專利名稱：：光學(xué)信息記錄媒體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及可擦寫(xiě)DVD等具有相變型記錄層的高密度記錄用光記錄媒體及光記錄方法，特別涉及單光束重寫(xiě)時(shí)與線速度的關(guān)系及與記錄功率的關(guān)系和記錄斑點(diǎn)長(zhǎng)期穩(wěn)定性得到改善的光記錄及光記錄方法。
背景技術(shù)：
：通常，小型光盤(pán)(CD)及DVD是利用來(lái)自凹坑底部及鏡面部分的反射光的干涉而產(chǎn)生的反射率變化來(lái)進(jìn)行2值信號(hào)的記錄及跟蹤信號(hào)的檢測(cè)。近年來(lái)，廣泛使用相變型可擦寫(xiě)小型光盤(pán)(CD-RW、CD-Rewritable)作為與CD有互換性的媒體。另外，關(guān)于DVD，也提出各種相變型可擦寫(xiě)DVD的方案。這些相變型可擦寫(xiě)CD及DVD是利用非晶態(tài)與結(jié)晶態(tài)折射率之差而產(chǎn)生的反射率差及相位差變化來(lái)進(jìn)行記錄信息信號(hào)的檢測(cè)。通常的相變型媒體具有在基板上設(shè)置下部保護(hù)層、相變型記錄層、上部保護(hù)層及反射層的結(jié)構(gòu)，利用這些層的多重干涉，控制反射率差及相位差，能夠使其具有與CD及DVD的互換性。在CD-RW中，將反射率降低至15-25％的范圍內(nèi)，能夠確保記錄信號(hào)及槽信號(hào)的與CD的互換性，利用附加掩飾反射率低的放大系統(tǒng)的CD驅(qū)動(dòng)器，就能夠重放。另外，相變型記錄媒體由于僅用單聚焦光束的光強(qiáng)度調(diào)制就能夠進(jìn)行擦除及再記錄的過(guò)程，因此在CD-RW及可擦寫(xiě)DVD等相變型記錄媒體中，所謂記錄包含同時(shí)進(jìn)行記錄及擦除的重寫(xiě)記錄。在利用相變進(jìn)行信息記錄時(shí)，可以采用晶態(tài)、非晶態(tài)、或他們的混合態(tài)，也可以采用多個(gè)結(jié)晶相，但現(xiàn)在實(shí)用化的可擦寫(xiě)相變型記錄媒體，通常是對(duì)未記錄及擦除狀態(tài)采用晶態(tài)，而通過(guò)形成非晶態(tài)的斑點(diǎn)進(jìn)行記錄。作為記錄層的材料往往采用含有硫族元素，即S、Se或Te的硫族化合物系合金。例如有以GeTe-Sb2Te3偽二元合金為主要成分的SeSbTe系合金、以InTe-Sb2Te3偽二元合金為主要成分的InSbTe系合金、以Sb0.7Te0.3共晶系為主要成分的AgSbTe系合以及GeSnTe系等。其中，主要實(shí)用化的是將過(guò)剩的Sb添加于GeTe-Sb2Te3偽二元合金而形成的合金系，特別是Ge1Sb2Te4或Ge2Sb2Te5等金屬間化合物鄰近組成。這些組成由于具有金屬間化合物特有的不伴隨相分離的結(jié)晶化的特征，晶體生長(zhǎng)速度快，因此初始化容易，擦除時(shí)再結(jié)晶速度快。所以偽二元合金系和金屬間化合物鄰近組成向來(lái)都作為顯示出具有實(shí)用性的重寫(xiě)特性的記錄層而受到關(guān)(文獻(xiàn)Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.69(1991)，p2849，或SPIE，Vol.2514(1995)，pp294-301等)。但是另一方面，在這些組成中，還生長(zhǎng)了亞穩(wěn)定的四方晶系的晶粒。由于這種晶粒的晶界明確，而且大小不一致，因其位向不同而呈現(xiàn)出顯著的光學(xué)各向異性，因此存在容易產(chǎn)生光學(xué)白噪聲等問(wèn)題。而且，這樣的粒徑及光學(xué)特性不同的晶粒容易在非晶態(tài)斑點(diǎn)周圍生長(zhǎng)，因此容易增加斑點(diǎn)的跳動(dòng)，或者由于與周圍晶體的光學(xué)特性不同，容易作為未擦凈而被檢測(cè)出。因此，在高線速度的記錄或高密度的斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄中，存在不能得到良好重放特性的問(wèn)題。具體來(lái)說(shuō)，可擦寫(xiě)DVD的標(biāo)準(zhǔn)中，最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.6μm，若將最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度再縮短，則很明顯，跳動(dòng)將急劇增加。作為改善跳動(dòng)的方法，有所謂吸收率補(bǔ)償法。在以往的4層結(jié)構(gòu)中，通常記錄層吸收的光能中，反射率高的結(jié)晶態(tài)吸收的光能Ac小于反射率低的非晶態(tài)吸收的光能Aa(Ac＜Aa)。因此重寫(xiě)時(shí)有這樣的問(wèn)題產(chǎn)生，即新的記錄斑點(diǎn)的形狀等會(huì)因原來(lái)的狀態(tài)是結(jié)晶態(tài)還是非晶態(tài)而發(fā)生變化，導(dǎo)致跳動(dòng)增加。這種情況下，是使結(jié)晶態(tài)與非晶態(tài)的光能吸收效率大致相等，不管原來(lái)狀態(tài)如何斑點(diǎn)形狀穩(wěn)定，這樣來(lái)減少跳動(dòng)(jitter)。再加上，由于晶體在熔融時(shí)另外還需要潛熱這部分熱量，因此希望結(jié)晶態(tài)吸收更多的光能(Ac＞Aa)。為了實(shí)現(xiàn)這一關(guān)系，有一種方法是至少增加一層光吸收層，形成5層以上的結(jié)構(gòu)，用該吸收層吸收非晶態(tài)的光吸收的一部分。例如，在下部保護(hù)層與基板之間或在上部保護(hù)層之上插入An或Si等吸收層(Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.37(1998)，pp3339-3342，Jpn.J.Appl.Phys.，Vol36(1988)，pp2516-2520)。但是，這樣的層結(jié)構(gòu)，存在吸收層的耐熱性及粘著性的問(wèn)題，若反復(fù)重寫(xiě)，則微觀的變形及錄剝等劣化情況顯著。而且，由于容易產(chǎn)生剝離等情況，也損害長(zhǎng)期穩(wěn)定性。也就是說(shuō)，又要維持以往的4層結(jié)構(gòu)，又要達(dá)到高密度，采用GeTe-Sb2Te3偽二元合金記錄層是很難實(shí)現(xiàn)的。而且，如果用GeTe-Sb2Te3偽二元合金記錄層，越是波長(zhǎng)短，其復(fù)數(shù)折射率的實(shí)部越小，虛部越大，即具有與波長(zhǎng)的依從關(guān)系。特別是使用短波長(zhǎng)激光作為光源時(shí)，很難達(dá)到Ac＞Aa的條件。因此近年來(lái)，正使用AgInSnTe四元素合金作為記錄層材料。AgInSbTe四元素合金的特征是能得到高達(dá)40dB的高擦除比，用以往的4層結(jié)構(gòu)，不進(jìn)行吸收率補(bǔ)償，就能夠以高線速度進(jìn)行高密度的斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄。但是，所謂能進(jìn)行高速記錄，通常意味著結(jié)晶化速度快，容易擦除。因此往往是非晶態(tài)斑點(diǎn)也容易結(jié)晶化，記錄斑點(diǎn)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性差。近年來(lái)，信息量增大，為了縮短記錄時(shí)間及提高信息傳送速度，最近需要能夠以更高速度進(jìn)行記錄重放的媒體。例如，CD的標(biāo)準(zhǔn)速度(1倍速)為1.2-1.4m/s，而能夠以4倍速進(jìn)行記錄的CD-RW已商品化，而又要求有能夠以8倍速、10倍速進(jìn)行記錄的CD-RW。另外，作為可擦寫(xiě)DVD，提出或已實(shí)現(xiàn)商品化的有DVD-RAM、DVD+RW、DVD-RW等。但是，與只讀DVD相同容量的4.7GB可擦寫(xiě)DVD還沒(méi)有實(shí)用化。也就是說(shuō)，需要能夠以高速記錄短斑點(diǎn)、且斑點(diǎn)穩(wěn)定性好的媒體。但是，以往認(rèn)為高速記錄與斑點(diǎn)穩(wěn)定性是矛盾的特性，很難同時(shí)滿足這兩方面的特性要求。本發(fā)明者反復(fù)就結(jié)晶化及非晶化的原理進(jìn)行研究，結(jié)果找到同時(shí)滿足所有這些特性的劃時(shí)代的媒體。也就是說(shuō)，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠以高速度較好地記錄短斑點(diǎn)、且斑點(diǎn)穩(wěn)定性良好的光記錄媒體及適合該光記錄媒體的光記錄方法。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的第1要點(diǎn)是一種光學(xué)信息記錄媒體，所述光學(xué)信息記錄媒體在基板上至少具有相變型記錄層和反射層，將結(jié)晶態(tài)部分作為未記錄及擦除狀態(tài)，將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長(zhǎng)度來(lái)記錄信息，利用從非晶態(tài)部份或熔融部分與周圍結(jié)晶態(tài)部分的邊界開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)實(shí)際上進(jìn)行的再結(jié)晶來(lái)進(jìn)行擦除，反射層膜厚為40nm以上300nm以下，體積電阻率為20nΩ·m以上150nΩ·m以下。本發(fā)明的第2要點(diǎn)是一種光學(xué)信息記錄媒體，所述光學(xué)信息記錄媒體在基板上具有以Ge、Sb、Te為主要成分的薄膜構(gòu)成的相變型記錄層以及反射層，將該記錄層的結(jié)晶態(tài)部分作為未記錄及擦除狀態(tài)，將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度0.5μm以下的許多記錄斑點(diǎn)長(zhǎng)度來(lái)記錄信息，該媒體以一定的線速度在足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光連續(xù)照射下能基本結(jié)晶化，而一旦以一定的線速度在足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光在進(jìn)行照射后切斷，則形成非晶態(tài)斑點(diǎn)，反射層膜厚為40nm以上300nm以下，體積電阻率為20nΩ·m以上150nΩ·m以下。本發(fā)明的第3要點(diǎn)是一種光學(xué)信息記錄媒體，所述光學(xué)信息記錄媒體是在基板上按照從錄放光的入射方向起依序設(shè)置第1保護(hù)層、相變型記錄層、第2保護(hù)層及反射層構(gòu)成的，將該記錄層的結(jié)晶態(tài)部分作為未記錄及擦除狀態(tài)，將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長(zhǎng)度來(lái)記錄信息，相變型記錄層厚度為5nm以上25nm以下，由具有下述區(qū)域組成的GeSbTe合金為主要成分的薄膜構(gòu)成，所述區(qū)域?yàn)樵贕eSbTe三元狀態(tài)圖中，用連接(Sb0.7Te0.3)與Ge的直線A、連接(Ge0.03Sb0.68Te0.29)與(Sb0.95Ge0.05)的直線B、連接(Sb0.9Ge0.1)與(Te0.9Ge0.1)的直線C、以及連接(Sb0.8Te0.2)與Ge的直線D等4條直線包圍的區(qū)域(但不包含邊界線上)，第2保護(hù)層膜厚為5nm以上30nm以下，其中，反射層膜厚為40nm以上300nm以下，體積電阻率為20nΩ·m以上150nΩ·m以下。本發(fā)明的另一要點(diǎn)是適于與上述媒體一起使用的理想的光記錄方法。圖1所示為非晶態(tài)斑點(diǎn)形狀之一例。圖2所示為在本發(fā)明媒體之一例進(jìn)行記錄時(shí)的反射率變化圖。圖3為表示本發(fā)明媒體的記錄層的組成范圍的GeSbTe三元狀態(tài)圖。圖4為表示已有的GeSbTe組成范圍的GeSbTe三元狀態(tài)圖。圖5為表示本發(fā)明媒體的層結(jié)構(gòu)之一例的示意圖。圖6為表示信號(hào)強(qiáng)度與信號(hào)振幅及調(diào)制度的關(guān)系用的信號(hào)波形圖。圖7為說(shuō)明反射率與第1保護(hù)層膜厚的依從關(guān)系的曲線圖。圖8所示為功率3值調(diào)制記錄方式的脈沖分割方法之一例。圖9為說(shuō)明記錄層溫度隨時(shí)間變化的示意圖。圖10所示為適于斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄的功率3值調(diào)記錄方式的脈沖分割方法之一例。圖11為說(shuō)明實(shí)現(xiàn)圖10的脈沖分割方法用的3種門(mén)信號(hào)發(fā)生電路時(shí)序的概念圖。圖12所示為實(shí)施例1與比較例1中跳動(dòng)與重放光功率的依從關(guān)系曲線圖。圖13所示為實(shí)施例1中跳動(dòng)與記錄脈沖分割方法的依從關(guān)系的曲線圖。圖14所示為實(shí)施例1中跳動(dòng)與記錄脈沖分割方法的依從關(guān)系的曲線圖。圖15所示為實(shí)施例2中跳動(dòng)、反射率及調(diào)制度與記錄功率的依從關(guān)系的曲線圖。圖16所示為實(shí)施例2中跳動(dòng)、反射率及調(diào)制度與反復(fù)重寫(xiě)次數(shù)的依從關(guān)系的曲線圖。圖17所示為實(shí)施例2(g1)與實(shí)施例2(d2)中跳動(dòng)與斑點(diǎn)長(zhǎng)度的依從關(guān)系的曲線圖。圖18所示為實(shí)施例2中跳動(dòng)與基板傾角的依從關(guān)系的曲線圖。圖19所示為實(shí)施例4中10次重寫(xiě)后的跳動(dòng)與α1及αc的依從關(guān)系的曲線圖。圖20所示為實(shí)施例4中跳動(dòng)、Rtop及調(diào)制度與反復(fù)重寫(xiě)次數(shù)的依從關(guān)系的曲線圖。圖21(a)所示為實(shí)施例6中跳動(dòng)與脈沖分割方法的依從關(guān)系的曲線圖，圖21(b)所示為實(shí)施例6中跳動(dòng)與寫(xiě)入功率的依從關(guān)系的曲線圖，圖21(c)為實(shí)施例6中10次重寫(xiě)后的Rtop及調(diào)制度與寫(xiě)入功率的依從關(guān)系的曲線圖。圖22所示為實(shí)施例6中跳動(dòng)、Rtop及調(diào)制度與反復(fù)重寫(xiě)次數(shù)的依從關(guān)系的曲線圖。圖23所示為實(shí)施例6中跳動(dòng)與斑點(diǎn)長(zhǎng)度的依從關(guān)系的曲線圖。圖24(a)所示為比較例2中跳動(dòng)與脈沖分割方法的依從關(guān)系的曲線圖，圖24(b)所示為比較例2中跳動(dòng)與寫(xiě)入功率的依從關(guān)系的曲線圖，圖24(c)所示為10次重寫(xiě)后的Rtop及調(diào)制度與寫(xiě)入功率的依從關(guān)系的曲線圖。圖25表示為比較例3所用的記錄方法的脈沖分割方法。圖26所示為比較例3中跳動(dòng)與斑點(diǎn)長(zhǎng)度及線速度的依從關(guān)系的曲線圖。圖27所示為比較例6中跳動(dòng)與Pw及Pe的依從關(guān)系的曲線圖。圖28所示為實(shí)施例8中跳動(dòng)與最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度的依從關(guān)系的曲線圖。圖29所示為實(shí)施例10及比較例8中跳動(dòng)與Pw的依從的曲線圖。圖30為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)與擺動(dòng)波形關(guān)系的說(shuō)明圖。圖31為利用數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)調(diào)制擺動(dòng)(wobblc)波形的原理說(shuō)明圖。圖32為實(shí)施例11中調(diào)制度與Rtop的槽寬的依從關(guān)系的曲線圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，在將晶態(tài)作為未記錄及擦除狀態(tài)、將非晶態(tài)作為記錄狀態(tài)的相變型媒體中，利用從非晶態(tài)部分或熔融部分與周圍結(jié)晶態(tài)部分的邊界開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)實(shí)際上進(jìn)行的再結(jié)晶化來(lái)進(jìn)行擦除的媒體能夠進(jìn)行高速且高密度、穩(wěn)定的記錄。也就是說(shuō)，能夠進(jìn)行高速重寫(xiě)，能夠進(jìn)行斑點(diǎn)邊界的跳動(dòng)小的，高密度的斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄，形成的斑點(diǎn)具有非常好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。通常，非晶態(tài)斑點(diǎn)的擦除過(guò)程，是將記錄層加熱至結(jié)晶化溫度以上稍低于熔點(diǎn)的溫度，形成非晶固態(tài)或熔融狀態(tài)，然后在冷卻時(shí)進(jìn)行再結(jié)晶化而完成的。本發(fā)明者的研究表明，非晶態(tài)斑點(diǎn)的擦除即再結(jié)晶化雖然是通過(guò)①非晶態(tài)區(qū)域內(nèi)的晶核生成、②以非晶態(tài)部分或熔融部分與結(jié)晶態(tài)部分的邊界為起點(diǎn)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)這兩個(gè)過(guò)程進(jìn)行的，但實(shí)際上前者的晶核生成幾乎不發(fā)生，而僅利用后者的晶體生長(zhǎng)過(guò)程，能夠得到上述效果。通常，結(jié)晶化是在結(jié)晶溫度以上稍低于熔點(diǎn)的溫度下進(jìn)行的，晶核生成是在該溫度范圍內(nèi)較低溫度的一側(cè)進(jìn)行，而晶體生長(zhǎng)是在其高溫側(cè)進(jìn)行。不能說(shuō)沒(méi)有晶核生成就不能擦除，若以與圍繞非晶態(tài)部分或熔融部分的周圍結(jié)晶態(tài)區(qū)域的邊界點(diǎn)作為晶核高速進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，則能夠擦除。特別是越是微小的斑點(diǎn)或短的斑點(diǎn)，僅僅利用從這樣的周圍晶態(tài)部分開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)，很容易在瞬時(shí)間結(jié)晶直到斑點(diǎn)中心，因此能夠在極短的時(shí)間內(nèi)完全擦除。因而唯有采用最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的微小斑點(diǎn)的高密度記錄媒體，效果才顯著，能夠在100納秒數(shù)量級(jí)以下擦除，能夠進(jìn)行高速重寫(xiě)。而且通常是，最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度越短越能夠進(jìn)行高密度記錄，但從斑點(diǎn)的穩(wěn)定性來(lái)看，最好在10nm以上。另外，斑點(diǎn)的橫向?qū)挾仍秸?，僅僅利用從周圍晶態(tài)部分開(kāi)始晶體生長(zhǎng)，越容易瞬時(shí)間結(jié)晶到斑點(diǎn)中心，這是所希望的。因而此最好是記錄信息的道的道間距例如取0.8μm以下，斑點(diǎn)橫向?qū)挾炔灰珜?。通常，斑點(diǎn)橫向?qū)挾葹榈篱g距的一半左右。通常道間距越窄，越能夠進(jìn)行高密度記錄，但從斑點(diǎn)穩(wěn)定性來(lái)看，最好在0.1μm以上。道也可以僅僅是槽溝，也可以是槽溝與槽脊兩者。本發(fā)明的媒體還具有非常好的非晶態(tài)斑點(diǎn)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。也就是說(shuō)，從周圍結(jié)晶態(tài)部分開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)，即使是在結(jié)晶溫度以上稍低于熔點(diǎn)的范圍內(nèi)，也僅僅在接近熔點(diǎn)的較高溫區(qū)域進(jìn)行，在低溫幾乎不進(jìn)行，因此一旦形成非晶態(tài)斑點(diǎn)，就難以結(jié)晶，有很好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性，結(jié)晶溫度通常在100℃~200C范圍內(nèi)，在到達(dá)該溫度左右之前，能夠維持熱穩(wěn)定性。特別是在不到100℃的通常的使用范圍內(nèi)，記錄的非晶態(tài)斑點(diǎn)極其穩(wěn)定，記錄下來(lái)的信號(hào)振幅幾乎不劣化。反之也可以從那樣的長(zhǎng)期穩(wěn)定性得出幾乎不伴隨著生成晶核的結(jié)論。再者，本發(fā)明媒體的優(yōu)點(diǎn)在于，在斑點(diǎn)長(zhǎng)度記錄中，能夠形成起伏極少的光滑的斑點(diǎn)邊界。通常在記錄非晶態(tài)斑點(diǎn)時(shí)，是使記錄層暫時(shí)熔融再凝固而形成非晶態(tài)，由于斑點(diǎn)邊緣部分比中心溫度低，因此，向來(lái)在斑點(diǎn)邊緣部分容易因晶核生長(zhǎng)導(dǎo)致再結(jié)晶，產(chǎn)生非晶態(tài)混入的粗大晶粒，這成為斑點(diǎn)邊界起伏的原因。本發(fā)明媒體的特征在于，擦除時(shí)，從非晶態(tài)部分或熔融部分與結(jié)晶態(tài)部分的邊界開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)是起支配作用的，而且高速進(jìn)行的，這種情況下記錄時(shí)雖然也是同樣原理起作用，但在熔融區(qū)域再凝固并非晶化時(shí)，也僅僅發(fā)生從周圍結(jié)晶態(tài)部分開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)，因晶核生長(zhǎng)而引起的結(jié)晶化不容易發(fā)生，斑點(diǎn)邊界不易起伏。也就是說(shuō)，從周圍結(jié)晶態(tài)部分開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)，即使是在結(jié)晶溫度以上稍低于熔點(diǎn)的范圍內(nèi)，也僅僅在接近熔點(diǎn)的較高溫區(qū)域進(jìn)行，在較低溫幾乎不進(jìn)行，因此從熔融狀態(tài)再凝固時(shí)，僅僅根據(jù)溫度下降通過(guò)熔點(diǎn)時(shí)的冷卻速度來(lái)決定非晶態(tài)斑點(diǎn)的邊界形狀。因而，以往存在的問(wèn)題即再凝固時(shí)發(fā)生的因晶核生長(zhǎng)而產(chǎn)生的混有非晶態(tài)的粗大晶粒，在非晶態(tài)斑點(diǎn)周圍幾乎完全不形成。顯然這對(duì)于抑制因斑點(diǎn)邊界起伏而產(chǎn)生的噪聲是極其有效的。另外，斑點(diǎn)邊界形狀也很穩(wěn)定，不會(huì)隨時(shí)間而變化，因此不僅開(kāi)始時(shí)的跳動(dòng)小，而且跳動(dòng)也幾乎不隨時(shí)間而劣化。下面更詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的結(jié)晶化原理。在本媒體中，非晶態(tài)斑點(diǎn)與周圍結(jié)晶態(tài)部分的邊界部份是晶體生長(zhǎng)核，在非晶態(tài)斑點(diǎn)內(nèi)部幾乎不產(chǎn)生晶核。因而，僅僅從斑點(diǎn)邊界部分開(kāi)始晶體生長(zhǎng)。而已有的GeTe-Sb2Te3系記錄層，在非晶態(tài)斑點(diǎn)內(nèi)隨機(jī)生成晶核，該晶核生長(zhǎng)進(jìn)而結(jié)晶化。兩者結(jié)晶化過(guò)程的差別可以用透射電子顯微鏡加以驗(yàn)證。若對(duì)非晶態(tài)斑點(diǎn)形成后的兩記錄層恒定照射較低功率的擦除光，則可以觀察到GeTe-Sb2Te3系記錄層從溫度高的非晶態(tài)斑點(diǎn)中央部分開(kāi)始結(jié)晶化，而與此不同的是，在本發(fā)明記錄層中可以觀察到從非晶態(tài)斑點(diǎn)周圍部分開(kāi)始晶體生長(zhǎng)。特別是從非晶態(tài)斑點(diǎn)的前端及后端開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)很明顯。根據(jù)這樣的原理進(jìn)行擦除的記錄層組成多為在Sb0.7Te0.3共晶點(diǎn)鄰近組成中添加過(guò)剩的Sb及最多20原子％左右的其他元素構(gòu)成的合金系。亦即以My(SbXTe1-X)1-Y合金為主要成分的薄膜(式中0.6≤X≤0.9，0＜y≤0.2，M為Ga、Zn、Ge、Sn、Si、Cu、Au、Al、Pd、Pt、Pb、Cr、Co、O、S、Se、Ta、Nb及V中的至少一種)。Sb0.7Te0.3中含有過(guò)剩Sb的合金，具有如下特征，即與GeTe-Sb2Te3偽二元合金系相比，其從非晶態(tài)斑點(diǎn)周圍部分的晶體開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)明顯大，因此能夠以高線速度進(jìn)行重寫(xiě)。過(guò)剩的Sb不會(huì)促進(jìn)非晶態(tài)斑點(diǎn)內(nèi)的隨機(jī)的晶核生成及晶核生長(zhǎng)，而是大幅度增加從周圍結(jié)晶態(tài)部分開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)速度。但是，在SbTe二元合金中，也生成很多晶核，因此非晶態(tài)斑點(diǎn)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性極差，必須添加適當(dāng)?shù)脑?。根?jù)本發(fā)明者的研究，添加Ge對(duì)于抑制晶核生成是極具有效的。再者，非晶態(tài)斑點(diǎn)的再結(jié)晶實(shí)際上是否僅僅由從周圍結(jié)晶態(tài)部分開(kāi)始的再結(jié)晶起支配作用，可以根據(jù)長(zhǎng)期穩(wěn)定性的評(píng)價(jià)間接了解。作為具體的評(píng)價(jià)方法，有下面所述的方法，即進(jìn)行高溫高濕下的加速環(huán)境試驗(yàn)時(shí)測(cè)量重放信號(hào)的調(diào)制度的方法。也就是說(shuō)，在利用最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的多種斑點(diǎn)長(zhǎng)度記錄信號(hào)時(shí)，以M0表示剛記錄下即重放的信號(hào)的調(diào)制度，記錄后在80℃80％RH條件下經(jīng)過(guò)1000小時(shí)后重放的信號(hào)的調(diào)制度記為M1，則滿足如下關(guān)系，即M1/M0≥0.9斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制方式?jīng)]有限定，可以使用EFM調(diào)制、EFM增強(qiáng)型調(diào)制、(1，7)RLL-NRZI(runlengthlimited-nonreturntozeroinverted，即有限游程長(zhǎng)度碼-IBM式不歸零編碼)調(diào)制等。以最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下將如圖6所示的隨機(jī)信號(hào)加以記錄，在進(jìn)行本評(píng)價(jià)時(shí)，最好最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.2μm左右以上。另外，不必要在全部評(píng)價(jià)條件中不必滿足上式，只要在一個(gè)評(píng)價(jià)條件中滿足上式即可。例如利用最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度0.4μm的多種斑點(diǎn)長(zhǎng)度記錄EFM增強(qiáng)型調(diào)制方式的隨機(jī)信號(hào)。調(diào)制度是用最大信號(hào)強(qiáng)度對(duì)該調(diào)制方式的最長(zhǎng)的斑點(diǎn)的信號(hào)振幅進(jìn)行歸一化的值。圖6所示為將EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)信號(hào)錄放時(shí)的DC重放信號(hào)(含有直流分量的重放信號(hào))波形。調(diào)制度以14T斑點(diǎn)的最大信號(hào)強(qiáng)度Itop與信號(hào)振幅I14之比I14/Itop來(lái)定義。若調(diào)制度不變，則可以認(rèn)為非晶態(tài)斑點(diǎn)尺寸非常穩(wěn)定。若加速試驗(yàn)前記錄的隨機(jī)信號(hào)的調(diào)制度在加速試驗(yàn)后也保持初始值的90％以上，則能夠推斷實(shí)際上沒(méi)有同時(shí)伴隨生成晶核。在本發(fā)明的記錄層中，由于從周圍結(jié)晶態(tài)部分開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)容易在略低于熔點(diǎn)的高溫區(qū)域發(fā)生，因此在為了形成非晶態(tài)斑點(diǎn)而使記錄層熔化、再凝固時(shí)，也能夠從周圍的結(jié)晶態(tài)部分開(kāi)始發(fā)生晶體生長(zhǎng)。因而，在熔融后冷卻速度慢，未能達(dá)到作為非晶態(tài)固化所需要的臨界冷卻速度時(shí)，整個(gè)熔融區(qū)域幾乎在瞬間再結(jié)晶。這可以通過(guò)以下實(shí)驗(yàn)加以確認(rèn)。在設(shè)有引導(dǎo)錄放光束的槽的0.6mm厚的聚碳酸酯基板上，依次設(shè)置膜厚68nm的(ZnS)80(SiO2)20的第1者保護(hù)層、膜厚18nm的Ge0.05Sb0.71Te0.24記錄層、膜厚20nm的(ZnS)80(SiO2)20的第2保護(hù)層及膜厚250nm的Al0.995Ta0.005的反射層，再設(shè)置膜厚4μm的紫外線硬化樹(shù)脂保護(hù)層。將兩片這樣基板的有記錄層一側(cè)作為內(nèi)側(cè)，用光熔粘接劑粘貼，構(gòu)成光記錄媒體。本記錄層組成為應(yīng)該能夠以約7m/s以上的線速度重寫(xiě)的Sb/Te≈3。將長(zhǎng)軸約100μm、短軸約1.5μm的橢圓激光在短軸方向?qū)Ρ久襟w進(jìn)行掃描，使其熔融、再結(jié)晶，實(shí)現(xiàn)初始化。將波長(zhǎng)637nm、NA＝0.63的聚焦光束沿導(dǎo)向槽以7m/s的線速度照射在本媒體上。在將記錄功率Pw為10mW的記錄光恒定照射后，急劇減少功率到1mW。亦即實(shí)際上切斷記錄光。另外，光束直徑約0.9μm，相當(dāng)于高斯光束中的能量強(qiáng)度為峰值強(qiáng)度的1/e2以上的區(qū)域。圖2所示為切斷記錄光前后的反射率變化。如圖2的下圖所示，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間切斷記錄光。在圖2下圖的左側(cè)，記錄光是連續(xù)的，即恒定照射，在右側(cè)記錄光被切斷。用重放功率為1.0mW的重放光對(duì)同一區(qū)域進(jìn)行掃描，則得到圖2上圖所示的重放波形。這對(duì)應(yīng)于反射率變化。在瞬間切斷記錄光的附近，反射率下降，而在其前后，則反射率基本相同，根據(jù)TEM觀察確認(rèn)，反射率下降部分為非晶態(tài)，在其前后為晶態(tài)。也就是說(shuō)，只要連續(xù)照射記錄光，熔融部分就再結(jié)晶，而僅僅在切斷記錄光部分附近的熔融區(qū)域發(fā)生非晶化。這是因?yàn)?，連續(xù)照射記錄光時(shí)，利用后續(xù)部分來(lái)的余熱，抑制了記錄層的冷卻速度，不能得到形成非晶態(tài)所必需的臨界冷卻速度，而反之，一旦切斷記錄光，也就切斷后續(xù)部分來(lái)的余熱，就能夠提高冷卻速度。另外，將記錄功率Pw設(shè)為7mW以上時(shí)，利用切斷記錄光，就能夠形成非晶態(tài)斑點(diǎn)。由研究的結(jié)果可知，本發(fā)明媒體以一定線速度連續(xù)照射足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光，則大致再結(jié)晶化，再以一定線速度在足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光之后照射功率近似為0的記錄光，即形成非晶態(tài)斑點(diǎn)。所謂功率近似為0，沒(méi)有必要嚴(yán)格為0，是取滿足0≤Pb≤0.2Pw的偏置功率Pb，最好是0≤Pb≤0.1Pw的偏置功率Pb。在本發(fā)明中，熔融部分再凝固時(shí)的再結(jié)晶化幾乎都是僅僅由于從周圍固相晶態(tài)部分開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)而引起的。因而，再結(jié)晶部分不是在非晶態(tài)斑點(diǎn)的中心部分形成，所以能夠形成光滑連續(xù)的斑點(diǎn)邊界。以往一直認(rèn)為，這樣明顯容易再晶化的材料不適合斑點(diǎn)長(zhǎng)度記錄用的記錄層。這是因?yàn)?，若為了形成長(zhǎng)斑點(diǎn)而長(zhǎng)時(shí)間照射記錄光，則熔融區(qū)域幾乎都結(jié)晶化了。但是，根據(jù)本發(fā)明者的研究，在最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的高密度記錄中，將熔融區(qū)域的非晶化與從周圍固相結(jié)晶態(tài)部分的邊界開(kāi)始的再結(jié)晶化的競(jìng)爭(zhēng)過(guò)程積極加以利用，更能夠得到良好的跳動(dòng)。因此發(fā)現(xiàn)，在如下所述長(zhǎng)度nT的斑點(diǎn)形成中，將記錄功率Pw施加區(qū)間與其切斷區(qū)間、即偏置功率Pb施加區(qū)間加以組合的脈沖分割方式是極其有效的。若利用脈沖分割方式進(jìn)行記錄，則如圖1所示，形成箭羽型(或月牙型)非晶態(tài)部分相連的非晶態(tài)斑點(diǎn)。該斑點(diǎn)前端形狀僅僅由最前面的箭羽型非晶態(tài)部分的前端的形狀決定，而該斑點(diǎn)后端形狀僅僅由最后面的箭羽型非晶態(tài)部分的后端的形狀決定。通常，由于非晶態(tài)部分的前端形狀是光滑的，因此斑點(diǎn)前端形狀也是光滑的。這是由于向前方的散熱，冷卻速度保持足夠快，因而大致反映熔融區(qū)域前端的形狀，所以由記錄脈沖上升沿時(shí)間來(lái)決定。記錄脈沖、即Pw施加區(qū)間的上升沿只要是2～3納秒以下即可。而非晶態(tài)部分的后端形狀是由記錄脈沖下降沿時(shí)間決定的冷卻速度及從周圍、特別是后端晶態(tài)部分開(kāi)始進(jìn)行的再結(jié)晶區(qū)域的大小來(lái)決定的。為了使冷卻速度足夠快，Pw施加區(qū)間的下降沿最好是2～3納秒以下。再結(jié)晶區(qū)域大小可以利用脈沖切斷區(qū)間、即Pb施加區(qū)間的長(zhǎng)度來(lái)正確控制。還有一點(diǎn)也很重要，即采用上述超急冷構(gòu)造作為層結(jié)構(gòu)，盡可能使記錄層冷卻速度急劇變化，同時(shí)在斑點(diǎn)后端附近使冷卻速度的空間分布陡峭，以使得斑點(diǎn)端部位置不起伏。本發(fā)明者根據(jù)對(duì)能夠高速記錄短斑點(diǎn)、且記錄斑點(diǎn)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性優(yōu)異的光記錄媒體專心研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在Sb0.7Te0.3共晶組成附近添加Ge的特定組成特別優(yōu)異，同時(shí)通過(guò)適當(dāng)選擇層結(jié)構(gòu)，得到了其他特性也優(yōu)異的光記錄媒體。也就是說(shuō)，注意研究了對(duì)Sb0.7Te0.3添加過(guò)剩的Sb及Ge而得到的以往沒(méi)有的三元合金，討論了對(duì)高密度斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄的適應(yīng)性。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在圖3所示的GeSbTe三元狀態(tài)圖中，若采用4條直線A、B、C、D包圍的極其有限的Ge-Sb-Te比的記錄層組成，以此構(gòu)成的媒體在高密度斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄中，其反復(fù)重寫(xiě)耐久性及長(zhǎng)期穩(wěn)定性特別優(yōu)異。也就是說(shuō)，將在GeSbTe三元狀態(tài)圖中，具有用連接(Sb0.7Te0.3)與Ge的直線A、連接(Ge0.03Sb0.68Te0.29)與(Sb0.95Ge0.05)的直線B、連接(Sb0.9Ge0.1)與(Te0.9Ge0.1)的直線C、以及連接(Sb0.8Te0.2)與Ge的直線D等4條直線包圍的區(qū)域(但不包含邊界線上)的組成的GeSbTe合金為主要成分的薄膜作為記錄層。對(duì)該記錄層通過(guò)采用后述的層結(jié)構(gòu)，構(gòu)成非常適于最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的高密度斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄的媒體。而且，能夠得到與DVD相同的記錄密度及與DVD之間的優(yōu)異的重放互換性。而且對(duì)于反復(fù)重寫(xiě)耐久性及記錄功率和擦除功率的變動(dòng)，還能夠確保得到較小跳動(dòng)所需的足夠余量。在該組成范圍內(nèi)，在SbyTe1-y合金中，Sb量越是比y＝0.7的量多，則過(guò)剩的Sb量越是增加，結(jié)晶速度越快，能夠?qū)崿F(xiàn)高線速度的重寫(xiě)。更具體來(lái)說(shuō)，在EFM增強(qiáng)型調(diào)制記錄(8-16調(diào)制的斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄)中，即使將最短斑點(diǎn)的3T斑點(diǎn)長(zhǎng)度縮短至0.4μm或0.35μm，也能夠得到較小的跳動(dòng)。又能夠得到足夠的伺服信號(hào)，能夠在已有的只讀DVD驅(qū)動(dòng)器中進(jìn)行跟蹤伺服。還能夠在線速度為1～10m/s的任何線速度下進(jìn)行重寫(xiě)。借助于此，能夠得到與只讀DVD相同容量、基本上具有重放互換性的可擦寫(xiě)DVD。若控制過(guò)剩的Sb量，還能夠以8m/s以上的高線速度實(shí)現(xiàn)上述高質(zhì)量高密度的重寫(xiě)。另外，如下所述根據(jù)線速度改變記錄脈沖分割方法(脈沖策略)，能夠在至少包含3～8m/s很寬的線速度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)良好的重寫(xiě)。下面詳細(xì)說(shuō)明本組成。在Ge添加量為10原子％以下的Sb0.7Te0.3共晶點(diǎn)鄰近組成中，Sb/Te比越大，結(jié)晶速度有越是加快的趨勢(shì)。這是由于與Sb0.7Te0.3相比是過(guò)剩的Sb在作為Sb原子團(tuán)析出并在再結(jié)晶過(guò)程中作為晶核起作用。而與Sb0.7Te0.3相比沒(méi)有過(guò)剩的Sb時(shí)，擦除性能差，實(shí)際上不能進(jìn)行重寫(xiě)。另外，由于初始化時(shí)幾乎沒(méi)有核生成，因此還存在初始化困難、生產(chǎn)效率非常差的問(wèn)題(直線A)。另一方面，若在Sb0.7Te0.3共晶二元合金中增加Sb量，則結(jié)晶速度加快，而反之結(jié)晶溫度也下降，損害了非晶態(tài)斑點(diǎn)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。又，不適合3m/s左右的低線速度的記錄，形成的非晶態(tài)斑點(diǎn)用短時(shí)間的重放光(激光功率約1mW左右)照射即被擦除掉。因而，不應(yīng)該包含比連接(Sb0.8Te0.2)與Ge的直線D更過(guò)剩的Sb。又，在用直線A與D規(guī)定的過(guò)剩Sb量的范圍內(nèi)，保持SbTe二元不變時(shí)，由于結(jié)晶溫度低，而且存在過(guò)剩Sb的晶核，導(dǎo)致非晶態(tài)斑點(diǎn)過(guò)于不穩(wěn)定，因此過(guò)剩Sb量越多，越添加Ge。利用Ge的4配位鍵，幾乎完全抑制晶核生成。結(jié)果結(jié)晶溫度上升，長(zhǎng)期穩(wěn)定性增加。連接(Ge0.03Sb0.68Te0.29)與(Sb0.95Ge0.05)的直線B規(guī)定了該條件。更理想的是比連接(Ge0.03Sb0.68Te0.29)與(Sb0.9Ge0.1)的直線B’含有更多的Ge。再有，若Ge含量達(dá)到10原子％以上，則斑度長(zhǎng)度記錄時(shí)的跳動(dòng)劣化，由于反復(fù)重寫(xiě)，高熔點(diǎn)的Ge化合物、特別是GeTe容易偏析。另外，由于剛成膜后的非晶態(tài)膜結(jié)晶化極其困難，這是不理想的(直線C)。為了減少跳動(dòng)，最好取Ge為7.5原子％以下。另外，對(duì)于以線速度3m/s以上進(jìn)行重寫(xiě)，記錄層最好采用Gex(SbyTe1-y)1-x合金為主要成分的薄膜(0.04≤x＜0.10、0.72≤y＜0.8)。也就是說(shuō)，對(duì)于線速度3m/s以上的記錄，最好增加Sb量，在SbyTe1-y合金中，最好使y≥0.72。這里，由于增加Sb量，導(dǎo)致非晶態(tài)斑點(diǎn)穩(wěn)定性有一些劣化，為了彌補(bǔ)這一點(diǎn)，最好使Ge多些，達(dá)到x≥0.04。再者，對(duì)于線速度7m/s以上的重寫(xiě)，記錄層最好采用Gex(SbyTe1-y)1-x合金為主要成分的薄膜(0.045≤x≤0.075，0.74≤y＜0.8)。也就是說(shuō)，對(duì)于速度7m/s以上的記錄，最好再多增加Sb量，在SbyTe1-y合金中，最好使y≥0.74。這時(shí)，為了提高非晶態(tài)斑點(diǎn)的穩(wěn)定性，使Ge量滿足x≥0.045。另一方面，在高線速度下跳動(dòng)容易劣化，為了彌補(bǔ)這一點(diǎn)，使Ge量滿足x≤0.075。至今已經(jīng)有關(guān)于GeSbTe三元組成或以該三元組成為母體含添加元素的記錄層組成的報(bào)告發(fā)表(日本專利特開(kāi)昭61-258787號(hào)公報(bào)、特開(kāi)昭62-53886號(hào)公報(bào)、特開(kāi)昭62-152786號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平1-63195號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平1-211249號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平1-277338號(hào)公報(bào))。但是，這些公報(bào)所述的組成都是Sb少于連接(Sb0.7Te0.3)與Ge的直線A的組成，與本發(fā)明組成范圍不同。這些當(dāng)然也是以Sb2Te3金屬化合物組成為主體。另外，在GeTe-Sb2Te3偽二元合金系中，與本發(fā)明相反，由于過(guò)剩Sb具有減慢結(jié)晶速度的效果，因此在以5m/s以上高線速度進(jìn)行重寫(xiě)時(shí)，在GeTe-Sb2Te3直線上，特別是使Ge2Sb2Te5組成含有過(guò)剩的Sb，當(dāng)然是有害的。在含有過(guò)剩Sb的Sb0.7Te0.3附近有選擇地加入包括Ge的第3元素的組成，有日本專利特開(kāi)平1-100745號(hào)公報(bào)(圖4(a))的組成范圍α)及特開(kāi)平1-303643號(hào)公報(bào)(圖4(a)的組成范圍β)中所述的組成。但是，特開(kāi)平1-100745號(hào)公報(bào)是在母體組成Sb1-xTex中，0.10≤x≤0.80，有極寬的范圍，而并沒(méi)有本申請(qǐng)的思想，即通過(guò)僅僅利用比Sb0.7Te0.3有過(guò)剩的Sb的區(qū)域，在高密度記錄中有優(yōu)異的反復(fù)重寫(xiě)耐久性及長(zhǎng)期穩(wěn)定性。特開(kāi)平1-303643號(hào)公報(bào)沒(méi)有觸及到在如本申請(qǐng)那樣的高密度記錄中若含有超過(guò)直線D的過(guò)剩Sb，就會(huì)損傷非晶態(tài)斑點(diǎn)長(zhǎng)期穩(wěn)定性的弊端。另外，這些公報(bào)也都沒(méi)有觸及含有超過(guò)直線C的過(guò)剩Ge造成的弊端。又，作為與本發(fā)明記錄層組成有部分重復(fù)的組成，如圖4(b)所述，有日本專利特開(kāi)平1-115685號(hào)公報(bào)(組成范圍γ)、特開(kāi)平1-251342公報(bào)(組成范圍δ)、特開(kāi)平3-71887號(hào)公報(bào)(組成范圍ε)及特開(kāi)平4-28587號(hào)(組成范圍η)所述的組成。特開(kāi)平1-115685號(hào)公報(bào)是以組成范圍γ為母體添加Au及Pd而成，以低密度記錄為目的，利用直線A及直線B與本發(fā)明的組成，可以從本質(zhì)上加以區(qū)別。該公報(bào)公開(kāi)的組成適于相當(dāng)于斑點(diǎn)長(zhǎng)度為約1.1μm的低密度記錄(線速度4m/s、頻率1.75MHz、占空比50％的方波)及DC擦除，因此可以認(rèn)為，與含有短斑點(diǎn)的以高密度記錄為目的的本發(fā)明組成所對(duì)應(yīng)的組成是不同的。特開(kāi)平1-251342號(hào)公報(bào)的組成范圍δ是對(duì)Sb0.7Te0.3共晶添加約10原子％以上Ge的合金系為主體的極富Ge的GeSbTe系，與本發(fā)明組成可以利用直線C從本質(zhì)上加以區(qū)別。在組成范圍δ中含有多于10原子％Ge的組成中，其致命的問(wèn)題是如前所述結(jié)晶速度慢，特別是使成膜后的記錄層結(jié)晶化的初始化操作困難，因此生產(chǎn)效率低，不能供實(shí)用。在該公報(bào)中，為了克服該結(jié)晶速度的問(wèn)題，另外添加作為晶核的Au及Pd，但如本發(fā)明那樣在Ge少于直線C的區(qū)域中，卻無(wú)此必要。又，在該公報(bào)中還記載有，若Ge量少于10原子％，則在記錄部分與非記錄部分不能得到足夠的光量變化。而在本發(fā)明中，通過(guò)對(duì)含有保護(hù)層和反射層的層結(jié)構(gòu)采取措施，能夠得到調(diào)制度60％以上的非常大的反射光量變化。特開(kāi)平3-71887號(hào)公報(bào)的組成范圍ε是以低密度記錄為目的，與本發(fā)明組成可以利用直線C在本質(zhì)上加以區(qū)別。特別是沒(méi)有利用本發(fā)明組成范圍，在高密度記錄中得到優(yōu)異的反復(fù)重寫(xiě)耐久性及長(zhǎng)期穩(wěn)定性這一本申請(qǐng)的思想。特開(kāi)平4-28587號(hào)公報(bào)的組成范圍η是包含極高的Sb及Ge的組成，與本發(fā)明組成可以利用直線D在本質(zhì)上加以區(qū)別。如上所述，上述所有公報(bào)都沒(méi)有闡明作為本發(fā)明目的的最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下那樣的高密度斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄有關(guān)的技術(shù)問(wèn)題，完全沒(méi)有揭示為此所用的最佳組成選擇及層結(jié)構(gòu)和記錄方法的改進(jìn)方法。下面說(shuō)明本發(fā)明光學(xué)信息記錄媒體的層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的媒體通過(guò)將上述組成的記錄層與下述層結(jié)構(gòu)加以組合，能夠?qū)崿F(xiàn)在進(jìn)行最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的高密度斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄時(shí)，在至少是3m/s至8m/s、更理想的是1m/s至10m/s的很寬的線速度范圍進(jìn)行重寫(xiě)的媒體。因而，能夠維持與所謂DVD的重放互換。相變型記錄層在上下至少一邊用保護(hù)層覆蓋。又如圖5(a)所示，具有基板1/第1保護(hù)層2/記錄層3/第2保護(hù)層4/反射層5的構(gòu)成，再在其上用紫外線或熱硬化樹(shù)脂覆蓋(保護(hù)覆蓋層6)。圖5(a)所示的各層順序適合于通過(guò)透明基板將錄放用的聚焦光束照射在記錄層上的情況?；蚴桥c上述各層的順序相反，也可以采用如圖5(b)所示的基板1/反射層5/第2保護(hù)層4/記錄層3/第1保護(hù)層2的順序?qū)盈B而成的結(jié)構(gòu)。該層結(jié)構(gòu)適合于從第1保護(hù)層一側(cè)入射聚焦光束的情況。這樣的構(gòu)成對(duì)于物鏡數(shù)值孔徑NA為0.7以上、記錄層與物鏡距離很需要縮短的情況是有用的。若采用圖5(a)所示的結(jié)構(gòu)，則基板可以采用聚碳酸酯、丙烯酸玻璃、聚烯烴等透明樹(shù)脂或透明玻璃。其中，聚碳酸酯樹(shù)脂在CD中已經(jīng)有最廣泛的應(yīng)用實(shí)績(jī)，價(jià)格又便宜，因此最為理想。在圖5(b)所示的構(gòu)成中，雖然也同樣可以使用樹(shù)脂或玻璃，但基板本身沒(méi)有必要透明，當(dāng)然為了提高平整度及剛性，有時(shí)最好采用玻璃或鋁合金。在基板上設(shè)置引導(dǎo)錄放光的間距為0.8μm以下的溝槽，該溝槽不一定必須是幾何學(xué)上的梯形槽，例如也可以利用離子注入形成折射率不同的波導(dǎo)路徑那樣的光學(xué)槽。在圖5(a)所示的層結(jié)構(gòu)中，為了防止因記錄時(shí)的高溫而導(dǎo)致變形，在基板表面上設(shè)置第1保護(hù)層2，在記錄層3上設(shè)置第2保護(hù)層4。第2保護(hù)層4兼有防止記錄層3與反射層5之間的相互擴(kuò)散，抑制記錄層變形的功能及高效地向反射層5散熱的功能。在圖5(b)中，從聚焦光束入射側(cè)看，第2保護(hù)層4具有防止記錄層3與反射層5之間的相互擴(kuò)散、散熱及防止記錄層變形的功能。圖5(b)中的第1保護(hù)層具有防止記錄層變形、防止記錄層與空氣直接接觸(防止氧化污染等)及防止與激光頭直接接觸而受到損傷的功能。在反射層與基板之間也可以再設(shè)置保護(hù)層。例如能夠防止對(duì)樹(shù)脂制基板的熱損傷。在圖5(b)所示的結(jié)構(gòu)中，最好在第1保護(hù)層2的再外側(cè)設(shè)置比其更硬的電介質(zhì)或非晶態(tài)碳保護(hù)膜，或設(shè)置紫外線或熱硬化樹(shù)脂層?；蛘咭部梢哉迟N厚度0.05～0.6mm左右的透明薄板，通過(guò)該薄板入射聚焦光束。再有，在DVD那樣的媒體中，采用將記錄層面作內(nèi)側(cè)、用粘接劑將圖5(a)的媒體互相粘貼的結(jié)構(gòu)。對(duì)于圖5(b)的媒體，則反過(guò)來(lái)將記錄層面作為外側(cè)互相粘貼。在圖5(b)的媒體中，還可以利用噴射成型在一片基板的兩面形成跟蹤用的溝槽，在兩面利用濺射法等形成多層膜。記錄層3、保護(hù)層2、4、反射層5利用濺射法等方法形成。最好采用將記錄層用靶、保護(hù)層用靶、必要時(shí)還有反射層材料用靶設(shè)置在同一真空室內(nèi)的聯(lián)機(jī)裝置進(jìn)行膜的形成工作，這樣能防止各層間的氧化及污染。保護(hù)層2及4的材料的決定，要注意折射率、熱傳導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性、機(jī)械強(qiáng)度及粘著性等來(lái)決定。通?？梢圆捎猛该餍院?、高熔點(diǎn)的金屬或半導(dǎo)體的氧化物、硫化物、氮化物、碳化物或Ca、Mg、Li等的氟化物。這些氧化物、硫化物、氮化物、碳化物、氟化物不一定必須取其化學(xué)計(jì)量比的組成，為了控制折射率等，或者控制其組成，或者混合使用，這些方法也都是有效的。保護(hù)層2及4也可以在厚度方向改變其組成比或混合比。又，保護(hù)層2及4也可以分別由幾層膜構(gòu)成。各層膜可以根據(jù)所要求的特性，取不同的材料、不同的組成比或混合比。若考慮反復(fù)記錄特性，這些保護(hù)層的膜密度為松裝狀態(tài)的80％以上，這從機(jī)械強(qiáng)度方面考慮是所希望的。在用混合物電介質(zhì)薄膜時(shí)，松密度采用下式的理論密度。P＝∑miPi(1)Mi各成分i的莫爾濃度Pi單獨(dú)的松密度本發(fā)明媒體的記錄層3為相變型記錄層，其厚度一般最好是在5nm～100nm的范圍內(nèi)。若記錄層3的厚度比5nm薄，則很難得到足夠的反差，而且有結(jié)晶速度變慢的趨勢(shì)，容易導(dǎo)致難于在短時(shí)間內(nèi)擦除的情況。另一方面，若超過(guò)100nm，同樣很難得到光學(xué)反差，又容易產(chǎn)生裂紋。還有，對(duì)于必須具有與DVD等只讀盤(pán)片的互換性的程度的反差，而且最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下那樣的高密度記錄，最好在5nm以上25nm以下。在5nm以下時(shí)，由于反射率過(guò)低，而且容易出現(xiàn)膜生長(zhǎng)初期的組成不均勻、稀疏膜的影響，因此不理想。而若比25nm厚，則熱容量大，記錄靈敏度差，同時(shí)晶體生長(zhǎng)呈三維性，有非晶態(tài)斑點(diǎn)邊界紊亂、跳動(dòng)嚴(yán)重的趨勢(shì)。再者，由記錄層相變引起的體積變化顯著，反復(fù)重寫(xiě)耐久性差，因此也不理想。從斑點(diǎn)端部的跳動(dòng)及反復(fù)重寫(xiě)耐久性的觀點(diǎn)看來(lái)，最好在20nm以下。又，記錄層的密度最好是松密度的80％以上，更理想的是在90％以上。這里所謂松密度當(dāng)然也可以做成合金塊進(jìn)行實(shí)測(cè)，但在上述(1)式中，將各成分的莫爾濃度置換成各元素的原子％，將松密度置換成各元素分子量，以此也可得到近似值。記錄層的密度在濺射成膜法中，必須采取降低成膜時(shí)的濺射氣體(Ar等稀有氣體)壓力，靠近靶正面配置基板等方法，并增加照射記錄層的高能量Ar量。高能量Ar是濺射用的照射靶的Ar離子部分跳回到達(dá)基板側(cè)的離子或等離子體中的Ar離子由于基板整個(gè)面的離子鞘電壓加速到達(dá)基板的離子。將這樣的高能稀有氣體的照射效應(yīng)叫做atomicpeening(原子噴射)效應(yīng)。一般使用的Ar氣體的濺射中，由于atomicpeening效應(yīng)，使Ar混入濺射膜中。根據(jù)膜中的Ar量，能夠估計(jì)atomicpeening效應(yīng)。也就是說(shuō)，若Ar量少，則意味著高能Ar的照射效應(yīng)小，容易形成密度稀疏的薄膜。另一方面，若Ar量多，則高能Ar的照射強(qiáng)，密度雖高，但進(jìn)入膜中的Ar在反復(fù)重寫(xiě)時(shí)作為void(空隙)析出，使反復(fù)重寫(xiě)耐久性變差。記錄層膜中合適的Ar量為0.1原子％以上1.5原子％以下。再者，采用高頻濺射與直流濺射相比，膜中Ar量少，能得到高密度膜，因此比較理想。在本發(fā)明中，記錄層由具有上述構(gòu)成的GeSbTe合金為主成分的薄膜構(gòu)成。也就是說(shuō)，記錄層中的Ge、Sb、Te各元素量之比只要在上述組成范圍內(nèi)即可，記錄層也可以根據(jù)需要添加最多共計(jì)10原子％左右的其它元素。記錄層中再通過(guò)添加O、N、S中選出的至少1種元素1原子％以上5原子％以下，就能夠?qū)τ涗泴拥墓鈱W(xué)常數(shù)進(jìn)行微調(diào)。但是，若添加量超過(guò)5原子％，會(huì)使結(jié)晶速度降低，擦除性能變差，因此是不理想的。又，為了不降低重寫(xiě)時(shí)的結(jié)晶速度，增加長(zhǎng)期穩(wěn)定性，最好添加8原子％以下的V、Nb、Ta、Cr、Co、Pt及Zr中的至少一種。更理想的是添加0.1原子％以上5原子％以下。這些添加元素與Ge的總添加量相對(duì)于SbTe最好在15原子％以下。若含量過(guò)剩，則引起Sb以外的相分離。特別是Ge含量在3原子％以上5原子％以下時(shí)，添加效果大。為了提高長(zhǎng)期穩(wěn)定性及對(duì)折射率進(jìn)行微調(diào)，最好添加5原子％以下的Si、Sn及Pb中的至少一種。這些添加元素與Ge的總含量最好在15原子％以下。這些元素與Ge相同，具有4配位網(wǎng)絡(luò)。添加8原子％以下的Al、Ga及In，將使結(jié)晶溫度上升，同時(shí)減少跳動(dòng)，對(duì)提高記錄靈敏度也有效果，但也容易產(chǎn)生偏析，因此最好為6原子％以下。又，與Ge合計(jì)的含量希望在15原子％以下，最好為13％以下。若添加8原子％的Ag，在提高記錄靈敏度方面同樣有效果，特別是在Ge原子量超過(guò)5原子％時(shí)采用，效果更顯著，但是，添加超過(guò)8原子％會(huì)使跳動(dòng)增加，或損壞非晶態(tài)斑點(diǎn)的穩(wěn)定性，因此是不理想的，若與Ge一起總的添加量超過(guò)15原子％，則容易產(chǎn)生偏析，因此是不適宜的。Ag的含量最好在5原子％以下。本發(fā)明記錄媒體的記錄層3，通常成膜后的狀態(tài)為非晶態(tài)。因而，成膜后使記錄層整個(gè)面結(jié)晶化作為初始化狀態(tài)(未記錄狀態(tài))。作為初始化方法，對(duì)于Sb0.7Te0.3中含有過(guò)剩Sb的合金，雖然利用固相下的退火也可進(jìn)行初始化，但在還含有Ge的組成的情況下，最好采用使記錄層暫熔融而再凝固時(shí)使其緩慢冷卻再結(jié)晶的熔融再結(jié)晶的初始方法。本記錄層在剛成膜后幾乎沒(méi)有晶體生長(zhǎng)的核，在固相下的結(jié)晶是很難的，但采用熔融再結(jié)晶方法，則形成少數(shù)晶核，然后熔融，以晶體生長(zhǎng)為主以高速度再結(jié)晶。另外，本發(fā)明記錄層由熔融再結(jié)晶產(chǎn)生的晶體與固相下進(jìn)行退火產(chǎn)生的晶體的反射率不同，若兩者混合在一起，則成為噪聲的根源。而且，在實(shí)際進(jìn)行重寫(xiě)記錄時(shí)，擦除部分成為熔融再結(jié)晶產(chǎn)生的晶體，因此最好初始化也利用熔融再結(jié)晶來(lái)進(jìn)行。這時(shí)，使記錄層熔融是局部性的，而且限于1毫秒左右以下的短時(shí)間。這是因?yàn)?，若熔融區(qū)域大，或熔融時(shí)間或冷卻時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，則因發(fā)熱會(huì)使各層受到破壞，或者使塑料基板表面變形。為了給出這樣的受熱歷程，最好將波長(zhǎng)600～1000nm左右的高輸出半導(dǎo)體激光聚焦成長(zhǎng)軸100～300μm、短軸1～3μm的光束進(jìn)行照射，將短軸方向作為掃描軸，以1～10m/s的線速度進(jìn)行掃描。即使使用相同的聚焦光束，如果接近圓形，則熔融區(qū)域過(guò)大，容易再度非晶化，又會(huì)對(duì)多層結(jié)構(gòu)或基板造成較大損傷，因此是不理想的。初始化通過(guò)熔融再結(jié)晶來(lái)進(jìn)行這一點(diǎn)，可通過(guò)下述做法得到確認(rèn)。也就是說(shuō)，將聚焦成光點(diǎn)直徑小于約1.5μm的、具有足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光以一定線速度恒定照射該初始化后的媒體。在有導(dǎo)向槽時(shí)，在對(duì)該槽或槽間構(gòu)成的道進(jìn)行跟蹤伺服及聚焦伺服的狀態(tài)下進(jìn)行。然后，向相同道上恒定照射具有擦除功率Pe(≤Pw)的擦除光而得到擦除狀態(tài)，若所述擦除狀態(tài)的反射率與完全未記錄的初始狀態(tài)的反射率幾乎相同，則可以確認(rèn)該初始化狀態(tài)為熔融再結(jié)晶狀態(tài)。這是因?yàn)椋糜涗浌庹丈涫褂涗泴訒喝廴?，然后再用擦除光照射使其完全再結(jié)晶的這種狀態(tài)，是經(jīng)過(guò)利用記錄光的熔融及利用擦除光的再結(jié)晶過(guò)程，處于熔融再結(jié)晶的狀態(tài)。所謂初始化狀態(tài)的反射率Rini與熔融再結(jié)晶狀態(tài)的反射率Rcry幾乎相同，是指由(Rini-Rcry)/{(Rini+Rcry)/2}定義的兩者反射率差在20％以下。通常，僅僅通過(guò)退火等固相結(jié)晶化，其反射率差大于20％。下面敘述有關(guān)記錄層以外的其他層。本發(fā)明的層結(jié)構(gòu)屬于一種叫做急冷構(gòu)造的層結(jié)構(gòu)。急冷構(gòu)造是通過(guò)采用促進(jìn)散熱、提高記錄層再凝固時(shí)的冷卻速度的層結(jié)構(gòu)，來(lái)避免非晶態(tài)斑點(diǎn)形成時(shí)的再結(jié)晶化問(wèn)題，同時(shí)利用高速結(jié)晶實(shí)現(xiàn)高擦除比。為此，第2保護(hù)層膜厚取5nm以上30nm以下。若比5nm薄，則由于記錄層熔融時(shí)的變形等容易引起損壞，而散熱效果過(guò)大，則記錄所需要的功率過(guò)大而沒(méi)有必要。本發(fā)明的第2保護(hù)層膜厚對(duì)反復(fù)重寫(xiě)的耐久性有很大影響，特別在抑制跳動(dòng)劣化上也很重要。膜厚比30nm厚的情況下，記錄時(shí)在第2保護(hù)層的記錄一側(cè)與反射層一側(cè)的溫差大，由于保護(hù)層兩側(cè)的熱膨脹之差，保護(hù)層本身容易產(chǎn)生不對(duì)稱變形。這種情況反復(fù)發(fā)生，將在保護(hù)層內(nèi)部積蓄微觀的塑性變形，導(dǎo)致噪聲增加，因此是不理想的。若采用本發(fā)明的記錄層，則在最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的高密度記錄中，雖然能夠?qū)崿F(xiàn)低跳動(dòng)，但根據(jù)本發(fā)明者的研究，在為了實(shí)現(xiàn)高密度記錄而采用短波長(zhǎng)激光二極管(例如波長(zhǎng)700nm以下)時(shí)，對(duì)于上述急冷構(gòu)造的層結(jié)構(gòu)更必需要注意。特別是采用波長(zhǎng)500nm以下、數(shù)值孔徑NA為0.55以上的較小的聚焦光束研究單光束重寫(xiě)特性時(shí)，了解到使斑點(diǎn)的寬度方向的溫度分布平坦對(duì)于獲得高擦除比及大的擦除功率余量是很重要的。這一趨勢(shì)對(duì)于采用波長(zhǎng)為630～680nm、NA＝0.6左右的光學(xué)系統(tǒng)的與DVD對(duì)應(yīng)的光學(xué)系統(tǒng)也是同樣的。在采用這樣的光學(xué)系統(tǒng)的高密度斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄中，特別采用熱傳導(dǎo)率低的材料作為第2保護(hù)層。最好使其膜厚為10nm以上25nm以下。在任何情況下，在其上設(shè)置的反射層5采用特別高熱傳導(dǎo)率的材料，這樣能夠改善擦除比及擦除功率余量。根據(jù)研究，在很寬的擦除功率范圍內(nèi)，為了發(fā)揮本發(fā)明記錄層具有的良好擦除特性，最好采用能夠不僅使膜厚方向的溫度分布及時(shí)間變化、而且使膜面方向(記錄光束掃描方向的垂直方向)的溫度分布盡可能平坦的層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明者試圖通過(guò)適當(dāng)設(shè)計(jì)媒體的層結(jié)構(gòu)，使媒體中道的橫向溫度分布平坦，這樣熔融后不再非晶化，而且加大能夠再結(jié)晶的寬度，增大擦除率及擦除功率余量。另一方面，還了解到通過(guò)熱傳導(dǎo)率低而且極薄的第2保護(hù)層，促進(jìn)從記錄層向極高熱傳導(dǎo)率的反射層散熱，這樣使記錄層中的溫度分布變得平坦。雖然提高第2保護(hù)層的熱傳導(dǎo)率能夠促進(jìn)散熱效果，但若過(guò)度促進(jìn)散熱，則記錄所需要的照射功率高，即記錄靈敏度顯著下降。在本發(fā)明中，最好采用低熱傳導(dǎo)率而且薄的第2保護(hù)層。由于采用低熱傳導(dǎo)率又薄的第2保護(hù)層，因此在以記錄功率開(kāi)始照射時(shí)的數(shù)nsec～數(shù)+nsec中，從記錄層向反射層的熱傳導(dǎo)能夠具有一定時(shí)間延遲，然后能夠促進(jìn)向反射層的散熱，所以不會(huì)因散熱而使記錄靈敏度過(guò)度降低。以往所知道的以SiO2、Ta2O5、Al2O3、AlN及SiN等為主要成分的保護(hù)層材料，由于其本身的熱傳導(dǎo)率過(guò)高，因此不適合作為本發(fā)明媒體的第2保護(hù)層4。這樣，金屬氧化物或氮化物的熱傳導(dǎo)率，即使與同樣的薄膜狀態(tài)相比，其熱傳導(dǎo)率也比本發(fā)明保護(hù)層所用的下述保護(hù)層要高1個(gè)數(shù)量級(jí)以上。另一方面，反射層的散熱，即使反射層的厚度較厚也能夠進(jìn)行，但若反射層厚度超過(guò)300nm，則膜厚方向的熱傳導(dǎo)要比記錄層膜面方向的顯著，不能得到改善膜面方向溫度分布的效果。又，反射層本身的熱容量變大，反射層進(jìn)而記錄層的冷卻就需要時(shí)間，就阻礙了非晶態(tài)斑點(diǎn)的形成。最好是設(shè)置高熱傳導(dǎo)率的薄反射層，有選擇地促進(jìn)向橫向散熱。以往采用的急冷構(gòu)造，僅注意膜厚方向的一維散熱，僅打算從記錄層很快地向反射層散熱，而沒(méi)有對(duì)該平面方向溫度分布的平坦化給以充分的注意。若將本發(fā)明的所謂“考慮第2保護(hù)層的熱傳導(dǎo)延遲效應(yīng)的超急冷構(gòu)造”用于本發(fā)明的記錄層，則與以往的GeTe-Sb2Te3記錄層相比有更好的效果。這是因?yàn)?，本發(fā)明的記錄層在Tm附近再凝固時(shí)的晶體生長(zhǎng)成為再結(jié)晶的反應(yīng)速率。對(duì)于將Tm附近的冷卻速度增加到極限，可靠且明確地形成非晶態(tài)斑點(diǎn)及其邊界，超急冷構(gòu)造是有效的，而且通過(guò)使膜面方向溫度分布平坦，原來(lái)在Tm附近能夠高速擦除的，直到更高擦除功率的程度都能夠確保利用再結(jié)晶可靠擦除。在本發(fā)明中，作為第2保護(hù)層的材料最好是熱傳率低的材料，其大致數(shù)值為1×10-3pJ/(μm·K·nsec)。但是，很難直接測(cè)量這樣的低熱傳導(dǎo)率材料薄膜狀態(tài)的熱傳導(dǎo)率，代替辦法可以是根據(jù)熱模擬及實(shí)際記錄靈敏度的測(cè)量結(jié)果得到大致數(shù)值。作為具有理想結(jié)果的低熱傳導(dǎo)率的第2保護(hù)層材料，最好是含有50mol％以上90mol％以下的ZnS、ZnO、TaS2或稀土類硫化物中至少一種、而且含有熔點(diǎn)或分解點(diǎn)為1000℃以上的耐熱性化合物的復(fù)合電介質(zhì)。更具體來(lái)說(shuō)，最好是含有60mol％以上90mol％以下的La、Ce、Nd、Y等的稀土硫化物的復(fù)合電介質(zhì)?；蛘咦詈檬鞘筞nS、ZnO或稀土硫化物組成范圍在70～90mol％。作為要與這些混合而熔點(diǎn)或分解點(diǎn)為1000℃以上的耐熱化合物材料，可以采用Mg、Ca、Sr、Y、La、Ce、Ho、Er、Yb、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Al、Si、Ge及Pb等的氧化物、氮化物、碳化物、或Ca、Mg及Li等的氟化物。特別是要與ZnO混合的材料，最好是Y、La、Ce及Nd等稀土的硫化物或硫化物與氧化物的混合物。而且，若該第2保護(hù)層膜厚大于30nm，則不能得到斑點(diǎn)寬度方向溫度分布足夠平坦的效果，因此采用30nm以下，最好為25nm以下。若小于5nm，則在第2保護(hù)層部分的熱傳導(dǎo)延遲效果不充分，記錄靈敏度顯著下降，是不理想的。第2保護(hù)層4的厚度，在記錄激光波長(zhǎng)為600～700nm時(shí)最好為15nm～25nm，在波長(zhǎng)為350～600nm時(shí)，最好為5～20nm，更理想為5～15nm。在本發(fā)明中的特征在于，采用非常高的熱傳導(dǎo)率的、300nm以下的薄反射層5以促進(jìn)橫向散熱效果。通常，薄膜的熱傳導(dǎo)率與松裝狀態(tài)的熱傳導(dǎo)率有很大不同，普通情況是變小。特別是小于40nm的薄膜，在生長(zhǎng)初期島狀構(gòu)造的影響下，熱傳導(dǎo)率要小1個(gè)數(shù)量級(jí)以上，這種情況是不理想的。再者，因成膜條件不同，結(jié)晶性及雜質(zhì)量也不同，這是即使相同組成而熱傳導(dǎo)率也不同的主要原因。在本發(fā)明中，為了確定顯示出良好性能的高熱傳導(dǎo)率的反射層，雖然也能夠直接測(cè)量反射層的熱傳導(dǎo)率，但利用電阻也能夠估計(jì)其熱傳導(dǎo)的好壞。這是因?yàn)?，在像金屬膜那樣主要由電子?dān)負(fù)熱傳導(dǎo)及電傳導(dǎo)的材料中，熱傳導(dǎo)率與電傳導(dǎo)率有很好的比例關(guān)系。薄膜的電阻用其膜厚或測(cè)量區(qū)域的面積歸一化的電阻率的數(shù)值來(lái)表示。體積電阻率及面積電阻率可以用通常的四探針?lè)y(cè)量，以JISK7194規(guī)定為依據(jù)。利用本方法，與實(shí)測(cè)薄膜的熱傳導(dǎo)率本身相比要簡(jiǎn)便得多，而且可以得到重復(fù)性好的數(shù)據(jù)。在本發(fā)明中，理想的反射層的體積電阻率為20nΩ·m以上150nΩ·m以下，最好為20nΩ·m以上100nΩ·m以下。體積電阻率小于20nΩ·m的材料實(shí)際上在薄膜狀態(tài)很難得到。體積電阻率比比150nΩ·m大的情況下，若采用例如若為超過(guò)300nm的厚膜，則雖然能夠降低面積電阻率，但根據(jù)本發(fā)明者的研究可知，用這樣的高體積電阻率材料，僅僅降低面積電阻率，也不能得到足夠的散熱效果?？梢哉J(rèn)為這是由于在厚膜情況下，單位面積的熱容量增大的緣故。另外，這樣的厚膜成膜時(shí)間長(zhǎng)，材料費(fèi)也增加，從制造成本的觀點(diǎn)看也是不理想的。再者，膜表面的微觀平整度也差。最好采用膜厚為300nm以下、能得到面積電阻率為0.2以上0.9Ω/□以下的低體積電阻率材料。更理想的是0.5Ω/□。適于本發(fā)明的材料如下所示。例如含有0.3重量％以上0.8重量％以下的Si及0.3重量％以上1.2重量％以下的Mg的Al-Mg-Si系合金。又，Al中含有0.2原子％以上2原子％以下的Ta、Ti、Co、Cr、Si、Sc、Hf、Pd、Pt、Mg、Zr、Mo或Mn的Al合金，其體積電阻率與添加元素的濃度成正比增加，又能改善耐異常析出(hillock)性能，從耐久性、體積電阻率及成膜速度等考慮，可以采用。關(guān)于Al合金，在添加雜質(zhì)少于0.2原子％的情況下，雖然也取決于成膜條件，但往往耐異常析出性能不充分。而如果多于2原子％，則難于得到上述的低電阻率。對(duì)于特別重視長(zhǎng)期穩(wěn)定性的情況，添加成分最好用Ta。特別是對(duì)于以ZnS為主要成分的上部保護(hù)層4，用0.5原子％以上0.8原子％以下的Ta的AlTa合金作為能兼顧耐蝕性、粘著性及高熱傳導(dǎo)率等全部特性的反射層，是理想的材料。又，稍微添加0.5原子％的Ta的情況，與純Al或Al-Mg-Si合金相比，濺射時(shí)的成膜速率提高了30％～40％，在制造上能夠獲得理想的效果。在采用上述Al合金作為反射層時(shí)，理想的膜厚為150nm以上300nm以下。在小于150nm時(shí)，即使用純Al，散熱效果也不充分。而若超過(guò)300nm，則熱量從水平方向向垂直方向散熱，對(duì)于水平方向的熱分布沒(méi)有改善作用，而且反射層本身的熱容量大，相反記錄層的冷卻速度變慢。而且，膜表面的微觀平整度也差。再者，在Ag中含有0.2原子％以上5原子％以下Ti、V、Ta、Nb、W、Co、Cr、Si、Ge、Sn、Sc、Hf、Pd、Rh、Au、Pt、Mg、Zr、Mo或Mn的Ag合金也是理想的材料。在特別重視長(zhǎng)期穩(wěn)定性的情況下，Ti、Mg作為添加成分是理想的。在采用上述Ag合金作為的反射層時(shí)，理想的膜厚為40nm以上150nm以下。在小于40nm時(shí)，即使用純銀散熱效果也不充分。而若超過(guò)150nm，則熱量從水平方向向垂直方向散發(fā)，對(duì)于水平方向熱分布的改善沒(méi)有作用，而且不必要的膜厚使生產(chǎn)效率降低。另外，膜表面的微觀平整度也變差。本發(fā)明者確認(rèn)，對(duì)于上述Al中的添加元素及Ag中的添加元素，體積電阻率與這些添加元素的濃度成正比增加。人們認(rèn)為添加雜質(zhì)通常使晶粗直徑減少，使晶界的電子散射增加，熱傳導(dǎo)率降低。為了通過(guò)增大晶粒直徑以得到材料本來(lái)的高熱傳導(dǎo)率，必須調(diào)節(jié)雜質(zhì)添加量。還有，反射層通常用濺射法或真空蒸鍍法形成，雖然靶和蒸鍍材料本身的雜質(zhì)量也消失，但是必須使包含成膜時(shí)混入的水分及氧氣量在內(nèi)的全部雜質(zhì)含量為2原子％以下。因此，希望處理真空室達(dá)到小于1×10-3Pa的真空度。又，若在真空度比10-4Pa差的情況下成膜，則希望成膜速率為1nm/秒以上，最好為10nm/秒以上，以防止雜質(zhì)進(jìn)入?；蛘咴诤卸嘤?原子％想要的添加元素情況下，希望成膜速率為10nm/秒以上，以盡量防止附加的雜質(zhì)混入。也有成膜條件與雜質(zhì)量無(wú)關(guān)而對(duì)晶粒大小有影響的情況。例如，在Al中混入2原子％左右的Ta構(gòu)成的合金膜，在晶粒間混有非晶態(tài)相，而結(jié)晶相與非晶態(tài)相的比例取決于成膜條件。例如，越是在低壓下濺射，則結(jié)晶部分比例增加，體積電阻率降低，熱傳導(dǎo)率增加。膜中的雜質(zhì)組成或結(jié)晶性也取決于濺射用的合金靶的制造方法或?yàn)R射氣體(Ar、Ne、Xe等)。這樣，薄膜狀態(tài)的體積電阻率不僅僅由金屬材料及組成來(lái)決定。為了得到高熱傳導(dǎo)率，如上所述，最好要減少雜質(zhì)量，但另一方面，Al或Ag純金屬有耐蝕性及耐異物析出性能差的傾向，因此要考慮兼顧兩者來(lái)決定最佳組成。當(dāng)然，為了得到高熱傳導(dǎo)性及高可靠性，將反射層做成多層結(jié)構(gòu)也是有效的。這時(shí)的構(gòu)成是，至少1層是作為具有全反射層膜厚的50％以上膜厚的上述低體積電阻率材料。實(shí)際上完成散熱功能，而其它層則有助于提高耐蝕性、與保護(hù)層的粘著性及耐異物析出性能。更具體來(lái)說(shuō)，金屬中具有最高熱傳導(dǎo)率及低體積電阻率的Ag與含S的保護(hù)層不大能夠相容，在反復(fù)重寫(xiě)的情況下劣化稍快。又，在高溫高濕的加速成試驗(yàn)環(huán)境下有容易被腐蝕的傾向。因此，采用Ag及Ag合金作為低體積電阻率材料，并設(shè)置1nm以上100nm以下的Al為主要成分的合金層作為與上部保護(hù)層之間的界面層也是有效的。若厚度采用5nm以上，則薄層不呈島狀構(gòu)造，容易均勻形成。作為Al合金，與前面所述一樣，可以舉出例如包含0.2原子％以上2原子％以下的Ta、Ti、Co、Cr、Si、Sc、Hf、Pd、Pt、Mg、Zr、Mo或Mn的Al合金。界面層厚度小于1nm時(shí)，保護(hù)效果不充分，若超過(guò)100nm，則犧牲了散熱效果。特別是在反射層為Ag或Ag合金的情況下，使用界面層特別有效。這是因?yàn)?，Ag與含有本發(fā)明希望采用的硫化物的保護(hù)層接觸，比較容易因硫化而引起腐蝕。而在采用Ag合金反射層與Al合金界面層時(shí)，由于Ag與Al是相互比較容易擴(kuò)散的一對(duì)組合，因此更理想的是使Al表面氧化形成大于1nm的界面氧化層。界面氧化層若超過(guò)5nm，特別是超過(guò)10nm，則形成熱阻，作為本來(lái)意圖的具有極好散熱性的反射層功能受到損害，因此是不適宜的。反射層做成多層，將高體積電阻率材料與低體積電阻率材料組合，對(duì)于在所希望的膜厚得到所希望的面積電阻率是很有效的。通過(guò)合金化來(lái)調(diào)節(jié)體積電阻率，雖然可以使用合金靶以簡(jiǎn)化濺射工序，但也構(gòu)成靶的制造成本進(jìn)而媒體的原材料比上升的一個(gè)重要因素。因而，將純Al或純Ag薄膜與上述添加元素本身的薄膜形成多層結(jié)構(gòu)以得到所希望的體積電阻率也是有效的方法。若層數(shù)達(dá)到3層左右，則有時(shí)雖然初始裝置成本增加，但每片媒體的成本倒反而能夠加以抑制。最好將反射層做成由多層金屬膜構(gòu)成的多層反射層，全部膜厚做成40nm以上30nm以下，多層反射層厚度的50％以上為20nΩ·m以上150nΩ·m以下的金屬薄膜層(也可以是多層)。記錄層及保護(hù)層厚度，除了考慮上述熱學(xué)性能、機(jī)械強(qiáng)度、可靠性方面的限制外，還要考慮隨多層結(jié)構(gòu)而來(lái)的干涉效應(yīng)，厚度選擇要使得激光吸收效率好、記錄信號(hào)的振幅即記錄狀態(tài)與未記錄狀態(tài)的反差大。例如，若將本發(fā)明媒體用于可擦寫(xiě)DVD，并確保與只讀型DVD的互換性，則必須提高調(diào)制度。又必須能夠原封不動(dòng)地使用通常單放機(jī)采用的稱為DPD(DifferentialPhaseDetection，即差分相位檢測(cè))法的跟蹤伺服法。圖6所示為記錄、重放EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)信號(hào)時(shí)的DC重放信號(hào)(含直流分量的重放信號(hào))波形。調(diào)制度以14T斑點(diǎn)的最大信號(hào)強(qiáng)度Itop與信號(hào)振幅I14之比I14/Itop來(lái)定義。Itop實(shí)際上相當(dāng)于未記錄部分(結(jié)晶態(tài))的槽內(nèi)的反射率。I14則反映相變媒體的結(jié)晶態(tài)部分與非晶態(tài)部分反射光的強(qiáng)度差及相位差的問(wèn)題。反射光的強(qiáng)度差基本上由結(jié)晶態(tài)與非晶態(tài)的反射率差來(lái)決定，若上述記錄后的調(diào)制度約為0.5以上，則能夠?qū)崿F(xiàn)低跳動(dòng)，同時(shí)上述利用DPD法的跟蹤伺服也很好地動(dòng)作。圖7所示為典型4層結(jié)構(gòu)反射率差的計(jì)算舉例。是在聚碳酸酯基板上設(shè)置(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層、Ge0.05Sb0.69Te0.26記錄層、(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層、及Al0.995Ta0.005反射層的結(jié)構(gòu)。各層折射率采用實(shí)測(cè)值。在波長(zhǎng)650nm條件下各材料的復(fù)數(shù)折射率是，上下保護(hù)層為2.12～0.1i，反射層為1.7～5.3i，基板為1.56，記錄層在非晶態(tài)時(shí)(剛成膜后的狀態(tài)下測(cè)量)為3.5～2.6i，初始化后的結(jié)晶態(tài)為2.3～4.1i。又，記錄層、第2保護(hù)層及反射層的膜厚分別為18nm、20nm及200nm，取固定值。只看與第1保護(hù)層膜厚的關(guān)系，通常振幅的變化小，與分母Itop、即結(jié)晶態(tài)的反射率有很密切的關(guān)系。因而，結(jié)晶態(tài)反射率最好盡可能低。在圖7的計(jì)算舉例中，第1保護(hù)層為折射率n＝2.12的(ZnS)80(SiO2)20膜，這時(shí)，第1極小值d1為膜厚50～70nm，第2極小值d2為膜厚200～220nm。以后周期性變化。如果是反射率高的記錄層，則結(jié)晶態(tài)反射率極小的第1保護(hù)層膜厚實(shí)際上僅僅由保護(hù)層的折射率決定。其他折射率n的極小點(diǎn)膜厚若對(duì)d1及d2乘以2.1/n，則近似可求出。通常，用作保護(hù)層的電介質(zhì)為n＝1.8～2.3左右，d1為60～80nm左右。若第1保護(hù)層折射率n小于1.8，則由于在極小點(diǎn)的反射率增加，調(diào)制度顯著下降，小于0.5，因此是不適宜的，反之，若超過(guò)2.3，則由于極小點(diǎn)的反射率過(guò)低，不能達(dá)到20％，聚焦伺服及跟蹤伺服困難，因此也不適宜。在本發(fā)明記錄層的組成范圍內(nèi)，能發(fā)揮與圖7基本類似的光學(xué)特性。從生產(chǎn)效率的觀點(diǎn)來(lái)看，第1保護(hù)層膜厚最好限于150nm以下。這是因?yàn)?，現(xiàn)在利用濺射法的電介質(zhì)保護(hù)層成膜速度頂多為15nm/秒，其成膜若需要10秒鐘以上，則成本要上升。另外，由于膜厚變化的允許范圍比較嚴(yán)格，因此生產(chǎn)效率不理想。也就是說(shuō)，由圖7可知，若與所希望的膜厚d0偏離Δd，則在第1極小值d1附近及第2極小值d2附近，反射率都變化相同數(shù)值。另一方面，制造上膜厚分布的均勻性限度通常是相對(duì)于d0±2～3％。因而，d0越薄，膜厚變化幅度Δd越小，能夠抑制盤(pán)片面內(nèi)或盤(pán)片之間的反射率變化，因此是有利的因而，對(duì)于價(jià)格便宜的靜止相對(duì)型濺射裝置，沒(méi)有基板自轉(zhuǎn)、公轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的裝置，最好采用第1極小值d1附近的膜厚。另一方面，厚保護(hù)層對(duì)于抑制反復(fù)重寫(xiě)時(shí)的基板表面變形有很大效果，因此若著重于改善反復(fù)重寫(xiě)耐久性，則最好采用第2極小值d2附近的膜厚。在通過(guò)基板入射錄放光進(jìn)行記錄或重放的那樣的媒體中，必須使第1保護(hù)層有一定程度的厚度，以保護(hù)基板免收記錄時(shí)所產(chǎn)生的熱量的影響。記錄層在記錄時(shí)雖然是100納秒左右但達(dá)到500～600℃以上。因此，膜厚最好為50nm以上。在小于50nm的情況下，若反復(fù)記錄，則基板上積聚微觀變形，容易產(chǎn)生噪聲及缺陷等。特別是基板為聚碳酸酯等熱塑性塑料時(shí)尤為重要。下面說(shuō)明與本媒體一起使用的理想的光記錄方法。理想的第一記錄方法是在上述記錄媒體上利用多種記錄斑點(diǎn)長(zhǎng)度對(duì)斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制信息進(jìn)行記錄時(shí)，在記錄斑點(diǎn)之間照射能夠使非晶態(tài)結(jié)晶化的擦除功率Pe的記錄光，一個(gè)記錄斑點(diǎn)的時(shí)間長(zhǎng)度為nT時(shí)(T為基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期，n為2以上的整數(shù))。將記錄斑點(diǎn)的時(shí)間長(zhǎng)度nT依次分割為η1T、α1T、β1T、α2T、β2T……、αiT、βiT、……αmT、βmT、η2T(式中，m為脈沖分割數(shù)，m＝n-k，設(shè)k為0≤k≤2的整數(shù)。又，設(shè)∑1(α1+βi)+η1+η2＝n，η1為η≥0的實(shí)數(shù)，η2為η2≥0的實(shí)數(shù)，0≤η1+η2≤2。設(shè)αi(1≤i≤m)為αi＞0的實(shí)數(shù)，βi(1≤i≤m)為β1＞0的實(shí)數(shù)，∑α1＜0.5n。設(shè)α1＝0.1～1.5、β1＝0.3～1.0、βm＝0～1.5、αi＝0.1～0.8(2≤i≤m)。而在3≤i≤m的i中，設(shè)αi+βi-1＝0.5～1.5的范圍，且與i無(wú)關(guān)，為一固定值。在αiT(1≤i≤m)時(shí)間內(nèi)，照射足以使記錄層熔融的記錄功率Pw(Pw≥Pe)的記錄光，在βiT(1≤i≤m)時(shí)間內(nèi)，照射滿足0＜Pb≤0.2Pe的偏置功率Pb的記錄光(這里，在βmT中可以有0＜Pb≤Pe的關(guān)系)。通過(guò)與上述媒體一起采用本記錄方法，能夠正確控制記錄層再凝固時(shí)的冷卻速度，至少在3m/s到8m/s的線速度范圍內(nèi)，而利用設(shè)定記錄條件的方法，能夠在1m/s至15m/s很寬的線速度范圍內(nèi)進(jìn)行最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的高密度斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄，能夠達(dá)到1000次以上的反復(fù)重寫(xiě)次數(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)小于基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期10％的低跳動(dòng)。首先，為了實(shí)現(xiàn)上述高密度斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄，使波長(zhǎng)350～680nm的激光光束通過(guò)數(shù)值孔徑NA為0.55以上0.9以下的物鏡將光聚焦在記錄層上，得到微小的聚焦光束的光點(diǎn)。最好是使NA為0.55以上0.65以下，若NA超過(guò)0.65，則由于光軸傾斜而產(chǎn)生的像差的影響變大，必須使物鏡與記錄面的距離極其接近。因而，在通過(guò)DVD等0.6mm左右厚度的基板入射聚焦光束時(shí)，NA為0.65左右是上限。然后，如圖8所示，通過(guò)將記錄光功率調(diào)制為至少3值，能夠放寬功率余量及記錄時(shí)的線速度余量。在圖8中，最前面記錄脈沖α1T的開(kāi)始位置及最后面切斷脈沖βmT的結(jié)束位置不一定必須與原來(lái)記錄信號(hào)的開(kāi)始位置及結(jié)束位置一致。在0≤η1+η2≤2.0的范圍內(nèi)，可以在最前面設(shè)置η1T，在最后面設(shè)置η2T。根據(jù)該斑點(diǎn)前后的斑點(diǎn)長(zhǎng)度和斑點(diǎn)間的長(zhǎng)度，對(duì)η1T和η2T的長(zhǎng)度進(jìn)行微調(diào)，對(duì)于正確形成斑點(diǎn)也是有效的?；蛘咭灿邢鄳?yīng)于斑點(diǎn)長(zhǎng)度nT僅僅改變?chǔ)耺，以此能夠形成良好的斑點(diǎn)的情況。也可以使最后的βm＝0。例如，在EFM調(diào)制中，3T～11T的斑點(diǎn)中的11T斑點(diǎn)，或在EFM增強(qiáng)型調(diào)制中3T～14T的斑點(diǎn)中的14T斑點(diǎn)等長(zhǎng)斑點(diǎn)，是那樣容易積蓄熱量，因此最好延長(zhǎng)最后的βm，以延長(zhǎng)冷卻時(shí)間。反之，在3T斑點(diǎn)等短斑點(diǎn)情況下，最好縮短βm。其調(diào)整寬度為0.5左右。如果是超過(guò)所謂DVD程度的線密度的高密度記錄，則即使不一定進(jìn)行那樣的微調(diào)也能得到足夠好的記錄信號(hào)質(zhì)量。又，通過(guò)改變偏置功率Pb的大小，也能夠控制斑點(diǎn)形狀。圖9所示為照射兩個(gè)記錄脈沖時(shí)記錄層某一點(diǎn)的溫度隨時(shí)間變化之一例。是相對(duì)于媒體相對(duì)移動(dòng)光束、同時(shí)連續(xù)照射記錄脈沖P1、切斷脈沖及記錄脈沖P2時(shí)，在照射記錄脈沖P1的位置上的溫度變化。圖中(a)為Pb＝Pe的情況，(b)為Pb≈0的情況。圖9中的(b)，由于切斷脈沖區(qū)間的偏置功率Pb幾乎為0，因此TL’從熔點(diǎn)降低到非常低的點(diǎn)，而且中途的冷卻速度也大。因而，非晶態(tài)斑點(diǎn)在記錄脈沖P1照射時(shí)熔解，在其后的切斷脈沖時(shí)由于急冷而形成。另一方面，在圖9(a)中，在切斷脈沖區(qū)間還照射擦除功率Pe，因此第1個(gè)記錄脈沖P1照射后的冷卻速度慢，由于在切斷脈沖區(qū)間的溫度下降，達(dá)到的最低TL溫度停留在熔點(diǎn)Tm附近，再由于后續(xù)的記錄脈沖P2作用加熱至熔點(diǎn)Tm附近，難于形成非晶態(tài)斑點(diǎn)。對(duì)于本發(fā)明媒體，取圖9(b)所示的陡削溫度分布曲線對(duì)于抑制高溫區(qū)的結(jié)晶化，得到良好的非晶態(tài)斑點(diǎn)是很重要的。這是因?yàn)?，本發(fā)明媒體的記錄層僅在略小于熔點(diǎn)的高溫區(qū)顯示出大的結(jié)晶速度，因此取(b)的分布曲線，這是記錄層溫度基本上沒(méi)有停止在高溫區(qū)的分布曲線，人們認(rèn)為能夠以此抑制再結(jié)晶化?；蛘?，在接近結(jié)晶溫度Tc的比較低的低溫區(qū)，晶核生成在每次擦除過(guò)程不是起支配作用，由于前述初始化時(shí)形成的能夠構(gòu)成晶核的Sb原子團(tuán)穩(wěn)定存在，也可以認(rèn)為僅僅高溫區(qū)的晶體生長(zhǎng)起支配作用。因而，通過(guò)控制冷卻速度及TL’，能夠幾乎完全抑制再結(jié)晶化，得到具有幾乎與熔融區(qū)域一致的有清晰輪廊的非晶態(tài)斑點(diǎn)，能夠減少斑點(diǎn)邊界的跳動(dòng)。另一方面，對(duì)于GeTe-Sb2Te3偽二元素合金，采用圖9中(a)、(b)中的任一溫度分布曲線，非晶態(tài)斑點(diǎn)形成過(guò)程也沒(méi)有顯著差別。這是因?yàn)?，該材料在比較寬的溫度范圍、特別是接近結(jié)晶溫度Tc的低溫區(qū)，顯示出速度稍慢的再晶化。或是，該材料在比較接近Tc的溫度區(qū)的晶核生成與接近Tm的溫度區(qū)的晶體生長(zhǎng)成為恒定速率，因此也可以認(rèn)為，在比較寬的溫度范圍，作為整體來(lái)說(shuō)發(fā)生較低速度的再結(jié)晶化。對(duì)于GeTe-Sb2Te3，也有采用Pb＜Pe。并使用的切斷脈沖以抑制粗大晶粒的情況，但若取Pb/Pe≤0.2，則在Tc附近結(jié)晶化受到過(guò)多抑制，擦除性能反而下降。但是，對(duì)于本發(fā)明的記錄層材料，人們認(rèn)為在接近Tc的較低溫下的結(jié)晶化基本上不進(jìn)行，因此最好取Pb/Pe≤0.2?；蛘吒唧w來(lái)說(shuō)，取0≤Pb≤1.5(mW)，只要跟蹤伺服穩(wěn)定，最好采用低的Pb，盡可能急冷，這樣積極地利用切斷脈沖，就能夠清晰地形成非晶態(tài)斑點(diǎn)的邊界。在圖8的脈沖分割方法中，特別是僅僅使最前面的記錄脈沖α1T比后續(xù)脈沖αiT長(zhǎng)，又僅僅設(shè)定最前面和最后面的切斷脈沖寬度β1T及βmT與其他切斷脈沖不同，這對(duì)于取得長(zhǎng)斑點(diǎn)與短斑點(diǎn)性能的平衡是最有效的。最前面的脈沖α1T因?yàn)闆](méi)有余熱效應(yīng)，升溫需要稍長(zhǎng)的時(shí)間。或者，把最前面的脈沖的記錄功率設(shè)定得比后續(xù)脈沖高也是有效的。又，若使脈沖切換與時(shí)鐘信號(hào)周期T同步，則脈沖控制變得簡(jiǎn)單。適于斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄且脈沖控制電路簡(jiǎn)單的脈沖分割方法示于圖10中。(a)為記錄斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制數(shù)據(jù)時(shí)的脈沖分割方法，(b)為m＝n-1的情況(c)，為m＝n-2的情況。而在(b)、(c)中，為了使圖形簡(jiǎn)單，省略了T。設(shè)圖中所有的αi(2≤i≤m)及βi(2≤i≤m-1)都有與i無(wú)關(guān)，為一定值，取α1≥αi，αi+βi-1＝1.0(3≤i≤m)，并使αi(2≤i≤m)的記錄脈沖的后沿與時(shí)鐘脈沖同步。又，使Pb與重放光功率Pr相同，也有利于電路簡(jiǎn)化。僅僅使最前面脈沖α1T比后續(xù)脈沖長(zhǎng)，這對(duì)于在所謂眼圖(eyepattern)中使短斑點(diǎn)與長(zhǎng)斑點(diǎn)的記錄很好平衡是很有必要的?；蛘咭部梢詢H僅使前面脈沖的功率比后續(xù)脈沖高。這樣的脈沖利用圖11所示的3種門(mén)信號(hào)發(fā)生電路及決定它們之間的優(yōu)先順序的方法就能夠得到。圖11為利用本發(fā)明的記錄方法的脈沖發(fā)生方法之一例的說(shuō)明圖。(a)為時(shí)鐘信號(hào)，(b)為數(shù)據(jù)信號(hào)，由記錄脈沖發(fā)生電路中的3種門(mén)信號(hào)發(fā)生電路產(chǎn)生的門(mén)信號(hào)為(c)Gate1、(d)Gate2及(e)Gate3。通過(guò)預(yù)先決定這3種門(mén)信號(hào)的優(yōu)先順序，就能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的脈沖分割方法。Gate1僅僅決定記錄脈沖發(fā)生區(qū)間α1T，Gate2決定產(chǎn)生規(guī)定個(gè)數(shù)的后續(xù)脈沖αiT(2≤i≤m)的時(shí)刻。這里設(shè)脈沖寬度αi在2≤i≤m中為一定值αc。Gate3產(chǎn)生切斷脈沖發(fā)生區(qū)間βiT。Gate3導(dǎo)通(高電平)時(shí)，產(chǎn)生Pb，在截止(低電平)時(shí)，產(chǎn)生Pe。僅僅把αi的上升時(shí)間及脈沖寬度單獨(dú)決定，可以使β1取與βi不同的值。最好使Gate3與Gate1的上升沿同步，Gate1及Gate2分別產(chǎn)生Pw，而Gate1及Gate2導(dǎo)通時(shí)，Gate3優(yōu)先。若規(guī)定Gate1的延遲時(shí)間T1為αi，Gate2的延遲時(shí)間(T1+T2)為αc，則能夠規(guī)定圖10的策略。這里若設(shè)T1為1T以上，則成為圖10(b)的m＝n-1情況下的脈沖，若設(shè)為小于1T，后續(xù)脈沖減去一個(gè)數(shù)，則成為圖10(c)的m＝n-2情況下的脈沖。這時(shí)，使α1T及βm-2比m＝n-1時(shí)長(zhǎng)，以使形成的斑點(diǎn)長(zhǎng)度為nT。作為本發(fā)明的應(yīng)用例，為了在與只讀DVD相同或更高的記錄密度下得到與只讀DVD相同的信號(hào)質(zhì)量，最好是采用下述記錄方法。也就是利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.9的物鏡將波長(zhǎng)為350～680mn的光聚焦于記錄層上進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放的光記錄方法，設(shè)m＝n-1或m＝n-2，0≤Pb≤1.5(mW)，Pe/Pw為0.3以上0.6以下。而且最好設(shè)α1＝0.3～1.5，α1≥αi＝0.2～0.8(2≤i≤m)，αi+βi-1＝1.0(3≤i≤m)，βm＝0～1.5，將Pe/Pw的比保持一定是為了在功率產(chǎn)生變動(dòng)時(shí)，在大功率下記錄斑點(diǎn)大的時(shí)候，也把擦除功率加大，以擴(kuò)大可能擦除的范圍。當(dāng)Pe/Pw小于0.3時(shí)，通常因?yàn)镻e低，擦除不容易徹底。反之，若大于0.6，則Pe過(guò)多，容易導(dǎo)致光束中心的再度非晶化，很難利用完全再結(jié)晶化進(jìn)行擦除。又，照射于記錄層的能量過(guò)大，也容易因反復(fù)重寫(xiě)而惡性循劣化。本發(fā)明組成的記錄層，由于αi在特別小的范圍內(nèi)能得到較小的跳動(dòng)，因此最好取∑αi＜0.5n，K越小越使(∑αi)/n減小。即最好在K＝0或K＝1時(shí)(∑αi)＜0.4n，k＝2時(shí)，(∑αi)＜0.5n。為了將這樣的記錄脈沖分割方法用于線速度3m/s以上的重寫(xiě)，在本發(fā)明記錄層Gex(SbyTe1-y)1-x中，最好是y取0.72以上，對(duì)于線速度7m/s以上的重寫(xiě)，最好使y為0.74以上。亦即Sb/Te比取2.57以上，最好是Sb取2.85以上的富Sb組成。即使將記錄層組成做成這種富Sb組成，非晶態(tài)斑點(diǎn)的穩(wěn)定性及保存穩(wěn)定性仍然較好，這是本發(fā)明的一個(gè)理想的特征。在日本專利特開(kāi)平8-22644號(hào)公報(bào)中記載了在Sb0.7Te0.3鄰近組成中添加共計(jì)10原子％左右的Ag及In而形成的AbInSbTe記錄層。但是，在該AgInSbTe記錄層中，若使Sb/Te比為2.57以上，則非晶態(tài)斑點(diǎn)極不穩(wěn)定，保存穩(wěn)定性存在問(wèn)題。下面用實(shí)驗(yàn)例加以比較說(shuō)明?？紤]這樣的記錄情況，即在進(jìn)行EFM增強(qiáng)型調(diào)制的斑點(diǎn)長(zhǎng)度記錄時(shí)，為了記錄長(zhǎng)度nT的斑點(diǎn)，在線速度為2m/s～5m/s的范圍內(nèi)，采用波長(zhǎng)630～680nm、NA＝0.6的光學(xué)系統(tǒng)，將記錄脈沖分割成n-1個(gè)進(jìn)行記錄。作為本發(fā)明記錄層之一例，采用Ag0.05Ge0.05Sb0.67Te0.23(Sb/Te≈2.91)，而作為上述AgInSbTe記錄層之一例，采用Ag0.05In0.05Sb0.63Te0.27(Sb/Te≈2.33)。本發(fā)明組成的記錄層及上述AgInSbTe記錄層，其光學(xué)常數(shù)大致相等，因此采用相同的層結(jié)構(gòu)，能夠得到相同的反射率及調(diào)制度，因而能夠采用熱學(xué)上相同的層結(jié)構(gòu)。取第1保護(hù)層膜厚為100nm，記錄層為20nm，第2保護(hù)層20nm，反射層為200nm，而都取βi＝0.5左右(1≤i≤n-1)，Pw＝10～14(mW)，Pe/Pw＝0.5，Pb≈0。這時(shí)，對(duì)已有的Ag0.05In0.05Sb0.63Te0.27記錄層，最好是α1＝0.8～1.2，αi＝0.4～0.6(2≤i≤n-1)。特別是αi＝1.0，αi＝0.5(2≤i≤n-1)，βm＝0.5的情況下，∑αi與n無(wú)關(guān)，為0.5n。而對(duì)于本發(fā)明的Ag0.05In0.05Sb0.67Te0.23記錄層，最好的范圍是α1＝0.3～0.5，αi＝0.2～0.4(2≤i≤n-1)。更具體地說(shuō)，可以使αi＝0.6，α1＝0.35(2≤i≤n-1)。這種情況下，當(dāng)n＝3時(shí)，∑α1≈0.32n；而n＝4以上時(shí)，∑α1≈0.33n～0.34n。也就是說(shuō)這表明在本發(fā)明媒體中，能夠減小記錄時(shí)照射的平均照射功率，減小實(shí)際的記錄脈沖照射時(shí)間為∑αi＜0.4n。據(jù)此可以得到下述效果。(1)能夠減小由于高功率記錄導(dǎo)致的記錄信號(hào)質(zhì)量的下降。高功率記錄的問(wèn)題起因于，給予記錄層的光能過(guò)多而充滿記錄層。因此，冷卻速度慢，發(fā)生非晶態(tài)斑點(diǎn)的再結(jié)晶化，或者使反復(fù)重寫(xiě)性能顯著下降。通過(guò)設(shè)置低功率的切斷脈沖區(qū)間以抑制平均輸入功率，而且利用高熱傳導(dǎo)率的反射層向平面方向散熱，這樣即使在高功率記錄時(shí)，也能夠抑制斑點(diǎn)后端部分、特別是長(zhǎng)斑點(diǎn)后端部分的熱積蓄造成的惡劣影響，能夠形成良好的長(zhǎng)斑點(diǎn)。(2)能夠減輕反復(fù)重寫(xiě)時(shí)各層的熱損傷，改善反復(fù)重寫(xiě)耐久性。通過(guò)減小每次的熱損傷，能夠抑制例如耐熱性差的塑料基板的變形。還能夠把傷損傷達(dá)到的范圍限制在激光束剖面的中心部分的較狹小的范圍內(nèi)。特別是越容易產(chǎn)生熱積蓄的n＝4以上的長(zhǎng)斑點(diǎn)，使實(shí)際記錄能量照射比例(∑αi)/n減小的效果越大。因而即使是容易受熱損傷的5m/s以下的低線速度下，也能夠減輕對(duì)媒體的惡劣影響。在本發(fā)明中，能夠這樣改善反復(fù)重寫(xiě)耐久性，達(dá)到比以往高1個(gè)數(shù)量級(jí)的重寫(xiě)次數(shù)。還有，記錄層采用以Gex(SbyTe1-y)1-x合金為主要成分的薄膜(0.045≤x≤0.075，0.74≤y＜0.8)，利用根據(jù)線速成度改變記錄脈沖分割方法，能夠以包括3m/s～8m/s的很寬范圍的線速度進(jìn)行重寫(xiě)。也就是說(shuō)，在圖8的脈沖分割方法中，m＝n-k的k取一定值，重寫(xiě)時(shí)的線速度越低，越是使Pb/Pe或αi的某一項(xiàng)單調(diào)減少。還有，為了保持一定的記錄線密度，也可以根據(jù)需要相應(yīng)于線速度改變時(shí)鐘信號(hào)周期，或改變Pw、Pe以在各自線速度下保持最佳。在本發(fā)明中，還提供一種以DVD標(biāo)準(zhǔn)重放線速度的1倍速及2倍速兩種條件記錄最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.35～0.45μm的所謂EFM增強(qiáng)型調(diào)制信號(hào)的方法。而且DVD的標(biāo)準(zhǔn)重放線速度為3.49m/s。也就是說(shuō)，所述光記錄方法是利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.65的物鏡，使波長(zhǎng)為600～680nm的光通過(guò)基板聚焦在記錄層上，取最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.35～0.45μm范圍，進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放的方法，所述光記錄方法是設(shè)n為1～14的整數(shù)，m＝n-1，Pb在0≤Pb≤1.5(mW)范圍內(nèi)與線速度無(wú)關(guān)，取一定值，Pe/Pw能夠在0.4～0.6范圍內(nèi)相應(yīng)于線速度變化，(i)在記錄線速度為3～4m/s的范圍內(nèi)，設(shè)基準(zhǔn)時(shí)鐘周期為T(mén)0，α1＝0.3～0.8，α1≥αi＝0.2～0.4，與i無(wú)關(guān)，取一定值(2≤i≤m)，α2+β1≥1.0，α1+βi-1＝1.0(3≤i≤m)，βm＝0.3～1.5，在αiT(1≤i≤m)時(shí)間內(nèi)照射記錄功率Pw1的記錄光，(ii)在記錄線速度為6～8m/s范圍內(nèi)，設(shè)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期為T(mén)0/2，α’1＝0.3～0.8，α’1≥α’i＝0.3～0.5，與i無(wú)關(guān)，取一定值(2≤i≤m)，α’i+β’i-1＝1.0(3≤i≤m)，β’m＝0～1.0，在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射記錄功率為Pw2的記錄光時(shí)為α’i＞αi(2≤i≤m)，0.8≤Pw1/Pw2≤1.2。根據(jù)本發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)，只要采用圖10的脈沖分割方法，利用該設(shè)定能夠得到特別小的跳動(dòng)。這里，若是還設(shè)α2+β1＝1.0，則與脈寬有關(guān)的獨(dú)立參數(shù)為α1、αi及βm這3個(gè)參數(shù)，能夠進(jìn)一步簡(jiǎn)化記錄信號(hào)源，是非常理想的。還有，n沒(méi)有必要取從1到14的所有整數(shù)，在EFM增強(qiáng)型調(diào)制中，取3到11及14。也可以使用(1，7)RLL-NRZI(RunLengthLimited-NonReturnToZeroInverted；即有限游程長(zhǎng)度碼-IBM式不歸零碼)碼等。另外，為了使記錄密度為一定值，一般設(shè)定1倍速記錄時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)周期為2倍速記錄時(shí)的2倍。還有，本發(fā)明不僅對(duì)于如上所述的一面維持一定線速度一面對(duì)整個(gè)記錄面進(jìn)行記錄的方式(Constantlinearvelocity，CLV方式，即恒線速度方式)有效果，而只對(duì)于以一定旋轉(zhuǎn)角速度在整個(gè)記錄區(qū)進(jìn)行記錄的方式(Constantangularvelocity，CAV方式，即恒角速度方式)也有效?；蛘?，對(duì)于將半徑方向分割為多個(gè)區(qū)域，在同一區(qū)域內(nèi)按CLV方式進(jìn)行重寫(xiě)的ZCLV(ZonedCLV，即區(qū)域等線速度)方式也有效。光盤(pán)直徑有86mm、90mm(簡(jiǎn)單CD尺寸)、120mm(CD尺寸)或130mm等各種各樣，記錄區(qū)從半徑20～25mm到最大近65mm。這時(shí)內(nèi)外圈的線速度差最大接近3倍。通常，在高密度斑點(diǎn)長(zhǎng)度記錄中，相變媒體顯示出良好的重寫(xiě)特性的線速度范圍為線速度比在1.5倍左右的范圍。若線速度快，則由于記錄層冷卻速度快，因此容易形成非晶態(tài)斑點(diǎn)，但是保持于結(jié)晶溫度以上的時(shí)間短，擦除困難。另一方面，若線速度慢，則擦除容易，但是由于記錄層冷卻速度慢，因此容易再結(jié)晶化，很難形成良好的非晶態(tài)斑點(diǎn)。為了解決這一問(wèn)題，可以通過(guò)調(diào)節(jié)，使內(nèi)外圈反射層膜厚改變，使得內(nèi)圈反射層的散熱效果程度增大?；蛘哌€有這樣的方案，即改變記錄層組成，以提高外圈的結(jié)晶速度，或降低內(nèi)圈形成非晶態(tài)所必需的臨界冷卻速度。但是，要使做成的盤(pán)片具有這樣的分布不是容易的。另一方面，若將本發(fā)明的媒體與光記錄方法組合使用，假如在盤(pán)片最外圈線速度即最大線速度為約10m/s以下，則即使采用CAV方式或ZCLV方式也能夠進(jìn)行良好的記錄。為了將本發(fā)明用于如上所述根據(jù)半徑來(lái)改變線速度的媒體，最好將記錄區(qū)按照半徑分為多個(gè)區(qū)域，將數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)時(shí)鐘頻率及脈沖分割方法切換使用于每個(gè)區(qū)域。也就是說(shuō)，是使具有規(guī)定記錄區(qū)的光學(xué)信息記錄媒體以一定角速度旋轉(zhuǎn)，而利用多種斑點(diǎn)長(zhǎng)度記錄信息的方法，使該媒體旋轉(zhuǎn)以使記錄區(qū)最內(nèi)圈的線速度為2～4m/s，記錄區(qū)最外圈的線速度為6～10m/s，該記錄區(qū)由按半徑分割的多個(gè)區(qū)域構(gòu)成，根據(jù)各區(qū)域內(nèi)的平均線速度改變基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T，使記錄密度大致為一定。這時(shí)，取脈沖分割數(shù)m為一定值而與區(qū)域無(wú)關(guān)，從外圈區(qū)域到內(nèi)圈區(qū)域使Pb/Pe比及/或αi(i為1≤i≤m中的至少1個(gè))單調(diào)減小。這樣在低線速度的內(nèi)圈部分能夠防止因冷卻速度不夠而使非晶態(tài)斑點(diǎn)的形成不完全的情況發(fā)生，另外，所謂單調(diào)減小αi(i為1≤i≤m中的至少1個(gè))是指例如在α1、α2……、αm中只使α2減少。更具體來(lái)說(shuō)，希望能夠以圖10所示的脈沖分割方法為基礎(chǔ)，采用根據(jù)線速度的脈沖分割方法來(lái)簡(jiǎn)化可變脈沖分割方法的電路。這時(shí)，將記錄區(qū)沿半徑方向分割為P個(gè)區(qū)域，使各個(gè)區(qū)域的時(shí)鐘信號(hào)周期及脈沖分割方法改變，這比起根據(jù)半徑位置連續(xù)使其變化要簡(jiǎn)單。在本發(fā)明中，記錄區(qū)按照半徑分割為P個(gè)區(qū)域，將最內(nèi)圈一側(cè)作為第1區(qū)域，將最外圈一側(cè)作為第P區(qū)域，若設(shè)第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))中的角速度為ωq，平均線速度為<Vq>ave，最大線速度為<Vq>max，最小線速度為<Vq>min，基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期為T(mén)q，最短斑點(diǎn)時(shí)間長(zhǎng)度為nminTq，則最好<Vp>ave/<V1>ave為1.2～3的范圍，<Vq>max/<Vq>min為1.5以下。在同一區(qū)域內(nèi)采用相同的時(shí)鐘信號(hào)周期及相同的脈沖分割方法，但是用相同的脈沖分割方法能夠覆蓋的線速度范圍的限度約為1.5倍。于是，在同一區(qū)域內(nèi)，ωq、Tq、αi、β1、Pe、Pb及Pw為一定值，最短斑點(diǎn)物理長(zhǎng)度nminTq<Vq>ave為0.5μm以下，Tq<Vq>ave對(duì)于1≤q≤p的所有的q近似為一定值，而且m＝n-1或m＝n-2，α1＝0.3～1.5，α1≥αi＝0.2～0.8，(2≤i≤m)，αi+βi-1＝1.0(3≤i≤m)，0≤P≤1.5(mW)，0.4≤Pe/Pw≤0.6，式中最好當(dāng)m＝n-1時(shí)，α1＝0.3～1.5，αi＝0.2～0.5；當(dāng)m＝n-2時(shí)，α1＝0.5～1.5，αi＝0.4～0.8。脈沖分割方法重要的是依照以下規(guī)則來(lái)變化。在各區(qū)域中，Pb、Pw、Pe/Pw比、α1、β1、βm為可變，從外圈區(qū)域向內(nèi)圈區(qū)域至少使αi(i為2≤i≤m中的至少1個(gè))單調(diào)減小。各區(qū)域的α1的變化最好以0.1T為間隔或0.01T為間隔進(jìn)行。這里，通過(guò)附加相對(duì)于最外圈基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期Tp的1/100左右周期的高頻基本時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生電路，能夠產(chǎn)生作為該高頻基本時(shí)鐘信號(hào)的倍數(shù)的所有區(qū)域的Tq及分割脈沖長(zhǎng)度。在DVD中，由于1倍速的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)頻率為26MHz左右，因此采用最高為2.6GHz左右的高頻基本時(shí)鐘信號(hào)頻率、而通常是小1個(gè)數(shù)量級(jí)的260MHz左右的高頻基本時(shí)鐘信號(hào)頻率就足夠了。再者，設(shè)該記錄區(qū)的Pw的最大值為Pwmax，最小值為Pwmin，則可以使Pwmax/Pwmin≤1.2，Pe＝Pw＝0.4～0.6，0≤Pb≤1.5(mW)。據(jù)此，可以限定3種功率的設(shè)定范圍，因此能夠簡(jiǎn)化功率發(fā)生電路。在本發(fā)明中，還可以通過(guò)設(shè)定Pw、Pe/Pw比及Pb為一定值，并僅僅改變脈沖分割方法，以對(duì)應(yīng)所有的線速度。還可以設(shè)定βm為與區(qū)域無(wú)關(guān)的一定值，而僅僅將α1及αm設(shè)定為與區(qū)域相關(guān)的參數(shù)。這對(duì)于簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)器的記錄脈沖控制電路是極其有用的。在本發(fā)明中，也可以根據(jù)記錄時(shí)激光頭的半徑位置信息在記錄媒體上設(shè)定假想?yún)^(qū)域進(jìn)行記錄，也可以根據(jù)盤(pán)片上預(yù)先記錄的地址信息或區(qū)域信息在盤(pán)片上設(shè)置具體的區(qū)域構(gòu)造，假想的區(qū)域也好，具體的區(qū)域也好，只要選擇與區(qū)域決定的線速度對(duì)應(yīng)的記錄脈沖方法即可。下面說(shuō)明將本發(fā)明的光記錄方法用于ZCAV方式的其他例子。記錄區(qū)按照半徑分割為p個(gè)區(qū)域，將最內(nèi)圈一側(cè)作為第1區(qū)域，將最外圈一側(cè)作為第p區(qū)域，設(shè)第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))中的角速度為ωq，平均線速度為<Vq>ave，最大線速度為<Vq>max，最小線速度為<Vq>min，基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期為T(mén)q，最短斑點(diǎn)時(shí)間長(zhǎng)度為nminTq。在ZCAV方式中，越移向外圈部分的區(qū)域，必須越減小記錄數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的Tq，使得記錄線密度大致為一定值。也就是說(shuō)，為了使Tq<Vq>ave相對(duì)于1≤q≤p的所有的q大致為一定值，要對(duì)應(yīng)于不同區(qū)域改變Tq。這里所謂大致為一定值，是包含有±1％左右的誤差。另外，為了使同一區(qū)域內(nèi)的最大線速度與最小線速度在一定范圍內(nèi)，決定的區(qū)域?qū)挻蠖纫獫M足下式，即(<Vq>max-<Vq>min)/(<Vq>max+<Vq>min)＜10％(2)也就是說(shuō)，使(<Vq>max-<Vq>min)小于(<Vq>max+<Vq>min)的10％，第q區(qū)域的寬度允許達(dá)到平均半徑<rq>ave的±10％以下的半徑位置。最好是(<Vq>max-<Vq>min)為(<Vq>max+<Vq>min)的5％不到。區(qū)域?qū)挾瓤梢詫⒂涗泤^(qū)按每一半徑等分分割，但只要滿足該條件，也可以不是等分分割。區(qū)域數(shù)量因記錄區(qū)寬度而異，但對(duì)于30～40mm寬度的記錄區(qū)，大致分割成10個(gè)區(qū)域以上。根據(jù)本發(fā)明者的研究，即使最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.4μm左右，若滿足(2)式，則跳動(dòng)值也能達(dá)到實(shí)用水平。以上兩個(gè)條件是為了使記錄線密度一定、進(jìn)而使斑點(diǎn)物理長(zhǎng)度或信道位長(zhǎng)度一定的條件。另外，所謂信道位長(zhǎng)度是沿記錄道的每個(gè)信息位的長(zhǎng)度。為了更可靠地得到與DVD的重放互換性，當(dāng)設(shè)基準(zhǔn)重放速度V為約3.5m/s、基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T為約38.2nsec時(shí)，最好使信道位長(zhǎng)度VT的變化小于約±1％。在ZCAV媒體中，為了滿足該條件，必須滿足下述(3)式，即(<Vq>max-<Vq>min)/(<Vq>max+<Vq>min)＜1％(3)也就是說(shuō)，使(<Vq>max-<Vq>min)小于(<Vq>max+<Vq>min)的1％，第q區(qū)域的寬度允許達(dá)到平均半均<rq>ave的1％以下的半徑位置。因此，將記錄區(qū)分割為200個(gè)以上的區(qū)域。而且Tq<Vq>ave＝vT，Tq<Vq>ave相對(duì)于1≤q≤p的所有的q大致為一定值。這里所謂大致為一定值，是包含±1％左右的誤差。這樣，雖然是ZCAV方式，但由于能夠進(jìn)行與半徑無(wú)關(guān)的準(zhǔn)等密度記錄，因此用CLV方式也能夠重放，提高了CLV方式與DVD播放機(jī)的互換性。根據(jù)需要，也可以使區(qū)域?qū)挾雀?。下面說(shuō)明在上述條件下得到與DVD相同記錄密度的光記錄方法。在利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.65的物鏡使波長(zhǎng)為600～680nm的光通過(guò)基板聚焦在記錄層上進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放時(shí)，上述記錄區(qū)的最內(nèi)圈在半徑20～25mm范圍內(nèi)，最外圈在半徑55～60mm范圍內(nèi)，最內(nèi)圈一側(cè)區(qū)域的平均線速度為3～4m/s，若取第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))中的角速度為ωq，平均線速度為<Vq>ave，最大線速度為<Vq>max，最小線速度為<Vq>min，基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期為T(mén)q，最短斑點(diǎn)的時(shí)間長(zhǎng)度為nminTq，則n為1～14的整數(shù)，m＝n-1，ωq、Pb及Pe/Pw與區(qū)域無(wú)關(guān)，為一定值，Tq<Vq>ave相對(duì)于1≤q≤p的所有的q大致為一定值，而且滿足下式的關(guān)系(<Vq>max-<Vq>min)/(<Vq>max+<Vq>min)＜10％(i)設(shè)在第一區(qū)域中α11＝0.3～0.8，α11≥α1i＝0.2～0.4，與i無(wú)關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，α12+β11≤1.0α1i+β1i-1＝1.0(3≤i≤m)，(ii)設(shè)在第p區(qū)域中αp1＝0.3～0.8，αp1≥αpi＝0.3～0.5，與i無(wú)關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，αpi+βpi-1＝1.0(3≤i≤m)，這時(shí)，(iii)設(shè)在其它區(qū)域中，α1i≤αqi≤αpi(2≤i≤m)，αq1作為α11與αp1之間的值記錄。上述記錄區(qū)最內(nèi)圈在半徑20～25mm的范圍，最外圈在半徑55～60mm范圍，這種情況下記錄區(qū)的半徑寬約30～40mm。而且使盤(pán)片以等角速度旋轉(zhuǎn)，使最內(nèi)圈第1區(qū)域中<V1>ave＝3～4m/s。對(duì)于第1區(qū)域及第p區(qū)域按照上述條件進(jìn)行記錄，對(duì)于其他區(qū)域(2≤q≤p-1的第q區(qū)域)，設(shè)α1i≤αqi≤αpi(2≤i≤m)，αq1為α11與αp1之間的值，這種情況下，αq1的值最好以0.1T或0.01T的間隔來(lái)設(shè)定。最好α11≥αq1≥αp1(式中α11＞αp1)。再者，若Pb、Pe/Pw、β1、βm與區(qū)域無(wú)關(guān)，為一定值，僅僅使α1及αi因區(qū)域而變化，則能夠在整個(gè)線速度3～8m/s的很寬的線速度范圍內(nèi)得到良好的重寫(xiě)特性。最好是這些Pe/Pw、Pb、Pw、βm、(α11、αp1)、(α1c、αpc)的數(shù)值預(yù)先利用預(yù)刻凹坑串或槽變形記錄在基板上，這樣，對(duì)各記錄媒體還有各區(qū)域，驅(qū)動(dòng)器可以選擇最合適的脈沖分割方法及功率，這些數(shù)值通常記錄在記錄區(qū)的與最內(nèi)圈或最外圈的相鄰的位置。若使偏置功率Pb與重放功率Pr相同，則有的情況下也可以不必記錄偏置功率Pb。所謂槽變形，具體來(lái)說(shuō)是槽蛇行(擺動(dòng))等?；蛘?，在利用預(yù)刻凹坑串或槽變形將地址信息預(yù)先記錄在基板上的光學(xué)信息記錄媒體上，也可以與該地址信息一起，在該地址中包含適當(dāng)?shù)呐cα1及αi有關(guān)的信息。借助于此，能夠在存取時(shí)與讀出地址信息同時(shí)也讀出該脈沖分割方法信息，能夠切換脈沖分割方法，還能夠不進(jìn)行特別補(bǔ)償，就選擇適合該記錄媒體及該地址所屬區(qū)域的脈沖分割方法。上述那樣對(duì)于每個(gè)區(qū)域一邊改變記錄脈沖分割方式、一邊在整個(gè)盤(pán)片進(jìn)行記錄的方式，也能夠采用ZCLV方式(區(qū)域CLV)。下面說(shuō)明具體例子。設(shè)將記錄區(qū)沿半徑方向分割為多個(gè)區(qū)域，在各區(qū)域內(nèi)以一定線速度進(jìn)行記錄，在最內(nèi)圈區(qū)域的記錄線速度Vin與在最外圈區(qū)域的記錄線速度Vout之比Vout/Vin為1.2～2，設(shè)αi＝0.3～0.6(2≤i≤m)及βm＝0～1.5，設(shè)αi+βi-1(3≤i≤m)、α1T、Pe/Pw及Pb與線速度無(wú)關(guān)，為一定值，而使αi(2≤i≤m)及/或βm根據(jù)線速度而變化，以此進(jìn)行記錄。ZCLV方式在半徑方向上將記錄區(qū)分割為多個(gè)區(qū)域，這一點(diǎn)與ZCAV方式相同，但在同一區(qū)域內(nèi)是按照CLV方式、即線速度一定，使盤(pán)片一邊旋轉(zhuǎn)并一邊進(jìn)行記錄。因此，將本發(fā)明記錄方法用于ZCLV方式時(shí)，設(shè)最內(nèi)圈區(qū)域及最外圈區(qū)域的線速度分別為Vin及Vout，這時(shí)通過(guò)減小Vin與Vout之差，例如使Vout/Vin為1.2～2，以減小媒體對(duì)線速度的依從性。本發(fā)明媒體僅僅稍微改變記錄脈沖分割方法，就能夠在線速度3～8m/s的很寬范圍內(nèi)進(jìn)行記錄，因此能夠采用分割成較少區(qū)域數(shù)目的ZCLV方式。這時(shí)，為了成為與區(qū)域無(wú)關(guān)的等記錄密度，要使各區(qū)域的線速度Vq與各區(qū)域中的記錄數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期Tq的Tq<Vq>ave與q無(wú)關(guān)地保持一定值。然后，在各區(qū)域中采用最佳記錄脈沖分割方法。也就是說(shuō)，設(shè)αi＝0.3～0.5(2≤i≤m)及βm＝0～1.5，設(shè)m、αi+βi-1(3≤i≤m)、α1T、Pe/Pw及Pb與線速度無(wú)關(guān)，為一定值，根據(jù)線速度使αi及/或βm變化以進(jìn)行記錄。在如上所述的CLV方式、ZCAV方式或ZCLV方式中，根據(jù)重放時(shí)的線速度來(lái)改變記錄脈沖分割方法的例子主要是使βm為與線速度無(wú)關(guān)的一定值而簡(jiǎn)化脈沖發(fā)生電路的方法。反之，通過(guò)積極改變?chǔ)耺以謀求簡(jiǎn)化脈沖發(fā)生電路也還是可能的。也就是說(shuō)采用下述光記錄方法，即在將晶結(jié)態(tài)部分作為未記錄、擦除狀態(tài)，而將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長(zhǎng)度來(lái)記錄信息時(shí)，在記錄斑點(diǎn)間照射能夠使非晶態(tài)結(jié)晶化的擦除功率Pe的記錄光，在1個(gè)記錄斑點(diǎn)時(shí)間長(zhǎng)度為nT時(shí)(T為基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期，n為2以上的整數(shù))，將記錄斑點(diǎn)時(shí)間長(zhǎng)度nT依照這一順序進(jìn)行分割，即η1T、α1T、β1T、α2T、β2T、……、αiT、βiT……αmT、βmT、η2T(式中，m為脈沖分割數(shù)，m＝n-k，k為0≤k≤2的整數(shù)。又，設(shè)∑i(α1+βi)+η1+η2＝n，η1為η1≥0的實(shí)數(shù)，η2為η2≥0的實(shí)數(shù)，0≤η1+η2≤2.0，設(shè)αi(1≤i≤m)為αi＞0的實(shí)數(shù)，βi(1≤i≤m)為βi＞0的實(shí)數(shù)，設(shè)αi＝0.1～1.5，βi＝0.5～1.0，βm＝0～1.5，在2≤i≤m的i中，αi在0.1～0.8的范圍內(nèi)，而且與i無(wú)關(guān)，為一定值。又，在3≤i≤m的i中，αi+βi-1在0.5～1.5的范圍內(nèi)，而且與i無(wú)關(guān)，為一定值。在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射足以使記錄層熔融的Pw＞Pe的記錄功率Pw的記錄光，在βiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射0＜Pb≤0.2Pe(其中，在βmT中可以有0＜Pb≤Pe的關(guān)系)的偏置功率Pb的記錄光，設(shè)m、αi+βi-1(3≤i≤m)、α1T及αiT(2≤i≤m)與線速度無(wú)關(guān)，為一定值，而線速度越小，越使βm單調(diào)增加地變化。首先，為了保持記錄密度一定，采用上述ZCAV方式或ZCLV方式，使基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T與線速度成反比變化。然后，至少在3≤i≤m中，最好在2≤i≤m中，設(shè)αi+βi--1與線速度及i無(wú)關(guān)，為一定值，這樣能夠簡(jiǎn)化脈沖發(fā)生電路，而且能夠使αi隨線速度降低而單調(diào)減速小，使記錄層冷卻速度增加。通常設(shè)αi+βi-1＝1.0。為了實(shí)現(xiàn)這樣的脈沖分割方法，只要在圖11的門(mén)信號(hào)發(fā)生時(shí)序說(shuō)明圖中，與基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T同步(可以附加一定的延遲)產(chǎn)生1個(gè)寬度為α1T的固定寬度脈沖(Gate1)及多個(gè)后續(xù)的寬度為αiT(αcT)的固定寬度脈沖(Gate2)，另一方面，僅僅使決定最后切斷脈沖寬度βmT的Gate3根據(jù)線速度變化即可。這里，各記錄線速度中的最大記錄功率記為Pwmax，最小記錄功率記為Pwmin，這時(shí)最好設(shè)定Pwmax/Pwmin≤1.2，Pe/Pw＝0.4～0.6，0≤Pb≤1.5(mW)。又，如前所述，至少重寫(xiě)時(shí)的線速度為5m/s以下時(shí)，為了防止反復(fù)重寫(xiě)時(shí)的熱損傷，在m＝n-1中，最好設(shè)∑αi＜0.4n；在m＝n-2中，最好設(shè)∑αi＜0.5n。再者，設(shè)重寫(xiě)時(shí)在最高線速度的βm為βHm，最低線速度的βm為βLm，則可以采用取重寫(xiě)時(shí)各線速度的βm為βHm與βLm之間的值，而Pb及Pe/Pw比為與記錄線速度無(wú)關(guān)的一定值的記錄方法。這種情況下，如果至少Pe/Pw比、Pb、Pw、α1T、αiT、(βLm與βHm)的數(shù)值預(yù)先利用預(yù)凹坑串或槽變形記錄在媒體的基板上，則同樣能夠自動(dòng)選擇最佳脈沖分割方法，這是比較理想的。還有，若最大線速度達(dá)到最小線速度的一倍左右，則也能夠?qū)崿F(xiàn)維持足夠?qū)嵱玫男盘?hào)質(zhì)量，同時(shí)βm為與記錄線速度無(wú)關(guān)的一定值的光記錄方法。在CLV方式的單放式DVD驅(qū)動(dòng)器中，有一種方式是以重放斑點(diǎn)得到的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期為基準(zhǔn)，產(chǎn)生數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)及旋轉(zhuǎn)同步信號(hào)，來(lái)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)控制。如上所述，像最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度或信道位長(zhǎng)度為與記錄半徑無(wú)關(guān)的近似一定值那樣，采用ZCAV方式記錄斑點(diǎn)的媒體能夠用本方式的單放式DVD驅(qū)動(dòng)器直接進(jìn)行重放而不用改動(dòng)。也就是說(shuō)，由于能夠利用PLL(PhaseLockLoop，即鎖相環(huán))方式進(jìn)行旋轉(zhuǎn)同步控制，而使由記錄斑點(diǎn)生成的數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期Tq’與該驅(qū)動(dòng)器的基準(zhǔn)數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)的Tr大致一致，因此即使線速度或信道位長(zhǎng)度多少有一點(diǎn)變化，重放電路也能夠原封不動(dòng)地直接進(jìn)行解碼。特別是在所有區(qū)域中最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.4μm并大致為一定地進(jìn)行記錄的EFM增強(qiáng)型調(diào)制數(shù)據(jù)，根據(jù)由記錄的斑點(diǎn)生成的旋轉(zhuǎn)同步信號(hào)，達(dá)到利用PLL控制的CLV旋轉(zhuǎn)同步。同時(shí)產(chǎn)生頻率為25～27MHz范圍的基準(zhǔn)數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)Tr，根據(jù)該時(shí)鐘，能夠不意識(shí)到區(qū)域間的轉(zhuǎn)移，而作為CLV記錄媒體進(jìn)行重放。當(dāng)然，若在基準(zhǔn)數(shù)據(jù)時(shí)鐘為T(mén)r/2的情況下達(dá)到旋轉(zhuǎn)同步，則能夠進(jìn)行2倍速的重放。這樣的利用PLL方式的旋轉(zhuǎn)同步信號(hào)發(fā)生電路可以原封不動(dòng)地使用已經(jīng)公知的DVD播放機(jī)或DVD-ROM驅(qū)動(dòng)器的方式。本發(fā)明媒體能夠確保在除反射率以外的全部信號(hào)特性中與DVD的重放互換性。因此，理想的是槽內(nèi)記錄，或者最好槽的推挽信號(hào)要小。這是因?yàn)槿舨鄣耐仆煨盘?hào)大，則重放時(shí)使用的DPD法的跟蹤伺服信號(hào)小。因而槽深必須比推挽信號(hào)為最大的λ/(8n)要淺。式中，λ為空氣中的重放光的波長(zhǎng)，n為基板的折射率。但是，由于記錄時(shí)通常跟蹤伺服要利用推挽信號(hào)，因此過(guò)小也不好。又，關(guān)于重放信號(hào)特性，為了得到高的CN比，最好調(diào)制度Mod為0.5以上。這里設(shè)Mod為(DC重放信號(hào)包絡(luò)線的振幅)/(DC重放信號(hào)包絡(luò)線的上端值)。理想的槽深為d＝λ/(20n)～λ/(10n)。若比λ/(20n)還要淺，則記錄時(shí)的推挽信號(hào)過(guò)小，不進(jìn)行跟蹤伺服；若比λ/(10n)深，則重放時(shí)的跟蹤伺服不穩(wěn)定。例如，在記錄重放波長(zhǎng)為630～670nm左右、物鏡數(shù)值孔徑NA為0.6～0.65的情況下，槽深最好在25～40nm范圍內(nèi)。又，為了確保與DVD有相同大小的容量，槽間距取0.6～0.8μm，若槽間距為0.74μm，則容易與DVD有互換性。槽寬最好是0.25～0.5μm。若比0.25μm窄，則推挽信號(hào)過(guò)小；若比0.5μm寬，則槽間寬度變窄，基板噴射成形時(shí)樹(shù)脂難于進(jìn)入，槽的形狀難于正確復(fù)制到基板上。本發(fā)明媒體在記錄后反射率降低。在這樣的媒體中，為了使槽內(nèi)的反射率降低，也就是說(shuō)，若記錄后槽內(nèi)的平均反射率記為RGa，記錄后槽間的平均反射率記為RLa，則為了使RGa＜RLa，最好槽寬比槽間寬度要窄。例如，為了取得與DVD的互換性，若設(shè)槽間距為0.74μm，則槽寬最好比其一半、即0.37μm要窄。另一方面，若記錄前槽內(nèi)的平均反射率記為RGb，記錄前槽間的平均反射率記為RLb，在只要滿足上述RGa＜RLa、也可以是RGb＞RLb的情況下，將槽寬設(shè)為0.4～0.5μm，以此可以加寬槽內(nèi)記錄的非晶態(tài)斑點(diǎn)的寬點(diǎn)，提高調(diào)制度，或降低跳動(dòng)。為了訪問(wèn)未記錄的特定道，又為了得到使基板以一定線速度旋轉(zhuǎn)的同步信號(hào)，有時(shí)在這些槽設(shè)置周期性變形。通常比較多的是在道的橫斷方向形成蛇行的擺動(dòng)(wobble)，也就是說(shuō)，若槽以一定頻率fwo蛇行，則通過(guò)檢測(cè)其頻率，就能夠利用PLL方式取出旋轉(zhuǎn)同步用的信號(hào)。槽蛇行的振幅最好為40～80nm(峰值對(duì)峰值)。若小于40nm，則振幅過(guò)小，信號(hào)噪聲(SN)比變壞；若超過(guò)80nm，則圖6所示的記錄信號(hào)的包絡(luò)線的上下端包含過(guò)多的由擺動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生的低頻分量，重放信號(hào)失真變大。在擺動(dòng)頻率接近記錄數(shù)據(jù)頻帶的情況下，最好其振幅為80nm以下。再者，若將該蛇行頻率fwo作為載波，根據(jù)特定的地址信息，形成頻率調(diào)制或相位調(diào)制的蛇行，則將其重放能夠取得地址信息。若使蛇行頻率fwo為一定值而形成蛇行槽，則根據(jù)由fwo生成的槽蛇行信號(hào)的基準(zhǔn)周期Tw或其倍數(shù)或約數(shù)，也能夠產(chǎn)生數(shù)據(jù)用的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)T。通常，擺動(dòng)周期設(shè)定為比數(shù)據(jù)頻率分量足夠低的低頻或足夠高的高頻，以防止與數(shù)據(jù)信號(hào)分量混合，容易用帶通濾波器等分開(kāi)。特別是fwo比數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期低1～2個(gè)數(shù)量級(jí)左右的情況下，即使是可寫(xiě)CD等也能實(shí)用化。在采用CLV方式的媒體中，在達(dá)到PLL旋轉(zhuǎn)同步后，將fwo提高1～2個(gè)數(shù)量級(jí)左右的倍數(shù)，生成數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)。采用這種方法生成的數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)，通常受旋轉(zhuǎn)同步的擺動(dòng)影響(fwo的0.1～1％左右)，因此容易伴隨有與數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)(頻率)相同數(shù)量級(jí)的擺動(dòng)。這使得數(shù)據(jù)檢測(cè)用的窗口余量劣化。因此，與槽蛇行信號(hào)不同，為了補(bǔ)償數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的擺動(dòng)，每隔一定數(shù)據(jù)長(zhǎng)度插入預(yù)刻凹坑或振幅大的特殊擺動(dòng)也是有效的。另一方面，若fwo為數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)頻率(1/T)或其1/100到100倍的范圍內(nèi)，則達(dá)到旋轉(zhuǎn)同步后，以取得的擺動(dòng)信號(hào)為基準(zhǔn)，即使照原樣不變產(chǎn)生數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)，也能夠確保足夠的精度，也就是說(shuō)，設(shè)100/T≥fwo≥1/(100T)(5)又，在已敘述的ZCAV法中，最好使產(chǎn)生的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期Tq為各區(qū)域的槽蛇行基準(zhǔn)周期Twq的倍數(shù)或約數(shù)。也就是說(shuō)，每個(gè)區(qū)域改變頻率fwo，同時(shí)以一定角速度形成槽蛇行，這樣能夠產(chǎn)生作為fwo生成的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)或其遞增倍數(shù)的頻率作為數(shù)據(jù)用基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)Tq。這時(shí)，若使槽的擺動(dòng)為滿足(5)式的較高頻率，則容易生成各區(qū)域的數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)。這樣能夠改變每個(gè)區(qū)域的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)Tq，能夠與該信號(hào)同步產(chǎn)生可變脈沖分割方法，能夠減少分割的各脈沖位置精度或擺動(dòng)，是比較理想的。作為ZCAV方式的區(qū)域分割之一例，可以考慮將槽的一圈作為1個(gè)區(qū)域。這時(shí)的槽具有與區(qū)域無(wú)關(guān)的周期為一定的擺動(dòng)。設(shè)槽間距為T(mén)P，蛇行周期為T(mén)w0，如果近似滿足下述關(guān)系式，2π·TP＝a·Tw0·V0(式中，a為自然數(shù))則在整個(gè)記錄區(qū)形成周期Tw0為一定的擺動(dòng)，僅僅記錄道的一圈每構(gòu)成外圈增加a個(gè)擺動(dòng)。而且，Tw0要為基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T的整數(shù)倍，即Tw0＝mT(m為自然數(shù))，這在根據(jù)Tw0產(chǎn)生基準(zhǔn)時(shí)鐘時(shí)，只要單純?yōu)檎麛?shù)分之1即可，因此可以簡(jiǎn)化基準(zhǔn)時(shí)鐘發(fā)生電路，這是所希望的。在這種情況下，m也可以近似不是自然數(shù)，可以允許有±5％左右的誤差。也就是說(shuō)，對(duì)于TP＝0.74μm來(lái)說(shuō)，若設(shè)V0＝3.5m/s，T＝38.23nsec，n＝1，則m≈34.7，若設(shè)擺動(dòng)周期近似為T(mén)w0＝35T，則每1圈所含的擺動(dòng)數(shù)增加1個(gè)。這種情況下的優(yōu)點(diǎn)是，采用CLV方式，盡管引入了擺動(dòng)，但由于相鄰道的擺動(dòng)相位總是一致，因此由于干涉(差拍)引起的擺動(dòng)信號(hào)的重放振幅的變化較小。以上說(shuō)明了本發(fā)明的適用例，但本發(fā)明對(duì)于相變媒體一般的斑點(diǎn)長(zhǎng)度記錄在改善線速度依從性及記錄功率依從性是有效的，不限于可擦寫(xiě)DVD。例如，在采用波長(zhǎng)為350～500nm的藍(lán)色激光及使用NA＝0.6以上的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.3μm以下的斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄時(shí)，本發(fā)明媒體及記錄方法也是有效的。最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度若考慮斑點(diǎn)的穩(wěn)定性，最好為10nm左右以上。這時(shí)必須注意使道的橫斷方向的溫度分布平緩，將第2保護(hù)層膜做成極薄的5～15nm是有效的。在采用波長(zhǎng)為350～450nm的激光時(shí)，10nm以下更為理想。再者，本發(fā)明媒體也可以適用于將槽與槽間兩者作為記錄道進(jìn)行記錄、即所謂槽脊與槽溝記錄。用槽脊及槽溝必須滿足相同記錄特性，有一定困難，但容易在保持槽寬較寬不變的情況下縮小道間距，適合于高密度記錄。通過(guò)使槽寬GW及槽間寬度LW都為0.2～0.4μm，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度，同時(shí)能夠得到穩(wěn)定的跟蹤伺服性能。而若GW/LW比為0.8以上1.2以下，則能夠保持槽內(nèi)及槽間兩者有相同的信號(hào)質(zhì)量。為了減少交調(diào)失真影響，最好設(shè)槽深d＝λ/(7n)～λ/(5n)或λ/(3.5n)～λ/(2.5n)。實(shí)施例下面所述為實(shí)施例，本發(fā)明只要不超過(guò)其要點(diǎn)，不限于下面的實(shí)施例。在下面的實(shí)施例中，基板由噴射成型制成?；鍨楹穸?.6mm的噴射成型的聚碳酸酯樹(shù)脂基板，只要不特別事先說(shuō)明，采用形成槽間距0.74μm、寬0.34μm、深30nm的螺旋形槽的基板。只要不特別事先說(shuō)明，槽在線速度3.5m/s時(shí)具有頻率為140KHz的擺動(dòng)，擺動(dòng)振幅為約60nm(峰值對(duì)峰值)。還有，槽的形狀采用U槽近似的光學(xué)衍射法進(jìn)行測(cè)量。也可以用掃描電子顯微鏡或掃描電子探針顯微鏡對(duì)槽的形狀進(jìn)行實(shí)例。這時(shí)，槽寬采用槽深一半位置處的寬度。只要不特別事先說(shuō)明，在該基板上以圖5(a)所示的4層結(jié)構(gòu)成膜后，在其上利用旋轉(zhuǎn)涂覆法設(shè)置紫外線硬化樹(shù)脂構(gòu)成的保護(hù)層，再與另一片具有相同層結(jié)構(gòu)的0.6mm厚的基板相互粘貼。而且在下面的實(shí)施例及比較例中，將圖5(a)中的第一保護(hù)層叫做下部保護(hù)層，將第2保護(hù)層叫做上部保護(hù)層。剛成膜后的記錄層為非晶態(tài)，利用聚焦為長(zhǎng)軸約90μm、短軸約1.3μm的波長(zhǎng)為810～830nm的激光束，在線速度從3.0到6.0m/s范圍內(nèi)選擇適當(dāng)?shù)木€速度照射初始化功率為500～700mW的激光，使其整個(gè)面熔融、再結(jié)晶化后作為初始(未記錄)狀態(tài)。各層組成利用熒光X射線分析法、原子吸收光譜分析法及X射線激發(fā)光電子分光分析法等方法綜合進(jìn)行了確認(rèn)。記錄層及保護(hù)層的膜密度根據(jù)在基板上形成數(shù)百nm左右厚的薄膜時(shí)的重量變化求得。膜厚利用由觸針測(cè)量?jī)x測(cè)量熒光X射線強(qiáng)度得到的膜厚進(jìn)行校正后使用。反射層的面積電阻率利用4擺針?lè)娮铚y(cè)量?jī)x{LorestaFP(商品名)，三菱油化(現(xiàn)為DiaInstrument)社制}測(cè)量。電阻測(cè)量是用絕緣的玻璃或聚碳酸酯樹(shù)脂基板上成膜的反射層、或以圖5的4層結(jié)構(gòu)(紫外線硬化樹(shù)脂保護(hù)覆蓋前)成膜后的作為最上層的反射層進(jìn)行測(cè)量的。由于上部保護(hù)層為電介質(zhì)薄膜的絕緣體，因此即使是4層結(jié)構(gòu)，對(duì)反射層的面積電阻率測(cè)量也沒(méi)有影響。另外，按照實(shí)際上可以看成是無(wú)限大面積的直徑120mm盤(pán)片基板形狀進(jìn)行測(cè)量。根據(jù)所得到的電阻值R，利用下式計(jì)算面積電阻率ρs及體積電阻率ρv。ρs＝F·R(6)ρv＝ρs·t(7)式中，t為膜厚，F(xiàn)為由測(cè)量的薄膜區(qū)域形狀決定的修正系數(shù)，取4.3～4.5。這里取4.4。只要不特別事先說(shuō)明，采用PulseTech公司生產(chǎn)的DDU1000評(píng)價(jià)裝置進(jìn)行記錄重放評(píng)價(jià)。激光頭的波長(zhǎng)為637μm，物鏡數(shù)值孔徑NA為0.6或0.63。光束直徑分別為約0.90μm及約0.87μm。還有，光束直徑相當(dāng)于用高斯光束的能量強(qiáng)度為峰值強(qiáng)度的1/e2以上的區(qū)域。記錄是采用圖10所示的脈沖分割方法，只要不特別事先說(shuō)明，設(shè)m＝n-1，αi+βi-1＝1.0(2≤i≤m)，Pb在所有線速度情況下為與重放功率相同的1.0mW，為一定值。只要不特別事先說(shuō)明，Pe/Pw為0.5，是一定值，設(shè)Pb為0.8～1.0mW之間的一定值，改變Pw，測(cè)量調(diào)制度及跳動(dòng)。記錄的信號(hào)為DVD采用的8～16調(diào)制(EFM增強(qiáng)型調(diào)制)的隨機(jī)信號(hào)。只要不特別事先說(shuō)明，設(shè)最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.4μm。又，在不特別事先說(shuō)明的情況下，是在僅僅用單一記錄道進(jìn)行記錄的狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)量的，因此不包含交調(diào)失真影響。記錄是以DVD的標(biāo)準(zhǔn)線速度3.5m/s為1倍速，以1倍速、2倍速等各種線速度進(jìn)行，重放總是以線速度3.5m/s進(jìn)行，跳動(dòng)是將通過(guò)均衡器后的重放信號(hào)2值化后進(jìn)行測(cè)量。而跳動(dòng)是指邊界對(duì)時(shí)鐘的跳動(dòng)(adge-toclockjitter)，測(cè)量值用相對(duì)于基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T的百分?jǐn)?shù)(％)來(lái)表示，均衡器的特性根據(jù)只讀DVD的標(biāo)準(zhǔn)。最好能夠得到相對(duì)于基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T＝38.2nsec(26.16MHz)為小于約10％(更理想是小于8％)的跳動(dòng)及50％以上的調(diào)制度，更理想是60％以上的調(diào)制度。還有，希望反復(fù)重寫(xiě)后的跳動(dòng)增加要小一些，至少100次以后，最好1000次以后的跳動(dòng)相對(duì)于T能夠維持在小于13％。另外，從確保與只讀DVD的互換性的立場(chǎng)出發(fā)，重要的一點(diǎn)是用650～660nm的重放光進(jìn)行測(cè)量，但可以確認(rèn)本發(fā)明中波長(zhǎng)僅僅對(duì)聚焦光束形狀產(chǎn)生微弱影響，若調(diào)整重放光學(xué)系統(tǒng)，用660nm光學(xué)系統(tǒng)也能夠得到與本發(fā)明使用的637nm光學(xué)系統(tǒng)相同的跳動(dòng)。(實(shí)施例1及比較例1)為了比較作為記錄層的本發(fā)明的InGeSbTe系與一向眾所周知的InAgSbTe四元系，如表-1所示，準(zhǔn)備了除Ag與Ge組成以外、記錄層組成及層結(jié)構(gòu)幾乎是嚴(yán)格一致的媒體。兩記錄層除了把Ge與Ag置換外，其他組成幾乎都可以看作在測(cè)量誤差范圍內(nèi)是在非常相同的范圍內(nèi)。下部保護(hù)層的膜厚不同是為了要調(diào)整得使媒體的反射率Rtop相同。由于記錄層的反射率稍微有一點(diǎn)不同，因此必須進(jìn)行這樣的修正，但是為了使記錄層的光吸收效率相同，使由重放光產(chǎn)生的熱損傷的影響相同后進(jìn)行比較，才必須進(jìn)行修正。由于記錄層膜厚及上部保護(hù)層膜厚相同，因此散熱效果及熱損傷可以看成是相同的?；鍨?.6mm厚的聚碳酸酯樹(shù)脂，形成槽間距0.74μm、槽寬0.34μm、槽深27nm、擺動(dòng)頻率140KHz(線速度3.5m/s)、擺動(dòng)振幅60nm(峰值對(duì)峰值)的槽，在該槽內(nèi)進(jìn)行記錄。對(duì)這兩種媒體，以記錄線速度3.5m/s、T＝38.2nsec、EFM增強(qiáng)型調(diào)制進(jìn)行記錄，顯示出良好的重寫(xiě)記錄特性。重寫(xiě)記錄條件未必是各盤(pán)片的特性為最好的條件，但以雙方特性如表-1所示大致相同的共同條件進(jìn)行。也就是說(shuō)，在圖10(a)所示的脈沖分割方法中，設(shè)m＝n-1，αi+βi-1＝1.0(2≤i≤m)，αi＝αc＝一定值(2≤i≤m)，αi＝0.5，αc＝0.3，βm＝0.5，又設(shè)Pw＝13.5mW，Pe＝6.5mW，Pb＝0.8mW。對(duì)這樣記錄的信號(hào)反復(fù)照射重放光，研究重放光的穩(wěn)定性。以規(guī)定的重放光功率Pr照射規(guī)定次數(shù)后，將重放光功率降低至足夠低的0.5mW，進(jìn)行跳動(dòng)等測(cè)量。結(jié)果示于圖12中。實(shí)施例1的媒體，在重放光功率為1mW的情況下直至106次完全沒(méi)有出現(xiàn)重放光造成的劣化，功率每增加0.1mW，劣化逐漸加快。另一方面，的比較例1的媒體在重放光功率1mW以上的所有重放光情況下，在最初的100～1000次為止的區(qū)間，跳動(dòng)急劇增加，然后慢慢劣化，作為整體來(lái)說(shuō)，跳動(dòng)值高，但初始的跳動(dòng)劣化是致命的。在比較例1中還有，由于重放光而使調(diào)制度下降，照射100次左右要下降10％左右?？梢哉J(rèn)為，初始由于跳動(dòng)急劇增加，因此調(diào)制度的下降進(jìn)行得不均勻。將實(shí)施例1及比較例1的已經(jīng)記錄完成的媒體放置在80℃/80％RH環(huán)境下進(jìn)行的加速試驗(yàn)。250小時(shí)后實(shí)施例1的盤(pán)片特性基本上完全沒(méi)有變化，而相反，比較例1的盤(pán)片的記錄信號(hào)幾乎完全消失?？芍?，比較例1的組成的記錄層材料中非晶態(tài)斑點(diǎn)極不穩(wěn)定。這樣，在實(shí)施例1的盤(pán)片中，初始的重寫(xiě)記錄特性、耐重放光的穩(wěn)定性及長(zhǎng)期穩(wěn)定性都很好。這表示，對(duì)于Sb0.7Te0.3中含有過(guò)剩Sb的合金系，添加適當(dāng)?shù)腉e是非常有效果的。關(guān)于實(shí)施例1媒體，在80℃/80％RH的環(huán)境下進(jìn)行了加速成試驗(yàn)，實(shí)施了長(zhǎng)達(dá)2000小時(shí)的加速試驗(yàn)。加速試驗(yàn)前記錄的信號(hào)，其跳動(dòng)劣化的程度不過(guò)1％左右。又，調(diào)制度在初期為64％，而在2000小時(shí)加速試驗(yàn)后也有61％，幾乎沒(méi)有變化。反射率也幾乎完全沒(méi)有變化。2000小時(shí)后對(duì)未記錄部分初次進(jìn)行記錄時(shí)，跳動(dòng)劣化為3％左右，在實(shí)用上是完全沒(méi)有問(wèn)題的。又，詳細(xì)研究了在實(shí)施例1媒體中，在于m＝n-1及m＝n-2的情況下跳動(dòng)與記錄脈沖分割方法的關(guān)系。圖13為表示在線速度為3.5m/s時(shí)分別按(a)m＝n-1、(b)m＝n-2進(jìn)行記錄時(shí)的跳動(dòng)與αi及αc的關(guān)系的等高線圖。又，圖14為表示在線速度為7.0m/s時(shí)分別按(a)m＝n-1、(b)m＝n-2進(jìn)行記錄時(shí)的跳動(dòng)與α1及αc的關(guān)系的等高線圖。各圖測(cè)量所用的Pw、Pe、Pb及βm示于各圖上?？梢钥闯?，在線速度3.5m/s的情況下，m＝n-1及m＝n-2的任一種情況下在α1＝0.7～0.8、αc＝0.35～0.40附近都能夠得到最低的跳動(dòng)(約7％以下)。又可以看出，在線速度7.0m/s的情況下，m＝n-1及m＝n-2的任一種情況下在α1＝0.5附近及αc＝0.4附近都能夠得到最低的跳動(dòng)。對(duì)于得到最低跳動(dòng)的附近的α1及αc，兩種情況都滿足∑αi＜0.5n的條件。另外，在本實(shí)施例中，在線速度3.5m/s及7.0m/s任一種情況下，取m＝n-2都能夠得到更低的跳動(dòng)值，而與m＝n-1的情況相比，相對(duì)于較大的α1也能夠得到低的跳動(dòng)。進(jìn)一步將上述實(shí)施例1的媒體，用NA＝0.63的評(píng)價(jià)裝置，如表-2所示改變記錄脈沖分割方法對(duì)跳動(dòng)與線速度的關(guān)系進(jìn)行評(píng)價(jià)。又使基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T與線速度成反比。脈沖分割方法是設(shè)m＝n-1、αi+βi-1(2≤i≤m)、αi＝αc＝一定值(2≤i≤m)。設(shè)Pw、Pb及Pe與線速度無(wú)關(guān)，為一定值。這里表-2的脈沖分割方法中，對(duì)于所有線速度都滿足∑αi＜0.5n的關(guān)系。從DVD標(biāo)準(zhǔn)線速度的1倍速到2.5倍速左右能夠得到良好的重寫(xiě)特性。本媒體是將記錄區(qū)分割成3～4個(gè)區(qū)域，對(duì)每個(gè)區(qū)域僅稍微改變記錄脈沖策略，這樣，即使是CAV方式，也在整個(gè)記錄區(qū)顯示出良好的重寫(xiě)特性。又，用波長(zhǎng)660nm、NA＝0.65的評(píng)價(jià)裝置進(jìn)行錄放，也得到了同樣的結(jié)果。(實(shí)施例2)在基板上設(shè)置各種膜厚的下部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20、記錄層Ge0.05Sb0.73Te0.22、上部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20及反射層Al0.995Ta0.005。將各層膜厚示于表3。所有薄膜都是利用濺射法在不脫離真空的條件下制成的。反射層成膜是在真空度達(dá)到2×10-4Pa以下、Ar壓強(qiáng)0.54Pa、成膜速度1.3nm/秒的條件下進(jìn)行的。其體積電阻率為55nΩ·m，面積電阻率為0.28Ω/□。氧、氮等雜質(zhì)在用X射線激勵(lì)光電子分光的檢測(cè)靈敏度以下，可認(rèn)為全部加起來(lái)幾乎不到1原子％。(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層的膜密度為3.50g/cm3，是理論的松密度3.72克/cm3的94％。又，記錄層密度為松密度(bulk)的90％。根據(jù)熱模擬估計(jì)的保護(hù)層熱傳導(dǎo)率為3.5×10-4pJ/(μm·K·nsec)。對(duì)這樣制成的媒體分別在1倍速及2倍速下、對(duì)各媒體層結(jié)構(gòu)將圖10(a)所示的脈沖分割方法最佳化，而后用其進(jìn)行記錄(重寫(xiě))。然后，測(cè)量第1次、10次、1000次重寫(xiě)后的跳動(dòng)，測(cè)量時(shí)對(duì)于記錄、重放都采用波長(zhǎng)637nm、NA＝0.63的光學(xué)系統(tǒng)。表-3中匯總了各媒體在1倍速時(shí)的最佳脈沖分割方法、跳動(dòng)、Rtop及調(diào)制度。所有情況下都是以1倍速進(jìn)行最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.4μm的斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄，得到較大的初始調(diào)制度。若設(shè)上部保護(hù)層膜厚為20nm，則初始跳動(dòng)、1000次重寫(xiě)后的跳動(dòng)都小于10％。若設(shè)上部保護(hù)層膜厚為30nm，則初始跳動(dòng)良好，但因反復(fù)重寫(xiě)而使跳動(dòng)略有增加，在1000次重寫(xiě)后，跳動(dòng)達(dá)到10～12％。若設(shè)上部保護(hù)層膜厚為40nm，則初始跳動(dòng)達(dá)到13％以上，而且因反復(fù)重寫(xiě)而急劇劣化，達(dá)到20％以上。還有，記錄層膜厚厚達(dá)30nm的實(shí)施例2(h2)。其初臺(tái)記錄跳動(dòng)為13％以上，由于反復(fù)重寫(xiě)而引起的跳動(dòng)劣化顯著。下部保護(hù)層膜厚為45nm的實(shí)施例2(i2)，其反復(fù)重寫(xiě)耐久性差。又，厚度為250nm的反射層，比200nm能夠得到更小的跳動(dòng)。也就是說(shuō)，在這樣高密度的斑點(diǎn)長(zhǎng)度記錄中，采用“超急冷構(gòu)造”是比較理想的。下面評(píng)價(jià)實(shí)施例2(g1)媒體的跳動(dòng)與記錄功率Pw的關(guān)系。脈沖分割方法為圖10中的m＝n-1，設(shè)Pw＝14mW、Pe/Pw＝0.5、βm＝0.5，以1倍速及2倍速進(jìn)行記錄。其后，評(píng)價(jià)跳動(dòng)相對(duì)于α1及αc＝αi(2≤i≤m)的關(guān)系。在2倍速時(shí)，設(shè)α1＝0.5、αc＝0.4、βm＝βn-1＝0.5、Pw＝14mW；在1倍速時(shí)，設(shè)α1＝0.7、αc＝0.3、βm＝βn-1＝0.5、Pw＝14mW。這時(shí)，在2倍速時(shí)，∑αi＝0.3n(n＝3)、0.33n(n＝4)、0.34n(n＝5)、0.38n以下(n＝6～14)。在1倍速時(shí)，∑αi＝0.33n(n＝3)、0.33n＝(n＝4)、0.32n(n＝5)、0.32n以下(n＝6～14)。將其結(jié)果示于圖15，給出了第1次及10次重寫(xiě)后的跳動(dòng)與記錄功率Pw的關(guān)系及10次重寫(xiě)后反射率Rtop及調(diào)制度Mod與記錄功率Pw的關(guān)系。(a)為2倍速記錄的情況，(b)為1倍速記錄的情況。，則Rtop相當(dāng)于圖6的Itop。圖中所謂DOW(DirectOverwrite)指的是重寫(xiě)。下面評(píng)價(jià)重寫(xiě)耐久性。圖16所示為其結(jié)果。分別表示直到1000次重寫(xiě)后跳動(dòng)、反射率及調(diào)制度的值。(a)為2倍速記錄的情況，(b)為1倍速記錄的情況。任一種情況都是在到重寫(xiě)10次左右之前跳動(dòng)漸漸增加，而10次以后就穩(wěn)定下來(lái)，跳動(dòng)、調(diào)制度及反射率一直到1000次都幾乎沒(méi)有劣化。再者，對(duì)本媒體除了以線速度9m/s、設(shè)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期為14.9nsec以外，采用與上述2倍速(線速度7m/s)相同的脈沖分割方法，以Pw＝14mW進(jìn)行重寫(xiě)。擦除比得到30dB的以上的足夠的數(shù)值。而且，跳動(dòng)也是小于11％的良好結(jié)果。對(duì)于實(shí)施例2(g1)媒體，在線速度3～8m/s范圍內(nèi)，設(shè)Pw＝14mW，Pb＝1mW，Pe/Pw＝0.5，βm＝0.5，為一定值，通過(guò)僅僅改變?chǔ)?及αc，能夠得到較小的跳動(dòng)。也就是說(shuō)，用線速度3～5m/s時(shí)，α1＝0.7，αc＝0.35；而用線速度5～7m/s時(shí)，α1＝0.65，αc＝0.4；用線速度7～8m/s時(shí)，α1＝0.55，αc＝0.45，若這樣至少以分三段變化，則能夠得到約小于9％的較小的跳動(dòng)。若更細(xì)分，以1m/s間隔改變?chǔ)?及αc，則可以認(rèn)為在各線速度都能夠得到更小的跳動(dòng)。又，在Pw＝11～14mW時(shí)，Pe/Pw為0.4～0.5能夠得到最小的跳動(dòng)。而若Pb超過(guò)1.5mW，則跳動(dòng)急劇劣化，這里是研究Pe/Pw＝0.5時(shí)與Pb的關(guān)系，若Pb小于1.0mW，則能夠得到接近最小的跳動(dòng)。亦即Pb/Pe必須小于0.2。下面比較上部保護(hù)層膜厚為20nm的實(shí)施例2(g1)與40nm的實(shí)施例2(d2)。對(duì)兩媒體如下所述測(cè)量1倍速時(shí)與記錄斑點(diǎn)長(zhǎng)度的關(guān)系。采用NA＝0.6的光學(xué)系統(tǒng)，在EFM增強(qiáng)型調(diào)制中，將作為最短斑點(diǎn)的3T斑點(diǎn)長(zhǎng)度從0.5μm起縮短，評(píng)價(jià)此時(shí)跳動(dòng)與斑點(diǎn)長(zhǎng)度的關(guān)系。記錄線速度為3.5m/s的一定值，脈沖分割方法也采用上述方法，采用一定值，改變基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期以改變斑點(diǎn)長(zhǎng)里。這里，當(dāng)最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.46μm以上時(shí)，由于裝置上的限制，在重放速度3.5m/s進(jìn)行CLV控制比較困難，因此設(shè)重放速度為5m/s。另外，最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.4μm，與只讀DVD標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。將其結(jié)果示于圖17中，(a)為實(shí)施例2(g1)的媒體，(b)為實(shí)施例2(d2)的媒體。由圖可知，實(shí)施例2(g1)的媒體，其最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度到0.38μm左右，跳動(dòng)小于13％，是能夠使用的。另外，若采用NA＝0.63的光學(xué)系統(tǒng)，則能夠降低約2％左右的跳動(dòng)。若使重放時(shí)的均衡器最佳化，則還是能夠降低2％左右。若再加上使用NA＝0.65的光學(xué)系統(tǒng)。則即使為0.35μm也可以認(rèn)為能夠得到足夠小的跳動(dòng)。實(shí)施例2(d2)的媒體，在斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.45μm以上時(shí)，能夠得到基本上沒(méi)有問(wèn)題的跳動(dòng)，但小于0.45μm則跳動(dòng)急劇增加，當(dāng)斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.40μm時(shí)，跳動(dòng)為13％以上，已經(jīng)不能使用。下面，為了進(jìn)行所謂傾斜余量的評(píng)價(jià)，在對(duì)實(shí)施例2(g1)的媒體上連續(xù)多條記錄道中記錄EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)模式信號(hào)后，有意識(shí)地使基板相對(duì)于重放激光光軸傾斜，測(cè)量重放時(shí)的跳動(dòng)變化。錄放的光學(xué)系統(tǒng)NA＝0.6，記錄線速度為1倍速或2倍速，任一種情況都是在10次重寫(xiě)后進(jìn)行重放。將測(cè)量結(jié)果示于圖18中。傾斜余量在徑向?yàn)椤?.7～0.8度，在圓周方向?yàn)椤?.5～0.6度，在通常的驅(qū)動(dòng)器中，這樣的大小是沒(méi)有問(wèn)題的。<加速試驗(yàn)>對(duì)實(shí)施例2(g1)媒體的一部分記錄道，采用上述最佳脈沖分割方法，以Pw＝13mW記錄EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)模式(pattern)，測(cè)量跳動(dòng)。然后，將本媒體在80°/80RH的高溫高濕下進(jìn)行加速試驗(yàn)，在加速試驗(yàn)500小時(shí)后及1000小時(shí)后，再次測(cè)量本記錄道的跳動(dòng)，1000小時(shí)后僅僅劣化1％左右。又，在加速試驗(yàn)1000小時(shí)后，對(duì)其他記錄道以上述相同條件記錄隨機(jī)模式，測(cè)量跳動(dòng)，發(fā)現(xiàn)劣化2％左右，這種程度實(shí)用上沒(méi)有問(wèn)題。又以1倍速及2倍速同樣進(jìn)行記錄，評(píng)價(jià)80°/80RH的高溫高濕下1000小時(shí)加速試驗(yàn)前后的調(diào)制度。1倍速時(shí)，初始調(diào)制度為61％，加速試驗(yàn)后調(diào)制度為58％。2倍速時(shí)，初始調(diào)制度為60％，加速試驗(yàn)后調(diào)制度為58％。<對(duì)重放光的穩(wěn)定性>對(duì)實(shí)施例2(g1)媒體，將功率提高至1.2mW照射重放光，10分鐘左右完全沒(méi)有劣化。接著，使功率為1.0mW，反復(fù)照射重放光至100萬(wàn)次，跳動(dòng)的增加小于2％。(實(shí)施例3)除了記錄層組成采用Ge0.05Sb0.71Te0.24以外，采用與實(shí)施例2相同的層結(jié)構(gòu)，制成媒體，各層膜層及評(píng)價(jià)結(jié)果示于表-4中。使用NA＝0.63的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)量。與表-3相同，對(duì)各種層結(jié)構(gòu)取最佳的α1、αc及βn-1，而且還設(shè)定能夠使跳動(dòng)為最低的Pw及Pe，對(duì)跳動(dòng)進(jìn)行評(píng)價(jià)。對(duì)于實(shí)施例3(a)，與實(shí)施例2(a1)一樣，記錄線速度為1倍速及2倍速時(shí)能夠得到良好的特性，但在9m/s時(shí)，跳動(dòng)比實(shí)施例2(a1)高1～2％。又，對(duì)于上層保護(hù)層膜厚為30nm的實(shí)施例3(a)～(f)，能夠得到跳動(dòng)小于10％，100次重寫(xiě)后也小于13％。對(duì)于上部保護(hù)層膜厚為40nm的較厚的實(shí)施例3(g)～(i)，只能得到跳動(dòng)大于13％的值。(實(shí)施例4)層結(jié)構(gòu)是，下部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為215nm，記錄層Ge0.05Sb0.69Te0.26膜厚為18nm，上部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為18nm，反射層Al0.995Ta0.005膜厚為200nm。本記錄層組成以線速度3～5m/s進(jìn)行記錄能夠得到良好的特性，是所謂1倍速用記錄層。但是，由于過(guò)剩Sb量比實(shí)施例2及3稍微小一點(diǎn)，因此長(zhǎng)期穩(wěn)定好，對(duì)于重視記錄信息的保存穩(wěn)定性及由于反復(fù)重放而引起的劣化、即重放光耐久性的情況是比較理想的。下面用NA＝0.6的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行評(píng)價(jià)。最佳脈沖分割方法如下所述決定。在記錄線速度為3.5m/s時(shí)，設(shè)Pw＝13mW，Pe/Pw＝0.05，在圖10中的βm＝0.5，為一定值，而改變?chǔ)?和αc以得到最小的跳動(dòng)，選擇這樣的脈沖分割方法。圖19中以跳動(dòng)的等高線圖表示10次重寫(xiě)后的跳動(dòng)與α1及αc的關(guān)系。由于設(shè)α1＝0.4～0.8、αc＝0.3～0.35能夠得到基本上是最好的跳動(dòng)，因此以此為基礎(chǔ)，選擇α1＝0.6、αc＝0.35。這時(shí)，∑αi＝0.32n(n＝3)、0.33n(n＝4)、0.3n(n＝5)或小于0.35n(n＝6～14)。調(diào)制度為65％，這一數(shù)值即使與只讀DVD相比也毫不遜色。Rtop為23％左右，實(shí)際上若為15％以上，可以認(rèn)為即使用現(xiàn)有的單放驅(qū)動(dòng)器也能夠重放。因此，對(duì)本發(fā)明記錄媒體以Pw＝12.5mW、線速度3.5m/s記錄圖像數(shù)據(jù)，嘗試用出售的只讀DVD播放機(jī)重放，則聚焦伺服信號(hào)、跟蹤伺服信號(hào)及跳動(dòng)能夠得到與通常只讀DVD相同的特性。<反復(fù)重寫(xiě)耐久性>圖20所示為Pw＝12.5mW時(shí)跳動(dòng)、Rtop及調(diào)制度與反復(fù)重寫(xiě)次數(shù)的關(guān)系。在1000次以上重寫(xiě)后還是顯出足夠穩(wěn)定的特性。<加速試驗(yàn)>對(duì)本媒體的一部分記錄道，采用上述最佳脈沖分割方法，以Pw＝13mW記錄EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)模式，測(cè)量跳動(dòng)。然后，將本媒體在80℃/80％RH的高溫高濕下進(jìn)行加速試驗(yàn)。在加速試驗(yàn)500小時(shí)后及1000小時(shí)后，再次測(cè)量本記錄道的跳動(dòng)，1000小時(shí)后僅僅有小于0.5％的劣化。又，調(diào)制度在初始時(shí)為65％，加速試驗(yàn)后為63％。又，在加速試驗(yàn)1000小時(shí)后，對(duì)其他記錄道以上述相同條件記錄隨機(jī)模式，測(cè)量跳動(dòng)，發(fā)現(xiàn)劣化1％左右，這樣程度實(shí)用上沒(méi)有問(wèn)題。<對(duì)重放光的穩(wěn)定性>對(duì)本媒體，將功率提高到1.3mW照射重放光，10分鐘左右完全沒(méi)有劣化。接著，使功率為1.0mW，反復(fù)照射重放光至100萬(wàn)次，跳動(dòng)的增加小于1％。(實(shí)施例5)在實(shí)施的例2(a1)的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ge0.05Sb0.75Te0.20。用NA＝0.6的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行評(píng)價(jià)。在α1＝0.4、αc＝0.3、βm＝0.5、Pw＝14mW、Pe/Pw＝0.5的條件下能夠得到最小的跳動(dòng)。10次重寫(xiě)后的跳動(dòng)勉強(qiáng)達(dá)到10％。1000次后也維持在小于13％。<加速試驗(yàn)>對(duì)本媒體的一部分記錄道，采用上述最佳脈沖分割方法，以Pw＝14mW記錄EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)模式，測(cè)量跳動(dòng)。然后，將本媒體在80℃/80％RH的高溫高濕下進(jìn)行加速試驗(yàn)。在加速試驗(yàn)500小時(shí)后，再次測(cè)量本記錄道的跳動(dòng)，僅僅劣化2％左右。又，在加速試驗(yàn)500小時(shí)后，對(duì)其他記錄道以與上述相同的條件記錄隨機(jī)模式，測(cè)量跳動(dòng)，發(fā)現(xiàn)劣化3％左右，這種程度實(shí)用上沒(méi)有問(wèn)題。<對(duì)重放光的穩(wěn)定性>對(duì)本媒體將功率提高至1.0mW照射重放光，10分鐘左右完全沒(méi)有劣化。接著，使功率為1.0mW，反復(fù)照射重放光至100萬(wàn)次，跳動(dòng)的增加小于3％，維持在小于13％。(實(shí)施例6)在實(shí)施例4的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ag0.05Ge0.05Sb0.67Te0.23。用NA＝0.6的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行評(píng)價(jià)。以線速度3.5m/s、Pw＝13mW、Pe/Pw＝0.5、m＝n-1、βm＝0.5測(cè)定跳動(dòng)與脈沖分割方法的關(guān)系(α1及αc)。得到圖21(a)所示的等高線圖。α1＝0.6、αc＝0.35大約是最佳值。這種情況下，∑αi＝0.32n(n＝3)、0.33n(n＝4)、0.33n(n＝5)或小于0.35n(n＝6～14)。圖21(b)所示為第1次、10次及1000次重寫(xiě)后的跳動(dòng)與功率的關(guān)系，圖21(c)為10次重寫(xiě)后的Rtop及調(diào)制度與功率的關(guān)系。直到1000次重寫(xiě)后在很寬的記錄功率范圍內(nèi)能夠維持很小的跳動(dòng)，又能夠達(dá)到Rtop18％及調(diào)制度60％以上。圖22所示為以Pw＝13mW的跳動(dòng)、Rtop及調(diào)制度直到10000次重寫(xiě)后的變化。除了跳動(dòng)比初始增加1％左右以外，其他完全沒(méi)有劣化。又用與實(shí)施例1同樣的方法測(cè)量跳動(dòng)與最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度的關(guān)系，結(jié)果示于圖23中。在最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.38μm條件下，跳動(dòng)小于10％，是非常好的。又，對(duì)本媒體，還就m＝n-2的脈沖分割方法進(jìn)行了評(píng)價(jià)，在α1＝1.0、αc＝0.5、βm＝0.5的條件下能夠得到與圖21相同的特性。N＝3時(shí)，∑αi＝0.48；n＝4時(shí)，∑αi＝0.48n；n≥5時(shí)，∑αi＝0.46n～0.47n。(比較例2)在實(shí)施例6的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ag0.05In0.05Sb0.63Te0.27。以線速度3.5m/s、Pw＝13mW、Pe/Pw＝0.5、βm＝0.5評(píng)價(jià)跳動(dòng)與脈沖分割方法的關(guān)系，得到圖24(a)所示的等高線圖。α1＝1.0及αc＝0.5為最佳，這時(shí)∑α1與n無(wú)關(guān)，為0.5n的一定值。圖24(b)及(c)所示為與記錄功率的關(guān)系及至1000次后的反復(fù)重寫(xiě)特性。第1次記錄的跳動(dòng)及功率余量雖比實(shí)施例5好，但由于反復(fù)重寫(xiě)而劣化，1000次后跳動(dòng)當(dāng)然更嚴(yán)重。再將重放光功率增加至1mW，5分鐘左右跳動(dòng)劣化，增加到百分之十幾。這個(gè)差別用0.5～1mW的記錄靈敏度之差不能說(shuō)明。重放光劣化的主要原因在于50～100度左右的溫升，可以知道，本發(fā)明添加Ge對(duì)于改善非晶態(tài)斑點(diǎn)的熱穩(wěn)定性是有效果的。(比較例3)層結(jié)構(gòu)采用下部保護(hù)層(ZnS)0.8(SiO2)20膜厚為90nm，記錄層GeO2Sb2Te5膜厚為21nm，上部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為23nm，反射層Al0.995Ta0.005膜厚為200nm。記錄時(shí)，以圖10(a)所示的脈沖分割方法為基礎(chǔ)進(jìn)行微小調(diào)整，使得在各種斑點(diǎn)長(zhǎng)度及線速度的條件下能夠得到最小的跳動(dòng)。對(duì)于該媒體，如圖25所示，采用α1＝αc＝α0＝0.3～0.4、為一定值及βm＝1.0的策略，能夠得到近似最小的跳動(dòng)。又，Pw＝13mW、Pe/Pw＝0.4(Pe＝5mW)及Pb＝2.0mW為最佳記錄功率，而Pb/Pe＝0.4這個(gè)比值較高。這是因?yàn)?，在本比較例的記錄層中必須維持圖9中的TL于某一較高的程度。即使Pb小于1mW，跳動(dòng)也會(huì)劣化；即使Pb超過(guò)3mW，跳動(dòng)仍然劣化。以該脈沖分割方法為基礎(chǔ)，再對(duì)應(yīng)于斑點(diǎn)長(zhǎng)度對(duì)α0進(jìn)行0.02大小的精密的脈沖寬度調(diào)整，與實(shí)施例2一樣，測(cè)定與斑點(diǎn)長(zhǎng)度的關(guān)系。結(jié)果示于圖26(a)中。又，測(cè)量重寫(xiě)時(shí)與線速度關(guān)系，結(jié)果示于圖26(b)中。與線速度關(guān)系是相應(yīng)于線速度改變基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期，使最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.4μm，重放總是以3.5m/s進(jìn)行。又，關(guān)于與線速度的關(guān)系，給出了10次重寫(xiě)后的跳動(dòng)及在這之后利用DV擦除后進(jìn)行1次重寫(xiě)記錄時(shí)的跳動(dòng)。如圖26(a)所示，最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.4μm時(shí)，跳動(dòng)為10％，最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度再短，則跳動(dòng)急劇劣化。又，如圖26(b)所示，記錄線速度為5m/s以上時(shí)跳動(dòng)劣化。但是，一旦DC擦除后的記錄情況下，跳動(dòng)降低2～3％以上。根據(jù)這一情況可以認(rèn)為，由于所謂結(jié)晶態(tài)與非晶態(tài)的吸收率差別而導(dǎo)致溫度上升不均勻，因而產(chǎn)生擦除不良或非晶態(tài)斑點(diǎn)形狀畸變，跳動(dòng)劣化。還有，以線速度7m/s重寫(xiě)后的跳動(dòng)為20％以上，但DC擦除后記錄，跳動(dòng)為15％左右。因而可以認(rèn)為，高線速度時(shí)的跳動(dòng)嚴(yán)重不是因?yàn)闆](méi)有選擇適當(dāng)?shù)拿}沖分割方法。本記錄層原來(lái)由于有粗大晶粒而跳動(dòng)嚴(yán)重，再加上以線速度5m/s以上進(jìn)行重寫(xiě)時(shí)，以前的斑點(diǎn)擦除不充分，與DC擦除后記錄的跳動(dòng)有差別，其影響通過(guò)這一差別明顯顯現(xiàn)出來(lái)。還有，在對(duì)前述實(shí)施例2(g1)媒體以7m/s重寫(xiě)時(shí)，與DC擦除后記錄時(shí)的跳動(dòng)之差小于0.5％。采用Ge2Sb2Te5那樣的GeTe-Sb2Te3偽二元合金記錄層的記錄媒體的情況下，采用保護(hù)層/記錄層/保護(hù)層/反射層構(gòu)成的4層結(jié)構(gòu)，以5～6m/s以上的高線速度，如上所述DC擦除后進(jìn)行記錄沒(méi)有問(wèn)題，但重寫(xiě)時(shí)跳動(dòng)劣化。因此，為了降低跳動(dòng)，必須再增加光吸收層等，以相應(yīng)進(jìn)行吸收率補(bǔ)償?shù)取?比較例4)在實(shí)施例2(g1)中，記錄層采用Ge0.15Sb0.64Te0.21。初始晶化非常困難，多次照射初始化光束后終于初始化，在進(jìn)行重寫(xiě)后測(cè)量跳動(dòng)，但在圖10的范圍內(nèi)怎樣改變脈沖分割方法也不能得到13％以下的跳動(dòng)。又，若不斷反復(fù)重寫(xiě)，則在10次到100次之間跳動(dòng)增加百分之幾。(比較例5)在實(shí)施例2(g1)的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ge0.05Sb0.80Te0.15，以7m/s、α1＝0.4、αc＝0.3、βm＝0.5、Pw＝14mW、Pe/Pw＝0.5的條件能夠得到大約為最小的跳動(dòng)，但10次重寫(xiě)后，跳動(dòng)接近11％左右，1000次后為13％以上。<加速試驗(yàn)>對(duì)本媒體的一部分記錄道，采用上述最佳脈沖分割方法，以Pw＝14mW記錄EFM增加型調(diào)制的隨機(jī)模式，測(cè)量跳動(dòng)。然后，將本媒體在80℃/80％RH的高溫高濕下進(jìn)行加速試驗(yàn)，在加速試驗(yàn)500小時(shí)后，再次測(cè)量本記錄道的跳動(dòng)，劣化3％左右，達(dá)到13％以上。又，在加速試驗(yàn)500小時(shí)后，對(duì)其他記錄道以與上述相同的條件記錄隨機(jī)模式，測(cè)量跳動(dòng)，發(fā)現(xiàn)劣化5％左右，劣化速度快。<對(duì)重放光的穩(wěn)定性>對(duì)本媒體，將功率提高至1.0mW照射重放光，10分鐘后跳動(dòng)增加3％，而且非常不穩(wěn)定。而且有調(diào)制度下降、斑點(diǎn)消失的趨勢(shì)。(實(shí)施例7)對(duì)實(shí)施例2(a1)媒體，在從1倍速(線速度為3.5m/s、基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T＝38.2nsec)至2.25倍速(7.9m/s、T＝17nsec)中，在所有的線速度設(shè)α1T＝τ1＝19nsec及αcT＝τC＝11nsec，為一定值，僅僅使T與線速度成反比，對(duì)EFM增強(qiáng)型信號(hào)進(jìn)行記錄。又，以αi+βi-1＝1.0決定一定值的βi。而且僅僅改變最后的切斷脈沖區(qū)間βm，使線速度越慢βm越長(zhǎng)。在這樣的脈沖分割方法中，圖11的門(mén)信號(hào)發(fā)生時(shí)序說(shuō)明圖中，只要與基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T同步(有時(shí)附加一定的延遲)，產(chǎn)生一個(gè)τ1＝19nsec的固定寬度脈沖(Gate1)及n-2個(gè)τC＝11nsec的固定寬度脈沖(Gate2)即可，再加上只要僅僅使決定最后切斷脈沖寬度的Gate3相應(yīng)于線速度變化即可，這樣能夠簡(jiǎn)化脈沖發(fā)生電路，是理想的。再者，在本實(shí)施例中，由于記錄功率Pw＝13.5mW、Pe＝5mW、Pb＝0.5mW，為一定值，因此能夠使脈沖發(fā)生電路非常簡(jiǎn)化。這里，在線速度小于5m/s時(shí)，滿足∑αi＝0.47n，因此能夠充分抑制熱損傷。表5中匯總了在各線速度下改變?chǔ)耺時(shí)的跳動(dòng)的數(shù)值。表中V表示基準(zhǔn)速度3.5m/s。激光頭的波長(zhǎng)為637nm，NA＝0.63。跳動(dòng)值本身與實(shí)施例2那樣能較靈活改變脈沖分割方法的情況相比雖然差一些，但從1倍速成到2.25倍速能夠得到約小于10％的數(shù)值。這里設(shè)2倍速時(shí)βHm＝0.3，1倍速時(shí)βLm＝0.6(用方形包圍起來(lái)的點(diǎn))，可以看出若使βm與線速度成反比變化，則在從1倍速到2倍速的各線速度下能夠得到小于10％的跳動(dòng)。再者，在本實(shí)施例中，使βm的余量較小，取βm＝0.2，為一定值，也能夠從1倍速到2.25倍速得到小于10％的跳動(dòng)。這樣可以簡(jiǎn)化能隨線速度而變化的脈沖發(fā)生電路。又，若預(yù)先在記錄媒體上利用凹凸的坑或調(diào)制的槽蛇行信號(hào)記錄Pb、Pe/Pw、Pw、τ0、τC及(βLm、βHm)，則能夠根據(jù)重寫(xiě)時(shí)的線速度自動(dòng)決定最佳記錄條件。(實(shí)施例8)層結(jié)構(gòu)取下部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為215nm，記錄層Ge0.05Sb0.69Te0.26膜厚為19nm，上部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為20nm，反射層Al0.995Ta0.005膜厚為200nm。以線速度為3.5m/s，設(shè)脈沖分割方法為α1＝0.5、αc＝0.35、βm＝0.5、Pw＝11mW、Pe＝6.0mW及Pb＝0.5mW，改變基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T使最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度(3T斑點(diǎn)長(zhǎng)度)從0.4μm到0.25μm變化以進(jìn)行記錄。3T斑點(diǎn)的斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.4μm時(shí)，T＝38.2nsec；斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.2μm時(shí)，T＝19.1nsec。記錄激光波長(zhǎng)為637nm，NA＝0.63。由于該聚焦激光具有高斯分布，因此僅僅利用中心的高溫部分，就能夠在光學(xué)分辨率以上進(jìn)行高密度記錄。對(duì)記錄部分利用波長(zhǎng)432nm、NA＝0.6、功率為0.5mW的藍(lán)色激光進(jìn)行重放。該激光是利用非線性光學(xué)效應(yīng)從波長(zhǎng)約860nm的激光產(chǎn)生。在該層結(jié)構(gòu)中，即使是432nm也能夠得到調(diào)制度大于50％的大調(diào)制度。圖28所示為利用記錄用的637nm、NA＝0.63的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行重放時(shí)及利用432nm、NA＝0.6光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行重放時(shí)的跳動(dòng)與最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度的關(guān)系。測(cè)量中在各測(cè)量點(diǎn)盡可能使均衡器的設(shè)定值最佳化。可知該記錄媒體用藍(lán)色激光重放時(shí)，即使最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度0.3μm，也能夠得到小于13％的較小的跳動(dòng)。(比較例6)在實(shí)施例2(a1)的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ge0.05Sb0.64Te0.31。利用波長(zhǎng)為637nm、NA＝0.63的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行記錄評(píng)價(jià)。在線速度為3.5m/s，設(shè)m＝n-1、α1＝0.4、αc＝0.4、βm＝0.4、Pb＝0.5nW、Pe＝4.5mW，為一定值，僅改變Pw進(jìn)行重寫(xiě)記錄，一直至第10次。圖27(a)所示為這時(shí)的跳動(dòng)與記錄功率的關(guān)系。圖中，1write指的是未記錄盤(pán)片的第1次記錄，1DOW指的是第1次重寫(xiě)，10DOW指的是第10次重寫(xiě)。接著，使Pw＝8.5mW，為一定值，僅改變Pe進(jìn)行重寫(xiě)記錄，一直到第10次。圖27(b)所示為這時(shí)的跳動(dòng)與擦除功率的關(guān)系。在任一種情況下，在第1次記錄(1write)都能夠得到很小的跳動(dòng)，但即使1次重寫(xiě)，跳動(dòng)也急劇劣化。本比較例的記錄層組成是圖3中比直線A更富Te的組成，由于結(jié)晶速度慢而得不到足夠的擦除比，因而可以認(rèn)為不能得到足夠的重寫(xiě)特性。(實(shí)施例9及比較例7)使實(shí)施例2(a1)的層結(jié)構(gòu)中的記錄層組成如表6所示改變。通過(guò)將Ge0.05Sb0.73Te0.22靶與Ge一起濺射以改變Ge量。利用波長(zhǎng)為637nm、NA＝0.63的光學(xué)系統(tǒng)，設(shè)m＝n-1、Pb＝0.5mW、βm＝0.5，改變?chǔ)?、αc、Pw及Pe，尋找10次重寫(xiě)后跳動(dòng)為最小的條件。用各種記錄層組成所得到的最小跳動(dòng)如表6所示。隨著Ge添加量的增加，跳動(dòng)增加，當(dāng)Ge超過(guò)10原子％時(shí)，在2倍速的跳動(dòng)為14％，非常高。又，將本媒體在80℃/80％RH的條件下進(jìn)行加速試驗(yàn)，與實(shí)施例9(a)相比，實(shí)施例9(b)及(c)略好，也就是說(shuō)，在加速試驗(yàn)2000小時(shí)后，讀出加速試驗(yàn)前記錄的信號(hào)表明，實(shí)施例9(a)～(c)的任一種情況，跳動(dòng)都僅僅劣化1％左右。又，實(shí)施例9(a)～(c)的初始調(diào)制度為61～63％，2000小時(shí)加速試驗(yàn)后也能得到58～59％的調(diào)制度。反射率也幾乎完全沒(méi)有變化。特別是實(shí)施例9(b)及(c)，增加了不到0.5％。接著進(jìn)行將Ge0.05Sb0.73Te0.22靶與Ta一起濺射，添加Ta。結(jié)果，在相對(duì)于GeSbTe添加1～2原子％的Ta時(shí)得到最小的跳動(dòng)。(實(shí)施例10及比較例8)在實(shí)施例2(g1)的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用添加In的GeSbTe。In是通過(guò)與GeSbTe靶一起濺射InSbTe而添加進(jìn)去的。各記錄層組成是，實(shí)施例10(a)為Ge0.05Sb0.74Te0.21，實(shí)施例10(b)為In0.023Ge0.048Sb0.719Te0.21，實(shí)施例10(c)為In0.053Ge0.044Sb0.688Te0.215，比較例8為In0.118Ge0.041Sb0.617Te0.224。評(píng)價(jià)這些媒體的跳動(dòng)與功率的關(guān)系的結(jié)果示于圖29(a)、(b)、(c)、(d)中。上面部分為記錄線速度3.5m/s的情況，下面部分為記錄線速度7.0m/s的情況。利用的光學(xué)系統(tǒng)都是637nm及NA＝0.63。線速度為3.5m/s時(shí)，設(shè)α1＝0.6、αc＝0.35、βm＝0.5；線速度為7m/s時(shí)，設(shè)α1＝0.4、αc＝0.4、βm＝0.5。Pb＝0.5mW，為一定值。Pe為兩個(gè)數(shù)值，為一定值，僅改變Pw測(cè)量跳動(dòng)與Pw的關(guān)系。In量添加2～5原子％左右時(shí)Pw余量大幅度改善。但是，若超過(guò)10原子％，與不添加的情況相比，跳動(dòng)反而劣化。又，重寫(xiě)1000次后的跳動(dòng)，對(duì)于實(shí)施例10(a)～(c)，兩種線速度的情況下都小于10％，而在比較例8，則兩種線速度情況下都超過(guò)13％。<加速試驗(yàn)>對(duì)于實(shí)施例10(b)的媒體，在80℃/80％RH環(huán)境下進(jìn)行加速試驗(yàn)。實(shí)施加速試驗(yàn)長(zhǎng)達(dá)2000小時(shí)。加速試驗(yàn)前記錄的信號(hào)的跳動(dòng)只不過(guò)劣化1％左右。而初始調(diào)制度為61％，2000小時(shí)加速試驗(yàn)后也能夠得到57％的調(diào)制度。反射率也幾乎完全沒(méi)有變化。2000小時(shí)后對(duì)未記錄部分新進(jìn)行記錄時(shí)的跳動(dòng)劣化是3％左右，這種程度實(shí)用上完全沒(méi)有問(wèn)題。(實(shí)施例11)實(shí)施例2(g1)的層結(jié)構(gòu)中，在具有表-7的槽狀的聚碳酸酯基板上形成記錄層為In0.03Ge0.05Sb0.71Te0.21的盤(pán)片。槽間距均為0.74μm。作為擺動(dòng)調(diào)制方式，是載波周期Tw為基準(zhǔn)數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)周期T＝38.2nsec的32倍的2值相位調(diào)制。這里所謂相位調(diào)制擺動(dòng)，如圖30所示，與數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的0或1相對(duì)應(yīng)，是使擺動(dòng)波的相位移動(dòng)π。也就是說(shuō)，頻率fc＝1/Tw＝1/(32T)的未調(diào)制載波(余弦波或正弦波)通過(guò)地址用數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)從0切換至1或從1切換至0，正好相位移動(dòng)π。由于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的0、1切換，周期Td比Tw短，Td為T(mén)w的整數(shù)分之一，因此即使相位移動(dòng)π，擺動(dòng)波形也連續(xù)變化。本調(diào)制方法的理想之處在于，與ATIP(AbsoluteTimeinPregroove，即預(yù)刻槽絕對(duì)時(shí)間)所用的頻率(FM)調(diào)制不同，蛇行頻率一定，而且用周期為32T的高頻調(diào)制，因此能夠參照擺動(dòng)的時(shí)鐘信號(hào)建立盤(pán)片的旋轉(zhuǎn)同步，同時(shí)能夠與擺動(dòng)時(shí)鐘信號(hào)同步直接生成數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)。為了這樣用數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)調(diào)制改變相位，采用例如圖31中具有的環(huán)形調(diào)制器。數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)與0及1對(duì)應(yīng)加上正負(fù)電壓±V。在制作壓模母盤(pán)時(shí)，使光刻膠曝光用的激光按照±Vw電壓間2值相位調(diào)制的擺動(dòng)波形沿半徑方向一面蛇行一面曝光。這時(shí)通過(guò)將環(huán)形調(diào)制器輸出波加在EO調(diào)制器上，能夠使曝光用光束蛇行運(yùn)動(dòng)。下面稍微詳細(xì)加以說(shuō)明。若周期cos(2πfct)的信號(hào)Vw·cos(2πfct)輸入至未調(diào)制載波輸入端子上，則在輸入變壓器的輸出端出現(xiàn)Vw·cos(2πfct)及-Vw·cos(2πfct)兩個(gè)載波信號(hào)。若數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸入為正(+V)，則D1及D1’導(dǎo)通，載波Vw·cos(2πfct)原封不動(dòng)通過(guò)D1，在輸出端子上出現(xiàn)調(diào)制。而-Vw·cos(2πfct)的載波經(jīng)過(guò)D1’后，利用輸出側(cè)的變壓器反相，成為Vw·cos(2πfct)，與通過(guò)D1的輸出相加，得到Vw·cos(2πfct)的輸出。如果數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸入為負(fù)(-V)，即D2及D2’導(dǎo)通，則Vw·cos(2πfct)的信號(hào)通過(guò)二極管D2送到輸出變壓器的下側(cè)，在輸出端將其反相，調(diào)制波成為-Vw·cos(2πfct)。另一方面，在輸入變壓器的輸出是-Vw·cos(2πfct)的載波通過(guò)二極管D2’加到輸出變壓器的同相輸入端，因此，保持極性不變出現(xiàn)在調(diào)制波輸出端(保持-Vw·cos(2πfct)原樣不變)。因而，通過(guò)二極管D2及D2’的路徑的載波合成為-Vw·cos(2πfct)，在輸出端出現(xiàn)調(diào)制波。在環(huán)形調(diào)制器的情況下，根據(jù)數(shù)字輸入是正還是負(fù)，向輸出端子輸出Vw·cos(2πfct)或-Vw·cos(2πfct)。這樣調(diào)制的擺動(dòng)波形輸入到EO調(diào)制器，就能夠使曝光用光束蛇行運(yùn)動(dòng)。在本實(shí)施例中，擺動(dòng)振幅全部取60nm(峰值對(duì)峰值)。在僅僅記錄于槽內(nèi)的媒體的情況下，相對(duì)于記錄重放光波長(zhǎng)λ＝637nm、基板折射率n＝1.56，槽深的理想范圍是，下限為λ/(20n)＝20.5nm，上限為λ/(10n)＝40.8nm。對(duì)本媒體進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)采用波長(zhǎng)為637nm、NA＝0.63的光學(xué)系統(tǒng)。與實(shí)施例2相同，以m＝n-1、α1+βi-1＝1.0(2≤i≤m)、αi＝αc＝-定值(2≤i≤m)的記錄脈沖分割方法進(jìn)行，在線速度為3.5m/s時(shí)，設(shè)α1＝0.5、αc＝0.3、βm＝0.5、Pw＝13mV、及Pe＝6mW；在線速度為7m/s時(shí)，設(shè)α1＝0.4、αc＝0.35、βm＝0.5、Pw＝14mV、Pe＝7mW。首先，在槽內(nèi)以線速度3.5m/s進(jìn)行記錄，測(cè)量Rtop及調(diào)制度。又以3.5m/s及7m/s測(cè)量記錄信號(hào)的跳動(dòng)。將結(jié)果示于表-8中。首先，實(shí)施例11(k)具有深度18nm的非常淺的槽，幾乎不能檢測(cè)到推挽信號(hào)，不能進(jìn)行跟蹤伺服。而且，要均勻形成這樣淺的槽，在壓模成型上也非常困難，實(shí)際上觀察到跟蹤伺服信號(hào)非常不穩(wěn)定。圖32(a)及(b)所示為調(diào)制度及Ttop與溝槽形狀的關(guān)系。實(shí)施例11(h)～(j)具有深度42nm的槽，與深度27nm的情況相比，反射率大幅度降低，低了5％以上，這是不理想的。特別在槽較窄的情況下，調(diào)制度下降，在寬度為0.23μm時(shí)，即使深度為35nm，調(diào)制度降低也很顯著。還有，本實(shí)施例取相同的層結(jié)構(gòu)，但深度為42nm時(shí)，為了補(bǔ)償反射率降低采用反射率高的層結(jié)構(gòu)，則調(diào)制度降低更顯著。也就是說(shuō)，深度為42nm的槽不適合槽內(nèi)記錄。槽深為40nm以上的情況下，在槽寬小于0.3μm時(shí)，擺動(dòng)信號(hào)明顯串入記錄數(shù)據(jù)信號(hào)。與槽寬大于0.3μm的情況相比，在線速度為3.5m/s時(shí)，跳動(dòng)劣化1～2％以上；在線速度為7m/s時(shí)，跳動(dòng)劣化2～3％。(實(shí)施例子12)該層結(jié)構(gòu)采取下部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為65nm，記錄層Ge0.05Sb0.73Te0.22膜厚為16nm，上部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為20nm，第1反射層Al0.995Ta0.005膜厚為40nm，第2反射層Ag膜厚為70nm的結(jié)構(gòu)。從下部保護(hù)層至第1反射層是不脫離真空條件用濺射法制成，在第1反射層成膜后，開(kāi)放大氣放置數(shù)分鐘后，再在真空中用濺射法形成第2反射層。第2反射層成膜后，用旋轉(zhuǎn)涂覆法將紫外線硬化樹(shù)指作為覆蓋層層積4μm。將兩片制得的盤(pán)片覆蓋層相對(duì)粘貼。第1反射層成膜是在真空度到達(dá)4×10-4Pa以下、Ar壓力0.55Pa的條件下進(jìn)行的。體積電阻率為55nΩ·m。氧、氮等雜質(zhì)低于用X射線激勵(lì)光電子分光檢測(cè)的檢測(cè)靈敏度，可認(rèn)為全部加起來(lái)大約也不到1原子％。第2反射層膜是在真空度到達(dá)4×10-4Pa以下、Ar壓力0.35Pa的條件下進(jìn)行的。體積電阻率為32nΩ·m。氧、氮等雜質(zhì)低于用X射線激勵(lì)光電子光的檢測(cè)靈敏度，可認(rèn)為全部加起來(lái)大約也不到1原子％。使用波長(zhǎng)為637nm、NA為0.60的光學(xué)系統(tǒng)，以線速度3.5m/s、采用α1＝0.4、αc＝0.35及βm＝0.5的脈沖分割方法，測(cè)量10次重寫(xiě)后的跳動(dòng)，在以Pw＝11mW、Pe＝6.0mW、Pb＝0.5mW時(shí)得到最小跳動(dòng)為6.5％。將該媒體放置在80℃/80％RH的高溫高濕下500小時(shí)后，再同樣進(jìn)行記錄，完全未發(fā)現(xiàn)劣化。(實(shí)施例13)制成形成螺旋狀槽的壓模，所述螺旋狀槽是槽間距0.74μm、槽寬0.3μm、槽深40nm的、具有擺動(dòng)的槽，再以此壓模為基礎(chǔ)，利用噴射成型法形成直徑120mm、厚0.6mm的聚碳酸酯樹(shù)酯基板。如表-9所示，將半徑22.5mm到58.5mm的36mm作為記錄區(qū)，將記錄區(qū)分割為255個(gè)記錄帶(區(qū)域)。各記錄帶包含191道。設(shè)定記錄帶寬度使各記錄帶終端正好是第191道，因此各記錄帶的寬度并不是精確為36/255。因此，記錄區(qū)的最外終端為58.54mm。設(shè)信道位長(zhǎng)度為0.133μm，在線速度3.49m/s下得到基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)為26.16MHz(T＝38.23nsec)。擺動(dòng)周期設(shè)定為在各記錄帶中心半徑上為信道位長(zhǎng)度的9倍。其物理周期為1.2μm。首先計(jì)算各記錄帶中心半徑上的信道位長(zhǎng)度總數(shù)及擺動(dòng)總數(shù)，使同一記錄帶內(nèi)每1圈所含的信道位數(shù)或擺動(dòng)數(shù)為一定值。如表9所示，在記錄帶始端及終端，其信道位數(shù)或擺動(dòng)數(shù)為一定，精度為±％。也就是說(shuō)，能夠以ZCAV方式實(shí)現(xiàn)與CLV方式完全相同的恒線密度記錄，完全滿足只讀DVD的標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)上述前提，讓盤(pán)片旋轉(zhuǎn)時(shí)各記錄帶中心半徑上能夠得到3.49m/s的線速度，這時(shí)擺動(dòng)周期正好為DVD數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)周期T＝38.23nsec的9倍。將該媒體旋轉(zhuǎn)，使表-9的最內(nèi)圈記錄帶的記錄帶中心半徑上的線速度為3.49m/s，作為ZCAV方式的媒體使用。將CAV旋轉(zhuǎn)中根據(jù)各記錄帶的擺動(dòng)重放的載波周期縮短為1/9，生成各記錄帶中的數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)Tq，再根據(jù)該時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行EFM增強(qiáng)型調(diào)制的數(shù)據(jù)記錄。重放時(shí)若如下所述達(dá)到旋轉(zhuǎn)同步，使根據(jù)記錄的數(shù)據(jù)生成的數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)頻率為26.16MHz，則在各區(qū)域的信道位長(zhǎng)度偏差小于±1％，實(shí)際上能夠順利進(jìn)行CLV方式的重放。也就是說(shuō)，利用石英振蕩器產(chǎn)生上述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)26.16MHz(T＝38.23nsec)，將該相位與根據(jù)記錄的數(shù)據(jù)生成的數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的相位進(jìn)行比較，利通常的PLL(PhaseLockedLoop，即鎖相環(huán))控制方式對(duì)旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行微調(diào)，使兩者同步。在現(xiàn)在的DVD-ROM的重放中進(jìn)行利用這種PLL控制的旋轉(zhuǎn)控制，在能原封不動(dòng)地采用該方式這一點(diǎn)上是很有用的。(實(shí)施例14)在實(shí)施例2(a1)的層結(jié)構(gòu)中，反射層采用Al0.975Ta0.025。體積電阻率為220nΩ·m。膜厚在200nm到400nm之間變化，制作多個(gè)樣品，與表-3的測(cè)量相同，分別采用圖10(a)中的最佳脈沖分割方法，進(jìn)行跳動(dòng)測(cè)量。在膜厚300nm左右得到12％的最小的跳動(dòng)。與其相比，反射層厚也好，薄也好，都只能得到更大的跳動(dòng)。(實(shí)施例15)在實(shí)施例11(a)的層結(jié)構(gòu)中，上部保護(hù)層膜厚采用23nm。在本媒體上進(jìn)行槽內(nèi)記錄。采用波長(zhǎng)為405nm、NA＝0.65的光學(xué)系統(tǒng)，生成近似圓形的光點(diǎn)直徑約0.5μm(高斯光束的1/e2強(qiáng)度的直徑)的光束，通過(guò)0.6mm厚的基板進(jìn)行錄放。以線速度4.86m/s對(duì)最短斑點(diǎn)(3T斑點(diǎn))長(zhǎng)度為0.25μm的EFM增強(qiáng)型調(diào)制信號(hào)進(jìn)行記錄。以與實(shí)施例2相同的記錄脈沖分割方法，設(shè)m＝n-1、α1＝0.5、αc＝0.38、βm＝0.67，以Pw＝9.5mW、Pb＝0.5mW、Pe＝4.0mW進(jìn)行10次重寫(xiě)，此時(shí)跳動(dòng)為10％。以藍(lán)色激光進(jìn)行錄放，可以知道，與實(shí)施例7的情況相比，也能夠進(jìn)行更高質(zhì)量的記錄。又，即使是與現(xiàn)行紅色激光配合設(shè)計(jì)的媒體，也能夠原封不動(dòng)用藍(lán)色激光進(jìn)行錄放，謀求實(shí)現(xiàn)高密度化。(實(shí)施例16)在實(shí)施例2(a1)的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ga0.05Ge0.05Sb0.68Te0.22的媒體。初始化也與實(shí)施例2(a)一樣進(jìn)行，測(cè)定利用波長(zhǎng)為637nm、NA＝0.63的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行。以線速度3.5m/s對(duì)最短斑點(diǎn)3T的長(zhǎng)度為0.4μm的EFM增強(qiáng)型調(diào)制信號(hào)進(jìn)行。采用與實(shí)施例2相同的記錄脈沖策略，設(shè)m＝n-1、αi+βi-1＝1.0(2≤i≤m)、αi＝αc＝一定值(2≤i≤m)，設(shè)α1＝0.5、αc＝0.3、βm＝0.5，采用Pw＝13.5mW、Pe＝6.0mW、Pb＝0.5mW，對(duì)重寫(xiě)特性進(jìn)行評(píng)價(jià)。第1次記錄(不是重寫(xiě))、10次重寫(xiě)、100次重寫(xiě)及1000次重寫(xiě)情況下，跳動(dòng)分別為6.9％、6.7％、7.0％及7.3％，是比較好的。再以線速度7.0m/s，同樣設(shè)α1＝0.4、αc＝0.35、βm＝0.5，以Pw＝14.0mW、Pe＝7.0mW、Pb＝0.5mW，對(duì)重寫(xiě)特性進(jìn)行評(píng)價(jià)。第1次記錄(不是重寫(xiě))、10次重寫(xiě)、100次重寫(xiě)及1000次重寫(xiě)的情況下，跳動(dòng)分別為7.4％、7.7％、8.0％及8.5％，是比較好的。調(diào)制度都能夠得到55～60％的值。將本媒體在80℃/80％RH的加速試驗(yàn)環(huán)境下放置1000小時(shí)，試驗(yàn)前進(jìn)行了記錄。加速試驗(yàn)前記錄信號(hào)的跳動(dòng)劣化小于1％。又，調(diào)制度得到52～57％的值。(實(shí)施例17)與實(shí)施例2相同，在0.6mm厚的聚碳酸酯樹(shù)脂基板上形成間距為0.74μm的擺動(dòng)槽，再像圖5(b)那樣，依次形成反射層、第2保護(hù)層、記錄層及第1保護(hù)層。分別利用濺射法形成膜厚165nm的反射層Al0.995Ta0.005、膜厚20nm的第2保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20、膜厚16nm的記錄層In0.03Ge0.05Sb0.70Te0.22及膜厚68nm的第1保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20。然后，與第1保護(hù)層相對(duì)貼緊0.6mm厚的玻璃板。通過(guò)玻璃基板以線速度5m/s照射500mW左右的激光來(lái)進(jìn)行初始化。通過(guò)該玻璃基板，利用波長(zhǎng)為637nm、NA＝0.6的光學(xué)系統(tǒng)對(duì)記錄層照射激光來(lái)進(jìn)行錄放。記錄是在從激光入射側(cè)看來(lái)遠(yuǎn)離凹凸的一側(cè)進(jìn)行。相對(duì)于實(shí)施例2中的槽內(nèi)。以線速度3.5m/s對(duì)最短斑點(diǎn)3T的長(zhǎng)度為0.4μm的EFM增強(qiáng)型調(diào)制信號(hào)進(jìn)行。采用與實(shí)施2相同的記錄脈沖策略，設(shè)m＝n-1、αi+βi-1＝1.0(2≤i≤m)、αi＝αc＝一定值(2≤i≤m)，設(shè)α1＝0.9、αc＝0.35及βm＝0.5，以Pw＝12.0mW、Pe＝6.0mW及Pb＝0.5mW，評(píng)價(jià)重寫(xiě)特性。10次重寫(xiě)后，跳動(dòng)為10.5％、調(diào)制度為61％。再以線速度7.0m/s，同樣設(shè)α1＝0.55、αc＝0.40及βm＝0.5，以Pw＝13.0mW、Pe＝5.5mW及Pb＝0.5mW，對(duì)重寫(xiě)特性進(jìn)行評(píng)價(jià)。10次重寫(xiě)后、跳動(dòng)為11.2％，調(diào)制度為61％。采用本發(fā)明得到的光學(xué)信息記錄媒體，能夠高速進(jìn)行重寫(xiě)，斑點(diǎn)邊界跳動(dòng)小，能夠進(jìn)行高密度的斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄，形成的斑點(diǎn)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性非常好。又，通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)挠涗泴咏M成及層結(jié)構(gòu)，能夠得到與只讀媒體的重放互換性好、而且反復(fù)重寫(xiě)耐久性好的相變型光記錄媒體。更具體地說(shuō)，能提供一種可用作可擦寫(xiě)DVD盤(pán)片的光學(xué)信息記錄媒體及光記錄方法，它具有與所謂DVD盤(pán)片的重放互換性，在包含從其標(biāo)準(zhǔn)重放速度3.5m/s到倍速的7m/s的很寬的線速度范圍內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)單光束重寫(xiě)，而且即使1萬(wàn)次以上重寫(xiě)也沒(méi)有顯出劣化。又，由于本發(fā)明媒體的線速度余量很寬，因此即使以CAV方式或ZCAV方式等恒角速度方式使媒體旋轉(zhuǎn)進(jìn)行記錄的情況下，也能夠克服由于媒體內(nèi)外圈線速度之差引起的記錄特性差的問(wèn)題。若采用CAV方式，則沒(méi)有必要在每一個(gè)半徑位置改變盤(pán)片轉(zhuǎn)速，因此能夠縮短存取時(shí)間。表-1表-2表-3表-4表-5表-6表-7表-8表-9↓表-9續(xù)↓權(quán)利要求1.一種光學(xué)信息記錄媒體，在基板上至少具有相變型記錄層，將該記錄層的結(jié)晶態(tài)部分作為未記錄及擦除狀態(tài)，將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長(zhǎng)度來(lái)記錄信息，其特征在于，所述相變型記錄層由以My(SbxTe1-x)1-y合金為主要成分的薄膜構(gòu)成，其中0.6≤x≤0.9，0＜y≤0.2，M為Ga、Zn、Ge、Sn、In、Si、Cu、Au、Ag、Al、Pd、Pt、Pb、Cr、Co、O、S、Se、Ta、Nb及V中的至少1種，利用從非晶態(tài)部分或熔融部分與周圍結(jié)晶態(tài)部分的邊界開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)所導(dǎo)致的實(shí)際上進(jìn)行的再結(jié)晶化來(lái)進(jìn)行擦除。2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，具有膜厚為40nm以上300nm以下、體積電阻率為20nΩ·m以上150nΩ·m以下的反射層膜。全文摘要本發(fā)明光學(xué)信息記錄媒體在基板上至少具有相變型記錄層，將結(jié)晶態(tài)部分作出未記錄及擦除狀態(tài)，將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長(zhǎng)度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長(zhǎng)度來(lái)記錄信息。揭示了特征在于利用從非晶態(tài)部分或熔融部分與周圍結(jié)晶態(tài)部分的邊界開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)實(shí)際上進(jìn)行的再結(jié)晶化進(jìn)行擦除的光學(xué)信息記錄媒體及適用于該媒體的光記錄方法。本發(fā)明媒體能夠高速重寫(xiě)，斑點(diǎn)邊界跳動(dòng)小，能夠進(jìn)行高密度的斑點(diǎn)長(zhǎng)度調(diào)制記錄，形成的斑點(diǎn)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性非常好。文檔編號(hào)G11B7/00GK101055740SQ20071008962公開(kāi)日2007年10月17日申請(qǐng)日期1999年9月8日優(yōu)先權(quán)日1998年9月9日發(fā)明者水野裕宣,大野孝志,堀江通和申請(qǐng)人:三菱化學(xué)媒體株式會(huì)社