專利名稱：盤以及盤記錄設備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有一可記錄及可再現(xiàn)區(qū)域和一其中記錄專用于再現(xiàn)的固定信息的區(qū)域的盤，和一種在該盤上執(zhí)行記錄的盤記錄設備。
背景技術(shù)：
近年來，由于具有保持大容量數(shù)據(jù)的能力，可記錄信息的光盤對于累加音頻數(shù)據(jù)/視頻數(shù)據(jù)/和各種信息設備數(shù)據(jù)變得重要。在這種環(huán)境下，有對更大容量的光盤的需求。為了滿足該需求，需要提高在一光盤上記錄的信息的密度。一光盤上的信息密度由信息跡道的間距和在一跡道方向上的信息密度(即信息的線性密度)。這樣，為了提高光盤的信息密度，期望縮窄間距并提高線性密度。
光盤可被用于各種不同的用途。例如，在使用光盤作為用于提供例如操作系統(tǒng)和基本目錄的軟件或用于游戲的軟件的情況下，如果以這樣的方式制作只讀光盤以使以凹或凸坑的形式記錄數(shù)據(jù)，可以低成本大量地復制光盤。
另一方面，有用戶可將期望的數(shù)據(jù)添加或?qū)懼劣绍浖峁┥逃涗浀闹蛔x數(shù)據(jù)的需求，這樣，為了滿足這樣的需求，要求光盤具有在其中記錄只讀數(shù)據(jù)的一區(qū)域和一可記錄和可再現(xiàn)區(qū)域。
在光盤中設置上述兩區(qū)域用于記錄/再現(xiàn)的情況下，在發(fā)貨之前預先在凹槽和凸跡道上記錄只讀數(shù)據(jù)，且記錄的區(qū)域可僅被用于再現(xiàn)數(shù)據(jù)。在此情況下，要求將只讀數(shù)據(jù)記錄在備盤上，這是一費時的工作且提高成本。
為了解決該問題，已建議一種光盤，其中以凹或凸坑的形式在光盤的一區(qū)域中記錄要求的數(shù)據(jù)，且其余的區(qū)域被制成為可記錄的(日本專利申請公開號63-20769)。在此情況下，不要求在各盤上記錄要求的數(shù)據(jù)，使得通過例如注入來大量制作光盤，導致成本的降低。
作為ROM盤用得最多的盤是CD或DVD-ROM盤。在這些盤中，為了獲得大容量，以用于跟蹤跡道的一恒定的線速度連續(xù)地記錄凹或凸坑。無需說，還要求通過一恒定的線速度旋轉(zhuǎn)盤來再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
在構(gòu)成具有ROM部分和RAM部分的盤的情況下，ROM部分的格式應該與CD或DVD-ROM盤的部分的格式相同，因為當具有ROM部分和RAM部分的盤被錯誤地插入一只從CD或DVD-ROM盤讀取數(shù)據(jù)的驅(qū)動裝置時，如果該ROM部分的格式與CD或DVD-ROM的格式相同，該驅(qū)動裝置可識別該被錯誤插入的盤。
現(xiàn)在，將描述通過驅(qū)動裝置從CD或DVD-ROM盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法。
對于再現(xiàn)上述盤，一拾取頭被移至稱為引入的區(qū)域，且讀取再現(xiàn)該盤所需的稱為控制數(shù)據(jù)的信息。到開始讀取信息時的程序如下。
首先，通過控制該拾取頭的透鏡的位置來聚焦盤表面。其次，執(zhí)行跟蹤以使通過控制橫向移動機構(gòu)和透鏡來連續(xù)地讀取坑串。第三，檢測輸入給再現(xiàn)電路的再現(xiàn)信號的具體周期(例如最長的間隔)，并控制電機的轉(zhuǎn)速。第四，當轉(zhuǎn)動變化被停止時，而且信號變得能夠以恒定的線速被再現(xiàn)時，生成與再現(xiàn)信號同步的時鐘，并在該時鐘的基礎上讀取數(shù)據(jù)。
然而，在如上所述的具有RAM部分和ROM部分的盤中，其中以恒定的線速連續(xù)地讀取凹或凸坑，需要多個操作以在讀取數(shù)據(jù)之前在引導該盤期間連續(xù)地被執(zhí)行。這樣，這樣的盤具有引導時間長的缺點。
而且，通過短波長切割機來記錄ROM部分，以使相比于RAM部分，其線性密度更高。
相反，該RAM部分具有一其中記錄數(shù)據(jù)的區(qū)域和一其中未記錄數(shù)據(jù)的區(qū)域，且一扇區(qū)ID由通常稱為頭部的前坑(pre-pit)部分組成。在該頭部中，除了地址信息外，放置有用于輔助PLL(鎖相環(huán))電路的操作的VFO信號，是地址信息的一同步信號的一地址標記等，從而該RAM部分的冗余高于該ROM部分的冗余。
然而，在例如CD或DVD-ROM盤的常規(guī)的光盤中，ROM部分的一跡道中包括的扇區(qū)數(shù)等于RAM部分的一跡道中包括的扇區(qū)數(shù)。在此情況下，ROM部分的扇區(qū)格式與帶有高冗余的RAM部分的扇區(qū)格式相同，以使ROM部分的記錄密度不能被做的較高。
而且，在常規(guī)的光盤中，RAM部分中的一跡道中包括的扇區(qū)數(shù)從內(nèi)部跡道到外部跡道是相等的，以使外部跡道中的記錄密度低于內(nèi)部跡道中的記錄密度，且記錄密度不能被做得較高。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種盤和一種用于切割該盤的盤記錄設備，其中通過設計該盤的一個格式而縮短引導時間且該盤具有較大容量的ROM部分和RAM部分。
為了解決上述問題，本發(fā)明的一種盤包括用于再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第一存儲區(qū)域；和用于記錄并再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第二存儲區(qū)域，第一存儲區(qū)域靠近于第二存儲區(qū)域，其中相互靠近的第一和第二存儲區(qū)域的各跡道中的扇區(qū)數(shù)在第一存儲區(qū)域中的大于在第二存儲區(qū)域中的，且第一存儲區(qū)域的各跡道中的扇區(qū)數(shù)的前沿在至少一直線上被對準。
在一實施例中，第一存儲區(qū)域中的各扇區(qū)的前沿和第二存儲區(qū)域中的各扇區(qū)的前沿沿徑向在至少一直線上被對準。
在一實施例中，在第一存儲區(qū)域和第二存儲區(qū)域之間放置其中未記錄數(shù)據(jù)的一部分。
在一實施例中，若干地址被連續(xù)地提供給第一和第二存儲區(qū)域。
在一實施例中，在第一存儲區(qū)域中的一備用數(shù)據(jù)部分中記錄指示第一存儲區(qū)域和第二存儲區(qū)域之間的邊界位置的信息。
本發(fā)明的另一種盤包括用于再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第一存儲區(qū)域；和用于記錄并再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第二存儲區(qū)域，其中該第二存儲區(qū)域被劃分成多個區(qū)段，且在該盤的內(nèi)部側(cè)上的各區(qū)段中的扇區(qū)數(shù)較小，且第一存儲區(qū)域中的各跡道中的扇區(qū)的前沿被徑向地安排。
在一實施例中，第二存儲區(qū)域中的各區(qū)中的跡道數(shù)相互相等。
在一實施例中，第一存儲區(qū)域中的各扇區(qū)的前沿和第二存儲區(qū)域中的各扇區(qū)的前沿沿徑向在至少一直線上被對準。
在一實施例中，在第一存儲區(qū)域和第二存儲區(qū)域之間放置其中未記錄數(shù)據(jù)的一部分。
在一實施例中，若干地址被連續(xù)地提供給第一和第二存儲區(qū)域。
在一實施例中，在第一存儲區(qū)域中的一備用數(shù)據(jù)部分中記錄指示第一存儲區(qū)域和第二存儲區(qū)域之間的邊界位置的信息。
在一實施例中，第一存儲區(qū)域包括一備用數(shù)據(jù)部分和一用戶數(shù)據(jù)部分，各自扇區(qū)的所有前沿在該備用數(shù)據(jù)部分中被徑向安排，該用戶數(shù)據(jù)部分被劃分成多個區(qū)段，且各自扇區(qū)的前沿在該用戶數(shù)據(jù)部分的各區(qū)段中被徑向安排，第二存儲區(qū)域被劃分成多個區(qū)段，且各自扇區(qū)的前沿在第二存儲區(qū)域的各扇區(qū)中被徑向安排，且第一和第二存儲區(qū)域的各區(qū)段中的跡道數(shù)相互相等。
在一實施例中，根據(jù)各區(qū)段中的一引導扇區(qū)的徑向上的一位置確定該引導扇區(qū)的地址。
本發(fā)明的一種盤記錄設備包括一光源，用于輻照一主光盤，該主光盤具有用于再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第一存儲區(qū)域和用于記錄及再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第二存儲區(qū)域；一光束分光器，用于將來自光源的光束分成用于在第一存儲區(qū)域中形成坑的第一光束和用于在第二存儲區(qū)域中形成槽和頭部的第二光束；第一光調(diào)制器，用于對用于在第一存儲區(qū)域中形成坑的第一光束進行調(diào)制；第一控制器，用于根據(jù)記錄數(shù)據(jù)控制第一光調(diào)制器；第二光調(diào)制器，用于對用于在第二存儲區(qū)域中形成槽和頭部的第二光束進行調(diào)制；第二控制器，用于根據(jù)記錄數(shù)據(jù)控制第二光調(diào)制器；一光束偏轉(zhuǎn)器，用于在跡道方向的直角上偏轉(zhuǎn)自第二光調(diào)制器輸出的第二光束；一光束偏轉(zhuǎn)控制器，用于控制該光束偏轉(zhuǎn)器；第一光束整形單元，用于對來自第一光調(diào)制器的第一光束進行整形；第二光束整形單元，用于對來自第二光調(diào)制器的第二光束進行整形；一光束組合單元，用于使來自第一光束整形單元的第一光束的光軸與來自第二光束整形單元的第二光束的光軸相匹配；一物鏡，用于接收來自該光束組合單元的光束并將該光束聚至該主光盤上；一電機，用于轉(zhuǎn)動該主光盤；一電機控制器，用于控制該電機；和一定時控制器，用于根據(jù)來自該電機控制器的旋轉(zhuǎn)同步信號，控制第一和第二控制器以及光束偏轉(zhuǎn)控制器的定時，其中第一控制器生成一記錄信號以使第一存儲區(qū)域中的各扇區(qū)的前沿被徑向安排，且該記錄信號控制第一光調(diào)制器。
在一實施例中，相比于當記錄槽時的光束的記錄功率，第二控制器降低了當記錄表示地址信息的坑時的光束的記錄功率。
在一實施例中，第一和第二控制器單獨地控制記錄數(shù)據(jù)的開/關(guān)負載比。
在一實施例中，當?shù)谝淮鎯^(qū)域被劃分成一備用數(shù)據(jù)部分和一用戶數(shù)據(jù)部分時，第一控制器控制待被輸入進各區(qū)段的記錄數(shù)據(jù)的開/關(guān)負載比，且第二控制器控制各區(qū)段中的記錄數(shù)據(jù)的開/關(guān)負載比。
在一實施例中，該光束偏轉(zhuǎn)器在相對于是一頭部的包含地址信息的坑形成的一塊數(shù)據(jù)的第一一半的外部跡道方向上將第二光束偏轉(zhuǎn)約半個跡道，在該數(shù)據(jù)的第二一半的內(nèi)部跡道方向上將第二光束偏轉(zhuǎn)約半個跡道，且當?shù)诙馐鴻M過這些槽時周期地使第二光束擺動。
本發(fā)明的另一種盤記錄設備包括一光源，用于在該主光盤的用于再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第一存儲區(qū)域中形成坑和在用于記錄及再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第二存儲區(qū)域中形成槽和頭部；一光調(diào)制器，用于對來自該光源的光束進行調(diào)制；一光調(diào)制控制器，用于根據(jù)記錄數(shù)據(jù)控制該光調(diào)制器；一光束偏轉(zhuǎn)器，用于在跡道方向的直角上偏轉(zhuǎn)自該光調(diào)制器輸出的光束；一光束偏轉(zhuǎn)控制器，用于控制該光束偏轉(zhuǎn)器；一光束整形單元，用于對來自該光調(diào)制器的光束進行整形；一孔徑光闌，用于在第一存儲區(qū)域和第二存儲區(qū)域之間轉(zhuǎn)換來自該光束整形單元的光束的孔徑限度；一物鏡，用于將來自該孔徑光闌的光束聚至該主光盤上；一電機，用于轉(zhuǎn)動該主光盤；一電機控制器，用于控制該電機；和一定時控制器，用于根據(jù)來自該電機控制器的旋轉(zhuǎn)同步信號，控制該光調(diào)制控制器以及光束偏轉(zhuǎn)控制器的定時，其中該光調(diào)制控制器生成一記錄信號以使第一存儲區(qū)域中的各扇區(qū)的前沿被徑向安排，且該記錄信號控制該光調(diào)制器。
在一實施例中，相比于當記錄第二存儲區(qū)域時的光束的記錄功率，光調(diào)制控制器降低了當記錄第一存儲區(qū)域時的光束的記錄功率，并相比于當在第二存儲區(qū)中記錄槽時的光束的記錄功率，降低了當記錄包含地址信息的坑時的光束的記錄功率。
在一實施例中，光調(diào)制控制器單獨地控制在第一和第二存儲區(qū)域中記錄數(shù)據(jù)的開/關(guān)負載比。
在一實施例中，該光源控制器控制待被記錄在各區(qū)段的第二存儲區(qū)中的記錄數(shù)據(jù)的開/關(guān)負載比。
在一實施例中，該光束偏轉(zhuǎn)器在相對于是第二存儲部分中的一頭部的包含地址信息的坑形成的一塊數(shù)據(jù)的第一一半的外部跡道方向上將該光束偏轉(zhuǎn)約半個跡道，在相對于該數(shù)據(jù)的第二一半的內(nèi)部跡道方向上將該光束偏轉(zhuǎn)約半個跡道，且當該光束橫過這些槽時周期地使光束擺動。
在一實施例中，該孔徑光闌在第二存儲區(qū)域中的槽和頭部之間轉(zhuǎn)換一孔徑限度。


圖1是本發(fā)明的第一實施例中的光盤的概略性視圖。
圖2是本發(fā)明的第一實施例中的光盤的ROM部分的物理結(jié)構(gòu)的視圖。
圖3是說明在再現(xiàn)本發(fā)明的第一實施例中的光盤時的一查找方法的時間圖。
圖4是本發(fā)明的第二實施例中的光盤的概略性視圖。
圖5是本發(fā)明的第二實施例中的光盤的RAM部分的結(jié)構(gòu)的視圖。
圖6是本發(fā)明的第二實施例中的光盤的該RAM部分的結(jié)構(gòu)的視圖。
圖7是本發(fā)明的第二實施例中的光盤的RAM部分中的一跡道的結(jié)構(gòu)的視圖。
圖8是本發(fā)明的第二實施例中的光盤的RAM部分中的一扇區(qū)格式的結(jié)構(gòu)的視圖。
圖9是本發(fā)明的第二實施例中的光盤的該ROM部分與該RAM部分之間的一邊界區(qū)域的結(jié)構(gòu)的視圖。
圖10是本發(fā)明的第三實施例中的光盤的概略性視圖。
圖11是本發(fā)明的第四實施例中的光盤的概略性視圖。
圖12是該ROM部分與該RAM部分之間的一邊界區(qū)域中的地址的結(jié)構(gòu)的視圖。
圖13是本發(fā)明的第五實施例中的一盤記錄設備的方框圖。
圖14是說明本發(fā)明的第五實施例中的該盤記錄設備的ROM部分的切割操作的時間圖。
圖15是說明本發(fā)明的第五實施例中的該盤記錄設備的負載控制器的切割操作的時間圖。
圖16是說明本發(fā)明的第五實施例中的該盤記錄設備的RAM部分的切割操作的時間圖。
圖17是說明本發(fā)明的第五實施例中的該盤記錄設備的負載控制器的切割操作的時間圖。
圖18是說明負載比修正的必要性的時間圖。
圖19是說明記錄脈沖切除量和再現(xiàn)幅度之間的關(guān)系的示意圖。
圖20是本發(fā)明的第六實施例中的一盤記錄設備的方框圖。
圖21是第六實施例盤記錄設備的負載控制器的切割操作時間圖。
具體實施例方式
以下將參照附圖描述本發(fā)明的光盤。
實施例1圖1是具有一ROM部分和RAM部分的一光盤的概略性視圖，示出本發(fā)明的第一實施例中的一扇區(qū)格式的結(jié)構(gòu)。圖1中所示的盤1包括在內(nèi)跡道側(cè)上的一ROM部分和在外跡道側(cè)上的一RAM部分，且ROM部分2中的所有扇區(qū)的前沿被徑向地安排。而且，ROM部分2形成一備用數(shù)據(jù)部分或一用戶數(shù)據(jù)部分。
圖2是ROM部分2的物理表面結(jié)構(gòu)的視圖。如圖2所示，ROM部分2由凹或凸坑組成，且一扇區(qū)地址記錄管理一數(shù)據(jù)塊的位置的信息。當盤1被再現(xiàn)時，盤記錄/再現(xiàn)設備的一拾取頭根據(jù)扇區(qū)地址6努力查找(沿徑向移動)，從而獲得期望的信息。為了找到扇區(qū)地址6，在扇區(qū)地址6的前沿放置通常被稱為同步模式S8的，不是以數(shù)據(jù)出現(xiàn)的一具體脈沖模式，且檢測該同步模式的一信號并與該設備的時鐘信號同步，從而獲得扇區(qū)地址6。
RAM部分3的各扇區(qū)包括一頭部11和與ROM部分相似方式以若干坑形成的一記錄部分12。頭部11由13-1，13-2，13-3和13-4四個部分組成。在各ID1至ID4中，記錄有地址信息14，放置在地址14的前頭用于當解調(diào)該地址信息14時進行同步的一地址標記(AM)15，用于輔助一PLL電路再現(xiàn)地址標記(AM)15以生成一同步再現(xiàn)時鐘的操作的一VFO區(qū)16。記錄部分12包括VFO部分16，一記錄數(shù)據(jù)部分18，和用于保護該記錄數(shù)據(jù)部分18和該VFO區(qū)16的保護區(qū)17-1及17-2。該記錄數(shù)據(jù)部分18具有與ROM部分的數(shù)據(jù)部分7的記錄數(shù)據(jù)部分相同的格式，并包括一扇區(qū)地址6和一數(shù)據(jù)部分7。
從該結(jié)構(gòu)可理解，RAM部分3大部分被除了實際地用作為用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)部分7以外的部分占用，且因此，具有比ROM部分2更高的冗余。因此，即使當以基本相同的線速記錄ROM部分2和RAM部分3時，ROM部分2中的每跡道扇區(qū)數(shù)變得比RAM部分3中的大，由于通過切割機切割ROM部分2(形成坑)，相比于RAM部分3的線密度，非常高密度的記錄是可能的。由于上述各種原因，如在本實施例中，可以這樣的方式構(gòu)成RAM部分3和ROM部分2以使ROM部分2中的每跡道扇區(qū)數(shù)變得比RAM部分3中的大。這樣可實現(xiàn)一更高密度的盤。
如現(xiàn)有技術(shù)中所述，在具有RAM部分和一ROM部分(其中以恒定的線速度連續(xù)地記錄凹或凸坑)的一盤中，要求在讀取數(shù)據(jù)之前的盤的引導期間連續(xù)地執(zhí)行多個操作。因此，這樣一盤具有引導時間長的缺陷。
相反，在本實施例的盤中，包括控制數(shù)據(jù)的ROM部分2的扇區(qū)的前沿被徑向地安排。因此，為了使ROM部分2的各扇區(qū)的再現(xiàn)周期恒定，要求本實施例的盤以恒定的角速度(CAV)轉(zhuǎn)動。相比于其中線速度變得恒定的電機控制，該CAV控制使一盤在更短的時間周期內(nèi)引導并被穩(wěn)定。
在本實施例中，已描述了在一盤的內(nèi)部放置ROM部分2(包括一引入)。然而，ROM部分2可被放置在該盤的外部。而且，一引入可被放置在RAM部分中。
如從圖1中看到的，ROM部分2的扇區(qū)的前沿在每跡道的一處被與RAM部分3的扇區(qū)的前沿相對準。
圖3示說明當盤1通過驅(qū)動被再現(xiàn)時的一查找方法的時間圖?？傊?，在通過驅(qū)動再現(xiàn)盤的情況下的電機轉(zhuǎn)動的控制的粗調(diào)節(jié)是通過檢查由該電機生成的FG脈沖的一周期來進行的。在圖3中，假定(a)代表來自電機的一FG脈沖，且(b)代表通過驅(qū)動該FG脈沖(a)所生成的一跡道同步信號，其中每跡道生成6個FG脈沖。(c)代表在再現(xiàn)ROM部分期間自示出一扇區(qū)地址的位置的一同步模式生成的一信號。如圖1中所示，每跡道有10個扇區(qū)地址。
首先，在引導盤1期間再現(xiàn)作為ROM部分2的一部分的控制數(shù)據(jù)。當切割主盤時，ROM部分2和RAM部分3的扇區(qū)4的前沿被對準的控制數(shù)據(jù)部分中的扇區(qū)地址6被確定。在ROM部分2和RAM部分3的扇區(qū)4的前沿被對準的一部分處自同步模式S8生成的信號與緊接在該信號之前的一FG脈沖之間的一時間差T被測量并被存儲。
當讀取RAM部分3的地址信息14時，執(zhí)行查找。然而，其中記錄了數(shù)據(jù)和其中未記錄數(shù)據(jù)的扇區(qū)被呈現(xiàn)在RAM部分3中。因此，為了讀取地址信息14，要求一門信號，其在讀取包含地址信息14的頭部11時變?yōu)椤?”。在圖3中，(d)代表用于查找的一門信號，其在自一預定的FG脈沖起的一先前存儲的預定的時間周期T之后讀取頭部11時變?yōu)椤?”。響應該信號，PLL電路開始其工作。PLL電路使用VFO區(qū)16以將一同步再現(xiàn)時鐘與該設備的時鐘信號進行同步，從而讀取地址信息14。例如，在通過一再現(xiàn)信號的包絡或諸如此類生成一門信號的情況下，根據(jù)該信號，該門信號的質(zhì)量可能變得非常差。然而，當通過上述方法生成一門信號時，確保可每跡道一次地讀取地址信息14。
實施例2圖4是本發(fā)明的第二實施例中的具有一ROM部分和RAM部分的一光盤的概略性視圖。
第二實施例與第一實施例的不同之處在于RAM部分3被劃分成若干區(qū)段。在ROM部分2中，扇區(qū)4的前沿以與第一實施例相同的方式被徑向地安排。每跡道一次地將RAM部分3中的扇區(qū)4的前沿與ROM部分2中的扇區(qū)4的前沿進行對準。而且，在RAM部分3的數(shù)據(jù)區(qū)中，各區(qū)段中包含的跡道數(shù)相互相等。這不適用于除數(shù)據(jù)區(qū)以外的區(qū)(例如一引出區(qū))。
圖5和6是表示圖4中所示的RAM部分的構(gòu)成的視圖。
圖5示出了被移過1/2跡道間距至內(nèi)跡道側(cè)或外跡道側(cè)的，一頭部31的地址信息的兩段。而且，頭部31的一坑信號的寬度被設計成基本上等于一信息記錄部分32中的一槽部分33和一陸部分34的寬度。
圖6中的一頭部41的地址信息被設計成分別包括在一槽部分43和一陸部分44中，且地址信息幾乎被定位在各槽部分43和陸部分44的中央處。而且，頭部41的一坑信號的寬度被設計成窄于一信息記錄部分42中的一槽部分43和一陸部分44的寬度。
在圖5和6所示的兩種情況下，槽部分33和43與陸部分34和44在垂直方向到這些跡道的一跡道方向上正弦地跳動。在該驅(qū)動將數(shù)據(jù)記錄到RAM部分3的信息記錄部分32或42上的情況下，它檢測該跳動的周期以生成與被檢測的信號同步的一時鐘信號，并與該時鐘同步地寫數(shù)據(jù)。該跳動幾乎沿相對于槽部分33和43及陸部分34和44的一跡道連續(xù)地出現(xiàn)。因此，PLL電路快速地將一同步再現(xiàn)時鐘與該設備的時鐘信號進行同步，導致記錄時間的減少。
圖7是說明圖4中所示的RAM部分3的引導跡道(槽部分和陸部分)的構(gòu)成的一盤的概略性視圖。
這些引導跡道被設置以適當通過驅(qū)動記錄/再現(xiàn)信息時，由一光頭發(fā)射的一光束的光點可跟蹤一具體的路徑。這些槽部分(由實線表示)和這些陸部分(由虛線表示)在每個轉(zhuǎn)動時被轉(zhuǎn)換。而且，信息可被記錄在槽部分和陸部分兩者上。圖7中所示的引導跡道具有一螺旋形狀。然而，它們可被同軸地安排，或螺旋方向可反轉(zhuǎn)。
圖8是詳細地示出圖5中的頭部31和信息記錄部分32的一扇區(qū)格式的構(gòu)成的視圖。頭部31(IDa，IDb)和信息記錄部分32的一扇區(qū)總計包含2696個字節(jié)(以下簡稱為“B”)。其中實際地記錄有信息的該信息記錄部分32包括一保護1部分((20+i)B時，一VFO部分(35B)，一PS部分(3B)，一數(shù)據(jù)部分(2418B)，一PA部分(1B)，和一保護2部分((55-i)B)。在它們中，該數(shù)據(jù)部分(2418B)具有與圖1中的ROM部分中的數(shù)據(jù)區(qū)5相同的格式，且由一SY1部分(2B)和一數(shù)據(jù)1(91B)，一SY2部分(2B)和一數(shù)據(jù)2部分(91B)，…，和一SY26部分(2B)和一數(shù)據(jù)26(91B)部分的組合所組成。在頭部31中，IDa由ID1(46B)和ID2(18B)組成，IDb由ID3(46B)和ID2(18B)組成。在一反射鏡部分(2B)，一間隔部分((10+j/16)B)，和一緩沖部分((25-j/16)B)中，未記錄有效信息。這里，i表示0至7的一整數(shù)，而j表示0至16的整數(shù)。
ID1至ID4被用于識別扇區(qū)的地址，以及用于識別一后繼的引導跡道是一槽還是一陸。該反射鏡部分和間隔部分被用于調(diào)節(jié)記錄時的激光功率。而且，該緩沖部分被用于根據(jù)光盤的轉(zhuǎn)動變化和該光盤的偏心率調(diào)節(jié)待被記錄的數(shù)據(jù)的時間軸方向上的移位。該保護1部分和保護2部分被用于保護數(shù)據(jù)的前沿和尾沿不會由于被重復記錄而被劣化。該VFO部分幫助PLL電路在再現(xiàn)時生成一再現(xiàn)時鐘的操作。該PS部分被用于指示數(shù)據(jù)的開始，且該PA部分被用于記錄在完成于記錄時執(zhí)行的數(shù)據(jù)調(diào)制中的各扇區(qū)中的最后數(shù)據(jù)所要求的數(shù)據(jù)。
圖9是ROM部分2和RAM部分3之間的一邊界區(qū)的放大視圖。
如圖9所示，考慮到一過渡區(qū)由包含一跳動信號的連續(xù)跡道(沒有頭部的跡道)組成或被構(gòu)成以使與上述的RAM部分中相同的方法包含一頭部。在任一情況下，可生成用于執(zhí)行記錄的一處理時鐘。
在這樣構(gòu)成的RAM部分3中，各區(qū)段中的扇區(qū)數(shù)從內(nèi)跡道到外跡道增加一扇區(qū)。這樣一區(qū)段的格式的目的在于提高記錄容量，一比特用戶數(shù)據(jù)所要求的盤上的記錄/再現(xiàn)長度(以下稱為“比特長度”)在具有不同的跡道長度的各區(qū)段中幾乎是相同的。根據(jù)此，盤的轉(zhuǎn)動次數(shù)被改變，即盤的轉(zhuǎn)動次數(shù)被規(guī)定為在一外部區(qū)上是較大的，且在各區(qū)段中執(zhí)行CAV恒定，從而被記錄及再現(xiàn)的比特長度被使得基本恒定。由于一區(qū)段內(nèi)的最內(nèi)側(cè)上的一跡道長度和在最外側(cè)上的一跡道長度是不同的，比特長度實際地變化得很輕微。然而，該變化量落在該比特長度的記錄和再現(xiàn)中包含的比特長度的可允許的誤差范圍內(nèi)。
上述的構(gòu)成的優(yōu)點在于如果預先得知哪個區(qū)段被查找，盤的轉(zhuǎn)動速度可被馬上加速到對應于該查找區(qū)段的轉(zhuǎn)動速度。而且，在本實施例的盤中，各區(qū)段中的跡道數(shù)相互相等。因此，容易地得知多少跡道應被從當前扇區(qū)地址跳到一查找的扇區(qū)地址，或根據(jù)待被跳過的跡道數(shù)容易地知道一查找區(qū)段。
在切割本實施例的主盤的情況下，電機通常通過一CAV控制被驅(qū)動，待被記錄的一信號的比特率在各區(qū)段中被控制，從而該比特長度被保持得幾乎恒定。這樣，比特率被要求在區(qū)段之間的過渡點進行轉(zhuǎn)換。因此，跡道數(shù)被計數(shù)，且比特率被用一加算(count-up)信號進行轉(zhuǎn)換。當各區(qū)段中的跡道數(shù)相互相等時，該控制可被容易地執(zhí)行，且可容易地構(gòu)成一電路。
實施例3圖10是本發(fā)明的第三實施例中的具有一ROM部分和一RAM部分的一光盤的概略性視圖。該第三實施例與第二實施例的不同之處在于ROM部分2由一備用數(shù)據(jù)部分51和一用戶數(shù)據(jù)部分52組成。該備用數(shù)據(jù)部分51中的這些扇區(qū)的全部前沿被徑向地安排。該用戶數(shù)據(jù)部分52被劃分成若干區(qū)段。而且，如第一實施例中所述，ROM部分2的各扇區(qū)4的前沿中包含一扇區(qū)地址6，以使用戶數(shù)據(jù)部分52中的各扇區(qū)不需要地要求如在RAM部分3中的各扇區(qū)中的一頭部。ROM部分2的用戶數(shù)據(jù)部分52的一區(qū)段被與第一實施例的RAM部分3的一區(qū)段相比較。如果這兩區(qū)段被放置在徑向上的相同位置，在前者區(qū)段中的沒有頭部的扇區(qū)數(shù)變得大于后者區(qū)段中的具有頭部的扇區(qū)數(shù)。
該盤的目的在于ROM部分2的用戶數(shù)據(jù)部分52被切割以使具有一些內(nèi)容，且包含這些內(nèi)容的ROM部分2和可重寫的RAM部分3被提供。這樣一盤可容易地具有一游戲(例如，相對于其內(nèi)容)所要求的一用戶數(shù)據(jù)區(qū)(RAM3)，并將一用戶期望的圖像放入RAM部分3以將這些內(nèi)容合成為符號或諸如此類。而且，即使具有相同內(nèi)容的一盤也可由商人或諸如此類以期望的形式被提供有加上的值。不管ROM部分2和RAM部分3，各區(qū)段中的跡道數(shù)相互相等，以使相對于切割和查找可獲得與第二實施例中相同的效果。
實施例4圖11是本發(fā)明的第四實施例中的具有一ROM部分和一RAM部分的一光盤的概略性視圖。第四實施例與第三實施例的不同之處在于ROM部分2的用戶數(shù)據(jù)部分52還具有與圖4中的RAM部分3的相同扇區(qū)格式(圖8)。
在本實施例中，由于ROM部分2的用戶數(shù)據(jù)部分52具有與如上所述的RAM部分3相同的扇區(qū)格式，在任何位置中的一扇區(qū)地址可被使得與第二實施例中的盤完全相同。在此情況下，具有一優(yōu)點具有包含游戲程序內(nèi)容等的一ROM部分和一隊M部分的盤可以與第二實施例中相同的方法通過一驅(qū)動被再現(xiàn)。
圖12是說明RAM部分2和ROM部分3之間的轉(zhuǎn)換點處的扇區(qū)地址的連接的視圖。
而且，在本實施例中，或即使在第一至第三實施例中，當ROM部分2和RAM部分3的扇區(qū)地址是連續(xù)的，數(shù)據(jù)可被很容易地安排，且在查找期間無問題發(fā)生。如果扇區(qū)地址被相互重疊或者在ROM部分2與RAM部分3之間被跳躍，當用戶指定被重疊或被跳躍的地址時，問題出現(xiàn)。
而且，當在備用數(shù)據(jù)部分中記錄用于識別ROM部分和RAM部分之間的邊界區(qū)域的數(shù)據(jù)時，可平穩(wěn)地地執(zhí)行一記錄和一再現(xiàn)信號的增益或諸如此類的跟蹤和轉(zhuǎn)換。在具有一高密度ROM部分和RAM部分的盤中，由于ROM部分中坑的存在，在ROM部分中通過一相差方法或一3—束方法執(zhí)行跟蹤，而在RAM部分中通過推挽方法執(zhí)行跟蹤，由于該RAM部分包括一未記錄數(shù)據(jù)的區(qū)域。這樣，如果在一引入的控制部分中記錄識別該邊界區(qū)的數(shù)據(jù)，跟蹤方法的轉(zhuǎn)換被平穩(wěn)地執(zhí)行。
為簡明起見，本發(fā)明已描述例示了ROM部分的一跡道中的扇區(qū)數(shù)為10，和整個RAM部分的一跡道或RAM部分的第一區(qū)段中的扇區(qū)數(shù)為9的情況。然而，可使用任何數(shù)目的扇區(qū)只要在第一實施例中ROM部分中的扇區(qū)數(shù)大于RAM部分的扇區(qū)數(shù)，且只要在第二實施例中扇區(qū)數(shù)是一整數(shù)。
而且，在第三實施例中，ROM部分的一跡道中的引入部分中的扇區(qū)數(shù)被設置為10，第一區(qū)段和第二區(qū)段中的扇區(qū)數(shù)被設置為11和12，且RAM部分的第一區(qū)段中一跡道中的扇區(qū)數(shù)被設置為11。然而，可使用任何數(shù)目的扇區(qū)只要它是一整數(shù)。
在第四實施例中，ROM部分的一跡道中引入部分中的扇區(qū)數(shù)被設置為10，第一區(qū)段和第二區(qū)段中的扇區(qū)數(shù)被設置為9和10，且RAM部分的第一區(qū)段中一跡道中的扇區(qū)數(shù)被設置為11。然而，可使用任何數(shù)目的扇區(qū)只要它是整數(shù)。ROM部分和RAM部分中的區(qū)段數(shù)應該是整數(shù)。
下表示出了根據(jù)本發(fā)明的具有一ROM部分和RAM部分的一盤的一例子。該例子中的盤基本上具有與第二實施例中的盤相同的構(gòu)成。
在下表中，一ROM部分，一未記錄部分，和一RAM部分的部分形成一引入?yún)^(qū)。該RAM部分的其他部分形成一數(shù)據(jù)區(qū)和一引出區(qū)。該引入?yún)^(qū)中包括的RAM部分的部分和區(qū)段?；拘纬梢粎^(qū)段，其具有1888個跡道，每個跡道具有18個扇區(qū)。
各其他的外部區(qū)段2至23具有相同數(shù)目的跡道然而，向外的各區(qū)段中的扇區(qū)數(shù)增加1個。在最外側(cè)上設置一引出區(qū)。
在ROM部分中預先記錄備用數(shù)據(jù)。該未記錄部分是其中未記錄數(shù)據(jù)的反射鏡區(qū)。如果需要，在記錄/再現(xiàn)一盤期間，備用數(shù)據(jù)例如偏轉(zhuǎn)管理信息被記錄在該引入?yún)^(qū)中包括的RAM部分的部分中。在該引出區(qū)中，備用數(shù)據(jù)被預先記錄。
表

實施例5圖13是示出本發(fā)明的第五實施例中的一盤記錄設各的方框圖。該盤記錄設各將數(shù)據(jù)記錄到第二實施例中示出的光盤的主盤上。
在圖13中，參考數(shù)字60表示一主盤，61表示輻射該主盤60的一激光源，62表示用于將來自激光源61的激光分成在ROM部分中形成坑的光束和用于在RAM部分中形成槽和頭部的光束的分光器，63-1和63-2表示反射鏡，64表示用于對在ROM部分中形成坑的光束進行調(diào)制的第一光調(diào)制器，65表示用于根據(jù)待被輸入的記錄數(shù)據(jù)控制第一光調(diào)制器64的第一控制器，66表示用于在RAM部分中形成槽和頭部的光束進行調(diào)制的第二光調(diào)制器，67表示用于根據(jù)待被輸入的記錄數(shù)據(jù)控制第二光調(diào)制器66的第二控制器，68表示用于沿垂直于跡道方向的方向?qū)⒌诙{(diào)制器66輸出的光束進行偏轉(zhuǎn)的偏轉(zhuǎn)器，69表示用于控制光束偏轉(zhuǎn)器68的光束偏轉(zhuǎn)控制器，70表示用于對來自第一光調(diào)制器64的光束進行整形的第一光束整形單元，71表示用于對來自光束偏轉(zhuǎn)控制器68的光束進行整形的第二光束整形單元，72表示用于將來自第一光束整形單元70的光束和來至第二光束整形單元71的光束相匹配并使該組合的光被照射到一物鏡上的光束組合單元，73表示用于聚合來自光束組合單元72的光束的物鏡，74表示用于轉(zhuǎn)動主盤60的一主軸電機，75表示用于控制該主軸電機74的一電機控制器，76表示用于根據(jù)來自電機控制器75的一轉(zhuǎn)動同步信號控制第一和第二控制器65和67以及光束偏轉(zhuǎn)控制器69的定時控制器。參考數(shù)字77表示與一外部硬盤(未示出)的SCSI接口，78表示用于將記錄數(shù)據(jù)從外部硬盤(未示出)輸入第一和第二控制器65和67的SPC(SCSI協(xié)議控制器)。
第一控制器65包括用于累計來自SPC78的數(shù)據(jù)的存儲器101，用于當切割ROM部分時生成帶有一比特記錄數(shù)據(jù)的周期的一時鐘(以下稱為“ROM部分中的通道時鐘”)的時鐘發(fā)生器102，用于用由時鐘發(fā)生器102生成的時鐘并行地/串行地轉(zhuǎn)換來自存儲器101的字節(jié)數(shù)據(jù)的P/S轉(zhuǎn)換器103，和用于執(zhí)行ROM部分的激光開/關(guān)信號的負載控制的第一負載控制器104，該激光開關(guān)信號通過P/S轉(zhuǎn)換器103在“1”和“0”之間變成串行的。而且，第一負載控制器104由一延遲線105和一AND(與)電路106組成。
第二控制器67包括一可編程合成器111，用于當根據(jù)RAM部分的各區(qū)段切割該RAM部分時，連續(xù)生成帶有一比特記錄數(shù)據(jù)的一周期的一時鐘(以下稱為“RAM部分的通道時鐘”)；一存儲器112，用于一次累計來自SPC78的數(shù)據(jù)；一P/S轉(zhuǎn)換器113，用于用由可編程合成器111生成的一時鐘并行/串行轉(zhuǎn)換來自存儲器112的字節(jié)數(shù)據(jù)；和第二負載控制器114，用于執(zhí)行通過P/S轉(zhuǎn)換器113在“1”和“0”之間編程串行的RAM部分的頭部部分的激光開/關(guān)信號的一負載控制；和一頭部部分幅度調(diào)節(jié)器115，用于調(diào)節(jié)來自第二負載控制器114的RAM部分的頭部部分的激光開/關(guān)信號的幅度。而且，第二負載控制器114由一ROM116，一可編程延遲線117和一AND電路118組成，其中ROM116用于通過定時控制器76的控制輸出對應于RAM部分的各區(qū)段的一延遲量，該可編程延遲線117用于根據(jù)來自ROM116的延遲量延遲來自P/S轉(zhuǎn)換器113的激光開/關(guān)信號。
光束偏轉(zhuǎn)控制器69包括一跳動ROM122；一跳動計數(shù)器121，用于周期地給出跳動ROM122的一地址，其中記錄有數(shù)據(jù)用于生成帶有來自可編程合成器111的RAM部分的一通道時鐘的一跳動信號和來自定時控制器76的一復位信號；一D/A轉(zhuǎn)換器123，用于數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換來自跳動ROM122的數(shù)據(jù)以生成一正弦跳動信號；一差分放大器124，用于生成一定時信號，用于在垂直于跡道的方向上將RAM部分的頭部的信號移位1/2跡道間距；NOT(非)電路125，126和AND電路127，用于生成一信號，用于用來自D/A轉(zhuǎn)換器123的跳動信號轉(zhuǎn)換差分放大器124的輸出信號；和一選擇器128，用于實際地執(zhí)行該轉(zhuǎn)換。
圖14是說明ROM部分的切割操作的時間圖。圖15是說明第一負載控制器104的操作的時間圖。圖16是說明RAM部分的切割操作的時間圖。圖17是說明第二負載控制器114的操作的時間圖。
以下，建參照圖13至17描述一切割操作。
連接至主軸電機74的主盤60通過一CAV控制被轉(zhuǎn)動，且以螺旋的形狀在主盤60上形成一ROM部分和一RAM部分同時物鏡73通過一移送系統(tǒng)(未示出)在徑向上被移送。
首先，將描述光學系統(tǒng)的操作。
由激光源61發(fā)射的光束201通過分光器62被分成兩光束202和203。光束202被用于在ROM部分中記錄坑，而光束203被用于在RAM部分中記錄頭部和槽。光束202的光密度由第一光調(diào)制器64根據(jù)自第一控制器65輸出的ROM部分中的激光開/關(guān)信號305進行調(diào)制。光束203由反射鏡63-1反射，且具有由第二光調(diào)制器66根據(jù)自第二控制器67輸出的RAM部分中的激光開/關(guān)信號308進行調(diào)制的光密度。當IDa被記錄在RAM部分的頭部31(圖5)中時，具有由第二光調(diào)制器66調(diào)制的光密度且由反射鏡634反射的光束205通過光束偏轉(zhuǎn)器68被向外偏轉(zhuǎn)半個跡道；當IDb被記錄在RAM部分的頭部31(圖5)中時，被向內(nèi)偏轉(zhuǎn)半個跡道；且在切割槽期間在徑向上正弦地跳動。具有由第一光調(diào)制器64調(diào)制的光密度且由第一整形單元70整形的一光束204和通過光束偏轉(zhuǎn)器68被偏轉(zhuǎn)且由第二整形單元71整形的一光束206通過光束組合單元72被組合以使基本相互匹配。該組合的光束被入射在物鏡73上并被聚光，從而以期望的格式照射主盤60的光阻。
接著，將描述各控制器的操作。首先，將描述ROM部分。從圖14中的電機控制器75輸出的信號301是主軸電機74的一轉(zhuǎn)動同步信號，且該電機進行一轉(zhuǎn)，例如，具有4096個FG脈沖。從定時控制器76輸出的信號302被輸出給ROM部分的前沿一次且被分別輸出給RAM部分的前沿和各區(qū)段一次。從P/S轉(zhuǎn)換器103輸出的信號303是負載控制之前的ROM部分的一激光開/關(guān)信號。
當用戶發(fā)出開始切割的一指令時，信號302與信號301同步地輸出。同時地，預先從SPC78通過SCSI接口77寫在存儲器101中的切割數(shù)據(jù)與ROM部分的一通道時鐘的N次(Ntimes)同步地被讀取。P/S轉(zhuǎn)換器103用來自時鐘發(fā)生器102的一通道時鐘將切割數(shù)據(jù)(字節(jié)數(shù)據(jù))轉(zhuǎn)換成串行數(shù)據(jù)。這樣，信號303被輸出，且開始ROM部分中的坑的記錄，被指定的地址的扇區(qū)被連續(xù)地記錄。圖15示出一放大狀態(tài)下的信號303。信號304根據(jù)由延遲線105預先設置的一延遲量被從信號303延遲時，且AND電路106將信號303和304進行邏輯與，且?guī)в斜豢s短的“1”(激光開)的周期的信號305被輸入給第一光調(diào)制器64。
現(xiàn)在，將描述主軸電機74的一轉(zhuǎn)動同步信號301和時鐘發(fā)生器102的通道時鐘之間的關(guān)系。
圖4中所示的盤具有其被劃分成每跡道10個扇區(qū)的ROM部分。將根據(jù)其進行描述。如果以這樣的方式選擇時鐘發(fā)生器102的頻率以使(ROM部分的一扇區(qū)中記錄的通道時鐘數(shù))×10(一區(qū)段中的扇區(qū)數(shù))×(從時鐘發(fā)生器102輸出的時鐘的一周期)＝時間等于主軸電機74的一轉(zhuǎn)動同步信號301的一周期的時間或如果設置一合成器(如果使用其)的頻率，ROM部分的這些扇區(qū)的前沿可被切割以使被徑向地安排。
為簡明起見，本發(fā)明已描述例示了ROM部分的一跡道中的扇區(qū)數(shù)為10的情況。然而，可使用任何數(shù)目的扇區(qū)只要它是一個整數(shù)。
為了形成如圖9中所示的其中未記錄數(shù)據(jù)的反射鏡部分，對于一轉(zhuǎn)動同步信號的8個跡道，不輸出一記錄信號，如圖14所示。當該反射鏡部分被完成，RAM部分的切割開始。該反射鏡部分完成后，信號302在RAM部分的前沿與一轉(zhuǎn)動同步信號301同步地被再輸出。一旦輸入該信號，第二控制器67的操作被開始。將參照圖16描述該操作。
當信號302在RAM部分的前沿與一轉(zhuǎn)動同步信號301同步地被再輸出時，與RAM部分中的第一區(qū)段的通道時鐘的N次相同步地讀取通過SCSI接口77從SPC78預先寫在存儲器112中的RAM部分中的頭部部分的切割數(shù)據(jù)。P/S轉(zhuǎn)換器113用自可編程合成器111輸出的RAM部分中的第一區(qū)段的通道時鐘將切割數(shù)據(jù)(字節(jié)數(shù)據(jù))轉(zhuǎn)換成串行數(shù)據(jù)。這樣，信號307被輸出。開始RAM部分中的頭部部分的記錄，特定地址的扇區(qū)被連續(xù)地記錄。圖16還示出一放大的信號307和一放大的信號308。一信號309通過可編程延遲線117被輸出，其根據(jù)一延遲量被從信號307延遲td，該延遲量對應于根據(jù)后述的方法被設置的第一區(qū)段，且AND118對信號307和309進行邏輯與，從而帶有減少的“1”(激光開)的一周期的一信號被輸入給頭部部分幅度調(diào)節(jié)器115。該頭部部分幅度調(diào)節(jié)器115由信號310控制(該信號310僅在后述操作中由光束偏轉(zhuǎn)控制器69形成的一頭部中變?yōu)椤?”)并僅當信號310是“0”時生成帶有減小幅度的信號。同時該頭部部分幅度調(diào)節(jié)器115將這樣生成的信號與信號306進行邏輯或，該信號306在從定時控制器76輸入的一槽部分中變?yōu)椤?”(激光開)。在頭部部分中經(jīng)過負載控制和幅度調(diào)節(jié)且在槽部分中變?yōu)椤?”的信號308(放大的)被輸入給第二光調(diào)制器66具有用其負載和幅度被調(diào)制的光密度，從而該頭部部分和該槽部分被切割。
這里，將參照圖17描述當若干區(qū)段在RAM部分中被轉(zhuǎn)換時根據(jù)各區(qū)段由可編程合成器111和第二負載控制器114執(zhí)行的操作。可編程合成器111和第二負載控制器114從定時控制器76接收一信號316，該信號316示出根據(jù)當前被切割的一區(qū)段和在各區(qū)段的前沿輸出的信號302的下一個到來的一區(qū)段?？删幊萄舆t線117從ROM部分116接收對應于各區(qū)段的先前設置的延遲量的數(shù)據(jù)中的由信號316指示的下一個到來的該區(qū)段的延遲量設置數(shù)據(jù)?？删幊毯铣善?11具有兩個傳輸源，一個傳輸源輸出當前被切割的一通道時鐘，另一傳輸源生成帶有指示下一個到來的區(qū)段的信號316的下一個區(qū)段的通道時鐘。這兩個傳輸源被用在下一區(qū)段的前沿輸出的信號302進行轉(zhuǎn)換，從而在任何時候可輸出對應于各區(qū)段的一通道時鐘。
例如通過對于一個區(qū)段計數(shù)主軸電機74的一轉(zhuǎn)動同步信號301到1888，一區(qū)段被轉(zhuǎn)換到下一區(qū)段。根據(jù)本發(fā)明的盤，該計數(shù)值在任一區(qū)段中是相同的，以便計數(shù)器可被簡單地構(gòu)成。
另一方面，同時地，光束偏轉(zhuǎn)控制器69從定時控制器76接收復位跳動計數(shù)器121的信號306，僅在IDa中變?yōu)椤?”的信號311(圖5)，和僅在IDb中變?yōu)椤?”的信號312(圖5)。差分放大器124對信號311和312進行差分，從而輸出一信號313，該信號313被設置得僅在頭部部分IDa中低于平均值而在頭部部分IDb中高于平均值，該平均值與IDa之間的電勢差和該平均值與IDb之間的電勢差幾乎相等。而且，跳動計數(shù)器121由僅在槽部分中變?yōu)椤?”的信號305復位，且一槽被開始時，跳動計數(shù)器121被用自可編程合成器111輸入的RAM部分的一通道時鐘進行加算，且跳動計數(shù)器121通過一186通道比特周期被復位，且被循環(huán)周期地計數(shù)。計數(shù)信號被輸入給跳動ROM122，正弦波形式的數(shù)據(jù)被輸出作為數(shù)字數(shù)據(jù)，且該數(shù)字數(shù)據(jù)通過D/A轉(zhuǎn)換器123被數(shù)/模轉(zhuǎn)換以輸出僅在槽部分中是一正弦波的跳動信號314。而且，信號314的偏移電壓被調(diào)節(jié)到信號313的平均值的電勢。由NOT電路125和126及AND電路127生成的僅在頭部部分中變?yōu)椤?”的信號310控制選擇器128，且選擇器128選擇用于頭部部分的信號313和用于槽部分的信號314并將信號315輸入給光束偏轉(zhuǎn)器68。光束偏轉(zhuǎn)器68在IDa(其中輸入低于平均值的一電勢)期間將一光束偏轉(zhuǎn)過半個跡道到一外部跡道側(cè)，并在IDb(其中輸入高于平均值的一電勢)期間將一光束偏轉(zhuǎn)過半個跡道到一內(nèi)部跡道側(cè)。光束偏轉(zhuǎn)器68在槽部分期間正弦地偏轉(zhuǎn)一光束。這樣，RAM部分中的頭部部分和槽部分被切割。
如圖16所示，不從TAM部分中的一陸部分輸出記錄信號，主軸電機74僅被轉(zhuǎn)過一個跡道，且物鏡73被發(fā)送過一跡道給一外部跡道。
在圖4所示的盤中，RAM部分中的第一區(qū)段被劃分成每跡道9個扇區(qū)。因此，下面將根據(jù)此進行描述。如果可編程合成器111的頻率被設置以使生成一通道時鐘，該通道時鐘使(ROM部分的一扇區(qū)中記錄的通道時鐘數(shù))×9(RAM部分中的一區(qū)段中的扇區(qū)數(shù))×(從可編程合成器111實際輸出的一時鐘的一周期)＝時間等于主軸電機74的一轉(zhuǎn)動同步信號301的時間的一周期，RAM部分中的第一區(qū)段的扇區(qū)的前沿被切割以使在任何時候被徑向地安排。RAM部分的各區(qū)段中的這些扇區(qū)的前沿被切割以使在從第二區(qū)段到類似操作中的引出的任何時間被徑向地安排。
而且，由于ROM部分的一跡道中的第一扇區(qū)的一扇區(qū)地址或RAM部分的一跡道中的第一扇區(qū)的一頭部與主軸電機74的一轉(zhuǎn)動同步信號301同步地被記錄，該ROM部分和RAM部分可被容易地切割以使這些扇區(qū)的前沿被對準而不會在一跡道中出現(xiàn)一次故障。
為簡明起見，本發(fā)明已描述例示了RAM部分的第一區(qū)段中的一跡道中的扇區(qū)數(shù)為9的情況。然而，可使用任何扇區(qū)數(shù)只要它是一整數(shù)。
通過如上所述地操作，第二實施例中的盤可被切割。這里，將描述執(zhí)行一負載比修正和單獨地對ROM部分和RAM部分中的頭部部分進行負載比修正的必要性。
圖18是說明對于一負載比修正的必要性的時間圖。(a)代表期望被記錄的坑，(b)代表在一負載比修正之前的用于獲得這些期望的坑(a)的一記錄脈沖，(c)代表一記錄激光器的激光光點，(d)代表在一負載比修正之前和之后獲得的坑，其中的陰影部分代表在一負載比修正之前由一記錄脈沖獲得的坑，而白色部分代表在一負載比修正之后由一記錄脈沖獲得的坑。(e)代表在一負載比修正之后的一記錄脈沖，陰影部分代表一切開的脈沖。如這些附圖中可見，為了獲得具有期望大小的坑(a)，由于一記錄激光的光點(c)具有一限定的大小，大于給定的記錄脈沖(b)的坑，即由陰影部分代表的坑(d)被形成。這樣，為了獲得具有一期望大小的坑，應該用預先經(jīng)過負載比修正的記錄脈沖(e)執(zhí)行記錄。
將描述用于獲得帶有一期望寬度的記錄脈沖的方法。圖19是示出在再現(xiàn)期間一記錄脈沖寬度的切開量與一最短坑的幅度之間的關(guān)系的圖形。如圖19所示，當一記錄脈沖寬度的切開量太大或太小時，該再現(xiàn)期間的幅度不變得最佳。當用使該幅度最大的一記錄脈沖寬度的切開量執(zhí)行記錄時，在再現(xiàn)期間可獲得具有最佳S/N比的信號。對于一負載比修正的必要性和其方法已進行了描述。
以下，將描述在ROM部分和RAM部分中單獨進行一負載比修正的必要性。在本實施例中，ROM部分和RAM部分通過各自的光束被切割。無需說，在用于僅切割坑的光束和用于切割槽和坑的光束之間有直徑上的差異。這樣，它們間的用于上述一記錄脈沖的切開量的最佳條件是不同的。而且，在本實施例中，通過使主軸電機74經(jīng)受CAV控制來執(zhí)行切割，用于記錄具有相同大小的坑的一脈沖寬度在一外部跡道上變得比在內(nèi)部跡道上的短。因此，一記錄脈沖寬度的切開量應該由各區(qū)段中的一恒定關(guān)系來被轉(zhuǎn)換。在該方面，要求負載比修正應單獨地在ROM部分和RAM部分內(nèi)進行。而且，要求負載比修正在RAM部分中的這些區(qū)段之間進行。
如上所述，相同的光束被用于切割本實施例中的RAM部分中的槽和坑。與對負載比修正的必要性相同的原因，在再現(xiàn)期間變得最佳的槽的寬度和坑的寬度是不同的。在這些槽和坑的情況下，輻射到主盤60上的光束的功率通過由第二光調(diào)制器66改變該幅度而被轉(zhuǎn)換，從而這些槽和坑被控制以使在再現(xiàn)期間變得最佳。
如上所述，第二實施例的盤可被切割。而且，第三實施例的盤可通過如在第二控制器的可編程合成器中那樣，允許第一控制器65的時鐘發(fā)生器102根據(jù)各區(qū)段轉(zhuǎn)換時鐘而被容易地切割。第四實施例的盤可通過控制時鐘發(fā)生器102，并允許具有與第二和第三實施例中相同格式的記錄數(shù)據(jù)通過ROM部分中的備用數(shù)據(jù)部分中的SCSI接口被寫在存儲器101中以及具有與第二實施例中的RAM部分相同格式的記錄數(shù)據(jù)通過用戶數(shù)據(jù)部分中的SCSI接口被寫在存儲器101中而被容易地切割。
實施例6圖20是本發(fā)明的第六實施例的盤記錄設備的方框圖。該盤記錄設備被用于將數(shù)據(jù)記錄到上述第二實施例中的光盤的主盤上。在圖20中，類似于圖13中的元件用類似的參考數(shù)字表示。省略對其的描述。
在圖20中，參考數(shù)字401表示一光調(diào)制器，用于調(diào)制形成ROM部分中的坑和RAM部分中的槽和頭部，402表示一光調(diào)制控制器，用于根據(jù)待被輸入的記錄數(shù)據(jù)控制光調(diào)制器401，403表示一光束整形單元，用于整形來自光束偏轉(zhuǎn)器68的光束，404表示一孔徑光闌，用于轉(zhuǎn)換ROM部分和RAM部分之間的通過光束整形單元40的一光束的孔徑限度。光調(diào)制控制器402具有與第五實施例中的第二控制器相同的結(jié)構(gòu)。
首先，將描述該光學系統(tǒng)的操作。
由一激光光源61發(fā)射的光束501由一反射鏡63-1反射且其光密度由光調(diào)制器401根據(jù)自光調(diào)制控制器402輸出的ROM部分和RAM部分中的激光開/關(guān)信號308進行調(diào)制。當IDa被記錄在RAM部分中的頭部中時，其光密度由光調(diào)制器401進行調(diào)制并由反射鏡63-2進行反射的光束502通過光束偏轉(zhuǎn)器68被偏轉(zhuǎn)過半個跡道到一外部跡道，當IDb被記錄在頭部中時，根據(jù)光束偏轉(zhuǎn)控制器69輸出的信號315，光束502被偏轉(zhuǎn)過半個跡道到一內(nèi)部跡道，且在切割槽期間沿徑向正弦地跳動。由光束偏轉(zhuǎn)器68偏轉(zhuǎn)且由光束整形單元403整形的一光束503被控制以使通過根據(jù)定時控制器76輸出的信號350，由孔徑光闌404規(guī)定在RAM部分內(nèi)比在ROM部分內(nèi)大的一孔徑限度比，帶有較大光點直徑的一光束在RAM部分內(nèi)被形成。其孔徑限度在ROM部分和RAM部分之間被轉(zhuǎn)換的一光束504被入射到一物鏡73上并被聚光以一期望的格式照射主盤60的光敏電阻。
接著，將描述各控制器的操作，僅詳細描述與第五實施例不同的操作。
在第五實施例中，不同的光束被用于切割ROM部分和RAM部分，以使具有兩個光調(diào)制器和兩個光調(diào)制控制器。然而，在本實施例中，一個光束被用于切割ROM部分和RAM部分，以使一個光調(diào)制器和一個光調(diào)制控制器被用于控制ROM部分和RAM部分的光調(diào)制。如上所述，光調(diào)制控制器402的構(gòu)成與圖13中所示的第二控制器的構(gòu)造相同。僅對ROM部分的情況下的操作進行描述。
在ROM部分中，當用戶發(fā)出開始切割的指令時，與第一信號301的上升同步地輸出一信號302。同時，與ROM部分中的一通道時鐘的N次同步地讀取預先通過一SCSI接口77從SPC78寫在一存儲器112中的ROM部分中的切割數(shù)據(jù)。P/S轉(zhuǎn)換器113用可編程合成器111中的一通道時鐘將切割數(shù)據(jù)(字節(jié)數(shù)據(jù))轉(zhuǎn)換成串行數(shù)據(jù)，從而輸出一信號307。ROM部分中的記錄開始，且從在一指定位置的一扇區(qū)開始連續(xù)地執(zhí)行記錄。在第五實施例中，信號307僅輸出RAM部分的頭部部分中的切割數(shù)據(jù)。然而，在本實施例中，信號307通過定時控制器76被控制以使輸出圖14中所示的信號303的ROM部分中的切割數(shù)據(jù)。圖21示出了說明本實施例中的負載控制器114的操作的時間圖。從圖21中可看到，包含有ROM部分的一延遲量的數(shù)據(jù)的一地址被輸入給ROM116連同來自定時控制器76的一復位信號的輸入。對應于ROM部分的一延遲量被從ROM116輸入給可編程延遲線117且被設置在信號302的第一上升沿。在此時，可編程合成器111被定時控制器76控制以使在同一操作中輸出對應于ROM部分的一通道時鐘。
根據(jù)對應于由可編程延遲線117設置的ROM部分的一延遲量被自一信號307延遲td的一信號309被輸出，且信號307和309通過AND電路118被進行邏輯與，從而減少的“1”(激光開)的一周期的一信號308被輸入給光調(diào)制器401并調(diào)制一光束501。以下的光調(diào)制器401的RAM部分的控制與第五實施例中的相同。
以與第五實施例中相同的方法，圖4中所示的ROM部分被劃分成每跡道10個扇區(qū)。將根據(jù)此進行描述。如果可編程合成器111的頻率被設置以使生成一通道時鐘，該通道時鐘使(通道時鐘數(shù))×10(ROM部分中一區(qū)段內(nèi)的扇區(qū)數(shù))×(從可編程合成器111實際輸出的一時鐘輸出的一周期)＝時間等于主軸電機74的一轉(zhuǎn)動同步信號301的一周期中的一次時間，ROM部分中的這些扇區(qū)的前沿被切割以使在任何時候被徑向地安排。
接著，將描述孔徑光閣404的操作。
孔徑光闌404接收由定時控制器76利用在RAM部分的前沿輸出的信號302的上升沿所生成的一信號350，該信號350在ROM部分中變?yōu)椤?”且在RAM部分中變?yōu)椤?”。一旦接收到信號350，孔徑光闌404被操作以使孔徑限度的比在“0”處變小(相比于RAM部分，孔徑部分較大)及在“1”大(相比于ROM部分，孔徑部分較小)。一縮窄的光束被輸入給ROM部分中的物鏡73，而一稍微大于ROM部分中的光束被輸入給RAM部分中的物鏡73，且這些光束被控制以使在再現(xiàn)期間的例如抖動或傾角裕度的特性變得最佳。而且，連帶著，頭部部分幅度調(diào)節(jié)器115將信號350輸入給光調(diào)制器401，使得當信號350為“0”記錄信號的幅度小于用于切割隊M部分的一頭部部分的一記錄信號的幅度，當信號350為“1”于切割一頭部部分的一記錄信號的幅度小于用于以與第五實施例中的相同的方法切割一槽的一記錄信號的幅度。該孔徑限度被轉(zhuǎn)換且光密度被調(diào)制，從而例如抖動或傾角裕度的特性被最佳化。由于以下原因，要求記錄信號的幅度控制。當孔徑部分被使得較小時，光透射率變低。記錄功率通過在要求大于ROM部分中的一記錄功率的RAM部分中進行記錄時的一孔徑限度而變得較小。為了對此進行補償，提供了幅度控制。
如上所述，第二實施例中的盤被切割。而且，通過使光調(diào)制控制器402的可編程合成器111根據(jù)各區(qū)段來轉(zhuǎn)換時鐘而使第三實施例的盤可被容易地切割。通過控制可編程合成器111，并使與第二和第三實施例相同格式的記錄數(shù)據(jù)通過ROM部分的備用數(shù)據(jù)部分中的SCSI接口被寫在存儲器112中以及使與第二實施例的RAM部分相同格式的記錄數(shù)據(jù)通過用戶數(shù)據(jù)部分中的SCSI接口被寫在存儲器112中而使第四實施例的盤被容易地切割。
根據(jù)第六實施例，除了第五實施例的效果外，具有一優(yōu)點第二實施例中的光盤可由一簡單的光學系統(tǒng)進行切割。
工業(yè)應用性從以上描述中可以看出，在本發(fā)明的盤中，在ROM部分(第一存儲區(qū))和RAM部分(第二存儲區(qū))之間的一邊界區(qū)中的一跡道內(nèi)包括的扇區(qū)數(shù)在ROM部分中的大于在RAM部分中的，且ROM部分中的這些扇區(qū)的前沿至少沿徑向上的一直線被安排。因此，該盤引導時間被縮短，且可提供更大容量的ROM部分。
而且，RAM部分被劃分成若干區(qū)段，RAM部分的數(shù)據(jù)區(qū)中的各區(qū)段內(nèi)包含的跡道數(shù)幾乎相互相等，且ROM部分中的這些扇區(qū)的前沿被徑向地安排。因此，該盤引導時間被縮短，且可提供更大容量的RAM部分。而且，由于RAM部分的數(shù)據(jù)區(qū)中的各區(qū)段內(nèi)包含的跡道數(shù)幾乎相互相等，可容易地發(fā)現(xiàn)該查找區(qū)，電機轉(zhuǎn)動控制可使得更快，且切割期間的記錄設各的結(jié)構(gòu)可被簡化。
而且，由于ROM部分中的一跡道上的一扇區(qū)的至少一前沿在徑向上被與RAM部分中的一跡道上的一扇區(qū)的至少一前沿相對準，當在RAM部分中執(zhí)行查找時，可穩(wěn)定地讀取一地址。
而且，ROM部分由一備用數(shù)據(jù)部分和一用戶數(shù)據(jù)部分組成。該備用數(shù)據(jù)部分中的這些扇區(qū)的全部前沿被徑向地對準。該用戶數(shù)據(jù)部分被劃分成若干區(qū)段。各區(qū)段中的這些扇區(qū)的全部前沿被徑向地安排，且RAM部分中的各區(qū)段內(nèi)的這些扇區(qū)的所有前沿被徑向地安排。ROM部分和RAM部分中的各區(qū)段內(nèi)包含的跡道數(shù)幾乎相互相等。因此，可在ROM部分中記錄DVD-ROM格式的內(nèi)容或諸如此類，從而可獲得具有高附加值的盤。
不管在ROM部分和RAM部分中該多個區(qū)段的分配，各區(qū)段中一引導扇區(qū)的地址總是相同的。因此，可容易地管理數(shù)據(jù)。
由于在備用數(shù)據(jù)部分中記錄用于ROM部分和RAM部分之間的一邊界區(qū)域的信息，可平穩(wěn)地執(zhí)行增益或諸如此類的聚焦、跟蹤和轉(zhuǎn)換。
而且，本發(fā)明的盤記錄設備具有這樣一結(jié)構(gòu)，其中用于控制切割ROM部分的光束的調(diào)制器的第一控制器生成記錄信號以使ROM部分中的這些扇區(qū)的前沿被徑向地安排，且第一光調(diào)制器由該記錄信號控制。因此，盤引導時間被縮短，且盤可被切割以使具有更大容量的ROM部分和RAM部分。
一光束的記錄功率可被控制以使在記錄包含地址信息的坑中的比在記錄RAM部分中的槽中的小。因此，若干槽和若干坑可被切割成一盤以使具有通過一驅(qū)動來記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的最佳特性。
待被輸入的記錄數(shù)據(jù)的開/關(guān)負載比在ROM部分和RAM部分中被單獨地控制。因此，一盤可被切割以使具有通過一驅(qū)動在ROM部分和RAM記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的最佳特性。
當ROM部分被劃分成一備用數(shù)據(jù)部分和一用戶數(shù)據(jù)部分時待被輸入的記錄數(shù)據(jù)的開/關(guān)負載比在各區(qū)段中被控制，且RAM部分中的總是被輸入的記錄數(shù)據(jù)的開/關(guān)負載比在各區(qū)段中被控制。因此，一盤可被切割以使具有通過一驅(qū)動在ROM部分和RAM部分的任一區(qū)段中記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的最佳特性。
而且，在本發(fā)明的盤記錄設備中，用一種光束在切割ROM部分和RAM部分之間轉(zhuǎn)換一孔徑限度。在切割ROM部分的情況下，光調(diào)制控制器生成一記錄信號以使ROM部分中的這些扇區(qū)的前沿被徑向地安排，且光調(diào)制器由該記錄信號控制。因此，盤的引導時間被縮短，且可以一簡化的構(gòu)成切割具有較大容量的ROM部分和RAM部分的一盤。
權(quán)利要求
1.一種盤，包括用于再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第一存儲區(qū)域；和用于記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第二存儲區(qū)域，該第二存儲區(qū)域的各區(qū)段中每個跡道的扇區(qū)數(shù)是固定的，該第二存儲區(qū)域的各區(qū)段中的扇區(qū)數(shù)在徑向上從內(nèi)側(cè)向外側(cè)增加，其中該第一存儲區(qū)域包括備用數(shù)據(jù)部分和用戶數(shù)據(jù)部分，該備用數(shù)據(jù)部分包括多個各具有相同扇區(qū)數(shù)的跡道，各跡道中相應的扇區(qū)在至少一條直線上被對準，該用戶數(shù)據(jù)部分包括多個區(qū)段，各區(qū)段包括多個跡道，各跡道包括多個扇區(qū)，各區(qū)段中每個跡道的扇區(qū)數(shù)是固定的，各區(qū)段的扇區(qū)數(shù)在徑向上從內(nèi)側(cè)向外側(cè)增加。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的盤，其中該第一存儲區(qū)域的用戶數(shù)據(jù)部分具有與該第二存儲區(qū)域相同的扇區(qū)格式。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的盤，其中第一存儲區(qū)域的在徑向上最外側(cè)的區(qū)段中每個跡道的扇區(qū)數(shù)小于第二存儲區(qū)域的在徑向上最內(nèi)側(cè)的區(qū)段中每個跡道的扇區(qū)數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項的盤，其中若干地址被連續(xù)地提供給第一和第二存儲區(qū)域的各跡道的至少一個扇區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的盤，其中第二存儲區(qū)域的各區(qū)段中的跡道數(shù)是彼此相同的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項的盤，其中在第一存儲區(qū)域和第二存儲區(qū)域之間配置有其中未記錄數(shù)據(jù)的一個部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項的盤，其中若干地址被連續(xù)地提供給第一和第二存儲區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項的盤，其中在第一存儲區(qū)域中的備用數(shù)據(jù)部分中記錄有指示第一存儲區(qū)域和第二存儲區(qū)域之間的邊界位置的信息。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項的盤，其中各區(qū)段中的領(lǐng)頭扇區(qū)的地址是根據(jù)該領(lǐng)頭扇區(qū)在徑向上的位置確定的。
10.一種制造盤的方法，該方法包括形成用于再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第一存儲區(qū)域；和形成用于記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第二存儲區(qū)域，該第二存儲區(qū)域的各區(qū)段中每個跡道的扇區(qū)數(shù)是固定的，該第二存儲區(qū)域的各區(qū)段中的扇區(qū)數(shù)在徑向上從內(nèi)側(cè)向外側(cè)增加，其中該第一存儲區(qū)域包括備用數(shù)據(jù)部分和用戶數(shù)據(jù)部分，該備用數(shù)據(jù)部分包括多個各具有相同扇區(qū)數(shù)的跡道，各跡道中相應的扇區(qū)在至少一條直線上被對準，該用戶數(shù)據(jù)部分包括多個區(qū)段，各區(qū)段包括多個跡道，各跡道包括多個扇區(qū)，各區(qū)段中每個跡道的扇區(qū)數(shù)是固定的，各區(qū)段的扇區(qū)數(shù)在徑向上從內(nèi)側(cè)向外側(cè)增加。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的制造盤的方法，其中該第一存儲區(qū)域的用戶數(shù)據(jù)部分具有與該第二存儲區(qū)域相同的扇區(qū)格式。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11的制造盤的方法，其中第一存儲區(qū)域的在徑向上最外側(cè)的區(qū)段中每個跡道的扇區(qū)數(shù)小于第二存儲區(qū)域的在徑向上最內(nèi)側(cè)的區(qū)段中每個跡道的扇區(qū)數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10-12中任一項的制造盤的方法，其中若干地址被連續(xù)地提供給第一和第二存儲區(qū)域的各跡道的至少一個扇區(qū)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10-13中任一項的制造盤的方法，其中第二存儲區(qū)域的各區(qū)段中的跡道數(shù)是彼此相同的。
15.根據(jù)權(quán)利要求10-14中任一項的制造盤的方法，其中在第一存儲區(qū)域和第二存儲區(qū)域之間配置有其中未記錄數(shù)據(jù)的一個部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求10-15中任一項的制造盤的方法，其中若干地址被連續(xù)地提供給第一和第二存儲區(qū)域。
17.根據(jù)權(quán)利要求10-16中任一項的制造盤的方法，其中在第一存儲區(qū)域中的備用數(shù)據(jù)部分中記錄有指示第一存儲區(qū)域和第二存儲區(qū)域之間的邊界位置的信息。
18.根據(jù)權(quán)利要求10-17中任一項的制造盤的方法，其中各區(qū)段中的領(lǐng)頭扇區(qū)的地址是根據(jù)該領(lǐng)頭扇區(qū)在徑向上的位置確定的。
全文摘要
本發(fā)明的一種盤，包括用于再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第一存儲區(qū)域；和用于記錄并再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第二存儲區(qū)域，第一存儲區(qū)域靠近于第二存儲區(qū)域，其中相互靠近的第一和第二存儲區(qū)域的各跡道中的扇區(qū)數(shù)在第一存儲區(qū)域中的大于在第二存儲區(qū)域中的，且第一存儲區(qū)域的各跡道中的扇區(qū)的前沿在至少一直線上被對準。
文檔編號G11B7/125GK1975913SQ20061016849
公開日2007年6月6日 申請日期1998年4月16日 優(yōu)先權(quán)日1997年4月16日
發(fā)明者小西信一, 植野文章 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社