專利名稱：信息記錄/再現(xiàn)裝置、磁頭懸浮高度控制方法和控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及控制磁頭相對(duì)于記錄介質(zhì)的懸浮高度的信息記錄/再現(xiàn)裝置、磁頭懸浮高度控制方法和磁頭懸浮控制電路。
背景技術(shù)：
在磁盤裝置中，包含磁頭的滑塊利用由磁盤旋轉(zhuǎn)引起的氣流懸浮在與磁盤表面十分接近處。由于減小了懸浮高度，靈敏性變高并且可抑制磁場(chǎng)的不必要變寬。因此，對(duì)于增加磁盤裝置的容量來(lái)說(shuō)，滑塊的懸浮高度上的減小是必不可少的。
目前，隨著懸浮表面的設(shè)計(jì)改進(jìn)和滑塊加工技術(shù)上的進(jìn)步，磁頭懸浮高度被減小到約10納米。然而，設(shè)計(jì)上的改進(jìn)接近極限，有必要執(zhí)行對(duì)懸浮高度的主動(dòng)控制以進(jìn)一步減小懸浮高度。
作為涉及本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)，公知的有下列方法施加電流到設(shè)在磁頭部分的熱元件電阻以使磁頭部分由于產(chǎn)生的熱而變形，從而減小懸浮高度(凸出磁頭)的方法(例如參考日本專利申請(qǐng)?jiān)缙诠_平5-20635(專利文獻(xiàn)1))；類似上述專利文獻(xiàn)1的方法，加熱電阻以增加懸浮高度(減小磁頭的凸出量)的方法(例如參考日本專利申請(qǐng)?jiān)缙诠_No.2004-241092(專利文獻(xiàn)2))；施加電壓到設(shè)在滑塊背面上的壓電元件以使滑塊的背面彎曲，從而增加懸浮高度的方法(例如參考日本專利申請(qǐng)?jiān)缙诠_昭62-250570和平5-347078(專利文獻(xiàn)3和4))；利用庫(kù)侖力來(lái)改變磁頭懸浮高度的靜電懸浮方法(例如參考日本專利申請(qǐng)?jiān)缙诠_昭61-113117(專利文獻(xiàn)5))；以及使支撐滑塊的懸架變形以改變磁頭懸浮高度的方法(例如參考日本專利早期公開昭61-172285(專利文獻(xiàn)6))。
然而，諸如上述專利文獻(xiàn)1、2或5中公開的方法最多可改變懸浮高度5納米。此外，專利文獻(xiàn)1的方法可減小懸浮高度，但是不能增加懸浮高度。類似地，專利文獻(xiàn)2、3和4的方法可增加懸浮高度，但不能減小懸浮高度。
在像專利文獻(xiàn)1或2中利用由于產(chǎn)生的熱而引起的變形的方法中，施加的電流和變形量彼此成正比，因此總是需要與變形量相應(yīng)的功耗以保持指定的懸浮高度。該功耗對(duì)于功耗被嚴(yán)格限制的便攜式應(yīng)用來(lái)說(shuō)是很嚴(yán)重的問(wèn)題。在像專利文獻(xiàn)1、2或6的方法中，不能在高速下改變懸浮高度。例如，在專利文獻(xiàn)1和2的方法中，就熱傳導(dǎo)的時(shí)間常數(shù)來(lái)說(shuō)，從幾十毫秒到幾百毫秒的延時(shí)是不可避免的。在使用熱變形的方法中，無(wú)法跟上由于磁盤表面的波度(waviness)而引起的高速懸浮變化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明用于解決上述問(wèn)題，并且其目的在于提供能夠充分控制磁頭懸浮高度的信息記錄/再現(xiàn)裝置、磁頭懸浮高度控制方法和磁頭懸浮控制電路。
為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的第一技術(shù)方案，提供了具有執(zhí)行在記錄介質(zhì)上的信息記錄或從記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)的磁頭的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其包括第一驅(qū)動(dòng)部分，基于第一驅(qū)動(dòng)方法改變磁頭相對(duì)于記錄介質(zhì)的懸浮高度；第二驅(qū)動(dòng)部分，基于與第一驅(qū)動(dòng)方法不同的第二驅(qū)動(dòng)方法改變磁頭相對(duì)于存儲(chǔ)介質(zhì)的懸浮高度；懸浮高度測(cè)量部分，測(cè)量磁頭懸浮高度；以及控制器，基于由懸浮高度測(cè)量部分測(cè)量的磁頭懸浮高度，控制第一和第二驅(qū)動(dòng)部分。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)裝置中，懸浮高度測(cè)量部分基于從磁頭輸出的再現(xiàn)信號(hào)電平測(cè)量懸浮高度。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)裝置中，控制器控制第一驅(qū)動(dòng)部分或第二驅(qū)動(dòng)部分以修正由于磁頭和在其中設(shè)置磁頭的滑塊的生產(chǎn)差異而引起的懸浮高度的差異。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)裝置中，控制器控制第一驅(qū)動(dòng)部分或第二驅(qū)動(dòng)部分以在讀/寫操作時(shí)間之外將懸浮高度增加預(yù)定的水平。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)裝置中，控制器控制第一驅(qū)動(dòng)部分或第二驅(qū)動(dòng)部分以修正由于氣壓差異而引起的懸浮高度的差異。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)裝置中，控制器控制第一驅(qū)動(dòng)部分或第二驅(qū)動(dòng)部分以修正由于磁頭在磁盤徑向上的位置差異而引起的懸浮高度的差異。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)裝置中，控制器控制第一驅(qū)動(dòng)部分或第二驅(qū)動(dòng)部分以修正由于施加到信息記錄/再現(xiàn)裝置的撞擊而引起的懸浮高度的差異。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)裝置中，在磁盤的表面上存在各種周期的波度，并且控制器允許第一驅(qū)動(dòng)部分跟隨具有第一給定范圍的周期的波度，并允許第二驅(qū)動(dòng)部分跟隨具有第二給定范圍的周期的波度，其中所述第二指定范圍小于所述第一給定范圍。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)裝置中，第一驅(qū)動(dòng)部分被變形以減小磁頭的懸浮高度，并且第二驅(qū)動(dòng)部分被變形以增加磁頭的懸浮高度。
根據(jù)本發(fā)明的第二技術(shù)方案，提供了磁頭懸浮高度控制方法，控制執(zhí)行在記錄介質(zhì)上的信息記錄或從記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)的磁頭的懸浮高度，所述方法包括懸浮高度測(cè)量步驟，測(cè)量磁頭懸浮高度；以及控制步驟，基于第一驅(qū)動(dòng)方法控制磁頭相對(duì)于記錄介質(zhì)的懸浮高度，并基于與第一驅(qū)動(dòng)方法不同的第二驅(qū)動(dòng)方法控制磁頭相對(duì)于記錄介質(zhì)的懸浮高度。
根據(jù)本發(fā)明的第三技術(shù)方案，提供了磁頭懸浮控制電路，控制執(zhí)行在記錄介質(zhì)上的信息記錄或從記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)的磁頭的懸浮，所述電路包括第一驅(qū)動(dòng)部分，基于第一驅(qū)動(dòng)方法改變磁頭的懸浮高度；第二驅(qū)動(dòng)部分，基于與第一驅(qū)動(dòng)方法不同的第二驅(qū)動(dòng)方法改變磁頭的懸浮高度；懸浮高度測(cè)量部分，測(cè)量磁頭懸浮高度；以及控制器，基于由懸浮高度測(cè)量部分測(cè)量的磁頭懸浮高度，控制第一和第二驅(qū)動(dòng)部分。
根據(jù)本發(fā)明，可以在各種情形中充分控制磁頭懸浮高度。


圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置的配置示例的框圖；圖2是示出了根據(jù)本實(shí)施例的磁盤裝置中磁頭41附近的配置示例的視圖；圖3是示出了根據(jù)本實(shí)施例的滑塊51的配置的第一示例的下表面視圖；圖4是示出了根據(jù)本實(shí)施例的滑塊51的配置的第一示例的上表面視圖；圖5是示出了根據(jù)本實(shí)施例的滑塊51的配置的第一示例的側(cè)表面視圖；圖6是示出了根據(jù)本實(shí)施例的懸浮高度控制處理操作的示例的流程圖；以及圖7是示出了根據(jù)本實(shí)施例的滑塊51的配置的第二示例的下表面視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
首先描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置(信息記錄/再現(xiàn)裝置)的配置。
圖1是示出了根據(jù)本實(shí)施例的磁盤裝置的配置示例的框圖。圖1中所示的磁盤裝置包括硬盤控制器11、讀取通道(read channel)21(控制器、懸浮高度測(cè)量部分)、主軸馬達(dá)控制器31、主軸馬達(dá)32、音圈馬達(dá)控制器33、音圈馬達(dá)34、磁頭41、驅(qū)動(dòng)部分43a(第一驅(qū)動(dòng)部分)和驅(qū)動(dòng)部分43b(第二驅(qū)動(dòng)部分)。
圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的磁盤裝置中磁頭41附近的配置示例的視圖。上述磁盤裝置還包括滑塊51、撓臂52、懸架53和盤61(記錄介質(zhì))?；瑝K51通過(guò)撓臂52固定到懸架53上。懸架53安裝在音圈馬達(dá)34上并由音圈馬達(dá)34驅(qū)動(dòng)。盤61放置在主軸馬達(dá)32上并由主軸馬達(dá)32驅(qū)動(dòng)?；瑝K51懸浮在盤61上。磁頭41設(shè)在滑塊51的盤61側(cè)。
硬盤控制器11根據(jù)來(lái)自主機(jī)的指令控制上述部件，并與主機(jī)交換數(shù)據(jù)。主軸馬達(dá)控制器31根據(jù)來(lái)自硬盤控制器11的指令控制主軸馬達(dá)32的操作。主軸馬達(dá)32使盤61旋轉(zhuǎn)。音圈馬達(dá)控制器33根據(jù)來(lái)自硬盤控制器11的指令控制音圈馬達(dá)34的操作。音圈馬達(dá)34驅(qū)動(dòng)懸架53。
讀取通道21將來(lái)自硬盤控制器11的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)并將所述信號(hào)輸出到磁頭41，并且將來(lái)自磁頭41的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)并將所述數(shù)據(jù)輸出到硬盤控制器11。此外，讀取通道21基于從磁頭41輸出的再現(xiàn)信號(hào)電平測(cè)量磁頭41的懸浮高度(懸浮高度測(cè)量步驟)，并基于測(cè)量結(jié)果控制驅(qū)動(dòng)部分43a和43b(控制步驟)，從而控制磁頭41的懸浮高度。
接下來(lái)將描述滑塊51的配置。
對(duì)于滑塊51，假設(shè)位于盤61一側(cè)的表面稱為“下表面”，與盤61相反的表面稱為“上表面”，其他表面稱為“側(cè)表面”。在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)部分43a是由熱膨脹引起變形的加熱體(第一驅(qū)動(dòng)方法)，驅(qū)動(dòng)部分43b是在撓曲模式(flexural mode)下由壓電形變(piezoelectricdistortion)引起變形的壓電元件(第二驅(qū)動(dòng)方法)。圖3是示出了根據(jù)本實(shí)施例的滑塊51的配置的第一示例的下表面視圖?；瑝K51具有位于盤61側(cè)的表面上的一個(gè)中心焊盤71和兩個(gè)側(cè)焊盤72。包含驅(qū)動(dòng)部分43a的磁頭41被布置在中心焊盤71上。圖4是示出了根據(jù)本實(shí)施例的滑塊51的配置的第一實(shí)施例的上表面視圖?；瑝K51具有位于與盤61相反的表面上的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)部分43b。圖5是示出了根據(jù)本實(shí)施例的滑塊51的配置的第一示例的側(cè)表面視圖。
磁頭41的兩條讀取線、磁頭41的兩條寫入線、驅(qū)動(dòng)部分43a的兩條驅(qū)動(dòng)線和驅(qū)動(dòng)部分43b的兩條驅(qū)動(dòng)線通過(guò)撓臂52上的線路通道和懸架53上的線路通道并且連接到讀取通道21。當(dāng)電流由讀取通道21供應(yīng)到驅(qū)動(dòng)部分43a時(shí)，磁頭41與驅(qū)動(dòng)部分43a一起凸出以減小磁頭41的懸浮高度。當(dāng)電壓由讀取通道21施加到驅(qū)動(dòng)部分43b時(shí)，滑塊51彎曲，如圖5的虛線所示，因此磁頭41的懸浮高度被滑塊51和盤61之間的氣流影響增加了。
接下來(lái)將給出驅(qū)動(dòng)部分43a和43b的描述。
在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)部分43a是磁頭41上的加熱體(例如參考專利文獻(xiàn)1和2的技術(shù))，驅(qū)動(dòng)部分43b是滑塊51上的壓電元件(例如參考專利文獻(xiàn)3和4的技術(shù))。另外，懸架53上的壓電元件(例如參考專利文獻(xiàn)6的技術(shù))和靜電懸浮方法(例如參考專利文獻(xiàn)5的技術(shù))是可用的。這里將為每個(gè)驅(qū)動(dòng)方法給出對(duì)諸如響應(yīng)速度、成本增加、功耗、位移和懸浮姿態(tài)的特征的描述。
將首先描述磁頭41上的加熱體的特征。響應(yīng)速度約為幾毫秒(隨著功耗的增加而降低)。成本增加很小。功耗增加到100毫瓦，并且在變形期間必須施加電流。位移最多約為10納米。懸浮姿態(tài)僅在懸浮高度減小的方向上可控。
滑塊51上的壓電元件的特征如下。響應(yīng)速度約為10微秒。成本由于在磁頭41中并入壓電元件的額外過(guò)程而增加。由于驅(qū)動(dòng)電壓的原因，操作期間的功耗基本為0。位移可被一直增加到約100納米。滑塊51的懸浮姿態(tài)的變化很大。
懸架53上的壓電元件的特征如下。響應(yīng)速度約為1毫秒。因?yàn)閴弘娫浇拥綉壹?3可能對(duì)整體性能產(chǎn)生不利影響，所以成本增加。由于驅(qū)動(dòng)電壓的原因，操作期間的功耗基本為0。位移可被一直增加到約1000納米?；瑝K51的懸浮姿態(tài)的變化很大。
靜電懸浮方法的特征如下。響應(yīng)速度約為1微秒。因?yàn)樾枰^緣，所以成本增加。由于驅(qū)動(dòng)電壓的原因，操作期間的功耗基本為0。位移可被一直增加到約5納米?；瑝K51的懸浮姿態(tài)的變化很小。
接下來(lái)，將描述由讀取通道21執(zhí)行的懸浮高度控制處理操作。
圖6是示出了根據(jù)本實(shí)施例的懸浮高度控制處理操作的示例的流程圖。當(dāng)磁盤裝置起動(dòng)時(shí)，讀取通道21執(zhí)行生產(chǎn)差異修正處理(S11)。然后，當(dāng)從硬盤控制器11接收讀或?qū)懼噶顣r(shí)，讀取通道21執(zhí)行讀/寫開始時(shí)的懸浮高度控制處理(S21)。然后，讀取通道21執(zhí)行讀/寫期間的懸浮高度修正處理(S22)。讀或?qū)懖僮魍瓿芍?，讀取通道21執(zhí)行讀/寫結(jié)束時(shí)的懸浮高度控制處理(S23)。然后，讀取通道21確定磁盤裝置的操作是否結(jié)束(S31)。如果裝置的操作未結(jié)束(步驟S31中的“否”)，則流程返回到步驟S21；另一方面，如果裝置的操作結(jié)束(步驟S31中的“是”)，則流程結(jié)束。
接下來(lái)將詳細(xì)描述生產(chǎn)差異修正處理。
滑塊51懸浮差異的發(fā)生取決于滑塊51的處理精度。此外，磁頭41靈敏性差異的發(fā)生取決于磁頭41的工藝差異。生產(chǎn)差異修正處理對(duì)由于上述生產(chǎn)差異而引起的懸浮高度的差異進(jìn)行修正。生產(chǎn)差異修正處理需要滑塊51的懸浮姿態(tài)差異小，因此使用驅(qū)動(dòng)部分43a(加熱體)。在生產(chǎn)差異修正處理中，讀取通道21基于預(yù)先測(cè)量的懸浮差異或靈敏性差異來(lái)控制驅(qū)動(dòng)部分43a以修正懸浮高度。在該處理中，可使用靜電懸浮方法或懸架53上的壓電元件代替加熱體。
接下來(lái)將詳細(xì)描述讀/寫開始時(shí)的懸浮高度控制處理和讀/寫結(jié)束時(shí)的懸浮高度控制處理。
執(zhí)行讀/寫開始時(shí)的懸浮高度控制處理是為了減小磁頭41在讀/寫開始時(shí)的懸浮高度，而執(zhí)行讀/寫結(jié)束時(shí)的懸浮高度控制處理是為了增加磁頭41在讀/寫結(jié)束時(shí)的懸浮高度。根據(jù)上述處理，在讀/寫操作未被執(zhí)行期間，磁頭41離開磁盤，這提高了磁盤裝置的可靠性。在這種情況下，讀/寫開始時(shí)的懸浮高度控制處理和讀/寫結(jié)束時(shí)的懸浮高度控制處理需要磁頭41的較大位移，因此使用驅(qū)動(dòng)部分43b(壓電元件)。在讀/寫開始時(shí)的懸浮高度控制處理中，讀取通道21控制驅(qū)動(dòng)部分43b以將懸浮高度減小到預(yù)定水平。類似地，在執(zhí)行讀/寫結(jié)束時(shí)的懸浮高度控制處理中，讀取通道21控制驅(qū)動(dòng)部分43b以將懸浮高度增加到預(yù)定水平。在讀/寫開始時(shí)的懸浮高度控制處理和讀/寫結(jié)束時(shí)的懸浮高度控制處理中，可使用懸架53上的壓電元件或加熱體代替滑塊51上的壓電元件。
接下來(lái)將詳細(xì)描述讀/寫期間的懸浮高度修正處理。
執(zhí)行讀/寫期間的懸浮高度修正處理是為了將懸浮高度保持在給定的水平，防止由于徑向上的位置差異而引起的懸浮高度差異、由于氣壓的差異而引起的懸浮高度差異、由于介質(zhì)的表面粗糙度而引起的懸浮高度差異和由于撞擊而引起的懸浮高度差異。在讀/寫期間的懸浮高度修正處理中，讀取通道21控制驅(qū)動(dòng)部分43a和43b以將懸浮高度保持在給定的水平。
由于徑向位置的差異而引起的懸浮高度差異的意思是磁頭41在盤61的內(nèi)圓周處的懸浮高度不同于磁頭41在盤61的外圓周處的懸浮高度。在這種情況下的位移小到5納米或更小。在對(duì)由于徑向位置的差異而引起的懸浮高度差異的修正處理中，使用驅(qū)動(dòng)部分43a(加熱體)?？墒褂渺o電懸浮方法代替加熱體。
由于氣壓差異而引起的懸浮高度差異的意思是由于磁盤裝置的使用環(huán)境等的高度影響而引起磁頭41的懸浮高度變化。需要磁盤裝置能夠在3000米的高海拔下使用。當(dāng)氣壓由于高海拔而降低時(shí)，需要增加懸浮高度，這涉及滑塊51的懸浮姿態(tài)的變化。因此，在對(duì)由于氣壓差異而引起的懸浮高度差異的修正處理中，使用能夠控制懸浮姿態(tài)的驅(qū)動(dòng)部分43b(壓電元件)。可以使用懸架53上的壓電元件或靜電懸浮方法代替滑塊51上的壓電元件。
由于介質(zhì)表面粗糙度而引起的懸浮高度差異的意思是磁頭41的懸浮高度由于盤61的表面波度而變化。介質(zhì)表面上存在各種周期(毫米～微米)的波度。表面粗糙度取決于所述周期。在所述周期大到幾毫米的情況下，粗糙度達(dá)到幾微米，而在周期小到幾微米的情況下，粗糙度為幾納米。假設(shè)盤61的旋轉(zhuǎn)速度是恒定的，則對(duì)大周期來(lái)說(shuō)低響應(yīng)速度就足夠了，而小周期則需要高速。因此，在對(duì)由于磁盤表面粗糙度而引起的懸浮高度差異的修正處理中，驅(qū)動(dòng)部分43a(加熱體)用于大周期的情況，而驅(qū)動(dòng)部分43b(壓電元件)用于小周期的情況，這樣可以適應(yīng)介質(zhì)表面的每種形狀。
在對(duì)由于介質(zhì)表面粗糙程度而引起的懸浮高度差異的修正處理中，在使用變形率被減小相當(dāng)多的盤61的情況中，滑塊51上的上述加熱體和壓電元件的組合是有效的。在這種情況下，懸架53上的壓電元件可用于大周期的情況，而加熱體可用于小周期的情況。在使用具有高變形率的盤61的情況中，滑塊51上的壓電元件可用于大周期的情況，而靜電懸浮方法可用于小周期的情況。類似地，在這種情況下，懸架53上的壓電元件可用于大周期的情況，而靜電懸浮方法可以用于小周期的情況。
在由于撞擊而引起的磁頭41的懸浮高度差異情況中，磁頭41的位置在撞擊時(shí)可被移動(dòng)約100納米。希望可以控制毫秒或更快的響應(yīng)速度、約100納米的大位移及滑塊51的姿態(tài)。因此，在對(duì)由于撞擊而引起的懸浮高度差異的修正處理中，使用驅(qū)動(dòng)部分43b(壓電元件)。由于撞擊而引起的懸浮高度被因此修正以保持磁頭41的懸浮高度和滑塊51的懸浮姿態(tài)恒定，防止磁頭41與盤61接觸?？墒褂脩壹?3上的壓電元件或靜電懸浮方法代替滑塊51上的壓電元件。
驅(qū)動(dòng)部分43a和43b的布置可被改變。圖7是示出了根據(jù)本實(shí)施例的滑塊51的配置的第二示例的下表面視圖。在圖7中，與圖3中相同的標(biāo)號(hào)表示與圖3中相同或相應(yīng)的部分，這里將省略其描述。驅(qū)動(dòng)部分43a是加熱體(第一驅(qū)動(dòng)方法)，并且兩個(gè)驅(qū)動(dòng)部分43b是厚度模式(thicknessmode)壓電元件(第二驅(qū)動(dòng)方法)。在這種情況下，驅(qū)動(dòng)部分43b分別設(shè)在側(cè)焊盤72中。
如在圖3中所示配置的情況下，當(dāng)電流由讀取通道21供應(yīng)到驅(qū)動(dòng)部分43a時(shí)，磁頭41與驅(qū)動(dòng)部分43a一起凸出以減小磁頭41的懸浮高度。當(dāng)極化方向的電壓由讀取通道21施加到驅(qū)動(dòng)部分43b時(shí)，驅(qū)動(dòng)部分43b的厚度被減小，因此磁頭41的懸浮高度被滑塊51和盤61之間的氣流影響減小。當(dāng)與極化方向相反的電壓由讀取通道21施加到驅(qū)動(dòng)部分43b時(shí)，驅(qū)動(dòng)部分43b的厚度被增加，因此磁頭41的懸浮高度被滑塊51和盤61之間的氣流影響增加。
兩個(gè)驅(qū)動(dòng)部分43b可以是加熱體(第二驅(qū)動(dòng)方法)。如在圖3中所示配置的情況下，當(dāng)電流由讀取通道21供應(yīng)到驅(qū)動(dòng)部分43a時(shí)，磁頭41與驅(qū)動(dòng)部分43a一起凸出以減小磁頭41的懸浮高度。當(dāng)電流由讀取通道21施加到驅(qū)動(dòng)部分43b時(shí)，驅(qū)動(dòng)部分43b的厚度被增加，因此磁頭41的懸浮高度被滑塊51和盤61之間的氣流影響增加。
根據(jù)本實(shí)施例的磁頭懸浮控制電路可容易地應(yīng)用于信息記錄/再現(xiàn)裝置，并能提高其性能。根據(jù)本實(shí)施例的信息記錄/再現(xiàn)裝置的示例包括磁盤裝置、光盤裝置、磁光盤裝置等。
權(quán)利要求
1.一種信息記錄/再現(xiàn)裝置，具有執(zhí)行在記錄介質(zhì)上的信息記錄或從記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)的磁頭，所述信息記錄/再現(xiàn)裝置包括第一驅(qū)動(dòng)部分，基于第一驅(qū)動(dòng)方法改變所述磁頭相對(duì)于所述記錄介質(zhì)的懸浮高度；第二驅(qū)動(dòng)部分，基于與所述第一驅(qū)動(dòng)方法不同的第二驅(qū)動(dòng)方法改變所述磁頭相對(duì)于所述記錄介質(zhì)的懸浮高度；懸浮高度測(cè)量部分，測(cè)量所述磁頭懸浮高度；以及控制器，基于由所述懸浮高度測(cè)量部分測(cè)量的所述磁頭懸浮高度，控制所述第一和第二驅(qū)動(dòng)部分。
2.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述懸浮高度測(cè)量部分基于從所述磁頭輸出的再現(xiàn)信號(hào)電平測(cè)量所述懸浮高度。
3.如權(quán)利要求1或2所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述控制器控制所述第一驅(qū)動(dòng)部分或所述第二驅(qū)動(dòng)部分，以修正由于所述磁頭和在其中設(shè)置所述磁頭的滑塊的生產(chǎn)差異而引起的所述懸浮高度的差異。
4.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述控制器控制所述第一驅(qū)動(dòng)部分或所述第二驅(qū)動(dòng)部分，以在讀/寫操作時(shí)間之外將所述懸浮高度增加預(yù)定的水平。
5.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述控制器控制所述第一驅(qū)動(dòng)部分或所述第二驅(qū)動(dòng)部分，以修正由于氣壓差異而引起的所述懸浮高度的差異。
6.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述控制器控制所述第一驅(qū)動(dòng)部分或所述第二驅(qū)動(dòng)部分，以修正由于所述磁頭在所述磁盤徑向上的位置差異而引起的所述懸浮高度的差異。
7.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述控制器控制所述第一驅(qū)動(dòng)部分或所述第二驅(qū)動(dòng)部分以修正由于施加到所述信息記錄/再現(xiàn)裝置的撞擊而引起的所述懸浮高度的差異。
8.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中在盤的表面上存在各種周期的波度，并且所述控制器允許所述第一驅(qū)動(dòng)部分跟隨具有第一給定范圍的周期的波度，并允許所述第二驅(qū)動(dòng)部分跟隨具有第二給定范圍的周期的波度，其中所述第二給定范圍小于所述第一給定范圍。
9.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述第一驅(qū)動(dòng)部分被變形以減小所述磁頭的懸浮高度，并且所述第二驅(qū)動(dòng)部分被變形以增加所述磁頭的懸浮高度。
10.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述控制器控制將被供應(yīng)到所述第一驅(qū)動(dòng)部分的電流，并控制將被供應(yīng)到所述第二驅(qū)動(dòng)部分的電壓。
11.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述第二驅(qū)動(dòng)部分具有比所述第一驅(qū)動(dòng)部分更高的響應(yīng)速度。
12.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述第一和第二驅(qū)動(dòng)部分中的至少一個(gè)使用熱膨脹來(lái)改變所述磁頭的懸浮高度。
13.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述第一和第二驅(qū)動(dòng)部分中的至少一個(gè)使用壓電形變來(lái)改變所述磁頭的懸浮高度。
14.如權(quán)利要求13所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述第一和第二驅(qū)動(dòng)部分中的至少一個(gè)是工作在撓曲模式下的壓電元件，并且所述壓電元件設(shè)在具有所述磁頭的所述滑塊的與所述磁頭相反側(cè)的表面上。
15.如權(quán)利要求13所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述第一和第二驅(qū)動(dòng)部分中的至少一個(gè)是工作在厚度模式下的壓電元件，并且所述壓電元件設(shè)在形成于具有所述磁頭的所述滑塊上的側(cè)焊盤上。
16.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述第一和第二驅(qū)動(dòng)部分中的至少一個(gè)使支撐具有所述磁頭的所述滑塊的懸架變形。
17.如權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)裝置，其中所述第一和第二驅(qū)動(dòng)部分中的至少一個(gè)在具有所述磁頭的所述滑塊和所述記錄介質(zhì)之間產(chǎn)生庫(kù)侖力。
18.一種磁頭懸浮高度控制方法，控制執(zhí)行在記錄介質(zhì)上的信息記錄或從記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)的磁頭的懸浮高度，所述方法包括懸浮高度測(cè)量步驟，測(cè)量所述磁頭懸浮高度；以及控制步驟，基于第一驅(qū)動(dòng)方法控制所述磁頭相對(duì)于所述記錄介質(zhì)的懸浮高度，并基于與所述第一驅(qū)動(dòng)方法不同的第二驅(qū)動(dòng)方法控制所述磁頭相對(duì)于所述記錄介質(zhì)的懸浮高度。
19.一種磁頭懸浮控制電路，控制執(zhí)行在記錄介質(zhì)上/的信息記錄或從記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)的磁頭的懸浮，所述電路包括第一驅(qū)動(dòng)部分，基于第一驅(qū)動(dòng)方法改變所述磁頭的懸浮高度；第二驅(qū)動(dòng)部分，基于與所述第一驅(qū)動(dòng)方法不同的第二驅(qū)動(dòng)方法改變所述磁頭的懸浮高度；懸浮高度測(cè)量部分，測(cè)量所述磁頭懸浮高度；以及控制器，基于由所述懸浮高度測(cè)量部分測(cè)量的所述磁頭懸浮高度，控制所述第一和第二驅(qū)動(dòng)部分。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種能夠充分控制磁頭懸浮高度的信息記錄/再現(xiàn)裝置、磁頭懸浮高度控制方法和磁頭懸浮控制電路。具有執(zhí)行在記錄介質(zhì)上的信息記錄或從記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)的磁頭(41)的信息記錄/再現(xiàn)裝置包括驅(qū)動(dòng)部分(43a)，基于第一驅(qū)動(dòng)方法改變磁頭(41)相對(duì)于記錄介質(zhì)的懸浮高度；驅(qū)動(dòng)部分(43b)，基于與第一驅(qū)動(dòng)方法不同的第二驅(qū)動(dòng)方法改變磁頭(41)相對(duì)于存儲(chǔ)介質(zhì)的懸浮高度；懸浮高度測(cè)量部分，測(cè)量磁頭(41)的懸浮高度；以及控制器，基于由懸浮高度測(cè)量部分測(cè)量的磁頭懸浮高度，控制驅(qū)動(dòng)部分(43a，43b)。
文檔編號(hào)G11B5/012GK101059997SQ20061015211
公開日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2006年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月21日
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