專利名稱：記錄介質(zhì)以及在該記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記錄介質(zhì)，更具體地涉及一種在該記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)時高效使用的物理結(jié)構(gòu)，以及用該物理結(jié)構(gòu)在該記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
一般而言，作為其中能記錄大量數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)的光盤被廣泛地使用。尤其是最近已開發(fā)出能夠長時間記錄/存儲高質(zhì)量視頻數(shù)據(jù)和高質(zhì)量音頻數(shù)據(jù)的高密度光學記錄介質(zhì)，例如藍光盤(BD)。
基于下一代記錄介質(zhì)技術(shù)的BD已被看作是能存儲遠超過常規(guī)DVD數(shù)據(jù)量的數(shù)據(jù)的下一代光學記錄方案。最近，許多開發(fā)者已對與BD以及其它數(shù)字裝置相關(guān)聯(lián)的國際標準技術(shù)規(guī)范進行了深入研究。
然而，BD中使用的優(yōu)選數(shù)據(jù)記錄方法尚未建立，因此在研發(fā)基于BD的光學記錄/再現(xiàn)裝置時產(chǎn)生很多限制和問題。具體地說，在計算在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的最優(yōu)寫功率的特定技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)，這些限制和問題變得很嚴重。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明針對基本避免由相關(guān)技術(shù)的限制和缺點造成的一個或多個問題的一種記錄介質(zhì)以及在該記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備。
本發(fā)明的一個目的是提供一種適用于諸如BD等記錄介質(zhì)的物理結(jié)構(gòu)，以及使用該物理結(jié)構(gòu)在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備。
本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和特征的一部分將在后面的說明中展開，其另一部分可由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過對下文的細閱而變得明白或可從本發(fā)明實踐中獲知。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點可由書面說明、所附權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)和達成。
為了實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點，并根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文中所體現(xiàn)和寬泛描述的那樣，含內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和外部區(qū)的記錄介質(zhì)包括包含在內(nèi)部區(qū)中的第一測試區(qū)；以及包含在外部區(qū)中的第二測試區(qū)，其中第一和第二測試區(qū)由與數(shù)據(jù)區(qū)域相同的預(yù)定的擺動調(diào)制方法形成。
在本發(fā)明的另一方面，一種在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法包括下列步驟(a)讀取包含在記錄介質(zhì)中所記錄的管理信息中的、指示分配給記錄介質(zhì)的外部區(qū)的測試區(qū)的可用區(qū)域的位置信息，并識別與所讀取的位置信息對應(yīng)的物理位置；(b)執(zhí)行最優(yōu)功率控制(OPC)過程以計算所識別的可用區(qū)域中的最優(yōu)寫功率；以及(c)用計算得到的最優(yōu)寫功率在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的另一方面，用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的設(shè)備包括拾取單元，用來讀取記錄在記錄介質(zhì)中的數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)包括指示分配給記錄介質(zhì)外部區(qū)的測試區(qū)的可用區(qū)域的位置信息，而這些位置信息被包含在記錄在記錄介質(zhì)內(nèi)的管理信息中，并用于將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)中；以及控制器，用來識別與從拾取單元讀取的位置信息對應(yīng)的物理位置，通過在所識別的可用區(qū)域內(nèi)進行最優(yōu)功率控制(OPC)過程來搜索最優(yōu)寫功率，并控制拾取單元以用搜索到的最優(yōu)寫功率將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)中。
要理解前面對本發(fā)明的一般說明和下面對本發(fā)明的詳細說明均為例示性和說明性的，并且旨在提供對所要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。
被包括以提供對本發(fā)明進一步的理解、并被收錄并構(gòu)成本申請的一部分的附圖示出了本發(fā)明諸實施例，并且與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的能將數(shù)據(jù)記錄于內(nèi)的光盤結(jié)構(gòu)；圖2是根據(jù)本發(fā)明的能將數(shù)據(jù)記錄于內(nèi)的單層光盤結(jié)構(gòu)；圖3a～3b是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的能夠?qū)?shù)據(jù)記錄于內(nèi)的雙層光盤結(jié)構(gòu)；
圖4a～4b是根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的能夠?qū)?shù)據(jù)記錄于內(nèi)的雙層光盤結(jié)構(gòu)；圖5～8是示出根據(jù)本發(fā)明的調(diào)制方法的圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的將管理信息記錄在可記錄光盤中的方法的概念圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的執(zhí)行OPC過程的方法的概念圖；圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的用于搜索OPC起始位置的方法的概念圖；圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的光學記錄/再現(xiàn)裝置的方框圖；以及圖13～16是示出根據(jù)本發(fā)明的將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)中的方法的流程圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細參照本發(fā)明諸優(yōu)選實施例，其示例在附圖中示出。在任何可能的情況下，在所有附圖中將使用相同的標記來表示相同或相似的部分。
在描述本發(fā)明前，應(yīng)當注意本發(fā)明中公開的大多數(shù)術(shù)語與本領(lǐng)域內(nèi)公知的一般術(shù)語對應(yīng)，然而一些術(shù)語是申請人根據(jù)需要選擇的并且隨后將在本發(fā)明的下列說明中公開。因此，在這些術(shù)語在本發(fā)明中的含義的基礎(chǔ)上理解由申請人定義的這些術(shù)語尤佳。
在本發(fā)明中使用的記錄介質(zhì)指示根據(jù)各種記錄方案的所有可記錄介質(zhì)，例如光盤、磁帶等。為便于說明和更好地理解本發(fā)明，諸如BD的光盤在下文中將示例性地用作為本發(fā)明中的上述記錄介質(zhì)。
應(yīng)當注意，本發(fā)明的技術(shù)理念可應(yīng)用于其它記錄介質(zhì)而不會脫離本發(fā)明的范圍和精神。
術(shù)語“最優(yōu)功率控制(OPC)區(qū)域”指示記錄介質(zhì)中被分配用于執(zhí)行OPC過程的預(yù)定區(qū)域。術(shù)語“最優(yōu)功率控制(OPC)”指示當將(測試)數(shù)據(jù)記錄在可記錄光盤中時能夠計算最優(yōu)寫功率的預(yù)定過程。
換句話說，如果將光盤置于特定的光學記錄/再現(xiàn)裝置中，則光學記錄/再現(xiàn)裝置重復(fù)執(zhí)行預(yù)定過程以將數(shù)據(jù)記錄在光盤的OPC區(qū)域中并再現(xiàn)所記錄的數(shù)據(jù)，從而來計算適用于該光盤的最優(yōu)寫入功率。此后，當將數(shù)據(jù)記錄在光盤中時，光學記錄/再現(xiàn)裝置使用計算得到的最優(yōu)寫入功率。因此，OPC區(qū)域是可記錄光盤所需要的。
術(shù)語“驅(qū)動器校準區(qū)(DCZ)區(qū)域”指示記錄介質(zhì)中由光學記錄/再現(xiàn)裝置(或驅(qū)動器)使用的特定區(qū)域，并且不僅能實現(xiàn)OPC過程還能實現(xiàn)光學記錄/再現(xiàn)裝置所需的各種測試。
在這種情形下，OPC區(qū)域和DCZ區(qū)域可供OPC過程使用。根據(jù)本發(fā)明，OPC區(qū)域和DCZ區(qū)域統(tǒng)稱為測試區(qū)。應(yīng)當注意，在OPC區(qū)域中進行的OPC甚至可適用于DCZ區(qū)域。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的能夠?qū)?shù)據(jù)記錄于其內(nèi)的光盤結(jié)構(gòu)。為便于說明和更好地理解本發(fā)明，在圖1中示出能夠?qū)?shù)據(jù)記錄于其內(nèi)的單層BD-R/RE。
參閱圖1，光盤依次包括內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)以及在光盤內(nèi)部區(qū)基礎(chǔ)上的外部區(qū)。內(nèi)部區(qū)和外部區(qū)中分別包含的特定區(qū)域作為用來記錄光盤管理信息的記錄區(qū)域或測試區(qū)域來使用。數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)嶋H用戶數(shù)據(jù)記錄于其內(nèi)。
下文中將對內(nèi)部區(qū)和外部區(qū)域進行詳細說明。內(nèi)部區(qū)包括PIC(永久信息及控制數(shù)據(jù))區(qū)域、OPC區(qū)域、以及兩個信息區(qū)域(即信息區(qū))IN1和IN2。PIC區(qū)域?qū)⒐獗P管理信息記錄為壓紋(embossed)HFM(高頻已調(diào)制)信號。作為測試區(qū)的OPC區(qū)域被用來執(zhí)行OPC過程。信息區(qū)IN1和IN2記錄包括缺陷管理區(qū)(DMA)在內(nèi)的各種光盤管理信息。
與上面的說明相聯(lián)系，一次可寫B(tài)D-R還包括鄰近OPC區(qū)域的臨時盤管理區(qū)(TDMA)，然而BD-RE在OPC區(qū)域附近包括一保留區(qū)域。該保留區(qū)域作為供以后使用的備用區(qū)域。外部區(qū)包括另外兩個信息區(qū)IN3和IN4。
用于光盤保護的保護區(qū)Pr1和Pr2被包括在內(nèi)部區(qū)中，而用于光盤保護的保護區(qū)Pr3被包括在外部區(qū)中。具體地說，位于內(nèi)部區(qū)的最內(nèi)盤區(qū)的保護區(qū)被稱為第一保護區(qū)域“Pr1”。位于外部區(qū)的最外盤區(qū)的保護區(qū)被稱為第三保護區(qū)“Pr3”。內(nèi)部區(qū)中位于PIC區(qū)域和信息區(qū)IN2之間的保護區(qū)被稱為第二保護區(qū)“Pr2”。特別地，第二保護區(qū)域“Pr2”指示壓紋PIC區(qū)域和可記錄區(qū)域之間的轉(zhuǎn)換區(qū)域，并被稱為“轉(zhuǎn)換用緩沖區(qū)”。
根據(jù)本發(fā)明的BD-R/RE將數(shù)據(jù)記錄在由岸臺部分和溝槽部分組成的記錄層的溝槽部分中。溝槽部分由HFM槽和擺動槽組成。
根據(jù)各種調(diào)制方案，擺動槽被分類為MSK+HMW調(diào)制槽以及MSK(最小相移鍵控)調(diào)制槽。MSK表示最小相移鍵控的縮寫，而HMW表示諧波已調(diào)制波的縮寫。特別地，擺動槽是在記錄層中所包含的溝槽中使用與正弦波相關(guān)聯(lián)的調(diào)制方法被配置成擺動形狀的形式。該光學記錄/再現(xiàn)裝置可用上述擺動形狀來讀取相應(yīng)溝槽的地址信息(即ADIP預(yù)刻溝槽中的地址)以及一般光盤信息。其詳細說明在下文中結(jié)合圖5～8來描述。
上述調(diào)制方法根據(jù)區(qū)域的獨有特性被不同地應(yīng)用于包含在光盤中的各個區(qū)域。包含在內(nèi)部區(qū)中的Pr1區(qū)域和PIC區(qū)域被配置成HFM槽的形式。包含在外部區(qū)中的Pr3區(qū)域被配置成僅應(yīng)用MSK調(diào)制的擺動槽的形式。除了上面提到的區(qū)域以外，內(nèi)部區(qū)、外部區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)被配置成應(yīng)用MSK+HMW調(diào)制的擺動槽，圖2是根據(jù)本發(fā)明的能將數(shù)據(jù)記錄于其內(nèi)的單層光盤結(jié)構(gòu)。與圖1相比，圖2所示的單層光盤結(jié)構(gòu)還包括外部區(qū)內(nèi)的驅(qū)動器校準區(qū)(DCZ)區(qū)域。下面的說明主要在DCZ區(qū)域的基礎(chǔ)上公開，并且除DCZ區(qū)域外的其余部分與圖1中的相同，因此為便于說明在這里省略對其的詳細說明。
如上所述，DCZ區(qū)域指示測試區(qū)，在那里光學記錄/再現(xiàn)裝置可進行各種目的的光盤測試。典型地，可以與在作為另一測試區(qū)的OPC區(qū)域中相同的方式在DCZ區(qū)域中執(zhí)行OPC過程。對本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員而言很明顯的是，在DCZ區(qū)域中不僅可執(zhí)行OPC過程，還可執(zhí)行其它測試，并且應(yīng)當注意本發(fā)明不局限于上述例子，而是可根據(jù)需要適用于其它例子。
與圖1相比，圖2所示的DCZ區(qū)域被物理地包含在外部區(qū)內(nèi)。因此，圖2的Pr3區(qū)域比圖1的Pr3區(qū)域小了與額外分配的DCZ區(qū)域?qū)?yīng)的預(yù)定大小。較佳的是DCZ區(qū)域比包含在內(nèi)部區(qū)中的OPC區(qū)域(即2048個簇)小。例如，DCZ區(qū)域被分配512個簇。
上述額外分配的DCZ區(qū)域使用MSK+HMW調(diào)制方法，其中以與內(nèi)部區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)的OPC區(qū)域中相同的方式將MSK調(diào)制和HMW調(diào)制混合。換句話說，新分配的DCZ區(qū)域適用于記錄/再現(xiàn)測試數(shù)據(jù)。為了正確地記錄測試數(shù)據(jù)，必須以與一般數(shù)據(jù)區(qū)中相同的方式保證可靠的地址信息(即ADIP)。
圖3a～3b是根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的能將數(shù)據(jù)記錄于其內(nèi)的雙層光盤結(jié)構(gòu)。圖3a中示出了雙層BD-RE。圖3b中示出了能將數(shù)據(jù)記錄于其內(nèi)的雙層BD-R。與上面的說明相關(guān)聯(lián)地，將兩個記錄層中的一個稱為“層0(L0)”而將另一個稱為“層1(L1)”。
如圖3a所示，根據(jù)本發(fā)明的雙層BD-RE中的各記錄層具有相同結(jié)構(gòu)。記錄層L0的外部區(qū)包括DCZ區(qū)域DCZ0，而記錄層L1的外部區(qū)包括DCZ區(qū)域DCZ1。其中混合了MSK調(diào)制和HMW調(diào)制的MSK+HMW調(diào)制方法以與數(shù)據(jù)區(qū)中的相同方式被應(yīng)用于DCZ區(qū)DCZ0和DCZ1。
如從圖3b觀察到的那樣，根據(jù)本發(fā)明的一次可寫雙層BD-R包括各記錄層L0、L1的外區(qū)域中的DCZ區(qū)域。DCZ區(qū)DCZ0和DCZ1使用MSK_HMW調(diào)制方法，其中MSK調(diào)制和HMW調(diào)制以與數(shù)據(jù)區(qū)中相同的方式被混合。
與圖3a所示的BD-RE相比，圖3b所示的一次可寫B(tài)D-R由于一次可寫特性而需要多得多的管理信息記錄區(qū)域，由此將臨時盤管理區(qū)(TDMA)添加至內(nèi)部區(qū)，并且第二記錄層L1的內(nèi)部區(qū)包括OPC區(qū)域(OPC1)而不是由HFM壓紋的PIC區(qū)域。
與上述說明相關(guān)聯(lián)地，本發(fā)明的DCZ區(qū)域?qū)τ趫D3b所示的一次可寫B(tài)D-R更為高效。更詳細地說，由于前述的一次可寫特性，一次可寫B(tài)D-R需要多得多的管理信息記錄層，由此它將DCZ區(qū)域作為能夠代替內(nèi)部區(qū)的OPC區(qū)域的新測試區(qū)域來適用，并且避免了由于OPC區(qū)域短缺而導致數(shù)據(jù)不再被記錄在一次可寫B(tài)D-R中的問題。
圖4a～4b是根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的能將數(shù)據(jù)記錄于其內(nèi)的雙層光盤結(jié)構(gòu)。圖4a～4b中示出在各記錄層中分配DCZ區(qū)域的方法。
與上面的說明相關(guān)聯(lián)地，盡管為便于說明，圖4a～4b示例性地示出一次可寫的可記錄盤(例如BD-R)，然而本發(fā)明的技術(shù)理念可適用于如上所述的可重寫盤(例如ED-RE)。
如圖4a所示，當向各記錄層的各外部區(qū)分配DCZ區(qū)域DCZ0和DCZ1時，DCZ區(qū)域DCZ0和DCZ1在物理上不位于以光束前進方向為基礎(chǔ)的相同位置處。
換句話說，假設(shè)DCZ區(qū)域以與內(nèi)部區(qū)的OPC區(qū)域中相同的方式被用于OPC過程，則以從高功率至低功率的方向或從低功率至高功率方向?qū)PC過程逐步使用預(yù)定的功率值，或者將包含在基于基準功率的預(yù)定范圍內(nèi)的功率值用于OPC過程。
假設(shè)在彼此相鄰的記錄層之間，DCZ區(qū)域DCZ0和DCZ1在物理上位于以光束前進方向為基礎(chǔ)的相同位置上，則除了實際使用的DCZ區(qū)域(例如DCZ0)外，甚至在相鄰記錄層中所包含的DCZ區(qū)域(例如DCZ1)中產(chǎn)生光束干涉的可能性也會增加，這導致對用OPC過程來計算光學寫功率的過程產(chǎn)生消極影響。以這種方式，包含在內(nèi)部區(qū)中的OPC區(qū)域OPC0和OPC1在物理上不位于以光束前進方向為基礎(chǔ)的相同位置上。
因此，第二記錄層的外部區(qū)還包括以光束的前進方向為基礎(chǔ)與第一記錄層的DCZ區(qū)域(DCZ0)位于相同位置的緩沖區(qū)，隨后朝向外方向分配DCZ區(qū)域(DCZ1)。不言而喻的是，可以按任一順序執(zhí)行第一記錄層L0和第二記錄層L1各自的外部區(qū)分配方法。例如，可在光或光束的前進方向的基礎(chǔ)上于與第二記錄層L1的DCZ區(qū)域(DCZ1)相同的位置處向第一記錄層L0的外部區(qū)添加緩沖區(qū)，并且還可朝向外方向分配DCZ區(qū)域(DCZ0)。
與上面提到的說明相關(guān)聯(lián)地，DCZ區(qū)域(DCZ0和DCZ1)使用MSK+HMW調(diào)制方法，其中以與數(shù)據(jù)區(qū)中相同的方式混合MSK調(diào)制和HMW調(diào)制。
如從圖4b所能看出的那樣，DCZ區(qū)域的特征在于它不僅被分配給各記錄層的外部區(qū)，而且還被分配給相鄰的數(shù)據(jù)區(qū)。換句話說，記錄層被分類為第一類型記錄層(例如L1)和第二類型記錄層(例如L0)。DCZ區(qū)域(DCZ1)被包含在第一類型記錄層的外部區(qū)中，DCZ區(qū)域(DCZ0)被包含在與第二類型記錄層中鄰近外部區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)，并且第一類型記錄層和第二類型記錄層被交替包括于光盤內(nèi)。
圖5～8是示出根據(jù)本發(fā)明的調(diào)制方法的圖解。
圖5示出MSK調(diào)制方法。特別地，包含在外部區(qū)中的Pr3區(qū)域(即保護區(qū)3)僅由MSK調(diào)制形成。
MSK調(diào)制方法是通過以圖5所示的擺動頻率fwob進行余弦變換而實現(xiàn)的。一般的擺動被稱為“單調(diào)擺動(MW)”，而通過改變擺動頻率fwob和余弦碼產(chǎn)生的三個擺動各被稱為一個“擺動的MSK標志(MM)”。
圖6示出HMW調(diào)制方法。特別地，包含在內(nèi)部區(qū)中的OPC區(qū)域以及包含在外部區(qū)內(nèi)的DCZ區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)是通過將HMW調(diào)制和MSK調(diào)制混合的MSK+HMW調(diào)制方法形成的。
與上述說明相關(guān)聯(lián)地，如圖6所示，HMW調(diào)制方法是由以第一擺動頻率fwob進行的余弦變換和以第二擺動頻率2*fwob進行的正弦變換實現(xiàn)的。如果正弦變換具有正(+)碼，則確定值為1。如果正弦變換具有負(-)碼，則確定值為0。通過上述方法形成的擺動被稱為“鋸齒擺動(STW)”。值為1的鋸齒擺動(STW)被稱為STW(“1”)。值為0的鋸齒擺動(STW)被稱為STW(“0”)。圖7示出使用MSK+HMW調(diào)制方法標識ADIP單元的方法。如從圖7所能看出的那樣，單個ADIP單元包括56個擺動。所有ADIP單元的頭三個擺動各由一個MSK標志(MM)構(gòu)成。根據(jù)擺動類型將這些ADIP單元分類成下列單元。
換句話說，由“1MM+53MW”構(gòu)成的ADIP單元被稱為單調(diào)單元，而由“1MM+15MW+37STW(“0”)+1MW”構(gòu)成的ADIP單元被稱為基準單元。
由“1MM+13MW+1MM+7MW+1MM+27MW”構(gòu)成的ADIP單元被稱為“同步0單元”。由“1MM+15MW+1MM+7MW+1MM+25MW”構(gòu)成的ADIP單元被稱為“同步1單元”。由“1MM+17MW+1MM+7MW+1MM+23MW”構(gòu)成的ADIP單元被稱為“同步2單元”。由“1MM+19MW+1MM+7MW+1MM+21MW”構(gòu)成的ADIP單元被稱為“同步3單元”。由“1MM+9MW+1MM+3MW+37STW(“0”)”構(gòu)成的ADIP單元被稱為“數(shù)據(jù)1單元”。由“1MM+11MW+1MM+1MW+37STW(“1”)+1MW”構(gòu)成的ADIP單元被稱為“數(shù)據(jù)0單元”。換句話說，如果確定為“數(shù)據(jù)1單元”，則確立值1。如果確定為“數(shù)據(jù)0單元”則確立值0。
圖8示出構(gòu)建由83個如圖7所示的ADIP單元構(gòu)成的單個ADIP字的方法。
如從圖8看到的那樣，ADIP字的頭9個ADIP單元依次包括“單調(diào)單元”、“同步0單元”、“單調(diào)單元”、“同步1單元”、“單調(diào)單元”、“同步2單元”、“單調(diào)單元”、“同步3單元”以及“基準單元”。從第10個ADIP單元(即ADIP單元號＝9)至第83個ADIP單元(即ADIP單元號＝82)的ADIP單元各自由圖7所示的“數(shù)據(jù)0單元”和“數(shù)據(jù)1單元”組成。通過將ADIP單元以四位為單位組合而形成五個單元，從而上述單元被稱為“ADIP碼字半字節(jié)號(c0-c14)”。
相應(yīng)擺動的物理地址(即物理ADIP地址“PAA”)和輔助數(shù)據(jù)被記錄在上面提到的ADIP碼字半字節(jié)號(c0-c14)中。該光學記錄/再現(xiàn)裝置讀取單個ADIP字，從而能識別當前光盤的PAA位置。
圖5～8所示的技術(shù)理念被應(yīng)用于適用MSK+HMW調(diào)制方法的所有區(qū)域。因此，即使對包含在外部區(qū)內(nèi)的DCZ區(qū)域也可應(yīng)用MSK+HMW調(diào)制方法。
將MSK+HMW調(diào)制方法應(yīng)用于DCZ區(qū)域的理由如下。DCZ區(qū)域指示用于記錄實際測試數(shù)據(jù)的特定區(qū)域。因此，如果以與Pr3區(qū)域(即保護區(qū)3)相同的方式僅將MSK調(diào)制方法應(yīng)用于DCZ區(qū)域，則由HMW調(diào)制引起的鋸齒擺動(STW)沒有被使用，從而無法將圖7所示ADIP單元當中的“單調(diào)單元”與“基準單元”區(qū)分開來，并且在區(qū)分“數(shù)據(jù)1單元”和“數(shù)據(jù)0單元”時會發(fā)生無法預(yù)料的錯誤。
較佳地，DCZ區(qū)域可使用MSK+HMW調(diào)制方法來防止無法預(yù)料的錯誤的發(fā)生，這與僅應(yīng)用MSK調(diào)制方法的Pr3區(qū)域(即保護區(qū)3)不同。
本發(fā)明可應(yīng)用于存在作為記錄層的多個層的記錄介質(zhì)。
圖9是示出將能夠管理OPC區(qū)域和DCZ區(qū)域的管理信息記錄在光盤中的方法的概念圖。
更詳細地說，光盤的內(nèi)部區(qū)和/或外部區(qū)中包括DMA(光盤管理區(qū))和/或TDMA(臨時DMA)。OPC區(qū)域和DCZ區(qū)域的管理信息被記錄在TDMA或DMA中。
換句話說，在諸如BD-R等一次可寫可記錄光盤的情形中，管理信息被記錄在TDMA中，而在諸如BD-RE等可重寫光盤的情形中，管理信息被記錄在DMA中。如圖1所示，DMA一般被包含在內(nèi)部區(qū)的信息區(qū)IN1和IN2或外部區(qū)的其它信息區(qū)IN3、IN4中。
與上面的說明相關(guān)聯(lián)地，OPC區(qū)域和DCZ區(qū)域的管理信息可包括指示光盤的每個記錄層的OPC區(qū)域和DCZ區(qū)域的位置的信息，例如起始地址信息和/或結(jié)束地址信息(即“OPC位置信息”和“DCZ位置信息”)以及指示各OPC和DCZ區(qū)域中的當前可用位置的信息(即“每個OPC中的下一個可用PSN”以及“每個DCZ中的下一個可用PSN”)。
因此，如果將光盤置于光學記錄/再現(xiàn)裝置中，則光學記錄/再現(xiàn)裝置讀取包含在TDMA或DMA中的OPC區(qū)域和DCZ區(qū)域管理信息。因此，光學記錄/再現(xiàn)裝置識別包含在光盤中的OPC區(qū)域的位置信息以及可用OPC區(qū)域的其它位置信息，并識別DCZ區(qū)域的位置信息和可用DCZ區(qū)域的其它位置信息，從而它能在所識別位置處執(zhí)行OPC處理。
對本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員而言很明顯的是與OPC區(qū)域和DCZ區(qū)域相關(guān)聯(lián)的管理信息等同地適用于圖2～4b所示的所有光盤。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的執(zhí)行OPC過程的方法的概念圖。在記錄介質(zhì)中，光學記錄/再現(xiàn)裝置的記錄介質(zhì)跟蹤方向被確定為PSN遞增方向，即PSN沿此方向從低PSN(物理段號)向高PSN的方向遞增。在記錄介質(zhì)中執(zhí)行OPC過程的方向被確定為PSN遞減方向，即PSN沿此方向從高PSN向低PSN的方向遞減。
在OPC過程后的記錄方向被確定為以與該跟蹤方向相同方式從低PSN至高PSN的PSN遞增方向。
與上述說明相關(guān)聯(lián)地，通過在OPC區(qū)域中執(zhí)行OPC過程來記錄數(shù)據(jù)的單位可恰好與1簇的單位對應(yīng)，而在記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)域中記錄數(shù)據(jù)的單位是1簇的單位。然而，通過OPC過程獲取的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域可小于1個簇，也可大于一個簇。
換句話說，被記錄以執(zhí)行OPC過程的數(shù)據(jù)單位等于地址單元號(AUN)。AUN指示在數(shù)據(jù)記錄時間內(nèi)使用的地址信息。對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯的是，作為在數(shù)據(jù)記錄之前形成的前區(qū)域的未使用OPC區(qū)域不包括上面提到的AUN信息。
在這種情形下，AUN作為范圍小于簇的單位，而一個簇包括16個AUN。更詳細地說，一個OPC過程執(zhí)行長度是由光學記錄/再現(xiàn)裝置選擇的，并且不受物理簇數(shù)的限制。
圖10示出其中執(zhí)行了三次OPC過程的特定情形。更具體地說，圖10示出每個均執(zhí)行OPC過程的多個部分、以及標識各個部分的多個OPC標記。
用于執(zhí)行第一OPC過程的部分被表示為“簇#P+1”并包括由“OPC#M”表示的第一部分以及由“OPC標記#M”表示的第二部分?！癘PC#M”部分將數(shù)據(jù)記錄于其內(nèi)，而“OPC標記#M”部分標識“OPC#M”部分。
用于執(zhí)行第二OPC過程的部分包括“簇#P”、“簇#N”和“簇#N-1”的一些部分。由“OPC#M+1”標識的一部分將數(shù)據(jù)記錄于其內(nèi)，并且“OPC標記#M+1”標識“OPC#M+1”部分。
用于執(zhí)行第三OPC過程的部分由“簇#N-1”部分的一些部分構(gòu)成。更具體地說，用于執(zhí)行第三OPC過程的部分包括“OPC#M+2”和“OPC標記#M+2”?！癘PC#M+2”部分將數(shù)據(jù)記錄于其內(nèi)，而“OPC標記#M+2”部分標識“OPC#M+2”部分。在這種情況下，“簇#N-2”和“簇#N-1”中位于“OPC標記#M+2”部分前的一些部分作為未使用簇區(qū)域。
與上面的說明相關(guān)聯(lián)地，在能夠標識與OPC過程相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的OPC標記當中的兩個連續(xù)的OPC標記之間的距離等于或小于與16個簇對應(yīng)的預(yù)定距離。例如，為了滿足需要至少16個簇的OPC過程中的上述要求，必須將OPC標記插入到OPC過程中。在這種情形下，上述OPC標記必須具有與至少868個NWL(標稱擺動長度)對應(yīng)的預(yù)定長度。
圖10所示的“OPC#M”部分占據(jù)OPC區(qū)域中的單個簇(即1簇)?！癘PC#M+1”部分占據(jù)OPC區(qū)域中大于1個簇的預(yù)定區(qū)域?！癘PC#M+2”部分占據(jù)OPC區(qū)域中小于1個簇的預(yù)定區(qū)域?？梢岳斫?，OPC過程是以小于簇單位的單位執(zhí)行的，例如以AUN為單位。
圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的用于搜索OPC起始位置的方法的概念圖。
圖11示出OPC區(qū)域當中的1個簇。這一個簇與13944個擺動、249個ADIP單元、498個同步幀以及3個ADIP字對應(yīng)。與上面的說明相關(guān)聯(lián)地，1個ADIP字包括83個ADIP單元，而ADIP單元包括56個擺動。1個簇包括16個AUN。在這種情況下，擺動指示一個NWL(標稱擺動長度)。
例如，包含在1個簇中的預(yù)使用(即最近使用的)OPC區(qū)域(即AUN6～AUN15)指示10個AUN(地址單元號)，并且未使用的OPC區(qū)域指示從AUN0-AUN5的6個AUN?？扇鐖D10所示通過將OPC標記插入AUN 6之前來檢測最后使用的OPC區(qū)域中的AUN 6。指示當前OPC過程所要求預(yù)定的大小的OPC執(zhí)行大小是由光學記錄/再現(xiàn)裝置預(yù)定的，并且能以各種方法確立。假設(shè)OPC執(zhí)行大小等于從AUN2到AUN5的4個AUN。
因此，如果用戶希望從AUN2的預(yù)定位置執(zhí)行新的OPC過程，則用戶必須搜索與AUN2對應(yīng)的物理位置。
因此，為了用擺動計數(shù)過程來確定OPC起始位置，需要尋找擺動計數(shù)基準位置。如果在光學記錄/再現(xiàn)裝置的檢測過程中檢測到預(yù)定基準擺動，則所檢測到的基準擺動被認為是擺動計數(shù)基準位置。較佳地，擺動計數(shù)基準位置可等于簇的起始位置。
指示擺動計數(shù)基準位置的上述簇起始位置與ADIP字的起始位置完全相同。參閱圖7～8，ADIP字的頭9個ADIP單元依次對應(yīng)于“單調(diào)單元”、“同步0單元”、“單調(diào)單元”、“同步1單元”、“單調(diào)單元”、“同步2單元”、“單調(diào)單元”、“同步3單元”以及“基準單元”。因此如果在光學記錄/再現(xiàn)裝置的搜索時間內(nèi)依次檢測到ADIP字的頭9個ADIP單元或檢測到第一個“單調(diào)單元”，則確立ADIP字起始位置。換句話說，簇起始位置被認為是擺動計數(shù)基準位置。
根據(jù)上述基準位置的另一例子，將包含在1個簇中的ADIP字起始位置看作擺動計數(shù)基準位置是較佳的。
換句話說，1個簇包括三個ADIP字。在這種情況下，如果下一個OPC起始位置處于“ADIP字1”區(qū)域或“ADIP字2”區(qū)域中，則ADIP字中指示“ADIP字2”起始位置的頭9個ADIP單元依次與“單調(diào)單元”、“同步0單元”、“單調(diào)單元”、“同步1單元”、“單調(diào)單元”、“同步1單元”、“單調(diào)單元”、“同步2單元”、“單調(diào)單元”、“同步3單元”以及“基準單元”對應(yīng)。否則，如果檢測到第一個“單調(diào)單元”，則將“ADIP字1”的起始位置或“ADIP字2”的起始位置確定為擺動計數(shù)基準位置，從而可對擺動數(shù)進行計數(shù)。
因此，如果確定了擺動計數(shù)基準位置，并且識別出作為已記錄區(qū)域的預(yù)使用OPC區(qū)域的大小信息以及當前OPC過程所需的OPC區(qū)域的大小信息，則光學記錄/再現(xiàn)裝置在擺動計數(shù)基準位置處對擺動數(shù)進行計數(shù)，并搜索驅(qū)動器所需的OPC起始位置。
根據(jù)圖11所示的優(yōu)選實施例，驅(qū)動器計數(shù)從AUN0到AUN1的兩個AUN的擺動。一個AUN與868個擺動的長度對應(yīng)。因此，兩個AUN與868*2個擺動的長度對應(yīng)，驅(qū)動器計數(shù)868*2個擺動數(shù)以確定OPC起始位置，并執(zhí)行OPC過程以計算所確定的OPC起始位置處的最優(yōu)寫功率。
圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的光學記錄/再現(xiàn)裝置的方框圖。
參閱圖12，光學記錄/再現(xiàn)裝置包括記錄/再現(xiàn)單元20，用于記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)至/自光盤；以及控制器12，用來控制記錄/再現(xiàn)單元20。
記錄/再現(xiàn)單元20包括拾取單元11、信號處理器13、伺服單元14、存儲器15以及微處理器16。拾取單元11直接將數(shù)據(jù)記錄在光盤中，或讀取記錄在光盤中的數(shù)據(jù)。信號處理器13接收從拾取單元11讀取的信號，將所接收的信號恢復(fù)成合需的信號值，或?qū)⒋涗浶盘栒{(diào)制成記錄在光盤中的另一種信號，以便于發(fā)送經(jīng)恢復(fù)的或已調(diào)制的結(jié)果。伺服單元14控制拾取單元11的操作，以使其正確地從光盤讀取合需的信號并正確地將信號記錄在光盤中。存儲器15不僅暫存包括PIC數(shù)據(jù)的管理信息還暫存數(shù)據(jù)。微處理器16控制上述諸部件的全局操作。上述記錄/再現(xiàn)單元20在記錄介質(zhì)的測試區(qū)域中執(zhí)行預(yù)定測試，從而計算最優(yōu)寫功率。記錄/再現(xiàn)單元20記錄計算得到的最優(yōu)寫功率，并且一旦從控制器12接收到記錄命令就以計算得到的最優(yōu)寫功率將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)中。
記錄/再現(xiàn)單元20確定作為記錄介質(zhì)的光盤是否已在初始化過程中被格式化。如果光盤未被格式化，則記錄/再現(xiàn)單元20執(zhí)行光盤的格式化。
與上面的說明相關(guān)聯(lián)地，僅由記錄/再現(xiàn)單元10組成的光學記錄/再現(xiàn)裝置被稱為驅(qū)動器，并且一般被用作計算機的外圍裝置。
控制器12控制全部組成部件的操作。與本發(fā)明相關(guān)聯(lián)地，控制器12通過與用戶交互來參照用戶命令，并將能記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)至/自光盤的記錄/再現(xiàn)命令發(fā)送至記錄/再現(xiàn)單元20。
一旦從控制器12接收到控制信號，解碼器17就將讀取自光盤的信號解碼，將經(jīng)解碼的信號恢復(fù)成合需的信息，并將經(jīng)恢復(fù)的信號發(fā)送給用戶。
編碼器18從控制器12接收控制信號以將合需的信號記錄在光盤中，將接收到的信號轉(zhuǎn)換成特定格式的信號(例如MPEG2傳輸流)，并將特定格式的信號發(fā)送至信號處理器13。
下面將結(jié)合圖13～16對根據(jù)本發(fā)明的使用上述光學記錄/再現(xiàn)裝置將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)中的方法進行說明。
圖13示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的使用光學記錄/再現(xiàn)裝置將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)中的方法。特別地，在圖13中示出了計算最優(yōu)寫功率的方法。
參照圖13，如果具有包含OPC區(qū)域和DCZ區(qū)域的物理結(jié)構(gòu)的光盤被置于光學記錄/再現(xiàn)裝置中，則記錄/再現(xiàn)單元20的微處理器16用伺服單元14控制拾取單元11的操作，它讀取于步驟S11記錄在所置光盤的TDMA或DMA中的OPC區(qū)域管理信息和DCZ區(qū)域管理信息(例如“OPC位置信息”、“OPC的下一個可用PSN”、“DCZ位置信息”和“DCZ的下一個可用PSN”)，并將OPC區(qū)域管理信息和DCZ區(qū)域管理信息暫存入存儲器15。
微處理器16通過參考步驟S12中的上述管理信息來識別將要執(zhí)行OPC過程的正確位置。微處理器16接收命令以在步驟S13執(zhí)行OPC過程，并在由管理信息識別的上述位置處執(zhí)行OPC過程。特別地，在OPC區(qū)域和DCZ區(qū)域中執(zhí)行OPC過程，以在步驟S14和S16計算出所置光盤可用的最優(yōu)寫功率。如果在步驟S14和S16計算出最優(yōu)寫功率，則微處理器16在步驟S15和S17更新作為與下一個OPC位置相關(guān)聯(lián)的管理信息的“OPC的下一個可用PSN”信息以及“DCZ的下一個可用PSN”信息。
特別地，將MSK+HMW方法應(yīng)用于能夠執(zhí)行OPC過程的OPC區(qū)域以及DCZ區(qū)域，以從溝槽軌中穩(wěn)定地讀取ADIP信息。從在步驟S12所讀取的ADIP信息中可識別與OPC區(qū)域管理信息和DCZ區(qū)域管理信息對應(yīng)的物理位置。
一旦從控制器12接收到將數(shù)據(jù)記錄在相應(yīng)光盤中的命令，記錄/再現(xiàn)單元20就用計算得到的最優(yōu)寫功率執(zhí)行上述記錄命令，并且在下文中結(jié)合圖14對其進行詳細說明。
圖14示出根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的用光學記錄/再現(xiàn)裝置將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)中的方法。
參閱圖14，包含在記錄/再現(xiàn)單元20中的微處理器16從控制器12接收記錄命令。記錄命令由步驟S21中的將被記錄在盤中的記錄數(shù)據(jù)和位置信息組成。
因此，微處理器16基于包含在步驟S22的記錄命令中的記錄位置信息來選擇記錄數(shù)據(jù)所要使用的最優(yōu)寫功率。例如，如果記錄位置處于光盤的內(nèi)部區(qū)附近，則微處理器16在步驟S23使用在OPC區(qū)域計算得到的最優(yōu)寫功率(即在步驟S14計算得到的寫功率)。如果記錄位置處于光盤的外部區(qū)附近，則微處理器16在步驟S23使用在DCZ區(qū)域計算得到的最優(yōu)寫功率(即在步驟S16計算得到的寫功率)。
圖15示出根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的用光學記錄/再現(xiàn)裝置將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)中的方法。
參照圖15，如果在步驟S31將包含OPC區(qū)域和/或DCZ區(qū)域的物理結(jié)構(gòu)的光盤置于光學記錄/再現(xiàn)裝置中，則包含在光學記錄/再現(xiàn)裝置中的記錄/再現(xiàn)單元20的微處理器16用伺服單元14控制拾取單元11的操作，它從所置光盤讀出信息，并在步驟S32確定光盤是否已在盤初始過程中被格式化。
如果在步驟S32確定光盤已被格式化，則微處理器16在步驟S33執(zhí)行OPC過程以計算最優(yōu)寫功率。
下面將描述與在由兩個層“層0(L0)”和“層1(L1)”組成的雙層光盤中執(zhí)行OPC過程的方法相關(guān)聯(lián)的各個優(yōu)選實施例。
根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實施例，用OPC0區(qū)域和DCZ0區(qū)域進行用于計算層L0的最優(yōu)寫功率的OPC過程，并同時用OPC1區(qū)域和DCZ1區(qū)域來進行用于計算層L1的最優(yōu)寫功率的另一OPC過程。在這種情形下，用于從用戶處接收命令的控制器12可確定哪個測試區(qū)域?qū)⑹紫葓?zhí)行OPC過程。
換句話說，根據(jù)本發(fā)明的上述第一優(yōu)選實施例，可計算出測試區(qū)域的最優(yōu)寫功率，計算得到的信息被記錄在測試區(qū)域內(nèi)，并且當將數(shù)據(jù)記錄在數(shù)據(jù)區(qū)域中時，使用計算得到的最優(yōu)寫功率。
根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施例，用作為層L0測試區(qū)域的OPC0區(qū)域和DCZ0區(qū)域來執(zhí)行計算最優(yōu)寫功率的OPC過程。一旦從控制器12接收到用戶記錄命令，就在作為層L1的測試區(qū)域的OPC1區(qū)域以及DCZ1區(qū)域中執(zhí)行計算當將數(shù)據(jù)記錄在層L1中時的最優(yōu)寫功率的OPC過程。
在這種情形下，用于從用戶處接收命令的控制器12可確定由OPC0區(qū)域和DCZ0區(qū)域組成的測試區(qū)域中的哪一個將首先執(zhí)行OPC過程。
根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實施例，用作為光盤內(nèi)部區(qū)的測試區(qū)域的OPC0區(qū)域以及作為內(nèi)部區(qū)的測試區(qū)域的OPC1區(qū)域兩者來執(zhí)行計算最優(yōu)寫功率的OPC過程。一旦從控制器12接收到用戶記錄命令，就在作為光盤外部區(qū)0的測試區(qū)域的DCZ0區(qū)域以及作為外部區(qū)1的測試區(qū)域的DCZ1區(qū)域中執(zhí)行用于計算將數(shù)據(jù)記錄在光盤中時的最優(yōu)寫功率的OPC過程。在這種情形下，用于從用戶接收命令的控制器12可確定由OPC0區(qū)域和OPC1區(qū)域組成的測試區(qū)域中的哪一個將首先執(zhí)行OPC過程。
根據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實施例，用作為光盤內(nèi)部區(qū)的測試區(qū)域的OPC0區(qū)域來執(zhí)行用于計算最優(yōu)寫功率的OPC過程。一旦從控制器12接收到用戶記錄命令，就在三個區(qū)域——即作為光盤的外部區(qū)0的測試區(qū)域的DCZ0區(qū)域，以及作為層L1的測試區(qū)域的OPC1和DCZ1區(qū)域——中執(zhí)行計算將數(shù)據(jù)記錄在光盤中時的最優(yōu)寫功率的OPC過程。
與上面的說明相關(guān)聯(lián)地，如果光學記錄/再現(xiàn)裝置根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施例將數(shù)據(jù)記錄在作為記錄介質(zhì)的光盤中，則層L0執(zhí)行OPC過程以計算最優(yōu)寫功率，從而它根據(jù)記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域位置信息使用計算得到的最優(yōu)寫功率來讀取數(shù)據(jù)。層L1根據(jù)記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域位置信息來執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄操作。更詳細地說，當將數(shù)據(jù)記錄在光盤數(shù)據(jù)區(qū)域的內(nèi)部區(qū)附近時，層L1利用通過在包含于內(nèi)部區(qū)1中的OPC1區(qū)域內(nèi)執(zhí)行OPC過程而計算得到的最優(yōu)寫功率。當將數(shù)據(jù)記錄在光盤的數(shù)據(jù)區(qū)域的外部區(qū)附近時，層L1利用通過在包含于外部區(qū)域1中的DCZ1區(qū)域內(nèi)執(zhí)行OPC過程而計算得到的最優(yōu)寫功率。以此方式，層L1可根據(jù)數(shù)據(jù)記錄位置來用若干最優(yōu)寫功率中的一個來記錄數(shù)據(jù)。
盡管上面的說明將第二優(yōu)選實施例作為能夠執(zhí)行OPC過程的各種方法的一個范例，然而對本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員很明顯的是，上面的說明也適用于其它優(yōu)選實施例，即第一優(yōu)選實施例、第三優(yōu)選實施例以及第四優(yōu)選實施例。
當作為記錄介質(zhì)的光盤是雙層光盤時執(zhí)行OPC過程的方法已在上述說明中公開。如果上述光盤是單層光盤，則只將一個記錄層用作記錄介質(zhì)。因此，如果在作為測試區(qū)域的OPC0和DCZ區(qū)域中執(zhí)行OPC過程的第一種情形、僅在OPC0區(qū)域中執(zhí)行OPC過程的第二種情形以及在DCZ區(qū)域中執(zhí)行OPC過程的第三種情形在光盤使用時間內(nèi)要求OPC過程，即如果在雙層光盤中接收到用戶記錄命令，則第一種情形、第二種情形和第三種情形執(zhí)行OPC過程以計算當將數(shù)據(jù)記錄在光盤時的最優(yōu)寫功率。
對本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員而言很明顯的是，上述執(zhí)行OPC過程的方法適用于作為記錄層的至少一個層。
假設(shè)光盤在步驟S33的OPC過程中已將一測試區(qū)域用于預(yù)測試，則必須檢測OPC起始位置才能在未使用測試區(qū)中執(zhí)行OPC過程。在這種情況下，使用圖11所示方法來尋找OPC起始位置是較佳的。如果在步驟S32中光盤未被格式化，則記錄/再現(xiàn)單元20在步驟S34確定是否存在外部格式化命令。
如果在步驟S34從控制器12接收到格式化命令，則在步驟S35記錄/再現(xiàn)單元20在執(zhí)行格式化過程的同時執(zhí)行OPC過程以計算最優(yōu)寫功率。
較佳地，在步驟S35執(zhí)行OPC過程的方法以與在步驟S33所述的上述優(yōu)選實施例中相同的方式來執(zhí)行。與執(zhí)行格式化過程同時執(zhí)行OPC過程的方法在步驟S35中描述，從而在步驟S35中不存在用于計算最優(yōu)寫功率以記錄數(shù)據(jù)的測試。在這種情形下，OPC過程在測試區(qū)域的可用位置執(zhí)行。
OPC過程在步驟S33和S35執(zhí)行，而在步驟S36將計算得到的最優(yōu)寫功率記錄在測試區(qū)域內(nèi)。
因此，如果用戶的記錄/再現(xiàn)命令經(jīng)由控制器12被發(fā)送至記錄/再現(xiàn)單元20，則在步驟S37中，記錄/再現(xiàn)單元20將數(shù)據(jù)記錄至光盤中或?qū)⒂涗浽诠獗P中的信息再現(xiàn)。
與上面的說明相關(guān)聯(lián)地，在除DCZ區(qū)域以外還包括OPC區(qū)域的記錄介質(zhì)中執(zhí)行僅在OPC區(qū)域中計算最優(yōu)寫功率的測試是較佳的。
盡管光盤已被格式化，但當將光盤置于光學記錄/再現(xiàn)裝置中時光學記錄/再現(xiàn)裝置不立即執(zhí)行OPC過程的將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)中的方法將在下面結(jié)合圖16進行描述。
盡管將記錄介質(zhì)置于光學記錄/再現(xiàn)裝置中，但是在步驟S41，記錄/再現(xiàn)單元20保持待機模式而不形成OPC過程。
在步驟S42，當記錄/再現(xiàn)單元20處于待機模式時，確定是否從控制器12接收到記錄命令。如果在步驟S42確定已從控制器12接收到記錄命令，則在測試區(qū)域執(zhí)行OPC過程以進行數(shù)據(jù)記錄操作，從而在步驟S43計算得到最優(yōu)寫功率。計算得到的最優(yōu)寫功率被記錄在測試區(qū)域中。
在步驟S44中用計算得到的最優(yōu)寫功率將記錄命令適用的數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)。
當將數(shù)據(jù)記錄在光盤的數(shù)據(jù)區(qū)域的內(nèi)部區(qū)附近時，本發(fā)明使用在內(nèi)部區(qū)的OPC區(qū)域中計算得到的最優(yōu)寫功率。當將數(shù)據(jù)記錄在光盤的數(shù)據(jù)區(qū)域的外部區(qū)附近時，本發(fā)明使用在外部區(qū)的DCZ區(qū)域中計算得到的最優(yōu)寫功率。因此，本發(fā)明可根據(jù)數(shù)據(jù)記錄位置正確地使用最優(yōu)寫功率。換句話說，適用于光盤內(nèi)部區(qū)附近的第一最優(yōu)寫功率是通過在OPC區(qū)域中計算得到的結(jié)果而獲得的，而適用于光盤外部區(qū)附近的第二最優(yōu)寫功率是通過在DCZ區(qū)域中計算得到的結(jié)果而獲得的，這能防止數(shù)據(jù)記錄出錯。在這種情形下，當以高速將數(shù)據(jù)記錄于諸如BD等高密度光盤的預(yù)定數(shù)據(jù)記錄時間內(nèi)將相同的寫功率應(yīng)用于全部數(shù)據(jù)區(qū)域時，可能產(chǎn)生數(shù)據(jù)記錄出錯。又如，在OPC區(qū)域中計算得到的第一最優(yōu)寫功率以及在DCZ區(qū)域中計算得到的第二最優(yōu)寫功率不是未作任何改變地使用于該例，而是根據(jù)數(shù)據(jù)記錄位置將不同的權(quán)重施加于第一和第二最優(yōu)寫功率以確定最終寫功率?；蛘?，如果數(shù)據(jù)記錄位置處于數(shù)據(jù)區(qū)域中間部分附近，則將計算得到的最優(yōu)寫功率的平均值應(yīng)用于本發(fā)明。
正如從上面說明中明顯看出的那樣，可將根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)的包含OPC區(qū)域和DCZ區(qū)域的物理結(jié)構(gòu)以及使用該物理結(jié)構(gòu)將數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)至/自記錄介質(zhì)的方法和設(shè)備應(yīng)用于最近研發(fā)的BD制造方法，并且能有效地將記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)至/自光盤。
工業(yè)實用性對本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員而言很明顯的是，可對本發(fā)明作出各種修正和改變而不會脫離本發(fā)明精神或范圍。因此，本發(fā)明旨在覆蓋落在所附權(quán)利要求及其等效物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的所有修正和改變。
權(quán)利要求
1.一種包括內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和外部區(qū)的記錄介質(zhì)，包括包含在所述內(nèi)部區(qū)中的第一測試區(qū)；以及包含在所述外部區(qū)中的第二測試區(qū)；其中所述第一和對第二測試區(qū)是由與所述數(shù)據(jù)區(qū)域的擺動調(diào)制方法相同的預(yù)定的擺動調(diào)制方法形成的。
2.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，包含在所述內(nèi)部區(qū)中的所述第一測試區(qū)以及包含在所述外部區(qū)中的所述第二區(qū)被用于進行最優(yōu)功率控制(OPC)。
3.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一和第二測試區(qū)包含由所述預(yù)定的擺動調(diào)制方法在擺動中調(diào)制的地址信息。
4.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一和第二測試區(qū)包含由所述預(yù)定的擺動調(diào)制方法在擺動中調(diào)制的ADIP(預(yù)刻溝槽中的地址)單元。
5.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述測試區(qū)和所述數(shù)據(jù)區(qū)中使用的所述調(diào)制方法指MSK(最小相移鍵控)擺動調(diào)制方法和HMW(諧波已調(diào)制波)調(diào)制方法。
6.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述外部區(qū)包括保護區(qū)，并且僅MSK(最小相移鍵控)調(diào)制方法被應(yīng)用于所述保護區(qū)。
7.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述內(nèi)部區(qū)和外部區(qū)中的至少一個還包括用于記錄能夠管理所述第一和第二測試區(qū)的管理信息的預(yù)定區(qū)域。
8.如權(quán)利要求7所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述管理信息包括分配給記錄層的所述測試區(qū)的位置信息。
9.如權(quán)利要求7所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述管理信息包括包含在每個測試區(qū)中的可用位置信息。
10.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄介質(zhì)指一次可寫B(tài)D-R(可記錄藍光盤)或BD-RE(可重寫藍光盤)。
11.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二測試區(qū)被用于與光束行進方向不同的方向進行的OPC。
12.如權(quán)利要求11所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一測試區(qū)被用于與光束行進方向不同的方向進行的OPC。
13.如權(quán)利要求11所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述OPC是以預(yù)定單元來執(zhí)行的，并且OPC所用的測試數(shù)據(jù)以與光束行進方向相同的方向被寫到所述預(yù)定單元中。
14.如權(quán)利要求11所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述OPC是以可變長度來執(zhí)行的，并且第一數(shù)據(jù)單元內(nèi)已使用的測試部分和未使用的測試部分之間的邊界由標記信息指示。
15.如權(quán)利要求14所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一數(shù)據(jù)單元是物理簇。
16.一種將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)中的方法，包括如下步驟(a)讀取包含在記錄于所述記錄媒體中的管理信息里的、指示分配給所述記錄介質(zhì)的外部區(qū)的測試區(qū)的可用區(qū)域的位置信息，并識別與所讀取的位置信息對應(yīng)的物理位置；(b)執(zhí)行最優(yōu)功率控制(OPC)過程以計算所識別的可用區(qū)域中的最優(yōu)寫功率；以及(c)使用計算得到的最優(yōu)寫功率將數(shù)據(jù)記錄在所述記錄介質(zhì)中。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述測試區(qū)是由MSK(最小相移鍵控)擺動調(diào)制方法和HMW(諧波已調(diào)制波)擺動調(diào)制方法形成的，并且所述測試區(qū)的調(diào)制方法與所述數(shù)據(jù)區(qū)的調(diào)制方法相同。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述步驟(a)用由MSK(最小相移鍵控)擺動調(diào)制方法和HMW(諧波已調(diào)制波)擺動調(diào)制方法在擺動中調(diào)制的地址信息來識別與所讀取的位置信息對應(yīng)的所述可用區(qū)域。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述步驟(b)以預(yù)定大小為單元來執(zhí)行所述OPC過程。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定大小的單元小于物理簇。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述單元是AUN(地址單元號)單位，其中多個AUN構(gòu)成一個物理簇。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，執(zhí)行所述OPC過程的總的大小是可變的。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述步驟(b)包括搜索所述OPC過程的根據(jù)單元數(shù)目而改變的起始位置的步驟，并隨后從所述起始位置起執(zhí)行所述OPC過程。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述起始位置是通過對擺動進行計數(shù)而搜索到的。
25.一種用于將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)中的設(shè)備，包括拾取單元，用來讀取記錄在所述記錄介質(zhì)中的數(shù)據(jù)，所述數(shù)據(jù)包括指示分配給所述記錄介質(zhì)的外部區(qū)的測試區(qū)的可用區(qū)域的位置信息，并且所述位置信息被包含在記錄于所述記錄介質(zhì)內(nèi)的管理信息中，并用來將數(shù)據(jù)記錄在所述記錄介質(zhì)中；以及控制器，用來識別與自所述拾取單元讀出的所述位置信息對應(yīng)的物理位置，通過在所識別的可用區(qū)域內(nèi)進行最優(yōu)功率控制(OPC)過程來搜索最優(yōu)寫功率，并控制所述拾取單元用所搜索到的最優(yōu)寫功率將數(shù)據(jù)記錄在所述記錄介質(zhì)中。
26.如權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其特征在于，所述測試區(qū)是由MSK(最小相移鍵控)擺動調(diào)制方法和HMW(諧波已調(diào)制波)擺動調(diào)制方法形成的。
27.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制器用由MSK(最小相移鍵控)擺動調(diào)制方法和HMW(諧波調(diào)制波)擺動調(diào)制方法在擺動中調(diào)制的地址信息來識別與所讀取的位置信息對應(yīng)的所述可用區(qū)域。
28.如權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其特征在于，所述OPC過程是以預(yù)定大小為單元來執(zhí)行的。
29.如權(quán)利要求28所述的設(shè)備，其特征在于，用于執(zhí)行所述OPC過程的總的大小是可變的。
30.如權(quán)利要求28所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制器搜索所述OPC過程的起始位置，所述起始位置根據(jù)單元數(shù)目而變化。
31.如權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制器通過對擺動進行計數(shù)來搜索所述起始位置。
全文摘要
公開了一種記錄介質(zhì)和將數(shù)據(jù)記錄在該記錄介質(zhì)中的方法和設(shè)備。包括內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和外部區(qū)的該記錄介質(zhì)包括內(nèi)部區(qū)中所含的第一測試區(qū)域以及包含在外部區(qū)中的第二測試區(qū)，其中第一和第二測試區(qū)是由與數(shù)據(jù)區(qū)相同的預(yù)定擺動調(diào)制方法形成的。因此可將該記錄介質(zhì)應(yīng)用于藍光盤制造方法，并且數(shù)據(jù)能有效地記錄/再現(xiàn)至/自諸如藍光盤等記錄介質(zhì)。
文檔編號G11B7/00GK101084539SQ200580012650
公開日2007年12月5日 申請日期2005年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月13日
發(fā)明者徐相運 申請人:Lg電子株式會社