專利名稱：磁極,具有該磁極的磁寫頭,及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁數(shù)據(jù)記錄，尤其涉及制造垂直磁寫頭中非常窄道寬的寫極的方法。
背景技術(shù)：
計算機長期存儲器的核心是稱為磁盤驅(qū)動器的組件。磁盤驅(qū)動器包括旋轉(zhuǎn)磁盤、被與旋轉(zhuǎn)磁盤的表面相鄰的懸臂懸吊的寫和讀頭、以及轉(zhuǎn)動懸臂從而將讀和寫頭置于旋轉(zhuǎn)盤上選定環(huán)形磁道(track)之上的致動器。讀和寫頭直接位于具有氣墊面(ABS)的滑塊上。懸臂偏置滑塊朝向盤的表面，當(dāng)盤旋轉(zhuǎn)時，鄰近盤的空氣與盤表面一起移動?；瑝K在該移動空氣的墊上飛行于盤表面之上。當(dāng)滑塊騎在氣墊上時，采用寫和讀頭來寫磁轉(zhuǎn)變到旋轉(zhuǎn)盤且從旋轉(zhuǎn)盤讀取磁轉(zhuǎn)變。讀和寫頭連接到根據(jù)計算機程序運行的處理電路以實現(xiàn)寫和讀功能。
寫頭傳統(tǒng)上包括嵌在一個或更多絕緣層(絕緣堆疊)中的線圈層，絕緣堆疊夾在第一和第二極片層(pole piece layer)之間。在寫頭的氣墊面(ABS)處間隙(gap)通過間隙層形成在第一和第二極片層之間，極片層在背間隙(back gap)處連接。傳導(dǎo)到線圈層的電流在極片中感應(yīng)磁通，其導(dǎo)致磁場在ABS處在寫間隙彌散出來，用于在移動介質(zhì)上磁道中寫上述磁轉(zhuǎn)變，例如在上述旋轉(zhuǎn)盤上環(huán)形磁道中。
在近來的讀頭設(shè)計中，自旋閥傳感器，也稱為巨磁致電阻(GMR)傳感器，已經(jīng)被用于檢測來自旋轉(zhuǎn)磁盤的磁場。該傳感器包括下文中稱為間隔層(spacer layer)的非磁導(dǎo)電層，其夾在下文中稱為被釘扎層和自由層的第一和第二鐵磁層之間。第一和第二引線(lead)連接到自旋閥傳感器以傳導(dǎo)通過那里的檢測電流。被釘扎層的磁化被釘扎為垂直于氣墊面(ABS)，自由層的磁矩位于平行于ABS但可以響應(yīng)于外磁場而自由旋轉(zhuǎn)。被釘扎層的磁化通常通過與反鐵磁層的交換耦合來被釘扎。
間隔層的厚度被選擇為小于通過傳感器的傳導(dǎo)電子的平均自由程。采用此設(shè)置，部分傳導(dǎo)電子被間隔層與被釘扎層和自由層每個的界面所散射。當(dāng)被釘扎層和自由層的磁化相對于彼此平行時，散射最小，當(dāng)被釘扎層和自由層的磁化反平行時，散射最大。散射的變化與cosθ成比例地改變自旋閥傳感器的電阻，其中θ是被釘扎層與自由層的磁化之間的角度。在讀模式中，自旋閥傳感器的電阻與來自旋轉(zhuǎn)盤的磁場的大小成比例地改變。當(dāng)檢測電流傳導(dǎo)通過自旋閥傳感器時，電阻變化導(dǎo)致電勢變化，其被檢測到并作為重放信號(playback signal)處理。
自旋閥傳感器位于第一和第二非磁的電絕緣讀間隙層之間，第一和第二讀間隙層位于鐵磁性的第一和第二屏蔽層之間。在合并式(merged)磁頭中，單個鐵磁層作為讀頭的第二屏蔽層且作為寫頭的第一極片層。在背負(fù)式(piggyback)頭中，第二屏蔽層和第一極片層是分開的層。
為了滿足日益增長的對改善的數(shù)據(jù)速率和數(shù)據(jù)容量的需求，研究者近來已經(jīng)將它們的努力集中到垂直記錄系統(tǒng)的開發(fā)。垂直磁寫頭包括磁寫極和返回極，寫極和返回極在離開寫間隙的位置磁連接。來自寫極的寫場沿基本垂直于磁介質(zhì)的方向?qū)⒋盼粚懙酱沤橘|(zhì)上。由于寫極的寬度決定寫到磁介質(zhì)的信號的道寬(track width)，所以希望盡可能地縮小該寫極寬度。然而，寫極可以減小的量已經(jīng)受到當(dāng)前制造工藝的限制。寫極這樣來構(gòu)造以全膜沉積磁寫極材料；在該寫極材料之上形成硬掩模；然后進行離子研磨從而去除寫極的未被硬掩模覆蓋的部分。
該減法(subtractive)制造工藝對于最小化可以制造的寫極道寬具有限制。因此，需要一種方法，其能夠制造具有所需的狹窄道寬的磁寫極。這樣的方法將還將優(yōu)選地能夠嚴(yán)格控制臨界尺寸(critical dimension)，并能夠制造具有所需的梯形形狀的寫極，該梯形形狀具有良好控制的側(cè)壁角度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于制造垂直磁寫頭中的磁寫極的方法。該方法允許寫極以非常窄的道寬和良好控制的臨界尺寸來構(gòu)建。籽層沉積在襯底之上，然后沉積光致抗蝕劑層。光致抗蝕劑然后被光刻地曝光和顯影從而在光致抗蝕劑層中形成開口。然后磁材料可以通過電鍍沉積到該開口中從而形成寫極。
寫極形成之后，光致抗蝕劑層可以去除并且可以進行離子研磨從而去除籽層的未被寫極覆蓋的部分。
為了進一步減小寫極的寬度，沉積磁材料之前可以沉積化學(xué)收縮材料(chemical shrink material)到光致抗蝕劑層中的開口中?；瘜W(xué)收縮材料和光致抗蝕劑可被烘焙從而使化學(xué)收縮材料的一部分結(jié)合到光致抗蝕劑材料。這窄化了開口，與僅光刻構(gòu)圖光致抗蝕劑層能夠構(gòu)建的極相比，允許構(gòu)建更窄的極。
進一步減小寫極道寬的另一方法是在光致抗蝕劑掩模中的開口中的磁材料之上沉積非磁硬掩模。然后可去除光致抗蝕劑掩模，并且可以進行離子研磨或反應(yīng)離子研磨從而從寫極側(cè)部去除材料，寫極頂部(或前邊緣)由硬掩模保護。
與以前的方法能夠構(gòu)建的寫極相比，本發(fā)明有利地允許以更窄的道寬構(gòu)建寫極。另外，臨界尺寸例如道寬、前邊緣寬度、前邊緣與尾邊緣之間的距離、以及側(cè)壁角度可以精細(xì)地控制。
本發(fā)明的這些和其它特征和優(yōu)點將通過閱讀結(jié)合附圖的優(yōu)選實施例的詳細(xì)說明而明顯，附圖中相似的附圖標(biāo)記始終表示相似的元件。


為了充分理解本發(fā)明的本質(zhì)和優(yōu)點以及應(yīng)用的優(yōu)選方式，應(yīng)當(dāng)參照下面結(jié)合附圖閱讀的詳細(xì)說明，附圖不是按比例的。附圖中圖1是其中可實施本發(fā)明的盤驅(qū)動系統(tǒng)的示意圖；圖2是從圖1的線2-2截取的滑塊的ABS視圖，示出了其上磁頭的位置；圖3是磁頭的從圖2的線3-3截取，放大，并逆時針轉(zhuǎn)動90度的橫截面圖，示出了結(jié)合進垂直磁寫頭中的本發(fā)明的實施例；圖4是圖3的磁寫頭的ABS視圖；圖5-8是部分磁寫頭在各中間制造階段中的ABS視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例制造磁寫極的方法；圖9-11是ABS視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的供選實施例制造磁寫極的方法；圖12-13是ABS視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例制造磁寫極的方法。
具體實施例方式
下面的說明是目前想到的實施本發(fā)明的優(yōu)選方式。進行該說明是用于說明本發(fā)明的一般原理的目的，而不是意圖限制這里要求保護的發(fā)明性構(gòu)思。
現(xiàn)在參照圖1，示出了實施本發(fā)明的盤驅(qū)動器100。如圖1所示，至少一個可旋轉(zhuǎn)的磁盤112支承在主軸(spindle)114上且通過盤驅(qū)動器馬達(dá)118旋轉(zhuǎn)。每個盤上的磁記錄是該磁盤112上的同心數(shù)據(jù)道(未示出)的環(huán)形圖案形式。
至少一個滑塊113位于磁盤112附近，每個滑塊113支持一個或更多磁頭組件121。當(dāng)磁盤旋轉(zhuǎn)時，滑塊113在磁盤表面122之上徑向進出移動，從而磁頭組件121可以存取寫有所需數(shù)據(jù)的磁盤的不同道。每個滑塊113借助懸臂115連到致動器臂119。懸臂115提供輕微的彈力，該彈力偏置滑塊113倚著盤表面122。每個致動器臂119連到致動器裝置127。如圖1所示的致動器裝置127可以是音圈馬達(dá)(VCM)。VCM包括在固定磁場中可移動的線圈，該線圈移動的方向和速度通過控制器129提供的馬達(dá)電流信號所控制。
盤存儲系統(tǒng)運行期間，磁盤112的旋轉(zhuǎn)在滑塊113和盤表面122之間產(chǎn)生對滑塊施加向上的力或舉力的氣墊(air bearing)。于是在正常運行期間該氣墊平衡懸臂115的輕微的彈力，并且支持滑塊113離開盤表面并且以小的基本恒定的距離稍微位于盤表面之上。
盤存儲系統(tǒng)的各種組元在運行中由控制單元129產(chǎn)生的控制信號來控制，例如存取控制信號和內(nèi)部時鐘信號。通常，控制單元129包括邏輯控制電路、存儲裝置和微處理器。控制單元129產(chǎn)生控制信號從而控制各種系統(tǒng)操作，例如線123上的驅(qū)動馬達(dá)控制信號以及線128上的頭定位和尋道控制信號。線128上的控制信號提供所需的電流分布(current profile)，從而優(yōu)化地移動并定位滑塊113到盤112上的所需數(shù)據(jù)道。寫和讀信號借助記錄通道125傳達(dá)到和讀出自寫和讀頭121。
參照圖2，滑塊113中磁頭121的取向可以更詳細(xì)地被觀察。圖2是滑塊113的ABS視圖，可以看出包括感應(yīng)寫頭和讀傳感器的磁頭位于滑塊的尾緣(trailing edge)。常見磁盤存儲系統(tǒng)的上述說明以及圖1的圖示僅是示例性的。應(yīng)顯然地，盤存儲系統(tǒng)可包括多個盤和致動器，每個致動器可支持多個滑塊。
現(xiàn)在參照圖3，示出用于在垂直磁記錄系統(tǒng)中使用的磁頭121。頭121包括寫元件302和讀元件304，讀元件304包括磁致電阻讀傳感器305。傳感器305可以是例如面內(nèi)電流巨磁致電阻傳感器(CIP GMR)、電流垂直平面巨磁致電阻傳感器(CPP GMR)、或隧道結(jié)傳感器(TMR)。傳感器305位于第一和第二磁屏蔽件306、308之間且嵌在電介質(zhì)材料307中。可以由例如CoFe、NiFe或鐵硅鋁合金(sendust)構(gòu)成的磁屏蔽件吸收磁場，例如來自上道(up-track)或下道(down-track)數(shù)據(jù)信號的磁場，確保讀傳感器305僅檢測位于屏蔽件306、308之間的所需數(shù)據(jù)道。非磁電絕緣間隙層309可設(shè)置在屏蔽件308和寫頭302之間。如果傳感器305是CIP GMR傳感器，則該傳感器將從屏蔽件306、308絕緣，如圖3所示。然而，如果傳感器305是CPP GMR傳感器或TMR傳感器，則，傳感器305的頂和底部可接觸屏蔽件306、308從而屏蔽件可用作向傳感器305提供檢測電流的導(dǎo)電引線。
繼續(xù)參照圖3，寫元件302包括寫極310，其與磁成形層312磁連接且嵌入在絕緣材料311中。寫極310在氣墊面具有小橫截面且由磁材料構(gòu)成。寫頭302還包括返回極314，其由諸如NiFe或CoFe的磁材料構(gòu)成且具有比寫極310顯著更大的平行于ABS面的橫截面，這參照圖4可以看出。返回極314通過背間隙部分316與成形層312和寫極310磁連接，如圖3所示。返回極314和背間隙316可由例如NiFe、CoFe或某些其他磁材料構(gòu)成。
如圖3中的橫截面所示，導(dǎo)電寫線圈317在成形層312和返回極314之間穿過寫元件302。寫線圈317由非磁電絕緣材料例如硬烘焙光致抗蝕劑或氧化鋁(線圈絕緣層319)包圍。絕緣層319可由單絕緣材料構(gòu)成或者可以是相同或不同材料的數(shù)層。由例如氧化鋁構(gòu)成的硬的電絕緣保護層322可設(shè)置在頭121頂上以保護頭免于腐蝕、磨損等的損傷。
當(dāng)電流經(jīng)過線圈317時，所得磁場導(dǎo)致磁通流過返回極314、背間隙316、成形層312和寫極310。該磁通導(dǎo)致寫場朝向相鄰磁介質(zhì)(未示出)發(fā)射。從寫極310發(fā)射的磁場磁化磁介質(zhì)上的較高矯頑力的、薄的頂磁層。該磁場經(jīng)磁介質(zhì)的軟磁襯層行進到返回極314，在那里它充分展開從而不擦除寫極310寫入的信號。
參考圖4，寫極310具有第一和第二側(cè)面402和404、前邊緣406和尾邊緣408。前邊緣406和尾邊緣408每個從第一側(cè)面402延伸到第二層面404。寫極310優(yōu)選地構(gòu)造為具有梯形或楔形(tapered)形狀，使得側(cè)面402、404之間的距離在尾邊緣408處比在前邊緣406處大。側(cè)面402、404相對于水平、或相對于襯底的其上形成寫極310的表面(即絕緣層319)優(yōu)選地形成約80至82度的角。寫極的最窄部分(前邊緣406)優(yōu)選地具有約100nm或更小的寬度。寫極310在其尾邊緣408具有定義傳感器道寬的寬度TW。道寬TW可以是90-180nm或優(yōu)選地160nm或更小。從前邊緣406至尾邊緣408的距離可以為約200nm。寫極310可以由幾種磁材料構(gòu)成，但優(yōu)選地由磁層的疊層例如由薄的非磁層如Cu或Ru分隔開的CoFe構(gòu)成。也可以使用其它材料。
現(xiàn)在參考圖5-8，描述制造這樣的寫頭310的方法。具體參照圖5，提供襯底502。襯底可以包括絕緣層319及成形層312(圖3)，兩者已被平坦化(例如通過化學(xué)機械拋光)從而形成光滑的共面表面。例如通過濺射沉積來沉積導(dǎo)電籽層504例如Rh?？刮g劑層506然后沉積在籽層504上?？刮g劑506優(yōu)選地是通過旋涂施加的定角光致抗蝕劑(fixed angle photo resist)。
然后，參照圖6，抗蝕劑層506被光刻曝光和顯影從而構(gòu)圖具有傾斜側(cè)壁604的開口602?？刮g劑506優(yōu)選為深紫外(DUV)敏感抗蝕劑，用來可靠地形成側(cè)壁604，側(cè)壁604定義相對于水平即相對于襯底502的表面、和/或籽層504的78-82度的角。
現(xiàn)在參照圖7，磁材料可以利用籽層504作為電鍍籽層通過電鍍沉積，從而形成寫極310。寫極310可以通過交替地沉積磁材料例如CoFe的層和非磁材料例如Ru或Cu的層來形成。然后，參照圖8，可以例如通過化學(xué)頂離(lift-off)工藝去除(剝離)抗蝕劑層506。然后可以進行材料去除工藝802例如離子研磨從而去除籽層504的未被寫極310保護的部分。
現(xiàn)在參照圖9-11，描述用于構(gòu)建極310的供選方法。具體參照圖9，如前參照圖6所述地構(gòu)圖和顯影抗蝕劑層506。然后，沉積化學(xué)收縮材料(chemical shrink material)902。化學(xué)收縮材料902可以通過旋涂設(shè)備施加并且被烘焙。從圖10可見，烘焙工藝使收縮材料與原始光致抗蝕劑506中殘留的酸交聯(lián)，生長表皮(skin)1002。如果需要構(gòu)圖的抗蝕劑可以被毯式(blanket)曝光以產(chǎn)生更多的酸從而引起收縮材料902和抗蝕劑506之間的更多交聯(lián)(cross link)?？梢允褂盟磥砣コ磁c抗蝕劑506結(jié)合的剩余的(未交聯(lián)的)收縮材料902，留下表皮1002。這導(dǎo)致較窄的開口。然后，參照圖11，磁寫極材料可以通過電鍍沉積從而形成寫極310。如上所述，收縮材料的交聯(lián)的表皮1002導(dǎo)致較窄的開口，由此得到較窄的鍍的寫極310。寫極310形成之后，抗蝕劑506和收縮材料表皮1002可以通過化學(xué)頂離去除并可以如圖8所述地進行離子研磨從而去除籽層。
可以使用至少兩類收縮材料902和相關(guān)工藝。例如，收縮材料可以是如上所述的與下面的抗蝕劑506的表面反應(yīng)的聚合物。曝光抗蝕劑產(chǎn)生酸并引起聚合物收縮材料902與該酸反應(yīng)從而根據(jù)工藝結(jié)合到抗蝕劑上至所需厚度。這可以特征化為聚合物生長(Polymer Growth)。
另一類型的收縮材料902使用更多機械工藝。在該情況中，涂覆的收縮材料在被烘焙時硬化并產(chǎn)生抗蝕劑圖案的陰像(negative image)。該頂部涂覆(烘焙的收縮材料902)在晶片的平面中比在垂直(法線)方向收縮得更快。隨著它繼續(xù)變熱，抗蝕劑熔化并回流?；亓鞯目刮g劑506在晶片的平面中擴展(即在水平或x/y維度)從而減輕烘焙的收縮材料902誘發(fā)的應(yīng)力。該機制可以稱為受控抗蝕劑回流(Controlled Resist Reflow)。
現(xiàn)在參照圖12和13，另一方法可以用于制造具有非常窄的道寬和良好控制的臨界尺寸的寫極。具體參照圖12，光致抗蝕劑框架(frame)506如前面圖6所述地形成。然后可以電鍍磁寫極材料從而形成寫極310。然后可以優(yōu)選地也通過電鍍在寫極310之上沉積硬掩模層1202。用于硬掩模1202的合適材料是非磁材料，該非磁材料耐離子研磨并可以通過電鍍沉積。硬掩模1202因而可以由例如Rh、Ir或某些其它金屬構(gòu)成。
參照圖13，例如通過化學(xué)頂離去除光致抗蝕劑框架506。進行離子研磨1302以去除寫極310的側(cè)部，寫極310的頂部(尾邊緣)由硬掩模1202保護。離子研磨1302還去除籽層504的未被寫極310覆蓋的部分。如果硬掩模不存在，則離子研磨1302將減小寫極310的厚度(即圖13所示的高度)，并還將引起不期望的寫極310的頂部或前邊緣的圓化。盡管離子研磨1302會導(dǎo)致硬掩模1202的圓化或消耗，但因為硬掩模層1202是非磁的，所以硬掩模1202的消耗和圓化將不會影響寫頭310的性能。
離子研磨1302有利地從寫極310的側(cè)部去除了材料，窄化了寫極的道寬。各種離子研磨工藝可以用來優(yōu)化道寬減小。例如，離子研磨1302可以是成角度的離子研磨(即不垂直于襯底表面)或掃描(sweeping)離子研磨。也可以使用反應(yīng)離子研磨。離子研磨1302完成之后，例如氧化鋁的絕緣層(圖3未示出)可以沉積從而保護寫極310。
雖然上面已經(jīng)描述了各種實施例，但是應(yīng)理解，他們僅以示例的方式給出，而不是用于限制。落入本發(fā)明范圍內(nèi)的其他實施例也會對本領(lǐng)域技術(shù)人員變得顯然。因此，本發(fā)明的廣度和范圍不應(yīng)局限于任何上述示例性實施例，而是應(yīng)僅根據(jù)所附權(quán)利要求及其等價物來定義。
權(quán)利要求
1.一種制造垂直磁寫頭的磁極的方法，該方法包括提供襯底；在所述襯底上沉積導(dǎo)電籽層；在所述籽層上沉積光致抗蝕劑材料層；光刻地曝光和顯影所述光致抗蝕劑材料從而在所述光致抗蝕劑材料中形成開口；以及電鍍磁材料到所述光致抗蝕劑材料中的開口中從而形成寫極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，在電鍍磁材料到所述光致抗蝕劑材料中的開口中之后，還包括去除所述光致抗蝕劑材料；及去除所述籽層的未被所述寫極覆蓋的部分。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，在電鍍磁材料到所述光致抗蝕劑材料中的開口中之后，還包括去除所述光致抗蝕劑材料；及進行離子研磨從而去除所述導(dǎo)電籽層的未被所述寫極保護的部分。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光致抗蝕劑層是定角光致抗蝕劑。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電籽層是非磁材料。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電籽層包括Rh。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光致抗蝕劑是定角光致抗蝕劑，且所述光刻地曝光和顯影在所述光致抗蝕劑材料中產(chǎn)生開口或槽，所述開口或槽具有相對于所述襯底定義78-82度角的側(cè)壁。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電鍍磁材料包括電鍍磁和非磁材料的交替層。
9.一種制造用于垂直磁數(shù)據(jù)記錄的磁寫頭的方法，該方法包括提供襯底；在所述襯底上沉積導(dǎo)電籽層；沉積光致抗蝕劑材料；光刻地曝光和顯影所述光致抗蝕劑材料從而在所述光致抗蝕劑材料中形成開口；沉積化學(xué)收縮材料；烘焙所述光致抗蝕劑材料從而使所述收縮材料的部分與所述光致抗蝕劑材料結(jié)合；去除所述化學(xué)收縮材料的未結(jié)合部分并留下所述化學(xué)收縮材料的已經(jīng)結(jié)合到所述光致抗蝕劑材料的部分；及電鍍磁材料到所述光致抗蝕劑材料中的開口中從而形成寫極。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，在電鍍磁材料到所述光致抗蝕劑材料中的開口中之后，還包括去除所述光致抗蝕劑材料和化學(xué)收縮材料；及進行離子研磨從而去除所述籽層的未被所述寫極覆蓋的部分。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中去除所述化學(xué)收縮材料的未結(jié)合部分包括在水中漂洗。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括毯式曝光所述光致抗蝕劑從而產(chǎn)生酸以用于增加所述化學(xué)收縮材料與光致抗蝕劑之間的結(jié)合。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述光致抗蝕劑是定角光致抗蝕劑，且其中所述曝光和顯影在所述光致抗蝕劑中產(chǎn)生開口，所述開口具有相對于所述襯底定義78-82度角的側(cè)壁。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述導(dǎo)電籽層是非磁的。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述導(dǎo)電籽層包括Rh。
16.一種制造用于垂直磁記錄的磁寫頭的方法，該方法包括提供襯底；在所述襯底上沉積導(dǎo)電籽層；在所述導(dǎo)電籽層上沉積光致抗蝕劑材料；光刻地曝光和顯影所述光致抗蝕劑層從而在所述光致抗蝕劑層中形成開口；電鍍磁材料到所述光致抗蝕劑層中的開口中從而形成寫極；在所述寫極上沉積非磁硬掩模；去除所述光致抗蝕劑；及進行離子研磨來去除所述寫極的側(cè)部分從而減小所述寫極的寬度。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述離子研磨還去除所述導(dǎo)電籽層的未被所述寫極保護的部分。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述離子研磨相對于所述襯底以一角度執(zhí)行。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述離子研磨是掃描離子研磨。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述離子研磨是反應(yīng)離子研磨。
21.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述硬掩模包括Rh。
22.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述硬掩模包括Ir。
23.一種用于垂直磁記錄的磁寫頭，所述寫頭包括磁寫極，具有暴露于氣墊面ABS的極尖；第一和第二橫向相對的側(cè)面，形成在所述寫極上并基本垂直于所述ABS取向；前邊緣，形成在所述寫極上，基本垂直于所述ABS取向并從所述第一側(cè)面延伸到所述第二側(cè)面；及尾邊緣，形成在所述寫極上，基本垂直于所述ABS取向并從所述第一側(cè)面延伸到所述第二側(cè)面，在所述前邊緣處所述第一和第二側(cè)面之間的距離小于在所述尾邊緣處所述第一和第二側(cè)面之間的距離，且其中在所述前邊緣處所述第一和第二側(cè)面之間的距離不大于100nm。
24.一種用于垂直磁記錄的磁寫頭，所述寫頭包括磁寫極，具有暴露于氣墊面ABS的極尖；第一和第二橫向相對的側(cè)面，形成在所述寫極上并基本垂直于所述ABS取向；前邊緣，形成在所述寫極上，基本垂直于所述ABS取向并從所述第一側(cè)面延伸到所述第二側(cè)面；及尾邊緣，形成在所述寫極上，基本垂直于所述ABS取向并從所述第一側(cè)面延伸到所述第二側(cè)面，在所述前邊緣處所述第一和第二側(cè)面之間的距離小于在所述尾邊緣處所述第一和第二側(cè)面之間的距離，且其中在所述尾邊緣處所述第一和第二側(cè)面之間的距離不大于160nm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造用于垂直磁記錄的具有寫極的磁寫頭的方法，所述寫極具有非常窄的道寬和良好控制的臨界尺寸。寫極通過以下工藝形成。在所述襯底上沉積導(dǎo)電籽層，然后在所述籽層上沉積光致抗蝕劑材料層。光刻地曝光和顯影該光致抗蝕劑層從而在所述光致抗蝕劑層中形成開口或槽，所述開口定義寫極圖案。然后電鍍磁材料到所述光致抗蝕劑層中的開口中。然后通過化學(xué)頂離去除光致抗蝕劑層，并通過離子研磨去除所述籽層的未被所述寫極覆蓋的部分。
文檔編號G11B5/187GK101064108SQ20071010186
公開日2007年10月31日 申請日期2007年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月25日
發(fā)明者哈密德·巴拉曼尼, 克里斯琴·R·邦霍特, 徐一民, 阿倫·紐豪斯, 阿倫·彭特克, 鄭義 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司