專利名稱：光盤裝置的pll控制電路、用于控制光盤裝置的程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光盤裝置的PLL控制電路、用于控制光盤裝置的程序。
背景技術(shù)：
當今，存在如下的光盤裝置使光盤(例如CD(Compact Disc)、DVD(Digital Versatile Disc)等)旋轉(zhuǎn)并照射激光，從而進行信息的再生。該光盤裝置有的具有PLL(Phase Locked Loop)電路，以生成用于再生處理或光盤的旋轉(zhuǎn)控制等的時鐘(下面稱作再生時鐘)。下面，參照圖7進行說明，首先，對照射光盤的記錄面的激光的反射光進行光電變換生成RF(Radio Frequency)信號。該RF信號以通過SLC(Slice Level Control)電路101的反饋控制而固定的限幅電平被二值化而成為二值化信號，并輸出至PLL控制電路100。PLL控制電路100包括相位比較電路102、1/n分頻電路103、電荷泵電路104、LPF(Low Pass Filter)105、VCO(ViltageControlled Oscillator)電路106等，通過由各電路動作進行反饋控制，生成使頻率信號與二值化信號的相位同步的再生時鐘。然后，在后段的譯碼器107中，基于再生時鐘，對二值化信號實施譯碼處理，從而進行良好的信息的再生。下面，將在PLL控制電路100中使頻率信號與二值化信號的相位同步而生成再生時鐘的狀態(tài)，稱作PLL控制電路100的閉鎖。
但是，對光盤的記錄面或入射激光的入射面等，由于沖擊或混亂的處理等會產(chǎn)生損傷或塵埃等的所謂的缺陷。激光照射該缺陷時的RF信號，因該激光或反射光的光量的變化等而成為例如如圖8RF信號(期間T12)所示的振幅變化的波形。而且，由于該RF信號的振幅的變化使得SLC電路101的限幅電平不穩(wěn)定，結(jié)果導致二值化信號變?yōu)椴环€(wěn)定信號并被輸入到PLL控制電路100。因此，二值化信號和頻率信號的相位不同步，從而有可能使PLL控制電路100的閉鎖打開(以下稱作PLL控制電路100的解鎖)。另外，該RF信號也會給光盤裝置生成的各種伺服控制(聚焦控制、跟蹤控制)用的信號(聚焦誤差信號、跟蹤誤差信號等)帶來影響，有可能產(chǎn)生光盤裝置的誤動作等。因此，在光盤裝置中，有的具有用于對受到缺陷影響的RF信號進行檢測的缺陷檢測電路108。進一步，也有在PLL控制電路100中，包括閉鎖判斷電路109、CP(Charge Pump)增壓(boost)控制電路110、定時器111，用于通過光盤的旋轉(zhuǎn)而激光不照射在缺陷處，再次輸入可進行再生處理的二值化信號時，與由相位比較電路102進行的相位比較無關(guān)地對PLL控制電路100進行再閉鎖。
下面，參照圖8的各波形對受到缺陷影響的RF信號的檢測、PLL控制電路100的再閉鎖進行說明。另外，至t10為止以及經(jīng)過期間T12后的RF信號表示沒有受到缺陷影響的RF信號的一個例子。
缺陷檢測電路108例如通過判斷RF信號的峰值電平和谷值電平之間的差是否小于規(guī)定的電平來檢測受到缺陷影響的RF信號。而且，缺陷檢測電路108若判斷RF信號的峰值電平和谷值電平之間的差小于規(guī)定的電平，則輸出高電平的缺陷信號(t11)。光盤裝置基于缺陷信號的上升沿，例如使各種伺服控制暫時停止。其結(jié)果，可以避免由于缺陷影響帶來誤動作等。其后，光盤裝置基于缺陷信號的下降沿再次開始各種伺服控制。
另一方面，閉鎖判斷電路109根據(jù)二值化信號和頻率信號的相位比較來判斷PLL控制電路100的閉鎖或解鎖。閉鎖判斷電路109若判斷PLL控制電路100為解鎖時(t12)，則將表示判斷結(jié)果的信號輸出至CP增壓控制電路110。CP增壓控制電路110根據(jù)來自閉鎖判斷電路109的信號，使定時器111的計時開始，并判斷是否達到了預(yù)定的期間T11。而且，CP增壓控制電路110若判斷定時器111的計時達到期間T11，則將不依賴于相位比較電路102的相位比較使二值化信號和頻率信號的相位同步的高電平信號(以下稱作CP控制信號)發(fā)送至電荷泵電路104(t13)。電荷泵電路104基于CP控制信號進行使輸出至LPF105的電壓升壓的所謂增壓動作。LPF105將使來自電荷泵電路104的輸出電壓平滑后的控制電壓(以下稱作VCO控制電壓)輸出至VCO電路106。該VCO控制電壓如圖8所示，為了使二值化信號和頻率信號的相位同步，而根據(jù)上述的電荷泵電路104的增壓而反復升壓。而且，VCO電路106生成與VCO控制電壓的電平對應(yīng)的頻率信號，并輸出至1/n分頻電路103。1/n分頻電路103將對來自VCO電路106的頻率信號進行1/n分頻而得到的頻率信號輸出至相位比較電路102、閉鎖判斷電路109。這樣，當再次輸入可再生處理的二值化信號時，為了使二值化信號和頻率信號的相位迅速地同步(對PLL控制電路100進行再閉鎖)，經(jīng)過了預(yù)定的期間T11后使電荷泵電路104增壓，從而使電荷泵電路104的輸出電壓升壓。
然后，若通過光盤的旋轉(zhuǎn)使激光不照射缺陷處，則可再生處理的RF信號再次被輸入到SLC電路101。然后，將該RF信號二值化而得到的二值化信號被輸入到相位比較電路102。然后通過PLL控制電路100的反饋控制和上述的電荷泵電路104的增壓，使得二值化信號和頻率信號的相位迅速地同步(t14)。其結(jié)果，可以在不有損二值化信號的情況下從光盤進行信息再生。另外，閉鎖判斷電路109若根據(jù)二值化信號和頻率信號的相位比較來判斷PLL控制電路100的再閉鎖，則將用于使CP增壓控制電路110的CP控制信號的輸出停止的信號發(fā)送至CP增壓控制電路110(t15)。
專利文獻1特開平10-208244號公報專利文獻2特開平8-264956號公報但是，在以往的PLL控制電路100中，由于通過以PLL控制電路100的解鎖為基礎(chǔ)的時間管理來控制電荷泵電路104的增壓開始，所以有可能會在電荷泵電路104的增壓期間產(chǎn)生偏差。
詳細而言，例如在期間T12相對于期間T11變長的情況下，有可能相對地到電荷泵電路104增壓為止的期間T11變短，電荷泵電路104增壓的期間變長。因此，由于電荷泵電路104增壓的期間變長，所以有可能導致耗電增大。另外，由于在SLC101的限幅電平不穩(wěn)定的期間增壓，所以VCO控制電壓更加不穩(wěn)定，其結(jié)果有可能會使相位的同步延遲?；蛘?，在期間T12相對于期間T11短的情況下，有可能期間T12中的電荷泵電路104的增壓期間變短。因此，盡管可再生處理的二值化信號被輸入到PLL控制電路100，二值化信號和頻率信號的相位的同步都延遲，從而光盤裝置有可能無法進行迅速的信息再生處理。其結(jié)果，有可能導致光盤裝置中的信息的再生處理所涉及的性能低下。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光盤裝置的PLL控制電路和用于控制光盤裝置的程序，其不依賴于二值化信號和頻率信號的相位比較，基于RF信號超過規(guī)定的電平這一情況，可以使電荷泵電路的輸出電壓升壓。
用于解決所述課題的本發(fā)明是一種光盤裝置的PLL控制電路，包括電壓頻率變換電路，通過基于控制電壓來調(diào)整振蕩頻率，產(chǎn)生第一頻率信號；相位比較電路，對所述第一頻率信號、和根據(jù)照射到光盤的激光的反射光被光電變換時的RF信號而產(chǎn)生的第二頻率信號進行相位比較，產(chǎn)生表示所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位差的相位差信號；和電荷泵電路，根據(jù)所述相位差信號，產(chǎn)生用于使所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位同步的所述控制電壓，所述光盤裝置的PLL控制電路還包括第一檢測電路，檢測所述RF信號是否超過了規(guī)定電平；第二檢測電路，檢測所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位是否同步；和控制電路，控制所述電荷泵電路，使得在所述第一檢測電路檢測到所述RF信號超過了所述規(guī)定電平的情況下，不依賴于所述相位差信號，來產(chǎn)生所述控制電壓，且在所述第二檢測電路檢測到所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位同步的情況下，根據(jù)所述相位差信號來產(chǎn)生所述控制電壓。
另外，本發(fā)明的程序，由對光盤裝置進行控制的計算機執(zhí)行，該光盤裝置具備PLL電路、第一檢測電路和第二檢測電路，所述PLL電路包括電壓頻率變換電路，通過基于控制電壓來調(diào)整振蕩頻率，產(chǎn)生第一頻率信號；相位比較電路，對所述第一頻率信號、和根據(jù)照射到光盤的激光的反射光被光電變換時的RF信號而產(chǎn)生的第二頻率信號進行相位比較，并產(chǎn)生表示所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位差的相位差信號；和電荷泵電路，根據(jù)所述相位差信號，產(chǎn)生用于使所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位同步的所述控制電壓，所述第一檢測電路用來檢測所述RF信號是否超過了規(guī)定電平，所述第二檢測電路用來檢測所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位是否同步，所述程序使所述計算機按照以下方式來實現(xiàn)控制所述電荷泵電路的功能在所述第一檢測電路檢測到所述RF信號超過了所述規(guī)定電平的情況下，不依賴于所述相位差信號，來產(chǎn)生所述控制電壓，且在所述第二檢測電路檢測到所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位同步的情況下，根據(jù)所述相位差信號來產(chǎn)生所述控制電壓。
(發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明，不依賴于二值化信號和頻率信號的相位比較，基于RF信號超過規(guī)定電平這一情況，可以使電荷泵電路的輸出電壓升壓。


圖1是表示光盤裝置的整體構(gòu)成的功能框圖。
圖2是表示缺陷檢測電路的構(gòu)成的一個例子的功能框圖。
圖3是表示本發(fā)明所涉及的PLL控制電路的構(gòu)成的一個例子的功能框圖。
圖4是表示閉鎖判斷電路、CP增壓控制電路的構(gòu)成的一個例子的圖。
圖5是表示電荷泵電路、LPF的構(gòu)成的一個例子的電路圖。
圖6是表示RF信號以及本發(fā)明所涉及的PLL控制電路的動作的時序圖。
圖7是表示以往的PLL控制電路的構(gòu)成的一個例子的功能框圖。
圖8是表示RF信號以及以往的PLL控制電路的動作的時序圖。
圖中1-光盤裝置，2-主軸馬達，3-旋轉(zhuǎn)軸，4-光拾取器，5-RF放大器，6-伺服控制電路，7-驅(qū)動器，8-線程控制電路，9、108-缺陷檢測電路，10、101-SLC電路，11、100-PLL控制電路，12、107-譯碼器，13-RAM，14-接口，15-總體控制電路，16-峰值保持電路，17-谷值保持電路，18-減法電路，19-基準電信號產(chǎn)生電路，20-比較電路，21、102-相位比較電路，22、103-1/n分頻電路，23、104-電荷泵電路，24、105-LPF，25、106-VCO電路，26、109-閉鎖判斷電路，27、110-CP增壓控制電路，28、111-定時器，29-CPU，30-ROM，32、42-反相器電路，33-NAND電路，34-切換控制電路，35-定時器控制電路，36-NOR電路，37-AND電路，38-EXNOR電路，39、41-切換電路，40-升壓控制電路，43-P型MOSFET，44-N型MOSFET，45-電阻，46-電容器，80-光盤。
具體實施例方式
根據(jù)說明書以及附圖的記載至少可以明確以下事項。
(光盤裝置的整體構(gòu)成)下面適當參照圖8，并利用圖1、圖2對本發(fā)明所涉及的具有PLL控制電路11的光盤裝置1的整體構(gòu)成進行說明。圖1是表示本發(fā)明所涉及的光盤裝置1的整體構(gòu)成的一個例子的功能框圖。圖2是表示圖1所示的缺陷檢測電路9(第一檢測電路)的構(gòu)成的一個例子的功能框圖。另外，在本實施方式中，作為信息再生對象的光盤80例如以CD規(guī)格為例進行說明。
光盤裝置1包括主軸馬達2、旋轉(zhuǎn)軸3、光拾取器4、RF放大器5、伺服控制電路6、驅(qū)動器7、線程控制電路(thread control circuit)8、缺陷檢測電路9、SLC電路10、PLL控制電路11、譯碼器12、RAM(RandomAccess Memory)13、接口(I/F)14、總體控制電路15。
主軸馬達2通過將來自驅(qū)動器7的控制電壓施加給主軸馬達線圈(未圖示)而進行旋轉(zhuǎn)，例如使與旋轉(zhuǎn)軸3固定在一起的夾具(chucking)機構(gòu)上設(shè)置的光盤80向規(guī)定的旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)。
光拾取器4包括未圖示的半導體激光器、光檢測器、執(zhí)行機構(gòu)、各種光學系統(tǒng)(準直透鏡、變形(anamorphic)透鏡等)、物鏡。半導體激光器射出與光盤80的規(guī)格對應(yīng)波長(780nm～790nm)的激光。激光透過各種光學系統(tǒng)并反射后，從物鏡對光盤80射出。然后，激光照射光盤80的記錄面(未圖示)后被反射面(未圖示)反射，入射到光拾取器4的物鏡。入射到光拾取器4的激光的反射光透過各種光學系統(tǒng)并反射后，由光檢測器接收。光檢測器生成與激光的反射光的光量相當?shù)墓怆娮儞Q信號，并輸出至RF放大器5。
RF放大器5以規(guī)定的增益放大來自光拾取器4的光電變換信號，生成RF信號，并將其輸出至缺陷檢測電路9、SLC電路10。另外，RF放大器5基于光電變換信號，生成用于通過光盤4的執(zhí)行機構(gòu)使物鏡向著聚焦方向(光軸方向)移動的聚焦誤差信號、用于向跟蹤方向(光盤80的徑向)移動的跟蹤誤差信號等的各種伺服控制用的信號，并將其輸出至伺服控制電路6。
伺服控制電路6基于來自RF放大器5的各種伺服控制用的信號，生成聚焦控制信號、跟蹤控制信號等，并輸出至驅(qū)動器7。另外，伺服控制電路6基于主軸馬達2旋轉(zhuǎn)時的反電動勢，生成與主軸馬達2的轉(zhuǎn)速對應(yīng)的頻率的FG(Frequency Generator)信號。然后，伺服控制電路6基于FG信號，將旋轉(zhuǎn)控制信號輸出至驅(qū)動器7，該旋轉(zhuǎn)控制信號用于以由總體控制電路15指示的轉(zhuǎn)速使主軸馬達2旋轉(zhuǎn)。
驅(qū)動器7基于來自伺服控制電路6的聚焦控制信號、跟蹤控制信號等，將控制電壓施加給光拾取器4的執(zhí)行機構(gòu)。其結(jié)果，物鏡向聚焦方向移動，從而可使激光在記錄面對焦，并且物鏡向跟蹤方向移動，從而可使激光追隨形成于記錄面上的軌道。另外，驅(qū)動器7基于來自伺服控制電路6的旋轉(zhuǎn)控制信號，將控制電壓施加給主軸馬達2的主軸馬達線圈。其結(jié)果，主軸馬達2以由總體控制電路15指示的轉(zhuǎn)速進行旋轉(zhuǎn)。
線程控制電路8基于來自總體控制電路15的指示信號，使未圖示的步進馬達旋轉(zhuǎn)，以此使光拾取器4向跟蹤方向移動。
如圖2所示，缺陷檢測電路9包括峰值保持電路16(保持電路)、谷值保持電路(bottom holding circuit)17(保持電路)、減法電路18、基準電信號產(chǎn)生電路19，比較電路20(電平檢測電路)。峰值保持電路16保持來自RF放大器5的RF信號的規(guī)定期間中的峰值電平。另外，谷值保持電路17保持與峰值保持電路16相同的規(guī)定期間中的RF信號的谷值電平。減法電路18將表示減法運算結(jié)果的電信號輸出至比較電路20，該減法運算結(jié)果是通過從峰值保持電路16保持的峰值電平減去谷值保持電路17保持的谷值電平而得到的。基準電信號產(chǎn)生電路19將基準電信號(規(guī)定電平)輸出至比較電路20，該基準電信號用于在比較電路20中判斷從RF放大器5輸入的RF信號是否為激光照射光盤80的缺陷時的RF信號。下面，參照圖8對基準電信號進行詳細描述。激光照射光盤80的缺陷時的RF信號的振幅(T12期間)比激光沒有照射光盤80的缺陷時的RF信號的振幅小。即，照射缺陷時的RF信號的峰值電平和谷值電平的差，比沒有照射缺陷時的RF信號的峰值電平和谷值電平的差小。因此，例如通過設(shè)定基準電信號產(chǎn)生電路19，以使沒有照射缺陷時減法電路18輸出的最小的電信號為基準電信號，由此在比較電路20中可以判斷是否為照射缺陷時的RF信號。另外，該基準電信號可以在事先的試驗等中通過檢測沒有照射缺陷時的減法電路18的輸出來設(shè)定。比較電路20當來自減法電路18的電信號的電平在來自基準電信號產(chǎn)生電路19的基準電信號的電平以上時，將低電平的缺陷信號輸出至PLL控制電路11。即，缺陷檢測電路9將激光沒有照射光盤80的缺陷時的低電平的缺陷信號輸出至PLL控制電路11。另外，比較電路20在電信號的電平小于基準電信號的電平時，將高電平的缺陷信號輸出至PLL控制電路11。即，缺陷檢測電路9將激光照射光盤80的缺陷時的高電平的缺陷信號輸出至PLL控制電路11。
再次參照圖1進行說明，SLC電路10由未圖示的比較電路和積分電路構(gòu)成，經(jīng)由積分電路將比較電路的輸出輸入至該比較電路的一方的輸入端子，由此反饋控制限幅電平。然后，SLC電路10將二值化信號(第二頻率信號)輸出至PLL控制電路11，該二值化信號是以限幅電平對輸入至比較電路的另一方的輸入端子的來自RF放大器5的RF信號進行二值化處理而得到的。
PLL控制電路11將再生時鐘和二值化信號輸出至譯碼器12，該再生時鐘用于使后述的頻率信號B(第一頻率信號)與二值化信號的相位同步。另外，對于PLL控制電路11在后面詳細描述。
譯碼器12通過檢測再生時鐘的例如上升沿的定時的二值化信號的電平，來提取數(shù)字數(shù)據(jù)。然后，譯碼器12對數(shù)字數(shù)據(jù)實施與光盤80的規(guī)格對應(yīng)的EFM(Eight Fourteen Modulation)解調(diào)、CIRC(Cross InterleavedReed-Solomon Code)等的錯誤訂正等的譯碼處理。其結(jié)果，對來自光盤80的記錄面的信息進行再生。作為譯碼器12的譯碼處理結(jié)果的再生數(shù)據(jù)基于來自總體控制電路15的指示而被輸出至RAM13或接口14。
接口14是為了經(jīng)由連接端子(未圖示)連接的例如主機計算機(未圖示)和光盤裝置1進行再生數(shù)據(jù)的收發(fā)而設(shè)置的。作為該接口14，有ATAPI(AT Attachment Packet Interface)規(guī)格或SCSI(small ComputerSystem Interface)規(guī)格、IEEE(Institute of Electrical and ElectronicEngineers)1394規(guī)格、USB(Universal Serial Bus)規(guī)格等。
RAM13保持來自譯碼器12的再生數(shù)據(jù)。保持于RAM13中的再生數(shù)據(jù)基于來自總體控制電路15的指示而被讀出，并經(jīng)由接口14輸出至主機計算機。另外，RAM13由SRAM(Static RAM)等易失性存儲元件構(gòu)成，RAM13保持的再生數(shù)據(jù)由后備電源保持。
總體控制電路15包括CPU(Central Processing Unit)29、ROM(ReadOnly Memory)30。在ROM30中預(yù)先存儲有用于控制上述的各控制塊的程序。CPU29包括指定ROM30的地址的地址計數(shù)器(未圖示)、解讀從ROM30讀出的程序數(shù)據(jù)的程序邏輯陣列(未圖示)、進行邏輯運算的邏輯運算單元(未圖示)、暫時存儲運算數(shù)據(jù)的寄存器(未圖示)等。而且，CPU29通過分析從ROM30讀出的程序數(shù)據(jù)來控制各控制塊，使為了從光盤80進行信息再生的光盤裝置1進行處理動作。另外，總體控制電路15根據(jù)來自缺陷檢測電路9的缺陷信號的上升沿，使光盤裝置1的上述的各種伺服控制等暫時停止。另外，總體控制電路15根據(jù)缺陷信號的下降沿，使光盤裝置1的各種伺服控制等再次開始。
(PLL控制電路11的詳細情況)下面，使用圖3～圖6對本發(fā)明所涉及的PLL控制電路11的詳細情況進行說明。圖3是表示PLL控制電路11的構(gòu)成的一個例子的功能框圖。圖4是表示圖3所示的閉鎖判斷電路26(第二檢測電路)、CP增壓控制電路27(控制電路)的構(gòu)成的一個例子的圖。圖5是表示圖3所示的電荷泵電路23(控制電路)、LPF24的構(gòu)成的一個例子的電路圖。圖6是表示RF信號的波形以及本發(fā)明所涉及的PLL控制電路11的動作的時序圖。
PLL控制電路11包括相位比較電路21、1/n分頻電路22(電壓頻率變換電路)、電荷泵電路23、LPF24、VCO電路25(電壓頻率變換電路)、閉鎖判斷電路26、CP增壓控制電路27、定時器28。另外，在本實施方式中，雖然分別單獨地設(shè)置PLL控制電路11和上述的缺陷檢測電路9，但并非限定于此，也可以采用在PLL控制電路11的內(nèi)部設(shè)置缺陷檢測電路9的結(jié)構(gòu)。另外，相位比較電路21、1/n分頻電路22、電荷泵電路23、LPF24、VCO電路25構(gòu)成一般的PLL電路。
VCO電路25生成與來自LPF24的VCO控制電壓對應(yīng)的振蕩頻率的頻率信號(以下稱作頻率信號A)，并輸出至1/n分頻電路22。另外，作為VCO電路25可以采用未圖示的水晶振蕩器或利用了鉭酸鋰(LiTaO3)的振蕩器等。
1/n分頻電路22將對頻率信號A進行1/n分頻后的頻率信號(以下稱作頻率信號B)輸出至相位比較電路21、閉鎖判斷電路26。另外，進行1/n分頻的理由是根據(jù)二值化信號和頻率信號B的相位同步時的VCO電路25輸出的頻率信號A(頻率信號B的頻率×n的頻率)，總體控制電路15等進行用于信息再生的上述的處理。
相位比較電路21被設(shè)置成結(jié)構(gòu)與圖4所示的閉鎖判斷電路26的結(jié)構(gòu)的單點劃線內(nèi)相同。相位比較電路21對二值化信號和頻率信號B進行相位比較，在二值化信號的相位比頻率信號B的相位超前的期間輸出低電平的信號Pu，在相位同步以及二值化信號的相位比頻率信號B的相位延遲的期間，輸出高電平的信號Pu(相位差信號)。另外，相位比較電路21，在二值化信號的相位比頻率信號B的相位延遲的期間輸出低電平的信號Pd(相位差信號)，在相位同步以及二值化信號的相位比頻率信號B的相位超前的期間，輸出高電平的信號Pd。
閉鎖判斷電路26對二值化信號和頻率信號B進行相位比較，判斷PLL控制電路11的閉鎖或解鎖。因此，閉鎖判斷電路26如圖4所示，包括反相器電路32A～32C、NAND電路33A～33J。反相器電路32A將二值化信號的高電平反相，將低電平反相，并輸出至NAND電路33A。反相器電路32B將頻率信號B的高電平反相，將低電平反相，并輸出至NAND電路33F。NAND電路33A在反相器電路32A和NAND電路33H的輸出都是高電平時輸出低電平，除此以外時輸出高電平。NAND電路33B在NAND電路33A和NAND電路33C的輸出都是高電平時輸出低電平，除此以外時輸出高電平。NAND電路33C在NAND電路33B和NAND電路33G的輸出都是高電平時輸出低電平，除此以外時輸出高電平。NAND電路33D在NAND電路33G和NAND電路33E的輸出都是高電平時輸出低電平，除此以外時輸出高電平。NAND電路33E在NAND電路33D和NAND電路33F的輸出都是高電平時輸出低電平，除此以外時輸出高電平。NAND電路33F在反相器電路32B和NAND電路33I的輸出都是高電平時輸出低電平，除此以外時輸出高電平。NAND電路33G在NAND電路33A、NAND電路33B、NAND電路33E和NAND電路33F的輸出都是高電平時輸出低電平，除此以外時輸出高電平。NAND電路33H在NAND電路33A、NAND電路33B和NAND電路33G的輸出都是高電平時輸出低電平的信號Pu，除此以外時輸出高電平的信號Pu。NAND電路33I在NAND電路33E、NAND電路33F和NAND電路33G的輸出都是高電平時輸出低電平的信號Pd，除此以外時輸出高電平的信號Pd。通過這些動作，NAND電路33H、33I為了進行穩(wěn)定的輸出動作，輸出相對于初期的8次份的二值化信號和頻率信號B的輸入變得不穩(wěn)定。其后，NAND電路33H在二值化信號的相位比頻率信號B的相位超前的期間輸出低電平的信號Pu，在相位同步以及二值化信號的相位比頻率信號B的相位延遲的期間輸出高電平的信號Pu。另外，NAND電路33I在二值化信號的相位比頻率信號B的相位延遲的期間輸出低電平的信號Pd，在相位同步以及二值化信號的相位比頻率信號B的相位超前的期間輸出高電平的信號Pd。NAND電路33J在NAND電路33H和NAND電路33I的輸出都是高電平時輸出低電平，除此以外時輸出高電平。反相器電路32C將來自NAND電路33J的低電平反相，將高電平反相，并輸出至CP增壓控制電路27。其結(jié)果，閉鎖判斷電路26在二值化信號和頻率信號B的相位同步時，輸出表示PLL控制電路11為閉鎖狀態(tài)的高電平。另外，閉鎖判斷電路26在二值化信號和頻率信號B的相位不同步時，輸出表示PLL控制電路11為解鎖狀態(tài)的低電平。
CP增壓控制電路27是如下的電路基于來自缺陷檢測電路9的高電平的缺陷信號的下降沿，為了與由相位比較電路21進行的二值化信號和頻率信號B的相位比較無關(guān)地在電荷泵電路23中生成用于使二值化信號和頻率信號B的相位同步的電壓(增壓)而進行控制。另外，CP增壓控制電路27是下述的電路在使電荷泵電路23增壓的狀態(tài)下，輸入來自閉鎖判斷電路26的低電平(PLL控制電路11的再閉鎖)，經(jīng)過規(guī)定期間T2(參照圖6，預(yù)定的期間)后，為了使電荷泵電路23的增壓停止而進行控制。為了進行這樣的處理，如圖4所示，CP增壓控制電路27包括切換控制電路34、定時器控制電路35、NOR電路36、AND電路37、EXNOR(Exclusive NOR)電路38、切換電路39、升壓控制電路40。
切換控制電路34例如與光盤1開始啟動一起，將切換電路39切換至AND電路37的一方的輸入端子側(cè)，將缺陷信號輸入至AND電路37。另外，切換控制電路34基于高電平的缺陷信號的下降沿(開始輸入低電平的缺陷信號)，將切換電路39切換至NOR電路36的一方的輸入端子側(cè)，并使低電平的缺陷信號輸入至NOR電路36。另外，切換控制電路34基于來自定時器控制電路35的控制信號，將切換電路39切換至AND電路37的一方的輸入端子側(cè)，并使缺陷信號輸入至AND電路37。AND電路37在缺陷信號和閉鎖判斷電路26的輸出都是高電平時輸出高電平的CP控制信號，除此以外時輸出低電平的CP控制信號。NOR電路36在缺陷信號和閉鎖判斷電路26的輸出都是低電平時輸出高電平，除此以外時輸出低電平。定時器控制電路35基于來自NOR電路36的高電平，向EXNOR電路38輸出高電平。另外，定時器控制電路35基于來自NOR電路36的低電平，向EXNOR電路38輸出低電平，并開始定時器28的定時。然后，定時器控制電路35判斷定時器28的計時是否達到預(yù)定的期間T2(圖6)。該期間T2表示，為了更可靠地再閉鎖PLL控制電路11而使電荷泵電路23增壓的期間。參照圖6進行詳細描述，在PLL控制電路11再閉鎖剛結(jié)束后的狀態(tài)下(t3)，VCO控制電路有可能還是不穩(wěn)定的狀態(tài)(t3、t4期間)。因此，PLL控制電路11有可能需要時間來反復再閉鎖或者解鎖，直至再閉鎖穩(wěn)定為止。因此，即使在期間T2中，通過使電荷泵電路23增壓，可迅速且可靠地進行PLL控制電路11的再閉鎖。然后，定時器控制電路35若判斷定時器28的計時達到期間T2，則向EXNOR電路38輸出高電平，并為了將切換電路39切換至AND電路37的一方的輸入端子側(cè)，而將控制信號發(fā)送至切換控制電路34。EXNOR電路38在NOR電路36和定時器控制電路35的輸出一致時輸出高電平的CP控制信號，不一致時輸出低電平的CP控制信號。升壓控制電路40基于來自EXNOR電路38的高電平，反復輸出規(guī)定期間的低電平，以使電荷泵電路23增壓，使二值化信號和頻率信號B的相位同步。另外，升壓控制電路40基于來自EXNOR電路38的低電平，停止低電平的輸出。
電荷泵電路23是如下的電路基于來自相位比較電路21的信號Pu、信號Pd的電平，生成用于使二值化信號和頻率信號B的相位同步的電壓(控制電壓)。另外，電荷泵電路23是如下的電路與相位比較電路21所進行的二值化信號和頻率信號B的相位比較無關(guān)，基于高電平的CP控制信號以及來自升壓控制電路40的低電平，產(chǎn)生(增壓)用于使二值化信號和頻率信號B的相位同步的電壓(控制電壓)。為了進行這樣的處理，如圖5所示，電荷泵電路23包括反相器電路42、切換電路41A(輸入信號控制電路)、41B(輸入信號控制電路)、P型MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor)43、N型MOSFET44。切換電路41A根據(jù)低電平的CP控制信號而切換至相位比較電路21側(cè)，根據(jù)高電平的CP控制信號而切換至CP增壓控制電路27側(cè)。通過切換電路41A切換至相位比較電路21側(cè)而輸入信號Pu，P型MOSFET43在信號Pu為低電平時導通，在信號Pu為高電平時截止。然后，通過P型MOSFET43導通，將電源電壓VDD輸出至LPF24。即，電荷泵電路23通過切換電路41A切換至相位比較電路21側(cè)，基于由該相位比較電路21進行的二值化信號和頻率信號B的相位比較，將電壓輸出至LPF24。另外，P型MOSFET43通過切換電路41A切換至CP增壓控制電路27側(cè)，通過來自升壓控制電路40的低電平而導通。然后通過P型MOSFET43導通，將電源電壓VDD輸出至LPF24(電荷泵電路23的增壓)。即，電荷泵電路23通過切換電路41A切換至CP增壓控制電路27側(cè)，而與由相位比較電路21進行的二值化信號和頻率信號B的相位比較無關(guān)地向LPF24輸出電壓。反相器電路42將信號Pd的低電平反相，將高電平反相，并輸出至切換電路41B。切換電路41B根據(jù)低電平的CP控制信號而切換至相位比較電路21側(cè)，根據(jù)高電平的CP控制信號而切換至CP增壓控制電路27側(cè)。通過切換電路41B切換至相位比較電路21側(cè)而輸入信號Pd，N型MOSFET44在信號Pd為高電平時導通，在信號Pd為低電平時截止。而且通過N型MOSFET44導通，將GND電平的電壓輸出至LPF24。即，電荷泵電路23通過切換電路41B切換至相位比較電路21側(cè)，基于由該相位比較電路21進行的二值化信號和頻率信號B的相位比較，將電壓輸出至LPF24。另外，N型MOSFET44通過切換電路41B切換至CP增壓控制電路27側(cè)，通過來自升壓控制電路40的低電平而截止。即，電荷泵電路23通過切換電路41B切換至CP增壓控制電路27側(cè)，與由相位比較電路21進行的二值化信號和頻率信號B的相位比較無關(guān)，基于P型MOSFET43的導通而向LPF24輸出電壓。
LPF24是RC積分電路，包括電阻45和電容器46，并通過用電容器46除去電荷泵電路23的輸出電壓的交流成分而進行平滑化。電容器46通過電荷泵電路23的輸出電壓(電源電壓VDD)，通過注入電荷而進行充電。其結(jié)果，從LPF24向VCO電路25輸出的VCO控制電壓被升壓。另外，電容器46通過電荷泵電路23的輸出電壓(GND電平)，通過釋放電荷而放電。其結(jié)果，從LPF24向VCO電路25輸出的VCO電壓被降壓。
(PLL控制電路11的動作)下面，適當參照圖1～圖4，并利用圖6對本發(fā)明所涉及的PLL控制電路11的動作進行說明。另外，關(guān)于至激光照射光盤80的缺陷的t0為止的動作，由于是PLL控制電路11使二值化信號和頻率信號B的相位同步的一般的動作，故省略說明。
RF放大器5生成RF信號，并將其輸出至缺陷檢測電路9、SLC電路10(t0以后的T1期間)，該RF信號是通過將激光照射光盤80的缺陷時來自光拾取器4的光電變換信號以規(guī)定的增益進行放大而得到的。SLC電路10將二值化信號輸出到PLL控制電路11，該二值化信號是通過對RF信號以由反饋控制固定的限幅電平進行二值化而得到的。此時的二值化信號由于是對圖6的期間T1所示的振幅不穩(wěn)定的RF信號實施二值化處理，因此限幅電平變得不穩(wěn)定，其結(jié)果二值化信號也變?yōu)椴环€(wěn)定的信號。
缺陷檢測電路9的峰值保持電路16對RF信號的規(guī)定期間中的峰值電平進行保持。另外，谷值保持電路17對同一規(guī)定期間中的RF信號的谷值電平進行保持。減法電路18將表示減法運算結(jié)果的電信號輸出至比較電路20，該減法運算結(jié)果是通過從峰值保持電路16保持的峰值電平減去谷值保持電路17保持的谷值電平而得到的。另外，基準電信號產(chǎn)生電路19向比較電路20輸出基準電信號。而且，激光照射光盤80的缺陷時的RF信號的振幅比沒有照射缺陷時的RF信號的振幅小，所以比較電路20將表示電信號的電平小于基準電信號的電平這一情況的高電平的缺陷信號輸出到PLL控制電路11(t1)。
VCO電路25生成與來自LPF24的VCO控制電壓對應(yīng)的振蕩頻率的頻率信號A，并向1/n分頻電路22輸出。1/n分頻電路22將對頻率信號A進行1/n分頻而得到的頻率信號B輸出至相位比較電路21、閉鎖判斷電路26。
相位比較電路21以及閉鎖判斷電路26對激光照射光盤80的缺陷時的二值化信號和頻率信號B的相位進行比較。此時的二值化信號由于如上所述變?yōu)椴环€(wěn)定的信號，所以二值化信號和頻率信號B的相位不同步，相位比較電路21將二值化信號的相位相對于頻率信號B的相位超前或延遲所對應(yīng)的低電平信號Pu或信號Pd，輸出至電荷泵電路23。同樣，閉鎖判斷電路26將表示PLL控制電路11為解鎖這一情況的低電平輸出至CP增壓控制電路27(t1)。CP增壓控制電路27的切換控制電路34，例如與開始啟動光盤裝置1一起，將切換電路39切換至AND電路37的一方的輸入端子側(cè)。其結(jié)果，對AND電路37輸入了高電平的缺陷信號和來自閉鎖判斷電路26的低電平。然后，AND電路37將低電平的CP控制信號輸出至電荷泵電路23。切換電路41A、41B根據(jù)低電平的CP控制信號而切換至相位比較電路21側(cè)。其結(jié)果，從電荷泵電路23輸出電壓(電源電壓VDD或者GND)，該電壓是通過激光照射光盤80的缺陷時由相位比較電路21進行的二值化信號和頻率信號B的相位比較而得到的，并從LPF24輸出與該電壓對應(yīng)的VCO控制電壓(t0、t1期間)。
然后，若通過旋轉(zhuǎn)光盤80使激光不照射缺陷，則RF信號的振幅漸漸變大，缺陷檢測電路9的比較電路20將表示電信號的電平在基準電信號的電平以上這一情況的低電平的缺陷信號輸出至PLL控制電路11(t2)。CP增壓控制電路27的切換控制電路34，基于高電平的缺陷信號的下降沿(開始輸入低電平的缺陷信號)，將切換電路39切換至NOR電路36的一方的輸入端子側(cè)，并使低電平的缺陷信號輸入至NOR電路36。由于缺陷信號和閉鎖判斷電路26的輸出都是低電平，所以NOR電路36輸出高電平。定時器控制電路35基于NOR電路36的高電平，向EXNOR電路38輸出高電平。EXNOR電路38通過NOR電路36和定時器控制電路35的輸出一致而輸出高電平的CP控制信號(t2)。另外，升壓控制電路40基于來自EXNOR電路38的高電平，反復輸出規(guī)定期間的低電平，以使電荷泵電路23增壓，使二值化信號和頻率信號B的相位同步。電荷泵電路23的切換電路41A、41B根據(jù)高電平的CP控制信號而切換至CP增壓控制電路27側(cè)。其結(jié)果，通過來自升壓控制電路40的低電平，使得P型MOSFET43導通，電源電壓VDD被輸出到LPF24(電荷泵電路23的增壓)。即，電荷泵電路23與由相位比較電路21進行二值化信號和頻率信號B的相位比較無關(guān)，將電壓輸出到LPF24。LPF24的電容器46通過電荷泵電路23的輸出電壓(電源電壓VDD)，通過注入電荷而進行充電。其結(jié)果，從LPF24向VCO電路25輸出的VCO控制電壓被升壓。然后，VCO電路25生成與來自LPF24的VCO控制電壓對應(yīng)的振蕩頻率的頻率信號A，并向1/n分頻電路22輸出。1/n分頻電路22將對頻率信號A進行1/n分頻而得到的頻率信號B輸出至相位比較電路21、閉鎖判斷電路26。然后，通過基于這樣的高電平的缺陷信號的下降沿的電荷泵電路23的增壓，使激光照射光盤80的缺陷后的二值化信號和頻率信號B的相位同步(PLL控制電路11的再閉鎖)。
接著，相位同步的二值化信號和頻率信號B被輸入到相位比較電路21、閉鎖判斷電路26。相位比較電路21通過二值化信號和頻率信號B的相位同步，將高電平的信號Pu、信號Pd輸出至電荷泵電路23。另外，閉鎖判斷電路26通過二值化信號和頻率信號B的相位同步，將高電平輸出至CP增壓控制電路27(t3)。CP增壓控制電路27的NOR電路36基于低電平的缺陷信號和來自閉鎖判斷電路26的高電平，輸出低電平。定時器控制電路35基于來自NOR電路36的低電平，向EXNOR電路38輸出低電平，并開始定時器28的計時。然后，定時器控制電路35判斷定時器28的計時是否達到預(yù)定的期間T2。EXNOR電路38根據(jù)NOR電路36和定時器控制電路35的輸出一致而輸出高電平的CP控制信號。因此，電荷泵電路23的切換電路41A、41B根據(jù)高電平的CP控制信號而保持切換至CP增壓控制電路27側(cè)的狀態(tài)。另外，升壓控制電路40基于來自EXNOR電路38的高電平，繼續(xù)反復輸出規(guī)定間隔的低電平。即，保持電荷泵電路23的增壓狀態(tài)。
然后，定時器控制電路35若判斷定時器28的計時達到期間T2，則向EXNOR電路38輸出高電平，并向切換控制電路34發(fā)送控制信號，以使切換電路39切換至AND電路37的一方的輸入端子側(cè)。
EXNOR電路38基于來自定時器控制電路35的高電平和來自NOR電路36的低電平，輸出低電平的CP控制信號(t4)。其結(jié)果，升壓控制電路40通過使低電平的輸出停止，來停止電荷泵電路23的增壓。切換電路41A、41B根據(jù)低電平的CP控制信號而切換至相位比較電路21側(cè)。因此，信號Pu再次被輸入到P型MOSFET43，該信號Pu是基于由相位比較電路21進行二值化信號和頻率信號B的相位比較的信號。另外，經(jīng)過反相器電路42的信號Pd再次被輸入到N型MOSFET44。即，PLL控制電路11進行基于由相位比較電路21進行二值化信號和頻率信號B的相位比較的一般的動作。另外，與二值化信號同步的頻率信號B即再生時鐘，與二值化信號一起被輸出到譯碼器12，由光盤裝置1進行再生處理。
另外，根據(jù)上述的實施方式，峰值保持電路16以及谷值保持電路17雙方都為缺陷檢測電路9的構(gòu)成，但并非限定于此。例如，僅構(gòu)成峰值保持電路16，設(shè)定沒有照射缺陷時的RF信號的峰值電平為基準電信號并輸出至比較電路20，從而也可以起到同樣的效果。另外，也可以僅構(gòu)成谷值保持電路17。通過僅將上述二者的任一方設(shè)為缺陷檢測電路9的構(gòu)成，從而可以降低所述二者的另一方的保持電路以及減法電路18所消耗的成本，并可防止電路布線等的復雜化。
根據(jù)上述的實施方式，可以通過電荷泵電路23產(chǎn)生(增壓)基于高電平的缺陷信號的下降沿使二值化信號和頻率信號B的相位同步用的電壓。進一步，基于二值化信號和頻率信號B的相位同步可以結(jié)束電荷泵電路23的增壓。其結(jié)果，可以不依賴于受到缺陷信號影響的RF信號的長短，而使電荷泵電路23增壓，可以使該電荷泵電路23的增壓期間大致一定。因此，可以減輕電荷泵電路23的增壓所消耗的功率，可以防止二值化信號和頻率信號的相位同步的延遲。而且，可以實現(xiàn)光盤裝置1中的信息再生處理的性能提高。
而且，在從二值化信號和頻率信號B的相位同步開始經(jīng)過規(guī)定期間T2之后，可以使電荷泵電路23的增壓結(jié)束。其結(jié)果，可以更迅速且可靠地實現(xiàn)二值化信號和頻率信號B的相位同步(PLL控制電路11的再閉鎖)。
并且，可以基于高電平的缺陷信號的下降沿，將切換電路41A、41B向CP增壓控制電路27側(cè)切換，并在經(jīng)過了規(guī)定期間T2后將切換電路41A、41B向相位比較電路21側(cè)切換。其結(jié)果，可以禁止電荷泵電路23增壓期間中的來自相位比較電路21的信號Pu、信號Pd的輸入，可以防止電荷泵電路23的誤動作。另外，在二值化信號和頻率信號B的相位可靠地同步之后，可以許可來自相位比較電路21的信號Pu、信號Pd的輸入，基于相位比較電路21的相位比較結(jié)果，PLL控制電路11可以進行動作。
另外，可以在比較電路20中判斷RF信號的峰值電平或谷值電平的至少一方的電平即電信號是否在基準電信號以上。其結(jié)果，通過比較電路20輸出高電平的缺陷信號，可以可靠地判斷激光照射光盤80的缺陷這一情況，另外，通過比較電路20輸出低電平的缺陷信號，可以可靠地判斷激光沒有照射光盤80的缺陷這一情況。
另外，在上述中，通過硬件來表示基于高電平的缺陷信號的下降沿的電荷泵電路23的開始增壓、和基于二值化信號和頻率信號B的相位的同步的電荷泵電路23的結(jié)束增壓，但并非限定于此。也可以預(yù)先在ROM30等中預(yù)先存儲基于上述各信號(缺陷信號、閉鎖判斷電路26的輸出信號、定時器28的計時信號等)的處理來作為程序數(shù)據(jù)，并讀出該程序數(shù)據(jù)進行軟件處理。其結(jié)果，例如可以省略除上述的升壓控制電路40以外的CP增壓控制電路27的構(gòu)成，從而可以實現(xiàn)PLL控制電路11的成本下降、電路布線的簡單化等。
以上，對本發(fā)明所涉及的光盤裝置的PLL控制電路11、用于控制光盤裝置的程序進行了說明，但上述說明是用于容易地理解本發(fā)明的，并不能用來限定本發(fā)明。本發(fā)明在不脫離其主旨的情況下，可以進行變更和改良。
權(quán)利要求
1.一種光盤裝置的PLL控制電路，其中包括電壓頻率變換電路，通過基于控制電壓來調(diào)整振蕩頻率，產(chǎn)生第一頻率信號；相位比較電路，對所述第一頻率信號、和根據(jù)照射到光盤的激光的反射光被光電變換時的RF信號而產(chǎn)生的第二頻率信號進行相位比較，產(chǎn)生表示所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位差的相位差信號；和電荷泵電路，根據(jù)所述相位差信號，產(chǎn)生用于使所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位同步的所述控制電壓，所述光盤裝置的PLL控制電路還包括第一檢測電路，檢測所述RF信號是否超過了規(guī)定電平；第二檢測電路，檢測所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位是否同步；和控制電路，控制所述電荷泵電路，使得在所述第一檢測電路檢測到所述RF信號超過了所述規(guī)定電平的情況下，不依賴于所述相位差信號，來產(chǎn)生所述控制電壓，且在所述第二檢測電路檢測到所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位同步的情況下，根據(jù)所述相位差信號來產(chǎn)生所述控制電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤裝置的PLL控制電路，其特征在于，所述控制電路，控制所述電荷泵電路，使得從所述第二檢測電路檢測到所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位同步開始經(jīng)過預(yù)定的期間后，根據(jù)所述相位差信號來產(chǎn)生所述控制電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光盤裝置的PLL控制電路，其特征在于，所述控制電路包括輸入信號控制電路，其基于表示所述RF信號超過了所述規(guī)定電平這一情況的所述第一檢測電路的檢測結(jié)果，禁止所述相位差信號向所述電荷泵電路的輸入，在經(jīng)過所述預(yù)定的期間后允許所述相位差信號向所述電荷泵電路的輸入。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的光盤裝置的PLL控制電路，其特征在于，所述第一檢測電路包括保持電路，保持所述RF信號的峰值電平或谷值電平中的至少一方的電平；和電平檢測電路，根據(jù)由所述保持電路保持的所述電平與基準電平的比較結(jié)果，檢測所述RF信號是否超過了所述規(guī)定電平。
5.一種程序，由對光盤裝置進行控制的計算機執(zhí)行，該光盤裝置具備PLL電路、第一檢測電路和第二檢測電路，所述PLL電路包括電壓頻率變換電路，通過基于控制電壓來調(diào)整振蕩頻率，產(chǎn)生第一頻率信號；相位比較電路，對所述第一頻率信號、和根據(jù)照射到光盤的激光的反射光被光電變換時的RF信號而產(chǎn)生的第二頻率信號進行相位比較，并產(chǎn)生表示所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位差的相位差信號；和電荷泵電路，根據(jù)所述相位差信號，產(chǎn)生用于使所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位同步的所述控制電壓，所述第一檢測電路用來檢測所述RF信號是否超過了規(guī)定電平，所述第二檢測電路用來檢測所述第一頻率信號與所述第二二頻率信號的相位是否同步，所述程序使所述計算機按照以下方式來實現(xiàn)控制所述電荷泵電路的功能在所述第一檢測電路檢測到所述RF信號超過了所述規(guī)定電平的情況下，不依賴于所述相位差信號，來產(chǎn)生所述控制電壓，且在所述第二檢測電路檢測到所述第一頻率信號與所述第二頻率信號的相位同步的情況下，根據(jù)所述相位差信號來產(chǎn)生所述控制電壓。
全文摘要
一種光盤裝置的PLL控制電路和用于控制光盤裝置的程序，其不依賴于二值化信號和頻率信號的相位比較，根據(jù)RF信號超過規(guī)定的電平，可使電荷泵(CP)電路的輸出電壓升壓。該PLL控制電路包括電壓頻率變換電路，根據(jù)控制電壓來產(chǎn)生第一頻率信號；相位比較電路，產(chǎn)生表示第一頻率信號與根據(jù)RF信號產(chǎn)生的第二頻率信號的相位差的相位差信號；和CP電路，根據(jù)相位差信號產(chǎn)生用于使相位同步的控制電壓；其還包括第一檢測電路，檢測RF信號是否超過規(guī)定電平；第二檢測電路，檢測相位是否同步；和控制電路，控制CP電路，使得在檢測到RF信號超過所述規(guī)定電平時不依賴相位差信號來生成控制電壓，在檢測到相位同步時根據(jù)相位差信號生成控制電壓。
文檔編號G11B7/00GK101038773SQ20061016882
公開日2007年9月19日 申請日期2006年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月14日
發(fā)明者鹽野博之 申請人:三洋電機株式會社