專利名稱：光盤驅(qū)動裝置、以及使用了該光盤驅(qū)動裝置的光盤再生方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光盤驅(qū)動裝置，特別涉及一種使用了該光盤驅(qū)動裝置的光 盤的高速再生。
背景技術：
在以往的光盤驅(qū)動裝置中，作為光拾取器的光源，使用了半導體激光 器。由于在光盤的再生時使用的半導體激光器的功率(再生功率) 一般比 較低，所以，反回光和因半導體激光器的溫度變動而造成的半導體激光器 的功率變動不容忽視，其會對光拾取器的再生信號帶來比較大的噪聲。為 了減少這些噪聲，有時會在半導體激光器的驅(qū)動電流中疊加高頻電流。通 過控制該高頻電流的強度或頻率，可使半導體激光器在光盤的再生時穩(wěn) 定，從而減少上述的噪聲(例如，參照專利文獻l)。在對可寫入(可錄)或可改寫(可再寫入)的光盤進行再生的情況下， 將半導體激光器的驅(qū)動電流抑制得較弱，并將再生功率設定成記錄在光 盤上的信號不會被照射在光盤上的激光能量擦除的功率(例如參照專利文 獻2)。專利文獻1:特開平11-54826號公報 專利文獻2:特開2001-14679號公報近年來，在對光盤記錄或再生數(shù)據(jù)方面比通常高速化的、對應高倍速 的光盤驅(qū)動裝置的開發(fā)進展迅速。該光盤驅(qū)動裝置為了實現(xiàn)數(shù)據(jù)記錄/再生 的高速化，例如，需要光盤旋轉(zhuǎn)的高速化、信號處理電路的寬帶化、以及 半導體激光的輸出高功率化。但是，以往的光盤驅(qū)動裝置由于以下的問題 點，難以實現(xiàn)再生的高速化。在信號處理電路中， 一般由于動作頻率的頻帶越寬，輸出的噪聲越大， 所以，難以獲得高品質(zhì)的數(shù)據(jù)再生所必要的SN比(信噪比)。作為對策， 例如可考慮提高光盤驅(qū)動裝置的再生功率。這種情況下，由于相對噪聲電平提高了再生信號的電平，所以從原理上改善了 SN比。但是，如果對可 寫入/改寫的光盤過于提高再生功率，則無論是否是再生動作，被記錄在光 盤上的信號都有可能被擦除。特別是在對激光器的驅(qū)動電流疊加了高頻電 流的情況下，由于激光的功率峰值高，所以，為了防止記錄在光盤上的信 號被擦除，必須將再生功率抑制為小于通常的1.5倍。結(jié)果，提高再生功率以改善SN比實質(zhì)上是難以達到的。在從高速旋轉(zhuǎn)的光盤中讀取再生信號的情況下，隨著光盤轉(zhuǎn)速的上 升，再生信號的頻率將升高。這里，在再生信號中一般包含最短標記信號的頻率的2倍左右的高頻成分。當該高頻成分的頻率達到被疊加在激光器的驅(qū)動電流中的高頻電流頻率的大約一半時，在隨著該高頻電流的疊加而 在再生信號中出現(xiàn)的高頻疊加成分，與再生信號本來的高頻成分之間產(chǎn)生 干涉(重疊噪聲)，由此導致再生信號的品質(zhì)下降。作為其對策，例如， 可考慮對應光盤轉(zhuǎn)速的上升而提高高頻電流的頻率。但是，高頻電流的頻 率，已經(jīng)從通過將該高頻電流疊加在激光器的驅(qū)動電流中而降低的再生信 號的噪聲電平中被最佳化。而且，如果將高頻電流的頻率提高到比以往的 光盤驅(qū)動裝置的頻率更高，則將妨礙該裝置的電力消耗的進一步降低、以 及來自該裝置的不需要的輻射的進一步降低。因此，對應光盤轉(zhuǎn)速的上升 來提高高頻電流的頻率，實質(zhì)上是困難的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種可改善光盤高速再生時的SN比，并且 能夠高品質(zhì)地實現(xiàn)高速再生的光盤驅(qū)動裝置。本發(fā)明所涉及的光盤驅(qū)動裝置，使記錄了信息的光盤以所希望的轉(zhuǎn)速 旋轉(zhuǎn)，在具有所希望的功率的激光中疊加具有所希望的電平的高頻成分， 并向上述光盤照射，從由光盤反射來的激光獲得再生信號。該光盤驅(qū)動裝 置(優(yōu)選使用內(nèi)置的集成電路)特別是在高速再生模式下，將光盤的轉(zhuǎn)速 設定為比通常再生模式下的轉(zhuǎn)速高，將向光盤照射的激光的功率設定為比 通常再生模式下的功率高，將向光盤照射的激光中重疊的高頻成分的電平 設定為比通常再生模式下的電平低。更優(yōu)選在高速再生模式下將高頻成分 的電平設定為零。即，在高速再生模式下，疊加在激光中的高頻成分的電平被抑制得低，或除去高頻成分。從而，即使再生對象的光盤即使是可寫 入/可改寫的光盤，由于能夠?qū)⒃偕β侍岣咴O定到已記錄的信號不會被擦 除的界限附近，所以，可確保充分高的SN比。并且，由于向激光疊加的 高頻成分在高速再生時被抑制，所以，對于在起因于該高頻成分的再生信 號的高頻成分與再生信號本來的高頻成分之間產(chǎn)生的干涉(重疊噪聲)， 可充分忽略。結(jié)果，可進一步提高高速再生時的再生信號的品質(zhì)。優(yōu)選本發(fā)明的上述光盤驅(qū)動裝置具有使光盤以所希望的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的電動機；光拾取器，其具有作為光源的半導體激光器，向光盤照射激光，從由 光盤反射來的激光取得再生信號；激光驅(qū)動部，其將半導體激光器的驅(qū)動電流控制為所希望的電平，并在該驅(qū)動電流中疊加所希望的電平的高頻電流；和控制部，其控制電動機和激光驅(qū)動部，在高速再生模式下，將光盤的 轉(zhuǎn)速設定為比通常再生模式下的轉(zhuǎn)速高，將半導體激光器的驅(qū)動電流的電 平設定為比通常再生模式下的電平高，將上述高頻電流的電平設定為比通 常再生模式下的電平低。更優(yōu)選控制部在通常再生模式下將高頻電流設定為接通，在高速再生 模式下將高頻電流設定為斷開。這里，激光驅(qū)動部可具有在半導體激光器 的驅(qū)動電流中疊加高頻電流的高頻疊加電路。本發(fā)明的上述光盤驅(qū)動裝置可以還具有用于對照射在光盤上的激光 的光點的線速度進行檢測的線速度檢測部。這種情況下，優(yōu)選控制部根據(jù) 由線速度檢測部檢測出的線速度，控制激光驅(qū)動部。由此，例如在進行通 常再生模式和高速再生模式之間的切換時，可根據(jù)光盤的實際轉(zhuǎn)速實時地 將再生功率最佳化。從而，可在記錄于光盤的信號不會被誤擦除的情況下切實地維持高的SN比，并且可靠地抑制重疊噪聲。 發(fā)明效果如上所述，本發(fā)明的光盤驅(qū)動裝置在高速再生模式下，對應光盤轉(zhuǎn)速 的上升，抑制被疊加在半導體激光器的驅(qū)動電流中的高頻電流。由此，由 于將再生功率的上限提高到記錄在光盤上的信號不會被擦除的界限附近， 所以相比以往的裝置，提高了再生功率。結(jié)果，比以往的裝置提高了 SN比。而且，由于在高速再生時通過抑制高頻疊加，可避免再生信號受到的 不良影響，所以，在維持再生信號的高品質(zhì)的情況下，實現(xiàn)了再生的進一 步的高速化。這樣，本發(fā)明的光盤驅(qū)動裝置作為使數(shù)據(jù)的記錄/再生高速化 的高性能計算機的外部存儲裝置和錄像機裝置等特別有用。


圖1是本發(fā)明的實施方式所涉及的光盤驅(qū)動裝置的框圖。圖2是本發(fā)明的實施方式所涉及的半導體激光器的相對噪聲的特性圖。圖3是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的再生功率的設定例的表。 圖4是本發(fā)明的其他實施方式的光盤驅(qū)動裝置的框圖。
具體實施方式
下面，參照附圖，對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行說明。 實施方式1圖1是本發(fā)明的實施方式1所涉及的光盤驅(qū)動裝置的框圖。該光盤驅(qū) 動裝置100利用電動機2使記錄了信息的光盤1以所希望的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。光 拾取器3搭載有作為光源的半導體激光器4，從該半導體激光器4向旋轉(zhuǎn) 的光盤1照射激光5。激光驅(qū)動部8向半導體激光器4供給驅(qū)動電流9， 將向光盤1照射的激光5的功率的平均值調(diào)節(jié)為所希望的功率。激光驅(qū)動 部8還包括高頻疊加電路10。高頻疊加電路10在向半導體激光器4供給 的驅(qū)動電流9中，以所希望的電平和頻率疊加高頻電流11。控制部12對 電動機2設定所希望的轉(zhuǎn)速，對激光驅(qū)動部8，將半導體激光器4的功率、 高頻電流11的電平和頻率分別設定為與光盤1的轉(zhuǎn)速對應的值。特別是 在轉(zhuǎn)速低的情況下，由于基于高頻電流ll的疊加使半導體激光器4穩(wěn)定， 所以，可抑制照射在光盤1上的激光5的噪聲。優(yōu)選使利用集成電路構(gòu)成 的MPU (微處理單元)通過執(zhí)行由微代碼等記述的程序來作為控制部12 而發(fā)揮功能。并且，激光驅(qū)動部8也可以與控制部12同樣，利用相同的 MPU以軟件的形式實現(xiàn)。另外，激光驅(qū)動部8和控制部12可以作為硬件 而獨立構(gòu)成，也可以組合在同一芯片中。光拾取器3利用光檢測部6檢測出從成像在光盤1上的激光5的光點(spot)反射來的激光，并將檢測出 的激光轉(zhuǎn)換成電信號(再生信號)7。再生信號處理電路13從再生信號7中解調(diào)出記錄在光盤1上的數(shù)據(jù)。實施方式1的光盤驅(qū)動裝置ioo優(yōu)選具有光盤的再生功能并同時具有記錄功能。即，光盤驅(qū)動裝置100還具有記錄信號處理電路14。在光盤l 是可寫入/可改寫的光盤的情況下，記錄信號處理電路14根據(jù)從外部輸入 的記錄信號控制激光驅(qū)動部8。由此，從光拾取器3向光盤1照射的激光 5的功率根據(jù)記錄信號被調(diào)制，從而將與記錄信號對應的數(shù)據(jù)記錄在光盤 1上。另外，在光盤驅(qū)動裝置是再生專用的情況下，也可以省略記錄信號 處理電路14。以下，作為更具體的示例，假設光盤l是能夠以藍色激光進行寫入的 2層藍色涂層(blue lay)盤(容量50GB)的情況。首先，對通常再生模式進行說明?？刂撇?2通過對電動機2轉(zhuǎn)速的 設定，將成像在光盤1上的激光5的光點掃描光盤1的線速度調(diào)節(jié)為 4.92m/S。控制部12進一步將高頻疊加電路10接通，將高頻電流11的頻 率設定為400MHz?？刂撇?2在此基礎上，通過對激光驅(qū)動部8的驅(qū)動電 流9的電平的設定，將激光5的功率的平均值調(diào)節(jié)為0.6mW。接著，對高速再生模式進行說明?？刂撇?2通過對電動機2的轉(zhuǎn)速 設定，將成像在光盤1上的激光5的光點掃描光盤1的線速度調(diào)節(jié)為通常 再生模式下的線速度的4倍(19.68m/S)?？刂撇?2進一步對高頻疊加 電路10，將高頻電流11的電平降低為比通常再生模式的電平低。優(yōu)選控 制部12斷開高頻疊加電路10，使高頻電流ll的電平為零?？刂撇?2在 此基礎上通過對激光驅(qū)動部8的驅(qū)動電流9的電平的設定，將激光5的功 率的平均值調(diào)節(jié)為比通常再生模式的平均值高的l.OmW。這里，為了說明上述的設定可有效地解決本發(fā)明要解決的問題的原 因，對半導體激光器4的功率與噪聲之間的關系進行以下說明。圖2中所 繪制的特性圖，表示了光盤1的再生時從半導體激光器4照射到光盤1上 的激光5的功率的平均值、與該激光5中包含的相對噪聲之間的關系。在 圖2中，用實線曲線200表示在高頻疊加電路IO接通時的關系，用虛線 曲線201表示在高頻疊加電路10斷開時的關系。另外，在圖2中，橫軸表示激光5的功率的平均值，縱軸表示激光5中包含的相對噪聲(單位功率的噪聲電平)。從圖2中可看出，激光5的功率越高，相對噪聲越低(例 如，在功率的平均值按照0.6mW—l.OmW—1.2mW的順序上升時，特性 曲線201中相對噪聲電平按照202—203—204的順序下降)。并且，在激 光5的功率比較低時，基于高頻疊加電路10的接通會在特性曲線200中 產(chǎn)生極小值，相對噪聲大幅降低(例如在激光5的平均值為0.6mW附近 時，當高頻疊加電路10為斷開時電平為202的相對噪聲，在高頻疊加電 路10接通時下降到電平203)。另一方面，當激光5的功率比較高時，在 高頻疊加電路10的接通與斷開之間，相對噪聲幾乎無差別(例如，當激 光5的平均值在1.2mW附近時2個特性曲線200、 201之間的相對噪聲之 差，與激光5的平均值在0.6mW附近時相對噪聲之差相比，可完全忽略)。 另外，雖然未在圖2中表示，但在高頻疊加電路10為接通的情況下，在 激光5的波形中包含被稱為緩和振動的尖銳峰值。在激光5的功率的平均 值例如是1.0mW的情況下，該峰值達到7.0mW左右。而在高頻疊加電路 IO斷幵的情況下，激光5的波形中，平均值與峰值實質(zhì)上相等(例如，如 果激光5的平均值為l.OmW，則該峰值也是l.OmW)。實施方式1的光盤驅(qū)動裝置，在通常再生模式(理想的是標準速度) 下，將再生功率設定為基于高頻疊加電路10的接通可有效降低相對噪聲 的值(在圖2中例如是0.6mW)。由此，在通常再生模式下，由于相對噪 聲被抑制得低，所以，可將再生信號處理電路13的SN比維持得高。另一 方面，在高速再生模式下(優(yōu)選4倍速)，將再生功率設定為比通常再生 模式的再生功率(0.6mW)高、并且在高頻疊加電路10的接通/斷開之間 幾乎不產(chǎn)生相對噪聲之差的值(在圖2中例如是1.2mW)。這里，如果高 頻疊加電路10維持接通狀態(tài)，則在激光5中包含的隨著上述緩和振動而 產(chǎn)生的尖銳的峰值，在光盤1的再生中，有可能擦除已記錄在光盤1上的 信息(將這種現(xiàn)象稱為再生擦除)。在以往的裝置中，由于在4倍速再生 時也將高頻疊加電路10維持為接通狀態(tài)，所以，激光5的功率的平均值 最高只提高到0.8mW的程度。而本發(fā)明實施方式1的裝置，在4倍速再 生時將高頻電流11的電平降低為比通常再生時的電平低，從而減弱了激 光5中包含的上述尖銳的峰值(優(yōu)選斷開高頻疊加電路10，除去上述尖銳的峰值)。由此，高速再生模式的再生功率即使被提高到通常再生模式的再生功率的1.5倍以上(1.0mW左右)，在光盤1中也不會產(chǎn)生再生擦除。 而且，由于激光5中包含的相對噪聲低，所以通過再生功率的上升可充分 改善SN比。這樣，實施方式1的高速再生模式的設定，可提高再生信號 處理電路13的SN比，并且可防止光盤1的再生擦除。實施方式2本發(fā)明的實施方式2所涉及的光盤驅(qū)動裝置，其高速再生模式的再生 條件與實施方式1的裝置不同。對于裝置的結(jié)構(gòu)等其他方面而言，本發(fā)明 實施方式2的光盤驅(qū)動裝置與實施方式1的裝置相同，因此，關于其詳細 的說明，可引用對實施方式1的說明。在實施方式2的光盤驅(qū)動裝置中，通常再生模式的設定與實施方式1 的裝置的設定相同。即，控制部12通過對電動機2的轉(zhuǎn)速設定，將成像 在光盤1上的激光5的光點掃描光盤1的線速度調(diào)節(jié)為4.92m/S。控制部 12進一步將高頻疊加電路IO接通，將高頻電流11的頻率設定為400MHz。 控制部12在此基礎上，通過對激光驅(qū)動部8的驅(qū)動電流9的電平的設定， 將激光5的功率的平均值調(diào)節(jié)為0.6mW。另一方面，在高速再生模式下，控制部12通過對電動機2的轉(zhuǎn)速設 定，將成像在光盤1上的激光5的光點掃描光盤1的線速度調(diào)節(jié)為通常再 生模式下的線速度的8倍(39.36m/S)?？刂撇?2進一步對高頻疊加電 路10，將高頻電流11的電平降低為比通常再生模式的電平低。優(yōu)選控制 部12斷開高頻疊加電路10，使高頻電流11的電平為零?？刂撇?2在此 基礎上通過對激光驅(qū)動部8的驅(qū)動電流9的電平的設定，將激光5的功率 的平均值調(diào)節(jié)為比通常再生模式的平均值高的1.2mW。圖3表示分別對本 發(fā)明實施方式1的光盤驅(qū)動裝置和實施方式2的裝置的不同再生模式的再 生功率的設定例。這里，為了說明上述的設定可有效地解決本發(fā)明要解決的問題的原 因，對再生信號7的頻率成分與高頻電流11的頻率之間的關系進行以下 說明。 一般，在從光盤1讀出的再生信號7中，包含是最短標記信號的頻 率的1.5 2倍左右的高頻成分。為了實現(xiàn)高品質(zhì)的信號再生，重要的是在不使該高頻成分劣化的情況下進行再生信號7的處理。例如，當光盤l是 藍色涂層盤時，在通常再生模式的再生信號7中，作為基于記錄在光盤l 上的信號的再生信號本來的頻率成分，包含特別是光盤1的最短標記信號的頻率16.5MHz的1.5倍以上的20MHz 30MHz的頻率成分。另一方面， 如果在半導體激光器4的驅(qū)動電流9中疊加高電平的高頻電流11，則由于 激光5實質(zhì)上是以該高頻電流11的頻率進行頻閃，所以，從光拾取器3 實際輸出的再生信號7，被以高頻電流ll的頻率取樣。 一般而言，根據(jù)奈 奎斯特定理，為了從輸入的信號中不使信息劣化地進行取樣，取樣頻率必 須是該信息的頻率成分的至少2倍。因此，為了防止因取樣造成再生信號 7的劣化，必須將高頻電流11的頻率設定為相對再生信號7的頻率至少為 2倍，相對記錄在光盤1上的最短標記信號的頻率至少為4倍。在將上述 藍色涂層盤作為光盤1并以8倍速進行高速再生的情況下，在再生信號7 中包含基于記錄在光盤1上的信號的160MHz 240MHz的高頻成分。如 果高頻電流11的頻率為400MHz左右，則起因于該髙頻電流11而疊加在 再生信號7中的高頻成分、與基于記錄在光盤1上的信號的再生信號本來 的高頻成分之間產(chǎn)生干涉，因此，在再生信號7中產(chǎn)生劣化(重疊噪聲)。 本發(fā)明實施方式2的光盤驅(qū)動裝置，將高速再生模式的再生速度提高 到通常再生模式的再生速度的8倍。因此，在與高速再生對應的寬帶的信 號處理電路(例如再生信號處理電路13)中，不能避免在輸出中包含的噪 聲的電平上升。因此，在8倍速的高速再生時，必須提高再生功率。但是， 由于如以往的光盤驅(qū)動裝置那樣，在維持高頻疊加電路10的接通狀態(tài)下， 再生功率只能上升到l.OmW左右，所以，雖然SN比得到了相當程度的改 善，但其程度還是不充分。對此，本發(fā)明實施方式2的光盤驅(qū)動裝置，在 高速再生模式下通過將高頻電流11的電平設定為比通常再生模式的電平 低(優(yōu)選斷開高頻疊加電路10)，從而可將再生功率設定為是通常再生模 式的再生功率的2倍(1.2倍)。結(jié)果，使SN比得到了 6dB的改善。這 樣，能夠?qū)崿F(xiàn)高速再生的數(shù)據(jù)的進一步的高品質(zhì)化。而且，由于在高速再 生模式下高頻電流11被減弱(理想的是被設定為零)，所以，激光5幾 乎不進行頻閃。因此，可防止因該頻閃(即取樣)導致的再生信號7的劣 化(重疊噪聲)。實施方式3本發(fā)明實施方式3的光盤驅(qū)動裝置如圖4所示，與圖1所示的實施方 式1的裝置不同點是，還具有線速度檢測部15。對于其他方面而言，本發(fā)明實施方式3的光盤驅(qū)動裝置與實施方式1的裝置相同，因此，關于其詳細的說明，引用對實施方式1的說明。線速度檢測部15用于檢測照射在光盤1上的激光5的光點的線速度。 具體而言，優(yōu)選線速度檢測部15檢測電動機2的實際轉(zhuǎn)速，根據(jù)檢測出 的轉(zhuǎn)速來推算上述的線速度。另外，線速度檢測部15也可以根據(jù)由光拾 取器3的伺服控制電路(未圖示)檢測出的伺服信息，推算出上述的線速 度。更優(yōu)選控制部12根據(jù)由線速度檢測部15檢測出的線速度，控制激光 驅(qū)動部8。由此，例如在進行通常再生模式與高速再生模式之間的切換時， 可根據(jù)光盤l的實際轉(zhuǎn)速，實時地使激光5的再生功率最佳化。因此，能 夠在光盤1中可靠地避免再生擦除，在再生信號處理電路13中切實地維 持高的SN比，并且對再生信號7有效地抑制重疊噪聲。作為具體實例，本發(fā)明的上述實施方式都表示了光盤1是可寫入的藍 色涂層盤的情況的條件。但是，本發(fā)明的使用范圍不受該條件的限制。艮P， 對于通常再生模式與高速再生模式之間的再生速度與再生功率的各個比 率、或高頻電流11的頻率與最短標記信號的頻率之間的關系等，本發(fā)明 在與上述裝置不同的光盤驅(qū)動裝置、或一般的光盤中也是有效的。例如， 本發(fā)明很明顯能夠適用于進行可改寫的光盤的再生的裝置。并且，在對不 會發(fā)生再生擦除的再生專用光盤進行高速再生模式的設定的情況下，由于 本發(fā)明具有提高SN比的效果和防止因高頻疊加而產(chǎn)生的不需要的輻射的 效果，所以，也可應用本發(fā)明。工業(yè)上的可利用性如上所述，本發(fā)明是關于光盤驅(qū)動裝置的發(fā)明，可用于光盤的高速再 生。因此，本發(fā)明明顯可得到產(chǎn)業(yè)上的應用。
權(quán)利要求
1.一種光盤驅(qū)動裝置，使記錄了信息的光盤以所希望的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，在具有所希望的功率的激光中疊加具有所希望的電平的高頻成分，并向所述光盤照射，從由所述光盤反射來的激光獲得再生信號，該光盤驅(qū)動裝置在高速再生模式下，將所述光盤的轉(zhuǎn)速設定為比通常再生模式下的轉(zhuǎn)速高，將向所述光盤照射的激光的功率設定為比通常再生模式下的功率高，將所述高頻成分的電平設定為比通常再生模式下的電平低。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤驅(qū)動裝置，其特征在于， 在高速再生模式下，將所述高頻成分的電平設定為零。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光盤驅(qū)動裝置，其特征在于，具有使所述光盤以所希望的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的電動機；光拾取器，其具有作為光源的半導體激光器，向所述光盤照射激光， 從由所述光盤反射來的激光中獲得再生信號；激光驅(qū)動部，其將所述半導體激光器的驅(qū)動電流控制為所希望的電 平，并在所述驅(qū)動電流中疊加所希望的電平的高頻電流；和控制部，其控制所述電動機和所述激光驅(qū)動部，在高速再生模式下， 將所述光盤的轉(zhuǎn)速設定為比通常再生模式下的轉(zhuǎn)速高，將所述驅(qū)動電流的 電平設定為比通常再生模式下的電平高，將所述高頻電流的電平設定為比 通常再生模式下的電平低。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光盤驅(qū)動裝置，其特征在于， 所述控制部在通常再生模式下，將所述高頻電流設定為接通，在高速再生模式下，將所述高頻電流設定為斷開。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光盤驅(qū)動裝置，其特征在于， 所述激光驅(qū)動部包括向所述驅(qū)動電流疊加所述高頻電流的高頻疊加電路。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光盤驅(qū)動裝置，其特征在于， 所述光盤驅(qū)動裝置還具有用于對照射在所述光盤上的激光的光點的線速度進行檢測的線速度檢測部，所述控制部根據(jù)由所述線速度檢測部檢測出的線速度，控制所述激光 驅(qū)動部。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤驅(qū)動裝置，其特征在于， 在高速再生模式下，照射在所述光盤上的激光的光點的線速度是通常再生模式下的線速度的4倍以上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤驅(qū)動裝置，其特征在于，在高速再生模式下，照射在所述光盤上的激光的功率是通常再生模式下的功率的1.5倍以上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤驅(qū)動裝置，其特征在于， 所述高頻成分的頻率在高速再生模式下，是所述再生信號中包含的最短標記信號的頻率的4倍以下。
10. —種集成電路，配置有光盤驅(qū)動裝置，該光盤驅(qū)動裝置使記錄了 信息的光盤以所希望的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，在具有所希望的功率的激光中疊加所希 望的電平的高頻成分，并向所述光盤照射，從由所述光盤反射來的激光獲 得再生信號，在高速再生模式下，將所述光盤的轉(zhuǎn)速設定為比通常再生模式下的轉(zhuǎn) 速高，將向所述光盤照射的激光的功率設定為比通常再生模式下的功率 高，將所述高頻成分的電平設定為比通常再生模式下的電平低。
11. 一種光盤的再生方法，用于使記錄了信息的光盤以所希望的轉(zhuǎn)速 旋轉(zhuǎn)，在具有所希望的功率的激光中疊加所希望的電平的高頻成分，并向 所述光盤照射，從由所述光盤反射來的激光獲得再生信號，該光盤的再生方法在高速再生模式下，將所述光盤的轉(zhuǎn)速設定為比通 常再生模式下的轉(zhuǎn)速高，將向所述光盤照射的激光的功率設定為比通常再 生模式下的功率高，將所述高頻成分的電平設定為比通常再生模式下的電 平低。
全文摘要
本發(fā)明的光盤驅(qū)動裝置(100)中，電動機(2)使光盤(1)以所希望的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。光拾取器(3)從內(nèi)置的半導體激光器(4)向光盤(1)照射激光(5)，從由光盤(1)反射來的激光取得再生信號(7)。激光驅(qū)動部(8)把半導體激光器(4)的驅(qū)動電流(9)控制為所希望的電平，并在該驅(qū)動電流(9)中疊加所希望的電平的高頻電流(11)。控制部(12)在高速再生模式下，把光盤(1)的轉(zhuǎn)速設定為比通常再生模式下的轉(zhuǎn)速高，把照射到光盤(1)的激光(5)的功率設定為比通常再生模式下的功率高，把高頻電流(11)的電平設定為比通常再生模式下的電平低。
文檔編號G11B7/125GK101283408SQ20068003703
公開日2008年10月8日 申請日期2006年10月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月4日
發(fā)明者古宮成 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社