專利名稱：具有改進的調(diào)制和不對稱性的記錄載體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括由標記和平面(land)組成的串的記錄載體，所述記錄載體具有包括最短標記和其它標記的多個標記，和在所述由標記和平面組成的串的方向上位于所述標記之間的多個平面，所述多個平面包括最短平面和其它平面，所述由標記和平面組成的串具有通過施加激光讀取的信息，該記錄載體還具有一個平面區(qū)域(landarea)，其不是所述由標記和平面組成的串的一部分。本發(fā)明還涉及一種用于制造這種記錄載體的方法和設備。
背景技術(shù)：
如在開頭段落中所述的記錄載體和用于制造其的方法從US6026072了解。所述記錄載體上的最短標記具有比其它標記大的寬度。由此提高了最短標記的調(diào)制，使得調(diào)制傳遞函數(shù)(MTF)的截止頻率被有效的提高。
根據(jù)近來提出的藍光盤(BD)ROM標準，在單張12cm可重寫盤上可記錄25GB。與此密度相應的最小標記長度是149nm(d＝1代碼)。該長度比入射在記錄層上的光學輪廓的寬度小得多。允許寫入這種較短標記的關(guān)鍵因素是相變材料在記錄標記的后沿處發(fā)生的再結(jié)晶，從而會得到月牙形的標記。因為這些短標記的寬度等于較長標記的寬度，所以這些較短標記的光學調(diào)制仍足以可靠的讀回數(shù)據(jù)。
除了可重寫B(tài)D格式之外，還提出了BD ROM標準。在BD-ROM標準中規(guī)定了三種數(shù)據(jù)容量，即23.3、25和27GB。當前采用了幾種工藝來制造規(guī)定數(shù)據(jù)容量下的復制ROM盤，即相變母版制作法、深度UV母版制作法、液體浸沒深度UV母版制作法和電子束母版制作法。所有工藝的共同之處在于較小的會聚束(激光或電子)局部照射材料膜并以這種方式改變所述膜層。這是一個累積過程，因為在中心軌跡的寫入也將引發(fā)鄰近軌跡的局部照射。所述材料薄膜可例如是用于深度UV方法的抗蝕劑或者是用于電子束母版制作法的有機/無機材料。在下面的工藝步驟中，所照射的材料被以化學方式除去使得在表面上保留有物理凹坑。這種帶有較小標記的層的表面形貌被轉(zhuǎn)移給一個金屬母版，通常稱作壓模。在批量制造中，這種壓模用于通過玻璃/2P工藝或注射成型來生產(chǎn)復制盤。光斑的形狀被直接轉(zhuǎn)置給了摹制標記。較小的光斑尺寸對于高密度母版制作是有利的。
在深度UV母版制作設備中，UV射線(257nm)與較高數(shù)值孔徑(NA)(約為0.9)的遠場物鏡結(jié)合使用。最終的光斑具有為約170nm的1/e的直徑。使用這種設備摹制的標記或凹坑是非常小的，但到此為止還很難摹制根據(jù)BD規(guī)范的23.3GB的盤。在液體浸沒母版制作法中獲得了一個大約130nm(1/e直徑)的小得多的光斑尺寸。折射系數(shù)比空氣高得多的液體薄膜被施加在物鏡和薄膜抗蝕劑之間以獲得高得多的數(shù)值孔徑。在較薄的水膜的情況下，典型的會得到1.2-1.25的NA。E束斑甚至更小，典型的低于100nm。
為了制造滿足藍光盤標準要求的高數(shù)據(jù)密度27GB的BD-ROM，相當于最短標記長度的一半的通道位長度從74.5nm被減小至69nm。由于特別是最短標記的尺寸較小，這種減小導致調(diào)制度減小。甚至當應用US6026072的用于制造記錄載體的方法時，仍然存在只有最短標記的MTF被改進而其它標記的調(diào)制保持未改進的缺點。另一個缺點是最短標記的擴寬不單帶來改進的調(diào)制，還導致在所述最短標記和所述其它標記的平均信號幅度之間引入或增加了不對稱性。這些缺點阻礙了記錄載體數(shù)據(jù)密度的進一步改進。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種在不犧牲切向密度而具有改進所有標記的調(diào)制的記錄載體并進一步提供具有減小的或基本上沒有不對稱的記錄載體。另一個目的是提供一種用于制造這種記錄載體的方法和設備。
為了實現(xiàn)所述目的，提出了一種如權(quán)利要求1中所述的記錄載體，其特征在于所述最短標記和所述其它標記的前后沿具有比所述其它標記的所述前后沿之間的中心標記部分更大的寬度。
本發(fā)明是基于下述思想，即通過加寬較長標記的前后沿而能夠改進所述其它標記的調(diào)制。因為所述中心標記部分的寬度未改變，所以對切向密度基本上沒有影響。所述增加的寬度導致更多的調(diào)制。
注意術(shù)語“減小的反射率”在此處不僅涉及完全反射光的能力的減小的物理屬性，而且還涉及由于破壞的相位干擾而引起的明顯減少的物理反射率的平面或平面部分的屬性。
所述記錄載體包括所述作為螺旋的、由標記和平面組成的串，所述螺旋繞其中心以相對所述記錄載體的中心逐漸增加的徑向距離延展。所述標記和平面串的相鄰中心線之間的徑向距離被稱作軌跡間距。因為所述標記和平面組成的串并不是完全覆蓋記錄載體的整個可利用的區(qū)域，所以會有一個區(qū)域，此處稱作平面區(qū)域，其不是所述標記和平面組成的串的一部分，并且事實上位于標記和平面組成的所述串的相鄰軌跡之間。
本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的特征在于在標記和平面組成的所述串的所述方向上的所述標記之間的所述平面具有比所述平面區(qū)域低的反射率。通過調(diào)整所述平面的反射率，因此能夠調(diào)整所述平均信號幅度以減小所述不對稱性。減小所述標記之間的所述平面的反射率導致最大調(diào)制信號減小，由此能夠減小或防止不對稱性。
根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的一個特定實施例的特征在于在所述標記和平面組成的串的所述方向上的所述標記之間的所述其它平面具有比所述最短平面低的反射率。與所述最短平面的反射率相比較，不對稱性主要受所述其它平面的反射率的影響。另外，所述最短平面的反射率的減小可導致不想要的調(diào)制減小。
根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的一個優(yōu)選實施例的特征在于在所述標記和平面組成的串的所述方向上的所述平面的前后沿之間的中心平面部分具有比所述平面的所述前后沿低的反射率。所述中心平面部分的反射率的減小和所述前后沿的比所述中心平面部分相對高的反射率可導致較好的調(diào)制。
根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的另一個實施例的特征在于所述平面的所述前后沿具有在所述最短平面的長度的四分之一到兩倍的范圍內(nèi)的長度。所述前后沿的長度是用于一種寫策略的參數(shù)，該長度參數(shù)可被方便地用來完全防止所述最短平面和所述其它平面中的較短平面的反射率減小。
根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的另一個實施例的特征在于所述最短標記具有基本上橢圓的形狀，即在徑向上具有比在切向上大的寬度。增加所述最短標記和標記的其它部分的寬度的一種簡單方式是使用一種橢圓形光斑，其給出了基本上橢圓形最短標記。在母盤制作期間總共接收的照度確定了寫入標記的尺寸?；瘜W顯影處理涉及一定的閾值，即已經(jīng)接收了一定數(shù)量的照度的抗蝕劑區(qū)域?qū)行У娘@影成一個標記，而接收不充足照射的區(qū)域保持未改變。總的照度是類似埃里的(或類似高斯的)強度分布的和。因此掩模的標記將總是類似于照射的區(qū)域。為了能夠獲得最小的斑點尺寸，事實上這就是為什么使用液體浸沒的原因，就要追求良好定義的光斑?？偟恼丈淞康脑黾釉谇邢?軌跡方向)和半徑方向都將導致較大的標記。如果減小照度，即只使用理想分布的頂部來寫入實際標記，則可獲得較小的光斑。因此，通過改變強度，或通過改變激光光斑的停留時間(基底的線速度)，而能夠影響標記大小。
可以通過不同方式來獲得橢圓形的光斑-減小在徑向上的(有效)數(shù)值孔徑；-波前的象散象差(作為象散的結(jié)果，形成兩個焦點“線”(橢圓)。通過在記錄期間適當?shù)倪x擇象散的正確方向，可獲得長軸在半徑方向上的橢圓光斑分布以將其用于母盤制作工藝。通過例如使用LC單元而可在激光束中有意引入象散，或者能夠使用由激光產(chǎn)生的固有象散。對于將象散用于一次寫入記錄的詳細說明參見國際專利申請IB2003/050019(PHNL021225))；-光瞳填充；-橢圓光瞳；-在光路中放置掩模/光圈-偏振效應。
使用象散較使用減小的半徑NA的優(yōu)點是沒有光學功率損失，因為半徑NA的減小總是釋放一部分入射光。NA在切向上的增強也是有益的，但實際上更難于實現(xiàn)，因為需要對透鏡進行重新設計。
可只需要對光斑進行變形來模制最小標記。在橢圓和圓形光斑之間進行切換是一個選項，但考慮到切換所需的MHz頻率，其是難于實現(xiàn)的。由于那樣的原因，機械設備是不容易設計和實現(xiàn)的。也可使用光電或聲光元件。
增加所述最短標記和其它標記部分的寬度的另一種可能性包括使用具有各向異性光化學顯影性質(zhì)的抗蝕劑材料?？墒褂眯刻幚韥硪敫飨虍愋?。還可在抗蝕劑和基底之間摹制中間層來引入各向異性。
根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的另一個優(yōu)選實施例的特征在于所述較低的反射率是通過在所述平面中形成凹槽和/或形成具有比所述標記的深度小的平面標記實現(xiàn)的?？赏ㄟ^使用與用于形成標記相同的裝置來獲得該較低的反射率，因此不需要額外的設備。
用于制造根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的方法被定義在權(quán)利要求8中，并且包括步驟-施加根據(jù)將要記錄的信息信號調(diào)制的曝光光束，由此在母盤上形成一個由標記和平面組成的串，和-通過使用所述母盤制造記錄載體，所述記錄載體具有由標記和平面組成的可讀取串，在所述可讀取串中通過對記錄載體施加光束來記錄信息，其中根據(jù)一種寫入策略使用用于形成最短標記和所述其它標記的前后沿的第一組寫參數(shù)和使用用于在所述其它標記的所述前后沿之間形成一中央標記部分的第二組寫參數(shù)來施加所述曝光光束，所述最短標記和所述其它標記的前后沿被形成的寬度大于所述中央標記部分(4)的寬度。
用于制造根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的相應設備被定義在權(quán)利要求10中。


下面，將參照附圖進一步詳細說明根據(jù)本發(fā)明的記錄載體和用于制造其的方法的實施例，其中圖1表示所述加寬和未加寬的最短標記的抖動與標記寬度的關(guān)系；圖2a表示根據(jù)本發(fā)明的最短標記和另一個標記的形式；圖2b至2d表示用于實現(xiàn)這種形式的寫入策略；圖3表示信號幅度與標記寬度的關(guān)系；圖4a和圖4b表示傳統(tǒng)的標記和平面組成的串與根據(jù)本發(fā)明的標記和平面組成的串的反射率；
圖5表示根據(jù)本發(fā)明的標記和平面組成的另一個串。
具體實施例方式
使用無向繞射(scalar diffraction)程序“IntersUp”進行計算以研究由于在鄰近軌跡中存在有數(shù)據(jù)而引發(fā)的較寬標記對光學串擾的影響。數(shù)據(jù)軌道間距是320nm。計算作為標記寬度(為在中心和相鄰軌跡中存在的所有標記的寬度)函數(shù)的在中心軌跡中存在的I2-I2載體的數(shù)據(jù)對數(shù)據(jù)抖動。其結(jié)果在圖1中給出。其中示出了兩組計算值。在第一序列中(被顯示為方形)，所有標記(I2至I8)都具有相同的標稱寬度。在第二序列中(被顯示為三角形)，所有標記都具有相同的標稱寬度，除了I2標記，其標稱寬度延伸50nm。空心符號與標記抖動相關(guān)，而填充符號與平面抖動相關(guān)。典型的抖動槽形(bath-tub)清楚地顯示出了最佳標記寬度。對于減小的標記寬度來說，調(diào)制相應的降低，其會引起抖動升高。對于較小的標記寬度，抖動受調(diào)制的限制。如果標記太寬，則它將會在相鄰的軌跡中延伸。這種光學串擾會使抖動水平升高，但卻具有非常陡峭的相關(guān)性。所以標記寬度的上部邊界受光學串擾的限制。很明顯，存在大約150-170nm的最佳標記寬度，其指示調(diào)制和光學串擾之間的折中。如果只有I2標記的寬度被擴展，則會獲得稍微更好的性能。術(shù)語I2標記相應于最短標記，其指示所述最短標記是相對于兩個時鐘周期形成的。I8標記是所述其它標記的例子，其在徑向上的長度長于所述最短標記的長度(4倍)。
圖2a表示根據(jù)本發(fā)明的最短標記1和作為所述其它標記的一個實例的另一個標記2(其在切向T上具有比所述最短標記1長的長度)的形式。所述最短標記1具有基本上橢圓的形狀，即在徑向R上具有比在切向T上大的寬度。另一個標記2包括前后沿3和中心標記部分4，所述前后沿3的寬度大于中心標記部分4的寬度。這些增加的寬度帶來更好的調(diào)制。
圖2b至2d表示根據(jù)本發(fā)明的用于實現(xiàn)這種給出了時間t和寫入功率電平或強度i之間的關(guān)系的不同寫入策略。所速寫入策略包括作為曝光光束的寫入功率電平或強度、所述曝光光束的脈沖速率和脈沖寬度的寫入?yún)?shù)。
根據(jù)第一寫入策略，如圖2b所示，以高于偏壓功率電平5的第一寫入功率電平6將所述曝光光束應用一預定的時期，即一個或兩個時鐘周期，用于形成所述最短標記1。為了形成所述其它標記2，對于各個時期施加高于所述偏壓功率電平5的第二、第三和第四寫入功率電平7、8和9，以形成所述前沿3、所述中心標記部分4和所述后沿3。第三寫入功率電平8低于寫入功率電平7和9。寫入功率電平6、7和9可以基本上相同，但也不一定相同。這是非常直接的寫入策略，因為僅需要不同的強度，并且所形成的標記或標記部分的寬度與所施加的寫入功率電平直接相關(guān)。
圖2c表示與圖2b相比較\的寫入策略。用于所述最短標記的寫入?yún)?shù)與圖2b中所示的寫入?yún)?shù)響應。用于形成所述其它標記的寫入?yún)?shù)給出了具有強度或?qū)懭牍β孰娖?0、11和12的脈沖串，其包括脈沖寬度以一個間隙寬度橫貫偏壓功率電平或強度5的周期的脈沖。強度6、10和12可以基本上相同，但也不必相同。強度11低于強度10和12。該寫入策略較圖2b所示的優(yōu)點是通過調(diào)整脈沖寬度和強度10、11和12的比值而能夠在形成標記期間減小或防止在標記和平面組成的串區(qū)域中不期望的加熱效果。
圖2d表示又一個寫入策略。只有一個強度13用于形成標記，但如在圖2c所示的寫入策略中，所述強度被脈沖調(diào)制了。不同形式的標記是通過以不同的脈沖寬度施加所述曝光光束形成的。因為用于寫入中心標記部分4的寫入脈沖的寬度小于用于寫入所述最短標記1和所述其它標記2的所述前后沿3的寫入脈沖寬度，所以使用較短的脈沖來形成這些中心標記部分4。這以與圖2c中所示的寫入策略相同的方式減小或防止了不期望的加熱效果，且其優(yōu)點是不需要將要求更加復雜的控制單元的所述不同強度的曝光光束。
已經(jīng)通過所述“IntersUp”程序執(zhí)行了進一步的計算以研究增加的標記寬度關(guān)于標記調(diào)制的優(yōu)點。在中心軌跡中采取I2-I2或I8-I8載體。通道位長度是69nm，那么12和18標記分別是138nm和552nm長。所述標記寬度在0和400nm之間變化。軌道間距是320nm，但在相鄰的軌跡中不存在數(shù)據(jù)。I2-I2和I8-I8反射率(眼圖)的、所計算的最小和最大值在圖3中以信號幅度對標記寬度的形式給出?？招姆柋硎咀钚⌒盘?，而最大信號由填充符號表示。沒有標記的軌跡不具有相位調(diào)制，并導致一個為1的標準化電平。在軌跡中存在有標記的情況下，相位調(diào)制導致周期性變化的反射率。增大的標記寬度導致更大的相位調(diào)制，由此降低了I8最小值。I8標記足夠長以實現(xiàn)全調(diào)制，因此最大信號(I8平面)保持在其初始電平，即1。I2標記太小以至不能獲得全調(diào)制。因此標記寬度的增大會導致平均I2反射的偏移。對于無限長的標記，即長于400nm的標記，載體調(diào)制變得與標記長度無關(guān)，如從所有四個數(shù)據(jù)曲線的不對稱性所看出的。還看出對于增大的標記寬度，I2-I2和I8-I8載體的平均信號幅度不再相等。這種所謂的不對稱性是相當大的缺陷。
圖4a和4b表示標記和平面組成的傳統(tǒng)的串14和根據(jù)本發(fā)明的標記和平面組成的串15的反射率以及這些串14、15的相應反射率。標記和平面組成的傳統(tǒng)的串14的標記16具有較低的反射率17，而所述標記16之間的平面具有非常高的反射率18。根據(jù)本發(fā)明的標記和平面組成的串15的標記19具有與所述傳統(tǒng)標記16的反射率17基本上相同的反射率20。
存在有若干種減小所述標記19之間的平面的反射率的可能性，例如-通過在照射期間施加減小的激光功率而在平面區(qū)域中進行凹槽的母版制作。以這種方式，實際上只使用了較窄峰值的埃里(或高斯)光分布來照射抗蝕劑。
-也可以使用通過標稱寫入功率的超短寫入脈沖或減小寫入功率的較長寫入脈沖母版制作的較小凹坑或標記序列覆蓋所述平面區(qū)域。
-也可以使用相對于數(shù)據(jù)標記具有減小深度的較大淺凹坑或標記來覆蓋所述平面。淺深度導致更小的相位調(diào)制，從而與標記和未寫入平面的反射電平相比測量一個中間反射電平。
在圖4b所示的實施例中，在所述標記19之間包括凹槽21的平面具有高于所述反射率20但低于所述反射率18的反射率22。所述平面的減小的反射率促使通過最短標記1和其它標記2的前后沿3的加寬引入的不對稱性也減小。不對稱性減小是通過減小中間平面，尤其是較長中間平面的反射等級實現(xiàn)的，減小中間平面的反射等級是通過例如在平面區(qū)域中寫入淺的凹坑、凹槽或其它數(shù)據(jù)圖案實現(xiàn)的。
圖5表示根據(jù)本發(fā)明的由標記29和平面27、28組成的另一個串23。介于所述平面27、28的前后沿30、31之間的中央平面部分24、25和26包括凹槽，并因此具有比所述平面27，28的所述前后沿30、31低的反射率。平面27具有長度L，并且所述平面27的前沿具有長度S。使用用于在平面中形成凹槽的寫入策略，該寫入策略為所述平面的前沿30留有一個長度S，并為后沿31留有一個長度S，所以將不會在短于兩倍S的最短平面28中形成凹槽。只有較長平面的中心平面部分24、25和26的反射率減小的優(yōu)點是通過加寬最短標記1和其它標記2的前后沿3所引入的不對稱性被減小或防止，同時用于較短和最短平面28的調(diào)制未被改變。
本發(fā)明提出一種具有改進調(diào)制和對稱性的記錄載體。通過加寬所述最短標記和所述其它標記的所述前后沿來提高調(diào)制。由此引入的不對稱性通過減小所述平面或部分所述平面的反射率而被減小或矯正。因此還能夠進一步提高記錄載體的數(shù)據(jù)密度。
權(quán)利要求
1.一種包括由標記和平面組成的串(14，15，23)的記錄載體，所述記錄載體具有多個標記和在所述由標記和平面組成的串的方向上的所述標記之間的多個平面以及一個平面區(qū)域，所述多個標記包括最短標記(1)和其它標記(2)，所述多個平面包括最短平面(28)和其它平面(27)，所述由標記和平面組成的串(14，15，23)具有通過施加光束讀取的信息，所述平面區(qū)域不是所述標記和平面串的一部分，其特征在于所述最短標記(1)和所述其它標記(2)的前后沿(3)具有比所述其它標記(2)的所述前后沿(3)之間的中心標記部分(4)更大的寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的記錄載體，其特征在于在所述標記和平面組成的串(15)的所述方向上的所述標記(19)之間的所述平面具有比所述平面區(qū)域低的反射率。
3.如權(quán)利要求1所述的記錄載體，其特征在于在所述標記和平面組成的串的所述方向上的所述標記之間的所述其它平面具有比所述最短平面低的反射率。
4.如權(quán)利要求1所述的記錄載體，其特征在于在所述標記和平面組成的串(23)的所述方向上的所述平面(27)的前后沿之間的中心平面部分(24，25，26)具有比所述平面的所述前后沿低的反射率。
5.如權(quán)利要求4所述的記錄載體，其特征在于所述平面的所述前后沿具有的長度在所述最短平面(28)的長度的四分之一到兩倍的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的記錄載體，其特征在于所述最短標記(1)具有基本上橢圓的形狀。
7.如權(quán)利要求2所述的記錄載體，其特征在于所述較低的反射率是通過在所述平面(24，25，26)中形成凹槽(21，24，25，26)和/或形成具有比所述標記的深度更小的平面標記實現(xiàn)的。
8.一種制造包括由標記和平面組成的串(14，15，23)的記錄載體的方法，所述記錄載體具有多個標記和在所述由標記和平面組成的串的方向上的所述標記之間的多個平面以及一個平面區(qū)域，所述多個標記包括最短標記(1)和其它標記(2)，所述多個平面包括最短平面(28)和其它平面(27)，所述由標記和平面組成的串(14，15，23)具有通過施加光束讀取的信息，所述平面區(qū)域不是所述標記和平面串的一部分，所述方法包括步驟-施加根據(jù)將要記錄的信息信號調(diào)制的曝光光束，由此在母盤上形成一個由標記和平面組成的串(14，15，23)，和-通過使用所述母盤制造記錄載體，所述記錄載體具有由標記和平面組成的可讀取串(14，15，23)，在所述可讀取串中通過對記錄載體施加光束來記錄信息，其特征在于根據(jù)一種寫入策略使用用于形成最短標記(1)和所述其它標記(2)的前后沿(3)的第一組寫參數(shù)和使用用于在所述其它標記(2)的所述前后沿(3)之間形成一中央標記部分(4)的第二組寫參數(shù)來施加所述曝光光束，所述最短標記(1)和所述其它標記(2)的前后沿(3)被形成的寬度大于所述中央標記部分(4)的寬度。
9.如權(quán)利要求8所述的制造記錄載體的方法，其特征在于使用一用于形成具有比所述平面區(qū)域低的反射率的平面的第三組寫參數(shù)對在所述由標記和平面(15)組成的串的方向上的所述標記之間的所述平面施加曝光光束。
10.一種用于制造包括由標記和平面組成的串(14，15，23)的記錄載體的設備，所述記錄載體具有多個標記和在所述由標記和平面組成的串的方向上的所述標記之間的多個平面以及一個平面區(qū)域，所述多個標記包括最短標記(1)和其它標記(2)，所述多個平面包括最短平面(28)和其它平面(27)，所述由標記和平面組成的串(14，15，23)具有通過施加光束讀取的信息，所述平面區(qū)域不是所述標記和平面串的一部分，所述設備包括-用于施加根據(jù)將要記錄的信息信號調(diào)制的曝光光束由此在母盤上形成一個由標記和平面組成的串(14，15，23)的裝置，和-用于通過使用所述母盤制造記錄載體的裝置，所述記錄載體具有由標記和平面組成的可讀取串(14，15，23)，在所述可讀取串中通過對記錄載體施加光束來記錄信息，其特征在于根據(jù)一種寫入策略使用用于形成最短標記(1)和所述其它標記(2)的前后沿(3)的第一組寫參數(shù)和使用用于在所述其它標記(2)的所述前后沿(3)之間形成一中央標記部分(4)的第二組寫參數(shù)來應用所述用于施加所述曝光光束的裝置，所述最短標記(1)和所述其它標記(2)的前后沿(3)被形成的寬度大于所述中央標記部分(4)的寬度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包括由標記和平面組成的串(14，15，23)的記錄載體，所述記錄載體具有多個標記和在所述由標記和平面組成的串的方向上的所述標記之間的多個平面以及一個平面區(qū)域，所述多個標記包括最短標記(1)和其它標記(2)，所述多個平面包括最短平面(28)和其它平面(27)，所述由標記和平面組成的串(14，15，23)具有通過施加光束讀取的信息，所述平面區(qū)域不是所述標記和平面串的一部分。為了提供在不犧牲切向密度而具有改進所有標記的調(diào)制的記錄載體并進一步提供具有減小的或基本上沒有不對稱的記錄載體，提議所述最短標記(1)和所述其它標記(2)的前后沿(3)具有比所述其它標記(2)的所述前后沿(3)之間的中心標記部分(4)大的寬度，和在所述由標記和平面組成的串(15)的方向上的所述標記(19)之間的所述平面具有比所述平面區(qū)域低的反射率。本發(fā)明還涉及一種用于制造這種記錄載體的方法和設備。
文檔編號G11B7/24085GK1965355SQ200580018181
公開日2007年5月16日 申請日期2005年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月3日
發(fā)明者E·R·梅恩德斯, J·H·M·內(nèi)杰詹 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司