專(zhuān)利名稱(chēng)：光記錄介質(zhì)、濺射靶和偶氮金屬螯合物染料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可以利用激光進(jìn)行記錄和讀取的光記錄介質(zhì)以及可用于光記錄介質(zhì)的濺射靶和偶氮金屬螯合物染料，更詳細(xì)地說(shuō)，本發(fā)明涉及在較寬的記錄線速度范圍內(nèi)具有良好的記錄特性且耐光性也優(yōu)異的高密度記錄用或高速記錄用的光記錄介質(zhì)，以及可用于光記錄介質(zhì)的濺射靶和偶氮金屬螯合物染料。

背景技術(shù)：
現(xiàn)在，CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD-RW等各種光記錄介質(zhì)可以存儲(chǔ)大容量信息，并且隨機(jī)存取容易，因此作為計(jì)算機(jī)等信息處理裝置的外部存儲(chǔ)裝置而被廣泛認(rèn)識(shí)并正在普及。由于處理的信息量的進(jìn)一步增大，人們希望提高記錄密度。
尤其在各種光記錄介質(zhì)之中，CD-R或DVD-R等具有含有有機(jī)染料的記錄層的光記錄介質(zhì)比較便宜，且具有與讀取專(zhuān)用的光記錄介質(zhì)的互換性，因此得到了特別廣泛的使用。
一般而言，目前的光記錄介質(zhì)為層積結(jié)構(gòu)，該層積結(jié)構(gòu)為，在透明光盤(pán)基板上具有由合金薄膜層、含有機(jī)染料的薄膜層等構(gòu)成的記錄層，隔著該記錄層在與基板相反的一側(cè)具有反射層，并且具有覆蓋這些記錄層或反射層的保護(hù)層。所述光記錄介質(zhì)利用激光透過(guò)基板進(jìn)行記錄和讀取。
金屬或合金薄膜一般作為所述反射層(參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1)，尤其是使用金、銀或銀合金等的情況較多。這些合金中主要含有銀，因?yàn)殂y比較便宜，并可以得到高反射率，因此目前已經(jīng)實(shí)用化。
此外，關(guān)于銅合金，例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載了含有銀-銅合金或銀-鈀-銅合金的反射層。專(zhuān)利文獻(xiàn)3中記載，將在銅中具有小于40％的銀的合金薄膜設(shè)置在反射層上。專(zhuān)利文獻(xiàn)4中記載了含有Ag和Ti的銅合金反射層和靶。但是，這些均是小于2.0m/s的低線速記錄速度的光記錄介質(zhì)的例子。此外，這些文獻(xiàn)涉及的是記錄密度較低的光記錄介質(zhì)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特公平7-105065號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)2特開(kāi)平4-49539號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)3特開(kāi)平4-364240號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)4國(guó)際公開(kāi)第WO2002/021524號(hào)小冊(cè)子

發(fā)明內(nèi)容
近年來(lái)，在記錄密度的高密度化的同時(shí)，驅(qū)動(dòng)的高速記錄化也在發(fā)展。高達(dá)28m/s的高速記錄已應(yīng)用于DVD-R，更高速記錄功能的開(kāi)發(fā)正在加速。在這種高速記錄中存在的問(wèn)題是，不能得到記錄的裕度(margin)。這種問(wèn)題表現(xiàn)為，例如，當(dāng)可得到良好的記錄抖晃(jitter)值的記錄功率的范圍變窄，或使記錄功率增加來(lái)進(jìn)行記錄時(shí)，觀察到了在記錄標(biāo)記中發(fā)生波形的失真的現(xiàn)象。
鑒于上述問(wèn)題而作出了本發(fā)明。
即，本發(fā)明的目的為，提供一種高密度記錄用或高速記錄用的光記錄介質(zhì)，所述光記錄介質(zhì)在較寬的記錄線速度范圍內(nèi)具有良好的記錄特性，且“實(shí)際使用上的”耐光性也優(yōu)異。
此外，本發(fā)明的其他的目的為，提供一種適合高速記錄的光記錄介質(zhì)。
此外，本發(fā)明的其他的目的為，提供一種濺射靶，該濺射靶用于制造耐光性和記錄特性?xún)?yōu)異的光記錄介質(zhì)的反射層。
此外，本發(fā)明的其他的目的為，提供一種特定的有機(jī)染料，該有機(jī)染料可用于適合高速記錄的光記錄介質(zhì)的記錄層。
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明人進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)以下事實(shí)，從而完成了本發(fā)明。即，調(diào)整染料的組成，使得在將形成記錄層的有機(jī)染料形成單層的情況中，在低速用記錄介質(zhì)中使用的記錄層中，耐光性試驗(yàn)前后的染料保持率為80％以上，更優(yōu)選為90％以上，而在用于高密度記錄或高速記錄的情況中，使該染料保持率達(dá)到實(shí)際使用上需為足夠良好的70％以下。此外，使用如下反射層，所述反射層的組成為，在300nm～500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，反射層在空氣中的反射率R對(duì)波長(zhǎng)λ的微分值dR/dλ(％/nm)達(dá)到3以下。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)這些組合，不僅在高速記錄中而且在較寬的記錄線速度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了良好的記錄特性，并且得到了“實(shí)際使用上的”耐光性也優(yōu)異的光記錄介質(zhì)。
即，本發(fā)明的要點(diǎn)在于一種光記錄介質(zhì)，所述光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少由有機(jī)染料構(gòu)成的記錄層和含有金屬的反射層，其最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄，其特征在于，上述基板上的導(dǎo)向槽的軌道間距為0.8μm以下，槽寬為0.4μm以下，槽內(nèi)的記錄層膜厚為70nm以下，在ISO-105-B02給出的光照射條件的Wool scale 5級(jí)(耐光性試驗(yàn))中，形成上述記錄層的有機(jī)染料單層的下述定義的染料保持率為70％以下，在300nm～500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，上述反射層在空氣中的反射率R對(duì)波長(zhǎng)λ的微分值dR/dλ(％/nm)為3以下。
[染料保持率] 染料保持率為，在300nm～800nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，在形成上述記錄層的有機(jī)染料單層的涂布膜的最大吸收波長(zhǎng)處，上述耐光性試驗(yàn)前后的吸光度的比例，即，{(試驗(yàn)后吸光度)/(試驗(yàn)前吸光度)}×100(％)。
此外，本發(fā)明的另一要點(diǎn)在于一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少含有有機(jī)染料的記錄層和含有金屬的反射層，最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄，其特征在于，上述記錄層至少含有由下述通式(1)表示的偶氮系化合物和Zn的金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料作為有機(jī)染料。

(1) (在通式(1)中，R1表示氫原子或以CO2R3表示的酯基(在此，R3表示直鏈或支鏈的烷基或者環(huán)烷基)。R2表示直鏈或支鏈的烷基。X1和X2之中至少任意一個(gè)表示NHSO2Y基(在此，Y表示具有至少2個(gè)氟原子取代基的直鏈或支鏈的烷基)，同時(shí)X1和X2之中的另一個(gè)基團(tuán)表示氫原子。R4和R5各自獨(dú)立地表示氫原子、直鏈或支鏈的烷基或者直鏈或支鏈的烷氧基。R6、R7、R8和R9各自獨(dú)立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1或2的烷基。此外，H+從上述NHSO2Y基脫離，形成NSO2Y-(陰性)基，從而上述通式(1)表示的偶氮系化合物與金屬離子形成配位鍵。) 此外，本發(fā)明的再另一要點(diǎn)在于一種濺射靶，所述濺射靶用于光記錄介質(zhì)的上述反射層的制造，所述光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少含有有機(jī)染料的記錄層和含有金屬的反射層，其特征在于，所述濺射靶至少由下述組成B表示的材料構(gòu)成。
[組成(B)] 50 at％≤Cu≤97 at％ 3 at％≤Ag≤50 at％ 0.05 at％≤X≤10 at％ (在此，X表示選自由Zn、Al、Pd、In、Sn、Cr、Ni組成的組中的至少1種元素，其中，Cu、Ag以及X的總量為100 at％(原子％)以下。) 此外，本發(fā)明的另一要點(diǎn)在于一種偶氮金屬螯合物染料，所述偶氮金屬螯合物染料可用作光記錄介質(zhì)的上述有機(jī)染料，所述光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少含有有機(jī)染料的記錄層和含有金屬的反射層，最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄，其特征在于，所述偶氮金屬螯合物染料由上述通式(1)表示的偶氮系化合物和Zn的金屬離子構(gòu)成。
本發(fā)明提供在較寬的記錄線速度范圍內(nèi)具有良好的記錄特性且“實(shí)際使用上的”耐光性也優(yōu)異的高密度記錄用或高速記錄用的光記錄介質(zhì)。
此外，本發(fā)明提供適合高速記錄的光記錄介質(zhì)。
此外，本發(fā)明提供濺射靶，所述濺射靶用于制造耐光性和記錄特性?xún)?yōu)異的光記錄介質(zhì)的反射層。
此外，本發(fā)明提供偶氮金屬螯合物染料，所述偶氮金屬螯合物染料用于適合高速記錄的光記錄介質(zhì)的記錄層。



圖1(a)～(c)均為示意性地表示本發(fā)明實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)的構(gòu)成的截面圖。
圖2(a)、圖2(b)均為示意性地表示本發(fā)明實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)的構(gòu)成的截面圖。
圖3(a)為表示主要金屬材料的折射率(n)的波長(zhǎng)分布的曲線圖，圖3(b)為表示主要金屬材料的衰減系數(shù)(k)的波長(zhǎng)分布的曲線圖，圖3(c)為表示在空氣中反射率的波長(zhǎng)分布的曲線圖，所述反射率對(duì)使用主要金屬材料形成的反射層(膜厚120nm)計(jì)算得到。
圖4(a)～圖4(d)均為表示實(shí)施例1、實(shí)施例2和比較例1的光記錄介質(zhì)的記錄特性和“實(shí)際使用上的”耐光性的測(cè)定結(jié)果的圖，圖4(a)為表示記錄功率裕度的測(cè)定結(jié)果的曲線圖，圖4(b)為表示不對(duì)稱(chēng)性裕度的測(cè)定結(jié)果的曲線圖，圖4(c)為表示本底抖晃(bottom jitter)的耐光性試驗(yàn)前后的測(cè)定結(jié)果的曲線圖，圖4(d)為表示PI max的耐光性試驗(yàn)前后的測(cè)定結(jié)果的曲線圖。
圖5(a)～圖5(d)均為表示實(shí)施例3和比較例2的光記錄介質(zhì)的記錄特性和“實(shí)際使用上的”耐光性的測(cè)定結(jié)果的圖，圖5(a)為表示記錄功率裕度的測(cè)定結(jié)果的曲線圖，圖5(b)為表示不對(duì)稱(chēng)性裕度的測(cè)定結(jié)果的曲線圖，圖5(c)為表示本底抖晃的耐光性試驗(yàn)前后的測(cè)定結(jié)果的曲線圖，圖5(d)為表示PI max的耐光性試驗(yàn)前后的測(cè)定結(jié)果的曲線圖。
圖6(a)、圖6(b)均為表示實(shí)施例4和比較例3的光記錄介質(zhì)的記錄特性的測(cè)定結(jié)果的圖，圖6(a)為表示記錄功率裕度的測(cè)定結(jié)果的曲線圖，圖6(b)為表示不對(duì)稱(chēng)性裕度的測(cè)定結(jié)果的曲線圖。
圖7(a)～(d)均為表示比較例4的光記錄介質(zhì)的記錄特性和“實(shí)際使用上的”耐光性的測(cè)定結(jié)果的圖，圖7(a)為表示記錄功率裕度的測(cè)定結(jié)果的曲線圖，圖7(b)為表示不對(duì)稱(chēng)性裕度的測(cè)定結(jié)果的曲線圖，圖7(c)為表示本底抖晃的耐光性試驗(yàn)前后的測(cè)定結(jié)果的曲線圖，圖7(d)為表示PI max的耐光性試驗(yàn)前后的測(cè)定結(jié)果的曲線圖。
圖8為表示在各實(shí)施例和比較例中使用的金屬反射層單層的反射率的波長(zhǎng)分布的曲線圖。
圖9(a)～(d)均為表示在各實(shí)施例和比較例中使用的金屬反射層單層的dR/dλ的值的曲線圖。圖9(a)表示Cu反射層單層(實(shí)施例1)的值，圖9(b)表示Au反射層單層(實(shí)施例2)的值，圖9(c)表示Ag反射層單層(比較例1)的值，圖9(d)表示Al反射層單層(實(shí)施例5)的值。
圖10為將實(shí)施例6中得到的CuAg12.8和CuAg12.9Pd0.7的反射率的測(cè)定結(jié)果與實(shí)施例5中得到的Ag、Au、Cu的測(cè)定結(jié)果一起表示的曲線圖。
圖11(a)、圖11(b)分別為表示CuAg12.8和CuAg12.9Pd0.7的dR/dλ的計(jì)算結(jié)果的曲線圖。
圖12為表示實(shí)施例6中得到的Ag的含量與在300nm～500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的dR/dλ的最大值的關(guān)系的曲線圖。
圖13為表示如下關(guān)系的圖假設(shè)耐光性與Ag的含量大致線性相關(guān)時(shí)，Cu(100-X)AgX中的X的值(Ag的含量)和本底抖晃值的關(guān)系。
圖14(a)、圖14(b)均為表示實(shí)施例6～8中的耐光性試驗(yàn)的結(jié)果的曲線圖，圖14(a)為表示氙燈照射時(shí)間和抖晃值的關(guān)系的曲線圖，圖14(b)為表示氙燈照射時(shí)間和PI錯(cuò)誤的關(guān)系的曲線圖。
圖15(a)、圖15(b)均為表示實(shí)施例6～8中的高溫高濕下的保存穩(wěn)定性試驗(yàn)的結(jié)果的曲線圖，圖15(a)為表示抖晃值的時(shí)間變化的曲線圖，圖15(b)為表示PI錯(cuò)誤的時(shí)間變化的曲線圖。
符號(hào)說(shuō)明 11、12、22貼合用盤(pán) 21虛擬盤(pán) 100、200、300、400、500光記錄介質(zhì) 101、201、401、501基板(1) 102、402、502記錄層(1) 103、202、403、503反射層(1) 104、203保護(hù)涂層(1) 105、204、407、504粘結(jié)層 106、205保護(hù)涂層(2) 107、206、406、506反射層(2) 108、405、505 記錄層(2) 109、208、408、507基板(2) 110、111、210、310、410、510激光 207、303記錄層 301基板 302反射層 304、508阻隔層 305、404、504透明樹(shù)脂層(中間層)、粘結(jié)層(中間層)
具體實(shí)施例方式 以下，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
(以下稱(chēng)為發(fā)明的實(shí)施方式)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。當(dāng)然，本發(fā)明并不限于以下實(shí)施方式，可以在其要點(diǎn)的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形來(lái)實(shí)施。
[I.本發(fā)明的基本概念1] 在本發(fā)明中，首先提供一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少由有機(jī)染料構(gòu)成的記錄層和含有金屬的反射層，最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄，其特征在于，上述基板上的導(dǎo)向槽的軌道間距為0.8μm以下，槽寬為0.4μm以下，槽內(nèi)的記錄層膜厚為70nm以下，在ISO-105-B02給出的光照射條件的Wool scale 5級(jí)(耐光性試驗(yàn))中，形成上述記錄層的有機(jī)染料單層的下述定義的染料保持率為70％以下，在300nm～500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，上述反射層的空氣中的反射率R對(duì)波長(zhǎng)λ的微分值dR/dλ(％/nm)為3以下(以下，有時(shí)將其稱(chēng)為“本發(fā)明的第1光記錄介質(zhì)”)。
為了提供在較寬的記錄線速度范圍內(nèi)具有良好的記錄特性的高密度記錄用或高速記錄用的光記錄介質(zhì)，本發(fā)明人進(jìn)行了深入研究。
此外，本發(fā)明中的“高密度記錄”是以最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm的密度的記錄為前提的。這是因?yàn)?，在通過(guò)縮短記錄標(biāo)記、減小軌道間距而被高密度化的光記錄介質(zhì)中，本發(fā)明所要解決的問(wèn)題特別顯著。在“高密度記錄”中，減少過(guò)度的記錄部形成是重要的。
此外，本發(fā)明中的“高速記錄”是指以記錄線速度35.0m/s以上的記錄(以DVD為例，在DVD的1倍速(即線速3.5m/s)的10倍以上的轉(zhuǎn)速下的記錄)。
此外，本發(fā)明的第1光記錄介質(zhì)的記錄相當(dāng)于“高速記錄”的情況中，可以不一定是上述的“高密度記錄”，即，不一定是最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm的密度的記錄。但是，即使在該情況中，也優(yōu)選以最短標(biāo)記長(zhǎng)為以下范圍的密度進(jìn)行記錄最短標(biāo)記長(zhǎng)通常小于0.5μm，優(yōu)選為0.44μm以下，更優(yōu)選為0.4μm以下。
本發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，作為用于記錄層(染料層)的染料，存在合適的染料或染料組合。即，使用記錄層單層的耐光性試驗(yàn)后的染料保持率為70％以下的染料，或者混合“耐光性差的染料”和“耐光性良好的染料”，從而使記錄層單層的耐光性試驗(yàn)前后的染料保持率為70％以下。
但是，已知適合于以所述高密度進(jìn)行高速記錄的染料或染料組合產(chǎn)生新的問(wèn)題，即導(dǎo)致光盤(pán)的耐光性劣化。
本發(fā)明人對(duì)該新問(wèn)題進(jìn)一步進(jìn)行了研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)使反射層在空氣中的反射率R對(duì)波長(zhǎng)λ的微分值dR/dλ(％/nm)在300nm～500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)為3以下，可以解決上述的新問(wèn)題。即，可以使“實(shí)際使用上的”耐光性提高。此外，本發(fā)明中的“實(shí)際使用上的”耐光性是指如下指標(biāo)盡管在記錄層單層的耐光性不夠良好，但在構(gòu)成光盤(pán)時(shí)，照射Wool scale 5級(jí)的光時(shí)，光盤(pán)的記錄部分的抖晃或錯(cuò)誤是否在優(yōu)選的范圍內(nèi)。因而，其與記錄層本身的染料保持率的指標(biāo)相區(qū)別。
即，在本發(fā)明的基本概念1中，光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少由有機(jī)染料構(gòu)成的記錄層和含有金屬的反射層，最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄，其特征在于，上述基板上的槽寬為0.4μm以下，槽內(nèi)的記錄層膜厚為70nm以下，在ISO-105-B02給出的光照射條件的Wool scale 5級(jí)(耐光性試驗(yàn))中，形成記錄層的有機(jī)染料單層的染料保持率為70％以下，在300 nm～500 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，上述反射層的空氣中的反射率R對(duì)波長(zhǎng)λ的微分值dR/dλ(％/nm)為3以下。
在此“染料保持率”是指以下比例在300nm～800nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，形成記錄層的有機(jī)染料單層的涂布膜的最大吸收波長(zhǎng)處的上述耐光性試驗(yàn)前后的吸光度的比例，即{(試驗(yàn)后吸光度)/(試驗(yàn)前吸光度)}×100(％)。
此外，通過(guò)使基板的槽寬為0.4μm以下，可以達(dá)到軌道間距為0.8μm以下的高密度化，同時(shí)確保了足夠的推挽信號(hào)振幅，因此，如上所述，以高速旋轉(zhuǎn)光盤(pán)來(lái)進(jìn)行記錄的情況中，可以穩(wěn)定地在槽上進(jìn)行循軌。此外，在確保足夠的推挽信號(hào)振幅的基礎(chǔ)上，槽寬通常為0.1μm以上，更優(yōu)選為0.2μm以上。此外，軌道間距通常設(shè)為0.2μm以上，優(yōu)選設(shè)為0.4μm以上。
此外，通過(guò)使槽內(nèi)的記錄層膜厚為70nm以下，可以抑制形成過(guò)度的記錄部，減少串?dāng)_，實(shí)現(xiàn)良好的“高密度記錄”和“高速記錄”。此外，槽內(nèi)的記錄層的膜厚通常為5nm以上，更優(yōu)選為10nm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為20nm以上。
在上述高速記錄中，通常，必須以激光的照射時(shí)間極短的脈沖形成最短標(biāo)記。即，在所述高速記錄中，用于記錄最短標(biāo)記長(zhǎng)(對(duì)于本實(shí)施方式的例子為3T標(biāo)記)的記錄用激光照射時(shí)間小于8ns(納秒)。因此，在所述高速記錄中，可以記錄是指，在最短標(biāo)記長(zhǎng)記錄時(shí)的激光照射時(shí)間小于8ns的記錄條件下，可以在本底抖晃(抖晃值的最小值)不超過(guò)9％的情況下進(jìn)行記錄，或者具有良好的錯(cuò)誤率(良好的程度為沒(méi)有市售讀取裝置中的讀取上的問(wèn)題)?？紤]到例如DVD的波長(zhǎng)范圍的半導(dǎo)體激光的啟動(dòng)時(shí)間為4ns左右，可知該“以照射時(shí)間小于8ns這樣的短脈沖進(jìn)行最短標(biāo)記長(zhǎng)的記錄”是多么苛刻的記錄條件。
此外，在10倍速記錄(35m/s)和16倍速記錄(56.0m/s)下，在后述的各實(shí)施例和比較例中使用的3T標(biāo)記長(zhǎng)記錄用的激光的照射脈沖寬分別為7.9ns和6.5ns。
此外，在本發(fā)明中，“可以在較寬的記錄線速度范圍內(nèi)良好地記錄”是指，在3.5m/s～約70m/s(以DVD為例，DVD的1倍速記錄(3.5m/s)～約20倍速記錄(70m/s))內(nèi)，可以在本底抖晃不超過(guò)9％的情況下進(jìn)行記錄，或者具有良好的錯(cuò)誤率(良好的程度為沒(méi)有市售讀取裝置中的讀取上的問(wèn)題)。例如，在DVD-R上，對(duì)于記錄品質(zhì)的評(píng)價(jià)，抖晃值是良好的指標(biāo)。例如，根據(jù)目前所知道的范圍，一般而言，以下情況被判定為特別良好在3.5m/s～28m/s(例如，對(duì)于DVD為1倍速記錄～8倍速記錄)內(nèi)，可以得到的記錄的本底抖晃通常為8.0％以下，更優(yōu)選為7％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為6％以下。
本發(fā)明人進(jìn)行了深入研究，結(jié)果認(rèn)為，上述課題中的記錄裕度的問(wèn)題可以通過(guò)以下手段來(lái)解決減小有機(jī)染料介質(zhì)的記錄速度依存性，而且增大對(duì)短脈沖的響應(yīng)性。
更具體地說(shuō)，根據(jù)本發(fā)明人的研究可知，通過(guò)在記錄層中包含“耐光性差的染料”，可以在較寬的記錄速度范圍內(nèi)確保良好的記錄特性，即，耐光性的惡化程度與高速記錄特性、在較寬的記錄速度范圍內(nèi)的記錄特性相關(guān)?？梢哉J(rèn)為，該效果的原因在于“耐光性差的染料”可以通過(guò)染料的分解更有效地利用作為記錄用的光入射的光能量(光學(xué)模式)。即，可以認(rèn)為，在所述染料中，光學(xué)模式參與到染料的鍵的斷裂反應(yīng)中，并且高效率地使用光能量，形成邊緣陡峭的記錄標(biāo)記，從而記錄特性可以提高?；蛘撸话愎鈱W(xué)模式記錄的反應(yīng)速度快是眾所周知的，原理上可以以毫微微秒～微微秒(fsec～psec)的數(shù)量級(jí)使反應(yīng)終止。只要反應(yīng)以該時(shí)間數(shù)量級(jí)終止，則從光盤(pán)的旋轉(zhuǎn)速度考慮，不發(fā)生與相鄰標(biāo)記間的干涉的可能性極高。
另一方面，將作為記錄用的光而被入射的光作為熱能量用于染料的反應(yīng)(包括分解、熔融)的情況一般被稱(chēng)為熱模式記錄。
可以認(rèn)為，在該熱模式記錄中，存在由熱傳導(dǎo)速度決定的反應(yīng)速度的極限，在例如DVD-R中，通常反應(yīng)以ns數(shù)量級(jí)終止。如果反應(yīng)以該數(shù)量級(jí)終止，則光盤(pán)旋轉(zhuǎn)速度和反應(yīng)速度的數(shù)量級(jí)為相同級(jí)別，因此熱的影響可達(dá)到相鄰標(biāo)記。如果熱的影響達(dá)到相鄰標(biāo)記，則在標(biāo)記間發(fā)生所謂的熱干涉，并使抖晃惡化的可能性升高。但是，據(jù)認(rèn)為，該熱模式與耐光性沒(méi)有關(guān)系，因此“耐光性良好的染料”主要以該模式發(fā)生分解，并被記錄。
此外，可以認(rèn)為，通過(guò)在所述“耐光性差的染料”中混合“耐光性良好的染料”，可以巧妙地平衡記錄部分的物理變化和光學(xué)變化，并且可以進(jìn)一步提高高速記錄特性?？梢哉J(rèn)為，這是因?yàn)椋澳凸庑圆畹娜玖稀本哂谢静话l(fā)生上述熱模式記錄的傾向，不能用“耐光性差的染料”得到充分的記錄調(diào)制度，例如，可以利用發(fā)生熱模式記錄的傾向大的“耐光性良好的染料”對(duì)其進(jìn)行彌補(bǔ)。
可以認(rèn)為，上述“耐光性差的染料”是來(lái)自以光激發(fā)的狀態(tài)的所謂“無(wú)輻射躍遷”的發(fā)生概率小的染料化合物?？梢耘e出，例如，(1)不僅具有被認(rèn)為在記錄和讀取波長(zhǎng)附近參與π-π*躍遷或電荷轉(zhuǎn)移躍遷等的強(qiáng)吸收帶，而且平面性(不具有大量的空間構(gòu)型(configuration))優(yōu)良的結(jié)構(gòu)的染料。作為與此相當(dāng)?shù)娜玖?，可以舉出易發(fā)生π-π*躍遷且大多發(fā)出熒光的眾多有機(jī)染料，但是作為適合光盤(pán)的染料，可以舉出，例如，以下列舉的特定的花青系染料。此外，金屬螯合物染料一直被認(rèn)為耐光性良好，但是即使在該金屬螯合物染料之中，也可以認(rèn)為，(2)具有中心金屬受到光的作用而易于從配位鍵脫離的傾向的金屬螯合物染料相當(dāng)于“耐光性差的染料”。關(guān)于(2)，如鋅那樣，中心金屬離子在本來(lái)應(yīng)該參與配位鍵的最外層的d軌道中不具有空的d軌道的情況中或空的d軌道較少的情況中(在本發(fā)明中，例如，Zn2+由于從Zn的電子構(gòu)型3d104s2(通過(guò)離子化)去掉2個(gè)電子而取3d10電子構(gòu)型)，金屬-配位體的共價(jià)鍵性變小。此外，通過(guò)光激發(fā)而使電子被激發(fā)到配位體，中心金屬有易脫離的傾向。其結(jié)果，有時(shí)吸收帶藍(lán)移，并且光學(xué)常數(shù)變化。此外，從配位鍵脫離的配位體為耐光性差的配位體的情況中，其配位體以光學(xué)模式進(jìn)行反應(yīng)的傾向增大，因此，可以認(rèn)為，與(1)的類(lèi)型的“耐光性差的染料”相同，所述染料的分解反應(yīng)具有光學(xué)模式記錄的傾向。因而，作為這樣的“耐光性差的”金屬螯合物染料的中心金屬，屬于由于離子化而使空的d軌道較少或者沒(méi)有空的d軌道這樣的金屬。此外，也優(yōu)選配位體具有易發(fā)生MLCT(金屬-配體荷移躍遷)等的分子軌道(例如，配位體具有空的反鍵性的π軌道(anti-bonding orbital))。此外，對(duì)于這些染料的分解中光學(xué)模式的貢獻(xiàn)的大小，也可以根據(jù)是否發(fā)出熒光來(lái)推測(cè)。即，可以認(rèn)為，發(fā)出熒光的染料具有分解中光學(xué)模式的貢獻(xiàn)較大的傾向。此外，也可以認(rèn)為，盡管中心金屬離子取d9或d10電子構(gòu)型，但是配位體和中心金屬離子的共價(jià)鍵性(配位鍵強(qiáng))較小這樣的性質(zhì)也與結(jié)構(gòu)選擇能為0附近相關(guān)聯(lián)。此外，對(duì)于上述“結(jié)構(gòu)選擇能”，參考K.F.Puncell et al.，Inorganic Chemistry，1977年，p.550。
另一方面，在“耐光性良好的染料”中，可以舉出，例如，無(wú)輻射躍遷發(fā)生的概率大的染料化合物。在所述染料化合物中，被吸收的光主要轉(zhuǎn)換為熱能量。關(guān)于所述金屬螯合物染料，可以舉出例如其中心金屬離子的d軌道中有空的d軌道或者可以得到空的d軌道的第一過(guò)渡元素(3d過(guò)渡元素)的偶氮金屬螯合物染料。通過(guò)金屬離子的空的d軌道與配位體的軌道的重疊而形成雜化軌道，金屬-配位體的共價(jià)鍵性大，因而即使在激發(fā)狀態(tài)中，形成穩(wěn)定的螯合物結(jié)構(gòu)的可能性也很大。即，可以認(rèn)為，即使受到光激發(fā)，也不會(huì)導(dǎo)致配位體從配位鍵脫離。
作為上述“耐光性差的染料”的例子，可以舉出，以Zn為中心金屬的偶氮絡(luò)合物或不含有猝滅劑的花青系染料等。此外，根據(jù)配位體的種類(lèi)的不同，也可以使用以Cu或Ni等為中心金屬的偶氮絡(luò)合物，但是特別優(yōu)選以Zn為中心金屬的偶氮絡(luò)合物。作為所述染料的例子，可以舉出，對(duì)1個(gè)Zn元素配位2個(gè)下述的偶氮系化合物的金屬螯合物染料。
此外，本發(fā)明中的“耐光性差的染料”是指，以該染料的單獨(dú)組成計(jì)，本發(fā)明規(guī)定的染料保持率優(yōu)選為70％以下的染料。由于“耐光性差的染料”的染料保持率小到落入該范圍內(nèi)，因而基于上述理由，其在高速記錄或高密度記錄下可以具有優(yōu)異的特性，因此它是優(yōu)選的。
此外，本發(fā)明中的“耐光性良好的染料”是指，以其染料的單獨(dú)組成計(jì)，本發(fā)明規(guī)定的染料保持率優(yōu)選大于70％的染料。更優(yōu)選為80％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為85％以上。
對(duì)于作為上述“耐光性差的染料”而優(yōu)選的偶氮絡(luò)合物的例子，可以舉出，由下述通式(1)表示的偶氮系化合物和Zn的金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料(以下，適當(dāng)時(shí)稱(chēng)為“染料(1)”)。

(1) 在通式(1)中，R1表示氫原子或以CO2R3表示的酯基(在此，R3表示直鏈或支鏈的烷基或者環(huán)烷基)。
R2表示直鏈或支鏈的烷基。
X1和X2之中至少任意一個(gè)表示NHSO2Y基(在此，Y表示具有至少2個(gè)氟原子取代基的直鏈或支鏈的烷基)，同時(shí)X1和X2之中的另一個(gè)基團(tuán)表示氫原子。
R4和R5各自獨(dú)立地表示氫原子、直鏈或支鏈的烷基或者直鏈或支鏈的烷氧基。
R6、R7、R8和R9各自獨(dú)立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1或者2的烷基。
此外，H+從上述NHSO2Y基脫離，形成NSO2Y-(陰性)基，從而上述通式(1)表示的偶氮系化合物與金屬離子形成配位鍵。
作為R3優(yōu)選的是，甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、仲丁基等碳原子數(shù)為1～8的直鏈或者支鏈的烷基；環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基等碳原子數(shù)為3～8的環(huán)烷基。從空間位阻小這樣的理由出發(fā)，特別優(yōu)選的是，甲基、乙基等碳原子數(shù)1或者2的直鏈烷基；環(huán)戊基、環(huán)己基等碳原子數(shù)為3～6的環(huán)烷基。
作為R2可優(yōu)選舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等碳原子數(shù)為1～8的直鏈烷基；異丙基、仲丁基、異丁基、叔丁基、2-乙基己基、環(huán)丙基、環(huán)己基甲基等碳原子數(shù)為3～8的支鏈烷基等。
Y表示具有至少2個(gè)氟原子取代基的直鏈或支鏈的烷基。作為直鏈或支鏈的烷基優(yōu)選的是碳原子數(shù)為1～6的直鏈或支鏈的烷基，更優(yōu)選的是碳原子數(shù)為1～3的直鏈烷基。
作為R4、R5，優(yōu)選的是氫原子、碳原子數(shù)為1～6的直鏈烷基、碳原子數(shù)為1～8的烷氧基。作為R4、R5，更優(yōu)選的是氫原子、碳原子數(shù)為1或2的烷基或者碳原子數(shù)為1或2的烷氧基。上述烷基、烷氧基優(yōu)選無(wú)取代基。作為R4、R5，特別優(yōu)選的是氫原子、甲基、乙基或者甲氧基。
R6、R7、R8以及R9各自獨(dú)立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1或者2的烷基。通過(guò)使用氫原子或碳原子數(shù)為1或者2的烷基，易于將吸光度或折射率調(diào)整到預(yù)定的值，因此是優(yōu)選的。關(guān)于碳原子數(shù)為1或者2的烷基，與碳原子鍵合的氫原子可以用其他的取代基(例如鹵原子)取代，但是優(yōu)選無(wú)取代基的烷基。作為碳原子數(shù)為1或者2的烷基，可以舉出甲基、乙基。從合成的容易性或立體結(jié)構(gòu)方面考慮，作為R6、R7、R8以及R9最優(yōu)選的是氫原子。
作為構(gòu)成所述染料(1)的通式(1)的偶氮系化合物(配位體)的具體例，可以舉出以下所示的結(jié)構(gòu)的偶氮系化合物。

另一方面，作為上述“耐光性差的染料”優(yōu)選的花青系染料的例子，可以舉出下述通式(2)表示的花青系染料(以下，適當(dāng)時(shí)稱(chēng)為“染料(2)”)。

(2) 通式(2)中，環(huán)A和環(huán)B各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的苯環(huán)或萘環(huán)。
R10和R11各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～5的烷基。
R12、R13、R14和R15各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～5的烷基。
R16表示氫原子、鹵原子、氰基或者可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～5的烷基。
Q-表示抗衡陰離子。作為抗衡陰離子，可以舉出BF4-、PF6-、金屬絡(luò)合物等各種陰離子。
作為R10和R11，優(yōu)選的是甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、仲丁基等碳原子數(shù)為1～5的直鏈或者支鏈的烷基。從空間位阻小這樣的理由出發(fā)，特別優(yōu)選的是甲基、乙基等碳原子數(shù)為1或者2的直鏈烷基。此外，烷基鏈的氫原子可以被氟或后述的取代基取代。
作為R12、R13、R14以及R15，優(yōu)選可以舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基等碳原子數(shù)為1～5的直鏈烷基；異丙基、仲丁基、異丁基、叔丁基等碳原子數(shù)為3～5的支鏈烷基等。此外，烷基鏈的氫原子可以被氟或后述的取代基取代。
作為R16，優(yōu)選的是氫原子；Cl、Br等鹵原子；氰基；甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、仲丁基等碳原子數(shù)為1～5的直鏈或者支鏈的烷基。此外，使用烷基的情況中，烷基鏈的氫原子可以被后述的取代基取代。
此外，作為環(huán)A和環(huán)B的苯環(huán)或萘環(huán)的優(yōu)選取代基，可以舉出碳原子數(shù)為1～6的直鏈或者支鏈的烷基、 碳原子數(shù)為1～12的芳基或者雜芳基(碳原子數(shù)為1～12的碳環(huán)式或者雜環(huán)式芳基)、 碳原子數(shù)為1～6的烷氧基、 碳原子數(shù)為1～6的酯基、 碳原子數(shù)為1～6的二烷基氨基、 硝基、 碳原子數(shù)為1～6的硫代烷基、 碳原子數(shù)為1～6的烷基磺?；? 碳原子數(shù)為1～6的三烷基甲硅烷基、 磺酸基、 磷酸基、 羧酸基、 氰基、 鹵原子等。
此外，作為R10至R16的烷基上的優(yōu)選取代基，可以舉出碳原子數(shù)為1～12的芳基或者雜芳基(碳原子數(shù)為1～12的碳環(huán)式或者雜環(huán)式芳基)、 碳原子數(shù)為1～6的烷氧基、 碳原子數(shù)為1～6的酯基、 碳原子數(shù)為1～6的二烷基氨基、 硝基、 碳原子數(shù)為1～6的硫代烷基、 碳原子數(shù)為1～6的烷基磺?；?、 碳原子數(shù)為1～6的三烷基甲硅烷基、 磺酸基、 磷酸基、 羧酸基、 氰基、 鹵原子等。
作為上述取代基優(yōu)選的是碳原子數(shù)為1～12的碳環(huán)式或者雜環(huán)式芳基。更優(yōu)選碳原子數(shù)為6～12的碳環(huán)式芳基。從記錄特性方面考慮，進(jìn)一步優(yōu)選的是苯環(huán)。
從記錄特性方面考慮，最優(yōu)選的是，在用于R12～R16的烷基的一部分中，優(yōu)選用苯環(huán)取代烷基鏈的氫。具體地說(shuō)，作為將苯環(huán)用作取代基的方法，可以舉出下述(α)～(γ)的組合。如果考慮空間位阻等，優(yōu)選以(α)和(β)的組合使用。(α)以R12、R13為烷基的情況中，利用苯環(huán)取代R12、R13之一或兩者的烷基鏈的氫。
(β)以R14、R15為烷基的情況中，利用苯環(huán)取代R14、R15之一或兩者的烷基鏈的氫。
(γ)以R16為烷基的情況中，利用苯環(huán)取代R16的烷基鏈的氫。
作為所述染料(2)的具體例，可以舉出以下所示結(jié)構(gòu)的化合物。


此外，記錄層中的上述“耐光性差的染料”可以單獨(dú)使用任意一種，也可以以任意組合使用兩種以上。其中，優(yōu)選至少使用一種上述染料(1)和/或染料(2)。在此情況中，可以只使用任意一種或兩種以上的上述染料(1)，也可以只使用任意一種或兩種以上的上述染料(2)，進(jìn)一步還可以適宜地將任意一種或兩種以上的上述染料(1)和任意一種或兩種以上的上述染料(2)組合使用。當(dāng)然，除上述染料(1)和/或染料(2)以外，進(jìn)一步還可以組合使用其他的“耐光性差的染料”。
另一方面，作為與上述染料(1)或染料(2)組合的優(yōu)選的“耐光性良好的染料”，具體地說(shuō)，可以舉出，2個(gè)各種偶氮系化合物配位的、以除Zn以外的過(guò)渡金屬(例如V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu)為中心金屬的金屬偶氮絡(luò)合物。優(yōu)選形成配位鍵的中心金屬離子為2價(jià)離子。
優(yōu)選可以舉出由選自由下述通式(3)、(4)、(5)、(6)表示的化合物組成的組中的至少一種偶氮系化合物和除Zn以外的3d過(guò)渡元素的金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料(以下，有時(shí)將具有對(duì)應(yīng)于各通式的偶氮系化合物的偶氮金屬螯合物染料分別稱(chēng)為“染料(3)”、“染料(4)”、“染料(5)”、“染料(6)”)。

(3)
通式(3)和(5)中，R20表示氫原子、可以帶有取代基的碳原子數(shù)為1～6的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，或者表示可以帶有取代基的碳原子數(shù)為1～6的具有直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基的酯基。
通式(4)和(6)中，R17表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～6的烷基。
通式(3)和(4)中的R21至R27以及通式(5)和(6)中的R18和R19各自獨(dú)立地表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～6的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基。R18和R19也可以相互鍵合而形成環(huán)。
通式(3)、(4)、(5)、(6)中，X1和X2之中至少任意一個(gè)表示NHSO2Y基(在此，Y表示具有至少2個(gè)氟原子取代基的直鏈或支鏈的烷基)，同時(shí)X1和X2之中的另一個(gè)基團(tuán)表示氫原子。
此外，H+從上述NHSO2Y基脫離，形成NSO2Y-(陰性)基，從而上述通式(3)、(4)、(5)、(6)表示的偶氮系化合物與金屬離子形成配位鍵。
作為R17，優(yōu)選的是甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、仲丁基等碳原子數(shù)為1～6的直鏈或者支鏈的烷基。
作為R18、R19，優(yōu)選可以舉出甲基、乙基、異丙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基等碳原子數(shù)為1～6的直鏈或者支鏈的烷基。此外，R18、R19也可以相互鍵合而形成環(huán)狀的環(huán)己基等環(huán)狀烷基。
作為R20，優(yōu)選的是氫原子；甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基等碳原子數(shù)為1～6的直鏈或者支鏈的烷基；甲酯基、乙酯基、丙酯基、異丙酯基、丁酯基、異丁酯基、戊酯基、環(huán)己酯基等具有碳原子數(shù)為1～6的直鏈或者環(huán)狀烷基的酯基。如果綜合考慮易于進(jìn)行工業(yè)合成以及記錄特性等，作為R20特別優(yōu)選的是氫原子。
作為R21至R27，優(yōu)選可以舉出氫原子；甲基、乙基、異丙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基等碳原子數(shù)為1～6的直鏈或者支鏈的烷基。
作為X1、X2以及Y，只要與通式(1)表示的偶氮系化合物相同即可。
此外，作為可以取代到上述通式(3)、(4)、(5)、(6)的R17～R27的烷基上的取代基，可以舉出 碳原子數(shù)為1～12的芳基或者雜芳基(碳原子數(shù)為1～12的碳環(huán)式或者雜環(huán)式芳基)、 碳原子數(shù)為1～6的烷氧基、 碳原子數(shù)為1～6的酯基、 碳原子數(shù)為1～6的二烷基氨基、 硝基、 碳原子數(shù)為1～6的硫代烷基、 碳原子數(shù)為1～6的烷基磺?；? 碳原子數(shù)為1～6的三烷基甲硅烷基、 氰基、 鹵原子等。
作為構(gòu)成所述偶氮金屬螯合物染料的通式(3)、(4)、(5)、(6)的偶氮系化合物(配位體)的具體例，可以舉出以下所示結(jié)構(gòu)的化合物。


此外，上述“耐光性良好的染料”可以單獨(dú)使用任意一種，也可以以任意組合使用兩種以上。特別優(yōu)選至少使用一種上述染料(3)、染料(4)、染料(5)和/或染料(6)。在這種情況中，可以使用一種或兩種以上的僅對(duì)應(yīng)于上述染料(3)、(4)、(5)和(6)之中任意之一的染料，也可以從兩類(lèi)以上的上述染料(3)、(4)、(5)和(6)中分別選擇一種或兩種以上的染料進(jìn)行組合使用。當(dāng)然，除上述染料(3)、染料(4)、染料(5)和/或染料(6)以外，還可以進(jìn)一步組合其他的“耐光性良好的染料”。
下面將說(shuō)明上述的對(duì)記錄特性效果明確的染料的耐光性指標(biāo)。即，在將構(gòu)成記錄層的“耐光性差的染料”和“耐光性良好的染料”并用的情況中，對(duì)這些染料的混合比例進(jìn)行如下控制。即，以如下比例進(jìn)行混合使所述記錄層單層(形成記錄層的有機(jī)染料單層)的染料保持率在ISO-105-B02給出的光照射條件(即，Wool scale 5級(jí))下達(dá)到70％以下的比例。
耐光性?xún)?yōu)于該值的情況中，在分解中不能發(fā)揮出充分的光學(xué)模式，因此，染料的分解中的熱模式(熱分解反應(yīng))的貢獻(xiàn)大，以致可能無(wú)法期望充分提高記錄特性。
此外，關(guān)于上述記錄層單層的染料保持率，即使將貼合得到的光盤(pán)在貼合部分進(jìn)行剝離，在具有被暴露的基板和染料的光盤(pán)切片中，也可以以下述實(shí)施例記載的方法進(jìn)行評(píng)價(jià)。
如以上述，另一方面，適于高速記錄的上述那樣的染料組合可能使光盤(pán)的耐光性劣化。
作為提高所述“耐光性差的染料”的耐光性的解決方案，一般而言，可以含有作為單線態(tài)氧猝滅劑的過(guò)渡金屬螯合化合物(例如，乙酰丙酮螯合物、二苯基二硫醇、水楊醛肟、雙二硫-α-二酮等)等或金屬系化合物等記錄靈敏度提高劑。在此金屬系化合物是指，在化合物中以原子、離子、簇等形式包含過(guò)渡金屬等金屬的化合物，并且可以舉出，例如乙二胺系絡(luò)合物、偶氮甲堿系絡(luò)合物、苯基羥基胺系絡(luò)合物、菲咯啉系絡(luò)合物、二羥基偶氮苯系絡(luò)合物、二肟系絡(luò)合物、亞硝基氨基苯酚系絡(luò)合物、吡啶基三嗪系絡(luò)合物、乙酰丙酮系絡(luò)合物、茂金屬系絡(luò)合物、卟啉系絡(luò)合物這樣的有機(jī)金屬化合物。作為金屬原子，沒(méi)有特別的限制，然而優(yōu)選過(guò)渡金屬。
但是，通過(guò)添加所述猝滅劑，記錄標(biāo)記的邊緣的陡峭性可能喪失，或者制造工序可能變得復(fù)雜。
本發(fā)明人不積極使用所述添加劑，進(jìn)行了使“實(shí)際使用上的”耐光性提高的研究。其結(jié)果認(rèn)識(shí)到，通過(guò)使用如下反射層，可以使記錄層的耐光性提高所述反射層在波長(zhǎng)300nm≤λ≤500nm范圍內(nèi)在空氣中反射率R對(duì)波長(zhǎng)的微分值(dR/dλ)≤3。
作為其原因，可以考慮如下。即，基于金屬的自由電子模型，對(duì)于金屬，照射某種特定的光頻率時(shí)，發(fā)生金屬內(nèi)電子全體共振的現(xiàn)象。如果發(fā)生該共振，則不但折射率(n)而且反射率以特定的頻率急劇變化。如果該電子全體發(fā)生共振，則在與染料的界面上，光激發(fā)引起的化學(xué)反應(yīng)(也包括催化劑反應(yīng))變得容易進(jìn)行，染料劣化的可能性較高。因此，從耐光性的方面考慮，因某種特定的光頻率而使反射率發(fā)生急劇地變動(dòng)是不理想的。根據(jù)該結(jié)果，不僅需要選擇反射率的絕對(duì)值不急劇地變化的條件，而且需要選擇反射率的相對(duì)值不急劇地變化的條件，即，需要選擇在上述波長(zhǎng)范圍內(nèi)(dR/dλ)≤3的反射層。作為滿(mǎn)足所述條件的材料，可以舉出，例如，能帶間躍遷不在300nm～500nm的范圍內(nèi)的材料等。更優(yōu)選的是，(dR/dλ)≤2，進(jìn)一步優(yōu)選(dR/dλ)≤1。此外，對(duì)將dR/dλ的規(guī)定的波長(zhǎng)范圍設(shè)為300nm～500nm的理由在下面進(jìn)行說(shuō)明。
作為滿(mǎn)足所述條件的反射層的例子，可以舉出如下反射層所述反射層含有選自Cu、Au和Al中的至少一種元素(以下，有時(shí)將其稱(chēng)為“特定元素”)，并且反射層中的這些特定元素的合計(jì)比例為50 at％以上。在該比例低于50 at％的情況中，有可能不滿(mǎn)足上述的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的(dR/dλ)≤3，從而，可能不能得到充分的耐光性。此外，作為所述反射層中的除上述特定元素以外的元素，優(yōu)選的是，可以舉出選自由Ag、Cr、Ni、Pt、Ta、Pd、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi、Ti、Zn、Zr和稀土類(lèi)金屬組成的組中的至少一種元素。特別優(yōu)選反射層中的這些元素的比例與上述特定元素的比例合計(jì)達(dá)到100 at％。優(yōu)選調(diào)整除特定元素以外的元素的種類(lèi)以及其混合量，以滿(mǎn)足上述的(dR/dλ)≤3。
此外，還優(yōu)選在300nm～500nm范圍內(nèi)的空氣中的反射率為20％～70％的反射層。該必要條件并不僅意味著使用像現(xiàn)有技術(shù)那樣的僅在記錄和讀取光波長(zhǎng)處的反射率高的反射層。即，通過(guò)使用如下反射層，記錄層的“實(shí)際使用上的”耐光性進(jìn)一步提高所述反射層對(duì)于記錄和讀取光波長(zhǎng)有80％以上的高反射率，同時(shí)在300nm～500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的空氣中的反射層為20％～70％。
作為滿(mǎn)足所述必要條件的反射層使記錄層的耐光性提高的理由，可以考慮如下。本來(lái)，通常實(shí)施的光盤(pán)的耐光性試驗(yàn)(ISO-105-B02)是假定暴露于太陽(yáng)光的試驗(yàn)方法。眾所周知，太陽(yáng)光在300nm～500nm、特別是在400nm～500nm范圍內(nèi)強(qiáng)度達(dá)到飽和，此外，光粒子的能量與光的頻率成比例，因此光粒子的能量也高于長(zhǎng)波長(zhǎng)的光粒子的能量。具有高能量的光粒子超過(guò)破壞染料的鍵的閾值的概率高，因此為了使光盤(pán)的耐光性提高，理想的是，不使染料過(guò)度吸收該波長(zhǎng)的光。即，優(yōu)選使用在該波長(zhǎng)范圍內(nèi)的反射率小的反射層。于是，可以認(rèn)為，只要使用在上述波長(zhǎng)范圍內(nèi)反射率小的反射層，染料記錄層-反射層間的多重反射的光量就得到降低，因此具有耐光性差的染料的記錄層的劣化得到抑制。這樣，可以進(jìn)一步使“實(shí)際使用上的”耐光性提高。
圖3(a)為表示主要金屬材料的折射率(n)的波長(zhǎng)分布的曲線圖，圖3(b)為表示主要金屬材料的衰減系數(shù)(k)的波長(zhǎng)分布的曲線圖，圖3(c)為表示對(duì)使用主要金屬材料形成的反射層(膜厚120nm)進(jìn)行計(jì)算得到在空氣中的反射率的波長(zhǎng)分布的曲線圖。此外，反射層的膜厚120nm為反射率充分飽和的膜厚。此外，在本說(shuō)明書(shū)中“空氣中的”反射率是指，通過(guò)空氣將入射光直接照射到反射層的膜面時(shí)，反射的光強(qiáng)度相對(duì)于入射光強(qiáng)度的比例。
由圖3(a)可知，相對(duì)于常用作反射層的Ag，在350nm～500nm的區(qū)域中，Au、Cu以及Al的折射率(n)較大。特別是，Au和Cu的折射率(n)在該波長(zhǎng)范圍穩(wěn)定，為1左右。此外，由圖3(c)可知，Au和Cu的反射率為30％～70％，與Ag相比較，是非常小的。
此外，作為圖3(a)、(b)中的金屬材料的折射率(n)和衰減系數(shù)(k)的值，使用下述的文獻(xiàn)所記載的值。
Springer-Verlag Heidelberg，Landolt Bornstein-Group III Condensed matter，Volume 15，subvolume B，1985，p.222-236(Ag-Ca)，p.237-248(Cd-Eu)，p.280-291(Ni-Pb)(ISSN1616-9549) 作為滿(mǎn)足所述條件的反射層的例子，可以舉出如下反射層所述反射層含有選自Cu、Au和Al中的至少一種元素(有時(shí)，將其稱(chēng)為“特定元素”)，同時(shí)反射層中的這些特定元素的合計(jì)比例為50 at％以上。在該比例低于50 at％的情況中，有可能不滿(mǎn)足上述的優(yōu)選反射率的范圍。此外，作為所述反射層中的除上述特定元素以外的元素，優(yōu)選可以舉出選自由Ag、Cr、Ni、Pt、Ta、Pd、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi、Ti、Zn、Zr和稀土類(lèi)金屬組成的組中的至少一種元素。特別優(yōu)選反射層中的這些元素的比例與上述特定元素的比例合計(jì)達(dá)到100 at％。
此外，由本發(fā)明人的研究結(jié)果可知，例如，對(duì)于目前實(shí)用化的銀或銀合金，記錄層和反射層的記錄前后的變化與低速記錄時(shí)不同，因此35.0m/s以上的高速記錄可能變得困難。這是因?yàn)?，可以認(rèn)為，特別是超過(guò)35.0m/s的記錄中，由于將為了記錄而照射的激光的脈沖寬度變短，因而反射層的塑性變形性、熱導(dǎo)率、吸收或折射這樣的光學(xué)常數(shù)的差異傾向于更顯著地反映到記錄特性上。因此，與目前的低速記錄的情況相比，更要注意對(duì)所述高速記錄用途的反射層的選擇。但是，由于在低速記錄下的記錄特性的實(shí)際效果，或由于比較便宜，現(xiàn)狀是以銀或銀合金為反射層的光記錄介質(zhì)已廣泛地投入實(shí)際應(yīng)用。
本發(fā)明人經(jīng)過(guò)深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，不僅高速(特別是35.0m/s以上)的記錄線速度，而且從低速到高速的較寬的記錄線速度范圍內(nèi)的記錄特性根據(jù)反射層而不同，例如，通過(guò)使用以銅、金或鋁為主成分的反射層而使記錄特性變得良好。
以高速進(jìn)行記錄也帶給記錄特性多種影響。特別是，記錄層由有機(jī)染料構(gòu)成的情況中，與由金屬或半導(dǎo)體構(gòu)成的記錄膜介質(zhì)等相比，記錄靈敏度、抖晃等的記錄速度依存性非常顯著。因此，作為以有機(jī)染料為記錄層的介質(zhì)的反射層所要求的條件，優(yōu)選具有特定值以上的高反射率且具有更高的熱傳導(dǎo)的反射層。反射率高的金屬反射膜是指，即，記錄波長(zhǎng)處的折射率的實(shí)數(shù)部n為一定值以下且虛數(shù)部k較大的反射層。具體地說(shuō)，為了得到實(shí)用的反射率，反射層的折射率為0.0＜n＜1.0且k＞2.0。
此外，優(yōu)選熱傳導(dǎo)率高。如果用上述的反射率高的金屬為例，可以舉出，Ag(320W/M·K)、Cu(300W/M·K)、Au(230W/M·K)、Al(158W/M·K)等。
通過(guò)使用這些金屬或者其合金，能夠得到高速記錄良好的介質(zhì)。即使在將來(lái)記錄波長(zhǎng)短波長(zhǎng)化的情況中，通過(guò)將上述金屬組合最優(yōu)化，同時(shí)得到高反射率和熱傳導(dǎo)率的良好的記錄特性的可能性也較高。
此外，在將有機(jī)染料用于記錄層的介質(zhì)中，對(duì)長(zhǎng)標(biāo)記(6T標(biāo)記以上)進(jìn)行記錄時(shí)，波形的基線不水平，有傾斜的傾向(以下，有時(shí)稱(chēng)為“波形失真”)。該波形失真有時(shí)成為本底抖晃劣化的原因。盡管在低速記錄下本底抖晃良好，但在高速記錄下的本底抖晃較差，或者也存在其相反情況。本發(fā)明人認(rèn)為，所述波形失真與記錄層的膜厚方向的溫度分布有關(guān)系，可以通過(guò)將記錄層與反射層的膜厚的組合、光學(xué)常數(shù)與反射層的熱傳導(dǎo)度的組合最優(yōu)化來(lái)降低所述波形失真，其結(jié)果不僅在3.5m/s～35.0m/s而且在3.5m/s～約70m/s這樣的較寬的記錄線速度范圍內(nèi)，可以進(jìn)行良好的記錄。
即，根據(jù)上述的理由，由于具有可以在熱學(xué)和光學(xué)上不浪費(fèi)地利用記錄用激光的反射層，因此在較寬的記錄線速度范圍內(nèi)，記錄標(biāo)記的波形可以變得良好。
此外，上述“反射層以銅、金、鋁為主成分”是指，反射層分別單獨(dú)含有銅、金或者鋁，或者含有總共50原子％以上的銅、金和鋁的任意兩種以上的組合。為了將耐候性、膜的結(jié)構(gòu)以及光學(xué)特性最優(yōu)化，優(yōu)選含有除銅、金以外的元素。作為這樣的元素，可以舉出，例如，由Al、Ag、Cr、Ni、Pt、Ta、Pd、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi、Ti、Zn、Zr和稀土類(lèi)金屬組成的組。優(yōu)選這些元素的含量為0.1原子％～40原子％。作為含有這樣的元素的材料，例如，優(yōu)選CuAg、CuZrAg等。
此外，如在實(shí)施例中所說(shuō)明的那樣，銅、金以及鋁在波長(zhǎng)300nm～500nm處在空氣中的反射率對(duì)波長(zhǎng)的微分值dR/dλ(％/m)為3以下。相對(duì)于此，在300nm～500nm內(nèi)的純銀的反射率的微分值的最大值超過(guò)5，從實(shí)際使用上的耐光性出發(fā)，這是不優(yōu)選的，但是，在例如含有銀的金屬反射膜中，通過(guò)減少銀的組成比，也可使本發(fā)明的dR/dλ值為3以下。
如以上說(shuō)明的那樣，通過(guò)將在波長(zhǎng)300nm～500nm處在空氣中的反射率對(duì)波長(zhǎng)的微分值dR/dλ(％/nm)為3以下的反射層和含有耐光性不良的染料的記錄層組合，由此首次得到如下光記錄介質(zhì)它具有35m/s以上這樣的極高速的記錄特性，同時(shí)具有可適合使用的“實(shí)際使用上的”耐光性。
如上所述，為了形成在本發(fā)明中規(guī)定的特定的波長(zhǎng)范圍內(nèi)滿(mǎn)足(dR/dλ)≤3的反射層，優(yōu)選通過(guò)選定濺射靶使反射層含有選自Cu、Au和Al中的至少一種元素，同時(shí)使上述元素在上述反射層中的合計(jì)比例達(dá)到50原子％(有時(shí)將“原子％”記為“at％”。)以上。在Cu、Au和Al之中，至少?gòu)姆瓷渎史矫婵紤]，優(yōu)選Cu和Al。
根據(jù)本發(fā)明人的研究可知，濺射過(guò)的Al膜的島狀結(jié)構(gòu)有可能在高溫高濕度試驗(yàn)或記錄時(shí)的升溫過(guò)程中生長(zhǎng)，可能降低膜的平滑性，結(jié)果有時(shí)使記錄部分的抖晃下降。
由以上事實(shí)出發(fā)，反射層優(yōu)選為至少含有下述的組成(A)表示的Cu合金的薄膜。
[組成(A)] 50at％≤Cu≤97at％ 3at％≤Ag≤50at％ 0.05at％≤X≤10at％ (在此，X表示選自Zn、Al、Pd、In、Sn、Cr、Ni組成的組中的至少一種元素。在以下的記載中，有時(shí)將該X稱(chēng)為“第三元素種”。但是，Cu、Ag和X的總量為100at％以下。) 具體地說(shuō)，在上述組成(A)中，Cu的含量為以下范圍通常為50at％以上，優(yōu)選為65at％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為80at％以上，并且通常為97at％以下，優(yōu)選為95at％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為90at％以下。
此外，在上述組成(A)中，Ag的含量為以下范圍通常為3at％以上，優(yōu)選為5at％以上，并且通常為50at％以下，優(yōu)選為30at％以下。
為了形成在本發(fā)明中規(guī)定的特定的波長(zhǎng)范圍內(nèi)滿(mǎn)足(dR/dλ)≤3的反射層，優(yōu)選將Ag的含量設(shè)為50at％以下。此外，后述的實(shí)施例證實(shí)，為了以能適合本發(fā)明所記載的高速記錄的有機(jī)染料層為記錄層，同時(shí)通過(guò)與反射層相組合來(lái)進(jìn)一步確保使耐光性充分提高的效果，優(yōu)選將Ag的含量設(shè)為30at％以下。
此外，在上述組成(A)中，X的含量為以下范圍通常為0.05at％以上，優(yōu)選為0.1at％以上，并且通常為10at％以下，優(yōu)選為5at％以下。此外，選擇2種以上的金屬元素作為X的情況中，優(yōu)選其合計(jì)滿(mǎn)足上述范圍。
優(yōu)選將第三元素種X的含量設(shè)為0.05at％以上。為了易于穩(wěn)定地得到充分的效果，更優(yōu)選0.1at％以上。特別是，由于Zn的熔點(diǎn)低，因此對(duì)靶進(jìn)行濺射時(shí)，可以認(rèn)為，會(huì)有一部分量不被濺射的情況，因此作為更穩(wěn)定的組成，優(yōu)選將X設(shè)為0.1at％以上。
此外，優(yōu)選將第三元素種X的含量設(shè)為10at％以下。只要其為10at％以下，就容易確保高反射率。為了易于確保充分高的反射率，更優(yōu)選將第三元素種X的含量設(shè)為5at％以下。
此外，可以認(rèn)為，第三元素種X對(duì)(dR/dλ)幾乎沒(méi)有影響。即，與其為了本發(fā)明的耐光性提高效果而優(yōu)選第三元素種X，不如為了確保反射率的微調(diào)或反射層的保存穩(wěn)定性而優(yōu)選第三元素種X。
上述的第三元素種X之中，更優(yōu)選Zn、Al、Pd、In、Sn。由于易于確保足夠的反射率，因此，特別優(yōu)選Zn、Al、Pd。特別是，根據(jù)本發(fā)明人的研究可知，即使Zn的添加量較少，有時(shí)具有可以得到更高的反射率的可能性。In和Sn也與Zn、Al、Pd相同，可以期待上述的效果。特別是，Zn、In、Sn與腐蝕Cu合金的O2成分形成導(dǎo)電性氧化物ZnO、In2O3、SnO2。該導(dǎo)電性氧化物ZnO、In2O3、SnO2為n型半導(dǎo)體，并與Cu產(chǎn)生接觸電位差。其結(jié)果，可以認(rèn)為，氧離子(O2-)比Cu更易于被拉向Zn、In、Sn側(cè)，從而延遲Cu的氧化。
此外，作為第三元素種X，使用低熔點(diǎn)和低沸點(diǎn)的元素的情況中，為了形成(制造)如上的高反射率且至少含有保存穩(wěn)定性?xún)?yōu)異的Cu合金的薄膜(反射層)，優(yōu)選使用如下的濺射靶。
例如，作為第三元素種X，選擇Zn(熔點(diǎn)419.6℃，沸點(diǎn)907℃)的情況中，優(yōu)選在濺射靶中比上述的組成(A)多包含0.01at％～2.5at％左右的Zn。這是因?yàn)榈腿埸c(diǎn)和低沸點(diǎn)的元素易揮發(fā)。也有通過(guò)使濺射時(shí)的靶和基板之間隔相對(duì)于其他的場(chǎng)所更近來(lái)抑制揮發(fā)的方法，但是為了更穩(wěn)定地、無(wú)浪費(fèi)地得到預(yù)定的反射層，特別優(yōu)選濺射靶滿(mǎn)足下述的組成(B)。如組成(B)所示，只要將反射層的組成和靶的組成設(shè)為同一或相近范圍，就易于制造具有組成(A)的反射層。
[組成(B)] 50at％≤Cu≤97at％ 3at％≤Ag≤50at％ 0.05at％≤X≤10at％ (在此，X表示選自由Zn、Al、Pd、In、Sn、Cr、Ni組成的組中的至少1種元素，其中，Cu、Ag以及X的總量為100at％以下。) 在此，Cu、Ag以及第三元素種X的優(yōu)選含量的范圍與作為上述反射層的組成而說(shuō)明的組成(A)相同即可。
此外，除上面所述的Zn以外，關(guān)于X的熔點(diǎn)，Al為660.4℃，Pd為1550℃，Sn為231.97℃，In為156.6℃(參考《巖波理化學(xué)辭典》第5版，巖波書(shū)店，1998年)。
上述的X之中，特別優(yōu)選Zn、Al、Pd、In、Sn。
如上所述，上述濺射靶的熔點(diǎn)之差較小。因而，可以省略上述的專(zhuān)利文獻(xiàn)4(國(guó)際公開(kāi)第WO2002/021524號(hào)小冊(cè)子)所記載的母合金的制作。即，如下的工序是可能的。即，在高頻熔爐中以預(yù)定的比例將Cu和Ag裝入坩鍋中，進(jìn)行真空熔解，將上述Cu和Ag充分熔解后，添加第三元素種X。此外，在高頻熔爐中以預(yù)定的比例將Cu、Ag和第三元素種X裝入坩鍋中，進(jìn)行真空熔解即可。此時(shí)，作為第三元素種X，添加Al、Cr、Ni、Pd、In、Sn時(shí)，與Cu、Ag一起以預(yù)定的比例添加即可。另一方面，作為第三元素種X，添加Zn時(shí)，優(yōu)選在將Cu和Ag充分熔解后添加。這是因?yàn)槿绻麖淖铋_(kāi)始裝填蒸氣壓高的Zn，則具有因揮發(fā)導(dǎo)致組成達(dá)不到規(guī)定值的傾向。
在此，爐內(nèi)的熔解溫度設(shè)定為約1100℃～約1200℃，作為坩鍋的材料，使用C、Al2O3、MgO或ZrO2等。接下來(lái)，進(jìn)行熔液向鑄模的澆鑄，將熔融物在鑄模內(nèi)冷卻，使其凝固，從而制作出鑄塊，從鑄模取出該鑄塊，冷卻到常溫。然后，將鑄塊的最上部的冒口部切斷去除，利用壓縮機(jī)將鑄塊壓延，從而制作出板狀的合金。其后，將上述的板狀的合金線切割成制品形狀，研磨制品的前面，從而最終制作出本發(fā)明的Cu合金的濺射靶。
此外，必須進(jìn)行上述的母合金的制作工序的情況通常為，主元素(對(duì)于上述濺射靶為Cu)的熔點(diǎn)和添加元素的熔點(diǎn)相差數(shù)百℃左右這樣的熔點(diǎn)相差非常高的情況。假設(shè)在向主元素Cu的熔液(約1000℃)中添加熔點(diǎn)1668℃的Ti的情況中，利用固體擴(kuò)散進(jìn)行合金化，但是其速度慢，均勻地且產(chǎn)率良好地進(jìn)行合金化是困難的。如果將Cu與Ti的量的比例設(shè)為1∶1，則由于它們的相互關(guān)系，熔點(diǎn)為960℃。因此，能夠容易地與主元素熔液進(jìn)行合金化。但是，也存在即使熔點(diǎn)有很大差異也不必進(jìn)行母合金化的情況。這種情況是Pd作為X。即使不進(jìn)行母合金化而向熔液溫度1100℃的Ag中投入Pd(熔點(diǎn)1554℃)，由于擴(kuò)散速度快，因此也容易進(jìn)行合金化。
以上所述的濺射靶為提供如后所述優(yōu)異的反射層的材料。因此，如果僅從使用上述濺射靶而成膜的反射層方面考慮，則對(duì)使用該反射層的光記錄介質(zhì)的記錄層所含有的有機(jī)染料不特別限制。作為這樣的有機(jī)染料，可以舉出大環(huán)狀氮雜輪烯系染料(酞菁染料、萘酞菁染料、卟啉染料等)、聚甲炔系染料(花青染料、部花青染料、方酸內(nèi)鎓染料等)、蒽醌系染料、薁鎓系染料、偶氮金屬螯合物系染料、靛苯胺金屬系染料等。這些有機(jī)染料之中，如果考慮生產(chǎn)率、性能、實(shí)際效果等各種要素，則優(yōu)選使用偶氮金屬螯合物系染料或酞菁系染料。作為偶氮金屬螯合物系染料的優(yōu)選例，可以舉出由具有上述規(guī)定的結(jié)構(gòu)的偶氮化合物和Ni、Zn的金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料。但是，如上所述，通過(guò)與含有“耐光性差的染料”的記錄層組合使用，上述反射層發(fā)揮預(yù)定的效果。
下面，在記錄層和反射層中給出優(yōu)選的記錄和讀取波長(zhǎng)的物理性能。在實(shí)施記錄的激光波長(zhǎng)處，優(yōu)選通過(guò)記錄的驅(qū)動(dòng)或光學(xué)系的制約，維持適當(dāng)?shù)姆瓷渎?。此外，?duì)于例如DVD-R，一般記錄后的折射率(n)會(huì)下降，因此記錄前的記錄層的折射率(n)高，吸收小于一定量，這通常是為了確保記錄后的充分的信號(hào)振幅的必要條件。此外，如果反射層薄，則透射光增加且對(duì)信號(hào)無(wú)貢獻(xiàn)的成分增加，由此對(duì)于反射層，一般認(rèn)為一定厚度以上的膜厚是必要的。
因此，在記錄層中，優(yōu)選的是，在記錄和讀取波長(zhǎng)處的折射率(nw)滿(mǎn)足nw≥1.4，在記錄和讀取波長(zhǎng)處的衰減系數(shù)(kw)滿(mǎn)足kw≤0.3、槽內(nèi)的膜厚(dw)滿(mǎn)足0.05≤(nwdw/λ)≤0.3。并且，反射層不用作半透明膜的情況中，對(duì)于反射層，優(yōu)選膜厚(dr)滿(mǎn)足50nm≤dr≤250nm。nw的上限通常為4.0。kw的下限通常為0.01。
由于記錄層和反射層滿(mǎn)足上述的光學(xué)常數(shù)和膜厚，可以得到記錄和讀取光波長(zhǎng)處的高反射率和充分的記錄后的信號(hào)振幅，為了利用驅(qū)動(dòng)來(lái)進(jìn)行記錄，所述記錄和讀取光波長(zhǎng)處的高反射率和充分的記錄后的信號(hào)振幅是必要的。
[II.本發(fā)明的實(shí)施方式] 以下，參考附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
關(guān)于本發(fā)明的第1光記錄介質(zhì)，只要在基板上具有上述的記錄層和反射層，對(duì)其他的構(gòu)成就沒(méi)有特別限制，但是作為優(yōu)選的構(gòu)成，可以舉出，圖1(a)、(b)所示構(gòu)成所代表的在2片基板間夾持記錄層和反射層的構(gòu)成和圖1(c)所示構(gòu)成所代表的在1片基板上層積反射層和記錄層而形成的構(gòu)成。此外，本發(fā)明也可適用于圖2(a)、(b)所示的單面雙層型的構(gòu)成。此外，圖1(a)～(c)和圖2(a)、(b)均為表示本發(fā)明實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)的層構(gòu)成的示意性截面圖。
圖1(a)所示的光記錄介質(zhì)100具有順序?qū)臃e基板(1)101、記錄層(1)102、反射層(1)103、保護(hù)涂層(1)104、粘結(jié)層105、保護(hù)涂層(2)106、反射層(2)107、記錄層(2)108和基板(2)109而得到的層構(gòu)成。這樣的光記錄介質(zhì)100通過(guò)如下方式構(gòu)成順序?qū)臃e基板(1)101、記錄層(1)102、反射層(1)103、保護(hù)涂層(1)104而得到貼合用盤(pán)11，順序?qū)臃e基板(2)109、記錄層(2)108、反射層(2)107、保護(hù)涂層(2)106而得到貼合用盤(pán)12，使保護(hù)涂層(1)104和保護(hù)涂層(2)106相向，利用粘結(jié)層105使貼合用盤(pán)11和貼合用盤(pán)12貼合。此外，通過(guò)從基板(2)109側(cè)照射激光110，在記錄層(1)102中進(jìn)行信息的記錄和讀取，并且通過(guò)從基板(1)101側(cè)照射激光111，在記錄層(2)108中進(jìn)行信息的記錄和讀取。
圖1(b)所示的光記錄介質(zhì)200具有順序?qū)臃e基板(1)201、反射層(1)202、保護(hù)涂層(1)203、粘結(jié)層204、保護(hù)涂層(2)205、反射層(2)206、記錄層207和基板(2)208而得到的層構(gòu)成。這樣的光記錄介質(zhì)200通過(guò)如下方式構(gòu)成順序?qū)臃e基板(1)201、反射層(1)202、保護(hù)涂層(1)203而得到虛擬盤(pán)21，順序?qū)臃e基板(2)208、記錄層207、反射層(2)206、保護(hù)涂層(2)205而得到貼合用盤(pán)22，使保護(hù)涂層(1)203和保護(hù)涂層(2)205相向，利用粘結(jié)層204使虛擬盤(pán)21和貼合用盤(pán)22貼合。于是，通過(guò)從基板(2)208側(cè)照射激光210，在記錄層207進(jìn)行信息的記錄和讀取。
圖1(c)所示的光記錄介質(zhì)300具有順序?qū)臃e基板301、反射層302、記錄層303、阻隔層304和透明樹(shù)脂層305而得到的層構(gòu)成。在該光記錄介質(zhì)300中，不從基板301側(cè)而從透明樹(shù)脂層305側(cè)照射激光310，由此在記錄層303上進(jìn)行信息的記錄和讀取(膜面入射型)。
圖2(a)所示的光記錄介質(zhì)400具有順序?qū)臃e基板(1)401、記錄層(1)402、反射層(1)403、中間層404、記錄層(2)405、反射層(2)406、粘結(jié)層407和基板(2)408而得到的層構(gòu)成。此外，圖2(b)所示的光記錄介質(zhì)500具有順序?qū)臃e基板(1)501、記錄層(1)502、反射層(1)503、粘結(jié)層(中間層)504、阻隔層508、記錄層(2)505、反射層(2)506和基板(2)507而得到的層構(gòu)成。在所述光記錄介質(zhì)400、500中，通過(guò)從基板(1)401、501側(cè)照射激光410、510，在記錄層(1)402、502和記錄層(2)405、505中進(jìn)行信息的記錄和讀取。
此外，作為圖1(a)所示的光記錄介質(zhì)100的記錄層(1)102和記錄層(2)108、圖1(b)所示的光記錄介質(zhì)200的記錄層207、圖1(c)所示的光記錄介質(zhì)300的記錄層303、圖2(a)所示的光記錄介質(zhì)400的記錄層(1)402和記錄層(2)405、圖2(b)所示的光記錄介質(zhì)500的記錄層(1)502和記錄層(2)505，可以適用上述的本發(fā)明的記錄層。此外，與這些記錄層組合，從而作為圖1(a)所示的光記錄介質(zhì)100的反射層(1)103和反射層(2)107、圖1(b)所示的光記錄介質(zhì)200的反射層(1)202和反射層(2)206、圖1(c)所示的光記錄介質(zhì)300的反射層302、圖2(a)所示的光記錄介質(zhì)400的反射層(1)403和反射層(2)406、圖2(b)所示的光記錄介質(zhì)500的反射層(1)503和反射層(2)506，可以適用上述的本發(fā)明的反射層。
此外，圖1(a)～(c)的光記錄介質(zhì)100、200、300和圖2(a)、(b)的光記錄介質(zhì)400、500的構(gòu)成中也可以加入各種變形。例如，在不脫離本發(fā)明的要點(diǎn)的范圍內(nèi)，除上述的各層以外，還可以設(shè)置其他層，或者省略一部分的層，或者變更各層的層積順序。作為具體例，在圖1(b)的光記錄介質(zhì)200中，也可以是以下構(gòu)成省略反射層(1)202和保護(hù)涂層(1)203，利用粘結(jié)層204直接將基板201貼合到貼合用盤(pán)22。此外，在圖1(a)、(b)的光記錄介質(zhì)100、200中，不設(shè)置保護(hù)涂層(1)104、203和保護(hù)涂層(2)106、205，作為替代，使用具有保護(hù)涂層的功能的粘結(jié)層105、204來(lái)粘結(jié)。
此外，作為其他的變形例，也可以為了表面保護(hù)或防止污垢等的附著而在基板的鏡面?zhèn)葘⒆贤饩€固化樹(shù)脂層或無(wú)機(jī)系薄膜等成膜。此外，也可以在不是記錄和讀取光的入射面的側(cè)面設(shè)置承印層，所述承印層對(duì)噴墨、感熱轉(zhuǎn)印等各種印刷機(jī)或各種書(shū)寫(xiě)用具是可書(shū)寫(xiě)(印刷)的。
作為在本發(fā)明的實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)中的基板的材料，在直到記錄層的厚度方向上，基本上在記錄光和讀取光的波長(zhǎng)處透明即可。
作為具有這樣的透明的厚度部分的材料，可以使用由例如丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、甲基丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、聚烯烴類(lèi)樹(shù)脂(特別是無(wú)定形聚烯烴)、聚酯類(lèi)樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等樹(shù)脂構(gòu)成的材料；由玻璃構(gòu)成的材料；在玻璃上設(shè)置了由光固化性樹(shù)脂等放射線固化性樹(shù)脂構(gòu)成的樹(shù)脂層的材料等。
此外，從高生產(chǎn)率、成本、耐吸濕性等方面考慮，優(yōu)選注射成型聚碳酸酯。從耐化學(xué)試劑性、耐吸濕性等方面考慮，優(yōu)選無(wú)定形聚烯烴。此外，從高速響應(yīng)性等方面考慮，優(yōu)選玻璃基板。
鄰接記錄層設(shè)置樹(shù)脂基板或樹(shù)脂層，并在該樹(shù)脂基板或樹(shù)脂層上可以具有記錄和讀取光的導(dǎo)向槽或凹坑。優(yōu)選這樣的導(dǎo)向槽或凹坑在基板成型時(shí)產(chǎn)生，但是也可以在基板上使用紫外線固化樹(shù)脂層來(lái)產(chǎn)生。在導(dǎo)向槽為螺旋狀的情況中，優(yōu)選該槽間距為約0.1μm～約2.0μm。
根據(jù)AFM(原子力顯微鏡)測(cè)定值，槽深度通常為50nm以上。如DVD-R那樣，對(duì)于紅色半導(dǎo)體激光，槽深度通常為100nm以上，但是特別是，為了從低速的1倍速(以下，有時(shí)記為“1×”。)到高速的8×的記錄速度的范圍內(nèi)可以記錄，槽深度為120nm以上。此外，槽深度通常為200nm以下，優(yōu)選為180nm以下。在槽深度大于上述的下限值的情況中，在低速下易產(chǎn)生調(diào)制度，在槽深度小于上述的上限值的情況中，易確保足夠反射率。根據(jù)AFM(原子力顯微鏡)測(cè)定值，槽寬通常為0.10μm以上，優(yōu)選為0.20μm以上。此外，槽寬優(yōu)選為0.40μm以下。此外，如DVD-R那樣，對(duì)于利用紅色半導(dǎo)體激光的高速記錄用途，更優(yōu)選槽寬設(shè)為0.28μm～0.34μm。在槽寬大于上述的下限值的情況中，易充分地得到推挽信號(hào)振幅。此外，基板的變形對(duì)記錄信號(hào)振幅影響較大。因此，只要使槽寬大于上述的下限值，在8×以上的高速下進(jìn)行記錄的情況中，就容易抑制熱干涉的影響，并易得到良好的抖晃。此外，記錄功率裕度變寬，并對(duì)激光功率的變動(dòng)的容許值變大等，記錄特性或記錄條件變好。槽寬小于上述的上限值的情況中，在1×等低速記錄中，可抑制記錄標(biāo)記內(nèi)的熱干涉，并可容易得到良好的抖晃值。
本發(fā)明的實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)中可以記錄地址信息、介質(zhì)的種類(lèi)的信息、記錄脈沖條件以及最佳記錄功率等信息。作為記錄這些信息的形態(tài)，例如，使用DVD-R、DVD+R的標(biāo)準(zhǔn)文件所記載的LPP(Land Pre-Pit)或ADIP(Address in Pre-groove)的格式等即可。
關(guān)于記錄層的材料、混合的比例和膜厚如上所述。此外，槽間部的膜厚優(yōu)選小于槽內(nèi)的膜厚。
作為記錄層的成膜方法，可以舉出真空淀積法、濺射法、刮刀法、澆注法、旋涂法、浸漬法等常用的薄膜形成法，但是從可大量生產(chǎn)性、成本方面考慮，優(yōu)選旋涂法。此外，從可得到厚度均勻的記錄層等方面考慮，相對(duì)于涂布法，優(yōu)選真空淀積法。
利用旋涂法成膜的情況中，優(yōu)選轉(zhuǎn)速為10rpm～15000rpm，旋涂后，進(jìn)行加熱或暴露于溶劑蒸氣等處理。
作為利用刮刀法、澆注法、旋涂法、浸漬法等涂布方法而形成記錄層的情況的涂布溶劑，只要是不損害基板的溶劑即可，并沒(méi)有特別限定?？梢耘e出，例如，二丙酮醇、3-羥基-3-甲基-2-丁酮等酮醇類(lèi)溶劑；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑等溶纖劑類(lèi)溶劑；正己烷、正辛烷等鏈狀烴類(lèi)溶劑；環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、二甲基環(huán)己烷、正丁基環(huán)己烷、叔丁基環(huán)己烷、環(huán)辛烷等環(huán)狀烴類(lèi)溶劑；四氟丙醇、八氟代戊醇、六氟丁醇等全氟烷基醇類(lèi)溶劑；乳酸甲酯、乳酸乙酯、2-羥基異丁酸甲酯等羥基羧酸酯類(lèi)溶劑等。
在真空淀積法的情況中，將例如有機(jī)染料和必要時(shí)的各種添加劑等的記錄層成分裝入設(shè)置在真空容器內(nèi)的坩鍋，利用適當(dāng)?shù)恼婵毡脤⒄婵杖萜鲀?nèi)排氣到約10-2Pa～約10-5Pa后，加熱坩鍋，從而使記錄層成分蒸發(fā)，并使該成分蒸鍍到與坩鍋相對(duì)向設(shè)置的基板上，由此形成記錄層。
除上述的用于穩(wěn)定記錄層或提高耐光性的化合物以外，記錄層還可以并用以下染料，從而制成對(duì)應(yīng)于通過(guò)2個(gè)以上的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的激光進(jìn)行記錄的光記錄介質(zhì)，所述染料分別適合于使用通常CD-R所用的波長(zhǎng)約770nm～約830nm的近紅外激光、DVD-R所用的波長(zhǎng)約620～約690nm的紅色激光或者波長(zhǎng)410nm或515nm等所謂的藍(lán)激光等2個(gè)以上波長(zhǎng)的記錄光的記錄。
作為可并用的染料，可以舉出與具有上述特定的特性或結(jié)構(gòu)的偶氮金屬螯合物染料相同系統(tǒng)的如下染料偶氮系染料或偶氮系金屬螯合物染料、花青系染料、方酸內(nèi)鎓鹽系染料、萘醌系染料、蒽醌系染料、卟啉系染料、テトラピラポル フイラジン、靛酚系染料、吡喃鎓鹽系染料、噻喃鎓內(nèi)鹽系染料、薁鎓系染料、三苯甲烷系染料、氧雜蒽系染料、陰丹士林系染料、靛藍(lán)系染料、硫靛藍(lán)系染料、部花青系染料、二吡咯亞甲基系染料、噻嗪系染料、吖啶系染料、噁嗪系染料、靛苯胺系染料等，并且也可以是其他系統(tǒng)的染料。此外，作為染料的熱分解促進(jìn)劑，可以舉出，例如，金屬系抗爆劑、茂金屬化合物、乙酰丙酮系金屬絡(luò)合物等金屬化合物。
進(jìn)一步，在本發(fā)明的記錄層中還可以根據(jù)需要并用粘合劑、流平劑、消泡劑等。作為優(yōu)選的粘合劑，可以舉出聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、硝基纖維素、醋酸纖維素、酮類(lèi)樹(shù)脂、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、聚苯乙烯類(lèi)樹(shù)脂、聚氨酯類(lèi)樹(shù)脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚碳酸酯、聚烯烴等。
反射層的材料和組成如上所述。
作為形成反射層的方法，可以舉出，濺射法、離子電鍍法、化學(xué)蒸鍍法、真空淀積法等。
從記錄特性或工業(yè)生產(chǎn)等方面考慮，反射層的膜厚設(shè)為以下范圍。即，反射層的膜厚通常為50nm以上，優(yōu)選為60nm以上，另一方面，通常為300nm以下，優(yōu)選為250nm以下，更優(yōu)選為200nm以下。
此外，從耐候性或反射率方面考慮，優(yōu)選反射層的膜的粗糙度(粒徑)與金的薄膜相當(dāng)或小到低于金的薄膜的程度。特別是，在記錄和讀取光波長(zhǎng)短的高密度記錄時(shí)，在鋁的情況中，其粗糙度易變大，因此利用合金化使其平滑性提高的方法是必要的。此外，為了降低反射層的膜的粗糙度，還可以舉出使濺射時(shí)的氬壓減小等方法。
作為形成在反射層之上的保護(hù)層的材料，只要是保護(hù)反射層不受外力破壞的材料即可，沒(méi)有特別限定。作為有機(jī)物質(zhì)的材料，可以舉出熱塑性樹(shù)脂、熱固性樹(shù)脂、電子線固化性樹(shù)脂、UV(紫外線)固化性樹(shù)脂等。此外，作為無(wú)機(jī)物質(zhì)，可以舉出SiO2、SiN4、MgF2、SnO2等。
對(duì)于熱塑性樹(shù)脂、熱固性樹(shù)脂等，可以通過(guò)溶解于適當(dāng)?shù)娜軇?，將涂布液進(jìn)行涂布，并進(jìn)行干燥，由此形成。對(duì)于UV固化性樹(shù)脂，直接或者溶解于適當(dāng)?shù)娜軇?，從而制備出涂布液后，涂布該涂布液，并照射UV光，從而使其固化，由此形成。作為UV固化性樹(shù)脂，可以使用，例如，氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等丙烯酸酯類(lèi)樹(shù)脂。這些材料可以單獨(dú)或混合使用，也可以不只1層而制成多層膜來(lái)使用。
作為保護(hù)層的形成方法，可以與記錄層相同地使用諸如旋涂法或澆注法等涂布法、濺射法或化學(xué)蒸鍍法等方法，但是其中特別優(yōu)選旋涂法。
優(yōu)選保護(hù)層的膜厚通常為0.1μm以上，優(yōu)選為3μm以上。另一方面，保護(hù)層的膜厚通常為100μm以下，優(yōu)選為30μm以下。
對(duì)用于記錄和讀取的激光沒(méi)有特別限定，然而可以舉出，例如，在可見(jiàn)區(qū)域的較寬范圍內(nèi)可以選擇波長(zhǎng)的染料激光、波長(zhǎng)633nm的氦氖激光、最近正在被開(kāi)發(fā)的波長(zhǎng)680nm、660nm、650nm、635nm附近的高輸出半導(dǎo)體激光、波長(zhǎng)532nm的高諧波轉(zhuǎn)換YAG激光、405nm附近的藍(lán)色半導(dǎo)體激光等。從重量輕、處理容易性、小型化、成本等方面出發(fā)，尤其優(yōu)選半導(dǎo)體激光。在從這些之中選擇的一個(gè)波長(zhǎng)或2個(gè)以上波長(zhǎng)處，本發(fā)明的實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)可以進(jìn)行高密度記錄和讀取。
通常通過(guò)對(duì)設(shè)置在基板的兩面或單面的記錄層照射聚焦到1μm左右的激光，由此來(lái)對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄。激光照射部分的記錄層吸收激光能量而導(dǎo)致升溫，結(jié)果發(fā)生分解、放熱、熔融等記錄層的熱變化，并且位相差或光學(xué)常數(shù)等光學(xué)特性發(fā)生變化。
通過(guò)照射讀取用的激光，讀取光學(xué)特性發(fā)生變化的部分和未發(fā)生變化的部分的反射率之差，由此進(jìn)行被記錄的信息的讀取。
[III.本發(fā)明的基本概念2] 此外，由上述通式(1)表示的偶氮系化合物和Zn的金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料不限于上述[I.本發(fā)明的基本概念1]所述的光記錄介質(zhì)(本發(fā)明的第1光記錄介質(zhì))，在下述光記錄介質(zhì)中，上述染料可以廣泛用作上述記錄層的有機(jī)染料所述光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少含有有機(jī)染料的記錄層和含有金屬的反射層，最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄。
即，本發(fā)明的其他的光記錄介質(zhì)為如下光記錄介質(zhì)所述光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少含有有機(jī)染料的記錄層和含有金屬的反射層，最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄；上述記錄層的有機(jī)染料為由上述通式(1)表示的偶氮系化合物和Zn的金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料(以下，有時(shí)將其稱(chēng)為“本發(fā)明的第2光記錄介質(zhì)”)。利用本發(fā)明的第2光記錄介質(zhì)，可以得到特別是使用壽命特性(長(zhǎng)期保存穩(wěn)定性以及高溫高濕下的保存穩(wěn)定性)優(yōu)異這樣的優(yōu)點(diǎn)。
此外，在本發(fā)明的第2光記錄介質(zhì)中，上述通式(1)表示的偶氮系化合物的細(xì)節(jié)或具體例以及由所述偶氮系化合物和Zn金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料的細(xì)節(jié)或具體例與上述[I.本發(fā)明的基本概念1]一節(jié)中說(shuō)明的內(nèi)容相同。
此外，即使在本發(fā)明的第2光記錄介質(zhì)中，也優(yōu)選構(gòu)成的所述光記錄介質(zhì)的反射層含有上述組成(A)表示的材料。利用這樣構(gòu)成的光記錄介質(zhì)，可以將反射率的降低抑制到最低限，且可以得到使用壽命特性?xún)?yōu)異的優(yōu)點(diǎn)。
此外，本發(fā)明的第2光記錄介質(zhì)中，上述組成(A)的細(xì)節(jié)或具體例也與上述[I.本發(fā)明的基本概念1]一節(jié)中說(shuō)明的內(nèi)容相同。
[IV.本發(fā)明的基本概念3] 此外，至少具有上述的組成B表示的材料的濺射靶也不限于上述[I.本發(fā)明的基本概念1]所述的光記錄介質(zhì)(本發(fā)明的第1光記錄介質(zhì))的反射層的形成，在如下光記錄介質(zhì)中，上述濺射靶可以在形成上述反射層時(shí)廣泛使用所述光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少含有有機(jī)染料的記錄層和含有金屬的反射層。
即，本發(fā)明的濺射靶為在如下光記錄介質(zhì)中形成上述反射層時(shí)所使用的濺射靶所述光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少含有有機(jī)染料的記錄層和含有金屬的反射層；并且本發(fā)明的濺射靶為至少具有上述的組成B表示的材料的靶。利用本發(fā)明的濺射靶，可以將反射率的降低到最低限，并且可以提供使用壽命特性?xún)?yōu)異的高品質(zhì)介質(zhì)，此外，還具有可低成本制造的優(yōu)點(diǎn)。
此外，本發(fā)明的濺射靶中，上述的組成B的細(xì)節(jié)或具體例與上述[I.本發(fā)明的基本概念1]一節(jié)中說(shuō)明的內(nèi)容相同。
此外，本發(fā)明的濺射靶可特別適用于如下光記錄介質(zhì)的反射層的形成，所述光記錄介質(zhì)中，所述有機(jī)染料為由上述通式(1)表示的偶氮系化合物和Ni、Zn的金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料。通過(guò)將本發(fā)明的濺射靶用于這樣的光記錄介質(zhì)的反射層的形成，可以得到在幾乎不改變現(xiàn)有制造工序的情況下即可低成本地制造介質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)。
[V.本發(fā)明的基本概念4] 此外，由上述通式(1)表示的偶氮系化合物和Zn的金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料可以廣泛地用作如下光記錄介質(zhì)的有機(jī)染料所述光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少含有有機(jī)染料的記錄層和含有金屬的反射層，最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄。
以下，將由上述通式(1)表示的偶氮系化合物和Zn的金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料稱(chēng)為“本發(fā)明的染料”。通過(guò)將本發(fā)明的染料用于上述的高速記錄或高密度記錄的光記錄介質(zhì)中，與現(xiàn)有技術(shù)比較，可以得到以下優(yōu)點(diǎn)可以達(dá)到低抖晃、低錯(cuò)誤率以及較寬的記錄裕度。
此外，本發(fā)明的染料具有的上述通式(1)表示的偶氮系化合物的細(xì)節(jié)或具體例以及本發(fā)明的染料的細(xì)節(jié)或具體例與上述[I.本發(fā)明的基本概念1]一節(jié)中說(shuō)明的內(nèi)容相同。
實(shí)施例 以下，通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明只要不超出其要點(diǎn)，并不限定于以下實(shí)施例。
[單層染料保持率的測(cè)定法] 在以下的各實(shí)施例和比較例中，只要沒(méi)有特別聲明，按以下順序測(cè)定染料保持率。
首先，準(zhǔn)備好實(shí)施了鏡面加工的聚碳酸酯制造的基板。使用作為測(cè)定對(duì)象的染料混合物的濃度1.4重量％的四氟丙醇(以下，稱(chēng)為“TFP”)溶液，按照與以下的各實(shí)施例和比較例中制作染料層相同的方式，實(shí)施旋涂。切取所得到的染料單層的小片，使用分光光度計(jì)(UV-VIS)進(jìn)行吸光度的波長(zhǎng)分散的測(cè)定。以所得到的吸光度的最大值為初值。
接下來(lái)，使用耐光性試驗(yàn)機(jī)(東洋精機(jī)制造的サンテストXLS+)，測(cè)定滿(mǎn)足Wool scale 5級(jí)的積分照射，并校正裝置。將該照射強(qiáng)度的光照射到上述的染料單層的小片上，再次利用分光光度計(jì)測(cè)定吸光度的波長(zhǎng)分散。以在此得到的吸光度的最大值和上述的初值的比例為染料保持率。在以下的各實(shí)施例和比較例中，以放射強(qiáng)度550W/m2照射2200W的氙燈40小時(shí)，此為滿(mǎn)足Wool scale 5級(jí)的設(shè)定條件。
[反射率的測(cè)定法] 在以下的各實(shí)施例和比較例中，只要不特別聲明，反射層的空氣中的反射率的測(cè)定按以下順序進(jìn)行。即，使用將反射層的材料濺射到載玻片上而得到的樣品，從膜面照射反射率測(cè)定光(裝置日立U3010型分光光度計(jì)；測(cè)定模式反射測(cè)定模式；掃描速度300nm/min；狹縫1nm)。利用所得到的反射率的測(cè)定值，計(jì)算出對(duì)波長(zhǎng)λ＝300nm～500nm的dR/dλ，求得其最大值dR/dλ(max)。
[實(shí)施例1] 利用旋涂法，在具有軌道間距0.74μm、槽寬320nm、槽深度160nm的導(dǎo)向槽的厚度0.6mm的聚碳酸酯制造的支持基板上，設(shè)置由40重量％染料A(由2個(gè)下述結(jié)構(gòu)式(a)所示的偶氮系化合物和鎳構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料)和60重量％染料B(由2個(gè)下述結(jié)構(gòu)式(b)所示的偶氮系化合物和鋅(2價(jià)離子Zn2+)構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料)構(gòu)成的記錄層(槽內(nèi)膜厚50 nm)，并使記錄層達(dá)到顯示出吸光度(Optical Density以空氣為參比進(jìn)行測(cè)定得到的在波長(zhǎng)598nm處的吸光度)為0.65的厚度。此外，涂布溶液為濃度1.3重量％的TFP溶液，并且旋涂的轉(zhuǎn)速為1000rpm～2500rpm。接下來(lái)，利用濺射法，使銅(Cu)堆積在記錄層上，并形成120nm的厚度的Cu反射層。與眾所周知的反射層的成膜條件相比，濺射時(shí)的氬壓較小，提高輸入功率。進(jìn)一步，在該反射層上旋涂紫外線固化性樹(shù)脂(日本化藥株式會(huì)社制造KAYARAD SPC-920)并使其固化，從而形成10μm的保護(hù)層。準(zhǔn)備好2片這樣得到的層積體，使用UV固化型粘結(jié)劑(ソニ一ケミカル制造的SK7100)，將2片所述層積體貼合，使得基板向外，由此制作出光記錄介質(zhì)。

此外，染料A和染料B各自的染料單層涂布膜的染料保持率分別為90.4％和0％，記錄層單層的染料保持率為56％。
此外，利用上述的方法，測(cè)定Cu反射層單層的反射率和dR/dλ的值。其結(jié)果分別顯示于圖8和圖9(a)的曲線圖中。Cu反射層單層的300nm～500nm的反射率為29％～56％(圖8)。此外，同波長(zhǎng)范圍內(nèi)的dR/dλ(max)的值為0.36(圖9(a))。
采用波長(zhǎng)650nm、孔數(shù)0.65的記錄和讀取裝置，使用基于DVD-RSpecification for General Ver.2.1或DVD+R Specification Ver.1.20的記錄脈沖策略條件，在記錄速度56.0m/s(DVD-R的16倍速)下，對(duì)所得到的光記錄介質(zhì)進(jìn)行最短標(biāo)記長(zhǎng)為0.4μm的8-16調(diào)制(EFMplus調(diào)制)的隨機(jī)信號(hào)記錄。此外，3T標(biāo)記長(zhǎng)記錄用的激光的照射脈沖寬為6.5ns。此外，使用相同的評(píng)價(jià)機(jī)來(lái)讀取記錄形成的部分的信號(hào)，并測(cè)定裕度(抖晃的記錄功率裕度和抖晃的不對(duì)稱(chēng)性裕度)。此外，關(guān)于用于“實(shí)際使用上的”耐光性的評(píng)價(jià)(氙燈照射前后的記錄特性評(píng)價(jià))的記錄，進(jìn)行8倍速記錄，并利用DVD-ROM檢查機(jī)(株式會(huì)社シバソク制造的LM2 20A)，測(cè)定其記錄部分的抖晃(data to clock jitter)的最小值(最佳的抖晃特性值。以下，稱(chēng)為“本底抖晃”)以及PI(Parity ofInner-code)錯(cuò)誤的最大值(以下，稱(chēng)為“PI max”)。
記錄功率裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖4(a)的曲線圖，不對(duì)稱(chēng)性裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖4(b)的曲線圖。如圖4(a)、(b)所示的那樣，使用Cu反射層的本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)本底抖晃為7％，極為良好。此外，抖晃達(dá)到9％以下的不對(duì)稱(chēng)性裕度為18％左右，抖晃達(dá)到8％以下的不對(duì)稱(chēng)性裕度為10％以上，即使不對(duì)稱(chēng)性在5％附近，抖晃為8％左右，也非常良好。
此外，本底抖晃的耐光性試驗(yàn)前后的測(cè)定結(jié)果顯示于圖4(c)的曲線圖，PI max的測(cè)定結(jié)果顯示于圖4(d)的曲線圖。由圖4(c)、(d)可知，關(guān)于使用Cu反射層的本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)，即使氙燈照射時(shí)間為40小時(shí)(Wool scale 5級(jí))，本底抖晃也僅稍微增加，但是PI max完全沒(méi)有增加，與后述的Ag反射層的情況相比，“實(shí)際使用上的”耐光性得到很大改善。
[實(shí)施例2] 在實(shí)施例1中，除將反射層的材料變?yōu)榻?Au)，將其膜厚變?yōu)?0nm以外，以與實(shí)施例1同樣的過(guò)程制作出光記錄介質(zhì)。對(duì)所得到的光記錄介質(zhì)，以與實(shí)施例1同樣的條件實(shí)施記錄和讀取，測(cè)定耐光性試驗(yàn)前后的本底抖晃和PI max。
本底抖晃的測(cè)定結(jié)果顯示于圖4(c)的曲線圖，PI max的測(cè)定結(jié)果顯示于圖4(d)的曲線圖。由圖4(c)、(d)可見(jiàn)，對(duì)于使用Au反射層的本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)，與Cu反射層的情況相比，其效果有若干劣化，但是可以得到良好的結(jié)果。
此外，利用上述的方法，測(cè)定Au反射層單層的反射率和dR/dλ的值。其結(jié)果分別顯示于圖8和圖9(b)的曲線圖。Au反射層單層的300nm～500nm的反射率為37％～50％(圖8)。此外，同波長(zhǎng)范圍內(nèi)的dR/dλ(max)的值為0.72(圖9(b))。
[比較例1] 在實(shí)施例1中，除將反射層的材料變?yōu)殂y(Ag)，其膜厚變?yōu)?20nm以外，以與實(shí)施例1同樣的過(guò)程制作出光記錄介質(zhì)。對(duì)所得到的光記錄介質(zhì)，以與實(shí)施例1同樣的條件實(shí)施記錄和讀取，測(cè)定裕度(記錄功率裕度和不對(duì)稱(chēng)性裕度)、耐光性試驗(yàn)前后的本底抖晃和PI max。
記錄功率裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖4(a)的曲線圖，不對(duì)稱(chēng)性裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖4(b)的曲線圖。由圖4(a)、(b)可知，對(duì)于使用Ag反射層的本比較例的光記錄介質(zhì)，與Cu反射層的情況相比，本底抖晃較差，此外不對(duì)稱(chēng)性的裕度也狹窄。
此外，本底抖晃的測(cè)定結(jié)果顯示于圖4(c)的曲線圖，PI max的測(cè)定結(jié)果顯示于圖4(d)的曲線圖。由圖4(c)、(d)可知，對(duì)于使用Ag反射層的本比較例的光記錄介質(zhì)，在Wool scale 5級(jí)的條件(氙燈照射40小時(shí))中，本底抖晃、錯(cuò)誤(PI max)均惡化，對(duì)于Ag反射層，不能承受Wool scale 5級(jí)條件，即，“實(shí)際使用上的”耐光性較差。此外，在DVD-R的標(biāo)準(zhǔn)中記載道，以錯(cuò)誤(PI max)不超過(guò)280個(gè)為必要條件。
此外，利用上述的方法測(cè)定Ag反射層單層的反射率和dR/dλ的值。其結(jié)果分別顯示于圖8和圖9(c)的曲線圖。Ag反射層單層的300nm～500nm的反射率為4％～96％(圖8)。此外，同波長(zhǎng)范圍內(nèi)的dR/dλ(max)的值為5.6(圖9(c))。
[實(shí)施例3] 在實(shí)施例1中，除將染料A變?yōu)榕湮?個(gè)下述結(jié)構(gòu)式(c)所示的偶氮系化合物的Ni絡(luò)合物染料C(65重量％)(Ni為2價(jià)離子Ni2+)，染料B變?yōu)橄率鼋Y(jié)構(gòu)式(d)所示的花青系染料D(35重量％)以外，以與實(shí)施例1同樣的過(guò)程制作出光記錄介質(zhì)。此外，通過(guò)利用電子顯微鏡的斷面解析，確認(rèn)記錄層的槽內(nèi)膜厚為25nm。此外，Cu反射層的膜厚為120nm，與實(shí)施例1相同。對(duì)該光記錄介質(zhì)，以與實(shí)施例1同樣的條件實(shí)施記錄和讀取，測(cè)定裕度(記錄功率裕度和不對(duì)稱(chēng)性裕度)、耐光性試驗(yàn)前后的本底抖晃和PI max。

此外，染料C和染料D的各自的染料單層涂布膜的染料保持率分別為97.0％和0％，記錄層單層的染料保持率為68.2％。
記錄功率裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖5(a)的曲線圖，不對(duì)稱(chēng)性裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖5(b)的曲線圖。由圖5(a)、(b)可知，對(duì)于使用Cu反射層的本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)，抖晃為9％以下的功率裕度為約10mw，實(shí)現(xiàn)了極其穩(wěn)定的功率裕度。此外，即使不對(duì)稱(chēng)性超過(guò)+6.0％，也具有9％以下的抖晃，顯示出9％以下的抖晃的不對(duì)稱(chēng)性裕度為約20％這樣非常寬的裕度。所述的裕度極好意味著即使在56m/s(16倍速)這樣的極高速的記錄下，記錄標(biāo)記的熱劣化(蓄熱和熱干涉)也很小。
此外，本底抖晃的測(cè)定結(jié)果顯示于圖5(c)的曲線圖，PI max的測(cè)定結(jié)果顯示于圖5(d)的曲線圖。如圖5(c)、(d)所示，對(duì)于使用Cu反射層的本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)，與后述的Ag反射層的情況相比，“實(shí)際使用上的”耐光性大大提高。此外，對(duì)于染料單層，雖然含有染料保持率為0％的耐光性大大劣化的染料D，但是可以實(shí)現(xiàn)具有Wool scale 5級(jí)的“實(shí)際使用上的”耐光性的光盤(pán)。
[比較例2] 在實(shí)施例3中，除將反射層的材料由銅變?yōu)殂y，設(shè)置膜厚120nm的Ag反射層以外，以與實(shí)施例3同樣的過(guò)程制作出光記錄介質(zhì)。對(duì)該光記錄介質(zhì)，以與實(shí)施例1同樣的條件實(shí)施記錄、讀取，測(cè)定裕度(記錄功率裕度和不對(duì)稱(chēng)性裕度)、耐光性試驗(yàn)前后的本底抖晃和PI max。
記錄功率裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖5(a)的曲線圖，不對(duì)稱(chēng)性裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖5(b)的曲線圖。如圖5(a)所示，對(duì)于使用Ag反射層的本比較例的光記錄介質(zhì)，與Cu反射層的情況相比，記錄功率裕度很狹窄。
此外，本底抖晃的測(cè)定結(jié)果顯示于圖5(c)的曲線圖，PI max的測(cè)定結(jié)果顯示于圖5(d)的曲線圖。對(duì)于使用Ag反射層的本比較例的光記錄介質(zhì)，在圖5(c)中，40小時(shí)后的本底抖晃惡化，在圖5(d)中，錯(cuò)誤(PI max)遠(yuǎn)超過(guò)280個(gè)。由此可知，使用Ag反射層的本比較例的光記錄介質(zhì)不能承受Wool scale 5級(jí)。
[實(shí)施例4] 除將記錄速度變?yōu)?5.0m/s(相當(dāng)于10×)，將3T標(biāo)記長(zhǎng)記錄用的激光的照射脈沖寬變?yōu)?.9ns以外，對(duì)實(shí)施例3的光記錄介質(zhì)，以與實(shí)施例1同樣的條件實(shí)施記錄和讀取，并測(cè)定裕度(記錄功率裕度和不對(duì)稱(chēng)性裕度)。
分別以記號(hào)“●”將記錄功率裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖6(a)的曲線圖，將不對(duì)稱(chēng)性裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖6(b)的曲線圖。根據(jù)圖6(a)可知，即使在以35.0m/s進(jìn)行記錄的本實(shí)施例中，與56.0m/s記錄的情況相同，本底抖晃6.0％(非常良好的記錄)也是可能的。
[比較例3] 除將記錄速度變?yōu)?5.0m/s(相當(dāng)于10×)，3T標(biāo)記長(zhǎng)記錄用的激光的照射脈沖寬變?yōu)?.9ns以外，對(duì)比較例2的光記錄介質(zhì)，以與實(shí)施例1同樣的條件實(shí)施記錄和讀取，并測(cè)定裕度(記錄功率裕度和不對(duì)稱(chēng)性裕度)。
均以標(biāo)記“▲”將記錄功率裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖6(a)的曲線圖，不對(duì)稱(chēng)性裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖6(b)的曲線圖。根據(jù)圖6(a)、(b)可知，本底抖晃6.7％，比較良好，但是與實(shí)施例4的使用Cu反射膜的光記錄介質(zhì)相比較，則功率裕度相對(duì)地劣化。
[比較例4] 在實(shí)施例1中，除將“耐光性較差的”染料B變?yōu)榕湮?個(gè)下述結(jié)構(gòu)式(e)表示的偶氮系化合物的“耐光性良好的”Ni絡(luò)合物染料E(Ni為2價(jià)離子Ni2+)、將染料A與染料E以50重量％∶50重量％的比例混合來(lái)使用以外，以與實(shí)施例1同樣的過(guò)程制作出光記錄介質(zhì)。所得到的記錄層的槽內(nèi)膜厚為30nm。此外，Cu反射層的膜厚為120nm。

此外，染料E單層涂布膜的染料保持率為87.3％，該記錄層單層的染料保持率為89.0％。
對(duì)該光記錄介質(zhì)，以與實(shí)施例1同樣的條件實(shí)施記錄、讀取，測(cè)定裕度(記錄功率裕度和不對(duì)稱(chēng)性裕度)、耐光性試驗(yàn)前后的本底抖晃和PImax。
記錄功率裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖7(a)的曲線圖，不對(duì)稱(chēng)性裕度的測(cè)定結(jié)果顯示于圖7(b)的曲線圖。由圖7(a)、(b)可知，即使將反射層制成Cu反射層，也幾乎看不到特性的改善。本底抖晃為9％以上，功率裕度、不對(duì)稱(chēng)性裕度均極狹窄。特別是，不對(duì)稱(chēng)性裕度惡化，即使在-5％這樣相當(dāng)?shù)偷挠涗浌β手校部砂l(fā)現(xiàn)熱劣化，抖晃也劣化，超過(guò)本底抖晃1％以上。此外，在不對(duì)稱(chēng)性裕度5％的情況中，優(yōu)選使抖晃為9％以下。
此外，本底抖晃的測(cè)定結(jié)果顯示于圖7(c)的曲線圖，PI max的測(cè)定結(jié)果顯示于圖7(d)的曲線圖。如圖7(c)、(d)所示，“實(shí)際使用上的”耐光性非常良好。
此外，將上述記錄層上的反射層變?yōu)榕c比較例1相同的Ag反射層的情況中，在耐光性試驗(yàn)中的本底抖晃從6.9％變?yōu)?.0％，在耐光性試驗(yàn)中的PI max從5變?yōu)?，顯示出非常良好的“實(shí)際使用上的”耐光性。
從以上的結(jié)果可知，在使用只含有耐光性良好的染料的記錄層的本比較例的光記錄介質(zhì)中，對(duì)于16倍速記錄這樣的極高速的記錄，熱劣化較大，未形成良好的記錄標(biāo)記。該劣化的程度較大，即使使用例如Cu反射層，也可以說(shuō)很難改善。
[1倍速記錄試驗(yàn)] 對(duì)于上述的實(shí)施例1、實(shí)施例3、比較例1、比較例2和比較例4的光記錄介質(zhì)，除將記錄速度變?yōu)?倍速以外，以與實(shí)施例1同樣的條件實(shí)施記錄和讀取，測(cè)定本底抖晃。結(jié)果列于下表1。
表1 一般認(rèn)為，本底抖晃必須為9％以下。如表1所示，在1倍速記錄下，實(shí)施例1、實(shí)施例3、比較例1、比較例2、比較例4的光記錄介質(zhì)的本底抖晃均為9％以下，顯示出良好的記錄特性。盡管如此，在高速記錄下，如上述所記載的那樣，可以看出優(yōu)劣。
從以上的結(jié)果可知，滿(mǎn)足本發(fā)明的規(guī)定的各實(shí)施例的光記錄介質(zhì)在非常寬的記錄速度(1倍速、10倍速、16倍速)下顯示出良好的記錄特性。
[實(shí)施例5] 利用上述的方法，測(cè)定以鋁(Al)為材料的反射層(Al反射層單層)的反射率和dR/dλ。其結(jié)果分別顯示于圖8和圖9(d)的曲線圖。由圖9(d)可知，在300nm～500nm的范圍內(nèi)，Al反射層單層的dR/dλ的值總在0.1以下。
[實(shí)施例6] 與上述的[反射率的測(cè)定法]相同，將Cu87.2原子％/Ag12.8原子％(以下，適當(dāng)時(shí)記為“CuAg12.8”)和Cu86.4原子％/Ag12.9原子％/Pd0.7原子％(以下，適當(dāng)時(shí)記為“CuAg12.9Pd0.7”)分別濺射到另外的載玻片上，從膜面?zhèn)葴y(cè)定反射率。此外，濺射的條件與實(shí)施例1相同。
圖10為將CuAg12.8和CuAg12.9Pd0.7的反射率的測(cè)定結(jié)果與[實(shí)施例5]等中得到的Ag、Au、Cu的測(cè)定結(jié)果一起顯示的曲線圖。在圖10中，橫軸表示波長(zhǎng)λ(nm)，縱軸表示反射率(％)。由圖10可知，CuAg12.8和CuAg12.9Pd0.7均與Cu具有明顯不同的光學(xué)特性，與Cu相比，反射率略接近Ag。
此外，計(jì)算所述CuAg12.8和CuAg12.9Pd0.7的dR/dλ。圖11(a)、(b)分別為顯示CuAg12.8和CuAg12.9Pd0.7的dR/dλ的計(jì)算結(jié)果的曲線圖。由圖11(a)、(b)可知，整體上噪音升高，但是在存在有Ag的dR/dλ的最大值5.6的峰值波長(zhǎng)的300nm～500nm的波長(zhǎng)范圍(參考圖9)內(nèi)，發(fā)現(xiàn)dR/dλ的噪音有微弱的升高。
在此，利用下式，由比較例1的Ag的反射率RAg和實(shí)施例1的Cu的反射率RCu計(jì)算出Cu(1-X)AgX(原子％at％)的各波長(zhǎng)下的反射率R(Cu(1-X)AgX)。
R(Cu(1-X)AgX)＝{(1-X)/100}×R(Cu)+(X/100)×R(Ag) 其結(jié)果，可得到如下光譜，所述光譜顯示出將Ag和Cu的混合比例設(shè)為任意的情況中的圖10那樣的反射率的波長(zhǎng)依存性。此外，分別對(duì)于預(yù)定的Ag和Cu的混合比例，與圖11(a)相同地計(jì)算dR/dλ，從而求得在300nm～500nm內(nèi)的dR/dλ的最大值。在此，以Ag的含量為橫軸，以將由上述過(guò)程求得的300nm～500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的dR/dλ的最大值為縱軸，作圖得到的曲線圖顯示于圖12。如同圖所示可知，在300nm～500nm內(nèi)看到的dR/dλ的最大值與Ag量相關(guān)。此外，由同圖可以說(shuō)，dR/dλ達(dá)到3是Ag達(dá)到約50 at％的情況。
另一方面，如果由CuAg12.8中300nm～500nm處的dR/dλ的最大值的實(shí)測(cè)值(參見(jiàn)圖11(a))、Cu(100 at％)中300nm～500nm處的dR/dλ的最大值的實(shí)測(cè)值(參見(jiàn)圖9(a))以及Ag(100at％)中300nm～500nm處的dR/dλ的最大值(參見(jiàn)圖9(c))的實(shí)測(cè)值推測(cè)，dR/dλ為3時(shí)，Ag量為約50at％。即，可以說(shuō)實(shí)測(cè)結(jié)果也與前面的計(jì)算結(jié)果顯示出良好的一致性。即，可見(jiàn)，通過(guò)向Ag添加Cu、Al、Au等300nm～500nm波長(zhǎng)范圍的dR/dλ值小的金屬，可以使由Ag得到的dR/dλ的300nm～500nm波長(zhǎng)范圍的最大值降低。因而，若將Ag的含量設(shè)為50at％以下，則可將在300nm～500nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的dR/dλ的最大值控制為3以下。
對(duì)于是否可以得到足夠的耐光性，在圖4(c)的氙燈照射時(shí)間40小時(shí)條件下，將反射層為Cu的情況與反射層為Ag的情況進(jìn)行比較。如前面所示的那樣，300nm～500nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的dR/dλ的最大值與Ag的含量大致線性相關(guān)。因此，假設(shè)耐光性與Ag的含量大致線性相關(guān)，則抖晃值13％為抖晃劣化的容許界限，該抖晃值被認(rèn)為是可以利用讀取器讀取的值。此外，對(duì)于將反射層設(shè)為Cu(100at％)的光記錄介質(zhì)和將反射層設(shè)為Ag(100at％)的光記錄介質(zhì)，將進(jìn)行40小時(shí)氙燈照射后的本底抖晃值繪于圖13。即，圖13為顯示以下關(guān)系的曲線在上述假定下，Cu(100-X)AgX中的X的值(Ag的含量at％)與本底抖晃值的關(guān)系。由圖13可見(jiàn)，容易得到良好的抖晃特性的Ag含量的上限約為30at％。
下面，在實(shí)施例1中，除將Cu反射層分別變?yōu)镃uAg12.8和CuAg12.9Pd0.7以外，以與實(shí)施例1同樣的方式，制作出光記錄介質(zhì)(以下，有時(shí)分別稱(chēng)為“CuAg12.8DVD-R”和“CuAg12.9Pd0.7DVD-R”)。此外，對(duì)這些光記錄介質(zhì)實(shí)施8倍速的記錄后，進(jìn)行與實(shí)施例1相同的耐光性試驗(yàn)(其中，氙燈照射時(shí)間設(shè)為120小時(shí))。結(jié)果顯示于圖14(a)(抖晃值)和圖14(b)(PI錯(cuò)誤)的曲線圖。所有結(jié)果均完全看不到劣化，均極為良好，可見(jiàn)，上述銅合金具有與Cu反射層相同的效果。
進(jìn)一步，對(duì)CuAg12.8DVD-R和CuAg12.9Pd0.7DVD-R進(jìn)行保存穩(wěn)定性試驗(yàn)。使用恒溫恒濕槽(エスペツク社制造的SH-641)，將光記錄介質(zhì)在80℃、相對(duì)濕度85％中保持875小時(shí)，由此進(jìn)行保存穩(wěn)定性試驗(yàn)(有時(shí)也稱(chēng)為“壽命試驗(yàn)”)。上述的CuAg12.8DVD-R和CuAg12.9Pd0 7DVD-R在高溫高濕下的保存穩(wěn)定性試驗(yàn)的結(jié)果顯示于圖15(a)(抖晃值)和圖15(b)(PI錯(cuò)誤)的曲線圖。圖15(a)、(b)中，CuAg12.8DVD-R記為“CuAg12.8”，CuAg12.9Pd0.7DVD-R記為“CuAg12.9Pd0.7”。兩者均劣化非常小，極為良好。
[實(shí)施例7和實(shí)施例8] 除將實(shí)施例6的CuAg12.8反射層或CuAg12.9Pd0.7反射層變?yōu)镃uAg12.8Zn1.1反射層和CuAg12.9Zn10.6反射層以外，以其他全部與實(shí)施例6相同的方式，制作出光記錄介質(zhì)(以下，有時(shí)稱(chēng)為CuAg12.8Zn1.1DVD-R(實(shí)施例7)、CuAg12.9Zn10.6DVD-R(實(shí)施例8))。
對(duì)各自的光記錄介質(zhì)，以與實(shí)施例6相同的方式實(shí)施耐光性實(shí)驗(yàn)(結(jié)果見(jiàn)圖14(a)和圖14(b))和在高溫高濕下的保存穩(wěn)定性試驗(yàn)(結(jié)果見(jiàn)圖15(a)和圖15(b))。
與反射層具有實(shí)施例6的CuAg12.8的情況和反射層具有CuAg12.9Pd0.7的情況相同，無(wú)論在耐光性實(shí)驗(yàn)中，還是在保存穩(wěn)定性試驗(yàn)中，反射層具有CuAg12.8Zn1.1的情況中，顯示出極為良好的特性。相對(duì)于此，與其他的光記錄介質(zhì)相比較，反射層中具有CuAg12.9Zn10.6的情況中，可以看到在高溫高濕下的保存穩(wěn)定性有若干劣化的傾向。其理由不是很清楚，但是認(rèn)為有改良的余地。
[實(shí)施例9] 根據(jù)以下說(shuō)明的在真空中的熔融方法，進(jìn)行濺射靶的制作。
首先，在高頻熔爐中，以預(yù)定的比例將Cu和Ag裝入坩鍋，進(jìn)行充分的抽真空的同時(shí)，進(jìn)行熔解。此時(shí)，作為第三元素種X，添加Pd(實(shí)施例6)、Al、Cr、Ni(實(shí)施例9)以及In、Sn(后述的實(shí)施例10)時(shí)，預(yù)先以預(yù)定的比例與Cu、Ag一起添加。另一方面，作為第三元素種X，添加Zn(實(shí)施例7、8、9和后述的實(shí)施例10)時(shí)，在Cu和Ag充分熔解后添加。這是因?yàn)?，如果從最開(kāi)始裝填蒸氣壓高的Zn，則由于揮發(fā)，組成達(dá)不到規(guī)定值。
爐內(nèi)的熔融溫度設(shè)為1100℃～1200℃。坩鍋使用C、Al2O3、MgO或ZrO2等。
將熔液澆鑄到內(nèi)面涂布了氧化鋁或者鎂系滑石的Fe或者C制的鑄模中，由此來(lái)進(jìn)行澆鑄。
為了防止鑄模縮孔，在注入前，通過(guò)預(yù)加熱將冒口部預(yù)先加熱到約300℃～約500℃，從下部向上部使其一個(gè)方向凝固。
在鑄模內(nèi)使熔融物冷卻、凝固，從而制作出鑄塊，利用壓延機(jī)將該鑄塊壓延，從而制作出90(mm)×90(mm)×8.1(mm)的板狀的合金。
其后，利用電爐，以在400℃～500℃將Ar氣體封入的狀態(tài)，將該板狀合金熱處理約1小時(shí)～約1.5小時(shí)，其后進(jìn)一步利用壓力機(jī)修正翹曲。
此外，對(duì)將修正后的板進(jìn)行線切割，使其成為制品形狀。使用耐水研磨紙研磨制品的前表面，調(diào)整表面粗度，從而最終制作出Cu合金的濺射靶。
此外，真空度保持在1.3×10-2Pa(1×10-4Torr)以下的高真空。其目的在于，因?yàn)锳g、Cu的熔液中易于含有氧氣，因此在減壓下保持熔液的過(guò)程中進(jìn)行脫氧。但是，由于在減壓下Ag進(jìn)行揮發(fā)，因此根據(jù)情況進(jìn)行各種氣氛調(diào)整。
以上述的方法，制作出具有下述表2所示的組成的濺射靶。
表2 為了考察上述組成的靶和濺射膜的保存穩(wěn)定性以及反射率的傾向，進(jìn)行以下的實(shí)驗(yàn)。即，以下述的濺射條件在玻璃基板之上形成150nm的濺射膜，該濺射膜稍厚于通常的膜厚。此外，測(cè)定從膜面?zhèn)日丈?50nm的光時(shí)的反射率。在成膜完成時(shí)以及在溫度為80℃、相對(duì)濕度為80％的高溫高濕下保持24小時(shí)后，實(shí)施其反射率的測(cè)定。根據(jù)成膜完成時(shí)的反射率的測(cè)定結(jié)果，可知反射率和靶組成相關(guān)。此外，通過(guò)測(cè)定在高溫高濕下保持24小時(shí)后和成膜完成時(shí)的反射率的變化，可以得到極為嚴(yán)格的保存穩(wěn)定性的測(cè)試的結(jié)果。此外，用于上述的反射率的測(cè)定的分光器為島津制作所制造的UV-3100PC。
<濺射條件> 濺射裝置＝アルバツク制造的(ULVAC)BC4341 達(dá)到的真空度＝5×10-4Pa Ar氣體壓＝0.3Pa 濺射時(shí)輸入功率(最大值)＝200W 成膜完成時(shí)的反射率的測(cè)定結(jié)果、高溫高濕下保持24小時(shí)后的反射率的測(cè)定結(jié)果以及反射率變化的測(cè)定結(jié)果列于表2。在表2中，“時(shí)間0”表示的是“成膜完成時(shí)的反射率的測(cè)定結(jié)果”。此外，在表2中，“80℃80％RH24hr后”表示的是“高溫高濕下保持24小時(shí)后的反射率的測(cè)定結(jié)果”。此外，在表2中，“反射率變化”表示的是“反射率變化的測(cè)定結(jié)果”。
在表2中，與Cu、Ag的二元體系相比較，第三元素種X的添加導(dǎo)致的保存穩(wěn)定性的提高的效果明確顯現(xiàn)。即，例如，對(duì)于Cu87.2Ag12.8，反射率的降低為26.8％，有變大的傾向，相對(duì)于此，Cu84.8Ag12.7Al2.5、Cu86.1Ag128Zn1.1、Cu85.9Ag12.8Cr1.3、Cu85.3Ag12.8Ni1.2的反射率的降低分別為5.96％、2.23％、5.05％、3.28％，降低得較小。此外，作為第三元素種X，在表2中可知，在Al、Zn、Cr的情況中，可以得到更高的反射率(90％強(qiáng))，特別是在這些之中，在高反射率方面優(yōu)選Al和Zn。另一方面，如利用Al驗(yàn)證的那樣，向CuAg的合金添加第三元素種X時(shí)，如果第三元素種X的含量超過(guò)10at％，則出現(xiàn)反射率變化大的傾向。
此外，作為第三元素種X，只要是一種以上，則幾種都可以，使用兩種以上的金屬元素的情況中，其總和設(shè)定為10at％以下即可。
[實(shí)施例10] 以與實(shí)施例9相同的方式，制作出具有下述的表3所記載的組成的濺射靶。進(jìn)一步，為了考察該濺射靶和該濺射膜的耐氧化性和耐腐蝕性，進(jìn)行以下實(shí)驗(yàn)。即，與實(shí)施例9相同，在玻璃基板上設(shè)置濺射膜。此外，以與實(shí)施例9同樣的方法測(cè)定設(shè)置在玻璃基板上的上述濺射膜的反射率后，在濃度為100ppm的H2S氣體氣氛中保持2小時(shí)。再次以與實(shí)施例9同樣的方法測(cè)定保持后的反射率。此外，反射率測(cè)定的650nm的光從基板側(cè)入射。以上的實(shí)驗(yàn)中得到的結(jié)果列于表3。
在表3中，“濺射膜成膜完成時(shí)”表示的是完成在玻璃基板上形成濺射膜時(shí)的反射率的測(cè)定結(jié)果。此外，在表3中，“暴露后”表示的是在H2S氣體氣氛中保持2小時(shí)后的反射率的測(cè)定結(jié)果。此外，在表3中，“變化率”表示的是“濺射膜成膜完成時(shí)”和“暴露后”的反射率的變化率。
由表3的結(jié)果可知，以Cu中含有10at％以下的Ag的狀態(tài)，含有5at％以下的第三元素種X，盡管暴露于H2S氣體這樣的極嚴(yán)酷的氧化和腐蝕試驗(yàn)，反射率的變化率也大多可以控制到數(shù)個(gè)百分點(diǎn)的非常小的值。此外，第三元素種X的5 at％以下的含量小于目前使用的添加量。由此也可知，即使第三元素種X為5 at％以下，也在上述反射層中充分發(fā)揮出耐氧化性提高效果和耐腐蝕性提高效果。
工業(yè)實(shí)用性 本發(fā)明在DVD±R等紅色半導(dǎo)體激光用的光記錄介質(zhì)或藍(lán)色半導(dǎo)體激光用的光記錄介質(zhì)等用途中可以適合地利用。
盡管使用特定的方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但是只要不脫離本發(fā)明的意圖和范圍，可以進(jìn)行各種變化和變形，這對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯然的。
此外，本申請(qǐng)基于2005年4月28日提出的日本專(zhuān)利申請(qǐng)(特愿2005-131925)以及2006年4月27日提出的日本專(zhuān)利申請(qǐng)(特愿2006-124059)，以引用的方式援用其全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少由有機(jī)染料構(gòu)成的記錄層和含有金屬的反射層，最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄，所述光記錄介質(zhì)的特征在于，
所述基板上的導(dǎo)向槽的軌道間距為0.8μm以下，槽寬為0.4μm以下，槽內(nèi)的記錄層膜厚為70nm以下，
在ISO-105-B02給出的光照射條件的Wool scale 5級(jí)(耐光性試驗(yàn))中，形成所述記錄層的所述有機(jī)染料單層的下述定義的染料保持率為70％以下，
在300nm～500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，所述反射層在空氣中的反射率R對(duì)波長(zhǎng)λ的微分值dR/dλ(％/nm)為3以下，
所述染料保持率的定義為在300nm～800nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，在形成所述記錄層的有機(jī)染料單層的涂布膜的最大吸收波長(zhǎng)處，所述耐光性試驗(yàn)前后的吸光度的比例，即，{(試驗(yàn)后吸光度)/(試驗(yàn)前吸光度)}×100(％)。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述反射層含有選自Cu、Au和Al中的至少1種元素，且所述元素的合計(jì)的比例在所述反射層中為50原子％以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在波長(zhǎng)300nm～500nm處，所述反射層在空氣中的反射率為20％～70％。
4.如權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層至少含有由下述通式(1)表示的偶氮系化合物和Zn的金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料作為有機(jī)染料，
(1)
在通式(1)中，
R1表示氫原子或以CO2R3表示的酯基，在此，R3表示直鏈或支鏈的烷基或者環(huán)烷基，
R2表示直鏈或支鏈的烷基，
X1和X2之中至少任意一個(gè)表示NHSO2Y基，在此，Y表示具有至少2個(gè)氟原子取代基的直鏈或支鏈的烷基，同時(shí)X1和X2之中的另一個(gè)基團(tuán)表示氫原子，
R4和R5各自獨(dú)立地表示氫原子、直鏈或支鏈的烷基或者直鏈或支鏈的烷氧基，
R6、R7、R8和R9各自獨(dú)立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1或2的烷基，
此外，H+從所述NHSO2Y基脫離，形成NSO2Y-陰性基，從而所述通式(1)表示的偶氮系化合物與金屬離子形成配位鍵。
5.如權(quán)利要求1～4的任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層至少含有下述通式(2)表示的花青系染料作為有機(jī)染料，
(2)
通式(2)中，
環(huán)A和環(huán)B各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的苯環(huán)或萘環(huán)，
R10和R11各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～5的烷基，
R12、R13、R14和R15各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～5的烷基，
R16表示氫原子、鹵原子、氰基或者可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～5的烷基，
Q-表示抗衡陰離子。
6.如權(quán)利要求4所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層至少含有偶氮金屬螯合物染料作為有機(jī)染料，所述偶氮金屬螯合物染料由選自下述通式(3)、(4)、(5)、(6)表示的化合物組成的組中的至少一種偶氮系化合物和除Zn以外的3d過(guò)渡元素的金屬離子構(gòu)成，
(6)
在通式(3)和(5)中，R20表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～6的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，或者表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～6的具有直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基的酯基，
在通式(4)和(6)中，R17表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～6的烷基，
通式(3)和(4)中的R21至R27以及通式(5)和(6)的R18和R19各自獨(dú)立地表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～6的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，R18和R19也可以相互鍵合而形成環(huán)，
通式(3)、(4)、(5)、(6)中，X1和X2之中至少任意一個(gè)表示NHSO2Y基，在此，Y表示具有至少2個(gè)氟原子取代基的直鏈或支鏈的烷基，同時(shí)X1和X2之中的另一個(gè)基團(tuán)表示氫原子，
此外，H+從所述NHSO2Y基脫離，形成NSO2Y-陰性基，從而所述通式(3)、(4)、(5)、(6)表示的偶氮系化合物與金屬離子形成配位鍵。
7.如權(quán)利要求5所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層至少含有偶氮金屬螯合物染料作為有機(jī)染料，所述偶氮金屬螯合物染料由選自下述通式(3)、(4)、(5)、(6)表示的化合物組成的組中的至少一種偶氮系化合物和除Zn以外的3d過(guò)渡元素的金屬離子構(gòu)成，
(3)
在通式(3)和(5)中，R20表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～6的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，或者表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～6的具有直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基的酯基，
在通式(4)和(6)中，R17表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～6的烷基。
通式(3)和(4)中的R21至R27以及通式(5)和(6)中的R18和R19各自獨(dú)立地表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～6的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，R18和R19也可以相互鍵合而形成環(huán)，
在通式(3)、(4)、(5)、(6)中，X1和X2之中至少任意一個(gè)表示NHSO2Y基，在此，Y表示具有至少2個(gè)氟原子取代基的直鏈或支鏈的烷基，同時(shí)X1和X2之中的另一個(gè)基團(tuán)表示氫原子，
此外，H+從所述NHSO2Y基脫離，形成NSO2Y-陰性基，從而所述通式(3)、(4)、(5)、(6)表示的偶氮系化合物與金屬離子形成配位鍵。
8.一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少含有有機(jī)染料的記錄層和含有金屬的反射層，最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄，
所述光記錄介質(zhì)的特征在于，所述記錄層至少含有由下述通式(1)表示的偶氮系化合物和Zn的金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料作為有機(jī)染料，
(1)
在通式(1)中，
R1表示氫原子或以CO2R3表示的酯基，在此，R3表示直鏈或支鏈的烷基或者環(huán)烷基，
R2表示直鏈或支鏈的烷基，
X1和X2之中至少任意一個(gè)表示NHSO2Y基，在此，Y表示具有至少2個(gè)氟原子取代基的直鏈或支鏈的烷基，同時(shí)X1和X2之中的另一個(gè)基團(tuán)表示氫原子，
R4和R5各自獨(dú)立地表示氫原子、直鏈或支鏈的烷基或者直鏈或支鏈的烷氧基，
R6、R7、R8和R9各自獨(dú)立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1或2的烷基，
此外，H+從所述NHSO2Y基脫離，形成NSO2Y-陰性基，從而所述通式(1)表示的偶氮系化合物與金屬離子形成配位鍵。
9.如權(quán)利要求1～8的任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述反射層至少含有下述組成(A)表示的材料
組成(A)
50原子％≤Cu≤97原子％
3原子％≤Ag≤50原子％
0.05原子％≤X≤10原子％
在此，X表示選自由Zn、Al、Pd、In、Sn、Cr、Ni組成的組中的至少1種元素，其中，Cu、Ag以及X的總量為100原子％以下。
10.一種濺射靶，所述濺射靶用于如下光記錄介質(zhì)的反射層的制造，所述光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少含有有機(jī)染料的記錄層和含有金屬的反射層，所述濺射靶的特征在于，所述濺射靶至少由下述組成B表示的材料構(gòu)成
組成(B)
50原子％≤Cu≤97原子％
3原子％≤Ag≤50原子％
0.05原子％≤X≤10原子％
在此，X表示選自由Zn、Al、Pd、In、Sn、Cr、Ni組成的組中的至少1種元素，其中，Cu、Ag以及X的總量為100原子％以下。
11.如權(quán)利要求10所述的濺射靶，其特征在于，所述濺射靶使用由下述通式(1)表示的偶氮系化合物和Ni、Zn金屬離子構(gòu)成的偶氮金屬螯合物染料作為所述有機(jī)染料，
(1)
在通式(1)中，
R1表示氫原子或以CO2R3表示的酯基，在此，R3表示直鏈或支鏈的烷基或者環(huán)烷基，
R2表示直鏈或支鏈的烷基，
X1和X2之中至少任意一個(gè)表示NHSO2Y基，在此，Y表示具有至少2個(gè)氟原子取代基的直鏈或支鏈的烷基，同時(shí)X1和X2之中的另一個(gè)基團(tuán)表示氫原子，
R4和R5各自獨(dú)立地表示氫原子、直鏈或支鏈的烷基或者直鏈或支鏈的烷氧基，
R6、R7、R8和R9各自獨(dú)立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1或者2的烷基，
此外，H+從所述NHSO2Y基脫離，形成NSO2Y-陰性基，從而所述通式(1)表示的偶氮系化合物與金屬離子形成配位鍵。
12.一種偶氮金屬螯合物染料，所述偶氮金屬螯合物染料可用作如下光記錄介質(zhì)的有機(jī)染料，所述光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少含有有機(jī)染料的記錄層和含有金屬的反射層，最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄，
所述偶氮金屬螯合物染料的特征在于，所述偶氮金屬螯合物染料由下述通式(1)表示的偶氮系化合物和Zn的金屬離子構(gòu)成，
(1)
在通式(1)中，
R1表示氫原子或以CO2R3表示的酯基，在此，R3表示直鏈或支鏈的烷基或者環(huán)烷基，
R2表示直鏈或支鏈的烷基，
X1和X2之中至少任意一個(gè)表示NHSO2Y基，在此，Y表示具有至少2個(gè)氟原子取代基的直鏈或支鏈的烷基，同時(shí)X1和X2之中的另一個(gè)基團(tuán)表示氫原子，
R4和R5各自獨(dú)立地表示氫原子、直鏈或支鏈的烷基或者直鏈或支鏈的烷氧基，
R6、R7、R8和R9各自獨(dú)立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1或2的烷基，
此外，H+從所述NHSO2Y基脫離，形成NSO2Y-陰性基，從而所述通式(1)表示的偶氮系化合物與金屬離子形成配位鍵。
全文摘要
本發(fā)明涉及光記錄介質(zhì)、濺射靶和偶氮金屬螯合物染料。本發(fā)明提供一種高密度記錄用或高速記錄用的光記錄介質(zhì)，所述光記錄介質(zhì)在較寬的記錄線速度范圍內(nèi)具有良好的記錄特性并且耐光性也優(yōu)異。所述光記錄介質(zhì)在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少由有機(jī)染料構(gòu)成的記錄層和含有金屬的反射層，最短標(biāo)記長(zhǎng)小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進(jìn)行記錄；上述基板上的導(dǎo)向槽的軌道間距為0.8μm以下，槽寬為0.4μm以下，槽內(nèi)的記錄層膜厚為70nm以下；在ISO-105-B02給出的光照射條件的Wool scale 5級(jí)(耐光性試驗(yàn))中，形成上述記錄層的有機(jī)染料單層的染料保持率為70％以下；在300nm～500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，上述反射層在空氣中的反射率R對(duì)波長(zhǎng)λ的微分值dR/dλ(％/nm)為3以下。
文檔編號(hào)G11B7/247GK101171634SQ200680014810
公開(kāi)日2008年4月30日 申請(qǐng)日期2006年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月28日
發(fā)明者內(nèi)田直幸, 星野博幸, 古村充史, 國(guó)府田直樹(shù), 今川明彥 申請(qǐng)人:三菱化學(xué)媒體股份有限公司, 古屋金屬株式會(huì)社