專利名稱：具有基于電流發(fā)生器的斜坡形偏壓結(jié)構(gòu)的存儲器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲器領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及存儲器件的讀取。
背景技術(shù)：
在許多應(yīng)用中，存儲器件通常用于存儲信息(臨時(shí)地或永久地)；例如，在非易失性存儲器件中，即使關(guān)斷電源仍可保存信息。存儲器件典型地包括存儲單元矩陣(例如，由浮柵MOS晶體管構(gòu)成)；各個存儲單元具有可被編程到表示相應(yīng)邏輯值的不同電平的閾值電壓。特別地，在多電平存儲器件中，各個單元可應(yīng)用多于兩個的電平(并且然后存儲多個位)。
通過將流經(jīng)各個存儲單元的電流和一個或多個參考單元提供的電流進(jìn)行對比(公知條件下)來讀取存儲器件的選擇單元中存儲的邏輯值。出于這個目的，向選擇存儲單元和參考單元施加適當(dāng)?shù)钠珘?。然而，讀取操作的正確性很大程度上取決于偏壓的精確性和可重復(fù)性。在多電平存儲器件中這個問題尤其敏銳，其中區(qū)別不同邏輯值的安全裕度更窄。
在EP-A-1467377(這里引入其所有公開作為參考)中公開了不同的技術(shù)。該文件提出使用具有單調(diào)的時(shí)間圖案的偏壓；優(yōu)選地，偏壓的波形由斜坡組成，其以恒定斜率隨時(shí)間線性增大。在該情形中，在不同時(shí)間(一旦偏壓達(dá)到它們的閾值電壓)開啟各個選擇存儲單元和參考單元。存儲單元開啟的時(shí)間次序相對于參考單元開啟的時(shí)間次序唯一地標(biāo)識其中存儲的邏輯值。以這種方式，很大程度上改善了讀取操作的精確性，并使其不受大多數(shù)外部因素(例如溫度)影響。
然而，上述技術(shù)要求偏壓應(yīng)當(dāng)顯示所需的具有高精確度的時(shí)間圖案；特別地，偏壓應(yīng)當(dāng)優(yōu)選地盡可能隨時(shí)間線性改變。而且，施加到選擇存儲單元和參考單元的偏壓必須具有相同的值，或至少相同的斜率。
出于這個目的，存儲器件一般配備有接收模擬電壓(具有所需的坡形圖案)的斜坡發(fā)生器，該模擬電壓與存儲器件的電源電壓分離產(chǎn)生；然后通過電壓跟隨器向選擇存儲單元和參考單元施加該模擬電壓。根據(jù)參考單元處實(shí)際測量的電壓反饋調(diào)整偏壓。
本領(lǐng)域已知解決方法的缺點(diǎn)是斜坡發(fā)生器高的復(fù)雜性。特別地，上述閉環(huán)涉及其中典型地集成存儲器件的半導(dǎo)體材料芯片面積的浪費(fèi)。無論如何，斜坡發(fā)生器的操作緩慢；結(jié)果是，偏壓的斜率一定非常低，由此增加了存儲器件的讀取時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，建議由電流產(chǎn)生偏壓。
特別地，本發(fā)明的一個方面提出一種存儲器件。存儲器件包括多個存儲單元(每一個存儲一個值)和一個或多個參考單元。偏置裝置用于一個偏壓偏置一組選擇存儲單元和參考單元，該偏壓具有基本上單調(diào)的時(shí)間圖案。存儲器件還包括檢測各個選擇存儲單元和各個參考單元的電流達(dá)到閾值的裝置。提供根據(jù)選擇存儲單元和至少一個參考單元的電流達(dá)到閾值的時(shí)間關(guān)系確定各個選擇存儲單元中存儲的值的裝置。偏置裝置包括向選擇存儲單元和至少一個參考單元施加預(yù)定偏置電流的裝置。
提出的解決方案實(shí)施具有非常簡單結(jié)構(gòu)的開環(huán)設(shè)計(jì)。
因此，這很大程度上減小了半導(dǎo)體材料芯片中的面積浪費(fèi)。
而且，所提出結(jié)構(gòu)的操作非?？臁＝Y(jié)果是，偏壓可能具有高的斜率。這減少了讀取時(shí)間，且對于整個存儲器件的性能具有優(yōu)異的效果。
下述本發(fā)明的不同實(shí)施例提供了其它優(yōu)點(diǎn)。
例如，偏置電流為恒定電流。
這提供了包括具有恒定斜率的斜坡形部分的偏壓。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，在公共節(jié)點(diǎn)上施加偏置電流，第一路徑(包括選擇存儲單元)和第二路徑(包括參考單元)從該節(jié)點(diǎn)分支。
提出的結(jié)構(gòu)可以以非常簡單結(jié)構(gòu)得到所希望的結(jié)果。
進(jìn)一步擴(kuò)展，提供用于使兩個路徑的等效電阻相等的裝置。
這一特征減小了選擇存儲單元和參考單元處的偏壓之間的任何差異。
此外或可選地，提供用于使兩個路徑的等效電容相等的裝置。
結(jié)果是，基本上避免了選擇存儲單元和參考單元處的偏壓之間的任何不匹配。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，存儲器件包括用于修整(trimming)偏置電流的裝置。
這可以在任意操作條件下獲得希望斜率的偏壓。
對上述特征的建議選擇是具有多個修整元件，該元件提供具有兩個或多個不同絕對值的(偏置電流的)相應(yīng)的修正電流。
提出的解決方案允許精確調(diào)整的斜率(用于實(shí)際操作的存儲器件)或粗略調(diào)整的斜率(用于測試目的)。
不脫離其通用的適用性，本發(fā)明的解決方案對于非易失性存儲器件進(jìn)行特別設(shè)計(jì)。
而且，在多電平型存儲器件中所提出的結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)更加明顯。
本發(fā)明的另一方面提供用于讀取存儲器件的相應(yīng)方法。


在所附權(quán)利要求中描述了本發(fā)明的表征性特點(diǎn)。然而，參考下面的純粹通過非限制性指示方式的詳細(xì)描述，并結(jié)合附圖閱讀將更好的理解本發(fā)明自身以及其進(jìn)一步的特征和優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的解決方案的存儲器件的示意方框圖；圖2a詳述了存儲器件的讀出放大器的典型實(shí)施；圖2b是解釋讀出放大器的操作的示例性時(shí)序圖；圖3a是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的斜坡發(fā)生器的功能性表征；圖3b是解釋斜坡發(fā)生器的操作的示例性時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
特別參考圖1，示例說明了非易失性存儲器件100(例如，由閃存E2PROM組成)。存儲器件100集成在半導(dǎo)體材料芯片上，并包括存儲單元Mc的矩陣105(例如，具有512行和1024列)。每個存儲單元Mc由具有可編程閾值電壓Vthc的浮柵MOS晶體管組成。不可編程(或擦除)條件下的存儲單元Mc表現(xiàn)出低閾值電壓。通過把電荷注入到其浮柵中對存儲單元Mc編程；能夠在多電平下對存儲單元Mc編程，每個電平與閾值電壓Vthc的相應(yīng)范圍相關(guān)聯(lián)。每個電平表示為不同的邏輯值；例如，存儲器件100在4個電平下操作，從而每個存儲單元Mc存儲由2位信息構(gòu)成的邏輯值(用于增大閾值電壓Vthc的11、10、01和00)。矩陣105包括一個或多個可單獨(dú)擦除的部分(圖中僅示出一個)。每個部分與三個參考單元Mr0、Mr1和Mr2相關(guān)聯(lián)，該參考單元用于辨別存儲單元Mc中存儲的邏輯值。出于該目的，參考單元Mr0、Mr1和Mr2的閾值電壓(表示為Vthr0、Vthr1和Vthr2)分別設(shè)為邏輯值11-10、10-01和01-00電平之間的預(yù)定值。
在論述的例子中，矩陣105具有所謂的NOR構(gòu)造。特別地，每一列存儲單元Mc的漏端連接到對應(yīng)的位線BL，而每一行存儲單元Mc的控制柵端連接到對應(yīng)的字線WL；所有存儲單元Mc的源端連接到提供參考電壓(或地)的公共端。存儲器件100同時(shí)處理一個字(例如由16位組成)。各個字的位存儲在存儲單元Mc的一個頁(在論述的例子中16/2＝8)中，其與單字線WL相關(guān)；矩陣105的位線BL歸為8個子組(sub-set)，其中每一個用于不同頁的存儲單元Mc(置于同一列上)。同樣地，參考單元Mr0、Mr1和Mr2的漏端分別連接到位線BLr0、BLr1和BLr2。所有參考單元Mr0、Mr1和Mr2的控制柵端連接到公共字線WLr，而其源端連接到地端。
存儲器件100接收用于存取對應(yīng)頁的地址ADR。提供地址ADR的一部分給選擇所需字線WL的行解碼器110r。提供地址ADR的另一部分給選擇各子組中所需位線BL的列解碼器110c。
行解碼器110r把選擇的字線WL和斜坡發(fā)生器115連接。斜坡發(fā)生器115還通過驅(qū)動器120和虛擬電阻器125r連接字線WLr(串聯(lián))；虛擬電容器125c也并聯(lián)連接到參考單元Mr0、Mr1和MR2(位于字線WLr和地端之間)。下面將清楚看到，虛擬電阻器125r和虛擬電容器125c分別用于改變等效電阻和等效電容，這可由斜坡發(fā)生器115看出。斜坡發(fā)生器115向選擇存儲單元Mc和參考單元Mr0、Mr1和Mr2的控制柵端施加偏壓；偏壓具有斜坡形圖案，其數(shù)值按照恒定斜率隨時(shí)間線形增大。
列解碼器110c連接選擇的位線BL和讀出放大器130的庫。讀出放大器130還分別通過開關(guān)1350、1351和1352連接到位線BLr0、BLr1和BLr2。而且，讀出放大器130接收比較電流Icomp；比較電流Icomp由電流產(chǎn)生器140提供，并具有低于導(dǎo)通時(shí)流經(jīng)每個(存儲或參考)單元Mc、Mr0-Mr2的電流值。下面具體描述讀出放大器130通過比較流經(jīng)選擇存儲單元Mc和參考單元Mr0-Mr2的電流和電流Icomp，從而檢測它們的開啟。將該信息提供給邏輯單元145，其根據(jù)相關(guān)開啟時(shí)間的時(shí)間關(guān)系確定各個選擇存儲單元Mc存儲的邏輯值。
現(xiàn)在考慮圖2a，讀出放大器130包括四個用于各個選擇的位線BL的比較器205c、205r0、205r1和205r2。特別地，比較器205c的同相輸入端接收流經(jīng)選擇的位線BL的單元電流Ic(然后經(jīng)過所需的存儲單元被讀出)；另一方面，比較器205r0、205r1和205r2的同相輸入端分別接收流經(jīng)位線BLr0、BLr1和BLr2的參考電流Ir0、Ir1和Ir2(然后經(jīng)過對應(yīng)的參考單元)。所有比較器205c、205r0-205r2的反相輸入端代替接收比較電流Icomp。
比較器205c、205r0、205r1和205r2分別輸出傳導(dǎo)位Sc、Sr0、Sr1和Sr2，其當(dāng)對應(yīng)的電流Ic、Ir0、Ir1和Ir2超過比較電流Icomp時(shí)被示出(例如處于邏輯值1)。傳導(dǎo)位Sc、Sr0、Sr1和Sr2分別存儲在鎖存器210c、210r0、210r1和210r2中。鎖存的傳導(dǎo)位Sc、Sr0-Sr2然后提供給邏輯單元145。
如圖2b所示，偏壓(V)隨時(shí)間從值0V增大到比(最后一個參考單元Mr2的)閾值電壓Vthr2更大的最大值。當(dāng)偏壓在tr0時(shí)刻達(dá)到閾值電壓Vthr0時(shí)，參考單元Mr0開啟；因此，對應(yīng)的參考電流Ir0一達(dá)到比較電流Icomp，就示出其傳導(dǎo)位Sr0。當(dāng)偏壓分別在tr1時(shí)刻達(dá)到閾值電壓Vthr1和在tr2時(shí)刻達(dá)到閾值電壓Vthr2時(shí)，連續(xù)示出其它傳導(dǎo)位Sr1和Sr2。
同樣，當(dāng)偏壓在tc時(shí)刻達(dá)到要被讀取的存儲單元的閾值電壓Vthc時(shí)，示出傳導(dǎo)位Sc。因此，如果時(shí)刻tc先于時(shí)刻tr0，閾值電壓Vthc低于閾值電壓Vthr0，并且存儲單元存儲邏輯值00。以類似方式，如果時(shí)刻tc包括在時(shí)刻tr0-tr1或tr1-tr2之間，存儲單元分別存儲邏輯值01或10。如果時(shí)刻tc晚于時(shí)刻tr2，或當(dāng)偏壓達(dá)到其最大值(高于閾值電壓Vthr2)時(shí)未示出傳導(dǎo)位Sc時(shí)，存儲單元存儲邏輯值11。應(yīng)當(dāng)注意一旦轉(zhuǎn)換每個傳導(dǎo)位Sc、Sr0-Sr2(和該事件已經(jīng)被存儲到相應(yīng)鎖存器)，能夠通過行解碼器或相關(guān)開關(guān)分別關(guān)閉各個(存儲或參考)單元(從而減小存儲器件的功耗和從公共地端漏出的電流引起的任何噪聲)。
參考圖3a，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的斜坡發(fā)生器115包括提供恒定電流Im的主電流發(fā)生器305。通過相應(yīng)開關(guān)315pi與主發(fā)生器305并聯(lián)連接多個修整電流發(fā)生器310pi(在論述的例子中i＝0...3)；各個修整發(fā)生器310pi提供(恒定)修正電流Ipi，當(dāng)各開關(guān)315pi關(guān)閉時(shí)增加它至主電流Ir中。同樣，還通過對應(yīng)開關(guān)315ni與主發(fā)生器305并聯(lián)連接修整電流發(fā)生器310ni；各個修整發(fā)生器310ni提供(恒定)修正電流Ini，當(dāng)各開關(guān)315ni關(guān)閉時(shí)從主電流Im中將其減去。
把得到的(恒定)偏置電流Ib(等于可能由一個或多個修正電流Ipi、Ini修正的主電流Im)施加到公共節(jié)點(diǎn)320，包括選擇存儲單元的路徑和包括參考單元的路徑從該節(jié)點(diǎn)分支。為了解釋斜坡發(fā)生器115的操作，選擇存儲單元由與等效電阻器Rc(對應(yīng)偏置電流Ibc從其流經(jīng))串聯(lián)的等效電容器Cc表示；電容Cc表示選擇存儲單元的寄生電容，而電阻器Rc表示行解碼器的固有電阻。同樣，參考單元由與等效電阻器Rr(對應(yīng)的偏置電流Ibr從其流經(jīng))串聯(lián)的等效電容器Cr表示；電容Cr表示參考單元的寄生電容和虛擬電容器的電容，而電阻器Rr表示對應(yīng)驅(qū)動器的固有電阻和虛擬電阻器的電阻。如圖所示，元件Rc、Cc、和Rr、Cr并聯(lián)連接在公共節(jié)點(diǎn)320和地端之間。
現(xiàn)在一起考慮圖3a和3b，描述電容器Cc處(即要讀取的存儲單元的控制柵端處)的單元電壓Vc和電容器Cr處(即參考單元的控制柵端處)的參考電壓Vr以同樣的恒定斜率隨時(shí)間的變化(在過渡周期之后)是可能的。
實(shí)際上，只要使斜坡發(fā)生器115一工作，偏置電流Ib就開始對電容器Cc和Cr充電。在該階段，偏置電流Ib在路徑Rc、Cc和Rr、Cr之間按照它們的時(shí)間常數(shù)分離。結(jié)果是，對應(yīng)電壓Vc和Vr隨著一般相異的二次定律增大(除非Rc＝Rr和Cc＝Cr)。
當(dāng)偏置電流Ibc和Ibr變成常數(shù)時(shí)，達(dá)到平衡條件(在te時(shí)刻)。從此時(shí)，電壓Vc和Vr按照下述表達(dá)式線性增大(在下面，電量值以相同的符號表示，該符號用于表示圖中的對應(yīng)組件)
IrCr=dVrdt=Sr]]>其中Sc和Sr分別是單元電壓Vc和參考電壓Vr的恒定斜率。
在這一條件下，斜率Sc和Sr具有相同值。實(shí)際上，我們有Rc.Ic+Vc＝Rr.Ir+Vr然后Rc.Sc.Cc+Vc＝Rr.Sr.Cr+Vr通過將這兩項(xiàng)關(guān)于時(shí)間推導(dǎo)，我們得到(Rc、Sc、Cc和Rr、Sr、Cr為常數(shù))
dVcdt=dVrdt]]>即Sc＝Sr因此，用Sb＝Sc＝Sr表示公共節(jié)點(diǎn)和用Cb＝Cc+Cs表示兩個路徑的總電容，我們有Ib＝Ic+Ir＝Sb·Cc+Sb·Cr＝Sb.Cb應(yīng)當(dāng)注意元件Rc、Cc和Rr、Cr的任何不匹配僅導(dǎo)致對應(yīng)電壓Vc和Vr的時(shí)間平移(不會影響它們的斜率)。實(shí)際上，用Vb表示公共節(jié)點(diǎn)320和地端之間的電壓，我們有Vc=Vb-Rc·Ic=Vb-Rc·Sb·Cc=Vb-Rc·Ib·CcCb=Vb-Rc·Cc·IbCc+Cr]]>同樣Vr=Vb-Rr·Cr·IbCc+Cr]]>因此，單元電壓Vc和參考電壓Vr之間差為ΔV=Vc-Vr=Vb-Rc·Cc·IbCc+Cr-Vb+Rr·Cr·IbCc+Cr=Ib(Rr·Cr-Rc·Cc)Cc+Cr]]>典型地，設(shè)置虛擬電阻器以產(chǎn)生具有相同電阻(表示為Rb)的電阻器Rc和Rr；在該情形中ΔV=Ib·RbCr-CcCc+Cr,]]>即ΔV=Sb·Cb·RbCr-CcCc+Cr=Sb·(Cc+Cr)·RbCr-CcCc+Cr=Sb·Rb·(Cr-Cc)]]>而且，如果虛擬存儲器設(shè)為具有Cr＝Cc，我們得到ΔV＝0。
在任一情形下，即使電容器Cc和Cr(和/或電阻器Rc和Rr)不能完全匹配，電壓Vc和Vr之間的對應(yīng)差異不會反面影響讀取操作的正確性。實(shí)際上，在編程操作期間也存在同樣的差異(讀取存儲單元時(shí)為了檢驗(yàn)它們的狀態(tài))；因此，當(dāng)接著讀取存儲單元時(shí)這一差異消除。元件Rc、Cc和Rr、Cr的任何不匹配的效果僅在于相應(yīng)減小了視窗電壓(window voltage)，其可用于存儲所需的邏輯值。
而且，應(yīng)當(dāng)注意電壓Vc和Vr實(shí)際上僅在上述過渡周期之后具有所需的斜坡形圖案。然而，這沒有延遲讀取操作實(shí)際上，只要在流經(jīng)第一參考單元的電流達(dá)到比較電流之前(導(dǎo)致傳導(dǎo)位Sr0示出)結(jié)束過渡周期，斜坡發(fā)生器可以被立即使用。
修整發(fā)生器310pi、310ni用于調(diào)節(jié)偏置電流Ib，從而獲得所需的(電壓Vc和Vr的)斜率Sb。實(shí)際上，如上面給出的，斜率Sb取決于偏置電流Ib和總電容Cb(Sb＝Ib/Cb)。例如，斜率Sb的典型值為50-200 106V/s的數(shù)量級；因此，對于總電容Cb為10-50nF的數(shù)量級，需要偏置電流Ib為0.5-10mA的數(shù)量級。然而，能夠僅用一定程度的近似估計(jì)總電容Cb。無論如何，能夠調(diào)節(jié)偏置電流Ib(通過對應(yīng)開關(guān)315pi、315ni使一個或多個修整發(fā)生器310pi、310ni工作)以得到所需的斜率Sb。
優(yōu)選地，大多數(shù)修整發(fā)生器310pi、310ni提供具有非常小的絕對值(例如，為0.1-0.6mA的數(shù)量級)的修正電流Ip0-2、In0-2。使用修整發(fā)生器310p0-2、310n0-2進(jìn)行斜率Sb的微調(diào)，其修正在估計(jì)總電容Cb中的任何錯誤(典型非常低)。相反，其它的修整發(fā)生器310p3、310n3提供一種更高的修正電流Ip3、In3(例如在1-5mA的數(shù)量級)。使用修整發(fā)生器310p3、310n3進(jìn)行斜率Sb的粗調(diào)，其充分增大和/或減小斜率Sb(例如用于測試目的)。
自然地，為了滿足局部和特定的需求，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對上述解決方案應(yīng)用許多變形和變化。特別地，雖然參照其優(yōu)選實(shí)施例應(yīng)用在一定的具體程度上描述了本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)理解形式上和細(xì)節(jié)上的各種省略、替換和改變以及其它實(shí)施例是可能的；而且，顯然所述的特定元件和/或方法連同所有公開的本發(fā)明的實(shí)施例可以合并入作為一般設(shè)計(jì)選擇任意其它實(shí)施例。
例如，如果存儲器件具有不同結(jié)構(gòu)或包括等價(jià)元件，可應(yīng)用類似考慮。而且，上述數(shù)個例子主要是示例性的，不必解釋為限制性方式。
同樣，偏置電流可經(jīng)過等價(jià)路徑施加到選擇存儲單元和參考單元。
而且，使用其它裝置用于使兩個路徑的電阻和/或電容相等是可能的。
本發(fā)明的解決方案也可用于修整偏置電流的等價(jià)結(jié)構(gòu)、或使用其它值的修正電流的實(shí)施。
而且，可以預(yù)期所提出的解決方案應(yīng)用于不同的非易失性存儲器件(例如，E2PROM，具有NAND構(gòu)造的閃存，相變存儲器等)。
可選地，能夠在不為2的指數(shù)的多個電平下編程各個存儲單元(具有包括對應(yīng)數(shù)目的參考單元的存儲器件)。
而且，附加部件提供附加優(yōu)點(diǎn)對于實(shí)行本發(fā)明來說不是至關(guān)重要的，并可以省略或用其它部件代替，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。
例如，能夠使用不是恒定的偏置電流從而獲得具有任意所需的單調(diào)時(shí)間圖案(隨時(shí)間增大或降低)的偏壓。
而且，不排除不同的偏置電流單獨(dú)應(yīng)用于選擇存儲單元和參考單元的情形。
在任一情形下，預(yù)期不具有用于使兩個路徑的電阻和/或電容相等的任一裝置的不同實(shí)施例。
可選地，可以想象存在不允許修整偏置電流的實(shí)施方式。
而且，能夠具有不同的修正電流值(甚至全部相等)。
即使前述參考內(nèi)容應(yīng)用于非易失性存儲器件，這并不傾向于作為一種限制(提出的解決方案應(yīng)用于其它任意存儲器件，例如DRAM)。
最后，本發(fā)明的原理不應(yīng)當(dāng)限制于多電平存儲器件(它們還應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)存儲器件，其中各個存儲單元存儲單個位，然后僅提供一個參考單元)。
權(quán)利要求
1.一種存儲器件(100)，包括各存儲一個值的多個存儲單元(Mc)，至少一個參考單元(Mr0-Mr2)，用于用具有基本上單調(diào)時(shí)間圖案的偏壓(Vc、Vr)偏置一組選擇存儲單元和至少一個參考單元的偏置裝置(115)，用于檢測各個選擇存儲單元和各個參考單元的電流(Ic、Ir)達(dá)到閾值的裝置(130)，和用于根據(jù)選擇存儲單元和至少一個參考單元的電流達(dá)到閾值的時(shí)間關(guān)系確定各個選擇存儲單元中存儲的值的裝置(145)，其特征在于偏置裝置包括向選擇存儲單元和至少一個參考單元施加預(yù)定偏置電流(Ib)的裝置(305)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲器件(100)，其中偏置電流(Ip)為恒定電流，偏置電壓(Vc、Vr)包括具有恒定斜率的斜坡形部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的存儲器件(100)，其中偏置裝置包括向公共節(jié)點(diǎn)(320)施加偏置電流的裝置(305)，第一路徑(Rc、Cc)和第二路徑(Rr、Cr)從該節(jié)點(diǎn)分支，第一路徑包括選擇存儲單元(Mc)，第二路徑包括至少一個參考單元(Mr0-Mr2)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的存儲器件(100)，還包括用于使第一路徑(Rc、Cc)的等效電阻和第二路徑(Rr、Cr)的等效電阻相等的裝置(125r)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4的存儲器件(100)，還包括用于使第一路徑(Rc、Cc)的等效電容和第二路徑(Rr、Cr)的等效電容相等的裝置(125c)。
6.根據(jù)從權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求的存儲器件(100)，還包括用于修整偏置電流(Ib)的裝置(310-315)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的存儲器件(100)，其中用于修整的裝置(310-315)包括多個修整元件(310)，該各個修整元件用于提供偏置電流(Ib)的修正電流(Ip、In)，和包括用于選擇性地使各個修整元件工作的裝置(315)，修正電流具有至少兩個不同的絕對值。
8.根據(jù)從權(quán)利要求1-7中任一權(quán)利要求的存儲器件(100)，其中存儲器件是非易失性的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲器件(100)，其中存儲器件是多電平型的。
10.一種用于讀取存儲器件(100)的方法，該存儲器件包括多個各存儲一個值的存儲單元(Mc)和至少一個參考單元(Mr0-Mr2)，其中該方法包括步驟以具有基本上單調(diào)時(shí)間圖案的偏壓(Vc、Vr)偏置一組選擇存儲單元和至少一個參考單元，檢測各個選擇存儲單元和各個參考單元的電流(Ic、Ir)達(dá)到閾值，和根據(jù)選擇存儲單元和至少一個參考單元的電流達(dá)到閾值的時(shí)間關(guān)系確定各個選擇存儲單元中存儲的值，其特征在于偏置步驟包括向選擇存儲單元和至少一個參考單元施加預(yù)定偏置電流(Ib)。
全文摘要
提出一種存儲器件(100)。該存儲器件包括各存儲一個值的多個存儲單元(Mc)，至少一個參考單元(Mr
文檔編號G11C11/56GK1835120SQ20061005926
公開日2006年9月20日 申請日期2006年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月28日
發(fā)明者M.斯福爾津, 加托 N.德爾, M.費(fèi)拉里奧, E.康法羅尼里 申請人:意法半導(dǎo)體股份有限公司