專利名稱：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基板上涂布了硬涂劑的光記錄介質(zhì)，特別是在基板上涂布了具有防靜電功能的硬涂劑的光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
近年來，作為用光來記錄或者再生信息的光記錄介質(zhì)，例如DVD-RW這樣的光盤被應(yīng)用于各種各樣的領(lǐng)域中并得到了廣泛普及。作為這樣的光盤用基板材料，考慮到成形性、光學(xué)特性等，一般使用聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯等熱塑性樹脂。聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯等熱塑性樹脂具有批量生產(chǎn)性和成型加工性良好、廉價等優(yōu)點，尤其是熱變形溫度較高的聚碳酸酯作為光盤用基板材料利用得最多。但是，使用了熱塑性樹脂的基板因為表面硬度低，所以存在處理時容易劃傷、而且容易帶電的缺點。
因此，在平常使用具有由熱塑性樹脂形成的基板的光盤時，在基板上會出現(xiàn)使用劃傷、或者由于帶電而附著灰塵等，從而成為記錄或者再生時產(chǎn)生錯誤的原因。為了改善以上情形，考慮在基板表面上形成較高硬度的硬涂層，保護基板表面。
在特開平07-182692號公報(專利文獻1)中，記載了一種光盤和光盤制造方法，即在基板的注射成型后，用旋涂法涂布硬涂劑并使其固化，從而在基板的一面上形成硬涂層，之后，用真空成膜裝置在與形成了硬涂層的基板的一面相反的一面上形成電介質(zhì)膜及記錄膜、反射膜等。
專利文獻1特開平07-182692號公報但是，在發(fā)明人用和專利文獻1相同的方法在基板的一面上形成硬涂層來制造光盤時，盡管在基板的另一面上形成電介質(zhì)膜和記錄膜、反射膜等的條件是相同的，但和在基板的一面上不設(shè)置硬涂層時制造的光盤相比，電介質(zhì)膜的膜厚變薄了。
如果電介質(zhì)膜的膜厚相對于需要的膜厚(設(shè)計值)超過±5％的誤差范圍，則不能滿足反射率、調(diào)制度和數(shù)據(jù)覆蓋(over write)特性等要件。因此，需要在不超過設(shè)計值的±5％的誤差范圍的情況下形成電介質(zhì)膜的膜厚。
作為可防止因使用在一面上形成了硬涂層的基板而發(fā)生電介質(zhì)膜的膜厚減少的現(xiàn)象的方法，可以考慮下述方法在形成電介質(zhì)膜后，在基板上形成硬涂層的方法；以及延長電介質(zhì)膜的成膜時間直至得到需要的膜厚的方法。但是，就在形成電介質(zhì)膜后在基板上形成硬涂層的方法來說，由于在成膜工序中灰塵附著到基板上所產(chǎn)生的影響，所以和在電介質(zhì)膜的成膜之前在基板上形成硬涂層相比，成品率下降，因而是不優(yōu)選的。另外，在延長成膜時間的方法中，因為生產(chǎn)效率下降，所以是不優(yōu)選的。
如上所述，如果使用首先在一面上形成了硬涂層的基板，在基板的另一面上形成電介質(zhì)膜和記錄膜、反射膜等，則存在的問題是電介質(zhì)膜的成膜率下降，如果在形成電介質(zhì)膜后，在基板上形成硬涂層，則存在的問題是成品率下降，如果延長電介質(zhì)膜的成膜時間，則存在的問題是生產(chǎn)效率下降。

發(fā)明內(nèi)容
因此，為了解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供即使使用在一面上形成了硬涂層的基板，在基板的另一面上繼續(xù)形成的各膜的成膜率也不會下降，具有高生產(chǎn)率、耐擦傷性以及防靜電性的光記錄介質(zhì)。
為了解決上述問題，本發(fā)明提供下面的(a)～(c)。
(a)利用光來記錄或者再生信息的光記錄介質(zhì)(D)，其特征在于光記錄介質(zhì)(D)具有基板(1)；在上述基板的一面上形成的硬涂層(1H)；在上述基板的另一面上形成且至少由電介質(zhì)膜(2)、記錄膜(3)和反射膜(5)構(gòu)成的信息層，上述硬涂層是使防靜電性硬涂劑固化而成的，其中所述防靜電性硬涂劑包含硬涂劑和作為離子性液體的防靜電劑。
(b)上述(a)記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于上述硬涂劑的水分含有率為0.05重量％以下。
(c)上述(b)記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于該光記錄介質(zhì)以相對于上述防靜電性硬涂劑為0.5重量％～6重量％的含有率含有上述防靜電劑。
根據(jù)本發(fā)明，可以得到即使在基板的一面上形成硬涂層、接著在基板的另一面上形成各膜時，也可將各膜的成膜率下降抑制到最小限度、且具有高生產(chǎn)性、耐擦傷性以及防靜電性的光記錄介質(zhì)。


圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的光盤D的層疊結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是表示相對于本實施方式的硬涂劑的水分含有率的第1電介質(zhì)膜2的成膜率的圖。
圖3是表示比較例1的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1的代替圖形的像片。
圖4是表示比較例1的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A2的代替圖形的像片。
圖5是表示實施例9的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1的代替圖形的像片。
圖6是表示實施例9的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A2的代替圖形的像片。
圖7是表示比較例2的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1的代替圖形的像片。
圖8是表示比較例2的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A2的代替圖形的像片。
圖9是表示相對于本實施方式的硬涂劑中含有的導(dǎo)電劑的含有率的硬涂層1H的表面的電阻值R1的圖。
符號說明1 基板1H 硬涂層2 第1電介質(zhì)膜3 記錄膜4 第2電介質(zhì)膜5 反射膜6 保護膜7 粘接膜8 基板8B 標簽印刷面具體實施方式
圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的光記錄介質(zhì)D的放大截面圖。在光記錄介質(zhì)D中，在基板1的一面上形成有信息層，該信息層由使用透光性無機化合物的第1電介質(zhì)膜2、使用作為相變化材料的AgInSbTe合金等的記錄膜3、使用透光性無機化合物的第2電介質(zhì)膜4和由Al或Ag合金等構(gòu)成的反射膜5構(gòu)成。進一步在信息層上形成有保護膜6、粘接膜7、具有標簽印刷面8B的基板8?；?的另一面被硬涂層1H覆蓋。
硬涂層1H是在將基板1成型之后，例如用旋涂法涂布硬涂劑，并通過紫外線照射使硬涂劑固化而形成的。通過在基板1的成型后別間隔時間，盡可能早地涂布硬涂劑，可以減少塵埃附著引起的涂布缺陷，因而是優(yōu)選的。另外，在使硬涂劑固化時，有照射紫外線或電子束等活性能量線的固化方法，其中采用紫外線的固化方法可以抑制設(shè)備成本，對記錄膜或者其它膜沒有壞影響，所以是優(yōu)選的。
在本實施方式中使用的硬涂劑包含樹脂材料和聚合引發(fā)劑，在不損害其性能的范圍內(nèi)還可以添加聚合抑制劑、粘度調(diào)整劑和抗氧化劑等其它添加劑。在像本實施方式那樣通過紫外線照射使硬涂劑固化的場合，使用1-羥基環(huán)己基苯基酮、二乙氧基苯乙酮、二苯甲酮等聚合引發(fā)劑。聚合引發(fā)劑的量可以根據(jù)紫外線照射量和樹脂材料適當設(shè)定。
另外，為了防止硬涂層1H帶電，優(yōu)選在硬涂劑中適當添加離子性液體作為防靜電劑(導(dǎo)電劑)。離子性液體是指僅僅由離子構(gòu)成的化合物，其具有在室溫下是液體這樣的特性。也將離子性液體稱為常溫熔融鹽?？梢钥紤]導(dǎo)電效果、相溶性、保存穩(wěn)定性等來適當選擇離子性液體，但考慮到光記錄介質(zhì)的使用和保存環(huán)境，具體優(yōu)選脂肪族類離子性液體、咪唑類離子性液體等。
下面，研究本實施方式的硬涂劑的水分含有率對構(gòu)成光記錄介質(zhì)D的第1電介質(zhì)膜2的成膜率的影響。
構(gòu)成本實施方式的硬涂劑的樹脂材料的組成是，季戊四醇三丙烯酸酯為60重量％，甲基丙烯酸異硬脂酯為20重量％，聚丁二醇二丙烯酸酯為10重量％。進而，添加6.5重量％的IRGACURE 500(日本Ciba Geigy株式會社制)作為光聚合引發(fā)劑、0.5重量％的叔丁基對苯二酚作為聚合抑制劑，在40℃下充分攪拌后，將混合調(diào)整后的產(chǎn)物作為本實施方式的硬涂劑。另外，由于在樹脂材料自身中含有極少的水分，所以硬涂劑含有0.02重量％的水分。IRGACURE是チバスペシャルテイケミカルズホ—ルデイングインコ—ポレ—テツド的注冊商標。
光記錄介質(zhì)D使用按下述方式制作的產(chǎn)品。在基板1上，利用旋涂法以每分鐘8000轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速涂布硬涂劑3秒鐘，通過紫外線照射使其固化，形成厚度為3.5μm的硬涂層1H。此時的紫外線的累計照射量是1000mj/cm2。
在與形成了硬涂層1H的基板1的面相反的面上，使用ZnS·SiO2由濺射法形成膜厚為80nm的第1電介質(zhì)膜2。接著用同樣的方法，使用AgInSbTe合金形成膜厚為20nm的記錄膜3，使用ZnS·SiO2形成膜厚為20nm的第2電介質(zhì)膜4，使用Al形成膜厚為750nm的反射膜5。將從第1電介質(zhì)膜2到反射膜5作為信息層。
然后，利用旋涂法在反射膜5上以4μm的厚度涂布Sony Chemical株式會社制的紫外線固化樹脂(SK5110)，照射累計光量為1000mj/cm2的紫外線使其固化，形成保護膜6。使用粘接膜7，將與基板1同樣形成的基板8的形成有標簽面8B的面的相反面與保護膜6相對地貼合。
本實施方式中使用的所有光記錄介質(zhì)D在上述條件下形成了基板1、信息層、保護膜6、粘接膜7和基板8。
使用コナクシス公司制的成膜裝置(型號名DVD—スプリンタ一)形成各膜，成膜時間(tact time)設(shè)定為4秒。在測定形成的第1電介質(zhì)膜2的膜厚時，使用ステアグ公司制的膜厚測定器(型號名η)，在測定硬涂劑的水分含有率時，使用株式會社A&D制的水分計(型號名MS-70)。
在表1中，示出了使硬涂劑的水分含有率變化時第1電介質(zhì)膜2的成膜膜厚。另外，在圖2中以表1為基礎(chǔ)示出了第1電介質(zhì)膜2相對于硬涂劑的水分含有率的成膜率。利用微量注射器在按上述方法制作的硬涂劑中添加水來使硬涂劑的水分含有率變化。
在硬涂劑中完全不添加水時的水分含有率為0.02重量％，這是構(gòu)成硬涂劑的樹脂材料自身含有的水分量。如果在硬涂劑中添加45μl的水，則水分含有率為0.05重量％，如果添加80μl的水，則水分含有率為0.07重量％。進而，如果添加125μl的水，則水分含有率為0.10重量％，如果添加280μ1的水，則水分含有率為0.20重量％。而且，因為本實施方式的硬涂層1H是對按上述方法涂布在基板1上的硬涂劑照射紫外線使其固化而形成的，所以幾乎沒有因紫外線照射而引起的水分減少。因此，硬涂層1H以和使用的硬涂劑大致相同的水分含有率含有水分。
第1電介質(zhì)膜2的成膜率是實際成膜的第1電介質(zhì)膜2的膜厚相對于期望的膜厚(設(shè)計值)即80nm的比率。即如果第1電介質(zhì)膜2以80nm的膜厚成膜，則成膜率是100％。
表1

從表1和圖2可知，如果硬涂劑的水分含有率在0.05重量％以下，則第1電介質(zhì)膜2的成膜率在96％以上，所以能夠?qū)⑾鄬τ谏鲜鲈O(shè)計值的誤差抑制在±5％的范圍內(nèi)。如果水分含有率在0.07重量％以上，則第1電介質(zhì)膜2的成膜率在89％以下，相對于設(shè)計值的誤差變大。
因此，如果將硬涂劑的水分含有率抑制在0.05重量％以下，則在一面上形成了硬涂層1H的基板1的另一面上成膜的第1電介質(zhì)膜2能夠得到相對于期望膜厚在±5％的誤差范圍的膜厚，所以能夠使反射率、調(diào)制度和數(shù)據(jù)覆蓋特性等良好。
接著，在本實施方式的硬涂劑中添加離子性液體作為防靜電劑，評價硬涂層1H的防靜電效果。離子性液體的定義如上所述。防靜電效果是通過評價硬涂層1H表面的電阻值R1和擦拭表面后的硬涂層1H表面的電阻值R2來判斷。如果電阻值(R1，R2)都一般在1×1014Ω以下，則可以獲得防靜電效果。
在實施例1～實施例4以及比較例1中，采用使添加到硬涂劑中的防靜電劑的種類變化而在基板1的一面上形成了硬涂層1H的光記錄介質(zhì)D，研究各個硬涂層1H的表面的電阻值R1和擦拭表面后的電阻值R2。硬涂層1H的表面的擦拭使用以50比50的比例混合水和乙醇后的混合液進行10次。
接著，在溫度為80℃、濕度為85％的高溫多濕環(huán)境下(以下，記為80℃85％環(huán)境)將分別形成的光記錄介質(zhì)D保存96小時，觀察光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1。也觀察在80℃85％環(huán)境下保存1000小時后的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A2。
(實施例1)充分混合97重量％的硬涂劑、和作為防靜電劑的3重量％的離子性液體即N，N-二乙基N-甲基(2甲氧基乙基)銨雙(三氟甲磺酰)亞胺(以下稱為導(dǎo)電劑1)，制作含有3重量％的離子性液體的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.02重量％，添加離子性液體沒有增加水分含有率。
另外，在本實施方式中，硬涂劑和導(dǎo)電劑的比例(重量％)表示的是相對于防靜電性硬涂劑整體的重量的各自的含有率。而且，本實施方式的硬涂層1H是用紫外線照射如上所述涂布在基板1上的防靜電性硬涂劑使其固化而形成的，所以基本不存在因紫外線照射引起的水分減少。因此硬涂層1H以和使用的防靜電性硬涂劑大致相同的水分含有率含有水分，硬涂劑和導(dǎo)電劑的含有率也大致相同。
使用了防靜電性硬涂劑的硬涂層1H的表面的電阻值R1為6.5×1010Ω，使用上述混合液擦拭表面10次后的電阻值R2為6.8×1010Ω。R1、R2中任何一個的電阻值都在1×1014Ω以下，可以獲得防靜電效果。
而且，觀察在80℃85％環(huán)境下保存了96小時的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、以及在80℃85％環(huán)境下保存了1000小時的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A2，沒有特別的變化。
在表2中示出上述結(jié)果。而且，對于以下說明的實施例2～實施例9和比較例1～比較例4的結(jié)果，同樣也在表2中示出。
表2

(實施例2)制作含有97重量％的硬涂劑和3重量％的離子性液體的三辛基甲基銨雙(三氟甲磺酰)亞胺(以下稱為導(dǎo)電劑2)的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.02重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2都在1×1014Ω以下，獲得了防靜電效果。
而且，觀察80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2，沒有特別的變化。
(實施例3)
制作含有97重量％的硬涂劑和3重量％的離子性液體的1-乙基-3-甲基咪唑四氟甲磺酸鹽(以下稱為導(dǎo)電劑3)的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.02重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2都在1×1014Ω以下，獲得了防靜電效果。
而且，觀察80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2，沒有特別的變化。
(實施例4)制作含有97重量％的硬涂劑和3重量％的離子性液體的三辛基甲基銨四氟硼酸鹽(以下稱為導(dǎo)電劑4)的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.02重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2都在1×1014Ω以下，獲得了防靜電效果。
而且，觀察80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2，沒有特別的變化。
(比較例1)在97重量％的硬涂劑中添加3重量％的季銨鹽即N，N-二甲基氨基丙基丙烯酰胺(以下稱為導(dǎo)電劑5)并充分混合，制作含有3重量％的4級銨鹽的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.15重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1盡管比1×1014Ω小，但擦拭后的電阻值R2比1×1014Ω大，不能獲得防靜電效果。
而且，觀察了80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2。圖3所示的外觀變化A1、圖4所示的外觀變化A2都觀察到了大的斑點狀析出物(bleed)。
由表2比較添加了3重量％的實施例1～4和比較例1中使用的導(dǎo)電劑1～5的各防靜電性硬涂劑可知，添加了3重量％的導(dǎo)電劑1～4的各防靜電性硬涂劑可以得到足以表現(xiàn)防靜電效果的表面電阻值R1。其中，如果使用添加了導(dǎo)電劑2的硬涂劑來形成硬涂層1H，則可以得到最小的硬涂層1H表面的電阻值R1和擦拭后的電阻值R2。
接著在實施例5～9以及比較例2～4中，使用電阻值R1和擦拭后的電阻值R2最小的導(dǎo)電劑2，使添加到硬涂劑中的防靜電劑(導(dǎo)電劑2)的添加量變化以制作防靜電性硬涂劑。使用各防靜電性硬涂劑在基板1的一面上形成硬涂層1H，在另一面上于上述條件下形成信息層、保護膜6、粘接膜7和基板8后得到光記錄介質(zhì)D，使用該光記錄介質(zhì)D。
對于各防靜電性硬涂劑以和上述相同的方法研究電阻值R1和擦拭后的電阻值R2，觀察外觀變化A1和外觀變化A2。在表2中示出結(jié)果。
另外，在本實施方式中，如果使用添加了3重量％的導(dǎo)電劑1～4的防靜電性硬涂劑在基板1上形成硬涂層1H，則可以得到足以表現(xiàn)防靜電效果的表面電阻值R1，由此可知，導(dǎo)電劑1～4作為硬涂層用防靜電劑是有效的。
(實施例5)在98重量％的硬涂劑中添加2重量％的導(dǎo)電劑2并充分混合，制作含有2重量％的離子性液體的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.02重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2都在1×1014Ω以下，獲得了防靜電效果。
而且，觀察80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2，沒有特別的變化。
(實施例6)
在99重量％的硬涂劑中添加1重量％的導(dǎo)電劑2并充分混合，制作含有1重量％的離子性液體的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.02重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2都在1×1014Ω以下，獲得了防靜電效果。
而且，觀察80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2，沒有特別的變化。
(實施例7)在99.5重量％的硬涂劑中添加0.5重量％的導(dǎo)電劑2并充分混合，制作含有0.5重量％的離子性液體的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.02重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2都在1×1014Ω以下，獲得了防靜電效果。
而且，觀察80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2，沒有特別的變化。
(實施例8)在96重量％的硬涂劑中添加4重量％的導(dǎo)電劑2并充分混合，制作含有4重量％的離子性液體的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.02重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2都在1×1014Ω以下，獲得了防靜電效果。
而且，觀察80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2，沒有特別的變化。
(實施例9)
在94重量％的硬涂劑中添加6重量％的導(dǎo)電劑2并充分混合，制作含有6重量％的離子性液體的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.02重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2都在1×1014Ω以下，獲得了防靜電效果。
而且，觀察80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2。如圖5所示，外觀變化A1沒有特別的變化，但外觀變化A2如圖6所示，觀察到了小的斑點狀的析出物(bleed)。
(比較例2)在92重量％的硬涂劑中添加8重量％的導(dǎo)電劑2并充分混合，制作含有8重量％的離子性液體的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.02重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2都在1×1014Ω以下，獲得了防靜電效果。
而且，觀察80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2。如圖7所示，外觀變化A1觀察到了大的斑點狀的析出物(bleed)，如圖8所示，外觀變化A2觀察到了同樣大小的析出物。
(比較例3)不添加防靜電劑，僅僅由硬涂劑形成硬涂層1H。硬涂劑的水分含有率為0.02重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2都比1×1014Ω大，不能獲得防靜電效果。
而且，觀察80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2，沒有特別的變化。
(比較例4)在99.75重量％的硬涂劑中添加0.25重量％的導(dǎo)電劑2并充分混合，制作含有0.25重量％的離子性液體的防靜電性硬涂劑，形成硬涂層1H。調(diào)制的防靜電性硬涂劑的水分含有率為0.02重量％。
硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2都比1×1014Ω大，不能獲得防靜電效果。
而且，觀察80℃85％環(huán)境下的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1、外觀變化A2，沒有特別的變化。
基于從以上的實施例1～9以及比較例1～4求出的結(jié)果，在圖9中示出相對于各防靜電性硬涂劑中含有的導(dǎo)電劑的含有率的硬涂層1H表面的電阻值R1。
從圖9可知，如果離子性液體即導(dǎo)電劑2的含有率比0.5重量％小，則電阻值R1比1×1014Ω大。因此如果象比較例3和4那樣，防靜電性硬涂劑中含有的導(dǎo)電劑2的含有率低于0.5重量％，則硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2比1×1014Ω大，不能期待防止帶電的效果。
另外，從圖9可知，如果導(dǎo)電劑2的含有率在0.5重量％以上，則硬涂層1H的表面的電阻值R1、R2小于1×1014Ω，可以獲得防靜電效果。
但是，如果象比較例2那樣，導(dǎo)電劑2的含有率變大為8重量％，則將光記錄介質(zhì)D保存在80℃85％環(huán)境下時可以觀察到外觀變化。在比較例2中，如圖8所示，在80℃85％環(huán)境下保存1000小時的場合(外觀變化A2)觀察到了大的斑點狀析出物(bleed)。如果產(chǎn)生析出物，則成為錯誤率增加和跟蹤偏離的原因，記錄和再生變得困難。
而且，在使用導(dǎo)電劑的含有率為6重量％的防靜電性硬涂劑的實施例9中，如圖6所示，盡管在外觀變化A2中觀察到了小的斑點狀析出物，但對記錄再生的影響極小。
另外，如果象比較例1那樣，使用含有以前作為導(dǎo)電劑使用的季銨鹽的防靜電性硬涂劑，則因為季銨鹽的吸濕性比離子性液體強，所以防靜電性硬涂劑的水分含有率成為0.15重量％，大大地超出了0.05重量％。而且，如表2所示，第1電介質(zhì)膜2的成膜率是78.8％，相對于期望膜厚(80nm)不在±5％的誤差范圍內(nèi)。在比較例1中，如圖3、4所示，在80℃85％環(huán)境下保存了96小時時的外觀變化A1中和保存了1000小時時的外觀變化A2中都觀察到了大的斑點狀析出物(bleed)。
由以上內(nèi)容可知，如果在本實施方式的防靜電性硬涂劑中，如果相對于防靜電性硬涂劑的整體重量以0.5重量％～6重量％的含有率含有作為防靜電劑(導(dǎo)電劑)的離子性液體，則硬涂層1H的表面的電阻值R1和擦拭表面后的硬涂層1H的表面的電阻值R2為1×1014Ω以下，可以獲得防靜電效果。而且，在80℃85％環(huán)境下保存了96小時的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A1以及在80℃85％環(huán)境下保存了1000小時的光記錄介質(zhì)D的外觀變化A2都不會觀察到斑點狀的析出物。
本實施方式的光記錄介質(zhì)D是將相變化材料用于記錄膜3的改寫型光記錄介質(zhì)，但光記錄介質(zhì)D的形態(tài)并不局限于此，還可以將本實施方式的硬涂劑適用于具有使用色素材料形成的追加記錄型記錄膜的光記錄介質(zhì)、和具有再生專用記錄膜的光記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.利用光來記錄或者再生信息的光記錄介質(zhì)，其特征在于該光記錄介質(zhì)具有基板；在所述基板的一面上形成的硬涂層；在所述基板的另一面上形成且至少由電介質(zhì)膜、記錄膜和反射膜構(gòu)成的信息層，所述硬涂層是使防靜電性硬涂劑固化而成的，其中所述防靜電性硬涂劑包含硬涂劑和作為離子性液體的防靜電劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于所述硬涂劑的水分含有率為0.05重量％以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于該光記錄介質(zhì)以相對于所述防靜電性硬涂劑為0.5重量％～6重量％的含有率含有所述防靜電劑。
全文摘要
提供一種即使使用在一面上形成了硬涂層的基板，在基板的另一面上繼續(xù)形成的各膜的成膜率也不會下降，并具有高生產(chǎn)率、耐擦傷性以及防靜電性的光記錄介質(zhì)。光記錄介質(zhì)(D)具有在一面上形成了硬涂層(1H)的基板(1)。在基板(1)的另一面上形成了至少由第1電介質(zhì)膜(2)、記錄膜(3)和反射膜(5)構(gòu)成的信息層。硬涂層(1H)是使包含硬涂劑和作為離子性液體的防靜電劑的防靜電性硬涂劑固化而形成的。
文檔編號G11B7/254GK101064141SQ20071010183
公開日2007年10月31日 申請日期2007年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月25日
發(fā)明者平間信 申請人:日本勝利株式會社