專利名稱：存儲(chǔ)器模塊和系統(tǒng)以及制造存儲(chǔ)器模塊的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器模塊，存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊，存儲(chǔ)器模塊系統(tǒng)和制造存儲(chǔ)器模塊的方法。
背景技術(shù)：
常規(guī)的計(jì)算機(jī)例如PC(個(gè)人計(jì)算機(jī))，膝上型計(jì)算機(jī)，筆記本，工作站計(jì)算機(jī)，服務(wù)器計(jì)算機(jī)等，通常包括主印刷電路板，所謂的母板，在其上提供了一個(gè)或者多個(gè)CPU，和一個(gè)或多個(gè)用于存儲(chǔ)器模塊的插入式觸點(diǎn)，并且可能適合的BIOS元件，協(xié)處理器，高速緩沖存儲(chǔ)器，振蕩器和一個(gè)或者多個(gè)用于(其他)插板的其他插入式觸點(diǎn)等。
母板的不同元件，例如上述的存儲(chǔ)器模塊，CPU等可以通過一個(gè)或多個(gè)總線系統(tǒng)彼此連接，用于交換對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)、地址和/或控制信號(hào)。
作為將要插入到上述存儲(chǔ)器插入式觸點(diǎn)中的存儲(chǔ)器模塊，適合的SIMM或者DIMM存儲(chǔ)器插件可以例如被使用(SIMM＝單列直插式存儲(chǔ)器模塊，DIMM＝雙列直插式存儲(chǔ)器模塊)，每一個(gè)都包括多個(gè)存儲(chǔ)器，例如多個(gè)DRAM存儲(chǔ)器(DRAM＝動(dòng)態(tài)隨記存取存儲(chǔ)器)。
在SIMM存儲(chǔ)器插件的情況中，僅僅在存儲(chǔ)器插件的一側(cè)上提供存儲(chǔ)器，在DIMM存儲(chǔ)器插件的情況中，在該插件的背面和正面(即兩側(cè))上提供存儲(chǔ)器。
SIMM存儲(chǔ)器插件包括具有例如72個(gè)觸點(diǎn)的插入裝置，其被插入到對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器模塊插入槽中，DIMM存儲(chǔ)器插件包括具有例如168個(gè)觸點(diǎn)(在插件的每一側(cè)上具有84個(gè)觸點(diǎn))的插入裝置，或者例如也可具有184，200，214或240個(gè)觸點(diǎn)。
在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器插件上提供的每一單個(gè)DRAM存儲(chǔ)器可以例如具有128Mb，256Mb，512Mb或者1Gb等的存儲(chǔ)容量；由對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器插件提供的總存儲(chǔ)容量取決于在存儲(chǔ)器插件上提供的DRAM存儲(chǔ)器的數(shù)量，和每一個(gè)DRAM存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量，例如是1Gb、2Gb，8Gb等。
對(duì)于DRAM存儲(chǔ)器，使用各種類型的外殼，例如適合的表面安裝外殼(SMD外殼(SMD＝表面安裝器件))，或者插入式安裝外殼(例如適合的DLL外殼(DLL＝雙直插式)等)。
在DLL外殼的情況中，在存儲(chǔ)器外殼處提供的觸點(diǎn)被插入到在存儲(chǔ)器插件中提供的對(duì)應(yīng)孔中，并且將觸點(diǎn)焊接在插件的背面處。
與此相反，在SMD外殼的情況中，例如在BGA或者TSOP外殼的情況中，在存儲(chǔ)器插件的表面提供的觸點(diǎn)上放置了在存儲(chǔ)器處提供的觸點(diǎn)；接著，存儲(chǔ)器插件被浸入在焊接糟中，使得存儲(chǔ)器插件的觸點(diǎn)和存儲(chǔ)器的觸點(diǎn)彼此被焊接在一起。
由于存儲(chǔ)器外殼沒有直接焊接到母板上，而是被焊接在上述的存儲(chǔ)器插件上，該插件被插入到母板的對(duì)應(yīng)的插入式觸點(diǎn)中，所以對(duì)各種計(jì)算機(jī)提供的總存儲(chǔ)容量可以適用于用戶的各種需求，而不需要更大的努力。
對(duì)計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)容量的需求持續(xù)增長(zhǎng)。
為了妥善處理這些需求，已經(jīng)使用了具有增加存儲(chǔ)容量的DRAM存儲(chǔ)器。同時(shí)，在每一存儲(chǔ)器插件上提供的DRAM存儲(chǔ)器的數(shù)量也增加了。
然而，在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器插件上最大化提供的DRAM存儲(chǔ)器的數(shù)量受限于由標(biāo)準(zhǔn)所預(yù)先確定的存儲(chǔ)器插件的物理尺寸。
為了提高存儲(chǔ)器插件的存儲(chǔ)容量，使用了存儲(chǔ)器外殼，其中在彼此的頂部上或者以層疊方式布置兩個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器來替換單一一個(gè)存儲(chǔ)器。
為了進(jìn)一步提高存儲(chǔ)器插件的存儲(chǔ)容量，也可以使用存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器插件，其可以例如通過適合的螺絲連接或者焊接連接被機(jī)械安裝在對(duì)應(yīng)的(主)存儲(chǔ)器插件上，并且例如通過帶狀電纜電連接主存儲(chǔ)器插件，用于在主插件和擴(kuò)展存儲(chǔ)器插件之間交換數(shù)據(jù)，地址，和/或控制信號(hào)。
尤其是，相對(duì)高的制造成本是其缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的就是提供一種制造存儲(chǔ)器模塊的新方法，和新存儲(chǔ)器模塊，新存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊和新的存儲(chǔ)器模塊系統(tǒng)，特別是以相對(duì)簡(jiǎn)單的方式和相對(duì)更少努力來制造的存儲(chǔ)器模塊，存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊和存儲(chǔ)器模塊系統(tǒng)。
這些和其他目的是通過權(quán)利要求1，27，39，41，46和48的主題來獲得的。
在從屬權(quán)利要求中說明了本發(fā)明的更進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了存儲(chǔ)器模塊，其包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器，其中該存儲(chǔ)器模塊還包括表面安裝連接器裝置，用于連接存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊至存儲(chǔ)器模塊。
優(yōu)選的，附加的連接器裝置和至少一個(gè)存儲(chǔ)器在連接表面安裝步驟中可以電連接和機(jī)械連接至存儲(chǔ)器模塊。
和被設(shè)計(jì)成連接存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的常規(guī)存儲(chǔ)器模塊相比，該存儲(chǔ)器模塊更容易和廉價(jià)地制造。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊，其包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器，其中該存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊還包括表面安裝連接器裝置，用于連接存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊至存儲(chǔ)器模塊。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了存儲(chǔ)器模塊系統(tǒng)，其包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器模塊和至少一個(gè)存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊，其中該存儲(chǔ)器模塊和存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊還包括至少一個(gè)表面安裝連接器裝置，和其中存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊通過存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的至少一個(gè)表面安裝連接器裝置和存儲(chǔ)器模塊的至少一個(gè)表面安裝連接器裝置連接至存儲(chǔ)器模塊。


在下文中，通過幾個(gè)實(shí)施例和附圖來更詳細(xì)解釋本發(fā)明。其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的任一實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊插入到其中的計(jì)算機(jī)的母板的示意性示例表示；圖2示出了在第一和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的拆卸狀態(tài)中，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊的前面、第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的前面和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的背面；圖3是在第一和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的安裝狀態(tài)中，在圖2中所示出存儲(chǔ)器模塊的示意性橫截面圖；圖4示出了在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的拆卸狀態(tài)中，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊的前面，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的后面；圖5是在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的安裝狀態(tài)中，圖4所示的存儲(chǔ)器模塊的示意性橫截面圖；圖6示出了在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的拆卸狀態(tài)中，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊的前面，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的后面；圖7是在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的安裝狀態(tài)中，圖6所示的存儲(chǔ)器模塊的示意性橫截面圖；圖8示出了在第一和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的拆卸狀態(tài)中，根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊的前面，第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的前面和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的背面；圖9是在第一和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的安裝狀態(tài)中，圖8所示的存儲(chǔ)器模塊的示意性橫截面圖；圖10示出了在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的拆卸狀態(tài)中，根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊的前面，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的后面；圖11是在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的安裝狀態(tài)中，圖10所示的存儲(chǔ)器模塊的示意性橫截面圖；圖12示出了在第一和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的拆卸狀態(tài)中，根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊的前面，第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的前面，和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的后面；圖13是在第一和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的安裝狀態(tài)中，圖12所示的存儲(chǔ)器模塊的示意性橫截面圖；和圖14是在制造圖2-13中所示的存儲(chǔ)器模塊或者擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的任何一個(gè)期間執(zhí)行的方法步驟的流程圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是常規(guī)PC(個(gè)人計(jì)算機(jī))的母板1的示意性示例圖。
母板1通常包括CPU2和用于存儲(chǔ)器模塊的多個(gè)插入式觸點(diǎn)3，用于(其他)存儲(chǔ)器插件的多個(gè)其他插入式觸點(diǎn)4，協(xié)處理器元件5，振蕩器6，DMA元件7(DMA＝直接存儲(chǔ)器存取)，ROM-BIOS元件9(ROM＝只讀存儲(chǔ)器；BIOS＝基本輸入輸出系統(tǒng))，和多個(gè)高速緩沖存儲(chǔ)器元件。
根據(jù)圖1，母板1的多個(gè)元件-例如CPU2，存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3，其他插入式觸點(diǎn)4等-通過一個(gè)或者多個(gè)對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)、地址和/或控制總線的總線系統(tǒng)彼此連接，例如通過PCI總線系統(tǒng)10(PCI＝外圍部件互連)連接。
在滿足用戶的要求時(shí)，一個(gè)或多個(gè)插入式插件，例如圖形卡、調(diào)制解調(diào)器卡、聲卡等可以插入到其他插入式觸點(diǎn)4。
每一個(gè)存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3可以具有類似于常規(guī)存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)的設(shè)計(jì)或者與其完全相同的設(shè)計(jì)，特別是這樣的設(shè)計(jì)一個(gè)常規(guī)存儲(chǔ)器模塊被安裝在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3，例如具有如240個(gè)觸點(diǎn)的常規(guī)DIMM存儲(chǔ)器插件(或者，可選擇的，具有其他數(shù)量觸點(diǎn)的DIMM存儲(chǔ)器插件，例如184，200或者214個(gè)觸點(diǎn)，或者例如SIMM存儲(chǔ)器插件等)，使得DIMM或者SIMM存儲(chǔ)器插件的觸點(diǎn)在安裝之后分別電接觸存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3的對(duì)應(yīng)觸點(diǎn)。
優(yōu)選的，替換常規(guī)的存儲(chǔ)器模塊，在圖2-13中所示并且在下面詳細(xì)介紹的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的任何一個(gè)存儲(chǔ)器模塊100，200，300，400，500，600被插入到一個(gè)或者多個(gè)或者全部的上述存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3。在不是所有的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3都將被圖2-13中所示的存儲(chǔ)器模塊100，200，300，400，500，600占據(jù)的情況中，對(duì)于常規(guī)的存儲(chǔ)器模塊，余下的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3仍然不被使用，或者可以被使用。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊100或者印刷電路板/存儲(chǔ)器插件100的前面，其適用于以從頂部的垂直方向插入在圖1所示的母板1的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3中。
根據(jù)圖2，相應(yīng)地和常規(guī)DIMM存儲(chǔ)器插件(或者，可選擇的和常規(guī)SIMM存儲(chǔ)器插件)一致的存儲(chǔ)器模塊100包括在下模塊邊緣處的插入式觸點(diǎn)110(這里印刷電路板邊緣連接器)，其可以相應(yīng)和常規(guī)DIMM存儲(chǔ)器插件一致，包括存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3的觸點(diǎn)的數(shù)量對(duì)應(yīng)的數(shù)量，例如240個(gè)觸點(diǎn)110a，110b，110c(或者可選擇的，例如184，200，或者214個(gè)觸點(diǎn)等)存儲(chǔ)器模塊100的插入式觸點(diǎn)110被設(shè)計(jì)成在將存儲(chǔ)器模塊100安裝在母板1的多個(gè)插入式觸點(diǎn)3之一之后，存儲(chǔ)器模塊100的插入式觸點(diǎn)110的存儲(chǔ)器模塊觸點(diǎn)110a，110b，110c電連接母板1的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3的對(duì)應(yīng)觸點(diǎn)。
存儲(chǔ)器模塊100的外部尺寸可以和常規(guī)DIMM存儲(chǔ)器插件(或可選擇的和常規(guī)SIMM存儲(chǔ)器插件)相應(yīng)類似或一致。存儲(chǔ)器模塊100可以例如具有在2cm和10cm之間的高度，和在4cm和20cm之間的長(zhǎng)度。
和常規(guī)DIMM存儲(chǔ)器插件(或者可選擇的和常規(guī)SIMM存儲(chǔ)器插件)相應(yīng)類似或一致的存儲(chǔ)器模塊100包括多個(gè)存儲(chǔ)器111a，111b，例如多個(gè)RAM存儲(chǔ)器，特別是DRAM存儲(chǔ)器(RAM＝隨機(jī)存取存儲(chǔ)器；DRAM＝動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。
和常規(guī)DIMM存儲(chǔ)器插件一致的存儲(chǔ)器111a，111b被定位存儲(chǔ)器模塊100的前面和后面(或者可選擇的，對(duì)應(yīng)于SIMM存儲(chǔ)器插件-僅在存儲(chǔ)器模塊的單一一側(cè)上)。
根據(jù)圖2，存儲(chǔ)器111a，111b可以逐個(gè)地以水平行布置在存儲(chǔ)器模塊100的前面和后面。
在存儲(chǔ)器模塊100上提供的存儲(chǔ)器111a，111b，111c的單一一個(gè)可以例如具有128Mb，256Mb，512Mb，1Gb或者2Gb等的存儲(chǔ)容量，使得由存儲(chǔ)器模塊100提供例如1Gb，2Gb，4Gb等的總存儲(chǔ)容量，這取決于在存儲(chǔ)器模塊100上提供的存儲(chǔ)器111a，111b的數(shù)量和每個(gè)存儲(chǔ)器111a，111b的存儲(chǔ)容量。
在存儲(chǔ)器模塊100上提供的DRAM存儲(chǔ)器111a，111b例如可以具有相同的存儲(chǔ)容量；可選擇的，不同的存儲(chǔ)容量也是可以的。在存儲(chǔ)器模塊100的前面布置的DRAM存儲(chǔ)器111a，111b的每一個(gè)都可以例如具有第一存儲(chǔ)器容量，和在存儲(chǔ)器模塊100的后面布置的DRAM存儲(chǔ)器的每一個(gè)都可以具有與其不同的第二存儲(chǔ)容量。
如果存儲(chǔ)器111a，111b的每一個(gè)都布置在外殼中，例如在BGA或者TSOP外殼中，該外殼通過表面安裝(SMD外殼(SMD＝表面安裝器件))被安裝在存儲(chǔ)器模塊100上，則這是優(yōu)選的?？蛇x的，也可以使用通過插入式安裝(例如DLL外殼(DLL＝雙列直插式)等)安裝在存儲(chǔ)器模塊100上面的存儲(chǔ)器外殼。
作為存儲(chǔ)器外殼，可以使用其中布置了單一一個(gè)存儲(chǔ)器的外殼，或者特別有優(yōu)勢(shì)的，其中用兩個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器取代單一一個(gè)存儲(chǔ)器，該兩個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器布置在例如彼此的頂部上或者是以層疊的方式布置(在DRAM存儲(chǔ)器的情況中，優(yōu)選地使用所謂的“層疊DRAM”)。
根據(jù)圖2，在存儲(chǔ)器模塊100而不是常規(guī)的DIMM存儲(chǔ)器插件的情況中，在一行中逐個(gè)布置的存儲(chǔ)器111a，111b和基本上在下模塊邊緣的整個(gè)長(zhǎng)度上延伸的插入式觸點(diǎn)110之間的存儲(chǔ)器模塊前面和后面處布置了多個(gè)附加、特殊的連接器103a，103b，103c。
在本實(shí)施例中，在存儲(chǔ)器模塊100的前面和后面處提供了3個(gè)附加連接器103a，103b，103c?？蛇x的，更多或者更小數(shù)量的附加連接器也是可以的，例如僅一個(gè)或兩個(gè)，或者甚至每一側(cè)多于3個(gè)連接器。
在存儲(chǔ)器模塊100的前面和后面處在水平行中逐個(gè)放置附加連接器103a，103b，103c，并且它們等距離地隔開。
在存儲(chǔ)器模塊的前面處提供的每一個(gè)連接器103a，103b，103c與在存儲(chǔ)器模塊的后面處提供的對(duì)應(yīng)連接器相對(duì)放置。
作為附加的連接器103a，103b，103c，優(yōu)選使用SMT連接器(SMT＝表面安裝技術(shù))，例如所謂的MEZZANINE連接器(將在下面做更詳細(xì)的介紹)通過表面安裝被安裝在存儲(chǔ)器模塊100上。
根據(jù)圖2，SMT連接器103a，103b，103c的每一個(gè)都具有基本為矩形的拉長(zhǎng)形狀，并且每一個(gè)都在水平方向上連接存儲(chǔ)器模塊100(使得SMT連接器103a，103b，103c的縱向與存儲(chǔ)器模塊100的下模塊邊緣平行延伸)。
連接存儲(chǔ)器模塊100的前面的SMT連接器103a，103b，103c(和在存儲(chǔ)器模塊的后面處的相應(yīng)的SMT連接器)的觸點(diǎn)總數(shù)量對(duì)應(yīng)于插入式接觸110的觸點(diǎn)數(shù)量(這里存儲(chǔ)器模塊100的印刷電路板邊緣連接器110的數(shù)量)，或者對(duì)應(yīng)于母板1的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3的觸點(diǎn)數(shù)量，或者更高，例如240個(gè)觸點(diǎn)(或者可選的，例如184，200，或者214個(gè)觸點(diǎn)等)。
存儲(chǔ)器模塊100的每一個(gè)SMT連接器103a，103b，103c被設(shè)計(jì)成在將各個(gè)SMT連接器103a，103b，103c安裝在存儲(chǔ)器模塊100之后，各SMT連接器103a，103b，103c的觸點(diǎn)電連接在存儲(chǔ)器模塊100的表面上提供的對(duì)應(yīng)觸點(diǎn)。
如果存儲(chǔ)器模塊100的存儲(chǔ)容量增加了，則根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例分別使用第一和/或第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102或者第一和/或第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器印刷電路板/擴(kuò)展存儲(chǔ)器插件101，102，這在下面通過圖2和3進(jìn)行更詳細(xì)解釋。
圖2示出了第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101的前面和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面。
擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102的每一個(gè)都包括多個(gè)存儲(chǔ)器111c，111d，或111e，111f，例如多個(gè)RAM存儲(chǔ)器，特別是DRAM存儲(chǔ)器，該擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊和常規(guī)DIMM或者SIMM存儲(chǔ)器插件相應(yīng)類似或者相同，并且和圖2所示的存儲(chǔ)器模塊100相應(yīng)類似或者一致。
與常規(guī)DIMM存儲(chǔ)器插件對(duì)應(yīng)并且與圖2所示的存儲(chǔ)器模塊100對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器111c，111d，或111e，111f的每一個(gè)都布置在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102的前面和后面(或者可選的，對(duì)應(yīng)SIMM存儲(chǔ)器插件，僅僅在相應(yīng)擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的單一一面上)。
根據(jù)圖2，存儲(chǔ)器111c，111d，或111e，111f在水平行中逐個(gè)地分別布置在相應(yīng)的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102的前面和后面。
在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102上分別提供的存儲(chǔ)器111c，111d，或111e，111f中的單一一個(gè)可以例如具有如128Mb，256Mb，512Mb，1Gb或者2Gb等的存儲(chǔ)容量，使得通過每一個(gè)擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102提供例如1Gb，2Gb，4Gb等的總存儲(chǔ)容量，這取決于在相應(yīng)擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102上分別提供的存儲(chǔ)器111c，111d，或111e，111f的數(shù)量和每個(gè)存儲(chǔ)器111c，111d，或111e，111f的存儲(chǔ)容量。
在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102上分別提供的DRAM存儲(chǔ)器111c，111d，或111e，111f可以例如都具有相同的存儲(chǔ)容量；可選擇的，不同存儲(chǔ)容量也是可以的。在第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101的前面和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面分別布置的每一個(gè)DRAM存儲(chǔ)器111c，111d，或111e，111f例如可以具有第一存儲(chǔ)容量，在第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101的后面和第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的前面分別布置的每一個(gè)DRAM存儲(chǔ)器可以具有與其不同的第二存儲(chǔ)容量。
如果存儲(chǔ)器111c，111d或者111e，111f分別布置在外殼中，例如在BGA或者TSOP外殼中，該外殼通過表面安裝(SMD外殼)被安裝在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102上，則這是優(yōu)選的。可選的，也可以使用通過插入式安裝(例如DLL外殼等)安裝在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102上面的存儲(chǔ)器外殼。
作為存儲(chǔ)器外殼，可以使用其中布置了單一一個(gè)存儲(chǔ)器的外殼，或者特別有優(yōu)勢(shì)的，其中兩個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器取代單一一個(gè)存儲(chǔ)器，該兩個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器分別布置在例如彼此的頂部上或者是以層疊的方式布置(在DRAM存儲(chǔ)器的情況中，優(yōu)選地使用所謂的“層疊DRAM”)。
擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102的外部尺寸基本上對(duì)應(yīng)于常規(guī)DIMM或者SIMM存儲(chǔ)器插件的外部尺寸，或者對(duì)應(yīng)于在圖2中所示的存儲(chǔ)器模塊100。然而，高度(和可能的長(zhǎng)度)略微小于圖2所示的存儲(chǔ)器模塊100(高度可以例如是小于存儲(chǔ)器模塊100的高度約0.5cm-2cm，并且可以是例如在1.5cm和9cm之間，長(zhǎng)度是在例如4cm和18cm之間等)。
根據(jù)圖2，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102(而不是常規(guī)的DIMM或者SIMM存儲(chǔ)器插件和圖2所示的存儲(chǔ)器模塊100)沒有包括在下模塊邊緣處提供的任何印刷電路板邊緣連接器。
相反，在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101的前面和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面處，分別提供了多個(gè)特殊連接器103d，103e，103f或者103g，103h，103i，它們?nèi)〈顺Ｒ?guī)的DIMM或者SIMM存儲(chǔ)器插件的印刷電路板邊緣連接器的功能，這將在下面做更詳細(xì)的介紹。
在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面處提供的連接器103g，103h，103i的數(shù)量對(duì)應(yīng)于在存儲(chǔ)器模塊100的前面處提供的(附加的)連接器103a，103b，103c的數(shù)量，在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101的前面處提供的連接器103d，103e，103f的數(shù)量對(duì)應(yīng)于在存儲(chǔ)器模塊100的后面處提供的(附加的)連接器的數(shù)量(這里3個(gè)，可選地例如僅1個(gè)或者2個(gè)，或者甚至多于3個(gè))。
擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102的連接器103d，103e，103f或103g，103h，103i的每一個(gè)分別都布置在相應(yīng)存儲(chǔ)器111c，111d或111e，111f(它們?cè)谝恍兄斜恢饌€(gè)放置)和相應(yīng)的下模塊邊緣之間，即在水平行中逐個(gè)布置并且等距離地分開。
作為連接器103d，103e，103f或103g，103h，103i，優(yōu)選使用SMT連接器，例如所謂的MEZZANINE連接器(將在下文中做更詳細(xì)介紹)通過表面安裝被安裝在相應(yīng)擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102的上面。
根據(jù)圖2，SMT連接器103d，103e，103f或103g，103h，103i的每一個(gè)都具有基本為矩形的拉長(zhǎng)形狀，并且每一個(gè)都在水平方向上連接相應(yīng)的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102(使得SMT連接器103d，103e，103f或103g，103h，103i的縱向與擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102的相應(yīng)下模塊邊緣平行延伸)。
在第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面處的SMT連接器103g構(gòu)成了在存儲(chǔ)器模塊100的前面處的SMT連接器103a的配對(duì)物，在第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面處的SMT連接器103h構(gòu)成了在存儲(chǔ)器模塊100的前面處的SMT連接器103b的配對(duì)物，在第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面處的SMT連接器103i構(gòu)成了在存儲(chǔ)器模塊100的前面處的SMT連接器103c的配對(duì)物。
類似的，在第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101的前面處的SMT連接器103d，103e，103f的每一個(gè)都構(gòu)成了在存儲(chǔ)器模塊100的后面處提供的SMT連接器的配對(duì)物。
如果存儲(chǔ)器模塊100的存儲(chǔ)容量增加了，則如圖3所示的第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102可以從第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面和存儲(chǔ)器模塊100的前面彼此直接平行面對(duì)的位置在水平方向上(箭頭A)朝向存儲(chǔ)器模塊100移動(dòng)，直到在第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面處的SMT連接器103g接合在存儲(chǔ)器模塊100的前面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器103a，在第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面處的SMT連接器103h接合在存儲(chǔ)器模塊100的前面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器103b，在第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面處的SMT連接器103i接合在存儲(chǔ)器模塊100的前面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器103c。
SMT連接器103a，103b，103c和103g，103h，103i被設(shè)計(jì)成在使得SMT連接器103g，103h，103i接合SMT連接器103a，103b，103c之后，SMT連接器103g，103h，103i的觸點(diǎn)電連接SMT連接器103a，103b，103c的各個(gè)對(duì)應(yīng)的觸點(diǎn)，即第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102在沒有任何電纜的情況下電連接存儲(chǔ)器模塊100。
由此，存儲(chǔ)器模塊100的SMT連接器103a，103b，103c例如可以表示母部件，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的SMT連接器103g，103h，103i例如可以表示連接的公部件。
通過將SMT連接器103g，103h，103i接合SMT連接器103a，103b，103c，同時(shí)獲得第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102和存儲(chǔ)器模塊100被機(jī)械保護(hù)以避免彼此的相對(duì)移動(dòng)，即第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102在不需要例如適合的螺絲連接的其他連接的情況下機(jī)械連接存儲(chǔ)器模塊100。
對(duì)于擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102是可選擇的或者附加的-為了(進(jìn)一步)增加存儲(chǔ)器模塊100的存儲(chǔ)容量(例如，至12Gb等)，并且如圖3所示的那樣-第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101可以電連接和機(jī)械連接存儲(chǔ)器模塊100。
這樣，第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101可以從第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101的前面和存儲(chǔ)器模塊100的后面彼此直接平行面對(duì)的位置在水平方向上(箭頭B)朝向存儲(chǔ)器模塊100移動(dòng)，直到在第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101的前面處的SMT連接器103d，103e，103f結(jié)合到存儲(chǔ)器模塊100的后面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器。
在第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的前面處的SMT連接器103d，103e，103f和在存儲(chǔ)器模塊100的后面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器被設(shè)計(jì)成在結(jié)合SMT連接器之后，在第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的前面處的SMT連接器103d，103e，103f的觸點(diǎn)電連接在存儲(chǔ)器模塊100的后面處的SMT連接器的各個(gè)對(duì)應(yīng)的觸點(diǎn)，即第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101在沒有任何電纜的情況下電連接存儲(chǔ)器模塊100。
由此，存儲(chǔ)器模塊100的SMT連接器例如可以表示母部件，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101的SMT連接器103d，103e，103f例如可以表示連接的公部件。
通過將在第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的前面處的SMT連接器103d，103e，103f接合在存儲(chǔ)器模塊100的后面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器，同時(shí)獲得第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101和存儲(chǔ)器模塊100被機(jī)械保護(hù)以避免彼此的相對(duì)移動(dòng)，即第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101在不需要例如適合的螺絲連接的其他連接的情況下機(jī)械連接存儲(chǔ)器模塊100。
根據(jù)圖3，在將擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102連接存儲(chǔ)器模塊100之后，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102的上模塊邊緣基本上和存儲(chǔ)器模塊100的上模塊邊緣在同一水平線，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102的下模塊邊緣略微高于存儲(chǔ)器模塊100的下模塊邊緣；擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102彼此平行并且和存儲(chǔ)器模塊200平行。
通過上面描述的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102和存儲(chǔ)器模塊100的電連接，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102的總線系統(tǒng)的一個(gè)或者多個(gè)(其連接第一或者第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的DRAM存儲(chǔ)器111c，111d或111e，111f至SMT連接器103d，103e，103f或103g，103h，103i)連接在存儲(chǔ)器模塊100上提供的總線系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)(其例如連接SMT連接器103a，103b，103c至插入式觸點(diǎn)110或者印刷電路板邊緣連接器110(和可能附加的存儲(chǔ)器模塊100的DRAM存儲(chǔ)器111a，111b和插入式觸點(diǎn)110或者印刷電路板邊緣連接器110))。
通過CPU2，數(shù)據(jù)能夠保存到在存儲(chǔ)器模塊100或擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102上提供的DRAM存儲(chǔ)器111a，111b，111c，111d，111e，111f的任一一個(gè)中并且在后面被讀出。
優(yōu)選的，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)可以在每一個(gè)存儲(chǔ)器模塊100，101，102的第一和第二SMT連接器(例如SMT連接器103a，103c，103d，103f，103g，103i)上傳輸，對(duì)應(yīng)的控制和地址信號(hào)在每一個(gè)存儲(chǔ)器模塊100，101，102的第三SMT連接器(例如SMT連接器103b，103e，103h)上傳輸。
由此存儲(chǔ)器模塊100的邊緣連接器110的相應(yīng)單一觸點(diǎn)110a，110b，110c可以連接每一個(gè)存儲(chǔ)器模塊101，102的對(duì)應(yīng)的SMT連接器的單一一個(gè)對(duì)應(yīng)觸點(diǎn)，或者可選的，連接每一個(gè)存儲(chǔ)器模塊101，102的對(duì)應(yīng)SMT連接器的多個(gè)對(duì)應(yīng)觸點(diǎn)。由此，減少了故障的可能性。
如果存儲(chǔ)器模塊100的存儲(chǔ)容量再一次被減小，則可以用適當(dāng)?shù)母呃υ谂c箭頭A相對(duì)的水平方向上壓緊第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102，使得在第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102的后面處的SMT連接器103g，103h，103i從在存儲(chǔ)器模塊100的前面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器103a，103b，103c中取出。
因此分離了第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊102和存儲(chǔ)器模塊100之間的電連接和機(jī)械連接。
可選擇的或者附加的，可以用適當(dāng)?shù)母呃υ谂c箭頭B相對(duì)的水平方向上壓緊第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，使得在第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101的前面處的SMT連接器103d，103e，103f從在存儲(chǔ)器模塊100的后面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器中取出。
因此可以模塊化地改變存儲(chǔ)器模塊100的存儲(chǔ)容量。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第二可選實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊200或者印刷電路板200的前面，其用于在從頂部的垂直方向插入到圖1所示的母板1的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3中。
根據(jù)圖4，和常規(guī)的DIMM存儲(chǔ)器插件(或者可選的與常規(guī)的SIMM存儲(chǔ)器插件)對(duì)應(yīng)一致的存儲(chǔ)器模塊200包括在下模塊邊緣處的插入式觸點(diǎn)210(這里印刷電路板邊緣連接器)，其(和常規(guī)的DIMM存儲(chǔ)器插件對(duì)應(yīng)一致)可以包括例如240個(gè)觸點(diǎn)210a，210b，210c(或者可選擇的例如184，200，或214個(gè)觸點(diǎn)等)，對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器模塊插入式插件3的觸點(diǎn)數(shù)量。
存儲(chǔ)器模塊200的插入式觸點(diǎn)210被設(shè)計(jì)成在將存儲(chǔ)器模塊200安裝在母板1的多個(gè)插入式觸點(diǎn)3之一之后，存儲(chǔ)器模塊200的插入式觸點(diǎn)210的存儲(chǔ)器模塊觸點(diǎn)210a，210b，210c電連接母板1的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3的對(duì)應(yīng)觸點(diǎn)。
存儲(chǔ)器模塊200的外部尺寸可以和常規(guī)DIMM存儲(chǔ)器插件(或者可選擇的和常規(guī)SIMM存儲(chǔ)器插件)相應(yīng)類似或一致。存儲(chǔ)器模塊200可以例如具有在3cm和12cm之間的高度，和在4cm和20cm之間的長(zhǎng)度等。
和常規(guī)DIMM存儲(chǔ)器插件(或者可選擇的和常規(guī)SIMM存儲(chǔ)器插件)相應(yīng)類似或一致的存儲(chǔ)器模塊200包括多個(gè)存儲(chǔ)器211a，211b，212a，212b，例如多個(gè)RAM存儲(chǔ)器，特別是DRAM存儲(chǔ)器。
和常規(guī)DIMM存儲(chǔ)器插件一致的存儲(chǔ)器211a，211b，212a，212b被定位在存儲(chǔ)器模塊200的前面和后面(或者可選擇的，對(duì)應(yīng)于SIMM存儲(chǔ)器插件-僅在存儲(chǔ)器模塊的單一一側(cè)上)。
根據(jù)圖4，存儲(chǔ)器211a，211b，212a，212b可以逐個(gè)地以幾個(gè)水平行在彼此的頂部上布置在存儲(chǔ)器模塊200的前面和后面，該幾個(gè)水平行被定位在彼此的頂部上(這里定位在彼此的頂部上的兩行213a，213b)。
在存儲(chǔ)器模塊200上提供的存儲(chǔ)器211a，211b，212a，212b的單一一個(gè)可以例如具有128Mb，256Mb，512Mb，1Gb或者2Gb等的存儲(chǔ)容量，使得由存儲(chǔ)器模塊200提供例如1Gb，2Gb，4Gb等的總存儲(chǔ)容量，這取決于在存儲(chǔ)器模塊200上提供的存儲(chǔ)器211a，211b，212a，212b的數(shù)量和每個(gè)存儲(chǔ)器211a，211b，212a，212b的存儲(chǔ)容量。
在存儲(chǔ)器模塊200上提供的DRAM存儲(chǔ)器211a，211b，212a，212b例如可以具有相同的存儲(chǔ)容量；可選的，不同的存儲(chǔ)容量也是可以的。在存儲(chǔ)器模塊200的前面布置的DRAM存儲(chǔ)器211a，211b，212a，212b的每一個(gè)都可以例如具有第一存儲(chǔ)容量，和在存儲(chǔ)器模塊200的后面布置的DRAM存儲(chǔ)器的每一個(gè)都可以具有與其不同的第二存儲(chǔ)容量。
如果存儲(chǔ)器211a，211b，212a，212b的每一個(gè)都布置在外殼中，例如在BGA或TSOP外殼中，該外殼通過表面安裝(SMD外殼)被安裝在存儲(chǔ)器模塊200上，則這是優(yōu)選的?？蛇x的，也可以使用通過插入式安裝(例如DLL外殼等)被安裝在存儲(chǔ)器模塊200上面的存儲(chǔ)器外殼。
作為存儲(chǔ)器外殼，可以使用其中布置了單一一個(gè)存儲(chǔ)器的外殼，或者特別有優(yōu)勢(shì)的，其中兩個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器取代單一一個(gè)存儲(chǔ)器，所述兩個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器被布置在例如彼此的頂部上或者是以層疊的方式布置(在DRAM存儲(chǔ)器的情況中，優(yōu)選地使用所謂的“層疊DRAM”)。
根據(jù)圖4，在存儲(chǔ)器模塊200而不是常規(guī)的DIMM存儲(chǔ)器插件的情況中，在下行的存儲(chǔ)器213a和基本上在下模塊邊緣的整個(gè)長(zhǎng)度上延伸的插入式觸點(diǎn)210之間的存儲(chǔ)器模塊的前面處布置了多個(gè)附加、特殊的觸點(diǎn)203a，203b，203c(這里是3個(gè))。
可選擇的，更大或者更小數(shù)量的附加連接器也是可以的，例如僅一個(gè)或者兩個(gè)，或者甚至多于3個(gè)連接器。
在一水平行中逐個(gè)放置附加連接器203a，203b，203c，并且它們等距離地分開。
作為附加的連接器203a，203b，203c，優(yōu)選使用SMT連接器(SMT＝表面安裝技術(shù))，例如所謂的MEZZANINE連接器(將在下面做更詳細(xì)的介紹)通過表面安裝被安裝在存儲(chǔ)器模塊200上。
根據(jù)圖4，SMT連接器203a，203b，203c的每一個(gè)都具有基本為矩形的拉長(zhǎng)形狀，并且每一個(gè)都在水平方向上連接存儲(chǔ)器模塊200(使得SMT連接器203a，203b，203c的縱向與存儲(chǔ)器模塊200的下模塊邊緣平行延伸)。
連接于存儲(chǔ)器模塊200的前面的SMT連接器203a，203b，203c的觸點(diǎn)的總數(shù)量對(duì)應(yīng)于插入式觸點(diǎn)210的觸點(diǎn)數(shù)量(這里存儲(chǔ)器模塊200的印刷電路板邊緣連接器210的數(shù)量)，或者對(duì)應(yīng)于母板1的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3的觸點(diǎn)數(shù)量，或者更高，例如240個(gè)觸點(diǎn)(或者可選的，例如184，200，或者214個(gè)觸點(diǎn)等)。
存儲(chǔ)器模塊200的每一個(gè)SMT連接器203a，203b，203c被設(shè)計(jì)成在將對(duì)應(yīng)SMT連接器203a，203b，203c安裝在存儲(chǔ)器模塊200之后，對(duì)應(yīng)SMT連接器203a，203b，203c的觸點(diǎn)電連接在存儲(chǔ)器模塊200的表面上提供的對(duì)應(yīng)觸點(diǎn)。
如果存儲(chǔ)器模塊200的存儲(chǔ)容量增加了，則根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例使用擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202或者擴(kuò)展存儲(chǔ)器印刷電路板202，這在下面通過圖4和5進(jìn)行更詳細(xì)解釋。
圖4示出了擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的前面。
擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202和常規(guī)DIMM或者SIMM存儲(chǔ)器插件相應(yīng)類似或者相同，并且和圖4所示的存儲(chǔ)器模塊200相應(yīng)類似或者相同，該擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202包括多個(gè)存儲(chǔ)器211e，211f，212e，212f，例如多個(gè)RAM存儲(chǔ)器，特別是DRAM存儲(chǔ)器。
與常規(guī)DIMM存儲(chǔ)器插件對(duì)應(yīng)并且與圖4所示的存儲(chǔ)器模塊200對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器211c，211d，211e，211f被布置在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的前面和后面(或者可選的，對(duì)應(yīng)于SIMM存儲(chǔ)器插件，僅僅在相應(yīng)擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的單一一面上)。
根據(jù)圖4，存儲(chǔ)器211e，211f，212e，212f在多個(gè)水平行中在彼此的頂部上逐個(gè)地被布置在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的前面和后面，該多個(gè)水平行定位在彼此的頂部上(這里在彼此的頂部上定位的兩行213c，213d)。
在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202上提供的存儲(chǔ)器211e，211f，212e，212f中的單一一個(gè)存儲(chǔ)器可以例如具有如128Mb，256Mb，512Mb，1Gb或者2Gb等的存儲(chǔ)容量，使得由擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202提供例如1Gb，2Gb，4Gb等的總存儲(chǔ)容量，這取決于在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202上提供的存儲(chǔ)器211e，211f，212e，212f的數(shù)量和每個(gè)存儲(chǔ)器211e，211f，212e，212f的存儲(chǔ)容量。
在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202上提供的DRAM存儲(chǔ)器211e，211f，212e，212f可以例如都具有相同的存儲(chǔ)容量；可選擇的，不同存儲(chǔ)容量也是可以的。在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的前面布置的每個(gè)DRAM存儲(chǔ)器可以例如具有第一存儲(chǔ)容量，在第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的后面布置的每個(gè)DRAM存儲(chǔ)器211e，211f，212e，212f可以具有與其不同的第二存儲(chǔ)容量。
如果存儲(chǔ)器211e，211f，212e，212f的每一個(gè)都布置在外殼中，例如在BGA或者TSOP外殼中，該外殼通過表面安裝(SMD外殼)被安裝在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202上，則這是優(yōu)選的?？蛇x的，也可以使用通過插入式安裝(例如DLL外殼等)安裝在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202上面的存儲(chǔ)器外殼。
作為存儲(chǔ)器外殼，可以使用其中布置了單一一個(gè)存儲(chǔ)器的外殼，或者特別有優(yōu)勢(shì)的，其中兩個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器取代單一一個(gè)存儲(chǔ)器，所述兩個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器被布置在例如彼此的頂部上或者是以層疊的方式布置(在DRAM存儲(chǔ)器的情況中，優(yōu)選地使用所謂的“層疊DRAM”)。
擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的外部尺寸基本上對(duì)應(yīng)于常規(guī)DIMM或者SIMM存儲(chǔ)器插件的外部尺寸，或者對(duì)應(yīng)于在圖4中所示的存儲(chǔ)器模塊200。然而，高度(和可能的長(zhǎng)度)略微小于圖4所示的存儲(chǔ)器模塊200(高度可以例如是小于存儲(chǔ)器模塊200的高度約0.5cm-2cm，并且可以是例如在2cm和11cm之間，長(zhǎng)度是在例如4cm和18cm之間等)。
根據(jù)圖4，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202(而不是常規(guī)的DIMM或者SIMM存儲(chǔ)器插件和圖4所示的存儲(chǔ)器模塊200)沒有包括在下模塊邊緣處提供的任何印刷電路板邊緣連接器。
相反，在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的后面處，提供了多個(gè)特殊連接器203g，203h，203i，它們?nèi)〈顺Ｒ?guī)的DIMM或者SIMM存儲(chǔ)器插件的印刷電路板邊緣連接器的功能，這將在下面做更詳細(xì)的介紹。
在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的后面處提供的連接器203g，203h，203i的數(shù)量對(duì)應(yīng)于在存儲(chǔ)器模塊200的前面處提供的(附加的)連接器203a，203b，203c的數(shù)量(這里可選地，3個(gè)，或者例如僅1個(gè)或者2個(gè)，或者甚至多于3個(gè)連接器)。
擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的連接器203g，203h，203i的每一個(gè)都布置在存儲(chǔ)器213c的行和定位在底部(在安裝擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202之后)的模塊邊緣之間，即在水平行中逐個(gè)布置并且等距離地分開。
作為連接器203g，203h，203i，優(yōu)選使用SMT連接器，例如所謂的MEZZANINE連接器(將在下文中做更詳細(xì)介紹)通過表面安裝被安裝在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的上面。
根據(jù)圖4，SMT連接器203g，203h，203i的每一個(gè)都具有基本為矩形的拉長(zhǎng)形狀，并且每一個(gè)都在水平方向上連接擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202(使得SMT連接器203g，203h，203i的縱向與在安裝擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202之后被定位在底部的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的上述模塊邊緣平行延伸)。
在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的后面處的SMT連接器203g構(gòu)成了在存儲(chǔ)器模塊200的前面處的SMT連接器203a的配對(duì)物，在第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的后面處的SMT連接器203h構(gòu)成了在存儲(chǔ)器模塊200的前面處的SMT連接器203b的配對(duì)物，在第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的后面處的SMT連接器203i構(gòu)成了在存儲(chǔ)器模塊200的前面處的SMT連接器203c的配對(duì)物。
如果存儲(chǔ)器模塊200的存儲(chǔ)容量增加了(例如至8Gb等)，則如圖5所示的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202可以從擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的后面和存儲(chǔ)器模塊200的前面彼此直接平行面對(duì)的位置在水平方向上(箭頭C)朝向存儲(chǔ)器模塊200移動(dòng)，直到在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的后面處的SMT連接器203g結(jié)合在存儲(chǔ)器模塊200的前面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器203a，在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的后面處的SMT連接器203h結(jié)合在存儲(chǔ)器模塊200的前面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器203b，在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的后面處的SMT連接器203i結(jié)合在存儲(chǔ)器模塊200的前面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器203c。
SMT連接器203a，203b，203c和203g，203h，203i被設(shè)計(jì)成在使得SMT連接器203g，203h，203i結(jié)合SMT連接器203a，203b，203c之后，SMT連接器203g，203h，203i的觸點(diǎn)電連接SMT連接器203a，203b，203c的各個(gè)對(duì)應(yīng)的觸點(diǎn)，即擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202在沒有任何電纜的情況下電連接存儲(chǔ)器模塊200。
由此，存儲(chǔ)器模塊200的SMT連接器203a，203b，203c例如可以表示母部件，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的SMT連接器203g，203h，203i例如可以表示連接的公部件。
通過將SMT連接器203g，203h，203i結(jié)合SMT連接器203a，203b，203c，同時(shí)獲得擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202和存儲(chǔ)器模塊200被機(jī)械保護(hù)以避免彼此的相對(duì)移動(dòng)，即擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202在不需要例如適合的螺絲連接的其他連接的情況下機(jī)械連接存儲(chǔ)器模塊200。
根據(jù)圖5，在將擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202連接存儲(chǔ)器模塊200之后，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的上模塊邊緣基本上和存儲(chǔ)器模塊200的上模塊邊緣在同一水平線，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的下模塊邊緣略微高于存儲(chǔ)器模塊200的下模塊邊緣；擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202和存儲(chǔ)器模塊200平行。
通過上述擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202和存儲(chǔ)器模塊200的電連接，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的總線系統(tǒng)的一個(gè)或者多個(gè)(其連接擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的DRAM存儲(chǔ)器211e，211f，212e，212f至SMT連接器203g，203h，203i)連接在存儲(chǔ)器模塊200上提供的總線系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)(其例如連接SMT連接器203a，203b，203c至插入式觸點(diǎn)210或者印刷電路板邊緣連接器210(和可能附加的存儲(chǔ)器模塊200的DRAM存儲(chǔ)器211a，211b和插入式觸點(diǎn)210或者印刷電路板邊緣連接器210))。
因此，通過CPU2，數(shù)據(jù)能夠保存到在存儲(chǔ)器模塊200或擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202上提供的DRAM存儲(chǔ)器211a，211b，212a，212b，211e，211f，212e，212f的任一一個(gè)中并且在后面被讀出。
如果存儲(chǔ)器模塊200的存儲(chǔ)容量又被減小，則可以用適當(dāng)?shù)母呃υ谂c箭頭C相對(duì)的水平方向上壓緊擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202，使得在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202的后面處的SMT連接器203g，203h，203i從在存儲(chǔ)器模塊200的前面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器203a，203b，203c中取出。
然后分離在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202和存儲(chǔ)器模塊200之間的電連接和機(jī)械連接。
圖6和7(和圖8和9，以及圖10和11，和圖12和13)的每一個(gè)都示出了本發(fā)明的其他可替換的實(shí)施例。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的第三可選實(shí)施例的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302的后面和存儲(chǔ)器模塊300的前面。存儲(chǔ)器模塊300用于在從頂部的垂直方向插入到圖1所示的母板1的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3中。
擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302和存儲(chǔ)器模塊300具有與圖4和5所示的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202類似的結(jié)構(gòu)，除了在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302和存儲(chǔ)器模塊300的前面和后面處布置的存儲(chǔ)器311a，311b，311e，311f沒有在多個(gè)水平行213a，213b，213c，213d上逐個(gè)地在每一個(gè)模塊側(cè)面上定位在彼此的頂部上(該多個(gè)水平行定位在彼此的頂部上)，而是在每一個(gè)模塊側(cè)面上以單一一個(gè)水平行313a，313c逐個(gè)地定位在彼此的頂部上。
而且，四個(gè)SMT連接器303a，303b，303c，303d或者303g，303h，303i，303k的每一個(gè)分別設(shè)置在存儲(chǔ)器模塊300的前面處和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302的后面處(分別取代僅3個(gè)SMT連接器203a，203b，203c或203g，203h，203i，正如圖4和5所示的存儲(chǔ)器模塊200，202那樣)，和SMT連接器303a，303b，303c，303d或者303g，303h，303i，303k分別布置成與圖4和5中所示的實(shí)施例不同。
根據(jù)圖6，存儲(chǔ)器模塊300的SMT連接器303a，303b，或者擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302的SMT連接器303g，303h的每一個(gè)分別都定位在相應(yīng)行的存儲(chǔ)器313a或313c和定位在底部(在安裝存儲(chǔ)器模塊300或者擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302之后)的模塊邊緣之間。
與此相對(duì)，存儲(chǔ)器模塊300的SMT連接器303c，303d，或者擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302的SMT連接器303i，303k的每一個(gè)都定位在存儲(chǔ)器313a，313c的相應(yīng)行的兩個(gè)對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器之間。
根據(jù)圖6，SMT連接器303a，303b，303c，303d，303g，303h，303i，303k的每一個(gè)都具有基本矩形的拉長(zhǎng)形狀。
存儲(chǔ)器模塊300的SMT連接器303a，303b和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302的SMT連接器303g，303h的每一個(gè)都在水平方向上連接相應(yīng)的存儲(chǔ)器模塊300或302(使得SMT連接器303a，303b或303g，303h的縱向與在安裝存儲(chǔ)器模塊300，302之后被定位在底部的上述模塊邊緣平行延伸)。
與此相對(duì)，存儲(chǔ)器模塊300的SMT連接器303c，303d和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302的SMT連接器303i，303k的每一個(gè)都在垂直方向上連接相應(yīng)的存儲(chǔ)器模塊300或302(使得SMT連接器303c，303d或303i，303k的縱向與在安裝存儲(chǔ)器模塊300，302之后被定位在底部的上述模塊邊緣垂直延伸)。
如果存儲(chǔ)器模塊300的存儲(chǔ)容量增加了，則如圖7所示的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302可以從擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302的后面和存儲(chǔ)器模塊300的前面彼此直接平行面對(duì)的位置在水平方向上(箭頭D)朝向存儲(chǔ)器模塊300移動(dòng)，直到在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302的后面處的SMT連接器303g，303h，303i，303k結(jié)合在存儲(chǔ)器模塊300的前面處的對(duì)應(yīng)SMT連接器303a，303b，303c，303d。擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊302然后電連接和機(jī)械連接存儲(chǔ)器模塊300。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的第四可選實(shí)施例的第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊401的前面，第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊402的后面和存儲(chǔ)器模塊400的前面。存儲(chǔ)器模塊400可以在從頂部的垂直方向插入到圖1所示的母板1的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3中。
擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊401，402和存儲(chǔ)器模塊400具有與圖2和3所示的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102類似的結(jié)構(gòu)，或者與圖2和3所示的存儲(chǔ)器模塊100類似的結(jié)構(gòu)，除了在存儲(chǔ)器模塊400和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊401，402的前面和后面處布置的存儲(chǔ)器411a，411b，412a，412b，411c，411d，412c，412c，412d，411e，411f，412e，412f沒有在單一一個(gè)水平行上逐個(gè)地定位在每一個(gè)模塊側(cè)面上，而是在以多個(gè)水平行413a，413b，413c，413d，413e，413f逐個(gè)地定位在彼此的頂部上，該多個(gè)水平行定位在彼此的頂部上。
如果存儲(chǔ)器模塊400的存儲(chǔ)容量增加了，則如圖9所示的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊401，402可以從擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊402的后面和存儲(chǔ)器模塊400的前面，或者擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊401的前面和存儲(chǔ)器模塊400的后面彼此直接平行面對(duì)的位置在水平方向上(箭頭E或者箭頭F)朝向存儲(chǔ)器模塊400移動(dòng)，直到在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊402的后面處提供的SMT連接器403g，403h，403i結(jié)合在存儲(chǔ)器模塊400的前面處提供的對(duì)應(yīng)SMT連接器303a，303b，303c，和在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊401的前面處提供的SMT連接器403d，403e，403f結(jié)合在存儲(chǔ)器模塊400的后面處提供的對(duì)應(yīng)SMT連接器。擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊401，402然后電連接和機(jī)械連接存儲(chǔ)器模塊400。
圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的第五可選實(shí)施例的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的后面和存儲(chǔ)器模塊500的前面。存儲(chǔ)器模塊500可以在從頂部的垂直方向插入到圖1所示的母板1的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3中。
擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502和存儲(chǔ)器模塊500具有與圖4和5所示的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊202類似的結(jié)構(gòu)，或者與圖4和5所示的存儲(chǔ)器模塊200類似的結(jié)構(gòu)，除了在存儲(chǔ)器模塊500的前面和后面處布置的存儲(chǔ)器511a，511b，511e，511f，512a，512e沒有在多個(gè)水平行213a，213b，213c，213d上逐個(gè)地在每一個(gè)模塊側(cè)面上定位在彼此的頂部上，該多個(gè)水平行定位在彼此的頂部上，而是在每一個(gè)模塊側(cè)面上以單一一個(gè)水平行513a，513c逐個(gè)地定位在彼此的頂部上。
而且，與圖4和5所示的實(shí)施例不同，在存儲(chǔ)器模塊500和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的前面和后面處提供的存儲(chǔ)器511a，511b，511e，511f，512a，512e不是都具有相同的大存儲(chǔ)容量，也不是都具有相同的大外殼。
相反，如圖11一樣，和在存儲(chǔ)器模塊500的后面和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的前面處提供的存儲(chǔ)器512a，512e相比，在存儲(chǔ)器模塊500的前面和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的后面處提供的存儲(chǔ)器511a，511b，511e，511f具有小的存儲(chǔ)容量并且布置在小的外殼中。在存儲(chǔ)器模塊500的后面和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的前面處提供的存儲(chǔ)器512a，512e可以具有例如分別相同的存儲(chǔ)容量，例如1GB，在存儲(chǔ)器模塊500的前面和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的后面處提供的存儲(chǔ)器511a，511b，511e，511f可以具有例如分別相同的存儲(chǔ)容量，例如512Mb。
如果存儲(chǔ)器模塊500的存儲(chǔ)容量增加了，則如圖11所示的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502可以從擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的后面和存儲(chǔ)器模塊500的前面彼此直接平行面對(duì)的位置在水平方向上(箭頭G)朝向存儲(chǔ)器模塊500移動(dòng)，直到在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的后面處提供的SMT連接器503g，503h，503i結(jié)合在存儲(chǔ)器模塊500的前面處提供的對(duì)應(yīng)SMT連接器503a，503b，503c。擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502然后電連接和機(jī)械連接存儲(chǔ)器模塊500。
根據(jù)圖11，在將擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502連接存儲(chǔ)器模塊500之后，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的上模塊邊緣基本上和存儲(chǔ)器模塊500的上模塊邊緣在同一水平線，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的下模塊邊緣略微高于存儲(chǔ)器模塊500的下模塊邊緣。
而且，連接存儲(chǔ)器模塊500的前面的SMT連接器503a，503b，503c和連接擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的后面的SMT連接器503g，503h，503i的各個(gè)下邊緣基本上與連接存儲(chǔ)器模塊500的后面的存儲(chǔ)器512a和連接擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊502的前面的存儲(chǔ)器512e的各個(gè)下邊緣在同一水平線。
圖12示出了根據(jù)本發(fā)明的第六可選實(shí)施例的第一擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601的前面，第二擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊602的后面和存儲(chǔ)器模塊600的前面。存儲(chǔ)器模塊600可以在從頂部的垂直方向插入到圖1所示的母板1的存儲(chǔ)器模塊插入式觸點(diǎn)3中。
擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601，602和存儲(chǔ)器模塊600具有與圖2和3所示的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102類似的結(jié)構(gòu)，或者與圖2和3所示的存儲(chǔ)器模塊100類似的結(jié)構(gòu)，然而，與圖2和3所示的實(shí)施例不同的是，在存儲(chǔ)器模塊600和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601，602的前面和后面處提供的存儲(chǔ)器611a，611b，611c，611d，611e，611f，612a，612e不是都具有相同的大存儲(chǔ)容量，也不是都具有相同的大外殼。
相反，如圖13一樣，和在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601的后面處和在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊602的前面處提供的存儲(chǔ)器612a，612e相比，在存儲(chǔ)器模塊600的前面和后面以及在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊602的后面和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601的前面處提供的存儲(chǔ)器611a，611b，611c，611d，611e，611f具有小的存儲(chǔ)容量并且布置在小的外殼中。在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601的后面和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊602的前面處提供的存儲(chǔ)器612a，612e可以具有例如分別相同的存儲(chǔ)容量，例如1GB，在存儲(chǔ)器模塊600的前面和后面以及在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊602的后面和擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601的前面處提供的存儲(chǔ)器611a，611b，611c，611d，611e，611f可以具有例如分別相同的存儲(chǔ)容量，例如512Mb。
如果存儲(chǔ)器模塊600的存儲(chǔ)容量增加了，則如圖13所示的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601，602可以從擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊602的后面和存儲(chǔ)器模塊600的前面，或者擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601的前面和存儲(chǔ)器模塊600的后面彼此直接平行面對(duì)的位置在水平方向上(箭頭H或者箭頭I)朝向存儲(chǔ)器模塊600移動(dòng)，直到在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊602的后面處提供的SMT連接器603g，603h，603i結(jié)合在存儲(chǔ)器模塊600的前面處提供的對(duì)應(yīng)SMT連接器603a，603b，603c，和在擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601的前面處提供的SMT連接器603d，603e，603f結(jié)合在存儲(chǔ)器模塊600的后面處提供的對(duì)應(yīng)SMT連接器。擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601，602然后電連接和機(jī)械連接存儲(chǔ)器模塊600。
根據(jù)圖13，在將擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601，602連接存儲(chǔ)器模塊600之后，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601，602的各自上模塊邊緣基本上和存儲(chǔ)器模塊600的上模塊邊緣在同一水平線，擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601，602的對(duì)應(yīng)下模塊邊緣略微高于存儲(chǔ)器模塊600的下模塊邊緣。
而且，連接存儲(chǔ)器模塊600的前面和后面的SMT連接器603a，603b，603c和連接擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊602的后面的SMT連接器603g，603h，603i以及連接擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601的前面的SMT連接器603d，603e，603f的各個(gè)下邊緣，基本上和連接擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊601的后面的存儲(chǔ)器612a和連接擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊602的前面的存儲(chǔ)器612e的各個(gè)下邊緣在同一水平線。
關(guān)于上述的存儲(chǔ)器模塊100，200，300，400，500，600(或者可選擇的關(guān)于上述的存儲(chǔ)器模塊100，200，300，400，500，600和上述的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102，202，302，401，402，502，601，602)，除了上述的DRAM存儲(chǔ)器之外，也可以提供一個(gè)EPROM器件(EPROM＝可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)。
數(shù)據(jù)保存在EPROM器件上，在計(jì)算機(jī)的引導(dǎo)裝入期間，通過在母板1上提供的CPU2讀出該數(shù)據(jù)，或者通過存儲(chǔ)控制器對(duì)該數(shù)據(jù)分配，該數(shù)據(jù)給CPU2發(fā)信號(hào)通知在系統(tǒng)中哪些DRAM存儲(chǔ)器是可用的并且它們是如何被尋址的。
因此，通過CPU2，數(shù)據(jù)可以保存到在存儲(chǔ)器模塊100，200，300，400，500，600或擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102，202，302，401，402，502，601，602上提供的任何一個(gè)DRAM存儲(chǔ)器上，并且在后面被讀取。
取代PC(個(gè)人計(jì)算機(jī))，如這里通過例子解釋的那樣，上述或者相應(yīng)類似結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器模塊100，200，300，400，500，600和有關(guān)的擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102，202，302，401，402，502，601，602可以例如用于膝上型電腦，筆記本，工作站計(jì)算機(jī)，服務(wù)器計(jì)算機(jī)，或者任何其他類型的電氣或者電子設(shè)備。
圖14舉例示出了描述方法步驟的流程圖，其中該方法步驟是在制造在圖2-14中所示的存儲(chǔ)器模塊100，200，300，400，500，600或擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊101，102，202，302，401，402，502，601，602期間執(zhí)行的步驟(這里通過在圖2和3中所示的存儲(chǔ)器模塊100的例子)。
在第一步驟I，連接存儲(chǔ)器模塊100的前面的SMT連接器103a，103b，103c和DRAM存儲(chǔ)器111a，111b被放置在存儲(chǔ)器模塊100的前面的表面上，使得在SMT連接器103a，103b，103c和DRAM存儲(chǔ)器111a，111b處提供的觸點(diǎn)接觸在存儲(chǔ)器模塊100的前面的表面上提供的對(duì)應(yīng)觸點(diǎn)，或者更詳細(xì)的是這里提供的焊膏。
接著，存儲(chǔ)器模塊100被翻轉(zhuǎn)。然后，連接存儲(chǔ)器模塊100的后面的SMT連接器和DRAM存儲(chǔ)器被放置在存儲(chǔ)器模塊100的后面的表面上(使得在對(duì)應(yīng)SMT連接器和DRAM存儲(chǔ)器處提供的觸點(diǎn)接觸在存儲(chǔ)器模塊100的后面的表面上提供的對(duì)應(yīng)觸點(diǎn)，或者更詳細(xì)的是這里提供的焊膏)。
在下一步驟II，在烘箱中加熱存儲(chǔ)器模塊100。這樣，上述的SMT連接器103a，103b，103c的觸點(diǎn)和上述的DRAM存儲(chǔ)器111a，111b的觸點(diǎn)與在存儲(chǔ)器模塊100的前面和后面的表面上提供的各對(duì)應(yīng)的觸點(diǎn)焊接在一起。
換句話說，在單一連接表面安裝步驟中，SMT連接器103a，103b，103c和DRAM存儲(chǔ)器111a，111b電連接和機(jī)械連接存儲(chǔ)器模塊100的前面和后面。
因此，整個(gè)產(chǎn)品成本可以保持很低。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)，其中所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)還包括表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)，用于連接存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)至所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，所述存儲(chǔ)器模塊(100)還包括另一個(gè)表面安裝連接器裝置，用于連接另一個(gè)存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(101)至所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)的前面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述另一個(gè)表面安裝連接器裝置連接所述存儲(chǔ)器模塊(100)的后面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述表面安裝連接器裝置連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)的后面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述另一個(gè)表面安裝連接器裝置連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)的前面。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)還包括連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)的前面的多個(gè)表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)包括連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)的后面的多個(gè)表面安裝連接器裝置。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)是MEZZANLINE連接器。
10.根據(jù)權(quán)利要求2-9的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述另一個(gè)表面安裝連接器裝置是MEZZANLINE連接器。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)還包括連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)至計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(1)的連接器裝置(110，210)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中用于連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)至計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(1)的連接器裝置(110，210)是邊緣連接器(110)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述邊緣連接器(110)是DIMM存儲(chǔ)器插件邊緣連接器。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述邊緣連接器(110)是SIMM存儲(chǔ)器插件邊緣連接器。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)包括以至少一行被逐個(gè)定位的多個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)被布置在所述至少一行存儲(chǔ)器和用于連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)至所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(1)的所述連接器裝置(110，210)之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述表面安裝連接器裝置被布置在所述至少一行存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求12-17的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)具有拉長(zhǎng)形狀，其中所述連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)的縱向與提供所述邊緣連接器(110)的模塊邊緣平行延伸。
19.根據(jù)權(quán)利要求12-17的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)具有拉長(zhǎng)形狀，其中所述連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)的縱向與提供所述邊緣連接器(110)的模塊邊緣垂直延伸。
20.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)是DRAM存儲(chǔ)器。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)是層疊DRAM。
22.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)被布置在表面安裝的外殼中。
23.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)包括布置在所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)的前面和后面處的多個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中布置在所述存儲(chǔ)器模塊)的前面處的所述存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)和布置在所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)的后面處的存儲(chǔ)器一樣大。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中布置在所述存儲(chǔ)器模塊的前面處的所述存儲(chǔ)器和布置在所述存儲(chǔ)器模塊的后面處的存儲(chǔ)器有不同的尺寸。
26.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)還包括用于在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(1)中登記所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)的EPROM。
27.一種存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，其包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111e，111f，211e，211f)，其中所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)還包括表面安裝連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)，用于連接所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)至所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，所述表面安裝連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)連接所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)的后面。
29.根據(jù)權(quán)利要求27的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，所述表面安裝連接器裝置連接所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)的前面。
30.根據(jù)權(quán)利要求28的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)包括連接所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)的后面的多個(gè)表面安裝連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)。
31.根據(jù)權(quán)利要求29的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)包括連接所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)的前面的多個(gè)表面安裝連接器裝置。
32.根據(jù)權(quán)利要求27-31的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，其中所述表面安裝連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)是MEZZANLINE連接器。
33.根據(jù)權(quán)利要求27-32的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)包括以至少一行逐個(gè)布置的多個(gè)存儲(chǔ)器(111e，111f，211e，211f)。
34.根據(jù)權(quán)利要求33的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，其中所述表面安裝連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)被定位在所述至少一行存儲(chǔ)器和模塊邊緣之間。
35.根據(jù)權(quán)利要求33的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，其中所述表面安裝連接器裝置被定位在所述至少一行存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器之間。
36.根據(jù)權(quán)利要求27-35的任一項(xiàng)的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)包括布置在所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的前面和后面處的多個(gè)存儲(chǔ)器(111e，111f，211e，211f)。
37.根據(jù)權(quán)利要求36的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，其中布置在所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)的后面處的所述存儲(chǔ)器(111e，111f，211e，211f)和布置在所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)的前面處的存儲(chǔ)器一樣大。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，其中布置在所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的后面處的存儲(chǔ)器和布置在所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊的前面處的存儲(chǔ)器有不同的尺寸。
39.一種存儲(chǔ)器模塊系統(tǒng)，其包括根據(jù)權(quán)利要求1-26的任一項(xiàng)的至少一個(gè)存儲(chǔ)器模塊(100，200)，和根據(jù)根據(jù)權(quán)利要求27-38的任一項(xiàng)的至少一個(gè)存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，其中所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)和所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)都包括至少一個(gè)表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c，103g，103h，103i，203g，203h，203i)，和其中所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，2 02)通過所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)的所述至少一個(gè)表面安裝連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)和所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)的所述至少一個(gè)表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)。
40.根據(jù)權(quán)利要求39的存儲(chǔ)器模塊系統(tǒng)，其中所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)通過所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)和所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)的所述至少一個(gè)表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c，103g，103h，103i，203g，203h，203i)在沒有用任何電纜的情況下直接連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)。
41.一種制造存儲(chǔ)器模塊(100)的方法，該存儲(chǔ)器模塊包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b)和用于連接存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102)至所述存儲(chǔ)器模塊(100)的至少一個(gè)連接器裝置(103a，103b，103c)，其中所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b)和所述至少一個(gè)連接器裝置(103a，103b，103c)在單一一個(gè)制造步驟中連接所述存儲(chǔ)器模塊(100)。
42.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，所述方法還包括步驟將在所述存儲(chǔ)器(111a，111b，111c，111d)和所述連接器裝置(103a，103b，103c，103d，103e，103f)處提供的觸點(diǎn)放置到在所述存儲(chǔ)器模塊(100，101)的表面上提供的對(duì)應(yīng)觸點(diǎn)上。
43.根據(jù)權(quán)利要求42的方法，其中在所述單一一個(gè)制造步驟，在所述存儲(chǔ)器(111a，111b)和所述連接器裝置(103a，103b，103c)處提供的觸點(diǎn)和在所述存儲(chǔ)器模塊(100)的表面上提供的對(duì)應(yīng)觸點(diǎn)焊接在一起。
44.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，其中在所述單一一個(gè)制造步驟，所述存儲(chǔ)器模塊(100)在烘箱中被加熱。
45.一種制造存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)的方法，該存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111e，111f，211e，211f)和用于連接存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)至存儲(chǔ)器模塊(100，200)的至少一個(gè)連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)，其中所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111e，111f，211e，211f)和所述至少一個(gè)連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)在單一一個(gè)制造步驟中連接所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)。
46.一種存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)和用于連接存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)至所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)的至少一個(gè)連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)，其中所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)和所述至少一個(gè)連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)在單一一個(gè)制造步驟中連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，101)。
47.根據(jù)權(quán)利要求46的存儲(chǔ)器模塊(100，200)，其中所述至少一個(gè)連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)是表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)，和所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)是表面安裝存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)。
48.一種存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111e，111f，212e，212f)和用于連接所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)至存儲(chǔ)器模塊(100，200)的至少一個(gè)連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)，其中所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111e，111f，211e，211f)和所述至少一個(gè)連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)在單一一個(gè)制造步驟中連接所述存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)。
49.根據(jù)權(quán)利要求48的存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)，其中所述至少一個(gè)連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)是表面安裝連接器裝置(103g，103h，103i，203g，203h，203i)，和所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111e，111f，211e，211f)是表面安裝存儲(chǔ)器(111e，111f，211e，211f)。
全文摘要
本發(fā)明涉及了存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊，存儲(chǔ)器模塊系統(tǒng)和存儲(chǔ)器模塊，包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)和用于連接該存儲(chǔ)器模塊(100，200)至計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(1)的一個(gè)連接器裝置(110，210)，其中所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)還包括表面安裝連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)，用于連接存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)至所述存儲(chǔ)器模塊(100，200)。而且，本發(fā)明還涉及制造存儲(chǔ)器模塊(100，101)的方法，該存儲(chǔ)器模塊包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，111c，111d)和用于連接存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器模塊(102，202)至所述存儲(chǔ)器模塊(100，101)的至少一個(gè)連接器裝置(103a，103b，103c，103d，103e，103f)，其中所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器(111a，111b，212a，212b)和所述至少一個(gè)連接器裝置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)在單一一個(gè)制造步驟中連接所述存儲(chǔ)器模塊(100，101)。
文檔編號(hào)G11C5/06GK1909107SQ20061009385
公開日2007年2月7日 申請(qǐng)日期2006年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月8日
發(fā)明者S·穆夫, S·拉格胡拉姆 申請(qǐng)人:秦蒙達(dá)股份公司