專利名稱：光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種僅再現(xiàn)信息存儲(chǔ)介質(zhì)、信息記錄/再現(xiàn)方法、和記錄/再現(xiàn)設(shè)備，更具體地講，涉及一種包用于在形成存儲(chǔ)介質(zhì)的區(qū)之中的兩個(gè)相鄰區(qū)之間過渡的過渡區(qū)的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)，一種將數(shù)據(jù)記錄到光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)/從光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
如光盤的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)被廣泛地用在用于以非接觸方式記錄/再現(xiàn)信息的光學(xué)拾取設(shè)備。根據(jù)光盤的信息存儲(chǔ)容量光盤被分為壓縮盤(CD)或數(shù)字多用途盤(DVD)。可記錄光盤的例子是650MB CD-R、CD-RW、4.7GBDVD+RW等。此外，具有20GB或更大記錄容量的HD-DVD正在研究中。
以上光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)彼此的兼容性增加用戶方便?？紤]用戶的經(jīng)濟(jì)效率和方便，存儲(chǔ)介質(zhì)對(duì)于不同類型具有不同標(biāo)準(zhǔn)。不具有確定的標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)介質(zhì)正在標(biāo)準(zhǔn)化。為了實(shí)現(xiàn)這種標(biāo)準(zhǔn)化，具有能夠保證與現(xiàn)存存儲(chǔ)介質(zhì)之間的兼容性和一致性的格式的存儲(chǔ)介質(zhì)被研發(fā)。
傳統(tǒng)僅再現(xiàn)光盤包括燒錄區(qū)(BCA)、導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)。BCA存儲(chǔ)關(guān)于光盤的序列號(hào)的信息，導(dǎo)入?yún)^(qū)存儲(chǔ)盤相關(guān)信息。這里，光盤的序列號(hào)被記錄為條碼。
BCA、導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)被連續(xù)排列，在相鄰區(qū)之間沒有過渡區(qū)。然而，當(dāng)BCA、導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)具有不同的凹坑圖樣時(shí)，由于過渡區(qū)的不存在，連續(xù)數(shù)據(jù)再現(xiàn)可能不被正確地執(zhí)行。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)，其包括多個(gè)區(qū)和位于兩個(gè)相鄰區(qū)之間以實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)數(shù)據(jù)再現(xiàn)的過渡區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種包括多個(gè)區(qū)和至少一個(gè)過渡區(qū)的僅再現(xiàn)光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)。每個(gè)過渡區(qū)位于兩個(gè)相鄰區(qū)之間。
數(shù)據(jù)可以以凹坑的形式被記錄在多個(gè)區(qū)和過渡區(qū)中。
過渡區(qū)的凹坑圖樣可與過渡區(qū)前面的區(qū)的凹坑圖樣或與過渡區(qū)后面的區(qū)的凹坑圖樣相同。
過渡區(qū)可為鏡面區(qū)。
過渡區(qū)的凹坑可以以直線圖樣或抖動(dòng)圖樣形成。
過渡區(qū)的凹坑的軌道間距可與相鄰區(qū)中的凹坑的軌道間距相同?；蛘?，過渡區(qū)中的凹坑的軌道間距和相鄰區(qū)中的凹坑的軌道間距可不同。形成在過渡區(qū)中的凹坑的軌道間距可逐漸從形成在在過渡區(qū)之前的區(qū)的凹坑的軌道間距增加或減小到形成在在過渡區(qū)后面的區(qū)的凹坑的軌道間距。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種僅再現(xiàn)光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)，包括燒錄區(qū)(BCA)；導(dǎo)入?yún)^(qū)；用戶數(shù)據(jù)區(qū)；導(dǎo)出區(qū)；和過渡區(qū)，位于BCA和導(dǎo)入?yún)^(qū)之間的區(qū)、導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的區(qū)、和用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之間的區(qū)中的至少一個(gè)中。BCA、導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)由凹坑形成。
第一過渡區(qū)可被包括在BCA和導(dǎo)入?yún)^(qū)之間，BCA、導(dǎo)入?yún)^(qū)和第一過渡區(qū)的每個(gè)可以以直線圖樣或抖動(dòng)圖樣中的一個(gè)由凹坑形成。
第二過渡區(qū)可被包括在導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間，導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和第二過渡區(qū)的每個(gè)可以以直線圖樣或抖動(dòng)圖樣由凹坑形成。
當(dāng)?shù)谝换虻诙^渡區(qū)的凹坑可以以抖動(dòng)圖樣被形成時(shí)，抖動(dòng)的幅度可逐漸減小或增加。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種僅再現(xiàn)光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)，包括燒錄區(qū)(BCA)；導(dǎo)入?yún)^(qū)；用戶數(shù)據(jù)區(qū)；導(dǎo)入?yún)^(qū)；和過渡區(qū)。BCA、導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的至少一個(gè)被分為多個(gè)子區(qū)。過渡區(qū)位于兩個(gè)相鄰子區(qū)之間。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種將信息記錄在僅再現(xiàn)光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的方法，包括將多個(gè)區(qū)形成在僅再現(xiàn)光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)上；和將至少一個(gè)過渡區(qū)形成在僅再現(xiàn)光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)上。每一過渡區(qū)位于兩個(gè)相鄰區(qū)之間。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于僅再現(xiàn)光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄設(shè)備，包括記錄單元，用于將數(shù)據(jù)記錄在僅再現(xiàn)光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)上；和控制器，其控制記錄單元以在僅再現(xiàn)光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)上形成多個(gè)區(qū)，和控制記錄單元以在兩個(gè)相鄰區(qū)之間形成至少一個(gè)過渡區(qū)。
將在接下來的描述中部分闡述本發(fā)明另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn)，還有一部分通過描述將是清楚的，或者可以經(jīng)過本發(fā)明的實(shí)施而得知。


圖1顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的僅再現(xiàn)光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的物理結(jié)構(gòu)；圖2A至2E顯示當(dāng)BCA的凹坑以單一圖樣被形成并且導(dǎo)入?yún)^(qū)的凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成時(shí)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的燒錄區(qū)(BCA)和導(dǎo)入?yún)^(qū)之間的過渡區(qū)的凹坑圖樣的例子；圖3A至3E顯示當(dāng)BCA的凹坑以特定圖樣被形成并且導(dǎo)入?yún)^(qū)的凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成時(shí)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的BCA和導(dǎo)入?yún)^(qū)之間的過渡區(qū)的凹坑圖樣的例子；圖4A至4E顯示當(dāng)BCA的凹坑以隨機(jī)圖樣被形成并且導(dǎo)入?yún)^(qū)的凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成時(shí)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的BCA和導(dǎo)入?yún)^(qū)之間的過渡區(qū)的凹坑圖樣的例子；圖5A至5E顯示當(dāng)BCA的凹坑以單一圖樣被形成并且導(dǎo)入?yún)^(qū)的凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成時(shí)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的BCA和導(dǎo)入?yún)^(qū)之間的過渡區(qū)的凹坑圖樣的例子；圖6A至6E顯示當(dāng)BCA的凹坑以特定圖樣被形成并且導(dǎo)入?yún)^(qū)的凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成時(shí)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的BCA和導(dǎo)入?yún)^(qū)之間的過渡區(qū)的凹坑圖樣的例子；圖7A至7F顯示當(dāng)BCA的凹坑以隨機(jī)圖樣被形成并且導(dǎo)入?yún)^(qū)的凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成時(shí)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的BCA和導(dǎo)入?yún)^(qū)之間的過渡區(qū)的凹坑圖樣的例子；圖8A至8F顯示當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū)的凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成并且用戶數(shù)據(jù)區(qū)的凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成時(shí)根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過渡區(qū)的凹坑圖樣的例子；圖9A至9F顯示當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū)的凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成并且用戶數(shù)據(jù)區(qū)的凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成時(shí)根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過渡區(qū)的凹坑圖樣；
圖10A至10F顯示當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū)的凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成并且用戶數(shù)據(jù)區(qū)的凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成時(shí)根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過渡區(qū)的凹坑圖樣的例子；圖11顯示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的物理結(jié)構(gòu)；和圖12A至12F顯示當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū)的第一區(qū)的凹坑以隨機(jī)圖樣被形成并且導(dǎo)入?yún)^(qū)的第二區(qū)的凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成時(shí)根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的BCA和導(dǎo)入?yún)^(qū)之間的過渡區(qū)的凹坑圖樣的例子；圖13是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)的方框圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，其示例在附圖中表示，其中，相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的部件。以下通過參考附圖描述實(shí)施例以解釋本發(fā)明。
根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)是僅再現(xiàn)并且其整個(gè)區(qū)由凹坑形成。根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)根據(jù)功能被分為多個(gè)區(qū)。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括燒錄區(qū)(BCA)10；導(dǎo)入?yún)^(qū)20；用戶數(shù)據(jù)區(qū)30，用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)；和導(dǎo)出區(qū)40；從光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)部邊界到外部邊界被順序地形成這些區(qū)。
BCA 10存儲(chǔ)如光盤的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的序列號(hào)或識(shí)別BCA的數(shù)據(jù)。導(dǎo)入?yún)^(qū)20存儲(chǔ)盤相關(guān)信息、復(fù)制保護(hù)信息等。盤相關(guān)信息的例子是關(guān)于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的類型，如可記錄盤、一次寫入盤或僅再現(xiàn)盤的信息，關(guān)于記錄層的數(shù)量的信息，關(guān)于記錄速度的信息，關(guān)于盤大小的信息等。
參照圖2A至2F，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括BCA10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20之間的第一過渡區(qū)域15。
BCA 10存儲(chǔ)以第一直線凹坑圖樣記錄的數(shù)據(jù)。導(dǎo)入?yún)^(qū)20存儲(chǔ)可以以不同于第一直線凹坑圖樣的第二直線凹坑圖樣或者以抖動(dòng)凹坑圖樣記錄的數(shù)據(jù)?；蛘?，BCA 10存儲(chǔ)以第一抖動(dòng)凹坑圖樣記錄的數(shù)據(jù)，導(dǎo)入?yún)^(qū)20存儲(chǔ)可以以不同于第一抖動(dòng)凹坑圖樣的第二抖動(dòng)凹坑圖樣或者以直線凹坑圖樣記錄的數(shù)據(jù)。直線凹坑圖樣表示沿直線的凹坑的排列，抖動(dòng)凹坑圖樣表示沿波形線的凹坑的排列。
第一和第二直線凹坑圖樣以及第一和第二抖動(dòng)凹坑圖樣可被分為單一圖樣、特定圖樣或隨機(jī)圖樣。單一圖樣表示在其中每一具有相同長度(nT)的凹坑以有規(guī)則間隔被排列的圖樣。這里，n表示自然數(shù)，并且T表示凹坑的最小長度。例如，直線單一凹坑圖樣表示在其中每一具有相同長度的凹坑沿直線排列的圖樣。抖動(dòng)單一凹坑圖樣表示在其中每一具有相同長度的凹坑沿波形線排列的圖樣。特定圖樣表示具有不同長度的凹坑的圖樣的重復(fù)。例如，3T凹坑和6T凹坑的圖樣重復(fù)。直線特定凹坑圖樣表示沿直線具有不同長度的凹坑的圖樣的重復(fù)。抖動(dòng)特定凹坑圖樣表示沿波形線具有不同長度的凹坑的圖樣的重復(fù)。隨機(jī)圖樣表示具有不同長度的凹坑的隨機(jī)排列。例如，直線隨機(jī)凹坑圖樣表示沿直線具有不同長度的凹坑的隨機(jī)排列。抖動(dòng)隨機(jī)凹坑圖樣表示沿波形線具有不同長度的凹坑的隨機(jī)排列。
由于BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20具有不同凹坑圖樣，所以第一過渡區(qū)15被包括在BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20之間以防止數(shù)據(jù)的不正確的連續(xù)再現(xiàn)。第一過渡區(qū)15存儲(chǔ)識(shí)別過渡區(qū)的數(shù)據(jù)。
圖2A至2E顯示當(dāng)BCA 10以直線單一圖樣由凹坑形成并且導(dǎo)入?yún)^(qū)20以直線隨機(jī)圖樣由凹坑形成時(shí)的第一過渡區(qū)15的凹坑圖樣的例子。如圖2A所示，數(shù)據(jù)以直線單一圖樣的凹坑的形式被記錄在BCA 10中，數(shù)據(jù)以直線隨機(jī)圖樣的凹坑的形式被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中，以及BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20之間的第一過渡區(qū)15由直線單一圖樣的凹坑形成。盡管未顯示，第一過渡區(qū)15可由抖動(dòng)單一圖樣的凹坑形成。
如圖2B所示，數(shù)據(jù)以直線單一圖樣的凹坑的形式被記錄在BCA 10中，數(shù)據(jù)以直線隨機(jī)圖樣的凹坑的形式被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中，以及BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20之間的第一過渡區(qū)15由直線隨機(jī)圖樣的凹坑被形成。盡管未顯示，第一過渡區(qū)15可由抖動(dòng)隨機(jī)圖樣形成。
如圖2C所示，數(shù)據(jù)以直線單一圖樣的凹坑的形式被記錄在BCA 10中，數(shù)據(jù)以直線隨機(jī)圖樣的凹坑的形式被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中，以及BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20之間的第一過渡區(qū)15是鏡面區(qū)(mirror area)。
如圖2D所示，數(shù)據(jù)以直線單一圖樣的凹坑的形式被記錄在BCA 10中，數(shù)據(jù)以直線隨機(jī)圖樣的凹坑的形式被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中，BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20之間的第一過渡區(qū)15由直線特定圖樣的凹坑形成。
或者，第一過渡區(qū)15可由抖動(dòng)單一圖樣的凹坑、抖動(dòng)隨機(jī)圖樣的凹坑或抖動(dòng)特定圖樣的凹坑形成。在圖2E中，第一過渡區(qū)15由抖動(dòng)隨機(jī)圖樣的凹坑形成。
盡管圖2A至2E顯示由直線單一圖樣的凹坑形成的BCA 10，但是BCA10也可由抖動(dòng)單一圖樣的凹坑形成。
圖3A至3E顯示當(dāng)BCA 10由直線特定圖樣的凹坑形成并且導(dǎo)入?yún)^(qū)20由直線隨機(jī)圖樣的凹坑形成時(shí)的BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20之間的第一過渡區(qū)15的凹坑圖樣的例子。參照圖3A，第一過渡區(qū)15由直線單一圖樣的凹坑形成。參照圖3B，第一過渡區(qū)15由直線隨機(jī)圖樣的凹坑形成。參照圖3C，第一過渡區(qū)15是鏡面區(qū)。參照圖3D，第一過渡區(qū)15由直線特定圖樣的凹坑形成。參照圖3E，第一過渡區(qū)15由抖動(dòng)隨機(jī)圖樣的凹坑形成。另外，第一過渡區(qū)15可由抖動(dòng)單一圖樣的凹坑、抖動(dòng)隨機(jī)圖樣的凹坑或抖動(dòng)特定圖樣的凹坑形成。
圖4A至4E顯示當(dāng)凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在BCA 10中并且凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中時(shí)的形成在BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20之間的第一過渡區(qū)15中的凹坑圖樣的例子。參照圖4A，凹坑以直線單一圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中，參照圖4B，凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在第一過渡區(qū)中。參照圖4C，第一過渡區(qū)15是鏡面區(qū)。參照圖4D，凹坑以直線特定圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中?；蛘?，凹坑可以以抖動(dòng)單一圖樣、抖動(dòng)隨機(jī)圖樣或抖動(dòng)特定圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。參照圖4E，第一過渡區(qū)15由抖動(dòng)隨機(jī)圖樣的凹坑形成。盡管未顯示，凹坑可以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣來代替直線隨機(jī)圖樣被形成在BCA 10中。
如上所述，當(dāng)凹坑以直線隨機(jī)圖樣或以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成在BCA 10中時(shí)，包含如00h或BCA的內(nèi)容的信息可記錄在BCA 10中。
盡管以上僅已經(jīng)描述了凹坑以直線圖樣被形成在BCA 10中的情況，但是BCA 10可由抖動(dòng)圖樣的凹坑形成。例如，凹坑可以以抖動(dòng)單一圖樣、抖動(dòng)特定圖樣或抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成在BCA 10中。
凹坑可以直線圖樣或抖動(dòng)圖樣被形成在BCA 10中，并且凹坑以抖動(dòng)圖樣被形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中。
圖5A至5E顯示當(dāng)凹坑以直線單一圖樣被形成在BCA 10中并且凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中時(shí)的形成在BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20之間的第一過渡區(qū)15中的凹坑圖樣的例子。參照圖5A，凹坑以直線單一圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。參照圖5B，凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。參照圖5C，第一過渡區(qū)15是鏡面區(qū)。參照圖5D，凹坑以直線特定圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中?；蛘撸伎涌梢砸远秳?dòng)單一圖樣、抖動(dòng)隨機(jī)圖樣或抖動(dòng)特定圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。參照圖5E，凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。盡管圖5A至5E顯示在其中凹坑以直線單一圖樣被形成的BCA 10，但是凹坑可以以抖動(dòng)單一圖樣被形成在BCA10中。
圖6A至6E顯示當(dāng)凹坑以直線特定圖樣被形成在BCA 10中并且凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中時(shí)的被形成在過渡區(qū)15中的凹坑圖樣的例子。參照圖6A，凹坑以直線單一圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。參照圖6B，凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。參照圖6C，第一過渡區(qū)15是鏡面區(qū)。參照圖6D，凹坑以直線特定圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。或者，凹坑可以以抖動(dòng)單一圖樣、抖動(dòng)隨機(jī)圖樣或抖動(dòng)特定圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。例如，圖6E顯示在其中凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成的第一過渡區(qū)15。盡管圖6A至6E顯示在其中凹坑以直線特定圖樣被形成的BCA10，但是凹坑可以以抖動(dòng)特定圖樣被形成在BCA 10中。
圖7A至7F顯示當(dāng)凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在BCA 10中并且凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中時(shí)的形成在第一過渡區(qū)15中的凹坑圖樣的例子。參照圖7A，凹坑以直線單一圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。參照圖7B，凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。參照圖7C，第一過渡區(qū)15是鏡面區(qū)。參照圖7D，凹坑以直線特定圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。或者，凹坑可以以抖動(dòng)單一圖樣、抖動(dòng)隨機(jī)圖樣或抖動(dòng)特定圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中。例如，圖7E顯示在其中凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成的第一過渡區(qū)15。盡管圖7A至7E顯示在其中以直線隨機(jī)圖樣被形成的BCA10，但是凹坑可以以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成在BCA 10中。當(dāng)凹坑以如上所述的直線隨機(jī)圖樣或抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成在BCA 10中時(shí)，包含如00h或BCA的內(nèi)容的信息可被記錄在BCA 10中。
當(dāng)凹坑以抖動(dòng)圖樣被形成在BCA 10、第一過渡區(qū)15或?qū)雲(yún)^(qū)20中時(shí)，它們被形成，從而抖動(dòng)的幅度逐漸增加或減小。如圖7F所示，凹坑以抖動(dòng)圖樣被形成在第一過渡區(qū)15中，從而抖動(dòng)的幅度可逐漸增加。
BCA 10、第一過渡區(qū)15和導(dǎo)入?yún)^(qū)20可具有相同軌道間距或者不同軌道間距。例如，BCA 10和第一過渡區(qū)15具有相同的軌道間距，僅導(dǎo)入?yún)^(qū)20具有不同的軌道間距?；蛘撸谝贿^渡區(qū)15和導(dǎo)入?yún)^(qū)20可具有相同的軌道間距，僅BCA 10具有不同的軌道間距。當(dāng)BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20具有不同的軌道間距時(shí)，第一過渡區(qū)15是可形成的，從而其軌道間距可逐漸增加或減小。例如，當(dāng)BCA 10的軌道間距為“a”并且導(dǎo)入?yún)^(qū)20的軌道間距為“b”(b＞a)時(shí)，第一過渡區(qū)15被形成，從而其軌道間距可逐漸從“a”增加到“b”。
根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括BCA 10、導(dǎo)入?yún)^(qū)20、用戶數(shù)據(jù)區(qū)30和導(dǎo)出區(qū)40。第二過渡區(qū)25還被包括在導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30之間。
以下，將參照圖8A至10F來描述形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20、第二過渡區(qū)25和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30的每個(gè)中的凹坑圖樣。當(dāng)凹坑以第三直線圖樣被形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中并且凹坑以第四直線圖樣被形成在用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中時(shí)，第二過渡區(qū)25可由直線單一圖樣的凹坑、直線特定圖樣的凹坑、直線隨機(jī)圖樣的凹坑、抖動(dòng)單一圖樣的凹坑、抖動(dòng)特定圖樣的凹坑或抖動(dòng)隨機(jī)圖樣的凹坑形成。另外，第二過渡區(qū)25可為鏡面區(qū)。
第三和第四直線圖樣中的每個(gè)可為直線單一圖樣、直線特定圖樣和直線隨機(jī)圖樣中的一個(gè)。
圖8A至8F顯示當(dāng)凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中并且凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中時(shí)的形成在第二過渡區(qū)25中的凹坑圖樣的例子。參照圖8A，凹坑以直線單一圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中。參照圖8B，凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中。參照圖8C，第二過渡區(qū)25是鏡面區(qū)。參照圖8D，凹坑以直線特定圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中。或者，凹坑可以抖動(dòng)單一圖樣、抖動(dòng)隨機(jī)圖樣或抖動(dòng)特定圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中。例如，圖8E顯示在其中凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成的第二過渡區(qū)25。
當(dāng)凹坑以抖動(dòng)圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中時(shí)，它們是可形成的，從而如圖8F所示抖動(dòng)的幅度可逐漸減小。
現(xiàn)在將描述當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū)25由抖動(dòng)圖樣的凹坑形成并且用戶數(shù)據(jù)區(qū)30由直線圖樣的凹坑形成時(shí)形成在第二過渡區(qū)25中的凹坑圖樣。為了更具體，凹坑可以以抖動(dòng)單一圖樣、抖動(dòng)特定圖樣或抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中，并且凹坑可以直線單一圖樣、直線特定圖樣或直線隨機(jī)圖樣被形成在用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中。
圖9A至9F顯示當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30由凹坑形成以分別具有抖動(dòng)隨機(jī)圖樣和直線隨機(jī)圖樣時(shí)形成在第二過渡區(qū)25中的凹坑圖樣的例子。參照圖9A，凹坑以直線單一圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中。參照圖9B，凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中。參照圖9C，第二過渡區(qū)25是鏡面區(qū)。參照圖9D，凹坑以直線特定圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中?；蛘?，凹坑可以抖動(dòng)單一圖樣、抖動(dòng)隨機(jī)圖樣或抖動(dòng)特定圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中。例如，圖9E顯示在其中凹坑被以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣形成的第二過渡區(qū)25。
當(dāng)凹坑以抖動(dòng)圖樣形成在第二過渡區(qū)25中時(shí)，它們是可形成的，從而如圖9F所示抖動(dòng)的幅度可逐漸減小。
現(xiàn)在將描述當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30分別由直線圖樣的凹坑和抖動(dòng)圖樣的凹坑形成時(shí)形成在第二過渡區(qū)25中的凹坑圖樣的例子。為了更具體，凹坑可以以直線單一圖樣、直線特定圖樣或直線隨機(jī)圖樣被形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中，并且凹坑可以以抖動(dòng)單一圖樣、抖動(dòng)特定圖樣或抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成在用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中。
圖10A至10F顯示當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30由凹坑形成以分別具有直線隨機(jī)圖樣和抖動(dòng)隨機(jī)圖樣時(shí)形成在第二過渡區(qū)25中的凹坑圖樣的例子。參照圖10A，凹坑以直線單一圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中。參照圖10B，凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中。參照圖10C，第二過渡區(qū)25是鏡面區(qū)。參照圖10D，凹坑以直線特定圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中?；蛘?，凹坑可以以抖動(dòng)單一圖樣、抖動(dòng)隨機(jī)圖樣或抖動(dòng)特定圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中。例如，圖10E顯示在其中凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成的第二過渡區(qū)25。
當(dāng)凹坑以抖動(dòng)圖樣被形成在第二過渡區(qū)25中時(shí)，它們是可形成的，從而如圖10F所示抖動(dòng)的幅度可逐漸增加。
當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30由凹坑形成以具有抖動(dòng)圖樣時(shí)，包括在它們之間的第二過渡區(qū)25可由直線單一圖樣的凹坑、直線特定圖樣的凹坑、直線隨機(jī)圖樣的凹坑、抖動(dòng)單一圖樣的凹坑、抖動(dòng)特定圖樣的凹坑或抖動(dòng)隨機(jī)圖樣的凹坑形成?；蛘撸诙^渡區(qū)25可為鏡面區(qū)。
當(dāng)凹坑以抖動(dòng)圖樣被形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20、第二過渡區(qū)25或用戶數(shù)據(jù)區(qū)30時(shí)，它們是可形成的，從而抖動(dòng)的幅度逐漸增加或減小。
導(dǎo)入?yún)^(qū)20、第二過渡區(qū)25和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30可具有相同軌道間隔或不同軌道間隔。例如，導(dǎo)入?yún)^(qū)20和第二過渡區(qū)25具有相同的軌道間距，僅用戶數(shù)據(jù)區(qū)30具有不同軌道間距。或者，第二過渡區(qū)25和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30可具有相同軌道間距，僅導(dǎo)入?yún)^(qū)20具有不同軌道間距。當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30具有不同軌道間距時(shí)，第二過渡區(qū)25是可形成的，從而其軌道間距可逐漸增加或減小。例如，當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū)20的軌道間距為“c”并且用戶數(shù)據(jù)區(qū)30的軌道間距為“d”(d＞c)時(shí)，第二過渡區(qū)25被形成，從而其軌道間距可從“c”到“d”逐漸增加。
根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)根據(jù)功能被分為多個(gè)區(qū)，這些區(qū)中的至少一個(gè)被分為多個(gè)子區(qū)。第三過渡區(qū)被包括在兩個(gè)相鄰子區(qū)之間。參照圖11，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括BCA 10、導(dǎo)入?yún)^(qū)20、用戶數(shù)據(jù)區(qū)30和導(dǎo)出區(qū)40。導(dǎo)入?yún)^(qū)20分別包括第一和第二子區(qū)20a和20b。
過渡區(qū)可被包括在BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20之間以及導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30之間。第一和第二實(shí)施例的第一和第二過渡區(qū)的原理被相同地應(yīng)用到這些過渡區(qū)。
第三過渡區(qū)27被包括在導(dǎo)入?yún)^(qū)20的第一和第二子區(qū)20a和20b之間。以下，將詳細(xì)描述形成在第一和第二子區(qū)20a和20b以及第三過渡區(qū)27中的每個(gè)中的凹坑圖樣。第一和第二子區(qū)20a和20b分別以直線圖樣和抖動(dòng)圖樣由凹坑形成。直線圖樣可為直線單一圖樣、直線特定圖樣或直線隨機(jī)圖樣，抖動(dòng)圖樣可為抖動(dòng)單一圖樣、抖動(dòng)特定圖樣或抖動(dòng)隨機(jī)圖樣。
現(xiàn)在將描述當(dāng)?shù)谝缓偷诙訁^(qū)20a和20b由凹坑形成以分別具有直線圖樣和抖動(dòng)圖樣時(shí)形成在第一和第二子區(qū)20a和20b之間的第三過渡區(qū)27。
圖12A至12F顯示當(dāng)?shù)谝缓偷诙訁^(qū)20a和20b由凹坑形成以分別具有直線隨機(jī)圖樣和抖動(dòng)隨機(jī)圖樣時(shí)第三過渡區(qū)27的凹坑圖樣的例子。參照圖12A，凹坑以直線單一圖樣被形成在第三過渡區(qū)27中。參照圖12B，凹坑以直線隨機(jī)圖樣被形成在第三過渡區(qū)27中。參照圖12C，第三過渡區(qū)27為鏡面區(qū)。參照圖12D，凹坑以直線特定圖樣被形成在第三過渡區(qū)27中?；蛘?，凹坑可以以抖動(dòng)單一圖樣、抖動(dòng)隨機(jī)圖樣或抖動(dòng)特定圖樣被形成在第三過渡區(qū)27中。例如，圖12E顯示在其中凹坑以抖動(dòng)隨機(jī)圖樣被形成的第三過渡區(qū)27。當(dāng)凹坑以抖動(dòng)圖樣被形成在第三過渡區(qū)27中時(shí)，它們可被形成，從而抖動(dòng)的幅度可逐漸增加或減小。例如，第三過渡區(qū)27可由抖動(dòng)隨機(jī)圖樣的凹坑被形成，從而如圖12F所示抖動(dòng)的幅度可逐漸增加。
當(dāng)?shù)谝缓偷诙訁^(qū)20a和20b由凹坑形成以分別具有抖動(dòng)圖樣和直線圖樣時(shí)，包括它們之間的第三過渡區(qū)27可由直線單一圖樣的凹坑、直線特定圖樣的凹坑、直線隨機(jī)圖樣的凹坑、抖動(dòng)單一圖樣的凹坑、抖動(dòng)特定圖樣的凹坑或抖動(dòng)隨機(jī)圖樣的凹坑形成?；蛘?，第三過渡區(qū)27可為鏡面區(qū)。
當(dāng)?shù)谝缓偷诙訁^(qū)20a和20b都由凹坑形成以具有直線圖樣時(shí)，包括在它們之間的第三過渡區(qū)27可由直線單一圖樣的凹坑、直線特定圖樣的凹坑、直線隨機(jī)圖樣的凹坑、抖動(dòng)單一圖樣的凹坑、抖動(dòng)特定圖樣的凹坑或抖動(dòng)隨機(jī)圖樣的凹坑形成。或者，第三過渡區(qū)27可為鏡面區(qū)。
當(dāng)?shù)谝缓偷诙訁^(qū)20a和20b都由凹坑形成以具有抖動(dòng)圖樣，包括在它們之間的第三過渡區(qū)27可由直線單一圖樣的凹坑、直線特定圖樣的凹坑、直線隨機(jī)圖樣的凹坑、抖動(dòng)單一圖樣的凹坑、抖動(dòng)特定圖樣的凹坑或抖動(dòng)隨機(jī)圖樣的凹坑形成?；蛘?，第三過渡區(qū)27可為鏡面區(qū)。
當(dāng)凹坑以抖動(dòng)圖樣被形成在第一和第二子區(qū)20a和20b以及第三過渡區(qū)27中時(shí)，它們可被形成，從而抖動(dòng)的幅度逐漸增加或減小。
以上已經(jīng)描述了僅導(dǎo)入?yún)^(qū)20被分為兩個(gè)子區(qū)的情況。然而，BCA 10、用戶數(shù)據(jù)區(qū)30或?qū)С鰠^(qū)40也可被分為多個(gè)子區(qū)。在這種情況下，過渡區(qū)可被形成在兩個(gè)相鄰子區(qū)之間。
第一和第二子區(qū)20a和20b以及第三過渡區(qū)27可具有相同軌道間距或不同軌道間距。例如，第一子區(qū)20a和第三過渡區(qū)27具有相同軌道間距，僅第二子區(qū)20b具有不同軌道間距?；蛘?，第三過渡區(qū)27和第二子區(qū)20b具有相同軌道間距，僅第一子區(qū)20a具有不同軌道間距。當(dāng)?shù)谝缓偷诙訁^(qū)20a和20b具有不同軌道間距時(shí)，第三過渡區(qū)27可被形成，從而其軌道間距可逐漸增加或減小。例如，當(dāng)?shù)谝蛔訁^(qū)20a的軌道間距為“e”第二子區(qū)20b的軌道間距為“f”(f＞e)時(shí)，第三過渡區(qū)27被形成，從而其軌道間距可逐漸從“e”增加到“f”。
參照圖13，顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄/再現(xiàn)系統(tǒng)的方框圖。該設(shè)備包括記錄/讀單元100和控制器200。記錄/讀單元100將數(shù)據(jù)寫入作為信息存儲(chǔ)介質(zhì)的一次寫入記錄介質(zhì)300/或從作為信息存儲(chǔ)介質(zhì)的一次寫入記錄介質(zhì)300再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明所述實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括多個(gè)區(qū)，并且過渡區(qū)被包括在由這些區(qū)形成的邊界區(qū)中的至少一個(gè)中。例如，過渡區(qū)被包括在BCA 10和導(dǎo)入?yún)^(qū)20之間的區(qū)、導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30之間的區(qū)、以及第一和第二子區(qū)20a和20b之間的區(qū)中的至少一個(gè)中。形成在過渡區(qū)中的凹坑圖樣可與形成在過渡區(qū)的前面或后面的區(qū)中的凹坑圖樣相同。過渡區(qū)前面的區(qū)表示比過渡區(qū)距離存儲(chǔ)介質(zhì)的中心近的區(qū)。過渡區(qū)的后面的區(qū)表示在存儲(chǔ)介質(zhì)的半徑方向上比過渡區(qū)更外側(cè)的區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明所述實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)可由單一層或多層組成。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明所述實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)根據(jù)功能或目的被分為多個(gè)區(qū)，過渡區(qū)被包括在兩個(gè)相鄰區(qū)之間。因此，數(shù)據(jù)以低的錯(cuò)誤發(fā)生率被平穩(wěn)再現(xiàn)。另外，由于根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)為過渡區(qū)提供標(biāo)準(zhǔn)，因此其與現(xiàn)有光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)兼容。
盡管已經(jīng)顯示和描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，但是本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定其范圍的本發(fā)明的原理和精神的情況下可對(duì)其進(jìn)行改變。
權(quán)利要求
1一種用于在光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)上布置導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)的裝置，包括布置單元，用于在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上布置多個(gè)區(qū)；控制器，用于執(zhí)行如下操作控制所述布置單元，以將導(dǎo)入?yún)^(qū)布置為包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一區(qū)具有第一軌道間距，所述第二區(qū)具有小于第一軌道間距的第二軌道間距；控制所述布置單元，布置連接第一區(qū)和第二區(qū)的過渡區(qū)；控制所述布置單元，將用戶數(shù)據(jù)區(qū)布置為與第二區(qū)相鄰；其中，第一區(qū)包括關(guān)于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的類型的信息、關(guān)于記錄層數(shù)的信息和關(guān)于盤大小的信息中的至少一種。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，用戶數(shù)據(jù)區(qū)的軌道間距與第二軌道間距相同。
3.一種從具有導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)的信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)信息的裝置，其中，導(dǎo)入?yún)^(qū)包括第一區(qū)，具有第一軌道間距；第二區(qū)，具有小于第一軌道間距的第二軌道間距；和過渡區(qū)，連接所述第一區(qū)和第二區(qū)，用戶數(shù)據(jù)區(qū)具有第三軌道間距，所述裝置包括光學(xué)拾取器，用于照射用于從信息存儲(chǔ)介質(zhì)讀取信息的光；控制器，控制光學(xué)拾取器從第一區(qū)域讀取盤相關(guān)的信息，所述盤相關(guān)的信息包括關(guān)于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的類型的信息、關(guān)于記錄層數(shù)的信息和關(guān)于盤大小的信息中的至少一種。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中，用戶數(shù)據(jù)區(qū)的軌道間距與第二軌道間距相同。
5.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中，用戶數(shù)據(jù)區(qū)與第二區(qū)相鄰。
6.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中，控制器控制光學(xué)拾取器從第一區(qū)和用戶區(qū)中的至少一個(gè)區(qū)讀取信息。
全文摘要
一種僅再現(xiàn)光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)，包括多個(gè)區(qū)和至少一個(gè)過渡區(qū)。每個(gè)過渡區(qū)位于兩個(gè)相鄰區(qū)之間。過渡區(qū)允許數(shù)據(jù)以低錯(cuò)誤發(fā)生率從僅再現(xiàn)光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)平穩(wěn)再現(xiàn)。另外，由于該光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)為過渡區(qū)提供標(biāo)準(zhǔn)，所以其與現(xiàn)有光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)兼容。
文檔編號(hào)G11B7/12GK101042896SQ200710104418
公開日2007年9月26日 申請日期2004年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月30日
發(fā)明者李坰根 申請人:三星電子株式會(huì)社