專利名稱：半導體激光單元及光拾取裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明，涉及一種半導體激光單元，特別是涉及構成向光盤，例如向數(shù)字通用磁盤(DVD)或高密度盤(CD)等的紀錄媒介物寫入/讀取信息的光拾取裝置的半導體激光單元以及包含它的光拾取裝置。
背景技術：
近年，不只是音樂信息還有影象信息的紀錄媒介物，如高密度盤(CD)類(CD-ROM、CD-R、CD-RW等)及數(shù)字通用磁盤(DVD)類(DVD-ROM、DVD-RW、DVD-RAM等)的紀錄媒介物正在急速地普及。同時，向/從這樣的紀錄媒介物寫入信息或讀取已寫入的信息的光盤驅(qū)動器也在急速地普及。成為光盤驅(qū)動器心臟部的光拾取裝置上，為對應高倍數(shù)紀錄的高速輸出化、為同時對應高密度盤(CD)和數(shù)字通用磁盤(DVD)兩種規(guī)格的高性能化、以及伴隨著光盤驅(qū)動器的薄型化的小型化提出了更高的要求。因此，對于用在光拾取裝置的半導體激光單元，提出了為實現(xiàn)高速輸出化的標準部件(pack age)散熱性的改善、為高性能化的多頭對應、以及為小型化的寬度窄小標準部件構造的要求。
以專利文獻1所記載的半導體激光單元為例用圖6說明以前的光拾取裝置的半導體激光單元。
圖6(a)，是表示以前半導體激光單元的上表面圖，圖6(b)，是表示以前半導體激光單元圖6(a)所示VIb-VIb線的剖面圖。
如圖6(a)、圖6(b)所示，以前的半導體激光單元，包括標準框1600，搭載在標準框1600上的硅襯底1630，設置在標準部件1610的中央部的硅襯底1630上的，向上方射出激光半導體激光器1640，設置在硅襯底1630上的芯片狀受光元件1620，密封標準框1600，由樹脂鑄模成型的標準部件1610，設置在硅襯底1630上，在下表面上形成了光柵(grating pattern)1650b，在上表面上形成了綜合衍射光柵1650a的綜合衍射元件1650。還有，在硅襯底1630上，形成了處理由受光元件1620接收的來自光盤的反射光的電路。
上述以前的半導體激光單元中，如圖6(b)所示，從半導體激光器1640射出的射出光1660，由反射鏡反射到標準部件1610上方，再由光柵1650b接收衍射后，透過綜合衍射元件1650。其后，射出光1660通過照準鏡或物鏡等光學部件(未圖示)，到達光盤(未圖示)。從光盤的反射光1670，通過與射出光1660相同的光路后，再由綜合衍射光柵1650a衍射，射入信號處理電路及受光元件1620。
然而，由上述半導體激光單元的構成要實現(xiàn)光拾取裝置的高速輸出化、高性能化、小型化的情況下，會產(chǎn)生兩個問題。一個是伴隨著高速輸出化放熱量的提高，再一個是隨著高性能化和小型化的點間距(pinpitch)的變小。
一般地，對應高速紀錄地光盤驅(qū)動器中，有必要從半導體激光單元射出200mW以上的高輸出光強。如果要實現(xiàn)這個要求，半導體激光器1640的驅(qū)動電流就會變大半導體激光器1640的溫度就會上升，從而使半導體激光器1640的可信度就會下降。這樣，為了安定地驅(qū)動半導體激光器1640，就必須有效地擴散驅(qū)動時產(chǎn)生的熱量。但是，上述以前的半導體激光單元，因為標準部件1610是由熱傳導率低的樹脂(熱傳導率約為0.5W/m/deg)形成的，所以成為了熱阻高的構成，無法有效地散熱。
還有，由上述以前的半導體激光單元的構成如果要小型化標準部件1610的話標準部件1610的寬度就要變窄，伴隨著高性能化所必要的點數(shù)(pin)的增加就受到限制。原因是減小標準部件1610的寬度且增加點數(shù)就必將減小點間距，而現(xiàn)在的標準框1600的加工技術中約0.4mm間距是最小界限，無法比0.4mm再小。
提高了防熱性的半導體激光單元，記載在專利文獻2中。這個半導體激光單元中，搭載了半導體激光器的激光器單位的下面安裝了金屬制襯底，能夠有效地散發(fā)半導體激光器產(chǎn)生的熱量。
還有，專利文獻3所記載的光頭裝置中，在金屬形成的板上安裝了光學元件構成體，所以提高了放熱效率。
專利文獻4記載的半導體激光單元中，作為布線襯底使用了曲折了的撓性襯底，所以可減小布線寬度。再有，專利文獻4所記載的半導體激光單元中，半導體激光器產(chǎn)生的熱從金屬制島(island)的背面有效地散發(fā)。
(專利文獻1)日本專利第3412609號公報(專利文獻2)日本特開2003-67959號公報(專利文獻3)日本特開平8-227532號公報(專利文獻4)日本特開2002-198605號公報(發(fā)明所要解決的課題)然而，專利文獻2所記載的半導體激光單元構成中，要使小型化和高性能化同時成立是困難的。
還有，專利文獻3所記載的光頭裝置中，因為可撓性襯底從板面突出而使薄型化變得困難。再有，光頭裝置，有可能會被殼體接合時產(chǎn)生的粉塵污染。
還有，專利文獻4所記載的半導體激光單元的制造工序復雜，要縮短作業(yè)時間是困難的，要充分地確保各部件的設置精度也是困難的。再有，專利文獻4所記載的半導體激光單元中，因為是可撓性襯底的端子部在彎曲的狀態(tài)下粘貼到金屬制島上，所以制造時的作業(yè)變得復雜，在連接部分有可能得不到充分地粘結強度。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明考慮了上述課題，以提供一種具有放熱效率好、小型化、防止了斷線的發(fā)生、組裝容易的構成的半導體激光單元為目的。
(為解決課題的方法)為了解決上述課題，本發(fā)明的半導體激光單元，包括具有第一部分和比上述第一部分寬度大的第二部分的金屬板；設置在第一開口部，具有布線圖案，一部分接合于上述第一部分的上表面的可撓襯底；搭載在上述金屬板從平面看的位于上述第一開口部內(nèi)側部分上表面的，具有受光元件的半導體襯底；設置在上述半導體襯底上的發(fā)光元件；在與上述發(fā)光元件平面重合位置設置第二開口部，覆蓋上述第一部分、上述第二部分及上述半導體襯底，從上述第一部分的上表面沿著兩側面將上述可撓襯底在彎曲狀態(tài)下固定的外殼。
根據(jù)這個構成，因為金屬板的第二部分變寬，可以防止從外殼或金屬板的側面部向可撓襯底施加物理荷載。為此，可撓襯底上的布線圖案就不容易產(chǎn)生斷線等接觸不良。第二部分既可以是搭載半導體襯底的中央部，也可以是這個以外的部分。
還有，上述的構成中，因為在具有受光元件及發(fā)光元件的半導體襯底的下面設置了金屬板，散熱效果得到改善。為此，本發(fā)明的半導體激光單元可以在比以前更高溫的環(huán)境下使用。
還有，本發(fā)明的半導體激光單元中，因為使用了形成布線圖案的可撓襯底，所以，為了和面向半導體襯底的內(nèi)部或外部器件連接的外部的布線間距與沒有使用可撓襯底的以前的半導體激光單元的相比能夠大幅度縮小。為此，即便是隨著激光單元的高性能化進展的端子數(shù)增加，要減小半導體激光單元的面積也是可能的。
再有，本發(fā)明的半導體激光單元中，還可能防止在外殼上安裝的透明光學元件或受光元件由于粉塵的污染。還有，本發(fā)明的半導體激光單元中，較容易組裝。在此基礎上，還可以在光學元件上形成衍射光柵，所以，削減光盤驅(qū)動器零部件的點數(shù)就成為可能。
只要使用本發(fā)明的半導體激光單元，制作高性能、小型化且可信度高的光拾取裝置就成為可能。
-發(fā)明的效果-本發(fā)明的半導體激光單元中，作為發(fā)熱源的受發(fā)光部，設置在金屬板的上表面。為此，根據(jù)本發(fā)明，可以奏效能夠?qū)崿F(xiàn)有效地放熱的的半導體激光單元的效果。因此，只要使用本發(fā)明的半導體激光單元，就可以實現(xiàn)比以前高環(huán)境溫度下能夠使用的光盤驅(qū)動器。
還有，本發(fā)明的半導體激光單元中，因為可撓襯底是沿著金屬板上表面及一對側面彎曲的，可撓襯底不會沿著光拾取裝置的厚度方向擴展。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)光拾取裝置的薄型化。
還有，本發(fā)明的半導體激光單元中，因為外殼和金屬板連接部分的金屬板的寬度，比彎曲可撓襯底部分的寬度在可撓襯底厚度以上還寬，所以，不會從金屬板側面及外殼受到強的物理性荷載。為此，就可以防止可撓襯底上的斷線。
再有，因為外殼覆蓋著受發(fā)光部，所以在將半導體激光單元組裝到光拾取裝置之際，就可以抑制粉塵等侵入受發(fā)光部。由此，就能夠?qū)崿F(xiàn)特性安定的光拾取裝置。
還有，本發(fā)明的半導體激光單元中，因為使用了細節(jié)距布線可能的可撓襯底，在漸漸減小面積的同時，伴隨著高性能化還能夠?qū)崿F(xiàn)多節(jié)化。為此，就能夠?qū)崿F(xiàn)薄型多功能的光盤驅(qū)動器。
還有，本發(fā)明的半導體激光單元，在設置了衍射從發(fā)光元件的射出光及向受光元件的射入光的光學元件的情況下，無需再在外部安裝衍射格子或綜合衍射元件，這樣就削減了光盤驅(qū)動器的零件點數(shù)，就能夠謀求降低光盤驅(qū)動器的制造成本。


圖1(a)至圖1(c)，是表示本發(fā)明第一實施方式所涉及半導體激光單元的制造方法的立體圖。
圖2(a)，是表示第一實施方式所涉及的半導體激光單元的上表面圖。圖2(b)，是表示第一實施方式所涉及的半導體激光單元的側面圖。
圖3，是表示第一實施方式的第一變形例所涉及的半導體激光單元的側面圖。
圖4，是表示第一實施方式的第二變形例所涉及的半導體激光單元的側面圖。
圖5(a)，是表示本發(fā)明第二實施方式所涉及的光拾取裝置的上表面圖。圖5(b)，是表示第二實施方式所涉及的光拾取裝置的剖面圖。
圖6(a)，是表示以前半導體激光單元的上表面圖，圖6(b)，是表示以前半導體激光單元圖6(a)所示VIb-VIb線的剖面圖。
(符號說明)100 金屬板100a 中央部110 半導體激光120 硅襯底130 撓性襯底
130a 內(nèi)部130b 外部132 端子134 墊圈140 導線150 外殼160、200 光學元件200a 綜合衍射光柵500 光拾取裝置510 照準鏡520 反射鏡530 物鏡540 半導體激光單元550 散熱塊560 焊錫連接處570 光盤具體實施方式
(第一實施方式)首先，參照圖1及圖2說明本發(fā)明的第一實施方式所涉及的半導體激光單元。
圖1(a)至圖1(c)，是表示本發(fā)明第一實施方式所涉及半導體激光單元的制造方法的立體圖。圖2(a)，是表示第一實施方式所涉及的半導體激光單元的上表面圖。圖2(b)，是表示第一實施方式所涉及的半導體激光單元的側面圖。
本實施方式的半導體激光單元，具有組裝容易的簡單構造，散熱容易，且實現(xiàn)了高性能和小型化。
本實施方式的半導體激光單元，如下所述地被組裝。
首先，如圖1(a)所示，準備由銅等形成的金屬板100，在中央設置了開口部的可撓襯底130。金屬板100，從上方看的情況，長方向中央部100a的寬度(短方向的長度)比其他部分大?？蓳弦r底130，例如具有長方形的外形，這個可撓襯底130上，開口部的長邊的緣部(內(nèi)部130a)的上表面上形成了端子132，可撓襯底130的短邊兩端部(外部130b)的上表面上形成了墊134。
接下來，可撓襯底130的背面(沒有形成端子132及墊134的面)粘結于金屬板100上表面上。在此之際，金屬板100的內(nèi)寬度變寬使中央部100a能夠收入可撓襯底130的開口部內(nèi)將可撓襯底130粘結于金屬板100。在此，金屬板100中，中央部100a和可撓襯底130粘結部分的高低差的大小，一側為可撓襯底的厚度以上?？蓳弦r底的厚度，如約為0.1mm。
接下來，如圖1(b)所示，將組裝了半導體激光器(發(fā)光元件)110的硅襯底120，粘結到金屬板100的中央部100a上，固定。其后，設置在可撓襯底130內(nèi)部130a的端子132和設置在硅襯底120上的端子用金屬線140連接。
接下來，如圖1(c)所示，將金屬制的外殼150從金屬板100的上方，嵌入金屬板100。由此，可撓襯底130中，從平面看金屬板100兩面突出的部分，由外殼150彎曲到金屬板100的側面。
也就是，可撓襯底130，是將墊134朝向外側的狀態(tài)彎曲成逆U字型。在此，可撓襯底130的開口部的寬度(圖1的例中開口部的長邊的長度)，比中央部100a的寬度與金屬板100的兩側面的厚度的和還大。由此，外殼150嵌入之際可撓襯底130不會受金屬板100中央部100a的影響而彎曲。再有，中央部100a和金屬板100的其他部分的兩側的寬度差，各自比可撓襯底130的厚度大，所以，即便是外殼150內(nèi)側的寬度窄小的情況可撓襯底130上也不會施加上負荷。為此，回避了可撓襯底130上斷線發(fā)生的危險。
還有，外殼150中，形成了位于和金屬板100的中央部100a平面重合的開口部。設置了外殼150以后，將比這個開口部平面尺寸大，玻璃質(zhì)的板狀光學元件160粘結到外殼150上，固定，用光學元件160覆蓋外殼150的開口部。
接下來，用圖2說明以上的方法所制作的本實施方式的半導體激光單元的構成。同圖，為了便于說明還表示了外殼150的內(nèi)側構成。
如圖2(a)、圖2(b)所示，本實施方式的半導體激光單元，包括從平面看長向的中央部100a(參看圖1(a))的寬度比其他部分大的金屬板100；搭載在中央部100a上，上表面上形成了端子的硅襯底120；設置在硅襯底120上的半導體激光器110；形成了平面尺寸比中央部100a大的，粘結在金屬板100的上表面的可撓襯底130；形成了位于與半導體激光器110平面重合位置的開口部，使可撓襯底130的開口部跨過中央部100a的上表面及兩側面，從金屬板100的上表面沿著兩側面將可撓襯底130在彎曲的狀態(tài)下固定的外殼150；設置在外殼150上，覆蓋外殼150的開口部的透明光學元件160。
金屬板100，是由表面上實施了鍍鎳層的銅等金屬構成。還有，在硅襯底120上在設置了利用硅(111)面的45度微型鏡的同時，還形成了光檢測電路的受光元件及信號處理電路。
可撓襯底130上形成了設置在上表面一側的外部130b的墊134；形成在開口部的邊緣中位于從平面看與金屬板100重合位置的端子132；連接端子132和墊134的布線。這個端子132，墊134及布線是由銅等金屬形成，再由亞酰胺等樹脂夾住這個布線構成可撓襯底130。還有，本實施方式的半導體激光單元中，設置了電連接硅襯底120上的端子和可撓襯底130上的端子132的由金等形成的導線140。
還有，如圖2(a)、圖2(b)所示，可撓襯底130中，設置在金屬板100上方的內(nèi)部130a的端子132和設置在金屬板100外部的外部130b的墊134具有相互不同的端子間隔。內(nèi)部130a中，例如具有0.1mm×0.3mm面積的復數(shù)個端子132沿著可撓襯底130的邊形成，內(nèi)部130b中，為了不在組裝到光盤驅(qū)動器之際產(chǎn)生(電)短路等的問題，以例如端子寬0.35mm，間距寬0.65mm的形式排列墊134。
本實施方式的半導體激光單元中，光學元件160，使從半導體激光器110射出的光及射入受光元件的光透過的由板狀玻璃材料制成。這個光學元件160，是由例如紫外線硬化樹脂等的粘結劑以覆蓋外殼150的開口部的方式固定在外殼150的上表面上。粘結劑，為了防止在金屬板的外殼150上蔓延，或從外殼150的開口部溢出，最好的是用粘性或攪動液化性高的。還有，外殼150，由粘結或激光焊接固定在金屬板100上。
在以上這樣構成的本實施方式的半導體激光單元中，從半導體激光器110射出的光，由反射鏡(未圖示)沿著垂直于金屬板100的方向被反射，透過光學元件160射出激光單元外部。并且，從光盤(未圖示)的反射光，通過與射出光相同的光路后，透過光學元件160射入設置在硅襯底120的受光元件。
如以上的說明，本實施方式的半導體激光單元中，金屬板100兩側突出的可撓襯底130，由外殼150固定為彎曲在金屬板100的側面的狀態(tài)。為此，本實施方式的半導體激光單元，能夠小型化。還有，金屬板100中，為搭載硅襯底120的中央部100a和可撓襯底130被粘結的部分的高低差在可撓襯底130的厚度以上，就能夠防止外殼150對可撓襯底130施加的大荷載。為此，也就可以防止可撓襯底130內(nèi)的斷線等的接觸不良的發(fā)生。
還有，本實施方式的半導體激光單元中，使用了可以由細節(jié)距形成布線的可撓襯底130作為布線襯底。為此，本實施方式的半導體激光單元，可將使用標準框的以前構成中達到極限的內(nèi)部布線間距寬度，降低到約為以前的五分之一的寬度為止。由此，本實施方式的半導體激光單元，同時實現(xiàn)伴隨高性能化的多點化和小型化成為可能。為此，將本實施方式的半導體激光單元用于光盤驅(qū)動器的光拾取裝置的話，就能夠?qū)崿F(xiàn)薄型多功能的光盤驅(qū)動器。
還有，本實施方式的半導體激光單元中，搭載了半導體激光器110，形成了受光元件的的硅襯底120設置在金屬板100上。為此，發(fā)熱源的受發(fā)光部的下面就成為全由金屬構成，受發(fā)光部所產(chǎn)生的熱量就能夠容易地發(fā)散。其結果，將本實施方式的半導體激光單元用于光盤驅(qū)動器的光拾取裝置的話，就能夠?qū)崿F(xiàn)比以前在更高溫度環(huán)境下使用的光盤驅(qū)動器。還有，由于放熱性的提高搭載高速輸出的半導體激光器也就成為可能。
且，本實施方式的說明中，說明了中央部100a比其他部分寬度寬的金屬板100的情況，但是，比用可撓襯底130覆蓋的部分寬度寬的部分只要設置在設置了外殼150的金屬板100的區(qū)域內(nèi)即便是不增大中央部100a的寬度也能夠避免在可撓襯底130上施加負荷。也就是，覆蓋金屬板100的外殼150的部分之中，只要與可撓襯底130接觸的部分的寬度比任何一個部分的寬度小就可以。
還有，用圖1說明的制造方法中，金屬板100上粘結可撓襯底之后組裝了硅襯底120，但是，將硅襯底120組裝到金屬板100上之后，再將可撓襯底130設置到金屬板100上亦可。
還有，本實施方式的半導體激光單元中，外殼150上形成的開口部由板狀的光學元件160覆蓋，所以，在組裝光拾取裝置之際等防止了向受發(fā)光部的粉塵等的侵入。
圖3，是表示第一實施方式的第一變形例所涉及的半導體激光單元的側面圖。本實施方式的半導體激光單元中，如圖1(c)及圖2(b)所示，玻璃制的光學元件160設置在了外殼150的外部，但是，如圖3所示，光學元件160設置在外殼150內(nèi)部的頂面上亦可。這種情況也是，形成在外殼150的開口部由光學元件160堵塞，就可以防止向受發(fā)光部的粉塵等的侵入。為此，在將圖3所示的半導體激光單元安裝到光拾取裝置之際，可以不損傷受發(fā)光部的特性進行安裝作業(yè)。
再有，本實施方式的半導體激光單元，與專利文獻4中記載的以前的半導體激光單元相比沒有采用立體設置可撓襯底，且不彎曲受發(fā)光部和受發(fā)光部，所以組裝就變得容易，抑制了制造成本的增加。
還有，說明了外殼150被固定到金屬板150上以后，光學元件160被用粘結劑固定到外殼150上的例，但是，光學元件160，預先被用低熔點玻璃固定，這種狀態(tài)的外殼150固定在金屬板100上亦可。
還有，金屬板100由銅以外的金屬構成亦可。但是，用銅可以控制成本是最好的。
還有，由金屬板100和外殼150形成的空間中，用透明的樹脂填充亦可。
還有，外殼150，還具有防止不要的光射入設置在中央部100a的受光元件中的效果。且，外殼150由金屬以外的材料構成亦可。
還有，圖4，是表示本實施方式的半導體激光單元的第二變形例的側面圖。如同圖所示，將具有衍射光的綜合衍射光柵200a的光學元件200設置在外殼150上亦可。由此，可以使來自光盤的反射光有效地射入硅襯底120的受光部，也就可以簡化光拾取裝置的構成。
且，作為形成受光元件或信號處理電路的襯底，還可以使用硅襯底以外的半導體襯底。
(第二實施方式)接下來，參照圖5說明本發(fā)明的第二實施方式所涉及的光拾取裝置。
圖5(a)，是本實施方式的光拾取裝置500的上表面圖。圖5(b)，是光拾取裝置500的剖面圖。
本實施方式的光拾取裝置500，包括照準鏡510；反射鏡520；物鏡530；第一實施方式所涉及的半導體激光單元540；在半導體激光單元540的金屬板背面由粘結劑，例如硅系列熱傳導性粘結劑粘結固定的放熱塊550。從半導體激光單元540射出的激光，經(jīng)過照準鏡510、反射鏡520、及物鏡530照射光盤570。從光盤570反射回來的反射光經(jīng)過同樣的光路射入半導體激光單元。
半導體激光單元540的可撓襯底的外部中與光拾取裝置的可撓襯底的布線連接，由如圖5(b)所示的光拾取裝置500外部的焊錫連接處560形成。
這樣，光拾取裝置500包括向半導體激光單元540的金屬板背面放熱的放熱塊550。還有，半導體激光單元540的金屬板和光拾取裝置500的一部分(外殼)相接觸。由此，放熱面積大幅度擴大放熱效果就被提高，在半導體激光器產(chǎn)生的熱量有效地傳向外部成為可能。其結果，本實施方式的光拾取裝置500，能夠安定地工作。
還有，構成本實施方式的光拾取裝置500的半導體激光單元540中，作為布線襯底使用了可撓襯底。并且，半導體激光單元540的可撓襯底和光拾取裝置的可撓襯底的布線連接，由光拾取裝置500內(nèi)的焊錫連接處560形成。因此，能夠使與成為光學元件和焊錫連接處的可撓襯底的外部的距離，和以前的構造相比成為兩倍以上，所以，本實施方式的光拾取裝置500在用焊錫連接組裝之際，大幅度減小加到半導體激光單元540內(nèi)部的光學元件上的熱負荷。
也就是，焊錫連接處560和可撓徹底的外部的距離充分地分離著，所以，用焊錫進行布線連接時，光學元件或固定著光學元件的粘結劑由熱傳導不會被加熱到耐熱溫度以上。其結果，就能夠抑制由于光學元件的光柵圖案或綜合衍射光柵上形成了的反射防止膜的剝離或粘結劑的軟化而引起的光學元件的位置偏移的發(fā)生，能夠防止光學元件特性的特性劣化或信賴性的降低。
還有，第一實施方式的半導體激光單元540中，可撓襯底不擴展到金屬板的側方，所以，可以使光拾取裝置的厚度比以前的光拾取裝置薄。
且，本實施方式的光拾取裝置500中，將半導體激光單元540的金屬板和放熱塊550用硅系列粘結劑粘結固定了，但是，只要是熱傳導性高的粘結劑就不限制于此，例如，使用熱傳導性高的石墨片亦可。
-實用性-本發(fā)明的半導體激光單元，能夠利用到光盤驅(qū)動器的光拾取裝置等上。
權利要求
1.一種半導體激光單元，其特征為包括金屬板，具有第一部分和比上述第一部分寬度大的第二部分；可撓襯底，設置在第一開口部，具有布線圖案，一部分接合于上述第一部分的上表面；半導體襯底，搭載在上述金屬板中從平面看位于上述第一開口部內(nèi)側部分的上表面，具有受光元件；發(fā)光元件，設置在上述半導體襯底上；外殼，在與上述發(fā)光元件平面重合的位置設置第二開口部，覆蓋上述第一部分、上述第二部分及上述半導體襯底，從上述第一部分的上表面沿著兩側面將上述可撓襯底在彎曲狀態(tài)下固定。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光單元，其特征為上述第二部分，是上述金屬板的中央部，上述半導體襯底，搭載在上述金屬板中央部的上表面上，上述可撓襯底，被固定為上述第一開口部跨過上述第二部分的上表面及兩側面。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光單元，其特征為還包括光學元件，該光學元件堵塞上述第二開口部。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體激光單元，其特征為上述光學元件上，形成了衍射射入光的光柵。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光單元，其特征為上述金屬板，是由包含銅的金屬構成。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光單元，其特征為上述第一部分和上述第二部分高低差的大小，在上述可撓襯底的厚度以上。
7.一種光拾取裝置，其特征為包括半導體激光單元，該半導體激光單元包括金屬板，具有第一部分和比上述第一部分寬度大的第二部分；可撓襯底，設置在第一開口部，具有布線圖案，一部分接合于上述第一部分的上表面；半導體襯底，搭載在上述金屬板中從平面看位于上述第一開口部內(nèi)側部分的上表面，具有受光元件；發(fā)光元件，設置在上述半導體襯底上；外殼，在與上述發(fā)光元件平面重合的位置設置第二開口部，覆蓋上述第一部分、上述第二部分及上述半導體襯底，從上述第一部分的上表面沿著兩側面將上述可撓襯底在彎曲狀態(tài)下固定。
全文摘要
提供一種具有放熱效率好、小型化了的、防止了斷線的發(fā)生、組裝容易的構成的半導體激光單元。半導體激光單元，包括具有中央部(100a)比其他區(qū)域?qū)挾却蟮慕饘侔?100)；形成了第一開口部的可撓襯底(130)；設置在中央部(100a)上的襯底(120)；設置在襯底(120)上的半導體激光器(110)；形成了第二開口部，將可撓襯底從金屬板(100)的上表面沿著兩側面彎曲的狀態(tài)下固定的外殼(150)，覆蓋第二開口部的光學元件(160)。可撓襯底(130)，固定為第一開口部跨過中央部(100a)的上表面及側面的形式。
文檔編號G11B7/125GK1893206SQ20061008198
公開日2007年1月10日 申請日期2006年5月16日 優(yōu)先權日2005年7月5日
發(fā)明者富士原潔, 立柳昌哉, 岡本重樹 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社