專利名稱：可編程存儲(chǔ)器單元和操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提出一種可編程存儲(chǔ)器單元及其操作方法。特別是，本發(fā)明提出一種包含有機(jī)存儲(chǔ)器單元和主動(dòng)開關(guān)元件的可編程存儲(chǔ)器單元，以及上述可編程存儲(chǔ)器單元的操作方法。
背景技術(shù)：
由有機(jī)材料制成的有機(jī)存儲(chǔ)器裝置，具有優(yōu)于以硅為主的存儲(chǔ)器裝置的優(yōu)勢(shì)，尤其在于延展性能和柔性的方面的特征。有機(jī)材料幾乎可以鋪在任何表面上，且這樣使其可以在可形成軟電子裝置的柔性塑料基板上形成有機(jī)存儲(chǔ)器陣列?？稍诠杼幚硗瓿傻暮蠖喂に囍兄圃煊袡C(jī)材料，大大簡(jiǎn)化了制造過程。由于金屬傾向于對(duì)許多材料具有高活性，所以有機(jī)材料也可與金屬電極兼容。由于制造過程的簡(jiǎn)便性和撓曲特性，有機(jī)材料在電子產(chǎn)品中已變得越來越重要。將來會(huì)開發(fā)出越來越多的印刷制造過程的應(yīng)用以用于大規(guī)模生產(chǎn)基于有機(jī)材料的產(chǎn)品，明顯減少了有機(jī)材料的制造成本。
而信息的儲(chǔ)存應(yīng)用是現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要技術(shù)。有機(jī)材料通過施加電場(chǎng)來區(qū)分電阻的特性可以用來形成有機(jī)儲(chǔ)存裝置。上述有機(jī)儲(chǔ)存裝置的優(yōu)點(diǎn)包括耐撓曲度和低制造成本，上述優(yōu)點(diǎn)可以應(yīng)用到軟電子裝置且也可以成為柔性基板上的系統(tǒng)的關(guān)鍵元件。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖中顯示了常規(guī)有機(jī)儲(chǔ)存裝置的一部分，包括列線C1和C2、行線R1和R2，其位于交叉連接位置的有機(jī)儲(chǔ)存單元M11、M12、M21和M22，也就是，每一個(gè)有機(jī)儲(chǔ)存單元介于上述行線中的一條和上述列線中的一條的交叉互連接之間。在上述有機(jī)儲(chǔ)存裝置中，提出了一被動(dòng)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，其中施加偏壓來形成電場(chǎng)，以改變被動(dòng)有機(jī)儲(chǔ)存單元的電阻。通過施加此電場(chǎng)，有機(jī)儲(chǔ)存單元的電阻將處于高電阻狀態(tài)和處于低電阻狀態(tài)。然而，在此被動(dòng)結(jié)構(gòu)中，所施加的電場(chǎng)將影響相鄰的儲(chǔ)存單元。電場(chǎng)耦合效應(yīng)將導(dǎo)致有機(jī)儲(chǔ)存單元的失效。其將限制有機(jī)儲(chǔ)存單元的比例縮小，不適應(yīng)于大規(guī)模集成電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器陣列，其包括多個(gè)可編程存儲(chǔ)器單元、多條行線和多條列線。每一個(gè)上述可編程存儲(chǔ)器單元包括有機(jī)儲(chǔ)存單元和主動(dòng)開關(guān)元件。通過加入主動(dòng)切換元件，可控制上述有機(jī)儲(chǔ)存單元以向其施加偏壓，且有機(jī)儲(chǔ)存單元的電阻可用于決定儲(chǔ)存的信號(hào)位值。所提出的主動(dòng)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以避免對(duì)相鄰有機(jī)儲(chǔ)存單元的影響并且也可以避免引起有機(jī)儲(chǔ)存單元失效的電場(chǎng)耦合。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1是說明傳統(tǒng)有機(jī)儲(chǔ)存裝置的部分電路示意圖。
圖2是說明有機(jī)儲(chǔ)存材料的寫入與讀取的特性曲線圖標(biāo)，其中x軸上為所施加的偏壓值，而y軸上則為傳導(dǎo)電流。
圖3是說明本發(fā)明一較佳實(shí)施例的存儲(chǔ)器陣列的部分電路示意圖。
圖4A和圖4B顯示了圖3中的存儲(chǔ)器陣列的有機(jī)儲(chǔ)存單元操作方法的電壓波形示意圖。
圖5顯示了一個(gè)感測(cè)放大器，其感測(cè)從圖3的有機(jī)儲(chǔ)存單元流出的電流，以確定儲(chǔ)存在有機(jī)儲(chǔ)存單元中的信號(hào)位值。
圖6顯示了本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器陣列的部分電路示意圖。
圖7顯示了圖6中的存儲(chǔ)器陣列的有機(jī)儲(chǔ)存單元操作方法的電壓波形示意圖。
主要元件標(biāo)記說明C1和C2列線R1和R2行線M11、M 12、M21和M22有機(jī)儲(chǔ)存單元C1、C2和C3列線R1、R2和R3行線M11、M12、M13、M21、M22、M23、M31、M32和M33晶體管具體實(shí)施方式
如果對(duì)有機(jī)材料施加電場(chǎng)，將改變有機(jī)材料的電阻。利用這一特性，有機(jī)材料可用作為可編程有機(jī)儲(chǔ)存存儲(chǔ)器的記憶單元，底下稱為有機(jī)儲(chǔ)存單元。通過施加合適的電場(chǎng)將信號(hào)位寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元，也可以從中讀出所儲(chǔ)存的信號(hào)位。請(qǐng)參照?qǐng)D2，如果要將信號(hào)位“1”寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元，如圖2的“寫入1”時(shí)期所示，那么向有機(jī)儲(chǔ)存單元施加較高的偏壓。如圖2所示，如果偏壓低于約2.5伏特(V)，有機(jī)材料的電阻值將慢慢變化，且當(dāng)偏壓高于約2.5V之后，有機(jī)材料的電阻值將明顯降低且有機(jī)儲(chǔ)存單元的傳導(dǎo)電流相對(duì)應(yīng)增大。傳導(dǎo)電流將穩(wěn)定在約10-6～10-5安培(A)的范圍內(nèi)，即使偏壓增加到3～5V或更高。信號(hào)位“1”成功地寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元中，因?yàn)橛袡C(jī)儲(chǔ)存單元的電阻處于低電阻的狀態(tài)。偏壓和傳導(dǎo)電流之間的關(guān)系被描繪為曲線“A”，其中所施加的偏壓顯示在x軸上，而電流顯示在y軸上。
如果要將信號(hào)位“0”寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元中，如圖2的“寫入0”時(shí)期所示，那么向有機(jī)儲(chǔ)存單元施加負(fù)偏壓。如圖2所示，當(dāng)施加偏壓時(shí)，有機(jī)材料的電阻將迅速變化且有機(jī)儲(chǔ)存單元的傳導(dǎo)電流明顯增大。當(dāng)偏壓低于約-2V之后，有機(jī)儲(chǔ)存單元的傳導(dǎo)電流將不發(fā)生變化，且如果偏壓低于-2V或更低則將維持在穩(wěn)定狀態(tài)。信號(hào)位“0”成功地寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元中，因?yàn)橛袡C(jī)儲(chǔ)存單元的電阻處于高電阻的狀態(tài)。偏壓和傳導(dǎo)電流之間的關(guān)系被描繪為曲線“C”。
如果要將寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元中的信號(hào)位讀出，如圖2的“讀取”時(shí)期所示，那么將施加到有機(jī)儲(chǔ)存單元的偏壓限制到一讀取范圍。如圖2所示，例如，用于讀出所儲(chǔ)存的信號(hào)位的偏壓在約0.5-2.5V的范圍內(nèi)。如果向有機(jī)儲(chǔ)存單元施加在讀取范圍內(nèi)的偏壓，那么可以讀出有機(jī)儲(chǔ)存單元的電阻值，其代表信號(hào)位“0”或“1”。
當(dāng)然，上述的寫入讀取范圍皆為一實(shí)施例的情況，但本發(fā)明并不限于這些范圍，在不同的工藝條件下所制造的有機(jī)儲(chǔ)存單元，可根據(jù)實(shí)際的條件而有不同的對(duì)應(yīng)范圍，此仍屬本發(fā)明的范疇。
本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器陣列，包括多個(gè)可編程存儲(chǔ)器單元、多條行線和多條列線的。每一個(gè)上述可編程存儲(chǔ)器單元連接到上述行線中的對(duì)應(yīng)行線和上述列線中的對(duì)應(yīng)列線。每一個(gè)上述可編程存儲(chǔ)器單元包括有機(jī)儲(chǔ)存單元和主動(dòng)開關(guān)元件。上述主動(dòng)開關(guān)元件由上述列線所控制，且置于上述行線與上述有機(jī)儲(chǔ)存單元之間。在上述列線的控制下，主動(dòng)開關(guān)元件將導(dǎo)通，以便將行線和有機(jī)儲(chǔ)存單元彼此連接。通過加入上述主動(dòng)開關(guān)元件，可控制有機(jī)儲(chǔ)存單元以向其施加偏壓，且可以用有機(jī)儲(chǔ)存單元的電阻來儲(chǔ)存信號(hào)位。所提出的主動(dòng)驅(qū)動(dòng)架構(gòu)可以避免對(duì)相鄰有機(jī)儲(chǔ)存單元的影響，且也可以避免引起有機(jī)儲(chǔ)存單元失效的電場(chǎng)耦合。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，其顯示本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的存儲(chǔ)器陣列的一部分。在上述存儲(chǔ)器陣列中，列線C1、C2和C3通過主動(dòng)開關(guān)元件交叉連接到行線R1、R2和R3，上述主動(dòng)開關(guān)元件例如晶體管M11、M12、M13、M21、M22、M23、M31、M32和M33，其中每一個(gè)晶體管置于上述行線中的一條和上述列線中的一條的交叉互連接之間。在一選擇實(shí)施例中，若需要，晶體管可以是NMOS晶體管或PMOS晶體管。在此實(shí)施例中，為方便說明，以NMOS晶體管作為一范例，但并不限于此。每一個(gè)上述晶體管也連接到其相應(yīng)的有機(jī)儲(chǔ)存單元。例如，晶體管M11介于列線C1和行線R1之間，且也連接到有機(jī)儲(chǔ)存單元O11。每一個(gè)上述晶體管具有柵極端、第一源極/漏極端和第二源極/漏極端。上述柵極端連接到相應(yīng)的列線，上述第一源極/漏極端連接到相應(yīng)的行線，而上述第二源極/漏極端連接到有機(jī)儲(chǔ)存單元的第一端子。例如，晶體管M11的柵極端連接到列線C1而上述源極/漏極端中的一個(gè)連接到行線R1，而另一源極/漏極端連接到有機(jī)儲(chǔ)存單元O11。按照設(shè)計(jì)要求，將有機(jī)儲(chǔ)存單元O11的另一端子連接到接地電極或共同電極。共同電極被應(yīng)用到固定的直流(DC)電壓電源或是交流(AC)電源皆可。
圖4A中介紹了本發(fā)明一實(shí)施例的具有晶體管控制的有機(jī)儲(chǔ)存單元的操作方法的示意圖。上述操作方法包括將“1”和“0”寫入到有機(jī)儲(chǔ)存單元中和從其讀出“1”和“0”，分別表示為“寫入1模式”、“寫入0模式”和“讀取模式”。為了便于闡釋，以有機(jī)儲(chǔ)存單元O11的操作作為一實(shí)例來介紹，但不限于此。如圖4A所示，施加到列線C1的電壓是VH(高電壓)、0V和VR(讀取電壓)，施加到行線R1的電壓是VH(高電壓)、0V和VN(負(fù)電壓)。以下介紹根據(jù)圖4A所示的不同操作模式加以闡釋。
當(dāng)執(zhí)行寫入1模式時(shí)，向列線C1和行線R1施加高電壓VH且導(dǎo)通晶體管M11。將等于約VH-Vt的偏壓施加到有機(jī)儲(chǔ)存單元O11。電壓Vt是晶體管M11的臨界電壓值電壓。在施加了上述偏壓之后，有機(jī)儲(chǔ)存單元O11處于低電阻狀態(tài)且信號(hào)位“1”成功地寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元O11中。
當(dāng)執(zhí)行寫入0模式時(shí)，向列線C1施加高電壓VH而向行線R1施加負(fù)電壓VN且導(dǎo)通晶體管M11。將等于約VN-Vds的偏壓施加到有機(jī)儲(chǔ)存單元O11。電壓Vds是晶體管M11的漏極端與源極端之間的電壓。在施加了上述偏壓之后，有機(jī)儲(chǔ)存單元O11處于高電阻狀態(tài)且信號(hào)位“0”成功地寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元O11中。
當(dāng)執(zhí)行讀取模式時(shí)，向列線C1施加讀取電壓VR而向行線R1施加高電壓VH且開始時(shí)導(dǎo)通晶體管M11。將等于約VR-Vt的偏壓施加到有機(jī)儲(chǔ)存單元O11。電壓Vt是晶體管M11的臨界電壓值電壓。在施加了上述偏壓之后，電流從有機(jī)儲(chǔ)存單元O11流出到行線R1，可確定有機(jī)儲(chǔ)存單元O11位于高或低電阻狀態(tài)，其分別代表被寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元O11的信號(hào)位“0” 或信號(hào)位“1”。
圖4B中介紹了本發(fā)明一實(shí)施例的具有晶體管控制的有機(jī)儲(chǔ)存單元的操作方法的另一選擇實(shí)施例示意圖。上述操作方法包括將“1”和“0”寫入到有機(jī)儲(chǔ)存單元并從中讀出“1”和“0”，分別表示為“寫入1模式”、“寫入0模式”和“讀取模式”。為了便于闡釋，將圖3的有機(jī)儲(chǔ)存單元O11的操作作為一實(shí)例來介紹，但不限于此。“寫入1模式”和“寫入0模式”和圖4A所示相同，請(qǐng)參考上文描述的內(nèi)容。
然而，圖4B所示的“讀取模式”中，列線C1維持在高電壓VH而向行線R1施加一讀取電壓VR1且開始時(shí)導(dǎo)通晶體管M11。將等于約VR-Vds的偏壓施加到有機(jī)儲(chǔ)存單元O11。電壓Vds是晶體管M11的漏極與源極之間的電壓差。在施加了上述偏壓之后，電流從有機(jī)儲(chǔ)存單元O11流出到行線R1，可確定有機(jī)儲(chǔ)存單元O11位于高或低電阻狀態(tài)，其分別代表寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元O11的信號(hào)位“0”和信號(hào)位“1”。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，從有機(jī)儲(chǔ)存單元O11流出到行線R1的電流可以耦合到感測(cè)放大器810?；趨⒖茧妷褐?如圖所示)，感測(cè)放大器810可以確定儲(chǔ)存在有機(jī)儲(chǔ)存單元O11中的信號(hào)位。
在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的有機(jī)儲(chǔ)存裝置的操作方法中，施加到行線R1的電壓是高電壓VH、0V和負(fù)電壓VN。在本實(shí)施例中，在讀取模式下，并非改變施加到行線R1的電壓，而是將讀取電壓VR施加到列線C1。例如，如果VH是12V且VR是8V，且晶體管M11的臨界電壓值電壓是6V，那么施加到有機(jī)儲(chǔ)存單元O11的偏壓等于約VR-Vt＝8-6＝2V，其在有機(jī)儲(chǔ)存單元的讀取范圍內(nèi)。
在一選擇實(shí)施例中，可向行線R1施加高電壓VH、0V和負(fù)電壓VN的外的另一電壓電位以用于讀取操作，并使導(dǎo)通晶體管M11的電壓仍然維持在高電壓VH。然而，前一結(jié)構(gòu)比向行線R1施加另一電壓用于讀取操作的后一結(jié)構(gòu)更容易得多。
在另一實(shí)施例中，請(qǐng)參照?qǐng)D6，其顯示了本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的存儲(chǔ)器陣列的一部分電路示意圖。在上述存儲(chǔ)器陣列中，列線C1、C2和C3通過主動(dòng)開關(guān)元件交叉連接到行線R1、R2和R3，上述主動(dòng)開關(guān)元件例如晶體管M11、M12、M13、M21、M22、M23、M31、M32和M33，其中每一個(gè)晶體管介于上述行線中的一條和上述列線中的一條的交叉互連接之間。在上述實(shí)施例中，晶體管是PMOS晶體管。每一個(gè)上述晶體管，例如M11、M12、M13、M21、M22、M23、M31、M32和M33，連接到相應(yīng)的有機(jī)儲(chǔ)存單元。按照設(shè)計(jì)要求，根據(jù)每一個(gè)上述有機(jī)儲(chǔ)存單元的另一端連接到接地電極或共同電極。上述共同電極被應(yīng)用到固定的直流(DC)電壓電源或交流(AC)電源兩者皆可。
圖7是說明圖6具有晶體管控制的有機(jī)儲(chǔ)存單元的操作方法的一實(shí)施例。上述操作方法包括將“1”和“0”寫入到有機(jī)儲(chǔ)存單元并從中讀出“1”和“0”，分別表示為“寫入1模式”、“寫入0模式”和“讀取模式”。為了便于闡釋，將圖6的有機(jī)儲(chǔ)存單元O11的操作作為一個(gè)實(shí)例來介紹，但不僅限于此。
當(dāng)執(zhí)行寫入1模式時(shí)，向列線C1施加一負(fù)的高電壓-VH且向行線R1施加一寫入電壓VW，導(dǎo)通晶體管M11。將等于約VW-Vds的偏壓施加到有機(jī)儲(chǔ)存單元O11。電壓Vds是晶體管M11的漏極與源極之間的電壓差。在施加了上述偏壓之后，有機(jī)儲(chǔ)存單元O11處于低電阻狀態(tài)且信號(hào)位“1”成功地寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元O11中。
當(dāng)執(zhí)行寫入0模式時(shí)，仍然向列線C1施加負(fù)的高電壓-VH而向行線R1施加一負(fù)電壓VE且導(dǎo)通晶體管M11。將等于約VE-Vds的偏壓施加到有機(jī)儲(chǔ)存單元O11。在施加了上述偏壓之后，有機(jī)儲(chǔ)存單元O11的電阻處于高電阻狀態(tài)且信號(hào)位“0 ” 成功地寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元O11中。
當(dāng)執(zhí)行讀取模式時(shí)，仍然向列線C1施加負(fù)的高電壓-VH而向行線R1施加一讀取電壓VR1，且開始時(shí)導(dǎo)通晶體管M11。將等于約VR-Vds的偏壓施加到有機(jī)儲(chǔ)存單元O11。在施加了上述偏壓之后，電流從有機(jī)儲(chǔ)存單元O11流出到行線R1，可確定有機(jī)儲(chǔ)存單元O11的電阻處于高或低電阻狀態(tài)，其分別代表寫入有機(jī)儲(chǔ)存單元O11中的信號(hào)位“0”或信號(hào)位“1”。
本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器陣列，其包括多個(gè)可編程存儲(chǔ)器單元、多條行線和多條列線。每一個(gè)上述可編程存儲(chǔ)器單元包括有機(jī)儲(chǔ)存單元和主動(dòng)開關(guān)元件。通過加入這些主動(dòng)切換元件，可控制有機(jī)儲(chǔ)存單元以向其施加偏壓，且有機(jī)儲(chǔ)存單元的電阻可用于決定儲(chǔ)存的信號(hào)位。所提出的主動(dòng)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以避免對(duì)相鄰有機(jī)儲(chǔ)存單元的影響并且也可以避免引起有機(jī)儲(chǔ)存單元失效的電場(chǎng)耦合。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與改進(jìn)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種可編程存儲(chǔ)器單元，其特征是包含有機(jī)儲(chǔ)存單元，用于儲(chǔ)存多個(gè)對(duì)應(yīng)的信號(hào)位，其中上述有機(jī)儲(chǔ)存單元具有一端連接到共同電極；以及開關(guān)元件，其連接到上述有機(jī)儲(chǔ)存單元中，與上述共同電極連接的端點(diǎn)的另一端連接，上述有機(jī)儲(chǔ)存單元的上述信號(hào)位是通過控制上述開關(guān)元件來編程或是讀出所儲(chǔ)存的位數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程存儲(chǔ)器單元，其特征是上述開關(guān)元件是晶體管，其中該晶體管對(duì)應(yīng)于一個(gè)行信號(hào)且對(duì)應(yīng)于一個(gè)列信號(hào)而編程或讀出儲(chǔ)存在上述有機(jī)儲(chǔ)存單元中的上述信號(hào)位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可編程存儲(chǔ)器單元，其特征是當(dāng)對(duì)上述有機(jī)儲(chǔ)存單元進(jìn)列編程而儲(chǔ)存具有邏輯高狀態(tài)的信號(hào)位時(shí)，上述晶體管將導(dǎo)通，且其中對(duì)上述有機(jī)儲(chǔ)存單元充電到邏輯高電壓電位。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可編程存儲(chǔ)器單元，其特征是上述邏輯高電壓電位是從上述晶體管的柵極端上的電壓電位中減去第一預(yù)定電壓電位所得的電壓電位。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可編程存儲(chǔ)器單元，其特征是如果上述晶體管是NMOS晶體管，那么上述第一預(yù)定電壓電位是上述晶體管的臨界電壓值電壓電位。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可編程存儲(chǔ)器單元，其特征是如果上述晶體管是PMOS晶體管，那么上述第一預(yù)定電壓電位是上述晶體管的漏極端與上述晶體管的源極端之間的電壓差。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可編程存儲(chǔ)器單元，其特征是當(dāng)對(duì)上述有機(jī)儲(chǔ)存單元進(jìn)列編程而儲(chǔ)存具有邏輯低狀態(tài)的信號(hào)位時(shí)，上述晶體管將導(dǎo)通，且其中對(duì)上述有機(jī)儲(chǔ)存單元放電到邏輯低電壓電位。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可編程存儲(chǔ)器單元，其特征是上述邏輯低電壓電位是將上述晶體管的柵極端上的電壓電位與第二預(yù)定電壓電位相加所得的電壓電位。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可編程存儲(chǔ)器單元，其特征是上述第二預(yù)定電壓電位是上述晶體管的漏極端與上述晶體管的源極端之間的電壓差。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可編程存儲(chǔ)器單元，其特征是當(dāng)讀出儲(chǔ)存在上述有機(jī)儲(chǔ)存單元中的信號(hào)位以供使用時(shí)，上述晶體管將會(huì)導(dǎo)通，且將上述有機(jī)儲(chǔ)存單元充電到讀取范圍內(nèi)的電壓電位，并通過決定上述有機(jī)儲(chǔ)存單元的電阻后，將可讀出儲(chǔ)存在上述有機(jī)儲(chǔ)存單元中的信號(hào)位值。
11.一種應(yīng)用于有機(jī)存儲(chǔ)器單元的操作方法，其特征是上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元是通過控制連接的開關(guān)元件來編程和讀出所儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，上述操作方法包含編程上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元，其中包括將行信號(hào)和列信號(hào)施加到上述開關(guān)元件，用以對(duì)上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元中儲(chǔ)存信號(hào)位；以及若是欲將上述所儲(chǔ)存的信號(hào)位讀出使用，上述開關(guān)元件將會(huì)導(dǎo)通，且將上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元充電到在讀取范圍內(nèi)的電壓電位，并通過決定上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元的電阻值而讀出儲(chǔ)存在上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元中的上述信號(hào)位。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的操作方法，其特征是若是對(duì)上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元進(jìn)列編程以儲(chǔ)存具有邏輯高狀態(tài)的信號(hào)位時(shí)，上述的開關(guān)元件將會(huì)導(dǎo)通，且其中將上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元充電到邏輯高電壓電位。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的操作方法，其特征是若是對(duì)上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元進(jìn)列編程以儲(chǔ)存具有邏輯低狀態(tài)的信號(hào)位時(shí)，上述的開關(guān)元件將會(huì)導(dǎo)通，且其中將上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元放電到邏輯低電壓電位。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的操作方法，其特征是將上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元充電到在該讀取范圍內(nèi)的電壓電位的方法包含通過上述列信號(hào)施加讀取電壓到上述開關(guān)元件，其中上述讀取電壓的電位足夠?qū)ㄉ鲜鲩_關(guān)元件；以及通過上述行信號(hào)將邏輯高電壓電位施加到上述開關(guān)元件，從而將上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元充電到在上述讀取范圍內(nèi)的上述電壓電位。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的操作方法，其特征是將上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元充電到在讀取范圍內(nèi)的電壓電位的方法包含通過上述列信號(hào)將邏輯高電壓電位施加到上述開關(guān)元件，以導(dǎo)通上述開關(guān)元件；和通過上述行信號(hào)將讀取電壓施加到上述開關(guān)元件，從而將上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元充電到位于上述讀取范圍內(nèi)的上述電壓電位。
16.一種應(yīng)用于儲(chǔ)存裝置的操作方法，其特征是其包含多個(gè)可編程存儲(chǔ)器單元、多條行線和多條列線，每一個(gè)上述可編程存儲(chǔ)器單元連接到上述行線中的對(duì)應(yīng)行線和上述列線中的相應(yīng)列線，每一個(gè)上述可編程存儲(chǔ)器單元包含有機(jī)存儲(chǔ)器單元和開關(guān)元件，上述操作方法包含編程上述多個(gè)可編程存儲(chǔ)器單元，包括通過施以對(duì)應(yīng)的行信號(hào)和列信號(hào)到每一個(gè)上述可編程存儲(chǔ)器單元的上述開關(guān)元件，以便在每一個(gè)上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元中儲(chǔ)存相對(duì)應(yīng)的信號(hào)位；以及如果選擇將儲(chǔ)存在上述該些有機(jī)存儲(chǔ)器單元中的信號(hào)位的一部分讀出以供使用，對(duì)應(yīng)于上述待讀出供使用的信號(hào)位的上述開關(guān)元件將導(dǎo)通，并將上述所選擇的有機(jī)儲(chǔ)存單元充電到在讀取范圍內(nèi)的電壓電位，并確定上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元的電阻值則可讀出儲(chǔ)存在上述所選擇的有機(jī)存儲(chǔ)器單元中的上述信號(hào)位。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的操作方法，其特征是當(dāng)對(duì)上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元編程以儲(chǔ)存具有邏輯高狀態(tài)的上述信號(hào)位時(shí)，上述開關(guān)元件將導(dǎo)通，且其中將上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元充電到邏輯高電壓電位。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的操作方法，其特征是當(dāng)對(duì)上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元編程以儲(chǔ)存具有邏輯低狀態(tài)的上述信號(hào)位時(shí)，上述開關(guān)元件將導(dǎo)通，且其中將上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元放電到邏輯低電壓電位。
全文摘要
本發(fā)明介紹了一種存儲(chǔ)器陣列，其包括多個(gè)可編程存儲(chǔ)器單元、多條行線和多條列線。每一個(gè)上述可編程存儲(chǔ)器單元連接到上述行線中的對(duì)應(yīng)的行線和上述列線中的對(duì)應(yīng)的列線。每一個(gè)上述可編程存儲(chǔ)器單元包括有機(jī)存儲(chǔ)器單元和主動(dòng)開關(guān)元件。上述主動(dòng)開關(guān)元件受上述列線控制且介于上述行線與上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元之間。在上述列線的控制下，上述主動(dòng)開關(guān)元件將選擇性地導(dǎo)通以使行線與上述有機(jī)存儲(chǔ)器單元彼此連接。
文檔編號(hào)G11C16/02GK1963947SQ200610066760
公開日2007年5月16日 申請(qǐng)日期2006年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月9日
發(fā)明者蘇耿立, 許世玄, 林展瑞, 張維仁, 貢振邦 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院