專利名稱：光接收設(shè)備、光學(xué)拾取器及光盤(pán)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光接收設(shè)備、光學(xué)拾取器及光盤(pán)裝置。更具體而言，本發(fā)明涉及一種電流輸出型光接收設(shè)備以及使用該光接收設(shè)備的光學(xué)拾取器和光盤(pán)裝置，其中所述電流輸出型光接收設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)這樣的信號(hào)傳輸，在該信號(hào)傳輸中，輸出阻抗降低的效應(yīng)在高頻上減小，并且考慮了阻抗匹配。
背景技術(shù)：
諸如DVD或CD裝置之類的光盤(pán)裝置利用光學(xué)拾取器在光學(xué)記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和重放操作。光學(xué)拾取器具有用于發(fā)射光束以執(zhí)行記錄和重放操作的光發(fā)射設(shè)備、用于輸出使光發(fā)射設(shè)備能夠發(fā)光的電流的驅(qū)動(dòng)設(shè)備、用于檢測(cè)信號(hào)的信號(hào)檢測(cè)光接收設(shè)備，以及用于監(jiān)控從光發(fā)射設(shè)備輸出的光束的光束監(jiān)控光接收設(shè)備。信號(hào)檢測(cè)光接收設(shè)備被構(gòu)造為光電二極管IC(在下文中稱之為“PHIC”)。被構(gòu)造為集成電路的前光電二極管或前光電二極管IC被用作光束監(jiān)控光接收設(shè)備。
這樣的光盤(pán)裝置希望能夠在光盤(pán)上快速記錄信息和從光盤(pán)快速重放信息。為此，光盤(pán)裝置被配置為通過(guò)利用旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使光盤(pán)旋轉(zhuǎn)來(lái)快速記錄和重放信息。更具體而言，例如，光盤(pán)被配置為通過(guò)將光盤(pán)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)速度增大到預(yù)定旋轉(zhuǎn)速度的8倍或16倍并且增大光發(fā)射設(shè)備、驅(qū)動(dòng)設(shè)備和光接收設(shè)備的最大操作速度來(lái)在光盤(pán)上快速記錄信息和從光盤(pán)快速重放信息。
在用以將從光盤(pán)讀出的信息作為高速信號(hào)從PDIC輸出的光學(xué)拾取器中，以及在使用光學(xué)拾取器的光盤(pán)裝置中，PDIC通過(guò)相對(duì)較長(zhǎng)的信號(hào)線路被連接到包括信號(hào)解調(diào)器和誤差校正電路的信號(hào)處理系統(tǒng)，由此信號(hào)波形在信號(hào)穿過(guò)信號(hào)線路時(shí)衰減。
作為用于防止這種信號(hào)波形衰減的裝置，存在用于防止從PDIC輸出的高速脈沖信號(hào)振鈴(ringing)的光學(xué)拾取器和光盤(pán)裝置(例如參見(jiàn)日本未審查專利申請(qǐng)公布No.2003-132548)。
另一方面，應(yīng)用CMOS工藝的高性能PDIC也已被考慮，以代替已知廣泛使用的應(yīng)用雙極工藝的PDIC。

發(fā)明內(nèi)容
但是，由于CMOS工藝的特性，因此應(yīng)用CMOS工藝的PDIC可被相對(duì)更容易地設(shè)計(jì)為輸出電流而非電壓作為輸出信號(hào)。在利用這種電流輸出型PDIC在光盤(pán)上執(zhí)行快速記錄和重放操作的情況下，高頻信號(hào)借助電流經(jīng)由相對(duì)較長(zhǎng)的信號(hào)線路被傳送。因此，除非在PDIC的輸出單元中的阻抗分量足夠大，否則所傳送的信號(hào)的特性在高頻時(shí)會(huì)由于信號(hào)線路的寄生分量、連接到信號(hào)線路后級(jí)的IC的輸入電容等等的影響而不合需要地衰減。
需要提供一種能夠在信號(hào)傳輸中使高頻時(shí)輸出阻抗降低的影響減小并考慮到阻抗匹配的光學(xué)拾取器和光盤(pán)裝置。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種被構(gòu)造為集成電路的信號(hào)檢測(cè)光接收設(shè)備，其接收從光學(xué)記錄介質(zhì)反射的光束，并通過(guò)電流輸出型電流放大器電路輸出從接收到的反射光束獲得的信號(hào)。所述光接收設(shè)備包括以下組件被配置為所述集成電路一部分的至少一個(gè)電阻器，所述至少一個(gè)電阻器是被用作所述光接收設(shè)備的輸出端子的端接電阻器的輸出電阻器，所述輸出端子被連接到所述電流放大器電路的輸出端；以及被配置為所述集成電路一部分的選擇電路，該選擇電路控制所述至少一個(gè)電阻器，以使能/禁止所述至少一個(gè)電阻器到所述光接收設(shè)備的所述輸出端子的連接。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還提供了一種光學(xué)拾取器，其包括被構(gòu)造為集成電路的信號(hào)檢測(cè)光接收設(shè)備，該光接收設(shè)備接收從光學(xué)記錄介質(zhì)反射的光束，并通過(guò)電流輸出型電流放大器電路輸出從接收到的反射光束獲得的信號(hào)。所述光學(xué)拾取器經(jīng)由連接到光接收設(shè)備的電流放大器電路的信號(hào)線路來(lái)接收輸出信號(hào)。所述被設(shè)置在光學(xué)拾取器中的光接收設(shè)備包括以下組件被配置為所述集成電路一部分的至少一個(gè)電阻器，所述至少一個(gè)電阻器是被用作所述光接收設(shè)備的輸出端子的端接電阻器的輸出電阻器，所述輸出端子被連接到所述電流放大器電路的輸出端；以及被配置為所述集成電路一部分的選擇電路，該選擇電路控制所述至少一個(gè)電阻器，以使能/禁止所述至少一個(gè)電阻器到所述光接收設(shè)備的所述輸出端子的連接。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還提供了一種光盤(pán)裝置，其包括具有被構(gòu)造為集成電路的信號(hào)檢測(cè)光接收設(shè)備的光學(xué)拾取器，所述光接收設(shè)備接收從光學(xué)記錄介質(zhì)反射的光束，并通過(guò)電流輸出型電流放大器電路輸出從所述接收到的反射光束獲得的信號(hào)。所述光盤(pán)裝置經(jīng)由將所述光接收設(shè)備的電流放大器電路連接到信號(hào)處理電路的信號(hào)線路來(lái)接收輸出信號(hào)。被設(shè)置在所述光盤(pán)裝置的光學(xué)拾取器中的光接收設(shè)備包括以下組件被配置為所述集成電路一部分的至少一個(gè)電阻器，所述至少一個(gè)電阻器是被用作所述光接收設(shè)備的輸出端子的端接電阻器的輸出電阻器，所述輸出端子被連接到所述電流放大器電路的輸出端；以及被配置為所述集成電路一部分的選擇電路，該選擇電路控制所述至少一個(gè)電阻器，以使能/禁止所述至少一個(gè)電阻器到所述光接收設(shè)備的所述輸出端子的連接。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的上述光接收設(shè)備、光學(xué)拾取器和光盤(pán)裝置，至少一個(gè)電阻器到光接收設(shè)備的輸出單元的連接被控制為在光接收設(shè)備中被使能/禁止。另外，當(dāng)至少一個(gè)電阻器到輸出單元的連接被使能時(shí)，其連接已被使能的至少一個(gè)電阻器的電阻被設(shè)置為輸出電阻。因此，在輸出電阻被設(shè)置為相對(duì)較小值的情況下，從電流輸出型PDIC輸出的信號(hào)作為電壓信號(hào)經(jīng)由信號(hào)線路被等效地傳送。因此，可以提供能夠減小PDIC的輸出阻抗在高頻時(shí)的降低和信號(hào)線路的寄生分量等對(duì)在高頻時(shí)傳送的信號(hào)的特性的影響的光接收設(shè)備、光學(xué)拾取器和光盤(pán)裝置。
此外，連接到光接收設(shè)備的輸出單元的輸出電阻器的電阻在接收側(cè)信號(hào)處理電路中的內(nèi)部電阻器或置于連接到光接收設(shè)備的后級(jí)的IC的輸入端附近的端接電阻器的電阻固定的情況下，可以在光接收設(shè)備中被可變地控制。因此，可以提供能夠精細(xì)地控制在高頻時(shí)經(jīng)由相對(duì)較長(zhǎng)的信號(hào)線路傳送的信號(hào)的特性和增益的光接收設(shè)備、光學(xué)拾取器和光盤(pán)裝置。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有使用PDIC的光學(xué)拾取器的光盤(pán)裝置的配置的框圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)拾取器的光學(xué)系統(tǒng)的配置的示意圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)拾取器的概況的透視圖；圖4是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)拾取器中提供的PDIC和柔性基板之間的關(guān)聯(lián)的示意圖；圖5是示出從PDIC到接收側(cè)的簡(jiǎn)單電等效電路的圖；圖6是示出前端IC的內(nèi)部電阻器或置于前端IC的輸入端附近的端接電阻器的電阻改變?nèi)绾斡绊懡邮諅?cè)的信號(hào)特性的圖；圖7是示出用于控制PDIC的輸出電阻的可變電阻器被置于PDIC中的配置的圖，該可變電阻器被配置為使其連接的使能/禁止及其電阻可以被可變地控制；圖8是示出允許控制設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)拾取器中的PDIC中的輸出電阻器的連接的使能/禁止及其電阻的一種配置的框圖；圖9是示出允許控制設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)拾取器中的PDIC中的輸出電阻器的連接的使能/禁止及其電阻的另一配置的框圖；以及圖10是示出允許從PDIC外部控制設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)拾取器中的PDIC中的輸出電阻器的連接的使能/禁止及其電阻的配置的框圖。
具體實(shí)施例方式
例如，在本發(fā)明的實(shí)施例中，為了減小高頻時(shí)電流輸出型PDIC的輸出阻抗降低以及信號(hào)線路的寄生電感分量和寄生電容分量對(duì)經(jīng)由信號(hào)線路傳輸?shù)男盘?hào)的特性的影響，在PDIC內(nèi)部或外部布置了端接電阻器，該端接電阻器可以被看作PDIC的輸出端子的輸出電阻器。該端接電阻器被配置為使其連接/斷開(kāi)能夠在必要時(shí)作為電路元件被控制，由此可以選擇其連接的使能/禁止。另外，端接電阻器被配置為當(dāng)端接電阻器的連接被使能時(shí)，其電阻被選為對(duì)應(yīng)于信號(hào)線路的特性阻抗Z0。
將由接收側(cè)接收的接收信號(hào)的特性可以按以下過(guò)程來(lái)精細(xì)地控制固定被置于連接到PDIC后級(jí)的前端IC附近的端接電阻器的電阻；然后改變和控制置于PDIC內(nèi)部或外部的端接電阻器的電阻。
圖1是示出具有使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDIC的光學(xué)拾取器的光盤(pán)裝置的配置的框圖。圖2是示出圖1所示光學(xué)拾取器的光學(xué)系統(tǒng)的配置的示意圖。圖3是圖1所示光學(xué)拾取器的概況的透視圖。圖4是示出在圖1所示光學(xué)拾取器中提供的PDIC和構(gòu)成PDIC和信號(hào)線路一部分的柔性基板之間的關(guān)聯(lián)的示意圖。
參考圖1，光盤(pán)裝置1具有用于在光盤(pán)2上記錄信息和從光盤(pán)2重放信息的光學(xué)拾取器3、用于使光盤(pán)2旋轉(zhuǎn)的盤(pán)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)4、用于在光盤(pán)2的徑向上移動(dòng)光學(xué)拾取器3的饋送機(jī)構(gòu)5以及用于控制光學(xué)拾取器3、盤(pán)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)4和饋送機(jī)構(gòu)5的控制單元。
盤(pán)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)4具有用于放置光盤(pán)2的盤(pán)臺(tái)7和用于使盤(pán)臺(tái)7旋轉(zhuǎn)的主軸馬達(dá)8，從而使光盤(pán)2能夠旋轉(zhuǎn)。饋送機(jī)構(gòu)5具有用于支撐光學(xué)拾取器3的支撐基臺(tái)(未示出)、用于可移動(dòng)地支撐支撐基臺(tái)的主軸和副軸(未示出)以及用于移動(dòng)支撐基臺(tái)的螺紋馬達(dá)(thread motor)(未示出)。
控制單元具有用于通過(guò)對(duì)饋送機(jī)構(gòu)5執(zhí)行驅(qū)動(dòng)控制來(lái)在光盤(pán)2的徑向上控制光學(xué)拾取器3的位置的訪問(wèn)控制電路9、用于對(duì)光學(xué)拾取器3的雙軸致動(dòng)器執(zhí)行驅(qū)動(dòng)控制的伺服電路10和用于控制訪問(wèn)控制電路9和伺服電路10的驅(qū)動(dòng)控制器11。另外，該控制單元還具有用于對(duì)從光學(xué)拾取器3發(fā)送的信號(hào)執(zhí)行解調(diào)處理的解調(diào)電路(信號(hào)處理電路)12、用于對(duì)解調(diào)后的信號(hào)執(zhí)行誤差校正的誤差校正電路(信號(hào)處理電路)13和用于將誤差校正后的信號(hào)輸出到諸如外部計(jì)算機(jī)之類的電子裝置的接口14。
具有上述配置的光盤(pán)裝置1通過(guò)利用包括在盤(pán)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)4中的主軸馬達(dá)8使放置有光盤(pán)2的盤(pán)臺(tái)7旋轉(zhuǎn)，然后根據(jù)從訪問(wèn)控制電路9發(fā)送的控制信號(hào)對(duì)饋送機(jī)構(gòu)5執(zhí)行驅(qū)動(dòng)控制，然后將光學(xué)拾取器3移動(dòng)到與光盤(pán)2的所需記錄光軌(track)相對(duì)應(yīng)的位置，從而在光盤(pán)2上記錄信息并從光盤(pán)2重放信息。
如圖2所示，光學(xué)拾取器3具有用于從光盤(pán)2重放信息或在光盤(pán)2上記錄信息的光學(xué)系統(tǒng)30和用于驅(qū)動(dòng)和移位為光學(xué)系統(tǒng)30提供的物鏡的透鏡驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。按沿光學(xué)路徑的放置順序，光學(xué)系統(tǒng)30具有用于發(fā)射激光束的光源31、用于分割從光源31發(fā)射的光的衍射光柵32、用于反射經(jīng)衍射光柵32分割后的發(fā)射光并且隨后傳送接收自光盤(pán)2的光的分束器33、用于將分束器33反射后的發(fā)射光限制在預(yù)定數(shù)目的孔徑(aperture)中的孔徑光闌34、用于將由孔徑光闌34限制的發(fā)射光聚焦到光盤(pán)2的信號(hào)記錄表面2a上并收集從光盤(pán)2返回的光的物鏡35以及用于接收返回的光并且隨后生成各種信號(hào)的PDIC 36，其中所述返回的光是通過(guò)分束器33傳送的光。
如圖3和4所示，在根據(jù)本實(shí)施例的光盤(pán)裝置1中，從包括在光學(xué)拾取器3中的PDIC 36輸出的信號(hào)經(jīng)由柔性基板37被從連接器40輸出。PDIC 36輸出電流信號(hào)作為輸出，并且包含這樣的端接電阻器，該端接電阻器可被看成輸出端子的輸出電阻器。多個(gè)端接電阻器被設(shè)置在PDIC 36中，并被配置為使其連接/斷開(kāi)或其電阻可利用開(kāi)關(guān)電路來(lái)改變。
如上所述，在已知的光學(xué)拾取器中，在應(yīng)用電流輸出型PDIC的情況下，信號(hào)是借助電流而經(jīng)由由相對(duì)較長(zhǎng)的柔性基板等配置而成的信號(hào)線路來(lái)傳送的。因此，除非在信號(hào)頻帶中PDIC的輸出阻抗足夠大，否則已經(jīng)傳送的信號(hào)的特性將由于信號(hào)線路的寄生分量而在高頻時(shí)衰減。但是，在已知的電流輸出型PDIC中，要想防止輸出阻抗由于寄生電容對(duì)PDIC的輸出單元的影響而導(dǎo)致的高頻時(shí)的衰減實(shí)際上是非常困難的。由于在光學(xué)拾取器的配置中光學(xué)拾取器是可移動(dòng)的，因此不得不使用相對(duì)較長(zhǎng)的柔性基板。另外，最近希望光盤(pán)裝置高速工作。鑒于這些事實(shí)，即使經(jīng)由長(zhǎng)信號(hào)線路傳送信號(hào)，也必須在寬頻帶范圍內(nèi)減小所傳送的信號(hào)的特性衰減。
隨后，將描述用于減小PDIC 36的輸出阻抗降低和信號(hào)線路的寄生分量對(duì)在上述光學(xué)拾取器3中高頻傳輸?shù)男盘?hào)的特性的影響的方法。
圖5是示出當(dāng)從發(fā)送側(cè)的PDIC輸出的信號(hào)經(jīng)由信號(hào)線路傳送到位于后級(jí)的前端IC或置于前端IC的輸入端附近的端接電阻器時(shí)，PDIC的輸出電阻器、基板的寄生電容和寄生于已知電流輸出型PDIC中的前端IC(未示出)的輸入端和安裝基板上的輸入電容。已知的電流輸出型PDIC361具有光電二極管(在下文中稱之為“PD”)51、電流放大器電路52和用于PDIC 361的輸出端子53的輸出電阻器54。PD 51接收從光盤(pán)反射的光，然后將接收到的光轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)。電流信號(hào)的電流被電流放大器電路52放大，然后作為電流信號(hào)被從輸出端子53輸出。
由于輸出電阻器54的電阻一般是非常高的值，因此PDIC 361在低頻時(shí)可以被看作理想電流源。因此，來(lái)自電流放大器電路52的幾乎所有輸出電流Iout都從輸出端子53輸出。該輸出電流Iout經(jīng)由由具有特性阻抗Z0的柔性基板等配置而成的信號(hào)線路56被連接到位于后級(jí)的前端IC(未示出)，其包含如圖1所示的信號(hào)解調(diào)器12和伺服電路10等，而輸出電流Iout會(huì)受寄生于PDIC 361的輸出端和安裝基板的寄生電容55所影響。輸入電容57寄生于前端IC的輸入端和安裝基板。端接電阻器58置于前端IC中或在前端IC的輸入端附近。
圖6示出當(dāng)根據(jù)輸出電阻器54和寄生電容55確定的輸出阻抗在信號(hào)頻帶中足夠時(shí)，圖5所示的信號(hào)線路56的特性阻抗Z0的值和端接電阻器58的電阻值之間的關(guān)聯(lián)對(duì)接收信號(hào)的頻率特性的影響。
如圖6所示，當(dāng)根據(jù)輸出電阻器54和寄生電容55確定的輸出阻抗在信號(hào)頻帶中足夠時(shí)，通過(guò)將端接電阻器58的電阻設(shè)置為信號(hào)線路56的特性阻抗Z0的值，可以獲得理想信號(hào)傳輸特性。另一方面，當(dāng)端接電阻器58的電阻被設(shè)置為大于特性阻抗Z0的值時(shí)，信號(hào)電平在低頻時(shí)變大，但在任意頻率處開(kāi)始下降。當(dāng)端接電阻器58的電阻被設(shè)置為小于信號(hào)線路56的特性阻抗Z0的值時(shí)，信號(hào)電平在低頻時(shí)變小，并在任意頻率處開(kāi)始上升。在后一種情況下，頻率特性中存在峰值。由于阻抗失配造成的影響引起了這些頻率特性的改變。
如上所述，在低頻時(shí)，由于輸出電阻器54的電阻高并且信號(hào)波形長(zhǎng)，因此由于阻抗失配引起的影響沒(méi)有對(duì)接收信號(hào)造成影響。但是，在高頻時(shí)，由于在發(fā)送側(cè)的PDIC 361的輸出單元的輸出阻抗由于寄生電容55的影響而下降，并且由于信號(hào)線路56的長(zhǎng)度相對(duì)于信號(hào)波長(zhǎng)難以忽略不計(jì)，因此由于阻抗失配造成的影響實(shí)際上會(huì)影響接收信號(hào)。
圖7示出根據(jù)本實(shí)施例的PDIC 362的配置，其考慮到了發(fā)送側(cè)的輸出阻抗改變對(duì)接收側(cè)的頻率特性的影響，圖5所示的輸出電阻器54的電阻將受控于PDIC中用于控制的輸出電阻器。
在圖7中，與圖5和6類似的組件使用相同的標(biāo)號(hào)。參考圖7，端接電阻器58的電阻大致對(duì)應(yīng)于信號(hào)線路的特性阻抗Z0的值，由此可維持接收側(cè)的阻抗匹配，因此即使在高頻時(shí)也能確保接收信號(hào)的所需特性。實(shí)際使用的信號(hào)線路56的特性阻抗值大約為100Ω。如圖7所示，根據(jù)本實(shí)施例的PDIC 362與已知的PDIC 361的不同之處在于可變電阻器62，該可變電阻器62的傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)可受控于PDIC 362中提供的開(kāi)關(guān)電路61。在PDIC 362中，當(dāng)在發(fā)送側(cè)由于由輸出電阻器54和寄生電容55的影響導(dǎo)致的輸出阻抗降低而造成的阻抗失配不會(huì)引起問(wèn)題時(shí)，輸出信號(hào)在開(kāi)關(guān)電路61被控制為處于不傳導(dǎo)狀態(tài)以使可變電阻器62的連接被禁止(打開(kāi))之后借助電流被傳送。但是，當(dāng)在信號(hào)頻帶中難以不考慮發(fā)送側(cè)輸出阻抗的降低時(shí)，開(kāi)關(guān)電路61被控制為處于傳導(dǎo)狀態(tài)，從而使可變電阻器62的連接被使能。另外，可變電阻器62的電阻被控制為大致對(duì)應(yīng)于信號(hào)線路56的特性阻抗Z0的值。在此情況下，由于信號(hào)線路56的特性阻抗Z0的值相對(duì)較小，因此可變電阻器62的電阻在輸出端子53的輸出電阻中變?yōu)檎贾涞匚?，由此由PDIC 362的輸出電阻和寄生電容55獲得的時(shí)間常量變小。因此，在高頻時(shí)PDIC 362的輸出阻抗降低的影響被減小。由于發(fā)送側(cè)的輸出阻抗在信號(hào)頻帶中可以大致等于特性阻抗Z0的值，因此在發(fā)送側(cè)類似地維持了阻抗匹配，由此可以防止由前端IC的輸入單元接收到的接收信號(hào)的特性衰減。
但是，在此情況下，應(yīng)該注意，當(dāng)在PDIC 362中可變電阻器62的連接被禁止時(shí)，輸入到后級(jí)前端IC中的信號(hào)的幅度變?yōu)樵瓉?lái)的一半。
由于可變電阻器62是可變的，因此在發(fā)送側(cè)的輸出阻抗可以根據(jù)特性阻抗Z0而變化，由此可以精細(xì)地控制接收側(cè)的信號(hào)特性，其中所述特性阻抗Z0會(huì)隨線纜曲率、走線圖案和線纜附近的GND圖案的狀況而變化。另外，輸出電流Iout被PDIC 362中的可變電阻器62轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)?；谶@些事實(shí)，接收信號(hào)的增益可以通過(guò)改變可變電阻器62的電阻來(lái)控制，而不會(huì)對(duì)接收側(cè)的信號(hào)特性造成不利的影響。
圖8示出了體現(xiàn)圖7所示功能的電路的特定示例。在圖8中，與圖5、6和7類似的組件使用相同的標(biāo)號(hào)。圖8的框圖示出了這樣一種配置，該配置能夠通過(guò)利用相應(yīng)的開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n選擇多個(gè)電阻器620、621、...和62n之一來(lái)控制圖7所示的可變電阻器62的連接的使能/禁止及其電阻。這里，電阻器620、621、...和62n的電阻可以彼此相同或不同。多個(gè)電阻器620、621、...和62n等同于圖7所示PDIC 362中放置的可變電阻器62。因此，通過(guò)控制開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n，PDIC 363的輸出電阻被設(shè)置為大致等于信號(hào)線路56的特性阻抗Z0的值。如圖8所示，電流放大器電路52接收光電二極管51的輸出。與圖7的情況類似，當(dāng)由于輸出電阻器54和寄生電容55的影響導(dǎo)致的發(fā)送側(cè)輸出阻抗降低造成的發(fā)送側(cè)阻抗失配不會(huì)引起問(wèn)題時(shí)，所有開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n都被控制為處于不傳導(dǎo)狀態(tài)。但是，當(dāng)發(fā)送側(cè)的輸出阻抗降低引起問(wèn)題時(shí)，開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n通過(guò)組合其傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)而被控制為使得PDIC 363的輸出端子53的輸出電阻大致對(duì)應(yīng)于信號(hào)線路的阻抗Z0的值。隨后，即時(shí)在高頻時(shí)也可傳送信號(hào)，而不會(huì)使其特性衰減。這里，開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n的傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)是基于存儲(chǔ)在PDIC 363中設(shè)置的輸出電阻設(shè)置寄存器(保持電路)71中的相應(yīng)輸出電阻設(shè)置數(shù)據(jù)來(lái)控制的。隨后，一個(gè)或多個(gè)電阻器620、621、...和62n的連接被使能，并且其電阻對(duì)應(yīng)于圖7所示可變電阻器62的電阻。存儲(chǔ)在輸出電阻設(shè)置寄存器71中的輸出電阻設(shè)置數(shù)據(jù)一般可以利用從多個(gè)輸入單元44輸入的輸出電阻設(shè)置信號(hào)72從外部寫(xiě)入。
在圖8的示例中，用于設(shè)置輸出電阻的開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n的傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)受控于輸出電阻設(shè)置寄存器71。但是，如圖9所示的PDIC 364，開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n中的每一個(gè)可能具有單個(gè)輸出電阻設(shè)置信號(hào)72和用于該信號(hào)的單個(gè)輸入單元44。在此情況下，每個(gè)開(kāi)關(guān)電路的傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)可以根據(jù)輸出電阻設(shè)置信號(hào)的電平來(lái)選擇。
必須防止圖7、8和9中的可變電阻器62和電阻器620、621、...和62n中每一個(gè)的電阻由于熱量等的影響而改變。
雖然輸出電阻器54、端接電阻器58、可變電阻器62和電阻器620、621、...和62n在圖5、7、8和9中被連接到GND，但是這些電阻器也可以被連接到一個(gè)參考電壓。
如上所述，在使用電流輸出型PDIC的情況下，為了減小信號(hào)線路等的寄生分量和PDIC的輸出阻抗降低對(duì)高頻時(shí)傳送的信號(hào)的特性的影響，以下解決方案是有效的在PDIC中放置至少一個(gè)端接電阻器，作為PDIC的輸出電阻器，該端接電阻器一般置于PDIC的輸出端附近；配置該至少一個(gè)輸出電阻器以使其連接/斷開(kāi)在必要時(shí)可作為電路分量被控制，由此其連接的使能/禁止可被選擇；并且進(jìn)一步配置該至少一個(gè)輸出電阻器，以使其電阻可以被選擇使得在所述至少一個(gè)輸出電阻器的連接被使能時(shí)對(duì)應(yīng)于信號(hào)線路的特性阻抗Z0的值。另外，在此情況下，將置于前端IC的輸入端附近的端接電阻器或前端IC的內(nèi)部電阻器的電阻設(shè)置為對(duì)應(yīng)于已被選為等于信號(hào)線路的特性阻抗Z0的值的至少一個(gè)輸出電阻器的電阻的值是有效的。
由于置于前端IC的輸入端附近的端接電阻器58或前端IC中的內(nèi)部電阻器是專用于IC的或由芯片電阻器實(shí)現(xiàn)的，因此在它們被批量生產(chǎn)時(shí)獨(dú)立控制每個(gè)電阻器的電阻是很困難的。因此，接收信號(hào)的諸如頻率特性、增益等的特性可以通過(guò)以下過(guò)程來(lái)精細(xì)地控制將端接電阻器58的電阻固定為大致對(duì)應(yīng)于信號(hào)線路的特性阻抗Z0的值的值；然后利用可變電阻器來(lái)控制PDIC中的輸出電阻。
因此，在本實(shí)施例中，如圖8和9所示，按以下方式來(lái)配置PDIC具有不同電阻的多個(gè)電阻器被置于PDIC中；其中每個(gè)電阻器被連接到開(kāi)關(guān)電路，所述開(kāi)關(guān)電路的傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)受控于輸出電阻設(shè)置信號(hào)；開(kāi)關(guān)電路被配置為使其傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)可以利用輸出電阻設(shè)置信號(hào)從PDIC外部控制；用于PDIC輸出單元的每個(gè)電阻器的連接的使能/禁止受控于PDIC中的開(kāi)關(guān)電路；并且當(dāng)一個(gè)或多個(gè)電阻器的連接被使能時(shí)，被使能的一個(gè)或多個(gè)電阻器的電阻被設(shè)置為輸出電阻。
因此，可以提供可以以高頻傳送信號(hào)，同時(shí)防止接收信號(hào)的特性由于PDIC的輸出阻抗降低而衰減的光盤(pán)裝置、光學(xué)拾取器和光接收設(shè)備，并且可以減小PDIC的輸出阻抗降低和信號(hào)線路的寄生分量等對(duì)以高頻傳送的接收信號(hào)的特性的影響。
此外，可以提供這樣的光接收設(shè)備、光學(xué)拾取器和光盤(pán)裝置，其可以通過(guò)在接收側(cè)的前端IC中的內(nèi)部電阻器的電阻或置于前端IC的輸入端附近的端接電阻器58的電阻固定的狀態(tài)下可變地控制PDIC中的輸出電阻器的電阻，來(lái)在經(jīng)由相對(duì)較長(zhǎng)的信號(hào)線路傳送信號(hào)時(shí)精細(xì)地控制高頻時(shí)接收信號(hào)的特性和增益。
如上所述，PDIC配置如下多個(gè)電阻器620、621、...和62n被放置在PDIC中；這些電阻器被分別連接到開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n，這些開(kāi)關(guān)電路的傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)受控于輸出電阻設(shè)置信號(hào)；并且開(kāi)關(guān)電路的傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)是利用輸出電阻設(shè)置信號(hào)從PDIC外部控制的。但是，這些電阻器和開(kāi)關(guān)電路可以被配置為不同于PDIC的另一集成電路。如果應(yīng)用這樣的配置，已知的電流輸出型PDIC 361可以被使用而無(wú)需替換。
圖10的框圖示出了這樣一種配置，其中電阻器和開(kāi)關(guān)電路被配置為另一不同于電流輸出型PDIC 361的集成電路，從而可以從PDIC外部控制輸出電阻器的連接的使能/禁止及其輸出電阻。與圖5和圖8相同或等同的組件也使用相同的標(biāo)號(hào)，并省略其描述。
在這種可以從PDIC外部控制輸出電阻器的連接的使能/禁止及其輸出電阻的配置中，開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n和輸出電阻設(shè)置寄存器71被配置為PDIC的控制電路701。開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n分別控制電阻器620、621、...和62n，以利用在柔性基板37的發(fā)送側(cè)的輸出電阻設(shè)置信號(hào)來(lái)使能/禁止電阻器620、621、...和62n到輸出端子53的連接。柔性基板37被連接到PDIC的輸出端子53。輸出端子53被連接到電流放大器電路52的輸出端。當(dāng)這些電阻器620、621、...和62n中的一個(gè)或多個(gè)的連接被使能時(shí)，被使能的一個(gè)或多個(gè)電阻器的電阻被設(shè)置為被用作PDIC的輸出端子53的端接電阻器的輸出電阻器的電阻。連接部分73被用于將每個(gè)開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n的一端連接到柔性基板37的發(fā)送側(cè)。因此，當(dāng)這些電阻器620、621、...和62n中的一個(gè)或多個(gè)的連接被使能時(shí)，被使能的一個(gè)或多個(gè)電阻器的電阻被設(shè)置為被用作PDIC的輸出端子53的端接電阻器的輸出電阻器的電阻。
已知的被構(gòu)造為放置有電阻器620、621、...和62n、開(kāi)關(guān)電路610、611、...和61n和輸出電阻設(shè)置寄存器71的集成電路的電流輸出型PDIC361和控制電路701可以被配置為混合IC。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，取決于設(shè)計(jì)需求和其他因素，可以執(zhí)行各種修改、組合、子組合和變換，只要它們落入權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)即可。
本發(fā)明包含與分別在2005年4月19日和2005年7月27日向日本專利局遞交的日本專利申請(qǐng)JP 2005-121564和JP 2005-217309相關(guān)的主題，這里通過(guò)參考并入了這兩個(gè)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種被構(gòu)造為集成電路的信號(hào)檢測(cè)光接收設(shè)備，其接收從光學(xué)記錄介質(zhì)反射的光束，并通過(guò)電流輸出型電流放大器電路輸出從接收到的反射光束獲得的信號(hào)，所述光接收設(shè)備包括被配置為所述集成電路一部分的至少一個(gè)電阻器，所述至少一個(gè)電阻器是被用作所述光接收設(shè)備的輸出端子的端接電阻器的輸出電阻器，所述輸出端子被連接到所述電流放大器電路的輸出端；以及被配置為所述集成電路一部分的選擇電路，該選擇電路控制所述至少一個(gè)電阻器，以使能/禁止所述至少一個(gè)電阻器到所述光接收設(shè)備的所述輸出端子的連接。
2.如權(quán)利要求1所述的光接收設(shè)備，其中所述至少一個(gè)電阻器包括多個(gè)電阻器，并且其中所述選擇電路根據(jù)從外部提供的輸出電阻設(shè)置信號(hào)來(lái)選擇所述電阻器中的一個(gè)或多個(gè)，以使所述被選出的一個(gè)或多個(gè)電阻器的組合電阻匹配所需值，然后使能所述被選出的一個(gè)或多個(gè)電阻器到所述光接收設(shè)備的所述輸出端子的連接。
3.如權(quán)利要求2所述的光接收設(shè)備，還包括用于從外部接收所述輸出電阻設(shè)置信號(hào)的輸入單元，其中所述選擇電路具有保持電路和開(kāi)關(guān)電路，所述保持電路用于存儲(chǔ)從所述輸入單元輸入的所述輸出電阻設(shè)置信號(hào)，所述開(kāi)關(guān)電路的傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)是根據(jù)保存在所述保持電路中的所述輸出電阻設(shè)置信號(hào)來(lái)控制的，并且所述開(kāi)關(guān)電路被放置在所述光接收設(shè)備的所述輸出端子和所述電阻器中的每一個(gè)之間。
4.如權(quán)利要求2所述的光接收設(shè)備，其中所述電阻器被組合，使得所述電阻器的組合電阻與連接到所述電流放大器電路的信號(hào)線路的特性阻抗值相匹配。
5.一種光學(xué)拾取器，包括被構(gòu)造為集成電路的信號(hào)檢測(cè)光接收設(shè)備，其接收從光學(xué)記錄介質(zhì)反射的光束，并通過(guò)電流輸出型電流放大器電路輸出從接收到的反射光束獲得的信號(hào)，所述光學(xué)拾取器經(jīng)由連接到所述光接收設(shè)備的所述電流放大器電路的信號(hào)線路來(lái)接收輸出信號(hào)，其中所述光接收設(shè)備包括被配置為所述集成電路一部分的至少一個(gè)電阻器，所述至少一個(gè)電阻器是被用作所述光接收設(shè)備的輸出端子的端接電阻器的輸出電阻器，所述輸出端子被連接到所述電流放大器電路的輸出端；以及被配置為所述集成電路一部分的選擇電路，該選擇電路控制所述至少一個(gè)電阻器，以使能/禁止所述至少一個(gè)電阻器到所述光接收設(shè)備的所述輸出端子的連接。
6.如權(quán)利要求5所述的光學(xué)拾取器，其中被設(shè)置在所述光接收設(shè)備中的所述至少一個(gè)電阻器包括多個(gè)電阻器，并且其中被設(shè)置在所述光接收設(shè)備中的所述選擇電路根據(jù)從外部提供的輸出電阻設(shè)置信號(hào)來(lái)選擇所述電阻器中的一個(gè)或多個(gè)，以使所述被選出的一個(gè)或多個(gè)電阻器的組合電阻匹配所需值，然后使能所述被選出的一個(gè)或多個(gè)電阻器到所述光接收設(shè)備的所述輸出端子的連接。
7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)拾取器，其中所述光接收設(shè)備還包括用于從外部接收所述輸出電阻設(shè)置信號(hào)的輸入單元，并且其中所述選擇電路具有保持電路和開(kāi)關(guān)電路，所述保持電路用于存儲(chǔ)從所述輸入單元輸入的所述輸出電阻設(shè)置信號(hào)，所述開(kāi)關(guān)電路的傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)是根據(jù)保存在所述保持電路中的所述輸出電阻設(shè)置信號(hào)來(lái)控制的，并且所述開(kāi)關(guān)電路被放置在所述光接收設(shè)備的所述輸出端子和所述電阻器中的每一個(gè)之間。
8.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)拾取器，其中所述電阻器被組合，使得所述電阻器的組合電阻與連接到所述電流放大器電路的信號(hào)線路的特性阻抗值相匹配。
9.一種光盤(pán)裝置，包括具有被構(gòu)造為集成電路的信號(hào)檢測(cè)光接收設(shè)備的光學(xué)拾取器，所述光接收設(shè)備接收從光學(xué)記錄介質(zhì)反射的光束，并通過(guò)電流輸出型電流放大器電路輸出從接收到的反射光束獲得的信號(hào)，所述光盤(pán)裝置經(jīng)由將所述光接收設(shè)備的所述電流放大器電路連接到信號(hào)處理電路的信號(hào)線路來(lái)接收輸出信號(hào)，其中被設(shè)置在所述光學(xué)拾取器中的光接收設(shè)備包括被配置為所述集成電路一部分的至少一個(gè)電阻器，所述至少一個(gè)電阻器是被用作所述光接收設(shè)備的輸出端子的端接電阻器的輸出電阻器，所述輸出端子被連接到所述電流放大器電路的輸出端；以及被配置為所述集成電路一部分的選擇電路，該選擇電路控制所述至少一個(gè)電阻器，以使能/禁止所述至少一個(gè)電阻器到所述光接收設(shè)備的所述輸出端子的連接。
10.如權(quán)利要求9所述的光盤(pán)裝置，其中被設(shè)置在所述光學(xué)拾取器中的所述光接收設(shè)備中的所述至少一個(gè)電阻器包括多個(gè)電阻器，并且其中被設(shè)置在所述光學(xué)拾取器中的所述光接收設(shè)備中的所述選擇電路根據(jù)從外部提供的輸出電阻設(shè)置信號(hào)來(lái)選擇所述電阻器中的一個(gè)或多個(gè)，以使所述被選出的一個(gè)或多個(gè)電阻器的組合電阻匹配所需值，然后使能所述被選出的一個(gè)或多個(gè)電阻器到所述光接收設(shè)備的所述輸出端子的連接。
11.如權(quán)利要求10所述的光盤(pán)裝置，其中所述光學(xué)拾取器中的所述光接收設(shè)備還包括用于從外部接收所述輸出電阻設(shè)置信號(hào)的輸入單元，并且其中所述選擇電路具有保持電路和開(kāi)關(guān)電路，所述保持電路用于存儲(chǔ)從所述輸入單元輸入的所述輸出電阻設(shè)置信號(hào)，所述開(kāi)關(guān)電路的傳導(dǎo)/不傳導(dǎo)狀態(tài)是根據(jù)保存在所述保持電路中的所述輸出電阻設(shè)置信號(hào)來(lái)控制的，并且所述開(kāi)關(guān)電路被放置在所述光接收設(shè)備的所述輸出端子和所述電阻器中的每一個(gè)之間。
12.如權(quán)利要求10所述的光盤(pán)裝置，其中所述電阻器被組合，使得所述電阻器的組合電阻與連接到所述電流放大器電路的信號(hào)線路的特性阻抗值相匹配。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種被構(gòu)造為集成電路的信號(hào)檢測(cè)光接收設(shè)備，其接收從光學(xué)記錄介質(zhì)反射的光束，并通過(guò)電流輸出型電流放大器電路輸出從接收到的反射光束獲得的信號(hào)。該光接收設(shè)備包括以下組件被配置為集成電路一部分的至少一個(gè)電阻器，所述至少一個(gè)電阻器是被用作光接收設(shè)備的輸出端子的端接電阻器的輸出電阻器，所述輸出端子被連接到電流放大器電路的輸出端；以及被配置為所述集成電路一部分的選擇電路，該選擇電路控制所述至少一個(gè)電阻器，以使能/禁止所述至少一個(gè)電阻器到光接收設(shè)備的輸出端子的連接。
文檔編號(hào)G11B7/13GK1855258SQ200610066668
公開(kāi)日2006年11月1日 申請(qǐng)日期2006年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月19日
發(fā)明者福富善夫, 長(zhǎng)良徹 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社