專利名稱：一種可程序化存儲器及其存取方法
技術領域：
本發(fā)明涉及可程序化存儲器及其存取方法，特別涉及以N列單次可程序化存儲器元件列來實施多次可程序化功能的可程序化存儲器及其存取方法。
背景技術：
以晶片、超扭曲型液晶顯示器(STN-LCD)、薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)制造為例，產出的成品中片與片之間的電性或光學特性通常都存在差異。目前提高良率常用的補救方法是以測量產出成品的參數后，與目標值比較并施以重新設定的作為來校正特定參數。重新設定的方法需具備容易執(zhí)行，且能夠永久保存的特性。常用的方法包含以保險絲(Fuse)燒斷與否來記錄，或以非揮發(fā)性存儲器(Non-Volatile Memory)儲存校正值。保險絲燒斷的方法可依制造的方法的不同，由激光(Laser)或提供高電壓/大電流的方式來達到；而非揮發(fā)性存儲器則可由其架構差異而區(qū)分為單次可程序化存儲器(One-Time Programmable Memory，OTP Memory)、多次可程序化存儲器(Multi-Time Programmable Memory，MTP Memory)。這些設定作業(yè)，可依執(zhí)行上的困難度，選擇直接施作在上述成品上，或是先施作在其它存儲元件上再通過加工方式，將額外的存儲元件固定在成品上。
不論是以保險絲還是非揮發(fā)性存儲器設定方式，若能保有多次的重復設定的功能，就能對工廠在進行產品產出后的補救措施時提供更多的彈性。一但規(guī)格有所變更時，還可以重新設定新的校正數值。相較于單次可程序化存儲器元件(如保險絲或OTP Memory)而言，采用多次可程序化存儲器，如可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)或閃存(FLASH Memory)等方法需要額外的電路或較多的工序步驟才可達到，工序成本較高，且與半導體廠工序關聯性高，不易分散產能風險。
因此，若采用單次可程序化存儲器元件(如保險絲或OTP Memory)來達到多次可程序化記錄功能，則可以降低工序步驟及成本，且保有多次設定的彈性。相關文獻詳見下述專利US6728137B1、TW1229871以及TW1227501等專利。
如圖1所示，為美國專利號第6,728,137專利的可程序化存儲器架構。如圖1所示，該可程序化存儲器10是利用多組的單次可程序化存儲器區(qū)塊15來達到多次可程序化記錄功能?？沙绦蚧鎯ζ?0利用控制電路11通過列解碼器12與行解碼器13來寫入與讀取數據。且該可程序化存儲器10必須額外利用記錄元件14來記錄哪個單次可程序化存儲器區(qū)塊15已被程序化。
圖2顯示臺灣省專利號第93110325號「使用一次可程序化元件達到多次程序化的裝置與方法」申請案。該多次程序化的裝置20與上述美國專利號第6,728,137的專利相同，均使用多組調整用OTP元件22來達到多次可程序化記錄功能。而該多次程序化的裝置20的寫入裝置21在將新數據寫入其中一個單次可程序化存儲器區(qū)塊22時，會同時設定所對應的選擇用OTP元件24。即利用選擇用OTP元件24來代替記錄元件14。而該多次程序化的裝置20還利用多個選擇裝置23來輸出最新的數據。
圖3顯示臺灣省第93113594號「使用一次可程序化元件達到多次程序化的裝置與方法」申請案。該多次程序化的裝置30與上述臺灣省第93110325號專利相同，均使用多組調整用OTP元件22來達到多次可程序化記錄功能。而該多次程序化的裝置30的不同點是利用多個判斷裝置34來取代選擇用OTP元件24。所以，該多次程序化的裝置30不需額外記錄哪些調整用OTP元件22。
使用單次可程序化存儲器元件的保險絲結構因屬破壞性結構，常利用激光，或提供高電壓/大電流燒斷保險絲方式達到，為避免對周遭電路的影響，需區(qū)隔出較大的面積供保險絲制作使用；若使用一般工序儲存電荷架構的單次可程序化存儲器，在較惡劣的操作環(huán)境下，如高溫，強電磁場或強光照射下，可能造成數據遺失，造成設定的校正值無法長時間保存問題，需特別利用電路設計，如增加穩(wěn)壓電容數量、電源限壓/限流、或IC繪圖的特別處理，如以金屬層特別進行遮蔽等方法。因為上述原因，使單次可程序化存儲器的每個位面積都較傳統(tǒng)的多次可程序化存儲器每位面積大數倍，且進行程序化的位數越多，程序化失敗的機率則會越高。例如屬破壞性的保險絲架構，若使用的電壓/電流不足，將面臨無法燒斷保險絲的機率，而使用更高電壓/更大電流進行燒斷作業(yè)，其燒斷作業(yè)次數越多，對集成電路焠煉(Stress)越嚴苛，越可能造成集成電路的損毀。
但是，上述三種架構的共同點都是每次重新寫入數據時，不管數據變化多大，都會寫入新的一組的單次可程序化存儲器元件中。例如，即使只有一個位數據要改變，現有方式都會使用新一組的單次可程序化存儲器元件。另外，上述三種架構中每一組單次可程序化存儲器元件的存儲器元件數均相同，且輸出時均指選擇一組數據輸出。

發(fā)明內容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于，提出一種可減少非必要的程序化次數的可程序化存儲器及其存取方法。因此，能以最少單次可程序化存儲器位數來儲存產出成品的校正參數，并減少非必要的程序化次數來大幅提高校正參數的設定良率。
本發(fā)明的另一目的在于，提出一種以每個位數據來個別判斷是否需要對該位數據進行修改的可程序化存儲器及其存取方法。
為達到上述目的，本發(fā)明提供一種可程序化存儲器，包括N列的單次可程序化存儲器元件列，且每列具有多個單次可程序化存儲器元件，其中所述N為大于1的整數；一輸出模塊，接收單次可程序化存儲器元件陣列的所有位輸出，并產生輸出數據，其中該輸出數據的每個位是由所對應的一列單次可程序化存儲器元件列的所有位數據運算而產生；一判斷模塊，接收輸出模塊的輸出數據與一寫入數據，并根據該輸出數據與寫入數據的個別位值產生一寫入控制數據，當所述輸出數據與寫入數據的相對應位的數據不同時，將所述寫入控制數據的該位被致能；以及一寫入模塊，接收所述寫入控制數據，在寫入控制數據的位被致能時，將所對應的一單次可程序化存儲器元件列中未被程序化的一單次可程序化存儲器元件寫入數據。
所述N列的單次可程序化存儲器元件列的單次可程序化存儲器元件數量不相同。
所述N列的單次可程序化存儲器元件列的單次可程序化存儲器元件數量均相同。
所述可程序化存儲器可記錄N位數據。
所述輸出模塊具有N個運算單元，每個運算單元分別接收所對應的單次可程序化存儲器元件列的所有輸出，并產生所述輸出數據的一位數據。
所述運算單元為一互斥或門。
所述輸出模塊包括一第一多工器，接收所述單次可程序化存儲器元件陣列的輸出信號，并根據一位選擇信號選擇其中一單次可程序化存儲器元件列的輸出信號作為一運算數據；一運算單元，接收所述第一多工器所輸出的運算數據，并產一運算位數據；以及一緩存單元，由所述位選擇信號控制，將所述運算單元輸出的運算位數據儲存在相對應的位置，并將所儲存的數據輸出為所述輸出數據。
所述運算單元為一互斥或門。
所述判斷模塊包括一第二多工器，接收一輸入數據，并根據一位選擇信號選擇其中一位作為一輸入位數據；以及一判斷單元，接收所述第二多工器的輸入位數據與所述運算位數據，且當所述輸入位數據與運算位數據不同時，將所述寫入控制數據致能。
所述寫入模塊包括一第三多工器，接收所述N列的單次可程序化存儲器元件列的輸出信號，并根據所述位選擇信號選擇其中一單次可程序化存儲器元件列的輸出信號作為一已程序化數據；一寫入單元，接收所述寫入控制數據與第三多工器的已程序化數據，并在所述寫入控制數據被致能時，產生一寫入數據；以及一解多工器，接收所述寫入單元的寫入數據并由所述位選擇信號控制，以將所述寫入數據寫入所對應的單次可程序化存儲器元件列中未被程序化的一單次可程序化存儲器元件。
所述判斷模塊具有N個判斷單元，每個判斷單元分別接收所對應的一輸入位與所述輸出數據的相對應輸出位，且在所述輸入位與輸出位的數據不同時，將所述寫入控制數據所對應位致能。
所述寫入模塊具有N個寫入單元，每個寫入單元分別接收所對應的單次可程序化存儲器元件列的數據，并在所述寫入控制數據所對應位被致能時，將一預設數據寫入所述單次可程序化存儲器元件列中未被程序化的一單次可程序化存儲器元件。
所述判斷模塊包括一第一多工器，接收一輸入數據，并根據一位選擇信號選擇其中一位作為一輸入位數據；一第二多工器，接收所述輸出數據，并根據所述位選擇信號選擇其中一位作為一輸出位數據；以及一判斷單元，接收所述第一多工器的輸入位數據與第二多工器的輸出位數據，且在所述輸入位數據與輸出位數據不同時，將所述寫入控制數據致能。
所述寫入模塊包括一第三多工器，接收所述N列的單次可程序化存儲器元件列的輸出信號，并根據所述位選擇信號選擇其中一單次可程序化存儲器元件列的輸出信號作為一存儲器元件數據；一寫入單元，接收所述寫入控制數據與第三多工器的存儲器件數據，并在所述寫入控制數據被致能時，產生一寫入數據；以及一解多工器，接收所述寫入單元的寫入數據并由所述位選擇信號控制，以將所述寫入數據寫入所對應的單次可程序化存儲器元件列中未被程序化的一單次可程序化存儲器元件。
本發(fā)明還提供一種可程序化存儲器，包括N列單次可程序化存儲器元件列，每個單次可程序化存儲器元件列包括一單次可程序化存儲器元件單元，包括多個單次可程序化存儲器元件；一輸出單元，接收所述單次可程序化存儲器元件單元的每個單次可程序化存儲器元件的輸出，并產生一位輸出數據；一判斷單元，接收位輸入數據與所述位輸出數據，并產生寫入控制信號，當所接收的位輸入數據與所述位輸出數據不同時，將一寫入控制信號致能；以及一寫入單元，在所述寫入控制信號被致能時，將所述多個單次可程序化存儲器元件中未被程序化的一個單次可程序化存儲器元件寫入數據。
所述N列單次可程序化存儲器元件列的每一組的單次可程序化存儲器元件單元的可程序化元件數量不同。
所述N列單次可程序化存儲器元件列的每一組的單次可程序化存儲器元件單元的可程序化元件數量相同。
所述可程序化存儲器可記錄N位數據。
所述輸出單元為互斥或門。
本發(fā)明提供一種可程序化存儲器的寫入方法，用來將N位輸入數據寫入具有N列單次可程序化存儲器元件列的可程序化存儲器，包括下列步驟讀取步驟，讀取所述N位輸入數據與所述可程序化存儲器的N位輸出數據；
比較步驟，分別比較所述N位輸入數據與N位輸出數據的各位數據；以及寫入步驟，對每個位的比較結果進行寫入動作；其中，當所述比較步驟中位比較結果為相同時，位數據不寫入該位對應的單次可程序化存儲器元件列；而當位比較結果為不相同時，將一預設數據寫入該位對應的單次可程序化存儲器元件列中尚未被程序化的單次可程序化存儲器元件。
本發(fā)明還提供一種可程序化存儲器的讀取方法，用來讀取具有N列單次可程序化存儲器元件列的可程序化存儲器，包括下列步驟讀取步驟，讀取每一列單次可程序化存儲器元件單元列的每個單次可程序化存儲器元件的數據；以及運算步驟，將每一列單次可程序化存儲器元件單元列的每個單次可程序化存儲器元件的數據進行邏輯運算后產生一位輸出數據。
所述運算步驟是進行互斥或的運算。
在本發(fā)明中，由于該可程序化存儲器會先對每一位來判斷是否要重新寫入數據，因此可以提供更多次的寫入機會。


圖1為第一種現有可程序化存儲器架構；圖2為第二種現有可程序化存儲器架構；圖3為第三種現有可程序化存儲器架構；圖4為本發(fā)明可程序化存儲器的方塊圖；圖5為本發(fā)明可程序化存儲器的第一實施例；圖6為本發(fā)明可程序化存儲器的第二實施例；圖7為本發(fā)明可程序化存儲器中判斷模塊與寫入模塊的另一實施例；圖8為本發(fā)明可程序化存儲器中輸出模塊的另一實施例；圖9為本發(fā)明可程序化存儲器中判斷模塊與寫入模塊的另一實施例；圖10為本發(fā)明可程序化存儲器的寫入流程圖；
圖11為本發(fā)明可程序化存儲器的讀取流程圖。
具體實施例方式
以下參考附圖詳細說明本發(fā)明可程序化存儲器及其存取方法。
圖4為本發(fā)明可程序化存儲器的方塊圖。如圖4所示，本發(fā)明可程序化存儲器40包括一判斷模塊41、一寫入模塊42、一單次可程序化存儲器模塊43以及一輸出模塊44。
單次可程序化存儲器模塊43包括有N列的單次可程序化存儲器元件列，每列的單次可程序化存儲器元件列具有多個單次可程序化存儲器元件，其中所述N為大于1的整數。輸出模塊44接收單次可程序化存儲器模塊43的所有單次可程序化存儲器元件的輸出數據Y，并經過運算后產生一N位輸出數據O。即每一列的單次可程序化存儲器元件列產生一位的輸出數據。例如，當該列單次可程序化存儲器元件列的數據包含奇數個1時，所述位數據為1；而當該列單次可程序化存儲器元件列的數據包含偶數個1時，所述位數據為0。
判斷模塊41接收N位輸入數據I與N位輸出數據O，并分別比較N位輸入數據I與N位輸出數據O的各位數據后，產生一寫入控制數據Z。當輸入數據I與輸出數據O的位數據中有不同時，表示需要寫入不同數據的位，所以寫入控制數據Z的該位被致能(例如被設定成邏輯“H”)；而當輸入數據I與輸出數據O的位數據相同時，表示不需要寫入所述位數據，所以寫入控制數據Z的所述位被禁能(例如被設定成邏輯“L”)。寫入模塊42則接收N列的單次可程序化存儲器元件列的輸出數據Y與寫入控制數據Z，并在寫入控制數據Z被致能時，將預設數據(例如“1”)寫入所述列的單次可程序化存儲器元件列中未被程序化的單次可程序化存儲器元件。例如，單次可程序化存儲器元件列的輸出數據Y中為0的表示該位置對應的單次可程序化存儲器元件未被程序化。
圖5為本發(fā)明可程序化存儲器的第一實施例。如圖5所示，可程序化存儲器50包括N個判斷單元411～41N、N個寫入單元421～42N、N列單次可程序化存儲器元件列431～43N以及N個運算單元441～44N。N個判斷單元411～41N形成圖4的判斷模塊41；N個寫入單元421～42N形成圖4的寫入模塊42；N列單次可程序化存儲器元件列431～43N形成圖4的單次可程序化存儲器模塊43；以及N個運算單元441～44N形成圖4的輸出模塊44。
N個判斷單元411～41N分別接收N位輸入數據I1～IN與N位輸出數據O1～ON，并產生N位寫入控制數據Z1～ZN。當輸入數據I1與輸出數據O1相同時，寫入控制數據Z1被禁能(或被設定為0)，表示該位的數據不需變更；當輸入數據I1與輸出數據O1不同時，寫入控制數據Z1被致能(或被設定為1)，表示該位的數據需要變更。其余的位以此類推。
N個寫入單元421～42N分別接收N位寫入控制數據Z1～ZN與N列的單次可程序化存儲器元件列431～43N的輸出數據Y1～YN，并在N位寫入控制數據Z1～ZN有被致能的情形下，將預設數據寫入對應的單次可程序化存儲器元件列中未被程序化的單次可程序化存儲器元件。例如，當輸入數據I1與輸出數據O1不同時，寫入控制數據Z1被致能，此時若假設單次可程序化存儲器元件列431有3個的單次可程序化存儲器元件且其輸出數據Y1為[100]時，則寫入單元421產生寫入數據X1為
，將預設數據寫入單次可程序化存儲器元件M12。
在此實施例中，N列單次可程序化存儲器元件列431～43N每列具有B個單次可程序化存儲器元件來儲存數據。
N個運算單元441～44N分別接收N列單次可程序化存儲器元件列431～43N的輸出數據Y1～YN，并分別運算出每列輸出數據Y1～YN中1的個數后產生輸出數據O1～ON。運算單元441～44N可以是互斥或門、反互斥或門、二進制加法器或其它可以達到此功能的元件。
圖6為本發(fā)明可程序化存儲器的第二實施例。如圖6所示，該第二實施例的可程序化存儲器50’與第一實施例的可程序化存儲器50相同，均包含N個判斷單元411～41N、N個寫入單元421～42N、N列單次可程序化存儲器元件列431～43N、以及N個運算單元441～44N。第二實施例的可程序化存儲器50’與第一實施例的可程序化存儲器50的差異是第二實施例的可程序化存儲器50’的N列單次可程序化存儲器元件列431’～43N’中，每列單次可程序化存儲器元件列的單次可程序化存儲器元件數量可以不同。例如，第一列單次可程序化存儲器元件列的單次可程序化存儲器元件的數量為B、第二列單次可程序化存儲器元件列的單次可程序化存儲器元件的數量為C、…等等，且B不等于C。
將成品特性控制在規(guī)格范圍內以確保良率，常用的方法包含生產前的規(guī)劃(選擇適當的原料及生產方法)，生產時的控制及產品產出后的補救措施。針對產品產出后的補救措施的目標在于通過額外加工的方法讓特定參數的平均值(Mean)趨近于規(guī)格中心，且縮小標準偏差(Standard Deviation)，讓符合規(guī)格的良品數達到最多，以提高良率。而根據統(tǒng)計學原理，大量的生產結果分布常以高斯分布(Gaussian Distribution)呈現，平均值(Mean)附近的數量最多，三倍標準差以外的數量已占少數。因此，應用于此種系統(tǒng)的可程序化存儲器需要修改的位的機率并不相同。通常較低有效位(LSB)的變化機率高于較高有效位(MSB)。所以如果讓單次可程序化存儲器元件的位分配，讓LSB有需求時可以得到較多的位，如此即有效的增加可重復程序化的次數。所以，第二實施例的可程序化存儲器50’將修改機率低的單次可程序化存儲器元件列的部分單次可程序化存儲器元件移除，或移到修改機率高的單次可程序化存儲器元件列。如此，可以較少的單次可程序化存儲器元件達到更多次的修改機會。
圖7為本發(fā)明可程序化存儲器中判斷模塊與寫入模塊的另一實施例。在圖5與圖6的可程序化存儲器中判斷模塊41包含了N個判斷單元411～41N；但是在圖7的實施例中，判斷模塊41僅需要一判斷單元71，且利用一第一多工器72與一第二多工器73來進行不同位的數據選擇。第一多工器72接收N位輸入數據I1～IN，并根據一位選擇信號來輸出其中一位數據。第二多工器73接收N位輸出數據O1～ON，并根據該位選擇信號來輸出其中一位數據。判斷單元71接收第一多工器72與第二多工器73的輸出數據，并比較是否相同后產生一寫入控制數據Z。該寫入控制數據Z只需要一位即可。
另外，在圖5與圖6的可程序化存儲器中寫入模塊41包含了N個寫入單元421～42N；但是在圖7的實施例中，寫入模塊42僅需要一寫入單元74，且利用一解多工器75與一第三多工器76來進行不同位的數據選擇。第三多工器76接收N組單次可程序化存儲器元件列的輸出數據Y1～YN，并根據位選擇信號來輸出其中一組數據。寫入單元74接收判斷單元71的寫入控制數據Z，并在該寫入控制數據Z被致能時，根據第三多工器76所輸出的數據來產生一組寫入數據。解多工器75接收寫入單元74的寫入數據后，并根據位選擇信號將該寫入數據輸出到所對應的單次可程序化存儲器元件列。
圖8為本發(fā)明可程序化存儲器中輸出模塊的另一實施例。在圖5與圖6的可程序化存儲器中輸出模塊41包含了N個運算單元441～44N；但是在圖8的實施例中，輸出模塊44僅需要一運算單元82與一緩存單元83，且利用一多工器81來進行不同位的數據選擇。多工器81接收N組單次可程序化存儲器元件列的輸出數據Y1～YN，并根據位選擇信號來輸出其中一組數據。運算單元82接收多工器81的輸出數據，并產生一位數據，并將該位數據儲存至緩存單元83中對應的位位置。運算單元82的處理方式例如將多工器81的輸出數據加總后，以最低位作為位數據；或是將多工器81的輸出數據進行互斥或(XOR)運算后輸出位數據；或是計算多工器81的輸出數據中1的個數，若個數為偶數則輸出0，若個數為奇數則輸出1等。緩存單元83是由位選擇信號來控制位數據所儲存的位置，且將所儲存的數據輸出為輸出數據O1～ON。運算單元82可以是互斥或門、反互斥或門、二進制加法器或其它可以達到此功能的元件。
圖9為本發(fā)明可程序化存儲器中判斷模塊與寫入模塊的另一實施例。圖7的判斷模塊41包含了一判斷單元71、一第一多工器72與一第二多工器73，并利用第二多工器73來進行不同位的數據選擇。由于第二多工器73與圖8的輸出模塊的多工器81的功能相同，因此若該系統(tǒng)的輸出單元使用如圖8的輸出模塊，則該判斷模塊41’可以不需第二多工器73。判斷模塊41’的判斷單元71直接接收第一多工器72與輸出模塊的多工器81的輸出數據O’即可。
圖10為本發(fā)明可程序化存儲器的寫入流程圖。該流程圖是用來將數據寫入本發(fā)明具有N列單次可程序化存儲器元件列的可程序化存儲器。
步驟S1002開始寫入程序。
步驟S1004讀取N位寫入數據與N位輸出數據。
步驟S1006分別比較N位寫入數據與N位輸出數據的各個位數據。
步驟S1008對每個位的比較結果進行寫入動作。當位比較結果為相同時，位數據不寫入該位對應的單次可程序化存儲器元件列；而當位比較結果為不相同時，將一預設數據(例如1)寫入該位對應的單次可程序化存儲器元件列中尚未被程序化的單次可程序化存儲器元件。
步驟S1010結束。
圖11為本發(fā)明可程序化存儲器的讀取流程圖。該流程圖是用來讀取本發(fā)明具有N列單次可程序化存儲器元件列的可程序化存儲器的數據。
步驟S1102開始。
步驟S1104讀取N列單次可程序化存儲器元件列的數據。
步驟S1106運算與輸出數據。分別對每一列的單次可程序化存儲器元件列的所有數據進行運算，例如互斥或(XOR)運算或二進制加法運算等，求得該單次可程序化存儲器元件列的所有數據中1的數量。若1的數量為奇數，則該位的輸出數據為1；反之，若1的數量為偶數，則該位的輸出數據為0。
步驟S1108結束。
因此，根據本發(fā)明可程序化存儲器的架構，由于該可程序化存儲器會先對每一位的輸入數據與已儲存數據來判斷是否需要重新寫入數據，新寫入數值僅有0、1兩種可能，所以會有50％的機率不需重新寫入數據，可以提供更多次的寫入機會、節(jié)省程序化時間、降低程序化失敗的機率。而且現有技術所揭示的三種架構中，每一組單次可程序化存儲器元件的存儲器元件數均相同，且輸出時均單獨選擇一組數據輸出。反之，本發(fā)明可程序化存儲器中N列單次可程序化存儲器元件列可輸出N位數據，而每列單次可程序化存儲器元件列的存儲器元件數量可以不同。另外，本發(fā)明可程序化存儲器是以位為單位來進行寫入與讀取，每個輸出位的數據是以儲存在所述列單次可程序化存儲器元件列的所以數據來進行運算后才輸出。
另外，現有技術所揭示的三種架構的單次可程序化存儲器元件組的數目代表存儲器可重復寫入的次數，而其位數則為每一組單次可程序化存儲器元件的寬度所決定。反之，本發(fā)明的N列單次可程序化存儲器元件列代表可程序化存儲器所儲存的位數，而所能重復寫入的次數則根據每列的單次可程序化存儲器元件列的存儲器元件數以及所要刻錄的數據來決定。最少的刻錄次數為每列的單次可程序化存儲器元件列的存儲器元件數。
上述實施例中，所述N為大于1的整數，代表存儲器的位數，當N為8時效果最佳。
以上雖以實施例說明本發(fā)明，但并不因此限定本發(fā)明的范圍，只要不脫離本發(fā)明的要旨，本領域技術人員可進行各種變形或變更。例如，若將圖7與圖8結合時，可以省略圖7的第二多工器73，而直接將多工器81的輸出提供給判斷單元即可。
上述實施例僅用于說明本發(fā)明，而非用于限定本發(fā)明。
權利要求
1.一種可程序化存儲器，其特征在于，包括N列單次可程序化存儲器元件列，且每列具有多個單次可程序化存儲器元件，其中所述N為大于1的整數；一輸出模塊，接收所述N列單次可程序化存儲器元件列的所有數據，并產生一輸出數據，其中該輸出數據的每個位是由所對應的一單次可程序化存儲器元件列的所有數據運算而產生；一判斷模塊，接收所述輸出數據與一寫入數據，并根據該輸出數據與寫入數據產生一寫入控制數據，當所述輸出數據的第X位與寫入數據的第X位數據不同時，將所述寫入控制數據的第X位致能，否則將第X位禁能，其中X為1至N的整數；以及一寫入模塊，接收所述寫入控制數據，并將一預設數據寫入有被致能的位所對應的單次可程序化存儲器元件列中未被程序化的單次可程序化存儲器元件。
2.如權利要求1所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述N列的單次可程序化存儲器元件列的單次可程序化存儲器元件數量不相同。
3.如權利要求1所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述N列的單次可程序化存儲器元件列的單次可程序化存儲器元件數量均相同。
4.如權利要求1所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述可程序化存儲器可記錄N位數據。
5.如權利要求1所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述輸出模塊具有N個運算單元，每個運算單元分別接收所對應的單次可程序化存儲器元件列的所有輸出，并產生所述輸出數據的一位數據。
6.如權利要求5所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述運算單元為一互斥或門。
7.如權利要求1所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述輸出模塊包括一第一多工器，接收所述單次可程序化存儲器元件陣列的輸出信號，并根據一位選擇信號選擇其中一單次可程序化存儲器元件列的輸出信號作為一運算數據；一運算單元，接收所述第一多工器所輸出的運算數據，并產一運算位數據；以及一緩存單元，由所述位選擇信號控制，將所述運算單元輸出的運算位數據儲存在相對應的位置，并將所儲存的數據輸出為所述輸出數據。
8.如權利要求7所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述運算單元為一互斥或門。
9.如權利要求7所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述判斷模塊包括一第二多工器，接收一輸入數據，并根據一位選擇信號選擇其中一位作為一輸入位數據；以及一判斷單元，接收所述第二多工器的輸入位數據與所述運算位數據，且當所述輸入位數據與運算位數據不同時，將所述寫入控制數據致能。
10.如權利要求9所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述寫入模塊包括一第三多工器，接收所述N列的單次可程序化存儲器元件列的輸出信號，并根據所述位選擇信號選擇其中一單次可程序化存儲器元件列的輸出信號作為一已程序化數據；一寫入單元，接收所述寫入控制數據與第三多工器的已程序化數據，并在所述寫入控制數據被致能時，產生一寫入數據；以及一解多工器，接收所述寫入單元的寫入數據并由所述位選擇信號控制，以將所述寫入數據寫入所對應的單次可程序化存儲器元件列中未被程序化的一單次可程序化存儲器元件。
11.如權利要求5所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述判斷模塊具有N個判斷單元，每個判斷單元分別接收所對應的一輸入位與所述輸出數據的相對應輸出位，且在所述輸入位與輸出位的數據不同時，將所述寫入控制數據所對應位致能。
12.如權利要求11所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述寫入模塊具有N個寫入單元，每個寫入單元分別接收所對應的單次可程序化存儲器元件列的數據，并在所述寫入控制數據所對應位被致能時，將一預設數據寫入所述單次可程序化存儲器元件列中未被程序化的一單次可程序化存儲器元件。
13.如權利要求5所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述判斷模塊包括一第一多工器，接收一輸入數據，并根據一位選擇信號選擇其中一位作為一輸入位數據；一第二多工器，接收所述輸出數據，并根據所述位選擇信號選擇其中一位作為一輸出位數據；以及一判斷單元，接收所述第一多工器的輸入位數據與第二多工器的輸出位數據，且在所述輸入位數據與輸出位數據不同時，將所述寫入控制數據致能。
14.如權利要求13所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述寫入模塊包括一第三多工器，接收所述N列的單次可程序化存儲器元件列的輸出信號，并根據所述位選擇信號選擇其中一單次可程序化存儲器元件列的輸出信號作為一存儲器元件數據；一寫入單元，接收所述寫入控制數據與第三多工器的存儲器件數據，并在所述寫入控制數據被致能時，產生一寫入數據；以及一解多工器，接收所述寫入單元的寫入數據并由所述位選擇信號控制，以將所述寫入數據寫入所對應的單次可程序化存儲器元件列中未被程序化的一單次可程序化存儲器元件。
15.一種可程序化存儲器，其特征在于，包括N列單次可程序化存儲器元件列，每個單次可程序化存儲器元件列包括一單次可程序化存儲器元件單元，包括多個單次可程序化存儲器元件；一輸出單元，接收所述單次可程序化存儲器元件單元的每個單次可程序化存儲器元件的輸出，并產生一位輸出數據；一判斷單元，接收位輸入數據與所述位輸出數據，并產生寫入控制信號，當所接收的位輸入數據與所述位輸出數據不同時，將一寫入控制信號致能；以及一寫入單元，在所述寫入控制信號被致能時，將所述多個單次可程序化存儲器元件中未被程序化的一個單次可程序化存儲器元件寫入數據。
16.如權利要求15所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述N列單次可程序化存儲器元件列的每一組的單次可程序化存儲器元件單元的可程序化元件數量不同。
17.如權利要求15所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述N列單次可程序化存儲器元件列的每一組的單次可程序化存儲器元件單元的可程序化元件數量相同。
18.如權利要求15所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述可程序化存儲器可記錄N位數據。
19.如權利要求15所述的可程序化存儲器，其特征在于，所述輸出單元為互斥或門。
20.一種可程序化存儲器的寫入方法，其特征在于，用來將N位輸入數據寫入具有N列單次可程序化存儲器元件列的可程序化存儲器，包括下列步驟讀取步驟，讀取所述N位輸入數據與所述可程序化存儲器的N位輸出數據；比較步驟，分別比較所述N位輸入數據與N位輸出數據的各位數據；以及寫入步驟，對每個位的比較結果進行寫入動作；其中，當所述比較步驟中位比較結果為相同時，位數據不寫入該位對應的單次可程序化存儲器元件列；而當位比較結果為不相同時，將一預設數據寫入該位對應的單次可程序化存儲器元件列中尚未被程序化的單次可程序化存儲器元件。
21.一種可程序化存儲器的讀取方法，其特征在于，用來讀取具有N列單次可程序化存儲器元件列的可程序化存儲器，包括下列步驟讀取步驟，讀取每一列單次可程序化存儲器元件單元列的每個單次可程序化存儲器元件的數據；以及運算步驟，將每一列單次可程序化存儲器元件單元列的每個單次可程序化存儲器元件的數據進行邏輯運算后產生一位輸出數據。
22.如權利要求21所述的可程序化存儲器的讀取方法，其特征在于，所述運算步驟是進行互斥或的運算。
全文摘要
一種可程序化存儲器及其存取方法。該可程序化存儲器包括N列的單次可程序化存儲器元件列，且每列具有多個單次可程序化存儲器元件；一輸出模塊，接收單次可程序化存儲器元件陣列的所有位輸出，并產生輸出數據；一判斷模塊，接收輸出模塊的輸出數據與一寫入數據，并根據輸出數據與寫入數據的個別位值產生一寫入控制數據，當輸出數據與寫入數據的相對應位的數據不同時，寫入控制數據的所述位被致能；一寫入模塊，在寫入控制數據的位被致能時，將所對應的一單次可程序化存儲器元件列中未被程序化的一單次可程序化存儲器元件寫入數據。由于可程序化存儲器會先對每一位來判斷是否要重新寫入數據，因此可以提供更多次的寫入機會。
文檔編號G11C16/06GK101030450SQ20061005791
公開日2007年9月5日 申請日期2006年2月27日 優(yōu)先權日2006年2月27日
發(fā)明者徐瑞成, 陳林謙 申請人:凌陽科技股份有限公司