專(zhuān)利名稱(chēng)：磁記錄介質(zhì)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有凹凸圖案的記錄層的磁記錄介質(zhì)的制造方法。
背景技術(shù)：
到目前為止，硬盤(pán)等磁記錄介質(zhì)，通過(guò)對(duì)構(gòu)成記錄層的磁性粒子的微細(xì)化、材料的變更、磁頭加工的微細(xì)化等的改良，實(shí)現(xiàn)了面記錄密度的顯著提高，并且期待著今后進(jìn)一步提高面記錄密度，但由于磁頭的加工極限、磁頭的記錄磁場(chǎng)的擴(kuò)散，向與記錄對(duì)象的軌道相鄰的軌道錯(cuò)誤地進(jìn)行信息的記錄、和再現(xiàn)時(shí)的串?dāng)_等問(wèn)題變得明顯，利用以往的改良方法的面記錄密度的提高已到極限。
對(duì)此，作為可以實(shí)現(xiàn)面記錄密度的進(jìn)一步提高的磁記錄介質(zhì)的候補(bǔ)，提出了以凹凸圖案形成記錄層、作為凹凸圖案的凸部而形成了記錄要素的離散軌道介質(zhì)或晶格介質(zhì)。另一方面，硬盤(pán)等磁記錄介質(zhì)中，為了使磁頭的懸浮高度穩(wěn)定，很重視表面的平坦性。因此，提出了用填充材料填充記錄要素之間的凹部，來(lái)對(duì)記錄要素和填充材料的上表面進(jìn)行平坦化的磁記錄介質(zhì)(例如參照J(rèn)P特開(kāi)平9-97419號(hào)公報(bào))。
作為將記錄層加工為凹凸圖案的方法，可以利用干式蝕刻等加工方法。作為用填充材料填充凹部并對(duì)記錄要素和填充材料的上表面進(jìn)行平坦化的方法，可以利用這樣的方法以濺射法、CVD(Chemical Vapor Deposition化學(xué)氣相沉積)法、IBD(Ion Beam Deposition離子束沉積)法等在凹凸圖案的記錄層上使填充材料成膜來(lái)填充記錄要素之間的凹部，然后用干式蝕刻除去成膜于記錄要素的上表面的上側(cè)(與基板的相反側(cè))的剩余的填充材料。
為了獲得記錄層的良好的磁特性，優(yōu)選以不對(duì)記錄要素的上表面進(jìn)行加工的方式來(lái)完全地除去剩余的填充材料。即，優(yōu)選以加工終點(diǎn)與記錄要素的上表面一致的方式來(lái)控制平坦化工序的干式蝕刻。
干式蝕刻時(shí)，通過(guò)二次離子質(zhì)譜分析法(SIMS(Secondary-Ion MassSpectrometry))或四極質(zhì)譜分析法(QMS(Quadrupole Mass Spectrometry))能夠檢測(cè)出從被加工體被除去而飛散的記錄要素所包含的元素，并通過(guò)檢測(cè)出記錄要素所包含的元素而停止加工，從而相對(duì)記錄要素的上表面能夠?qū)⒓庸そK點(diǎn)的波動(dòng)抑制在數(shù)nm的范圍內(nèi)。另外，二次離子質(zhì)譜分析法或四極質(zhì)譜分析法是基于其質(zhì)量數(shù)來(lái)檢測(cè)出被檢測(cè)材料所包含的元素的方法。
但是，為了用二次離子質(zhì)譜分析法或四極質(zhì)譜分析法檢測(cè)出記錄要素所包含的元素，不僅剩余的填充材料需要進(jìn)行蝕刻，記錄要素也需要進(jìn)行蝕刻。因此，記錄要素的上部附近的數(shù)nm左右的部分確實(shí)地被蝕刻了，從而擔(dān)心磁特性惡化。
相對(duì)于此，在半導(dǎo)體的領(lǐng)域中，公知有這樣的技術(shù)在相當(dāng)于記錄要素的從蝕刻中應(yīng)保護(hù)的部分之上使被檢測(cè)材料成膜，通過(guò)檢測(cè)出被檢測(cè)材料所包含的元素而停止蝕刻(例如，參照J(rèn)P特開(kāi)2003-078185號(hào)公報(bào))。
在磁記錄介質(zhì)的領(lǐng)域中，也期待著能夠利用該技術(shù)，在凹凸圖案的記錄層之上使被檢測(cè)材料成膜，通過(guò)在蝕刻至被檢測(cè)材料為止、以及剛開(kāi)始檢測(cè)出被除去而飛散的被檢測(cè)材料所包含的元素之后立即停止蝕刻、或者在被檢測(cè)出的被檢測(cè)材料的元素消失了之后立即停止蝕刻，由此以蝕刻不涉及到記錄要素的方式來(lái)除去剩余的填充材料。
但是，即使是相同種類(lèi)的元素也會(huì)存在混合了質(zhì)量數(shù)不同的同位素原子的情況。此外，即使是質(zhì)量數(shù)相同的原子也存在混合了元素種類(lèi)不同的原子的情況。因此在用二次離子質(zhì)譜分析法或四極質(zhì)譜分析法檢測(cè)出被檢測(cè)材料所包含的規(guī)定的元素時(shí)，即使是這個(gè)種類(lèi)的元素的原子，質(zhì)量數(shù)與假定的質(zhì)量數(shù)不同的同位素原子實(shí)際上作為該元素而沒(méi)有被檢測(cè)出來(lái)。此外，即使是與該元素不同種類(lèi)的元素的原子，只要質(zhì)量數(shù)與假定的質(zhì)量數(shù)相等，則就會(huì)作為該元素而錯(cuò)誤地被檢測(cè)出來(lái)。因此，存在很難明確地檢測(cè)出蝕刻涉及到被檢測(cè)材料的時(shí)刻或者被檢測(cè)材料完全被除去的時(shí)刻的情況。
因此，即使基于被檢測(cè)材料所包含的元素的檢測(cè)結(jié)果而停止蝕刻，也仍然存在如下情況實(shí)際上蝕刻并沒(méi)有涉及到被檢測(cè)材料；或者雖然被檢測(cè)材料已經(jīng)完全從被加工體上被除去了，但是還進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻而導(dǎo)致記錄要素被蝕刻。
此外，由于記錄要素和填充材料的材料不同，相對(duì)蝕刻的加工速度一般也不同，所以通過(guò)將填充記錄要素之間的凹部的填充材料與記錄要素一起進(jìn)一步蝕刻，從而會(huì)在記錄要素的上表面和填充材料的上表面之間產(chǎn)生數(shù)nm左右的臺(tái)階差。由于在面記錄密度高的離散軌道介質(zhì)或晶格介質(zhì)的情況下，假設(shè)有5～15nm左右的微小的磁頭懸浮高度，因此，即使是數(shù)nm左右的臺(tái)階差也能夠成為磁頭碰撞等問(wèn)題的原因。另外，雖然這樣的數(shù)nm左右的臺(tái)階差在半導(dǎo)體制造過(guò)程中也同樣會(huì)產(chǎn)生，但是由于在半導(dǎo)體的情況下沒(méi)有磁頭碰撞等的問(wèn)題，所以數(shù)nm左右的臺(tái)階差一般不會(huì)成為問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于以上的問(wèn)題點(diǎn)而提出的，其目的在于提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，能夠制造具有凹凸圖案的記錄層的、表面充分平坦的、記錄/再現(xiàn)特性良好的磁記錄介質(zhì)。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明在被加工體之上使填充材料成膜而填充記錄要素之間的凹部，該被加工體具有基板、在該基板之上以規(guī)定的凹凸圖案形成并形成有記錄要素作為該凹凸圖案的凸部的記錄層、形成在該記錄層的至少記錄要素之上的被檢測(cè)材料，向被加工體的表面照射加工用氣體，來(lái)除去填充材料以及被檢測(cè)材料中的、記錄要素的上表面的上側(cè)的部分的至少一部分，從而將表面平坦化，并且，將從被加工體被除去而飛散的被檢測(cè)材料所包含的元素基于其質(zhì)量數(shù)而檢測(cè)出來(lái)，并基于該被檢測(cè)材料所包含的元素的檢測(cè)結(jié)果而停止加工用氣體的照射，作為被檢測(cè)材料，使用包含Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中的任意一個(gè)元素的材料。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明在被加工體之上使第二填充材料成膜，該被加工體具有基板、在該基板之上以規(guī)定的凹凸圖案形成并形成有記錄要素作為該凹凸圖案的凸部的記錄層、形成在該記錄層之上并且至少局部地填充記錄要素之間的凹部第一填充材料、形成在該第一填充材料之上的被檢測(cè)材料，向被加工體的表面照射加工用氣體，來(lái)除去第一填充材料、被檢測(cè)材料以及第二填充材料中的、記錄要素的上表面的上側(cè)的部分的至少一部分，從而將表面平坦化，并且，將從被加工體被除去而飛散的被檢測(cè)材料所包含的元素基于其質(zhì)量數(shù)而檢測(cè)出來(lái)，并基于該被檢測(cè)材料所包含的元素的檢測(cè)結(jié)果而停止加工用氣體的照射，作為被檢測(cè)材料，使用包含Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中的任意一個(gè)元素的材料。
Al、Y、Nb、Rh、Tb、Au、Bi的質(zhì)量數(shù)為一種且不存在同位素。此外，Zr、Ag、Ta雖然存在多個(gè)同位素，但是不存在質(zhì)量數(shù)與其主要質(zhì)量數(shù)(在自然界中存在比率最高的同位素的質(zhì)量數(shù))相等的其他種類(lèi)的元素。此外，雖然Ti、In、W存在多個(gè)同位素，并且存在質(zhì)量數(shù)與主要質(zhì)量數(shù)相等的Ca、Sn、Os，但是Ca、Sn、Os也存在多個(gè)同位素，質(zhì)量數(shù)與Ti、In、W的主要質(zhì)量數(shù)相等的Ca、Sn、Os的同位素在自然界中(相對(duì)于Ca、Sn、Os的所有原子)存在比率微小。
因此，通過(guò)基于Al、Y、Nb、Rh、Tb、Au、Bi的質(zhì)量數(shù)或者Zr、Ag、Ta、Ti、In、W的主要質(zhì)量數(shù)來(lái)檢測(cè)被檢測(cè)材料，而能夠高靈敏度而正確地檢測(cè)出被檢測(cè)材料被蝕刻了。
即，利用如下的本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)上述的目的。
(1)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，依次執(zhí)行以下的工序填充材料成膜工序，在被加工體之上使填充材料成膜而填充記錄要素之間的凹部，該被加工體具有基板、在該基板之上以規(guī)定的凹凸圖案形成并且作為該凹凸圖案的凸部而形成上述記錄要素的記錄層、以及在該記錄層的至少上述記錄要素之上形成的被檢測(cè)材料；平坦化工序，向上述被加工體的表面照射加工用氣體，來(lái)除去上述填充材料以及上述被檢測(cè)材料中的、上述記錄要素上表面的上側(cè)部分的至少一部分，從而將表面平坦化，并且，將從上述被加工體被除去而飛散的上述被檢測(cè)材料所包含的元素基于其質(zhì)量數(shù)而檢測(cè)出來(lái)，并基于該被檢測(cè)材料所包含的元素的檢測(cè)結(jié)果而停止上述加工用氣體的照射，作為上述被檢測(cè)材料，使用包含有Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中任意一種元素的材料。
(2)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，依次執(zhí)行以下的工序第二填充材料成膜工序，在被加工體之上使第二填充材料成膜，該被加工體具有基板、在該基板之上以規(guī)定的凹凸圖案形成并且作為該凹凸圖案的凸部而形成記錄要素的記錄層、形成在該記錄層之上并且至少局部地填充上述記錄要素之間的凹部的第一填充材料以及形成在該第一填充材料之上的被檢測(cè)材料；平坦化工序，向上述被加工體的表面照射加工用氣體，來(lái)除去上述第一填充材料、上述被檢測(cè)材料以及上述第二填充材料中的、上述記錄要素上表面的上側(cè)部分的至少一部分，從而將表面平坦化，并且，將從上述被加工體被除去而飛散的上述被檢測(cè)材料所包含的元素基于其質(zhì)量數(shù)而檢測(cè)出來(lái)，并基于該被檢測(cè)材料所包含的元素的檢測(cè)結(jié)果而停止上述加工用氣體的照射，作為上述被檢測(cè)材料，使用包含有Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中任意一種元素的材料。
(3)如技術(shù)方案(1)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述記錄層的至少上述記錄要素之上使非氧化物成膜而形成上述被檢測(cè)材料，并使用氧化物作為上述填充材料。
(4)如技術(shù)方案(2)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述第一填充材料之上使非氧化物成膜而形成上述被檢測(cè)材料，并使用氧化物作為上述第一填充材料以及上述第二填充材料中的至少一種。
(5)如技術(shù)方案(1)或(2)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，作為上述被檢測(cè)材料，使包含有Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中任意一種元素的氧化物的材料成膜而形成上述被檢測(cè)材料。
(6)如技術(shù)方案(1)至(5)的任意一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，作為被檢測(cè)材料，使用只包含一種金屬元素的材料，該金屬元素是從Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中選擇出的一種元素。
(7)如技術(shù)方案(1)至(6)的任意一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述平坦化工序中，通過(guò)二次離子質(zhì)譜分析法和四極質(zhì)譜分析法中的任意一種，將上述被檢測(cè)材料所包含的元素基于其質(zhì)量數(shù)而檢測(cè)出來(lái)。
另外，在本申請(qǐng)中，所謂“以規(guī)定的凹凸圖案形成并且作為該凹凸圖案的凸部而形成記錄要素的記錄層”，除了連續(xù)記錄層按規(guī)定的圖案被分割為多個(gè)記錄要素的記錄層之外，還具有例如軌道形狀的記錄要素彼此在端部連續(xù)的記錄層或者記錄要素是螺旋狀的旋渦形狀的記錄層那樣的在基板上部分地被形成的記錄層、凹部被形成到厚度方向的中途而基板側(cè)的面連續(xù)的記錄層、依照凹凸圖案的基板或者下層的表面而形成的連續(xù)的記錄層、在凹凸圖案的基板或下層的凸部的上表面以及凹部的底面上被分割而形成的記錄層。
此外，在本申請(qǐng)中，所謂“形成在記錄要素之上的被檢測(cè)材料”不限定于與記錄要素接觸而直接形成在記錄要素之上的被檢測(cè)材料，還包含經(jīng)由形成在記錄要素之上的其它層而間接地形成在記錄要素之上的被檢測(cè)材料的意義。
此外，在本申請(qǐng)中，所謂“記錄要素的上表面”是指記錄層中的與基板相反側(cè)的面。
還有，本申請(qǐng)中，“磁記錄介質(zhì)”這樣的術(shù)語(yǔ)的意思是不限于信息的記錄、讀取中只利用磁的硬盤(pán)、軟盤(pán)(注冊(cè)商標(biāo))、磁帶等，還包括并用磁和光的MO(Magneto Optical)等光磁記錄介質(zhì)及并用磁和熱的熱輔助型的記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明，能夠制造具有凹凸圖案的記錄層、表面充分平坦、記錄/再生特性良好的磁記錄介質(zhì)。


圖1是示意性地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的被加工體的坯體的構(gòu)造的側(cè)剖面圖。
圖2是示意性地表示加工該被加工體而得到的磁記錄介質(zhì)的構(gòu)造的側(cè)剖面圖。
圖3是表示該磁記錄介質(zhì)的制造工序的概要的流程圖。
圖4是示意性地表示被轉(zhuǎn)印在上述被加工體的坯體的抗蝕層上的凹凸圖案的側(cè)剖面圖。
圖5是示意性地表示成膜了被檢測(cè)材料的上述被加工體的側(cè)剖面圖。
圖6是示意性地表示成膜了填充材料的上述被加工體的側(cè)剖面圖。
圖7是示意性地表示在平坦化工序中蝕刻涉及到記錄要素之上的被檢測(cè)材料的上述被加工體的側(cè)剖面圖。
圖8是示意性地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的、被檢測(cè)材料僅在記錄要素之上形成的被加工體的側(cè)剖面圖。
圖9是示意性地表示在平坦化工序中蝕刻涉及到記錄要素之上的被檢測(cè)材料的該被加工體的側(cè)剖面圖。
圖10是示意性地表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的、成膜了被檢測(cè)材料的被加工體的側(cè)剖面圖。
圖11是示意性地表示成膜了第二填充材料的該被加工體的側(cè)剖面圖。
圖12是示意性地表示在平坦化工序中蝕刻涉及到記錄要素之上的被檢測(cè)材料的該被加工體的側(cè)剖面圖。
圖13是示意性地表示在平坦化工序中蝕刻涉及到凹部之上的被檢測(cè)材料的該被加工體的側(cè)剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
本發(fā)明的第一實(shí)施方式，對(duì)在如圖1所示的基板12之上形成連續(xù)記錄層20而構(gòu)成的被加工體10的坯體實(shí)施加工，由此將連續(xù)記錄層20如圖2所示那樣地分割為多個(gè)記錄要素32A，而制作具有規(guī)定的凹凸圖案的記錄層32以及在記錄層32之上形成的被檢測(cè)材料44的被加工體10，在被檢測(cè)材料44之上使填充材料36成膜而填充記錄要素32A之間的凹部34，除去相比記錄要素32A的上表面的上側(cè)的剩余的被檢測(cè)材料44以及填充材料36而將表面平坦化，從而制造出磁記錄介質(zhì)30，其特征在于被檢測(cè)材料44。關(guān)于其他的工序，對(duì)于理解本第一實(shí)施方式來(lái)說(shuō)并不重要所以適當(dāng)?shù)挠枰允÷浴?br> 如圖1所示的被加工體10的坯體為在基板12之上依次形成有基底層14、反鐵磁性層15、軟磁性層16、取向?qū)?8、連續(xù)記錄層20、第一掩模層22、第二掩模層24、抗蝕層26的結(jié)構(gòu)。
基板12的材料是玻璃、Al2O3(氧化鋁)等?；讓?4的厚度為2～40nm，材料是Ta等。反鐵磁性層15的厚度為5～50nm，材料是PtMn合金、RuMn合金等。軟磁性層16的厚度為50～300nm，材料是Fe(鐵)合金或Co(鈷)合金。取向?qū)?8的厚度為2～40nm，材料是非磁性的CoCr合金、Ti、Ru、Ru和Ta的層壓體、MgO等。
連續(xù)記錄層20的厚度為5～30nm，材料是CoCr合金。第一掩模層22的厚度為3～50nm，材料是C(碳)。第二掩模層24的厚度為1～30nm，材料是Ni?？刮g層26的厚度為30～300nm，材料是樹(shù)脂。
磁記錄介質(zhì)30是垂直記錄型的離散軌道介質(zhì)。
記錄層32的記錄要素32A，在數(shù)據(jù)區(qū)域以同心圓弧狀的軌道的形狀在直徑方向上以微細(xì)的間隔被形成多個(gè)。另外，記錄要素32A在伺服區(qū)域中，以包含接觸孔的規(guī)定的伺服圖案而被形成。
作為填充材料36可以使用SiO2(二氧化硅)等。填充材料36優(yōu)選非磁性材料。此外，填充材料36優(yōu)選氧化物。
在記錄要素32A以及填充材料36之上依次形成有保護(hù)層38、潤(rùn)滑層40。保護(hù)層38的材料是被稱(chēng)為類(lèi)金剛石碳的硬質(zhì)碳膜。潤(rùn)滑層40的材料是PFPE(全氟聚醚)。
下面，按照?qǐng)D3所示的流程圖，說(shuō)明磁記錄介質(zhì)30的制造方法。
首先，執(zhí)行被加工體制作工序(S102)。具體地說(shuō)，加工圖1所示的被加工體10的坯體，制作如圖5所示那樣被加工體10，該被加工體具有在基板12之上以凹凸圖案形成并且作為該凹凸圖案的凸部而形成記錄要素32A的記錄層32、以及形成在記錄層32之上的被檢測(cè)材料44。
被加工體10的坯體，是在基板12之上按基底層14、反鐵磁性層15、軟磁性層16、取向?qū)?8、連續(xù)記錄層20、第一掩模層22、第二掩模層24的順序通過(guò)濺射法而形成的，進(jìn)一步，通過(guò)旋涂法進(jìn)行涂敷而得到抗蝕層26。
在該被加工體10的坯體的抗蝕層26上，利用轉(zhuǎn)印裝置(省略圖示)，如圖4所示，通過(guò)納米壓印法，轉(zhuǎn)印與記錄層32的凹凸圖案相當(dāng)?shù)陌纪箞D案，并通過(guò)將O2或O3氣體作為反應(yīng)氣體的反應(yīng)性離子束蝕刻，除去凹部底部的抗蝕層26。另外，還可以通過(guò)對(duì)抗蝕層26進(jìn)行曝光、顯影來(lái)將抗蝕層26加工為凹凸圖案。
接下來(lái)，通過(guò)利用Ar氣體的離子束蝕刻，除去凹部底部的第二掩模層24。進(jìn)一步，通過(guò)利用SF6氣體的反應(yīng)性離子蝕刻，除去凹部底部的第一掩模層22。接下來(lái)，通過(guò)利用Ar氣體的離子束蝕刻，除去凹部底部的連續(xù)記錄層20，并將連續(xù)記錄層20分割成多個(gè)記錄要素32A。另外，在記錄要素32A之上殘存的第一掩模層通過(guò)利用SF6氣體的反應(yīng)性離子蝕刻而除去。
接著，通過(guò)濺射法，使非氧化物在記錄層32之上成膜而形成被檢測(cè)材料44。作為非氧化物，使用包含Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中的任意一個(gè)元素的材料。另外，被檢測(cè)材料44也可以是例如AL2O3等包含Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中的任意一個(gè)元素的氧化物的材料。被檢測(cè)材料44優(yōu)選僅包含一種金屬元素并且該金屬元素是從Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中選擇出來(lái)的一個(gè)元素的材料。例如，被檢測(cè)材料44優(yōu)選是只由Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中的一個(gè)單體元素構(gòu)成的材料或者只由這些元素中的一個(gè)元素的氧化物構(gòu)成的材料。另外，雖然被檢測(cè)材料44可以包含微量的其他的元素和化合物，但是優(yōu)選不包含構(gòu)成記錄層32和填充材料36的元素。
被檢測(cè)材料44依照著記錄層32的表面的凹凸而成膜在記錄要素32A的上表面、側(cè)面以及凹部34的底面上。在考慮到制造效率的情況下，被檢測(cè)材料44的厚度優(yōu)選為5nm以下。
由此，得到如圖5所示的被加工體10，該被加工體具有基板12、在基板12之上以凹凸圖案形成并且作為該凹凸圖案的凸部而形成記錄要素32A的記錄層32以及形成在記錄層32之上的被檢測(cè)材料44。
接著，執(zhí)行填充材料成膜工序(S104)。具體地說(shuō)，通過(guò)偏壓濺射法，如圖6所示，使填充材料36成膜在被檢測(cè)材料44之上。因?yàn)橐獙⑻畛洳牧?6的粒子均勻地堆積在被加工體10的表面上，所以表面成為凹凸形狀，但是通過(guò)給被加工體10施加偏壓，濺射氣體向被加工體10的方向被加載來(lái)碰撞完成了堆積的填充材料36，從而對(duì)完成了堆積的填充材料36的一部分進(jìn)行蝕刻。因?yàn)樵撐g刻作用具有將完成了堆積的填充材料36中的突出的部分從其端部開(kāi)始比其他部分(周邊的未突出的部分)更早的選擇性除去的傾向，所以記錄要素32A之上的表面的凸部相比記錄要素32A，寬度減少。通過(guò)使成膜作用超出蝕刻作用，而在抑制表面的凹凸的同時(shí)進(jìn)行成膜。作為填充材料36可以使用SiO2等。
另外，在使非氧化物成膜而形成被檢測(cè)材料44時(shí)，優(yōu)選填充材料36是SiO2那樣的氧化物。通過(guò)讓氧化物的填充材料36與使非氧化物成膜而形成的被檢測(cè)材料44的上表面接觸而成膜，填充材料36中的氧擴(kuò)散到被檢測(cè)材料44的上表面，從而被檢測(cè)材料44的上表面的部分被氧化。
接著，執(zhí)行平坦化工序(S106)。具體地說(shuō)，通過(guò)離子束蝕刻，如圖7中的箭頭所示，從相對(duì)被加工體10的表面的法線傾斜的方向照射Ar氣體等加工用氣體，除去被檢測(cè)材料44以及填充材料36中的、記錄要素32A的上表面的上側(cè)(與基板12的相反側(cè))的部分。這樣，通過(guò)從相對(duì)被加工體10的表面的法線傾斜的方向照射加工用氣體，相比凹部而快速地除去凸部的傾向變高。
此時(shí)，通過(guò)二次離子質(zhì)譜分析法、四極質(zhì)譜分析法等檢測(cè)出從被加工體10被除去而飛散的被檢測(cè)材料44所包含的元素，基于被檢測(cè)材料44所包含的元素的檢測(cè)結(jié)果而停止加工用氣體的照射，從而停止蝕刻。例如，在開(kāi)始檢測(cè)出被檢測(cè)材料44所包含的元素的時(shí)刻、被檢測(cè)材料44所包含的元素的檢測(cè)量到達(dá)了規(guī)定的基準(zhǔn)值的時(shí)刻或者當(dāng)一旦被檢測(cè)出來(lái)的被檢測(cè)材料44所包含的元素實(shí)質(zhì)上消失(不能被檢測(cè)出來(lái))的時(shí)刻，停止加工用氣體的照射，從而停止蝕刻。
此外，也可以從被檢測(cè)材料44的成分的檢測(cè)量達(dá)到了預(yù)先設(shè)定好的基準(zhǔn)值的時(shí)刻開(kāi)始，經(jīng)過(guò)規(guī)定的時(shí)間之后，而停止加工用氣體的照射。
如表1所示，Al、Y、Nb、Rh、Tb、Au、Bi的質(zhì)量數(shù)為一種，且不存在同位素。此外，Zr、Ag、Ta雖然存在多個(gè)同位素，但是不存在質(zhì)量數(shù)與主要質(zhì)量數(shù)(在自然界中存在比率最高的同位素的質(zhì)量數(shù))相等的其他種類(lèi)的元素。
另一方面，雖然Ti存在多個(gè)同位素，并且存在質(zhì)量數(shù)與主要質(zhì)量數(shù)48相等的Ca，但是質(zhì)量數(shù)為48的Ca的同位素在自然界中(相對(duì)于Ca的所有的原子)的存在比率約為0.19％，是非常微小的。此外，雖然In也存在多個(gè)同位素，并且存在質(zhì)量數(shù)與主要質(zhì)量數(shù)115相等的Sn，但是質(zhì)量數(shù)為115的Sn的同位素在自然界中(相對(duì)于Sn的所有的原子)的存在比率也約為0.4％，是非常微小的。此外，雖然W也存在多個(gè)同位素，并且存在質(zhì)量數(shù)與主要質(zhì)量數(shù)186相等的Os，但是質(zhì)量數(shù)為186的Os的同位素在自然界中(相對(duì)于Os的所有的原子)的存在比率也為約1.6％，是非常微小的。
表1

因此，通過(guò)基于Al、Y、Nb、Rh、Tb、Au、Bi的質(zhì)量數(shù)、或者Zr、Ag、Ta、Ti、In、W的同位素中在自然界中存在比率最高的同位素的質(zhì)量數(shù)來(lái)檢測(cè)出飛散的被檢測(cè)材料44，從而能夠高靈敏度且正確地檢測(cè)出被檢測(cè)材料44被蝕刻了。
另外，二次離子質(zhì)譜分析法和四極質(zhì)譜分析法，相比蝕刻單體元素時(shí)的元素檢測(cè)量，在蝕刻其氧化物時(shí)的元素的檢測(cè)量變大。因此，通過(guò)使用Al2O3等含有Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中任一個(gè)元素的氧化物的材料作為被檢測(cè)材料44，由此能夠增大被檢測(cè)材料44的檢測(cè)量。此外，例如，作為被檢測(cè)材料44，使由Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中任一個(gè)單體元素生成的非氧化物成膜而形成被檢測(cè)材料44，作為填充材料36使用氧化物而使被檢測(cè)材料44的上表面附近的部分氧化，在該情況下，也可以增大被檢測(cè)材料44的檢測(cè)量。另外，在被檢測(cè)材料44的一部分或者全部為氧化物的情況下，也基于Al、Y、Nb、Rh、Tb、Au、Bi的單體元素的質(zhì)量數(shù)、或者Zr、Ag、Ta、Ti、In、W的同位素中在自然界中存在比率最高的同位素的質(zhì)量數(shù)，來(lái)檢測(cè)出飛散的被檢測(cè)材料44。
此外，Al2O3、Zr、Nb、Ta、W，相對(duì)離子束蝕刻的蝕刻速率比較低。因此，通過(guò)使用Al2O3、Zr、Nb、Ta、W作為被檢測(cè)材料44，而能夠使控制停止離子束蝕刻的時(shí)機(jī)變得容易，能夠以高精度使加工終點(diǎn)與記錄要素32A的上表面附近的目標(biāo)位置一致。
表2表示在下述條件下的Al2O3、Zr、Nb、Ta、W相對(duì)離子束蝕刻的蝕刻速率以及作為填充材料36的材料的SiO2相對(duì)離子束蝕刻的蝕刻速率。
加工用氣體Ar電子束流電流1100mA電子束電壓700V離子束的入射角2。
表2

進(jìn)而，Al2O3、Zr、Nb、Ta、W相對(duì)離子束蝕刻，與凹部相比，凸部較快地被除去的傾向比較高。因此，通過(guò)使用Al2O3、Zr、Nb、Ta、W作為被檢測(cè)材料44也能夠提高平坦化效果。
因?yàn)槟軌蛞愿呔惹艺_地檢測(cè)出被檢測(cè)材料44被蝕刻了，所以能夠以高精度使蝕刻停止在記錄要素32A的上表面附近。
接著，通過(guò)CVD法使保護(hù)層38以1～5nm的厚度在記錄要素32A以及填充材料36的上表面成膜(S108)，進(jìn)而，通過(guò)浸漬法在保護(hù)層38之上以1～2nm的厚度使?jié)櫥瑢?0成膜(S110)。由此，完成上述圖2所示的磁記錄介質(zhì)30。另外，雖然被檢測(cè)材料44的一部分殘存在凹部34內(nèi)，但是，Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W都是非磁性的，并且它們的一個(gè)元素的氧化物也是非磁性的，因此不影響記錄層32的磁特性。
接著，說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式。
在上述第一實(shí)施方式中，在被加工體制作工序(S102)中，將連續(xù)記錄層20加工成凹凸圖案的記錄層32，除去殘存在記錄要素32A之上的第一掩模層22之后使被檢測(cè)材料44在記錄層32之上成膜，被檢測(cè)材料44不僅形成在記錄要素32A的上表面，也形成在記錄要素32A的側(cè)面和凹部34的底面上，由此制作了被加工體10，相對(duì)于此，在本第二實(shí)施方式中制作被加工體10的特征在于，使用包含Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中任一個(gè)元素的材料作為第一掩模層的材料，在被加工體制作工序中(S102)，以不除去殘存在記錄要素32A之上的第一掩模層而將其作為被檢測(cè)材料44來(lái)利用，如圖8所示那樣，被檢測(cè)材料44僅被形成在記錄要素32A的上表面上。另外，在本第二實(shí)施方式中，被檢測(cè)材料44沒(méi)有殘存在凹部34內(nèi)。
關(guān)于其他方面，因?yàn)榕c上述第一實(shí)施方式相同，所以使用與第一實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記，并適當(dāng)省略其說(shuō)明。
這樣，在不除去殘存在記錄要素32A之上的第一掩模層而將其作為被檢測(cè)材料44來(lái)利用的情況下，如圖9所示那樣，通過(guò)蝕刻被檢測(cè)材料44而能夠以高靈敏度且正確地檢測(cè)出被檢測(cè)材料所包含的元素，因此能夠使蝕刻以高精度停止在記錄要素32A的上表面附近的目標(biāo)位置。
接著，說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施方式。
在上述第一實(shí)施方式中，在被加工體制作工序(S102)中，在記錄層32之上直接形成了被檢測(cè)材料44，相對(duì)于此，在本第三實(shí)施方式中，特征在于，如圖10所示，在記錄層32之上使第一填充材料37成膜而填充凹部34之后，在第一填充材料37之上形成被檢測(cè)材料44。關(guān)于其他的工序，因?yàn)榕c上述第一實(shí)施方式相同，所以使用與第一實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記，并適當(dāng)省略其說(shuō)明。
具體來(lái)說(shuō)，在被加工體制作工序(S102)中，通過(guò)偏壓濺射法，以完全填充凹部34的方式在記錄層32之上使第一填充材料37以凹部34的深度以上的厚度(凹部34中的厚度)成膜。作為第一填充材料37，可以與上述第一實(shí)施方式的填充材料36相同地使用SiO2等。以一定程度抑制了表面的凹凸的形狀將第一填充材料37以覆蓋記錄層32的方式而成膜。接著，通過(guò)濺射法，在第一填充材料37之上使與上述第一實(shí)施方式相同的非氧化物成膜而形成被檢測(cè)材料44。由此，得到如圖10所示那樣的被加工體10，該被加工體具有基板12、在基板12之上以規(guī)定的凹凸圖案形成并且作為該凹凸圖案的凸部而形成記錄要素32A的記錄層32、形成在記錄層32之上而填充記錄要素32A之間的凹部34的第一填充材料37以及形成在第一填充材料37之上的被檢測(cè)材料44。
接著，在填充材料成膜工序(S104)，如圖11所示，在被檢測(cè)材料44之上使第二填充材料46成膜。作為第二填充材料46，可以與第一填充材料37相同地使用SiO2等。此外，在使非氧化物成膜而形成被檢測(cè)材料44、并使用氧化物作為第一填充材料37、第二填充材料46時(shí)，被檢測(cè)材料44的上表面以及下表面的部分通過(guò)第一填充材料37、第二填充材料46中的氧的擴(kuò)散而被氧化。
接著，在平坦化工序(S106)中，如圖12中箭頭所示，從相對(duì)被加工體10的表面的法線傾斜的方向照射Ar氣體等加工用氣體，而除去在第一填充材料37、被檢測(cè)材料44以及第二填充材料46中的、記錄要素32A的上表面的上側(cè)(與基板12的相反側(cè))的部分。
此時(shí)，與上述第一實(shí)施方式相同地通過(guò)二次離子質(zhì)譜分析法、四極質(zhì)譜分析法等檢測(cè)出從被加工體10被除去而飛散的被檢測(cè)材料44所包含的元素，基于被檢測(cè)材料44所包含的元素的檢測(cè)結(jié)果來(lái)停止加工用氣體的照射，從而停止蝕刻。
具體來(lái)說(shuō)，如圖13所示，當(dāng)凹部34之上的被檢測(cè)材料44露出來(lái)時(shí)，凹部34之上的被檢測(cè)材料44大部分同時(shí)被蝕刻，因此，被檢測(cè)材料44所包含的元素的飛散量顯著增大。因此，能夠明確地檢測(cè)出被檢測(cè)材料44所包含的元素。
此外，在第一填充材料37之上使非氧化物成膜而形成被檢測(cè)材料44，并使用氧化物作為第一填充材料37、第二填充材料46時(shí)，因?yàn)楸粰z測(cè)材料44的上表面以及下表面的部分在第一填充材料37、第二填充材料46中的氧的擴(kuò)散下被氧化，所以在被檢測(cè)材料44的上表面以及下表面附近的部分被蝕刻的時(shí)候，被檢測(cè)材料44所包含的元素特別明確地被檢測(cè)出來(lái)。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，如果使用氧化物作為第二填充材料46，則被檢測(cè)材料44的上表面附近的部分被氧化，因此檢測(cè)出被檢測(cè)材料44開(kāi)始飛散的時(shí)刻變得容易。此外，如果使用氧化物作為第一填充材料37，則被檢測(cè)材料44的下表面附近的部分被氧化，因此檢測(cè)出被檢測(cè)材料44消失的時(shí)刻變得容易。
因?yàn)樵诒镜谌龑?shí)施方式中也能夠以高靈敏度且正確地檢測(cè)出被檢測(cè)材料44被蝕刻了，所以能夠以高精度使蝕刻在記錄要素32A的上表面附近的目標(biāo)位置停止。
在本第三實(shí)施方式中，雖然第一填充材料37以凹部34的深度以上的厚度被成膜而完全地填充了凹部34，但是也可以使第一填充材料37以薄于凹部34的深度而成膜，在該第一填充材料37之上使被檢測(cè)材料44以及第二填充材料46成膜來(lái)完全填充凹部34。此時(shí)，基于記錄要素32A之上的被檢測(cè)材料44所包含的元素的檢測(cè)結(jié)果來(lái)停止加工用氣體的照射，從而停止蝕刻。
另外，在第一填充材料37以凹部34的深度以上的厚度被成膜而完全地填充了凹部34的情況下，雖然成膜在被檢測(cè)材料44之上的第二填充材料46不填充凹部34，但是像這樣在第一填充材料37以凹部34的深度以上的厚度被成膜而完全地填充了凹部34時(shí)，為了方便，在本發(fā)明中也使用“第二填充材料”的叫法。
此外，在上述第一至第三實(shí)施方式中，雖然作為填充材料36、第一填充材料37以及第二填充材料46而列舉了SiO2，但是作為填充材料36、第一填充材料37以及第二填充材料46也可以使用其他的材料。此外，在使非氧化物成膜而形成被檢測(cè)材料44時(shí)，優(yōu)選填充材料36、第一填充材料37以及第二填充材料46是氧化物。
此外，在上述第一至第三實(shí)施方式中，作為平坦化工序(S106)的干式蝕刻，列舉了使用Ar氣體的離子束蝕刻，但是如果是給被加工體的表面照射加工用氣體的干式蝕刻，則也可以采用使用了Kr、Xe等其他的稀有氣體的離子束蝕刻，進(jìn)而還可以采用例如使用了SF6、CF4、C2F6等鹵素類(lèi)反應(yīng)氣體的反應(yīng)性離子蝕刻、使用了反應(yīng)氣體和稀有氣體的混合氣體的反應(yīng)性離子蝕刻等其他的干式蝕刻。另外，加工用氣體優(yōu)選從相對(duì)被加工體的表面的法線傾斜的方向進(jìn)行照射。
此外，在上述第一至第三實(shí)施方式中，在平坦化工序(S106)中，作為檢測(cè)出從被加工體10被除去而飛散的被檢測(cè)材料44所包含的元素的方法，舉例了二次離子質(zhì)譜分析法或四極質(zhì)譜分析法，但是，只要能夠?qū)谋患庸んw10被除去而飛散的被檢測(cè)材料44所包含的元素、即Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W基于其質(zhì)量數(shù)而高精度地檢測(cè)出來(lái)，也可以采用其他的方法。
此外，在上述第一至第三實(shí)施方式中，通過(guò)偏壓濺射法，使填充材料36、第一填充材料37以及第二填充材料46成膜，但是，也可以使用例如不施加偏置功率的濺射法、CVD法、IBD法等其他的成膜方法，來(lái)使第一填充材料37、第二填充材料46成膜。
此外，在上述第一至第三實(shí)施方式中，僅在平坦化工序(S106)對(duì)被加工體10的表面進(jìn)行平坦化，但是也可以在平坦化工序(S106)之后例如使其他的層成膜，進(jìn)而通過(guò)干式蝕刻等進(jìn)行平坦化加工。
此外，在上述第一至第三實(shí)施方式中，連續(xù)記錄層20(記錄要素32A)的材料是CoCr合金，但是，也可以使用例如含有鐵族元素(Co、Fe、Ni)的其他合金、它們的層壓體等其他材料。
此外，在上述第一以及第二實(shí)施方式中，被檢測(cè)材料44與記錄要素32A接觸而直接形成在記錄要素32A之上，但是也可以如上述第三實(shí)施方式那樣地經(jīng)由在記錄要素32A之上形成的其他層而使被檢測(cè)材料44間接地形成在記錄要素32A之上。
此外，在上述第一至第三實(shí)施方式中，在連續(xù)記錄層20之下形成有基底層14、反鐵磁性層15、軟磁性層16、取向?qū)?8，但是連續(xù)記錄層20之下的層的結(jié)構(gòu)也可以根據(jù)磁記錄介質(zhì)的種類(lèi)而進(jìn)行適當(dāng)變更。例如，也可以省略基底層14、反鐵磁性層15、軟磁性層16、取向?qū)?8中的一個(gè)或者兩個(gè)以上的層。此外，也可以在基板上直接地形成連續(xù)記錄層。
此外，在上述第一至第三實(shí)施方式中，磁記錄介質(zhì)30的記錄層32等僅形成在基板12的一面上，但是本發(fā)明也適用于基板兩面都具備記錄層的雙面記錄式的磁記錄介質(zhì)的制造。
此外，在上述第一至第三實(shí)施方式中，磁記錄介質(zhì)30是記錄層32在軌道的徑方向以微細(xì)的間隔被分割的垂直記錄型的離散軌道介質(zhì)，但是本發(fā)明也適用于制造記錄層在軌道的周方向(扇區(qū)的方向)以微細(xì)的間隔被分割的磁盤(pán)、在軌道的徑方向和周方向這兩個(gè)方向上以微細(xì)的間隔被分割的晶格介質(zhì)、具有凹凸圖案的連續(xù)的記錄層的PERM(Pre-Embossed RecordingMedium)類(lèi)型的磁盤(pán)、記錄層成為螺旋形狀的磁盤(pán)。此外，本發(fā)明還適用于面內(nèi)記錄型的具有記錄層的磁記錄介質(zhì)的制造。此外，本發(fā)明還適用于制造MO等光磁盤(pán)、兼用磁和熱的熱輔助型的磁盤(pán)、進(jìn)而還適用于制造磁帶等盤(pán)形狀以外的具有凹凸圖案的記錄層的磁記錄介質(zhì)。
本發(fā)明可以用于制造例如離散軌道介質(zhì)、或晶格介質(zhì)等具有凹凸圖案的記錄層的磁記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，依次執(zhí)行以下的工序填充材料成膜工序，在被加工體之上使填充材料成膜而填充記錄要素之間的凹部，該被加工體具有基板、在該基板之上以規(guī)定的凹凸圖案形成并且作為該凹凸圖案的凸部而形成上述記錄要素的記錄層、以及在該記錄層的至少上述記錄要素之上形成的被檢測(cè)材料；平坦化工序，向上述被加工體的表面照射加工用氣體，來(lái)除去上述填充材料以及上述被檢測(cè)材料中的、上述記錄要素上表面的上側(cè)部分的至少一部分，從而將表面平坦化，并且，將從上述被加工體被除去而飛散的上述被檢測(cè)材料所包含的元素基于其質(zhì)量數(shù)而檢測(cè)出來(lái)，并基于該被檢測(cè)材料所包含的元素的檢測(cè)結(jié)果而停止上述加工用氣體的照射，作為上述被檢測(cè)材料，使用包含有Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中任意一種元素的材料。
2.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，依次執(zhí)行以下的工序第二填充材料成膜工序，在被加工體之上使第二填充材料成膜，該被加工體具有基板、在該基板之上以規(guī)定的凹凸圖案形成并且作為該凹凸圖案的凸部而形成記錄要素的記錄層、形成在該記錄層之上并且至少局部地填充上述記錄要素之間的凹部的第一填充材料以及形成在該第一填充材料之上的被檢測(cè)材料；平坦化工序，向上述被加工體的表面照射加工用氣體，來(lái)除去上述第一填充材料、上述被檢測(cè)材料以及上述第二填充材料中的、上述記錄要素上表面的上側(cè)部分的至少一部分，從而將表面平坦化，并且，將從上述被加工體被除去而飛散的上述被檢測(cè)材料所包含的元素基于其質(zhì)量數(shù)而檢測(cè)出來(lái)，并基于該被檢測(cè)材料所包含的元素的檢測(cè)結(jié)果而停止上述加工用氣體的照射，作為上述被檢測(cè)材料，使用包含有Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中任意一種元素的材料。
3.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述記錄層的至少上述記錄要素之上使非氧化物成膜而形成上述被檢測(cè)材料，并使用氧化物作為上述填充材料。
4.如權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述第一填充材料之上使非氧化物成膜而形成上述被檢測(cè)材料，并使用氧化物作為上述第一填充材料以及上述第二填充材料中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，使包含有Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中任意一種元素的氧化物的材料成膜而形成上述被檢測(cè)材料。
6.如權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，使包含有Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中任意一種元素的氧化物的材料成膜而形成上述被檢測(cè)材料。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，作為被檢測(cè)材料，使用只包含一種金屬元素的材料，該金屬元素是從Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中選擇出的一種元素。
8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述平坦化工序中，通過(guò)二次離子質(zhì)譜分析法和四極質(zhì)譜分析法中的任意一種，將上述被檢測(cè)材料所包含的元素基于其質(zhì)量數(shù)而檢測(cè)出來(lái)。
9.如權(quán)利要求7所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述平坦化工序中，通過(guò)二次離子質(zhì)譜分析法和四極質(zhì)譜分析法中的任意一種，將上述被檢測(cè)材料所包含的元素基于其質(zhì)量數(shù)而檢測(cè)出來(lái)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，能夠制造具有凹凸圖案的記錄層、表面充分平坦、記錄/再現(xiàn)特性良好的磁記錄介質(zhì)。在具有在基板之上以規(guī)定的凹凸圖案形成并形成有記錄要素作為凸部的記錄層、以及形成在記錄層之上的被檢測(cè)材料的被加工體之上，使填充材料成膜而填充凹部，向被加工體的表面照射加工用氣體，來(lái)除去記錄要素的上表面的上側(cè)的填充材料以及被檢測(cè)材料，從而將表面平坦化，檢測(cè)從被加工體被除去而飛散的被檢測(cè)材料所包含的元素，基于該被檢測(cè)材料所包含的元素的檢測(cè)結(jié)果而停止加工用氣體的照射。作為被檢測(cè)材料，使用包含Al、Y、Zr、Nb、Rh、Ag、Tb、Ta、Au、Bi、Ti、In、W中任意一個(gè)元素的材料。
文檔編號(hào)G11B5/855GK101025934SQ20071000517
公開(kāi)日2007年8月29日 申請(qǐng)日期2007年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月23日
發(fā)明者諏訪孝裕, 島川和也 申請(qǐng)人:Tdk股份有限公司