專利名稱：一種硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硬盤制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說(shuō)，涉及一種硬盤磁頭的讀 寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方法。
背景技術(shù)：
硬盤讀寫磁頭的結(jié)構(gòu)如圖l所示磁頭臂的頂端設(shè)有并列兩個(gè)磁頭， 分別為讀頭和寫頭。讀頭和寫頭之間有微小的物理距離X，讀頭和寫頭之 間的幾何連線與磁頭臂之間呈一固定的夾角CP (圖中未示出)。磁頭由磁頭 臂帶動(dòng)呈弧形在硬盤盤片上方移動(dòng)，由于讀頭和寫頭之間的物理距離X的
存在，讀頭和寫頭之間存在一個(gè)在盤片徑向的讀寫頭偏移參數(shù)(mroffset， 記為X值)，針對(duì)硬盤的每條磁軌，這個(gè)讀寫頭偏移參數(shù)^值都是不同的。 由于硬盤的伺服系統(tǒng)是根據(jù)讀頭獲取的位置信息來(lái)定位的，因此，在對(duì)硬 盤進(jìn)行讀操作時(shí)，硬盤伺服系統(tǒng)控制磁頭的讀頭直接到達(dá)指定的磁軌即可， 不需要作任何調(diào)整；在對(duì)硬盤的某條磁軌進(jìn)行寫操作時(shí)，意味著寫頭需要 移動(dòng)到那條磁軌上，磁頭的讀頭的位置需要根據(jù)那條軌上磁頭人值，作相 應(yīng)的調(diào)整，硬盤伺服系統(tǒng)則控制讀寫磁頭移動(dòng)，當(dāng)讀頭定位在調(diào)整的位置 后，寫頭就自然定位到指定的磁軌，例如，要對(duì)磁軌30000進(jìn)行寫操作， 在30000軌出，人值為5，那么控制系統(tǒng)使讀頭定位在磁軌29995(=30000-5) 處，就可以對(duì)磁軌30000進(jìn)行寫操作了。
硬盤上磁軌的讀寫磁頭偏移參數(shù)入值在整條磁軌空間的分布大致趨 勢(shì)如圖二所示，圖中可見，A值隨著磁軌變化是非線性的。為了得到每條 磁軌的讀寫磁頭偏移參數(shù)人值，在硬盤出廠前進(jìn)行測(cè)試時(shí)，對(duì)每條磁軌的 X值進(jìn)行測(cè)量是不可能的，只能通過(guò)計(jì)算得到。而我們的硬盤內(nèi)設(shè)置的運(yùn) 算單元為不支持浮點(diǎn)運(yùn)算的DSP單元，其精度是不足以達(dá)到一些非線性計(jì) 算的要求的，因此，在要計(jì)算得到每條磁軌的X值時(shí)，需要化非線性計(jì)算 為線性計(jì)算，目前的辦法是對(duì)每個(gè)磁頭對(duì)應(yīng)的盤面分成多個(gè)線性區(qū)，然后 會(huì)測(cè)量不同分區(qū)的起始軌和結(jié)束軌的入值，并儲(chǔ)存在硬盤的只讀存儲(chǔ)器中。 —在—將硬盤盤片分成很多分區(qū)后，由于每個(gè)分區(qū)的磁軌的跨度變小，每個(gè)分區(qū)內(nèi)的X值的變化可近似為線性分布，因而在每個(gè)分區(qū)可以用線性插值的
方法計(jì)算出每個(gè)目標(biāo)磁軌的X值，而其在DSP單元上運(yùn)算結(jié)果的精度也是
能達(dá)到要求的。
傳統(tǒng)的硬盤為了得到硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的數(shù)據(jù)，即盤片上 每個(gè)分區(qū)的起始軌和結(jié)束軌處的讀寫頭偏移參數(shù)人值，就需要分別對(duì)盤片 上的每個(gè)分區(qū)的起始軌和結(jié)束軌進(jìn)行讀寫測(cè)試，以獲得x值。其中，每個(gè)
入值的測(cè)試過(guò)程如下先對(duì)起始軌的目標(biāo)磁軌進(jìn)行寫操作，寫完后，磁頭 微調(diào)，寫頭慢慢離開目標(biāo)磁軌，讀頭慢慢移近目標(biāo)磁軌。讀頭由遠(yuǎn)及近的 靠近已寫入數(shù)據(jù)的磁軌時(shí)，讀頭上的信號(hào)感應(yīng)慢慢變強(qiáng)，當(dāng)?shù)竭_(dá)目標(biāo)磁軌 正上方時(shí)，讀頭上感應(yīng)的信號(hào)強(qiáng)度最強(qiáng)，且最穩(wěn)定；紀(jì)錄此時(shí)磁頭微調(diào)行 進(jìn)的距離，即為讀寫頭偏移參數(shù)人。設(shè)硬盤的一個(gè)盤片上有N個(gè)分區(qū)，每 個(gè)分區(qū)為了得到其起始軌和結(jié)束軌處的X值需要分別進(jìn)行讀寫操作各兩 次，則要獲得一個(gè)盤片上所有分區(qū)的X值，對(duì)硬盤要進(jìn)行2N次反復(fù)的讀 寫操作。由于硬盤的分區(qū)數(shù)N常常很大，且硬盤的讀寫操作耗時(shí)較長(zhǎng)，這 種得到^值的測(cè)試很耗費(fèi)時(shí)間，并且如果某個(gè)分區(qū)被測(cè)試的磁軌有損壞， 則那個(gè)分區(qū)人值的測(cè)試數(shù)據(jù)精度往往受很大影響。如對(duì)普通的2.5寸硬盤 進(jìn)行得到^值的測(cè)試常需要90分鐘的時(shí)間，測(cè)試速度慢，生產(chǎn)、測(cè)試效率 較低。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述缺陷，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種測(cè)試速度更 快，精度較高的硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方法。
本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的
一種硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方法，包括以下步驟 A:通過(guò)測(cè)量得到硬盤盤片上至少兩處磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)； B:根據(jù)此兩處磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)，計(jì)算得到各個(gè)分區(qū)的起始軌、 結(jié)束軌的讀寫頭偏移參數(shù)，得到讀寫頭偏移參數(shù)表，寫入硬盤。 在上述基礎(chǔ)上，其中
所述的步驟A中，分別測(cè)量硬盤盤片最小磁軌處的讀寫頭偏移參數(shù)和 最大磁軌處的讀寫頭偏移參數(shù)。這樣的設(shè)計(jì)得到的讀寫頭偏移參數(shù)表的精 度較高。
所述的步驟A中測(cè)目標(biāo)磁軌和與目標(biāo)磁軌相鄰的兩個(gè)以上的磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)，將得到的讀寫頭偏移參數(shù)的平均值作為目標(biāo)磁軌的讀寫 頭偏移參數(shù)。這樣的設(shè)計(jì)，減少了測(cè)量誤差，提高了得到的讀寫頭偏移參 數(shù)表的精確度。
所述的步驟B中先根據(jù)得到的兩處磁軌的^值，通過(guò)計(jì)算得到硬盤 磁頭的讀頭和寫頭之間的物理距離X以及讀頭和寫頭之間的幾何連線與磁 頭臂之間的夾角cp，再根據(jù)得到的硬盤磁頭的讀頭和寫頭之間的物理距離 X和讀頭和寫頭之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角cp，計(jì)算得到各個(gè)分 區(qū)的起始軌、結(jié)束軌的讀寫頭偏移參數(shù)。
所述的步驟B中，根據(jù)如下方程組(l)，得到硬盤磁頭的讀頭和寫頭
之間的物理距離x和讀頭和寫頭之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角cp:
<formula>formula see original document page 7</formula>
其中，上述方程組(1)中
Ri:讀頭在第i條磁軌處與磁盤盤片圓心之間的距離；
Wi:當(dāng)讀頭位于在第i條磁軌處時(shí)，寫頭與磁盤盤片圓心之間的距離;
Ro:讀頭在第O條磁軌處與磁盤盤片圓心之間的距離；
Wo:當(dāng)讀頭位于在第o條磁軌處時(shí)，寫頭與磁盤盤片圓心之間的距離;
h讀寫頭偏移參數(shù)
X:讀頭和寫頭之間的物理距離；
0:讀頭和寫頭之間的幾何連線與讀頭與磁盤盤片圓心的連線的夾角;
讀頭與磁盤盤片圓心的連線和磁頭臂之間的夾角； 1:磁頭臂的磁頭臂的轉(zhuǎn)軸與讀頭之間的距離；d:磁盤盤片圓心與磁頭臂的轉(zhuǎn)軸之間的距離； ^讀頭與寫頭之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角。 所述的步驟B中，根據(jù)如下方程組(2)得到各個(gè)分區(qū)的起始軌、結(jié) 束軌的讀寫頭偏移參數(shù)-
(3 = arccos(-)
0 = 71 — P — (p
『=V +及2 - cos6
入=i -『 (2) 其中，上述方程組(2)中
R:讀頭在目標(biāo)磁軌處與磁盤盤片圓心之間的距離； 1:磁頭臂的磁頭臂的轉(zhuǎn)軸與讀頭之間的距離； d:磁盤盤片圓心與磁頭臂的轉(zhuǎn)軸之間的距離； 3:讀頭與磁盤盤片圓心的連線和磁頭臂之間的夾角； 0:讀頭和寫頭之間的幾何連線與讀頭與磁盤盤片圓心的連線的夾角；
讀頭與寫頭之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角； W:當(dāng)讀頭位于目標(biāo)磁軌處時(shí)，寫頭與磁盤盤片圓心之間的距離； 人讀寫頭偏移參數(shù) X:讀頭和寫頭之間的物理距離。
所述的步驟B中測(cè)量得到的讀寫頭偏移參數(shù)發(fā)送到計(jì)算機(jī)中進(jìn)行計(jì) 算，計(jì)算得到各個(gè)分區(qū)的讀寫頭偏移參數(shù)后，再由外部的計(jì)算機(jī)將讀寫頭 偏移參數(shù)寫入硬盤中。這種方法適用于硬盤中的運(yùn)算單元為不支持浮點(diǎn)運(yùn) 算的DSP單元的硬盤。
所述的步驟B中根據(jù)測(cè)量得到的讀寫頭偏移參數(shù)計(jì)算得到各個(gè)分區(qū) 的讀寫頭偏移參數(shù)的運(yùn)算過(guò)程在硬盤中的FPU運(yùn)算單元中進(jìn)行。這種方法 適用于硬盤中的運(yùn)算單元為支持浮點(diǎn)運(yùn)算單元的FPU單元的硬盤。
由于磁盤上磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)a值)與各個(gè)分區(qū)的起始軌、結(jié) 束軌的X值之間的關(guān)系可以通過(guò)幾何關(guān)系計(jì)算得出，因而在對(duì)硬盤進(jìn)行測(cè) 試時(shí)，只需要測(cè)兩處磁軌的人值，即只需要分別讀寫兩次，計(jì)算后即可得 到各個(gè)分區(qū)的起始軌、結(jié)束軌的X值，而在計(jì)算機(jī)中進(jìn)行外部計(jì)算的時(shí)間
8比磁頭的讀寫測(cè)量的時(shí)間小得多。使用這種硬盤的讀寫磁頭偏移參數(shù)的測(cè) 量方法，只需要對(duì)硬盤進(jìn)行少量的讀寫操作即可，因此大大節(jié)省了測(cè)試時(shí) 間。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例中硬盤磁頭的結(jié)構(gòu)示意圖2是本發(fā)明實(shí)施例中讀寫頭偏移參數(shù)隨硬盤盤片上磁軌的半徑變化
的曲線示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和較佳的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
如圖1所示，圖中的圓形代表硬盤中盤片的讀頭A所在的磁軌；Oo
代表磁盤盤片圓心；O,代表磁頭臂的轉(zhuǎn)軸；AB代表硬盤磁頭讀頭A與寫
頭B之間的幾何連線；其中，讀頭在第i條磁軌處與磁盤盤片圓心0。之間
的距離Ri與當(dāng)讀頭位于在第i條磁軌處時(shí)，寫頭與磁盤盤片圓心之間的距
離wi之差即為讀寫頭偏移參數(shù)a值)。
讀寫頭偏移參數(shù)是由于讀寫頭之間存在有一物理距離x，導(dǎo)致在同一 時(shí)刻，讀頭A和寫頭B分別位于不同的磁軌上；而由于磁盤上磁軌的分布 是以磁盤盤片圓心Oo為圓心的一組同心圓，因此，讀頭A和寫頭B在不 同磁軌上方的讀寫頭偏移參數(shù)即X值是不同的，其曲線走向如圖2所示。 因此，完全可以根據(jù)某處磁軌的入值推導(dǎo)出其它位置磁軌的入值。
如我們可以通過(guò)硬盤磁頭的讀頭A和寫頭B之間的物理距離x，和 讀頭A與寫頭B之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角cp ，推算出磁頭在不 同的磁軌位置的X值；可由于硬盤磁頭的讀頭A和寫頭B之間的物理距離 x，和讀頭A與寫頭B之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角cp的值都是很 小的，是不能直接測(cè)得其精確值的，因而，根據(jù)磁頭臂的磁頭臂的轉(zhuǎn)軸O， 與讀頭A之間的距離1、磁盤盤片圓心0。與磁頭臂的轉(zhuǎn)軸0,之間的距離d、 讀頭A和寫頭B之間的幾何連線AB與讀頭與磁盤盤片圓心Oo的連線的 夾角e、讀頭A與磁盤盤片圓心0。的連線和磁頭臂A a之間的夾角e 、 讀頭在第i條磁軌處與磁盤盤片圓心0。之間的距離Ri、當(dāng)讀頭位于在第i 條磁軌處時(shí)，寫頭與磁盤盤片圓心之間的距離Wi、這些我們可以測(cè)得的參 數(shù)，可以通過(guò)幾何計(jì)算得出讀頭A和寫頭B之間的物理距離x和讀頭A 和寫頭B之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角(p 。為了得到通過(guò)測(cè)量難以得到的讀頭A和寫頭B之間的物理距離x和讀 頭A和寫頭B之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角(p ，
我們先在硬盤盤片上測(cè)得兩條磁軌的^值，這兩條磁軌的間距越遠(yuǎn)越 好；根據(jù)當(dāng)前磁軌與磁盤盤片圓心0。之間的距離Ri等相關(guān)參數(shù)，可以計(jì) 算出硬盤磁頭中讀頭A和寫頭B之間的間距X和讀頭A和寫頭B之間的 連線軸與磁頭臂之間的夾角cp。而再根據(jù)這計(jì)算得到的X和cp，可以計(jì)算 得到磁盤上每個(gè)分區(qū)的起始軌和結(jié)束軌的人值，得到得到讀寫頭偏移參數(shù) 表，并將其記錄到硬盤中。
其中在測(cè)得兩條磁軌的X值后，根據(jù)如下方程組(1)，可以得到硬 盤磁頭的讀頭和寫頭之間的物理距離x和讀頭和寫頭之間的幾何連線與磁
頭臂之間的夾角cp: i^. = , +入
n +入
cos《■=-
COS 0Q =
cos(3,'= cos(30 =
+ i^2 -
/2
cp =兀一— e,. = 7i — p。 一 e。 (i)
其中，上述方程組(1)中
Ri:讀頭在第i條磁軌處與磁盤盤片圓心之間的距離； ， Wi:當(dāng)讀頭位于在第i條磁軌處時(shí)，寫頭與磁盤盤片圓心之間的距離; RO:讀頭在第O條磁軌處與磁盤盤片圓心之間的距離； WO:當(dāng)讀頭位于在第O條磁軌處時(shí)，寫頭與磁盤盤片圓心之間的距離; h讀寫頭偏移參數(shù)
X:讀頭和寫頭之間的物理距離；
0:讀頭和寫頭之間的幾何連線與讀頭與磁盤盤片圓心的連線的夾角; 3:讀頭與磁盤盤片圓心的連線和磁頭臂之間的夾角；1:磁頭臂的磁頭臂的轉(zhuǎn)軸與讀頭之間的距離； d:磁盤盤片圓心與磁頭臂的轉(zhuǎn)軸之間的距離； CP:讀頭與寫頭之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角。 得到硬盤磁頭的讀頭和寫頭之間的物理距離X和讀頭和寫頭之間的幾 何連線與磁頭臂之間的夾角cp，可以根據(jù)如下方程組(2)得到各個(gè)分區(qū)的 起始軌、結(jié)束軌的讀寫頭偏移參數(shù)，得到讀寫頭偏移參數(shù)表
(3 = arccos(-)
9 = 7T - (3 - (p
『=+ W2 - 2xA cos6
入=A _『 (2) 其中，上述方程組(2)中
R:讀頭在目標(biāo)磁軌處與磁盤盤片圓心之間的距離，由于R與目標(biāo)磁 軌是一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系，因此這個(gè)R值可由給定目標(biāo)磁軌推算出來(lái)； 1:磁頭臂的磁頭臂的轉(zhuǎn)軸與讀頭之間的距離； d:磁盤盤片圓心與磁頭臂的轉(zhuǎn)軸之間的厙離； e:讀頭與磁盤盤片圓心的連線和磁頭臂之間的夾角； e:讀頭和寫頭之間的幾何連線與讀頭與磁盤盤片圓心的連線的夾角； 9:讀頭與寫頭之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角；
W:當(dāng)讀頭位于目標(biāo)磁軌處時(shí)，寫頭與磁盤盤片圓心之間的距離；
L讀寫頭偏移參數(shù)
X:讀頭和寫頭之間的物理距離。
其中，選擇來(lái)測(cè)量的兩處磁軌之間的間距越大，測(cè)得的人值的差距也 就越大，則計(jì)算后得到的精度就越高。尤其以硬盤盤片的最小磁軌處(Rid) 和最大磁軌處(Rod)最好，采用這兩處磁軌的X值計(jì)算，得到的X和(p的 精度最高。
另外，由于我們測(cè)試的磁盤盤片上的磁軌有可能有壞道，若只是測(cè)一 條磁軌的^值，則可能得到的是錯(cuò)誤的X值。即使測(cè)試的磁軌沒有壞道， 我們的測(cè)量過(guò)程中也是存在誤差的。因此我們?cè)谝獪y(cè)量的磁軌相鄰處多選
擇幾條磁軌(比如5條磁軌)，分別測(cè)量其X值，再將這些磁軌的X值平均，記作我們要測(cè)量磁軌的人值。由于壞道的X值與正常的X值差距很大，當(dāng) 硬盤中測(cè)量的磁軌中有壞道時(shí)是很容易發(fā)現(xiàn)的，而多條磁軌同時(shí)是壞道的 可能性極小，將要測(cè)量的磁軌附近的磁軌的X值進(jìn)行平均，大大減小了X 值出錯(cuò)的可能。由于磁軌的間距很小，我們的測(cè)量誤差是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于相鄰磁 軌之間的X值之差的，因此，對(duì)要測(cè)量的磁軌附近的磁軌的^值進(jìn)行平均， 能使得我們得到的X值更加精確。
由于硬盤中的運(yùn)算單元常為不支持浮點(diǎn)運(yùn)算的DSP單元，而X、 (p和 X值都是很小的，細(xì)微的誤差都會(huì)導(dǎo)致硬盤不能正常讀取，要求必須采用
計(jì)算精度高的浮點(diǎn)運(yùn)算，因此，對(duì)參數(shù)值x和e的計(jì)算與人值的計(jì)算，是
在外部的計(jì)算機(jī)中進(jìn)行的。先將測(cè)得的若干磁軌的x值導(dǎo)出至外部計(jì)算機(jī) 中，根據(jù)上述方程組通過(guò)迭代、遞歸等運(yùn)算，得到各個(gè)分區(qū)的起始軌、結(jié) 束軌的讀寫頭偏移參數(shù)，填入硬盤的讀寫頭偏移參數(shù)表中。而若將硬盤中
的運(yùn)算單元設(shè)置成為支持浮點(diǎn)運(yùn)算單元的FPU單元，則這種計(jì)算過(guò)程可以 直接在硬盤內(nèi)完成。不過(guò)，現(xiàn)階段FPU單元的價(jià)格較貴，而且與其相匹配
的硬盤的伺服系統(tǒng)也更復(fù)雜，而這種浮點(diǎn)運(yùn)算僅在測(cè)試時(shí)需要，正常使用
硬盤是不需要的，因而我們?nèi)圆捎肈SP單元，不對(duì)硬盤的結(jié)構(gòu)做任何的改 變，測(cè)試時(shí)采用由外部支持浮點(diǎn)運(yùn)算的計(jì)算機(jī)計(jì)算后得到讀寫頭偏移參數(shù) 再寫入硬盤的方式。
由于磁盤上磁軌的X值與各個(gè)分區(qū)的起始軌、結(jié)束軌的、值之間的關(guān) 系可以通過(guò)幾何關(guān)系計(jì)算得出，因而在對(duì)硬盤進(jìn)行測(cè)試時(shí)，只需要測(cè)兩處 磁軌的A值，即只需要分別讀寫兩次，計(jì)算后即可得到各個(gè)分區(qū)的起始軌、 結(jié)束軌的入值，而在計(jì)算機(jī)中進(jìn)行外部計(jì)算的時(shí)間比磁頭的讀寫測(cè)量的時(shí) 間小得多。使用這種硬盤的讀寫磁頭偏移參數(shù)的測(cè)量方法，只需要對(duì)硬盤 進(jìn)行少量的讀寫操作即可，因此大大節(jié)省了測(cè)試時(shí)間。如對(duì)普通的2.5寸 硬盤進(jìn)行得到X值的測(cè)試僅需要IO分鐘左右的時(shí)間，大大提高了生產(chǎn)、測(cè) 試效率。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō) 明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù) 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若 干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
1權(quán)利要求
1、一種硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方法，其特征在于包括以下步驟A通過(guò)測(cè)量得到硬盤盤片上至少兩處磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)；B根據(jù)此兩處磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)，計(jì)算得到各個(gè)分區(qū)的起始軌、結(jié)束軌的讀寫頭偏移參數(shù)，得到讀寫頭偏移參數(shù)表，寫入硬盤。
2、 如權(quán)利要求1所述的一種硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方 法，其特征在于所述的步驟A中，分別測(cè)量硬盤盤片最小磁軌處的讀寫 頭偏移參數(shù)和最大磁軌處的讀寫頭偏移參數(shù)。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的一種硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量 方法，其特征在于所述的步驟A中測(cè)目標(biāo)磁軌和與目標(biāo)磁軌相鄰的兩 個(gè)以上的磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)，將得到的讀寫頭偏移參數(shù)的平均值作為 目標(biāo)磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)。
4、 如權(quán)利要求1所述的一種硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方 法，其特征在于所述的步驟B中先根據(jù)得到的兩處磁軌的X值，通過(guò) 計(jì)算得到硬盤磁頭的讀頭和寫頭之間的物理距離X，以及讀頭和寫頭之間 的幾何連線與磁頭臂之間的夾角cp，再根據(jù)得到的硬盤磁頭的讀頭和寫頭 之間的物理距離X和讀頭和寫頭之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角cp， 計(jì)算得到各個(gè)分區(qū)的起始軌、結(jié)束軌的讀寫頭偏移參數(shù)。
5、 如權(quán)利要求4所述的一種硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方法，其特征在于所述的步驟B中，根據(jù)如下方程組(1)，得到硬盤磁頭 的讀頭和寫頭之間的物理距離X和讀頭和寫頭之間的幾何連線與磁頭臂之 間的夾角cp:<formula>formula see original document page 2</formula><formula>formula see original document page 0</formula>其中，上述方程組(1)中Ri:讀頭在第i條磁軌處與磁盤盤片圓心之間的距離；Wi:當(dāng)讀頭位于在第i條磁軌處時(shí)，寫頭與磁盤盤片圓心之間的距離;RO-讀頭在第O條磁軌處與磁盤盤片圓心之間的距離；Wo:當(dāng)讀頭位于在第O條磁軌處時(shí)，寫頭與磁盤盤片圓心之間的距離;h讀寫頭偏移參數(shù)X:讀頭和寫頭之間的物理距離；9:讀頭和寫頭之間的幾何連線與讀頭與磁盤盤片圓心的連線的夾角； P:讀頭與磁盤盤片圓心的連線和磁頭臂之間的夾角； 1:磁頭臂的磁頭臂的轉(zhuǎn)軸與讀頭之間的距離； d:磁盤盤片圓心與磁頭臂的轉(zhuǎn)軸之間的距離； 9:讀頭與寫頭之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角。
6、如權(quán)利要求4所述的一種硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方法，其特征在于所述的步驟B中，根據(jù)如下方程組(2)得到各個(gè)分區(qū) 的起始軌、結(jié)束軌的讀寫頭偏移參數(shù)<formula>formula see original document page 0</formula>入=7 -『 (2) 其中，上述方程組(2)中R:讀頭在目標(biāo)磁軌處與磁盤盤片圓心之間的距離； 1:磁頭臂的磁頭臂的轉(zhuǎn)軸與讀頭之間的距離； d:磁盤盤片圓心與磁頭臂的轉(zhuǎn)軸之間的距離； e:讀頭與磁盤盤片圓心的連線和磁頭臂之間的夾角；e:讀頭和寫頭之間的幾何連線與讀頭與磁盤盤片圓心的連線的夾角；W:讀頭與寫頭之間的幾何連線與磁頭臂之間的夾角；W:當(dāng)讀頭位于目標(biāo)磁軌處時(shí)，寫頭與磁盤盤片圓心之間的距離；h讀寫頭偏移參數(shù)X:讀頭和寫頭之間的物理距離。
7、 如權(quán)利要求5或6所述的一種硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方法，其特征在于所述的步驟B中測(cè)量得到的讀寫頭偏移參數(shù)發(fā)送到計(jì)算機(jī)中進(jìn)行計(jì)算，計(jì)算得到各個(gè)分區(qū)的讀寫頭偏移參數(shù)后，再由外部的 計(jì)算機(jī)將讀寫頭偏移參數(shù)寫入硬盤中。
8、 如權(quán)利要求5或6所述的一種硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方法，其特征在于所述的步驟B中根據(jù)測(cè)量得到的讀寫頭偏移參數(shù)計(jì)算得到各個(gè)分區(qū)的讀寫頭偏移參數(shù)的運(yùn)算過(guò)程在硬盤中的FPU運(yùn)算單元中進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種硬盤磁頭的讀寫頭偏移參數(shù)表的測(cè)量方法，包括以下步驟A、通過(guò)測(cè)量得到硬盤盤片上至少兩處磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)；B、根據(jù)此兩處磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)，計(jì)算得到各個(gè)分區(qū)的起始軌、結(jié)束軌的讀寫頭偏移參數(shù)，得到讀寫頭偏移參數(shù)表，寫入硬盤。由于磁盤上磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)與各個(gè)分區(qū)的起始軌、結(jié)束軌的讀寫頭偏移參數(shù)之間的關(guān)系可以通過(guò)幾何關(guān)系計(jì)算得出，在測(cè)試時(shí)，只需測(cè)兩處磁軌的讀寫頭偏移參數(shù)，即只需要分別讀寫兩次，計(jì)算后即可得到各個(gè)分區(qū)的起始軌、結(jié)束軌的讀寫頭偏移參數(shù)，而在計(jì)算機(jī)中進(jìn)行計(jì)算的時(shí)間比磁頭的讀寫測(cè)量的時(shí)間小得多。使用這種測(cè)量方法，只需要對(duì)硬盤進(jìn)行少量的讀寫操作即可，節(jié)省了測(cè)試時(shí)間。
文檔編號(hào)G11B5/84GK101452710SQ20071012494
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月6日
發(fā)明者孫燕翔 申請(qǐng)人:深圳易拓科技有限公司