專利名稱：信息存儲(chǔ)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公Jf^iS:涉及信息存《i^a，尤，及具有熱電模塊的信息剤i^ff。
背景技術(shù)：
糊犬記憶合敘SMA)已應(yīng)用于各種用途，部分原因是因?yàn)樗鼈儠?huì)詢多承受可逆相變。已經(jīng)表明，壓印的SMA薄膜的熱誘導(dǎo)馬氏做目^^許雜納米7K平上幾乎
完全的壓痕恢復(fù)。如果將這樣的j細(xì)作信息存儲(chǔ)介質(zhì)，myf除和觀信肩通
常會(huì)涉及到SMA盼^t加熱和y賴P，因此，壓痕的、鵬將高于和低于SMA的馬氏體相變驗(yàn)。但是，被動(dòng)7賴鵬不太可能獲得期望的 鵬響應(yīng)。財(cái)卜，這種冷卻不會(huì)允許局鵬除存儲(chǔ)的信息。
同樣地，需要提供一種高密度信息剤^g，其具有較決的局部加熱和y賴卩能力c

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明艦提供一種具有較高存儲(chǔ)密度和較feM寫能力的信息剤^B，而基本上解決了上:5^f述的問題和/或缺點(diǎn)。該信息剤^g包括襯底和置于該襯底上的糊犬記憶合金薄膜。i^l犬記憶合金薄膜可以接收、供應(yīng)和存儲(chǔ)數(shù)判言息。在該襯底和該皿記憶合僉薄膜之間納米印刷有一個(gè)或多^電模塊。該熱電?！励_于細(xì)犬記憶合金薄膜± 性鵬除至少部分的數(shù)灘息。


Mii參考以下詳細(xì)描述和附圖可以使本發(fā)明實(shí)施例的目的、特點(diǎn)以及優(yōu)點(diǎn)更
加明顯，其中
圖i對(duì)言息剤ii^a的實(shí)施例的懶軍半示意透視風(fēng)
圖2是漸呈亂描述了禾,信l、剤i^g的實(shí)施例的方法的實(shí)施例。
具體實(shí)船式
本發(fā)明的實(shí)施例將納米壓印、^R記憶合金薄膜和熱電模士賄利鵬且合在信息剤線置中。所相信的是，納米壓印、SMA薄膜和熱電模塊的組合允許高密度存儲(chǔ)以M^信息的個(gè)^f除和重寫能力?，F(xiàn)在參考圖1，顯示了信窗、剤it^g 10的實(shí)施例。驢10通常包括襯底12、設(shè)置于襯底12上的形狀記憶合諷SMA)薄膜14以及襯底12與SMA薄膜14之間納米印刷的一個(gè)或多個(gè)熱電模塊16。
可以理解的是，可以選擇育,允許在其ii內(nèi)米印刷有熱電模i央的招可^i的襯底12。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底12是硅。
如所示，在襯底12上可以納米印刷一個(gè)或多個(gè)熱電模塊16?？梢詢P軍的是，粗可飽的納米印刷工藝可以用來體?！姥?6。這樣的工藝的一個(gè)非限制性例子包括電子束光刻?？梢赃M(jìn)一步Sf率的是，熱電模±央16可以以任意希望的圖案和/^Wt而納米印刷在襯底12表面上。Itl^卜，熱電模塊16可以具有招可合適的厚度。
在一個(gè)實(shí)施例中，將熱電模塊16設(shè)置為薄麟塊。通常地，在襯底12上設(shè)置薄膜熱電模塊16，通常，模塊16通?？梢跃哂蟹秶鸀榇蠹s十^^^一 到約10 的厚度。
如下翻各進(jìn)一步詳細(xì)描述的，熱電模±央16適于要么局部地要么M^地，而選擇M除存儲(chǔ)在SMA薄膜14中的數(shù)^^言息。同樣地，熱電模±央16可以使電引線18和20可操作連接到其上，使得電流可以供輕熱電模塊16。有利地，電流有助于擦除存儲(chǔ)的信息。
在襯底12上設(shè)置糊犬記憶合金薄膜14，使其基本上f魏蟲襯底12和納米壓印于襯底12上的倒可熱電?！姥?6?？梢詌頓樹可魏的^t記憶合金。在一個(gè)實(shí)施例中，SMA薄膜14包含鋁齡金、鐵齢金、銅齡金、鎳基合金中及其混，的至少一種。
招可魏的沉積技術(shù)可以用來體SMA薄膜14。這樣的沉積技術(shù)的非限制
性例賴?yán)ㄎ锢須庀喑练e(物理氣相沉積的非限制性例預(yù)括ai寸、脈沖激光沉積
等鉤、化學(xué)氣相沉積、電化^:積、無電鍍沉積稱或它們的組合。
SMA薄膜14會(huì)的娥收、供應(yīng)和/^#{諸數(shù)^{言息22。在一個(gè)實(shí)施例中，艦納米壓印^g24將數(shù)對(duì)言息22供應(yīng)給SMA薄膜14?？梢詢P率的是，納米壓印裝置24也可以例如以映像模OT于從SMA薄膜14上的不同皿取回存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。在一個(gè)非限制性例子中，SMA薄膜14具有范圍為大約700Gin/in2至伏約900Gin/in2的存儲(chǔ)密度。
現(xiàn)在參考圖2，描述了禾,，10的方法的實(shí)施例。通常地，該方 跑括將信營(yíng)、22納米壓印SMA薄膜14中(如上:^f描述的)，如參考數(shù)字26所示的，并且使一些或全部信息22從SMA薄膜14中擦除，如參考數(shù)字28所示。該方法可進(jìn)一步包括將新信息重寫到SMA薄膜14中，如參考數(shù)字30戶標(biāo)。
更具體地，M^擇性她斜及性電流供應(yīng)給納米印刷在襯底12上的一個(gè)或多個(gè)熱電?！姥?6來完j^人SMA薄膜14 J^f除部分或^P信息22。該極性電流可以Mil可操作連接的電弓踐18和20而傳憩鵬電模塊16?？梢詢P和勺是，在與接收預(yù)定極性的電流的熱電模i央16相鄰近的SMA薄膜14的區(qū)^Udf除1言息22。這樣，信息22可以被局部:feK^:t鵬除，至少部分取決于明P個(gè)(哪些)熱電模塊16接收該極性電流。
可選^i也，該方法可包括將新信息重寫到SMA薄膜14中?？梢詅flit首爐擇性地將相反極性的電流供應(yīng)給接收該極性電流的熱電模決16來^jtS寫?？梢訫31可操作連接的電弓踐18和20將該相反極性的電流供應(yīng)給熱電模塊16。這將基本上確保SMA薄膜14的局離，被^I冷卻到馬氏做目變M以下。然后可以使新的信息，米壓印SMA薄膜14。
可以働和勺是，熱電模塊16育的多經(jīng)受珀耳帖 鵬。在一個(gè)珀耳帖電路中，可在一個(gè)方向上應(yīng)用極性電流，結(jié)果，電路的一面產(chǎn)生熱而另一面吸收熱?？梢岳斫獾氖牵袚Q電流的極I4^生相反 M。熱電模決16的加熱和7賴卩較M:也發(fā)生?？梢岳斫獾氖牵?dāng)熱電模塊16接收M^極性的電流時(shí)，結(jié)果，與熱電模塊16相令P近的SMA薄膜14被ayii也加熱或y賴口。同樣地，可以以較快的皿在SMA薄膜14中完臓除存儲(chǔ)的信息22和窮新信息。在一個(gè)非限制性例子中，可在大約1微妙至伏約900微妙范圍的時(shí)間幀內(nèi)來完 除和重寫。通常，寫時(shí)，在將SMA的、鵬y賴卩到馬氏做目變鵬以下之前，在周圍環(huán)境中的被動(dòng)y賴嚅要大約3併中到5併中。
該，和方法的實(shí)施例包括下述優(yōu)點(diǎn)，但不限于下述優(yōu)點(diǎn)。納米壓印、SMA薄膜14和熱電模i央16的組合允許高密度存儲(chǔ)以，對(duì)言息22的'l^^除和重寫能力。
盡管己經(jīng)詳細(xì)描述了幾個(gè)具體實(shí)施例，但是，對(duì)戰(zhàn)實(shí)施例進(jìn)行修艦本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是很顯然的。因此，前述描鵬當(dāng)被認(rèn)為歸范性的而非限制性的。
權(quán)利要求
1、一種信息存儲(chǔ)裝置，包括襯底；設(shè)置于襯底上的形狀記憶合金薄膜，其中形狀記憶合金薄膜適于以下三種操作中的至少一種操作接收、供應(yīng)和存儲(chǔ)數(shù)字信息；納米印刷在襯底和形狀記憶合金薄膜之間的至少一個(gè)熱電模塊，該至少一個(gè)熱電模塊適于從形狀記憶合金薄膜上選擇性地擦除至少部分的數(shù)字信息。
2、 如權(quán)利要求l戶/M的體，其中糊犬記憶合金薄膜iM內(nèi)米壓印驢來接 收數(shù)雜息。
3、 如權(quán)利要求l戶腿的體，其中i經(jīng)少一個(gè)熱電模土央是薄膜熱電模塊。
4、 如權(quán)利要求1所述的 ，其中該至^"個(gè)熱電模i媳于實(shí)質(zhì)JJl(W地并皿#*接收一個(gè)極性的電流然后接收相反極性的電流。
5、 如禾又利要求1所述的驢，其中i^tit記憶合金薄膜包含鋁齡金、鐵基 合金、銅齡金、纟!S合金和它們的混^t/中的至少一種。
6、 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中形狀記憶合金薄膜具有范圍為大約 700Gin/in2到大約900Gin/in2的存儲(chǔ)密度。
7、 一種從信息剤it^g中擦除信息的方法，該信息存^^a具有在^^記憶合金薄膜中納米壓印的信息，駄飽括將極性電流供應(yīng)給至少一個(gè)熱電模塊，該至少一個(gè)熱電模塊納米印刷在襯底上并體于襯底和^:記憶合金薄膜之間，其中該電流引起在與接收該電流的至A一個(gè)熱電模i央相鄰近的^^記憶合全薄膜 的區(qū)feXW言息的擦除。
8、 如權(quán)利要求7戶腐的方法，其中i維息剤^S包括多個(gè)熱電模塊，并且 其中將該電涼選樹生地供應(yīng)給多個(gè)熱電模塊中的至^"些。
9、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中將該電流供應(yīng)給多個(gè)熱電模塊中的每一個(gè)， 由it謹(jǐn)本J^f除存儲(chǔ)在糊犬記憶合金薄膜中的所有信息。
10、 如權(quán)利要求7所述的方法，其中當(dāng)至^^個(gè)熱電模i娥收預(yù)定極性的電 流時(shí)，i^l犬記憶合金薄M^加熱和^4卩的至A一種。
11、 如權(quán)利要求7所述的方法，其中 除后，該方法進(jìn)一步包^131將相 反極性的電流供應(yīng)給該至少一個(gè)熱電模:t^lel維息S^至'J^^記憶合金薄膜中，然后用新信息，米壓印糊犬記憶合金薄膜。
12、 如權(quán)利要求7鵬勺方法，其中am可操作連接到至少一個(gè)熱電模塊 的至少一個(gè)電弓|線將電流傳邀射亥至少一個(gè)熱電?！繼|^^供應(yīng)該電流。
13、 一種利用具有至少一個(gè)熱電模i央的信息剤f^置的方法，該電辦對(duì)央納米印刷在襯底和糊犬記憶合金薄膜之間，該方' 飽括.-榭言肩i內(nèi)米壓印到^R記憶合金薄膜中；并且M:將極性電流供應(yīng)給至A一個(gè)熱電模i姊引起與該至少一個(gè)熱電模塊相鄰近的形狀記憶合金薄膜的區(qū)ilth至少部^息的擦除。
14、 如禾又利要求13所述的方法，進(jìn)一步包 1將相反極性電流供應(yīng)纟射@ 少一個(gè)熱電模塊來將新信息S^到開^t記憶合金薄膜中，然后用新信息 米壓 印微記憶合金薄膜。
15、 如權(quán)利要求14所述的方法，其中ffl3^人可操作雜到至少一個(gè)熱電模土央 的至少一個(gè)電弓踐將電流傳邀^M少一個(gè)熱電?！繼^^;供應(yīng)該極性電流和供應(yīng)該相反極性的電流。
16、 如權(quán)利要求14所述的方法，其中當(dāng)該至少一個(gè)熱電?！蓝鹗疹A(yù)定極性的 電流時(shí)，加熱或y賴嶼i絰少一個(gè)熱電模塊相鄰近的糊犬記憶合金薄膜的區(qū)域。
17、 如權(quán)利要求14所述的方法，其中信息剤il^g包括多個(gè)熱電模塊，并且其中選擇性地將該極性電流和該相反極性的電流中的至少一^M共應(yīng)給熱電模塊中 的至^一些。
18、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中在引皿除前，i亥方法進(jìn)一步包括將電 弓踐可操作連接到至少一個(gè)熱電模塊。
19、 如權(quán)利要求14所述的方法，其中擦除和重寫在大約1微秒到大約900微 秒范圍的時(shí)間幀內(nèi)發(fā)生。
全文摘要
一種信息存儲(chǔ)裝置，包含襯底和置于該襯底上的形狀記憶合金薄膜。該形狀記憶合金薄膜可以接收、供應(yīng)和存儲(chǔ)數(shù)字信息。該襯底和該形狀記憶合金薄膜之間納米印刷有一個(gè)或多個(gè)熱電膜塊。該熱電模塊適于從形狀記憶合金薄膜上選擇性地擦除至少部分的數(shù)字信息。
文檔編號(hào)G11B3/00GK101484940SQ200680037796
公開日2009年7月15日 申請(qǐng)日期2006年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月12日
發(fā)明者D·D·斯奈德, 楊繼輝, 鄭仰澤 申請(qǐng)人:通用汽車環(huán)球科技運(yùn)作公司