專利名稱：：利用薄層產(chǎn)生光學(xué)對比的制作方法利用薄層產(chǎn)生光學(xué)對比相關(guān)申請的交叉引用本申請涉及同時遞交的下述美國專利申請系列號—、名為"ContrastInversionforOpticalRecording"(代理人巻號16233-003001)，系列號—、名為"ContrastEnhancementforOpticalRecording"(代理人巻號16233-004001)，系列號—、名為"Micro-resonantStructureforOpticalRecording"(代理人巻號16233-005001)，系列號—、名為"GeneratingOpticalContrastUsingThinLayers"(代理人巻號16233-008001)以及系列號—、名為"MultipleRecordingStructuresforOpticalRecording"(代理人巻號16233-009001)，其全部在此通過引用引入。
背景技術(shù)：
：本發(fā)明涉及利用薄層產(chǎn)生光學(xué)對比(opticalcontrast)。光記錄介質(zhì)通過在介質(zhì)中產(chǎn)生光學(xué)對比(例如對于光束的反射率方面的對比)儲存數(shù)據(jù)。例如，可以通過形成具有更高及更低反射率的區(qū)域表示零和一而在記錄介質(zhì)上儲存("刻錄")二進制數(shù)據(jù)。用于可記錄盤的一類記錄介質(zhì)具有可記錄(可刻錄)層，數(shù)據(jù)可以在該層中一次寫入及多次讀取。在刻錄過程中，隨著寫光束(writebeam)根據(jù)編碼數(shù)據(jù)(使用者意圖寫入該盤的數(shù)據(jù)的編碼版本)掃描盤，寫光束(例如激光束)調(diào)制在高功率級別和低功率級別之間。當寫光束在高功率級別時，由高功率級別產(chǎn)生的熱誘發(fā)改變可記錄層反射比的反應(yīng)，從而產(chǎn)生光學(xué)對比。在讀取過程中，讀光束(readbeam)掃描盤以檢測光學(xué)對比序列，然后解碼該序列以取回寫入數(shù)據(jù)。目前商業(yè)可用可記錄盤通常使用由有機染料組成并且大約100nm厚的刻錄層。在將數(shù)據(jù)記錄到盤上之前，染料對于讀光束是相對透明的(例如，具有大于0.75的透射率和小于0.25的吸收率)。通過使用具有高于閾值的功率以誘發(fā)染料中(通常是放熱)化學(xué)反應(yīng)、造成染料變得不透明的寫光束，將數(shù)據(jù)寫入可記錄層。同時，反應(yīng)中釋放的能量可在盤上造成微斷裂標記(micro-rupturemark)，其也降低反射率。所述盤包括刻錄層后面的反射層，以使通過刻錄層的讀光束經(jīng)刻錄層朝讀光束源反射回來，并且轉(zhuǎn)向檢測反射的檢測器。在染料不透明的區(qū)域，刻錄層在讀光束傳至反射層時吸收它并且在其經(jīng)刻錄層回來時再次吸收它，因此，該盤的反射率在該區(qū)域低于在具有"純(virgin)"透明度的區(qū)域。在下面說明中，材料層的光透射率定義為通過材料層的入射光百分率。材料層的光反射率定義為由材料層反射的入射光百分率。材料層的光吸收率定義為光通過材料層一次由材料層吸收的入射光百分率。通常包括一個(或者多個)刻錄層的、具有特定結(jié)構(gòu)的盤對于入射到該盤上的讀光束具有一總反射率(其是由于該盤的各單個組成層的反射、透射以及吸收的組合的結(jié)果)。這一總反射率在已被刻錄的區(qū)域和未被刻錄的區(qū)域之間變化。可記錄盤的標準與這一總反射率相關(guān)，并且對讀光束的特定波長(或波長范圍)做了規(guī)定。標準還與寫入過程的特性相關(guān)，例如波長、功率級別、以及在盤上寫入特定類型標記時的寫光束的調(diào)制格式?？捎涗洷P的實例包括CD-可記錄盤(CD-R)、DVD-R、DVD+R、雙層DVD+R(也稱作DVD+RDL)、雙層DVD-R(也稱作DVD-RDL)、高密度DVD(HD-DVD)以及藍光DVD。每種盤遵循規(guī)定編碼/解碼要求以及盤的光學(xué)特性的標準。在下述實例中，R1和R2指對于讀光束分別在記錄之前和以后的總反射率。該標準的一個實例包括CD-R標準(在也稱作橙皮書的Philips、andSony'sRecordableCDStandard中規(guī)定)，其要求R1^45。/。且記錄后的反射率降低至少60%。因此，(Rl-R2)/Rl>60%iR2/Rl<40%。寫和讀光束需要具有波長約780nm。類似地，DVD+R標準要求R1^45M且記錄后的反射率降低至少60%，而讀和寫光束的波長分別是650nm和658nm。己經(jīng)提出了一些使用非染料方法的光學(xué)可記錄盤。在一個實例中，可記錄層包括在刻錄過程后變成更大反射性的材料層。一個實例是具有在200nm800nm范圍的表面特征的金屬層，其以隨機方向反射讀光束，從而減少光學(xué)檢測器方向的反射光強度。當寫光束應(yīng)用于該金屬層時，金屬材料熔化，并且由于表面張力的緣故，形成可以在光學(xué)檢測器方向反射更大百分率的讀光束的更平滑表面。在另一實例中，可記錄層包括相對較低反射率的金屬-低-氧化物材料(例如7^203)，其可以在刻錄過程后被誘導(dǎo)分解成相對較高反射率的金屬和金屬氧化物的混合物(例如Te+Te02)。也可以利用允許擦除己刻錄數(shù)據(jù)的可重寫盤。例如，一些可重寫盤利用從較高反射率的微晶相到較低反射率的非晶相的相變材料光學(xué)特性用于記錄，以及利用反相變材料光學(xué)特性用于擦除。
發(fā)明內(nèi)容在總體方面，薄層納米結(jié)構(gòu)提供利用下述材料的一種或更多種特性產(chǎn)生光學(xué)對比的途徑。(1)每種材料具有一定的電荷載流子(chargecarrier)密度n(其表示每立方厘米的電子數(shù)或空穴數(shù))，其中電荷載流子具有有效質(zhì)量m。n和m的值可以通過半導(dǎo)體領(lǐng)域已知的方法測量，例如霍爾電阻測量。(2)當存在引入到材料中的"凈(net)"局部化電荷密度時，將有一個包圍局部化電荷密度的鞘層，其中該鞘層具有稱作德拜長度的厚度。當由局部化電荷密度變化產(chǎn)生的電場中存在波動時，波動的影響大部分被位于德拜長度內(nèi)的電荷載流子所感知。例如，這些電荷密度變化可以受載流子移動穿過界面、電磁(EM)波通過材料或者由于熱效應(yīng)的電荷密度波動所誘發(fā)。(3)界面處的導(dǎo)帶和/或價帶(valanceband)能級(有時稱作化學(xué)勢)差異使得電子(或空穴)從界面的一側(cè)移至另一側(cè)，造成下述效果(a)其可以改變該結(jié)構(gòu)在界面處的局部n值；(b)其可以在界面處產(chǎn)生局部化電場；(c)其可以改變電荷載流子的有效質(zhì)量。因此，其可以改變界面處的電特性和光學(xué)特性。(4)只在EM波的頻率高于臨界頻率時，才可以通過厚(巨大)材料傳播EM波，該臨界頻率稱作該材料的等離子體頻率。如果EM波的頻率低于其等離子體頻率，輻射將被該材料反射和/或吸收。當EM波的頻率高于等離子體頻率，EM波只在其頻率匹配量子吸收頻率時才可能被吸收。除了這一情況，該材料對于EM波變得非常透明。然而，當材料厚度小于其德拜長度時，材料對于EM波將是部分透明的。(5)對于一階近似，材料的等離子體頻率正比于電荷載流子密度n的平方根，并且反比于有效質(zhì)量m的平方根。(6)對于一階近似，材料的德拜長度正比于電荷載流子的平均動能(或者材料的溫度)，并且反比于電荷載流子密度n的平方根。(7)材料特性的改變(包括n和/或m值的改變)可以通過例如熱致合金化、擴散、材料混合或化學(xué)反應(yīng)使得界面(具有適當設(shè)計的納米結(jié)構(gòu))更不清晰而實現(xiàn)。(8)當電荷載流子密度減小和/或有效質(zhì)量增大至該結(jié)構(gòu)的等離子體頻率從高于變成低于讀取激光束頻率值的水平時，納米結(jié)構(gòu)變得對讀取激光束更加透明。因此，通過適當設(shè)計的納米結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生光學(xué)對比。一方面，記錄層通常利用納米結(jié)構(gòu)(例如，具有厚度例如2nm、10nm、15nm、20nm、25nm或30nm的薄層)，其具有至少兩個具有足夠反射率(和可選擇地，足夠不透明度)的材料層。選擇所述至少兩層的厚度和材料以便當該至少兩層的界面通過熱致合金化、擴散、材料混合或化學(xué)反應(yīng)變得更不清晰時，該納米結(jié)構(gòu)變得更加透明。這一處理改變材料光透射率，其是通過減小納米結(jié)構(gòu)界面的特殊性或者通過在界面處產(chǎn)生另一材料層來減小納米結(jié)構(gòu)中n(電荷載流子密度)值和/或增大m(有效質(zhì)量)值而實現(xiàn)的。這一納米結(jié)構(gòu)在界面加熱至超過某一溫度后，降低等離子體頻率至低于讀取激光束頻率的值。因此，該結(jié)構(gòu)變得透明或者對讀光束從較大反射性的變成更加透明的以及較小反射性的。這一刻錄過程通過調(diào)制激光束、電子束的功率級別或者來自金屬尖的高強度電場強度的編碼系統(tǒng)進行，以應(yīng)用能量至該兩層而造成合金化、擴散、材料混合或化學(xué)反應(yīng)。不管所使用的編碼系統(tǒng)類型如何，可以基于透射或反射光的對比，通過使用光學(xué)掃描系統(tǒng)檢測這些刻錄的數(shù)據(jù)。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其對于讀光束具有在應(yīng)用能量時增大的透射率?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)在應(yīng)用能量前的透射率大于50%?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)在應(yīng)用能量后的透射率大于50%?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)包括第一層和第二層。在一些實例中，第一和第二層中至少其一具有小于IOnm的平均厚度。在一些實例中，第一和第二層中至少其一具有小于5nm的平均厚度。在一些實例中，第一和第二層中至少其一具有小于2nm的平均厚度。應(yīng)用能量時第一和第二層結(jié)合。在一些實例中，第一和第二層包括兩個不同的半導(dǎo)體層。在一些實例中，第一和第二層包括兩個不同的金屬層。在一些實例中，第一和第二層包括兩個不同的介電層。在一些實例中，第一和第二層包括一個半導(dǎo)體層和一個金屬層。在一些實例中，第一和第二層包括一個半導(dǎo)體層和一個介電層。在一些實例中，第一和第二層包括一個金屬層和一個介電層。在一些實例中，第一層包括鋁、銅、金、銀或錫，而第二層包括硅、氧化硅、鍺、氧化鎢或氧化鈦?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)包括第一層、第二層和第三層。應(yīng)用能量時，第一層、第二層和第三層結(jié)合。在一些實例中，第一、第二和第三層包括金屬層、介電層和半導(dǎo)體層。在一些實例中，第一、第二和第三層包括第一金屬層、介電或半導(dǎo)體層以及第二金屬層。第一和第二金屬層可包括相同或不同的材料。在一些實例中，第一、第二和第三層包括第一介電層、金屬或半導(dǎo)體層以及第二介電層。第一和第二介電層可包括相同或不同的材料。在一些實例中，第一、第二和第三層包括第一半導(dǎo)體層、金屬或介電層以及第二半導(dǎo)體層。第一和第二半導(dǎo)體層可包括相同或不同的材料。在一些實例中，可記錄結(jié)構(gòu)具有小于20nm的厚度。在一些實例中，可記錄結(jié)構(gòu)具有小于10nm的厚度?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)具有第一層和第二層，其中第一和第二層的厚度每個都小于基于該層電荷載流子密度確定的德拜長度的三倍。讀光束具有的頻率在400nm460nm、630nm690nm或750nm810nm的范圍內(nèi)。寫光束提供能量，并且當應(yīng)用能量時可記錄介質(zhì)的反射率減小。可記錄介質(zhì)在應(yīng)用能量前后的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。另一方面，光盤通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其對于讀光束具有在應(yīng)用能量時增大的透射率。光盤的實施可包括一種或更多種下述特征。可記錄結(jié)構(gòu)包括具有至少兩個子層(在應(yīng)用寫入功率后結(jié)合)的刻錄層?？啼泴釉诳啼浨皩τ谧x光束具有反射率R1和透射率T1。刻錄層在刻錄后對于讀光束具有反射率R2和透射率T2，其中R1〉R2且T1<T2。光盤符合CD陽R、DVD畫R、DVD+R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括具有刻錄區(qū)域的可記錄結(jié)構(gòu)，其中通過刻錄的有或無攜帶信息，至少一些刻錄區(qū)域?qū)τ谧x光束具有高于尚未被刻錄區(qū)域的透射率?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征?？啼泤^(qū)域表示邏輯l?？瞻讌^(qū)域包括第一材料和第二材料，在兩材料之間具有清晰的界限，并且記錄區(qū)域具有第三材料，其由第一和第二材料之間的相互作用產(chǎn)生。記錄區(qū)域?qū)τ谧x光束具有低于空白區(qū)域的反射率，記錄和空白區(qū)域的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。另一方面，光學(xué)系統(tǒng)通常包括可記錄介質(zhì)和光驅(qū)。可記錄介質(zhì)包括可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率時增大的透射率。光驅(qū)包括光源以產(chǎn)生讀光束、聚焦機構(gòu)以聚焦讀光束于可記錄結(jié)構(gòu)上、以及光檢測器以檢測從可記錄介質(zhì)反射的光。光學(xué)系統(tǒng)的實施可包括一種或更多種下述特征?？捎涗浗橘|(zhì)的反射率在應(yīng)用寫光束時減小。可記錄介質(zhì)在應(yīng)用寫光束前后的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。另一方面，光學(xué)系統(tǒng)通常包括可記錄介質(zhì)和光驅(qū)?？捎涗浗橘|(zhì)包括可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率時增大的透射率。光驅(qū)適合于將數(shù)據(jù)記錄在可記錄介質(zhì)中并且具有與寫策略相關(guān)的預(yù)存儲信息，該寫策略與識別可記錄介質(zhì)的標識符相關(guān)。該系統(tǒng)使用寫策略以寫入信息至識別的可記錄介質(zhì)上。光學(xué)系統(tǒng)的實施可包括一種或更多種下述特征?？捎涗浗橘|(zhì)的反射率在應(yīng)用能量時減小?？捎涗浗橘|(zhì)在應(yīng)用能量前后的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。另一方面，在可記錄介質(zhì)中寫入信息的方法通常包括應(yīng)用能量至可記錄結(jié)構(gòu)以提高可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的透射率。所述方法的實施可包括一種或更多種下述特征。讀光束具有的波長在350nm450nm之間?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)包括第一層和第二層。當應(yīng)用能量時，第一和第二層結(jié)合以產(chǎn)生第三層。該第三層具有小于讀光束頻率的特征頻率，且第一和第二層中至少其一具有高于讀光束的特征頻率。層的特征頻率正比于n/m的平方根，其中n表示層的電荷載流子密度而m表示層中電荷載流子的有效質(zhì)量。特征頻率包括等離子體頻率。應(yīng)用能量至可記錄結(jié)構(gòu)也減少可記錄介質(zhì)的反射率?？捎涗浗橘|(zhì)在應(yīng)用能量前后的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。另一方面，從可記錄介質(zhì)讀取信息的方法通常包括聚焦讀光束至可記錄結(jié)構(gòu)上以檢測第一部分，其具有比第二部分更低的反射率以及更高的透射率。所述方法的實施可包括一種或更多種下述特征。通過第一部分的有和無攜帶信息。讀光束具有的頻率在400nm460nm、630nm690nm或750nm810nm的范圍內(nèi)。第一和第二部分的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。另一方面，寫入數(shù)據(jù)的方法通常包括應(yīng)用能量至刻錄層以改變刻錄層的特征頻率以便特征頻率從高于特定的讀光束頻率變成低于該讀光束頻率，層的特征頻率正比于n/m的平方根，其中n表示層的電荷載流子密度而m表示層中電荷載流子的有效質(zhì)量。所述方法的實施可包括一種或更多種下述特征。讀光束頻率對應(yīng)于400nm460nm之間的波長?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)的反射率在應(yīng)用能量時減小?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)在應(yīng)用能量前后的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括具有對于讀光束高于50%的反射率的可記錄結(jié)構(gòu)，其中在應(yīng)用能量時，可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的透射率變成高于50%。可記錄介質(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。可記錄結(jié)構(gòu)具有第一層和第二層，其在應(yīng)用能量時反應(yīng)。第一和第二層中至少其一小于10nm。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括具有對于讀光束高于50%的透射率的可記錄結(jié)構(gòu)，其中可記錄結(jié)構(gòu)在應(yīng)用能量時的反射率變成高于50%。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括至少具有第一等離子體頻率col的第一層。當寫入功率用于可記錄結(jié)構(gòu)時，形成具有第二等離子體頻率0)2的第二層，其中0)1<叫<0)2或者(02<叫<0)1,其中COr是讀光束的頻率，其具有的頻率等于或不同于賦予寫入功率的寫光束頻率。層的等離子體頻率正比于n/m的平方根，其中n表示層的電荷載流子密度而m表示層中電荷載流子的有效質(zhì)量。可記錄介質(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。在一些實例中，可記錄結(jié)構(gòu)包括在應(yīng)用寫入功率前與第一層相鄰的第三層，并且基于在應(yīng)用寫入功率時第一和第三層中的材料混合形成第二層。在一些實例中，可記錄結(jié)構(gòu)包括在應(yīng)用寫入功率前與第一層相鄰的第三層，并且基于在應(yīng)用寫入功率時第一和第三層中的材料化學(xué)反應(yīng)形成第二層。化學(xué)反應(yīng)是吸熱的。參數(shù)叫對應(yīng)于400nm460nm之間的波長。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括第一層和第二層，第一層具有第一等離子體頻率col，第二層具有第二等離子體頻率co2。選擇兩層以便當寫入功率用于可記錄結(jié)構(gòu)時，第一和第二層相互作用以形成具有第三等離子體頻率o)3的第三層，以至于0)1<叫<0)3或者0)2<叫<0)3或者0)3<叫<0)1或者0)3<叫<0)2，其中COr是讀光束的頻率。可記錄介質(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。讀光束具有的頻率等于賦予寫入功率的寫光束頻率。層的等離子體頻率基于該層中電荷載流子密度以及電荷載流子的有效質(zhì)量。相比于QVf氏于另一層等離子體頻率的又一層，當叫高于一層的等離子體頻率時，該層具有對于讀光束更高的透射率。參數(shù)叫對應(yīng)于400nm460nm之間的波長。另一方面，一種方法通常包括應(yīng)用寫入功率至包括第一層和第二層的可記錄結(jié)構(gòu)，第一層具有第一等離子體頻率col，和第二層具有第二等離子體頻率co2。寫入功率造成第一和第二層相互作用以形成具有第三等離子體頻率co3的第三層。選擇兩層以便滿足下述條件中至少一種0)1<叫<0)3，Q)2<C0r<C03，(03〈avCcol和to3〈a)^a)2，其中叫是讀光束的頻率，其具有等于或者不同于寫入功率的頻率。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括第一層和第二層，該第一和第二層中至少其一具有的厚度小于基于該層中電荷載流子密度所確定的德拜長度。第一和第二層在應(yīng)用能量時相互作用以造成可記錄結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性改變。所述光學(xué)特性包括對于讀光束的反射率和透射率中至少一種?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。通過具有高于特定值的能量密度的寫光束賦予能量并且在可記錄結(jié)構(gòu)上賦予至少特定持續(xù)時間。可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的透射率在應(yīng)用能量時增加至少10%。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括第一層和第二層，該第一和第二層至少其一具有的厚度小于IOnm。第一和第二層在應(yīng)用寫入功率時相互作用以造成可記錄結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性改變。所述光學(xué)特性包括對于讀光束的反射率和透射率中至少一種?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)對于讀光束的透射率在應(yīng)用寫入功率時至少增加了10%。第一和第二層的每層具有的厚度小于基于該層中電荷載流子密度所確定的德拜長度。第一和第二層中至少其一具有的厚度小于5nm。另一方面，一種方法通常包括應(yīng)用寫入功率至包括第一層和第二層的可記錄結(jié)構(gòu)，第一和第二層中至少其一具有的厚度小于基于該層中電荷載流子密度所確定的德拜長度。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在應(yīng)用能量時改變以造成在可記錄結(jié)構(gòu)中發(fā)生吸熱反應(yīng)的光學(xué)特性?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)具有在應(yīng)用能量時在吸熱反應(yīng)中反應(yīng)的第一層和第二層。在一些實例中，吸熱反應(yīng)包括吸熱化學(xué)反應(yīng)。在一些實例中，吸熱反應(yīng)包括第一和第二層中材料混合。第一和第二層中至少其一小于IOnm。能量由具有的能量高于預(yù)定值的寫光束賦予，并應(yīng)用至少特定的持續(xù)時間。在一些實例中，光學(xué)特性包括對于讀光束的透射率?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用能量時增大?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用能量時從小于50%變成大于50%。在一些實例中，光學(xué)特性包括對于讀光束的反射率。在一些實例中，光學(xué)特性包括可記錄結(jié)構(gòu)的吸收率。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其中當應(yīng)用能量時，可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的吸收率變化不大于10%，而對于讀光束的透射率和反射率變化大于10%。可記錄介質(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。可記錄結(jié)構(gòu)具有在應(yīng)用能量時反應(yīng)的第一和第二層。第一和第二層至少其一小于IOnm。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括具有不同光學(xué)特性的第一層和第二層。該第一和第二層在應(yīng)用寫入功率前具有層間清晰的界限，而在應(yīng)用寫入功率后第一和第二層間的界限變得較不清晰，例如通過摻合第一和第二層中的材料以致于可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光學(xué)特性改變。另一方面，光盤驅(qū)動通常包括預(yù)存儲信息，其識別光盤是否屬于包括可記錄結(jié)構(gòu)(具有對于讀光束在應(yīng)用能量時增大的透射率)的一類盤。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括第一層和第二層，其中第一和第二層并不完全重疊，且第一和第二層在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合以造成可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光特性改變?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。在一些實例中，第一層包括不連續(xù)區(qū)域。第一和第二層都包括不連續(xù)區(qū)域。該區(qū)域具有的直徑小于ioonm。在一些實例中，第一層包括具有形成空穴形狀的連續(xù)區(qū)域。第一和第二層每層包括具有形成空穴形狀的連續(xù)區(qū)域。該空穴具有的直徑小于100nm。在一些實例中，第一層具有不連續(xù)區(qū)域而第二層包括具有形成空穴形狀的連續(xù)區(qū)域?？捎涗浗橘|(zhì)也包括附著到可記錄結(jié)構(gòu)的襯底，其中第一層基本上覆蓋襯底一側(cè)的整個表面，且第二層覆蓋襯底一側(cè)小于90%的表面。在一些實例中，第一和第二層至少其一的德拜長度小于5nm。在一些實例中，第一和第二層至少其一的德拜長度小于lnm。該德拜長度基于該層中電荷載流子密度確定。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括具有表面的襯底，和附著到該襯底的可記錄結(jié)構(gòu)?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)具有第一材料和第二材料，該第一和第二材料中至少其一覆蓋襯底表面少于90%。第一和第二材料在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合以造成可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光學(xué)特性的改變?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。在一些實例中，至少一種材料包括不連續(xù)區(qū)域。該區(qū)域具有的直徑小于100nm。在一些實例中，第一和第二材料層至少其一包括具有形成空穴形狀的連續(xù)區(qū)域。該空穴具有的直徑小于100nm。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括具有表面的襯底，以及在該襯底上的可記錄結(jié)構(gòu)。可記錄結(jié)構(gòu)具有第一材料和第二材料，其在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合以造成可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光學(xué)特性的改變。第一和第二材料至少其一具有的有效厚度小于5nm。該材料的有效厚度定義為材料體積除以襯底表面面積。可記錄介質(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。第一和第二材料中至少其一包括不連續(xù)區(qū)域。另一方面，光盤通常包括具有第一層和第二層的可記錄結(jié)構(gòu)，其中第一和第二層不完全重疊。該第一和第二層在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合以造成可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光學(xué)特性的改變。光盤的實施可包括一種或更多種下述特征。第一和第二層中至少其一包括不連續(xù)區(qū)域。第一和第二層中至少其一包括具有形成空穴形狀的連續(xù)區(qū)域。另一方面，寫入數(shù)據(jù)的方法通常包括應(yīng)用能量至可記錄介質(zhì)，其包括襯底以及附著于該襯底的可記錄結(jié)構(gòu)。該可記錄結(jié)構(gòu)具有第一材料和第二材料，其在應(yīng)用能量時結(jié)合以造成可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光學(xué)特性的改變。該第一和第二材料中至少其一覆蓋襯底少于90%。另一方面，制造可記錄介質(zhì)的方法通常包括沉積第一材料和第二材料于襯底一側(cè)上，其中該第一和第二材料中至少其一覆蓋該襯底一側(cè)表面小于90%。所述方法的實施可包括一種或更多種下述特征。該方法還包括控制應(yīng)用于沉積第一和第二材料所用設(shè)備的功率以控制由第一和第二材料覆蓋的表面百分率。該方法還包括控制沉積第一和第二材料的持續(xù)時間以控制由第一和第二材料覆蓋的表面百分率。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括具有反射率R1和透射率T1的第一層，具有透射率T2的第二層，以及具有反射率R3的第三層。該第二層置于第一和第三層之間并且具有的厚度小于基于第二層電荷密度所確定的德拜長度?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)具有總反射率Rs圓，其大于R1+T1^T2、R2?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。第二層具有厚度d，以至可記錄結(jié)構(gòu)的反射率具有基本上最佳反射率值。該基本上最佳反射率值與最大反射率值之間的差小于最大反射率值的10%，其中最大反射率值通過找出當?shù)诙雍穸仍?.8d1.2d之間變化時可記錄結(jié)構(gòu)反射率的最大值而確定。當?shù)诙雍穸茸兓?0%時，反射率減少至少10%。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括具有反射率R1的第一層、第二層以及具有反射率R2的第三層。該第二層置于第一和第三層之間。第二層具有的厚度小于基于第二層電荷密度所確定的德拜長度?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)具有總反射率R3，其中R3〈R1且R3〈(1-R1)*R2。可記錄介質(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。第二層具有厚度d，以至可記錄結(jié)構(gòu)的反射率具有基本上最小值。當?shù)诙雍穸茸兓?0%時，反射率增加至少10%。另一方面，產(chǎn)生光學(xué)對比的方法通常包括應(yīng)用能量至微-共振(micro-resonant)結(jié)構(gòu)，其具有至少第一層L1、第二層L2以及第三層L3以造成所述層中至少兩層結(jié)合。層L2置于層L1和L3之間。層L1具有反射率R1和透射率T1。層L3具有反射率R3。層L2具有透射率T2且其厚度小于讀光束波長的四分之一。應(yīng)用能量前，微-共振結(jié)構(gòu)具有總反射率Rsum，其大于R1+T1"T22*R30可記錄介質(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。層L2具有的厚度小于基于層L2的電荷載流子密度所確定的德拜長度。應(yīng)用能量后，微-共振結(jié)構(gòu)的反射率減小。應(yīng)用能量后，微-共振結(jié)構(gòu)的透射率增大。層L2具有的反射率小于層L1和L3的那些。層L2具有比層L1和L3更高的透射率。在一些實例中，層L2和L3結(jié)合以形成具有的反射率高于層L2反射率的層L4。在一些實例中，層L1和L2結(jié)合以形成具有的反射率高于層L2反射率的層L4。在一些實例中，層L1、L2和L3結(jié)合以形成層L4。在刻錄前，層L4具有的透射率高于層L1、L2和L3的總透射率。在刻錄前，層L4具有的反射率低于層Ll、L2和L3的總反射率。在一些實例中，層L2和L3結(jié)合以形成層L4，其具有的反射率低于層L1和L3的那些。在一些實例中，微-共振結(jié)構(gòu)還包括具有的反射率高于層L2反射率的層L4，并且層L1、L4、L2和L3依次定位。應(yīng)用能量造成層L4和L2結(jié)合以形成層L5，其具有的反射率低于層L1和L3的那些，層L5置于層L1和L3之間。在一些實例中，微-共振結(jié)構(gòu)還包括層L4，其具有的反射率低于層L1和L3的那些，并且層Ll、L2、L4和L3依次定位。層L4和L3結(jié)合以形成具有的反射率高于層L2透射率的層L5，層L2置于層L1和L5之間。在一些實例中，應(yīng)用能量至微-共振結(jié)構(gòu)造成層L2和L3結(jié)合以形成具有的透射率高于層L1透射率的層L4。在一些實例中，微-共振結(jié)構(gòu)還包括層L4，其具有的反射率低于層L1和L3的那些，層L1、L2、L4和L3依次定位，層L2和L4具有不同材料。在一些實例中，刻錄后，層U和L2結(jié)合以形成具有的反射率低于層L1反射率的層L5。在一些實例中，刻錄后，層L2和L4部分結(jié)合以形成層L5，其具有的厚度小于層L2和L4厚度總和，層L5具有的反射率低于層L1和L3的那些。在一些實例中，微-共振結(jié)構(gòu)還包括層L4、L5和L6，層L1、L2、L4、L5、L6和L3依次定位。層L4、L5和L6具有的反射率低于層L1和L3的那些，而相鄰的層L2、L4、L5和L6具有不同材料?？啼浺院?，層L4和L5結(jié)合以形成層L7，層L7具有的反射率高于層L2和L6。在一些實例中，刻錄后，層L1、L2和L7形成微-共振腔，其具有的總反射率大于R1+T1"T2"R7，R7是層L3的反射率。在一些實例中，刻錄后，層L1、L2和L7形成微-共振腔，其具有總反射率R，，其中Rs咖〈Rl且Rsum〈Tl"T2"R7，R7是層L7的反射率。在一些實例中，刻錄后，層L7、L6和L3形成微-共振腔，其具有的總反射率大于R7+T72*T62*R3，R7是層L7的反射率，T7是層L7的透射率。在一些實例中，刻錄后，層L7、L6和L3形成微-共振腔，其具有總反射率Rsum，其中Rsum〈R7且R咖〈T72*T62*R3，R7是層L7的反射率，T7是層L7的透射率。在一些實例中，微-共振結(jié)構(gòu)還包括層L4和L5，層L1、L2、L4、L5和L3依次定位。層L1、L2和L4形成微-共振腔，其具有的總反射率大于R1+T1"T22*R4，R4是層L4的反射率。層L4、L5和L3形成微-共振腔，其具有的總反射率大于R4+T4"T5"R3，T4是層L4的透射率，T5是層L5的透射率?？啼浐?，層L2、L4和L5結(jié)合以形成層L6，層L1、L6和L3形成微-共振腔。微-共振結(jié)構(gòu)在刻錄前的總反射率大于微-共振結(jié)構(gòu)刻錄后的總反射率。在一些實例中，微-共振結(jié)構(gòu)還具有層L4，其具有的反射率比層L3的小，層L1、L2、L3和L4依次定位?？啼浐螅瑢覮3和L4結(jié)合以形成層L5，其具有的反射率高于層L2但低于層L3。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括具有至少第一層、第二層和第三層的微-共振結(jié)構(gòu)。第二層置于第一和第二層之間且具有厚度d以至微-共振結(jié)構(gòu)的反射率具有基本上最佳的反射率值。第二層的厚度d小于基于第二層的電荷密度所確定的德拜長度?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征?；旧献罴训姆瓷渎手狄孕∮谧畲蠓瓷渎手?0%的值偏離該最大反射率值，通過找出當?shù)诙雍穸仍?.8*41.2*4之間變化時可記錄結(jié)構(gòu)反射率的最大值而確定最大反射率值。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括刻錄層和對比增強層。刻錄層具有至少兩個子層，其在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合，刻錄層在應(yīng)用寫入功率前具有反射率R1而在應(yīng)用寫入功率后具有反射率R2。當應(yīng)用寫入功率時，對比增強層不與刻錄層的子層結(jié)合。對比增強層和刻錄層一起在應(yīng)用寫入功率前具有反射率R3而在應(yīng)用寫入功率后具有反射率R4，其中IR4-R3I>IR2-R1|。可記錄介質(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。在一些實例中，對比增強層包括金屬層。在一些實例中，對比增強層包括電介質(zhì)。在一些實例中，對比增強層包括半導(dǎo)體。在一些實例中，對比增強層包括硅、鍺、硫化鋅和氧化鋅中至少一種。對比增強層具有對于讀光束高于50%的透射率。在一些實例中，刻錄層的等離子體頻率在記錄后降低，而反射率或透射率的對比在加入對比增強層后增大。在一些實例中，刻錄層的等離子體頻率在記錄后提高，而反射率或透射率的對比在加入對比增強層后增大。對比增強層的厚度小于20nm?？捎涗浗橘|(zhì)還包括第二對比增強層，其在應(yīng)用寫入功率時不與刻錄層子層結(jié)合。第一對比增強層、第二對比增強層和刻錄層一起具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R5和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R6，并且IR6-R5|〉|R4-R3I。第一和第二對比增強層相互結(jié)合，但第一和第二對比增強層不與刻錄層結(jié)合。第一和第二對比增強層定位于刻錄層的不同側(cè)。兩個子層包括(a)兩個不同半導(dǎo)體層，(b)兩個不同金屬層，(c)兩個不同介電層，(d)—個半導(dǎo)體層和一個金屬層，(e)—個半導(dǎo)體層和一個介電層，以及(f)一個金屬層和一個介電層中至少一種?？啼泴泳哂械暮穸刃∮?0nm。另一方面，光盤通常包括刻錄層和對比增強層?？啼泴泳哂兄辽賰蓚€在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合的子層，刻錄層具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R1和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R2。對比增強層在應(yīng)用寫入功率時不與刻錄層的子層結(jié)合。對比增強層和刻錄層一起具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R3和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R4，并且IR4-R3I>IR2-R1I。光盤的實施可包括一種或更多種下述特征?？啼泴泳哂性诳啼浨暗耐干渎蔜1和在刻錄后的透射率T2，且T1〈T2。參數(shù)R1、R2、T1和T2符合CD-R、DVD-R、DVD+R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種?？啼泴泳哂械暮穸刃∮?0nm。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括可記錄結(jié)構(gòu)以在經(jīng)受寫入功率的記錄結(jié)構(gòu)部分和未經(jīng)受寫入功率的部分間產(chǎn)生第一光學(xué)對比?？捎涗浗橘|(zhì)還包括不與可記錄結(jié)構(gòu)相互作用的材料層，選擇材料層以便記錄結(jié)構(gòu)和材料層一起產(chǎn)生比第一光學(xué)對比更大的第二光學(xué)對比。可記錄介質(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。可記錄層自身具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R1和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R2?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)和材料層一起具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R3和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R4，并且IR4-R3I>IR2-R1I?？捎涗浗Y(jié)構(gòu)具有的厚度小于20nm。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括刻錄層和至少一個對比轉(zhuǎn)化層(contrastinvertinglayer)?？啼泴泳哂兄辽俚谝蛔訉雍偷诙訉樱湓趹?yīng)用寫入功率時結(jié)合。刻錄層對于讀光束具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R1和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R2，且RKR2。該至少一個對比轉(zhuǎn)化層在應(yīng)用寫入功率時不與刻錄層的第一和第二子層結(jié)合。該至少一個對比轉(zhuǎn)化層和刻錄層一起在應(yīng)用寫入功率前具有反射率R3和在應(yīng)用寫入功率后具有反射率R4，且R3>R4?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。對比轉(zhuǎn)化層具有對于讀光束大于50。/。的透射率。對比轉(zhuǎn)化層具有的厚度小于20nm?？啼泴泳哂械暮穸刃∮?0nm。第一和第二子層中至少其一具有的厚度小于10nm?？啼浨埃瑢Ρ绒D(zhuǎn)化層和兩個子層形成微-共振結(jié)構(gòu)，而刻錄后，第一和第二子層的結(jié)合破壞該微-共振結(jié)構(gòu)。該微-共振結(jié)構(gòu)具有總反射率Rsum，其大于R1+T1"T2"R3，Rl是對比轉(zhuǎn)化層的反射率。R2是第一子層的反射率，R3是第二子層的反射率，Tl是對比轉(zhuǎn)化層的透射率，和T2是第一子層的透射率。該第一子層定位于對比轉(zhuǎn)化層和第二子層之間。所述至少一個對比轉(zhuǎn)化層包括至少第一對比轉(zhuǎn)化層和第二對比轉(zhuǎn)化層，其中刻錄層定位于第一個第二對比轉(zhuǎn)化層之間。該至少一個對比轉(zhuǎn)化層包括至少第一對比轉(zhuǎn)化層(LO、第二對比轉(zhuǎn)化層(L2)、第三對比轉(zhuǎn)化層(L3)和第四對比轉(zhuǎn)化層(L4)?？啼浨?，層L1和L4具有的反射率大于層L2和L3以及子層，以至層L1、層L2、第一子層、第二子層、層L3和層L4一起形成第一微-共振結(jié)構(gòu)?？啼浐螅啼泴泳哂械姆瓷渎蚀笥趯覮2和L3，以至第一微-共振結(jié)構(gòu)被破壞并且形成第二和第三微-共振結(jié)構(gòu)。第二微-共振結(jié)構(gòu)包括層Ll和L2以及刻錄層。第三微-共振結(jié)構(gòu)包括刻錄層以及層L3和L4。第一和第二子層包括(a)兩個不同半導(dǎo)體層，(b)兩個不同金屬層，(c)兩個不同介電層，(d)—個半導(dǎo)體層和一個金屬層，(e)—個半導(dǎo)體層和一個介電層，以及(f)一個金屬層和一個介電層中至少一種。另一方面，光盤通常包括刻錄層，其具有至少兩個在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合的子層?？啼泴訉τ谧x光束具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R1和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R2，并且RKR2。光盤還包括對比轉(zhuǎn)化層，其在應(yīng)用寫入功率時不與刻錄層子層結(jié)合。該對比轉(zhuǎn)化層和刻錄層一起具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R3和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R4，且R3〉R4。光盤的實施可包括一種或更多種下述特征。反射率R3和R4符合CD-R、DVD-R、DVD+R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種。對比轉(zhuǎn)化層具有的厚度小于20nm?？啼泴泳哂械暮穸刃∮?0nm。至少一種子層具有的厚度小于IOnm。子層包括(a)兩個不同半導(dǎo)體層，(b)兩個不同金屬層，(c)兩個不同介電層，(d)—個半導(dǎo)體層和一個金屬層，(e)—個半導(dǎo)體層和一個介電層，以及(f)一個金屬層和一個介電層中至少一種。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括具有第一層和第二層的可記錄結(jié)構(gòu)，第一和第二層中每層具有一個或更多個子層。第一和第二層在應(yīng)用能量時產(chǎn)生第一光學(xué)對比，第一光學(xué)對比與由第一層單獨在應(yīng)用能量至第一層時產(chǎn)生的第二光學(xué)對比相反?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。第一層單獨具有對于讀光束在應(yīng)用能量時增大的反射率，且第一和第二層一起具有在應(yīng)用能量時減小的反射率。至少一個子層具有的厚度小于IOnm。第二光學(xué)對比與對于讀光束的反射率增大相關(guān)。另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括第一可記錄結(jié)構(gòu)、第二可記錄結(jié)構(gòu)以及位于第一和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間的間隔層。第一可記錄結(jié)構(gòu)具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率。第二可記錄結(jié)構(gòu)具有在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性?？捎涗浗橘|(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)后第一可記錄結(jié)構(gòu)的反射率減小至少16%。第一可記錄結(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)之前和以后大于55%。第一和第二可記錄結(jié)構(gòu)至少其一具有的厚度小于IOnm。第二可記錄結(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)后增大。另一方面，光盤通常包括第一可記錄結(jié)構(gòu)、第二可記錄結(jié)構(gòu)和位于第一和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間的間隔層。第一可記錄結(jié)構(gòu)具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率。第二可記錄結(jié)構(gòu)具有在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性。光盤的實施可包括一種或更多種下述特征。第一和第二可記錄結(jié)構(gòu)的光學(xué)特征符合雙層DVD+R和雙層DVD-R標準中至少一種。第一和第二可記錄結(jié)構(gòu)至少其一具有的厚度小于10nm。在另一方面，可記錄介質(zhì)通常包括第一可記錄結(jié)構(gòu)、第二可記錄結(jié)構(gòu)和位于第一和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間的間隔層。第一可記錄結(jié)構(gòu)具有第一材料層和第二材料層，其在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時結(jié)合以形成第三材料層。第三材料層具有對于讀光束的光學(xué)特性，其不同于第一材料層和第二材料層在應(yīng)用寫入功率前的總光學(xué)特性。第二可記錄結(jié)構(gòu)具有在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性。可記錄介質(zhì)的實施可包括一種或更多種下述特征。第一可記錄結(jié)構(gòu)的反射率在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)后減小。在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)后，第一可記錄結(jié)構(gòu)的反射率減小至少16%。第一可記錄結(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)之前和以后大于55%。第一可記錄結(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)后增大。第一和第二可記錄結(jié)構(gòu)至少其一具有的厚度小于IOnm。子層包括(a)兩個不同半導(dǎo)體層，(b)兩個不同金屬層，(c)兩個不同介電層，(d)—個半導(dǎo)體層和一個金屬層，(e)—個半導(dǎo)體層和一個介電層，以及(f)一個金屬層和一個介電層中至少一種。另一方面，用于光學(xué)系統(tǒng)的可記錄介質(zhì)通常包括第一可記錄結(jié)構(gòu)、第二可記錄結(jié)構(gòu)和位于第一和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間的間隔層。第一可記錄結(jié)構(gòu)具有第一層和第二層，第一和第二層每層的厚度小于基于該層中電荷載流子密度所確定的德拜長度。第二可記錄結(jié)構(gòu)具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性。另一方面，適合用于光學(xué)系統(tǒng)的可記錄介質(zhì)通常具有與寫策略相關(guān)的預(yù)存儲信息，該寫策略與識別可記錄介質(zhì)的標識符相關(guān)。該系統(tǒng)使用寫策略以寫入信息至識別的可記錄介質(zhì)上?？捎涗浗橘|(zhì)包括第一可記錄結(jié)構(gòu)、第二可記錄結(jié)構(gòu)和用于識別可記錄介質(zhì)的標識符。第一可記錄結(jié)構(gòu)具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率。第二可記錄結(jié)構(gòu)具有在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性。第一和第二可記錄結(jié)構(gòu)沿著垂直于第一可記錄結(jié)構(gòu)表面的方向被隔開。另一方面，數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)通常包括第一可記錄結(jié)構(gòu)、第二可記錄結(jié)構(gòu)以及置于第一和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間的間隔層。第一可記錄結(jié)構(gòu)具有空白區(qū)域和刻錄區(qū)域，其中通過刻錄的有或無攜帶信息，刻錄區(qū)域?qū)τ谧x光束具有高于空白區(qū)域的透射率。第二可記錄結(jié)構(gòu)具有空白區(qū)域和刻錄區(qū)域，其具有可測量的不同光學(xué)特性。另一方面，一種裝置通常包括第一可記錄結(jié)構(gòu)、第二可記錄結(jié)構(gòu)、第三可記錄結(jié)構(gòu)、第一間隔層和第二間隔層。第一可記錄結(jié)構(gòu)具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率。第二可記錄結(jié)構(gòu)具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率。第三可記錄結(jié)構(gòu)具有在寫入功率應(yīng)用至第三可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性。第一間隔層定位于第一和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間，以及第二間隔層定位于第二和第三可記錄結(jié)構(gòu)之間。另一方面，在可記錄介質(zhì)中寫入信息的方法通常包括應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)以增大第一可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的透射率。該方法還包括應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)以改變第二可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光學(xué)特性，包括傳送寫光束通過第一可記錄結(jié)構(gòu)以應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)。所述方法的實施可包括一種或更多種下述特征。讀光束具有的波長在350nm450nm之間。第一可記錄結(jié)構(gòu)包括第一材料層和第二材料層，以及當應(yīng)用第一能量時，第一材料層和第二材料層結(jié)合以產(chǎn)生第三材料層。第三材料層具有小于讀光束頻率的特征頻率，且第一和第二材料層中至少其一具有高于讀光束的特征頻率。層的特征頻率正比于n/m的平方根，其中n表示層的電荷載流子密度而m表示層中電荷載流子的有效質(zhì)量。特征頻率包括等離子體頻率。另一方面，從可記錄介質(zhì)讀取信息的方法通常包括聚焦讀光束至第一可記錄結(jié)構(gòu)上以檢測相比于第二部分具有更低反射率和更高透射率的第一部分，該第一和第二部分是第一可記錄結(jié)構(gòu)的部分。該方法包括傳送讀光束通過第一可記錄結(jié)構(gòu)并且聚焦讀光束至第二可記錄結(jié)構(gòu)以檢測具有不同于第四部分的光學(xué)特性的第三部分，該第三和第四部分是第二可記錄結(jié)構(gòu)的部分。另一方面，光學(xué)系統(tǒng)通常包括可記錄介質(zhì)和光驅(qū)?？捎涗浗橘|(zhì)包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率，以及第二可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在寫入功率應(yīng)用至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性。光驅(qū)包括光源以產(chǎn)生讀光束、聚焦機構(gòu)以聚焦讀光束于第一可記錄結(jié)構(gòu)或第二可記錄結(jié)構(gòu)上、以及光檢測器以檢測從可記錄介質(zhì)反射的光。另一方面，光學(xué)系統(tǒng)通常包括可記錄介質(zhì)和光驅(qū)。可記錄介質(zhì)包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時對于讀光束增大的透射率，以及第二可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在寫入功率應(yīng)用至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性。光驅(qū)適于將數(shù)據(jù)記錄在可記錄介質(zhì)中并且具有與用于寫入數(shù)據(jù)至可記錄介質(zhì)的寫策略相關(guān)的預(yù)存儲信息。另一方面，光盤驅(qū)動通常包括預(yù)存儲信息，其識別光盤是否屬于包括第一可記錄結(jié)構(gòu)和第二可記錄結(jié)構(gòu)的一類盤。第一可記錄結(jié)構(gòu)具有在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時對于讀光束增大的透射率。第二可記錄結(jié)構(gòu)具有在寫入功率應(yīng)用至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性。利用具有兩個或更多個薄層的可記錄結(jié)構(gòu)的優(yōu)點在于，因為只有少量能量用于造成薄層結(jié)合，所以刻錄可記錄結(jié)構(gòu)需要更少的能量。由于層很薄，對于層需要更少的材料，因此降低制造成本。利用在刻錄后透射率增大的刻錄層的優(yōu)點在于，當刻錄層用于多刻錄層可記錄盤例如DVD+RDL時，更多的光可以用于寫入或讀取記錄在第二、第三或其它刻錄層中的數(shù)據(jù)并且不被記錄在前面層的數(shù)據(jù)區(qū)域所干擾。與以有機染料為基礎(chǔ)的刻錄層相比，該特性是有利的，以有機染料為基礎(chǔ)的刻錄層在刻錄過程中從更透明的變成更不透明的并且干擾向下傳送至下一層的光。在利用薄層的多刻錄層可記錄盤中，每個刻錄層的透射率在刻錄前后都可以大于60%，以便超過60%的射入光可以到達第二刻錄層，并且超過36%的射入光可以到達第三刻錄層等等(假定間隔層高度透明)。因此更高百分比的射入光可以用于將數(shù)據(jù)寫入第二和第三刻錄層或者從其中讀取數(shù)據(jù)。在一些實例中，刻錄過程是吸熱的，以便刻錄區(qū)域被很好的限定(即，熱將不會散逸造成標記比刻錄層處激光束光斑更大)。利用吸熱反應(yīng)形成刻錄標記的優(yōu)點在于刻錄標記可以被做得更小，導(dǎo)致更高的記錄密度(相比于利用放熱反應(yīng)的記錄過程，例如用于具有有機染料的刻錄層的那些)。利用對比轉(zhuǎn)化層的優(yōu)點在于如今更多種材料可以用于設(shè)計刻錄層。例如，具有刻錄后增大反射率的刻錄層的光盤，不滿足CD或DVD型可記錄介質(zhì)的技術(shù)要求(其要求刻錄后反射率減小)。當對比轉(zhuǎn)化層加入至光盤以轉(zhuǎn)換對比以至于刻錄后反射率減小時，該光盤可能滿足CD或DVD型可記錄介質(zhì)的技術(shù)要求(假定也滿足其它標準)。利用對比增強層的優(yōu)點在于如今更多種材料可以用于設(shè)計刻錄層。例如，刻錄層自身可能不具有足夠的光學(xué)對比以滿足CD或DVD型可記錄介質(zhì)的要求。當刻錄層與對比增強層一起使用以提高光學(xué)對比時，包括該刻錄層和對比增強層二者的光盤可能滿足CD或DVD型可記錄介質(zhì)的技術(shù)要求(假設(shè)也滿足其它標準)。利用微-共振結(jié)構(gòu)的優(yōu)點在于使用薄層可以實現(xiàn)更大的反射率或透射率。光學(xué)對比可以通過改變(例如產(chǎn)生、破壞或分裂)微-共振結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生，以便可以實現(xiàn)更高的光學(xué)對比。許多出版物、專利申請以及其它參考通過引用被引入。當與通過引用被引入的參考相矛盾的情況下，本申請文件，包括定義將加以控制。圖1A是示意圖，示出正被寫入的可記錄盤。圖1B是示意圖，示出正被讀取的可記錄盤。圖2A-2C示出可記錄盤的橫截面。圖3是設(shè)計具有兩層的刻錄層的流程圖。圖4A-4C，5A，5B，6A-6D，7，8A-8C以及9-13示出可記錄盤的橫截面。圖14A和14B是作為厚度函數(shù)的反射率圖表。圖15-24示出刻錄層的橫截面。具體實施方式1、光學(xué)記錄系統(tǒng)參考圖1A，在光學(xué)記錄系統(tǒng)的一個實例中，通過應(yīng)用能量至可記錄盤104中的刻錄層寫入數(shù)據(jù)至可記錄盤104。利用寫光束106應(yīng)用能量，寫光束可以是由半導(dǎo)體激光二極管102發(fā)射的激光束。該能量誘發(fā)盤的刻錄層光學(xué)特性的改變，在此情況下導(dǎo)致盤作為整體(即，在讀光束入射處的盤外表面)對于讀光束的總反射率改變。參考圖1B，當讀取記錄在可記錄盤104上的數(shù)據(jù)時，可以是由半導(dǎo)體激光二極管134發(fā)射的激光束的讀光束108聚焦于刻錄層上，并且光電探測器110檢測從可記錄盤104反射的讀光束。由于反射光的量在已刻錄的區(qū)域與未刻錄的那些之間是不同的，所以通過檢測反射光的差異從盤104讀取記錄的數(shù)據(jù)。寫光束106和讀光束108可以具有相同或不同的波長。激光器102可以是一種普通激光器，并且通常是光學(xué)拾取頭(pickuphead)的一部分。圖2A示出一種類型的可記錄盤104沿著徑向112(圖1A)的橫截面。盤104包括透明襯底120、可記錄結(jié)構(gòu)-刻錄層126、以及保護層128。讀和寫光束從襯底120的那側(cè)進入盤104。在該類型的盤104中，刻錄層自身在刻錄前是反射性的。也就是說，讀光束108通過透明層120，并且被刻錄層126朝光源反射回去。在己刻錄的區(qū)域，刻錄層126是相對透射性的，并且讀光束108相對較少地被刻錄層126反射，且大量通過刻錄層126至保護層128，在那里讀光束108被吸收，通過盤104，或者被阻止經(jīng)刻錄層126強烈地反射回去?？啼泴佑梢圆煌牧现瞥傻谋∽訉訕?gòu)成。在該類型的盤104中，刻錄層126包括材料M1的第一層122以及材料M2的第二層124。在該類型的盤104中，第一層具有的厚度小于M1的德拜長度，例如10nm，且材料M1例如是摻雜硅。第二層具有的厚度小于M2的德拜長度，例如15nm，且材料M2例如是鍺。透明襯底120和保護層128由玻璃或聚碳酸酯組成。多種制造方法可以用于在盤104上制造刻錄層的薄子層。例如，每層可以利用物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)、金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)或分子束外延(MBE)在前一層上面形成。盤104包括凹槽道(groovetrack)130以及凸區(qū)道(landtrack)132，其由于它們相對于襯底120的不同高度(聚焦在一個高度的光可在另一高度變得散焦)而對于讀光束108具有不同的反射率。例如，根據(jù)使用的記錄標準，數(shù)據(jù)可以僅僅寫入凹槽道130，僅僅寫入凸區(qū)道132，或者既寫入凹槽道又寫入凸區(qū)道。軌道也可以提供對光學(xué)拾取頭的導(dǎo)引以便寫和讀光束可以正確地聚焦在盤104的特定區(qū)域和半徑。拾取頭沿著盤104的徑向移動以便讀和寫光束可以定位于盤104的任何軌道。盤104通過主軸馬達(未示出)自旋以便讀和寫光束隨著盤104轉(zhuǎn)動而掃描軌道。圖2B示出盤104沿著軌道沿縱向136(圖1A)的橫截面。圖2C示出刻錄后的同一橫截面。在寫入過程中，寫光束106掃描軌道并且聚焦于刻錄層126上。激光束106的功率級別根據(jù)寫入數(shù)據(jù)(即待寫入盤上的數(shù)據(jù))進行調(diào)制?？啼洷P是足夠吸收性的以至寫光束提供熱能至待刻錄區(qū)域中的刻錄層(例如，寫入數(shù)據(jù)表示"l")。熱能提高刻錄層126的溫度，造成材料M1和M2(例如在吸熱反應(yīng)中)相互作用以形成材料M3的層142，其具有的光學(xué)特性不同于刻錄前層122和124的光學(xué)特性。層142表示記錄標記，并且通常限制到一區(qū)域，該區(qū)域中寫光束的吸收能量高于閾值空間功率密度、且寫光束的吸收能量也高于閾值空間能量密度(即具有足夠功率級別以及足夠高-功率-開啟(high-power-on)持續(xù)時間)。短語"層A和B的反射率"指層A和B作為整體考慮的反射率，其中A和B是作為刻錄過程的部分不結(jié)合的單個層。類似地，短語"層A和B的透射率"或"層A和B的光學(xué)特性"分別指層A和B作為整體考慮的透射率或光學(xué)特性，其中A和B仍舊是作為刻錄過程的部分不結(jié)合的單個層。在一個實例中，通過當盤以2.4X速度旋轉(zhuǎn)時以小于30mW的功率級別應(yīng)用波長655nm的激光束(在聚焦在刻錄層的光斑上)，而在4X速度時以小于40mW的功率級別應(yīng)用波長655nm的激光束在該光斑上完成寫入。第一層122吸收大約20%或更少的束能，而第二層124吸收約同樣量的能量，但是在百分率上更大。寫入光通過第一層122后，總光能減少，因此第二層124的吸收百分率變得更大，盡管由層122和124吸收的能量的量大約相同。如上所介紹，透明層120傳送讀光束108至刻錄層126而在空氣/層120界面129基本上沒有反射(約35%)，并且當束108通過層120時基本上沒有吸收(約35%)。另外，保護層128對通過刻錄層126的讀光束108基本上不提供反射。因此，盤104作為整體的反射率特性主要由刻錄層126的反射率特性所確定。當聚焦在該刻錄層上時，層120、122、124和128—起對于讀光束108具有反射率R1和透射率T1。層120、142和128—起對于讀光束108具有反射率R2和透射率T2。在該實例中，選擇層122和124的材料和厚度以便R1〉R2且T1<T2。具體地，在讀激光波長655nm處，Rl=17%，R2=7%，Tl=62。/。和T2=73%。在此，Rl〉16%并且光學(xué)對比調(diào)制(Rl-R2)/Rl>60%。當讀光束108掃描軌道時，由可記錄層126反射的光的量根據(jù)讀光束108是聚焦于其中讀光束108從刻錄層126大量反射的(具有材料M1和M2的)部分144上，還是聚焦于其中(相比部分144)讀光束108另外有10%通過刻錄層126的(具有材料M3的)部分140上而變化，通過部分140或者144的光的量不小于60%，刻錄層126提供相對較少的反射。檢測反射率的變化，由此讀取由寫光束106之前記錄的數(shù)據(jù)。刻錄層126(以及其組成層122和124)是薄的。例如，刻錄層基本上比常規(guī)可記錄盤的通常有機染料層薄。相對于讀激光的波長，層126也薄。例如層126是該波長的一小部分。在上述討論的那類盤104中，層126是25nm而讀激光的波長是658nm，因此，該層小于讀光束108波長的1/26。2、鋤根據(jù)下述內(nèi)容，可至少部分地理解具有薄子層的可記錄層的性能，該性能不被本文中出現(xiàn)的任何理論所限制。表征可記錄層的材料的兩個參數(shù)對于預(yù)測或解釋該記錄方法的性能可以是有用的。一個參數(shù)涉及閾值頻率，其稱作"等離子體頻率"，以致在高于該頻率時材料基本上是透明的，而低于該頻率時材料基本上是反射性的或吸收性的。另一參數(shù)是材料的德拜長度，其通常涉及材料中所應(yīng)用的電荷或場起作用的距離。只有當EM波的頻率高于材料的等離子體頻率時，EM波才可以通過厚(巨大)材料而傳播。如果EM波的頻率低于其等離子體頻率，輻射將被材料反射和/或吸收。當EM波的頻率高于等離子體頻率時，EM波在頻率匹配量子吸收頻率時被吸收。除了這一條件，材料對于EM波變成是非常透明的。當材料的厚度小于其德拜長度時，材料對于EM波是部分透明的?？偟膩碚f，反射率和/或透射率通過刻錄過程的變化可以至少部分由刻錄前后涉及的材料等離子體頻率(相對于讀光束頻率)的變化所解釋。另外，刻錄期間材料的結(jié)合借助于可記錄層中穿過M1和M2間的界面移動的電荷所產(chǎn)生的強電場，以及相對于材料德拜長度的記錄層的薄度。此外，刻錄過程后可記錄層中的低吸收率也可涉及相對于刻錄后產(chǎn)生的材料(M3)的甚至更長德拜長度的層薄度。2.1等離子體頻率材料的等離子體頻率是提供閾值頻率的參數(shù)，高于該閾值頻率則電磁場在厚(巨大)材料內(nèi)傳播。例如，當讀光束108的頻率基本上大于材料的等離子體頻率時，讀光束108可以在該材料中傳播，從而材料表現(xiàn)為基本上對讀光束108是透明的。另一方面，如果讀光束108的頻率基本上低于材料的等離子體頻率，那么讀光束108在該材料中不傳播，該材料表現(xiàn)為對讀光束108是反射性的或不是透明的。每種材料(導(dǎo)體、半導(dǎo)體或電介質(zhì))具有特有的電荷載流子密度(記為n以表示每立方厘米的電子數(shù)或空穴數(shù))以及每個電荷載流子的有效質(zhì)量(記為m)。n和m的值通?？梢酝ㄟ^半導(dǎo)體領(lǐng)域已知的方法，例如霍爾電阻測量法測定。材料的等離子體頻率可以由這些參數(shù)推導(dǎo)。因此，每種材料具有相應(yīng)的等離子體頻率。材料的等離子體頻率取決于材料的介電常數(shù)，而該介電常數(shù)取決于材料中電荷載流子的密度和有效質(zhì)量。等離子體頻率近似正比于(n/m)的平方根，并且可以近似表示為w,V4朋/w等式l其中e是電子的電荷。Ashcroft/Mermin的教科書"SolidStatePhysics"(第一章TheDrudeTheoryofMetals,，16-20頁)描述了等式l的具體推導(dǎo)。己經(jīng)測量了具有一波長的EM波，低于該波長，一些堿金屬就變成是透明的，且測量值接近基于等式l所確定的理論值。參見Bom和Wol飾"PrinciplesofOptics"，第六版，/卵0，627頁，其在此通過引用被引入。從上述等式l，等離子體頻率正比于電荷載流子密度的平方根而升高。通過改變層的電荷載流子密度，層的光學(xué)特性可因此改變。一些材料例如金屬具有更大的電荷載流子密度，因此具有更高的等離子體頻率。一些材料例如半導(dǎo)體和電介質(zhì)具有更小的電荷載流子密度，因此具有更低的等離子體頻率。例如，鋁(Ml)具有1.8xl0力cn^的電荷載流子密度，而鍺(M2)具有8xl0"/cm3的電荷載流子密度。通過使具有不同電荷載流子密度的材料M1和M2的兩層摻合或反應(yīng)，具有材料M3的生成層可具有5x1016/0!113的電荷載流子密度(以及光學(xué)特性)，其不同于兩種材料M1和M2單獨的任一種。材料M3可以或者是材料M1和M2的混合物，或者是由M1和M2化學(xué)反應(yīng)得到的新材料，或者是在M1和M2中間(或混合或化學(xué)反應(yīng)的)新層的夾心結(jié)構(gòu)。在上述實例中，假設(shè)nl、n2和n3是材料Ml、M2和M3的電荷載流子密度。由于n3<n2<nl，所以材料M3的等離子體頻率低于材料M1和M2的等離子體頻率(03<C02<C0l。當選擇具有Q^er頻率的讀光束使得C03〈0^er〈C0l時，該層刻錄前將對讀光束是反射性的(因為a^e^(01)，而該層刻錄后將對讀光束是透明的(因為C03〈O),aser)。本說明書中的術(shù)語"反射性的"和"透明的"以一般意義使用。描述層為"反射性的"，并不暗示層反射所有射入光。反射性的層仍然可以透射和吸收部分射入光。描述層為刻錄前是反射性的而刻錄后是透明的(或透射的)，意指在刻錄后層的反射率降低而層的透射率提高。描述層為刻錄前是透明的而刻錄后是反射性的，意指在刻錄后層的透射率降低而層的反射率提高。在上述實例中，根據(jù)等式l，材料M1(鋁)和M3(Al和Ge的混合物)分別具有預(yù)測的等離子體頻率1.4xl0"和5x1012。根據(jù)上述概說的理論，材料Ml將對具有頻率4.7x10"的讀光束是反射性的，而材料M3將對讀光束是透明的。對材料M1和M3進行實際測量以確定材料何時從更大反射性的變?yōu)楦该鞯摹Σ牧螹1(鋁)和M3(Al、Ge和Al-Ge的混合物)測量的等離子體頻率分別是1.6x10"和7x1012。巨大材料M1對讀光束的反射率和透射率分別是96%和0%。巨大材料]^3對讀光束的反射率和透射率分別是11%和65%。測量的光學(xué)性能與理論一致，即M1將是更大反射性的而M3將是更透明的。因此，盡管等式l是預(yù)測等離子體頻率的近似值，其在通過選擇具有想要的光學(xué)特性的材料而設(shè)計可記錄層方面是有用的。上述描述解釋了就單層的等離子體頻率而言薄材料層的光學(xué)特性，其中基于材料的電荷載流子密度和有效電荷載流子質(zhì)量確定材料層的等離子體頻率，材料的電荷載流子密度和有效電荷載流子質(zhì)量二者都是在材料是巨大形式時測量的。上述理論對于由多層制成的結(jié)構(gòu)在每層薄于其德拜長度時是適用的，條件是"有效"值n和m是在該多層結(jié)構(gòu)處用實驗方法測量的。當兩個薄層相互鄰近放置時，出現(xiàn)導(dǎo)帶和/或價帶能級(有時稱作化學(xué)勢)的差，以致電荷載流子從一層遷移至另一層并且造成電荷分離。由于層相對于各德拜長度薄，所以異性電荷被分離開非常短的距離，在兩薄層產(chǎn)生強電場。由于電荷載流子的遷移和橫跨兩層的強電場，兩層可被看作具有有效的等離子體頻率(coeffeetive—12)，其通過有效的電荷載流子密度和有效的電荷載流子質(zhì)量確定。當具有材料M1和M2的兩薄層在應(yīng)用外部能量時結(jié)合以形成材料M3，層中電荷載流子的有效密度和有效質(zhì)量(分別是n和m)改變，因此改變等離子體頻率。這可導(dǎo)致可記錄層對于讀光束108的透明度或不透明度的改例如，如果①3〈0),證〈(Oeffeetive—12，可記錄層126對于讀光束108將從反射性的(記錄前)變成透明的(記錄后)。另一方面，如果COeffeetive—12<C0laser<C03，可記錄層126對于讀光束108將從透明的(記錄前)變成反射性的(記錄后)。這一特性可以在提供移動光反射的物理位置的設(shè)計靈活性上是有用的。2.2德拜長度材料的德拜長度取決于載流子密度，材料的德拜長度通常涉及材料中屏蔽所應(yīng)用的電荷或電場的電荷載流子云的厚度。當帶電顆粒置于材料中時，帶電顆粒將吸引具有相反極性的電荷載流子，從而電荷載流子云將圍繞帶電顆粒。電荷載流子云將電場與帶電顆粒屏蔽開，并且電荷載流子密度越大，給定距離內(nèi)的屏蔽效應(yīng)越大。由于由帶電顆粒屏蔽，電勢9根據(jù)等式9=<formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula>呈指數(shù)衰減，其中(P0是帶電顆粒處的電勢，X是離帶電顆粒的距離，和XD是德拜長度，其可以表示為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula>參見FrancisChen的"IntroductiontoPlasmaPhysics",Section1.4:DebyeShielding,8-ll頁。該德拜長度表示屏蔽距離的測量值或電荷載流子云的厚度。當由材料中局部化電荷密度改變所產(chǎn)生的電場中有波動時，波動的影響大部分被位于幾個德拜長度內(nèi)的電荷載流子感知。電荷密度的改變可以通過例如電荷載流子移動通過界面，電磁波通過材料，或者由于熱效應(yīng)的電荷密度波動所誘發(fā)。就對于電磁波是反射性的材料而言，很大百分比的電磁波反射發(fā)生于距入射表面的幾個德拜長度內(nèi)。就對于電磁波是吸收性的材料而言，很大百分比的電磁波在幾個德拜長度內(nèi)被吸收或轉(zhuǎn)變成熱。當具有不同電子能級(例如不同的最高未占據(jù)電子能級，稱作導(dǎo)帶或HUMO，和最低占據(jù)電子能級，稱作價帶或LOMO)的兩種材料接觸，電荷分離將造成在界面產(chǎn)生電場。電場的影響被界面附近的電荷載流子的鞘層所屏蔽或減少。當兩種材料是薄層，例如，薄層的總厚度小于德拜長度時，將有遍及兩層整體的強電場，其強度可以高達100，000V/cm。該強電場可以輔助兩層中的材料在能量(例如來自寫光束的能量)應(yīng)用時相互作用并結(jié)合。作為對比，當層很厚時，層大部分橫截面中的電場可忽略并且不提供對兩層中材料相互作用的輔助。相同的原理可以用于三個或更多個薄材料層的相互作用或結(jié)合。對于半導(dǎo)體，n是約10171019，其平方根是約3x1083x109，并且r是室溫下約300。K，所以德拜長度是約10100nm。對于金屬，n是約10211023，因此德拜長度是約l10nm。例如，鋁的德拜長度在室溫下小于lnm，并且在700。K是約2nm。根據(jù)雜質(zhì)的濃度，摻雜雜質(zhì)的Ge的德拜長度在室溫下是約30nm80nm。具有薄層的可記錄層的一特征是大電場可以輔助吸熱反應(yīng)，其在反應(yīng)期間不放熱。僅需要小面積功率密度以造成兩層的結(jié)合。由于只有暴露給更高等級寫光束的兩層的那部分將結(jié)合，其高于吸收的閾值空間功率密度，并且也高于吸收的閾值空間能量密度(即有足夠功率級別和足夠的高-功率-開啟持續(xù)時間)，所以記錄標記被很好的限定。因為需要更小面積功率密度，所以可以提高寫速度或者可以減小激光寫入功率。當有強電場時，存在跨越界面的電勢，因此小量能量可以造成分子移動跨越界面(從更高勢能區(qū)域到更低勢能區(qū)域)，造成來自兩層的材料摻合。相比之下，如果沒有大電場，需要每單位體積更大功率以誘發(fā)吸熱反應(yīng)。在使用有機染料的常規(guī)可記錄盤中，使用高面積功率密度以加熱有機染料從而造成分解或氧化，其是放熱反應(yīng)。記錄標記的大小通過熱波前(wavefront)在冷卻前傳播的距離而確定。因此記錄標記可能沒有很好限定。對于在放熱反應(yīng)中沒有相互作用的兩個厚材料層，一種在沒有強電場協(xié)助下結(jié)合兩種材料的方式是加熱材料至其熔點以允許材料由于布朗運動而摻合。該反應(yīng)需要更高的功率和能量密度。具有薄層的可記錄層的另一特征是薄層可以具有降低的氧化率。例如，當鋁暴露于空氣時，將在表面形成具有厚度約37nm的氧化鋁層。如果例如5nm鋁薄層沉積在材料的另一薄層上，由于通過上述電荷分離形成的強電場可能阻止鋁薄層氧化。3、選擇材料在第一部分描述的可記錄層的實例中，材料M1、M2和M3分別是硅、鍺和Si、Ge及Si-Ge的混合物?？梢允褂闷渌牧弦赃_到類似的效果。一種材料選擇方法基于多步驟，其中首先部分基于理論考慮因素識別材料，然后對材料自身進行實驗性測量，然后對具有以特定材料(和厚度)制造的可記錄層的可記錄盤進行實驗性測量。通常，可記錄層126中每層(例如122和124)的厚度在該層德拜長度的分數(shù)部分至德拜長度的幾倍范圍內(nèi)?？捎涗泴拥目偤穸韧ǔ＿x擇為一起考慮的層的有效德拜長度的至多幾倍。如上所討論，可記錄層126具有薄的厚度允許在可記錄層126中產(chǎn)生強電場以促進刻錄過程期間層(例如122和124)的結(jié)合。如果將可記錄盤用于標準記錄和讀取裝置，層需要具有滿足盤標準的反射特性。例如DVD+R和DVD-R盤要求初始反射率(刻錄前)不小于45%。在沒有強界面電場的情況下，對于其中僅一個子層是反射性的以滿足反射率不低于45%的要求的兩層結(jié)構(gòu)，反射性子層的厚度應(yīng)大于其德拜長度。如果層太薄，大部分的讀光束將通過該層而不被反射。雙層DVD+R或DVD-R盤要求初始反射率不低于16%。因此，對于雙層DVD盤，可記錄層126可以做得更薄。電荷分離可以造成電荷載流子移動至更低載流子密度的層，其反射率從不反射改變到非常反射性的。大電場也可以改變通過界面的EM波傳播。在強界面場的幫助下，薄層間相互作用所需的能量降低。因此，當每層具有等于或小于其德拜長度的厚度時，盡管吸收的能量的量減少，該能量的量仍足以造成兩薄層間的反應(yīng)。進一步的考慮因素是層需要具有足夠厚度和吸收特性以吸收足夠的寫光束能量以造成材料M1和M2的兩層結(jié)合形成材料M3的第三層。如果可記錄層126太薄，大部分的寫光束將通過可記錄層126而不被吸收。圖3示出用于設(shè)計DVD+RDL盤的第一層的兩層122和124(圖2B)的過程150的實例。通過找出一對材料，其中至少一種材料對于讀光束108是反射性的(且具有高于讀光束的等離子體頻率)，并且預(yù)測該對材料將結(jié)合以形成對于讀光束是透明的(且具有低于讀光束的等離子體頻率)的材料M3，選擇152用于層122和124的候選材料M1和M2。確定了候選材料M1和M2后，實驗性特性如下所確定。光學(xué)特性的測量利用沉積在小玻璃襯底上的子層厚度的各種結(jié)合。制作該樣品的多個相同拷貝，并在不同熱環(huán)境下加以處理。例如，兩層中每層五種厚度-二十五種結(jié)合-被沉積到每個玻璃襯底上，并且制作每種結(jié)合的八個拷貝。這對于特定候選對得到總共二百個樣品。在進一步處理前，在例如190nm1000nm的波長的光譜上對反射率和透射率值加以測量155。樣品的八個拷貝放于晶片上并在加熱室中加熱156，惰性氣體流過加熱室。在不同時間從加熱室回收樣品。不同加熱期表示應(yīng)用于兩層的不同功率，并且提供可以用于確定需要多大激光功率以造成兩層結(jié)合的信息。對反射率和透射率的值加以測量158。加熱前測量的二十五個反射率和透射率的值與加熱后測量的二百個反射率和透射率的值相比較。通過找出對于讀光束108對比和/或其它要求合格的候選者，選擇160想要的厚度結(jié)合。記錄需要的寫入功率。所有上述信息可以存儲于數(shù)據(jù)庫用于后續(xù)檢索(retrieval)。然后用形成162的檢測盤評價層厚的特定結(jié)合，并且在盤上刻錄164數(shù)據(jù)。在顯微鏡下檢測檢測盤上形成的標記。盤的光學(xué)特性受到測量166，包括盤的有和無數(shù)據(jù)的部分的反射率和透射率，以及從檢測盤讀取的信號的準確度。例如，如果步驟166的測量結(jié)果符合標準，那么步驟152選擇的候選材料被確定為適于DVD+RDL盤的層122和124。4、兩薄層的光學(xué)特性在第一部分描述的實例中，可記錄層126具有兩層122和124，其被選擇以至層122和124—起在刻錄前對讀光束108是反射性的，而在刻錄后變成對讀光束是透明的，導(dǎo)致與盤在刻錄后的反射率降低相關(guān)的光學(xué)對比。兩層122和124的其它構(gòu)型也可以，包括刻錄后對于讀光束提高反射率，或者改變反射位置的兩層。通常，在設(shè)計具有兩薄層的可記錄層時，通過考慮相對于讀光束108的頻率的材料等離子體頻率來選擇層的材料是有用的。例如，下面是四類具有兩薄層122和124的可記錄層126。在l、2和3類中，兩層122和124(具有材料M1和M2)在應(yīng)用寫入頻率時結(jié)合以形成材料M3的第三層。在第4類中，兩層122和124在應(yīng)用寫入頻率時部分結(jié)合以形成材料M3的第三層。讀激光首先撞擊M1然后是M2。在此，術(shù)語"寫入功率"指足夠?qū)擞浻涗浽诳捎涗泴?26中的激光功率級別。在下述討論中，叫a^是讀光束頻率，而o)l、co2和co3分別是材料Ml、M2和M3的等離子體頻率。第l類這一類由3<0)13^的事實所表征。也就是說，C03<C0laser<O)2<C0l、(03<Q)2〈COlaser〈①1、C03〈①iaser〈W1〈C02或C03〈CO1〈C0iaser〈Co2。]t匕類中，應(yīng)用寫入功率后，可記錄層126從對于讀光束108是更大反射性的變成更透明的，或者從具有更高反射率變成具有更低反射率。此類中，刻錄后，反射率(R)減小而透射率(T)增大。此處R和T指可記錄層126的反射率和透射率，而非整個盤104的那些。第一部分描述的可記錄層126的實例屬于此類。通過刻錄后增大T，更多的光可以在刻錄后通過可記錄層126。如進一步在下面部分討論，這一特性可以在多刻錄層可記錄盤例如DVD+RDL中是有用的，以允許更多的光用于寫入或讀取記錄在第二、第三或其它可記錄層的數(shù)據(jù)并且不被記錄在前面層的數(shù)據(jù)區(qū)域干擾。第2類此類由wlaser<w3的事實所表征。也就是說，w2<wl<wlaser<w3、w1<wlaser〈w2〈w3或w2<wl<wlaser<w3。此類中，應(yīng)用寫入功率后，可記錄層126從對于讀光束108是更透明的變成是更大反射性的。此類中，刻錄后，R增大而T減小。上述第1和2類的一些實例也由這樣的事實表征，即記錄后的吸收率(A)變化不大(例如，吸收率增大或減小少于10%)。因此，在刻錄過程中R和T之間有一折衷。相比之下，常規(guī)記錄方法中，例如使用有機染料的那些，折衷是在A和T之間，通過刻錄后增大A而減小T，更多的光被阻止從染料層后面的反射金屬層反射回去，從而減小盤的總反射率。第3類此類山w1<wlaser<w3的事實所表征。也就是說w1〈wlaser〈w3〈co2，w1(w2〈wlaser〈w3或w1〈wlaser〈w2〈co3。此類中，材料M1對于讀光束108是透明的，而材料M2和M3對于讀光束108是反射性的。參考圖4A，在w1(w2〈wlaser〈w3或w1〈wlaser〈w2〈co3的一個實例中，刻錄前，讀光束108通過材料M1并且被材料M2反射。參考圖4B，刻錄后形成材料M3，其反射讀光束108。在該實例中，讀光束108在刻錄前被可記錄層126的一部分反射，并且在刻錄后被刻錄層126的整個厚度反射。對比圖4A和4B，結(jié)合材料M1和M2以形成材料M3，具有將反射位置移動與材料M1的層122厚度相等的距離的作用。反射表面從層122和124間的界面170移至可記錄層126和襯底120間的界面172。參考圖4C，在wol〈w2〈wlascr〈w3的另一實例中，反射層R127在M2層后放置以便刻錄前，讀光束108通過材料M1和M2，并且被反射層R127所反射。對比圖4C和4B，結(jié)合材料M1和M2以形成材料M3，具有將反射位置移動與刻錄層離的作用。在上述兩個實例中，該反射位置的移動在具有共振腔的可記錄層中可以是有用的，其在本說明書下面的部分更具體說明。第4類此類由產(chǎn)生其它層并且該其他層夾在M1和M2層之間的事實所表征。圖5A示出這樣的實例選擇層122和124的厚度以及材料M1和M2以便當激光功率提高至寫入功率持續(xù)指定時間段時，材料M1和M2在界面處部分結(jié)合而沒有完全結(jié)合，從而形成夾在材料M1和M2之間的材料M3的第三層。材料M3可以例如通過材料M1和M2的部分混合、部分反應(yīng)或部分擴散而形成?？啼浐笥蓛蓪赢a(chǎn)生三層，這在具有共振腔的可記錄層中也可以是有用的。第5類此類的特征是在前面種類中描述的刻錄層前或后堆積一個或更多其它層。此類在下面第7部分中描述，其描述了通過結(jié)合多于一個薄層形成刻錄層。為了與現(xiàn)有商業(yè)系統(tǒng)例如CD-R、DVD+R、DVD-R和DVD+RDL盤驅(qū)動兼容，設(shè)計具有上述薄層的盤以致其參數(shù)滿足由該系統(tǒng)指定的要求。比這一部分描述的雙層納米結(jié)構(gòu)設(shè)計更復(fù)雜的層結(jié)構(gòu)設(shè)計可以被使用。前述用于產(chǎn)生光學(xué)對比的一般原理仍舊可以用于這些更復(fù)雜的設(shè)計。使用薄層的優(yōu)點在于需要更少的能量以造成薄層結(jié)合。對于具有特定功率的給定寫光束，刻錄(例如在光盤上制作可讀標記)所需能量越少，寫光束可以更快地掃描通過光盤同時寫入相同量的信息，導(dǎo)致更快的寫速度。使用薄層的另一優(yōu)點在于對于層需要更少的材料，從而降低材料成本。當對層使用昂貴的材料例如金或銀時，制造大量盤的成本節(jié)約可以是顯著的。5、材料在上述第3部分描述了選擇材料的方法。若干不同的材料和材料類型是用于上述類型的記錄結(jié)構(gòu)的候選者。兩層可以都是無機材料。材料M1和M2之一或兩者可以是金屬，例如金、銅、鋁、錫或銀。材料Ml/M2可以是金屬/另一金屬、金屬/金屬合金、金屬合金/另一金屬合金。用于兩層的材料Ml/M2可以是金屬/其氧化物、金屬/其氮化物、金屬/其氧化物和/或氮化物的混合物、金屬/金屬，其氧化物和/或氮化物的混合物、金屬合金/一種組分的氧化物、金屬合金/一種組分的氮化物、金屬合金/一種組分的氧化物和氮化物的混合物、金屬合金/一種以上組分的氧化物或氮化物的混合物、金屬合金/一種以上組分的氧化物和氮化物的組合物、金屬合金/金屬，一種以上其組分的氧化物和氮化物的混合物。材料Ml/M2可以是金屬/其它金屬的氧化物和/或氮化物、金屬合金/其它金屬的氧化物和/或氮化物。材料之一或二者可以是半導(dǎo)體，例如硅或鍺。材料M1/M2可以是半導(dǎo)體/另一半導(dǎo)體、半導(dǎo)體/半導(dǎo)體混合物、半導(dǎo)體混合物/另一半導(dǎo)體混合物、半導(dǎo)體/其氧化物、半導(dǎo)體/其氮化物、半導(dǎo)體/其氧化物和/或氮化物的混合物、半導(dǎo)體混合物/一種組分的氧化物或氮化物，半導(dǎo)體混合物/一種組分或一種以上組分的氧化物和/或氮化物的混合物。一種材料M1可以是金屬，而另一種材料M2可以是半導(dǎo)體，或者反之亦然。材料Ml/M2可以是金屬/半導(dǎo)體、金屬合金/半導(dǎo)體、金屬/半導(dǎo)體混合物、金屬合金/半導(dǎo)體混合物。材料Ml/M2可以是金屬/半導(dǎo)體氧化物、金屬/半導(dǎo)體氮化物、金屬/半導(dǎo)體氧化物和氮化物的混合物、金屬/一種半導(dǎo)體與一種半導(dǎo)體氧化物和/或氮化物的混合物、金屬/多種半導(dǎo)體與多種半導(dǎo)體氧化物和/或氮化物的混合物。材料Ml/M2可以是金屬合金/半導(dǎo)體氧化物、金屬合金/半導(dǎo)體氮化物、金屬合金/半導(dǎo)體氧化物和氮化物的混合物、金屬合金/一種半導(dǎo)體與一種半導(dǎo)體氧化物和/或氮化物的混合物、金屬合金/多種半導(dǎo)體與多種半導(dǎo)體氧化物和/或氮化物的混合物。材料Ml/M2可以是半導(dǎo)體/金屬氧化物、半導(dǎo)體/金屬氮化物、半導(dǎo)體/金屬氧化物和/或氮化物的混合物、半導(dǎo)體/金屬，金屬氧化物和/或氮化物的混合物、半導(dǎo)體/金屬氧化物的混合物、半導(dǎo)體/金屬氮化物的混合物、半導(dǎo)體/金屬的氧化物和/或氮化物混合物、半導(dǎo)體/多種金屬，金屬氧化物和/或氮化物混合物、半導(dǎo)體混合物/金屬氧化物、半導(dǎo)體混合物/金屬氮化物、半導(dǎo)體混合物/金屬氧化物和/或氮化物混合物、半導(dǎo)體/金屬氧化物混合物、半導(dǎo)體/金屬氮化物混合物、半導(dǎo)體混合物/金屬氧化物和/或氮化物混合物、半導(dǎo)體/多種金屬，金屬氧化物和/或氮化物混合物。材料M1和M2可以都是介電材料。6、兩薄層的形成和結(jié)合6.1連續(xù)的材料層兩薄層122和124中每一層可以是連續(xù)的材料層，其可以在襯底120上利用下述技術(shù)形成，該技術(shù)可以包括但不限于物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強化學(xué)氣相沉積、金屬有機化學(xué)氣相沉積或分子束外延。6.2材料的"島"如上所述，薄材料層可以空間連續(xù)的方式形成。這一連續(xù)膜可以沉積在襯底上或在之前沉積的層的上面，并且控制沉積速率和沉積時間以便達到想要的厚度。注意的是室溫下具有高載流子密度的材料(例如金屬)的德拜長度可以小于一納米。作為沉積具有如此小的厚度的可能困難的方法的替代，不連續(xù)區(qū)域或材料島可以被沉積以達到想要的"有效厚度"。在一個實例中，島的直徑小于讀光束108和寫光束106的直徑。例如，讀和寫光束的直徑是l微米，而島的直徑是約10nm。由于讀和寫光束不分辨小尺寸的島，所以該島對于讀和寫光束呈現(xiàn)為具有有效厚度的連續(xù)層。材料的島可以利用下述技術(shù)，而用更低的操作功率或用更短的操作持續(xù)期形成，這些技術(shù)可以包括但不限于上面描述的物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強化學(xué)氣相沉積、金屬有機化學(xué)氣相沉積或分子束外延。一些實例中，島可以具有不同的尺寸，并且可連接一些島。一些實例中，隨著沉積的材料增加，許多島變成連接的，導(dǎo)致連續(xù)的材料層，其具有分布于該層的空間(或空穴)，以致該材料層不完全覆蓋其他層或與之重疊。圖6A示出一實例，其中層124包括材料M2的島180，其在空間連續(xù)的M1材料層的上面形成。假定島180的平均厚度是5nm，并且島180覆蓋或重疊約15%的層122，那么材料M2的有效厚度將接近5nmx15%=0.75nm。圖6B示出一實例，其中空間連續(xù)的M2材料層沉積在材料M1的島上面。圖6C示出一實例，其中材料M1和M2的島沉積在襯底120上。圖6D示出在襯底120上形成的材料M1和M2的堆疊的島。堆疊可以通過例如沉積連續(xù)的M1和M2材料層，然后蝕刻連續(xù)層以形成堆疊來形成。6.3利用化學(xué)反應(yīng)形成薄層形成薄層的另一方法是誘發(fā)與材料的化學(xué)反應(yīng)。例如，圖2C中的層124可以通過氧化層122而形成。注意的是，在上述部分2.1中描述的由于電荷分離所產(chǎn)生的電場可以根據(jù)電場的方向或幫助或阻止化學(xué)反應(yīng)(包括氧化)發(fā)生。在一實例中，層122是一硅層。通過傳送空氣(其包括氧氣和氮氣)在該硅層上，氧化硅薄層在該硅層上形成。該氧化硅可以在硅層的任一側(cè)或者兩側(cè)上生長。另一實例中，氮氣與層122中的材料相互作用以形成氮化物，其成為層124。6.4結(jié)合兩層當兩層很薄(例如小于有效德拜長度)時，兩層的結(jié)合可以被電荷分離所產(chǎn)生的電場所促進。然后相比于造成兩更厚層結(jié)合所需的能量，可能需要每單位體積更小量的能量以形成結(jié)合。在系統(tǒng)的各種樣式中，兩薄層結(jié)合可以通過例如但不限于混合、界限模糊化、合金化、化學(xué)反應(yīng)、擴散或界限上場感應(yīng)質(zhì)量傳遞而實現(xiàn)。兩層間的反應(yīng)可以是吸熱的或放熱的。在兩薄層具有材料(Ml，M2)=(Si，Ge)或(Au，銦錫氧化物(ITO)的實例中，兩薄層間的反應(yīng)是吸熱反應(yīng)。如果層更厚，例如具有相當于四分之一波長的厚度，該反應(yīng)將需要更高的功率密度。當層很薄例如在幾個德拜長度內(nèi)時，由于電荷分離產(chǎn)生的強電場將協(xié)助該反應(yīng)，以便具有更低功率密度的寫光束可以在用于相同的持續(xù)時間時被使用，或者具有相同功率密度的寫光束可以用于更短時間。7、各自都具有兩薄層的可記錄層的實例制備可記錄層的樣品，每個具有兩個薄材料層(每層近似等于或小于20nm)，并且測量其在熱處理(或刻錄)前后的光學(xué)特性。測量值如下述表l-9所示?；趦杀拥牟牧项愋涂梢詫悠贩殖晌孱?1)金屬/金屬，(2)金屬/絕緣體，(3)半導(dǎo)體/半導(dǎo)體，(4)半導(dǎo)體/絕緣體，和(5)金屬/半導(dǎo)體。每種樣品包括玻璃襯底或聚碳酸酯襯底。玻璃襯底用超聲波清洗儀清洗并且浸漬在丙酮或乙醇中至少10分鐘。聚碳酸酯襯底在生產(chǎn)出來后保持在清潔且干燥的環(huán)境下。在每個樣品中，兩薄材料層利用獲得自Unaxis的濺射裝置ModularSingleDiskSputteringSystem"TrioCUBE"(Balzers)沉積在襯底上。保持主室和處理室的基壓(basepressure)低于10'7毫巴。處理室中的操作壓在10—31(^毫巴的范圍內(nèi)。用氬氣作為工作氣體制備樣品。利用濺射時間(通常小于4秒)和濺射功率密度(通常1.515W/cm2)確定層的厚度。表中顯示的材料的厚度基于所使用的材料的濺射率、濺射時間以及濺射功率而估算。在沉積兩層后馬上利用N&KAnalyzer1200RT測量玻璃襯底上制備的每個可記錄層的反射率和透射率。在下表中將該測量表示為"熱處理前"。利用具有不同波長的三種不同激光(讀光束)測量反射率和透射率，該不同波長對應(yīng)于三種光盤標準，分別是藍光DVD或HDDVD(405nm)、DVD(655nm)和壓縮盤(780nm)。樣品在具有93%氬氣和7%氫氣以防止熱處理時氧化的環(huán)境的爐中受到熱處理。下表中表明熱處理溫度。熱處理時間是兩小時。熱處理后，利用三種標準激光波長再次測量樣品的反射率和透射率。反射率和透射率值在表中表示為"熱處理后"。"光學(xué)對比"表示熱處理前后的反射率的對比，并且定義為(Rb-Ra)/Rb，其中Rb和Ra分別是熱處理前后的反射率。使用聚碳酸酯襯底的樣品與保護層結(jié)合以形成光盤。利用獲得自Pulstec的DDU-1000檢測裝備進行刻錄過程。激光刻錄功率在0.7mW55mW的范圍，并且激光波長是655nm。測量可記錄層在刻錄前后的反射率并且在表中分別表示為"記錄前"和"記錄后"。在使用聚碳酸酯襯底的樣品中，可以利用裸眼容易地識別到刻錄的區(qū)域明顯比未刻錄區(qū)域更加透明，因此沒有測量精確的透射率。7.1具有金屬/金屬薄層的可記錄層表1<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table>表l示出的測量表明，當兩薄層是Au(2.4nm)和Ag(15nm)時，熱處理后，對于具有波長655nm和780nm的讀光束，透射率增大而反射率降低。在波長655nm和780nm處，反射率的對比分別是55.93%和64.48%。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>表3示出的測量表明，當兩薄層是Ag—Al—Cu—合金(8nm)和Si02(2.4nm)時，熱處理后，對于具有波長405nm、655nm和780nm的讀光束，透射率增大而反射率降低。在波長405nm、655nm和780nm處，反射率的對比分別是31.4。/。、57.46%和59.58%。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>表4示出的測量表明，當兩薄層是A1(6nm)和AlOx(~1nm)時，刻錄后，對于具有波長655nm的讀光束，反射率降低。反射率的對比是86.67%?；诼阊鄣囊曈X檢測，刻錄部分的透射率高于未寫入部分。7.3具有半導(dǎo)體/半導(dǎo)體薄層的可記錄層表5<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>表5示出的測量表明，當兩薄層是Si(9nm)和Ge(20nm)時，刻錄后，對于具有波長655nm的讀光束，反射率降低。反射率的對比是62.03%。基于裸眼的視覺檢測，刻錄部分的透射率高于未寫入部分。7.4具有半導(dǎo)體/絕緣體薄層的可記錄層表6<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>表6示出的測量表明，當兩薄層是Ge(20nm)和GeOx(1nm)時，刻錄后，對于具有波長655nm的讀光束，反射率降低。反射率的對比是76.00%?；诼阊鄣囊曈X檢測，刻錄部分的透射率高于未寫入部分。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>表7示出的測量表明，當兩薄層是Si(18nm)和SiOx(~1nm)時，刻錄后，對于具有波長655nm的讀光束，反射率降低。反射率的對比是48.01%?；诼阊鄣囊曈X檢測，刻錄部分的透射率高于未寫入部分。7.5具有金屬/半導(dǎo)體薄層的可記錄層表8<table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table>表8示出的測量表明，當兩薄層是Ag(6nm)和Ge(20nm)時，熱處理后，對于具有波長405nm、655nm和780nm的讀光束，透射率增大而反射率降低。在波長405nm、655nm和780nm處，反射率的對比分別是84.87%、49.07%和26.39%。表9<table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table>表9示出的測量表明，當兩薄層是Si(2.4nm)和A1(6nm)時，熱處理后，對于具有波長405nm、655nm和780nm的讀光束，透射率增大而反射率降低。在波長405nm、655nm和780nm處，反射率的對比分別是56.62%、69.80%和72.39%。8、替代刻錄結(jié)構(gòu)上述實例中，光盤通常具有一個刻錄層，其包括兩薄層，其中兩薄層在應(yīng)用寫光束時相互作用。作為選擇，光盤也可以具有兩個或更多個刻錄層，每個包括多個薄層。另外的刻錄層允許光盤具有更大存儲容量。作為另一替代，在一個刻錄層中兩個以上的薄層可以用于產(chǎn)生刻錄時改變光學(xué)對比的不同機構(gòu)。8,1多個刻錄層上述類型的方法可以應(yīng)用于記錄介質(zhì)，例如可記錄盤，以致兩個或更多個刻錄層被使用，并且刻錄或讀取一層的光束可能必須通過另一層。因此，諸如刻錄層的透射率之類的特性可以影響利用另一層實現(xiàn)的性能(例如，改變光學(xué)對比)特性。圖7示出一種可記錄盤的橫截面，此處稱作雙層可記錄盤290，其具有透明襯底120、第一刻錄層292、透明間隔層296、第二刻錄層294以及保護層128。讀和寫光束從襯底120的那側(cè)進入盤170。對第一刻錄層292讀取數(shù)據(jù)和寫入數(shù)據(jù)與對圖2A中盤104的刻錄層126讀取數(shù)據(jù)和寫入數(shù)據(jù)類似。然而，對第二刻錄層294讀取數(shù)據(jù)和寫入數(shù)據(jù)受第一層292的透射特性所影響，因為通過第一刻錄層292的光的多少決定可用于對第二刻錄層294讀取數(shù)據(jù)和寫入數(shù)據(jù)的光的多少。假設(shè)刻錄前，第一刻錄層292具有反射率R1和透射率T1，而第二刻錄層294具有反射率R3。假設(shè)刻錄后，第一刻錄層292具有反射率R2和透射率T2，而第二刻錄層294具有反射率R4。第一刻錄層292的光學(xué)對比調(diào)制是(Rl-R2)/Rl，而第二刻錄層294的光學(xué)對比調(diào)制是<formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula>此處，第二刻錄層294的光學(xué)對比調(diào)制指由位于襯底120外面的檢測器(例如110)測量的反射率的對比。作為實例，假設(shè)刻錄后，第一刻錄層292的反射率減少40%而透射率增加15%，因此R2=0.4R1且T2=1.15Tl，那么，第一刻錄層292的光學(xué)對比調(diào)制是(卜0.4)/1=60%。如果刻錄后，第二刻錄層294的反射率也減少40%，以致于R4:0.4xR3，那么第二刻錄層292的光學(xué)對比調(diào)制是(1-0.4x1.152)/1=47%，其小于第一刻錄層292的光學(xué)對比調(diào)制。圖8A-8C示出一種雙層可記錄盤，其中每個刻錄層包括兩子層。通常，圖8A-8C可以與說明單獨刻錄層的使用的圖2A-2C對比。圖8A示出雙層可記錄盤170沿軌道徑向的橫截面。盤170包括透明襯底120、第一刻錄層126、透明間隔層182、第二刻錄層176以及保護層128。讀和寫光束從襯底120的那側(cè)進入盤170。第一刻錄層126包括材料M1的第一層122和材料M2的第二層124，其可以與用于圖2A-2C的盤104的那些類似。類似于盤104，雙層盤170的第一和第二層122和124每層具有的厚度小于各層的德拜長度。透明襯底120和保護層128可以由玻璃或聚碳酸酯組成。第二刻錄層176包括材料M4的第一層172和材料M5的第二層174，其可以是與層122和124類似的薄層。類似于制造圖2A-2C的盤104的方法，多種制造方法可以用于在盤170上制作刻錄層的薄子層。例如，每層可以利用物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)、金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)或分子束外延(MBE)在前層上面形成。類似于盤104，盤170包括凹槽道130以及凸區(qū)道132，其由于它們相對于襯底120的不同高度而對于讀光束具有不同的反射率。例如，根據(jù)使用的記錄標準，數(shù)據(jù)可以僅僅寫入凹槽道130，僅僅寫入凸區(qū)道132，或者既寫入凹槽道又寫入凸區(qū)道。圖8B示出盤170沿著與軌道平行的縱向橫截面。圖8C示出刻錄后的同一橫截面。一些實例中，用于寫入數(shù)據(jù)至第一刻錄層126中的寫入過.程類似于用于寫入數(shù)據(jù)至盤104的第一刻錄層126中的寫入過程。當寫光束聚焦于盤170中的第一刻錄層126上時，寫光束的熱能提高刻錄層126的溫度，造成材料M1和M2相互作用以形成材料M3的層142，其具有不同于層122和124結(jié)合的光學(xué)特性。在第一和第二層172和174是與第一和第二層122和124類似薄層的實例中，寫入數(shù)據(jù)至第二刻錄層176的寫入過程與寫入數(shù)據(jù)至第一刻錄層126的寫入過程類似。當寫光束聚焦于第二刻錄層176上時，寫光束的熱能提高刻錄層176的溫度，造成材料M4和M5相互作用以形成材料M6的層184，其具有不同于層172和174結(jié)合的光學(xué)特性。雙層盤170可符合例如雙層DVD+R(DVD+RDL)的標準技術(shù)要求。例如，通過當盤以2.4X的速度轉(zhuǎn)動時以小于30mW的功率級別應(yīng)用波長655nm的激光束于光斑上，而以4X速度轉(zhuǎn)動時以小于40mW的功率水平應(yīng)用波長655nm的激光束于光斑上實現(xiàn)寫入。一些實例中，第一刻錄層126吸收接近20%或更少的束能，而第二刻錄層176吸收接近同樣量的能量。在訪問(access)第一刻錄層126的讀取操作期間，由檢測器110檢測的反射信號大多由第一刻錄層126的反射率特性所確定。在訪問第二刻錄層176的讀取操作期間，由檢測器U0檢測的反射信號大多由第二刻錄層176的反射率特性以及第一刻錄層126的透射特性所確定。當讀光束聚焦于第一刻錄層126的未寫入部分144時，反射率和透射率分別表示為R1和T1。當讀光束聚焦于第一刻錄層126的寫入部分142時，反射率和透射率分別表示為R2和T2。參數(shù)R1和R2表示盤170在光束聚焦于第一刻錄層126時的總反射率。盡管一些光也被第二刻錄層176反射，但由第二刻錄層176反射的光散焦并且檢測器110僅檢測到可忽略的量。在這一實例中，選擇層122和124的材料和厚度以便R1〉R2且TKT2。具體地，在讀光束的波長655nm處，Rl-17%，R2-7%，Tl-62。/。和T2-73。/。。在此，111>16%并且光學(xué)對比調(diào)制(Rl-R2)/Rl-60%,其滿足雙層DVD+R標準的第一層。當讀光束108掃描第一刻錄層126的軌道時，由第一刻錄層126反射的光的量根據(jù)讀光束108是否聚焦于部分140或144而變化。檢測反射率的變化，因此讀取先前由寫光束在第一刻錄層126中記錄的數(shù)據(jù)。當讀光束聚焦于第二刻錄層176的未寫入部分188時，反射率表示為R3。當讀光束聚焦于第二刻錄層176的寫入部分186時，反射率表示為R4。參數(shù)R3和R4表示盤170在光束聚焦于第二刻錄層176時的總反射率。在這一實例中，選擇層172和174的材料和厚度以便R3〉R4，R3>16%，且光學(xué)對比調(diào)制(R3-R4)/R3>60%，其滿足雙層DVD+R標準的第二層。由于第二刻錄層176反射的光量取決于到達第二刻錄層176的光量，所以參數(shù)R3和R4受參數(shù)T1和T2影響。將薄層用于層122和124的優(yōu)點在于T1和T2都大于60%，因此超過60%的讀光束傳遞到第二刻錄層176。當讀光束掃描第二刻錄層176中的軌道時，第二刻錄層176反射的光量根據(jù)讀光束108是否聚焦于部分186或188而變化。檢測反射率的該變化，從而讀取先前由寫光束在第二刻錄層176中記錄的數(shù)據(jù)。在圖8A-8C的實例中，盤170包括兩個刻錄層126和176。也可使用額外的刻錄層。例如，圖9示出盤190沿平行于軌道的縱向橫截面。盤190包括透明襯底120、第一刻錄層126、第一透明間隔層182、第二刻錄層176、第二透明間隔層198、第三刻錄層176和保護層128。讀和寫光束從襯底120的那側(cè)進入盤170。在這一實例中，第一、第二和第三刻錄層的每層都使用薄層。選擇第一和第二刻錄層每層的子層材料和厚度以便超過60%的光通過到第一和第二刻錄層的每層?？紤]到層120、182和198的吸收，將仍有約30%的入射光到達第三刻錄層196。由于第三刻錄層196的薄子層只需要少量能量以反應(yīng)(由于子層中的強電場的緣故)，所以到達第三刻錄層196的光量具有足夠的功率密度以造成兩個薄子層結(jié)合并改變反射率。8.2具有兩個以上薄層的刻錄結(jié)構(gòu)在設(shè)計刻錄層例如126、176或196時，可以增加第三層。例如參考圖IO，可記錄盤200包括透明襯底120、刻錄層202以及保護層128?？啼泴?02包括材料M7的第一層204、材料M8的第二層206和材料M9的第三層208。材料M7和M9可以相同或不同。設(shè)計層204、206和208以便在應(yīng)用寫入功率時，層204、206和208結(jié)合以形成材料M10的層210。假定0)13^是讀光束頻率，且co7、8、0D9和colO分別是材料M7、M8、M9和M10的等離子體頻率。選擇材料M7、M8和M9的厚度和材料以便o)l(KcOk,并且co7、co8和co9中至少其一大于叫a^，以便刻錄后反射率減小。該三層可以全部是無機材料。材料M7、M8和M9可以是上述金屬、電介質(zhì)或半導(dǎo)體材料。在一些實例中，可使用具有四個或更多薄子層的刻錄層。在一些實例中，增加層數(shù)可提高刻錄前后的光學(xué)對比。8.3透明對比增強層參考圖ll，可記錄盤216包括透明襯底120、刻錄層214、對比增強層212和保護層128。與盤104的層122和124的那些類似，刻錄層214包括材料M1的層122和材料M2的層124。當應(yīng)用寫入功率至刻錄層214時，材料M1和M2結(jié)合以形成材料M3，這類似于盤104中的情形。對比增強層212增強數(shù)據(jù)區(qū)和空白區(qū)之間反射率的對比，即，刻錄前后的反射率差別增強。在一些實例中，層212不影響數(shù)據(jù)刻錄過程，并且不與層122和124結(jié)合。在一些實例中，對比增強層212包括增加刻錄層126中電荷載流子密度的材料(例如金屬)。在一些實例中，刻錄層的等離子體頻率在記錄后減小，且在增加對比增強層212后反射率或透射率的對比增大。記錄前的(刻錄層126和對比增強層212的結(jié)合的)有效等離子體頻率升高很多，而記錄后的有效等離子體頻率只升高少許(或降低)，因此有效等離子體頻率的差增大。在一些實例中，記錄后的等離子體頻率升高，且在加入對比增強層212后反射率或透射率的對比增大。記錄前的有效等離子體頻率升高很少(或降低)，而記錄后的有效等離子體頻率升高很多，因此有效等離子體頻率的差增大。在一些實例中，對比增強層212降低電荷載流子密度。在一些實例中，記錄后的等離子體頻率降低，而在增加對比增強層212后反射率或透射率的對比增大。記錄前的有效等離子體頻率減少少許，而記錄后的有效等離子體頻率減少很多，因此有效等離子體頻率的差增大。在一些實例中，記錄后的等離子體頻率升高，且在增加對比增強層212后反射率或透射率的對比增大。記錄前的有效等離子體頻率減少很多，而記錄后的有效等離子體頻率減少少許，因此有效等離子體頻率的差增大。透明對比增強層212可以是電介質(zhì)材料或半導(dǎo)體材料，例如硅、鍺、硫化鋅或氧化鋅等，并且具有的透射率大于50%。在一些實例中，添加層212至刻錄層126提高了刻錄前的反射率量。反射率的增大可以與若干情形相關(guān)(1)減小的吸收率；(2)減小的透射率；(3)減小的吸收和減小的透射率；(4)減小的吸收率和增大的透射率，其中透射率的增大量小于吸收率的減小量；和(5)減小的透射率和增大的吸收率，其中吸收率的增大量小于透射率的減小量。在一些實例中，添加層212減小了刻錄后的反射率量。反射率的減少可以與若干情形相關(guān)(1)增大的吸收率；(2)增大的透射率；(3)增大的吸收率和增大的透射率；(4)增大的吸收率和減小的透射率，其中吸收率的增大量大于透射率的減小量；和(5)增大的透射率和減小的吸收率，其中透射率的增大量大于吸收率的減小量。在一些實例中，添加層212增大了刻錄前的反射率量并且減小了刻錄后的反射率量?？啼浨胺瓷渎实脑龃笠约翱啼浐蠓瓷渎实臏p小可以與上述情形相關(guān)。在一些實例中，層128的厚度小于20nm。層128的適宜厚度取決于層128的材料以及其他層的材料?？梢允褂靡粋€以上的對比增強層。在一些實例中，對比增強層不與其它層結(jié)合，并且在應(yīng)用寫入功率時保持不變。在其它實例中，對比增強層自身結(jié)合但是不與刻錄層結(jié)合。在一些實例中，選擇對比增強層212以便刻錄前，層212和刻錄層214結(jié)合的等離子體頻率高于刻錄層214單獨的等離子體頻率。在一些實例中，選擇對比增強層以便刻錄后，層212和刻錄層214結(jié)合的等離子體頻率低于刻錄層126單獨的等離子體頻率。如果使用一個以上的對比增強層，該對比增強層可以位于結(jié)合的層的同一側(cè)。在一些實例中，對比增強層位于襯底120和層122之間。在一些實例中，對比增強層位于層124和保護層128之間。在一些實例中，一個對比增強層位于襯底120和層122之間，并且另一個對比增強層位于層124和保護層128之間?？梢栽O(shè)計盤216以便透射率的對比在增加對比增強層212后增大。該盤可以與檢測刻錄前后透射率對比的光盤驅(qū)動一起使用。8.4微-共振結(jié)構(gòu)參考圖13，光盤238包括對于讀光束具有共振樣特性的刻錄層236。這些特性與具有的空腔長度等于波長一半的共振腔的特性類似。在一些實例中，刻錄層236具有三層230、232和234，其中層230和234對讀光束比層232更能反射，而層232比層230和234更加透明。刻錄層236具有共振樣特性，其中從刻錄層236反射的光量大于由兩個反射層230和234各自反射的光的總和。假定層230和234分別具有反射率R1和R2，層230具有透射率T1，層232具有透射率T2，且Rsum表示刻錄層236的反射率，那么Rs咖〉Rl+R2*Tl2*T22。在這些實例中，表現(xiàn)出微-共振腔中似乎發(fā)生相長干涉以便反射更高百分率的光。參考圖14A，選擇層232的厚度d以便當層232的厚度偏離d(或減小或增大)時，刻錄層236的反射率減小。這一現(xiàn)象與共振空腔厚度偏離l/2人的情形類似，共振減小。刻錄層236的共振樣特性部分由層間界面處的強電場所造成，其影響從層反射或傳送過層的光量。用于此處的術(shù)語"微-共振腔"指具有共振樣特性的結(jié)構(gòu)，其中從整個結(jié)構(gòu)反射的光量大于由其組成層單獨反射的光的總和。另外，微-共振腔具有一個或更多個夾在兩反射表面間的透明層，并且選擇兩反射表面間的距離d以便如果兩反射表面間的距離偏離d，則微-共振腔的反射率減小。術(shù)語"微-共振結(jié)構(gòu)"將被用于指具有一個或更多個微-共振腔的結(jié)構(gòu)。中間層232具有的厚度遠小于讀光束波長X的一半。在一些實例中，中間層232具有的厚度小于基于該層的電荷載流子密度確定的德拜長度。利用微-共振腔的優(yōu)點在于組成層(例如230、232和234)遠薄于l/2u因此需要更少的能量造成層結(jié)合以改變微-共振腔的特性(相比于改變具有1/2X空腔長度的共振腔的特性所需的能量)。在一些實例中，選擇層230、232和234的厚度和材料以便在層230和234之間形成的微-共振腔中發(fā)生相消干涉。圖14B示出當層232的厚度從特定值d或減小或增大時，刻錄層236的反射率增大。通過選擇更大反射性的材料M16和M18，以及更透明的材料M17，可以設(shè)計微-共振腔。將材料M17夾心到材料M16和M18之間造成光在兩反射層間來回反彈(bounceback)，造成相長或相消干涉。選擇中間層232的厚度以便微-共振腔具有更高的反射率(表明相長干涉)。微-共振腔的反射率可以通過改變反射表面的位置而調(diào)節(jié)以將微-共振腔環(huán)境(condition)從相長干涉變成相消干涉，或者反之亦然。在一些實例中，通過結(jié)合兩個或更多層改變反射表面的位置。微-共振結(jié)構(gòu)的反射率可以通過將一個微-共振腔分成兩個，或者將兩個微-共振腔結(jié)合成一個而調(diào)節(jié)以將微-共振腔條件從相長干涉變成相消干涉，或者反之亦然。在一些實例中，通過結(jié)合兩個或更多層實現(xiàn)分開或結(jié)合微-共振腔。下面是改變微-共振結(jié)構(gòu)光學(xué)特性的方式的實例。選擇層的厚度以便微-共振腔的反射率R開始較高，而在改變微-共振腔環(huán)境后R減小。8.4.1通過轉(zhuǎn)移反射位置改變微-共振腔在一些實例中，微-共振腔環(huán)境通過轉(zhuǎn)移層的反射位置而改變。參考圖15,微-共振結(jié)構(gòu)240具有層Rl、T1和R2，其中層R1和R2比層T1有更大的反射性，而層T1比層R1和R2有更大的透射性。讀和寫光束從層Rl的那側(cè)進入微-共振結(jié)構(gòu)240。刻錄后層T1和R2結(jié)合以形成層R3。因為在兩反射表面之間沒有透明層，所以微-共振腔被破壞。層R1和R2可以具有相同或不同的材料。在一些實例中，刻錄后層R1和T1結(jié)合以形成層R3。因為在兩反射表面之間沒有透明層所以微-共振腔被破壞。在一些實例中，刻錄后層R1、T1和R2結(jié)合以形成具有更高透射率的層T2。因為只有一層所以微-共振腔被破壞。在一些實例中，刻錄后層R1、T1和R2結(jié)合以形成具有更低反射率的層R3。因為只有一層所以微-共振腔被破壞。在下面，以Tn表示的層指其具有比表示為Rn的其它層更高的透射率，而以Rn表示的層指其具有比表示為Tn的其它層更高的反射率。參考圖16，微-共振腔242依次具有層Rl、R3、T1和R2。讀和寫光束從層Rl的那側(cè)進入微-共振結(jié)構(gòu)242。刻錄后層R3和T1結(jié)合以形成層T2。由于透明層厚度改變(從層Tl的厚度dl到層T2的厚度d2)所以微-共振腔改變。選擇層的厚度以便記錄前存在相長干涉，而記錄后存在相消干涉，或者反之亦然。層R1和R2可以具有相同或不同的材料，層R1和R2可以具有相同或不同的材料，并且層R1和R2具有不同的材料。參考圖17，微-共振腔244具有層Rl、Tl、T2和R2。讀和寫光束從層R1的那側(cè)進入微-共振結(jié)構(gòu)244?？啼浐髮覶2和R2結(jié)合以形成層R3。由于透明層厚度改變(從層Tl和T2的總厚度d3到僅僅是層Tl的厚度dl)所以微-共振腔改變。在一些實例中，選擇厚度以便記錄前存在相長干涉，而記錄后存在相消干涉，或者反之亦然。層R1和R2可以具有相同或不同的材料，并且層T1和T2具有不同的材料。8.4.2通過改變更大反射性的層為更透明的層改變微-共振腔參考圖18，可以通過改變反射性的層為更透明的層改變微-共振腔246。微-共振腔246依次包括層R1、T1和R2。讀和寫光束從層Rl的那側(cè)進入微-共振結(jié)構(gòu)246?？啼浐髮覶1和R2結(jié)合以形成層T2。由于僅有一個反射表面(在層R1處)所以刻錄后微-共振腔被破壞。圖18中的層R1和R2可以具有相同或不同的材料。參考圖19，微-共振腔248依次具有層Rl、Tl、T2和R2。讀和寫光束從層Rl的那側(cè)進入微-共振結(jié)構(gòu)248?？啼浨?，在反射層Rl和R2之間形成微-共振腔282?？啼浐髮覴1和T1結(jié)合以形成層T3，層T3的反射率低于層R1的反射率。由于僅有一個反射表面(在層R2處)所以刻錄后微-共振腔被破壞。即使層T3是足夠反射性的以致在層T3和R2間形成微-共振腔284，由于層T3具有比層R1更低的反射率所以腔284的總反射率小于腔282的，并且腔長度也改變。圖19中的層R1和R2可以具有相同或不同的材料，并且層T1和T2具有不同材料。8.4.3分開微-共振腔參考圖20，微-共振結(jié)構(gòu)250具有層Rl、Tl、T2、T3、T4和R2。讀和寫光束從層Rl的那側(cè)進入微-共振結(jié)構(gòu)250?？啼浨?，在層Rl和R2之間形成微-共振腔252。刻錄后層T2和T3結(jié)合以形成反射層R3。原始微-共振腔252分成兩個空腔層Rl和R3之間的微-共振腔254，以及層R3和R2之間的微-共振腔256。在一些實例中，刻錄后形成的微-共振腔可以具有相消干涉。在這一實例中，刻錄后，層T2和T3結(jié)合以形成層R3，其具有比層T2和T3更高的反射率。由于兩個微-共振腔254和256的總反射率小于微-共振腔252的反射率，所以微-共振結(jié)構(gòu)250的總反射率減小。層R1和R2可以具有相同或不同的材料。對于層T1、T2、T3和T4，不相鄰的層可以具有相同或不同的材料，而相鄰層具有不同材料。8.4.4結(jié)合兩微-共振腔以形成一個微-共振腔參考圖21，微-共振結(jié)構(gòu)270依次具有層R、Tl、R3、T2和R2。讀和寫光束從層Rl的那側(cè)進入微-共振結(jié)構(gòu)270。在反射層Rl和R3之間形成微-共振腔272，和在反射層R3和R2之間形成另一微-共振腔274?？啼浐髮覶1、R3和T2結(jié)合以形成層T3。刻錄后，在反射層Rl和R2之間形成微-共振腔276。因此，在這一實例中，刻錄后兩個微-共振腔轉(zhuǎn)變成一個微-共振腔。層R1、R3和R2可以具有相同或不同的材料，而層T1和T2可以具有相同或不同的材料。8.4.5通過改變一層的反射率改變微-共振腔參考圖22，微-共振結(jié)構(gòu)260依次包括層Rl、Tl、R2和T2。讀和寫光束從層Rl的那側(cè)進入微-共振結(jié)構(gòu)260?？啼浨?，在反射層Rl和R2之間形成微-共振腔278。刻錄后層R2和T2結(jié)合以形成層R3以便在反射層Rl和R3之間形成微-共振腔280?？啼浐笾虚g層T1的厚度不變。選擇層R2和T2以便層R3的反射率低于層R2的反射率，以至于腔280的總反射率低于腔278的。層R1和R2可以具有相同或不同的材料，而層T1和T2可以具有相同或不同的材料。8.4.6通過改變中間層的介電常數(shù)而不改變其厚度改變微-共振腔參考圖24，微-共振結(jié)構(gòu)264依次包括層Rl、Tl、T2和R2。讀和寫光束從層Rl的那側(cè)進入微-共振結(jié)構(gòu)264?？啼浨?，在反射層Rl和R2之間形成微-共振腔266。選擇層T1和T2以便刻錄后層T1和T2部分結(jié)合以形成層T3。層T1、T3和T2的總介電常數(shù)(刻錄后)與層T1和T2(刻錄前)的總介電常數(shù)不同，因此微-共振腔266的特性也改變。8.5用于轉(zhuǎn)化對比的層參考圖12，光盤228包括刻錄層226和在刻錄前后轉(zhuǎn)換反射率對比的對比轉(zhuǎn)化層224。刻錄層226包括材料M12的層220和材料M13的層222。選擇層220和222的材料和厚度以便當應(yīng)用寫入功率時，層220和222結(jié)合以形成材料M15的層229，其中層229具有比層220和222的結(jié)合的那些更高的反射率和更低的透射率。選擇對比轉(zhuǎn)化層224以便層229和224—起具有比層220、222和224的總反射率更低的反射率。換言之，隨著添加對比轉(zhuǎn)化層224，刻錄后盤228的總反射率減小。在--些實例中，通過改變微-共振結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性實現(xiàn)光學(xué)對比的轉(zhuǎn)換。可以通過首先選擇其中刻錄后的反射率增大的兩材料層并增加更多層以產(chǎn)生微-共振腔來設(shè)計微-共振結(jié)構(gòu)?？啼浐?，兩層結(jié)合以便微-共振腔被改變成具有更低反射率，或被分成具有更低總反射率的兩個腔。參見圖15和20所示的結(jié)構(gòu)的描述。9、其它實施和應(yīng)用下面是可替代的實施和應(yīng)用的實例。例如，對于雙層盤170(圖8A)，第二刻錄層176不必須使用與第一刻錄層126類似的薄層。第二刻錄層176可以具有子層，以致刻錄后層176的透射率減小。例如，第二刻錄層176可以使用感光染料層和金屬反射層?？啼浐笕玖蠈釉龃笪章?，因此更少的光通過染料層傳送并被金屬層反射，導(dǎo)致刻錄后的總反射率減小。在雙層盤170(圖8A)中，第一刻錄層126可以包括刻錄后減小反射率并增大透射率的微-共振結(jié)構(gòu)。盤170的第一和第二刻錄層126和176之一或兩者可以使用對比增強層以增大對比。在圖8A、8B、8C和9中，刻錄層126、176和196中每層具有兩薄子層?？蛇x擇地，在一些實例中，一個或更多個刻錄層可以每層具有兩個以上的刻錄后結(jié)合的薄子層。一個或更多個刻錄層可以每層具有兩個子層，所述子層刻錄后自身增大反射率，但隨著增加對比轉(zhuǎn)化層，刻錄后反射率減小，以至于反射率的減小符合光學(xué)記錄標準。一個或更多個刻錄層可以每層具有子層，其形成共振空腔以至于刻錄后的反射率減小。在圖8A-8C的盤170中，可以通過在第一子層124外形成氧化物產(chǎn)生子層124。圖23示出刻錄層262，其包括兩個雙層Rl、R2、R3和R4?？啼浐?，層R1和R2結(jié)合以形成層T1，而層R3和R4結(jié)合以形成層T2。層R1、R2、R3和R4的結(jié)合比層R1和R2的結(jié)合、或者層R3和R4的結(jié)合反射更多的光。層T1和T2的結(jié)合比層R1和R2的結(jié)合、或者層R3和R4的結(jié)合傳送更多的光。利用層R1、R2、R3和R4的結(jié)合產(chǎn)生的對比大于利用層R1和R2的結(jié)合、或?qū)覴3和R4的結(jié)合產(chǎn)生的對比?？捎涗浗橘|(zhì)的各種層可以具有除了上述那些之外的厚度并使用除了上述那些之外的材料?？梢岳贸松鲜瞿切┲獾姆椒ㄖ圃炜啼泴?。在一些實例中，刻錄過程是吸熱的，導(dǎo)致良好限定的記錄標記，其可以被緊密壓縮以實現(xiàn)更高的記錄密度。相比于刻錄層中使用有機染料的常規(guī)盤，可以使用更小的盤記錄相同量的信息?？捎涗浗橘|(zhì)不必須是盤。例如可記錄介質(zhì)可以是矩形或者任何其它任意形狀?？捎涗浗橘|(zhì)不必須是平的。例如可記錄介質(zhì)可以符合立方體、球或者任何其它任意體積的表面輪廓。不同類型的可記錄介質(zhì)可以與具有不同編址方案(addressingscheme)的不同記錄系統(tǒng)一起使用。可使用不同編碼/解碼方案以編碼/解碼寫入可記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)?？捎涗浗橘|(zhì)不必須符合CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、HD-DVD或藍光DiscDVD的標準。盡管上面討論了一些實例，其它實施和應(yīng)用也在下述權(quán)利要求的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用能量時增大的透射率。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)在應(yīng)用能量前的透射率大于50%。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)在應(yīng)用能量后的透射率大于50%。4、根據(jù)權(quán)利要求l所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)包括第一層和第一層。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層至少其一具有小于IOnm的平均厚度。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層至少其一具有小于5nm的平均厚度。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層至少其一具有小于2nm的平均厚度。8、根據(jù)權(quán)利要求4所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層在應(yīng)用能量時結(jié)合。9、根據(jù)權(quán)利要求4所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層包括以下的至少一種(a)兩不同的半導(dǎo)體層，(b)兩不同的金屬層，(c)兩不同的介電層，(d)—半導(dǎo)體層和一金屬層，(e)—半導(dǎo)體層和一介電層，和(f)一金屬層和一介電層。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層每層包括從由鋁、銅、金、銀、錫、硅、氧化硅、鍺、氧化鎢和氧化鈦組成的組中選擇的材料。11、根據(jù)權(quán)利要求4所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)包括第一層、第二層和第三層。12、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)包括在應(yīng)用能量時結(jié)合的第一層、第二層和第三層。13、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層、第二層和第三層包括以下的至少一種-(a)金屬層，介電層，和半導(dǎo)體層；(b)第一金屬層，介電層，和第二金屬層；(c)第一金屬層，半導(dǎo)體層，和第二金屬層；(d)第一介電層，金屬層，和第二介電層；(e)第一介電層，半導(dǎo)體層，和第二介電層；(f)第一半導(dǎo)體層，介電層，和第二半導(dǎo)體層；和(g)第一半導(dǎo)體層，金屬層，和第二半導(dǎo)體層。14、根據(jù)權(quán)利要求13所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層、第二層和第三層包括以下的至少一種(a)第一金屬層，介電層，和第二金屬層，其中第一金屬層和第二金屬層包括不同金屬；(b)第一金屬層，半導(dǎo)體層，和第二金屬層，其中第一金屬層和第二金屬層包括不同金屬；(c)第一介電層，金屬層，和第二介電層，其中第一介電層和第二介電層包括不同電介質(zhì)材料；(d)第一介電層，半導(dǎo)體層，和第二介電層，其中第一介電層和第二介電層包括不同電介質(zhì)材料；(e)第一半導(dǎo)體層，介電層，和第二半導(dǎo)體層，其中第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層包括不同半導(dǎo)體材料；(f)第一半導(dǎo)體層，金屬層，和第二半導(dǎo)體層，其中第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層包括不同半導(dǎo)體材料。15、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)具有小于20nm的厚度。16、根據(jù)權(quán)利要求15所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)具有小于IOnm的厚度。17、根據(jù)權(quán)利要求l所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)具有小于20nm的厚度。18、根據(jù)權(quán)利要求17所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)具有小于IOnm的厚度。19、根據(jù)權(quán)利要求l所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)具有第一層和第二層，第一層和第二層的每層厚度小于基于該層中電荷載流子密度確定的德拜長度的三倍。20、根據(jù)權(quán)利要求l所述的可記錄介質(zhì)，其中所述讀光束具有在400nm460nm、630nm690nm或750nm810nm的范圍內(nèi)的頻率。21、根據(jù)權(quán)利要求l所述的可記錄介質(zhì)，其中所述能量由寫光束提供，并且可記錄介質(zhì)的反射率在應(yīng)用能量時減小，可記錄介質(zhì)在應(yīng)用能量前后的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。22、一種光盤，包括可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用能量時增大的透射率。23、根據(jù)權(quán)利要求22所述的光盤，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)包括刻錄層，所述刻錄層具有至少兩個在應(yīng)用寫入功率后結(jié)合的子層，刻錄層在刻錄前對于讀光束具有反射率R1和透射率T1，刻錄層在刻錄后對于讀光束具有反射率R2和透射率T2，并且R1〉R2且T1<T2。24、根據(jù)權(quán)利要求22所述的光盤，其中所述光盤符合CD-R、DVD-R、DVD+R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種。25、一種可記錄介質(zhì)，包括具有刻錄區(qū)域的可記錄結(jié)構(gòu)，其中通過刻錄的有或無攜帶信息，至少一些刻錄區(qū)域?qū)τ谧x光束具有高于尚未被刻錄區(qū)域的透射率。26、根據(jù)權(quán)利要求25所述的可記錄介質(zhì)，其中所述刻錄區(qū)域表示邏輯l。27、根據(jù)權(quán)利要求25所述的可記錄介質(zhì)，其中該空白區(qū)域包括第一材料和第二材料，在該兩材料之間具有清晰的界限，并且該記錄區(qū)域具有由第一和第二材料間的相互作用產(chǎn)生的第三材料。28、根據(jù)權(quán)利要求25所述的可記錄介質(zhì)，其中所述記錄區(qū)域?qū)τ谧x光束具有低于該空白區(qū)域的反射率，該記錄區(qū)域和該空白區(qū)域的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。29、一種光學(xué)系統(tǒng)，包括可記錄介質(zhì)，其包括可記錄結(jié)構(gòu)，所述可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束具有在應(yīng)用寫入功率時增大的透射率；和光驅(qū)，其包括光源，以產(chǎn)生讀光束，聚焦機構(gòu)，以聚焦讀光束于可記錄結(jié)構(gòu)上，以及光檢測器，以檢測從可記錄介質(zhì)反射的光。30、根據(jù)權(quán)利要求29所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄介質(zhì)的反射率在應(yīng)用寫光束時減小，可記錄介質(zhì)在應(yīng)用寫光束前后的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。31、一種光學(xué)系統(tǒng)，包括可記錄介質(zhì)，其包括可記錄結(jié)構(gòu)，所述可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束具有在應(yīng)用寫入功率時增大的透射率；和光驅(qū)，其適合于將數(shù)據(jù)記錄在可記錄介質(zhì)中并且具有與寫策略相關(guān)的預(yù)存儲信息，該寫策略與識別可記錄介質(zhì)的標識符相關(guān)，該系統(tǒng)使用該寫策略以寫入信息至識別的可記錄介質(zhì)上。32、根據(jù)權(quán)利要求31所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中所述可記錄介質(zhì)的反射率在應(yīng)用能量時減小，可記錄介質(zhì)在應(yīng)用能量前后的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。33、一種在可記錄介質(zhì)中寫入信息的方法，包括應(yīng)用能量至可記錄結(jié)構(gòu)以提高可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的透射率。34、根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述讀光束具有在350nm與450nm之間的波長。35、根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)包括第一層和第二層，并且當應(yīng)用能量時，第一層和第二層結(jié)合以產(chǎn)生第三層。36、根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中所述第三層具有小于讀光束頻率的特征頻率，且第一層和第二層中至少其一具有高于讀光束的特征頻率，層的特征頻率正比于n/m的平方根，其中n表示該層的電荷載流子密度而m表示該層中電荷載流子的有效質(zhì)量。37、根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述特征頻率包括等離子體頻率。38、根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中應(yīng)用能量至可記錄結(jié)構(gòu)也減少可記錄介質(zhì)的反射率，可記錄介質(zhì)在應(yīng)用能量前后的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。39、一種從可記錄介質(zhì)讀取信息的方法，包括聚焦讀光束至可記錄結(jié)構(gòu)上以檢測第一部分，其具有比第二部分更低的反射率以及更高的透射率。40、根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中通過第一部分的有和無攜帶信息。41、根據(jù)權(quán)利要求39所述的光盤，其中所述讀光束具有在400nm460nm、630nm690nm或750nm810nm的范圍內(nèi)的頻率。42、根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中所述第一部分和第二部分的反射率與CD-R、DVEH"R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。43、一種寫入數(shù)據(jù)的方法，包括應(yīng)用能量至刻錄層以改變刻錄層的特征頻率以便特征頻率從高于特定的讀光束頻率變成低于該讀光束頻率，層的特征頻率正比于n/m的平方根，其中n表示該層的電荷載流子密度而m表示該層中電荷載流子的有效質(zhì)量。44、根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中所述讀光束頻率對應(yīng)于在400nm460nm之間的波長。45、根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)的反射率在應(yīng)用能量時減小，可記錄結(jié)構(gòu)在應(yīng)用能量前后的反射率與CD-R、DVD+R、DVD-R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種一致。46、一種可記錄介質(zhì)，包括具有對于讀光束大于50%的反射率的可記錄結(jié)構(gòu)，其中在應(yīng)用能量時，可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的透射率變得大于50%。47、根據(jù)權(quán)利要求46所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)具有第一層和第二層，其在應(yīng)用能量時反應(yīng)。48、根據(jù)權(quán)利要求47所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層中至少其一小于10nm。49、一種可記錄介質(zhì)，包括具有對于讀光束大于50%的透射率的可記錄結(jié)構(gòu)，其中可記錄結(jié)構(gòu)在應(yīng)用能量時的反射率變得大于50%。50、一種可記錄介質(zhì)，包括-可記錄結(jié)構(gòu)，其包括至少具有第一等離子體頻率col的第一層，其中當寫入功率用于可記錄結(jié)構(gòu)時，形成具有第二等離子體頻率o)2的第二層，其中Q)KwKco2或者a)2〈coK(Dl，其中cor是讀光束的頻率，其具有等于或不同于賦予寫入功率的寫光束頻率的頻率，其中層的等離子體頻率正比于n/m的平方根，其中n表示該層的電荷載流子密度而m表示該層中電荷載流子的有效質(zhì)量。51、根據(jù)權(quán)利要求50所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)包括在應(yīng)用寫入功率前與第一層相鄰的第三層，并且基于在應(yīng)用寫入功率時第一層和第三層中的材料混合形成第二層。52、根據(jù)權(quán)利要求50所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)包括在應(yīng)用寫入功率前與第一層相鄰的第三層，并且基于在應(yīng)用寫入功率時第一層和第三層中的材料化學(xué)反應(yīng)形成第二層。53、根據(jù)權(quán)利要求52所述的可記錄介質(zhì)，其中所述化學(xué)反應(yīng)是吸熱的。54、根據(jù)權(quán)利要求50所述的可記錄介質(zhì)，其中所述cor對應(yīng)于400nm460nm之間的波長。55、一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括第一層和第二層，第一層具有第一等離子體頻率Q)l，第二層具有第二等離子體(D2，選擇這兩層以便當寫入功率用于可記錄結(jié)構(gòu)時，第一層和第二層相互作用以形成具有第三等離子體頻率o)3的第三層，以至于co1<a)r<o)3或者co2〈o)Ko)3或者co3〈o)rcco1或者①3〈coKo)2，其中cor是讀光束的頻率。56、根據(jù)權(quán)利要求55所述的可記錄介質(zhì)，其中所述讀光束具有等于賦予寫入功率的寫光束的頻率。57、根據(jù)權(quán)利要求55所述的可記錄介質(zhì)，其中層的等離子體頻率基于該層中的電荷載流子密度以及電荷載流子的有效質(zhì)量。58、根據(jù)權(quán)利要求55所述的可記錄介質(zhì)，其中相比于cor低于另一層的等離子體頻率的又一層，當cor高于一層的等離子體頻率時，該一層具有對于讀光束更高的透射率。59、根據(jù)權(quán)利要求55所述的可記錄介質(zhì)，其中所述cor對應(yīng)于在400nm460nm之間的波長。60、一種方法，包括應(yīng)用寫入功率至包括第一層和第二層的可記錄結(jié)構(gòu)，第一層具有第一等離子體頻率(Ol，第二層具有第二等離子體(D2，寫入功率造成第一層和第二層相互作用以形成具有第三等離子體頻率①3的第三層，選擇兩層以便滿足下述條f牛中至少一種coKcor〈co3，co2<a)r<G)3，a)3〈a)r〈①l和co3〈coK(02，其中(or是讀光束的頻率，其具有等于或者不同于寫入功率的頻率。61、一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括第一層和第二層，第一層和第二層中至少其一具有小于基于該層中電荷載流子密度所確定的德拜長度的厚度，第一層和第二層在應(yīng)用能量時相互作用以造成可記錄結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性改變，所述光學(xué)特性包括對于讀光束的反射率和透射率中至少一種。62、根據(jù)權(quán)利要求61所述的可記錄介質(zhì)，其中通過具有高于特定值的能量密度的寫光束賦予能量并且賦予在可記錄結(jié)構(gòu)上至少特定持續(xù)時間。63、根據(jù)權(quán)利要求61所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的透射率在應(yīng)用能量時增加至少10%。64、一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括第一層和第二層，第一層和第二層至少其一具有小于10nm的厚度，第一層和第二層在應(yīng)用寫入功率時相互作用以造成可記錄結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性改變，所述光學(xué)特性包括對于讀光束的反射率和透射率中至少一種。65、根據(jù)權(quán)利要求64所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的透射率在應(yīng)用寫入功率時增加至少10%。66、根據(jù)權(quán)利要求64所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層的每層具有小于基于該層中電荷載流子密度所確定的德拜長度的厚度。67、根據(jù)權(quán)利要求64所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層中至少其一具有小于5nm的厚度。68、一種方法，包括應(yīng)用寫入功率至包括第一層和第二層的可記錄結(jié)構(gòu)，第一層和第二層中至少其一具有小于基于該層中電荷載流子密度所確定的德拜長度的厚度。69、一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在應(yīng)用能量時改變的光學(xué)特性以造成在可記錄結(jié)構(gòu)中發(fā)生吸熱反應(yīng)。70、根據(jù)權(quán)利要求69所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)具有在應(yīng)用能量時在吸熱反應(yīng)中反應(yīng)的第一層和第二層。71、根據(jù)權(quán)利要求70所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層中至少其一小于10nm。72、根據(jù)權(quán)利要求70所述的可記錄介質(zhì)，其中所述吸熱反應(yīng)包括吸熱化學(xué)反應(yīng)。73、根據(jù)權(quán)利要求70所述的可記錄介質(zhì)，其中所述吸熱反應(yīng)包括第一層和第二層中材料的混合。74、根據(jù)權(quán)利要求69所述的可記錄介質(zhì)，其中所述能量由具有高于預(yù)定值的能量的寫光束賦予，并應(yīng)用至少特定的持續(xù)時間。75、根據(jù)權(quán)利要求69所述的可記錄介質(zhì)，其中所述光學(xué)特性包括對于讀光束的透射率。76、根據(jù)權(quán)利要求75所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用能量時增大。77、根據(jù)權(quán)利要求75所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用能量時從小于50%變成大于50%。78、根據(jù)權(quán)利要求69所述的可記錄介質(zhì)，其中所述光學(xué)特性包括對于讀光束的反射率。79、根據(jù)權(quán)利要求69所述的可記錄介質(zhì)，其中所述光學(xué)特性包括可記錄結(jié)構(gòu)的吸收率。80、一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，其中當應(yīng)用能量時，可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的吸收率變化不大于10%，而對于讀光束的透射率和反射率變化大于10%。81、根據(jù)權(quán)利要求80所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)具有在應(yīng)用能量時反應(yīng)的第一層和第二層。82、根據(jù)權(quán)利要求81所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層至少其一小于10nm。83、一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括具有不同光學(xué)特性的第一層和第二層，第一層和第二層在應(yīng)用寫入功率前具有層間清晰的界限，而在應(yīng)用寫入功率后，通過摻合第一層和第二層中的材料，第一和第二層間的界限變得較不清晰，以致于可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光學(xué)特性改變。84、一種光盤驅(qū)動，包括預(yù)存儲信息，其識別光盤是否屬于包括一可記錄結(jié)構(gòu)的一類盤，所述可記錄結(jié)構(gòu)具有對于讀光束在應(yīng)用能量時增大的透射率。85、一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括第一層和第二層，其中第一層和第二層并不完全重疊，且第一層和第二層在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合以造成可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光學(xué)特性改變。86、根據(jù)權(quán)利要求85所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層包括不連續(xù)區(qū)域。87、根據(jù)權(quán)利要求86所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層都包括不連續(xù)區(qū)域。88、根據(jù)權(quán)利要求86所述的可記錄介質(zhì)，其中所述區(qū)域具有小于100nm的直徑。89、根據(jù)權(quán)利要求85所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層包括具有形成空穴形狀的連續(xù)區(qū)域。卯、根據(jù)權(quán)利要求89所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層每層包括具有形成空穴形狀的連續(xù)區(qū)域。90.91、根據(jù)權(quán)利要求89所述的可記錄介質(zhì)，其中所述空穴具有小于100nm的直徑。92、根據(jù)權(quán)利要求85所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層具有不連續(xù)區(qū)域而所述第二層包括具有形成孔穴形狀的連續(xù)區(qū)域。93、根據(jù)權(quán)利要求85所述的可記錄介質(zhì)，進一步包括附著到可記錄結(jié)構(gòu)的襯底，其中第一層基本上覆蓋襯底一側(cè)的整個表面，且第二層覆蓋襯底一側(cè)小于90%的表面。94、根據(jù)權(quán)利要求85所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層至少其一的德拜長度小于5nm，該德拜長度基于該層中電荷載流子密度確定。95、根據(jù)權(quán)利要求85所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層和第二層至少其一的德拜長度小于lnm，該德拜長度基于該層中電荷載流子密度確定。96、一種可記錄介質(zhì)，包括具有表面的襯底；和附著到該襯底的可記錄結(jié)構(gòu)，該可記錄結(jié)構(gòu)具有第一材料和第二材料，該第一材料和第二材料中至少其一覆蓋少于卯％的襯底表面；其中第一材料和第二材料在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合以造成可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光學(xué)特性的改變。97、根據(jù)權(quán)利要求96所述的可記錄介質(zhì)，其中所述材料中的至少一種包括不連續(xù)區(qū)域。98、根據(jù)權(quán)利要求97所述的可記錄介質(zhì)，其中所述區(qū)域具有小于100nm的直徑。99、根據(jù)權(quán)利要求96所述的可記錄介質(zhì)，其中材料的第一層和第二層至少其-一包括具有形成空穴形狀的連續(xù)區(qū)域。100、根據(jù)權(quán)利要求99所述的可記錄介質(zhì)，其中所述空穴具有小于100nm的直徑。101、一種可記錄介質(zhì)，包括具有表面的襯底；以及在該襯底上的可記錄結(jié)構(gòu)，該可記錄結(jié)構(gòu)具有第一材料和第二材料，其在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合以造成可記錄結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性對于讀光束的改變，其中第一材料和第二材料至少其一具有小于5nm的有效厚度，其中該材料的有效厚度定義為材料體積除以襯底表面面積。102、根據(jù)權(quán)利要求101所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一材料和第二材料中至少其一包括不連續(xù)區(qū)域。103、一種寫入數(shù)據(jù)的方法，包括應(yīng)用能量至包括襯底以及附著于該襯底的可記錄結(jié)構(gòu)的可記錄介質(zhì)，該可記錄結(jié)構(gòu)具有第一材料和第二材料，其在應(yīng)用能量時結(jié)合以造成可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光學(xué)特性的改變，其中第一材料和第二材料中至少其一覆蓋少于90%的襯底。104、一種制造可記錄介質(zhì)的方法，包括沉積第一材料和第二材料于襯底一側(cè)上，其中第一材料和第二材料中至少其一覆蓋小于90%的該襯底一側(cè)表面。105、根據(jù)權(quán)利要求104所述的方法，進一步包括控制應(yīng)用于沉積第一材料和第二材料所用機器的功率以控制由第一材料和第二材料覆蓋的表面百分率。106、根據(jù)權(quán)利要求104所述的方法，進一步包括控制沉積第一材料和第二材料的持續(xù)時間以控制由第一材料和第二材料覆蓋的表面百分率。107、一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括具有反射率R1和透射率T1的第一層；具有透射率T2的第二層；以及具有反射率R3的第三層，該第二層置于第一和第三層之間并且具有小于基于第二層電荷密度所確定的德拜長度的厚度，其中該可記錄結(jié)構(gòu)具有總反射率R,，其大于R1+T1^T2^R2。108、根據(jù)權(quán)利要求107所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第二層具有厚度d，以至可記錄結(jié)構(gòu)的反射率具有基本上最佳反射率值。109、根據(jù)權(quán)利要求108所述的可記錄介質(zhì)，其中所述基本上最佳反射率值與最大反射率值之間的差小于最大反射率值的10%，其中最大反射率值通過找出當?shù)诙雍穸仍?.8dl，2d之間變化時可記錄結(jié)構(gòu)反射率的最大值而確定。110、根據(jù)權(quán)利要求108所述的可記錄介質(zhì)，其中當?shù)诙雍穸茸兓?0%時，反射率減少至少10%。111、一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，其包括具有反射率R1的第一層；第二層；以及具有反射率R2的第三層，第二層置于第一層和第三層之間，第二層具有小于基于第二層電荷密度所確定的德拜長度的厚度，其中可記錄結(jié)構(gòu)具有總反射率R3，其中R3〈R1且R3〈(1-R1)*R2。112、根據(jù)權(quán)利要求lll所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第二層具有厚度d，以至可記錄結(jié)構(gòu)的反射率具有基本上最小值。113、根據(jù)權(quán)利要求112所述的可記錄介質(zhì)，其中當?shù)诙雍穸茸兓?0%時，反射率增加至少10%。114、一種產(chǎn)生光學(xué)對比的方法，包括應(yīng)用能量至微-共振結(jié)構(gòu)，其具有至少第一層L1、第二層L2以及第三層L3以造成所述層中至少兩層結(jié)合，其中層L2置于層L1和層L3之間，層L1具有反射率R1和透射率T1，層L3具有反射率R3，層L2具有透射率T2和小于讀光束波長的四分之一的厚度，其中在應(yīng)用能量前，該微-共振結(jié)構(gòu)具有大于Rl+Tl2*T22*R3的總反射sum。115、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述層L2具有小于基于層L2電荷載流子密度所確定的德拜長度的厚度。116、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中應(yīng)用能量后，微-共振結(jié)構(gòu)的反射率減小。117、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中應(yīng)用能量后，微-共振結(jié)構(gòu)的透射率增大。118、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述層L2具有小于層L1和層L3那些反射率的反射率。119、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述層L2具有比層L1和層L3的那些反射率更高的透射率。120、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述層L2和層L3結(jié)合以形成具有高于層L2反射率的反射率的層L4。121、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述層L1和層L2結(jié)合以形成具有高于層L2反射率的反射率的層L4。122、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述層L1、層L2和層L3結(jié)合以形成層L4。123、根據(jù)權(quán)利要求122所述的方法，其中所述層L4具有高于層L1、層L2和層L3在刻錄前的總透射率的透射率。124、根據(jù)權(quán)利要求122所述的方法，其中所述層L4具有低于層L1、層L2和層L3在刻錄前的總反射率的反射率。125、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述層L2和層L3結(jié)合以形成層L4，其具有低于層L1和L3的那些反射率的反射率。126、根據(jù)權(quán)利要求U4所述的方法，其中所述微-共振結(jié)構(gòu)還包括具有高于層L2反射率的反射率的層L4，層L1、層L4、層L2和層L3依次定位。127、根據(jù)權(quán)利要求126所述的方法，其中應(yīng)用能量造成層L4和層L2結(jié)合以形成層L5，其具有低于層L1和層L3那些反射率的反射率，該層L5置于層L1和層L3之間。128、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述微-共振結(jié)構(gòu)還包括層L4，其具有低于層L1和層L3那些反射率的反射率，層L1、層L2、層L4和層L3依次定位。129、根據(jù)權(quán)利要求128所述的方法，其中所述層L4和層L3結(jié)合以形成具有高于層L2反射率的反射率的層L5，層L2置于層L1和層L5之間。130、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中應(yīng)用能量至微-共振結(jié)構(gòu)造成層L2和層L3結(jié)合以形成具有高于層L1透射率的透射率的層L4。131、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述微-共振結(jié)構(gòu)還包括層L4，其具有低于層L1和層L3那些反射率的反射率，層L1、層L2、層L4和層L3依次定位，層L2和層L4具有不同材料。132、根據(jù)權(quán)利要求131所述的方法，其中，刻錄后，層L1和層L2結(jié)合以形成具有低于層L1反射率的反射率的層L5。133、根據(jù)權(quán)利要求131所述的方法，其中刻錄后，層L2和層L4部分結(jié)合以形成層L5，其具有小于層L2和層L4厚度總和的厚度，層L5具有低于層L1和L3那些反射率的反射率。134、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述微-共振結(jié)構(gòu)還具有層L4、層L5和層L6，層L1、層L2、層L4、層L5、層L6和層L3依次定位，層L4、層L5和層L6具有低于層L1和L3那些反射率的反射率，而相鄰的層L2、層L4、層L5和層L6具有不同材料。135、根據(jù)權(quán)利要求134所述的方法，其中所述層L4和層L5在刻錄以后結(jié)合以形成層L7，該層L7具有高于層L2和層L6的反射率。136、根據(jù)權(quán)利要求135所述的方法，其中刻錄后，層L1、層L2和層L7形成微-共振腔，其具有大于R1+Tl2*T22*R7的總反射率，R7是層L3的反射率。137、根據(jù)權(quán)利要求135所述的方法，其中刻錄后，層L1、層L2和層L7形成微-共振腔，其具有總反射率Rs咖，其中Rsum〈Rl且Rsum〈Tl"T2"R7，R7是層L7的反射率。138、根據(jù)權(quán)利要求135所述的方法，其中刻錄后，層L7、層L6和層L3形成微-共振腔，其具有大于R7+T7"T6"R3的總反射率，R7是層L7的反射率，T7是層L7的透射率。139、根據(jù)權(quán)利要求135所述的方法，其中刻錄后，層L7、層L6和層L3形成微-共振腔，其具有總反射率R，，其中R,〈R7且Rsum〈T7"T6"R3，R7是層L7的反射率，T7是層L7的透射率。140、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述微-共振結(jié)構(gòu)還包括層L4和層L5，層L1、層L2、層L4、層L5和層L3依次定位，層L1、層L2和層L4形成具有大于Rl+Tl"T2"R4的總反射率的微-共振腔，R4是層L4的反射率，層L4、層L5和層L3形成具有大于R4+T42*T52*R3的總反射率的微-共振腔，T4是層L4的透射率，T5是層L5的透射率。141、根據(jù)權(quán)利要求140所述的方法，其中所述層L2、層L4和層L5在刻錄后結(jié)合以形成層L6，層L1、層L6和層L3形成微-共振腔。142、根據(jù)權(quán)利要求141所述的方法，其中所述微-共振結(jié)構(gòu)在刻錄前的總反射率大于微-共振結(jié)構(gòu)刻錄后的總反射率。143、根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述微-共振結(jié)構(gòu)還包括層L4，其具有比層L3反射率小的反射率，層L1、層L2、層L3和層L4依次定位。144、根據(jù)權(quán)利要求143所述的方法，其中刻錄后，層L3和層L4結(jié)合以形成層L5，其具有高于層L2但低于層L3的反射率。145、一種可記錄介質(zhì)，包括微-共振結(jié)構(gòu)，其具有至少第一層、第二層和第三層，第二層置于第一和第二層之間且具有厚度d以至微-共振結(jié)構(gòu)的反射率具有基本上最佳反射率值，第二層的厚度d小于基于第二層的電荷密度所確定的德拜長度。146、根據(jù)權(quán)利要求145所述的可記錄介質(zhì)，其中所述基本上最佳反射率值以小于最大反射率值10%的值偏離最大反射率值，通過找出當?shù)诙雍穸仍?.8+d1.2+d之間變化時可記錄結(jié)構(gòu)反射率的最大值而確定最大反射率值。147、一種可記錄介質(zhì)，包括刻錄層，具有至少兩個子層，其在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合，刻錄層在應(yīng)用寫入功率前具有反射率R1而在應(yīng)用寫入功率后具有反射率R2;和對比增強層，當應(yīng)用寫入功率時，其不與刻錄層的子層結(jié)合，其中對比增強層和刻錄層一起在應(yīng)用寫入功率前具有反射率R3而在應(yīng)用寫入功率后具有反射率R4，其中IR4-R3I>IR2-R1I。148、根據(jù)權(quán)利要求147所述的可記錄介質(zhì)，其中所述對比增強層包括金屬層。149、根據(jù)權(quán)利要求147所述的可記錄介質(zhì)，其中所述對比增強層包括電介質(zhì)或半導(dǎo)體。150、根據(jù)權(quán)利要求149所述的可記錄介質(zhì)，其中所述對比增強層包括硅、鍺、硫化鋅和氧化鋅中至少一種。151、根據(jù)權(quán)利要求147所述的可記錄介質(zhì)，其中所述對比增強層對于讀光束具有大于50%的透射率。152、根據(jù)權(quán)利要求147所述的可記錄介質(zhì)，其中所述刻錄層的等離子體頻率在記錄后降低，而反射率或透射率的對比在增加對比增強層后增大。153、根據(jù)權(quán)利要求147所述的可記錄介質(zhì)，其中所述刻錄層的等離子體頻率在記錄后升高，而反射率或透射率的對比在增加對比增強層后增大。154、根據(jù)權(quán)利要求147所述的可記錄介質(zhì)，其中所述對比增強層的厚度小于20腦。155、根據(jù)權(quán)利要求147所述的可記錄介質(zhì)，進一步包括在應(yīng)用寫入功率時不與刻錄層子層結(jié)合的第二對比增強層，其中第一對比增強層、第二對比增強層和刻錄層一起具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R5和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R6，并且IR6-R5I>IR4-R3|。156、根據(jù)權(quán)利要求155所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一對比增強層和第二對比增強層相互結(jié)合，但第一對比增強層和第二對比增強層不與刻錄層結(jié)合。157、根據(jù)權(quán)利要求155所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一對比增強層和第二對比增強層定位于刻錄層的不同側(cè)。158、根據(jù)權(quán)利要求147所述的可記錄介質(zhì)，其中所述兩個子層包括以下至少一種(a)兩個不同半導(dǎo)體層，(b)兩個不同金屬層，(c)兩個不同介電層，(d)—個半導(dǎo)體層和一個金屬層，(e)—個半導(dǎo)體層和一個介電層，以及(f)一個金屬層和一個介電層。159、根據(jù)權(quán)利要求147所述的可記錄介質(zhì)，其中所述刻錄層具有小于20nm的厚度。160、一種光盤，包括刻錄層，其具有在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合的至少兩個子層，該刻錄層具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R1和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R2;和對比增強層，其在應(yīng)用寫入功率時不與刻錄層子層結(jié)合，其中對比增強層和刻錄層一起具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R3和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R4，并且IR4-R3I>IR2-R1|。161、根據(jù)權(quán)利要求160所述的光盤，其中所述刻錄層具有在刻錄前的透射率T1和在刻錄后的透射率T2，且TKT2。162、根據(jù)權(quán)利要求160所述的光盤，其中所述R1、R2、T1和T2符合CD-R、DVD-R、DVD+R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種。163、根據(jù)權(quán)利要求160所述的光盤，其中所述刻錄層具有小于20nm的厚度。164、一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，以在經(jīng)受寫入功率的記錄結(jié)構(gòu)部分和未經(jīng)受寫入功率的部分間產(chǎn)生第一光學(xué)對比；和不與可記錄結(jié)構(gòu)相互作用的材料層，選擇該材料層以便記錄結(jié)構(gòu)和材料層一起產(chǎn)生比第一光學(xué)對比更大的第二光學(xué)對比。165、根據(jù)權(quán)利要求164所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄層自身具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R1和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R2，可記錄結(jié)構(gòu)和材料層一起具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R3和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R4，并且IR4-R3I>IR2-R1|。166、根據(jù)權(quán)利要求164所述的可記錄介質(zhì)，其中所述可記錄結(jié)構(gòu)具有小于20nm的厚度。167、一種可記錄介質(zhì)，包括刻錄層，其具有至少第一子層和第二子層，其在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合，該刻錄層對于讀光束具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R1和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R2，且RKR2;和至少一個對比轉(zhuǎn)化層，其在應(yīng)用寫入功率時不與刻錄層的第一子層和第二子層結(jié)合，其中該至少一個對比轉(zhuǎn)化層和刻錄層一起在應(yīng)用寫入功率前具有反射率R3和在應(yīng)用寫入功率后具有反射率R4，且R3〉R4。168、根據(jù)權(quán)利要求167所述的可記錄介質(zhì)，其中所述對比轉(zhuǎn)化層對于讀光束具有大于50%的透射率。169、根據(jù)權(quán)利要求167所述的可記錄介質(zhì)，其中所述對比轉(zhuǎn)化層具有小于20nm的厚度。170、根據(jù)權(quán)利要求167所述的可記錄介質(zhì)，其中^f述刻錄層具有小于20nm的厚度。171、根據(jù)權(quán)利要求167所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一子層和第二子層中至少其一具有小于IOnm的厚度。172、根據(jù)權(quán)利要求167所述的可記錄介質(zhì)，其中刻錄前，對比轉(zhuǎn)化層和兩個子層形成微-共振結(jié)構(gòu)，而刻錄后，第一子層和第二子層的結(jié)合破壞該微-共振結(jié)構(gòu)。173、根據(jù)權(quán)利要求172所述的可記錄介質(zhì)，其中所述該微-共振結(jié)構(gòu)具有總反射率Rsum，其大于R1+T1"T2"R3，Rl是對比轉(zhuǎn)化層的反射率，R2是第一子層的反射率，R3是第二子層的反射率，Tl是對比轉(zhuǎn)化層的透射率，和T2是第一子層的透射率，并且第一子層位于對比轉(zhuǎn)化層和第二子層之間。174、根據(jù)權(quán)利要求167所述的可記錄介質(zhì)，其中所述至少一個對比轉(zhuǎn)化層包括至少第一對比轉(zhuǎn)化層和第二對比轉(zhuǎn)化層，其中刻錄層位于第一對比轉(zhuǎn)化層和第二對比轉(zhuǎn)化層之間。175、根據(jù)權(quán)利要求167所述的可記錄介質(zhì)，其中所述至少一個對比轉(zhuǎn)化層包括至少第一對比轉(zhuǎn)化層(Ll)、第二對比轉(zhuǎn)化層(L2)、第三對比轉(zhuǎn)化層(L3)和第四對比轉(zhuǎn)化層(L4)，其中，刻錄前，層L1和層L4具有大于層L2和層L3和子層的反射率，以至層L1、層L2、第一子層、第二子層、層L3和層L4一起形成第一微-共振結(jié)構(gòu)，其中，刻錄后，刻錄層具有大于層L2和層L3的反射率，以至第一微-共振結(jié)構(gòu)被破壞并且形成第二和第三微-共振結(jié)構(gòu)，第二微-共振結(jié)構(gòu)包括層Ll和層L2以及刻錄層。第三微-共振結(jié)構(gòu)包括刻錄層以及層L3和層L4。176、根據(jù)權(quán)利要求167所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一子層和第二子層包括以下至少一種(a)兩個不同半導(dǎo)體層，(b)兩個不同金屬層，(c)兩個不同介電層，(d)—個半導(dǎo)體層和一個金屬層，(e)—個半導(dǎo)體層和一個介電層，以及(f)一個金屬層和一個介電層。177、一種光盤，包括刻錄層，其具有在應(yīng)用寫入功率時結(jié)合的至少兩個子層，該刻錄層對于讀光束具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R1和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R2，并且RKR2;和對比轉(zhuǎn)化層，其在應(yīng)用寫入功率時不與刻錄層子層結(jié)合，該對比轉(zhuǎn)化層和刻錄層一起具有在應(yīng)用寫入功率前的反射率R3和在應(yīng)用寫入功率后的反射率R4，且R3〉R4。178、根據(jù)權(quán)利要求177所述的光盤，其中所述R3和R4符合CD-R、DVD-R、DVD+R、雙層DVD+R、雙層DVD-R、藍光盤以及HD-DVD標準中至少一種。179、根據(jù)權(quán)利要求177所述的光盤，其中所述對比轉(zhuǎn)化層具有小于20nm的厚度。180、根據(jù)權(quán)利要求177所述的光盤，其中所述刻錄層具有小于20nm的厚度。181、根據(jù)權(quán)利要求177所述的光盤，其中至少一個所述子層具有小于10nm的厚度。182、根據(jù)權(quán)利要求177所述的光盤，其中所述子層包括以下至少一種(a)兩個不同半導(dǎo)體層，(b)兩個不同金屬層，(c)兩個不同介電層，(d)—個半導(dǎo)體層和一個金屬層，(e)—個半導(dǎo)體層和一個介電層，以及(f)一個金屬層和一個介電層。183、一種可記錄介質(zhì)，包括具有第一層和第二層的可記錄結(jié)構(gòu)，第一層和第二層中每層具有一個或更多個子層，第一層和第二層在應(yīng)用能量時產(chǎn)生第一光學(xué)對比，第一光學(xué)對比與由第一層單獨在應(yīng)用能量至第一層時產(chǎn)生的第二光學(xué)對比相反。184、根據(jù)權(quán)利要求183所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層單獨具有對于讀光束在應(yīng)用能量時增大的反射率，且第一層和第二層一起具有在應(yīng)用能量時減小的反射率。185、根據(jù)權(quán)利要求183所述的可記錄介質(zhì)，其中至少一個所述子層具有小于10nm的厚度。186、根據(jù)權(quán)利要求183所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第二光學(xué)對比與對于讀光束的反射率的增大相關(guān)。187、一種可記錄介質(zhì)，包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率；第二可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性；以及間隔層，其位于第一可記錄結(jié)構(gòu)和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間。188、根據(jù)權(quán)利要求187所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一可記錄結(jié)構(gòu)的反射率在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)后減小至少16%。189、根據(jù)權(quán)利要求187所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一可記錄結(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)之前和以后大于55%。190、根據(jù)權(quán)利要求187所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一可記錄結(jié)構(gòu)和第二可記錄結(jié)構(gòu)至少其一具有小于IOnm的厚度。191、根據(jù)權(quán)利要求187所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第二可記錄結(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)后增大。192、一種光盤，包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率；第二可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性；以及間隔層，其位于第一可記錄結(jié)構(gòu)和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間。193、根據(jù)權(quán)利要求192所述的光盤，其中所述第一可記錄結(jié)構(gòu)和第二可記錄結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性符合雙層DVD+R和雙層DVD-R標準中至少一種。194、根據(jù)權(quán)利要求187所述的光盤，其中所述第一可記錄結(jié)構(gòu)和第二可記錄結(jié)構(gòu)至少其一具有小于IOnm的厚度。195、一種可記錄介質(zhì)，包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有第一材料層和第二材料層，其在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時結(jié)合以形成第三材料層，第三材料層具有對于讀光束的光學(xué)特性，其不同于第一材料層和第二材料層在應(yīng)用寫入功率前的總光學(xué)特性；第二可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性；以及間隔層，其位于第一可記錄結(jié)構(gòu)和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間。196、根據(jù)權(quán)利要求195所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一可記錄結(jié)構(gòu)的反射率在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)后減小。197、根據(jù)權(quán)利要求196所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一可記錄結(jié)構(gòu)的反射率在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)后減小至少16%。198、根據(jù)權(quán)利要求195所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一可記錄結(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)之前和以后大于55%。199、根據(jù)權(quán)利要求195所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一可記錄結(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)后增大。200、根據(jù)權(quán)利要求195所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一可記錄結(jié)構(gòu)和第二可記錄結(jié)構(gòu)至少其一具有小于IOnm的厚度。201、根據(jù)權(quán)利要求195所述的可記錄介質(zhì)，其中所述子層包括以下至少一種(a)兩個不同半導(dǎo)體層，(b)兩個不同金屬層，(c)兩個不同介電層，(d)—個半導(dǎo)體層和一個金屬層，(e)—個半導(dǎo)體層和一個介電層，以及(f)一個金屬層和一個介電層。202、根據(jù)權(quán)利要求201所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第一層包括選自由鋁、銅、金、銀和錫組成的組的材料。203、根據(jù)權(quán)利要求202所述的可記錄介質(zhì)，其中所述第二層包括選自由硅、氧化硅、鍺、氧化鎢和氧化鈦組成的組的材料。204、用于光學(xué)系統(tǒng)的可記錄介質(zhì)，該可記錄介質(zhì)包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有第一層和第二層，第一層和第二層每層的厚度小于基于該層中電荷載流子密度所確定的德拜長度;第二可記錄結(jié)構(gòu)，其對于讀光束具有在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性；以及間隔層，其位于第一可記錄結(jié)構(gòu)和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間。205、適合用于光學(xué)系統(tǒng)的可記錄介質(zhì)，其具有與一寫策略相關(guān)的預(yù)存儲信息，該寫策略與識別可記錄介質(zhì)的標識符相關(guān)，該系統(tǒng)使用該寫策略以寫入信息至識別的可記錄介質(zhì)上，可記錄介質(zhì)包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率；和第二可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性，第一可記錄結(jié)構(gòu)與第二可記錄結(jié)構(gòu)沿著與第一可記錄結(jié)構(gòu)的表面垂直的方向間隔開；以及用于識別可記錄介質(zhì)的標識符。206、一種數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有空白區(qū)域和刻錄區(qū)域，其中通過刻錄的有或無攜帶信息，刻錄區(qū)域?qū)τ谧x光束具有高于空白區(qū)域的透射率；第二可記錄結(jié)構(gòu)，其具有空白區(qū)域和具有可測量的不同光學(xué)特性的刻錄區(qū)域；以及間隔層，其置于第一可記錄結(jié)構(gòu)和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間。207、一種裝置，包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率；第二可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率；第三可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在寫入功率應(yīng)用至第三可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性；第一間隔層，位于第一可記錄結(jié)構(gòu)和第二可記錄結(jié)構(gòu)之間；以及第二間隔層，位于第二可記錄結(jié)構(gòu)和第三可記錄結(jié)構(gòu)之間。208、一種在可記錄介質(zhì)中寫入信息的方法，包括應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)以增大第一可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的透射率；和應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)以改變第二可記錄結(jié)構(gòu)對于讀光束的光學(xué)特性，包括將寫光束通過第一可記錄結(jié)構(gòu)以應(yīng)用寫入功率至第二可記錄結(jié)構(gòu)。209、根據(jù)權(quán)利要求208所述的方法，其中所述讀光束具有在350nm與450nm之間的波長。210、根據(jù)權(quán)利要求208所述的方法，其中所述第一可記錄結(jié)構(gòu)包括第一材料層和第二材料層，以及當應(yīng)用能量時，第一材料層和第二材料層結(jié)合以產(chǎn)生第三材料層。211、根據(jù)權(quán)利要求210所述的方法，其中所述第三材料層具有小于讀光束頻率的特征頻率，且第一材料層和第二材料層中至少其一具有高于讀光束的特征頻率，層的特征頻率正比于n/m的平方根，其中n表示該層的電荷載流子密度而m表示該層中電荷載流子的有效質(zhì)量。212、根據(jù)權(quán)利要求211所述的方法，其中所述特征頻率包括等離子體頻率。213、一種從可記錄介質(zhì)讀取信息的方法，包括聚焦讀光束至第一可記錄結(jié)構(gòu)上以檢測相比于第二部分具有更低反射率和更高透射率的第一部分，該第一部分和第二部分是第一可記錄結(jié)構(gòu)的部分；和將讀光束通過第一可記錄結(jié)構(gòu)并且聚焦讀光束至第二可記錄結(jié)構(gòu)上以檢測具有不同于第四部分的光學(xué)特性的第三部分，該第三部分和第四部分是第二可記錄結(jié)構(gòu)的部分。214、一種光學(xué)系統(tǒng)，包括可記錄介質(zhì)，包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率，和第二可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在寫入功率應(yīng)用至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性；以及光驅(qū)，包括光源，以產(chǎn)生讀光束，聚焦機構(gòu)，以聚焦讀光束于第一可記錄結(jié)構(gòu)或第二可記錄結(jié)構(gòu)上，和光檢測器，以檢測從可記錄介質(zhì)反射的光。215、--種光學(xué)系統(tǒng)，包括可記錄介質(zhì)，包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率，和第二可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在寫入功率應(yīng)用至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性；以及光驅(qū)，其適于將數(shù)據(jù)記錄在可記錄介質(zhì)中并且具有與用于寫入數(shù)據(jù)至可記錄介質(zhì)的寫策略相關(guān)的預(yù)存儲信息。216、一種光盤驅(qū)動，包括預(yù)存儲信息，其識別光盤是否屬于這樣一類光盤，其包括第一可記錄結(jié)構(gòu)，其具有對于讀光束在應(yīng)用寫入功率至第一可記錄結(jié)構(gòu)時增大的透射率，和第二可記錄結(jié)構(gòu)，其具有在寫入功率應(yīng)用至第二可記錄結(jié)構(gòu)時改變的光學(xué)特性。全文摘要一種可記錄介質(zhì)，包括可記錄結(jié)構(gòu)，所述可記錄結(jié)構(gòu)具有對于讀光束在應(yīng)用能量時增大的透射率。在一些實例中，可記錄結(jié)構(gòu)的透射率在應(yīng)用能量前后可以大于50％。在一些實例中，可記錄結(jié)構(gòu)可以包括第一層和第二層。在一些實例中，第一和第二層在應(yīng)用能量時結(jié)合。文檔編號G11B7/253GK101375333SQ200580052370公開日2009年2月25日申請日期2005年10月20日優(yōu)先權(quán)日2005年10月20日發(fā)明者盧成基,張郁揚,李芳瑜,杰弗里·文泰·徐,燕克夫,賴信成,鐘永清申請人:連宥科技股份有限公司