專利名稱：具有減少的c－軸分布的薄膜結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及具有減少的C-軸分布的薄膜結(jié)構(gòu)，更具體地，本發(fā)明涉及以具有減少的C-軸分布的記錄介質(zhì)形式構(gòu)造的薄膜結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前需要進(jìn)一步提高磁性數(shù)據(jù)存儲的容量。在薄膜磁性材料方面的研究工作的一個主要目的是制造具有適合以較高的數(shù)據(jù)密度進(jìn)行記錄的特性的記錄介質(zhì)。達(dá)到較高的記錄密度受到一些問題的影響。第一，隨著對應(yīng)于數(shù)據(jù)的磁通量變小，將數(shù)據(jù)信號與噪聲分開變得更加困難。第二，隨著記錄密度提高而材料沒有相應(yīng)的改進(jìn)，接近了材料的超順磁性限度，使熱能可能引起儲存在磁性材料中的數(shù)據(jù)的隨機(jī)化。這些問題都涉及到與磁性材料的磁各向異性相關(guān)聯(lián)的能量密度，它通常由對于特定材料的常數(shù)Ku來量化。對記錄介質(zhì)需要具有較高的Ku值的材料，以避免上述問題。
在具有較大Ku值的材料中，一般也提高了介質(zhì)矯頑力(Hc)的特性。磁介質(zhì)的增加的矯頑力反過來需要由記錄磁頭生成的更大的寫場強(qiáng)。矯頑力越大，所需的寫場強(qiáng)越大，因此在磁性材料中成功地記錄數(shù)據(jù)就越困難。
為克服在寫高Ku材料時的高寫場強(qiáng)要求的問題所建議的一種方法是使磁化從垂直記錄中的表面法線或從縱向記錄中的表面平面傾斜。對于這個建議，介質(zhì)必須在較佳磁化方向(易磁化軸)和表面法線之間的角度降至0°(垂直介質(zhì))和90°(縱向介質(zhì))之間處形成，也稱為傾斜介質(zhì)。已經(jīng)進(jìn)行了很多嘗試來制造傾斜介質(zhì)卻沒有成功。
制造傾斜介質(zhì)的一個困難是控制C-軸分布。C-軸分布被定義為C-軸的分散關(guān)于基準(zhǔn)方向的半最大值全寬度(FWHM)，而對于傾斜介質(zhì)，基準(zhǔn)方向是平均C-軸傾斜。該分布可由X-射線衍射通過做出搖擺曲線和/或磁極圖來測量。對于傾斜介質(zhì)通常觀察到的問題是對于增加的傾斜角度，C-軸分布增加，其中增加的C-軸分布是不合需要的。
因此，確定需要一種具有減少的C-軸分布的改進(jìn)的薄膜結(jié)構(gòu)。
此外，確定需要一種具有減少的C-軸分布的改進(jìn)的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。具體地，期望以傾斜介質(zhì)和具有減小的C-軸分布的形式構(gòu)成數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。
進(jìn)一步確定需要一種克服已知的薄膜結(jié)構(gòu)，尤其是已知的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的缺點(diǎn)、不足和限制的薄膜結(jié)構(gòu)，例如，數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明滿足所確定的需求和其它需求，如將通過仔細(xì)閱讀本說明書和附圖更全面地理解的。
本發(fā)明一方面是提供包括一種薄膜結(jié)構(gòu)，該薄膜結(jié)構(gòu)具有第一表面和不與第一表面平行的第二表面的襯底、覆蓋在該襯底的第一表面和第二表面之上的種子層、以及該種子層之上的磁性材料層。該磁性材料層具有相對于磁性材料層表面法線傾斜的C-軸。該種子層具有朝向一般與襯底的第一表面或第二表面中的任一個垂直的柱狀結(jié)構(gòu)。該種子層的柱狀結(jié)構(gòu)充當(dāng)用于外延生長的模板。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，該第一表面一般與第二表面垂直。在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，C-軸的傾斜角在約20°至約70°的范圍內(nèi)。
本發(fā)明的另一個方面是提供一種數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，該數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)包括鋸齒形襯底、沉積在該襯底上的種子層結(jié)構(gòu)、以及沉積在該種子層結(jié)構(gòu)上的存儲層。該存儲層具有相對于存儲層的表面法線傾斜的C-軸。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，該存儲層是磁性存儲介質(zhì)。
本發(fā)明的又一個方面是提供一種數(shù)據(jù)存儲裝置，該數(shù)據(jù)存儲裝置包括記錄設(shè)備以及位于臨近該記錄設(shè)備處并具有表面法線的存儲介質(zhì)。該存儲介質(zhì)包括具有第一表面和不與第一表面平行的第二表面的襯底、覆蓋在該襯底上的種子層結(jié)構(gòu)、以及該種子層結(jié)構(gòu)上的存儲層。該存儲層具有相對于表面法線傾斜的C-軸。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，C-軸傾斜角在約20°至約70°的范圍內(nèi)。
閱讀以下描述，本發(fā)明的這些和其它方面將變得更加明顯。
附圖簡要說明

圖1是可利用根據(jù)本發(fā)明的垂直的、縱向的或傾斜的記錄介質(zhì)或其組合的磁盤驅(qū)動器的圖示。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的薄膜結(jié)構(gòu)，尤其是磁性記錄介質(zhì)的一個實(shí)施例。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的薄膜結(jié)構(gòu)，尤其是磁性記錄介質(zhì)的另一個實(shí)施例。
圖4為進(jìn)一步說明本發(fā)明示出本發(fā)明的實(shí)施例的圖像和沉積幾何結(jié)構(gòu)。
圖5a是示出本發(fā)明的一個例子的C-軸分布的(0002)Ru極性圖。
圖5b是為說明本發(fā)明示出C-軸傾斜和C-軸分布的(0002)Psi掃描。
圖6示出顯示對于靶軌道和襯底的“對稱性”和“0°”幾何結(jié)構(gòu)的C-軸傾斜和C-軸分布的(0002)Psi掃描。
詳細(xì)描述圖1是能利用根據(jù)本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)的磁盤驅(qū)動器10的圖示。磁盤驅(qū)動器10包括被確定尺寸并被配置為包含磁盤驅(qū)動器的各種組件的外殼12(在本視圖中，上部被去除，而下部可見)。磁盤驅(qū)動器10包括用于旋轉(zhuǎn)框架12內(nèi)諸如磁性記錄介質(zhì)16等至少一個磁性存儲介質(zhì)的主軸電動機(jī)14，磁性記錄介質(zhì)16可以是垂直的、縱向的和/或傾斜的磁性記錄介質(zhì)。至少一個臂18包含在外殼12內(nèi)，每一臂18具有帶記錄磁頭或滑動觸頭22的第一端20、以及通過軸承26作為樞軸安裝到軸上的第二端24。致動電動機(jī)28位于臂的第二端24上，用于在樞軸上轉(zhuǎn)動臂18以將記錄磁頭22定位在磁盤16的期望的扇區(qū)或磁道上。致動電動機(jī)28由控制器控制，控制器在本視圖中未被示出，但是本領(lǐng)域中已知的。
參考圖2，這里示出了采用薄膜結(jié)構(gòu)形式的本發(fā)明的一個實(shí)施例。具體地，該薄膜結(jié)構(gòu)被構(gòu)造為磁性記錄介質(zhì)30。磁性記錄介質(zhì)30以傾斜的磁性記錄介質(zhì)形式來構(gòu)造，如這里將會更加詳細(xì)地解釋的。盡管本發(fā)明的這個實(shí)施例是在磁性記錄介質(zhì)的上下文中說明的，但本發(fā)明同樣具有采用薄膜結(jié)構(gòu)形式的其它用途和應(yīng)用。例如，本發(fā)明還可具有作為鐵電介質(zhì)的用途。
仍參考圖2，磁性記錄介質(zhì)30包括具有至少一個第一表面34和至少一個第二表面36的襯底32。如圖所示，襯底32包括多個第一表面34和多個第二表面36。襯底32的第一表面34和第二表面36不彼此平行。在一個實(shí)施例中，襯底32具有一般為鋸齒形的構(gòu)造。在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，第一表面34是基本平坦的，且第二表面36也是基本平坦的。在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，第一表面34一般與第二表面36垂直。
襯底32可由例如，Al、無定形玻璃、Si、玻璃陶瓷、藍(lán)寶石或MgO形成。此外，襯底32可利用例如，納米刻印技術(shù)或納米平版印刷來制造以提供襯底32。例如，可利用形成圖案的技術(shù)來形成襯底32的結(jié)構(gòu)。E-束平版印刷、光刻或其它類型的平版印刷也可用于構(gòu)造鋸齒結(jié)構(gòu)。此外，通過例如化學(xué)蝕刻(或離子蝕刻)在單晶的晶面上刻面也可用于加工襯底32。
仍參考圖2，磁性記錄介質(zhì)30還包括沉積或覆蓋在襯底32的第一表面34和第二表面36上的種子層38。種子層可由例如Ru、Ta、Zr、Cr、Hf、Ir、Ag、Pt或Au形成。
再次參考圖2，磁性記錄介質(zhì)30還包括沉積或覆蓋在種子層38上的存儲層或磁性記錄層40。磁性記錄層40包括磁性層表面42和表面法線，如由一般與磁性層表面垂直地延伸的箭頭44表示的。如這里所使用的表面法線44也代表了襯底32的宏觀法線。磁性記錄層40可由例如CoPt及其合金、FePt、FePd、CoPt、SmCo、YCo、稀土-Co、CoPtCr、CoPtCrB或Co合金形成。
在沉積磁性記錄層40之前，將種子層38沉積在襯底32的第一表面34和第二表面36上。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，為種子層38所選擇的材料可利用傾斜物理氣相淀積工藝來從靶46淀積。傾斜淀積的角度可以是在與表面法線44成約20°到約70°的范圍內(nèi)的角度X。這導(dǎo)致具有柱狀、顆粒狀結(jié)構(gòu)的種子層38的朝向一般與襯底32的第一表面34垂直。這還導(dǎo)致具有晶體C-軸的種子層38的朝向一般也與第一表面34垂直，其中種子層38的C-軸一般由箭頭48表示。一旦種子層38被沉積到襯底32上，將意識到可利用諸如化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)等工藝來提供具有一般平坦或光滑的種子層表面50的種子層。
或者，種子層38還能以使柱形結(jié)構(gòu)的朝向一般與襯底32的第二表面36垂直的方式來沉積，這將導(dǎo)致具有晶體C-軸的種子層38的朝向一般也與第二表面36垂直。
將意識到，根據(jù)本發(fā)明，種子層結(jié)構(gòu)38具有獲得隨后沉積的磁性記錄層40中期望的傾斜所需的各種作用。例如，種子層38必需形成傾斜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。此外，種子層38必需促進(jìn)磁性記錄層40的局部外延生長。這些作用將種子層38所表現(xiàn)的影響描述為磁性記錄層40上和/或種子層自身內(nèi)的一個整體。
種子層38可由例如單一材料的單層、不同材料的多層或連續(xù)改變的材料成分的單層組成。如所述，本發(fā)明的一個實(shí)施例中的種子層38是通過傾斜沉積來形成的。然而，可使用替換的沉積形式以建立襯底32的表面34上(或表面36上)的期望的柱狀生長。
當(dāng)將種子層38的材料沉積到襯底32上并由此適于增長或促進(jìn)種子層38的期望的傾斜晶粒結(jié)構(gòu)時，種子層38的材料促進(jìn)傾斜的柱狀生長，例如傾斜的晶粒。用于種子層38的材料應(yīng)適用于各種襯底材料和表面。通常，傾斜柱狀生長是傾斜沉積或?yàn)槠谕纳L類型選擇的特定的沉積形式的結(jié)果。
對于種子層38的另一要求是形成傾斜的結(jié)晶紋理。種子層38的傾斜結(jié)晶紋理不要求是單軸對稱或單一高對稱軸。種子層38必需通過在與磁性記錄層40的界面50處呈現(xiàn)較佳的、傾斜的結(jié)晶方向來為磁性記錄層40形成傾斜結(jié)晶模板。
選擇用于種子層38的材料以使由種子層38形成的期望的結(jié)晶特性被帶入隨后沉積的層中。例如，種子層38必需在界面50處具有與磁性記錄層40的足夠的晶格匹配，以使晶體外延附生能夠在磁性記錄層40的生長期間發(fā)生。種子層38必須為隨后沉積的磁性材料層40提供外延生長模板。
仍參考圖2，一旦種子層38形成于襯底32之上，將磁性記錄層40沉積到種子層38之上。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，形成磁性記錄層40的所選的一種或多種材料以一般垂直于種子層50的表面的方向從靶52沉積，即，磁性記錄層40以一般平行于記錄介質(zhì)30的表面法線44的方向沉積。
磁性記錄層40可由高矯頑力材料形成。在具有單一的較佳晶軸的材料中，易磁化軸往往與C-軸對齊，從而形成磁性的晶體各向異性。如圖2所示，一般由箭頭54表示的磁性記錄層40的C-軸與種子層38的C-軸48對齊。磁性記錄層的C-軸54定位在相對于表面法線44的C-軸傾斜角度Z處，該角度Z可在約20°至約70°的范圍內(nèi)。
參考圖3，這里示出了本發(fā)明的另一實(shí)施例。具體地，這里示出了采用磁性記錄介質(zhì)130形式的薄膜結(jié)構(gòu)。記錄介質(zhì)130被示為傾斜介質(zhì)。磁性記錄介質(zhì)130包括具有多個第一表面134和多個第二表面136的襯底132。
仍參考圖3，磁性記錄介質(zhì)130還包括覆蓋在襯底132的第一表面134和第二表面136上的種子層。與圖2所示的實(shí)施例形成對比，在本發(fā)明的這個實(shí)施例中，將種子層138從靶146垂直地沉積到期望的最后種子層150表面。種子層138具有柱狀、顆粒狀結(jié)構(gòu)，在這個實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)沉積在襯底132的第一表面134上。這導(dǎo)致種子層138具有如箭頭148所示的方向的C-軸。
磁性記錄介質(zhì)130還包括沉積在種子層138上的磁性記錄層140。磁性記錄層140也垂直地沉積到種子層150上。換言之，種子層138和磁性記錄層140都在一般平行于磁性記錄介質(zhì)130的表面法線144的方向上沉積。如上文參考圖2描述的以及其中闡述的實(shí)施例，磁性記錄層140將包括一般由箭頭154表示的基本與種子層138的C-軸148對齊的C-軸。
根據(jù)本發(fā)明的一個重要方面，構(gòu)造和排列諸如圖2所示的襯底32和圖3所示的襯底132等襯底以控制C-傾斜和C-軸分布。這些襯底可用于減少傾斜介質(zhì)的C-軸分布并且還幫助控制C-軸傾斜。
為了說明本發(fā)明，構(gòu)造諸如圖2所示的磁性記錄介質(zhì)30等薄膜結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)32利用從Edmund Industrial Optics(Edmund工業(yè)光學(xué))(EdmundIndustrial Optics部分#NT 43-753)獲得的光柵來復(fù)制。該結(jié)構(gòu)允許一般地復(fù)制本發(fā)明的襯底，并且將意識到，為了形成實(shí)際的磁性存儲介質(zhì)，具有諸如接近或低于50nm范圍的較小的波長的襯底結(jié)構(gòu)是必需的。然而，使用的光柵是對于說明本發(fā)明而言是期望襯底的足夠的復(fù)制品。
一旦獲得了用于說明本發(fā)明的襯底，沉積由20nm的無定形FeCoB層形成的種子層。因?yàn)橛糜诖苏f明的光柵具有沉積在光柵表面上的一層Au，所以必須確定沒有此處的薄膜到Au的局部外延附生。因此，這里沉積了10nm的Ag層，然后是10nm的Ru層，兩者都以與襯底法線成約70°的傾斜角傾斜沉積，在這個例子中襯底法線被定義為襯底的宏觀法線。圖4示出由原子力顯微鏡(AFM)獲得的用在此說明中的幾何結(jié)構(gòu)的視圖。例如，圖4示出并定義了所使用的襯底的表面的表面法線。N-36表示對于相應(yīng)的襯底表面與襯底法線(即宏觀襯底法線)成約36°角，而N-54表示對于其它相應(yīng)的襯底表面與襯底法線(即宏觀襯底法線)成約54°角。沉積的角度由箭頭60示出。
然后在圖5a和5b中示出Ru層的所測得的C-軸分布。具體地，圖5a是(0002)極性圖，而圖5b是用于所述結(jié)構(gòu)的Psi掃描。具體地，圖5a和5b示出了約61°的C-軸傾斜和約16.3°的C-軸分布(Δ)。作為比較，已獲得的任意種子層對于“平”襯底(即，非鋸齒襯底)上的傾斜入射的最佳C-軸傾斜是約30°到約35°，并具有約30°的C-軸分布。因此，顯然，這里所描述的襯底能用于幫助限定C-軸傾斜并能減少C-軸分布。
參考圖6，這里示出了上文描述的本發(fā)明的例子的變體的結(jié)果。“對稱”和“0°”之間的差別描述了本特定實(shí)驗(yàn)中靶到襯底放置的幾何結(jié)構(gòu)。對稱描述了其中心對準(zhǔn)以使原子通量從濺射靶軌道放射狀地到達(dá)的靶和襯底(例如，見圖2)。0°沉積幾何結(jié)構(gòu)描述了中心未對準(zhǔn)而使軌道的部分與襯底的中心相反，從而使輸入的原子通量主要沿樣本法線到達(dá)，盡管有一些原子從軌道的其它區(qū)域到達(dá)(例如，見圖3)。這些是當(dāng)沉積的原子平均沿樣本法線到達(dá)的例子。對于兩種情況，發(fā)現(xiàn)傾斜沿法線到表面，但與制作傾斜介質(zhì)的其它方法相比具有低得多的C-軸分布。這顯示出對于原子通量垂直到達(dá)襯底的垂直沉積幾何結(jié)構(gòu)或者對于通量與樣本法線成一角度到達(dá)的傾斜入射幾何結(jié)構(gòu)兩者，襯底的表面幾何結(jié)構(gòu)都可用于制作具有減小的C-軸分布的傾斜介質(zhì)。
通過向平襯底上傾斜沉積而準(zhǔn)備的傾斜介質(zhì)要求無定形/納米晶體種子層最初被傾斜地沉積。如這些種子層使顯微粗糙度形狀以偏向輸入的原子通量的樣本法線的分布發(fā)展。這種粗糙度發(fā)展幫助限定下一層的晶體傾斜紋理。結(jié)果是晶體較佳的取向的分布繼承在傾斜沉積期間向輸入原子通量對準(zhǔn)的樣本法線的分布。通過形成根據(jù)本發(fā)明的襯底，較好地限定了樣本法線，并因此形成更好的、更緊密的C-軸分布，即，減少了C-軸分布。
盡管鑒于為了說明本發(fā)明的目的而不是限制它的目的描述了具體實(shí)施例，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解，可在不背離如所附權(quán)利要求書中描述的本發(fā)明的前提下在本發(fā)明的原理和范圍內(nèi)作出細(xì)節(jié)、材料和部件排列上的眾多變體。
權(quán)利要求
1.一種薄膜結(jié)構(gòu)，包括襯底，其具有第一表面和不與所述第一表面平行的第二表面；種子層，其覆蓋在所述第一表面和所述第二表面上；以及磁性材料層，其覆蓋在所述種子層上。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一表面和/或所述第二表面基本為平坦的。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述種子層具有朝向一般與所述襯底的第一表面或第二表面中的任一個垂直的柱狀結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述種子層具有朝向一般與所述襯底的第一表面或第二表面中的任一個垂直的C-軸。
5.如權(quán)利要求3所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述種子層的柱狀結(jié)構(gòu)充當(dāng)外延生長的模板。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一表面一般與所述第二表面垂直。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁性材料層具有表面法線和相對于所述表面法線傾斜的C-軸。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述C-軸以約20°至約70°的范圍內(nèi)的角度傾斜。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底由Al、無定形玻璃、Si、玻璃陶瓷、藍(lán)寶石或MgO中的至少一種組成。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述種子層由Ru、Ta、Zr、Cr、Hf、Ir、Ag、Pt或Au中的至少一種形成。
11.如權(quán)利要求1所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁性材料層由CoPt及其合金、FePt、FePd、CoPt、SmCo、YCo、稀土-Co、CoPtCr、CoPtCrB或Co合金中的至少一種形成。
12.如權(quán)利要求1所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜結(jié)構(gòu)被形成為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)具有約0°到約20°范圍內(nèi)的C-軸分布。
14.一種數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，包括鋸齒形襯底；沉積在所述鋸齒形襯底上的種子層結(jié)構(gòu)；以及沉積在所述種子層結(jié)構(gòu)上的存儲層。
15.如權(quán)利要求14所述的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，其特征在于，所述存儲層是磁性的。
16.如權(quán)利要求14所述的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，其特征在于，所述存儲層具有表面法線和相對于所述表面法線傾斜的C-軸。
17.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，其特征在于，所述C-軸以約20°至約70°范圍內(nèi)的角度傾斜。
18.一種數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，包括記錄裝置；以及臨近所述記錄裝置放置且具有表面法線的存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)包括襯底，其具有第一表面和不與所述第一表面平行的第二表面；種子層結(jié)構(gòu)，其覆蓋在所述襯底上；和存儲層，其在所述種子層結(jié)構(gòu)上。
19.如權(quán)利要求18所述數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其特征在于，所述存儲層具有相對于所述存儲介質(zhì)的表面法線傾斜的C-軸。
20.如權(quán)利要求19所述數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其特征在于，所述C-軸以約20°至約70°范圍內(nèi)的角度傾斜。
全文摘要
提供了一種采用例如具有減少的C－軸分布的磁性記錄介質(zhì)的形式的薄膜結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括具有第一表面和不與第一表面平行的第二表面的襯底、覆蓋在襯底的第一表面和第二表面上的種子層以及種子層上的磁性材料層。該磁性材料層具有相對于與磁性材料層垂直的軸，即磁性材料的表面法線傾斜的C－軸。該種子層具有朝向一般與第一表面或第二表面中的任一個垂直的柱狀結(jié)構(gòu)。該種子層的柱狀結(jié)構(gòu)充當(dāng)外延生長的模板。
文檔編號G11B5/70GK1959814SQ20061015403
公開日2007年5月9日 申請日期2006年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月14日
發(fā)明者T·J·克萊默, C·F·布魯克, K·佩霍斯 申請人:希捷科技有限公司