專利名稱:存儲(chǔ)單元測(cè)試方法及測(cè)試系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種測(cè)試方法及其系統(tǒng),尤其是一種存儲(chǔ)單元測(cè)試方法及其系統(tǒng)。
背景技術(shù):
存儲(chǔ)單元作為專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)/現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(Field Programmable Gate Array,F(xiàn)PGA)設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),用來存放或者暫時(shí)存放參與運(yùn)算的數(shù)據(jù)和運(yùn)算結(jié)果,在電子通訊產(chǎn)品中獲得了廣泛的應(yīng)用。隨著ASIC設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展,已有越來越多的存儲(chǔ)單元內(nèi)嵌或外掛到ASIC、FPGA芯片中使用。但是在ASIC與FPGA邏輯代碼設(shè)計(jì)中,存儲(chǔ)單元經(jīng)常出現(xiàn)一些故障,例如存儲(chǔ)單元讀寫功能不正確或者一個(gè)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)受到其它單元的數(shù)據(jù)或讀寫操作的影響而發(fā)生變化,即粘連現(xiàn)象。粘連現(xiàn)象分為地址粘連和Bit(比特)粘連。假設(shè)有N個(gè)存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)有效位為n個(gè),如果對(duì)N個(gè)存儲(chǔ)單元中的任何一個(gè)進(jìn)行操作,會(huì)影響到其它任何一個(gè)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容,這種現(xiàn)象叫地址粘連;如果對(duì)于同一個(gè)存儲(chǔ)單元,對(duì)n個(gè)數(shù)據(jù)有效位的任何一個(gè)比特有效位進(jìn)行操作會(huì)影響到其它任何一個(gè)有效位,這種現(xiàn)象叫Bit粘連。存儲(chǔ)單元的讀寫功能、是否存在粘連現(xiàn)象影響到整個(gè)邏輯設(shè)計(jì)的功能的正確性,因此對(duì)存儲(chǔ)單元的讀寫功能和粘連測(cè)試是項(xiàng)目驗(yàn)證的重點(diǎn)。
傳統(tǒng)的測(cè)試方法是對(duì)一個(gè)存儲(chǔ)單元寫操作以后,讀取該存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)判斷是否與寫入的數(shù)據(jù)一致,從而測(cè)試該存儲(chǔ)單元讀寫功能是否正確,然后再讀取所有其它存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)判斷是否存在粘連現(xiàn)象。該測(cè)試方法每次操作一個(gè)存儲(chǔ)單元,需要讀取其它所有存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷,如此一來,假如有N個(gè)存儲(chǔ)單元,對(duì)所有存儲(chǔ)單元測(cè)試一遍則需要N×(N+1)次存儲(chǔ)單元讀取操作,然而目前ASIC設(shè)計(jì)中一般有幾十萬個(gè)存儲(chǔ)單元,按照這種傳統(tǒng)的測(cè)試方法,測(cè)試效率較低。另外,傳統(tǒng)的測(cè)試方法對(duì)所有存儲(chǔ)單元沒有統(tǒng)一進(jìn)行清“0”,如果對(duì)某個(gè)存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù),與其它存儲(chǔ)單元的缺省值相同,則無法區(qū)分是否存在地址粘連現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題在于提供一種測(cè)試效率較高的存儲(chǔ)單元測(cè)試方法及其系統(tǒng)。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)單元測(cè)試方法,所述方法包括選擇存儲(chǔ)單元測(cè)試類型;根據(jù)所選擇的測(cè)試類型產(chǎn)生相應(yīng)的測(cè)試激勵(lì)信號(hào)并發(fā)送至待測(cè)模塊;根據(jù)所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào),對(duì)待測(cè)模塊的存儲(chǔ)單元索引表進(jìn)行讀寫操作;對(duì)進(jìn)行所述讀寫操作后的存儲(chǔ)單元索引表的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,生成相應(yīng)的測(cè)試結(jié)果。
本發(fā)明還提供了一種存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng),用于測(cè)試待測(cè)模塊的性能,所述待測(cè)模塊包括至少一個(gè)存儲(chǔ)單元以及與存儲(chǔ)單元地址相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元索引表,所述存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng)包括仿真機(jī)制選擇單元、測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生單元以及測(cè)試結(jié)果分析單元,所述仿真機(jī)制選擇單元用于選擇測(cè)試類型;所述測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生單元根據(jù)選擇的測(cè)試類型產(chǎn)生相應(yīng)的測(cè)試激勵(lì)信號(hào)發(fā)送給待測(cè)模塊和測(cè)試結(jié)果分析模塊;所述測(cè)試結(jié)果分析模塊從所述待測(cè)模塊的存儲(chǔ)單元索引表讀取數(shù)據(jù)生成測(cè)試結(jié)果。
本發(fā)明提供的存儲(chǔ)單元測(cè)試方法及其系統(tǒng),對(duì)于存儲(chǔ)單元的地址粘連、Bit粘連以及讀寫功能等問題都采用統(tǒng)一的測(cè)試方法以及測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,便于在各個(gè)項(xiàng)目開發(fā)中進(jìn)行移植和共享,因此不僅能對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行全面的測(cè)試,而且減低了ASIC設(shè)計(jì)開發(fā)成本;即使存儲(chǔ)單元進(jìn)行頻繁增減,也只需維護(hù)一張存儲(chǔ)單元索引表即可,因此較大地提高了測(cè)試效率。
圖1為本發(fā)明存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本發(fā)明存儲(chǔ)單元測(cè)試方法的流程圖;圖3為本發(fā)明存儲(chǔ)單元測(cè)試方法用于地址粘連測(cè)試的流程圖;圖4為本發(fā)明存儲(chǔ)單元測(cè)試方法用于Bit粘連測(cè)試的流程圖;圖5為本發(fā)明存儲(chǔ)單元測(cè)試方法用于讀寫功能測(cè)試的流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)單元測(cè)試方法及其系統(tǒng)。為使本發(fā)明更加清楚明了,以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
請(qǐng)參照?qǐng)D1,為本發(fā)明存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。所述存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng)包括仿真平臺(tái)10和待測(cè)試模塊20,所述仿真平臺(tái)10包括顯示單元11、仿真機(jī)制選擇單元12、測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生單元13以及測(cè)試結(jié)果分析單元14。
所述顯示單元11用于將從仿真平臺(tái)10外部輸入的信息輸出給仿真機(jī)制選擇單元12,并顯示測(cè)試結(jié)果分析單元14輸入的信息。所述顯示單元11一般為人機(jī)界面,從仿真平臺(tái)10外部輸入的信息通常是測(cè)試人員根據(jù)不同的存儲(chǔ)文件輸入的信息,或是用于控制仿真機(jī)制選擇單元12的信息。
所述仿真機(jī)制選擇單元12用于接收結(jié)果顯示單元11輸入的信息,根據(jù)接收的信息選擇仿真機(jī)制,并將選擇的仿真機(jī)制分別輸出給測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生單元13和測(cè)試結(jié)果分析單元14。所述仿真機(jī)制是用來表征對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行測(cè)試的類型,比如是存儲(chǔ)單元的讀寫功能測(cè)試、地址粘連測(cè)試還是Bit粘連測(cè)試。存儲(chǔ)單元的讀寫功能測(cè)試是測(cè)試當(dāng)存儲(chǔ)單元的讀寫使能信號(hào)有效時(shí)對(duì)應(yīng)地址的數(shù)據(jù)是否能夠正常寫入和讀出,存儲(chǔ)單元的讀寫使能信號(hào)無效時(shí)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)線是否保持不變或高阻;地址粘連測(cè)試是測(cè)試存儲(chǔ)單元之間是否出現(xiàn)相互影響制約;Bit粘連測(cè)試是測(cè)試同一存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)位之間是否相互影響。
所述測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生單元13用于接收仿真機(jī)制選擇單元12輸入的仿真機(jī)制,根據(jù)接收的仿真機(jī)制產(chǎn)生各種測(cè)試激勵(lì)信號(hào),并將產(chǎn)生的測(cè)試激勵(lì)信號(hào)分別輸出給待測(cè)試模塊20和測(cè)試結(jié)果分析單元14。所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)至少包括寫數(shù)據(jù)信號(hào)、寫使能信號(hào)、寫地址信號(hào)、讀使能信號(hào)、讀地址信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào),這些信號(hào)由仿真機(jī)制選擇單元12所選擇的仿真機(jī)制決定。測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生單元13根據(jù)所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)中的寫使能信號(hào)、寫地址信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào),將寫數(shù)據(jù)信號(hào)寫入對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元;再將讀使能信號(hào)、讀地址信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)輸出給測(cè)試結(jié)果分析單元14,由測(cè)試結(jié)果分析單元14從待測(cè)試模塊20讀出結(jié)果。
所述測(cè)試結(jié)果分析單元14對(duì)從待測(cè)模塊20讀出的結(jié)果進(jìn)行分析,并將分析后的測(cè)試結(jié)果輸入顯示單元11顯示給用戶。
所述待測(cè)試模塊20包括一個(gè)存儲(chǔ)單元索引表21和若干存儲(chǔ)單元22,所述索引表21與存儲(chǔ)單元地址相對(duì)應(yīng),可以從高到底也可以從低到高進(jìn)行排列,其內(nèi)容包括存儲(chǔ)單元的地址值、有效位和缺省值。每次對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀寫操作檢查時(shí),只需要從存儲(chǔ)單元索引表讀取即可,下面用一個(gè)結(jié)構(gòu)體說明索引表中存儲(chǔ)單元包含的內(nèi)容struct memory{addr--存儲(chǔ)單元的地址data--存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)reset value--存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)的復(fù)位值或者缺省值rfu mask--存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)的保留位,“1”表示其對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)bit位是保留位valid bit--存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)的有效位}請(qǐng)參閱圖2,為本發(fā)明存儲(chǔ)單元測(cè)試方法的流程圖,本發(fā)明存儲(chǔ)單元測(cè)試方法包括以下步驟步驟101選擇對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行測(cè)試的類型。
步驟102根據(jù)所選擇的測(cè)試類型產(chǎn)生與測(cè)試類型對(duì)應(yīng)的測(cè)試激勵(lì)信號(hào),并將所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)發(fā)送至待測(cè)模塊。
步驟103根據(jù)所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào),對(duì)待測(cè)模塊的存儲(chǔ)單元索引表進(jìn)行對(duì)應(yīng)的讀寫操作。
步驟104對(duì)進(jìn)行所述讀寫操作后的存儲(chǔ)單元索引表的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,生成相應(yīng)的測(cè)試結(jié)果。
請(qǐng)參閱圖3,為本發(fā)明用于存儲(chǔ)單元地址粘連測(cè)試流程圖,具體測(cè)試過程包括以下步驟步驟201選擇仿真機(jī)制為地址粘連測(cè)試機(jī)制,產(chǎn)生與地址粘連測(cè)試對(duì)應(yīng)的測(cè)試激勵(lì)信號(hào),并將測(cè)試激勵(lì)信號(hào)發(fā)送至待測(cè)試模塊。
所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)包括寫數(shù)據(jù)信號(hào)、寫使能信號(hào)、寫地址信號(hào)、讀使能信號(hào)、讀地址信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)。
步驟202對(duì)待測(cè)試模塊進(jìn)行上電復(fù)位(主要是對(duì)芯片進(jìn)行初始化)。
步驟203在復(fù)位過程中讀取存儲(chǔ)單元是否為缺省值,如果是,進(jìn)行步驟205;如果否,進(jìn)行步驟204。
步驟204顯示該存儲(chǔ)單元缺省值不正確。
步驟205將待測(cè)試模塊的所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行清“0”操作,即對(duì)所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫“0”,這樣便于對(duì)所有存儲(chǔ)單元按照統(tǒng)一規(guī)則進(jìn)行測(cè)試。
步驟206從待測(cè)試模塊的存儲(chǔ)單元索引表依次彈出一個(gè)地址,讀取該地址的值,檢查是否為“0”,如果是,進(jìn)行步驟208;如果否,進(jìn)行步驟207。
步驟207顯示該存儲(chǔ)單元清“0”功能不正確。
步驟208根據(jù)步驟201中產(chǎn)生的測(cè)試激勵(lì)信號(hào)中的寫使能信號(hào)、寫地址信號(hào),將寫數(shù)據(jù)信號(hào)寫入存儲(chǔ)單元,即向步驟206中存儲(chǔ)單元索引表彈出的地址對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元所有有效位寫入“1”,然后根據(jù)所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)中的讀使能信號(hào)、讀地址信號(hào)以及時(shí)鐘信號(hào)對(duì)該地址對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行回讀,根據(jù)該地址的存儲(chǔ)單元的有效位個(gè)數(shù)檢查回讀數(shù)據(jù)是否也包含與有效位個(gè)數(shù)相同數(shù)目的“1”,如果是,進(jìn)行步驟210;如果否,進(jìn)行步驟209。
步驟209顯示該存儲(chǔ)單元寫功能不正確。
步驟210將該地址加1,進(jìn)行相應(yīng)地址的存儲(chǔ)單元讀操作,檢查回讀值是否為“0”,如果是,進(jìn)行步驟212;如果否,進(jìn)行步驟211。
步驟211顯示存在地址粘連,即與當(dāng)前地址相鄰存儲(chǔ)單元受到當(dāng)前地址單元數(shù)據(jù)的影響。
步驟212存儲(chǔ)單元索引表是否為空,即是否遍歷存儲(chǔ)單元索引表中所有地址,如果是,進(jìn)行步驟213,如果否,回到步驟206。
步驟213地址粘連測(cè)試結(jié)束。
上述地址粘連測(cè)試方法每次只對(duì)相鄰的兩個(gè)地址進(jìn)行是否存在地址粘連的判斷,對(duì)于N個(gè)存儲(chǔ)單元只需N×(N-1)/2次讀取操作即可進(jìn)行依次地址粘連遍歷測(cè)試。
另外,上述地址粘連測(cè)試方法在步驟210中是將存儲(chǔ)單元地址加1后進(jìn)行讀操作,即地址指針從低到高,也可以采用地址指針從高到低的方法,其它過程相同,只需在步驟210中將存儲(chǔ)單元地址減1后進(jìn)行后續(xù)操作即可。
請(qǐng)參閱圖4,為本發(fā)明用于存儲(chǔ)單元Bit粘連測(cè)試流程圖,具體測(cè)試過程包括以下步驟步驟301選擇仿真機(jī)制為Bit粘連測(cè)試機(jī)制,產(chǎn)生與Bit粘連測(cè)試對(duì)應(yīng)的測(cè)試激勵(lì)信號(hào),并將測(cè)試激勵(lì)信號(hào)發(fā)送至待測(cè)試模塊。
所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)包括寫數(shù)據(jù)信號(hào)、寫使能信號(hào)、寫地址信號(hào)、讀使能信號(hào)、讀地址信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)。
步驟302對(duì)待測(cè)試模塊進(jìn)行上電復(fù)位(主要是對(duì)芯片進(jìn)行初始化)。
步驟303在復(fù)位過程中讀取存儲(chǔ)單元是否為缺省值,如果是,進(jìn)行步驟305;如果否,進(jìn)行步驟304。
步驟304顯示該存儲(chǔ)單元缺省值不正確。
步驟305將待測(cè)試模塊的所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行清“0”操作,即對(duì)所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫“0”,這樣便于對(duì)所有存儲(chǔ)單元按照統(tǒng)一規(guī)則進(jìn)行測(cè)試。
步驟306從待測(cè)試模塊的存儲(chǔ)單元索引表依次彈出一個(gè)地址,讀取該地址對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的數(shù)值是否為“0”,如果是,進(jìn)行步驟308;如果否,進(jìn)行步驟307。
步驟307顯示該存儲(chǔ)單元清“0”功能不正確。
步驟308根據(jù)步驟301產(chǎn)生的測(cè)試激勵(lì)信號(hào)中的寫使能信號(hào)、寫地址信號(hào)以及時(shí)鐘信號(hào),將寫數(shù)據(jù)信號(hào)寫入存儲(chǔ)單元,即從該地址的存儲(chǔ)單最低有效位開始寫“1”,然后根據(jù)所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)中的讀使能信號(hào)、讀地址信號(hào)以及時(shí)鐘信號(hào)對(duì)該地址對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行回讀,檢查讀出和寫入是否一致,如果是,進(jìn)行步驟310;如果否,進(jìn)行步驟309。
步驟309顯示該存儲(chǔ)單元存在Bit粘連。
步驟310該存儲(chǔ)單元左移一位的有效位寫入“1”,然后回讀,檢查讀出和寫入是否一致,如果是,進(jìn)行步驟311;如果否,進(jìn)行步驟309。
步驟311是否已遍歷該存儲(chǔ)單元所有有效Bit位,如果是,進(jìn)行步驟312;如果否,進(jìn)行步驟310。
步驟312存儲(chǔ)單元索引表是否為空,即是否遍歷存儲(chǔ)單元索引表中所有地址,如果是,進(jìn)行步驟313,如果否,回到步驟306。
步驟313Bit粘連測(cè)試結(jié)束。
下面以有效位為16Bit的寄存器為例對(duì)步“1”法進(jìn)行具體說明,其測(cè)試激勵(lì)信號(hào)為16’b0000000000000001。首先,對(duì)此寄存器寫入16’b0000 0000 00000001,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0000 00000000 0010,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b00000000 0000 0100,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0000 0000 0000 1000,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0000 0000 0001 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0000 0000 0010 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0000 0000 0100 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0000 0000 1000 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0000 0001 0000 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0000 0010 0000 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0000 0100 0000 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0000 1000 0000 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0001 0000 0000 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0010 0000 0000 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致;其次,對(duì)此寄存器寫入16’b0100 0000 0000 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致;最后,對(duì)此寄存器寫入16’b1000 0000 0000 0000,然后讀出檢查是否與寫入一致。這樣對(duì)有效位為16Bit的地址存儲(chǔ)器就可以遍歷檢查Bit位是否存在粘連問題。
另外,上述Bit粘連測(cè)試方法是從該存儲(chǔ)單元最低位開始寫“1”,然后依次左移寫“1”,即地址指針從低到高,也可以采用地址指針從高到低的方法,只需從最高位開始寫“1”,然后依次右移寫“1”即可。
請(qǐng)參閱圖5,為本發(fā)明用于存儲(chǔ)單元讀寫功能測(cè)試流程圖,具體測(cè)試過程包括以下步驟步驟401選擇仿真機(jī)制為讀寫功能測(cè)試機(jī)制,產(chǎn)生與讀寫功能測(cè)試對(duì)應(yīng)的測(cè)試激勵(lì)信號(hào),并將測(cè)試激勵(lì)信號(hào)發(fā)送至待測(cè)試模塊。
所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)包括寫數(shù)據(jù)信號(hào)、寫使能信號(hào)、寫地址信號(hào)、讀使能信號(hào)、讀地址信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)。
步驟402對(duì)待測(cè)試模塊進(jìn)行上電復(fù)位(主要是對(duì)芯片進(jìn)行初始化)。
步驟403在復(fù)位過程中讀取存儲(chǔ)單元是否為缺省值,如果是,進(jìn)行步驟405;如果否,進(jìn)行步驟404。
步驟404顯示該存儲(chǔ)單元缺省值不正確。
步驟405將待測(cè)試模塊的所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行清“0”操作,即對(duì)所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫“0”,這樣便于對(duì)所有存儲(chǔ)單元按照統(tǒng)一規(guī)則進(jìn)行測(cè)試。
步驟406從待測(cè)試模塊的存儲(chǔ)單元索引表依次彈出一個(gè)地址,讀取該地址的值,檢查是否為“0”,如果是,進(jìn)行步驟408;如果否,進(jìn)行步驟407。
步驟407顯示該存儲(chǔ)單元清“0”功能不正確。
步驟408根據(jù)步驟401產(chǎn)生的測(cè)試激勵(lì)信號(hào)中的寫使能信號(hào)、寫地址信號(hào)以及時(shí)鐘信號(hào),將寫數(shù)據(jù)信號(hào)寫入存儲(chǔ)單元,即向該存儲(chǔ)單元寫入相應(yīng)數(shù)據(jù),然后根據(jù)所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)中的讀使能信號(hào)、讀地址信號(hào)以及時(shí)鐘信號(hào)對(duì)該地址對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出,判斷讀出數(shù)據(jù)是否與寫入數(shù)據(jù)一致,如果是,則進(jìn)行步驟410;如果否,進(jìn)行步驟409。
步驟409顯示該存儲(chǔ)單元讀寫功能不正確。
步驟410存儲(chǔ)單元索引表是否為空,即是否遍歷存儲(chǔ)單元索引表中所有地址,如果是,進(jìn)行步驟411,如果否,回到步驟406。
步驟411讀寫功能測(cè)試結(jié)束。
通過本發(fā)明提供的存儲(chǔ)單元測(cè)試方法及其系統(tǒng),對(duì)于存儲(chǔ)單元的地址粘連、Bit粘連以及讀寫功能等問題都采用統(tǒng)一的測(cè)試方法以及測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,便于在各個(gè)項(xiàng)目開發(fā)中進(jìn)行移植和共享,因此不僅能對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行全面的測(cè)試,而且減低了ASIC設(shè)計(jì)開發(fā)成本;即使存儲(chǔ)單元進(jìn)行頻繁增減,也只需維護(hù)一張存儲(chǔ)單元索引表即可,因此大大減少了工作量。
以上對(duì)本發(fā)明所提供的存儲(chǔ)單元測(cè)試方法及其系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)介紹,本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述,以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想;同時(shí),對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本發(fā)明的思想,在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處,綜上所述,本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)單元測(cè)試方法,其特征在于,所述方法包括選擇存儲(chǔ)單元測(cè)試類型;根據(jù)所選擇的測(cè)試類型產(chǎn)生相應(yīng)的測(cè)試激勵(lì)信號(hào)并發(fā)送至待測(cè)模塊;根據(jù)所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào),對(duì)待測(cè)模塊的存儲(chǔ)單元索引表進(jìn)行讀寫操作;對(duì)進(jìn)行所述讀寫操作后的存儲(chǔ)單元索引表的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,生成相應(yīng)的測(cè)試結(jié)果。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元測(cè)試方法,其特征在于,所述選擇的存儲(chǔ)單元測(cè)試的類型為地址粘連測(cè)試,所述根據(jù)所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)對(duì)待測(cè)模塊的存儲(chǔ)單元索引表進(jìn)行讀寫操作具體包括依次向所述存儲(chǔ)單元索引表中每個(gè)地址所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元內(nèi)寫入數(shù)據(jù),將被寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元的地址值加1或減1,判斷地址值加1或減1后的地址所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)是否發(fā)生變化,如果是,所述被寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元存在地址粘連問題。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)單元測(cè)試方法,其特征在于,所述依次向所述存儲(chǔ)單元索引表中每個(gè)地址所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元內(nèi)寫入數(shù)據(jù)后,還包括步驟判斷所述被寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元的讀出數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)是否相同,如果否,所述存儲(chǔ)單元寫功能不正確。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元測(cè)試方法,其特征在于,所述選擇存儲(chǔ)單元測(cè)試的類型為比特粘連測(cè)試,所述根據(jù)所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)對(duì)待測(cè)模塊的存儲(chǔ)單元索引表進(jìn)行讀寫操作具體包括向所述存儲(chǔ)單元索引表中每個(gè)地址所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元中的每個(gè)有效位依次寫入數(shù)據(jù),判斷從被寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元所讀出的數(shù)據(jù)和寫入的數(shù)據(jù)是否一致,如果否,所述被寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元存在比特粘連問題。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元測(cè)試方法,其特征在于,所述選擇存儲(chǔ)單元測(cè)試的類型為讀寫功能測(cè)試,所述根據(jù)所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)對(duì)待測(cè)模塊的存儲(chǔ)單元索引表進(jìn)行讀寫操作具體包括依次向所述存儲(chǔ)單元索引表中每個(gè)地址所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù),判斷從被寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元所讀出的數(shù)據(jù)是否與寫入的數(shù)據(jù)一致,如果否,所述被寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元讀寫功能不正常。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)單元測(cè)試方法,其特征在于,在選擇存儲(chǔ)單元測(cè)試類型之前,進(jìn)一步包括對(duì)待測(cè)模塊進(jìn)行上電復(fù)位,在復(fù)位過程中判斷待測(cè)模塊所包含的存儲(chǔ)單元的值是否為缺省值,如果否,則確定所述存儲(chǔ)單元缺省值不正確。
7.一種存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng),用于測(cè)試待測(cè)模塊的性能,所述待測(cè)模塊包括至少一個(gè)存儲(chǔ)單元,其特征在于,所述待測(cè)模塊還包括與存儲(chǔ)單元地址相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元索引表,所述存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng)包括仿真機(jī)制選擇單元、測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生單元以及測(cè)試結(jié)果分析單元,所述仿真機(jī)制選擇單元用于選擇測(cè)試類型;所述測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生單元根據(jù)選擇的測(cè)試類型產(chǎn)生相應(yīng)的測(cè)試激勵(lì)信號(hào)發(fā)送給待測(cè)模塊和測(cè)試結(jié)果分析模塊;所述測(cè)試結(jié)果分析模塊從所述待測(cè)模塊的存儲(chǔ)單元索引表讀取數(shù)據(jù)生成測(cè)試結(jié)果。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,進(jìn)一步包括顯示單元,用于將所述存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng)外部輸入的信息輸出給所述仿真機(jī)制選擇單元,并將所述測(cè)試結(jié)果分析單元生成的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行顯示。
9根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,所述存儲(chǔ)單元索引表的內(nèi)容包括存儲(chǔ)單元的地址、有效位以及缺省值。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,所述仿真機(jī)制選擇單元選擇的測(cè)試類型為地址粘連測(cè)試或比特粘連測(cè)試或讀寫功能測(cè)試。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào)單元生成的測(cè)試激勵(lì)信號(hào)包括寫數(shù)據(jù)信號(hào)、寫使能信號(hào)、寫地址信號(hào)、讀使能信號(hào)、讀地址信號(hào)或時(shí)鐘信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)單元測(cè)試方法及其系統(tǒng),所述測(cè)試方法包括選擇存儲(chǔ)單元測(cè)試類型;根據(jù)所選擇的測(cè)試類型產(chǎn)生相應(yīng)的測(cè)試激勵(lì)信號(hào)并發(fā)送至待測(cè)模塊;根據(jù)所述測(cè)試激勵(lì)信號(hào),對(duì)待測(cè)模塊的存儲(chǔ)單元索引表進(jìn)行讀寫操作;生成相應(yīng)的測(cè)試結(jié)果。本發(fā)明提供的存儲(chǔ)單元測(cè)試方法及其系統(tǒng)測(cè)試功能較全面且能有效減少工作量以及降低成本。
文檔編號(hào)G11C29/04GK1945747SQ20061015068
公開日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2006年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月23日
發(fā)明者徐善鋒 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司