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在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):6784473閱讀:124來源:國知局
專利名稱:在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光盤,更具體地涉及一種在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備。盡管本發(fā)明所適用的應(yīng)用范圍很廣,然而它尤其適用于區(qū)分和管理LOW和DFL表項(xiàng),以提高數(shù)據(jù)的記錄和再現(xiàn)效率。
背景技術(shù)
最近,諸如藍(lán)光可重寫盤(BD-RE)等能長時(shí)間記錄和存儲(chǔ)高清晰度音頻和視頻數(shù)據(jù)的新型高密度光盤可望被研發(fā)并引入到記錄介質(zhì)產(chǎn)業(yè)和市場中。如圖1所示,BD-RE被分配以引入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)。內(nèi)部備用區(qū)(ISA)和外部備用區(qū)(OSA)被分別分配于數(shù)據(jù)區(qū)的前端和后端。BD-RE以與預(yù)定記錄單元對(duì)應(yīng)的簇為單元進(jìn)行記錄。參閱圖1,在數(shù)據(jù)記錄期間可檢測數(shù)據(jù)區(qū)中是否存在缺陷區(qū)。當(dāng)檢測到缺陷區(qū)時(shí),執(zhí)行一系列替換記錄操作,例如將打算記錄在缺陷區(qū)中的數(shù)據(jù)替換記錄在備用區(qū)內(nèi)(例如內(nèi)部備用區(qū)(ISA))。然后,檢測到的缺陷區(qū)的位置信息以及替換記錄的備用區(qū)的位置信息作為管理信息被記錄并存儲(chǔ)于引入?yún)^(qū)內(nèi)的缺陷列表(DFL)中。
因此,由于要被記錄在缺陷區(qū)中的數(shù)據(jù)被替換記錄于備用區(qū)中,因此不是讀取并再現(xiàn)缺陷區(qū)的數(shù)據(jù),而是替換記錄在備用區(qū)中的數(shù)據(jù),由此預(yù)先防止數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)錯(cuò)誤產(chǎn)生。同時(shí),最近正在研發(fā)可記錄藍(lán)光盤(BD-R)。然而,由于數(shù)據(jù)只能在光盤的整個(gè)區(qū)域中被記錄一次,所以與可重寫光盤不同,數(shù)據(jù)在可記錄光盤中不能被物理地蓋寫。然而,在可記錄光盤中可能存在希望編輯或部分地修改已記錄的數(shù)據(jù)的情況,并且為便于主機(jī)或客戶方的使用,可能需要數(shù)據(jù)的蓋寫。因此,需要一種管理上述可記錄光盤中的缺陷區(qū)的方法,因此迫切需要一種允許執(zhí)行這類缺陷管理和蓋寫的高效方法。

發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明針對(duì)能基本規(guī)避由于相關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)造成的一個(gè)或多個(gè)問題的在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種在諸如光盤等光學(xué)記錄介質(zhì)上蓋寫數(shù)據(jù)和管理缺陷區(qū)的高效線性替換方法。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征的一部分將在以下說明中闡明,另一部分內(nèi)容對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言通過細(xì)閱下面內(nèi)容將會(huì)變得明顯,或可從本發(fā)明的實(shí)踐中獲知。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可由書面說明書及其權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn),并根據(jù)如本文中所體現(xiàn)和寬泛描述的本發(fā)明的目的,一種在具有引入?yún)^(qū)、引出區(qū)以及包含用戶數(shù)據(jù)區(qū)和備用區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)的記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法包括當(dāng)接收到將第一數(shù)據(jù)物理蓋寫至用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的第一區(qū)中的命令并且該第一區(qū)被包含在預(yù)記錄區(qū)域中時(shí),將第一數(shù)據(jù)記錄在第一替換區(qū)中;將第一表項(xiàng)記錄到臨時(shí)盤管理區(qū)(TDMA)中,該第一表項(xiàng)指定第一區(qū)和第一替換區(qū)的位置;當(dāng)接收到將第二數(shù)據(jù)記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的第二區(qū)中的命令并且發(fā)現(xiàn)第二區(qū)存在缺陷時(shí),將第二數(shù)據(jù)記錄在第二替換區(qū)中;以及將第二表項(xiàng)記錄在TDMA中,該第二表項(xiàng)指定第二區(qū)和第二替換區(qū)的位置。
在本發(fā)明的另一方面,一種在具有引入?yún)^(qū)、引出區(qū)以及包含用戶數(shù)據(jù)區(qū)和備用區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)的記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的設(shè)備包括光學(xué)記錄裝置,它被配置成在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù);以及微機(jī),當(dāng)接收到將第一數(shù)據(jù)蓋寫至用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的第一區(qū)中的命令并且第一區(qū)被包含在預(yù)記錄區(qū)域中時(shí),該微機(jī)向光學(xué)記錄裝置提供控制信號(hào)以將第一數(shù)據(jù)記錄在第一替換區(qū)中,并將第一表項(xiàng)記錄在臨時(shí)盤管理區(qū)(TDMA)中,該第一表項(xiàng)指定第一區(qū)和第一替換區(qū)的位置,其中當(dāng)接收到將第二數(shù)據(jù)記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的第二區(qū)中的命令并發(fā)現(xiàn)第二區(qū)存在缺陷時(shí),微處理器還向光學(xué)記錄裝置提供控制信號(hào)以將第二數(shù)據(jù)記錄在第二替換區(qū)中,并將第二表項(xiàng)記錄在TDMA中,該第二表項(xiàng)指定第二區(qū)和第二替換區(qū)的位置。
要理解,本發(fā)明上面的一般描述和下面的詳細(xì)描述均為示例性和解釋性的,并且旨在提供對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步闡述。


包括于此以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解、并被收錄在本申請(qǐng)內(nèi)且構(gòu)成其一部分的附圖示出本發(fā)明的實(shí)施例,并與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1示出一種通用可重寫光盤的結(jié)構(gòu)以及一種管理缺陷的方法;圖2示出根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤中的邏輯蓋寫方法;圖3示在根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤中的管理缺陷的方法;圖4示出根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤的DFL表項(xiàng);圖5示出根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤的LOW表項(xiàng);圖6示出記錄根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤的LOW表項(xiàng)的方法;圖7示出根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤的DFL頭部;圖8示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的可記錄光盤的LOW表項(xiàng);圖9示出根據(jù)本發(fā)明的LOW表項(xiàng)和DFL表項(xiàng)的應(yīng)用例;以及圖10示出根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄和再現(xiàn)設(shè)備的方框圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,其具體例子示于附圖中。在任何可能的情況下,所有附圖中使用相同的參考標(biāo)號(hào)來標(biāo)示相同或相似的部分。另外,盡管本發(fā)明中使用的術(shù)語是從公知公用的術(shù)語中選取的,然而在本發(fā)明的說明中提到的一些術(shù)語是由申請(qǐng)人根據(jù)他或她的判斷而選取的,其具體含義記載于本說明書的相關(guān)部分。此外,不僅要通過所使用的實(shí)際術(shù)語而且要通過各術(shù)語中所蘊(yùn)含的意思來理解本發(fā)明。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的可記錄高密度光盤中的邏輯蓋寫方法。參閱圖2,可記錄高密度光盤被分配以引入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)。另外,數(shù)據(jù)區(qū)包括內(nèi)部備用區(qū)(ISA)、外部備用區(qū)(OSA)以及記錄實(shí)際用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)。另外,引入?yún)^(qū)被用作記錄用于記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)至/自光盤的各種管理信息的區(qū)域。另外,引入?yún)^(qū)設(shè)有臨時(shí)盤管理區(qū)(TDMA),它是記錄光盤的缺陷管理信息和記錄管理信息的區(qū)域。可給TDMA在備用區(qū)內(nèi)分配單獨(dú)的附加TDMA,用于光盤使用過程中頻繁發(fā)生的缺陷的以及用于更新記錄管理信息。
在具有上述結(jié)構(gòu)的可記錄一次可寫光盤中,將新的一組數(shù)據(jù)寫入要記錄數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的命令可由用戶或主機(jī)給出(或作出)。在這種情形下,由于可記錄光盤的特性,在光盤內(nèi)記錄有數(shù)據(jù)的區(qū)域上進(jìn)行物理蓋寫是不可能的。因此,在用戶數(shù)據(jù)區(qū)或備用區(qū)上執(zhí)行對(duì)打算記錄在預(yù)記錄區(qū)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行替換記錄的方法。更具體地說,不是將數(shù)據(jù)蓋寫至物理不可蓋寫的預(yù)記錄區(qū)上,而是采用將數(shù)據(jù)替換記錄至下一可寫(或可記錄)用戶數(shù)據(jù)區(qū)的方法或者將數(shù)據(jù)記錄至備用區(qū)上的方法。這被稱為邏輯蓋寫(LOW),這與物理蓋寫不同。
在執(zhí)行替換記錄后,如上所述,關(guān)于替換記錄位置的信息作為表項(xiàng)信息被記錄到TDMA中。因此,當(dāng)在后面的過程中要再現(xiàn)數(shù)據(jù)時(shí),參照記錄于TDMA中的表項(xiàng)信息以再現(xiàn)替換記錄的數(shù)據(jù)。具有邏輯蓋寫的替換記錄區(qū)的位置信息的表項(xiàng)被稱為LOW表項(xiàng)。同時(shí),在可記錄高密度光盤中,當(dāng)在記錄或再現(xiàn)數(shù)據(jù)過程中檢測到缺陷時(shí),打算被記錄在檢測到的缺陷區(qū)中的數(shù)據(jù)被替換記錄到光盤的備用區(qū)上,這與邏輯蓋寫相似。下面將結(jié)合圖3對(duì)在備用區(qū)中替換記錄數(shù)據(jù)的方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖3示在根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤中管理缺陷的方法。參閱圖3,在其中分配有引入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)的的光盤中,在記錄或再現(xiàn)數(shù)據(jù)區(qū)中的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)時(shí)可能會(huì)檢測到缺陷區(qū)。這里,缺陷也包括目前沒有缺陷但在很近的將來會(huì)成為有缺陷的區(qū)域。缺陷區(qū)可因?yàn)楣獗P表面的玷污和刮擦而產(chǎn)生。另外,當(dāng)產(chǎn)生這樣的缺陷區(qū)時(shí),將要被記錄在缺陷區(qū)上的數(shù)據(jù)或已被記錄的數(shù)據(jù)被替換記錄到數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的備用區(qū)上。在如上所述地替換記錄數(shù)據(jù)后,缺陷區(qū)和替換記錄區(qū)的位置信息作為缺陷列表(DFL)表項(xiàng)被記錄到TDMA中。因此,當(dāng)在后面的過程中再現(xiàn)數(shù)據(jù)時(shí),參照該DFL表項(xiàng)信息來再現(xiàn)被記錄在替換區(qū)中的數(shù)據(jù),由此確保數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤的DFL表項(xiàng)。參照?qǐng)D4,DFL表項(xiàng)被分配以總共64個(gè)位。4位被分配給指示表項(xiàng)狀態(tài)信息的“狀態(tài)1”字段和“狀態(tài)2”字段的每一個(gè),28位被分配給“缺陷簇第一PSN”字段,其中記錄缺陷簇的第一物理扇區(qū)號(hào)(PSN),另外28位被分配給“替換簇第一PSN”字段,其中記錄替換簇的第一物理扇區(qū)號(hào)(PSN)。更具體地說,缺陷簇的第一PSN作為缺陷區(qū)的位置信息被記錄在“缺陷簇第一PSN”字段中,而替換簇的第一PSN作為其中替換記錄數(shù)據(jù)的替換區(qū)的位置信息被記錄在“替換簇第一PSN”字段中。
這樣,當(dāng)缺陷區(qū)的大小為1簇時(shí),將該缺陷注冊(cè)為重新分配的缺陷(RAD)類型。并且,當(dāng)缺陷區(qū)被注冊(cè)為RAD型時(shí),將‘0000’位記錄在“狀態(tài)1”和“狀態(tài)2”字段的每一個(gè)中以指示該缺陷為RAD類型?;蛘?,當(dāng)缺陷區(qū)為多個(gè)連續(xù)簇的大小時(shí),將該缺陷注冊(cè)為相連重新分配的缺陷(CRD)類型。并且,當(dāng)缺陷區(qū)被注冊(cè)為CRD型時(shí),使用兩個(gè)DFL表項(xiàng)。更具體地說,當(dāng)缺陷區(qū)為CRD類型時(shí),首個(gè)缺陷簇的第一PSN被記錄在第一DFL表項(xiàng)的“缺陷簇第一PSN”字段中,并將首個(gè)替換記錄簇的第一PSN記錄在“替換簇第一PSN”字段中。另外,缺陷簇中的最末簇的第一PSN被記錄在第二DFL表項(xiàng)的“缺陷簇第一PSN”字段中,而替換記錄的簇中的最末簇的第一PSN被記錄在第二DFL表項(xiàng)的“替換簇第一PSN”字段中。
因此,為了區(qū)分如上所述記錄的CRD類型,指示替換記錄已被執(zhí)行的‘0000’位被記錄在CRD類型的第一DFL表項(xiàng)的“狀態(tài)1”字段中。另外,指示連續(xù)缺陷簇的開始(或起始)地址的‘0001’位被記錄在CRD類型的第一DFL表項(xiàng)的“狀態(tài)2”字段中。此外,指示替換記錄已被執(zhí)行的‘0000’位被記錄在第二DFL表項(xiàng)的“狀態(tài)1”字段中,而指示連續(xù)缺陷簇的結(jié)束地址的‘0010’位被記錄在第二DFL表項(xiàng)的“狀態(tài)2”字段中。
同時(shí),當(dāng)產(chǎn)生缺陷區(qū)時(shí),將該缺陷區(qū)作為非重新分配的缺陷(NRD)類型對(duì)待,這表示僅通知該缺陷區(qū)而不執(zhí)行數(shù)據(jù)的替換記錄。當(dāng)缺陷區(qū)為NRD型時(shí),指示缺陷簇替換記錄未被執(zhí)行的‘0001’位被記錄在“狀態(tài)1”字段中。根據(jù)本發(fā)明,如上所述記錄的每個(gè)DFL表項(xiàng)被獨(dú)立使用,這與前述的LOW表項(xiàng)不同。下面將參照?qǐng)D5對(duì)LOW表項(xiàng)的構(gòu)成進(jìn)行說明。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤的LOW表項(xiàng)。參照?qǐng)D5,LOW表項(xiàng)被分配以64位,這與DFL表項(xiàng)相同,并包括“狀態(tài)1”字段、“原始簇第一PSN”字段、“狀態(tài)2”字段以及“替換簇第一PSN”字段。更具體地說,其中將要執(zhí)行數(shù)據(jù)蓋寫的預(yù)記錄區(qū)的位置信息被記錄在“原始簇第一PSN”字段中。另外,替換記錄區(qū)的位置信息被記錄在“替換簇第一PSN”字段中。為了與DFL表項(xiàng)區(qū)別(或區(qū)分)開來并指示該表項(xiàng)為LOW表項(xiàng),“狀態(tài)1”字段的第一位被改變和記錄為‘1000’位。
另外,在“狀態(tài)2”字段中,‘x000’位指示作為一個(gè)缺陷簇的替換類型的RAD類型。而在“狀態(tài)2”字段中,為了表達(dá)多個(gè)連續(xù)簇的替換記錄,‘x001’位指示CRD類型的表項(xiàng)中的LOW表項(xiàng)的開始(或起始),而‘x010’位指示CRD型表項(xiàng)中的LOW表項(xiàng)的結(jié)尾。此外,在“狀態(tài)2”字段的4個(gè)位中,第一位是指示在用戶數(shù)據(jù)區(qū)還是在備用區(qū)上執(zhí)行邏輯蓋寫的替換記錄的字段。這里,當(dāng)?shù)谝晃粸椤?xxx’時(shí),在用戶數(shù)據(jù)區(qū)上執(zhí)行替換記錄,而當(dāng)?shù)谝晃粸椤?xxx’時(shí),在備用區(qū)上執(zhí)行替換記錄。下面將結(jié)合圖6對(duì)如上所述記錄的LOW表項(xiàng)的實(shí)際記錄進(jìn)行描述。
圖6示出記錄根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤的LOW表項(xiàng)的方法。參閱圖6,當(dāng)發(fā)送將數(shù)據(jù)記錄在盤的預(yù)記錄區(qū)上的寫入(或記錄)命令時(shí),可如上所述地將要被記錄在相應(yīng)區(qū)上的數(shù)據(jù)替換記錄到用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的下一可記錄(或可寫)區(qū)上。顯然,也可在備用區(qū)上執(zhí)行替換記錄。當(dāng)在可記錄高密度光盤上執(zhí)行邏輯蓋寫時(shí),相應(yīng)位置信息作為LOW表項(xiàng)被記錄在TDMA中。圖6所示的例子示出在多個(gè)連續(xù)簇上執(zhí)行邏輯蓋寫,因此LOW表項(xiàng)被記錄為CRD類型的表項(xiàng)。
如上所述,用兩個(gè)表項(xiàng)表達(dá)CRD類型的表項(xiàng)。表示LOW表項(xiàng)的‘1000’位被記錄在第一表項(xiàng)的“狀態(tài)1”字段中,而被蓋寫區(qū)的首簇的第一物理扇區(qū)號(hào)(PSN)‘a(chǎn)’被記錄在下一“原始簇第一PSN”字段中。另外,指示CRD類型表項(xiàng)中的起始(或開始)(或第一表項(xiàng))的‘0001’位被記錄在“狀態(tài)2”字段中,并且替換記錄區(qū)的首簇的第一PSN‘c’被記錄在“替換簇第一PSN”字段中。
此外,代表LOW表項(xiàng)的‘1000’被記錄在第二表項(xiàng)的“狀態(tài)2”字段中,而被蓋寫區(qū)的最末簇的第一PSN‘b’被記錄在“原始簇第一PSN”字段中。另外,指示CRD類型表項(xiàng)的結(jié)尾(或第二表項(xiàng))的‘0010’位被記錄在“狀態(tài)2”字段中,而替換記錄區(qū)的最末簇的第一PSN‘d’被記錄在“替換簇第一PSN”字段中。由于圖6中示出了在用戶數(shù)據(jù)區(qū)上執(zhí)行邏輯蓋寫的替換記錄的例子,所以“狀態(tài)2”字段被記錄為‘0xxx’位。如果要在備用區(qū)上執(zhí)行邏輯蓋寫的替換記錄,則“狀態(tài)2”字段將被記錄為‘1xxx’位。如上所述,通過使用“狀態(tài)1”字段的4個(gè)位中的一個(gè)指示LOW表項(xiàng),將LOW表項(xiàng)區(qū)別于DFL表項(xiàng)來管理。
同時(shí),上述LOW表項(xiàng)上的信息也被包含在DFL頭部信息中,現(xiàn)在將參照?qǐng)D7對(duì)此進(jìn)行說明。圖7示出根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤的DFL頭部。參照?qǐng)D7,DFL頭部是作為臨時(shí)缺陷列表(TDFL)信息記錄在TDMA中的一組信息。TDFL由DFL頭部和缺陷列表構(gòu)成,其中記錄有根據(jù)本發(fā)明的表項(xiàng)信息。這里,DFL頭部包含“DFL標(biāo)識(shí)符”字段、“DFL格式”字段以及“DFL更新計(jì)數(shù)”字段。DFL頭部還包含指示每種表項(xiàng)的數(shù)目的字段。
更具體地說,DFL表項(xiàng)的數(shù)目被記錄在“DFL表項(xiàng)數(shù)目”字段中,并且DFL表項(xiàng)中的RAD和CRD類型表項(xiàng)的數(shù)目被記錄在“RAD/CRD表項(xiàng)數(shù)目”字段中。另外,DFL表項(xiàng)中的NRD類型表項(xiàng)的數(shù)目被記錄在“NRD表項(xiàng)數(shù)目”字段中,并且LOW表項(xiàng)的總數(shù)被記錄在“LOW表項(xiàng)數(shù)目”字段中。因此,藉由使用上述DFL頭部信息,光盤驅(qū)動(dòng)器可標(biāo)識(shí)所想要和所需的表項(xiàng)的總數(shù)。
圖8示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的可記錄光盤的LOW表項(xiàng)。參閱圖8,在‘狀態(tài)1’字段中記錄‘1111’位以區(qū)分LOW表項(xiàng)。更具體地說,為了指示LOW表項(xiàng),“狀態(tài)1”字段的所有4位被指示為‘1’。當(dāng)“狀態(tài)1”字段被記錄為‘1111’時(shí),不僅可將LOW表項(xiàng)與DFL表項(xiàng)區(qū)別開來,還能僅使LOW表項(xiàng)在與DFL表項(xiàng)分開的單獨(dú)區(qū)域中對(duì)齊。換句話說,所有DFL表項(xiàng)和LOW表項(xiàng)被記錄在TDMA內(nèi)的TDFL的缺陷列表中。通過將LOW表項(xiàng)的字段“狀態(tài)1”記錄為與被記錄為‘0000’或‘0001’的DFL表項(xiàng)的“狀態(tài)1”字段不同的‘1111’,可使LOW表項(xiàng)在不同于DFL表項(xiàng)的區(qū)域中對(duì)齊。
“狀態(tài)1”字段的首位是與表項(xiàng)對(duì)齊不相關(guān)的位。因此,當(dāng)“狀態(tài)1”字段在上述(或第一)實(shí)施例中被記錄為‘1000’時(shí),該表項(xiàng)簡單地區(qū)別于DFL表項(xiàng)并被指示為LOW表項(xiàng)。另外,如本(或第二)實(shí)施例中所述那樣,當(dāng)“狀態(tài)1”字段被記錄為‘1111’時(shí),LOW表項(xiàng)甚至能在不同于DFL表項(xiàng)的區(qū)域中單獨(dú)對(duì)齊。同時(shí),其余的“狀態(tài)2”字段、“原始簇第一PSN”字段以及“替換簇第一PSN”字段的使用與第一實(shí)施例中的相同。
圖9示出根據(jù)本發(fā)明的LOW表項(xiàng)和DFL表項(xiàng)的應(yīng)用例。尤其,圖9示出邏輯蓋寫或缺陷管理的一個(gè)例子,所述邏輯蓋寫或缺陷管理是根據(jù)下列處理步驟執(zhí)行的(1)步驟1對(duì)區(qū)域X1邏輯蓋寫數(shù)據(jù)A’;(2)步驟2對(duì)區(qū)域X2邏輯蓋寫數(shù)據(jù)B,其中對(duì)區(qū)域X1執(zhí)行邏輯蓋寫的替換記錄;以及(3)步驟3當(dāng)檢測到區(qū)域X2為缺陷區(qū)時(shí),將數(shù)據(jù)替換記錄至備用區(qū)Y1。
更具體地說,當(dāng)主機(jī)最初發(fā)送對(duì)其中記錄有數(shù)據(jù)A的區(qū)域X1記錄數(shù)據(jù)A’的寫入(或記錄)命令時(shí),不能在區(qū)域X1上執(zhí)行蓋寫。因此。數(shù)據(jù)A’被替換記錄于下一個(gè)可記錄區(qū)X2上。接著,當(dāng)數(shù)據(jù)B要被記錄于已執(zhí)行替換記錄的區(qū)域X2上時(shí),由于區(qū)域X2已是數(shù)據(jù)記錄區(qū),所以根據(jù)主機(jī)的命令,數(shù)據(jù)B被替換記錄于另一個(gè)下一可記錄區(qū)X3上。此后,當(dāng)區(qū)域X2被檢測為缺陷區(qū)時(shí),數(shù)據(jù)A’被替換記錄于備用區(qū)Y1上。因此,步驟1和步驟2被記錄為LOW表項(xiàng),而步驟3被記錄為DFL表項(xiàng)。
在這種情形下,當(dāng)在之后的處理中要再現(xiàn)區(qū)域X1時(shí),則應(yīng)當(dāng)再現(xiàn)數(shù)據(jù)A’,根據(jù)步驟1的LOW表項(xiàng),數(shù)據(jù)A’被替換記錄在區(qū)域X2中。然而,由于區(qū)域X2或作為被替換記錄在區(qū)域X3上的LOW表項(xiàng)存在或作為被替換記錄在區(qū)域Y1上的缺陷列表存在,因此存在關(guān)于應(yīng)當(dāng)再現(xiàn)區(qū)域X3兩種類型中的哪一種的問題。更具體地說,如果不區(qū)分LOW表項(xiàng)和DFL表項(xiàng),則會(huì)產(chǎn)生不得不隨機(jī)地選擇兩種表項(xiàng)中的任何一種的問題,由此產(chǎn)生再現(xiàn)錯(cuò)誤(或不當(dāng))數(shù)據(jù)的問題。因此,根據(jù)本發(fā)明,LOW表項(xiàng)和DFL表項(xiàng)被區(qū)分開來。然后,在首先選擇LOW表項(xiàng)后,隨后選擇DFL。
換句話說,參閱圖9,當(dāng)主機(jī)希望再現(xiàn)區(qū)域X1時(shí),選擇步驟1的LOW表項(xiàng)。此后,當(dāng)根據(jù)所選表項(xiàng)所要再現(xiàn)的區(qū)域X2中既存在LOW表項(xiàng)又存在DFL表項(xiàng)時(shí),選擇DFL表項(xiàng)。因此,可再現(xiàn)根據(jù)區(qū)域X2中存在的DFL表項(xiàng)替換記錄于備用區(qū)Y1上的數(shù)據(jù)A’。并且其實(shí)例是當(dāng)要被蓋寫至初始數(shù)據(jù)A區(qū)上的數(shù)據(jù)A’被正確再現(xiàn)時(shí)的情形。或者,當(dāng)根據(jù)主機(jī)要求再現(xiàn)區(qū)域X2時(shí),由于根據(jù)本發(fā)明首先選擇的是LOW表項(xiàng),所以即使如上所述那樣在區(qū)域X2中既存在步驟2的LOW表項(xiàng)又存在步驟3的DFL表項(xiàng),也將根據(jù)步驟3的LOW表項(xiàng)再現(xiàn)被記錄在區(qū)域X3上的數(shù)據(jù)B。
同時(shí),如圖9所示,當(dāng)要被記錄在區(qū)域X1上的數(shù)據(jù)被替換記錄于區(qū)域X2上,并且當(dāng)該數(shù)據(jù)被再次替換記錄在區(qū)域Y1上時(shí),最初打算記錄在區(qū)域X1上的數(shù)據(jù)被最終替換記錄于區(qū)域Y1上。因此,可使用單個(gè)表項(xiàng)指示它。更具體地說,要被記錄在區(qū)域X1上的數(shù)據(jù)如被替換記錄于區(qū)域Y1上那樣被記錄。然后,刪除被替換記錄于區(qū)域X2上的區(qū)域X1的數(shù)據(jù)的表項(xiàng)以及被替換記錄于區(qū)域Y1上的區(qū)域X2的數(shù)據(jù)的表項(xiàng)。為此,由于可記錄高密度光盤的特性,不記錄實(shí)際表項(xiàng)。而是將表項(xiàng)暫存于光盤驅(qū)動(dòng)器的存儲(chǔ)器中,并且將打算記錄于區(qū)域X1上的數(shù)據(jù)的在區(qū)域Y1上執(zhí)行的最終替換記錄的位置信息作為表目記錄。這種方法有利于減少表目的浪費(fèi)。然而,如圖9所示,當(dāng)DFL表項(xiàng)和LOW表項(xiàng)共存時(shí),最好不僅僅使用一個(gè)表目。這里,區(qū)域X2具有與區(qū)域Y1相同的信息,這是為了防止為區(qū)域X1替換記錄于區(qū)域X2上的數(shù)據(jù)的信息被刪除,并確保DFL表項(xiàng)和LOW表項(xiàng)被獨(dú)立使用。
圖10示出根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的方框圖。參閱圖10,光學(xué)記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備包括用于在光盤上執(zhí)行記錄/再現(xiàn)的記錄/再現(xiàn)裝置10、以及用于控制記錄/再現(xiàn)裝置10的控制器20(在本文中,記錄/再現(xiàn)裝置10經(jīng)常被稱為“光盤驅(qū)動(dòng)器”,并且這些術(shù)語均在本發(fā)明的說明中使用)。
更具體地說,主機(jī)20向記錄/再現(xiàn)裝置10給出寫入至/再現(xiàn)自光盤特定區(qū)域的寫入或再現(xiàn)命令,并且記錄/再現(xiàn)裝置10響應(yīng)來自主機(jī)20的命令執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)。記錄/再現(xiàn)裝置10包括接口單元12,用來執(zhí)行與主機(jī)20的通信,例如數(shù)據(jù)和命令交換;拾取單元11,用來將數(shù)據(jù)直接寫入至/讀出自光盤;數(shù)據(jù)處理器13,用來從拾取單元11接收信號(hào)并恢復(fù)所需的信號(hào)值,或?qū)⒁粚懭氲男盘?hào)調(diào)至成能被寫到光盤上的信號(hào)并傳送;伺服單元14,用來控制拾取單元11從光盤準(zhǔn)確地讀取信號(hào)或?qū)⑿盘?hào)準(zhǔn)確地寫至光盤;存儲(chǔ)器15,用來暫存包含管理信息和數(shù)據(jù)在內(nèi)的各種信息;以及微機(jī)16,用來控制記錄/再現(xiàn)裝置10的各部分。
在光學(xué)記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備中,在可記錄光盤上記錄數(shù)據(jù)的方法的處理步驟的說明如下。一旦將可記錄光盤插入到光學(xué)記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備中,則所有管理信息從光盤被讀出并被存儲(chǔ)入記錄/再現(xiàn)裝置10的存儲(chǔ)器15,以在光盤記錄/再現(xiàn)時(shí)使用。這里,如果用戶想要在光盤特定區(qū)域上進(jìn)行寫入,則將用戶的這些要求視為寫入命令的主機(jī)20將關(guān)于所要求寫入位置的信息與要被寫入的一組數(shù)據(jù)一起提供給記錄/再現(xiàn)裝置10。
這樣,記錄/再現(xiàn)裝置10中的微機(jī)16接收寫入命令并控制操作以根據(jù)寫入命令在光盤上執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄。當(dāng)在數(shù)據(jù)記錄期間或數(shù)據(jù)記錄之后根據(jù)主機(jī)命令執(zhí)行蓋寫時(shí),要被記錄在蓋寫區(qū)上的數(shù)據(jù)被替換記錄于數(shù)據(jù)區(qū)中的未記錄區(qū)上。然后,被蓋寫區(qū)以及替換記錄區(qū)的位置信息作為LOW表項(xiàng)被記錄于TDMA中的TDFL上。另外,當(dāng)在數(shù)據(jù)記錄過程中或數(shù)據(jù)記錄后檢測到缺陷區(qū)時(shí),要被記錄或已被記錄于缺陷區(qū)上的數(shù)據(jù)被替換記錄于數(shù)據(jù)區(qū)中的備用區(qū)上。此后,缺陷區(qū)和替換記錄區(qū)的位置信息作為DFL表項(xiàng)被記錄于TDMA中的TDFL上。然后,微機(jī)16根據(jù)主機(jī)的命令將替換記錄區(qū)的位置信息以及數(shù)據(jù)提供給伺服單元14和數(shù)據(jù)處理器13,以通過拾取單元11在光盤上的所要求的位置完成記錄或替換記錄。
下面,將詳細(xì)描述從根據(jù)本發(fā)明的可記錄光盤再現(xiàn)以如上所述方式記錄的數(shù)據(jù)的方法。當(dāng)記錄有數(shù)據(jù)的可記錄光盤被插入光學(xué)記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備中時(shí),從光盤讀出所有管理信息并將其存儲(chǔ)在記錄/再現(xiàn)裝置10的存儲(chǔ)器15中,以在將數(shù)據(jù)記錄至/再現(xiàn)自光盤時(shí)使用。
這里,如果用戶想要從光盤特定區(qū)域讀取(或再現(xiàn))數(shù)據(jù),則將用戶的這些要求認(rèn)為是讀取命令的主機(jī)將關(guān)于所希望的讀取位置的信息提供給記錄/再現(xiàn)裝置10。然后,記錄/再現(xiàn)裝置10中的微機(jī)16接收讀取命令并確定光盤上主機(jī)20希望讀取數(shù)據(jù)的區(qū)域上的數(shù)據(jù)是否被替換記錄于數(shù)據(jù)區(qū)中的另一區(qū)域上。這可通過使用上述記錄在TDMA中的TDFL上的LOW和DFL表項(xiàng)來核實(shí)。
因此,當(dāng)在主機(jī)20希望再現(xiàn)的區(qū)域上未執(zhí)行替換記錄時(shí),微機(jī)16讀取(或再現(xiàn))相應(yīng)區(qū)域的數(shù)據(jù)并將所讀取的信息傳送至主機(jī)20。如果已在另一區(qū)域上執(zhí)行替換記錄,則微機(jī)16從相應(yīng)替換區(qū)域讀取數(shù)據(jù)并將所讀取的信息發(fā)送至主機(jī)20。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明的在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備具有下列優(yōu)點(diǎn)。LOW和DFL表項(xiàng)被區(qū)分并相應(yīng)地管理,由此提高了將數(shù)據(jù)記錄至/再現(xiàn)自光學(xué)記錄介質(zhì)的效率。
工業(yè)實(shí)用性對(duì)本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員很顯然的是,可對(duì)本發(fā)明作出各種修改和變更而不會(huì)脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此,本發(fā)明旨在覆蓋落在所附權(quán)利要求及其等效方案范圍內(nèi)的本發(fā)明的這些修改和變更。
權(quán)利要求
1.一種在具有引入?yún)^(qū)、引出區(qū)、以及包含用戶數(shù)據(jù)區(qū)和備用區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)的記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法,所述方法包括當(dāng)接收到將第一數(shù)據(jù)物理蓋寫在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的第一區(qū)中的命令并且所述第一區(qū)被包含在預(yù)記錄區(qū)域中時(shí),將所述第一數(shù)據(jù)記錄在第一替換區(qū)中;將第一表項(xiàng)記錄在臨時(shí)盤管理區(qū)(TDMA)中,所述第一表項(xiàng)指定所述第一區(qū)和所述第一替換區(qū)的位置;當(dāng)接收到將第二數(shù)據(jù)記錄在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的第二區(qū)中的命令并且發(fā)現(xiàn)所述第二區(qū)存在缺陷時(shí),將所述第二數(shù)據(jù)記錄在第二替換區(qū)中;以及將第二表項(xiàng)記錄在所述TDMA中,所述第二表項(xiàng)指定所述第二區(qū)和所述第二替換區(qū)的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述TDMA包含在所述引入?yún)^(qū)中。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述TDMA包含在所述數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的所述備用區(qū)中。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一替換區(qū)包含在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)可寫區(qū)中。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一替換區(qū)包含在所述數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的所述備用區(qū)中。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二替換區(qū)包含在所述數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的所述備用區(qū)中。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,記錄在所述TDMA中的所述第一和第二表項(xiàng)可彼此區(qū)別。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一表項(xiàng)包含將所述第一表項(xiàng)標(biāo)識(shí)為邏輯蓋寫(LOW)表項(xiàng)的狀態(tài)字段。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一表項(xiàng)包括指示所述第一區(qū)的位置的第一數(shù)據(jù)字段;以及指示所述第一替換區(qū)的位置的第二數(shù)據(jù)字段。
10.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一表項(xiàng)包含指示所述第一表項(xiàng)是重新分配的缺陷(RAD)類型表項(xiàng)還是相連的重新分配的缺陷(CRD)類型表項(xiàng)的狀態(tài)字段。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,所述狀態(tài)字段還指示所述第一替換區(qū)是包含在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)中還是包含在所述備用區(qū)中。
12.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一表項(xiàng)包括將所述第一表項(xiàng)標(biāo)識(shí)為邏輯蓋寫(LOW)表項(xiàng)的第一狀態(tài)字段;指示所述第一區(qū)的位置的第一數(shù)據(jù)字段;指示所述第一替換區(qū)的位置的第二數(shù)據(jù)字段;以及第二狀態(tài)字段,所述第二狀態(tài)字段指示所述第一表項(xiàng)是重新分配的缺陷(RAD)類型表項(xiàng)還是相連的重新分配的缺陷(CRD)類型表項(xiàng)、以及所述第一替換區(qū)包含在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)中還是所述備用區(qū)中。
13.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二表項(xiàng)包括指示所述第二表項(xiàng)是重新分配的缺陷(RAD)類型表項(xiàng)還是相連的重新分配的缺陷(CRD)類型表項(xiàng)的狀態(tài)字段。
14.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二表項(xiàng)包括指示所述第二區(qū)的位置的第一數(shù)據(jù)字段;以及指示所述第二替換區(qū)的位置的第二數(shù)據(jù)字段。
15.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二表項(xiàng)包括指示所述第二表項(xiàng)是重新分配的缺陷(RAD)類型表項(xiàng)還是相連的重新分配的缺陷(CRD)類型表項(xiàng)的狀態(tài)字段;指示所述第二區(qū)的位置的第一數(shù)據(jù)字段;以及指示所述第二替換區(qū)的位置的第二數(shù)據(jù)字段。
16.一種在具有引入?yún)^(qū)、引出區(qū)、以及包含用戶數(shù)據(jù)區(qū)和備用區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)的記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的設(shè)備,所述設(shè)備包括光學(xué)記錄裝置,所述光學(xué)記錄裝置被配置成在所述記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù);以及微機(jī),當(dāng)接收到將第一數(shù)據(jù)蓋寫在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的第一區(qū)中的命令并且所述第一區(qū)包含在預(yù)記錄區(qū)域中時(shí),所述微機(jī)向所述光學(xué)記錄裝置提供控制信號(hào)以將第一數(shù)據(jù)記錄在第一替換區(qū)中,并將第一表項(xiàng)記錄在臨時(shí)盤管理區(qū)(TDMA)中,所述第一表項(xiàng)指定所述第一區(qū)和所述第一替換區(qū)的位置,當(dāng)接收到將第二數(shù)據(jù)記錄在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的第二區(qū)中的命令并發(fā)現(xiàn)所述第二區(qū)存在缺陷時(shí),所述微機(jī)還向所述光學(xué)記錄裝置提供控制信號(hào)以將所述第二數(shù)據(jù)記錄在第二替換區(qū)中,并將第二表項(xiàng)記錄在所述TDMA中,所述第二表項(xiàng)指定所述第二區(qū)和所述第二替換區(qū)的位置。
17.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述TDMA包含在所述引入?yún)^(qū)中。
18.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述TDMA包含在所述數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的所述備用區(qū)中。
19.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述第一替換區(qū)包含在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)可寫區(qū)中。
20.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述第一替換區(qū)包含在所述數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的所述備用區(qū)中。
21.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述第二替換區(qū)包含在所述數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的所述備用區(qū)中。
22.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,記錄在所述TDMA中的所述第一和第二表項(xiàng)可彼此區(qū)別。
23.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述第一表項(xiàng)包含將所述第一表項(xiàng)標(biāo)識(shí)為邏輯蓋寫(LOW)表項(xiàng)的狀態(tài)字段。
24.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述第一表項(xiàng)包括指示所述第一區(qū)的位置的第一數(shù)據(jù)字段;以及指示所述第一替換區(qū)的位置的第二數(shù)據(jù)字段。
25.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述第一表項(xiàng)包含指示所述第一表項(xiàng)是重新分配的缺陷(RAD)類型表項(xiàng)還是相連的重新分配的缺陷(CRD)類型表項(xiàng)的狀態(tài)字段。
26.如權(quán)利要求25所述的設(shè)備,其特征在于,所述狀態(tài)字段還指示所述第一替換區(qū)是包含在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)中還是所述備用區(qū)中。
27.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述第一表項(xiàng)包括將所述第一表項(xiàng)標(biāo)識(shí)為邏輯蓋寫(LOW)表項(xiàng)的第一狀態(tài)字段;指示所述第一區(qū)的位置的第一數(shù)據(jù)字段;指示所述第一替換區(qū)的位置的第二數(shù)據(jù)字段;以及第二狀態(tài)字段,所述第二狀態(tài)字段指示所述第一表項(xiàng)是重新分配的缺陷(RAD)類型表項(xiàng)還是相連的重新分配的缺陷(CRD)類型表項(xiàng)、以及所述第一替換區(qū)是包含在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)中還是所述備用區(qū)中。
28.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述第二表項(xiàng)包括指示所述第二表項(xiàng)是重新分配的缺陷(RAD)類型表項(xiàng)還是相連的重新分配的缺陷(CRD)類型表項(xiàng)的狀態(tài)字段。
29.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述第二表項(xiàng)包括指示所述第二區(qū)的位置的第一數(shù)據(jù)字段;以及指示所述第二替換區(qū)的位置的第二數(shù)據(jù)字段。
30.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述第二表項(xiàng)包括指示所述第二表項(xiàng)是重新分配的缺陷(RAD)類型表項(xiàng)還是相連的重新分配的缺陷(CRD)類型表項(xiàng)的狀態(tài)字段;指示所述第二區(qū)的位置的第一數(shù)據(jù)字段;以及指示所述第二替換區(qū)的位置的第二數(shù)據(jù)字段。
全文摘要
一種在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的設(shè)備,包括光學(xué)記錄裝置(10)和微機(jī)(16)。該記錄介質(zhì)具有引入?yún)^(qū)、引出區(qū)以及數(shù)據(jù)區(qū),其中數(shù)據(jù)區(qū)包含用戶數(shù)據(jù)區(qū)和備用區(qū)。當(dāng)微機(jī)(16)接收到將第一數(shù)據(jù)物理蓋寫至用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的第一區(qū)中的命令并且確定第一區(qū)包含在預(yù)記錄區(qū)域中時(shí),它控制記錄介質(zhì)將第一數(shù)據(jù)改為記錄在第一替換區(qū)中并將第一表項(xiàng)記錄到TDMA中,其中第一表項(xiàng)指定第一區(qū)和第一替換區(qū)的位置。另外,當(dāng)微機(jī)(16)接收到將第二數(shù)據(jù)記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的第二區(qū)中的命令并且發(fā)現(xiàn)第二區(qū)存在缺陷時(shí),它控制光學(xué)記錄裝置(10)將第二數(shù)據(jù)改為記錄在第二替換區(qū)中并將第二表項(xiàng)記錄在TDMA中,其中第二表項(xiàng)指定第二區(qū)和第二替換區(qū)的位置。
文檔編號(hào)G11B20/18GK1993739SQ200580025571
公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2005年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月16日
發(fā)明者樸容徹 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社
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