專利名稱：具有螺旋線圈的薄膜磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于寫入磁性位數(shù)據(jù)的薄膜磁頭。具體地說，本發(fā)明涉及帶有所謂螺旋線圈的薄膜磁頭。
背景技術(shù)：
帶有螺旋線圈的薄膜磁頭經(jīng)常是如日本專利申請公開No.5-250636中所述那樣使用的。形成連接線圈圖案片(connecting coil pattern piece)用于下部線圈圖案片與相應(yīng)的上部線圈圖案片之間的連接。將連接線圈圖案片連接到下部和上部線圈圖案片的放大部分。增大連接面積有利于在連接線圈圖案片與下部和上部線圈圖案片之間實(shí)現(xiàn)可靠的連接。
下部和上部線圈圖案片分別限定了窄的線圈模板。各個(gè)窄的線圈模板以恒定的寬度延伸。磁極與所有的窄線圈模板相交。盡管窄有利于下部和上部線圈圖案片的排列緊湊，但是窄也不可避免地使得薄膜磁頭的電阻增大。從而，薄膜磁頭不能響應(yīng)于提供的高頻寫入信號而產(chǎn)生更大的磁場。薄膜磁頭還受到溫度上升加速的不利影響。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供帶有螺旋線圈的薄膜磁頭，它能夠建立有效的磁特性。
根據(jù)本發(fā)明提供的一種薄膜磁頭包括以恒定寬度延伸的均勻下部線圈圖案片，所述均勻下部線圈圖案片布置在垂直于與介質(zhì)相對的表面的方向上；以恒定寬度延伸的均勻上部線圈圖案片，所述均勻上部線圈圖案片布置在垂直于與介質(zhì)相對的表面的方向上；插入在所述均勻下部線圈圖案片與所述均勻上部線圈圖案片之間的絕緣層；放大的下部線圈圖案片，每個(gè)所述放大的下部線圈圖案片從所述均勻下部線圈圖案片的相反端延伸，所述放大的下部線圈圖案片在離所述均勻下部線圈圖案片更遠(yuǎn)處寬度更大；放大的上部線圈圖案片，每個(gè)所述放大的上部線圈圖案片從所述均勻上部線圈圖案片的相反端延伸，所述放大的上部線圈圖案片在離所述均勻上部線圈圖案片更遠(yuǎn)處寬度更大；由所述放大的下部線圈圖案片的外端豎立的連接線圈圖案片，所述連接線圈圖案片具有連接到所述放大的上部線圈圖案片的外端的上端；以及具有前端的磁極，所述前端暴露于所述與介質(zhì)相對的表面，所述磁極在所述絕緣層中從所述前端沿垂直于所述與介質(zhì)相對的表面的方向向后延伸，所述均勻下部線圈圖案片和所述均勻上部線圈圖案片的長度與所述磁極的寬度相對應(yīng)。
該薄膜磁頭可以在磁線圈中的均勻下部和上部線圈圖案片處建立最窄的寬度。盡可能地減小了磁極的長度。均勻下部和上部線圈圖案片還可以在平行于與介質(zhì)相對的表面的方向上具有最小的長度。因此必然減小了磁線圈中的電阻。這使得可以在薄膜磁頭中建立有效的磁特性。而且可以防止薄膜磁頭過熱。
與介質(zhì)相對的表面附近的放大的上部線圈圖案片和下部線圈圖案片中至少一個(gè)可以從平行于與介質(zhì)相對的表面延伸的平面向后擴(kuò)大。薄膜磁頭使均勻上部線圈圖案片和下部線圈圖案片可以盡可能地靠近與介質(zhì)相對的表面。在垂直于與介質(zhì)相對的表面方向上盡可能地減小了磁極的長度。
連接線圈圖案片的截面設(shè)定為在平行于與介質(zhì)相對的表面的方向上的尺寸比在垂直于與介質(zhì)相對的表面的方向上的尺寸更大。因此，連接線圈圖案片的位置可以盡可能地接近與介質(zhì)相對的表面，同時(shí)連接線圈圖案片可以有更大的截面。這有利于使磁線圈的總長度最小。
在薄膜磁頭中，放大的上部線圈圖案片和下部線圈圖案片的輪廓線可以沿曲線限定。沿放大的下部線圈圖案片和上部線圈圖案片的輪廓線不形成棱角。這防止了來自放大的下部線圈圖案片和上部線圈圖案片的噪聲輻射。因此，當(dāng)薄膜磁頭與讀取頭元件結(jié)合使用時(shí)，讀取頭元件可以在受到來自薄膜磁頭的影響更小的情況下可靠地讀出磁性位數(shù)據(jù)。如果沿輪廓線形成了任何棱角，則可能從該棱角輻射噪聲而使讀取頭元件處的讀取操作惡化。


根據(jù)結(jié)合附圖對優(yōu)選實(shí)施例的下述說明，本發(fā)明上述和其他的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更加明顯。
圖1是示意性圖示了作為磁記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器示例的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2是根據(jù)具體示例的飛行頭滑塊的放大立體圖；圖3是在飛行頭滑塊的與介質(zhì)相對的表面或氣浮支撐表面(ABS)處觀察的讀取/寫入磁頭元件的放大正視圖；圖4是沿圖3中4-4線所取的垂直截面圖；圖5是示意性圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜磁頭的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的部分立體圖；圖6是沿圖4中6-6線所取的水平截面圖；圖7是沿圖4中7-7線所取的水平截面圖；并且圖8是示意性圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施例與圖4相應(yīng)的薄膜磁頭的垂直截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性圖示了作為磁記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器示例的硬盤驅(qū)動(dòng)器HDD11的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。硬盤驅(qū)動(dòng)器11包括外殼12。外殼12包括開口盒形狀的基座13，基座13限定了例如扁平的平行六面體狀的內(nèi)部空間?；?3可以由金屬材料制成，例如鋁?？梢杂媚Ｖ乒に囆纬苫?3。未示出的蓋子耦合到基座13。蓋子用于覆蓋基座13的開口?？梢杂美鐩_壓工藝由板狀的材料形成蓋子。
基座13的內(nèi)部空間中密封有用作記錄介質(zhì)的至少一個(gè)磁記錄盤14。磁記錄盤14是所謂的垂直磁記錄介質(zhì)。(多個(gè))磁記錄盤14安裝在主軸電機(jī)15的驅(qū)動(dòng)軸上。主軸電機(jī)15以例如5,400rpm、7,200rpm、10,000rpm、15,000rpm等高轉(zhuǎn)速來驅(qū)動(dòng)(多個(gè))磁記錄盤14。
基座13的內(nèi)部空間中還密封了頭執(zhí)行器元件即托架16。托架16包括托架塊17。托架塊17支撐在垂直支撐軸18上以進(jìn)行相對旋轉(zhuǎn)。托架臂19限定在托架塊17中。托架臂19設(shè)計(jì)為從垂直支撐軸18沿水平方向延伸。托架塊17可以由例如鋁制成?？梢杂美鐢D壓模塑工藝來形成托架塊17。
頭懸掛裝置21附裝到單獨(dú)的托架臂19的前端。頭懸掛裝置21設(shè)計(jì)為從相應(yīng)的托架臂19前端向前延伸。未示出的萬向彈簧(gimbal spring)連接到單獨(dú)的頭懸掛裝置21的前端。飛行頭滑塊22固定在萬向彈簧的表面上。萬向彈簧使飛行頭滑塊22可以改變其相對于頭懸掛裝置21位置空間方位角。電磁換能器按照下面的詳細(xì)說明安裝在飛行頭滑塊22上。
當(dāng)磁記錄盤14旋轉(zhuǎn)時(shí)，飛行頭滑塊22可以承受沿旋轉(zhuǎn)的磁記錄盤14產(chǎn)生的氣流。氣流用于在飛行頭滑塊22上產(chǎn)生正壓力或抬升力以及負(fù)壓力。從而在磁記錄盤14旋轉(zhuǎn)期間使飛行頭滑塊22可以以更高的穩(wěn)定性保持在磁記錄盤14表面上方飛行，所述穩(wěn)定性是由頭懸掛裝置21的壓緊力與上述抬升力和負(fù)壓力的組合之間的平衡來建立的。
在飛行頭滑塊22的飛行期間，當(dāng)驅(qū)動(dòng)托架16圍繞垂直支撐軸18擺動(dòng)時(shí)，飛行頭滑塊22可以被允許沿磁記錄盤14的徑向運(yùn)動(dòng)。這種徑向運(yùn)動(dòng)使飛行頭滑塊22上的電磁換能器可以穿越最內(nèi)側(cè)記錄磁道與最外側(cè)記錄磁道之間的數(shù)據(jù)區(qū)域。從而，飛行頭滑塊22上的電磁換能器可以位于磁記錄盤14的目標(biāo)記錄磁道的正上方。
例如音圈電動(dòng)機(jī)VCM23的電源耦合到托架塊17。電源23允許托架塊17圍繞垂直支撐軸18旋轉(zhuǎn)。托架塊17的旋轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)了托架臂19和頭懸掛裝置21的擺動(dòng)運(yùn)動(dòng)。
圖2圖示了飛行頭滑塊22的具體示例。飛行頭滑塊22包括平行六面體形式的滑塊主體31。介質(zhì)相對表面或底表面32限定在在滑塊主體31上，使得以一定距離朝向磁記錄盤14。底表面32上限定了平基座表面或參考表面。當(dāng)磁記錄盤14旋轉(zhuǎn)時(shí)，氣流33沿著從流入端或前端朝著流出端或后端的方向作用于底表面32。滑塊主體31可以包括例如由Al2O3-TiC制成的基座34和由Al2O3(氧化鋁)制成的頭保護(hù)層35。頭保護(hù)層35覆蓋在基座34的流出端或尾端上。
前軌36和后軌37形成于滑塊主體31的底表面32上。前軌36垂直豎立于底表面32接近滑塊主體31流入端的平坦表面。后軌36垂直豎立于底表面32接近滑塊主體31流出端的平坦表面。氣浮支撐表面ABS 38、39分別限定在前軌36和后軌37的頂表面上。氣浮支撐表面38、39的流入端分別經(jīng)過臺階41、42連接到前軌36和后軌37的頂表面。
飛行頭滑塊22的底表面32設(shè)計(jì)為承受沿旋轉(zhuǎn)的磁記錄盤14產(chǎn)生的氣流33。臺階41、42用于在氣浮支撐表面38、39處產(chǎn)生更大的正壓力或抬升力。此外，在前軌36的后面引起更大的負(fù)壓力。負(fù)壓力與抬升力相平衡，以使飛行頭滑塊22建立穩(wěn)定的飛行位置。
前述電磁換能器，即讀取/寫入磁頭元件43安裝在滑塊主體31上。讀取/寫入磁頭元件43嵌入頭滑塊主體31的頭保護(hù)層35中。讀取/寫入磁頭元件43的讀取間隙和寫入間隙暴露于后軌37的氣浮支撐表面39處。應(yīng)當(dāng)說明，讀取/寫入磁頭元件43的前端可以由類金剛石碳(DLC)制成的保護(hù)層覆蓋，所述保護(hù)層在氣浮支撐表面39之上延伸。寫入/讀取磁頭元件43將在下面詳細(xì)說明。飛行頭滑塊22可以采取除了前述之外的任何形狀或形式。
圖3詳細(xì)地圖示了飛行頭滑塊22的底表面32或氣浮支撐表面39。讀取/寫入磁頭元件43包括薄膜磁頭或單磁極頭44以及讀取頭元件45。例如，單磁極頭44允許磁線圈可以響應(yīng)于所供給的電流而產(chǎn)生磁場。所產(chǎn)生的磁場用于將二進(jìn)制數(shù)據(jù)記錄在磁記錄盤14中。例如，可以將磁阻元件用作讀取頭元件45，所述磁阻元件例如巨磁阻(GMR)元件以及隧道結(jié)磁阻(TMR)元件。讀取頭元件45被允許響應(yīng)于從磁記錄盤14所施加的磁場的極性反轉(zhuǎn)而引起電阻變化。電阻的這種變化用于檢測二進(jìn)制數(shù)據(jù)。
單磁極頭44和讀取頭元件45插入在外層膜46與內(nèi)層膜47之間，所述兩層膜都由Al2O3制成。外層膜46對應(yīng)于前述頭保護(hù)層35的上半部分，而內(nèi)層膜47對應(yīng)于頭保護(hù)層35的下半部分。
讀取頭元件45包括插入在上部導(dǎo)電層與下部導(dǎo)電層或者上部屏蔽層和下部屏蔽層49、51之間的磁阻膜48，例如隧道結(jié)膜。磁阻膜48嵌入到覆蓋在下部屏蔽層51的上表面上方的絕緣層52中。絕緣層52由例如Al2O3制成。上部屏蔽層49沿絕緣層52的上表面延伸。上部和下部屏蔽層49、51可以由磁性材料制成，例如FeN、NiFe等。上部和下部屏蔽層49、51之間的間隙用于確定沿記錄磁道在磁記錄盤14上進(jìn)行磁記錄的線性分辨率。
單磁極頭44包括沿上部屏蔽層49之上的參考面53延伸的輔助磁極54。輔助磁極54的前端暴露于氣浮支撐表面39處。輔助磁極54設(shè)計(jì)為從暴露的前端向后延伸。輔助磁極54可以由FeN、NiFe等制成。參考面53限定在非磁性層55的表面上，所述非磁性層55以恒定的厚度覆蓋在上部屏蔽層49上方。非磁性層55由例如Al2O3制成。非磁性層55用于在上屏蔽層49與輔助磁極54之間建立磁性隔離。
嵌入外層膜46內(nèi)的主磁極56位于輔助磁極54上方的位置，下面將對此進(jìn)行說明。主磁極56的前端暴露于氣浮支撐表面39處。主磁極56包括從暴露的前端向后延伸的恒定部分。恒定部分設(shè)計(jì)為具有恒定的寬度和恒定的厚度。主磁極56的后端磁連接到輔助磁極54。主磁極56和輔助磁極54共同建立了磁芯。主磁極56可以由例如FeN或NiFe等制成。
如圖4所示，絕緣層57形成于輔助磁極54的表面上。磁線圈58形成于絕緣層57上。磁線圈58是將要在下面說明的螺旋線圈。絕緣層59和前述主磁極56形成于絕緣層57的表面上。絕緣層61、62形成于主磁極56的表面上。磁線圈58嵌入絕緣層59、61、62內(nèi)。絕緣層57、61可以由例如Al2O3制成。絕緣層59、62可以由樹脂材料制成，例如光阻材料。
當(dāng)磁線圈58中產(chǎn)生磁場時(shí)，磁通量從主磁極56的前端向磁記錄盤14泄漏。泄漏的磁通量形成用于記錄的磁場。磁通量沿著垂直于磁記錄盤14表面的垂直方向被引導(dǎo)至磁記錄盤14的磁性底層。磁通量在磁性底層中沿面內(nèi)方向流動(dòng)。之后，磁通量從磁性底層朝向輔助磁極54沿垂直方向流動(dòng)。以此方式在磁記錄盤14的磁記錄層中建立垂直方向的磁化。
如圖5所示，磁線圈58包括下部線圈圖案片71、71…和上部線圈圖案片72、72…，這些線圈圖案片都有固定的厚度。下部線圈圖案片71彼此平行延伸。上部線圈圖案片72也同樣彼此平行延伸。絕緣層59、61用于將上部線圈圖案片72與下部線圈圖案片71隔離或絕緣。連接線圈圖案片73將下部線圈圖案片71的外端連接到上部線圈圖案片72的相應(yīng)外端。下部線圈圖案片71、上部線圈圖案片72和連接線圈圖案片73可以由導(dǎo)電材料例如銅制成。
再參考圖6，每個(gè)下部線圈圖案片71包括均勻下部線圈圖案片74，它在平行于氣浮支撐表面39的橫向方向以恒定寬度延伸。均勻的下部線圈圖案片74、74…沿垂直于氣浮支撐表面39的方向排列。均勻的下部線圈圖案片74可以設(shè)計(jì)為在下部線圈圖案片71中寬度最小。主磁極56在垂直于氣浮支撐表面39的方向上延伸，穿過沿絕緣層59上表面的均勻的下部線圈圖案片74。這里均勻的下部線圈圖案片74的長度可以設(shè)定為等于主磁極56的恒定寬度。
放大的下部線圈圖案片75、75分別連接到各個(gè)均勻的下部線圈圖案片74的相反端。各個(gè)放大的下部線圈圖案片75在離相應(yīng)的均勻下部線圈圖案片74更遠(yuǎn)處逐漸變寬。各個(gè)放大的下部線圈圖案片75的輪廓沿著一條曲線。放大的下部線圈圖案片75在離相應(yīng)的均勻下部線圈圖案片74更遠(yuǎn)的位置處離氣浮支撐表面39也更遠(yuǎn)。前述連接線圈圖案片73連接到放大的下部線圈圖案片75相應(yīng)的外端。各個(gè)連接線圈圖案片73的下端由下部線圈圖案片71的最寬的部分支撐。
再參考圖7，各個(gè)上部線圈圖案片72包括均勻上部線圈圖案片76，它在平行于氣浮支撐表面39的橫向方向以恒定寬度延伸。均勻的上部線圈圖案片76、76…沿垂直于氣浮支撐表面39的方向排列。均勻的上部線圈圖案片76可以設(shè)計(jì)為在上部線圈圖案片72中寬度最小。主磁極56在垂直于氣浮支撐表面39的方向上延伸，穿過絕緣層61下方的均勻的上部線圈圖案片76。這里均勻的上部線圈圖案片76的長度可以設(shè)定為等于主磁極56的恒定寬度。
放大的上部線圈圖案片77、77分別連接到各個(gè)均勻的上部線圈圖案片76的相反端。各個(gè)放大的上部線圈圖案片77在離相應(yīng)的均勻上部線圈圖案片76更遠(yuǎn)處逐漸變寬。各個(gè)放大的上部線圈圖案片77的輪廓沿著一條曲線。放大的上部線圈圖案片77在離相應(yīng)的均勻上部線圈圖案片76更遠(yuǎn)的位置處離氣浮支撐表面39也更遠(yuǎn)。前述連接線圈圖案片73連接到放大的上部線圈圖案片77的外端。上部線圈圖案片72的最寬的部分由連接線圈圖案片73的上端支撐。
這里，均勻下部線圈圖案片74、放大的下部線圈圖案片75、均勻上部線圈圖案片76和放大的上部線圈圖案片77的“寬度”對應(yīng)于垂直于均勻上部圖案片76和下部圖案片75的縱向長度方向的截面內(nèi)、最接近氣浮支撐表面39的輪廓線和離氣浮支撐表面39最遠(yuǎn)的輪廓線之間在垂直于氣浮支撐表面39的方向上的尺度。
由圖5可以明顯看出，連接線圈圖案片73由相應(yīng)的放大的下部線圈圖案片75的外端垂直豎立。各個(gè)連接線圈圖案片73的上端連接到相應(yīng)的放大的上部線圈圖案片77的外端。這使得從最接近氣浮支撐表面39的放大的上部線圈圖案片77到最遠(yuǎn)離氣浮支撐表面39的放大的下部線圈圖案片75建粒狀了連續(xù)的螺旋形。以此方式建立了電流經(jīng)過下部線圈圖案片71、上部線圈圖案片72和連接線圈圖案片73的路徑。
由圖6和圖7可以明顯看出，導(dǎo)線78連接到最接近氣浮支撐表面39的上部線圈圖案片72的末端。導(dǎo)線79同樣連接到最遠(yuǎn)離氣浮支撐表面39的下部線圈圖案片71的末端。從導(dǎo)線78、79之一向磁線圈58供給電流。所供給的電流在磁線圈58中感生出磁場。以此方式構(gòu)成了磁通量在主磁極56和輔助磁極54中的環(huán)路。
磁線圈58允許最接近氣浮支撐表面39的放大的下部線圈圖案片75和放大的上部線圈圖案片77從平行于氣浮支撐表面39延伸的平面81向后擴(kuò)展。放大的下部線圈圖案片75和放大的上部線圈圖案片77從而可以處于盡可能接近氣浮支撐表面39的位置。這使得主磁極56的長度最小，即在垂直于氣浮支撐表面39的方向上具有恒定寬度的部分具有最小的長度。
由圖6和圖7可以明顯看出，連接線圈圖案片73的截面設(shè)定為在平行于氣浮支撐表面39的方向上比在垂直于氣浮支撐表面39的方向上尺寸更大。這樣，連接線圈圖案片73可以處于盡可能接近氣浮支撐表面39的位置，同時(shí)連接線圈圖案片73還可以有更大的截面。這有利于使磁線圈58的總長度最小。
單磁極頭44使磁線圈58中的均勻下部線圈圖案片74和均勻上部線圈圖案片76處可以建立最窄的寬度。主磁極56的后端可以在盡可能接近氣浮支撐表面39處連接到輔助磁極54。均勻下部線圈圖案片74和均勻上部線圈圖案片76在平行于氣浮支撐表面39的方向上可以具有最短的長度。因此必然減小了磁線圈58中的電阻。這使得單磁極頭44中可以建立有效的磁特性。因此單磁極頭44可以響應(yīng)于提供的高頻寫入信號產(chǎn)生更大的磁場。而且防止了單磁極頭44過熱。
放大的下部線圈圖案片75和放大的上部線圈圖案片77具有如上所述沿曲線的輪廓。沿著放大的下部線圈圖案片75和放大的上部線圈圖案片77的輪廓線沒有形成棱角。這防止了來自放大的下部線圈圖案片75和放大的上部線圈圖案片77的噪聲輻射。因此讀取頭元件45可以在而受到的單磁極頭44的影響更小的情況下可靠地讀出磁性位數(shù)據(jù)。如果沿輪廓線形成了任何棱角，則從該棱角輻射噪聲可能使讀取頭元件45處的讀取操作惡化。
接下來將簡要說明制造讀取/寫入磁頭元件43的方法。例如，首先制備由Al2O3-TiC制成的晶片。以傳統(tǒng)方式在晶片表面上覆蓋下覆膜47、下部屏蔽層51、磁阻膜48、絕緣層52、上部屏蔽層49和非磁性層55。這樣形成了讀取頭元件45。
輔助磁極54形成于非磁性層55的表面上。在輔助磁極54的表面上形成接頭，用于連接到主磁極56。由Al2O3制成的絕緣層57也圍繞該接頭覆蓋在輔助磁極54表面上。然后在絕緣層57的表面上上形成下部線圈圖案片71。下部線圈圖案片71之間的間隙用光阻材料填充。烘干的光阻材料用于形成絕緣層59。
在絕緣層59的表面上形成主磁極56。用Al2O3制成的絕緣層61覆蓋主磁極56。然后在絕緣層59、61之間形成空隙?？障稄慕^緣層59、61中穿過。下部線圈圖案片71的表面暴露于空隙的底部?？障队糜谙薅ㄟB接線圈圖案片73的輪廓線。用導(dǎo)電材料填充空隙。連接線圈圖案片73以此方式形成。
在絕緣層61的表面上形成上部線圈圖案片72。上部線圈圖案片72連接到連接線圈圖案片73。以此方式形成磁線圈58。用光阻材料填充上部線圈圖案片72之間的間隙。烘干的光阻材料用于形成絕緣層62。以此方式形成單磁極頭44。
發(fā)明人根據(jù)模擬觀察到了磁線圈58的效果。發(fā)明人在模擬中建立了具體示例和對比示例的模型。具體示例是前述的單磁極44。對比示例是傳統(tǒng)的磁極頭。傳統(tǒng)的單磁極頭包括上部線圈圖案片和下部線圈圖案片以及連接線圈圖案片，它們都具有恒定的厚度和恒定的寬度。有限元方法FEM用于評估磁線圈的電阻。
根據(jù)具體示例的單磁極頭44顯示出的電阻約為1.4Ω。根據(jù)對比示例的單磁極頭顯示出的電阻約為2.1Ω。根據(jù)本發(fā)明的具體示例的單磁極頭44的電阻比根據(jù)對比示例的單磁極頭的電阻大約減小了35％。已經(jīng)表明，本發(fā)明的單磁極頭44以有效的方式保持了足夠的磁力或磁場。
或者，讀取/寫入磁頭元件43可以以薄膜磁頭44a替換前述的單磁極元件44用于面內(nèi)記錄，如圖8所示。薄膜磁頭44a包括上部磁極56a和下部磁極54a。絕緣層57用作沿氣浮支撐表面39的上部磁極56a與下部磁極54a之間的間隙層。與前述單磁極頭44相比，薄膜磁頭44a需要的間隙厚度更小。這種類型的薄膜磁頭44a可以與面內(nèi)磁化的磁記錄(多個(gè))盤14結(jié)合使用。與前述實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)或元件等效的那些標(biāo)有相同的標(biāo)號。薄膜磁頭44a可以享有與前述單磁極頭44可以獲得的同樣優(yōu)點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜磁頭，包括以恒定寬度延伸的均勻下部線圈圖案片，所述均勻下部線圈圖案片布置在垂直于與介質(zhì)相對的表面的方向上；以恒定寬度延伸的均勻上部線圈圖案片，所述均勻上部線圈圖案片布置在垂直于所述與介質(zhì)相對的表面的方向上；插入在所述均勻下部線圈圖案片與所述均勻上部線圈圖案片之間的絕緣層；放大的下部線圈圖案片，每個(gè)所述放大的下部線圈圖案片從所述均勻下部線圈圖案片的相反端延伸，所述放大的下部線圈圖案片在離所述均勻下部線圈圖案片更遠(yuǎn)處寬度更大；放大的上部線圈圖案片，每個(gè)所述放大的上部線圈圖案片從所述均勻上部線圈圖案片的相反端延伸，所述放大的上部線圈圖案片在離所述均勻上部線圈圖案片更遠(yuǎn)處寬度更大；由所述放大的下部線圈圖案片的外端豎立的連接線圈圖案片，所述連接線圈圖案片具有連接到所述放大的上部線圈圖案片的外端的上端；以及具有前端的磁極，所述前端暴露于所述與介質(zhì)相對的表面，所述磁極在所述絕緣層中從所述前端沿垂直于所述與介質(zhì)相對的表面的方向向后延伸，所述均勻下部線圈圖案片和所述均勻上部線圈圖案片的長度與所述磁極的寬度相對應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中，所述與介質(zhì)相對的表面附近的所述放大的上部線圈圖案片和所述放大的下部線圈圖案片中至少一個(gè)從平行于所述與介質(zhì)相對的表面延伸的平面向后擴(kuò)大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中，所述連接線圈圖案片的截面設(shè)定為在平行于所述與介質(zhì)相對的表面的方向上的尺寸比在垂直于所述與介質(zhì)相對的表面的方向上的尺寸更大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中，所述放大的上部線圈圖案片和所述放大的下部線圈圖案片的輪廓線沿曲線限定。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜磁頭的磁線圈，它包括沿平行于與介質(zhì)相對的表面的方向以固定寬度延伸的均勻上部和下部線圈圖案片。磁極具有暴露于與介質(zhì)相對的表面處的前端。磁極從前端向后延伸。均勻下部線圈圖案片和上部線圈圖案片的長度等于磁極的寬度。薄膜磁頭能夠在磁線圈中的均勻上部線圈圖案片和下部線圈圖案片處建立最窄的寬度。磁極的長度被盡可能地減小了。還使均勻上部線圈圖片線和下部線圈圖案片具有最小的長度。因此減小了磁線圈中的電阻。這使薄膜磁頭中建立了有效的磁特性。
文檔編號G11B5/31GK101022010SQ200610080559
公開日2007年8月22日 申請日期2006年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月13日
發(fā)明者青木健一郎 申請人:富士通株式會社