專利名稱：垂直磁記錄頭和磁盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及一種帶有側(cè)護(hù)罩的垂直磁記錄頭和包括所述垂直磁記錄頭的磁盤裝置。
背景技術(shù)：
在垂直記錄系統(tǒng)的磁盤裝置中，垂直寫入磁頭在主磁極后沿附近在磁盤上進(jìn)行記錄。然而，如果垂直寫入磁頭置于所述磁盤的內(nèi)周或外周，所述主磁極的縱向會(huì)相對(duì)于磁道方向嚴(yán)重偏斜。角度非常偏斜的寫入磁頭導(dǎo)致不僅要在所述主極的后沿還要在側(cè)沿進(jìn)行寫操作。這樣，所述主極的側(cè)沿可能不利地擦掉部分已經(jīng)記錄在相鄰磁道中的信號(hào)(側(cè)擦除，sideerase)。當(dāng)記錄磁道之間的防護(hù)帶的寬度增大以避免在所述主磁極的側(cè)沿可能發(fā)生的側(cè)擦除，磁道密度就很難提高。
垂直寫入磁頭已為人所知，其有主磁極、輔助磁極(返回極)和被加工包圍在空氣軸承表面(air bearing surface)中的所述主磁極的后沿和側(cè)沿的側(cè)護(hù)罩。所述側(cè)護(hù)罩從所述主磁極的后沿附近延伸至輔助磁極，所述側(cè)護(hù)罩的后沿連接到所述輔助磁極(日本專利申請(qǐng)KOKAI公開NO.2005-190518)。由于所述側(cè)護(hù)罩的存在，所述垂直寫入磁頭能減小由所述主磁極的側(cè)沿引起的擦除寬度。然而，如上所述配置的側(cè)護(hù)罩可能降低所述主磁極在其正下方的記錄能力，導(dǎo)致重寫不足。這樣，不利地是不能達(dá)到高信號(hào)質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種垂直磁記錄頭和一種磁盤裝置，其能阻止在主磁極的側(cè)沿可能發(fā)生的側(cè)擦除而不降低所述主磁極的記錄能力。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種垂直磁記錄頭，包括主磁極，其產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)；以及側(cè)護(hù)罩，與所述主磁極在跨磁道方向磁性地間隔開，其中離所述主磁極最近的所述側(cè)護(hù)罩的后沿上的點(diǎn)位于所述主磁極的后沿的前側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種垂直磁記錄頭，包括主磁極，其產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)；返回極，為所述記錄磁場(chǎng)形成閉合磁回路；及側(cè)護(hù)罩，與所述主磁極在跨磁道方向磁性地間隔開，其中離所述主磁極最近的所述側(cè)護(hù)罩的后沿上的點(diǎn)位于所述主磁極的后沿的前側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種磁盤裝置，包括磁盤，其包括基底、和設(shè)置在所述基底上的軟襯層與具有沿磁盤平面垂直方向的易磁化軸的垂直記錄層；及旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器，任何上述垂直磁記錄頭安裝在其上，所述旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器被配置成在所述磁盤上對(duì)所述垂直磁記錄頭進(jìn)行定位。
根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄頭和磁盤裝置能阻止所述主磁極的側(cè)沿處可能發(fā)生的側(cè)擦除并保持所述主磁極的在磁道上的記錄能力。這有助于提高磁道密度。
本發(fā)明另外的目的和優(yōu)點(diǎn)將在后面的描述中進(jìn)行闡述，并且根據(jù)本描述在某種程度上將會(huì)容易理解或者可根據(jù)本發(fā)明的實(shí)踐可以知悉。本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)可以通過下文詳細(xì)描述的手段和組合實(shí)現(xiàn)得到。


結(jié)合于此并構(gòu)成說(shuō)明書一部分的附圖，舉例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，并與以上給出的總的描述及以下給出的實(shí)施例的詳細(xì)描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1A和1B是描述磁頭在偏斜的角度時(shí)出現(xiàn)的問題的示圖；圖2是顯示包括根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的磁頭和垂直記錄介質(zhì)的垂直磁盤裝置的剖視圖；圖3是顯示圖2中的寫入磁頭的透視圖；圖4是圖2中的寫入磁頭從空氣軸承表面(ABS)觀看的平面圖；
圖5是根據(jù)第二實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖；圖6是根據(jù)第三實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖；圖7是根據(jù)第四實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖；圖8A和8B是示出擦除帶寬的示圖；圖9示出了擦除帶寬EB的差和SSW/PL比率之間的關(guān)系；圖10是說(shuō)明主磁極傾斜角的示圖；圖11示出了當(dāng)使用具有不同傾斜角的主磁極時(shí)觀察到的擦除帶寬EB的差和SSW/PL比率之間的關(guān)系；圖12示出了SSP/SSW比與傾斜角的依賴關(guān)系，通過該SSP/SSW比可以施加減小擦除帶的效應(yīng)；圖13是從根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的寫入磁頭漏出的磁場(chǎng)的二維分布示圖；圖14A和14B分別是根據(jù)第五實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖及所述寫入磁頭的透視圖；圖15是根據(jù)第六實(shí)施例的磁頭的透視圖；圖16A和16B分別是根據(jù)第七實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖和所述寫入磁頭的透視圖；圖17是說(shuō)明根據(jù)第七實(shí)施例的寫入磁頭的效果示圖；圖18是根據(jù)第八實(shí)施例的寫入磁頭的透視圖；圖19是根據(jù)第九實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置透視圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種垂直磁記錄頭，包括主磁極，其產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)；返回極，該返回極為所述記錄磁場(chǎng)形成閉合磁回路；及側(cè)護(hù)罩，其與所述主磁極在跨磁道方向在磁性上間隔開，其中離所述主磁極最近的所述側(cè)護(hù)罩的后沿上的點(diǎn)位于所述主磁極的后沿的前側(cè)。
首先，參考圖1A和1B，描述磁頭在偏斜的角度時(shí)出現(xiàn)的問題。圖1A示出主磁極31相對(duì)于磁道方向的偏斜角STH。圖中參考號(hào)碼32表示返回極。如圖所示，偏斜角較大時(shí)，寫操作不僅要在所述主磁極31的后沿還要在所述主磁極31的側(cè)沿進(jìn)行。這樣，所述主磁極31的側(cè)沿可能不利地擦除已經(jīng)記錄在相鄰磁道中的信號(hào)(側(cè)擦除)。如圖1B所示，當(dāng)記錄磁道之間的防護(hù)帶寬度增大以避免可能由所述主磁極31的側(cè)沿造成的側(cè)擦除時(shí)，磁道密度很難提高。
本發(fā)明提供一種垂直磁記錄頭和磁盤裝置，其能阻止在所述主磁極的所述側(cè)沿可能發(fā)生的側(cè)擦除而不降低所述主磁極的記錄能力。
圖2是剖視圖，顯示垂直磁盤裝置，包括根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的磁頭和垂直記錄介質(zhì)。圖3是顯示圖2中的寫入磁頭的透視圖。圖4是圖2中的寫入磁頭從空氣軸承表面(ABS)觀看的平面圖。
磁盤10是垂直雙層介質(zhì)，包括基底11和設(shè)置在基底11上的軟磁性襯層12及在與磁盤平面垂直的方向上具有各向異性的垂直記錄層13。
所述磁頭是獨(dú)立型的，具有彼此分離的讀磁頭20和寫入磁頭30。讀磁頭20包括磁阻膜22和位于磁阻膜22的前側(cè)和后側(cè)的防護(hù)膜21和23。
所述寫入磁頭具有含有高磁導(dǎo)率材料的主磁極31，主磁極31在與磁盤平面垂直的方向上產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)，所述寫入磁頭還具有在跨磁道方向與主磁極31磁性隔開并由高磁導(dǎo)率材料形成的側(cè)護(hù)罩41、位于主磁極31后側(cè)以有效地通過主磁極31正下方的磁盤10的軟磁性襯層12為記錄磁場(chǎng)形成閉合磁回路的返回極32、及纏繞在連接主磁極31和返回極32的磁回路上的線圈33，所述線圈33的位置與ABS間隔開以使磁通量流過主磁極31。返回極32不是必需提供的。
如這些圖中所示，在與主磁極31最近的側(cè)護(hù)罩41的后沿上的點(diǎn)X位于主磁極31的后沿的前側(cè)。
在這一實(shí)施例中，主磁極31的前沿比其后沿窄。側(cè)護(hù)罩41位于主磁極31的前側(cè)的位置并與主磁極31相鄰，這樣被分成位于主磁極31兩側(cè)的兩部分。兩個(gè)側(cè)護(hù)罩41的側(cè)沿沿著主磁極31的側(cè)沿形成。側(cè)護(hù)罩41從ABS向遠(yuǎn)離主磁極31的方向凹進(jìn)去。
圖4示出了評(píng)估所述寫入磁頭性能的參數(shù)，返回極32的前沿與側(cè)護(hù)罩41的后沿上的離主磁極31最近的點(diǎn)X之間的距離SSW，主磁極31的極長(zhǎng)PL，主磁極31和側(cè)護(hù)罩41之間最短的距離SSP，及返回極32的前沿與主磁極31的后沿之間的間隙長(zhǎng)度WG。
這里，離主磁極31最近的側(cè)護(hù)罩41的后沿上的點(diǎn)被確定為X。距離SSW定義為返回極32的前沿與最近的點(diǎn)X之間的距離。理由如下。在沒有任何偏斜角時(shí)，如圖4所示，側(cè)護(hù)罩41的后沿可能不與跨磁道方向平行，卻可能相對(duì)于跨磁道方向偏斜(這將在下面描述)。不管側(cè)護(hù)罩41的形狀，寫入磁頭的性能都可以利用返回極32的前沿與離主磁極31最近的側(cè)護(hù)罩41的后沿上的點(diǎn)X之間的距離SSW這一參數(shù)進(jìn)行評(píng)估。然而，當(dāng)側(cè)護(hù)罩41的后沿與跨磁道方向平行時(shí)，如圖4所示，返回極32的前沿與側(cè)護(hù)罩41的后沿之間的距離SSW在任何位置都是常數(shù)。因此，距離SSW在下文中可簡(jiǎn)單地指返回極32和側(cè)護(hù)罩41之間的距離。
如果不提供返回極32，相應(yīng)于距離SSW的參數(shù)是主磁極31的后沿與側(cè)護(hù)罩41的后沿上離主磁極31最近的點(diǎn)X之間的距離SZ。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖。在此圖中，主磁極31的前沿的寬度幾乎與其后沿寬度相等。側(cè)護(hù)罩42位于主磁極31前側(cè)的附近，被分成置于主磁極31的兩側(cè)的兩部分。兩側(cè)護(hù)罩42的側(cè)沿分別沿著主磁極31的側(cè)沿形成。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖。在此圖中，主磁極31的前沿的寬度幾乎與其后沿寬度相等。側(cè)護(hù)罩43位于主磁極31的前側(cè)的附近，被分成置于主磁極31的兩側(cè)的兩部分。兩個(gè)側(cè)護(hù)罩43的側(cè)沿與主磁極31之間的距離在前側(cè)較短且在后側(cè)較長(zhǎng)。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖。圖7所示在ABS上主磁極31和側(cè)護(hù)罩44的形式幾乎與圖4中相同。然而，在圖7中，主磁極31具有多層結(jié)構(gòu)，其中磁性層311和非磁性層312沿磁道方向交替層疊。側(cè)護(hù)罩44具有多層結(jié)構(gòu)，其中磁性層441和非磁性層442沿磁道方向交替層疊。
在本發(fā)明的各實(shí)施例中，擦除帶寬度用作評(píng)估寫入磁頭的性能的指數(shù)。參考圖8A和8B來(lái)描述擦除帶寬度。如圖8A和8B所示，要對(duì)準(zhǔn)的中心磁道表示為TR1，并且在所述中心磁道兩側(cè)的相鄰磁道表示為TR2和TR3。。
首先，如圖8A所示，記錄信號(hào)P2和P3被記錄在中心磁道TR1兩側(cè)相鄰的磁道TR2和TR3上。記錄信號(hào)P2和P3的磁道寬度定義為磁道輪廓中峰值V的半寬ML2和ML3。在相鄰的磁道TR2中，記錄是在TR2和TR1之間的距離小于記錄信號(hào)P2的磁道寬度ML2的位置進(jìn)行的。在相鄰的磁道TR3中，記錄是在TR3和TR1之間的距離小于記錄信號(hào)P3的磁道寬度ML3的位置進(jìn)行的。
然后，如圖8B所示，記錄信號(hào)P1記錄在中心磁道TR1中。在中心磁道TR1中記錄后，寫在中心磁道TR1兩側(cè)相鄰的磁道TR2和TR3上的記錄信號(hào)P2和P3變成了輸出值減小且記錄寬度減小的信號(hào)PM2和PM3。圖8B用實(shí)線示出了信號(hào)PM2和PM3的磁道輪廓圖。在圖8B中，相應(yīng)于圖8A中記錄信號(hào)P2和P3的輸出值V的半值的記錄信號(hào)PM2和PM3之間的距離定義為擦除寬度EL?？梢源_定較大的擦除寬度EL表示相鄰的磁道被擦除，并且較小的擦除寬度EL表示相鄰的磁道較少地被擦除。因此，擦除寬度EL的值大使得可以評(píng)估所述寫入磁頭的性能。類似地，可以基于擦除帶寬度EB＝擦除寬度EL-磁記錄寬度ML2(或ML3)來(lái)評(píng)估寫入磁頭的性能。
圖9是顯示擦除帶寬度EB的差和SSW(所述返回極和所述側(cè)護(hù)罩之間的距離)與PL(所述主磁極的極長(zhǎng))之比SSW/PL之間的關(guān)系的示圖。圖9中縱坐標(biāo)軸上擦除帶寬度EB的差是指沒有側(cè)護(hù)罩的寫入磁頭和有側(cè)護(hù)罩的寫入磁頭之間的擦除帶寬度的差；所述寫入磁頭具有相等的記錄能力。因此，如果帶有所述側(cè)護(hù)罩的寫入磁頭使得擦除帶寬度EB的差值是負(fù)的，這意味著可能發(fā)生的側(cè)擦除能被抑制。圖9示出根據(jù)第一和第三實(shí)施例的寫入磁頭的結(jié)果。該圖形表示當(dāng)SSW/PL比在1/3和1之間時(shí)兩個(gè)寫入磁頭都能減小擦除帶寬度。
擦除帶寬度EB也受到主磁極的傾斜角的影響。如圖10所示，傾斜角θb(度)是所述主磁極的側(cè)沿與向下的磁道方向之間的角。
對(duì)于圖4中所示示例的磁頭，擦除帶寬度差是利用具有不同傾斜角θb(度)的兩個(gè)主磁極31并改變SSP和SSW進(jìn)行測(cè)量的。圖11示出了擦除帶寬度EB的差和SSP與SSW的比SSP/SSW之間的關(guān)系。該圖表明擦除帶寬度EB的差隨著SSP/SSW一直減小，顯示了減小擦除帶的效果。例如，在傾斜角θb(度)為9度時(shí)，在0.1＜SSP/SSW＜0.35的范圍中，擦除帶能減小到低于傳統(tǒng)的磁頭的擦除帶。在傾斜角θb(度)為5度時(shí)，在0.1＜SSP/SSW＜0.5的范圍中，擦除帶能減小到低于傳統(tǒng)的磁頭的擦除帶。
圖12示出了對(duì)減小擦除帶有影響的SSP/SSW比對(duì)傾斜角的依存關(guān)系。該圖顯示施加減小擦除帶的效應(yīng)的范圍是0.1＜SSP/SSW＜0.7。另外，SSP/SSW的上限值依賴于傾斜角θb(度)，并表述為-0.034×θb+0.67。因此，減小擦除帶的效應(yīng)尤其在滿足0.1＜SSP/SSW＜-0.034×θb+0.67的關(guān)系的范圍內(nèi)實(shí)施。
另外，所述返回極和所述側(cè)護(hù)罩之間的距離SSW優(yōu)選為至少是所述返回極和所述主磁極之間的間隙長(zhǎng)度WG的兩倍。
圖13是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖，該平面圖被從寫入磁頭泄漏的磁場(chǎng)的二維分布疊加。該寫入磁頭包括后沿位于主磁極31的后沿的前側(cè)的側(cè)護(hù)罩41。這使得主磁極31的后沿附近的磁場(chǎng)強(qiáng)度保持與由沒有任何側(cè)護(hù)罩的寫入磁頭得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度相當(dāng)。此外，如同參考圖9所述，側(cè)護(hù)罩41使得能夠減小由主磁極31的側(cè)沿引起的擦除帶寬度EE3。
另一方面，如同已經(jīng)提到的日本專利申請(qǐng)KOKAI公開NO.2005-190518中所述，利用一種其具有從所述主磁極的后沿附近延伸到返回極并連接到返回極的側(cè)護(hù)罩的寫入磁頭，可以減小所述擦除帶寬度，但所述主磁極的后沿的磁場(chǎng)強(qiáng)度減小，降低了磁道上記錄圖案的信號(hào)質(zhì)量。因此，傳統(tǒng)的技術(shù)能提高磁道密度，但不利的是不能提高線性密度，進(jìn)而不能提高所述磁盤裝置的記錄密度。
圖14A和14B分別是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖及所述寫入磁頭的透視圖。在該寫入磁頭中的側(cè)護(hù)罩45設(shè)置在主磁極31的前側(cè)，并與主磁極31的側(cè)沿和前沿在磁性上間隔開。然而，與圖4中的側(cè)護(hù)罩41不同，側(cè)護(hù)罩45不分成置于主磁極31的兩側(cè)的兩部分。
同樣在該寫入磁頭中，優(yōu)選返回極32和側(cè)護(hù)罩45之間的距離SSW與主磁極的極長(zhǎng)PL之比SSW/PL大致在1/3與1之間。
圖15是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的磁頭的透視圖。在寫入磁頭中側(cè)護(hù)罩46通過連接部分51連接到讀磁頭中的防護(hù)膜23。防護(hù)膜23和側(cè)護(hù)罩46可以在比ABS更靠里的面連接。
圖16A和16B分別是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的寫入磁頭從ABS觀察的平面圖和所述寫入磁頭的透視圖。在該寫入磁頭中的側(cè)護(hù)罩47與主磁極31在跨磁道方向磁性隔離開，并分成置于主磁極31的前側(cè)附近在主磁極31兩側(cè)的兩部分。然而，側(cè)護(hù)罩47在遠(yuǎn)離主磁極31的位置連接到返回極32。
參考圖17，將描述根據(jù)第七實(shí)施例的寫入磁頭的效果。圖17示出了擦除帶寬度EB的差和BW(主磁極31的后沿的角與側(cè)護(hù)罩47和返回極32之間的連接處之間的距離)與SSP(主磁極31和側(cè)護(hù)罩47之間的最短距離)之比BW/SSP之間的關(guān)系。
這里，圖17中的縱軸上擦除帶寬度EB的差類似于參考圖9所述。圖17表明BW/SSP比為3或更大對(duì)減小擦除帶寬度是有效的。特別地，BW/SSP比為10或更大對(duì)減小擦除帶寬度非常有效。
圖18是根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的寫入磁頭的透視圖。類似于圖16B中側(cè)護(hù)罩47，在該寫入磁頭中的側(cè)護(hù)罩48在跨磁道方向與主磁極31磁性隔開，并分成置于主磁極31前側(cè)附近在主磁極31兩側(cè)的兩部分。然而，側(cè)護(hù)罩48在遠(yuǎn)離主磁極31的位置連接到返回極32。注意側(cè)護(hù)罩48的形狀與側(cè)護(hù)罩47不同。
同樣對(duì)于該寫入磁頭，如參照?qǐng)D17所述，BW/SSP比為3或更大對(duì)減小擦除帶寬度是有效的。BW/SSP比為10或更大對(duì)減小擦除帶寬度非常有效。
圖19是根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的寫入磁頭的平面圖。該寫入磁頭的主磁極31具有逐漸變細(xì)的前側(cè)沿，以及比后沿窄的前沿。在該寫入磁頭中的側(cè)護(hù)罩49在跨磁道方面與主磁極31磁性隔開，并分成置于主磁極31前側(cè)附近在主磁極31兩側(cè)的兩部分。然而，側(cè)護(hù)罩49在遠(yuǎn)離主磁極31的位置連接到返回極32。
當(dāng)SSW/PL比大致在1/3和1之間時(shí)，該寫入磁頭也能減小擦除帶寬度。進(jìn)一步，當(dāng)BW與主磁極31和側(cè)護(hù)罩49之間最短距離SSPk之比BW/SSPk為3或更大，尤其是10或者更大時(shí)，所述擦除帶寬度會(huì)有效地減小。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄頭能夠抑制在偏斜的主磁極的側(cè)沿可能產(chǎn)生的側(cè)擦除，而不降低所述主磁極的記錄能力。這對(duì)提高垂直磁記錄裝置的記錄密度非常有幫助。
圖20是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置透視圖。該磁記錄裝置具有垂直磁性盤及配置為在所述磁盤上定位垂直磁記錄頭的旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器。
如圖2所示，磁盤10是垂直雙層介質(zhì)，包括軟磁性底層及帶有在與磁盤平面垂直的方向上各向異性的垂直記錄層。記錄磁道在磁盤10上同心地形成。磁盤10可旋轉(zhuǎn)地安裝在置于外殼100內(nèi)的主軸馬達(dá)101上。旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器包括致動(dòng)器臂103、懸架104、磁頭滑塊105及音圈電機(jī)(VCM)106。
樞軸102安裝在磁盤10的附近。致動(dòng)器臂103附于樞軸102。懸架104保持于致動(dòng)器臂103的一端。磁頭滑塊105支撐于懸架104的底表面上。讀磁頭和寫入磁頭形成于磁頭滑塊105中，如圖2所示。該寫入磁頭是，例如，如第一到第九實(shí)施例中所述的任何一種。音圈電機(jī)106作為一種致動(dòng)裝置安裝在致動(dòng)器臂103的另一端。音圈電機(jī)106驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器臂103、懸架104和磁頭滑塊105，以使所述寫入磁頭在磁盤10上定位于任何半徑的位置。
在如圖20所示的帶有所述旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器的磁盤裝置中，當(dāng)在磁盤10的內(nèi)圍或外圍定位時(shí)，寫入磁頭傾斜了很大的角度，如圖1所示。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的寫入磁頭即使是偏斜角很大也能抑制在所述主磁極的邊沿可能發(fā)生的側(cè)擦除，而不降低所述主磁極的記錄能力。
其他的優(yōu)點(diǎn)和修改對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員是容易的。因此，本發(fā)明在其更廣的方面并不局限于這些具體細(xì)節(jié)及這里示出并描述的代表性實(shí)施例。因此，在不背離所附權(quán)利要求及其等同內(nèi)容所限定的總的發(fā)明構(gòu)思的精神或范圍的情況先可以作出各種修改。
權(quán)利要求
1.一種垂直磁記錄頭，其特征在于包括主磁極(31)，其產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)；及側(cè)護(hù)罩(41)，該側(cè)護(hù)罩在跨磁道方向與所述主磁極(31)在磁性上間隔開，其中，離所述主磁極(31)最近的所述側(cè)護(hù)罩(41)的后沿上的點(diǎn)位于所述主磁極(31)的后沿的前側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄頭，其特征在于所述主磁極(31)的所述后沿和離所述主磁極(31)最近的所述側(cè)護(hù)罩(41)的所述后沿上的所述點(diǎn)之間的距離SZ與所述主磁極(31)的極長(zhǎng)PL之比SZ/PL為1/3到1。
3.一種垂直磁記錄頭，其特征在于包括主磁極(31)，其產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)；返回極(32)，該返回極為所述記錄磁場(chǎng)形成閉合磁回路；及側(cè)護(hù)罩(41)，在跨磁道方向與所述主磁極(31)在磁性上間隔開，其中，離所述主磁極(31)最近的所述側(cè)護(hù)罩(41)的后沿上的點(diǎn)位于所述主磁極(31)的后沿的前側(cè)。
4.如權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄頭，其特征在于所述返回極(32)的前沿和離所述主磁極(31)最近的所述側(cè)護(hù)罩(41)的所述后沿上的所述點(diǎn)之間的距離SSW與所述主磁極(31)的極長(zhǎng)PL之比SSW/PL為1/3到1。
5.如權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄頭，其特征在于所述主磁極(31)和所述側(cè)護(hù)罩(41)之間最短的距離SSP小于所述返回極(32)的前沿和離所述主磁極(31)最近的所述側(cè)護(hù)罩(41)的所述后沿上的所述點(diǎn)之間的距離SSW。
6.如權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄頭，其特征在于所述主磁極(31)和所述側(cè)護(hù)罩(41)之間最短的距離SSP與所述返回極(32)的所述前沿和離所述主磁極(31)最近的所述側(cè)護(hù)罩(41)的所述后沿上的所述點(diǎn)之間的距離SSW的比SSP/SSW大于等于0.1并且小于等于0.7。
7.如權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄頭，其特征在于所述主磁極(31)和所述側(cè)護(hù)罩(41)之間最短的距離SSP與所述返回極(32)的所述前沿和離所述主磁極(31)最近的所述側(cè)護(hù)罩(41)的所述后沿上的所述點(diǎn)之間的距離SSW的比SSP/SSW滿足以下關(guān)系0.1＜SSP/SSW＜-0.034×θb+0.67其中θb表示所述主磁極(31)的傾斜角[度]。
8.如權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄頭，其特征在于所述側(cè)護(hù)罩(47)和所述返回極(32)在遠(yuǎn)離所述主磁極(31)的位置彼此相互連接。
9.如權(quán)利要求8所述的垂直磁記錄頭，其特征在于所述主磁極(31)的所述后沿的拐角與所述側(cè)護(hù)罩(47)和所述返回極(32)的連接處之間的距離BW與所述主磁極(31)和所述側(cè)護(hù)罩(47)之間最短的距離SSP之比BW/SSP為3或更大。
10.一種磁盤裝置，其特征在于包括磁盤(10)，其包括基底(11)，和設(shè)置在所述基底上的軟磁性襯層(12)及在與磁盤平面垂直的方向上具有易磁化軸的垂直記錄層(13)；以及旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器(103)，如權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄頭(30)安裝在其上，所述旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器(103)被配置成在所述磁盤(10)上將所述垂直磁記錄頭(30)定位。
11.一種磁盤裝置，其特征在于包括磁盤(10)，其包括基底(11)、設(shè)置在所述基底上的軟磁性襯層(12)和在與磁盤平面垂直的方向上具有易磁化軸的垂直記錄層(13)；及旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器(103)，如權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄頭(30)安裝在其上，所述旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器(103)被配置成在所述磁盤(10)上將所述垂直磁記錄頭(30)定位。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種垂直磁記錄頭，包括產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)的主磁極(31)、為所述記錄磁場(chǎng)形成閉合磁回路的返回極(32)和與所述主磁極(31)在跨磁道方向上磁性地間隔開的側(cè)護(hù)罩(41)，其中，在與所述主磁極(31)最近的所述側(cè)護(hù)罩(41)后沿上的點(diǎn)位于所述主磁極(31)的后沿的前側(cè)。
文檔編號(hào)G11B5/31GK101071573SQ20071010743
公開日2007年11月14日 申請(qǐng)日期2007年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月11日
發(fā)明者田口知子, 船山知己, 青柳由果, 鴻井克彥 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝