專(zhuān)利名稱(chēng)：記錄介質(zhì)和用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記錄介質(zhì)，尤其是，涉及一種當(dāng)制造記錄介質(zhì)的 時(shí)候有效地使用的物理結(jié)構(gòu)，和一種用于在使用該物理結(jié)構(gòu)的記錄介 質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置。
背景技術(shù)：
通常地，已經(jīng)廣泛地將光盤(pán)作為能夠在其中記錄大量數(shù)據(jù)的記錄 介質(zhì)使用。尤其地，近來(lái)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種能夠長(zhǎng)時(shí)間記錄/存儲(chǔ)高質(zhì)量 視頻數(shù)據(jù)和高質(zhì)量音頻數(shù)據(jù)的高密度光記錄介質(zhì)，例如，藍(lán)光光盤(pán)(BD， Blu-ray Disc)。
基于下一代記錄介質(zhì)技術(shù)的BD被認(rèn)為是能夠比常規(guī)的DVD存儲(chǔ) 更多的數(shù)據(jù)的下一代光記錄解決方案。最近許多的開(kāi)發(fā)者已經(jīng)與其他 的數(shù)字設(shè)備一起對(duì)與BD有關(guān)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)范實(shí)施了深入細(xì)致的研究。
但是，還沒(méi)有建立用于BD的優(yōu)選的物理結(jié)構(gòu)，和在所述物理 結(jié)構(gòu)中使用的優(yōu)選的數(shù)據(jù)管理方法，這使得在開(kāi)發(fā)基于BD的光記錄/ 再現(xiàn)設(shè)備的過(guò)程中存在許多的限制和問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提出的一種記錄介質(zhì)和一種用于在所述記錄介質(zhì)中 記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置，其基本上消除了由于相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的局限和 缺點(diǎn)所引起的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種適用于記錄介質(zhì)的新的物理結(jié)構(gòu)，
和用于在使用該物理結(jié)構(gòu)的記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置。
在下面的描述中將在某種程度上闡述本發(fā)明的額外的優(yōu)點(diǎn)、目的 和特點(diǎn)，在參閱以下內(nèi)容時(shí)或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中獲悉，在某種 程度上對(duì)于那些本領(lǐng)域普通的技術(shù)人員將變得顯而易見(jiàn)。通過(guò)尤其在 著述的說(shuō)明書(shū)和為此的權(quán)利要求以及所附的附圖中指出的結(jié)構(gòu)，可以 實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他的優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其他的優(yōu)點(diǎn)，和按照本發(fā)明的目的，如在此 處實(shí)施和廣泛地描述的， 一種多層的記錄介質(zhì)，其每個(gè)包括內(nèi)部區(qū)、 數(shù)據(jù)區(qū)和外部區(qū)，包括至少具有分配給內(nèi)部區(qū)的測(cè)試區(qū)的第一層； 和至少具有分配給內(nèi)部區(qū)的管理區(qū)的第二層，其中在第一層中的測(cè)試 區(qū)沒(méi)有物理定位在相對(duì)于入射光束的、與分配給鄰近于第一層的第二 層的管理區(qū)相同的位置上。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，提供了一種用于在多層的記錄介質(zhì)中 記錄數(shù)據(jù)的方法，包括步驟a)在第一層的測(cè)試區(qū)中測(cè)試記錄功率，并 且確定最佳記錄功率；和b)以確定的最佳記錄功率記錄數(shù)據(jù)，并且按
照記錄在分配給鄰近于第一層的第二層的管理區(qū)中的數(shù)據(jù)記錄控制信 息，其中在第一層中的測(cè)試區(qū)沒(méi)有物理定位在相對(duì)于入射光束的、與 在第二層中的管理區(qū)相同的位置上。
按照本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)
據(jù)的裝置，包括用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的拾取單元；和控制單 元，用于在包含在記錄介質(zhì)中的第一層的測(cè)試區(qū)中測(cè)試記錄功率，確 定最佳記錄功率，以確定的最佳記錄功率記錄數(shù)據(jù)，并且按照記錄在 分配給鄰近于第一層的第二層的管理區(qū)中的數(shù)據(jù)記錄控制信息，其中 在第一層中的測(cè)試區(qū)沒(méi)有物理定位在相對(duì)于入射光束的、與在第二層 中的管理區(qū)相同的位置上。
應(yīng)該明白，上文的概述和下面的本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明是示范性和說(shuō) 明性的，并且意欲對(duì)申請(qǐng)權(quán)利要求的本發(fā)明提供進(jìn)一步的說(shuō)明。


所附附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步的理解，并且被結(jié)合進(jìn)和 構(gòu)成本申請(qǐng)書(shū)的一部分，其舉例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，并且與該說(shuō)明 書(shū)一起可以起解釋本發(fā)明原理的作用。在附圖中圖1是按照本發(fā)明的雙層的BD-R;圖2是按照本發(fā)明的雙層的BD-RE;圖3是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光盤(pán)內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖；圖4是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第二個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光盤(pán)內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖；圖5是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第三個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光盤(pán)內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖；圖6是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第四個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光盤(pán)內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖；圖7是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第五個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光盤(pán)內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖；圖8是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置的 方框圖；和圖9是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法的 流程圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)地進(jìn)行介紹本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其例子被在所附附 圖中舉例說(shuō)明。只要可能，貫穿該附圖相同的參考數(shù)字將用于指示相 同的或者類(lèi)似的部分。
在下文中將參考附帶的附圖描述按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)和用于在 記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置。在描述本發(fā)明之前，應(yīng)當(dāng)注意到，在本發(fā)明中公開(kāi)的大多數(shù)術(shù)語(yǔ) 對(duì)應(yīng)于在該技術(shù)中眾所周知的常規(guī)術(shù)語(yǔ)，但是，已經(jīng)由本申請(qǐng)人根據(jù) 需要選擇了一些術(shù)語(yǔ)，并且將在下文中在以下本發(fā)明的描述中公開(kāi)。 因此，最好是，由本申請(qǐng)人定義的術(shù)語(yǔ)以在本發(fā)明中的含義為基礎(chǔ)理解。供本發(fā)明使用的術(shù)語(yǔ)"記錄介質(zhì)"表示能夠按照各種各樣的記錄 方案在其中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的所有的介質(zhì)。該記錄介質(zhì)的有代表性的例子是光盤(pán)和磁帶等等。為了描述和更好地理解本發(fā)明的方便起見(jiàn)，諸如BD-R的光盤(pán)在 下文中將示范性地用作在本發(fā)明中的以上提及的記錄介質(zhì)。應(yīng)當(dāng)注意 到，本發(fā)明的技術(shù)想法可以應(yīng)用于不脫離本發(fā)明的范圍和精神的其它 的記錄介質(zhì)。作為一個(gè)示范的測(cè)試區(qū)的術(shù)語(yǔ)"最佳功率控制(OPC)區(qū)"表示分配 去在記錄介質(zhì)中執(zhí)行OPC處理的區(qū)域。該術(shù)語(yǔ)"最佳功率控制(OPC)" 表示當(dāng)在可記錄的光盤(pán)中記錄數(shù)據(jù)的時(shí)候能夠計(jì)算最佳記錄功率的處 理過(guò)程。換句話(huà)說(shuō)，如果光盤(pán)被放在特定的光記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，該光記錄 /再現(xiàn)設(shè)備重復(fù)地執(zhí)行用于在光盤(pán)的OPC區(qū)中記錄數(shù)據(jù)的過(guò)程，并且再 現(xiàn)所記錄的數(shù)據(jù)，使得其計(jì)算可適用于光盤(pán)的最佳記錄功率。此后， 當(dāng)在光盤(pán)中記錄數(shù)據(jù)的時(shí)候，該光記錄/再現(xiàn)設(shè)備使用計(jì)算的最佳記錄 功率。因此，該OPC區(qū)是可記錄的光盤(pán)所需要的。與以上提及的描述 有關(guān)，TDMA(臨時(shí)光盤(pán)管理區(qū))是管理區(qū)的例子。例如，BD-R必須更 新當(dāng)前的光盤(pán)使用狀態(tài)(例如，光盤(pán)記錄狀態(tài)或者由數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)過(guò)程
產(chǎn)生的缺陷)，并且必須反映該更新的信息。為了這個(gè)目的，TDMA在 光盤(pán)使用時(shí)間期間被使用。包括在TDMA中的控制信息包括與TDMA 記錄在其中的記錄層和其它的記錄層相關(guān)的信息。術(shù)語(yǔ)"多層"表示至少二層。特別地，如果多層僅僅包括二層， 這種結(jié)構(gòu)稱(chēng)為雙層。該多層按照每層具有不同的物理特性，使得每層 需要其唯一的OPC區(qū)。特別地，本發(fā)明可以有效地用于由至少由三層組成的多層的光盤(pán)。 在這種情況下，雖然在以上提及的光盤(pán)中存在三層，即，覆蓋層、隔 離層和記錄層，為了描述的方便起見(jiàn)假設(shè)，本發(fā)明局限于記錄層，使 得所述記錄層被稱(chēng)為一層，并且根據(jù)所述記錄層的數(shù)目， 一層光盤(pán)和 多層的光盤(pán)相互區(qū)分開(kāi)來(lái)。在下文中將參考附帶的附圖描述記錄介質(zhì)和用于在記錄介質(zhì)中記 錄數(shù)據(jù)的方法和裝置。本發(fā)明涉及多層的光盤(pán)的內(nèi)部區(qū)。例如，如果在該光盤(pán)中包含N 層，在特定的層通常遠(yuǎn)離光束的入射方向的基礎(chǔ)上，這些層被以第一 層(層0， "L0")、第二層(層1， "L1")，，，，，第N層(層N-1， "Ln-l") 的順序順序地安排。不必說(shuō)，以上提及的層也可以在特定的層最靠近 于光束入射方向的基礎(chǔ)上順序地安排，并且本發(fā)明的范圍不局限于以 上提及的例子。與以上提及的描述有關(guān)，雖然包含在光盤(pán)中的層的數(shù)目不局限于 特定的數(shù)目，最好是，考慮到光盤(pán)厚度(t)典型地設(shè)置為1.2mm，在單 個(gè)光盤(pán)中可容許的最大層數(shù)大約是8。參考光盤(pán)的剖視圖，該光盤(pán)的每 層(L0、 Ll、...、或者Ln-l)可以劃分為內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和基于光盤(pán)內(nèi)部 區(qū)的外部區(qū)。
包含在內(nèi)部區(qū)和外部區(qū)的每個(gè)中的特定的區(qū)，或者用作供記錄光 盤(pán)管理信息(dmi)的記錄區(qū)，或者用作測(cè)試區(qū)。數(shù)據(jù)區(qū)在其中記錄實(shí)際 用戶(hù)數(shù)據(jù)。在這種情況下，用于光盤(pán)管理的備用區(qū)也可以包含在以上提及的 數(shù)據(jù)區(qū)中。本發(fā)明涉及一種可記錄的記錄介質(zhì)，使得opc區(qū)包含在包 含于光盤(pán)中的所有層的每個(gè)中，并且相鄰層(或者鄰近層)的opc區(qū)沒(méi) 有物理定位在基于光束前進(jìn)方向的相同的位置上。換句話(huà)說(shuō)，為了執(zhí)行opc過(guò)程，用于測(cè)試的功率值被順序地在從 大功率值到小功率值的范圍內(nèi)使用，或者其它可選地使用。如果opc區(qū)是物理定位在基于光束在鄰近層之間前進(jìn)的方向的相同位置上的，則遇到光束干擾的概率增加，所述干擾不僅能夠在實(shí)際上使用的opc 區(qū)中、而且也能在包含在鄰近層中的其它的opc區(qū)中出現(xiàn)。從能夠計(jì)算最佳記錄功率的opc區(qū)的目的的視點(diǎn)出發(fā)，所述光束 干擾的概率的增加，可能對(duì)計(jì)算最佳記錄功率具有消極影響。因此， 假設(shè)本發(fā)明按照opc區(qū)的目的包括鋸齒形配置的opc區(qū)，并且考慮到 opc區(qū)位置，可以建立能夠受opc結(jié)果影響的tdma位置。圖1是按照本發(fā)明的雙層的bd-r。圖2是按照本發(fā)明的雙層的 bd-re。圖l-2示出雙層的光盤(pán)。特別地，在下文中將參考圖1 2描述來(lái) 自在光盤(pán)的每層的多個(gè)區(qū)之中的、bd-r禾p bd-re的單獨(dú)的內(nèi)部區(qū)。在下文中將描述所述內(nèi)部區(qū)的詳細(xì)說(shuō)明。所述內(nèi)部區(qū)包括pic(永 久性信息和控制數(shù)據(jù))區(qū)，用于執(zhí)行opc過(guò)程的opc區(qū)。該pic區(qū)將 光盤(pán)管理信息作為凸出的hfm(高頻調(diào)制的)信號(hào)記錄。
與以上提及的描述有關(guān)， 一次性寫(xiě)入的BD-R進(jìn)一步包括毗臨于OPC區(qū)的臨時(shí)光盤(pán)管理區(qū)(TDMA)，但是，BD-RE包括在OPC區(qū)附近的保留區(qū)。參考圖1的BD-R的內(nèi)部區(qū)，PIC區(qū)、OPC0區(qū)和TDMA0區(qū)順序 地包含在層L0中。0PC1區(qū)、TDMA1區(qū)和保留區(qū)包含在層Ll中。參考圖2的BD-RE的內(nèi)部區(qū)，PIC區(qū)、OPC0區(qū)和保留區(qū)順序地 包含在層"L0"中。PIC區(qū)、保留區(qū)和OPCl區(qū)包含在層"L1"中。如上所述，圖1的BD-R的內(nèi)部區(qū)不同于圖2的BD-RE的內(nèi)部區(qū)， 并且BD-R的內(nèi)部區(qū)不同于BD-RE的內(nèi)部區(qū)的理由如下。第一，BD-R起著一次性寫(xiě)入的記錄介質(zhì)的作用，使得數(shù)據(jù)僅僅可 以一次性地記錄在BD-R中。換句話(huà)說(shuō)，BD-RE的光盤(pán)管理方案和缺 陷管理方案不同于BD-R的光盤(pán)管理方案和缺陷管理方案。與以上提及的光盤(pán)管理方案有關(guān)，BD-RE的內(nèi)部區(qū)不需要包括 TDMA，但是，BD-R的內(nèi)部區(qū)必須包括用于數(shù)據(jù)記錄過(guò)程所需的光盤(pán) 管理的TDMA。因此，被分配有TDMA的BD-R的內(nèi)部區(qū)，不同于沒(méi) 有分配有TDMA的BD-RE的內(nèi)部區(qū)。第二， OPC區(qū)被分配給內(nèi)部區(qū)。更詳細(xì)地，BD-RE不包括記錄數(shù) 據(jù)的特定區(qū)(例如，TDMA)，所述數(shù)據(jù)可以被OPC區(qū)的OPC結(jié)果影響， 使得在BD-RE中不存在問(wèn)題。但是，BD-R包括能夠受到OPC結(jié)果影響的TDMA，使得包含在 每層中的OPC區(qū)和TDMA必須分配在不同的位置上，以防止出現(xiàn)由 OPC區(qū)和TDMA的安排所引起的消極影響。結(jié)果，BD-RE的內(nèi)部區(qū)必 須被設(shè)計(jì)成不同于BD-R的內(nèi)部區(qū)。 與以上提及的描述有關(guān)，本發(fā)明提供了一種改進(jìn)的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)， 用于防止存儲(chǔ)在TDMA中的數(shù)據(jù)由于在多層光盤(pán)中的鄰近層的OPC結(jié)果而被損壞，這使得其可以有效地使用光盤(pán)。參考在圖2中示出的 BD-RE的層L0和Ll的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)OPC區(qū)被包含在每個(gè)層 中，并且OPC0區(qū)和0PC1區(qū)物理定位在相對(duì)于入射光束不同的位置上。 結(jié)果，在OPC0區(qū)和OPCl區(qū)之間的OPC結(jié)果，即，高功率記錄效應(yīng)， 可以不影響鄰近層。參考在圖1中示出的BD-R的層L0和Ll的內(nèi)部 區(qū)結(jié)構(gòu)，層Ll的0PC1區(qū)定位在相對(duì)于入射光束的、與層L0的PIC 區(qū)相同的位置上。在這種情況下，沒(méi)有數(shù)據(jù)記錄在PIC區(qū)中，并且PIC區(qū)被以搖擺 形狀的形式配置，使得PIC區(qū)不受層Ll的OPC區(qū)的OPC結(jié)果的影響。用于在其中記錄光盤(pán)管理信息和其它數(shù)據(jù)的TDMA，被定位在相 對(duì)于入射光束的、與層L0的OPCl區(qū)相同的位置上，使得OPC0區(qū)的 OPC結(jié)果可能影響TDMA1。以上提及的情形表示OPC結(jié)果可能不可避免地使每層的RF信號(hào) 抖動(dòng)惡化。因此，最好是，重要的RF格式數(shù)據(jù)不能被記錄在BD-R的層中。雖然已經(jīng)在圖1中公開(kāi)了雙層的光盤(pán)，應(yīng)當(dāng)注意到，在單張光盤(pán)(諸 如，BD)中可容許的最大層數(shù)可以確定為大約是"8"。在下文中將參考圖3 7描述能夠有效地使用光盤(pán)的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的特征在于OPC區(qū)和TDMA沒(méi)有物理定位在相對(duì)于入射 光束的、相同的位置上，以便防止TDMA數(shù)據(jù)由于OPC結(jié)果被損壞。
如果OPC區(qū)定位在與TDMA相同的位置上，OPC結(jié)果可能影響 TDMA的數(shù)據(jù)，使得在光盤(pán)管理信息中出現(xiàn)想不到的缺陷，導(dǎo)致在光 盤(pán)的數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)操作中出現(xiàn)問(wèn)題。因此，每層的OPC區(qū)和TDMA必須不被物理定位在相對(duì)于入射 光束的、相同的位置上。在這種情況下，每層的每個(gè)TDMA不必定位 在相同的位置上。為了描述的方便起見(jiàn)，假設(shè)每層的每個(gè)TDMA定位 在相同的位置上。圖3是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光 盤(pán)內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖。圖3示出雙層的光盤(pán)。如可以從圖3看到的，層 L0的內(nèi)部區(qū)在光盤(pán)內(nèi)部區(qū)的基礎(chǔ)上順序地包括PIC區(qū)、OPC區(qū)和 TDMA0區(qū)。層Ll的內(nèi)部區(qū)在光盤(pán)內(nèi)部區(qū)的基礎(chǔ)上順序地包括0PC1 區(qū)、保留區(qū)和TDMA1。來(lái)自在層L1的內(nèi)部區(qū)之中的0PC1區(qū)的OPC結(jié)果可能對(duì)層L0的 PIC區(qū)幾乎不具有影響。但是，來(lái)自在層L0的內(nèi)部區(qū)之中的OPC0區(qū)的OPC結(jié)果可能影 響層L1的TDMA1。因此，本發(fā)明的光盤(pán)包括沒(méi)有物理定位在相對(duì)于 入射光束的、與OPC0區(qū)相同的位置上的TDMA。因此，保留區(qū)，而 不是TDMA1，被物理定位在相對(duì)于入射光束的、與OPC0區(qū)相同的位 置上，使得數(shù)據(jù)不被記錄在該保留區(qū)中，并且該光盤(pán)不受OPC結(jié)果的 影響。因此，在按照本發(fā)明的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)(參見(jiàn)圖3)的情況下，每個(gè)層 L0和Ll的TDMA0和TDMA1都被物理定位在相對(duì)于入射光束的、相 同的位置上，并且保留區(qū)被物理定位在相對(duì)于入射光束的、與OPC區(qū) 相同的位置上。圖4是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第二個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光盤(pán)內(nèi)部區(qū)的結(jié)構(gòu)圖。圖3的概念擴(kuò)展為圖4的結(jié)構(gòu)。圖4示范性地示出由4層組成 的光盤(pán)的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)。參考以上提及的圖4的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)，層LO和Ll具有與圖3的雙 層的光盤(pán)相同的內(nèi)部區(qū)。即，層L2和L3等于層L0和L1。圖4的結(jié) 構(gòu)通過(guò)重復(fù)圖3的雙層的光盤(pán)的內(nèi)部區(qū)來(lái)形成。因此，層LO的內(nèi)部區(qū)順序地包括PIC區(qū)、OPCO區(qū)禾P TDMAO。 層L1的內(nèi)部區(qū)順序地包括0PC1區(qū)、保留區(qū)和TDMA1。層L2的內(nèi)部 區(qū)順序地包括PIC區(qū)、0PC2區(qū)和TDMA2。層L3的內(nèi)部區(qū)順序地包 括OPC3區(qū)、保留區(qū)和TDMA3。在這種情況下，OPC1區(qū)的OPC結(jié)果，和OPC3區(qū)的OPC結(jié)果對(duì) 該光盤(pán)幾乎不具有影響，因?yàn)閷覮0的PIC區(qū)和層L2的PIC區(qū)被以搖 擺的形式凸刻。但是，層L0的OPC0區(qū)的OPC結(jié)果和層L2的OPC2區(qū)的OPC 結(jié)果影響單獨(dú)的臨近層，所述臨近層定位在相對(duì)于入射光束的、相同 的位置上。換句話(huà)說(shuō)，OPC0區(qū)的OPC結(jié)果影響層Ll，并且OPC2區(qū) 的OPC結(jié)果影響層Ll或者L3。因此，為了將由以上提及的OPC0區(qū)和OPC2區(qū)的OPC結(jié)果所引 起的影響減到最小，TDMA1和TDMA3不被物理定位在相對(duì)于入射光 束的、與OPC0和OPC2區(qū)相同的位置上，并且沒(méi)有數(shù)據(jù)的保留區(qū)被物 理定位在與OPC0和OPC2區(qū)相同的位置上，使得OPC結(jié)果的影響可 以被減到最小。在這種情況下，如果每個(gè)TDMA被如上所述安排，在圖4中示出 的整個(gè)內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)被擴(kuò)展為層L0 L3，每個(gè)層L0 L3的TDMA被物 理定位在相對(duì)于入射光束的、相同的位置上，并且保留區(qū)被物理定位
在相對(duì)于入射光束的、與OPC區(qū)相同的位置上，使得OPC區(qū)和保留區(qū)被交替地安排在層L0 L3中。因此，該光盤(pán)不受OPC區(qū)的OPC結(jié)果 的影響，使得該光盤(pán)可以被更加有效地使用。圖5是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第三個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光盤(pán)內(nèi)部區(qū)的結(jié) 構(gòu)圖。正如前面提到的那樣，在單個(gè)光盤(pán)中最多可以包含8層。圖5 示范性地示出當(dāng)在一個(gè)光盤(pán)中包含8層時(shí)的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)地，圖5示范性地示出通過(guò)擴(kuò)展圖3的雙層的光盤(pán)和圖4 的4層的光盤(pán)來(lái)形成的8層的光盤(pán)。圖5的L0和Ll結(jié)構(gòu)等于在圖3中示出的雙層的光盤(pán)的內(nèi)部區(qū)的 L0禾BL1結(jié)構(gòu)。圖5的L2和L3結(jié)構(gòu)等于圖4的L0和Ll結(jié)構(gòu)。更詳 細(xì)地，圖5的結(jié)構(gòu)是通過(guò)重復(fù)圖3的雙層的光盤(pán)的內(nèi)部區(qū)來(lái)形成的。因此，層L0的內(nèi)部區(qū)順序地包括PIC區(qū)、OPC0區(qū)和TDMA0。 層L2的內(nèi)部區(qū)順序地包括PIC區(qū)、OPC2區(qū)禾口 TDMA2。層L4的內(nèi)部 區(qū)順序地包括PIC區(qū)、OPC4區(qū)和TDMA4。層L6的內(nèi)部區(qū)順序地包 括PIC區(qū)、OPC6區(qū)和TDMA6。層Ll的內(nèi)部區(qū)順序地包括OPC1區(qū)、 保留區(qū)和TDMA1。層L3的內(nèi)部區(qū)順序地包括OPC3區(qū)、保留區(qū)和 TDMA3。層L5的內(nèi)部區(qū)順序地包括OPC5區(qū)、保留區(qū)和TDMA5。層 L7的內(nèi)部區(qū)順序地包括OPC7區(qū)、保留區(qū)和TDMA7。OPC區(qū)和TDMA的存取順序在從層L0到層L7的范圍中被順序 地確定。包含在圖5的層L0、 L2、 L4和L6中的PIC區(qū)不受包含在層Ll、 L3、 L5和L7中的OPC區(qū)(即，OPCl、 OPC3、 OPC5禾卩OPC7區(qū))的 OPC結(jié)果的影卩向，層L1、 L3、 L5禾口 L7恥匕臨層L0、 L2、 L4禾口 L6。
但是，在每層中包括光盤(pán)管理信息的TDMA受以上提及的OPC結(jié)果的影響。換句話(huà)說(shuō)，層L0的OPC0區(qū)的OPC結(jié)果影響層Ll，并且層L2 的OPC2區(qū)的OPC結(jié)果影響層Ll禾B L3。此外，在層L4中的OPC4 區(qū)的OPC結(jié)果影響層L3和L5，并且在層L6中的OPC6區(qū)的其它OPC 結(jié)果影響層L5和L7。為了將由以上提及的OPC結(jié)果所引起的相鄰層的消極影響減到最 小，本發(fā)明的OPC區(qū)沒(méi)有被物理定位在相對(duì)于入射光束的、與TDMA 相同的位置上。在這種情況下，最好是，在圖5中示出的光盤(pán)的每層的TDMA被 物理定位在實(shí)際上相對(duì)于入射光束的、相同的位置上。保留區(qū)，而不是能夠受OPC結(jié)果影響的數(shù)據(jù)記錄區(qū)，可以被物理 定位在相對(duì)于入射光束的、與OPC2區(qū)、OPC4區(qū)禾Q OPC6區(qū)相同的位置上。因此，按照本發(fā)明的以上提及的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)，防止出現(xiàn)由OPC結(jié) 果所引起的問(wèn)題，導(dǎo)致提高光盤(pán)的效率。圖6是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第四個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光盤(pán)內(nèi)部區(qū)的結(jié) 構(gòu)圖。圖7是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第五個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光盤(pán)內(nèi)部區(qū)的 結(jié)構(gòu)圖。圖6 7示出在圖3至5中示出的光盤(pán)的概念和結(jié)構(gòu)圖。圖6是4 層的光盤(pán)的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)的例子。圖7是8層的光盤(pán)的內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)的例子。 換句話(huà)說(shuō)，由于存儲(chǔ)在包含在圖4 5的光盤(pán)中的多個(gè)pic區(qū)中的 數(shù)據(jù)單元彼此相等，除了包含在由多層組成的光盤(pán)的起始層中的pic 區(qū)之外，圖6 7示出以未記錄的區(qū)(即，在其中不能記錄數(shù)據(jù)的區(qū))代替的光盤(pán)內(nèi)部區(qū)(例如，緩沖區(qū))的例子。圖6的結(jié)構(gòu)基本上等于圖4的結(jié)構(gòu)。如可以從圖6中看到的，在 層l2中pic區(qū)被緩沖區(qū)代替。圖7的結(jié)構(gòu)基本上等于圖5的結(jié)構(gòu)。如可以從圖7中看到的，在 相對(duì)于入射光束的層l2、 l4和l6中，pic區(qū)被緩沖區(qū)代替。以上提及的圖3 7的光盤(pán)內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)描述本發(fā)明的各種各樣的 優(yōu)選實(shí)施例。雖然內(nèi)部區(qū)結(jié)構(gòu)改變?yōu)榱硪环N結(jié)構(gòu)，由于能夠在其中記 錄光盤(pán)管理信息的tdma,所述改變的結(jié)構(gòu)不受opc結(jié)果的影響，這 使得本發(fā)明的范圍和構(gòu)思不局限于以上提及的例子，并且還可以根據(jù) 需要應(yīng)用于其它的例子。圖8是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置的 方框圖。參考圖8，用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置包括用于向/從光 盤(pán)記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)單元10，和用于控制記錄/再現(xiàn)單元10的 控制器12。該記錄/再現(xiàn)單元io包括拾取單元11、信號(hào)處理器13、伺 服單元14、存儲(chǔ)器15和微處理器16。該拾取單元11在光盤(pán)中直接記 錄數(shù)據(jù)，或者讀取記錄在光盤(pán)中的數(shù)據(jù)。信號(hào)處理器13接收從拾取單 元ll讀取的信號(hào)，將接收信號(hào)恢復(fù)為期望的信號(hào)值，或者將待記錄的 信號(hào)調(diào)制為記錄在該光盤(pán)中的另一個(gè)信號(hào)，使得它傳送恢復(fù)的或者調(diào) 制的結(jié)果。伺服單元14控制拾取單元11的操作，使得其正確地從光 盤(pán)讀取所需信號(hào)，并且正確地在光盤(pán)中記錄信號(hào)。存儲(chǔ)器15不僅臨時(shí) 地存儲(chǔ)管理信息，而且臨時(shí)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。微處理器16控制以上提及的
部件的整個(gè)操作。以上提及的記錄/再現(xiàn)單元IO在記錄介質(zhì)的測(cè)試區(qū)中 執(zhí)行測(cè)試，計(jì)算最佳記錄功率，并且使用該計(jì)算的最佳記錄功率記錄 數(shù)據(jù)。與以上提及的描述有關(guān)，僅僅由記錄/再現(xiàn)單元10組成的記錄設(shè) 備稱(chēng)為驅(qū)動(dòng)器，并且通常地用作計(jì)算機(jī)的外圍設(shè)備?？刂破?2控制整個(gè)構(gòu)成部件的操作。與本發(fā)明有關(guān)，該控制器 12通過(guò)與用戶(hù)接口引用用戶(hù)命令，并且將能夠向/從該光盤(pán)記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)命令傳送給記錄/再現(xiàn)單元10。微處理器16在第一層的測(cè)試區(qū)中執(zhí)行與記錄功率有關(guān)的測(cè)試，計(jì)算最佳記錄功率，并且使用計(jì)算的最佳記錄功率記錄數(shù)據(jù)，使得其按 照數(shù)據(jù)記錄過(guò)程、在分配在鄰近于第一層的第二層中的管理區(qū)中記錄 控制信息(例如，光盤(pán)管理信息)。在這種情況下，在第一層中的測(cè)試區(qū) 沒(méi)有物理定位在相對(duì)于入射光束的、與在第二層中的管理區(qū)相同的位置上。與本發(fā)明有關(guān)，控制器12和微處理器16的功能可以分別地由第 一控制單元和第二控制單元分開(kāi)和操作。作為選擇，該控制器12和微 處理器16的功能可以作為一個(gè)控制單元組合和操作。一旦從控制器12收到控制信號(hào)，解碼器17解碼從光盤(pán)讀取的信 號(hào)，將解碼的信號(hào)恢復(fù)為期望的信息，并且將所恢復(fù)的信號(hào)傳送給用 戶(hù)。編碼器18從控制器12接收一個(gè)控制信號(hào)以在光盤(pán)中記錄期望的 信號(hào)，將接收信號(hào)轉(zhuǎn)換為特定格式信號(hào)(例如，MPEG2傳輸流)，并且 將該特定格式信號(hào)傳送給信號(hào)處理器13。
在下文中將參考圖9描述一種使用在圖8中示出的裝置、用于在 多層的記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法。圖9是舉例說(shuō)明按照本發(fā)明用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法的 流程圖。參考圖9，必須首先計(jì)算用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的最佳記錄功率，以在多層的記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)。對(duì)于這個(gè)操作，OPC區(qū)的記 錄功率被測(cè)試，使得在步驟S10上確定最佳記錄功率。然后，在步驟S20上，用于記錄數(shù)據(jù)的裝置使用確定的該記錄介 質(zhì)的最佳記錄功率記錄數(shù)據(jù)。如果以上提及的記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)記錄操作開(kāi)始，用于記錄數(shù)據(jù)的 裝置以以上提及的確定的最佳記錄功率、在由記錄過(guò)程產(chǎn)生的TDMA 中記錄光盤(pán)管理信息(DMI)和其它的數(shù)據(jù)。在這種情況下，每層的OPC區(qū)沒(méi)有被物理定位在相對(duì)于入射光束 的、與鄰近的層的TDMA相同的位置上，所述鄰近的層毗臨以上提及 的、包括OPC區(qū)的層。例如，在8層的記錄介質(zhì)的情況下，0PC區(qū)存在于層L5中，層 L4和L6的TDMA沒(méi)有物理定位在相對(duì)于在步驟S30上入射的光束的、 與層L5的OPC區(qū)相同的位置上，使得層L4和L6的TDMA不受由 OPC區(qū)執(zhí)行的OPC結(jié)果的影響。如從以上的描述中清晰可見(jiàn)的，按照 本發(fā)明的記錄介質(zhì)，和用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置，可 以應(yīng)用于，用于制造近來(lái)開(kāi)發(fā)的多層的BD的方法，并且可以有效地向 /從光盤(pán)記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)。工業(yè)實(shí)用性 對(duì)于那些本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)，不脫離本發(fā)明的精神或 者范圍，可以在本發(fā)明中進(jìn)行各種各樣的修改和變化。因此，本發(fā)明 意欲覆蓋歸入所附的權(quán)利要求和其等效范圍之內(nèi)的、所提供的本發(fā)明 的改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種多層的記錄介質(zhì)，所述記錄介質(zhì)的每層均包括內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和外部區(qū)，所述記錄介質(zhì)包括第一層，所述第一層至少具有分配給所述內(nèi)部區(qū)的測(cè)試區(qū)；和第二層，所述第二層至少具有分配給所述內(nèi)部區(qū)的管理區(qū)，其中在所述第一層中的所述測(cè)試區(qū)，沒(méi)有物理定位在相對(duì)于入射光束的、與所述管理區(qū)相同的位置上，所述管理區(qū)被分配給鄰近于所述第一層的第二層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述測(cè)試區(qū)是OPC(最 佳功率控制)區(qū)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的記錄介質(zhì)，其中所述第二層進(jìn)一步包括測(cè)試區(qū)，其中所述分配給所述第一層的測(cè) 試區(qū)，沒(méi)有物理定位在相對(duì)于入射光束的、與所述第二層的所述測(cè)試 區(qū)相同的位置上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述管理區(qū)是在一次性 寫(xiě)入型記錄層中的TDMA(臨時(shí)光盤(pán)管理區(qū))。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的記錄介質(zhì)，其中所有分配給每層的 TDMA物理定位在相對(duì)于入射光束的相同的位置上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中用于在第一區(qū)中記錄數(shù) 據(jù)的所述記錄區(qū)，沒(méi)有物理定位在相對(duì)于入射光束的、與所述包括測(cè) 試區(qū)的第二層相同的位置上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的記錄介質(zhì)，其中在所述第一層中的保留 區(qū)被物理定位在相對(duì)于入射光束的與在所述第二層中的測(cè)試區(qū)相同的 位置上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中在第一層中的PIC(永久 性信息和控制數(shù)據(jù))區(qū)被物理定位在相對(duì)于入射光束的與在所述第二層 中的測(cè)試區(qū)相同的位置上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的記錄介質(zhì)，其中在所述第一層中的緩沖區(qū)被物理定位在相對(duì)于入射光束的與在所述層的所述第二層中的測(cè)試 區(qū)相同的位置上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述記錄介質(zhì)是一次 性寫(xiě)入BD-R(可記錄藍(lán)光光盤(pán))。
11. 一種用于在多層的記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法，包括a) 測(cè)試在第一層的測(cè)試區(qū)中的記錄功率，并且確定最佳記錄功 率；禾口b) 以所確定的最佳記錄功率記錄數(shù)據(jù)，并且按照所述數(shù)據(jù)記錄控 制信息，所述數(shù)據(jù)記錄在分配給鄰近于所述第一層的第二層的管理區(qū) 中，其中在所述第一層中的所述測(cè)試區(qū)，沒(méi)有物理定位在相對(duì)于入射 光束的、與在所述第二層中的所述管理區(qū)相同的位置上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述測(cè)試區(qū)是OPC(最佳 功率控制)區(qū)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述管理區(qū)是在一次性寫(xiě) 入型記錄層中的TDMA(臨時(shí)光盤(pán)管理區(qū))。
14. 一種用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置，包括 用于在所述記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的拾取單元；和 控制單元，用于在所述記錄介質(zhì)包含的第一層的測(cè)試區(qū)中測(cè)試記 錄功率、確定最佳記錄功率、以所確定的最佳記錄功率記錄數(shù)據(jù)、并 且按照所述記錄在分配給第二層的管理區(qū)中的數(shù)據(jù)記錄控制信息，所 述第二層相鄰于所述第一層，其中在所述第一層的所述測(cè)試區(qū)，沒(méi)有物理地定位在相對(duì)于入射 光束的、與在所述第二層中的所述管理區(qū)相同的位置上。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述測(cè)試區(qū)是OPC(最佳 功率控制)區(qū)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述管理區(qū)是在一次性寫(xiě) 入型記錄層中的TDMA(臨時(shí)光盤(pán)管理區(qū))。
全文摘要
公開(kāi)了一種多層的記錄介質(zhì)，和一種用于在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置。一種多層的記錄介質(zhì)，其每個(gè)包括內(nèi)部區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和外部區(qū)，包括至少具有分配給內(nèi)部區(qū)的測(cè)試區(qū)的第一層；和至少具有分配給內(nèi)部區(qū)的管理區(qū)的第二層，其中在第一層中的測(cè)試區(qū)沒(méi)有物理定位在相對(duì)于入射光束的、與分配給鄰近于第一層的第二層的管理區(qū)相同的位置上。
文檔編號(hào)G11B7/00GK101213594SQ200680023937
公開(kāi)日2008年7月2日 申請(qǐng)日期2006年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者徐相運(yùn) 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社