專利名稱：：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種具有多層記錄層的光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：作為信息記錄介質(zhì)，CD(CompactDisc)，DVD(DigitalVersatileDisc)等光記錄介質(zhì)被廣泛利用。而且，近年來受人注目的是，通過采用藍色或藍紫色激光作為照射光，能夠記錄比以往更大容量的信息的光記錄介質(zhì)。另外，光記錄介質(zhì)大致分為不可追加數(shù)據(jù)或擦寫數(shù)據(jù)的ROM(ReadOnlyMemory)型、可擦寫數(shù)據(jù)的RW(Rewritable)型、只能追加一次數(shù)據(jù)的R(Recordable)型。R型光記錄介質(zhì)通過激光照射記錄層而形成反射率低于周圍的空間部的記錄標記來記錄數(shù)據(jù)。并且，記錄用的激光也照射到記錄標記周圍的空間部，但由于照射到空間部的記錄用的激光的光量較少，所以空間部的反射率和激光照射之前的記錄層的反射率相等。另外，R型的光記錄介質(zhì)利用光電檢測器來檢測出的由激光照射記錄層所構(gòu)成的記錄標記的反射率和空間部的反射率的差來再生數(shù)據(jù)。這種光記錄介質(zhì)由于具有多層記錄層，所以能夠提高相應(yīng)的記錄容量。在具有多層記錄層的R型光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)時，通過調(diào)整記錄用的激光的焦點使其與記錄對象的記錄層相吻合，能夠選擇性地將數(shù)據(jù)記錄到記錄對象的記錄層。另外，通過調(diào)整再生用的激光的焦點使其與再生對象的記錄層相吻合，能夠選擇性地從再生對象的記錄層再生數(shù)據(jù)。這種具有多層記錄層的R型的光記錄介質(zhì)利用對各記錄層照射同等輸出的再生用的激光，可以用光電檢測器能夠檢測出各記錄層的反射光的強度的近似值。具體地說，可以用光電檢測器檢測出的相鄰的兩層記錄層的反射光的反射率為未滿二倍的范圍內(nèi)的近似值。但是，激光通過上側(cè)記錄層照射到配置在與激光的入射面相對離開的位置的下側(cè)記錄層，由于該激光的一部分被上側(cè)記錄層所吸收，所以到達下側(cè)記錄層的激光的光量相應(yīng)地減少。因此，在對下側(cè)記錄層進行照射的再生用的激光的輸出和對上側(cè)記錄層的照射的再生用的激光的輸出相等時，到達下側(cè)記錄層的激光的光量比到達上側(cè)記錄層的激光的光量小。進而，由于對下側(cè)記錄層照射的激光的反射光通過上側(cè)記錄層而到達光電檢測器，所以反射光也被上側(cè)記錄層吸收一部分。因此，對下側(cè)記錄層照射的再生用的激光的輸出和對上側(cè)記錄層照射的再生用的激光的輸出相等，并且，在下側(cè)記錄層的反射率和上側(cè)記錄層的反射率相等時，光電檢測器檢測出的下側(cè)記錄層的反射率的值比上側(cè)記錄層的反射率的值低。對此，公知的是將上側(cè)記錄層做成比下側(cè)記錄層薄的R型的光記錄介質(zhì)(參照例如，JP特開2003-266936號公告)。簡單地說明其作用。圖6是表示單層記錄層的厚度和反射率的關(guān)系的圖。另外，在圖6中，帶有符號S的曲線是記錄層的空間部的反射率，帶有符號M的曲線是記錄標記的反射率。如符號S曲線所示，記錄層在規(guī)定的厚度時空間部的反射率最大，比規(guī)定的厚度薄或厚時，其反射率都有下降的傾向。另外，如符號M曲線所示，對于記錄標記也是一樣，在大致相同的厚度時反射率最大，比規(guī)定的厚度薄或厚時，反射率都有下降的傾向。另外，記錄標記的反射率和空間部的反射率的差也是在這些反射率成為最大時的厚度附近為最大，比上述厚度薄或厚時，反射率的差都減少，當記錄層過于厚或過于薄時，反射率的差都過于小而不能讀取記錄標記。因此，例如，以反射率最大時的厚度而形成下側(cè)記錄層，由于上側(cè)記錄層比該厚度薄，能夠使下側(cè)記錄層的反射率比上側(cè)記錄層的反射率高。通過這樣的結(jié)構(gòu)，對下側(cè)記錄層照射的激光的輸出和對上側(cè)記錄層照射的激光的輸出相等，由此，即使到達下側(cè)記錄層的激光的光量比到達上側(cè)記錄層的激光的光量小，進而照射下側(cè)記錄層的激光的反射光的一部分被上側(cè)記錄層所吸收，然后到達光電檢測器，這時光電檢測器也能夠檢測出來自雙方記錄層的反射光的反射率的近似值。另外，在比反射率最大時的厚度更厚的區(qū)域，能夠得到記錄標記的反射率和空間部的反射率的足夠的差的范圍窄，而且在此范圍內(nèi)，由于不能相對于接近最大值的下側(cè)記錄層的反射率而充分地減少上側(cè)記錄層的反射率，所以在該點上也可以選擇將上側(cè)記錄層做成比下側(cè)記錄層薄的結(jié)構(gòu)。進一步，由于上側(cè)記錄層比下側(cè)記錄層薄，可以減少上側(cè)記錄層的激光吸收量，并增加到達下側(cè)記錄層的激光的光量，所以在該點上也可以選擇將上側(cè)記錄層做成比下側(cè)記錄層薄的結(jié)構(gòu)。但是，由于上側(cè)記錄層比下側(cè)記錄層薄，有時不能在上側(cè)記錄層形成期望的特性良好的記錄標記。具體地說，如上所述，由于上側(cè)記錄層變薄，上側(cè)記錄層的記錄標記的反射率以及其周圍的空間部的反射率降低，同時它們的反射率的差也縮小，所以當使上側(cè)記錄層薄到能夠使到達下側(cè)記錄層的激光的光量充分地增加的程度時，有可能在上側(cè)記錄層相對空間部不能夠形成反射率足夠低的記錄標記。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于這種問題而研制的，其目的在于，提供一種光記錄介質(zhì)，其具有多層記錄層，在任意一層記錄層都能夠形成良好的記錄標記。本發(fā)明通過一種光記錄介質(zhì)來實現(xiàn)上述目，該光記錄介質(zhì)包含多層記錄層，在這些記錄層中，使配置在相對激光的入射面近側(cè)的記錄層厚于配置在比該記錄層遠離激光的入射面一側(cè)的記錄層。本發(fā)明人在研制本發(fā)明的過程中，嘗試使用各種材料來形成記錄層時，發(fā)現(xiàn)使用規(guī)定的材料形成的記錄層的消光系數(shù)顯著地低于以往的記錄層。另外，發(fā)現(xiàn)該記錄層通過激光的照射能夠形成與周圍的空間部相比厚度增加的記錄標記。這樣，通過使上側(cè)記錄層比下側(cè)記錄層厚，能夠在上側(cè)記錄層形成期望的特性良好的記錄標記。另外，通過將上側(cè)記錄層的消光系數(shù)至少抑制在例如0.35或其以下的低值，即使相對激光的入射面?zhèn)扰渲玫纳蟼?cè)記錄層形成得厚，由于上側(cè)記錄層很難吸收對配置在比其遠離激光入射面一側(cè)的下側(cè)記錄層進行照射的激光，因此，能夠提高用光電檢測器檢測出的下側(cè)記錄層的反射率，同時也能夠在下側(cè)記錄層形成良好的記錄標記。另外，形成與周圍的空間部相比厚度增加的記錄標記時，該記錄標記的反射率相對于上述圖6中表示的帶有M符號的曲線所示記錄標記的反射率，與只增加厚度的厚的記錄層的記錄標記的反射率相等。換而言之，記錄層的厚度和記錄標記的反射率的關(guān)系如圖1所示那樣，與圖6相對，帶有符號M的只增加厚度的厚的曲線向厚度薄的方向平行移動。由此，趨近于空間部的反射率最大時的厚度以及更厚的區(qū)域的空間部的反射率和記錄標記的反射率的差變大。特別是，在比空間部的反射率最大時的厚度更厚的區(qū)域，空間部的反射率和記錄標記的反射率的差大的范圍被擴大。換而言之，在比空間部的反射率最大時的厚度更厚的區(qū)域，能夠?qū)τ涗泴拥暮穸冗M行設(shè)定的范圍被擴大。因此，例如，將下側(cè)記錄層的厚度設(shè)定為趨近于空間部的反射率最大時的厚度，由于使下側(cè)記錄層的反射率高于上側(cè)記錄層的反射率，所以即使上側(cè)記錄層比下側(cè)記錄層厚，也可以得到足夠大的上側(cè)記錄層的記錄標記的反射率和空間部的反射率的差，并且，通過這樣增加上側(cè)的記錄層的厚度，能夠如上所述在上側(cè)的記錄層形成期望的特性良好的記錄標記。這樣，本發(fā)明實現(xiàn)這樣的光記錄介質(zhì)，其通過將配置在相對激光的入射面?zhèn)鹊纳蟼?cè)記錄層，形成得比遠離入射面一側(cè)的下層記錄層更厚，從而任意一層記錄層都能得到良好的記錄特性以及再生特性，與使上側(cè)記錄層的厚度和下層記錄層的厚度相同或是比下側(cè)記錄層薄的常識即以往的技術(shù)相對，本發(fā)明是基于完全不同的概念而研制的。即，通過如下所述的發(fā)明可以實現(xiàn)上述目的。(1)一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，包含多層記錄層，在這些記錄層中，配置在相對接近上述激光的入射面?zhèn)鹊挠涗泴颖扰渲迷谙啾扔谠撚涗泴舆h離上述激光的入射面?zhèn)鹊挠涗泴雍瘛?2)如(1)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述記錄層中，至少與在配置在離上述激光的入射面最遠的位置上的記錄層相比，配置在上述入射面?zhèn)鹊挠涗泴油ㄟ^激光照射而形成與周圍的空間部相比厚度增加的記錄標記。(3)如(1)或是(2)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述記錄層中，至少與在配置在離上述激光的入射面最遠的位置上的記錄層相比，配置在上述入射面?zhèn)鹊挠涗泴拥南庀禂?shù)為0.35或其以下。(4)如(3)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層的材料具有在規(guī)定的厚度時上述空間部的反射率最大的特性，在上述記錄層中，與在配置在離上述激光的入射面最遠的位置上的記錄層相比，配置在上述入射面?zhèn)鹊闹辽僖粚佑涗泴有纬傻帽壬鲜隹臻g部的反射率最大時的厚度更厚。(5)如(1)至(4)中任意一項所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，至少與在配置在離上述激光的入射面最遠的位置上的記錄層相比，配置在上述入射面?zhèn)鹊挠涗泴訉嵸|(zhì)上由Bi及O構(gòu)成，該記錄層中的O原子數(shù)的比率為62％或其以上。(6)如(5)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述記錄層中，與在配置在離上述激光的入射面最遠的位置的記錄層相比，配置在上述入射面?zhèn)鹊闹辽僖粚佑涗泴訉嵸|(zhì)上由Bi、O以及X(X為從Mg、Al、Si、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、V、Dy、Ti中選擇的至少一種元素)構(gòu)成。(7)如(5)或是(6)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述記錄層中，與在配置在離入射面最近的位置的記錄層相比，配置在離開上述入射面?zhèn)鹊闹辽僖粚佑涗泴訉嵸|(zhì)上由Bi、O以及Z(Z為從Fe、Cu、Mo、Ag、W、Ir、Pt、Au中選擇的至少一種元素)構(gòu)成。另外，在本申請中所謂“記錄層實質(zhì)上由Bi、O構(gòu)成”的意思是記錄層中的Bi、O的原子數(shù)的合計值相對于構(gòu)成記錄層的總的原子數(shù)的比率為80％或其以上。記錄層實質(zhì)上由Bi、O構(gòu)成時，更優(yōu)選記錄層中的Bi、O的原子數(shù)的合計值相對于構(gòu)成記錄層的總的原子數(shù)的比率為90％或其以上。記錄層實質(zhì)上由Bi、O構(gòu)成，記錄層中的Bi、O的原子數(shù)的合計值相對于構(gòu)成記錄層的總的原子數(shù)的比率為80％或其以上時，記錄層也可以包含Bi、O以外的其他的添加元素?？梢蕴砑右环N元素，也可以添加2種元素，但優(yōu)選至少一種添加元素為X或是Z所包含的元素。另外，所謂“記錄層實質(zhì)上是由Bi、O以及X構(gòu)成”的意思是記錄層中的Bi、O以及X的原子數(shù)的合計值為80％或其以上。記錄層實質(zhì)上由Bi、O以及X構(gòu)成時，更優(yōu)選記錄層中的Bi、O的原子數(shù)的合計值相對于構(gòu)成記錄層的總的原子數(shù)的比率為90％或其以上。所謂“記錄層實質(zhì)上由Bi、O以及Z構(gòu)成”也同樣如此。根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)具有多層記錄層、在任意一層記錄層都可以形成良好的記錄標記的光記錄介質(zhì)。圖1是表示本發(fā)明第一實施方式涉及的光記錄介質(zhì)的記錄層的厚度和反射率的關(guān)系的圖。圖2是模式的表示同一光記錄介質(zhì)的記錄層周邊的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。圖3是模式的表示同一光記錄介質(zhì)的整體結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。圖4是模式的表示本發(fā)明的第二實施方式涉及的光記錄介質(zhì)的整體結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。圖5是模式的表示本發(fā)明的第三實施方式涉及的光記錄介質(zhì)的整體結(jié)構(gòu)的側(cè)面剖面圖。圖6是表示以往的光記錄介質(zhì)的記錄層的厚度和反射率的關(guān)系的圖具體實施方式以下，針對用于實施本發(fā)明的優(yōu)選方式，參照附圖詳細說明。本發(fā)明的第一實施方式涉及的光記錄介質(zhì)10是外徑約為120mm，厚度約為1.2mm的圓盤形狀，如圖2以及圖3所示，其特征在于，包含第一記錄層14和第二記錄層16，配置在相對于激光的入射面18的近側(cè)的第二記錄層16厚于配置在比該第二記錄層16遠離激光入射面18的側(cè)的第一記錄層14。有關(guān)的其他的結(jié)構(gòu)和以往的光記錄介質(zhì)相同，或是類似于以往的光記錄介質(zhì)，由于對于理解本發(fā)明并不特別重要，所以適當?shù)厥÷哉f明。第一記錄層14和第二記錄層16的消光系數(shù)為0.35或其以下。另外，如圖2所示，第一記錄層14和第二記錄層16是以這種方式構(gòu)成，即通過照射激光，形成與周圍的空間部11相比厚度增加了的記錄標記12。第一記錄層14和第二記錄層16實質(zhì)上由Bi、O構(gòu)成，這些第一記錄層14和第二記錄層16中的這些O原子數(shù)的比率為62％或以上。另外，優(yōu)選第一記錄層14和第二記錄層16中的O原子數(shù)的比率為73％或其以下。該材料的記錄層的厚度和反射率的關(guān)系如圖1中的帶有符號S、M的曲線所示。在這里所示的反射率是記錄層自身的反射率，與通過光電檢測器20檢測出的第二記錄層16的反射率大致相等，但比通過光電檢測器20檢測出的第一記錄層14的反射率大。如圖1所示，這些第一記錄層14和第二記錄層16的材料具有在規(guī)定的厚度(本第一實施方式中約為40nm)下，空間部11的反射率最大的特性。以與空間部11的反射率最大時的厚度大致相等的約45nm的厚度來形成第一記錄層14。另一方面，以厚于空間部11的反射率成為最大時的厚度來形成比第一記錄層14更向入射面18側(cè)靠近的第二記錄層16。即，第一記錄層14的反射率比第二記錄層16的反射率高。另外，第一記錄層14的材料可以為包含從Fe、Cu、Mo、Ag、W、Ir、Pt、Au中選擇的至少一種元素的材料。通過添加這些的元素，能夠得到提高記錄感度的效果。另一方面，第二記錄層16的材料可以為包含從Mg、Al、Si、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、V、Dy、Ti中選擇的至少一種元素的材料。通過添加這些的元素，能夠取得使第二記錄層16的消光系數(shù)降低、使到達第一記錄層14的激光的光量增大的效果。這樣，通過添加Bi、O以外的元素，對第一記錄層14的記錄感度、第二記錄層16的消光系數(shù)進行調(diào)整，可以使比第二記錄層16更薄，通過第二記錄層16進行激光照射的第一記錄層14的記錄感度接近于第二記錄層16的記錄感度。另外，通過降低第二記錄層16的消光系數(shù)，可以使通過第二記錄層16進行激光照射的第一記錄層14的、用光電檢測器20檢測出的反射率和第二記錄層16的反射率相接近。第一記錄層14以及第二記錄層16形成在基板22上，在第二記錄層16的基板22的相反側(cè)形成保護層24。另外，在第一記錄層14和第二記錄層16之間形成間隔層26?；?2的厚度約為1.1mm，在保護層24側(cè)的表面上形成構(gòu)成溝槽的凹凸圖案。另外，所謂“溝槽”一般是指為了數(shù)據(jù)的記錄/再生而使用的凹部的意思，但是，在本申請中，為了方便，數(shù)據(jù)的記錄/再生所使用的部位是在保護層24上突出的凸部時，也使用“溝槽”這一用語。在本第一實施方式中，向保護層24一側(cè)突出的凸部是溝槽。另外，作為基板22的材料，可以使用聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟類樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等。保護層24的厚度為例如30～150μm。作為保護層24的材料，可以使用具有透光性的丙烯酸類紫外線固化性樹脂、環(huán)氧類紫外線固化性樹脂等的能量射線固化性樹脂。這里，所謂“能量射線”的意義，是對具有使流動狀態(tài)的特定的樹脂固化的特性的射線、例如紫外線、電子射線等的電磁波、粒子射線的總稱。另外，作為形成保護層24的方法，可以在基板上涂敷具有流動性的樹脂后，照射能量射線使其固化，也可以將預(yù)先制作的透光性的薄膜粘貼在基板上。間隔層26的厚度為例如9～50μm，其兩面為和基板22相同的溝槽的凹凸圖案。另外，作為間隔層26的材料，可以使用和保護層24相同的，具有透光性的丙烯酸類紫外線固化性樹脂、環(huán)氧類紫外線固化性樹脂等的能量射線固化性樹脂。仿照基板22的凹凸圖案，以凹凸圖案的方式形成第一記錄層14。另外，仿照間隔層26的凹凸圖案，以凹凸圖案的方式形成第二記錄層16。下面，對光記錄介質(zhì)10的作用進行說明。由于光記錄介質(zhì)10的第二記錄層16比第一記錄層14厚，所以，在第二記錄層16上形成期望的特性良好的記錄標記。另外，由于第二記錄層16的消光系數(shù)為0.35或其以下，因此即使較厚地形成第二記錄層，照射在配置于遠離激光入射面18側(cè)的第一記錄層14上的激光也很難被第二記錄層16吸收，由此，在第一記錄層14也可以形成良好的記錄標記，同時可以提高光用電檢測器20檢測出的第一記錄層14的反射率。另外，如圖1所示，通過激光的照射，在第一記錄層14以及第二記錄層16上，形成與周圍的空間部11相比厚度增加了的記錄標記12，因此，空間部11的反射率和記錄標記12的反射率的差大的厚度的范圍變廣，在趨近空間部11的反射率最大時的厚度以及更厚的區(qū)域，空間部11的反射率和記錄標記12的反射率的差大。特別是，在比空間部11的反射率最大時的厚度更厚的區(qū)域，空間部11的反射率和記錄標記12的反射率的差大的范圍廣。即，可設(shè)定的記錄層的厚度的范圍廣。因此，將第一記錄層14的厚度設(shè)定為趨近空間部11的反射率最大時的厚度，從而由于第一記錄層14的反射率高于第二記錄層16的反射率，所以，即使第二記錄層16的厚度設(shè)定得比第一記錄層14厚，也可以在第二記錄層16上得到足夠大的記錄標記12的反射率和空間部11的反射率的差，并且，通過這樣加厚第二記錄層16的厚度，能夠如上所述在第二記錄層上形成期望的特性良好的記錄標記。下面，對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。如圖4所示，本發(fā)明的第二實施方式涉及的光記錄介質(zhì)30相對于上述第一實施方式涉及的光記錄介質(zhì)10，除了具有上述第一記錄層14、第二記錄層16之外，還具有第三記錄層32、第四記錄層34。有關(guān)的其他結(jié)構(gòu)，和上述第一實施方式相同，所以對于相同的結(jié)構(gòu)使用和第一實施方式相同的符號，適當?shù)厥÷云湔f明。第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34按這樣的次序并列配置在從基板22向激光的入射面18的方向上。在第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34之間分別配置有間隔層26。另外，第四記錄層34連接著保護層24。第三記錄層32、第四記錄層34的材料和第一記錄層14以及第二記錄層16的材料同樣實質(zhì)上由Bi以及O構(gòu)成，這些第三記錄層32、第四記錄層34中的O原子數(shù)的比率為62％或其以上。第三記錄層32比第二記錄層16厚，第四記錄層34比第三記錄層32厚。即，光記錄介質(zhì)30是這樣的結(jié)構(gòu)，在從基板22向激光入射面18的方向上，并列配置的第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34，并按這樣的次序逐層變厚。由此，光記錄介質(zhì)30成為這樣的結(jié)構(gòu)，第四記錄層34、第三記錄層32、第二記錄層16、第一記錄層14在從基板22向激光入射面18的方向上反射率(記錄層自身的反射率)按這樣次序逐層變高。由于光記錄介質(zhì)30和光記錄介質(zhì)10同樣，其第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34比第一記錄層14厚，所以能夠在第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34上形成期望的特性良好的記錄標記。另外，由于第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的消光系數(shù)為0.35或其以下，所以即使較厚地形成第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34，照射到第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32上的激光也很難被第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34吸收，因此，也能夠在第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32上形成良好的記錄標記，同時能夠提用高光電檢測器20檢測出的第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32的反射率。另外，通過激光的照射而在第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34上，形成比周圍的空間部11厚度增加了的記錄標記12，因此，空間部11的反射率和記錄標記12的反射率的差大的厚度的范圍變廣，在趨近空間部11的反射率最大時的厚度以及更厚的區(qū)域，空間部11的反射率和記錄標記12的反射率的差大。特別是，在比空間部11的反射率最大時的厚度更厚的區(qū)域，空間部11的反射率和記錄標記12的反射率的差大的范圍廣。即，可以設(shè)定的記錄層的厚度的范圍廣。因此，將第一記錄層14的厚度設(shè)定為趨近空間部11的反射率最大時的厚度，由于使第一記錄層14的反射率比第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34的反射率高，所以即使將第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34設(shè)定得比第一記錄層14厚，也可以在第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34上得到足夠大的記錄標記12的反射率和空間部11的反射率的差，并且，通過這樣加厚第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34的厚度，能夠如上所述在第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34上形成期望的特性良好的記錄標記。下面，對本發(fā)明的第三實施方式進行說明。如圖5所示，本發(fā)明的第三實施方式涉及的光記錄介質(zhì)40相對于上述第二實施方式涉及的光記錄介質(zhì)30，除了具有上述第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34之外，還具有第五記錄層42、第六記錄層44。有關(guān)的其他結(jié)構(gòu)，和上述第二實施方式相同，因此對于相同的結(jié)構(gòu)使用和第一實施方式相同的符號，適當?shù)厥÷云湔f明。第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44按這樣的順序并列配置在從基板22向激光的入射面18的方向上。在第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44之間分別配置有間隔層26。另外，第六記錄層44連接著保護層24。第五記錄層42、第六記錄層44的材料和第一記錄層14的材料同樣實質(zhì)上由Bi以及O構(gòu)成，這些第五記錄層42、第六記錄層44中的O原子數(shù)的比率為62％或其以上。第五記錄層42比第四記錄層34厚，第六記錄層44比第五記錄層42厚。即，光記錄介質(zhì)40具有這樣的結(jié)構(gòu)，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44按這樣的次序并列配置在從基板22向激光入射面18的方向上，并按此次序逐層變厚。由此，光記錄介質(zhì)40具有這樣的結(jié)構(gòu)，第六記錄層44、第五記錄層42、第四記錄層34、第三記錄層32、第二記錄層16、第一記錄層14的反射率(記錄層自身的反射率)按這樣的次序在從基板22向激光入射面18的方向上逐層變高。由于光記錄介質(zhì)40也和光記錄介質(zhì)30同樣，其第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44比第一記錄層14厚，所以能夠在第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44上形成期望的特性良好的記錄標記。另外，由于第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的消光系數(shù)為0.35或其以下，所以即使第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44形成得厚，對第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42照射的激光也很難被第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44吸收，因此，也能夠在第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42上形成良好的記錄標記，同時能夠提高用光電檢測器20檢測出的第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42的反射率。另外，由于通過激光照射在第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44上，形成與周圍的空間部11相比厚度增了加的記錄標記12，所以空間部11的反射率和記錄標記12的反射率的差大的厚度的范圍廣，在趨近于空間部11的反射率最大時的厚度以及更厚的區(qū)域，空間部11的反射率和記錄標記12的反射率的差大。特別是，在比空間部11的反射率最大時的厚度更厚的區(qū)域，空間部11的反射率和記錄標記12的反射率的差大的范圍廣。即，可以設(shè)定的記錄層的厚度的范圍廣。因此，將第一記錄層14的厚度設(shè)定為趨近空間部11的反射率為最大時的厚度，由于使第一記錄層14的反射率比第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44的反射率高，所以即使第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44的厚度設(shè)定得比第一記錄層14厚，也可以在第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44上得到足夠大的記錄標記12的反射率和空間部11的反射率的差，并且，通過這樣加厚第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44的厚度，能夠如上所述在第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42以及第六記錄層44上形成期望的特性良好的記錄標記。另外，在上述第一～第三實施方式中，以和空間部11的反射率為最大時的厚度大致相等的厚度來形成第一記錄層14，也能夠在第一記錄層14上得到足夠大的記錄標記12的反射率和空間部11的反射率的差，并且只要是記錄層的反射率在從激光的入射面18向基板22的方向上逐層變高，則第一記錄層14的厚度比空間部11的反射率最大時的厚度薄或厚都可以。另外，在上述第一～第三實施方式中，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的材料為空間部11的反射率最大時的厚度約40nm的材料，但作為第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的材料，既可以使用比空間部11的反射率最大時的厚度40nm厚的材料，也可以使用比40nm薄的材料。另外，在上述第一～第三實施方式中，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的材料實質(zhì)上是由Bi以及O構(gòu)成，但只要材料的消光系數(shù)為例如0.35或其以下的較小的數(shù)值，則都可以使用其他的材料作為第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的材料。此時，也優(yōu)選使用通過激光照射可以形成與周圍的空間部相比厚度增加的記錄標記的材料。例如，可以使用含有Bi、Ge以及N的材料。另外，在上述第一～第三實施方式中，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44含有相同的構(gòu)成元素(Bi以及O)，但是，第一記錄層14也可以不含有和第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44相同的構(gòu)成元素。例如作為第一記錄層14的材料，也可以使用消光系數(shù)值大于0.35的材料。另外，作為第一記錄層14的材料也可以使用通過激光照射沒有形成與周圍的空間部相比厚度增加的記錄標記的材料。另外，在上述第二實施方式中，光記錄介質(zhì)30具有這樣的結(jié)構(gòu)，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32以及第四記錄層34按這樣的次序在從基板22向激光入射面18的方向上逐層變厚，第四記錄層34、第三記錄層32、第二記錄層16、第一記錄層14的反射率(記錄層自身的反射率)在從激光入射面18向基板22的方向上按次序逐層變高；在上述第三實施方式中，光記錄介質(zhì)40具有這樣的結(jié)構(gòu)，第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44按此次序在從基板22向激光入射面18的方向上逐層變厚，第六記錄層44、第五記錄層42、第四記錄層34、第三記錄層32、第二記錄層16、第一記錄層14的反射率(記錄層自身的反射率)從激光入射面18向基板22的方向上按次序逐層變高，但是，只要這些記錄層中的任意兩層的組合的結(jié)構(gòu)是上側(cè)記錄層厚于下側(cè)記錄層，則對于其他的組合，厚度也可以不滿足這種關(guān)系，上述上側(cè)記錄層相對配置在激光入射面18的近側(cè)，上述下側(cè)記錄層配置在比上述上側(cè)記錄層遠離激光入射面18的那一側(cè)。此時也可以得到一定的提高相對配置在激光的入射面18的近側(cè)的上側(cè)記錄層的記錄感度的效果。另外，在上述第一實施方式的圖2中，雖然記錄標記12是整體厚度相同的形狀，但只要至少一部分比周圍的空間部厚，則對記錄標記的形狀沒有特別的限定，也可以全部比周圍的空間部厚，并且也可以厚度根據(jù)部位而不同，也可以只有一部分比周圍的空間部厚，其他的部位和空間部同樣厚等。例如，可以為中心附近最厚，遠離中心逐漸變薄的形狀。實際上，以這種形狀形成的記錄標記較多。另外，記錄標記中的各個部位的厚度可以通過使用TEM(TransmissionElectronMicroscope)觀察記錄標記的剖面來確認。另外，在上述第一～第三實施方式中，光記錄介質(zhì)10、光記錄介質(zhì)30、光記錄介質(zhì)40都是以第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44直接與基板22、保護層24、間隔層26的任意一層相接觸的方式而構(gòu)成，但是，例如也可以在第一記錄層14和基板22的之間設(shè)置反射層。作為反射層的材料可以使用Al、Ag、Au、Cu、Mg、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Pt、Pd或這些金屬的合金等。在這些金屬中，從能夠得到高反射率這點考慮，優(yōu)選使用Al、Ag、Au、Cu、AgPdCu等的合金。另外，也可以使用電介質(zhì)材料作為反射層的材料。另外，也可以在部分或是全部的記錄層的一側(cè)或是兩側(cè)設(shè)置電介質(zhì)層。作為電介質(zhì)材料可以使用例如，SiO2、Al2O3、ZnO、CeO2、Ta2O5等氧化物，SiN、AlN、GeN、GeCrN、TiO2等氮化物，ZnS等硫化物，還有例如，像ZnS和SiO2的混合物那樣的，以這些化合物的組合材料為主要成分的材料。另外，上述第一實施方式中的光記錄介質(zhì)10具有兩層記錄層，上述第二實施方式中的光記錄介質(zhì)30具有4層記錄層，另外，上述第三實施方式中的光記錄介質(zhì)40具有6層記錄層，但本發(fā)明也適用于具有3層記錄層的光記錄介質(zhì)和具有5層記錄層的光記錄介質(zhì)，甚至適用于具有7層記錄層的光記錄介質(zhì)。另外，在上述第一～第三實施方式中，光記錄介質(zhì)10、30、40為只具有單面記錄層的單面記錄方式，但當然本發(fā)明也能夠適用于具有雙面記錄層的雙面記錄方式的光記錄介質(zhì)。另外，在上述第一～第三實施方式中，光記錄介質(zhì)10、30、40的結(jié)構(gòu)是保護層24比基板22薄，但本發(fā)明也能夠適用于如同DVD那樣基板和保護層具有相同厚度的光記錄介質(zhì)。另外，此時，基板以及保護層的形狀大致相等，但在本申請中，將記錄/再生用的激光照射的一側(cè)稱為保護層。(實施例1)制作了五種與第一實施方式的光記錄介質(zhì)10結(jié)構(gòu)相同的兩層記錄方式的光記錄介質(zhì)。這五種光記錄介質(zhì)的第二記錄層16的厚度各不相同，除了第二記錄層16以外，結(jié)構(gòu)是相同的。具體地說，使用由Bi以及O構(gòu)成的材料作為第一記錄層14、第二記錄層16的材料，這些第一記錄層14、第二記錄層16中的O原子數(shù)的比率為(62％以上)68％、Bi的原子數(shù)的比率為32％，并沒有添加其他元素。第一記錄層14的厚度規(guī)定為接近該材料的反射率最大時的厚度約45nm。另一方面，第二記錄層16的厚度比第一記錄層14厚，這五種分別為47nm、53nm、68nm、72nm、74nm。針對這五種光記錄介質(zhì)，測定了第一記錄層14、第二記錄層16的(未記錄部分的)反射率、記錄感度、8TC/N值以及消光系數(shù)。測定結(jié)果如表1所示。另外，同時將第一記錄層14、第二記錄層16的組成以及成膜條件記入表1。另外，在第一記錄層14的反射率、第二記錄層16的反射率的測定中，使用了相同輸出的再生用激光。表1所示的反射率是通過光電檢測器20檢測出的反射率。另外，使用下述方法測定了記錄感度。首先，對各光記錄介質(zhì)照射各種功率的激光從而形成了記錄標記12。接著，通過記錄/再生裝置測量了各記錄標記12的起伏值。由于在起伏值最低的記錄標記12的形成中所用的激光的輸出最適合作為該光記錄介質(zhì)的激光的輸出，所以撲捉該輸出來作為記錄感度。另外，所謂激光輸出是指將到達入射面18的激光的強度換算為功率的輸出。并顯示出，表示記錄感度的激光的輸出越低，越容易形成記錄標記，記錄感度越敏感。表1(實施例2)與上述實施例1相對，使用由Bi、O以及Ge構(gòu)成的材料作為第一記錄層14、第二記錄層16的材料，制作了一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)的第一記錄層14、第二記錄層16中的Bi、O以及Ge的原子數(shù)的比率各不相同的。具體地說，按表2所示的比率設(shè)定第一記錄層14、第二記錄層16中的Bi、O以及Ge的原子數(shù)的比率。第一記錄層14的厚度和上述實施例1同樣約為45nm。另外，第二記錄層16的厚度為(比第一記錄層14厚)68nm。針對該光記錄介質(zhì)，測定了第一記錄層14、第二記錄層16的反射率、記錄感度、8TC/N值以及消光系數(shù)。測定結(jié)果如表2所示。另外，同時將第一記錄層14、第二記錄層16的成膜條件記入表2。表2(實施例3)與上述實施例1相對，使用了不同的材料來作為第一記錄層14、第二記錄層的材料，制作了12種光記錄介質(zhì)。具體地說，作為第一記錄層14的材料，使用了由Bi以及O構(gòu)成的材料、和在Bi以及O中添加了Fe而形成的材料。另外，作為第二記錄層16的材料，使用了由Bi以及O構(gòu)成的材料、和在Bi以及O中添加了Al、Mg、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、V、Dy、Ti而形成的材料。針對該12種光記錄介質(zhì)，測定了第一記錄層14、第二記錄層16的反射率、記錄感度、8TC/N值以及消光系數(shù)。測定結(jié)果如表3所示。另外，同時將第一記錄層14、第二記錄層16的組成以及成膜條件記入表3。表3(實施例4)制作了和上述第二實施方式的光記錄介質(zhì)30結(jié)構(gòu)相同的4層記錄方式的光記錄介質(zhì)。具體地說，使用由Bi、O以及Ge構(gòu)成的材料作為第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的材料，制作了的一種光記錄介質(zhì)，其第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34中的Bi、O以及Ge的原子數(shù)的比率各不相同。第一記錄層14的厚度為接近其材料的反射率最大時的厚度48nm。對此，第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的厚度比第一記錄層14厚，分別為62nm、68nm、73nm。針對該光記錄介質(zhì)，測定了第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的反射率、記錄感度、8TC/N值以及消光系數(shù)。測定結(jié)果如表4所示。另外，同時將第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34的組成以及成膜條件記入表4。表4(實施例5)制作了和上述第三實施方式的光記錄介質(zhì)40相同的六層記錄方式的光記錄介質(zhì)。具體地說，第一記錄層14是由Si和Cu以層疊方式而構(gòu)成。另外，Cu層位于基板22側(cè)，Si位于保護層24側(cè)。另外，使用由Bi、O以及Ge構(gòu)成的材料作為第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的材料，制作了一種光記錄介質(zhì)，其第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44中的Bi、O以及Ge的原子數(shù)的比率各不相同。第一記錄層14的Si層、Cu層的厚度均為6nm，第一記錄層14的厚度合計為12nm。另外，在第一記錄層14的兩側(cè)設(shè)置有ZnS和SiO2混合物(混合比(分子數(shù))ZnS∶SiO2＝80∶20)的電介質(zhì)層。各電介質(zhì)層的厚度為40nm。另外，在基板22側(cè)的電介質(zhì)層和基板22之間設(shè)置了材料為AgPdCu合金的反射層。反射層的厚度為100nm。另一方面，第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的厚度分別為33nm、37nm、40nm、43nm、46nm。另外，在第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的兩側(cè)，設(shè)置有材料為TiO2的電介質(zhì)層。第二記錄層16的兩側(cè)的電介質(zhì)層的厚度分別為10nm。第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42兩側(cè)的電介質(zhì)層的厚度分別為14nm。第六記錄層16兩側(cè)的電介質(zhì)層的厚度分別為15nm。針對該光記錄介質(zhì)，測定了第一記錄層14、第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的反射率、記錄感度、8TC/N值以及消光系數(shù)。測定結(jié)果如表5所示。另外，同時將第二記錄層16、第三記錄層32、第四記錄層34、第五記錄層42、第六記錄層44的組成以及成膜條件記入表5。表5(比較例)與上述實施例1相對，制作了第二記錄層的厚度和第一記錄層14的厚度相等的光記錄介質(zhì)、以及第二記錄層的厚度比第一記錄層14的厚度薄的光記錄介質(zhì)。具體地說，制作了兩種光記錄介質(zhì)，它們的第一記錄層14的厚度和上述實施例1同樣為45nm，而第一種光記錄介質(zhì)的第二記錄層16的厚度和第一記錄層14的厚度相同為45nm，第二種光記錄介質(zhì)的第二記錄層16的厚度比第一記錄層14薄，厚度為20nm。針對這兩種光記錄介質(zhì)，測定了第一記錄層14、第二記錄層16的反射率、記錄感度、8TC/N值以及消光系數(shù)。測定結(jié)果如表6所示。另外，同時將第一記錄層14、第二記錄層16的組成以及成膜條件記入表6。表6如表1～5所示，實施例1～5的光記錄介質(zhì)的各記錄層的8TC/N值均在50以上為良好。即，在實施例1～5的光記錄介質(zhì)的各記錄層上形成的記錄標記12均為良好。另外，通過光電檢測器20檢測出的實施例1～5的光記錄介質(zhì)的相鄰的兩層記錄層的反射率均為未滿兩倍的范圍內(nèi)的近似值。進一步，在實施例3中，通過使用含有不同構(gòu)成元素的材料作為第一記錄層14、第二記錄層16的材料，能夠使各記錄層的反射率大致相等，對于部分的光記錄介質(zhì)，能夠使第一記錄層14、第二記錄層16的記錄感度也大致相等。另外，在實施例2、實施例4中，通過使用構(gòu)成元素相同但組成比率不同的材料作為各記錄層的材料，能夠使各記錄層的反射率以及記錄感度為大致相等的值。這樣，由于記錄層的構(gòu)成元素相同，從而能夠?qū)⒐餐ǖ某赡ぱb置用于各記錄層的成膜，從而得到降低設(shè)備成本的效果。對此，在比較例的兩種光記錄介質(zhì)中，第二記錄層16的厚度比第一記錄層14薄的光記錄介質(zhì)的第二記錄層的8TC/N值為40，在其第二記錄層上形成的記錄標記12沒有得到期望的再生性能。可以認為，這是由于第二記錄層16的厚度過薄而造成的。另外，對于第二記錄層16的厚度和第一記錄層14的厚度相等的光記錄介質(zhì)，無論怎樣在第一記錄層14上進行激光對焦，焦點還是對到了第二記錄層16上，沒有能夠在第一記錄層14上形成記錄標記。即，不能對第一記錄層14進行評價?？梢哉J為，這是由于由光電檢測器20檢測出的第一記錄層14的反射率相對第二記錄層16的反射率過低的原因造成的。工業(yè)實用性本發(fā)明可以用于具有多層記錄層的光記錄介質(zhì)。權(quán)利要求1.一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，含有多層記錄層，這些記錄層中，配置在相對接近激光的入射面?zhèn)鹊挠涗泴颖扰渲迷谙啾扔谠撚涗泴舆h離上述激光的入射面?zhèn)鹊挠涗泴雍瘛?.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層中，與配置在離上述激光的入射面最遠的位置上的記錄層相比，至少配置在上述入射面?zhèn)鹊挠涗泴幽軌蛲ㄟ^激光的照射而形成與周圍的空間部相比厚度增加的記錄標記。3.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層中，與配置在離上述激光的入射面最遠的位置上的記錄層相比，至少配置在上述入射面?zhèn)鹊挠涗泴拥南庀禂?shù)為0.35或其以下。4.如權(quán)利要求2所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層中，與配置在離上述激光的入射面最遠的位置上的記錄層相比，至少配置在上述入射面?zhèn)鹊挠涗泴拥南庀禂?shù)為0.35或其以下。5.如權(quán)利要求3所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層的材料具有在規(guī)定的厚度時上述空間部的反射率成為最大的特性，在上述記錄層中，與配置在離上述激光的入射面最遠的位置上的記錄層相比，配置在上述入射面?zhèn)鹊闹辽僖粚佑涗泴有纬傻帽壬鲜隹臻g部的反射率最大時的厚度更厚。6.如權(quán)利要求4所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層的材料具有在規(guī)定的厚度時上述空間部的反射率成為最大的特性，在上述記錄層中，與配置在離上述激光的入射面最遠的位置的記錄層相比，配置在上述入射面?zhèn)鹊闹辽僖粚佑涗泴有纬傻帽壬鲜隹臻g部的反射率為最大時的厚度更厚。7.如權(quán)利要求1至6中的任意一項所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述記錄層中，與配置在離上述激光的入射面最遠的位置的記錄層相比，至少配置在上述入射面?zhèn)鹊挠涗泴訉嵸|(zhì)上由Bi、O構(gòu)成，該記錄層中的O的原子數(shù)的比率為62％或其以上。全文摘要本發(fā)明提供一種光記錄介質(zhì)，其具有多層記錄層，在任意一層記錄層都能夠形成良好的記錄標記。光記錄介質(zhì)(10)含有第一記錄層(14)以及第二記錄層(16)，相對配置在激光的入射面(18)近側(cè)的第二記錄層(16)厚于配置在比該第二記錄層(16)更遠離激光的入射面(18)的一側(cè)的第一記錄層(14)。文檔編號G11B7/00GK1897133SQ20061010584公開日2007年1月17日申請日期2006年7月13日優(yōu)先權(quán)日2005年7月15日發(fā)明者三島康兒,由德大介申請人:Tdk股份有限公司