專利名稱：：用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及的是一種微電子
技術(shù)領(lǐng)域：
的材料，具體是一種用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料。
背景技術(shù)：
：相變存儲器技術(shù)的基本原理是利用相變薄膜材料作為存儲介質(zhì)，相變薄膜在非晶態(tài)和晶態(tài)時電阻率有很大的差異，采用編程的電脈沖可以使相變薄膜在非晶態(tài)和晶態(tài)之間可逆的轉(zhuǎn)換，從而使相變存儲單元在高阻和低阻之間可逆的轉(zhuǎn)變。而且存儲單元的狀態(tài)是非易失性的，即當設(shè)置為任意一個狀態(tài)時，即使切斷電源，存儲單元仍保持為該狀態(tài)的電阻值，除非重新設(shè)置存儲單元的狀態(tài)。存儲單元由電介質(zhì)材料定義的細孔所限定，相變薄膜沉積在細孔中，相變薄膜在細孔的兩端上連接電極。電極接觸使電流通過該通道產(chǎn)生焦耳熱對該單元進行編程，或者讀取該單元的電阻狀態(tài)。Ovshinsky在1991年提出了基于電信號的可擦寫相變存儲器的專利(美國專利No.5166758)，并且提出硫族化物Ge-Sb-Te合金薄膜作為相變存儲器的存儲介質(zhì)。直至目前為止，相變存儲器的典型相變介質(zhì)都是硫族化物合金Ge-Sb-Te薄膜，一種特別適合的材料是Ge22Sb22Te56(即Ge2Sb2Te5)薄膜。經(jīng)對現(xiàn)有技術(shù)的文獻檢索發(fā)現(xiàn)，由于Sb基合金相變的生長驅(qū)動特性和高速晶化的特點，Ge，In，Ag，等元素摻雜的Sb-Te合金是另一類重要的高速相變材料，己經(jīng)在相變光盤中得到了應(yīng)用。Lankhorst等人在NatureMaterials,2005年第4巻347頁上首次報道了在相變存儲器中采用摻雜的SbTe薄膜作為存儲介質(zhì)，降低了器件功耗并縮短了編程時間。但是Ge-Sb-Te薄膜和摻雜的Sb-Te合金這兩類相變材料都包含元素Te，而元素Te及其化合物都是有毒的，對環(huán)境不利。而且采用半導體集成電路常用的化學汽相沉積工藝(CVD)制備Te及其合金薄膜非常困難，目前還沒有形成成熟的工藝。因此，目前對于含有Te的合金薄膜通常都只能采用物理方法如，濺射、蒸發(fā)的方法制備。但是釆用物理方法成膜對于器件中臺階的覆蓋能力不如CVD方法好。尤其是隨著器件尺寸縮小到納米尺度，臺階覆蓋的問題將變得更為重要。器件中的相變薄膜在存儲過程中要反復經(jīng)歷熔化、迅速冷卻形成非晶態(tài)、受熱結(jié)晶形成晶態(tài)的循環(huán)過程。在這個過程中，相變薄膜的厚度會發(fā)生變化，如果變化過大，將影響到相變薄膜和電極或其它膜層的接觸，從而影響器件的穩(wěn)定性。常用Ge2Sb2Te5薄膜在非晶態(tài)和晶態(tài)的厚度變化比較大(6.8%)，不利于器件長期穩(wěn)定的工作。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種環(huán)境友好的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，使其用于相變存儲器和相變光盤中作為存儲介質(zhì)。采用SiSb基相變薄膜能提高相變存儲器和相變光盤的編程速度(寫入速度)，同時提高器件穩(wěn)定性和循環(huán)壽命。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的，本發(fā)明所述的SiSb基相變薄膜材料，其組分為(Si,Sb卜丄iMy，其中元素M可以是O元素或N元素或它們的混合物，摻雜元素M的含量y是0-15%原子百分比，Si含量x為5-90%原子百分比。所述SiSb基相變薄膜材料中，當摻雜元素M的含量y為零時，相變薄膜材料的組分為SixSbn，其中Si含量x為5-90%原子百分比，進一步，可以優(yōu)選Si含量x為10-60%原子百分比。本發(fā)明的SiSb基相變薄膜可以采用多靶共濺射的方法制備，各種元素分別對應(yīng)不同的靶，通過在每個耙上施加不同的功率可以控制最終薄膜的成分。SiSb基相變薄膜也可以采用濺射合金靶的方式制備，即首先制備相應(yīng)成分的硫族化物合金靶材，再通過濺射合金靶得到所需成分的薄膜。SiSb基相變薄膜還可以采用化學汽相沉積方法(CVD)制備。還可以采用蒸發(fā)、或電子束蒸發(fā)來制備SiSb基相變薄膜，還可以對相應(yīng)的元素材料進行共蒸發(fā)或脈沖激光沉積等其它的薄膜沉積方法來制備SiSb基相變薄膜。SiSb基相變薄膜還可以通過對Sb薄膜中離子注入Si來實現(xiàn)。氧摻雜或氮摻雜的SiSb基合金薄膜可以通過在一定的氧氣分壓或氮氣分壓下進行反應(yīng)濺射的方法實現(xiàn)。本發(fā)明所述的SiSb基相變薄膜可以通過至少一個電脈沖來改變SiSb基相變薄膜的電阻，并且電阻值可以變化幾倍到幾十倍；可以通過電脈沖實現(xiàn)SiSb基相變薄膜從高阻態(tài)到低阻態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)變；可以通過至少一個激光脈沖來改變相變薄膜的反射率；可以通過激光脈沖實現(xiàn)SiSb基相變薄膜不同反射率狀態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)變。本發(fā)明所述的SiSb基相變薄膜不含對環(huán)境有毒的硫族元素Te，是一類環(huán)境友好的相變存儲材料。而且SiSb基相變薄膜能夠通過化學汽相沉積工藝制備，有助于提高對器件中臺階的覆蓋能力，尤其當相變存儲單元尺寸減小到納米尺度時，優(yōu)良的臺階覆蓋能力對保證器件的性能至關(guān)重要。本發(fā)明所述的SiSb基相變薄膜的非晶狀態(tài)更加穩(wěn)定，其非晶狀態(tài)可以在最高129'C下保持十年，而Ge2SWTe5薄膜的非晶狀態(tài)只能夠在最高80'C下保持十年。因此，SiSb基相變薄膜的非晶態(tài)穩(wěn)定性優(yōu)于傳統(tǒng)的Ge2Sb2Tes相變薄膜。采用非晶態(tài)穩(wěn)定性好的相變薄膜作為存儲介質(zhì)有助于提高存儲器的數(shù)據(jù)保持特性。本發(fā)明所述的SiSb基相變薄膜也可以看成是一種Sb基合金材料，具備Sb基合金高速晶化的特點。表現(xiàn)在SiSb基相變存儲器中，通過較短的電脈沖(最短可達20ns)就可以使SiSb基相變薄膜晶化，即使器件從高阻態(tài)變成低阻態(tài)，而通常的Ge2SWTe5相變存儲器的SET脈沖寬度需要100ns或更長。較短的SET脈沖可以提高存儲器的數(shù)據(jù)存儲速率。表現(xiàn)在SiSb基相變光盤中，通過較短的激光脈沖就可以使SiSb基相變薄膜晶化，即使器件從低反射率狀態(tài)變成高反射率狀態(tài)，從而提高數(shù)據(jù)的存取速率。本發(fā)明所述的SiSb基相變薄膜，處于晶態(tài)或非晶態(tài)時，其厚度變化為-3.3%，小于常用的相變介質(zhì)Ge2SWTe5薄膜(6.8%)。采用厚度變化較小的相變薄膜有利于提高相變存儲器和相變光盤的穩(wěn)定性和循環(huán)壽命。綜上所述，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明SiSb基相變薄膜材料不含對環(huán)境有毒的Te元素，且制造工藝與現(xiàn)行半導體集成電路CMOS工藝有很好的兼容性。SiSb基相變薄膜材料具有比常用的Ge2Sb2Te5相變薄膜更快的晶化速率;更加優(yōu)越的非晶態(tài)穩(wěn)定性；以及更低的非晶態(tài)/晶態(tài)薄膜厚度變化率，這些特征有助于提高存儲器的存取速率；數(shù)據(jù)可靠性和器件穩(wěn)定性。圖1為現(xiàn)有相變存儲單元結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的SiSb基相變薄膜的電阻率與退火溫度的關(guān)系曲線。圖3為將本發(fā)明的氧摻雜Si^bs5相變薄膜用于圖1所示的結(jié)構(gòu)中時，存儲器件電阻與所使用的脈沖電壓的關(guān)系。具體實施方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例作詳細說明本實施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進行實施，給出了詳細的實施方式和具體的操作過程，但本發(fā)明的保護范圍不限于下述的實施例。正如目前常用的相變存儲器一樣，本發(fā)明所述的SiSb基相變薄膜可用于如圖1所示的相變存儲單元結(jié)構(gòu)里作為存儲介質(zhì)。圖中，l為下電極，2為SiSb基相變薄膜，3為上電極。相變存儲單元里至少包括一個下電極和一個上電極，在上、下電極之間是SiSb基相變薄膜。上、下電極可以采用W，TiN，TiW等集成電路常用的電極材料，在一些實施例中，下電極的面積小于上電極的面積，以便更好的對相變薄膜進行加熱。相變存儲單元由絕緣介質(zhì)構(gòu)成的側(cè)壁隔離層所限定。相變存儲單元結(jié)構(gòu)可以集成在集成電路襯底上。在具體的實施例中，采用PECVD制備的Si02作為側(cè)壁隔離層，通過常用的光刻、刻蝕的方法形成了相變存儲單元所需要的小孔；上、下電極均采用了濺射制備的W電極。SiSb基相變薄膜采用共濺射的方法制備，也可以采用濺射合金耙、蒸發(fā)、共蒸發(fā)、化學汽相沉積等其它的薄膜沉積方法來制備SiSb基相變薄膜。實施例1相變材料系列為SiSb基相變薄膜，即摻雜元素含量y為O時，具體組分為Si,Sbh，其中Si含量x為5-90。/。原子百分比。特別適合的成分是，Si含量可以為10-60%原子百分比。圖2為不同Si含量的SLSb卜x薄膜的電阻率與退火溫度的關(guān)系曲線。當薄膜處于非晶態(tài)時，薄膜電阻為高阻狀態(tài)，隨著退火溫度的增加，薄膜開始結(jié)晶，當薄膜結(jié)晶后，薄膜電阻處于低阻狀態(tài)。這個過程在存儲器件中是通過電脈沖對相變薄膜進行加熱來實現(xiàn)的，而且高阻態(tài)和低阻態(tài)之間可以通過施加不同的電脈沖實現(xiàn)可逆的轉(zhuǎn)變。當Si含量x為5。/。時，S:USb95薄膜的結(jié)晶溫度約為5(rC，薄膜電阻率即開始下降，這個晶化溫度對于存儲器來說太低了，使得存儲器容易受外界環(huán)境的干擾，因此，Si含量一般應(yīng)該大于5%。如圖2所示，SiSb基相變薄膜的晶化溫度以及非晶態(tài)電阻率隨Si含量的增加而增加。當Si含量x為42%時，Si42Sbs8薄膜的結(jié)晶溫度約為310°C，薄膜的非晶態(tài)電阻率比晶態(tài)電阻率大4個數(shù)量級。表明Si42Sbs8相變薄膜非常適合用于相變存儲介質(zhì)。X射線衍射(XRD)分析表明，高阻態(tài)的SiSb基相變薄膜處于非晶態(tài)，沒有任何衍射峰出現(xiàn)；而低阻態(tài)的SiSb基相變薄膜的XRD圖譜中出現(xiàn)了Sb的衍射峰，表明SiSb基相變薄膜發(fā)生了晶化，并且相變是與Sb密切相關(guān)的。因此，SiSb基相變薄膜必須包含一定量的元素Sb。在具體的實施例中，即使Si的含量x達到6(^，即組分為Si6。Sb4。的相變薄膜也能夠在高溫下發(fā)生相變，表明其可以用于相變存儲介質(zhì)。示差熱分析(DSC)也顯示出SiSb基相變材料在高溫下(約23(TC)會發(fā)生結(jié)晶，在更高溫度(620°C)發(fā)生熔化，其熔點略低于Ge2Sb2Tes材料的64(TC。因此可以在存儲器中使用SiSb基相變薄膜作為存儲介質(zhì)，與Ge2Sb2Tes薄膜類似，可以通過適當?shù)碾娒}沖來實現(xiàn)SiSb基相變薄膜的可逆相變，從而實現(xiàn)存儲器件在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)變。在具體實施例中，器件電阻值可以變化2倍到2個數(shù)量級，器件電阻變化量與SiSb基相變材料的組分和器件的尺寸都有關(guān)系。SiSb基相變薄膜具有Sb基合金高速晶化的特點，在基于SiSb基相變薄膜的存儲器中，最短20ns的SET電脈沖就可以使薄膜晶化，即使器件從高阻態(tài)變成低阻態(tài)，遠低于Ge2SWTe5相變存儲器的100ns。較短的SET脈沖可以提高存儲器的數(shù)據(jù)存儲速率。一般來說，SiSb基相變薄膜中較高的Sb含量可以獲得更快的晶化速率，即更快的數(shù)據(jù)存儲速率，但需要更多地能量才能實現(xiàn)RESET操作(從低阻態(tài)變回高阻態(tài))；而較高的Si含量(比如90°/。)可以得到更高的薄膜晶態(tài)和非晶態(tài)電阻率，從而在存儲器件中獲得更好的能量傳輸效率，更低的寫操作電流(RESET電流)。SiSb基相變薄膜的非晶態(tài)穩(wěn)定性優(yōu)于傳統(tǒng)的Ge2SWTe5相變薄膜。對于一個具體的實施例Si^b85薄膜，它可以在129'C下保持非晶態(tài)十年，不發(fā)生晶化，而Ge2Sb2Tes薄膜能夠保持十年非晶態(tài)的溫度只有8(TC或更低。采用非晶態(tài)穩(wěn)定性好的SiSb基相變薄膜作為存儲介質(zhì)有助于提高存儲器的數(shù)據(jù)保持特性，即保持存儲器數(shù)據(jù)的可靠性。器件中的相變薄膜在存儲過程中要反復經(jīng)歷熔化-非晶態(tài)-結(jié)晶的過程，即高阻態(tài)和低阻態(tài)的循環(huán)過程。在這個過程中，相變薄膜的厚度會發(fā)生變化，如果變化過大，將影響到相變薄膜和電極的接觸，從而影響器件的穩(wěn)定性。表l中列示了本發(fā)明的SiSb基相變薄膜與常用的Ge2Sb2Tes薄膜在濺射態(tài)(即非晶態(tài))和晶態(tài)的厚度，及其厚度變化率?？梢钥闯?，當Ge2SbJe5薄膜從非晶態(tài)變成晶態(tài)之后，薄膜的厚度減小了6.8%。而SiSb基相變薄膜在結(jié)晶前后，其非晶態(tài)/晶態(tài)厚度變化率僅為Ge2Sb2Te5薄膜的一半。采用厚度變化較小的相變薄膜有利于提高器件的穩(wěn)定性。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>表2中列示了本發(fā)明的SiSb基相變薄膜與常用的Ge2SWTes薄膜在非晶態(tài)和晶態(tài)的反射率及其反射率對比度(波長635nm)。在600-850nm波長范圍內(nèi)，SiSb基相變薄膜的非晶態(tài)/晶態(tài)的反射率對比度在17-20%范圍，雖然僅相當于Ge2SWTe5薄膜的一半，但與其它Sb基合金相變薄膜的反射率對比度相當。而且一般來講，單層膜反射率對比度大于15%就可以用于相變光盤作為存儲介質(zhì)。而SiSb基相變薄膜的特點在于，具有Sb基合金高速晶化的優(yōu)點。如前所述，在相變存儲器中，最短20ns的SET電脈沖就可以使SiSb基相變薄膜晶化，使器件從高阻態(tài)變成低阻態(tài)，遠低于Ge2Sb2Tes相變存儲器的100ns。表現(xiàn)在SiSb基相變光盤中，通過較短的激光脈沖就可以使SiSb基相變薄膜晶化，即使器件從低反射率狀態(tài)變成高反射率狀態(tài)，從而提高數(shù)據(jù)的存取速率。因為相變光盤通常用于存儲海量的數(shù)據(jù)(650Mbit)，高速的數(shù)據(jù)存取對相變光盤來說更加重要。同時SiSb基相變薄膜具有更高的非晶態(tài)穩(wěn)定性，有助于保持光盤存儲數(shù)據(jù)的可靠性。并且SiSb基相變薄膜的非晶態(tài)/晶態(tài)厚度變化率的減小，可以保證光盤在工作過程中，相變層與相鄰介質(zhì)層之間的接觸良好，也有助于提高光盤的信噪比和使用壽命。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>相變材料系列為摻雜的SixSb卜x合金薄膜(SixSb卜丄-yMy，其中摻雜元素M可以是0元素或N元素或它們的混合物，摻雜元素M的含量y是0-15%原子百分比，Si含量x保持為5-90y。原子百分比。在具體的實施例中，采用反應(yīng)濺射的方法制備氧摻雜SiSb基相變薄膜。也可以采用氧離子注入SiSb相變薄膜的方法實施氧摻雜。氧摻雜S:USbh相變薄膜的電阻率與退火溫度的關(guān)系曲線與圖2類似，即隨著退火溫度的增加，薄膜發(fā)生結(jié)晶并且從高阻狀態(tài)相變?yōu)榈妥锠顟B(tài)。表明氧摻雜S;LSb卜x相變薄膜也可以用于相變存儲介質(zhì)。氧摻雜使得SixSbh相變薄膜的非晶態(tài)電阻率可以增加一個數(shù)量級，如2%的氧摻雜使得SiwSbs5相變薄膜的非晶態(tài)電阻率從1.2X103mQcm增加到1.6X104mQCm，這有助于提高存儲器的電阻開關(guān)比。并且氧慘雜使得SLSb卜x相變薄膜的晶態(tài)電阻率有所增加，如S"Sb85相變薄膜的晶態(tài)電阻率為0.7mQcm，2%的氧摻雜使其薄膜晶態(tài)電阻率增加到1.6mQcm。由于SLSbn相變薄膜的晶態(tài)電阻率很低，適當?shù)卦黾颖∧ぞB(tài)電阻率有助于改善存儲器的能量傳輸效率，降低功耗。氧摻雜使得SLSbh相變薄膜的非晶態(tài)更加穩(wěn)定，SiwSbs5相變薄膜保持非晶態(tài)十年的溫度可以達到129°C，2%的氧摻雜把這個非晶態(tài)保持溫度進一步提高到141°C，這對于提高存儲器的穩(wěn)定性是有利的。因此對于氧摻雜SixSb卜x相變薄膜，即使Si含量低于5%也可以具備比SisSb95薄膜的結(jié)晶溫度(50°C)更高的結(jié)晶溫度。但是，當氧慘雜量為15%時，即使退火溫度達到450'C，15呢氧摻雜的SiuSb85薄膜也不發(fā)生相變，薄膜電阻也沒有下降，表明該薄膜不能用于相變存儲介質(zhì)。所以氧摻雜量應(yīng)該小于15%原子百分比。將本實施例的氧摻雜S"Sb85相變薄膜用于圖1所示的結(jié)構(gòu)中時，其器件電阻會在電脈沖的作用下發(fā)生變化，圖3為存儲器件電阻與使用的脈沖電壓的關(guān)系?？梢钥闯?，通過施加電壓為l伏、脈寬100ns的SET脈沖，可使器件電阻從高阻變換到低阻，而施加電壓為7伏、脈寬20ns的RESET脈沖，可使器件電阻從低阻變換到高阻，其高、低阻態(tài)之間的電阻差別大于2個數(shù)量級。從而通過電脈沖實現(xiàn)了存儲器在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)變，達到數(shù)據(jù)存儲的目的。在具體的實施例中，采用反應(yīng)濺射的方法制備氮摻雜SiSb基相變薄膜。也可以采用氮離子注入SiSb相變薄膜的方法實施氮摻雜。氮摻雜SiSb基相變薄膜具有和氧摻雜SiSb基相變薄膜類似的特性。如3%的氮摻雜使得Si^U5相變薄膜的非晶態(tài)電阻率從1.2X103mQcm增加到4X103mQcm，5%的氮慘雜使薄膜非晶態(tài)電阻率進一步增加到1.2X104mQcm。而薄膜的晶態(tài)電阻率也隨氮摻雜量的增加而有所增加，3%的氮摻雜使得SiwSbs5相變薄膜的晶態(tài)電阻率從0.7mQcm增加到1.2mQcm，5%的氮摻雜使晶態(tài)電阻率進一步增加到4mQcm。氮摻雜也使得SiSb基相變薄膜的晶化溫度有所提高，如Si^bs5相變薄膜的晶化溫度約為23(TC，3%的氮慘雜使得薄膜的晶化溫度提高到250°C，5%的氮慘雜使薄膜的晶化溫度進一步提高到275°C。表明氮摻雜提高了SiSb基相變薄膜的非晶態(tài)穩(wěn)定性。氮摻雜SiSb相變存儲器也具有和氧摻雜SiSb相變存儲器類似的性能?？梢钥闯?，氮摻雜和氧摻雜的效果類似，都提高了SiSb基相變薄膜的電阻率和非晶態(tài)穩(wěn)定性。氧、氮共摻雜的SiSb基相變薄膜也能用于相變存儲器并獲得類似的結(jié)果。權(quán)利要求1、一種用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征在于，所述SiSb基相變薄膜組分為(SixSb1-x)1-yMy，其中元素M是O元素或N元素或它們的混合物，摻雜元素M的含量y是0-15％原子百分比，Si含量x為5-90％原子百分比。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征是，所述摻雜元素M的含量y為零，相變薄膜材料的組分為SLSbwSi含量x為10-60%原子百分比。3、根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征是，通過至少一個電脈沖來改變SiSb基相變薄膜的電阻，并且電阻值在2倍到2個數(shù)量級范圍內(nèi)發(fā)生變化。4、根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征是，通過電脈沖實現(xiàn)SiSb基相變薄膜從高阻態(tài)到低阻態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)變，其高阻態(tài)比低阻態(tài)的電阻值至少大1倍。5、根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征是，通過至少一個激光脈沖來改變SiSb基相變薄膜的反射率。6、根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征是，通過激光脈沖實現(xiàn)SiSb基相變薄膜各反射率狀態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)變。全文摘要一種微電子
技術(shù)領(lǐng)域：
的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其組分為(Si_xSb_1-x)_1-yM_y，其中元素M是O元素或N元素或它們的混合物，摻雜元素M的含量y是0-15％原子百分比，Si含量x為5-90％原子百分比。本發(fā)明可在施加電脈沖情況下，發(fā)生高阻態(tài)和低阻態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)變，從而達到數(shù)據(jù)存儲的目的。本發(fā)明不含對環(huán)境有毒的Te元素，且制造工藝與現(xiàn)行半導體集成電路CMOS工藝有很好的兼容性。SiSb基相變薄膜材料具有比常用的Ge₂Sb₂Te₅相變薄膜更快的晶化速率；更加優(yōu)越的非晶態(tài)穩(wěn)定性；以及更低的非晶態(tài)/晶態(tài)薄膜厚度變化率，這些特征有助于提高存儲器的存取速率；數(shù)據(jù)可靠性和器件穩(wěn)定性。文檔編號G11B7/243GK101132049SQ20071004470公開日2008年2月27日申請日期2007年8月9日優(yōu)先權(quán)日2007年8月9日發(fā)明者潔馮,胤張,蔡炳初,陳邦明申請人:上海交通大學;硅存儲技術(shù)公司