專利名稱：圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法和磁盤檢查裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法和磁盤檢查裝置(下面稱為檢查裝置)，具體涉及一種磁盤檢查裝置中、可在電氣特性檢查中檢測(cè)沿圓周方向的擦傷缺陷(圓周擦傷)的檢查裝置。
背景技術(shù)：
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中使用的硬磁盤(下面簡(jiǎn)稱為磁盤或盤)當(dāng)磁性媒體有異常時(shí)，寫入數(shù)據(jù)或讀出數(shù)據(jù)中產(chǎn)生錯(cuò)誤，所以利用檢查裝置將規(guī)定的測(cè)試數(shù)據(jù)、例如FFh數(shù)據(jù)寫入盤的規(guī)定軌道上，讀出該數(shù)據(jù)，證明磁性媒體是否良好(電氣特性檢查中的評(píng)價(jià))。所述FFh的h表示16進(jìn)制，所以FFh表示均為“1”的比特?cái)?shù)據(jù)。
在由檢查裝置檢測(cè)的比特錯(cuò)誤中，有比特的消失、即丟失錯(cuò)誤(包含為規(guī)定閾值以下的電平的比特)、與比特的飛出(穿刺)引起的穿刺錯(cuò)誤、正調(diào)制錯(cuò)誤、負(fù)調(diào)制錯(cuò)誤等。另外，此外還檢測(cè)在消失數(shù)據(jù)的狀態(tài)下是否讀出比特，將此時(shí)檢測(cè)的錯(cuò)誤設(shè)為溢出(涌出)錯(cuò)誤。
在磁盤驅(qū)動(dòng)裝置(HDD)中，數(shù)據(jù)的寫入使用線圈形式的磁頭(感應(yīng)頭)，讀出時(shí)使用MR頭。將這些寫入頭與讀出頭一體化為復(fù)合頭，盤記錄密度漸漸提高。
在所述缺陷檢查中，存在稱為同心圓檢查的缺陷檢查，即使磁頭尋軌磁盤的各軌道，由磁頭沿各軌道同心圓狀地掃描盤，檢測(cè)缺陷；和稱為螺旋檢查的缺陷檢查，即利用磁頭(頭托架)螺旋狀地掃描盤，檢測(cè)缺陷。
前者的同心圓檢查通常為了整個(gè)面檢查盤，費(fèi)時(shí)，效率差。并且，最近，檢查軌道數(shù)量增大，盤的品質(zhì)也提高。實(shí)際上，具有缺陷的軌道對(duì)于全部軌道最多為100條至200條左右。因此，大多執(zhí)行部分抽取檢查軌道來執(zhí)行的抽取同心圓檢查或后者的螺旋檢查。另外，后者的螺旋檢查也以抽取間距來執(zhí)行螺旋檢查(專利文獻(xiàn)1、2、3)。
專利文獻(xiàn)1日本特開平10-275434號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開2000-57502號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開2000-57501號(hào)公報(bào)根據(jù)高記錄密度的要求，近年來HDD中使用的頭組件(磁頭+懸架彈簧)的實(shí)際大小相對(duì)于1.8英寸以下的盤，為15mm-20mm左右，設(shè)置在懸架彈簧頂端的磁頭大小也為0.5mm×0.5mm左右或以下，包含滑塊也不過3mm×3mm左右，非常小。并且，磁頭與磁盤的間隔接近從十幾nm至幾十nm的距離。
因此，若有圓周擦傷，則磁盤不好的可能性高。以前，該圓周擦傷利用光學(xué)缺陷檢查來檢測(cè)，但在最近的高記錄密度下，即便在光學(xué)檢查合格的磁盤中，也由于電氣特性檢查中圓周擦傷而出現(xiàn)不好的盤。因此，光學(xué)檢查中提高圓周擦傷的檢測(cè)精度，判定不合格盤，但即便這樣，原來具有圓周擦傷以外的缺陷的盤也不合格，存在盤生產(chǎn)中合格率降低的問題。
因此，盡管要求在電氣特性檢查中檢測(cè)圓周擦傷，但目前難以僅檢測(cè)圓周擦傷，而是檢測(cè)線性缺陷。線性缺陷中存在各種缺陷，若檢測(cè)線性缺陷，則存在檢測(cè)大量圓周擦傷以外的缺陷的問題。
由于通常的線性缺陷不是圓周狀，所以不對(duì)盤的電氣特性產(chǎn)生大的影響。因此，即便存在這種缺陷，電氣特性下盤也大多并非不合格?，F(xiàn)狀是若從S字缺陷等曲線缺陷或多數(shù)線性缺陷中抽出圓周擦傷，則必需包含其曲率狀態(tài)或彎曲方向，難以判定，并且，判定費(fèi)時(shí)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決這種現(xiàn)有技術(shù)的問題，提供一種圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法和磁盤檢查裝置，可不使盤生產(chǎn)合格率降低，利用電氣特性檢查來高效檢測(cè)圓周擦傷。
本發(fā)明的圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法或磁盤檢查裝置的結(jié)構(gòu)中，檢查磁盤，采樣缺陷數(shù)據(jù)與在該磁盤上的位置，對(duì)于采樣的缺陷數(shù)據(jù)，沿磁盤的徑向以規(guī)定寬度、沿磁盤的圓周方向繞磁盤一周或沿圓周方向以規(guī)定長(zhǎng)度，設(shè)定所述缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域，對(duì)于檢查區(qū)域中的缺陷數(shù)據(jù)，以比檢查區(qū)域的規(guī)定寬度短的寬度，設(shè)置沿與該寬度成直角的方向、具有比所述規(guī)定長(zhǎng)度短的長(zhǎng)度的長(zhǎng)方形檢索框，檢測(cè)在所述檢索框的區(qū)域內(nèi)、多個(gè)缺陷排成列后連續(xù)的連續(xù)性缺陷，與檢測(cè)出的所述連續(xù)性缺陷連續(xù)的方向相一致，依次移動(dòng)所述檢索框，以便所述檢測(cè)出的連續(xù)性缺陷只要在所述檢查區(qū)域內(nèi)連續(xù)，則包入所述檢索框的區(qū)域內(nèi)，檢測(cè)移動(dòng)前與移動(dòng)后的所述檢索框的整個(gè)區(qū)域內(nèi)的、所述檢測(cè)出的連續(xù)性缺陷的長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量，檢測(cè)該長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量為規(guī)定值以上的缺陷，作為所述檢查區(qū)域中的圓周擦傷(圓周方向的擦傷缺陷)。
這樣，本發(fā)明在設(shè)定的圓周狀檢查區(qū)域中，沿連續(xù)性缺陷使長(zhǎng)方形檢索框追蹤移動(dòng)，連續(xù)檢測(cè)連續(xù)性缺陷，直到在檢查區(qū)域內(nèi)連續(xù)性缺陷中斷為止。由此，得到連續(xù)性缺陷的總長(zhǎng)度或總?cè)毕輸?shù)，抽出該長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量為規(guī)定值以上的缺陷，作為圓周擦傷。
通過限于所述規(guī)定寬度的檢索區(qū)域利用檢索框追蹤連續(xù)性缺陷，本發(fā)明可排除曲線狀連續(xù)性缺陷中未沿圓周方向的曲線缺陷、曲率小的曲線缺陷、相反曲率過大的曲線缺陷。其原因在于圓周擦傷以外的這些曲線被檢索區(qū)域切斷，成為比圓周擦傷小的斷片。因此，成為問題的圓周擦傷以外的這些曲線的連續(xù)性缺陷在下面說明的實(shí)施例中、通過檢索框的9次以下的移動(dòng)，結(jié)束其檢測(cè)。
即，若對(duì)采樣的缺陷數(shù)據(jù)、沿磁盤的徑向以規(guī)定寬度、沿磁盤的圓周方向繞磁盤一周或沿圓周方向以規(guī)定長(zhǎng)度來設(shè)定缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域，則該檢查區(qū)域?qū)τ谌毕輸?shù)據(jù)而言，構(gòu)成沿磁盤的圓周方向且在徑向具有某個(gè)寬度的區(qū)域。位于該區(qū)域中的連續(xù)性缺陷可限制成包入該寬度中的線性缺陷與圓周擦傷缺陷。并且，由于圓周擦傷缺陷沿該區(qū)域的圓周方向包含于其中，所以與線性缺陷相比，圓周擦傷缺陷的缺陷長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量大。
因此。為了檢測(cè)該圓周擦傷缺陷，在該檢查區(qū)域中設(shè)定一定寬度與一定長(zhǎng)度的細(xì)長(zhǎng)檢索框，沿位于檢索框的區(qū)域內(nèi)的連續(xù)性缺陷的方向，使檢索框移動(dòng)，追蹤該連續(xù)性缺陷，得到連續(xù)性缺陷的長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量。由此，有選擇地僅檢測(cè)磁盤具有的、接近圓的曲率較大的曲線狀連續(xù)性缺陷，抽出該連續(xù)性缺陷，作為圓周擦傷。
此時(shí)的一定寬度與一定長(zhǎng)度的檢索框在實(shí)施例中設(shè)通過連續(xù)移動(dòng)檢索框8次或以上，想檢測(cè)的最小長(zhǎng)度、例如2mm的圓周擦傷的全體。因此，檢索框?yàn)榇笮?長(zhǎng)度與寬度)包入想檢測(cè)的最小長(zhǎng)度圓周擦傷的1/8或以下圓弧斷片的框。其中，圓周擦傷不在完整的圓上，在磁盤的內(nèi)周側(cè)與外周側(cè)，曲率多少有差異，所以包含該差異來確定檢索框的大小。
檢索框是包入規(guī)定曲率的圓周擦傷的圓弧斷片的模板框或基準(zhǔn)框，想檢測(cè)的圓周擦傷以外的曲線的大部分的大小最好是通過移動(dòng)檢索框4次-12次左右結(jié)束連續(xù)性缺陷。
加入本發(fā)明檢索框的具體移動(dòng)方法的一例中，檢測(cè)具有越過檢索框的長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量的連續(xù)性缺陷，當(dāng)相對(duì)于檢索框中的連續(xù)性缺陷的檢索開始點(diǎn)，將檢索框移動(dòng)到下一開始點(diǎn)時(shí)，將其移動(dòng)方向設(shè)定為連結(jié)檢索框的開始點(diǎn)與最后的缺陷(或從開始點(diǎn)起3個(gè)缺陷以下的之前缺陷)的方向上。由此，不構(gòu)成圓周曲線狀的直線線性缺陷由于通過在下次檢索框的移動(dòng)中檢索框越過檢查區(qū)域的寬度，結(jié)束連續(xù)性缺陷的檢索，所以排除各種線性缺陷。
并且，由于利用向所述方向的檢索框的移動(dòng)，曲率小的曲線缺陷、相反曲率過大的曲線缺陷對(duì)應(yīng)于其曲率，在中途超出檢索框，所以下一開始點(diǎn)變?yōu)閷?duì)應(yīng)于曲率的方向。由此，檢索框的移動(dòng)沿追蹤曲線曲率的方向移動(dòng)，故變?yōu)樵竭^檢索區(qū)域的方向，加入檢索框的次數(shù)降低。
這樣，通過在檢查區(qū)域中依次追蹤移動(dòng)檢索框，可以對(duì)應(yīng)于檢索框長(zhǎng)度的次數(shù)，沿連續(xù)性缺陷的曲線，追蹤檢測(cè)圓周狀的缺陷。結(jié)果，不會(huì)影響周圍的線性缺陷，利用檢測(cè)的連續(xù)性缺陷的長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量，將檢測(cè)的連續(xù)性缺陷實(shí)質(zhì)限定為圓周擦傷。
這里的檢索框的長(zhǎng)度最好對(duì)應(yīng)于磁盤的半徑或檢測(cè)的圓周擦傷的狀態(tài)來選擇。
結(jié)果，可利用電氣特性檢查來高效檢測(cè)圓周擦傷，不必在光學(xué)檢查中提高圓周擦傷的檢測(cè)精度，檢測(cè)不合格磁盤，可防止磁盤生產(chǎn)合格率降低。


圖1是適用本發(fā)明的檢查裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖2(a)是關(guān)于圓周擦傷檢測(cè)的檢查區(qū)域的說明圖，圖2(b)是關(guān)于檢索框的設(shè)定與其移動(dòng)方向的說明圖。
圖3(a)是對(duì)于開始檢索的基準(zhǔn)缺陷、檢索框的檢索方向確定的說明圖，圖3(b)是分塊檢索檢查區(qū)域的處理的說明圖。
圖4是圓周擦傷檢測(cè)處理的流程圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是適用本發(fā)明的檢查裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，圖2(a)是圓周擦傷檢測(cè)的檢查區(qū)域的說明圖，圖2(b)是檢索框的設(shè)定與其移動(dòng)方向的說明圖，圖3(a)是對(duì)于開始檢索的基準(zhǔn)缺陷、檢索框的檢索方向確定的說明圖，圖3(b)是分塊檢索檢查區(qū)域的處理的說明圖，圖4是圓周擦傷檢測(cè)處理的流程圖。
圖1中，磁盤1被安裝在旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)2的主軸2a上旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)編碼器2b產(chǎn)生檢測(cè)主軸2a的旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的INDX脈沖，其它脈沖等，將這些脈沖輸入檢查裝置5的缺陷檢測(cè)處理控制部54。接受該脈沖后，缺陷檢測(cè)處理控制部54檢測(cè)磁盤1的旋轉(zhuǎn)基準(zhǔn)位置(索引，下面稱為INDX)與距其的旋轉(zhuǎn)角度θ(＝磁盤的旋轉(zhuǎn)量)，算出缺陷的位置坐標(biāo)。
在缺陷檢查中，對(duì)于旋轉(zhuǎn)的磁盤1，設(shè)置在缺陷檢測(cè)處理控制部54內(nèi)部的MPU(宏處理器)541向?qū)懭?讀出控制單元51提供確定磁盤徑向移動(dòng)速度的測(cè)試間距信號(hào)與測(cè)試數(shù)據(jù)、例如所述的FFh數(shù)據(jù)。
寫入/讀出控制單元51內(nèi)置頭托架位置控制電路，驅(qū)動(dòng)頭托架7，沿磁盤1上的徑向，以對(duì)應(yīng)于從MPU541提供的測(cè)試間距的規(guī)定移動(dòng)速度，使寫入側(cè)的感應(yīng)磁頭3b尋軌。
另外，寫入/讀出控制單元51將從MPU541提供的測(cè)試數(shù)據(jù)變換為規(guī)定的電流值信號(hào)，將其以規(guī)定的定時(shí)發(fā)送到寫入/讀出電路50的寫入電路，經(jīng)其驅(qū)動(dòng)磁頭3b。接受了表示旋轉(zhuǎn)基準(zhǔn)位置的INDX信號(hào)的寫入/讀出控制單元51以此為起點(diǎn)，沿螺旋掃描中的軌跡，依次將測(cè)試數(shù)據(jù)寫入磁盤1的規(guī)定軌道中。
旋轉(zhuǎn)編碼器2b的輸出除被輸入寫入/讀出控制單元51外，還被輸入到錯(cuò)誤檢測(cè)單元52與缺陷檢測(cè)處理控制部54。
沿螺旋掃描中的軌跡寫入的測(cè)試數(shù)據(jù)被頭單元4讀出。頭單元4被寫入/讀出控制單元51驅(qū)動(dòng)，由控制其移動(dòng)的頭托架6定位在磁盤1上寫入測(cè)試數(shù)據(jù)的規(guī)定軌道上。頭單元4中一體組裝感應(yīng)磁頭3a與讀出MR頭3，頭單元4的讀出MR頭3讀出測(cè)試數(shù)據(jù)。
在磁盤1的背面?zhèn)龋苍O(shè)置與所述磁頭3b和頭單元4一樣的磁頭和頭單元。由于這些磁頭和頭單元與本發(fā)明無直接關(guān)系，所以圖中省略。同樣執(zhí)行這些磁頭的讀寫動(dòng)作，采樣缺陷數(shù)據(jù)，但下面說明磁盤1的表面?zhèn)鹊娜毕輽z查，省略背面?zhèn)鹊恼f明。
將讀出的測(cè)試數(shù)據(jù)提供給寫入/讀出電路50，經(jīng)寫入/讀出電路50，作為讀出信號(hào)，送出至錯(cuò)誤檢測(cè)單元52，這里執(zhí)行錯(cuò)誤檢測(cè)。由錯(cuò)誤檢測(cè)單元52檢測(cè)的錯(cuò)誤比特?cái)?shù)據(jù)被送出至檢查裝置5的缺陷檢測(cè)處理控制部54，這里，根據(jù)錯(cuò)誤比特?cái)?shù)據(jù)，為了檢測(cè)缺陷，執(zhí)行規(guī)定的解析處理與其它的數(shù)據(jù)處理。
8是半周延遲電路，是從寫入/讀出控制單元51接受移動(dòng)托架的移動(dòng)控制信號(hào)后、使移動(dòng)控制信號(hào)延遲磁盤1的一個(gè)旋轉(zhuǎn)周期一半時(shí)間的電路。該電路被插入寫入/讀出控制單元51與頭托架6之間，將來自寫入/讀出控制單元51的移動(dòng)控制信號(hào)延遲半周期后，送出至頭托架6。
結(jié)果，頭托架6、7從寫入/讀出控制單元51接受相同的移動(dòng)控制信號(hào)，但由于頭托架6側(cè)的移動(dòng)控制信號(hào)被延遲半周期，所以頭單元4的讀出MR頭3在磁盤1徑向上的存取位置延遲半周期到達(dá)由頭托架7定位的磁頭3b的存取位置。
如圖所示，寫入側(cè)磁頭3b位于距離磁盤1的外周為D的位置上，若寫入測(cè)試數(shù)據(jù)，則磁盤1旋轉(zhuǎn)半周，當(dāng)寫入該測(cè)試數(shù)據(jù)的位置到達(dá)讀出MR頭3的位置時(shí)，讀出MR頭3也被定位在距磁盤1的外周為D的距離上。當(dāng)讀出MR頭3讀出所述測(cè)試數(shù)據(jù)時(shí)，磁頭3b如虛線所示，移動(dòng)到距磁盤1的外周為D+p/2的位置，寫入下一測(cè)試數(shù)據(jù)。其中，p為螺旋掃描的磁盤徑向的移動(dòng)間距。這種測(cè)試數(shù)據(jù)的寫入與讀出利用寫入/讀出控制單元51對(duì)托架6、7的移動(dòng)控制、在錯(cuò)位半周期的狀態(tài)下連續(xù)進(jìn)行。
由此，讀出MR頭3描繪與寫入側(cè)磁頭3a的螺旋掃描軌跡相同的軌跡，掃描磁盤1。
調(diào)整初始狀態(tài)的各個(gè)頭，以實(shí)質(zhì)上定位于磁盤上的相同軌道上，將各頭裝配在各頭托架6、7上。另外，螺旋掃描從磁盤1的外周向內(nèi)周進(jìn)行，同時(shí)開始兩個(gè)頭托架6、7的驅(qū)動(dòng)。
缺陷檢測(cè)處理控制部54利用總線545相互連接MPU541、存儲(chǔ)器542、CRT顯示器543、鍵盤544等。
存儲(chǔ)器542中存儲(chǔ)缺陷數(shù)據(jù)采樣程序542a、圓周擦傷檢索框設(shè)定程序542b、圓周擦傷檢測(cè)程序542c、圓周擦傷分類程序542d、盤是否合格判定程序542e，設(shè)置存儲(chǔ)了檢索框大小(寬度W、長(zhǎng)度L)、徑向缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW、圓周擦傷的分類基準(zhǔn)值1mm、10mm等的參數(shù)區(qū)域542f以及作業(yè)區(qū)域542g等。
在本實(shí)施例中，設(shè)檢測(cè)的缺陷平均直徑為10微米左右。此時(shí)，制約缺陷數(shù)據(jù)徑向檢索范圍的缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW(參照?qǐng)D2(a))在檢查2.5英寸盤的情況下為1mm左右，對(duì)應(yīng)于徑向的連續(xù)性缺陷(多個(gè)缺陷構(gòu)成列連續(xù)時(shí)的各缺陷)的缺陷數(shù)量為100個(gè)左右。檢查區(qū)域P的寬度、即缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW在這里對(duì)應(yīng)于將分類的中間尺寸的圓周擦傷的最小長(zhǎng)度設(shè)為1mm(這相當(dāng)于想檢測(cè)的中間尺寸圓周擦傷的最小長(zhǎng)度(＝2mm)的1/2)時(shí)(如后所述)。
檢索框(檢索框9(參照?qǐng)D2(b)))為長(zhǎng)方形的追蹤框，在檢查2.5英寸盤的情況下，其大小為寬度W(垂直軸)為50微米，徑向上連續(xù)的缺陷為5個(gè)左右，長(zhǎng)度L(水平軸)為250微米，圓周方向上連續(xù)的缺陷為25個(gè)左右。
這種大小的檢索框如圖2(b)所示，是包入圓周擦傷的部分圓弧斷片的大小的框。如上所述，追蹤連續(xù)性缺陷的檢索框是包入規(guī)定曲率圓周擦傷的圓弧斷片的模板框，圓周擦傷以外的曲線大部分在移動(dòng)檢索框9八次或八次以下后，連續(xù)性缺陷結(jié)束。
對(duì)缺陷數(shù)據(jù)設(shè)定檢索框9例如通過從檢索區(qū)域P中抽出檢索框9內(nèi)的區(qū)域的缺陷數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)在作業(yè)區(qū)域542g的特定部位，對(duì)該存儲(chǔ)的缺陷數(shù)據(jù)進(jìn)行處理來執(zhí)行。此時(shí)，也可包含位于檢索框9的框上的缺陷數(shù)據(jù)。
這里，將寬度W(垂直軸)設(shè)為50微米(＝10微米×5)是在將想檢測(cè)的中間尺寸圓周擦傷的最小長(zhǎng)度設(shè)為2mm時(shí)，沿檢索框9的中心軸O包入其1/8圓弧斷片250微米或以下的圓弧斷片，在寬度方向的前后，具有包入1個(gè)以上多余缺陷的余裕的大小。其原因在于圓周擦傷不在完整的圓上，存在從磁盤內(nèi)周至外周曲率多少有差異的多種圓周擦傷。必需是包入這種圓周擦傷的寬度。設(shè)為該大小時(shí)，徑向上連續(xù)的缺陷必需是5個(gè)左右。作為檢索框9的大小，最好是包入想檢測(cè)的中間尺寸圓周擦傷的最小長(zhǎng)度的1/4圓弧斷片到1/12圓弧斷片的范圍。在所述1/8圓弧斷片的情況下，圓周擦傷以外的曲線大部分在移動(dòng)檢索框9八次或八次以下后，連續(xù)性缺陷結(jié)束。
這里，如圖2(b)所示，檢索框9的寬度W比缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW小，最好為50微米-100微米左右的范圍。其長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于磁盤的半徑或檢測(cè)的圓周擦傷的狀態(tài)來確定，最好為150微米-500微米左右的范圍。另外，缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW(檢查區(qū)域P的寬度)同樣對(duì)應(yīng)于磁盤的半徑或檢測(cè)的圓周擦傷的狀態(tài)來確定，最好為0.5mm-2mm左右。該范圍被設(shè)定為形成為圓周擦傷或類似的拋物線瑕疵的、影響數(shù)據(jù)讀出/寫入的曲線瑕疵變化的范圍。
因此，這里檢測(cè)的圓周擦傷中可包含與圓周擦傷類似的拋物線瑕疵等、在數(shù)據(jù)的讀/寫中成問題的缺陷。
MPU541執(zhí)行缺陷數(shù)據(jù)采樣程序542a，執(zhí)行螺旋掃描，檢查磁盤1的全部軌道，對(duì)應(yīng)于來自旋轉(zhuǎn)編碼器2b的脈沖信號(hào)與磁盤1的徑向的頭4的當(dāng)前位置，算出檢測(cè)缺陷的坐標(biāo)值，將該坐標(biāo)值與表示缺陷種類的數(shù)據(jù)一起，作為缺陷數(shù)據(jù)(關(guān)于各種缺陷的數(shù)據(jù))，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器的作業(yè)區(qū)域542g中。
作為這里的缺陷數(shù)據(jù)，最好以檢測(cè)為穿刺錯(cuò)誤、正調(diào)制錯(cuò)誤、負(fù)調(diào)制錯(cuò)誤、丟失錯(cuò)誤、溢出錯(cuò)誤等錯(cuò)誤的全部缺陷為對(duì)象，但也可對(duì)任一檢測(cè)的缺陷或其中的幾個(gè)檢測(cè)的缺陷檢測(cè)連續(xù)性缺陷。
MPU541對(duì)應(yīng)于與圓周擦傷檢測(cè)相對(duì)應(yīng)的規(guī)定功能鍵輸入，執(zhí)行圓周擦傷檢索框設(shè)定程序542b，根據(jù)從鍵盤544輸入的參數(shù)區(qū)域542f的數(shù)據(jù)，在磁盤上生成W×L的長(zhǎng)方形面積的檢索框(參照?qǐng)D2(b)的檢索框9))的坐標(biāo)值數(shù)據(jù)，并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器的作業(yè)區(qū)域542g中，調(diào)用圓周擦傷檢測(cè)程序542c。
接著，MPU541執(zhí)行圓周擦傷檢測(cè)程序542c，從作業(yè)區(qū)域542g中抽出事先沿徑向設(shè)定的缺陷數(shù)據(jù)檢查寬度RW的磁盤1周大小的檢查區(qū)域P(參照?qǐng)D2(a))，作為檢查區(qū)域P的缺陷數(shù)據(jù)，單獨(dú)存儲(chǔ)在作業(yè)區(qū)域542g的規(guī)定區(qū)域中，讀出存儲(chǔ)在作業(yè)區(qū)域542f中的檢索框9的坐標(biāo)值數(shù)據(jù)，參照檢查區(qū)域P的缺陷數(shù)據(jù)，抽出位于檢索框9的區(qū)域中的缺陷數(shù)據(jù)，檢測(cè)位于檢索框9的區(qū)域內(nèi)的連續(xù)性缺陷。使由檢索框9的坐標(biāo)數(shù)據(jù)形成的檢索框9(參照?qǐng)D2(b))向圓周方向、這里為時(shí)針方向依次移動(dòng)，以便沿缺陷的連續(xù)性缺陷加上檢索框9。
對(duì)于由檢索框追蹤的連續(xù)性缺陷，檢測(cè)包入移動(dòng)前與移動(dòng)后的移動(dòng)的框的整體區(qū)域范圍中的缺陷數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)與長(zhǎng)度，當(dāng)存在規(guī)定值以上的連續(xù)缺陷時(shí)或存在規(guī)定長(zhǎng)度以上的缺陷時(shí)，作為圓周擦傷，將該長(zhǎng)度與坐標(biāo)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在作業(yè)區(qū)域542g的規(guī)定面積中，檢測(cè)檢查區(qū)域P中的全部連續(xù)性缺陷。并且，更新檢查區(qū)域P，在磁盤的整個(gè)面中檢測(cè)連續(xù)性缺陷。
若如此完成磁盤整個(gè)面中的連續(xù)性缺陷檢測(cè)，則調(diào)用圓周擦傷分類程序542d。
接著，MPU541執(zhí)行圓周擦傷分類程序542d，參照參數(shù)區(qū)域542f的圓周缺陷的尺寸分類基準(zhǔn)值(1mm、10mm)，分類成短圓周擦傷(下面稱為短尺寸)、中間圓周擦傷(下面稱為中間尺寸)、長(zhǎng)圓周擦傷(下面稱為長(zhǎng)尺寸)等3種缺陷。
短、中間、長(zhǎng)的尺寸分類以連續(xù)性缺陷的長(zhǎng)度為1mm(＝10微米×100個(gè))以下為短，連續(xù)性缺陷的長(zhǎng)度為10mm(＝10微米×1000個(gè))以上為長(zhǎng)，其間的為中間，分別分類，將缺陷數(shù)據(jù)的個(gè)數(shù)與長(zhǎng)度及其坐標(biāo)(開始點(diǎn)與結(jié)束點(diǎn)的坐標(biāo))存儲(chǔ)在作業(yè)區(qū)域542g中。之后，調(diào)用盤是否合格判定程序542e。
所述圓周擦傷的尺寸分類值也可不是一個(gè)圓周擦傷的長(zhǎng)度，而是圓周擦傷的連續(xù)性缺陷的缺陷列中的總?cè)毕輸?shù)量。此時(shí)，其基準(zhǔn)值為100個(gè)以下與1000個(gè)以上，100個(gè)以下為短，1000個(gè)以上為長(zhǎng)，其間的為中間。
另外，在與檢索框9的長(zhǎng)度L的關(guān)系下，這里使檢索框9移動(dòng)多次、例如4次左右、追蹤檢測(cè)到的連續(xù)性缺陷在所述判定中為短圓周擦傷，檢測(cè)為圓周擦傷的一部分，但短中包含大量未沿圓周方向的曲線缺陷、曲率小的曲線缺陷、相反曲率過大的曲線缺陷的斷片。不必將其處理成有問題的圓周擦傷。有問題的圓周擦傷或大部分圓周擦傷被尺寸分類為具有1mm或以上長(zhǎng)度的中間、長(zhǎng)圓周擦傷。
成問題的中間尺寸、長(zhǎng)尺寸的連續(xù)性缺陷為通過使檢索框9移動(dòng)5次或以上來包入圓周擦傷整體的長(zhǎng)度。檢索框9移動(dòng)5次或以上檢測(cè)的連續(xù)性缺陷的最大長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上為5×(250微米-10微米)。這里，檢索框9的長(zhǎng)度被確定為(250微米-10微米)的原因在于檢索框中的連續(xù)的最后缺陷是接著設(shè)定的檢索框9的開始點(diǎn)。這一點(diǎn)如后所述。
5×(250微米-10微米)的長(zhǎng)度為1mm以上，但4×(250微米-10微米)的長(zhǎng)度為1mm以下。如上所述，雖然想檢測(cè)的中間尺寸圓周擦傷的最小長(zhǎng)度為2mm，但在本例中，中間尺寸圓周擦傷的最小長(zhǎng)度為1mm。因此，作為在1mm-2mm長(zhǎng)度范圍下檢測(cè)的連續(xù)性缺陷，圓周擦傷與各種缺陷所構(gòu)成的線性缺陷被分類成中間圓周擦傷。將中間尺寸的圓周擦傷的最小長(zhǎng)度設(shè)為1mm的原因在于確保合格盤判定的可靠性。根據(jù)這點(diǎn)，將檢索框9的長(zhǎng)度L(＝250微米)作為包入1mm長(zhǎng)度的圓周擦傷的1/4圓弧斷片的長(zhǎng)度來確定。檢索框9加入8次后檢測(cè)的連續(xù)性缺陷的最大長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上為8×(250微米-10微米)，為2mm以下，處理為想檢測(cè)的中間尺寸圓周擦傷的最小長(zhǎng)度2mm的范圍的圓周擦傷。
成問題的圓周擦傷的判定分類也可采用缺陷長(zhǎng)度與缺陷數(shù)量?jī)烧?。只要?duì)應(yīng)于其與條件、或條件來適當(dāng)分類即可。尺寸分類數(shù)量不限于短、中間、長(zhǎng)等3類。
接著，MPU541執(zhí)行盤是否合格判定程序542e，參照作業(yè)區(qū)域542g，首先，判定是否有長(zhǎng)尺寸的圓周擦傷。當(dāng)判定結(jié)果即便有1個(gè)時(shí)，也將檢查磁盤判定為NG，將檢查磁盤存儲(chǔ)在NG盒中。
否則(當(dāng)沒有長(zhǎng)的圓周擦傷時(shí))，接著判定中間尺寸的圓周擦傷是否為規(guī)定數(shù)量以上。規(guī)定數(shù)量例如為10個(gè)，當(dāng)有10個(gè)以上時(shí)，將檢查磁盤判定為NG，將檢查磁盤存儲(chǔ)在NG盒中。
這里，設(shè)為有10個(gè)以上時(shí)的原因在于，包含在1mm-2mm長(zhǎng)度范圍中的圓周擦傷與各種缺陷所構(gòu)成的線性缺陷，通過對(duì)中間尺寸執(zhí)行合格盤的判定，使該判定具有可靠性。
否則，接著判定短尺寸的圓周擦傷是否為規(guī)定數(shù)量以上。該規(guī)定數(shù)量例如為30個(gè)，當(dāng)有30個(gè)以上時(shí)，與成問題的圓周擦傷的有無無關(guān)，將檢查磁盤判定為NG，將檢查磁盤存儲(chǔ)在NG盒中。否則，判定為合格(GD)，將檢查磁盤存儲(chǔ)在合格盒中。
下面，參照?qǐng)D2、圖3的圓周擦傷檢測(cè)的說明圖與圖4的圓周擦傷檢測(cè)處理的流程圖，說明圓周擦傷檢測(cè)處理。
圖2(a)是對(duì)應(yīng)于磁盤1的徑向、具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域P，通過將檢索框9的移動(dòng)限制成檢查區(qū)域P，將檢索缺陷數(shù)據(jù)的范圍限制成檢索寬度RW的范圍。檢索框9在檢查區(qū)域P的范圍內(nèi)沿其追蹤移動(dòng)連續(xù)性缺陷。
檢查區(qū)域P的檢索寬度RW切斷曲線狀連續(xù)性缺陷中未沿圓周方向的曲線缺陷、曲率小的曲線缺陷、相反曲率過大的曲線缺陷。圓周擦傷以外的這些曲線為比圓周擦傷小的斷片。因此，這些曲線的連續(xù)性缺陷在本實(shí)施例中通過移動(dòng)檢索框9八次或以下，結(jié)束連續(xù)性缺陷的檢測(cè)。
圖2(b)是對(duì)應(yīng)于徑向、在缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P的范圍內(nèi)移動(dòng)的檢索框9的移動(dòng)的說明圖。
檢索框9具有寬度W與長(zhǎng)度L，這些寬度W與長(zhǎng)度L的值從鍵盤544輸入后，存儲(chǔ)在參數(shù)區(qū)域542f中。這些值可對(duì)應(yīng)于檢測(cè)的缺陷最小值與盤的半徑等變更。如上所述，寬度W為寬度RW的1/2以下，比缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW小，為包入檢查區(qū)域P的缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW中的大小。
檢索框9的移動(dòng)方向在圖2(b)中為時(shí)針方向，對(duì)應(yīng)于磁盤1的圓周方向。其起始點(diǎn)為檢索框9a(9)中的連續(xù)性缺陷的開始點(diǎn)，其為基準(zhǔn)缺陷Ks。因此，設(shè)定最初的檢索框9，使基準(zhǔn)缺陷Ks與檢索框9左端一邊(在時(shí)針方向的框移動(dòng)中為框的寬度方向的邊)的中央一致。檢索框9的移動(dòng)方向也可如后所述為逆時(shí)針方向，或分別采用兩者作為移動(dòng)方向。
基準(zhǔn)缺陷Ks在檢索框的移動(dòng)過程中為未登錄的最初缺陷。在檢索框9內(nèi)發(fā)現(xiàn)的缺陷將其位置坐標(biāo)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器542的規(guī)定區(qū)域中，登錄后，成為登錄缺陷。因此，未存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器542的規(guī)定區(qū)域中的缺陷成為未登錄缺陷。
檢索框9對(duì)應(yīng)于徑向，在具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P中，沿連續(xù)性缺陷，追蹤沿時(shí)針方向采樣的缺陷數(shù)據(jù)，移動(dòng)磁盤1周(軌道1周)，若無連續(xù)性缺陷，則對(duì)1周的缺陷數(shù)據(jù)查找未登錄缺陷，接著以其為開始點(diǎn)，重復(fù)移動(dòng)。
若1周的缺陷數(shù)據(jù)中無未登錄缺陷，則檢查區(qū)域P再從磁盤的內(nèi)周移動(dòng)到外周，對(duì)采樣的磁盤上的缺陷數(shù)據(jù)，更新設(shè)定檢查區(qū)域P。在該更新后的檢查區(qū)域P中，同樣移動(dòng)檢索框9，檢測(cè)連續(xù)性缺陷。
這里，說明檢查區(qū)域P從內(nèi)周向外周的移動(dòng)。
若對(duì)應(yīng)于徑向、具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P的1周缺陷數(shù)據(jù)中無未登錄缺陷，則對(duì)于1周的缺陷數(shù)據(jù)，檢索框9的檢索完成。之后，沿徑向以RW-α大小向外周側(cè)更新具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P。由此，以缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW僅局部(α大小)重復(fù)的方式，從內(nèi)周向外周移動(dòng)檢查區(qū)域P。重復(fù)寬度α最好是包入2-3個(gè)左右缺陷的寬度。重復(fù)寬度在檢測(cè)的缺陷為10微米左右時(shí)，為20-30微米左右。
在設(shè)定各檢索框9的范圍內(nèi)檢測(cè)的1個(gè)-5個(gè)左右孤立或連續(xù)性缺陷作為無連續(xù)性的缺陷(孤立缺陷)，登錄缺陷的各坐標(biāo)值，忽視其結(jié)果。構(gòu)成之外的連續(xù)性缺陷的各個(gè)缺陷數(shù)據(jù)依次在作業(yè)區(qū)域542g中作為連續(xù)性缺陷，登錄各坐標(biāo)值，其余的構(gòu)成未登錄缺陷。
連續(xù)性缺陷例如通過建立表示連續(xù)性的標(biāo)志、作為連續(xù)性缺陷、存儲(chǔ)位置坐標(biāo)來登錄，與孤立缺陷相區(qū)分?；蚺c孤立缺陷相分離地登錄在連續(xù)性缺陷的區(qū)域中。
如圖2(b)所示，以基準(zhǔn)缺陷Ks(開始點(diǎn)的缺陷)為基準(zhǔn)的最初檢索框9a(9)的方向首先設(shè)定成檢索框9a的長(zhǎng)度L的方向之中心線O與連續(xù)性缺陷的方向一致。中心線O是檢索框9a(9)的長(zhǎng)度方向的框的中心線。圖2(b)的基準(zhǔn)缺陷Ks(檢索框9a的開始點(diǎn))位于檢索框9a的寬度方向一邊與中心線O的交點(diǎn)上。圖2(b)所示的移動(dòng)后的檢索框9b的基準(zhǔn)缺陷Kb(開始點(diǎn))也一樣。
此時(shí)，當(dāng)多個(gè)連續(xù)性缺陷包入檢索框9中時(shí)，采用長(zhǎng)度最長(zhǎng)的連續(xù)性缺陷或缺陷個(gè)數(shù)最多的連續(xù)性缺陷。當(dāng)缺陷數(shù)量或長(zhǎng)度相同時(shí)，還采用包含基準(zhǔn)缺陷Ks(開始點(diǎn)的缺陷)與距包入檢索框9的開始點(diǎn)最遠(yuǎn)的缺陷(缺陷列在檢索框內(nèi)的最后缺陷距開始點(diǎn)最遠(yuǎn))的連續(xù)性缺陷。
這里所謂的連續(xù)性缺陷中，在連續(xù)性缺陷中途缺失規(guī)定數(shù)量以下的缺陷、例如以3個(gè)或以下單位缺失缺陷而不連續(xù)的也視為連續(xù)性缺陷。將忽視3個(gè)或以下的中途缺陷丟失來制作缺陷列的缺陷設(shè)為連續(xù)性缺陷。其原因在于將超過5個(gè)的連續(xù)性缺陷中中途的該程度的缺陷丟失判定為檢查上的檢測(cè)錯(cuò)誤。在10微米左右的缺陷檢測(cè)中，產(chǎn)生通常3個(gè)左右的檢測(cè)缺失。
作為檢索框的移動(dòng)方向，第2個(gè)之后的檢索框9的方向、即檢索框9的連續(xù)性缺陷的追蹤方向(移動(dòng)方向)為檢測(cè)距開始點(diǎn)最遠(yuǎn)的缺陷、連結(jié)開始點(diǎn)與最遠(yuǎn)缺陷的直線上M的方向。由此，可對(duì)應(yīng)于磁盤的半徑或檢測(cè)的圓周擦傷的曲線狀態(tài)來追蹤。
以上執(zhí)行圓周擦傷檢索框設(shè)定程序的處理。
下面說明其細(xì)節(jié)。
首先，參照?qǐng)D3(a)，說明以基準(zhǔn)缺陷Ks為起始的最初的檢索框9的方向確定。
如圖3(a)所示，以基準(zhǔn)缺陷Ks為中心，在±90°(180°)的半圓范圍Q中使檢索框9旋轉(zhuǎn)，檢索位于缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的范圍中的缺陷數(shù)據(jù)中有連續(xù)性的缺陷，在這些缺陷回歸的直線上或連結(jié)這些多個(gè)缺陷的直線上，設(shè)定最初的檢索框9(圖2(b)的檢索框9a)的中心線O。即，使該長(zhǎng)度L方向的中心線O的方向與缺陷形成的直線方向一致，定向檢索框9(9a)。此時(shí)，基準(zhǔn)缺陷Ks位于檢索框9(9a)左端寬度方向的框線上的中央。表示該狀態(tài)的是圖2(b)的檢索框9a。
在指向時(shí)針方向的半圓范圍Q中檢索連續(xù)性缺陷是由于以檢索方向?yàn)闀r(shí)針方向。半圓的角度稍傾斜是由于在其旋轉(zhuǎn)角的位置發(fā)現(xiàn)未登錄缺陷的缺陷列的方向。
下面，說明檢索框9對(duì)連續(xù)性缺陷的追蹤移動(dòng)。
在設(shè)定的檢索框9(圖2(b)的檢索框9a)中，當(dāng)在檢索框9的框區(qū)域中缺陷有連續(xù)性時(shí)，追蹤該連續(xù)性缺陷的下一檢索框9(圖2(b)的檢索框9b)以加入最初的檢索框9(檢索框9a)的形式(連接的形式)設(shè)定。該加入基于缺陷列在檢索框內(nèi)的最后缺陷是下一檢索框的開始點(diǎn)。
檢索框9的追蹤移動(dòng)基于檢索框9中缺陷是否有連續(xù)性。該判定中、檢索框9中缺陷是否有連續(xù)性的判定基于從檢索框9的開始點(diǎn)缺陷起、至有開始點(diǎn)的檢索框的去除1邊后的剩余3邊之一邊的附近(至框線為止包入3個(gè)左右缺陷的長(zhǎng)度)、缺陷是否連續(xù)。換言之，所謂越過檢索框9的缺陷基于檢索框內(nèi)的缺陷列的最后缺陷的坐標(biāo)是否位于距檢索框線的坐標(biāo)3個(gè)(＝30微米)或以上、接近框的位置。不用說，此時(shí)的3個(gè)是由于在10微米左右的缺陷檢測(cè)中通常會(huì)產(chǎn)生3個(gè)左右的檢測(cè)缺失，所以視為連續(xù)性缺陷中途的缺陷缺失在框的附近引起。另外，若在檢索框9的框上有最后的缺陷，則該缺陷恐怕穿越框，構(gòu)成越過下一框的缺陷。
當(dāng)越過檢索框9后缺陷有連續(xù)性時(shí)，如圖2(b)的檢索框9a所示，從缺陷坐標(biāo)中檢索距基準(zhǔn)缺陷Ks最遠(yuǎn)的缺陷，檢測(cè)最遠(yuǎn)的缺陷Ka。將缺陷Ka作為下一檢索框9b的開始點(diǎn)，將連結(jié)前一個(gè)框的開始點(diǎn)的缺陷(基準(zhǔn)缺陷Ks)與最后缺陷Ka的直線M確定為檢索框9b(檢索框9)的方向。將下一檢索框9b的中心線O設(shè)定在該方向上，將檢索框9從檢索框9a的位置移動(dòng)到檢索框9b的位置。換言之，接著構(gòu)成連續(xù)性缺陷的檢索對(duì)象的缺陷數(shù)據(jù)抽出檢索框9b的位置的數(shù)據(jù)來執(zhí)行。
如圖2(b)所示，即便檢索框9b中，也由于越過檢索框9b的框后連續(xù)性缺陷連續(xù)，所以同樣檢索距缺陷Ka(開始點(diǎn)的缺陷)最遠(yuǎn)的缺陷之缺陷坐標(biāo)，檢測(cè)最遠(yuǎn)的缺陷Kb，將其作為下一檢索框9c的開始點(diǎn)，將連結(jié)前一個(gè)檢索框9b的開始點(diǎn)的缺陷(缺陷Ka)與最后缺陷Kb的直線M確定為檢索框9c(檢索框9)的方向。之后同樣邊檢測(cè)越過檢索框9的框的缺陷的連續(xù)性，邊使檢索框9移動(dòng)，追蹤連續(xù)性缺陷。
這樣，只要連續(xù)性缺陷連續(xù)，則在缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的范圍中依次加入檢索框9。該加入移動(dòng)的結(jié)束基于是否無連續(xù)性、或走過3個(gè)后連續(xù)性中斷。另外，檢索框9中的缺陷在超過缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW(檢查區(qū)域P)的范圍時(shí)也結(jié)束。在檢查區(qū)域P中，檢索下一未登錄的基準(zhǔn)缺陷Ks。
如圖3(a)所示，如上所述，最初的檢索框9的檢索方向以基準(zhǔn)缺陷Ks為中心，以長(zhǎng)度L的半徑，使檢索框9在半圓Q的范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)，但此時(shí)，在最初的檢索框9中，超過5個(gè)后連續(xù)的連續(xù)缺陷還在其它方向上時(shí)，在該方向上也依次加入并設(shè)定檢索框9，檢索連續(xù)性缺陷。
這樣，檢測(cè)在檢查區(qū)域P的范圍中依次加入檢索框9后的范圍內(nèi)的各缺陷，作為圓周擦傷，將作業(yè)區(qū)域542a中分別連續(xù)的各缺陷與各連續(xù)性缺陷的各自的缺陷坐標(biāo)一起作為一個(gè)圓周擦傷，依次存儲(chǔ)登錄在存儲(chǔ)器542的規(guī)定區(qū)域中。
不僅基準(zhǔn)缺陷Ks在檢索框9a的范圍內(nèi)的長(zhǎng)度、留在該范圍中的連續(xù)性缺陷也為規(guī)定值以上，這里，因?yàn)閷⑷毕輸?shù)量超過5個(gè)的作為連續(xù)性缺陷，之后執(zhí)行分類處理，故作為圓周擦傷處理。
這樣，在徑向上有寬度的檢索框9的范圍中，一旦檢測(cè)連續(xù)性缺陷后，通過加入檢索框，并且檢測(cè)缺陷的連續(xù)性，可檢測(cè)包入檢查區(qū)域P中的曲線狀連續(xù)性缺陷。并且，通過將該曲線狀連續(xù)性缺陷限定在檢索框9中追蹤，可不影響周圍的線性缺陷，將檢測(cè)的缺陷實(shí)質(zhì)上限定為圓周擦傷。
圖4是該圓周擦傷檢測(cè)的整體處理流程。
首先，由MPU541執(zhí)行缺陷數(shù)據(jù)采樣程序542a，在作業(yè)區(qū)域542g中，與缺陷坐標(biāo)一起，采樣磁盤整個(gè)面的缺陷數(shù)據(jù)(步驟101)。
接著包入是否檢測(cè)圓周擦傷的功能鍵輸入判定(步驟102)。當(dāng)輸入對(duì)應(yīng)于圓周擦傷檢測(cè)的規(guī)定功能鍵以外的鍵時(shí)，變?yōu)镹O，移動(dòng)到對(duì)應(yīng)于該功能鍵的缺陷檢測(cè)處理(步驟103a)。
若輸入對(duì)應(yīng)于圓周擦傷檢測(cè)的規(guī)定功能鍵，則這里變?yōu)閅ES，MPU541執(zhí)行圓周擦傷檢索框設(shè)定程序542b，生成檢索框9的數(shù)據(jù)，制作檢索框9(步驟103)。
接著，MPU541執(zhí)行圓周擦傷檢測(cè)程序542c，對(duì)應(yīng)于徑向，將具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P設(shè)定在磁盤的最內(nèi)周(步驟104)，從作業(yè)區(qū)域542g中，抽出磁盤1周的缺陷數(shù)據(jù)(步驟105)，從未登錄的缺陷中檢索基準(zhǔn)缺陷Ks(步驟106)。
對(duì)基準(zhǔn)缺陷Ks設(shè)定最初的檢索框9(步驟107)，參照位于設(shè)定的檢索框9的區(qū)域范圍中的缺陷數(shù)據(jù)，判定是否有越過檢索框9的連續(xù)性缺陷(步驟108)。這里若為NO，則算出檢索框9中缺陷數(shù)量與缺陷長(zhǎng)度，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器542的規(guī)定作業(yè)區(qū)域542g中(步驟109)。
另外，當(dāng)步驟108的判定為YES時(shí)，檢測(cè)檢索框9的最后缺陷(步驟113)，以最后缺陷的位置為開始點(diǎn)，移動(dòng)檢索框9(步驟114)，返回到步驟108。另外，在下一步驟109中與上述不同，算出移動(dòng)前的檢索框9與移動(dòng)后的檢索框9中的總?cè)毕輸?shù)量與總?cè)毕蓍L(zhǎng)度的合計(jì)，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器542的規(guī)定作業(yè)區(qū)域542g中。
在步驟109之后，根據(jù)有元未登錄缺陷，判定1周的缺陷數(shù)據(jù)的檢索是否結(jié)束(步驟110)，這里為NO時(shí)，返回步驟106，重復(fù)同樣的處理。在步驟110的判定中為YES時(shí)，對(duì)應(yīng)于徑向，將具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P向外周側(cè)移動(dòng)RW-α，更新檢索范圍(步驟111)，判定直至磁盤的外周是否結(jié)束(步驟112)，這里若為NO，則移動(dòng)到步驟105的處理，重復(fù)與上述一樣的處理。
在步驟112的判定中若為YES，則執(zhí)行擦傷缺陷分類處理，包入磁盤的是否合格判定處理(步驟115)。
以上利用檢查區(qū)域P圓周狀地依次更新1周的缺陷數(shù)據(jù)，但可在螺旋或塊對(duì)應(yīng)下，來限制缺陷數(shù)據(jù)的范圍，檢測(cè)圓周擦傷。
圖3(b)是表示該實(shí)施例的說明圖。這是與圖2(b)相反、使檢索框9沿逆時(shí)針方向移動(dòng)的實(shí)例。
對(duì)應(yīng)于螺旋掃描，將檢查區(qū)域P設(shè)定為螺旋狀的檢查區(qū)域Pa，不是1周，而是相對(duì)檢查區(qū)域P，沿圓周方向如檢索塊1、檢索塊2、檢索塊3...地，采樣重復(fù)區(qū)域Da，進(jìn)行塊分割，在各塊對(duì)應(yīng)下抽出缺陷數(shù)據(jù)。之后，對(duì)每個(gè)塊的缺陷數(shù)據(jù)，與圖2(b)反方向，同樣使檢索框9追蹤，在各塊對(duì)應(yīng)下檢測(cè)圓周擦傷。
此時(shí)的檢查區(qū)域P為比相對(duì)磁盤一周的缺陷數(shù)據(jù)的檢索框長(zhǎng)度長(zhǎng)5倍或以上的規(guī)定長(zhǎng)度的塊。對(duì)于依次設(shè)定的檢索塊1、檢索塊2、檢索塊3...的各塊內(nèi)的缺陷數(shù)據(jù)，檢索框9在該塊的范圍中移動(dòng)。
本實(shí)施例的缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的螺旋狀檢查區(qū)域Pa的寬度為檢索框9的寬度W的2倍以上，將其塊長(zhǎng)度作為檢索框9的5倍-10倍的范圍，依次讀出后，將檢查區(qū)域作為塊，在該塊對(duì)應(yīng)下執(zhí)行圓周擦傷的檢測(cè)處理。
在所述各實(shí)施例中，檢索框9的寬度W與長(zhǎng)度L不影響周圍的線性缺陷，選擇成可追蹤圓周擦傷的大小。圓周擦傷不在完整的圓上，在磁盤的內(nèi)周側(cè)與外周側(cè)，曲率多少有差異。因此，考慮這個(gè)因素后，確定檢索框9的寬度W與長(zhǎng)度L。通過檢索框9具有一定程度的寬度，也可由此檢測(cè)拋物線狀的缺陷。
這里的檢索框9是包入各種圓周擦傷的圓弧斷片的大小(長(zhǎng)度與寬度)的框、即模板框，所以可檢測(cè)從磁盤的內(nèi)周至外周曲率多少有差異的多種圓周擦傷。
結(jié)果，可積極地檢測(cè)對(duì)磁盤的是否合格判定有影響的一定程度長(zhǎng)度的圓周擦傷和與其一樣的拋物線等。
并且，在所述實(shí)施例中，即便檢測(cè)越過目前檢索框的長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量的連續(xù)性缺陷，也設(shè)定下一檢索框9的區(qū)域的方向，作為連結(jié)檢索框9的區(qū)域開始點(diǎn)與最后缺陷的方向，所以被檢查區(qū)域P的寬度RW限制后不構(gòu)成圓周曲線狀的線性缺陷接著在下一檢索框9超出框，在8次左右的檢索框的移動(dòng)中檢測(cè)為長(zhǎng)度短的缺陷。
并且，在所述實(shí)施例中，當(dāng)缺陷的連續(xù)性越過檢索框9的區(qū)域時(shí)，將距開始點(diǎn)最遠(yuǎn)的缺陷作為下一檢索框9的區(qū)域的下一開始點(diǎn)。但是，在本發(fā)明中，下一檢索框9的區(qū)域的下一開始點(diǎn)也可以是最遠(yuǎn)的缺陷之后的下一缺陷，不限于最遠(yuǎn)的缺陷。
在所述實(shí)施例中，通過在檢查區(qū)域P的寬度RW中依次移動(dòng)檢索框9的區(qū)域，可以檢索框的長(zhǎng)度沿該曲線追蹤圓周狀的缺陷。由此，可不影響周圍的線性缺陷，將檢測(cè)的較長(zhǎng)長(zhǎng)度的缺陷實(shí)質(zhì)上檢測(cè)為圓周擦傷。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，但在實(shí)施例中，將連續(xù)性的缺陷為3個(gè)或以下的作為有連續(xù)性，通過從檢索框9的開始點(diǎn)的缺陷起至任一邊附近(至框線為止包入3個(gè)左右缺陷的長(zhǎng)度)缺陷是否連續(xù)，認(rèn)定為越過框的連續(xù)性缺陷。因此，本發(fā)明無論有無缺陷的缺失，均可將從框起3個(gè)以下的目前的缺陷作為下一檢索框的開始點(diǎn)的缺陷，替換最遠(yuǎn)的缺陷。不用說，基于同樣的理由，檢索框的移動(dòng)方向也可以是連結(jié)前一開始點(diǎn)的缺陷與3個(gè)以下的目前的缺陷的方向。
另外，在實(shí)施例中，使檢查區(qū)域P從磁盤的內(nèi)周向外周移動(dòng)來設(shè)定，但不用說，本發(fā)明也可相反從外周向內(nèi)周依次移動(dòng)檢查區(qū)域P來設(shè)定。
并且，在實(shí)施例中，缺陷檢測(cè)中螺旋掃描磁盤，但本發(fā)明不限于螺旋掃描磁盤。
權(quán)利要求
1.一種磁盤檢查裝置的圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法，該磁盤檢查裝置具有寫入頭與讀出頭，掃描磁盤并利用所述寫入頭寫入測(cè)試數(shù)據(jù)，利用所述讀出頭讀出所述測(cè)試數(shù)據(jù)，由此檢測(cè)所述磁盤的缺陷，其特征在于所述擦傷缺陷檢測(cè)方法檢查所述磁盤，采樣所述缺陷數(shù)據(jù)與在該所述磁盤上的位置，對(duì)于采樣的缺陷數(shù)據(jù)，沿所述磁盤的徑向以規(guī)定寬度、沿所述磁盤的圓周方向繞所述磁盤一周或沿圓周方向以規(guī)定長(zhǎng)度，設(shè)定所述缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域，對(duì)于所述檢查區(qū)域中的所述缺陷數(shù)據(jù)，以比所述檢查區(qū)域的所述規(guī)定寬度短的寬度，設(shè)置沿與該寬度成直角的方向、具有比所述規(guī)定長(zhǎng)度短的長(zhǎng)度的長(zhǎng)方形檢索框，檢測(cè)在所述檢索框的區(qū)域內(nèi)、多個(gè)缺陷排成列后連續(xù)的連續(xù)性缺陷，與檢測(cè)出的連續(xù)性缺陷連續(xù)的方向相一致，依次移動(dòng)所述檢索框，以便所述檢測(cè)出的連續(xù)性缺陷只要在所述檢查區(qū)域內(nèi)連續(xù)，則包入所述檢索框的區(qū)域內(nèi)，檢測(cè)移動(dòng)前與移動(dòng)后的所述檢索框的整個(gè)區(qū)域內(nèi)的、所述檢測(cè)出的連續(xù)性缺陷的長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量，檢測(cè)該長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量為規(guī)定值以上的缺陷，作為所述檢查區(qū)域中的圓周方向的擦傷缺陷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法，其特征在于所述連續(xù)性缺陷是以缺陷個(gè)數(shù)超過5個(gè)的數(shù)量形成列的缺陷，所述檢索框的大小具有包入想檢測(cè)的最小所述圓周方向的擦傷缺陷長(zhǎng)度的1/4的圓弧、或更小的圓弧的長(zhǎng)度與寬度，通過移動(dòng)所述檢索框5次或5次以上，檢測(cè)圓周方向的擦傷缺陷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法，其特征在于所述連續(xù)性缺陷選擇所述檢查區(qū)域的所述缺陷數(shù)據(jù)中某個(gè)缺陷作為所述檢索框的開始點(diǎn)，檢測(cè)所述某個(gè)缺陷之后的缺陷，所述檢索框的移動(dòng)檢測(cè)所述檢索框內(nèi)的所述連續(xù)性缺陷長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量，在存在越過所述檢索框的所述連續(xù)性缺陷的情況下，以距所述開始點(diǎn)最遠(yuǎn)的缺陷或距所述開始點(diǎn)3個(gè)缺陷以下的之前缺陷為下一所述檢索框的下一開始點(diǎn)缺陷，接著移動(dòng)所述檢索框。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法，其特征在于所述檢索框的開始點(diǎn)的位置為所述長(zhǎng)方形寬度方向的一邊與所述長(zhǎng)度方向上的框的中心線的交點(diǎn)，所述檢索框的移動(dòng)方向由所述中心線在連結(jié)移動(dòng)前的所述檢索框的所述開始點(diǎn)與所述最后缺陷或所述3個(gè)缺陷以下的之前缺陷的方向上來確定。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法，其特征在于采樣的所述缺陷數(shù)據(jù)通過檢查所述磁盤的整個(gè)面來得到，所述連續(xù)性缺陷還包含在所述缺陷列的中途缺失缺陷的規(guī)定數(shù)量或以下的缺陷，所述檢查區(qū)域沿所述徑向從所述磁盤的內(nèi)周向外周或反向依次設(shè)定。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法，其特征在于所述缺陷的規(guī)定數(shù)量為3個(gè)或3個(gè)以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法，其特征在于檢測(cè)為所述連續(xù)性缺陷的缺陷通過被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中來登錄，所述某個(gè)缺陷是未登錄的缺陷，所述檢查區(qū)域的所述規(guī)定寬度為0.5mm-2mm的范圍，所述檢查區(qū)域的長(zhǎng)度比所述規(guī)定寬度大，所述檢索框的寬度為50微米-100微米的范圍，其長(zhǎng)度為150微米-500微米的范圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法，其特征在于對(duì)于所述磁盤一周大小的所述缺陷數(shù)據(jù)，將所述檢查區(qū)域分割成長(zhǎng)度為所述檢索框長(zhǎng)度的5倍或以上的多個(gè)塊，對(duì)該分割的塊的所述缺陷數(shù)據(jù)，設(shè)定所述檢索框，且檢索框在所述塊的范圍內(nèi)移動(dòng)。
9.一種磁盤檢查裝置，該磁盤檢查裝置具有寫入頭與讀出頭，掃描磁盤并利用所述寫入頭寫入測(cè)試數(shù)據(jù)，利用所述讀出頭讀出所述測(cè)試數(shù)據(jù)，由此檢測(cè)所述磁盤的缺陷，其特征在于具備缺陷數(shù)據(jù)采樣部件，檢查所述磁盤，采樣所述缺陷數(shù)據(jù)與在該所述磁盤上的位置；檢查區(qū)域設(shè)定部件，沿所述磁盤的徑向以規(guī)定寬度、沿所述磁盤的圓周方向繞所述磁盤一周或沿圓周方向以規(guī)定長(zhǎng)度，設(shè)定所述缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域；長(zhǎng)方形檢索框，對(duì)于所述檢查區(qū)域中的所述缺陷數(shù)據(jù)，寬度比所述檢查區(qū)域的所述規(guī)定寬度短，沿與該寬度成直角的方向，比所述規(guī)定長(zhǎng)度短；連續(xù)性缺陷檢測(cè)部件，檢測(cè)在所述檢索框的區(qū)域內(nèi)、多個(gè)缺陷排成列后連續(xù)的連續(xù)性缺陷；和檢索框移動(dòng)部件，與檢測(cè)出的所述連續(xù)性缺陷連續(xù)的方向相一致，依次移動(dòng)所述檢索框，以便所述檢測(cè)出的連續(xù)性缺陷只要在所述檢查區(qū)域內(nèi)連續(xù)，則包入所述檢索框的區(qū)域內(nèi)，檢測(cè)移動(dòng)前與移動(dòng)后的所述檢索框的整個(gè)區(qū)域內(nèi)的、所述檢測(cè)出的連續(xù)性缺陷的長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量，檢測(cè)該長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量為規(guī)定值以上的缺陷，作為所述檢查區(qū)域中的圓周方向的擦傷缺陷。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤檢查裝置，其特征在于所述連續(xù)性缺陷是以缺陷個(gè)數(shù)超過5個(gè)的數(shù)量形成列的缺陷，所述檢索框的大小具有包入想檢測(cè)的最小所述圓周方向的擦傷缺陷長(zhǎng)度的1/4的圓弧、或更小的圓弧的長(zhǎng)度與寬度，通過移動(dòng)所述檢索框5次或5次以上，檢測(cè)圓周方向的擦傷缺陷。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的磁盤檢查裝置，其特征在于所述連續(xù)性缺陷檢測(cè)部件選擇所述檢查區(qū)域的所述缺陷數(shù)據(jù)中某個(gè)缺陷作為所述檢索框的開始點(diǎn)，檢測(cè)所述某個(gè)缺陷之后的缺陷，所述檢索框移動(dòng)部件檢測(cè)所述檢索框內(nèi)的所述連續(xù)性缺陷的長(zhǎng)度或缺陷數(shù)量，在存在越過所述檢索框的所述連續(xù)性缺陷的情況下，以距所述開始點(diǎn)最遠(yuǎn)的缺陷或距所述開始點(diǎn)3個(gè)缺陷以下的之前缺陷為下一所述檢索框的下一開始點(diǎn)缺陷，接著移動(dòng)所述檢索框。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁盤檢查裝置，其特征在于所述檢索框的開始點(diǎn)的位置為所述長(zhǎng)方形寬度方向的一邊與所述長(zhǎng)度方向上的框的中心線的交點(diǎn)，所述檢索框的移動(dòng)方向由所述中心線在連結(jié)移動(dòng)前的所述檢索框的所述開始點(diǎn)與所述最后缺陷或所述3個(gè)缺陷以下的之前缺陷的方向上來確定。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁盤檢查裝置，其特征在于采樣的所述缺陷數(shù)據(jù)通過檢查所述磁盤的整個(gè)面來得到，所述連續(xù)性缺陷還包含在所述缺陷列的中途缺失缺陷的規(guī)定數(shù)量或以下的缺陷，所述檢查區(qū)域沿所述徑向從所述磁盤的內(nèi)周向外周或反向依次設(shè)定。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤檢查裝置，其特征在于所述缺陷的規(guī)定數(shù)量為3個(gè)或3個(gè)以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的磁盤檢查裝置，其特征在于檢測(cè)為所述連續(xù)性缺陷的缺陷通過被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中來登錄，所述某個(gè)缺陷是未登錄的缺陷，所述檢查區(qū)域的所述規(guī)定寬度為0.5mm-2mm的范圍，所述檢查區(qū)域的長(zhǎng)度比所述規(guī)定寬度大，所述檢索框的寬度為50微米-100微米的范圍，其長(zhǎng)度為150微米-500微米的范圍。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁盤檢查裝置，其特征在于具有處理器與存儲(chǔ)器，所述連續(xù)性缺陷檢測(cè)部件具有所述檢索框設(shè)定部件，選擇所述檢查區(qū)域的所述缺陷數(shù)據(jù)中某個(gè)缺陷作為所述檢索框的開始點(diǎn)，檢測(cè)所述某個(gè)缺陷之后的缺陷，所述缺陷數(shù)據(jù)采樣部件、所述連續(xù)性缺陷檢測(cè)部件與所述檢索框移動(dòng)設(shè)定部件通過所述處理器執(zhí)行存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的程序來實(shí)現(xiàn)。
全文摘要
提供一種圓周方向的擦傷缺陷檢測(cè)方法和磁盤檢查裝置，可不使盤生產(chǎn)合格率降低，利用電氣特性檢查來高效檢測(cè)圓周擦傷。本發(fā)明沿磁盤的徑向以規(guī)定寬度、沿磁盤的圓周方向繞磁盤一周或沿圓周方向以規(guī)定長(zhǎng)度，設(shè)定缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域，對(duì)該檢查區(qū)域限制缺陷數(shù)據(jù)，使細(xì)長(zhǎng)的檢索框在其中移動(dòng)，追蹤檢測(cè)檢索框的區(qū)域內(nèi)的連續(xù)性缺陷，從而僅有選擇地檢測(cè)磁盤具有的、接近圓的曲率較大的曲線狀連續(xù)性缺陷，將其作為圓周狀的缺陷。
文檔編號(hào)G11B5/00GK101079303SQ20071010509
公開日2007年11月28日 申請(qǐng)日期2007年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月22日
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