級(jí)標(biāo)記的后半部分的記錄功率的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt的比率Wb/Wt在0.3和0.8之間的策略來(lái)執(zhí)行記錄。通過(guò)這樣做，仍然可以獲得較好的SDR值。在發(fā)明10中，執(zhí)行記錄，由此，記錄功率中用于兩級(jí)的前半部分的記錄功率(Pf)和后半部分的記錄功率(Pb)的轉(zhuǎn)換點(diǎn)對(duì)應(yīng)于基本單元的中心。就是說(shuō)，由于將通過(guò)本發(fā)明方法記錄的多級(jí)信號(hào)設(shè)置在每個(gè)基本單元的中心是理想的，因此對(duì)于基本單元寬度和多級(jí)記錄脈沖位置的關(guān)聯(lián)性，期望使得基本單元的中心與在圖26中所示的轉(zhuǎn)換點(diǎn)Pf和Pb一致，由此，多級(jí)信號(hào)被設(shè)置在每個(gè)基本單元的中心，并且展示出良好的SDR值。圖26的多級(jí)信號(hào)示出了8個(gè)值，并且ML(多級(jí))在0和7之間。
通過(guò)發(fā)明10，在圖27中示出了多級(jí)記錄信號(hào)被布置在基本單元的中心位置的效果。雖然這個(gè)圖使用示波器顯示了在層中的基本單元的每個(gè)級(jí)的多級(jí)信號(hào)，但是每個(gè)級(jí)的多級(jí)信號(hào)對(duì)于基本單元的中心位置是一致的，并且可以明白，像發(fā)明10那樣，通過(guò)綜合(uniting)信號(hào)的位置，有大的效果。
在發(fā)明11中，在可記錄型光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述可記錄型光記錄介質(zhì)至少具有在其襯底之上的包括R和Q的每個(gè)元素的薄層(RO層)(R是從由Y、B、I、In和鑭系元素構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)或多個(gè)元素，O表達(dá)氧))和有機(jī)材料的薄層。主要使用顏料來(lái)作為有機(jī)材料。
這些發(fā)明人預(yù)先應(yīng)用關(guān)于可記錄型光記錄介質(zhì)的發(fā)明，其中，通過(guò)藍(lán)色區(qū)域的激光也可能進(jìn)行記錄和再現(xiàn)(專利申請(qǐng)?zhí)?003-110867和專利申請(qǐng)?zhí)?003-112141)。隨后再次簡(jiǎn)述細(xì)節(jié)。
需要的是，對(duì)于用于藍(lán)色激光的可記錄型光記錄介質(zhì)的記錄層中使用的有機(jī)材料，相對(duì)于藍(lán)色激光波長(zhǎng)，選擇光特性和分解行為合適的任何材料。為了提高在非記錄時(shí)的反射率，以及為了通過(guò)激光輻射而分解有機(jī)材料和使其產(chǎn)生大的折射系數(shù)變化(由此通過(guò)此它獲得大程度的色調(diào)改變)，選擇記錄再現(xiàn)波長(zhǎng)使得它可以位于大吸收區(qū)域的長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)邊的邊緣。這是因?yàn)?，有機(jī)材料的大吸收區(qū)域的長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)邊的邊緣用作為具有中等吸收系數(shù)的波長(zhǎng)區(qū)域，并且作為結(jié)果獲得大的折射系數(shù)(請(qǐng)參見(jiàn)圖15。在其傳統(tǒng)的有機(jī)材料是記錄層的可記錄型光記錄介質(zhì)中，將記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)設(shè)置為在圖15中的斜線(slash)部分)。
但是，還沒(méi)有發(fā)現(xiàn)具有可以使用在藍(lán)色激光波長(zhǎng)上的光特性的值的任何有機(jī)材料。必須使得分子結(jié)構(gòu)(frame)小或縮小共軛系統(tǒng)以便獲得具有接近藍(lán)色激光波長(zhǎng)的吸收區(qū)的有機(jī)材料，這是因?yàn)槲障禂?shù)的降低即折射系數(shù)(refractive index)的降低。就是說(shuō)，也可能存在具有接近藍(lán)色激光波長(zhǎng)的吸收區(qū)的許多有機(jī)材料和控制吸收系數(shù)，這是因?yàn)樗皇谴蟮恼凵渎?，因此不能獲得大程度的色調(diào)(tone)改變。
而且，在傳統(tǒng)的可記錄型光記錄介質(zhì)中，通過(guò)因有機(jī)材料的分解和變質(zhì)引起的折射率的改變和襯底的變形來(lái)進(jìn)行記錄。例如，如圖17中所示[其是通過(guò)AFM(原子力顯微鏡)從被記錄到商用CVC-R中的部分的襯底的表面觀察的圖]，襯底正在改變到反射層側(cè)中，由此產(chǎn)生由于這個(gè)變形而導(dǎo)致的色調(diào)改變的程度。
而且，在具有有機(jī)材料的傳統(tǒng)可記錄型光記錄介質(zhì)中，如在圖16中所示，因?yàn)橛袡C(jī)材料的主吸收區(qū)存在于接近記錄/再現(xiàn)波長(zhǎng)，因此所述有機(jī)材料的光學(xué)常數(shù)的波長(zhǎng)依賴性變高(光學(xué)常數(shù)隨著波長(zhǎng)而相當(dāng)大地改變)，存在諸如記錄靈敏度、色調(diào)改變程度、抖動(dòng)和誤差率之類的記錄特性和反射率相對(duì)于通過(guò)激光的實(shí)差(solid difference)而導(dǎo)致的記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)的改變、環(huán)境溫度的改變等而發(fā)生大的改變。但是，當(dāng)變形是記錄原理的主體時(shí)，即使獲得了良好的抖動(dòng)和色調(diào)改變程度，由于在記錄標(biāo)記之間的干擾也將變大，因此存在各種記錄和再現(xiàn)特性的容限(margin)變窄的問(wèn)題。因此，用變形量小的記錄標(biāo)記來(lái)產(chǎn)生大的色調(diào)變化程度就是使用藍(lán)色波長(zhǎng)域激光的可記錄型光記錄介質(zhì)中的課題。
另外，因?yàn)橛袡C(jī)材料對(duì)于記錄光沒(méi)有足夠的吸收能力，因此它不能使得有機(jī)材料的膜的厚度變薄。因此，必須使用具有深點(diǎn)(deep spot)的襯底(因?yàn)橛袡C(jī)材料通常通過(guò)旋涂方法形成，因此它將有機(jī)材料埋如深槽中，并且使得膜變厚)。因此，具有深槽的襯底的形成變得很難，并且它變?yōu)榻档妥鳛楣庥涗浗橘|(zhì)的質(zhì)量的因素。
而且，因?yàn)椴荒苁褂袡C(jī)材料的膜的厚度變薄，因此存在一個(gè)問(wèn)題記錄功率容限(margin)等變窄(記錄和再現(xiàn)特性的各種容限是窄的問(wèn)題)。
作為本發(fā)明的主題即通過(guò)變形量小的記錄標(biāo)記來(lái)產(chǎn)生大的色調(diào)改變程度的點(diǎn)是下面的(A)-(D)。
(A)具有光吸收功能的層不使得引起分解、變質(zhì)、組成改變等，并且具有光吸收功能的層本身不使其大地改變。
(B)具有光吸收功能的層不使得引起分解、變質(zhì)、組成改變等，并且許多熱量不被發(fā)送到容易改變的鄰近層，諸如襯底。(在具有光吸收功能的層中產(chǎn)生的熱量不消耗在具有光吸收功能的層中，由此有可能將襯底等的變形等抑制為小)。
(C)即使它降低了變形量，為了產(chǎn)生足夠的色調(diào)改變程度，它具有引起大的光學(xué)常數(shù)改變的層。
(D)即使它降低了變形量，為了產(chǎn)生足夠的色調(diào)改變程度，使用使層與鄰近層連接的記錄原理。
作為審查具有這種功能的材料的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)具有由通過(guò)本發(fā)明11指定的特定材料構(gòu)成的薄膜和所述有機(jī)材料的薄膜的組合的可記錄型光記錄介質(zhì)是很有效的。通過(guò)使用這個(gè)組合，與過(guò)去相比，有可能使記錄標(biāo)記中變形的貢獻(xiàn)很少，并且可以解決上述的問(wèn)題。
在傳統(tǒng)的可記錄型光記錄介質(zhì)中，通過(guò)有機(jī)材料的分解和變質(zhì)，降低了記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)中的吸收系數(shù)，并且通過(guò)使用由此引起的大的折射率改變來(lái)產(chǎn)生色調(diào)改變程度。
另一方面，在發(fā)明11的可記錄型光記錄介質(zhì)中，傳統(tǒng)上，主要熱產(chǎn)生層的功能從由光吸收功能引起的熱產(chǎn)生層和由起源于分解和變質(zhì)的折射率變化(復(fù)數(shù)折射率的實(shí)數(shù)部分)引起的作為記錄層功能的有機(jī)薄膜中分離，并且提供了與有機(jī)材料薄膜相分離的具有光吸收功能的RO膜。這是發(fā)明11的特征。
在發(fā)明11的可記錄型光記錄介質(zhì)中，根據(jù)下面A-I的記錄原理來(lái)形成記錄標(biāo)記。
A)修改RO膜。
B)改變RO膜的復(fù)數(shù)折射率。
C)改變RO膜的成分。
D)溶解RO膜。
E)將RO膜中的組成元素?cái)U(kuò)散到相鄰層。
F)改變RO膜的晶體結(jié)構(gòu)。
G)改變有機(jī)材料薄膜的體積。
H)改變有機(jī)材料薄膜的復(fù)數(shù)折射率。
I)使得在有機(jī)材料薄膜中形成多孔部分。
特別是，在發(fā)明11的可記錄型光記錄介質(zhì)中，期望主要形成用于RO膜的狀態(tài)的各種改變(即上述的A)到I))的記錄標(biāo)記。特別是，B)到F)是優(yōu)選的。例如，因?yàn)榭梢允褂媒M成的改變、溶解或向相鄰層擴(kuò)散組成元素，因此RO膜的復(fù)數(shù)折射率可以改變很多。而且，因?yàn)榭梢允沟门c相鄰層的層連接界面不確定和可以取消多重(multiplex)反射效果，因此即使是小的變形，也能夠獲得大的色調(diào)改變程度。
就是說(shuō)，通過(guò)使用上述的記錄原理，它具有下面的特性(1)到(7)，并且可以實(shí)現(xiàn)通過(guò)小量變形的記錄標(biāo)記而能夠產(chǎn)生大的色調(diào)改變程度的可記錄型光記錄介質(zhì)。(1)即使在藍(lán)色激光波長(zhǎng)域內(nèi)(500nm或小于500nm)，特別是在與405nm接近的波長(zhǎng)域內(nèi)，也能夠容易地實(shí)現(xiàn)2值記錄的記錄和再現(xiàn)的高密度可記錄型光記錄介質(zhì)。(2)即使在藍(lán)色激光波長(zhǎng)域內(nèi)(500nm或小于500nm)，特別是在與405nm接近的波長(zhǎng)域內(nèi)，也能夠容易地實(shí)現(xiàn)多級(jí)記錄的記錄和再現(xiàn)的高密度可記錄型光記錄介質(zhì)。
(3)即使在藍(lán)色激光波長(zhǎng)域內(nèi)(500nm或小于500nm)，特別是在與405nm接近的波長(zhǎng)域內(nèi)，適合于通過(guò)PRML系統(tǒng)的通過(guò)信號(hào)處理系統(tǒng)的記錄和再現(xiàn)的高密度可記錄型光記錄介質(zhì)。
(4)對(duì)于記錄功率的改變具有大的抖動(dòng)容限、誤差率等的可記錄型光記錄介質(zhì)。
(5)對(duì)于記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)的改變具有諸如記錄靈敏度、色調(diào)改變程度、抖動(dòng)、誤差率、反射率等記錄特性小改變的可記錄型光記錄介質(zhì)。
(6)即使襯底具有淺槽和優(yōu)越的傳送特性，也可以容易地實(shí)現(xiàn)記錄和再現(xiàn)的可記錄型光記錄介質(zhì)。(7)可記錄到平臺(tái)部分(land part)的可記錄型光記錄介質(zhì)。
1.RO層的功能在發(fā)明11的可記錄型光記錄介質(zhì)中，RO膜具有主光吸收功能。
因?yàn)檫@個(gè)RO膜是展示出正常分布的材料(類似于有機(jī)材料，因?yàn)樗皇窃谔囟úㄩL(zhǎng)范圍內(nèi)具有大的吸收區(qū)域的材料，因此復(fù)數(shù)折射率的波長(zhǎng)依賴性小)，因此，它可以極大地解決傳統(tǒng)問(wèn)題，即對(duì)于由于激光的個(gè)體差別、環(huán)境溫度的改變等導(dǎo)致的記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)的改變，具有諸如記錄靈敏度、色調(diào)改變程度、抖動(dòng)、誤差率、反射率等記錄特性的大的改變。
在傳統(tǒng)的可記錄型光記錄介質(zhì)中，因?yàn)橛袡C(jī)材料薄膜兼用記錄層和光吸收層的功能，因此，對(duì)于記錄再現(xiàn)波長(zhǎng)，具有大的折射率n和較小的吸收系數(shù)k是有機(jī)材料的必要條件。因此，為了達(dá)到有機(jī)材料的分解溫度，需要較厚的膜的厚度(而且，對(duì)于相變類型的光記錄介質(zhì)，在襯底上的凹槽的深度很深)。
但是，在發(fā)明11的可記錄型光記錄介質(zhì)中，因?yàn)橛袡C(jī)材料薄膜主要不需要具有光吸收功能或記錄功能，因此與過(guò)去相比較，有機(jī)材料的薄膜的厚度可以更薄。
而且，因?yàn)橛锌赡苁沟糜袡C(jī)材料的薄膜薄，因此可以使用在傳輸特性(制造特性)上優(yōu)越并且其凹槽淺的襯底，同時(shí)與過(guò)去相比較，光記錄介質(zhì)的信號(hào)質(zhì)量大大地改善，可以容易和便宜地制造(加工)襯底。
而且，通過(guò)上述的記錄原理，難于在再現(xiàn)時(shí)受到襯底凹槽的形狀的影響，對(duì)襯底形狀改變的允許程度是高的，并且與過(guò)去相比較，可以容易和便宜地制造所述襯底。
而且，因?yàn)橛锌赡苁沟糜袡C(jī)材料的薄膜薄，因此有可能擴(kuò)大記錄功率容限等。
所述RO膜還具有光吸收功能和記錄功能。
具體地，RO膜本身通過(guò)RO膜的光吸收功能而引起狀態(tài)的下述改變。
(1)變形(但是，與傳統(tǒng)相比較，變形量少)(2)復(fù)數(shù)折射率的改變(3)成分的改變(4)溶融(dissolution)(5)組成元素向相鄰層的擴(kuò)散(6)晶體結(jié)構(gòu)的改變因此，因?yàn)樗鼘?duì)于500nm或更小的記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)在具有光吸收功能的同時(shí)也具有記錄功能，因此期望選擇對(duì)于500nm或更小的記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)具有光吸收功能的元素來(lái)作為R。
而且，為了引起大的復(fù)數(shù)折射率變化、成分的變化和溶融，或者使構(gòu)成元素?cái)U(kuò)散到相鄰層，對(duì)于R，在RO膜中，期望選擇具有較低熔點(diǎn)的元素。
從上述觀點(diǎn)來(lái)看，從由Y、Bi、In和鑭系元素構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)或多個(gè)元素被用作R。O表示氧。
雖然本發(fā)明涉及對(duì)于具有主要通過(guò)藍(lán)色域激光而可記錄的RO膜的可記錄型光記錄介質(zhì)體現(xiàn)出良好的抖動(dòng)或SDR值的策略，但是本發(fā)明在除了藍(lán)色波長(zhǎng)域之外的大波長(zhǎng)域的激光記錄中也有效。
2.有機(jī)材料薄膜的功能可以將有機(jī)材料薄膜的功能大致劃分為(a)色調(diào)改變程度的產(chǎn)生功能，(b)補(bǔ)償再現(xiàn)信號(hào)波形的功能，(c)控制諸如反射率和跟蹤信號(hào)的功能，以及(d)記錄靈敏度的控制功能。
對(duì)于有機(jī)材料的薄膜，通過(guò)引起下面的現(xiàn)象，來(lái)實(shí)現(xiàn)色調(diào)改變程度的產(chǎn)生功能(a)。
有機(jī)材料的薄膜的體積隨著記錄而改變。
有機(jī)材料的薄膜的復(fù)數(shù)折射率隨著記錄而改變。
通過(guò)記錄，在有機(jī)材料的薄膜中形成多孔部分。
接收通過(guò)記錄導(dǎo)致的RO膜的狀態(tài)改變。
接收反射層的變形。
變形、復(fù)數(shù)折射率的改變、組成的改變、溶融、組成元素向相鄰層的擴(kuò)散(混合)和晶體結(jié)構(gòu)的改變?cè)诖嗽谡f(shuō)明中被表示為“RO膜的狀態(tài)的改變”。
(b)用于補(bǔ)償再現(xiàn)信號(hào)的波形的功能是指雖然很可能再現(xiàn)信號(hào)波形僅僅被RO膜混淆[記錄極性隨著從高到低的單個(gè)極性而不能夠容易地改變]，但是它是通過(guò)提供有機(jī)材料薄膜來(lái)作為相鄰層而可以使得再現(xiàn)信號(hào)波形成為期望波形的功能(一般地，記錄極性是高到低)。
因?yàn)橛袡C(jī)材料薄膜可以控制在很寬范圍內(nèi)的其復(fù)數(shù)折射率和厚度，因此很清楚具有(c)控制功能，諸如反射率和跟蹤信號(hào)。
關(guān)于(d)的功能，在發(fā)明11的可記錄型光記錄介質(zhì)中，雖然光吸收功能主要被提供到RO膜，但是記錄靈敏度是可控制的，因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)控制有機(jī)材料薄膜的復(fù)數(shù)折射率(特別是復(fù)數(shù)折射率的虛數(shù)部分)來(lái)將有機(jī)材料薄膜輔助用作為光吸收層。
在發(fā)明11的可記錄型光記錄介質(zhì)中，為了大大地?cái)U(kuò)展有機(jī)材料的選擇范圍，即使它是進(jìn)一步使用有機(jī)材料薄膜的可記錄型光記錄介質(zhì)，為了使接近記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)的復(fù)數(shù)折射率小的變化(使波長(zhǎng)依賴性小)，對(duì)于有機(jī)材料薄膜，期望主吸收區(qū)域位于所述記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)的長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)(請(qǐng)參見(jiàn)圖18。斜線部分示出了記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng))。
當(dāng)使用有機(jī)材料薄膜來(lái)輔助作為光吸收層時(shí)，對(duì)于在所述有機(jī)材料薄膜的記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)中的復(fù)數(shù)折射率的虛數(shù)部分的值，期望它小于RO膜的復(fù)數(shù)折射率的虛數(shù)部分的值。原因如下。使有機(jī)材料薄膜的記錄再現(xiàn)波長(zhǎng)中的復(fù)數(shù)折射率的虛數(shù)部分的值在必要范圍之外惡化了波長(zhǎng)依賴性。
而且，當(dāng)使用有機(jī)材料薄膜來(lái)輔助作為光吸收層時(shí)，對(duì)于有機(jī)材料薄膜，期望主吸收區(qū)域位于記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)的長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)，并且也期望具有不屬于接近記錄和再現(xiàn)波長(zhǎng)的主吸收區(qū)域的吸收區(qū)域。
發(fā)明12的特征在于發(fā)明11的可記錄型光記錄介質(zhì)的RO膜，它包括從下組選擇的一個(gè)或多個(gè)元素M，所述組的構(gòu)成是Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb。特別是，在形成所謂Garnett結(jié)構(gòu)的R3M5O12組成的情況下，因?yàn)榭梢蕴岣卟牧系挠捕纫约癛O膜的硬度增加，因此也可能抑制RO膜本身的變形或諸如襯底等相鄰層的變形，并且可以使得在記錄標(biāo)記之間的干擾小。
而且，為了保存穩(wěn)定性的進(jìn)一步提高，期望將Bi選擇為R。雖然C、Si、Ge、Sn、Pb被描述為4B族元素，但Si和Ge是特別期望的。而且，F(xiàn)e、Co、Cu、Ni、Zn被描述為過(guò)渡金屬元素，但Fe和Cu是特別期望的。
而且，在BiOM層的情況下，通過(guò)附加元素M的行為，引起復(fù)數(shù)折射率的大的改變、構(gòu)成的改變和溶融，或者用于使得相鄰層擴(kuò)散構(gòu)成元素的能力進(jìn)一步提高。
使用包括R和O——進(jìn)一步是R、O和M——的每個(gè)元素的材料的幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)如下。(1)可以通過(guò)使得其為氧化物而提高層的硬度(也可能抑制RO膜本身的變形或諸如襯底之類的相鄰層的變形)。
(2)可以通過(guò)使得其為氧化物而提高保留穩(wěn)定性。
(3)可以通過(guò)包括具有對(duì)于波長(zhǎng)區(qū)域?yàn)?00nm或更小的光的高光吸收率的元素——諸如Bi——來(lái)提高記錄靈敏度。
(4)通過(guò)包括諸如Bi之類的低熔點(diǎn)的元素或容易引起擴(kuò)散的元素，雖然不伴隨大的變形，但是可以使得形成產(chǎn)生大的色調(diào)改變程度的記錄標(biāo)記。
(5)可以通過(guò)諸如濺射之類的氣相生長(zhǎng)方法來(lái)形成良好的薄膜。RO膜的厚度具有期望的20-500埃。
像發(fā)明13和14那樣，使用這些RO膜和有機(jī)材料薄膜的組成在可記錄型光記錄介質(zhì)中是有效的，并且可以通過(guò)使用本發(fā)明的策略來(lái)實(shí)現(xiàn)具有低SDR值的良好多級(jí)記錄。其組成依序是在其襯底上的至少RO膜、有機(jī)材料薄膜和反射層的層或依序是在其襯底上的至少反射層、有機(jī)材料薄膜、RO層和覆蓋層的層。
在發(fā)明15中，它在可記錄型光記錄介質(zhì)上記錄，所述可記錄型光記錄介質(zhì)具有在其襯底之上的薄層(以下被稱為RO層)和介電層，所述薄層至少包括R和O的每個(gè)元素(但是，R是從包括Y、Bi、In和鑭系元素的組中選擇的一個(gè)或多個(gè)元素)，所述介電層具有作為主要成分的ZnS。這里，主要成分表示至少包含50mol％的ZnS。
上述發(fā)明11旨在具有有機(jī)材料薄膜的可記錄型光記錄介質(zhì)，在發(fā)明15中，它沒(méi)有有機(jī)材料薄膜，但是其旨在使用介電層——ZnS是其主要成分——的結(jié)構(gòu)的可記錄型光記錄介質(zhì)。關(guān)于其他的記錄原理和細(xì)節(jié)，與發(fā)明11相同。
與發(fā)明12相同，發(fā)明16的特征在于可記錄型光記錄介質(zhì)的RO膜，它包括從下組選擇的一個(gè)或多個(gè)元素M，所述組的構(gòu)成是Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb。對(duì)于發(fā)明16，細(xì)節(jié)與發(fā)明12相同。
像發(fā)明17和18那樣，使用這些RO膜和ZnS是主要成分的介電層的構(gòu)成在可記錄型光記錄介質(zhì)中是有效的，并且可以通過(guò)使用本發(fā)明的策略來(lái)實(shí)現(xiàn)具有低SDR值的良好多級(jí)記錄。其構(gòu)成依序是在其襯底上的至少RO膜、ZnS是主要成分的介電層和反射層的層，或依序是在其襯底上的至少反射層、ZnS是主要成分的介電層、RO層和覆蓋層的層。
按照本發(fā)明，可以通過(guò)簡(jiǎn)單的記錄脈沖策略來(lái)提供記錄和再現(xiàn)方法，其中，2值(二進(jìn)制)記錄或三值或更多值的多級(jí)記錄是可能的。
盡管比較實(shí)施例和例子更具體地說(shuō)明發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
第一實(shí)施例使用濺射來(lái)在具有導(dǎo)槽(50nm深度)的聚碳酸酯襯底(0.6mm厚)上依序提供65nm的ZnS-SiO2薄層和12nm的Bi2O3薄層。然后，在上面，使用旋涂方法形成有機(jī)材料薄膜(平均厚度是大約30nm)，所述有機(jī)材料由化學(xué)結(jié)構(gòu)在下所示的染料構(gòu)成，然后使用濺射來(lái)在上面提供150nm的Ag反射層，然后用旋涂方法在上面提供大約5微米的保護(hù)層，所述保護(hù)層由紫外線硬化類型的樹(shù)脂(SD1700，Dainihon ink chemical industry inc.(Dainihon油墨化學(xué)工業(yè)公司))構(gòu)成，由此加工可記錄型光記錄介質(zhì)。
化學(xué)結(jié)構(gòu)1 對(duì)于上述光記錄介質(zhì)，執(zhí)行多級(jí)記錄。在這種情況下，執(zhí)行8值(0級(jí)到7級(jí))的多值記錄。在所述實(shí)現(xiàn)方式中，通過(guò)在基本單元長(zhǎng)度(記錄標(biāo)記的記錄單元)為0.24微米、基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度為48ns、時(shí)鐘頻率為2.5GHz、記錄和再現(xiàn)線速度為5.0m/s下使用SONY techtronics，Inc(索尼技術(shù)公司)的AWG-610來(lái)操作Pulstec Industry Inc的光盤評(píng)估設(shè)備DDU-1000(波長(zhǎng)405nm，NA0.65，激光的中心強(qiáng)度(光束直徑的1/e2)使用大約0.55微米來(lái)設(shè)定記錄策略(在記錄時(shí)激光的亮度波形控制))。再現(xiàn)功率是0.5mW，如下所述，將正常引導(dǎo)功率(Pr+Pbi)設(shè)置在1.5mW。為激光中心強(qiáng)度的1/e2的光束直徑(激光束直徑)D和多級(jí)記錄標(biāo)記的基本單元長(zhǎng)度L的比率是在1＜D/L的范圍。
首先，在圖1-3所示的記錄波形中，圖4中所示的分級(jí)波策略估計(jì)介質(zhì)，以便它可以指定哪個(gè)波形是良好的。本發(fā)明的每個(gè)記錄波形在所述正常引導(dǎo)功率(Pr+Pbi)上建立。
圖4是在多級(jí)級(jí)是8的情況下的例子。將記錄了連續(xù)5個(gè)記錄單位(虛擬單元)的多級(jí)級(jí)m0(0級(jí))和連續(xù)32個(gè)記錄單位(虛擬單元)的多級(jí)級(jí)mi的模式(pattern)作為基礎(chǔ)，然后將對(duì)于所有多級(jí)級(jí)mi(i＝0-7)記錄了上述基本模式的模式選擇作為測(cè)試模式，然后記錄到光記錄介質(zhì)中，圖4是用于再現(xiàn)其上記錄了測(cè)試模式之部分的例子。
這個(gè)測(cè)試模式處于代碼之間的干擾被清楚地固定的狀態(tài)中，并且多級(jí)級(jí)m0(0級(jí))到多級(jí)級(jí)m7(7級(jí))示出了正常反射級(jí)。
為了正確地判斷多級(jí)級(jí)mi的反射級(jí)，在連續(xù)多次采樣中，期望選擇用于覆蓋多級(jí)級(jí)mi連續(xù)的多個(gè)記錄單位的測(cè)試模式(該測(cè)試模式為，例如，在使用示波器觀察時(shí)，能夠觀察到該多級(jí)級(jí)mi處于大約直線形狀)，以便它可以是用于獲得相同多級(jí)級(jí)mi之反射級(jí)的長(zhǎng)度。例如，優(yōu)選下述測(cè)試模式在多個(gè)連續(xù)的記錄單元(虛擬單元)上重復(fù)記錄多級(jí)級(jí)mi，并且(重復(fù)次數(shù))x(記錄單位的長(zhǎng)度)變成大于再現(xiàn)光的直徑。
雖然它被考慮為在多級(jí)級(jí)mi每次變化時(shí)都通過(guò)上述測(cè)試模式來(lái)插入多級(jí)級(jí)m0的模式，但插入這個(gè)m0不是不可缺少的。然而，通過(guò)插入m0，多級(jí)級(jí)m1的轉(zhuǎn)換變得清楚，由此，存在采樣定時(shí)變得精確的優(yōu)點(diǎn)?？梢砸种飘?dāng)多級(jí)級(jí)m1轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的在代碼之間的干擾，并且存在進(jìn)一步改善多級(jí)級(jí)m1的均一性的優(yōu)點(diǎn)。以下，圖4波形的記錄模式被稱為分級(jí)波記錄。在分級(jí)波記錄中，因?yàn)樵诖a之間的干擾少，由于一般可以獲得低于隨機(jī)波記錄的SDR值，因此分級(jí)波記錄的SDR可以與隨機(jī)波記錄的SDR相比較。
基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度對(duì)應(yīng)于48ns，并且條件設(shè)置如下。用于形成級(jí)1(小到第二的尺寸和/或具有深度的記錄標(biāo)記)的激光的脈沖長(zhǎng)度設(shè)置值(在施加到激光元件的脈沖電壓中的時(shí)間寬度的設(shè)置值。以后，其是相同的)是7.2ns，用于形成級(jí)2的激光的脈沖長(zhǎng)度設(shè)置值是10.4ns，用于形成級(jí)3的激光的脈沖長(zhǎng)度設(shè)置值是12.8ns，用于形成級(jí)4的激光的脈沖長(zhǎng)度設(shè)置值是15.2ns，用于形成級(jí)5的激光的脈沖長(zhǎng)度設(shè)置值是16.8ns，用于形成級(jí)6的激光的脈沖長(zhǎng)度設(shè)置值是19.2ns，用于形成級(jí)7(最大尺寸和/或具有深度的記錄標(biāo)記)的激光的脈沖長(zhǎng)度設(shè)置值是24ns。
在下面所示附圖中的注釋“整個(gè)脈沖寬度”將基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度等分為100，并且是它們的級(jí)7(最大級(jí))的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度的設(shè)置值。即，在基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度是48ns和級(jí)7的脈沖長(zhǎng)度設(shè)置值是24ns的例子中，整個(gè)脈沖寬度是50。而且，當(dāng)整個(gè)脈沖寬度被改變(變化)時(shí)，與其成比例地改變其他級(jí)1-6的脈沖長(zhǎng)度設(shè)置值。
在圖5-7中，使用在圖1-3中所示的記錄波形來(lái)執(zhí)行分級(jí)波記錄，并且示出了關(guān)于各種整個(gè)脈沖寬度的被調(diào)查的功率依賴性。附圖中的Pf、Pb、Wf和Wb與圖1的情況具有相同的含義，并且也與后述的附圖中的類似。在此，脈沖寬度的比率Wb/Wf是1/1，功率比率Wb/Wf分別對(duì)于圖5為2/1、對(duì)于圖6是1/2、對(duì)于圖7是1/1。
如果整個(gè)脈沖寬度的相同比率比較這些比率，則靈敏度以在圖7、圖6和圖5中依序?yàn)榱己?，發(fā)現(xiàn)矩形波策略比雙級(jí)波策略更高度靈敏。但是，最佳SDR值(低值)被表示在圖6中，此時(shí)，類似與圖2的策略，后半部分的記錄功率Wb是大的。在圖2策略的情況下，像圖1的策略那樣，其比前半部分的記錄功率是大的情況下更高度的靈敏，并且SDR值也是低的。
圖8示出了將偏置功率(Pbi)引入圖2的波形記錄中的效果。圖中的數(shù)字表示從中獲得每個(gè)偏置功率的最佳SDR值的記錄功率(mW)，并且通過(guò)分級(jí)波來(lái)執(zhí)行記錄。用于在記錄時(shí)執(zhí)行跟蹤的再現(xiàn)功率(Pr)也可以是偏置功率的一種，對(duì)于本發(fā)明的正常引入偏置功率，使用了比再現(xiàn)功率大多少的表達(dá)。因此，圖8的水平軸的數(shù)值是從實(shí)際正常引導(dǎo)功率(Pr+Pbi)中扣除這個(gè)試驗(yàn)的再現(xiàn)功率數(shù)值即0.5mW的偏置功率值。
按照?qǐng)D8，即使當(dāng)最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度是50和60的任何一個(gè)時(shí)，通過(guò)引入偏置功率，它表示出展示最佳SDR值的功率降低和靈敏度改善。發(fā)現(xiàn)那時(shí)的SDR值是等同或降低的。對(duì)于偏置功率，期望引入比再現(xiàn)功率大的功率0.25mW或大于0.25mW，優(yōu)選的是0.5mW或大于0.5mW，更為優(yōu)選的是從1.0mW到2.0mW。換句話說(shuō)，優(yōu)選的是，再現(xiàn)功率(Pr)和偏置功率(Pbi)的比率Pbi/Pr是1或大于1，更優(yōu)選的是，所述比率在2和4之間。如果Pbi/Pr超過(guò)4，則反射率變化在級(jí)0上產(chǎn)生，并且SDR值大大變差。但是，這個(gè)值是在這個(gè)實(shí)施例中的極端的數(shù)值，特別是，最大值受到記錄和再現(xiàn)激光波長(zhǎng)、記錄和再現(xiàn)速度、反射率、介質(zhì)的靈敏度等影響。但是，當(dāng)Pbi/Pr至少是0.5或更大時(shí)，存在清楚地與條件無(wú)關(guān)的效果。
圖9示出了在用圖3的矩形波(6.5mW)和圖2的雙級(jí)波(8.5mW)記錄的隨機(jī)記錄中的最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖寬度Wt和基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度(Lt)的比率(Wt/Lt)與SDR值之間的關(guān)系。所述偏置功率引入了比再現(xiàn)功率大1.0mW的值。在圖2的雙級(jí)波中，功率比率Pb/Pf是1/2。
正如可以從圖9看出，在最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt是將0.24微米的基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度Lt進(jìn)行100等分內(nèi)的30～80時(shí)，兩種策略在從0.3到0.8的范圍內(nèi)都顯示出良好的SDR值。更優(yōu)選的范圍是在0.35和0.7之間。
而且，在各種因素中，為了提高多級(jí)記錄的特性，導(dǎo)槽的0平均凹槽寬度Wg和基本單元長(zhǎng)度L之間的關(guān)系是非常重要的。
圖10示出了在使用圖3的矩形波和圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在導(dǎo)槽的平均槽寬Wg和基本單元長(zhǎng)度(L)的比率(Wg/L)與SDR值之間的關(guān)系。1.0mW的偏置功率被引入。所述基本單元長(zhǎng)度被固定在0.24微米，并且導(dǎo)槽的平均槽寬Wg在0.5和1.8微米之間變化。
正如可以在圖10中看出，SDR在0.7和1.5之間展示出良好的值，但是在此范圍之外，所述值迅速地變差。
類似地，為了改善多級(jí)記錄的特性，在導(dǎo)槽的深度Dp和基本單元長(zhǎng)度L之間的關(guān)系是很重要的。
圖11示出了在使用圖3的矩形波和圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在基本單元長(zhǎng)度(L)和導(dǎo)槽深度(Dp)的比率(L/Dp)與SDR值之間的關(guān)系。1.0mW的偏置功率被引入。所述基本單元長(zhǎng)度被固定在0.24微米，并且導(dǎo)槽的深度Lp在25和120微米之間變化。
正如可以在圖11中看出，SDR在L/Dp的0.7和1.5之間顯示良好的值，但是在此范圍之外，所述值迅速地變差。優(yōu)選的是，L/Dp在4和7之間。
圖12示出了在使用圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中的記錄功率Pf和Pb的比率(Pf/Pb)與SDR值之間的關(guān)系。1.0mW的偏置功率被引入?；締卧L(zhǎng)度是0.24微米，最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt被設(shè)置為50，即將基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度Lt進(jìn)行100等分后的一半，并且脈沖寬度Wb/Wf的比率被設(shè)置為1/1。
圖13使用與圖12相同的數(shù)據(jù)，并且x軸被替代為記錄功率P，而不是Pf/Pb，因此圖13對(duì)應(yīng)于將圖12右和左反轉(zhuǎn)的圖。
正如可以在圖12中看出，SDR值在Pf/Pb的0.3和1之間顯示良好的值。特別是，SDR值在Pf/Pb的0.4和0.9之間顯示較低的值，并且隨著所述值變大時(shí)記錄功率降低。即，記錄靈敏度提高。
圖14示出了在使用圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在最大級(jí)標(biāo)記的脈沖時(shí)間寬度Wb和整個(gè)脈沖時(shí)間寬度(Wt)的比率(Wb/Lt)與SDR值之間的關(guān)系。使偏置功率比再現(xiàn)功率大1.0mW?；締卧L(zhǎng)度是0.24微米，整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt被設(shè)置為將基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度Lt進(jìn)行100等分后的一半50或60，并且記錄功率Pf/Pb的比率被設(shè)置為1/2。而且，使用圖4的分級(jí)波形來(lái)執(zhí)行這個(gè)試驗(yàn)。
正如可以在圖14中看出，SDR值在Wb/Wt的0.3和0.8之間顯示良好的值。特別是，SDR值在Wb/Wt的0.4和0.8之間顯示較低的值，并且隨著所述值變大時(shí)記錄功率減低。即，記錄靈敏度提高。
另外，即使當(dāng)使用Y2O3層、In2O3層來(lái)取代在上述試驗(yàn)中使用的光記錄介質(zhì)的Bi2O3層時(shí)，也可獲得與上面相同的結(jié)果。
而且，當(dāng)Bi2O3層包含從由Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)或多個(gè)元素M時(shí)也獲得相同的結(jié)果。
而且，襯底上的其層構(gòu)成被反轉(zhuǎn)，使用濺射來(lái)在具有導(dǎo)槽(50nm深)的聚碳酸酯襯底(0.6毫米厚)上提供150nm的Ag反射層。然后，在上面，使用旋涂方法形成有機(jī)材料的薄膜(平均厚度是大約30nm)，它由如上所述的化學(xué)結(jié)構(gòu)的顏料構(gòu)成，然后，使用濺射在上面依序提供12nm的Bi2O3薄層和65nm的ZnS-SiO2薄層，然后，將具有0.08mm厚度的覆蓋層與具有0.02mm厚度的雙面粘合片粘貼，由此制造本發(fā)明的可記錄型光記錄介質(zhì)。
對(duì)于所述光記錄介質(zhì)，使用Pulstec Industry Inc(Pulstec工業(yè)公司)的光盤評(píng)估設(shè)備DDU-1000(波長(zhǎng)405nm，數(shù)值孔徑0.65)來(lái)從覆蓋層側(cè)執(zhí)行記錄。即使襯底的構(gòu)成順序改變和使用具有大數(shù)值孔徑值的激光，也可以類似地獲得本發(fā)明的效果。而且，在與本實(shí)施例相同的多級(jí)記錄中，在特征介質(zhì)中，其中導(dǎo)槽的軌道間距在0.25和0.5微米之間、深度在15和150nm之間、平均槽寬在0.15和0.35微米之間以及非記錄狀態(tài)中的反射率在2和50％之間，可以類似地獲得本發(fā)明的效果。
第二實(shí)施例使用濺射在具有導(dǎo)槽(深度26nm)的聚碳酸酯襯底(0.6mm厚)上依次提供20nm的Bi2O3薄層、65nm的ZnS-SiO2薄層和150nm的Ag反射層。然后，使用旋涂方法在上面提供大約5微米的保護(hù)層，它由紫外線硬化型樹(shù)脂(SD1700，Dainihon ink chemical industry inc.)構(gòu)成，由此制造可記錄型光記錄介質(zhì)。
對(duì)于上述的光記錄介質(zhì)，執(zhí)行多級(jí)記錄。在這種情況下，執(zhí)行8值(級(jí)0到級(jí)7)的多值記錄。在所述實(shí)現(xiàn)方式中，通過(guò)使用在基本單元長(zhǎng)度(記錄標(biāo)記的記錄單元)為0.24微米、基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度為48ns、時(shí)鐘頻率為2.5GHz、記錄和再現(xiàn)線速度為5.0m/s下使用SONY techtronics，Inc(索尼技術(shù)公司)的AWG-610來(lái)操作Pulstec Industry Inc.的光盤評(píng)估設(shè)備DDU-1000(波長(zhǎng)405nm，數(shù)值孔徑0.65，激光的中心強(qiáng)度(光束直徑的1/e2)使用大約0.55微米來(lái)設(shè)定記錄策略(在記錄時(shí)激光的亮度波形控制))。再現(xiàn)功率是0/5mW，如下所述，正常引導(dǎo)功率(Pr+Pbi)被設(shè)置在1.5mW。激光中心強(qiáng)度的1/e2光束直徑(激光束直徑)D和多級(jí)記錄標(biāo)記的基本單元長(zhǎng)度L的比率是在1＜D/L的范圍。
首先，在圖1-3所示的記錄波形中，如圖4中所示的分級(jí)波策略估計(jì)介質(zhì)，以便它可以指定哪個(gè)波形良好。在所述正常引導(dǎo)功率(Pr+Pbi)上建立本發(fā)明的每個(gè)記錄波形。
使用圖1-3的策略來(lái)記錄分級(jí)波，并且在圖19中示出了被調(diào)查的功率依賴性的結(jié)果。在此，脈沖寬度比率Wb/Wf是1/1，功率比率Wb/Wf分別是1/2、2/1、1/1，并且最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt是50。最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度將基本單元長(zhǎng)度等分為100，并且是它們的級(jí)7的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度的設(shè)置時(shí)間值。再現(xiàn)功率是0.5mW，偏置功率被設(shè)置為1.0mW。
比較這些比率，以圖3、圖2和圖1的順序，靈敏度是良好的，發(fā)現(xiàn)矩形波策略比雙級(jí)波策略更靈敏。但是，當(dāng)后半部分的記錄功率Wb像圖2的策略那樣大時(shí)，指示最佳的SDR值(低值)。在圖2的策略的情況下，像圖1的策略那樣，它比前半部分的記錄功率是大的情況更靈敏，并且SDR值也低。
圖20示出了引入偏置功率的效果。圖中的數(shù)字示出了記錄功率(mW)，從它獲得了每個(gè)偏置功率的最佳SDR值，并且通過(guò)分級(jí)波來(lái)執(zhí)行記錄。
按照?qǐng)D20，即使當(dāng)最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度是50和60的任何一個(gè)時(shí)，通過(guò)引入偏置功率，它示出了對(duì)于本發(fā)明的介質(zhì)，顯示最佳SDR值的功率降低和靈敏度改善。發(fā)現(xiàn)在此時(shí)的SDR值是相等的或降低。
對(duì)于偏置功率，期望引入比再現(xiàn)功率大的功率0.25mW或超過(guò)0.25mW，優(yōu)選的是0.5mW或大于0.5mW，更優(yōu)選的是從1.0mW到2.0mW。換句話說(shuō)，優(yōu)選的是，再現(xiàn)功率(Pr)和偏置功率(Pbi)的比率Pbi/Pr是1或大于1，更優(yōu)選的是，所述比率在2和4之間。如果Pbi/Pr超過(guò)4，則在級(jí)0上產(chǎn)生反射率改變，并且SDR值極大地變差。但是，這個(gè)值在本實(shí)施例中是極端的數(shù)值，特別是，所述最大值受到記錄和再現(xiàn)的激光波長(zhǎng)、記錄和再現(xiàn)速度、反射率、介質(zhì)的靈敏度等影響。但是，當(dāng)Pbi/Pr是至少0.5或更大時(shí)，有與條件無(wú)關(guān)的清楚的效果。
圖21示出了在使用圖3的矩形波、圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度(Wt)和基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度(Lt)的比率(Wt/Lt)與SDR值之間的關(guān)系。偏置功率引入了比再現(xiàn)功率大1.0mW的值。
正如可以從圖21看出，在最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt是將0.24微米的基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度Lt進(jìn)行100等分內(nèi)的30～80時(shí)，兩種策略在從0.3到0.8的范圍內(nèi)都顯示出良好的SDR值。更優(yōu)選的范圍是在0.35和0.7之間。
而且，在各種因素中，為了提高多級(jí)記錄的特性，導(dǎo)槽的平均凹槽寬度Wg和基本單元長(zhǎng)度L之間的關(guān)系是很重要的。
圖22示出了在使用圖3的矩形波和圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在導(dǎo)槽的平均槽寬Wg和基本單元長(zhǎng)度(L)的比率(Wg/L)與SDR值之間的關(guān)系。偏置功率大于再現(xiàn)功率1.0mW。所述基本單元長(zhǎng)度被固定在0.24微米，導(dǎo)槽的平均槽寬Wg在0.5和1.8微米之間變化。
正如可以在圖22中看出，SDR在0.7和1.5之間顯示良好的值，但是在此范圍之外，所述值迅速地變差。
類似地，為了提高多級(jí)記錄的特性，導(dǎo)槽的深度Dp和基本單元長(zhǎng)度L之間的關(guān)系是很重要的。
圖23示出了在使用圖3的矩形波和圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在基本單元長(zhǎng)度(L)和導(dǎo)槽深度(Dp)的比率(L/Dp)與SDR值之間的關(guān)系。偏置功率大于再現(xiàn)功率1.0mW。所述基本單元長(zhǎng)度被固定在0.24微米，并且導(dǎo)槽的深度Lp在25和120微米之間變化。
正如可以在圖23中看出，SDR在L/Dp的3和8之間顯示良好的值，但是在此范圍之外，所述值迅速地變差。優(yōu)選的是，L/Dp在4和7之間。
圖24示出了在圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在記錄功率Pf和Pb的比率(Pf/Pb)與SDR值之間的關(guān)系。偏置功率大于再現(xiàn)功率1.0mW?；締卧L(zhǎng)度是0.24微米，最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt被設(shè)置為50，即基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度Lt等同地劃分為100的一半，并且脈沖寬度Wb/Wf的比率被設(shè)置為1/1。
正如可以在圖24中看出，SDR值在Pf/Pb的0.3和1之間顯示良好的值。特別是，SDR值在Pf/Pb的0.4和0.9之間顯示較低的值，并且隨著所述值變大，記錄功率降低。即，記錄靈敏度提高。
圖25示出了在使用圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在最大級(jí)標(biāo)記的脈沖時(shí)間寬度Wb和整個(gè)脈沖時(shí)間寬度(Wt)的比率(Wb/Lt)與SDR值之間的關(guān)系。使偏置功率比再現(xiàn)功率大1.0mW?；締卧L(zhǎng)度是0.24微米，整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt被設(shè)置為將基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度Lt等同地劃分為100的一半50或60，并且記錄功率Pf/Pb的比率被設(shè)置為1/2。而且，使用圖4的分級(jí)波形來(lái)執(zhí)行這個(gè)試驗(yàn)。
正如可以在圖25中看出，SDR值在Wb/Wt的0.3和0.8之間顯示良好的值。特別是，SDR值在Wb/Wt的0.4和0.8之間顯示較低的值，并且隨著所述值變大，記錄功率減低。即，記錄靈敏度提高。
另外，即使當(dāng)使用Y2O3層、In2O3層來(lái)取代在上述試驗(yàn)中使用的光記錄介質(zhì)的Bi2O3層時(shí)，也可獲得與上面相同的結(jié)果。
而且，當(dāng)Bi2O3層包含從由Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)或多個(gè)元素M時(shí)獲得相同的結(jié)果。
而且，在襯底上的其層構(gòu)成被做成反轉(zhuǎn)，使用濺射來(lái)在具有導(dǎo)槽(26nm深度)的聚碳酸酯襯底(0.6毫米厚度)上依序提供150nm的Ag反射層、65nm的ZnS-SiO2薄層和12nm的Bi2O3薄層。然后，將具有0.08mm厚度的覆蓋層與具有0.02mm厚度的雙面粘合片粘貼，由此制造本發(fā)明的可記錄型光記錄介質(zhì)。
對(duì)于所述光記錄介質(zhì)，使用Pulstec Industry Inc的光盤評(píng)估設(shè)備DDU-1000(波長(zhǎng)405nm，數(shù)值孔徑0.65)來(lái)從覆蓋層側(cè)執(zhí)行記錄。即使襯底的構(gòu)成順序改變和使用具有大數(shù)值孔徑值的激光，也可以類似地獲得本發(fā)明的效果。而且，在與本實(shí)施例相同的多級(jí)記錄中，在特征介質(zhì)內(nèi)，其中導(dǎo)槽的軌道間距在0.25和0.5微米之間、深度在15和150nm之間、平均槽寬在0.15和0.35微米之間、以及在非記錄狀態(tài)中的反射率在2和50％之間，類似地獲得本發(fā)明的效果。
第三實(shí)施例(將本發(fā)明的策略應(yīng)用到其他介質(zhì)的實(shí)施例)酞菁染料介質(zhì)使用旋涂法將如下所示化學(xué)結(jié)構(gòu)2的酞菁染料覆蓋在具有導(dǎo)槽(26nm深)的聚碳酸酯襯底(0.6mm厚)上。另外，使用溶液來(lái)執(zhí)行旋涂，其中，在下面構(gòu)成的混合溶劑中溶解和準(zhǔn)備顏料。
溶劑重量％甲醇23％乙醇55％2-丙醇(propanol)22％在波長(zhǎng)405nm中的所有顏料的光吸收度被設(shè)置為0.65。
化學(xué)結(jié)構(gòu)2 因此，在由如上形成的酞菁染料構(gòu)成的記錄層上形成100微米的Ag反射層，然后使用旋涂方法在上面提供由紫外線硬化型樹(shù)脂(SD1700，Dainihonink chemical industry inc.)構(gòu)成的大約5微米的保護(hù)層。
TeO介質(zhì)使用濺射在具有導(dǎo)槽(26nm深)的聚碳酸酯襯底(0.6毫米厚度)上依序提供65nm的ZnS-SiO2薄層、20nm的TeO2薄層、65nm的ZnS-SiO2薄層和150nm的Ag反射層。然后，在上面，使用旋涂方法來(lái)提供由紫外線硬化型樹(shù)脂(SD1700，Dainihon ink chemical industry inc.)構(gòu)成的大約5微米的保護(hù)層，由此制造可記錄型光記錄介質(zhì)。
像實(shí)施例2那樣，在兩種上述的光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄。
使用圖1-3的策略來(lái)記錄分級(jí)波形，并且在圖28和29中示出了被調(diào)查的功率依賴性的結(jié)果。圖28是用于酞菁染料介質(zhì)的圖，圖29是用于TeO介質(zhì)的圖。在此，脈沖寬度比率Wb/Wf是1/1，功率比率Wb/Wf分別是1/2、2/1、1/1，最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度是50。最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度將基本單元長(zhǎng)度等分為100，并且是它們的級(jí)7的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度的設(shè)置時(shí)間值。再現(xiàn)功率是0.5mW，使得偏置功率大于再現(xiàn)功率1.0mW。
根據(jù)圖28和29，以圖3、圖2和圖1的順序，靈敏度是良好的，發(fā)現(xiàn)矩形波策略比雙級(jí)波策略更靈敏。但是，當(dāng)后半部分的記錄功率Wb像圖2的策略那樣大時(shí)，指示最佳的SDR值(低值)。在圖2的策略的情況下，像圖1的策略那樣，它比前半部分的記錄功率是大的情況更為靈敏，并且SDR值也低。即，在這些介質(zhì)中，也使用相同的趨勢(shì)來(lái)獲得本發(fā)明的記錄方法的效果。
圖30示出了引入偏置功率的效果。圖中的數(shù)字示出了記錄功率(mW)，從它獲得了每個(gè)偏置功率的最佳SDR值，并且通過(guò)分級(jí)波來(lái)執(zhí)行記錄。
按照?qǐng)D30，通過(guò)引入偏置功率，它示出了對(duì)于本發(fā)明的任何一個(gè)介質(zhì)，顯示最佳SDR值的功率降低和靈敏度被改善。發(fā)現(xiàn)此時(shí)的SDR值是相等的或降低。
對(duì)于偏置功率，期望引入比再現(xiàn)功率大的0.2mW功率或超過(guò)0.2mW，優(yōu)選的是0.5mW或大于0.5mW，更優(yōu)選的是從0.8mW到2.0mW。換句話說(shuō)，優(yōu)選的是，再現(xiàn)功率(Pr)和偏置功率(Pbi)的比率Pbi/Pr是1或大于1，更優(yōu)選的是，所述比率在2和4之間。如果引入其中Pbi/Pr超過(guò)4的大偏置功率，則在級(jí)0上產(chǎn)生反射率變化，并且SDR值極大地變差。但是，這個(gè)值在本實(shí)施例中是極端的數(shù)值，特別是，所述最大值受到記錄和再現(xiàn)的激光波長(zhǎng)、記錄和再現(xiàn)速度、反射率、介質(zhì)的靈敏度等影響。但是，當(dāng)Pbi/Pr是至少0.5或更大時(shí)，有與條件無(wú)關(guān)的清楚的效果。
圖31示出了在使用圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度(Wt)和基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度(Lt)的比率(Wt/Lt)與SDR值之間的關(guān)系。偏置功率引入了比再現(xiàn)功率大1.0mW的值。
正如可以從圖31看出，在最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt是將0.24微米的基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度Lt進(jìn)行100等分內(nèi)的30～80時(shí)，兩種策略在從0.3到0.8的范圍內(nèi)都顯示出良好的SDR值。更優(yōu)選的范圍是在0.35和0.7之間。
而且，在各種因素中，為了提高多級(jí)記錄的特性，在導(dǎo)槽的平均凹槽寬度Wg和基本單元長(zhǎng)度L之間的關(guān)系是很重要的。
圖32示出了在使用圖3的矩形波和圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在導(dǎo)槽的平均槽寬Wg和基本單元長(zhǎng)度(L)的比率(Wg/L)與SDR值之間的關(guān)系。偏置功率大于再現(xiàn)功率1.0mW。所述基本單元長(zhǎng)度被固定在0.24微米，并且導(dǎo)槽的平均槽寬Wg在0.15和0.38微米之間變化。
可以在圖32中看出，SDR在0.7和1.5之間顯示良好的值，但是在此范圍之外，所述值迅速地變差。
類似地，為了提高多級(jí)記錄的特性，在導(dǎo)槽的深度Dp和基本單元長(zhǎng)度L之間的關(guān)系是很重要的。
圖33示出了在使用圖3的矩形波和圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在基本單元長(zhǎng)度(L)和導(dǎo)槽深度(Dp)的比率(L/Dp)與SDR值之間的關(guān)系。偏置功率大于再現(xiàn)功率1.0mW。所述基本單元長(zhǎng)度被固定在0.24微米，并且導(dǎo)槽的深度Dp在25和120微米之間變化。
可以在圖33中看出，對(duì)于兩種介質(zhì)，SDR在L/Dp的3和8之間顯示良好的值，但是在此范圍之外，所述值迅速地變差。優(yōu)選的是，L/Dp在4和7之間。
圖34示出了在使用圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在記錄功率Pf和Pb的比率(Pf/Pb)與SDR值之間的關(guān)系。偏置功率大于再現(xiàn)功率1.0mW。在沒(méi)有串?dāng)_的情況下，基本單元長(zhǎng)度是0.24微米，最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt被設(shè)置為50，即將基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度Lt等同地劃分為100的一半，并且脈沖寬度的比率Wb/Wf被設(shè)置為1/1。
可以在圖34中看出，對(duì)于兩種介質(zhì)，SDR值在Pf/Pb的0.3和1之間顯示良好的值。特別是，SDR值在Pf/Pb的0.4和0.9之間顯示較低的值，并且隨著所述值變大，記錄功率降低。即，記錄靈敏度提高。
圖35示出了在使用圖2的雙級(jí)波進(jìn)行記錄的隨機(jī)記錄中在最大級(jí)標(biāo)記的脈沖時(shí)間寬度Wb和整個(gè)脈沖時(shí)間寬度(Wt)的比率(Wb/Lt)與SDR值之間的關(guān)系。使得偏置功率比再現(xiàn)功率大1.0mW。基本單元長(zhǎng)度是0.24微米，整個(gè)脈沖時(shí)間寬度Wt被設(shè)置為將基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度Lt等同地劃分為100的一半50，并且記錄功率的比率Pf/Pb被設(shè)置為1/2。而且，使用圖4的分級(jí)波形來(lái)執(zhí)行這個(gè)試驗(yàn)。
可以在圖35中看出，對(duì)于兩種介質(zhì)，SDR值在Wb/Wt的0.3和0.8之間顯示良好的值。特別是，SDR值在Wb/Wt的0.4和0.7之間顯示較低的值，并且隨著所述值變大，記錄功率減低。即，記錄靈敏度提高。
如上所述，即使當(dāng)本發(fā)明的記錄方法被應(yīng)用到除了本發(fā)明的11到18的目標(biāo)介質(zhì)之外的介質(zhì)時(shí)，所述效果也是大的，并且顯示具有相同趨勢(shì)的效果。
而且，在與本實(shí)施例相同的多級(jí)記錄中，在特征介質(zhì)內(nèi)，其中導(dǎo)槽的軌道間距在0.25和0.5微米之間、深度在15和150nm之間、平均槽寬在0.15和0.35微米之間、以及在非記錄狀態(tài)中的反射率在2和50％之間，類似地獲得本發(fā)明的效果。
按照本發(fā)明的另一個(gè)方面，參考圖38-45描述本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例。圖38示出了按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置20的整體配置。光盤裝置20例如包括主軸電動(dòng)機(jī)22，用于驅(qū)動(dòng)光盤15的旋轉(zhuǎn)；光學(xué)拾取裝置23；查找電機(jī)21，用于向滑架(sledge)方向驅(qū)動(dòng)光學(xué)拾取裝置23；激光控制電路24；編碼器25；驅(qū)動(dòng)控制電路26；再現(xiàn)信號(hào)處理電路28；緩沖RAM 34；緩沖管理器37；接口38；快閃存儲(chǔ)器39；CPU 40；以及RAM 41。注意，在圖38中所示的箭頭指示典型信號(hào)和信息的流動(dòng)，不指示每個(gè)被說(shuō)明塊的所有連接。而且，光盤裝置20可應(yīng)用到多級(jí)記錄類型(多級(jí)記錄方法)，并且用于記錄的數(shù)據(jù)(信息)經(jīng)過(guò)多級(jí)處理，諸如經(jīng)過(guò)8級(jí)(0-7)處理。而且，將對(duì)應(yīng)于大約405nm波長(zhǎng)的信息記錄介質(zhì)例如用作按照本發(fā)明的所述實(shí)施例的光盤15。
在多級(jí)記錄方法中，軌道實(shí)際上被劃分為多個(gè)區(qū)域(單元)，其中，每個(gè)區(qū)域(單元)在軌道的切線方向上具有預(yù)定長(zhǎng)度(在本例中被稱為長(zhǎng)度S)，如在圖2中例示。在單個(gè)單元中存儲(chǔ)了多級(jí)數(shù)據(jù)的單個(gè)單位(值)。在多級(jí)數(shù)據(jù)的值是1-7的情況下，在所述單元的中心部分形成記錄標(biāo)記，其中，每個(gè)記錄標(biāo)記具有對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)的值的區(qū)域。應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)多級(jí)數(shù)據(jù)的值是0時(shí)，在所述單元中不形成標(biāo)記。
因?yàn)楫?dāng)記錄標(biāo)記部分的面積變大時(shí)反射率降低，因此當(dāng)多級(jí)數(shù)據(jù)的值是0時(shí)，從自光盤15的記錄表面的激光的反射中產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)(RF信號(hào))在最高級(jí)(L0)，如圖39中所示。而且，當(dāng)多級(jí)數(shù)據(jù)的值是7時(shí)，所述再現(xiàn)信號(hào)在最低級(jí)(L7)。應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)多級(jí)數(shù)據(jù)的值分別是1-6時(shí)，再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)是L1-L6。
同時(shí)，在所述多級(jí)型記錄方法中，按照下面給出的公式(1)來(lái)計(jì)算用于評(píng)估記錄質(zhì)量的系數(shù)SDR。
SDR＝(σm0+σm1+…+σmα-1+σmα)/((1+α)·|R0-Rα|) (1)在此，所述信息被轉(zhuǎn)換為(α+1)個(gè)類型的級(jí)(m0，m1，…，mα-1，mα)的組合。而且，m0，m1，…，mα+1，mα表示對(duì)應(yīng)的多級(jí)數(shù)據(jù)m0，m1，…，mα-1，mα的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)(R0，R1，…，Rα-1，Rα)的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
光學(xué)拾取裝置23被配置為將激光束輻射在通過(guò)主軸電動(dòng)機(jī)22旋轉(zhuǎn)的光盤15的記錄表面所形成的螺旋或離心軌道上，并且接收從光盤15的記錄表面上反射的光。如圖3中所示，光學(xué)拾取裝置23包括例如光源單元51、準(zhǔn)直透鏡52、光束分離器54、物鏡60、檢測(cè)透鏡58、光檢測(cè)器PD和驅(qū)動(dòng)單元(聚焦致動(dòng)器、跟蹤致動(dòng)器，未示出)。
光源單元51包括作為光源的半導(dǎo)體激光器LD，用于發(fā)射具有大約405nm波長(zhǎng)的激光束。應(yīng)當(dāng)注意，從光源單元51輻射的激光的最大強(qiáng)度光束被朝向+X方向。被布置為朝向光源單元51的+X方向的準(zhǔn)直透鏡52將從光源單元51輻射的激光束準(zhǔn)直為大致平行的光。
被布置為朝向準(zhǔn)直透鏡52的+X方向的光束分離器54將從光盤15反射的光束(返回光束)偏轉(zhuǎn)到-Z方向。被布置為朝向光束分離器54的+X方向的物鏡60將通過(guò)光束分離器54傳輸?shù)墓馐鴷?huì)聚到光盤15的記錄表面。
被布置為朝向光束分離器的-Z方向的檢測(cè)透鏡58將被分離的光束(返回光束)會(huì)聚到光檢測(cè)器PD的光接收表面。像在典型的光盤裝置中那樣，光檢測(cè)器PD包括多個(gè)光接收元件(光檢測(cè)器元件)，用于輸出信號(hào)，其中包括例如擺動(dòng)(wobble)信號(hào)信息、再現(xiàn)數(shù)據(jù)信息、聚焦誤差信息和跟蹤誤差信息。
聚焦致動(dòng)器(未示出)是用于在聚焦方向(物鏡60的光軸的方向)上精密地驅(qū)動(dòng)物鏡60的致動(dòng)器。跟蹤致動(dòng)器(未示出)是用于在跟蹤方向(與軌道的切線方向垂直的方向)上精密地驅(qū)動(dòng)物鏡60的致動(dòng)器。
接著，簡(jiǎn)述光學(xué)拾取裝置23的處理。首先，從光源單元51發(fā)射的光束被準(zhǔn)直透鏡52準(zhǔn)直為基本上平行的光。然后，所述被準(zhǔn)直的光束變成入射到光束分離器54。然后，通過(guò)光束分離器54發(fā)射的光束經(jīng)由物鏡60在光盤15的記錄表面上被會(huì)聚成精細(xì)光斑。然后，從光盤15的記錄表面反射的光束在物鏡60變?yōu)榛旧掀叫械墓?，并且入射到光束分離器54。在返回光束被光束分離器54偏轉(zhuǎn)到-Z方向后，返回光束經(jīng)由檢測(cè)透鏡58在光檢測(cè)器PD上被接收。光檢測(cè)器PD通過(guò)對(duì)應(yīng)于所接收的光量而執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換來(lái)產(chǎn)生電流信號(hào)。所產(chǎn)生的電流信號(hào)被輸出到再現(xiàn)信號(hào)處理電路28。
按照從光檢測(cè)器PD輸出的信號(hào)，再現(xiàn)信號(hào)處理電路28獲得信號(hào)，諸如伺服信號(hào)(例如聚焦誤差信號(hào)、跟蹤誤差信號(hào))、地址信息、同步信號(hào)和RF信號(hào)。參見(jiàn)圖38，所獲得的伺服信號(hào)被輸出到驅(qū)動(dòng)控制電路26，地址信息被輸出到CPU 40，同步信號(hào)被輸出到編碼器25。而且，再現(xiàn)信號(hào)處理電路28對(duì)于RF信號(hào)執(zhí)行諸如解碼處理和/或誤差檢測(cè)處理的處理。再現(xiàn)信號(hào)處理電路28經(jīng)由緩沖管理器37在緩沖RAM 34中存儲(chǔ)RF信號(hào)(在檢測(cè)到誤差的情況下，在校正所述誤差之后)。
按照從再現(xiàn)信號(hào)處理電路28輸出的跟蹤誤差，驅(qū)動(dòng)控制電路26產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)跟蹤致動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，由此校正在跟蹤方向上的物鏡的位置偏移。按照從再現(xiàn)信號(hào)處理電路28輸出的聚焦誤差信號(hào)，驅(qū)動(dòng)控制電路26產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)聚焦致動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，由此校正在聚焦方向上的物鏡的位置偏移。所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)被輸出到光學(xué)拾取裝置23。光學(xué)拾取裝置23按照所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)執(zhí)行跟蹤控制和聚焦控制。而且，驅(qū)動(dòng)控制電路26也根據(jù)CPU 40的指令來(lái)產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)查找電機(jī)21的驅(qū)動(dòng)信號(hào)和用于驅(qū)動(dòng)主軸電動(dòng)機(jī)22的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)分別被輸出到查找電機(jī)21和主軸電動(dòng)機(jī)22。
緩沖RAM 34暫時(shí)存儲(chǔ)例如要記錄在光盤15中的數(shù)據(jù)(記錄數(shù)據(jù))和要從光盤15再現(xiàn)的數(shù)據(jù)(再現(xiàn)數(shù)據(jù))。緩沖管理器37管理緩沖RAM 34的輸出和輸入數(shù)據(jù)。
編碼器25檢索在緩沖RAM 34中存儲(chǔ)的記錄數(shù)據(jù)。在對(duì)于所檢索的記錄數(shù)據(jù)執(zhí)行了諸如數(shù)據(jù)調(diào)制和增加了誤差校正代碼的之類的處理之后，編碼器25產(chǎn)生寫入信號(hào)(用于在光盤15上寫入的信號(hào))。所產(chǎn)生的寫入信號(hào)被輸出到激光控制電路24。
激光控制電路24控制半導(dǎo)體激光器LD的發(fā)射功率。例如，在記錄操作中，激光控制電路24根據(jù)上述的寫入信號(hào)、記錄條件和半導(dǎo)體激光器LD的發(fā)射特性來(lái)產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體激光器LD的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
在圖49所示的一個(gè)例子中，激光控制電路24可以包括驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生電路24a、調(diào)制電路24b、級(jí)設(shè)置電路24c和寄存器24d。
寄存器24d安裝有記錄策略信息，其中包括關(guān)于光盤15的記錄功率和再現(xiàn)功率的功率信息以及關(guān)于預(yù)熱脈沖的信息(下述)。
調(diào)制電路24b根據(jù)在寄存器24d中存儲(chǔ)的記錄策略信息、來(lái)自編碼器25的寫入信號(hào)和來(lái)自再現(xiàn)信號(hào)處理電路28的同步信號(hào)而產(chǎn)生調(diào)制信號(hào)。所產(chǎn)生的調(diào)制信號(hào)被輸出到驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生電路24a。
級(jí)設(shè)置電路24c根據(jù)在寄存器24d中存儲(chǔ)的功率信息來(lái)產(chǎn)生級(jí)信號(hào)，用于設(shè)置上述調(diào)制信號(hào)的信號(hào)級(jí)。所產(chǎn)生的級(jí)信號(hào)被輸出到驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生電路24a。
驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生電路24a根據(jù)從調(diào)制電路24b輸出的信號(hào)(調(diào)制信號(hào))和從級(jí)設(shè)置電路24c輸出的信號(hào)(級(jí)信號(hào))來(lái)產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體激光器LD的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)被輸出到半導(dǎo)體激光器LD。應(yīng)當(dāng)注意，下面說(shuō)明所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。
接口38是用于與上位裝置(superordinate apparatus)90(例如個(gè)人計(jì)算機(jī))進(jìn)行通信的通信接口。接口38符合諸如ATAPI(AT附加分組接口)、SCSI(小計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口)和USB(通用串行總線)的標(biāo)準(zhǔn)接口。
快閃存儲(chǔ)器39被配置具有程序空間和數(shù)據(jù)空間。快閃存儲(chǔ)器39的程序空間被安裝有例如使用由CPU 40可解碼的代碼所寫的程序?？扉W存儲(chǔ)器39的數(shù)據(jù)空間被安裝有例如記錄條件，諸如半導(dǎo)體激光器LD的發(fā)射特性、記錄功率、和/或記錄策略?？梢园凑绽鐪y(cè)試結(jié)果、仿真結(jié)果、理論計(jì)算和對(duì)應(yīng)于每種類型光盤(例如制造商名稱、批號(hào))和/或每個(gè)記錄速度的經(jīng)驗(yàn)來(lái)獲得包括所述功率信息和所述記錄策略的記錄條件。
按照在快閃存儲(chǔ)器39的程序空間中存儲(chǔ)的程序，CPU 40控制上述部件/元件，并且還在RAM 41和緩沖RAM 34中存儲(chǔ)控制所需要的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)裝載(安裝)光盤15時(shí)，CPU 40提取對(duì)應(yīng)于光盤15類型的所述功率信息和記錄策略信息，并且向寄存器24d傳送所提取的信息。
接著，描述在驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生電路24中產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)是脈沖信號(hào)，它包括預(yù)熱脈沖的信號(hào)，用于將記錄層預(yù)熱到小于初始標(biāo)記形成溫度Tm的溫度；以及，主脈沖的信號(hào)，用于將記錄層加熱到不小于初始標(biāo)記形成溫度Tm的溫度。所述預(yù)熱脈沖包括至少一個(gè)脈沖，它具有大于光盤15的再現(xiàn)功率(Pr)的功率級(jí)和不大于記錄功率(Pw)的80％的功率級(jí)。主脈沖包括至少一個(gè)脈沖，它具有記錄功率Pw的功率級(jí)。
相對(duì)于預(yù)熱脈沖和主脈沖來(lái)預(yù)先進(jìn)行模擬。根據(jù)模擬的結(jié)果和觀察，將最佳形狀設(shè)置到預(yù)熱脈沖和主脈沖，以便可以在記錄層上精確地形成對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)的記錄標(biāo)記。關(guān)于預(yù)熱脈沖和主脈沖的最佳形狀的信息被包括在上述記錄策略信息中。下面說(shuō)明所述模擬。
模擬中使用的光盤(以下為了方便而稱為“虛擬盤”)包括從如圖50中所示的入射光線側(cè)開(kāi)始的順序提供的襯底、記錄層和反射層。參見(jiàn)圖51中所示的表格，所述襯底具有1.6的折射率n、0的衰減系數(shù)k、1.4的比熱C(J/cm3/℃)和0.0021的熱傳導(dǎo)率K(J/cm/秒/℃)；記錄層具有15(nm)的膜厚度、2.8的折射率n、0.56的衰減系數(shù)k、2.6的比熱C(J/cm3/℃)和0.12的熱傳導(dǎo)率K(J/cm/秒/℃)；熱絕緣層具有80(nm)的膜厚度、2.3的折射率n、0.0006的衰減系數(shù)k、1.7的比熱C(J/cm3/℃)和0.01的熱傳導(dǎo)率K(J/cm/秒/℃)；反射層具有100(nm)的膜厚度、0.108的折射率n、2.05的衰減系數(shù)k、2.44的比熱C(J/cm3/℃)和4.21的熱傳導(dǎo)率K(J/cm/秒/℃)。
在所述模擬中，被輻射到虛擬盤上的激光束的波長(zhǎng)是405nm；單個(gè)單元的長(zhǎng)度是240nm；在記錄層上形成的光點(diǎn)(光束點(diǎn))的半徑是265nm；在記錄層上的初始標(biāo)記形成溫度Tm的溫度是500℃。
參見(jiàn)圖52-53，輸入發(fā)射脈沖以用于分別向四個(gè)單元記錄多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)“0”“7”、“1”和“0”(以單元A、單元B、單元C和單元D的順序)。在此，與時(shí)間的過(guò)去相關(guān)聯(lián)，相對(duì)于單元A的中心(被稱為“CA”)、單元B的中心(被稱為“CB”)和單元C的中心(被稱為“CC”)來(lái)獲得在記錄層和熱絕緣層之間的界面的溫度(以下稱為“記錄層溫度”)的變化。
首先，在光發(fā)射脈沖包括兩個(gè)預(yù)熱脈沖(Hp1，Hp2)和一個(gè)主脈沖(Hm)的情況下描述對(duì)應(yīng)于單個(gè)記錄標(biāo)記的單個(gè)光發(fā)射脈沖。如圖54中所示，對(duì)于對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)“7”的記錄標(biāo)記，在0.0ns到61.8ns之間的時(shí)段中輻射具有功率1.5mW的第一預(yù)熱脈沖Hp1，然后在61.8ns到72.0ns之間的時(shí)段中輻射具有功率4.0mW的第二預(yù)熱脈沖Hp2，然后在72.0ns到82.2ns之間的時(shí)段中將具有7.0mW功率的主脈沖Hm輻射為記錄功率。而且，對(duì)于對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)“1”的記錄標(biāo)記，在82.2ns到115.4ns之間的時(shí)段中輻射具有功率1.5mW的第一預(yù)熱脈沖Hp1，然后在115.4ns到120.0ns之間的時(shí)段中輻射具有功率4.0mW的第二預(yù)熱脈沖Hp2，然后在120.0ns到124.6ns之間的時(shí)段中輻射具有7.0mW功率的主脈沖Hm。在這個(gè)例子中，第一預(yù)熱脈沖Hp1的功率(在附圖中被指示為“Ph1”)大約是記錄功率Pw的21％，第二預(yù)熱脈沖Hp2(在附圖中被指示為“Ph2”)大約是記錄功率Pw的57％。注意，時(shí)間(ns)從光點(diǎn)中心到達(dá)單元A的開(kāi)始處(頂部)的時(shí)刻開(kāi)始。示例性的模擬結(jié)果被示出在圖55中。
接著，為了比較的目的，在光發(fā)射脈沖僅僅包括一個(gè)主脈沖(Hm)的情況下描述對(duì)應(yīng)于單個(gè)記錄標(biāo)記的單個(gè)光發(fā)射脈沖。如圖56中所示，對(duì)于對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)“7”的記錄標(biāo)記，在61.8ns到82.2ns之間的時(shí)段將具有6.5mW功率的主脈沖Hm輻射為記錄功率。而且，對(duì)于對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)“1”的記錄標(biāo)記，在115.4ns到124.6ns之間的時(shí)段將具有6.5mW功率的主脈沖Hm輻射為記錄功率。除了主脈沖之外，將具有0.5mW功率的激光束輻射為再現(xiàn)功率Pr。圖57示出了比較模擬的結(jié)果。
在比較圖55和57所示的結(jié)果中(1)對(duì)于圖55的CB和CC兩者，與圖57所示的情況相比，其記錄層溫度超過(guò)初始標(biāo)記形成溫度Tm的時(shí)間短；(2)對(duì)于圖55的CB和CC兩者，與圖57所示的情況相比，其記錄層溫度在初始標(biāo)記形成溫度Tm附近的溫度上升更快。
這展示出提供預(yù)熱脈沖將使得精細(xì)尺寸的記錄標(biāo)記能夠精確地形成和有效地防止抖動(dòng)(參見(jiàn)圖58A和58B)。注意，圖58A是在提供了預(yù)熱脈沖的情況下的單元B的等溫圖，圖58B是在不提供預(yù)熱脈沖的情況下的單元B的等溫圖。
接著，通過(guò)降低記錄功率Pw和僅僅使用主脈沖來(lái)執(zhí)行進(jìn)一步的模擬，以便使得CB的記錄層溫度超過(guò)初始標(biāo)記形成溫度Tm的時(shí)間基本上與在圖55中所示的例子中的相同。圖59示出了在將記錄功率設(shè)置為6.0mW的情況下的模擬之一的結(jié)果，并且圖60示出了在將記錄功率設(shè)置為5.5mW的情況下的模擬的另一個(gè)的結(jié)果。兩種情況都顯示出不僅CB的記錄層溫度超過(guò)初始標(biāo)記形成溫度Tm的時(shí)間變得更短，而且CC的記錄層溫度超過(guò)初始標(biāo)記形成溫度Tm的時(shí)間也變得更短，由此防止在正常狀態(tài)中形成多級(jí)數(shù)據(jù)。而且，類似于在圖57中所示的結(jié)果，存在記錄標(biāo)記的形狀的波動(dòng)將增加的風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)樵诔跏紭?biāo)記形成溫度附近的溫度上升是低的。換句話說(shuō)，這示出了不能僅僅通過(guò)調(diào)整記錄功率Pw來(lái)改善記錄質(zhì)量。
接著，執(zhí)行另一個(gè)模擬，其中，預(yù)熱脈沖的形狀被改變。
如圖61中所示，對(duì)于對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)“7”的記錄標(biāo)記，在61.8ns到71.0ns之間的時(shí)段中輻射具有功率5.0mW的第一預(yù)熱脈沖Hp1，然后在71.0ns到72.0ns之間的時(shí)段中輻射具有功率2.0mW的第二預(yù)熱脈沖Hp2，然后在72.0ns到82.2ns之間的時(shí)段將具有功率7.0mW的主脈沖Hm輻射為記錄功率。而且，對(duì)于對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)“1”的記錄標(biāo)記，在115.4ns到119.0ns之間的時(shí)段中輻射具有功率5.0mW的第一預(yù)熱脈沖Hp1，然后在119.0ns到120.0ns之間的時(shí)段中輻射具有功率2.0mW的第二預(yù)熱脈沖Hp2，然后在120.0ns到124.6ns之間的時(shí)段輻射具有功率7.0mW的主脈沖Hm。在這個(gè)例子中，第一預(yù)熱脈沖Hp1的功率(在附圖中被指示為“Ph1”)大約是記錄功率Pw的71％，并且第二預(yù)熱脈沖Hp2(在附圖中被指示為“Ph2”)大約是記錄功率Pw的29％。除了主脈沖和預(yù)熱脈沖之外，具有功率0.5mW的激光束被輻射作為產(chǎn)生再現(xiàn)功率Pr。即，圖54是Ph＜Ph2的情況，圖61是Ph1＞Ph2的情況。這個(gè)模擬的結(jié)果被示出在圖62中。
如圖62中所示，記錄層溫度被預(yù)熱脈沖Hp1提高，然后被預(yù)熱脈沖Hp2降低，然后再次被主脈沖Hm提高。像在圖54中所示的光發(fā)射脈沖的結(jié)果那樣，這個(gè)模擬的結(jié)果也顯示出(1)CB和CC兩者的記錄層溫度在短時(shí)間中超過(guò)初始標(biāo)記形成溫度Tm，(2)CB和CC兩者的記錄層溫度在初始標(biāo)記形成溫度Tm的附近迅速地上升。特別是，在這種模擬中，與在圖54中所示的結(jié)果相比較，(1)可以在沒(méi)有形成記錄標(biāo)記的單元中抑制溫度的上升，并且(2)在形成記錄標(biāo)記后冷卻速度更快。例如，即使在初始標(biāo)記形成溫度Tm是寬的情況下或者在記錄標(biāo)記的熱穩(wěn)定性不足的情況下，也可以防止抖動(dòng)和/或SDR的損失。
(第一示例性記錄操作)接著，在光盤裝置20從上位裝置90接收記錄請(qǐng)求命令的情況下參見(jiàn)圖41說(shuō)明按照本發(fā)明的記錄操作的第一個(gè)例子。在圖41中所示的流程圖對(duì)應(yīng)于由CPU 40執(zhí)行的處理算法的序列。
當(dāng)光盤裝置20從上位裝置90接收到記錄請(qǐng)求命令時(shí)，對(duì)應(yīng)于在圖4中所示的流程圖的程序(記錄操作程序)的頂部地址被設(shè)置到CPU 40的程序計(jì)數(shù)器；由此，開(kāi)始記錄操作。應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)光盤15被設(shè)置到光盤裝置20時(shí)，確定光盤15的類型，并且向諸如激光控制電路24和/或再現(xiàn)信號(hào)處理電路28之類的電路傳送所述類型。而且，光盤15的類型被預(yù)先存儲(chǔ)在RAM 41中。
在步驟S401中，通過(guò)按照記錄速度向主軸電動(dòng)機(jī)22輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)和向再現(xiàn)信號(hào)處理電路28報(bào)告從上位裝置90接收到記錄請(qǐng)求命令而啟動(dòng)主軸電動(dòng)機(jī)22的旋轉(zhuǎn)。另外，CPU 40指令緩沖管理器37在緩沖RAM 34中存儲(chǔ)從上位裝置90接收到的用戶數(shù)據(jù)(記錄數(shù)據(jù))。
接著，在步驟S403中，一旦CPU 40確認(rèn)光盤15以預(yù)定的線速度(或角速度)旋轉(zhuǎn)，則將驅(qū)動(dòng)控制電路26的伺服設(shè)置為接通。由此，執(zhí)行上述的跟蹤控制和聚焦控制。應(yīng)當(dāng)注意，可以總是執(zhí)行所述跟蹤控制和聚焦控制，直到記錄操作結(jié)束為止。
接著，在步驟S405，CPU 40設(shè)置諸如記錄功率和記錄策略之類的記錄條件。對(duì)應(yīng)于光盤15的類型和記錄速度，從快閃存儲(chǔ)器39的數(shù)據(jù)空間中提取記錄條件。應(yīng)當(dāng)注意，在沒(méi)有找到對(duì)應(yīng)的記錄條件的情況下，使用在數(shù)據(jù)空間中存儲(chǔ)的默認(rèn)記錄條件。而且，在記錄條件被記錄在光盤15中的情況下，可以使用這樣的被記錄的記錄條件。
接著，在步驟S407，在光盤15提供的區(qū)域中，按照在步驟S405中設(shè)置的記錄條件，記錄具有相同多級(jí)數(shù)據(jù)的多個(gè)測(cè)試模式。換句話說(shuō)，執(zhí)行測(cè)試記錄(測(cè)試寫入)操作。
在此，說(shuō)明測(cè)試區(qū)域的尺寸。在本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例中，在單個(gè)測(cè)試區(qū)域中包括的單元的數(shù)量β被設(shè)置為滿足下面給出的公式(1)。
β＝A+2(1)在此公式(1)中，當(dāng)將2R/S的計(jì)算結(jié)果四舍五入時(shí)，A是整數(shù)，其中，2R是在再現(xiàn)期間在軌道上形成的光點(diǎn)的點(diǎn)參數(shù)(在軌道的切線方向上)。例如，在S＝0.24(微米)和2R＝0.54(微米)的情況下滿足β＝5。因此，在這個(gè)例子中，在單個(gè)測(cè)試區(qū)域中的單元的數(shù)量是5。
在測(cè)試區(qū)域的每個(gè)單元中記錄對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)“7”的最大標(biāo)記(參見(jiàn)圖42)。即，使用5個(gè)多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)“7”來(lái)形成測(cè)試模式。在本發(fā)明的所述實(shí)施例中，重復(fù)地記錄三次同一測(cè)試模式(參見(jiàn)圖43)。應(yīng)當(dāng)注意，盡管在測(cè)試模式前后提供了具有比光束直徑更長(zhǎng)長(zhǎng)度的未記錄空間，如圖43所示，但是在測(cè)試模式前后可以或不可以提供未記錄空間。而且，可以在數(shù)據(jù)空間的外部(數(shù)據(jù)空間的內(nèi)側(cè)或外側(cè))或數(shù)據(jù)空間的內(nèi)部提供測(cè)試區(qū)域。
接著，在步驟S409中，對(duì)于每個(gè)測(cè)試區(qū)域進(jìn)行記錄(參見(jiàn)圖43)。
接著，在步驟S411，CPU 40在對(duì)應(yīng)于每個(gè)單元的中心位置的時(shí)序(timing)(T1-T5)采樣測(cè)試區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)，并且檢測(cè)每個(gè)單元的信號(hào)級(jí)(參見(jiàn)圖44A-44C)。
接著，在步驟S413中，檢測(cè)未記錄空間的信號(hào)級(jí)。
接著，在步驟S415，根據(jù)下面給出的公式(2)來(lái)計(jì)算用于評(píng)估測(cè)試區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)的基準(zhǔn)值Q。
Q＝|DR|/{γ·(α-1)} (2)在此，“DR”表示在未記錄空間的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)和其中記錄了最大標(biāo)記的空間的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)之間的差；“α”表示多級(jí)數(shù)據(jù)的值(在這個(gè)例子中為8)；以及“γ”表示不小于1的值(優(yōu)選的是2≤γ≤100)。
在本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例中，如果在測(cè)試區(qū)域中記錄的多級(jí)數(shù)據(jù)是級(jí)7(對(duì)應(yīng)于最大標(biāo)記)和在測(cè)試區(qū)域之間提供了未記錄空間，則可以從未記錄空間的再現(xiàn)信號(hào)和測(cè)試區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)中獲得DR。
而且，雖然可以通過(guò)提高γ的值來(lái)改善記錄質(zhì)量，但是如果γ的值太大則可能過(guò)量地執(zhí)行評(píng)估。因此，對(duì)應(yīng)于光盤15的類型和光盤裝置20的特性來(lái)確定γ的值。即，γ是定義再現(xiàn)級(jí)的可允許差異(分散)極限的值(系數(shù))。例如，在單個(gè)測(cè)試區(qū)域中的單元的數(shù)量β是相當(dāng)大的情況下(例如100或更大)，關(guān)于再現(xiàn)信號(hào)級(jí)的差異量的檢測(cè)數(shù)據(jù)是高度可靠的。因此，γ可以滿足關(guān)系式γ1。另一方面，在單個(gè)測(cè)試區(qū)域中的單元數(shù)量β是相當(dāng)小的情況下(例如小于100)，關(guān)于再現(xiàn)信號(hào)級(jí)的差異量的檢測(cè)數(shù)據(jù)具有不足的可靠性。因此，優(yōu)選的是，γ滿足關(guān)系式γ≥2。在本發(fā)明的所述實(shí)施例中，γ的值通過(guò)預(yù)先進(jìn)行試驗(yàn)等而獲得，并且被存儲(chǔ)在快閃存儲(chǔ)器39中。應(yīng)當(dāng)注意，在γ的值被記錄在光盤15中的情況下，可以選擇性地使用該記錄值。
接著，在步驟S417中，從每個(gè)測(cè)試區(qū)域獲得信號(hào)級(jí)的最大值和最小值。但是，對(duì)于頂部(最前)測(cè)試區(qū)域和底部(最后)測(cè)試區(qū)域，在獲得信號(hào)級(jí)中，不使用對(duì)應(yīng)于具有通過(guò)下舍入R÷S之計(jì)算結(jié)果所獲得值的單元的數(shù)據(jù)。在這種情況下，當(dāng)通過(guò)下舍入R÷S的計(jì)算結(jié)果而獲得的值是1時(shí)，從在中間的三個(gè)單元的數(shù)據(jù)即對(duì)應(yīng)于時(shí)刻T2、T3和T4的采樣數(shù)據(jù)中獲得信號(hào)級(jí)的最大值和最小值。在本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例中，因?yàn)橛涗浟巳齻€(gè)測(cè)試模式，因此獲得所述三個(gè)最大值和三個(gè)最小值。因此，將所述三個(gè)最大值的平均設(shè)置為新的最大值，將所述三個(gè)最小值的平均設(shè)置為新的最小值。然后，計(jì)算在新設(shè)置的最大值和新設(shè)置的最小值之間的差(δ)。應(yīng)當(dāng)注意，在所述最大值和所述最小值中不包括由于缺陷等而導(dǎo)致的異常值。
在步驟S419中，CPU 40確定是否差δ小于或等于基準(zhǔn)值Q。
在再現(xiàn)信號(hào)級(jí)是相當(dāng)大地傾斜(信號(hào)級(jí)變化)的情況下(例如如圖44B和44C中那樣)，差δ大于基準(zhǔn)值Q(步驟S419中的否)；由此操作進(jìn)行到步驟S421。即，再現(xiàn)信號(hào)級(jí)的大傾斜指示符號(hào)間干擾量依據(jù)記錄位置而不同。
在步驟S421中，CPU 40相對(duì)于基準(zhǔn)值Q對(duì)應(yīng)于差δ來(lái)調(diào)整/改變記錄功率和記錄策略的至少一個(gè)。操作返回到步驟S407。
重復(fù)步驟S407-S412，直到確定基準(zhǔn)值Q不小于差δ(步驟S419中的是)。
在再現(xiàn)信號(hào)級(jí)是基本上平坦的情況下(例如如在圖44A中那樣)，差δ不大于基準(zhǔn)值Q(步驟419中的是)；由此操作進(jìn)行到步驟S423。即，基本上平坦的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)指示符號(hào)間干擾量是均勻的，而與記錄位置無(wú)關(guān)。
在步驟S423，CPU 40確定最適合的記錄功率和記錄策略。所確定的記錄功率和記錄策略的信息被報(bào)告到激光控制電路24。因此，激光控制電路24產(chǎn)生適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)信號(hào)。
在步驟S425中，CPU 40引導(dǎo)通過(guò)光盤1記錄所計(jì)算的基準(zhǔn)值的信息。
接著，在步驟S427中，CPU 40指令驅(qū)動(dòng)控制電路26在目標(biāo)位置之前形成光點(diǎn)。因此，執(zhí)行光學(xué)拾取裝置23的尋找移動(dòng)。應(yīng)當(dāng)注意，在不需要尋找移動(dòng)的情況下可以跳過(guò)這個(gè)處理。
接著，在步驟S429中，CPU 40允許記錄用戶數(shù)據(jù)。因此，經(jīng)由諸如編碼器25、激光控制電路24和光學(xué)拾取裝置23之類的上述部件按照適當(dāng)?shù)挠涗洍l件來(lái)在光盤15中記錄用戶數(shù)據(jù)。
接著，在步驟S431中，CPU 40確定是否完成了用戶數(shù)據(jù)的記錄。如果未完成用戶數(shù)據(jù)的記錄，則將記錄的完成確定為否(步驟S431中的否)。在預(yù)定時(shí)間過(guò)去后，CPU 40再次確定是否完成了用戶數(shù)據(jù)的記錄。如果完成了用戶數(shù)據(jù)的記錄，則將記錄的完成確定為肯定(步驟S431中的是)，由此操作進(jìn)行到步驟S433。
在步驟S433中，CPU 40指令驅(qū)動(dòng)控制電路26將伺服設(shè)置為關(guān)閉。隨后，記錄操作結(jié)束。
因此，在按照本發(fā)明的上述實(shí)施例的光盤裝置20中，可以通過(guò)使用CPU40和用CPU 40來(lái)執(zhí)行上述的程序處理而獲得測(cè)試寫入部分(測(cè)試記錄部分)和獲得部分(記錄條件獲得部分)及其功能。就是說(shuō)，可以以在圖41中所示的步驟S407來(lái)實(shí)現(xiàn)測(cè)試寫入部分，并且可以以在圖41中所示的步驟S409-S423來(lái)實(shí)現(xiàn)所述記錄條件獲得部分。應(yīng)當(dāng)注意，可以部分地或全部地以硬件的形式來(lái)獲得通過(guò)以CPU 40來(lái)執(zhí)行程序的處理而獲得的部分。
而且，通過(guò)編碼器25、激光控制電路24、光學(xué)拾取裝置23、CPU 40和由CPU 40執(zhí)行的程序來(lái)獲得處理裝置及其功能。
而且，按照本發(fā)明的實(shí)施例，可以使用在快閃存儲(chǔ)器39中存儲(chǔ)的程序中包括的上述記錄操作程序來(lái)執(zhí)行本發(fā)明的程序。即，使用對(duì)應(yīng)于在圖41中所示的步驟S407中的處理的程序來(lái)執(zhí)行測(cè)試寫入過(guò)程(測(cè)試記錄過(guò)程)，可以使用對(duì)應(yīng)于在圖41中所示的步驟S409-S423的處理的程序來(lái)執(zhí)行獲得過(guò)程(記錄條件獲得過(guò)程)，以及可以使用對(duì)應(yīng)于在圖41中所示的步驟S429的處理的程序來(lái)執(zhí)行記錄過(guò)程。
而且，可以通過(guò)執(zhí)行上述記錄操作來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的記錄條件確定方法和記錄方法。即，可以使用在圖41中所示的步驟S407的處理來(lái)實(shí)現(xiàn)記錄條件確定方法的第一步驟，使用步驟S407-S423的處理來(lái)實(shí)現(xiàn)所述記錄條件確定方法的第二步驟，以及使用在圖41中所示的步驟S429來(lái)實(shí)現(xiàn)所述記錄方法的記錄步驟。
在按照本發(fā)明的所述實(shí)施例的光盤裝置20中，在記錄用戶數(shù)據(jù)的處理之前執(zhí)行測(cè)試寫入處理。在測(cè)試寫入處理中，以使得測(cè)試區(qū)域的長(zhǎng)度大于在再現(xiàn)期間在軌道上形成的光點(diǎn)的點(diǎn)直徑的方式來(lái)在預(yù)定的測(cè)試區(qū)域中連續(xù)地測(cè)試寫入(測(cè)試記錄)相同(等同)的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)。因此，當(dāng)在測(cè)試區(qū)域中的再現(xiàn)信號(hào)的最大值和最小值之間的差變得不大于基準(zhǔn)值Q時(shí)獲得所述記錄功率和記錄策略。如果測(cè)試區(qū)域具有比光點(diǎn)直徑更大的長(zhǎng)度并且在測(cè)試區(qū)域中寫入多個(gè)相同的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)，則可以在測(cè)試區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)中清楚地指示(識(shí)別)符號(hào)間干擾的影響。因此，所獲得的記錄功率和記錄策略是用于當(dāng)存在小的符號(hào)間干擾的影響的情況下的記錄條件。這使得可以確定適合于在光盤中記錄多級(jí)信息(三級(jí)或更多級(jí))的情況的記錄條件。
而且，由于使用對(duì)應(yīng)于符號(hào)間干擾的影響是小的情況下的記錄條件來(lái)在光盤中記錄信息，因此可以以高記錄質(zhì)量在光盤中記錄3級(jí)或更多級(jí)的多級(jí)信息。
而且，因?yàn)槭褂迷跍y(cè)試區(qū)域中的再現(xiàn)信號(hào)來(lái)計(jì)算基準(zhǔn)值Q，因此可以以足夠的精確度來(lái)評(píng)估符號(hào)間干擾的影響。
而且，因?yàn)樗?jì)算的基準(zhǔn)值Q被記錄在光盤15中，因此當(dāng)重新安裝光盤15時(shí)可以重新使用基準(zhǔn)值Q。
應(yīng)當(dāng)注意，按照本發(fā)明的上述實(shí)施例，雖然單個(gè)測(cè)試區(qū)域包括5個(gè)單元，但是在單個(gè)測(cè)試區(qū)域中的單元的數(shù)量不限于5。單個(gè)測(cè)試區(qū)域可以包括除了5個(gè)之外的單元，只要所述單元的數(shù)量不小于β的值。例如，圖45A和45B示出了在單個(gè)測(cè)試區(qū)域中包括10個(gè)單元(單元A-J)的情況。圖45A示出了在記錄功率和記錄策略兩者都是合適的情況下的再現(xiàn)信號(hào)。圖45B示出了在記錄功率和記錄策略兩者都是不適合的情況下的再現(xiàn)信號(hào)。
同時(shí)，在單個(gè)測(cè)試區(qū)域包括三個(gè)單元(即小于β的值的單元)的情況下，在采樣時(shí)刻T1和T3的信號(hào)級(jí)未被充分地降低，如在圖47A和47B中所示。因此，雖然在每個(gè)單元(單元A-C)中形成相同(等同)的記錄標(biāo)記，但是再現(xiàn)信號(hào)級(jí)不相同。因此，不能充分地評(píng)估是否記錄功率和記錄策略是適當(dāng)?shù)摹?br> 而且，雖然重復(fù)三次相同的測(cè)試區(qū)域的形成，但是可以一次性選擇性地形成測(cè)試模式。而且，可以對(duì)應(yīng)于期望的精度和/或可允許的處理時(shí)間來(lái)修改測(cè)試模式的形成。
在本發(fā)明的上述實(shí)施例的光盤15中，當(dāng)記錄標(biāo)記的面積增加時(shí)，再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)級(jí)變小?；蛘?，當(dāng)記錄標(biāo)記的面積增加時(shí)，光盤15的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)級(jí)可能變大。
本發(fā)明的上述實(shí)施例描述了信息(數(shù)據(jù))被多級(jí)到8級(jí)(0-7)的情況。但是，所述信息(數(shù)據(jù))可以被多級(jí)到其他級(jí)，只要所述級(jí)是3級(jí)或更多。
而且，雖然本發(fā)明的上述實(shí)施例描述了S＝0.24和2R＝0.54微米的情況，但是可以將其他值應(yīng)用到“S”和/或“2R”。
而且，上述實(shí)施例描述了在單元中形成具有對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)的區(qū)域的記錄標(biāo)記的情況?；蛘?，可以在單元中形成具有對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)的深度的記錄標(biāo)記。而且，在單元中可以選擇性地形成具有對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)的面積和深度的記錄標(biāo)記。
而且，上述實(shí)施例描述了通過(guò)涉及由使用公式(2)而獲得的基準(zhǔn)值Q來(lái)確定記錄功率和記錄策略的情況?；蛘?，可以通過(guò)涉及通過(guò)使用以經(jīng)驗(yàn)獲得的值來(lái)劃分未記錄空間的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)而獲得的基準(zhǔn)值來(lái)確定記錄功率和記錄策略。
(第二示例性記錄操作)雖然按照本發(fā)明的上述實(shí)施例基于在再現(xiàn)信號(hào)級(jí)的最大值和最小值之間的差來(lái)確定記錄功率和記錄策略的適當(dāng)性，但是所述確定可以選擇性地基于再現(xiàn)信號(hào)級(jí)的平均值。參見(jiàn)圖48中所示的流程圖來(lái)描述在這種情況下的CPU40的操作和處理。
在圖48中所示的步驟S501-S511的前面的步驟與在圖41中所示的步驟S401-S411相同。
在步驟S513中，計(jì)算在步驟S511中檢測(cè)的再現(xiàn)信號(hào)的平均值m。但是，相對(duì)于頂部(最前)的測(cè)試區(qū)域和底部(最后)的測(cè)試區(qū)域，在計(jì)算平均值m中不使用對(duì)應(yīng)于具有小于R/S的最大整數(shù)值的單元的數(shù)據(jù)。在這種情況下，從在中間的三個(gè)單元的數(shù)據(jù)即對(duì)應(yīng)于時(shí)刻T2、T3和T4的采樣數(shù)據(jù)中獲得平均值m。
接著，在步驟S515中，確定是否平均值m不小于預(yù)定下限和是否平均值m不大于預(yù)定上限(下限≤m≤上限)。如果平均值m等于下限和上限的任何一個(gè)或在其間，則確定為肯定(步驟S515中的是)，由此操作進(jìn)行到步驟S517。
接著，以與上述步驟S413-S417相同的方式來(lái)執(zhí)行步驟S517-S521，其中，計(jì)算基準(zhǔn)值Q和在再現(xiàn)信號(hào)的最大值和最小值之間的差δ。
接著，在步驟S523中，確定是否所述差δ不大于(即等于或小于)基準(zhǔn)值Q。如果所述差δ大于基準(zhǔn)值Q則確定為否定，由此操作進(jìn)行到步驟S525。
在步驟S525，執(zhí)行與步驟S421中相同的處理。隨后，操作返回到步驟S507。
應(yīng)當(dāng)注意，如果平均值m小于下限或大于上限，則在步驟S515中確定為否定(步驟S515中的否)。隨后，操作進(jìn)行到步驟S525。
而且，在步驟S523中，如果差δ不大于基準(zhǔn)值Q則確定為肯定(步驟S523中的是)。隨后，操作進(jìn)行到步驟S527。
以與在上述步驟S423-S429相同的方式來(lái)執(zhí)行步驟S527-S533。
接著，在步驟S535中，CPU 40確定是否完成了用戶數(shù)據(jù)的記錄。如果用戶數(shù)據(jù)的記錄未完成，則將記錄的完成確定為否定(步驟S535中的否)。在預(yù)定時(shí)間過(guò)去后，CPU 40再次確定是否完成了用戶數(shù)據(jù)的記錄。如果完成了用戶數(shù)據(jù)的記錄，則將記錄的完成確定為肯定(步驟S535中的是)。隨后，操作進(jìn)行到步驟S537。
在步驟S537，CPU 40指令驅(qū)動(dòng)控制電路26將伺服設(shè)置為關(guān)閉。隨后，結(jié)束記錄操作。
與本發(fā)明的記錄操作的上述實(shí)施例同樣，這個(gè)記錄操作的改進(jìn)例子也提供了在記錄用戶數(shù)據(jù)中的適當(dāng)記錄條件。應(yīng)當(dāng)注意，可以在通過(guò)涉及平均值m而執(zhí)行的確定(步驟S515)之前執(zhí)行通過(guò)涉及差δ而執(zhí)行的確定(步驟S523)。
在本發(fā)明的記錄操作的上述實(shí)施例和記錄操作的改進(jìn)例子中，作為對(duì)于涉及在再現(xiàn)信號(hào)級(jí)的最大值和最小值之間的差δ的替代，可以通過(guò)涉及在再現(xiàn)信號(hào)級(jí)的最大值和再現(xiàn)信號(hào)級(jí)的平均值之間的差、在再現(xiàn)信號(hào)級(jí)的最小值和再現(xiàn)信號(hào)級(jí)的平均值之間的差或者再現(xiàn)信號(hào)級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)偏差來(lái)執(zhí)行適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗缘拇_定。但是，在這種情況下，使用與上述基準(zhǔn)值Q不同的基準(zhǔn)值。
或者，可以根據(jù)下述的至少一個(gè)來(lái)執(zhí)行適當(dāng)記錄功率和記錄策略的確定第一測(cè)試區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)(平均值，被稱為再現(xiàn)信號(hào)級(jí)S1)、第二測(cè)試區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)(平均值，被稱為再現(xiàn)信號(hào)級(jí)S2)或者在再現(xiàn)信號(hào)級(jí)S1和再現(xiàn)信號(hào)級(jí)S2之間的差(絕對(duì)值)，其中，在第一測(cè)試區(qū)域中測(cè)試寫入多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)(多級(jí)數(shù)據(jù)值)1，在第二測(cè)試區(qū)域中測(cè)試寫入多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)7。應(yīng)當(dāng)注意，所述基準(zhǔn)值可以是在快閃存儲(chǔ)器39的數(shù)據(jù)空間中存儲(chǔ)的值和/或被記錄到光盤15的值。
在以各種方法多次執(zhí)行適當(dāng)記錄功率和記錄策略的確定的情況下，可以改變執(zhí)行所述確定的順序。
在本發(fā)明的記錄操作的上述實(shí)施例和記錄操作的改進(jìn)例子中，通過(guò)涉及未記錄區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)和測(cè)試區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)來(lái)每次計(jì)算基準(zhǔn)值Q。但是，通過(guò)使用未記錄區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)和其中記錄了多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)7的區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)來(lái)預(yù)先選擇性地計(jì)算基準(zhǔn)值Q。而且，在光盤15中記錄了基準(zhǔn)值Q的情況下，可以使用被記錄的基準(zhǔn)值。而且，用于指示光盤15的類型和對(duì)應(yīng)基準(zhǔn)值Q的表格可以預(yù)先形成和存儲(chǔ)在快閃存儲(chǔ)器39中。在這種情況下，從所述表格提取(選擇)對(duì)應(yīng)于光盤15的類型的基準(zhǔn)值Q。
在本發(fā)明的記錄操作的上述實(shí)施例和記錄操作的改進(jìn)例子中，雖然多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)7被用作在測(cè)試模式中包括的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)，但是也可以選擇性地使用其他的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)1-7。但是，在多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)是多級(jí)數(shù)據(jù)1-6的任何一個(gè)的情況下，使用預(yù)先獲得的基準(zhǔn)值Q。
而且，通過(guò)預(yù)先在用戶數(shù)據(jù)中插入測(cè)試模式，在可以進(jìn)行記錄功率和記錄策略的調(diào)整的同時(shí)可以記錄用戶數(shù)據(jù)。即，這允許所謂的OPC運(yùn)行。在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，在多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)是0的情況下，不形成記錄標(biāo)記。但是，在多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)是0的情況下，可以選擇性地形成小于對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)1的記錄標(biāo)記的記錄標(biāo)記。
在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，在快閃存儲(chǔ)器39中記錄本發(fā)明的程序。但是，本發(fā)明的程序可以選擇性地被記錄在其他的記錄媒體中(例如CD、磁光盤、存儲(chǔ)卡、USB存儲(chǔ)器、軟盤)。在這種情況下，本發(fā)明的程序經(jīng)由對(duì)應(yīng)于記錄介質(zhì)的再現(xiàn)裝置(或?qū)Ｓ媒涌?而被安裝在快閃存儲(chǔ)器39中。本發(fā)明的程序也可以經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)(例如局域網(wǎng)、內(nèi)聯(lián)網(wǎng)、因特網(wǎng))被傳送到快閃存儲(chǔ)器39。換句話說(shuō)，可以以任何方式來(lái)提供本發(fā)明的程序，只要它被存儲(chǔ)在快閃存儲(chǔ)器39中。
在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，光盤15是可應(yīng)用到具有大約405nm波長(zhǎng)的激光束的信息記錄介質(zhì)。但是，可以選擇性地使用其他的信息記錄介質(zhì)，諸如市售的一次寫入多次讀取類型的信息記錄介質(zhì)或可重寫的信息記錄介質(zhì)。
(第三示例性記錄操作)接著，將在光盤裝置20從上位裝置90接收記錄請(qǐng)求命令的情況下參見(jiàn)圖63來(lái)說(shuō)明按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄操作的第三個(gè)例子。圖63中所示的流程圖對(duì)應(yīng)于由CPU 40執(zhí)行的處理算法的序列。
當(dāng)光盤裝置20從上位裝置90接收到記錄請(qǐng)求命令時(shí)，將對(duì)應(yīng)于在圖63中所示的流程圖的程序(記錄操作程序)的頂部地址設(shè)置到CPU 40的程序計(jì)數(shù)器；由此開(kāi)始記錄操作。應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)將光盤15設(shè)置到光盤裝置20時(shí)，確定光盤15的類型，并且將所述類型發(fā)送到諸如激光控制電路24和/或再現(xiàn)信號(hào)處理電路28之類的電路。而且，預(yù)先在RAM 41中存儲(chǔ)光盤15的類型。而且，在這個(gè)例子中，對(duì)應(yīng)于光盤15的功率信息和記錄策略信息已經(jīng)被發(fā)送到寄存器24d。
在步驟S1401中，通過(guò)按照記錄速度向主軸電動(dòng)機(jī)22輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)和向再現(xiàn)信號(hào)處理電路28報(bào)告來(lái)自上位裝置90的記錄請(qǐng)求命令的接收來(lái)啟動(dòng)主軸電動(dòng)機(jī)22的旋轉(zhuǎn)。另外，CPU 40指令緩沖管理器37在緩沖RAM 34中存儲(chǔ)從上位裝置90接收到的用戶數(shù)據(jù)(記錄數(shù)據(jù))。
接著，在步驟S1403中，一旦CPU 40確認(rèn)光盤15以預(yù)定的線速度(或角速度)旋轉(zhuǎn)，則將驅(qū)動(dòng)控制電路26的伺服設(shè)置為接通。由此，執(zhí)行上述的跟蹤控制和聚焦控制。應(yīng)當(dāng)注意，可以總是執(zhí)行所述跟蹤控制和聚焦控制直到記錄操作結(jié)束。
在步驟S1405，CPU 40指令驅(qū)動(dòng)控制電路26在目標(biāo)區(qū)域之前的位置形成光點(diǎn)。因此，執(zhí)行光學(xué)拾取裝置23的查找操作。在不需要任何查找操作的情況下，可以跳過(guò)這個(gè)處理。
在步驟S1407，CPU 40允許記錄用戶數(shù)據(jù)。以上述方式，經(jīng)由例如編碼器25、激光控制電路24和光學(xué)拾取裝置23來(lái)向記錄層記錄對(duì)應(yīng)于用戶數(shù)據(jù)的記錄標(biāo)記。即，從光學(xué)拾取裝置23輻射包括預(yù)熱脈沖和主脈沖的光發(fā)射脈沖，以用于向光盤15記錄單個(gè)記錄標(biāo)記。
接著，在步驟S1409，CPU 40確定是否完成了用戶數(shù)據(jù)的記錄。如果未完成用戶數(shù)據(jù)的記錄，則將記錄的完成確定為否(步驟S1409中的否)。在預(yù)定時(shí)間過(guò)去后，CPU 40再次確定是否完成了用戶數(shù)據(jù)的記錄。如果完成了用戶數(shù)據(jù)的記錄，則將記錄的完成確定為肯定(步驟S1409中的是)，由此操作進(jìn)行到步驟S1411。
在步驟S1411中，CPU 40指令驅(qū)動(dòng)控制電路26將伺服設(shè)置為關(guān)閉。隨后，記錄操作結(jié)束。
通過(guò)使用包括激光控制電路24、CPU 40和由CPU 40執(zhí)行的程序的按照本發(fā)明實(shí)施例的光盤裝置20來(lái)執(zhí)行記錄操作的第三個(gè)例子。而且，通過(guò)執(zhí)行記錄操作的第三例子來(lái)執(zhí)行本發(fā)明的記錄操作。
如上所述，在相對(duì)于記錄操作第三個(gè)例子的光盤裝置20中，通過(guò)激光(激光束)的脈沖光發(fā)射來(lái)在光盤(可記錄光盤)15的記錄層上形成標(biāo)記(記錄標(biāo)記)。當(dāng)溫度達(dá)到預(yù)定溫度(即初始標(biāo)記形成溫度)時(shí)啟動(dòng)標(biāo)記的形成。在按照本發(fā)明實(shí)施例的記錄方法中，首先，通過(guò)向光盤15上輻射作為預(yù)熱脈沖的至少一個(gè)單個(gè)脈沖，將記錄層預(yù)熱到小于初始標(biāo)記形成溫度的溫度。所述預(yù)熱脈沖具有大于光盤15的再現(xiàn)功率和小于光盤15的記錄功率(例如光盤15的記錄功率的80％或更少)的功率(功率級(jí))。然后，通過(guò)向光盤15上輻射作為主脈沖的至少一個(gè)單個(gè)脈沖，將記錄層加熱到等于或大于初始標(biāo)記形成溫度的溫度。所述主脈沖具有與光盤15的記錄功率(功率級(jí))相同的功率(功率級(jí))。如果使用預(yù)熱脈沖來(lái)預(yù)先加熱(預(yù)熱)記錄層，則記錄層的溫度迅速地上升到等于或大于初始標(biāo)記形成溫度的溫度。這使得在向記錄層的溫度等于或大于初始標(biāo)記形成溫度的區(qū)域進(jìn)行記錄時(shí)能夠進(jìn)行精確控制，并且使得即使在記錄標(biāo)記小于激光(激光束)的光束直徑的情況下也在形成記錄標(biāo)記的形狀中能夠進(jìn)行精確控制。因此，可以以滿意的精度來(lái)在光盤15(可記錄光盤)的記錄層上形成記錄標(biāo)記。因此，可以以高記錄質(zhì)量來(lái)向光盤(可記錄光盤)15記錄數(shù)據(jù)(信息)。
參考表示在記錄層溫度和從脈沖輻射啟動(dòng)開(kāi)始的過(guò)去時(shí)間之間的關(guān)系的圖64A-64B，其中記錄層溫度突然改變的單一(singular)點(diǎn)位于其中記錄層的溫度小于初始標(biāo)記形成溫度的區(qū)域，這是因?yàn)?，在使用預(yù)熱脈沖加熱到小于初始標(biāo)記形成溫度的溫度之后，使用主脈沖來(lái)將記錄層加熱到等于或大于初始標(biāo)記形成溫度的溫度。應(yīng)當(dāng)注意，圖64C示出了在不輻射預(yù)熱脈沖的情況下在記錄層溫度和從啟動(dòng)脈沖輻射開(kāi)始的過(guò)去時(shí)間之間的關(guān)系。而且，通過(guò)在使用主脈沖將記錄層加熱到等于或大于初始標(biāo)記形成溫度的溫度之前使用預(yù)熱脈沖將記錄層預(yù)熱到小于初始標(biāo)記形成溫度的溫度，可以防止在其中記錄層溫度大于初始標(biāo)記形成溫度的區(qū)域提供所述單個(gè)點(diǎn)。應(yīng)當(dāng)注意，圖64D示出了在其中記錄層溫度大于初始標(biāo)記形成溫度的區(qū)域提供了所述單個(gè)點(diǎn)的情況。
應(yīng)當(dāng)注意，雖然在本發(fā)明的上述實(shí)施例中將預(yù)熱脈沖描述為包括兩個(gè)脈沖(第一脈沖和第二脈沖)，但是本發(fā)明的預(yù)熱脈沖可以選擇性地是包括例如單個(gè)脈沖的預(yù)熱脈沖。
而且，雖然使用大于在圖61的例子中所示的預(yù)熱脈沖Hp2的功率級(jí)Ph1來(lái)設(shè)置預(yù)熱脈沖Hp1，但是可以選擇性地使用大于如圖67中所示的預(yù)熱脈沖Hp1的功率級(jí)Ph1的功率級(jí)Ph2來(lái)設(shè)置所述預(yù)熱脈沖Hp2。
而且，可以在預(yù)熱脈沖的降低時(shí)段將預(yù)熱功率的功率級(jí)降低到再現(xiàn)功率級(jí)Pr，如圖68中所示。
而且，可以在主脈沖的降低時(shí)段將主功率的功率級(jí)降低到0功率級(jí)，如圖69中所示。
雖然在本發(fā)明的上述實(shí)施例中將主脈沖描述為包括單個(gè)脈沖，但是本發(fā)明的主脈沖可以選擇性地例如是包括多于單個(gè)脈沖的主脈沖。即，所述主脈沖可以選擇性地包括多個(gè)脈沖。
雖然本發(fā)明的上述實(shí)施例描述了信息(數(shù)據(jù))被多級(jí)化為8個(gè)級(jí)(0-7)的情況，但是所述信息(數(shù)據(jù))可以選擇性地被多級(jí)化為除了8級(jí)之外的其他級(jí)。
本發(fā)明的上述實(shí)施例描述了當(dāng)多級(jí)數(shù)據(jù)的值(級(jí))是0時(shí)不形成記錄標(biāo)記的情況。但是，當(dāng)多級(jí)數(shù)據(jù)的值(級(jí))是0時(shí)，可以選擇性地將記錄標(biāo)記形成為對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)1的記錄標(biāo)記。
雖然本發(fā)明的上述實(shí)施例描述了記錄標(biāo)記的區(qū)域?qū)?yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)而不同的情況，但是記錄標(biāo)記的深度例如可以選擇性地對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)而不同。在這種情況下，當(dāng)多級(jí)數(shù)據(jù)是0時(shí)，所述記錄標(biāo)記可以選擇性地被形成為具有比對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)1的記錄標(biāo)記的深度淺的深度的記錄標(biāo)記。而且，記錄標(biāo)記的面積和深度兩者可以對(duì)應(yīng)于多級(jí)數(shù)據(jù)而不同。在這種情況下，當(dāng)多級(jí)數(shù)據(jù)是0時(shí)，形成記錄標(biāo)記的面積和深度，其具有比對(duì)應(yīng)于1的記錄標(biāo)記小的面積和深度。
而且，雖然本發(fā)明的上述實(shí)施例描述了使用多級(jí)數(shù)據(jù)的情況，但是也可以使用二進(jìn)制化的數(shù)據(jù)。在這種使用二進(jìn)制化的數(shù)據(jù)的情況下，可以僅僅對(duì)應(yīng)于具有最短長(zhǎng)度(最短標(biāo)記)的記錄標(biāo)記而輻射預(yù)熱脈沖，如圖70-72中所示。
在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，光學(xué)拾取裝置被提供有單個(gè)半導(dǎo)體激光器。但是，所述光學(xué)拾取裝置可以選擇性地被提供有多個(gè)半導(dǎo)體激光器，其發(fā)射具有不同波長(zhǎng)的光束。例如，具有多個(gè)半導(dǎo)體激光的光學(xué)拾取裝置可以包括至少一個(gè)半導(dǎo)體激光器，它發(fā)射具有大約405nm波長(zhǎng)的光束；半導(dǎo)體激光器，它發(fā)射具有大約660nm的波長(zhǎng)的光束；半導(dǎo)體激光器，它發(fā)射具有大約700nm的波長(zhǎng)的光束。即，本發(fā)明的光盤裝置可以是可應(yīng)用到各種標(biāo)準(zhǔn)的光盤的光盤裝置。在這種情況下，可以以任何方式來(lái)使用各種光盤，只要所述光盤之一可應(yīng)用到多級(jí)記錄類型。
而且，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例，而是，可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下進(jìn)行改變和修改。
本申請(qǐng)基于分別在2004年4月19日、2004年5月27目和2004年5月27日在日本專利局申請(qǐng)的日本優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)第2004-123492、2004-157066和2004-157068號(hào)，其整個(gè)內(nèi)容通過(guò)引用而被并入在此。
權(quán)利要求
1.一種記錄和再現(xiàn)方法，用于在/從包括導(dǎo)槽和記錄層的光記錄介質(zhì)上記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)，所述記錄/再現(xiàn)方法包括步驟通過(guò)將激光輻射時(shí)間和激光輻射強(qiáng)度的至少一個(gè)調(diào)制為兩個(gè)或多個(gè)值來(lái)向光記錄介質(zhì)上輻射激光束；其中，將再現(xiàn)功率(Pr)和偏置功率(Pbi)的比率Pbi/Pr設(shè)置到不小于0.5的值；其中，通過(guò)總是提供具有功率級(jí)的激光束來(lái)記錄數(shù)據(jù)，該功率級(jí)包括被加到偏置功率(Pbi)的再現(xiàn)功率(Pr)。
2.一種記錄/再現(xiàn)方法，用于在/從包括導(dǎo)槽和記錄層的光記錄介質(zhì)上記錄/再現(xiàn)多級(jí)數(shù)據(jù)，所述記錄/再現(xiàn)方法包括步驟向光記錄介質(zhì)上輻射激光束，用于記錄/再現(xiàn)多級(jí)數(shù)據(jù)；其中，在下述條件下記錄該多級(jí)數(shù)據(jù)在激光束中心強(qiáng)度的1/e2的激光束直徑(D)與多級(jí)記錄標(biāo)記的記錄單位的長(zhǎng)度(L)的比率D/L滿足關(guān)系式1＜D/L，多級(jí)記錄標(biāo)記的記錄單位是基本單元；其中，再現(xiàn)功率(Pr)和偏置功率(Pbi)的比率Pbi/Pr被設(shè)置到不小于0.5的值；其中，通過(guò)總是提供具有功率級(jí)的激光束來(lái)記錄數(shù)據(jù)，該功率級(jí)包括被加到偏置功率(Pbi)的再現(xiàn)功率(Pr)。
3.按照權(quán)利要求2的記錄/再現(xiàn)方法，其中，通過(guò)使用下述策略來(lái)執(zhí)行記錄在最大級(jí)標(biāo)記的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度(Wt)和基本單元長(zhǎng)度的時(shí)間寬度(Lt)之間的比率Wt/Lt滿足關(guān)系式0.3≤Wt/Lt≤0.8。
4.按照權(quán)利要求3的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在下述條件下的光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，其中導(dǎo)槽具有0.25-0.5微米范圍的軌道間距、深度(Dp)范圍是15-150nm、平均槽寬度(Wg)的范圍是0.15-0.35微米，所述光記錄介質(zhì)的非記錄區(qū)域的反射率是2-50％，其中，所述激光束是具有不大于450nm的波長(zhǎng)的藍(lán)色激光。
5.按照權(quán)利要求4的記錄/再現(xiàn)方法，其中，導(dǎo)槽的平均槽寬(Wg)和記錄單位的長(zhǎng)度(L)的比率Wg/L滿足關(guān)系式0.7≤Wg/L≤1.5。
6.按照權(quán)利要求5的記錄/再現(xiàn)方法，其中，記錄單位的長(zhǎng)度(L)和導(dǎo)槽的深度(Dp)的比率L/Dp滿足關(guān)系式3≤L/Dp≤8。
7.按照權(quán)利要求6的記錄/再現(xiàn)方法，其中，使用包括至少兩個(gè)級(jí)的不同記錄功率的策略來(lái)執(zhí)行記錄。
8.按照權(quán)利要求7的記錄/再現(xiàn)方法，其中，所述記錄功率包括兩個(gè)級(jí)，并且，使用下述策略來(lái)執(zhí)行記錄前半部分的記錄功率(Pf)和后半部分的記錄功率(Pb)的比率Pf/Pb滿足關(guān)系式0.3≤Pf/Pb≤1。
9.按照權(quán)利要求8的記錄/再現(xiàn)方法，其中，所述記錄功率包括兩個(gè)級(jí)，并且使用下述策略來(lái)執(zhí)行記錄脈沖時(shí)間寬度(Wb)和最大級(jí)標(biāo)記的后半部分的記錄功率的整個(gè)脈沖時(shí)間寬度(Wt)的比率Wb/Wt滿足關(guān)系式0.3≤Wb/Wt≤0.8。
10.按照權(quán)利要求9的記錄/再現(xiàn)方法，其中，執(zhí)行記錄，由此，前半部分的記錄功率(Pf)和后半部分的記錄功率(Pb)的轉(zhuǎn)換點(diǎn)對(duì)應(yīng)于基本單元的中心。
11.按照權(quán)利要求1的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述光記錄介質(zhì)具有位于襯底之上的包括R和Q的每個(gè)元素的RO層和有機(jī)材料的薄層，其中，R包括從包括Y、B、I、In和鑭系元素的組中選擇的至少一個(gè)元素，其中O代表氧。
12.按照權(quán)利要求11的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，其中，RO膜包括從下組選擇的至少一個(gè)元素M所述組包括Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb。
13.按照權(quán)利要求11的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述光記錄介質(zhì)的構(gòu)成是依序在其襯底上的至少RO膜、有機(jī)材料薄膜和反射層的層。
14.按照權(quán)利要求11的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述光記錄介質(zhì)的構(gòu)成是依序在其襯底上的至少反射層、有機(jī)材料的薄膜、RO層和覆蓋層的層。
15.按照權(quán)利要求1的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述光記錄介質(zhì)至少具有在襯底之上的RO層和介電層，所述RO層包括R和O的每個(gè)元素，所述介電層具有作為主要成分的ZnS，其中，R包括從包括Y、B、I、In和鑭系元素的組中選擇的至少一個(gè)元素，其中O表示氧。
16.按照權(quán)利要求15的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，其中，RO膜包括從下組選擇的至少一個(gè)元素M所述組的構(gòu)成包括Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb。
17.按照權(quán)利要求15的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述光記錄介質(zhì)的構(gòu)成是依序在其襯底上的至少RO膜、介電層和反射層的層，所述介電層具有作為主要成分的ZnS。
18.按照權(quán)利要求15的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在光記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄，所述光記錄介質(zhì)的構(gòu)成是依序在其襯底上的至少反射層、介電層、RO層和覆蓋層的層，所述介電層具有作為主要成分的ZnS。
19.一種記錄條件確定方法，用于確定用于在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)的記錄條件，所述記錄條件確定方法包括步驟a)在多個(gè)測(cè)試區(qū)域中寫入具有相同值的多個(gè)多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)，每個(gè)測(cè)試區(qū)域具有在與軌道相切的線的方向上的指定長(zhǎng)度，所述指定長(zhǎng)度大于在軌道上形成的光點(diǎn)的點(diǎn)直徑；和b)按照從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)來(lái)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 20.按照權(quán)利要求19的記錄條件確定方法，其中，當(dāng)在再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最大值和最小值之間的差不大于參考值時(shí)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 21.按照權(quán)利要求20的記錄條件確定方法，其中，所述參考值被記錄在光盤中。
22.按照權(quán)利要求20的記錄條件確定方法，其中，所述方法還包括步驟c)確定光盤的類型；其中，按照光盤的類型從預(yù)定值選擇參考值。
23.按照權(quán)利要求20的記錄條件確定方法，其中，所述參考值包括通過(guò)計(jì)算公式{|DR|/{γ(α-1)}}而獲得的值，其中，α是不小于3的多級(jí)數(shù)據(jù)的值，DR是在未記錄區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)和其中記錄了最大標(biāo)記的區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)之間的差，γ是不小于1的值。
24.按照權(quán)利要求23的記錄條件確定方法，其中，所述多級(jí)數(shù)據(jù)包括對(duì)應(yīng)于最大標(biāo)記的多級(jí)數(shù)據(jù)，其中，通過(guò)涉及從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)來(lái)獲得所述參考值。
25.按照權(quán)利要求19的記錄條件確定方法，其中，當(dāng)再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的平均值落入預(yù)定范圍時(shí)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 26.按照權(quán)利要求19的記錄條件確定方法，其中，當(dāng)在再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最大值和再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最小值的至少一個(gè)與再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的平均值之間的差不大于預(yù)定參考值時(shí)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 27.按照權(quán)利要求19的記錄條件確定方法，其中，在測(cè)試區(qū)域中記錄的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)的數(shù)量被設(shè)置為滿足公式β＝A+2其中，β表示在測(cè)試區(qū)域中記錄的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)的數(shù)量，其中，A表示當(dāng)上舍入2R÷S的計(jì)算結(jié)果時(shí)的整數(shù)，其中，2R表示光點(diǎn)的點(diǎn)直徑，其中，S表示測(cè)試區(qū)域的長(zhǎng)度。
28.按照權(quán)利要求27的記錄條件確定方法，其中，通過(guò)分別省略通過(guò)下舍入R÷S的計(jì)算結(jié)果而獲得的最前測(cè)試區(qū)域和最后測(cè)試區(qū)域的多級(jí)值，得到從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)。
29.一種用于在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)的記錄方法，所述記錄方法包括步驟通過(guò)使用在權(quán)利要求1中獲得的適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗詠?lái)在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)。
30.一種用于在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)的光盤裝置，所述光盤裝置包括寫入部分，用于在多個(gè)測(cè)試區(qū)域中寫入具有相同值的多個(gè)多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)，每個(gè)測(cè)試區(qū)域具有在與軌道相切的線的方向上的指定長(zhǎng)度，所述指定長(zhǎng)度大于在軌道上形成的光點(diǎn)的點(diǎn)直徑；獲得部分，用于按照從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)來(lái)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗?；以及記錄部分，用于通過(guò)使用所獲得的記錄功率和記錄策略來(lái)在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)。
31.按照權(quán)利要求30的光盤裝置，其中，當(dāng)在再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最大值和最小值之間的差不大于參考值時(shí)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 32.按照權(quán)利要求31的光盤裝置，其中，所述參考值被記錄在光盤中。
33.按照權(quán)利要求31的光盤裝置，還包括確定部分，用于確定光盤的類型；其中，按照光盤的類型從預(yù)定值選擇參考值。
34.按照權(quán)利要求31的光盤裝置，其中，所述參考值包括通過(guò)計(jì)算公式{|DR|/{γ-(α-1)}}而獲得的值，其中，α是不小于3的多級(jí)數(shù)據(jù)的值，DR是在未記錄區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)和其中記錄了最大標(biāo)記的區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)級(jí)之間的差，γ是不小于1的值。
35.按照權(quán)利要求34的光盤裝置，其中，所述多級(jí)數(shù)據(jù)包括對(duì)應(yīng)于最大標(biāo)記的多級(jí)數(shù)據(jù)，其中，通過(guò)涉及從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)來(lái)獲得所述參考值。
36.按照權(quán)利要求35的光盤裝置，其中，所述記錄部分進(jìn)一步在光盤中記錄所獲得的參考值。
37.按照權(quán)利要求30的光盤裝置，其中，當(dāng)再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的平均值落入預(yù)定范圍時(shí)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 38.按照權(quán)利要求30的光盤裝置，其中，當(dāng)在再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最大值和再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的最小值的至少一個(gè)和再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)的平均值之間的差不大于預(yù)定參考值時(shí)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗浴?br> 39.按照權(quán)利要求30的光盤裝置，其中，在測(cè)試區(qū)域中記錄的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)的數(shù)量被設(shè)置為滿足公式β＝A+2，其中，β表示在測(cè)試區(qū)域中記錄的多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)的數(shù)量，其中，A表示當(dāng)上舍入2R÷S的計(jì)算結(jié)果時(shí)的整數(shù)，其中，2R表示光點(diǎn)的點(diǎn)直徑，其中，S表示測(cè)試區(qū)域的長(zhǎng)度。
40.按照權(quán)利要求39的光盤裝置，其中，通過(guò)分別省略通過(guò)下舍入R÷S的計(jì)算結(jié)果而獲得的最前測(cè)試區(qū)域和最后測(cè)試區(qū)域的多級(jí)值，得到從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)。
41.一種用于光盤裝置的程序，所述光盤裝置可用于在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)，所述程序包括寫入處理，用于在多個(gè)測(cè)試區(qū)域中寫入具有相同值的多個(gè)多級(jí)數(shù)據(jù)級(jí)，每個(gè)測(cè)試區(qū)域具有在與軌道相切的線的方向上的指定長(zhǎng)度，所述指定長(zhǎng)度大于在軌道上形成的光點(diǎn)的點(diǎn)直徑；獲得處理，用于按照從測(cè)試區(qū)域產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)的級(jí)來(lái)獲得適當(dāng)?shù)挠涗浌β屎陀涗洸呗?；以及記錄處理，用于通過(guò)使用所獲得的記錄功率和記錄策略來(lái)在光盤的記錄表面的軌道上記錄多級(jí)數(shù)據(jù)。
42.一種計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)，包括權(quán)利要求41所述的程序。
43.一種用于在光盤的記錄層上記錄數(shù)據(jù)的記錄方法，所述記錄方法包括步驟a)通過(guò)向光盤上輻射至少單個(gè)預(yù)熱脈沖，將記錄層預(yù)熱到小于初始標(biāo)記形成溫度的溫度，所述預(yù)熱脈沖具有大于光盤的再現(xiàn)功率和小于光盤的記錄功率的功率級(jí)；b)通過(guò)向光盤上輻射至少單個(gè)主脈沖，將記錄層加熱到等于或大于所述初始標(biāo)記形成溫度的溫度；所述主脈沖具有與光盤的記錄功率相同的功率級(jí)。
44.按照權(quán)利要求43的記錄方法，其中，所述預(yù)熱脈沖具有不大于記錄功率的80％的功率級(jí)。
45.按照權(quán)利要求43的記錄方法，其中，所述預(yù)熱脈沖包括第一脈沖和第二脈沖，其中，所述第一脈沖具有與第二脈沖的功率級(jí)不同的功率級(jí)。
46.按照權(quán)利要求45的記錄方法，其中，所述第一脈沖和所述第二脈沖之一具有不大于記錄功率的40％的功率級(jí)。
47.按照權(quán)利要求43的記錄方法，其中，在光盤中記錄的數(shù)據(jù)包括二進(jìn)制化數(shù)據(jù)和具有三值或更多值的多級(jí)數(shù)據(jù)的至少一個(gè)。
48.按照權(quán)利要求47的記錄方法，其中，當(dāng)被記錄到光盤的數(shù)據(jù)是二進(jìn)制化數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)在記錄層上形成的標(biāo)記中的標(biāo)記是最短時(shí)執(zhí)行步驟a)。
49.按照權(quán)利要求43的記錄方法，其中，所述主脈沖包括至少單脈沖。
50.按照權(quán)利要求43的記錄方法，其中，所述記錄層的溫度在達(dá)到初始標(biāo)記形成溫度之前具有溫度突變的點(diǎn)。
51.按照權(quán)利要求50的記錄方法，其中，記錄層的溫度沒(méi)有在記錄層的溫度不小于初始標(biāo)記形成溫度之后溫度突變的點(diǎn)。
52.一種光盤裝置，用于在光盤的記錄層上記錄數(shù)據(jù)，所述光盤裝置包括光學(xué)拾取裝置，用于通過(guò)使用脈沖發(fā)射來(lái)輻射激光；預(yù)熱部分，用于通過(guò)向光盤上輻射至少單個(gè)預(yù)熱脈沖而將記錄層預(yù)熱到小于初始標(biāo)記形成溫度的溫度，所述預(yù)熱脈沖具有大于光盤的再現(xiàn)功率和小于光盤的記錄功率的功率級(jí)；加熱部分，用于通過(guò)在光盤上輻射至少單個(gè)主脈沖而將記錄層加熱到等于或大于初始標(biāo)記形成溫度的溫度，所述主脈沖具有與光盤的記錄功率相同的功率級(jí)。
53.按照權(quán)利要求52的光盤裝置，其中，所述預(yù)熱脈沖具有不大于記錄功率的80％的功率級(jí)。
54.按照權(quán)利要求52的光盤裝置，其中，所述預(yù)熱包括第一脈沖和第二脈沖，其中，所述第一脈沖具有與第二脈沖的功率級(jí)不同的功率級(jí)。
55.按照權(quán)利要求54的光盤裝置，其中，所述第一脈沖和所述第二脈沖之一具有不大于記錄功率的40％的功率級(jí)。
56.按照權(quán)利要求52的光盤裝置，其中，在光盤中記錄的數(shù)據(jù)包括二進(jìn)制化數(shù)據(jù)和具有三值或更多值的多級(jí)數(shù)據(jù)的至少一個(gè)。
57.按照權(quán)利要求56的光盤裝置，其中，當(dāng)被記錄到光盤的數(shù)據(jù)是二進(jìn)制化數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)在記錄層上形成的標(biāo)記中的標(biāo)記是最短時(shí)執(zhí)行所述預(yù)熱。
58.按照權(quán)利要求52的光盤裝置，其中，所述主脈沖包括至少單脈沖。
59.按照權(quán)利要求52的光盤裝置，其中，所述記錄層的溫度在達(dá)到初始標(biāo)記形成溫度之前具有溫度突變的點(diǎn)。
60.按照權(quán)利要求59的光盤裝置，其中，記錄層的溫度沒(méi)有在記錄層的溫度不小于初始標(biāo)記形成溫度之后溫度突變的點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種記錄和再現(xiàn)方法，用于在/從包括導(dǎo)槽和記錄層的光記錄介質(zhì)上記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)。所述記錄/再現(xiàn)方法包括步驟通過(guò)將激光輻射時(shí)間和激光輻射強(qiáng)度的至少一個(gè)調(diào)制為兩個(gè)或多個(gè)值來(lái)向光記錄介質(zhì)上輻射激光束；其中，將再現(xiàn)功率(Pr)和偏置功率(Pbi)的比率Pbi/Pr設(shè)置到不小于0.5的值；其中，通過(guò)總是提供具有功率級(jí)的激光束來(lái)記錄數(shù)據(jù)，所述功率級(jí)包括被加到偏置功率(Pbi)的再現(xiàn)功率(Pr)。
文檔編號(hào)G11B7/125GK1942936SQ20058001181
公開(kāi)日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2005年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月19日
發(fā)明者笹登, 林嘉隆, 藤井俊茂 申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光