專利名稱：氣密密封的磁頭磁盤組件和使用釬焊材料密封的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及一種直接存取的存儲設(shè)備的領(lǐng)域，更具體地說，涉及密封的磁頭磁盤組件和通過對已有組件的新穎設(shè)計而獲得的半氣密以及氣密密封的方法。
背景技術(shù)：
直接存取的存儲設(shè)備(DASD)已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ畹囊徊糠郑瑯?，對于能夠以更快速度處理?shù)據(jù)并能夠更多地保存數(shù)據(jù)的期望和需求也不斷地增加。為了滿足這些對于提升性能的需求，人們對DASD設(shè)備中的機(jī)械組件，尤其是磁頭磁盤組件(HDA)進(jìn)行了許多的改進(jìn)。
圖1A示出HDA110的各組件和次級組件的關(guān)系，并示出記錄于磁盤表面135上的數(shù)據(jù)軌136。封蓋已被去除并且沒有示出，從而能夠看到HDA110的內(nèi)部。各組件被組裝到基座鑄件113上，該基座鑄件為各組件以及次級組件提供了安裝和對齊點。數(shù)據(jù)以同心環(huán)的圖案，也就是所知的數(shù)據(jù)軌136的形式，被記錄在磁盤表面135上。磁盤表面135通過馬達(dá)-輪轂組件130以高速旋轉(zhuǎn)。磁頭156將數(shù)據(jù)軌136記錄在磁盤表面135上，所述磁頭一般位于滑塊155的末端。圖1A為平面圖，其中只圖示了一個磁頭和一個磁盤表面的聯(lián)合。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，所描述的應(yīng)用于單磁頭-磁盤組合中的技術(shù)也可應(yīng)用于多磁頭-磁盤組合中。本發(fā)明不受磁頭-磁盤組合數(shù)量的限制?；瑝K155和相應(yīng)的磁頭156連接在磁頭萬向架組件(HGA)150上。HGA150連接到致動器140內(nèi)，所述致動器包括至少一個臂146、樞轉(zhuǎn)軸承145和音圈(voice coil)143。臂146將HGA150支撐在磁盤表面135上。樞轉(zhuǎn)軸承145允許致動器140平滑精確地旋轉(zhuǎn)。致動器140通過音圈143和磁體125之間產(chǎn)生的電動力(emf)使HGA150在磁盤表面135上精確地移動。emf是當(dāng)電流流經(jīng)音圈并接近磁體125時所產(chǎn)生的力。圖中只圖示了磁體125的底。磁體125的頂和底被連接到一起作為極片(pole piece)組件120。極片組件120與音圈143一起組成了音圈馬達(dá)(VCM)。通過產(chǎn)生受控emf，該VCM通過致動器140定位磁頭156。電流從控制器117流經(jīng)音圈143。為了產(chǎn)生所需大小的emf，從控制器117流出電流的所需量，由相對于數(shù)據(jù)軌136的位置信息(儲存于圖1A中未示出的另一個電子元件中)和儲存于數(shù)據(jù)軌136中的位置信息確定。由控制器117發(fā)出的用于存取數(shù)據(jù)軌136的電子命令經(jīng)過撓性導(dǎo)線(flex cable)118進(jìn)入音圈143。對磁頭156位置的少量修正由從數(shù)據(jù)軌136所取回的信息確定。這個取回的信息被送回到控制器117，使得定位能夠進(jìn)行少量的修正并且可以將適合的電流從控制器117送到音圈143。一旦所需的數(shù)據(jù)軌被定位，那么通過經(jīng)過連接器111和撓性導(dǎo)線118的電信號，數(shù)據(jù)被取回或者被處理。連接器111是允許數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)移到HDA110內(nèi)或者轉(zhuǎn)移出去的電子接口。
HDA110的動態(tài)特性是為了獲得更高的信息容量和更快的處理這些信息速度的主要機(jī)械因素。HDA110的動態(tài)特性取決于其中的各個單獨(dú)組件和次級組件的動態(tài)特性。許多影響動態(tài)特性的因素是單獨(dú)的組件所固有的?？偟膩碚f，這些固有因素中的一些因素為組件質(zhì)量；組件硬度；以及組件的幾何形狀。這不是一個包括所有因素的清單，受過工程或HDA技術(shù)方面培訓(xùn)的人應(yīng)了解許多其它影響HDA110組件和次級組件的動態(tài)特性的因素。
記錄在磁盤表面135上的數(shù)據(jù)軌136的量部分地由下述因素確定磁頭156定位得如何，以及磁頭在所需的數(shù)據(jù)軌136上穩(wěn)定得如何。數(shù)據(jù)軌136的量是存儲數(shù)據(jù)的量的直接指標(biāo)。雖然致動器140內(nèi)的組件的質(zhì)量、硬度和幾何形狀直接地影響磁頭的穩(wěn)定定位，但是施加在致動器140及其組件上的振動能量也是磁頭156的穩(wěn)定定位的主要因素。如果振動能量過量，則振動能量會將振蕩運(yùn)動傳遞給致動器140并且使磁頭156從數(shù)據(jù)軌136上的預(yù)期位置移開。
施加在致動器140上的振動能量有幾個來源。通過基座鑄件113進(jìn)入HDA110并影響致動器140的穩(wěn)定性的外部振動能量。由HDA110內(nèi)部的旋轉(zhuǎn)組件和次級組件產(chǎn)生的內(nèi)部振動能量。馬達(dá)-輪轂組件130能夠?qū)⒄駝幽芰客ㄟ^基座鑄件113轉(zhuǎn)移進(jìn)入致動器140。旋轉(zhuǎn)磁盤表面135可以將振動運(yùn)動直接轉(zhuǎn)移到磁頭136，并導(dǎo)致磁頭脫離數(shù)據(jù)軌136。樞轉(zhuǎn)軸承145也可以將振動能量轉(zhuǎn)移到致動器140上，并從而轉(zhuǎn)移到磁頭136上。人們關(guān)注著在次級組件和組件的設(shè)計中所有的振動能量的潛在來源。HDA110內(nèi)部的另一個振動能量的來源是HDA100內(nèi)部氣氛的運(yùn)動以及這些氣氛運(yùn)動與次級組件和組件之間的相互作用。
圖1B中所示的是圖1A中所描述的HDA110在組裝過程中的各組件和次級組件之間的關(guān)系。圖1B中包括了封蓋115和磁體125。
HDA的設(shè)計者們已經(jīng)認(rèn)識到需要對HDA內(nèi)部的氣氛進(jìn)行控制。可以控制氣氛的濕度，如引證的美國專利6,762,909所述，或者控制氣氛的氣體組分?？紤]到前文所述的HDA內(nèi)部氣氛沖擊HDA組件并轉(zhuǎn)移振動能量的問題，人們認(rèn)識到，低密度氣體如氦(He)具有將較少能量分到HDA組件上的優(yōu)點。眾所周知，物體所受到的空氣動力與產(chǎn)品的密度及其承受沖擊流體速度的乘積成正比。得益于He的低密度，在HDA內(nèi)部氣體沖擊HDA內(nèi)部組件時，將會向HDA組件轉(zhuǎn)移較小的升力和拉力。
一旦在HDA內(nèi)部引入所需的氣氛或氣體混合物，那么所述氣氛或氣體混合物就必須被容納或保持。美國專利申請2003/0081349給出了，如何在不能容納氣體混合物時從存儲器和閥系統(tǒng)中補(bǔ)充氣體混合物的方法。重點是一旦設(shè)定了，它就容納了一個氣體混合物。在氣體或氣氛中的通用術(shù)語“容納”和“密封”是氣密式密封。部分密封(partial containment)是指半氣密密封。氣密密封采用幾種形式。更多的注意力都集中在通過不同方式的焊接將HDA密封上。通常，焊接是一種組裝技術(shù)，通過焊接將待結(jié)合的兩部分連接到一起，待結(jié)合兩部分的結(jié)合表面被加熱到高過它們?nèi)刍瘻囟鹊某潭?，或者施加具有相似組分的熔化材料或者直接施加熱量到結(jié)合表面上。美國專利6,762,909中提到使用焊接作為獲得氣密密封的方法。焊接所需要的高溫使得上述專利所述的方法難于應(yīng)用于HDA的氣密密封中。在美國專利申請2003/0223148和日本專利JP8161881中給出了其它制造焊接氣密密封的方法。2003/0223148中提到使用激光焊接作為獲得焊接氣密密封的方法。日本專利JP8161881中給出了焊接金屬帶的使用。
氣密密封還被描述為能夠使用金屬的折疊或與覆蓋密封材料相結(jié)合的卷邊方法來獲得。卷邊的處理過程是，薄板被放置在一起，使得它們在邊緣處相互搭接，然后通過將相互搭接的邊緣折疊起來而相互連接。美國專利US4,367,503和6,556,372都給出了在邊緣具有覆蓋材料的金屬卷邊方法的變化。
次級封裝和封蓋也已經(jīng)在本領(lǐng)域中被描述。美國專利申請2003/0179489給出了使用結(jié)構(gòu)封蓋以及密封封蓋提供氣密密封的方法，其中所述結(jié)構(gòu)封蓋提供半氣密密封，所述密封封蓋連接到基座鑄件上并且位于結(jié)構(gòu)的封蓋之上。日本專利JP5062446給出了將通常的傳統(tǒng)HDA置于氣密地密封的外部容器之內(nèi)的方法。
上文中所提到的技術(shù)中的挑戰(zhàn)包括，但是并不限于由于焊接所需高溫所導(dǎo)致的HDA組件和次級組件的扭曲；為了適應(yīng)焊接而造成的對基材和封蓋的材料選擇的限制；為了將HDA組件和次級組件與焊接溫度隔離的復(fù)加組件的使用；由于HDA組件和次級組件的失敗引起的可能需要的重新操作。

發(fā)明內(nèi)容
本文中描述了本發(fā)明的不同的實施例。密封的磁頭磁盤組件具有基座鑄件，該基座鑄件為磁頭磁盤組件的主要組件提供了安裝點。該基座鑄件具有圍繞著所述基座鑄件外圍的半氣密密封，并且允許該半氣密密封與封蓋上的至少一個互補(bǔ)表面相鄰接。封蓋，用于將磁頭磁盤組件的主要組件封閉，所述封蓋在用于上述半氣密密封的互補(bǔ)表面的周邊的外部具有氣密密封，從而允許該氣密密封與基座鑄件上的至少一個互補(bǔ)表面鄰接。


下述附圖，被并入對本發(fā)明的詳細(xì)描述以及實施例的圖解之中，并構(gòu)成其中的一部分。所述附圖與下述描述一起被用于解釋本發(fā)明的理論。
圖1A為封蓋和頂部磁體被去除的HDA的平面圖；圖1B為HDA的等比例分解圖；圖2為本發(fā)明中包括的封蓋和基座鑄件的等比例分解圖；圖3為本發(fā)明中包括的封蓋的平面圖；圖4為本發(fā)明中包括的基座鑄件的平面圖；圖5為本發(fā)明中包括的基座鑄件、封蓋和螺釘?shù)慕孛嬉晥D；圖6為本發(fā)明中包括的處理過程的流程圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的目標(biāo)是解決前文中所引用的現(xiàn)有技術(shù)中所提出的挑戰(zhàn)，也就是在組裝和測試過程中獲得撓性，使所需組件的數(shù)量最小化，使與制造氣密密封的HDA有關(guān)的成本影響最小化。
本發(fā)明給出了一種組件設(shè)計和組裝技術(shù)，通過上述設(shè)計和技術(shù)，半氣密和氣密密封相互串聯(lián)。半氣密密封與氣密密封的串聯(lián)允許發(fā)生在所需的氣氛中出現(xiàn)的HDA的建立和測試，上述所需氣氛是使用臨時性半氣密密封的。氣氛由氣體混合物、特定的氣體或者空氣中發(fā)現(xiàn)的典型氣體所定義。一旦HDA完成其建立和測試過程，氣密密封被激活，所需的氣氛被永久地密封在HDA中。參照圖2，封蓋215與HDA110的現(xiàn)有技術(shù)類似。氣密性密封(圖2中未示出)連接在封蓋215的表面208上。所述氣密密封305(參見圖3)連接在封蓋215的內(nèi)部表面208的外圍上。所述氣密密封305與基座鑄件213上的互補(bǔ)表面212相鄰接。
圖5圖示了分別朝向互補(bǔ)表面322和212對齊的半氣密密封244和氣密密封305。連接在封蓋215內(nèi)的氣密密封305朝向基座鑄件213上的表面212調(diào)整并對齊。連接在基座鑄件213內(nèi)的半氣密密封244調(diào)整并對齊封蓋215上的表面322。構(gòu)造在封蓋215中的多個螺釘201和多個與之相配的螺孔202朝向基座鑄件213上的至少一個互補(bǔ)表面和封蓋215上的至少一個互補(bǔ)表面，調(diào)整和對齊氣密密封305和半氣密密封244。構(gòu)造在封蓋215中的多個螺孔202至少在其一個邊緣上沒有得到支撐。如圖5所示，螺釘201導(dǎo)致封蓋215的區(qū)域515a中出現(xiàn)變形，從而提供彈力，以允許朝向基座鑄件213上的互補(bǔ)表面212對齊連接在封蓋215上的氣密密封305，以及允許朝向封蓋215的互補(bǔ)表面215對齊連接在基座鑄件213上的半氣密密封244。半氣密密封244的材料是彈性聚合物。
所引用的現(xiàn)有技術(shù)中的主要挑戰(zhàn)是為了將封蓋與基座鑄件焊接起來以制造出氣密密封所需的峰值熱量。本發(fā)明介紹了通過兩種方法完成氣密密封。
第一種完成氣密密封的方法是使用工業(yè)上公知的連接技術(shù)，如釬焊。釬焊涉及熔化第三材料來將兩種材料結(jié)合。釬焊材料的熔化溫度一般低于待連接材料的熔點。一旦釬焊材料開始熔化，采用釬焊的氣密密封將會在HDA內(nèi)制造出密封的氣氛。
也可以采用兩種具有不同組分的材料。如果一個或者兩個待結(jié)合的表面是不能使用釬焊材料進(jìn)行熔合的，就在與釬焊材料互補(bǔ)的表面上施加涂覆層。本發(fā)明中給出的優(yōu)選方法是使用釬焊合金作為釬焊材料。釬焊合金中的常見成分為錫(Sn)。釬焊合金包括但不限于以下類型Sn-Pb、Sn-Ag、Sn-Ag-Cu和Sn-Bi。如果需要，封蓋和基座鑄件的表面通過工業(yè)上所熟知的電鍍或者真空沉積處理被制造成與釬焊材料互補(bǔ)。
本發(fā)明不限于使用釬焊材料進(jìn)行釬焊。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以認(rèn)識到，還有許多種采用不同金屬、合金以及塑料的釬焊方法。圖3描述了一個實施例，釬焊材料305被施加在圍繞封蓋215的周圍?？梢岳斫?，能夠通過不同的技術(shù)來完成釬焊材料322的施加，這些技術(shù)包括但不限于電鍍，真空處理，焊錫膏，在圖5所示的互補(bǔ)表面522a上放置釬焊材料322的預(yù)型件，或者將互補(bǔ)表面522a放入熔化的釬焊材料中浸泡。
第二種完成氣密密封的方法是使用適合的液體粘結(jié)材料。通常，適合的粘結(jié)材料為反應(yīng)性的交聯(lián)聚合物。一種常見的反應(yīng)性交聯(lián)聚合物是環(huán)氧樹脂，但是出于本發(fā)明的目的，反應(yīng)性交聯(lián)聚合物還包括粘合劑，所述粘合劑在受到加熱或者催化劑催化時，發(fā)生反應(yīng)并凝固，從而導(dǎo)致發(fā)生交聯(lián)過程。
氣密密封305的激活依賴于制造氣密密封305的材料。本發(fā)明不受激活氣密密封305方法的約束。一些常見的通過加熱激活的例子包括激光加熱、烙鐵、感應(yīng)加熱、加熱爐以及紅外線輻射。其它的激活例子為施加化學(xué)藥品以制造一個用于氣密密封305激活的互補(bǔ)表面。用于這種方法中的化學(xué)藥品一般被認(rèn)為是引子。
圖2和圖4圖示了定位在圍繞于基座鑄件213外圍的半氣密密封244。應(yīng)當(dāng)理解，半氣密密封與氣密密封相串聯(lián)可以被設(shè)計成多種結(jié)合方式。例如(當(dāng)然本發(fā)明并不限于這些例子)氣密密封和半氣密密封都整合在封蓋上；氣密密封和半氣密密封都整合在鑄件上；氣密密封整合在基座鑄件上同時半氣密密封整合在封蓋上；氣密密封整合在封蓋上同時半氣密密封整合在基座鑄件上。
與提供基座鑄件113和封蓋115之間的氣密密封一起，在基座鑄件113和連接器111之間，以及基座鑄件113和馬達(dá)-輪轂組件130之間也必須設(shè)置氣密密封。這些組件的密封在其它的領(lǐng)域中有所說明且超出了本發(fā)明的范圍。
無論是將氣密密封305整合到封蓋215上，還是將氣密密封305整合到基座鑄件213上，還是將半氣密密封244整合到封蓋215上，或者將半氣密密封244整合到基座鑄件213上，整合過程都如圖6所示。
圖6為處理過程600的流程圖，其中具體的步驟按照本發(fā)明的實施例而進(jìn)行，以通過釬焊材料將磁頭磁盤組件氣密地密封。圖6包括了本發(fā)明的處理過程，在本發(fā)明的一個實施例中，該處理過程通過處理器、電組件以及在計算機(jī)的可讀指令和計算機(jī)可執(zhí)行指令的控制之下的組裝機(jī)構(gòu)而運(yùn)行。計算機(jī)可讀和計算機(jī)可執(zhí)行指令位于，例如，數(shù)據(jù)存儲部分中，如計算機(jī)可用的非固定存儲器和/或計算機(jī)可用的固定存儲器和/或數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。然而，計算機(jī)可讀和計算機(jī)可執(zhí)行指令可以存在于任何計算機(jī)可讀的媒介之中。雖然特定的步驟已經(jīng)在處理過程600中公開，但是這些步驟是示范性的。也就是說，本發(fā)明也能很好地適用于與圖6中所述步驟不同的步驟，或者圖6中所述步驟的變化步驟。在本實施例中，應(yīng)當(dāng)理解，處理過程600的步驟可以通過人的交互作用由軟件、硬件、組裝機(jī)構(gòu)來實現(xiàn)，或者由軟件、硬件、組裝機(jī)構(gòu)和類的交互作用之間的任意組合來實現(xiàn)。
在處理過程600的步驟610中，按照本發(fā)明的一個實施例，硬盤驅(qū)動器110的HDA組件和次級組件被組裝在基座鑄件113上(如圖1A和1B所示)。
在處理過程600的步驟620中，按照本發(fā)明的一個實施例，封蓋215被連接在基座鑄件213上(如圖2所示)。
在處理過程600的步驟630中，按照本發(fā)明的一個實施例，一種氣氛被導(dǎo)入HDA。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以意識到有許多種方法和技術(shù)都能夠?qū)夥找際DA中。
在處理過程600的步驟640中，氣氛被引入HDA之后，開始測試HDA。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠意識到有許多種不同的標(biāo)準(zhǔn)、方法和技術(shù)專門用于HDA的測試。
在處理過程600的步驟680中，如果HDA通過所述特定的測試，則處理過程600進(jìn)行到步驟690。如果HDA沒有通過所述特定測試，則處理過程600進(jìn)行到步驟660。
在處理過程600的步驟690中，按照本發(fā)明的一個實施例，氣密密封被激活。在一個實施例中，可以使用激光加熱來激活氣密密封?？蛇x擇地，氣密密封的激活可以通過下述方法獲得，但不限于下述方法如烙鐵、加熱爐、紅外線輻射，或者按照本發(fā)明的另一個實施例，施加化學(xué)藥品或引子。
在步驟650中，如果HDA沒有通過所述特定的測試，則處理過程600進(jìn)行到步驟660。
在處理過程600的步驟660中，按照本發(fā)明的一個實施例，所述封蓋，例如，圖1B所示的封蓋115或者圖2所示封蓋215，分別從所述基座鑄件，例如，圖1B所示基座鑄件113或者基座鑄件213上被去除。
在處理過程600的步驟670中，對那些沒有通過特定測試的HDA元件和/或組件進(jìn)行修理。一旦有問題的元件和組件被適當(dāng)?shù)匦蘩?，處理過程600就返回步驟620，在步驟620封蓋被重新結(jié)合到基座鑄件上。
按照本發(fā)明的一個實施例，完成處理過程500的步驟520后，處理過程600返回到步驟630。
有利地，在本發(fā)明不同表現(xiàn)形式的實施例中，允許HDA的氣密密封，并且不排除在測試過程失敗的情況下重新操作HDA。有利地，在本發(fā)明的不同表現(xiàn)形式的實施例中，允許在通過對類似于現(xiàn)有技術(shù)中的組件的新穎設(shè)計且不需要在HDA中增加更多的組件的情況下，來實現(xiàn)HDA的氣密密封的成本效率。
出于解釋和說明的目的，前文已經(jīng)介紹了本發(fā)明的特定實施例。這些實施例的目的不是用于徹底地說明或者將本發(fā)明限制在所公開的特定形式上，顯然，按照本申請的上述給出，能夠進(jìn)行許多不同的改變和變形。被選中和描述的實施例是為了更好地解釋本發(fā)明的理論及其實際應(yīng)用，因而使得其它本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠更好的利用本發(fā)明及其具有不同改變的各種實施例，以適于特定的應(yīng)用目的。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書及其等同物確定。
相關(guān)申請本申請涉及由David Albrecht等人于2003年9月29日申請的名為“氣密密封的電子排列和入口”的No.10/673,593號美國專利申請。
本申請涉及由Michael Hatchet等人于2006年2月9日申請的名為“氣密密封的硬盤組件和使用釬焊材料密封的方法”的第11/351,440號共同審理中的美國專利申請，該申請受讓于本發(fā)明的受讓人，代理人案卷編號HSJ9-20040378US1。
本申請涉及由Michael Hatchet等人于2006年2月9日申請的名為“氣密密封的硬盤組件和使用釬焊材料密封的方法”的第11/352,086號共同審理中的美國專利申請，該申請受讓于本發(fā)明的受讓人，代理人案卷編號HSJ9-20050228US1。
本申請涉及由Michael Hatchet等人于2006年2月9日申請的名為“氣密密封的硬盤組件和使用釬焊材料密封的方法”的第11/352,101號共同審理中的美國專利申請，該申請受讓于本發(fā)明的受讓人，代理人案卷編號HSJ9-20050229US1。
權(quán)利要求
1.一種密封的磁頭磁盤組件，其包括基座鑄件，用于為所述磁頭磁盤組件的主要組件提供安裝點，所述基座鑄件包括圍繞在所述基座鑄件外圍的半氣密密封，從而允許所述半氣密密封與封蓋的至少一個互補(bǔ)表面鄰接；所述封蓋，用于封閉所述磁頭磁盤組件的所述主要組件，所述封蓋包括氣密密封，所述氣密密封位于用于上述半氣密密封的所述互補(bǔ)表面的周邊外側(cè)，從而允許所述氣密密封與所述基座鑄件上的至少一個互補(bǔ)表面鄰接。
2.如權(quán)利要求1所述的密封的磁頭磁盤組件，其中，所述半氣密密封允許在組裝的不同階段去除所述封蓋，并進(jìn)行測試。
3.如權(quán)利要求1所述的密封的磁頭磁盤組件，其中，在組裝和測試操作結(jié)束之后，所述氣密密封一旦激活就會在所述磁頭磁盤組件內(nèi)實現(xiàn)密封的氣氛。
4.如權(quán)利要求1所述的密封的磁頭磁盤組件，其中，還包括在所述氣密密封的所述周邊的外側(cè)用于將所述封蓋連接至所述基座鑄件的螺釘。
5.如權(quán)利要求1所述的密封的磁頭磁盤組件，其中，所述半氣密密封為彈性聚合物。
6.如權(quán)利要求1所述的密封的磁頭磁盤組件，其中，所述氣密密封為釬焊材料。
7.如權(quán)利要求1所述的密封的磁頭磁盤組件，其中，所述氣密密封由預(yù)成型的釬焊材料形成。
8.如權(quán)利要求1所述的密封的磁頭磁盤組件，其中，所述氣密密封由焊錫膏形成。
9.如權(quán)利要求1所述的密封的磁頭磁盤組件，其中，所述氣密密封是反應(yīng)性交聯(lián)聚合物。
10.一種用于磁頭磁盤組件用以提供氣密密封和半氣密密封的基座鑄件，所述基座鑄件包括所述氣密密封的互補(bǔ)表面；圍繞在所述基座鑄件周圍的所述半氣密密封。
11.如權(quán)利要求10所述的密封的基座鑄件，其中，所述半氣密密封為彈性聚合物。
12.一種用于磁頭磁盤組件用以提供氣密密封和半氣密密封的封蓋，其包括所述半氣密密封的至少一個互補(bǔ)表面；圍繞在所述封蓋周圍的所述氣密密封。
13.如權(quán)利要求12所述的封蓋，其中，用于將所述封蓋緊固到所述基座鑄件上的螺孔在至少一個邊緣上未被支撐，從而提供了彈性力，以允許朝向所述基座鑄件上的半氣密密封對齊所述封蓋上用于所述半氣密密封的至少一個互補(bǔ)表面，且允許朝向所述基座鑄件上的至少一個互補(bǔ)表面對齊所述封蓋上的所述氣密密封。
14.如權(quán)利要求12所述的封蓋，其中，所述氣密密封為釬焊材料。
15.如權(quán)利要求12所述的封蓋，其中，所述氣密密封由預(yù)成型的釬焊材料形成。
16.如權(quán)利要求12所述的封蓋，其中，所述氣密密封由焊錫膏形成。
17.如權(quán)利要求12所述的封蓋，其中，所述氣密密封是反應(yīng)性交聯(lián)聚合物。
18.如權(quán)利要求12所述的封蓋，其中，所述氣密密封為釬焊合金。
19.如權(quán)利要求12所述的封蓋，其中，所述氣密密封由釬焊合金預(yù)型件形成。
20.如權(quán)利要求12所述的封蓋，其中，所述氣密密封為環(huán)氧樹脂。
21.一種制造密封的磁頭磁盤組件的方法，其包括將磁頭磁盤組件的主要組件組裝到基座鑄件內(nèi)，所述基座鑄件為主要組件提供安裝點；其中，所述基座鑄件包括圍繞在所述基座鑄件外圍的半氣密密封，所述半氣密密封與封蓋上的至少一個互補(bǔ)表面鄰接；連接所述封蓋，所述封蓋將上述磁頭磁盤組件的主要組件封閉；其中，所述封蓋包括用于所述半氣密密封的互補(bǔ)表面的周邊內(nèi)部的氣密密封，所述氣密密封與所述基座鑄件上的至少一個互補(bǔ)表面鄰接；向所述密封的磁盤組件中導(dǎo)入氣氛；對所述密封的磁頭磁盤組件進(jìn)行測試；當(dāng)所述測試失敗時，去除所述封蓋以能夠?qū)λ雒芊獾拇蓬^磁盤組件進(jìn)行修理；在上述修理完成后，重新連接所述封蓋；重新向所述密封的磁頭磁盤組件中導(dǎo)入氣氛；激活所述氣密密封。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種密封的磁頭磁盤組件，其具有用于為所述磁頭磁盤組件的主要組件提供安裝點的基座鑄件。所述基座鑄件具有圍繞在所述基座鑄件外圍的半氣密密封，且允許所述半氣密密封與封蓋上的至少一個互補(bǔ)表面鄰接。用于將磁頭磁盤組件的主要組件封閉的封蓋具有氣密密封，所述氣密密封位于相對于上述半氣密密封的互補(bǔ)表面的外圍，從而允許該氣密密封與基座鑄件上的至少一個互補(bǔ)表面鄰接。
文檔編號G11B23/02GK101017700SQ20071000570
公開日2007年8月15日 申請日期2007年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月9日
發(fā)明者邁克爾·R·哈切特, 柯克·普賴斯 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司