專利名稱：磁頭滑塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備用于往磁盤上記錄或再生磁盤的磁性元件的磁頭滑塊，尤其涉及能夠降低因氣壓變化或歪扭角的變化而引起的上浮量的變動的磁頭滑塊。
背景技術(shù)：
下述專利文獻1中公開了磁頭滑塊的與磁盤相對的面的各種形態(tài)。
但是，在磁頭滑塊的與磁盤相對的面上挖有溝槽，上述溝槽的底面為產(chǎn)生負壓的面，隆起的面為產(chǎn)生正壓的面。以往是通過采用合適形狀的上述溝槽和隆起面或者使溝槽和隆起面占上述與磁盤相對的面的面積比等合適，來使磁頭滑塊的上浮姿勢穩(wěn)定。
但是，上述上浮姿勢容易因氣壓變化或因磁盤的小型化引起的圓周速度下降等引起的空氣流入量的減少而不穩(wěn)定。
日本特開平10-283622號公報(US Pat.No.6021020)一般來說，產(chǎn)生正壓的上述隆起面分別設(shè)置在磁頭滑塊的引導(dǎo)側(cè)和從動側(cè)，上述產(chǎn)生負壓的溝槽部的底面形成在形成于上述引導(dǎo)側(cè)的隆起面與形成于上述從動側(cè)的隆起面之間。
但是，專利文獻1公開的是將上述產(chǎn)生負壓的溝槽部的底面設(shè)置在比磁頭滑塊的中央部分靠后的一側(cè)，即設(shè)置在從動側(cè)(空氣排出端側(cè))，由此來達到提高上浮特性的目的。
但是，根據(jù)后述的實驗可知例如專利文獻1中公開的圖28所示的磁頭滑塊如果減小氣壓變化引起的上浮量的變動，則歪扭角的變化引起的上浮量的變動就反過來增大；而如果減小上述歪扭角的變化引起的上浮量的變動，則上述氣壓變化引起的上浮量的變動又增大。即，專利文獻1的圖28所示的磁頭滑塊不能同時減小氣壓變動引起的上浮量的變動和歪扭角變化引起的上浮量的變動。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的就是要解決上述以往的問題，提供一種尤其是能夠同時將氣壓變化引起的上浮量的變動和歪扭角變化引起的上浮量的變動適當?shù)販p小的磁頭滑塊。
本發(fā)明的磁頭滑塊的特征在于具有滑塊、和設(shè)置在上述滑塊的空氣流出端側(cè)的記錄用和/或再生用磁性元件，當以從上述滑塊的空氣流入端側(cè)向空氣流出端側(cè)的方向為縱方向，以與上述縱方向交叉的方向為橫方向時，在上述滑塊的與磁盤相對的面上具有設(shè)置在上述空氣流出端側(cè)的第1負壓產(chǎn)生面、和設(shè)置在比上述第1負壓產(chǎn)生面靠近上述空氣流入端側(cè)的第2負壓產(chǎn)生面，上述第1負壓產(chǎn)生面和上述第2負壓產(chǎn)生面分別沿上述橫方向分開設(shè)置，上述第1負壓產(chǎn)生面產(chǎn)生的負壓(絕對值)比上述第2負壓產(chǎn)生面產(chǎn)生的負壓(絕對值)大。
本發(fā)明在上述與磁盤相對的面上設(shè)置第1負壓產(chǎn)生面和比上述第1負壓產(chǎn)生面靠近空氣流入端側(cè)的第2負壓產(chǎn)生面，并且在上述橫方向上分別分開設(shè)置上述第1負壓產(chǎn)生面和第2負壓產(chǎn)生面。而且使上述第1負壓產(chǎn)生面產(chǎn)生的負壓(絕對值)比上述第2負壓產(chǎn)生面產(chǎn)生的負壓(絕對值)大。
由此，能夠在空氣流出端側(cè)適當?shù)禺a(chǎn)生負壓，能夠?qū)鈮鹤兓鸬纳细×康淖儎右种频胶苄?。而且，在從上述?負壓產(chǎn)生面看去位于空氣流入端側(cè)的第2負壓產(chǎn)生面上也產(chǎn)生較弱的負壓，并且在上述橫方向上分開形成上述第1負壓產(chǎn)生面和第2負壓產(chǎn)生面，通過這樣，即使磁頭滑塊在上述磁盤上的上浮位置沿上述磁盤的半徑方向變化，歪扭角的變化使流經(jīng)上述與磁盤相對的面和磁盤之間的空氣流的方向改變，也能保持正壓與負壓良好的平衡，能夠?qū)⒋蓬^滑塊在上述磁盤上的位置變化引起的上浮量的變動(以下將其稱為歪扭角的變化引起的上浮量的變動)和氣壓變化引起的上浮量的變動一起減小。
并且，本發(fā)明優(yōu)選在上述與磁盤相對的面上具有在上述空氣流出端側(cè)向磁盤方向隆起、上述磁性元件的表面露出的磁性元件面；以與上述磁性元件面相同的高度隆起、設(shè)置在比上述磁性元件面靠近上述空氣流入端側(cè)的空氣流入端隆起面；以及高度比上述磁性元件面低、位于比上述空氣流入端側(cè)隆起面靠近上述空氣流出端側(cè)的上述負壓產(chǎn)生面，上述各負壓產(chǎn)生面由至少被上述空氣流入側(cè)和上述橫方向的兩側(cè)圍成的溝槽部的底面構(gòu)成。
本發(fā)明的磁頭滑塊的特征在于，具有滑塊、和設(shè)置在上述滑塊的空氣流出端側(cè)的記錄用和/或再生用磁性元件，當以從上述滑塊的空氣流入端側(cè)向空氣流出端側(cè)的方向為縱方向，以與上述縱方向交叉的方向為橫方向時，在上述滑塊的與磁盤相對的面上具有在上述空氣流出端側(cè)向磁盤方向隆起、露出上述磁性元件的表面的磁性元件面；以與上述磁性元件面相同的高度隆起、設(shè)置在比上述磁性元件面靠近上述空氣流入端側(cè)的空氣流入端側(cè)隆起面；以及高度比上述磁性元件面低、位于比上述空氣流入端側(cè)隆起面靠近上述空氣流出端側(cè)的負壓產(chǎn)生面，上述負壓產(chǎn)生面具有設(shè)置在上述空氣流出端側(cè)的第1負壓產(chǎn)生面、和設(shè)置在比上述第1負壓產(chǎn)生面靠近上述空氣流入端側(cè)的第2負壓產(chǎn)生面，上述第1負壓產(chǎn)生面和上述第2負壓產(chǎn)生面分別沿上述橫方向分開設(shè)置，各負壓產(chǎn)生面由至少被上述空氣流入側(cè)和上述橫方向的兩側(cè)圍成的溝槽部的底面構(gòu)成。
通過采用這樣的磁頭滑塊的與磁盤相對的面的形狀，能夠良好地保持負壓與正壓的平衡，能夠?qū)鈮鹤兓鸬纳细×康淖儎雍屯崤そ堑淖兓鸬纳细×康淖儎觾烧哌m當?shù)販p小。
并且，本發(fā)明優(yōu)選在上述與磁盤相對的面上形成有以高度比上述負壓產(chǎn)生面高但小于等于上述磁性元件面底的高度從上述磁性元件面向上述空氣流入端側(cè)延伸的第1延伸面，至少在上述第1延伸面的上述橫方向的兩側(cè)分開形成有上述第1負壓產(chǎn)生面。通過這樣，容易將空氣從上述第1延伸面導(dǎo)向上述磁性元件面，并且通過在與上述磁性元件面連接的上述第1延伸面的兩側(cè)形成第1負壓產(chǎn)生面，能夠適當?shù)乇３重搲号c正壓的平衡，能夠適當?shù)乇３稚鲜龃蓬^滑塊的上浮姿勢的穩(wěn)定。
并且，本發(fā)明優(yōu)選在上述與磁盤相對的面上，在比上述空氣流入端側(cè)隆起面靠近上述空氣流出端側(cè)，形成有高度與上述磁性元件面相同、沿上述橫方向分開形成的側(cè)邊隆起面，上述側(cè)邊隆起面經(jīng)由以高度比上述負壓產(chǎn)生面高但小于等于上述磁性元件面的高度延伸的側(cè)連接面而與上述第1延伸面連接，由上述第1延伸面、上述側(cè)連接面、和上述側(cè)邊隆起面圍成的溝槽部的底面成為上述第1負壓產(chǎn)生面。由此，能夠在上述空氣流出端側(cè)適當?shù)匦纬傻酌鏋樯鲜龅?負壓產(chǎn)生面的上述溝槽部。
并且，本發(fā)明優(yōu)選從上述空氣流入端側(cè)隆起面向上述空氣流出端側(cè)，形成有高度比上述負壓產(chǎn)生面高但小于等于上述磁性元件面的高度的延伸面，在上述延伸面上至少具有從上述滑塊的上述橫方向的兩側(cè)向上述空氣流出端側(cè)的方向延伸的側(cè)邊延伸面、和設(shè)置在上述側(cè)邊延伸面之間的中央延伸面，在上述中央延伸面的橫方向的兩側(cè)形成有具有上述側(cè)邊延伸面而被圍成的2個溝槽部，上述溝槽部的底面分別成為上述第2負壓產(chǎn)生面。由此，能夠適當?shù)匦纬僧a(chǎn)生比上述第1負壓產(chǎn)生面產(chǎn)生的負壓小的負壓的第2負壓產(chǎn)生面。
并且，本發(fā)明優(yōu)選上述磁性元件面與上述空氣流入端側(cè)隆起面之間通過連接上述第1延伸面和上述中央延伸面的中央連接面連接，更優(yōu)選的是上述中央連接面具有高度與上述磁性元件面相同的導(dǎo)軌面，上述導(dǎo)軌面沿上述橫方向形成有多個，并且連接在上述磁性元件面與上述空氣流入端側(cè)隆起面之間，在上述導(dǎo)軌面之間形成有以比上述磁性元件面低但比負壓產(chǎn)生面高的高度尺寸形成的階梯面。由此，從空氣流入端側(cè)流向空氣流出端側(cè)的空氣即使因氣壓變化等減少，也能夠高效率地將量減少的空氣順暢地引導(dǎo)到上述磁性元件面，能夠到達更適當?shù)厥股细∽藙莘€(wěn)定的目的。
并且，本發(fā)明更優(yōu)選上述空氣流入端側(cè)隆起面沿上述橫方向分開形成，上述階梯面延伸到上述空氣流入端側(cè)隆起面之間而被形成。由此，能夠更順暢地將空氣從上述空氣流入端側(cè)隆起面引向磁性元件面，能夠到達更適當?shù)厥股细∽藙莘€(wěn)定的目的。
發(fā)明的效果本發(fā)明在與磁盤相對的面上設(shè)置第1負壓產(chǎn)生面和位于比上述第1負壓產(chǎn)生面靠近空氣流入端側(cè)的第2負壓產(chǎn)生面，而且在橫方向上分別分開形成上述第1負壓產(chǎn)生面和上述第2負壓產(chǎn)生面。并且使上述第1負壓產(chǎn)生面產(chǎn)生的負壓(絕對值)比上述第2負壓產(chǎn)生面產(chǎn)生的負壓(絕對值)大。
由此，能夠在空氣流出端側(cè)適當?shù)禺a(chǎn)生負壓，能夠?qū)鈮鹤兓鸬纳细×康淖儎右种频胶苄?。而且，在從上述?負壓產(chǎn)生面看去位于空氣流入端側(cè)的第2負壓產(chǎn)生面上也產(chǎn)生較弱的負壓，并且在上述橫方向上分開形成上述第1負壓產(chǎn)生面和第2負壓產(chǎn)生面，通過這樣，即使磁頭滑塊在上述磁盤上的上浮位置沿上述磁盤的半徑方向變化，歪扭角的變化使流經(jīng)上述與磁盤相對的面和磁盤之間的空氣流的方向改變，也能保持正壓與負壓良好的平衡，能夠使上述歪扭角的變化引起的上浮量的變動和上述氣壓變化引起的上浮量的變動一起減小。


圖1是將第1實施形態(tài)的磁頭滑塊的與磁盤相對的面向上表示的立體圖。
圖2是從與磁盤相對的面一側(cè)看圖1所示的磁頭滑塊的俯視圖。
圖3是將上述磁頭滑塊安裝到支持部件上的磁頭裝置的局部立體圖。
圖4是表示本實施形態(tài)的磁頭滑塊停止在磁盤上的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖。
圖5是表示本實施形態(tài)的磁頭滑塊從磁盤上浮起后的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖。
圖6是磁頭裝置和磁盤裝置的俯視圖。
圖7是將第2實施形態(tài)的磁頭滑塊的與磁盤相對的面向上表示的俯視圖。
圖8是將第3實施形態(tài)的磁頭滑塊的與磁盤相對的面向上表示的俯視圖。
圖9是將第4實施形態(tài)的磁頭滑塊的與磁盤相對的面向上表示的俯視圖。
圖10是從與磁盤相對的面一側(cè)看比較例1的磁頭滑塊的俯視圖。
圖11是從與磁盤相對的面一側(cè)看比較例2的磁頭滑塊的俯視圖。
圖12是表示分別在高地(10kft)氣壓下和平地氣壓下使用實施例的磁頭滑塊時，上述磁頭滑塊離開磁盤中心的位置與上浮量之間的關(guān)系的圖表。
圖13是使用實施例的磁頭滑塊和比較例1的磁頭滑塊、在磁盤D的各個位置ID、MD和OD上求得的、高地(3048m)氣壓下磁頭滑塊的上浮量相對于平地氣壓下磁頭滑塊的上浮量的上浮率(％)的圖表。
圖14是使用實施例的磁頭滑塊和比較例2的磁頭滑塊、在磁盤D的各個位置ID、MD和OD上求得的、高地(3048m)氣壓下磁頭滑塊的上浮量相對于平地氣壓下磁頭滑塊的上浮量的上浮率(％)的圖表。
圖15是表示使用實施例的磁頭滑塊和實施例3的磁頭滑塊時，上述磁頭滑塊離開磁盤中心的位置與上浮量之間的關(guān)系的圖表。
圖16是使用實施例的磁頭滑塊和比較例3的磁頭滑塊、在磁盤D的各個位置ID、MD和OD上求得的、高地(3048m)氣壓下磁頭滑塊的上浮量相對于平地氣壓下磁頭滑塊的上浮量的上浮率(％)的圖表。
具體實施例方式
圖1為將第1實施形態(tài)的磁頭滑塊的與磁盤相對的面向上表示的立體圖，圖2為從與磁盤相對的面一側(cè)看圖1所示的磁頭滑塊的俯視圖，圖3為將上述磁頭滑塊安裝到支持部件上的磁頭裝置的局部立體圖，圖4為表示本實施形態(tài)的磁頭滑塊停止在磁盤上的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖，圖5為表示本實施形態(tài)的磁頭滑塊從磁盤上浮起后的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖，圖6為磁頭裝置和磁盤裝置的俯視圖，圖7為將第2實施形態(tài)的磁頭滑塊的與磁盤相對的面向上表示的俯視圖，圖8為將第3實施形態(tài)的磁頭滑塊的與磁盤相對的面向上表示的俯視圖，圖9為將第4實施形態(tài)的磁頭滑塊的與磁盤相對的面向上表示的俯視圖。
圖1及圖2所示的磁頭滑塊1構(gòu)成磁頭裝置H的一部分。上述磁頭滑塊1例如圖3所示那樣安裝在從與磁盤相對的面2的相反面一側(cè)彈性支持上述磁頭滑塊1的支持部件22上。上述支持部件22由板簧載重梁18和設(shè)置在其頂部的薄板簧撓曲板(彈性支持部件)17構(gòu)成(參照圖4)。
上述磁頭裝置H安裝在磁盤裝置內(nèi)，具有將磁信號記錄到設(shè)置在上述磁盤裝置內(nèi)的磁盤D上、或者再生記錄在上述磁盤D上的磁信號的功能。
圖4表示構(gòu)成上述磁頭裝置H的磁頭滑塊1停止在設(shè)置于上述磁盤裝置內(nèi)的磁盤D上的狀態(tài)。磁盤D旋轉(zhuǎn)使上述磁頭滑塊1從圖4所示的停止狀態(tài)浮起于磁盤D上，進行上述記錄或再生(圖5)。
如圖4所示，磁頭滑塊1從與磁盤相對的面2的相反一側(cè)被粘接固定在上述撓曲板17的下面。如圖4所示，上述撓曲板17上形成有例如向圖示上方突起的球面狀樞軸(pivot)P，該樞軸P的頂端與載重梁18接觸。
在圖4的狀態(tài)下，上述磁頭滑塊1被支持部件22以較弱的彈力推向磁盤D的記錄面。如圖5所示，當磁盤D開始旋轉(zhuǎn)時，上述磁頭滑塊1的引導(dǎo)側(cè)端面S1受空氣流的作用以上述樞軸P為擺動支點向上抬起。當上述磁頭滑塊1浮在磁盤D上時，以上述樞軸P為擺動支點向間距方向擺動以追隨磁盤D的起伏。如圖5所示，磁頭滑塊1以上浮量δ浮在磁盤D上。以后提到“上浮量”時，如圖5所示那樣用磁性元件5的表面到磁盤D的表面之間的直線距離(最短距離)表示。
如圖1、圖2所示，磁頭滑塊1的空氣流入端稱為“引導(dǎo)側(cè)端面S1”，空氣流出端稱為“從動側(cè)端面St”。并且，以下并不是表示側(cè)端面本身，僅將“向著引導(dǎo)側(cè)端面的方向或者靠近從動側(cè)端面的部位”稱為“引導(dǎo)側(cè)端面S1”，將“向著從動側(cè)端面的方向或者靠近從動側(cè)端面的部位”稱為“從動側(cè)端面St”。并且，以下將從上述引導(dǎo)側(cè)端面S1向從動側(cè)端面St的方向作為縱方向，將與上述縱方向交叉的方向作為橫方向。上述縱方向與圖1、圖2所示的Y方向一致。并且，圖示X方向為上述橫方向中的一個，上述X方向為與上述Y方向正交的方向，在本實施形態(tài)中，“橫方向”并不僅限于與上述Y方向正交的X方向。上述橫方向是指與上述縱方向(圖示Y方向)交叉的方向，為比“正交”更廣的概念。但是，為了便于說明，下面以橫方向(圖示X方向)說明。
圖1和圖2所示的磁頭滑塊1用例如氧化鋁碳化鈦等形成。
如圖1、圖2所示，在上述磁頭滑塊1的與磁盤相對的面2上的從動側(cè)St，形成有從上述與磁盤相對的面2的底面2a(這里所謂的“底面”是指在使與磁盤相對的面2像圖1、圖2所示那樣向上的狀態(tài)下位于上述與磁盤相對的面2的最低位置的面)向磁盤D方向隆起形成的磁性元件面4。如圖1、圖2所示，磁性元件5為形成在上述磁頭滑塊1的從動側(cè)端面St上，由以例如利用了磁阻效應(yīng)的自旋閥型薄膜元件為代表的再生用MR元件和記錄用電感元件復(fù)合而成的元件，或者僅由MR元件和電感元件中的一種構(gòu)成的元件。如圖1、圖2所示，上述磁性元件5的周圍用Al2O3等保護膜19覆蓋，上述保護膜19也成為上述磁性元件面4的一部分。
上述磁性元件5的表面從上述磁性元件面4露出，像上述那樣，由上述磁性元件5對磁盤D進行記錄或再生。
如圖1、圖2所示，在上述磁頭滑塊1的引導(dǎo)側(cè)S1上設(shè)置有高度與上述磁性元件面4相同、從上述與磁盤相對的面2的底面2a上隆起、并且沿橫方向(圖示X方向)被分開成2個的引導(dǎo)側(cè)隆起面(空氣流入端側(cè)隆起面)6、7。
而且，如圖1、圖2所示，在各引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的從動側(cè)端部6a、7a與上述磁性元件面4的引導(dǎo)側(cè)端部4a之間，從上述與磁盤相對的面2的底面2a隆起形成高度尺寸與上述磁性元件面4和引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7相同的導(dǎo)軌面8、9，各引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7與磁性元件面4用上述導(dǎo)軌面8、9連接。
如圖1、圖2所示，在上述導(dǎo)軌面8、9的橫方向(圖示X方向)的兩側(cè)，分別從上述與磁盤相對的面2的底面2a隆起形成高度與上述磁性元件面4相同的側(cè)邊隆起面10、11。上述側(cè)邊隆起面10、11具有當上述磁頭滑塊1在磁盤D上向轉(zhuǎn)動方向(以圖示Y方向為軸旋轉(zhuǎn)的方向)傾斜時抑制相對于上述磁盤D的表面的歪扭角度，作為產(chǎn)生抑制上述磁頭滑塊1的圖示X方向的兩側(cè)端部與磁盤D沖突等的正壓產(chǎn)生面的功能。如圖1、圖2所示，上述側(cè)邊隆起面10、11的俯視形狀為近似U字形形狀，開放端向著上述前端側(cè)S1，但并不局限于這種形狀。也可以是例如上述側(cè)邊隆起面10、11的俯視形狀為V字形形狀等。但是，最好，上述側(cè)邊隆起面10、11的俯視形狀是上述引導(dǎo)側(cè)S1為開放端的包圍形狀有利于適當?shù)匾种粕鲜龃蓬^滑塊1沿上述轉(zhuǎn)動方向的傾斜。
位于與上述側(cè)邊隆起面10、11相同高度位置上的上述磁性元件面4、前端隆起面6、7、導(dǎo)軌面8、9，與上述側(cè)邊隆起面10、11一樣為正壓產(chǎn)生面。
下面說明比上述磁性元件面4等低一層的面。如圖1、圖2所示，具有非常寬的面積的引導(dǎo)側(cè)階梯面12a，從上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的引導(dǎo)側(cè)端部6b、7b一直形成到引導(dǎo)側(cè)端部S1。上述引導(dǎo)側(cè)階梯面12a以比上述與磁盤相對的面2的底面2a的高度高但比上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的高度低的高度形成。
而且，以與上述引導(dǎo)側(cè)階梯面12a相同的高度形成從上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的從動側(cè)端部6a、7a到從動側(cè)St的寬度尺寸小的從動側(cè)階梯面12b。并且，如圖1、圖2所示，在從上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的內(nèi)側(cè)端部6c、7c之間到上述導(dǎo)軌面8、9的內(nèi)側(cè)端部8a、9a之間，形成有高度與上述引導(dǎo)側(cè)階梯面12a相同的中央階梯面12c。另外，上述中央階梯面12c的高度并不局限于與上述引導(dǎo)側(cè)階梯面12a相同的高度，并且無論是上述中央階梯面12c的高度全部相同還是一部分的高度與其他部分的高度不同，都包含在本實施形態(tài)之中。但是，優(yōu)選上述中央階梯面12c全部以與上述引導(dǎo)側(cè)階梯面12a相同的高度形成。
并且，如圖1、圖2所示，在上述導(dǎo)軌面9的右側(cè)端部(外側(cè)端部)9b，以與上述引導(dǎo)側(cè)階梯面12a相同的高度形成連接在上述從動側(cè)階梯面12b與上述磁性元件面4的引導(dǎo)側(cè)端部4a之間的導(dǎo)軌側(cè)邊階梯面21。上述導(dǎo)軌側(cè)邊階梯面21不形成也可以。并且，也可以在上述導(dǎo)軌面8的左側(cè)端部8b形成上述導(dǎo)軌側(cè)邊階梯面。另外，以下將上述導(dǎo)軌面8、9、中央階梯面12c、和上述導(dǎo)軌側(cè)邊階梯面21統(tǒng)稱為連接上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7與上述磁性元件面4之間的“中央連接面33”。
而且，如圖1、圖2所示，在上述從動側(cè)階梯面12b的橫方向(圖示X方向)的兩側(cè)，以與上述引導(dǎo)側(cè)階梯面12a相同的高度形成向從動側(cè)St延伸的側(cè)邊延伸面23、24。
如圖2所示，上述側(cè)邊隆起面10、11與上述中央連接面33之間由側(cè)(side)連接面25、26連接。上述側(cè)連接面25、26以與上述引導(dǎo)側(cè)階梯面12a相同的高度形成。上述側(cè)連接面25、26與上述側(cè)邊隆起面10、11的引導(dǎo)側(cè)端部10a、11a連接。并且，上述側(cè)連接面25、26形成在比樞軸P的中心Po的位置更靠近從動側(cè)St的位置上。圖2所示的樞軸P的中心Po的位置為在與上述與磁盤相對的面2相反一側(cè)的面上抵接的樞軸P的中心Po沿上述磁頭滑塊1的膜厚方向(圖示Z方向)透射的位置。
并且，如圖1和圖2所示，形成有從上述側(cè)邊隆起面10、11的從動側(cè)端部10b、11b向上述從動側(cè)St方向延伸的延伸面27、28。上述延伸面27、28以與上述引導(dǎo)側(cè)階梯面12a相同的高度形成。
如上所述，引導(dǎo)側(cè)階梯面12a、從動側(cè)階梯面12b、導(dǎo)軌側(cè)邊階梯面21、側(cè)邊延伸面23、24、側(cè)連接面25、26、以及延伸面27、28全部以相同的高度形成，這些面并不是專門作為產(chǎn)生正壓或負壓的面設(shè)置的，而是用于例如容易將空氣從引導(dǎo)側(cè)S1的空氣流入端導(dǎo)向從動側(cè)St的空氣流出端等而設(shè)置的。
如圖1、圖2所示，在滑塊1的從動側(cè)St，上述中央連接面33的橫方向(圖示X方向)的兩側(cè)形成有由上述中央連接面33、側(cè)連接面25、26、以及側(cè)邊隆起面10、11圍成的第1溝槽部29、30。以下將符號29的溝槽部稱為第1右側(cè)溝槽部，將符號30的溝槽部稱為第1左側(cè)溝槽部。
并且，在位于比上述第1右側(cè)溝槽部29和第1左側(cè)溝槽部30靠近引導(dǎo)側(cè)S1的上述中央連接面33的橫方向(圖示X方向)的兩側(cè)，形成有由上述中央連接面33、從動側(cè)階梯面12b、和側(cè)邊延伸面23、24圍成的第2溝槽部31、32。下面將符號31的溝槽部稱為第2右側(cè)溝槽部，將符號32的溝槽部稱為第2左側(cè)溝槽部。
上述第1右側(cè)溝槽部29、第1左側(cè)溝槽部30、第2右側(cè)溝槽部31和第2左側(cè)溝槽部32各自的底面29a、30a、31a、32a與上述與磁盤相對的面2的底面2a一致，在圖1、圖2所示的實施形態(tài)中，當像圖1、圖2所示那樣使與磁盤相對的面2向上時，為位于最低位置的面。于是，上述第1右側(cè)溝槽部29、第1左側(cè)溝槽部30、第2右側(cè)溝槽部31和第2左側(cè)溝槽部32各自的底面29a、30a、31a、32a為負壓產(chǎn)生面。將上述底面29a稱為第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a，將上述底面30a稱為第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a，將上述底面31a稱為第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a，將上述底面32a稱為第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a。
在圖1及圖2所示的實施形態(tài)中，如上所述，在滑塊1的從動側(cè)側(cè)St沿橫方向(圖示X方向)分開并形成上述第1右側(cè)溝槽部29和第1左側(cè)溝槽部30，在比上述第1右側(cè)溝槽部29和第1左側(cè)溝槽部30靠近引導(dǎo)側(cè)S1沿橫方向(圖示X方向)分開并形成第2右側(cè)溝槽部31和第2左側(cè)溝槽部32，各溝槽部的底面為負壓產(chǎn)生面。于是，第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a產(chǎn)生的負壓(絕對值)比第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a產(chǎn)生的負壓(絕對值)大。其中，“第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a產(chǎn)生的負壓(絕對值)”是指上述第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a各自產(chǎn)生的負壓的總和。同樣，“第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a產(chǎn)生的負壓(絕對值)”是指第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a各自產(chǎn)生的負壓(絕對值)的總和。以下相同。另外，優(yōu)選第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a產(chǎn)生的負壓(絕對值)比上述第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a各自產(chǎn)生的負壓(絕對值)大，同樣，上述第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a產(chǎn)生的負壓(絕對值)比上述第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a各自產(chǎn)生的負壓(絕對值)大這樣的關(guān)系。
通過這樣，在從動側(cè)St有效地產(chǎn)生負壓，正壓和負壓尤其在從動側(cè)St良好地保持平衡，能夠?qū)鈮鹤兓鸬纳细×康淖儎右种频胶苄?。并且，在位于比?右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a靠近引導(dǎo)側(cè)S1的第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a上產(chǎn)生很小的負壓，并且上述第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a以及第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a分別在橫方向(圖示X方向)上分開形成，通過這樣，磁頭滑塊1在磁盤D上的上浮位置像圖6所示那樣沿上述磁盤D的半徑方向變化，即使在歪扭角度變化的情況下，也能良好地保持正壓與負壓的平衡，能夠?qū)⑸鲜鐾崤そ堑淖兓鸬拇疟PD上的上浮量的變動與上述氣壓變化引起的上浮量的變動一起減小。
如圖1、圖2所示，由于上述第1右側(cè)溝槽部29和第1左側(cè)溝槽部30分別為被中央連接面33、側(cè)連接面25、26、和側(cè)邊隆起面10、11包圍的形狀，因此上述第1右側(cè)溝槽部29和第1左側(cè)溝槽部30的底面起有效地產(chǎn)生負壓的負壓產(chǎn)生面29a、30a的作用，尤其是第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a以縱方向(Y方向)的長度比上述第2右側(cè)溝槽31和第2左側(cè)溝槽32長的形狀形成，因此產(chǎn)生更大的負壓。
而上述第2右側(cè)溝槽部31和第2左側(cè)溝槽部32分別為被中央連接面33、從動側(cè)階梯面12b、和側(cè)邊延伸面23、24包圍的形狀，因此上述第2右側(cè)溝槽部31和第2左側(cè)溝槽部32的底面也成為產(chǎn)生負壓的負壓產(chǎn)生面。但是，如果側(cè)邊延伸面23、24的縱方向(圖示Y方向)的長度不夠長，上述溝槽部31、32未被完全包圍的話，則在與上述第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a相鄰的引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7上產(chǎn)生非常大的正壓，由于這些原因，上述第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a產(chǎn)生的負壓(絕對值)比上述第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a產(chǎn)生的負壓(絕對值)小。
并且，在圖1、圖2所示的實施形態(tài)中，各引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的從動側(cè)端部6a、7a與上述磁性元件面4的引導(dǎo)側(cè)端部4a之間用以與上述磁性元件面4和上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7相同的高度隆起形成的導(dǎo)軌面8、9連接，并且在上述前端隆起面6、7之間和導(dǎo)軌面8、9之間設(shè)置尺寸比上述磁性元件面4低但比底面2a高的中央階梯面12c。
這樣一來，通過用高度與上述磁性元件面4和上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7相同的導(dǎo)軌面8、9連接上述磁性元件面4與上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7之間，被位于空氣流入端一側(cè)的各引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7壓縮的空氣容易通過無臺階等障礙的同一平面的導(dǎo)軌面8、9和中央階梯面12c引導(dǎo)到上述磁性元件面4，即使因氣壓變化等使空氣流入量減少，也能夠高效率地將空氣聚集到上述磁性元件面4上，能夠產(chǎn)生適當大小的正壓。
并且，流入設(shè)置在上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7之間和導(dǎo)軌面8、9之間的中央階梯面12c的空氣的流入方向被位于圖示X方向的兩側(cè)、高度較高的引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7和導(dǎo)軌面8、9適當控制，順暢地流到磁性元件面4上。
如圖2所示，由于上述導(dǎo)軌面8、9的沿圖示X方向相對置的內(nèi)側(cè)端部8a、9a分別與上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的沿圖示X方向相對置的內(nèi)側(cè)端部6c、7c連續(xù)形成，因此流入上述中央階梯面12c的空氣被順暢地導(dǎo)至磁性元件面4。
另外，雖然圖1、圖2中上述導(dǎo)軌面8、9互相平行地形成，但并不局限于這樣的形態(tài)。
并且，各引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的面積之和比上述磁性元件面4的面積大。當磁頭滑塊1像圖5說明的那樣上浮時，為引導(dǎo)側(cè)端面S1浮起比從動側(cè)端面St高的傾斜姿勢，因此磁頭滑塊1的引導(dǎo)側(cè)S1有必要承受比從動側(cè)St大的正壓。因此，作為正壓產(chǎn)生面的各引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的面積之和形成為比上述磁性元件面4的面積大。
圖7至圖9為改變圖1和圖2所示的實施形態(tài)的磁頭滑塊1的與磁盤相對的面2的一部分的變形例。
另外，圖7至圖9都與圖1和圖2一樣，在滑塊1的從動側(cè)St沿橫方向(圖示X方向)分開并形成上述第1右側(cè)溝槽部29和第1左側(cè)溝槽部30，在比上述第1右側(cè)溝槽部29和第1左側(cè)溝槽部30靠引導(dǎo)側(cè)S1沿橫方向(圖示X方向)分開并形成第2右側(cè)溝槽部31和第2左側(cè)溝槽部32，使各溝槽部的底面為負壓產(chǎn)生面。而且，使第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a產(chǎn)生的負壓(絕對值)比第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a產(chǎn)生的負壓(絕對值)大。以上幾點相同。
由此，在圖7至圖9所示的實施形態(tài)中也能在從動側(cè)St高效地產(chǎn)生負壓，尤其是在從動側(cè)St正壓和負壓能夠保持良好的平衡，能夠?qū)鈮鹤兓鸬纳细×康淖儎右种频胶苄?。并且，即使歪扭角變化，也能良好地保持正壓與負壓的平衡，能夠?qū)⑸鲜鐾崤そ堑淖兓鸬纳细×康淖儎右种频胶苄　?br> 圖7所示的實施形態(tài)僅形成有一個引導(dǎo)側(cè)隆起面40。雖然圖7所示的導(dǎo)軌面8、9沒有與上述引導(dǎo)側(cè)隆起面40相連，但也可以相連。雖然與圖1、圖2所示的實施形態(tài)相比，從引導(dǎo)側(cè)階梯面12a流到中央階梯面12c的空氣流有可能產(chǎn)生紊亂，或者空氣流量有可能減少，但與專利文獻1等現(xiàn)有技術(shù)的磁頭滑塊相比，能夠?qū)鈮鹤兓鸬纳细×康淖兓屯崤そ堑淖兓鸬纳细×康淖儎右种频胶苄　?br> 圖8所示的實施形態(tài)與圖1和圖2不同，上述磁性元件面4與引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7之間沒有連接。圖8中雖然向引導(dǎo)側(cè)S1延伸形成有與上述磁性元件面4相連的上述導(dǎo)軌面8、9，但未與上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7相連，中途被切斷。并且，上述導(dǎo)軌側(cè)邊階梯面21也未與上述引導(dǎo)側(cè)隆起面7相連，中途被切斷。圖8所示的導(dǎo)軌面8、9和導(dǎo)軌側(cè)邊階梯面21構(gòu)成從上述磁性元件面4向引導(dǎo)側(cè)S1延伸的“第1延伸面”。
如圖8所示，上述側(cè)邊隆起面10、11與上述第1延伸面之間通過側(cè)連接面25、26連接，在上述側(cè)邊隆起面10、11、第1延伸面和側(cè)連接面25、26圍成的第1右側(cè)溝槽部29和第1左側(cè)溝槽部30的底面上形成第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a。
在圖8中，形成從上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的從動側(cè)端部6a、7a向從動側(cè)St的從動側(cè)階梯面12b，從上述從動側(cè)階梯面12b的圖示X方向的兩側(cè)形成向從動側(cè)St延伸的側(cè)邊延伸面23、24。而且，如圖8所示，在上述側(cè)邊延伸面23、24之間、在長度方向(圖示Y方向)上正對上述“第1延伸面”的位置上，形成從引導(dǎo)側(cè)階梯面12a開始延伸的中央延伸面45。于是，在圖8所示的實施形態(tài)中，在上述中央延伸面45、從動側(cè)階梯面12b、和側(cè)邊延伸面23、24圍成的第2右側(cè)溝槽部31和第2左側(cè)溝槽部32的底面上形成第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a。
在圖8所示的實施形態(tài)中，由于磁性元件面4與引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7之間完全不連接，因此與圖1、圖2所示的實施形態(tài)相比，從引導(dǎo)側(cè)階梯面12a流到上述磁性元件面4的空氣流有可能產(chǎn)生紊亂，或者空氣量有可能減少，但與專利文獻1等現(xiàn)有技術(shù)的磁頭滑塊相比，能夠?qū)鈮鹤兓鸬纳细×康淖儎蛹巴崤そ亲兓鸬纳细×康淖儎右种频捷^小。
圖9所示的實施形態(tài)與圖7一樣僅形成一個引導(dǎo)側(cè)隆起面40。圖9中，上述磁性元件面4與上述引導(dǎo)側(cè)隆起面40之間用以與上述磁性元件面4和引導(dǎo)側(cè)隆起面40相同高度形成的連接面47連接，而不是像圖7那樣用導(dǎo)軌面8、9和上述導(dǎo)軌面8、9之間形成的中央階梯面12c連接的形狀。圖9為將圖7所示的導(dǎo)軌面8、9之間填成與上述導(dǎo)軌面8、9相同的高度的形態(tài)。
圖9所示形態(tài)的磁頭滑塊1雖然與圖1及圖2所示實施形態(tài)的磁頭滑塊1相比不能同時將氣壓變化引起的上浮量的變動和歪扭角的變化引起的上浮量的變動抑制到適當小的程度，但與專利文獻1等現(xiàn)有技術(shù)的磁頭滑塊相比，能夠?qū)鈮鹤兓鸬纳细×康淖儎雍屯崤そ堑淖兓鸬纳细×康淖儎右种频捷^小。
制作了圖1及圖2所示的磁頭滑塊(實施例)。
實驗中，將上述磁頭滑塊安裝在圖3所示的支持部件22上，像圖6所示那樣浮在磁盤D的上面。此時，如圖6所示，從磁盤D的中心沿半徑方向改變磁頭滑塊在磁盤D上的位置，在進行實驗的各實驗位置上，測量了在平地(0m)的氣壓下磁頭滑塊的上浮量和高地(10kft)的氣壓下磁頭滑塊的上浮量。
其實驗結(jié)果表示在圖12中。如圖12所示，可知在平地(0m)氣壓下，因磁頭滑塊在磁盤D上的位置的變化而改變的相對于歪扭角的上浮量的變動非常小。并且可知，在高地(10kft)的氣壓下，相對于歪扭角的上浮量的變動雖然比上述平地氣壓下大，但與后述的比較例的磁頭滑塊相比，能夠使氣壓變化引起的上浮量的變動和歪扭角的變化引起的上浮量的變動兩者適當?shù)販p小。
制作了圖10所示的磁頭滑塊作為比較例1的磁頭滑塊。比較圖10的磁頭滑塊和圖1及圖2所示的磁頭滑塊1，與圖1及圖2不同的是圖10的磁頭滑塊上沒有形成側(cè)邊延伸面23、24。如圖10所示，雖然在比引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的從動側(cè)端部6a、7a上形成的從動側(cè)階梯面12b更靠從動側(cè)St形成有溝槽部50、51，但可以認為上述溝槽部50、51的底面不起負壓產(chǎn)生面的作用。這是因為沒有形成上述側(cè)邊延伸面23、24，從引導(dǎo)側(cè)S1流經(jīng)上述溝槽部50、51的空氣從上述溝槽部50、51被排出到滑塊的外側(cè)，結(jié)果可以認為在上述溝槽部50、51中沒有產(chǎn)生負壓。并且，當制作了后述的形狀與專利文獻1的圖28幾乎相同的磁頭滑塊時可以知道，專利文獻1的圖28的形狀中位于符號5的脊面與符號2b的動壓產(chǎn)生部之間的溝槽部也不產(chǎn)生負壓。專利文獻1的圖28的形狀也與圖10一樣未在上述溝槽部中形成側(cè)邊延伸面。由上述情況可知，要想在上述溝槽部的底面產(chǎn)生適當?shù)呢搲?，必須使上述溝槽部的形狀為由引?dǎo)側(cè)S1和橫方向(圖示X方向)的兩側(cè)包圍的形狀。
但是，圖10所示的磁頭滑塊的由側(cè)邊隆起面10、11、側(cè)連接面25、26、和中央連接面33圍成的溝槽部29、30的底面29a、30a，與圖1及圖2所示的磁頭滑塊一樣，起負壓產(chǎn)生面的作用。即圖10所示的磁頭滑塊存在2個負壓產(chǎn)生面29a、30a。而圖1及圖2所示的磁頭滑塊1(實施例)有共4個上述負壓產(chǎn)生面29a、30a、31a、32a。并且，將圖10所示的磁頭滑塊(比較例1)和圖1及圖2所示的磁頭滑塊(實施例)安裝到圖3所示的支持部件22上，像圖6所示那樣浮在磁盤D上。此時，像圖6所示那樣使磁頭滑塊位于離開磁盤D的中心正好為磁盤半徑的大致中間的位置MD(離磁盤的中心11.63mm)、位于比上述位置MD靠內(nèi)側(cè)的位置ID(離磁盤的中心6.63mm)、位于比上述位置MD靠外側(cè)的位置OD(離磁盤的中心16.63mm)，分別在各位置測量了平地(0m)氣壓下磁頭滑塊的上浮量、和高地(10kft)氣壓下磁頭滑塊的上浮量。并且求出了實施例和比較例1的磁頭滑塊中高地氣壓下的上浮量除以平地氣壓下的上浮量的上浮率(高地氣壓下的上浮量/平地氣壓下的上浮量)。將該實驗結(jié)果表示在圖13中。
如圖13所示，可知實施例的上述上浮率比比較例1的上浮率大。即可知可使實施例的氣壓變化引起的上浮量的變動比比較例的小。
接著制造了圖11所示的磁頭滑塊作為比較例2的磁頭滑塊。比較圖11的磁頭滑塊和圖1及圖2所示的磁頭滑塊1，與圖1及圖2不同的是圖11的磁頭滑塊上側(cè)邊隆起面10、11與中央連接面33之間未用側(cè)連接面25、26連接。因此圖11所示的磁頭滑塊沒有形成圖1及圖2所示的第1右側(cè)溝槽部29和第1左側(cè)溝槽部30，當然也就沒有形成第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a。但是，圖11所示的磁頭滑塊與圖1及圖2所示的磁頭滑塊一樣形成有由中央連接面33、從動側(cè)階梯面12b、和側(cè)邊延伸面23、24圍成的溝槽部31、32，上述溝槽部31、32的底面31a、32a成為負壓產(chǎn)生面。
因此圖11所示的磁頭滑塊(比較例2)存在31a、32a這2個負壓產(chǎn)生面。而圖1及圖2所示的磁頭滑塊1(實施例)共有4個上述負壓產(chǎn)生面29a、30a、31a、32a。并且將圖11所示的磁頭滑塊(比較例2)、和圖1及圖2所示的磁頭滑塊(實施例)安裝到圖3所示的支持部件22上，像圖6所示那樣在磁盤D上浮起。并且在與上述相同的條件下測量了上浮率。結(jié)果表示在圖14中。
如圖14所示可知，實施例的上述上浮率比比較例2的大。即，可知可使實施例的氣壓變化引起的上浮量的變動比比較例2的小。
由該實驗結(jié)果可知，像圖1及圖2所示那樣在滑塊的從動側(cè)St沿橫方向(圖示X方向)分開并形成上述第1右側(cè)溝槽部29和第1左側(cè)溝槽部30，在比上述第1右側(cè)溝槽部29和第1左側(cè)溝槽部30靠近引導(dǎo)側(cè)S1沿橫方向(圖示X方向)分開并形成第2右側(cè)溝槽部31和第2左側(cè)溝槽部32，將各溝槽部的底面作為負壓產(chǎn)生面比較理想。即，形成4個負壓產(chǎn)生面比較好。
接著測量了圖1及圖2所示的磁頭滑塊1的第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a產(chǎn)生的負壓、以及第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a產(chǎn)生的負壓。結(jié)果為上述第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a產(chǎn)生的負壓(合計負壓)為-0.450gf，上述第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a產(chǎn)生的負壓(合計負壓)為-0.230gf，可知上述第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面29a和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面30a產(chǎn)生的負壓(絕對值)比上述第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面31a和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面32a產(chǎn)生的負壓(絕對值)大。
接著制作了形狀與專利文獻1所述的圖28幾乎相同的磁頭滑塊。在專利文獻1的與圖28相對的詳細的說明欄中雖然記載了圖28所示的缺口部81a、81b的部分產(chǎn)生有負壓(專利文獻1的“0134”欄)，但對于專利文獻1的圖28所示的位于脊面5和動壓產(chǎn)生部2b之間的溝槽部沒有詳細說明。因此，本發(fā)明者測定了專利文獻1的圖28的磁頭滑塊的上述缺口部81a、81b和溝槽部中的負壓。這樣一來可知，上述缺口部81a、81b產(chǎn)生了-0.457gf的負壓(合計負壓)，但位于引導(dǎo)側(cè)的上述溝槽部中未產(chǎn)生負壓。因此專利文獻1的圖28所示的磁頭滑塊沒有形成本實施例的磁頭滑塊那樣的4個負壓產(chǎn)生面，只存在2個負壓產(chǎn)生面。
如果為了使與專利文獻1所示的圖28的磁頭滑塊(比較例3)的氣壓變化相對的上浮率與圖1及圖2所示的磁頭滑塊(實施例)時的上述上浮率基本相同，而例如稍微改變上述磁頭滑塊(比較例3)的脊面9a、9b的位置或溝槽的深度的話，則像圖15所示那樣磁頭滑塊的上浮量(圖5的δ)隨磁頭滑塊離開磁盤中心的位置不同而變化很大(實驗在使氣壓為平地氣壓下進行)，可知不能減小與上述歪扭角的變化相對的上浮量的變動。
而如果使與專利文獻1所述的圖28的磁頭滑塊(比較例3)的上述歪扭角的變化相對的上浮量的變動與圖1及圖2所示的磁頭滑塊(實施例)時的大致相同地進行調(diào)整的話，則可知道像圖16所示那樣與氣壓變化相對的上浮率大大降低。
圖16中揭示了圖1及圖2所示的實施例的磁頭滑塊的與上述氣壓變化相對的上浮率?？梢灾?，與實施例相比，比較例3的磁頭滑塊與上述歪扭角的變化相對的上浮率的變動大，而與上述氣壓變化相對的上浮率小。由此可知，比較例3的磁頭滑塊的形狀不能同時減小與上述氣壓變化相對的上浮量的變動和與上述歪扭角的變化相對的上浮量的變動，而實施例的磁頭滑塊的形狀能夠同時減小與上述氣壓變化相對的上浮量的變動和與上述歪扭角的變化相對的上浮量的變動。
權(quán)利要求
1.一種磁頭滑塊，其特征在于，具有滑塊、和設(shè)置在上述滑塊的空氣流出端側(cè)的記錄用和/或再生用磁性元件，當以從上述滑塊的空氣流入端側(cè)向空氣流出端側(cè)的方向為縱方向，以與上述縱方向交叉的方向為橫方向時，在上述滑塊的與磁盤相對的面上具有設(shè)置在上述空氣流出端側(cè)的第1負壓產(chǎn)生面、和設(shè)置在比上述第1負壓產(chǎn)生面靠近上述空氣流入端側(cè)的第2負壓產(chǎn)生面，上述第1負壓產(chǎn)生面和上述第2負壓產(chǎn)生面分別沿上述橫方向分開設(shè)置，上述第1負壓產(chǎn)生面產(chǎn)生的負壓(絕對值)比上述第2負壓產(chǎn)生面產(chǎn)生的負壓(絕對值)大。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其特征在于，在上述與磁盤相對的面上具有在上述空氣流出端側(cè)向磁盤方向隆起、上述磁性元件的表面露出的磁性元件面；以與上述磁性元件面相同的高度隆起、設(shè)置在比上述磁性元件面靠近上述空氣流入端側(cè)的空氣流入端隆起面；以及高度比上述磁性元件面低、位于比上述空氣流入端側(cè)隆起面靠近上述空氣流出端側(cè)的上述負壓產(chǎn)生面，上述各負壓產(chǎn)生面由至少被上述空氣流入側(cè)和上述橫方向的兩側(cè)圍成的溝槽部的底面構(gòu)成。
3.一種磁頭滑塊，其特征在于，具有滑塊、和設(shè)置在上述滑塊的空氣流出端側(cè)的記錄用和/或再生用磁性元件，當以從上述滑塊的空氣流入端側(cè)向空氣流出端側(cè)的方向為縱方向，以與上述縱方向交叉的方向為橫方向時，在上述滑塊的與磁盤相對的面上具有在上述空氣流出端側(cè)向磁盤方向隆起、露出上述磁性元件的表面的磁性元件面；以與上述磁性元件面相同的高度隆起、設(shè)置在比上述磁性元件面靠近上述空氣流入端側(cè)的空氣流入端側(cè)隆起面；以及高度比上述磁性元件面低、位于比上述空氣流入端側(cè)隆起面靠近上述空氣流出端側(cè)的負壓產(chǎn)生面，上述負壓產(chǎn)生面具有設(shè)置在上述空氣流出端側(cè)的第1負壓產(chǎn)生面、和設(shè)置在比上述第1負壓產(chǎn)生面靠近上述空氣流入端側(cè)的第2負壓產(chǎn)生面，上述第1負壓產(chǎn)生面和上述第2負壓產(chǎn)生面分別沿上述橫方向分開設(shè)置，各負壓產(chǎn)生面由至少被上述空氣流入側(cè)和上述橫方向的兩側(cè)圍成的溝槽部的底面構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求2或3所述的磁頭滑塊，其特征在于，在上述與磁盤相對的面上形成有以高度比上述負壓產(chǎn)生面高但小于等于上述磁性元件面底的高度從上述磁性元件面向上述空氣流入端側(cè)延伸的第1延伸面，至少在上述第1延伸面的上述橫方向的兩側(cè)分開形成有上述第1負壓產(chǎn)生面。
5.如權(quán)利要求4所述的磁頭滑塊，其特征在于，在上述與磁盤相對的面上，在比上述空氣流入端側(cè)隆起面靠近上述空氣流出端側(cè)，形成有高度與上述磁性元件面相同、沿上述橫方向分開形成的側(cè)邊隆起面，上述側(cè)邊隆起面經(jīng)由以高度比上述負壓產(chǎn)生面高但小于等于上述磁性元件面的高度延伸的側(cè)連接面而與上述第1延伸面連接，由上述第1延伸面、上述側(cè)連接面、和上述側(cè)邊隆起面圍成的溝槽部的底面成為上述第1負壓產(chǎn)生面。
6.如權(quán)利要求2至6中的任一項所述的磁頭滑塊，其特征在于，從上述空氣流入端側(cè)隆起面向上述空氣流出端側(cè)，形成有高度比上述負壓產(chǎn)生面高但小于等于上述磁性元件面的高度的延伸面，在上述延伸面上至少具有從上述滑塊的上述橫方向的兩側(cè)向上述空氣流出端側(cè)的方向延伸的側(cè)邊延伸面、和設(shè)置在上述側(cè)邊延伸面之間的中央延伸面，在上述中央延伸面的橫方向的兩側(cè)形成有具有上述側(cè)邊延伸面而被圍成的2個溝槽部，上述溝槽部的底面分別成為上述第2負壓產(chǎn)生面。
7.如權(quán)利要求6所述的磁頭滑塊，其特征在于，上述磁性元件面與上述空氣流入端側(cè)隆起面之間通過連接上述第1延伸面和上述中央延伸面的中央連接面連接。
8.如權(quán)利要求7所述的磁頭滑塊，其特征在于，上述中央連接面具有高度與上述磁性元件面相同的導(dǎo)軌面，上述導(dǎo)軌面沿上述橫方向形成有多個，并且連接在上述磁性元件面與上述空氣流入端側(cè)隆起面之間，在上述導(dǎo)軌面之間形成有以比上述磁性元件面低但比負壓產(chǎn)生面高的高度尺寸形成的階梯面。
9.如權(quán)利要求8所述的磁頭滑塊，其特征在于，上述空氣流入端側(cè)隆起面沿上述橫方向分開形成，上述階梯面延伸到上述空氣流入端側(cè)隆起面之間而被形成。
全文摘要
本發(fā)明的目的是要提供一種尤其是能夠?qū)鈮鹤兓鸬纳细×康淖儎雍屯崤そ堑淖兓鸬纳细×康淖儎觾烧哌m當?shù)販p小的磁頭滑塊。在從動側(cè)沿橫方向分開并形成第1右側(cè)溝槽部(29)和第1左側(cè)溝槽部(30)，在比第1右側(cè)溝槽部(29)和第1左側(cè)溝槽部(30)靠引導(dǎo)側(cè)沿橫方向分開并形成第2右側(cè)溝槽部(31)和第2左側(cè)溝槽部(32)，各溝槽部的底面成為負壓產(chǎn)生面。于是第1右側(cè)負壓產(chǎn)生面(29a)和第1左側(cè)負壓產(chǎn)生面(30a)產(chǎn)生的負壓(絕對值)比第2右側(cè)負壓產(chǎn)生面(31a)和第2左側(cè)負壓產(chǎn)生面(32a)產(chǎn)生的負壓(絕對值)大。由此能夠?qū)鈮鹤兓鸬纳细×康淖儎雍屯崤そ堑淖兓鸬纳细×康淖儎觾烧哌m當?shù)販p小。
文檔編號G11B21/21GK1881420SQ20061008992
公開日2006年12月20日 申請日期2006年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月26日
發(fā)明者近藤康之 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社