專利名稱：光學(xué)記錄方法,光學(xué)記錄裝置,光學(xué)記錄介質(zhì),光學(xué)復(fù)制方法和光學(xué)復(fù)制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及下列內(nèi)容 一種用于全息記錄信息的光學(xué)記錄方法和光 學(xué)記錄裝置，其中在記錄過程中降低材料在記錄層的整個(gè)厚度上的不均 勻消耗，以實(shí)現(xiàn)高密度記錄和高的多重記錄； 一種光學(xué)記錄介質(zhì)，所述 光學(xué)記錄介質(zhì)用于通過所述光學(xué)記錄方法記錄以有效復(fù)制以大容量和高 密度記錄的信息；和一種光學(xué)復(fù)制方法和光學(xué)復(fù)制裝置，所述光學(xué)復(fù)制 方法和光學(xué)復(fù)制裝置用于以有效和優(yōu)異的方式復(fù)制通過所述光學(xué)記錄方 法記錄的信息。
背景技術(shù)：
用于在光學(xué)記錄介質(zhì)上全息記錄信息的光學(xué)記錄方法通常利用傳輸 圖像信息的信息光束(目標(biāo)光束)與參考光束在光學(xué)記錄介質(zhì)中的干涉，干 涉條紋是在寫入光學(xué)記錄介質(zhì)中時(shí)產(chǎn)生的。這些光學(xué)記錄方法包括其中 發(fā)射具有同軸排列的軸的信息光束和參考光束的共線系統(tǒng)。在共線系統(tǒng) 中，信息光束和參考光束產(chǎn)生干涉條紋，由此在記錄層中記錄圖像信息。 通過使用與參考光束相同的光束，在與記錄過程中相同的方向上輻照光 學(xué)記錄介質(zhì)復(fù)制記錄的圖像信息。在輻照時(shí)，由干涉條紋產(chǎn)生衍射光， 并且將其接收以產(chǎn)生信息。
在用于增加光學(xué)信息記錄容量的技術(shù)之中，存在其中增加干涉條紋 的記錄密度的多重記錄系統(tǒng)。這些記錄系統(tǒng)包括位移多重記錄、角度多 重記錄、波長多重記錄和相位多重記錄。
在它們之中，位移-多重記錄與其中盤旋轉(zhuǎn)以進(jìn)行記錄，且在隨機(jī)存 取方面是優(yōu)異的盤記錄如CD和DVD高度兼容，從而用于使用記錄用的單 透鏡的共線系統(tǒng)，在所述位移-多重記錄中，在相對于記錄層的水平面方
向上逐漸移動發(fā)射光或光學(xué)記錄介質(zhì)的同時(shí)，在初次記錄的信息之上另
外記錄或重寫信息(參見"NIKKEY ELECTRONICS,", 2005年1月17日， 105-114頁)。
如圖8所示，在使用共線系統(tǒng)的位移多重記錄中，從拾波器發(fā)射的信 息光束和參考光束34通過物鏡12輻照光學(xué)記錄介質(zhì)23。使信息光束和參 考光束34在記錄層4中以特定尺寸的倒圓錐的形狀會聚。然后，在記錄層 4中以倒圓錐形的干涉條紋的形式全息記錄信息。在全息記錄之后，在圖 8中的箭頭方向(光學(xué)記錄介質(zhì)的圓周方向)上水平移動光學(xué)記錄介質(zhì)23或 拾波器。然后，信息光束和參考光束34在記錄層4中輻照與記錄區(qū)不同的 區(qū)域以進(jìn)行后續(xù)全息記錄，從而依次進(jìn)行多重記錄。
然而，上述多重記錄連同水平位移一起只允許形成一種穿過記錄層 的厚度的干涉條紋，從而限制了記錄容量的增加。
同時(shí)，公開了在雙光束干涉系統(tǒng)中使用角度多重記錄和位移多重記 錄的組合的記錄方法(參見日本專利申請公開(JP-A) 2004-177958)。在這 種記錄方法中，逐漸改變?nèi)肷涞届o物光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層中的信息光 束和參考光束的入射角，以在記錄層的整個(gè)厚度上實(shí)現(xiàn)信息的多重記錄。 在整個(gè)厚度上多重記錄之后，使光學(xué)記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)以在光敏層的新區(qū)域 中進(jìn)行在整個(gè)厚度上的信息的多重記錄。以這種方式，多重全息記錄不 但在水平方向上進(jìn)行，而且在記錄層的整個(gè)厚度上進(jìn)行，從而增加記錄
在上述方法的兩種中，如圖8所示，使信息光束和參考光束34在記錄 層4中以倒圓錐的形狀會聚；因此，光束直徑根據(jù)穿過記錄層4的深度改 變。換句話說，光束直徑在入口附近大，而在焦點(diǎn)附近較小。因此，光 密度在光束直徑大的區(qū)域(以下在某些場合下稱為記錄層的上部)中低，并 且隨著光束直徑降低而增加。特別是，光密度在圓錐的頂點(diǎn)附近(以下在 某些場合下稱為記錄層的下部)高，在此光反應(yīng)加速，并且耗盡記錄層材 料如單體。相反，在光束直徑大的區(qū)域中，記錄層材料消耗得較少。因 此，在記錄層的整個(gè)厚度上，記錄層材料經(jīng)歷不均勻的消耗。
此外，在耗盡材料的區(qū)域中，不能獲得更多次的記錄。于是，下一 次記錄必須移到不與該區(qū)域交疊的區(qū)域，從而導(dǎo)致在水平方向上記錄不
是很多。浪費(fèi)了記錄層材料并且降低了記錄密度。在增加記錄容量方面 受到強(qiáng)加的限制。
因此，下列內(nèi)容還沒有得到實(shí)現(xiàn)，并且現(xiàn)在需要提供 一種用于全 息記錄信息的光學(xué)記錄方法和光學(xué)記錄裝置，其中在記錄過程中降低材 料在記錄層的整個(gè)厚度上的不均勻消耗，以實(shí)現(xiàn)高記錄密度和增加的記 錄容量； 一種光學(xué)記錄介質(zhì)，所述光學(xué)記錄介質(zhì)用于通過所述光學(xué)記錄 方法記錄以有效復(fù)制以大容量和高密度記錄的信息；以及一種光學(xué)復(fù)制 方法和光學(xué)復(fù)制裝置，所述光學(xué)復(fù)制方法和光學(xué)復(fù)制裝置用于以有效和 優(yōu)異的方式復(fù)制通過所述光學(xué)記錄方法記錄的信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決了上述常規(guī)問題，并且目的在于提供 一種用于全息記 錄信息的光學(xué)記錄方法和光學(xué)記錄裝置，其中在記錄過程中降低材料在 記錄層的整個(gè)厚度上的不均勻消耗，以達(dá)到高記錄密度和增加的記錄容 量； 一種光學(xué)記錄介質(zhì)，所述光學(xué)記錄介質(zhì)用于通過所述光學(xué)記錄方法
記錄以有效復(fù)制以大容量和高密度記錄的信息；和一種光學(xué)復(fù)制方法和
光學(xué)復(fù)制裝置，所述光學(xué)復(fù)制方法和光學(xué)復(fù)制裝置用于以有效和優(yōu)異的 方式復(fù)制通過所述光學(xué)記錄方法記錄的信息。 解決上述問題的手段包括下列。
本發(fā)明的光學(xué)記錄方法是用于在具有記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)上記錄 信息的光學(xué)記錄方法，在所述記錄層中，通過使用信息光束和參考光束 輻照光學(xué)記錄介質(zhì)全息記錄信息，特征在于將信息光束和參考光束中的 至少一束在信息光束和參考光束的光源與光學(xué)記錄介質(zhì)之間分成兩束或 更多束，并且調(diào)節(jié)分開的信息光束和參考光束的光程長度，使得它們聚 焦在記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上。
在上述光學(xué)記錄方法中，將信息光束和參考光束中的至少一束在信 息光束和參考光束的光源與光學(xué)記錄介質(zhì)之間分成兩束或更多束，并且 調(diào)節(jié)分開的信息光束和參考光束的光程長度，使得它們聚焦在記錄層的 整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上，從而使光密度散布，并且將記錄信息的整 體分開并且記錄在記錄層的整個(gè)厚度上的多個(gè)區(qū)域中。因?yàn)楣饷芏壬⒉迹?br> 9
每一個(gè)記錄區(qū)域具有低的光密度；因此，降低記錄層材料在整個(gè)厚度上 的位置之間的消耗差別，并且防止每一次記錄過度消耗記錄層材料?？?以降低在相鄰的全息記錄圖像之間的間隔，而增加記錄密度。
光學(xué)記錄裝置具有光源和下列單元，所述單元被配置成下列形式 將信息光束和參考光束中的至少一束在信息光束和參考光束的光源與光 學(xué)記錄介質(zhì)之間分成兩束或更多束，并且調(diào)節(jié)分開的信息光束和參考光 束的光程長度，使得它們聚焦在記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上， 其中光學(xué)記錄介質(zhì)包含記錄層，在所述記錄層中通過用信息光束和參考 光束輻照光學(xué)記錄介質(zhì)全息記錄信息。
在本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)中，通過本發(fā)明的光學(xué)記錄方法記錄信息。
本發(fā)明的光學(xué)復(fù)制方法包括使用與參考光束相同的復(fù)制光束輻照干 涉圖像，所述參考光束是采用本發(fā)明的光學(xué)記錄方法在光學(xué)記錄介質(zhì)中 的記錄層上形成的；由光接受單元接受通過輻照產(chǎn)生的衍射光；和基于 干涉圖像復(fù)制記錄的信息。
所述光學(xué)復(fù)制裝置配置有光源；光接受單元；和光學(xué)復(fù)制單元， 所述光學(xué)復(fù)制單元被配置成下列形式使用與參考光束相同的復(fù)制光束 輻照干涉圖像，所述干涉圖像是采用光學(xué)記錄裝置在光學(xué)記錄介質(zhì)中的 記錄層上形成的，在光接受單元接受通過輻照產(chǎn)生的衍射光以基于干涉 圖像復(fù)制記錄的信息；下列單元的任何一個(gè)，
單元A，所述單元A被配置成下列形式將復(fù)制光束在復(fù)制光束的光
源和光學(xué)記錄介質(zhì)之間分成兩束或更多束，并且調(diào)節(jié)分開的復(fù)制光束的
光程長度，使得它們聚焦在記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上；和
單元B，所述單元B被配置成下列形式調(diào)節(jié)衍射光的光程長度，所
述衍射光的每一束在光學(xué)記錄介質(zhì)和光接受單元之間具有不同的光程長 度，使得它們聚焦在光接受單元的相同平面上。


圖l是顯示用于本發(fā)明的光學(xué)記錄方法和光學(xué)復(fù)制方法的光學(xué)系統(tǒng)的 一個(gè)實(shí)施方案的說明圖。
圖2是顯示用于本發(fā)明的光學(xué)記錄方法和光學(xué)復(fù)制方法的光學(xué)系統(tǒng)的
一個(gè)實(shí)施方案的說明圖。
圖3A是顯示用于本發(fā)明的空間光調(diào)制器的一個(gè)實(shí)施方案的側(cè)視圖。
圖3B是顯示用于本發(fā)明的空間光調(diào)制器的一個(gè)實(shí)施方案的側(cè)視圖。 圖3C是顯示用于本發(fā)明的空間光調(diào)制器的一個(gè)實(shí)施方案的側(cè)視圖。 圖3D是顯示用于本發(fā)明的空間光調(diào)制器的一個(gè)實(shí)施方案的側(cè)視圖。 圖3E是顯示用于本發(fā)明的空間光調(diào)制器的一個(gè)實(shí)施方案的側(cè)視圖。 圖4A是顯示用于本發(fā)明的空間光調(diào)制器的一個(gè)實(shí)施方案的側(cè)視圖。 圖4B是顯示用于本發(fā)明的空間光調(diào)制器的一個(gè)實(shí)施方案的側(cè)視圖。 圖4C是顯示用于本發(fā)明的空間光調(diào)制器的一個(gè)實(shí)施方案的側(cè)視圖。 圖4D是顯示用于本發(fā)明的空間光調(diào)制器的一個(gè)實(shí)施方案的側(cè)視圖。 圖5A是顯示用于本發(fā)明的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面圖。
圖5B是顯示用于本發(fā)明的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面圖。
圖5C是顯示用于本發(fā)明的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面圖。
圖5D是顯示用于本發(fā)明的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面圖。
圖5E是顯示用于本發(fā)明的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面圖。
圖5F是顯示用于本發(fā)明的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面圖。
圖5G是顯示用于本發(fā)明的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面圖。
圖5H是顯示用于本發(fā)明的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面圖。
圖5I是顯示用于本發(fā)明的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面圖。 圖5J是顯示用于本發(fā)明的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面圖。
圖5K是顯示用于本發(fā)明的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面
圖。
圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄方法的多重記錄的示意圖。 圖7是顯示本發(fā)明的光學(xué)記錄/復(fù)制裝置的整個(gè)構(gòu)造的一個(gè)實(shí)施方案的 方框圖。
圖8是相關(guān)技術(shù)的光學(xué)記錄方法的光學(xué)系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施方案的說明圖。
具體實(shí)施例方式
(光學(xué)記錄方法和光學(xué)記錄裝置)
本發(fā)明的光學(xué)記錄方法至少包括光學(xué)記錄步驟和光程長度調(diào)節(jié)步 驟，并且在必要時(shí)還包括其它步驟如伺服控制步驟和固定步驟。
本發(fā)明的光學(xué)記錄裝置至少具有光學(xué)記錄單元和光程長度調(diào)節(jié)單 元，并且在必要時(shí)還具有其它單元如伺服控制單元和固定單元。
優(yōu)選以共線光學(xué)記錄方法的形式使用本發(fā)明的光學(xué)記錄方法，在所 述共線光學(xué)記錄方法中，將信息光束和參考光束以使它們的軸同軸排列 的方式發(fā)射。下面對共線系統(tǒng)進(jìn)行說明。然而，本發(fā)明的光學(xué)記錄方法 不限于共線系統(tǒng)并且適用于其它光學(xué)記錄如雙光束干涉光學(xué)記錄。
本發(fā)明的光學(xué)記錄方法可以通過本發(fā)明的光學(xué)記錄裝置實(shí)現(xiàn)。將在 說明光學(xué)記錄方法的步驟時(shí)闡明所述光學(xué)記錄裝置的詳情。
光學(xué)記錄步驟是輻照具有記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)以記錄信息的步 驟，在所述記錄層中使用信息光束和參考光束全息記錄信息。
所述光學(xué)記錄步驟可以通過本發(fā)明的光學(xué)記錄裝置的光學(xué)記錄單元 實(shí)現(xiàn)。
<信息光束和參考光束〉
對信息光束和參考光束沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。優(yōu) 選地，它們是例如從一個(gè)或多個(gè)光源發(fā)射的相干激光束。
對上述激光束沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，可以
使用選自300nm至850 nm中的一種或多種波長的激光束。因?yàn)樵诳梢姽夥?圍的中心可見性是最好的，所以所述波長優(yōu)選為300nm至800nm，更優(yōu)選 為350nm至700nm，并且最優(yōu)選為400nm至600nm。
當(dāng)波長小于300nm時(shí)，難以設(shè)計(jì)光學(xué)系統(tǒng)。當(dāng)波長大于800nm時(shí)，可 能降低記錄容量。所述波長可以是405nm、 605nm和780nm中的任何一種。
對激光束源沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，可以使 用固態(tài)激光束振蕩器、半導(dǎo)體激光束振蕩器、液體激光束振蕩器和氣體 激光束振蕩器。在它們之中，優(yōu)選氣體激光束振蕩器和半導(dǎo)體激光束振 蕩器，并且特別優(yōu)選半導(dǎo)體激光束振蕩器，因?yàn)樗p而小，并且具有優(yōu) 異的電功率效率。
對信息光束和參考光束的發(fā)射方法沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng) 地選擇。例如，將從單光源發(fā)射的激光束分開以用作信息光束和參考光 束或者可以將來自不同光源的兩個(gè)激光束用于輻照。
對信息光束和參考光束的發(fā)射方向沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng) 地選擇。例如，優(yōu)選將信息光束和參考光束以使它們的光軸同軸排列的 方式發(fā)射。術(shù)語"同軸"指信息光束和參考光束通過相同的光學(xué)系統(tǒng)。將 信息光束和參考光束以特定的角度發(fā)射到光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層的記錄 區(qū)中以全息記錄。
信息光束(目標(biāo)光束)和參考光束在光學(xué)記錄介質(zhì)中相互干涉，并且將 此時(shí)產(chǎn)生的干涉條紋寫入光學(xué)記錄介質(zhì)中以記錄信息。
在信息光束和參考光束之間的角度優(yōu)選為25。至90。，更優(yōu)選為35。至 80。，還優(yōu)選為40°至70°，并且特別優(yōu)選為45°至60°。小于25?；虼笥?0。的 角度可能導(dǎo)致不足的信號強(qiáng)度。
在共線系統(tǒng)的情況下，對于每一個(gè)輻照點(diǎn)，將在信息光束中記錄的 信息處理成例如數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。在每一個(gè)輻照點(diǎn)中以頁面數(shù)據(jù)圖像的形式形 成約4,000位數(shù)據(jù)。如果在特定的光學(xué)記錄介質(zhì)中記錄的信息是圖像信息， 則通過空間光調(diào)制器(SLM)將屏幕(screen)細(xì)分成像素，即二維圖像數(shù)據(jù) 的最小單位。在上述處理之后，使用其中時(shí)間信號由頻率范圍表示的傅 立葉變換，將圖像信息進(jìn)行數(shù)字計(jì)算機(jī)處理以得到由"O"和T'組成的數(shù)字 數(shù)據(jù)。
例如，如圖i中所示，通過物鏡12，使由上述數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)組成的信息光 束以在光學(xué)記錄介質(zhì)23(稍后論及光程長度調(diào)節(jié)步驟時(shí)詳細(xì)描述)中的記錄
層4的記錄區(qū)中分成兩束或更多束的方式會聚，并且聚焦在記錄層4的整
個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上。在每一個(gè)會聚的光輻照點(diǎn)中進(jìn)行全息記錄(干
涉條紋3的記錄)。
在記錄之后，將信息光束和參考光束34或光學(xué)記錄介質(zhì)23的輻照單 元水平移動特定的距離，在此將信息光束和參考光束34發(fā)射到記錄層4上 并且分幵穿過用于全息記錄的記錄層4的厚度。以這種方式，依次進(jìn)行多 重記錄。
在圖1中，箭頭表示光學(xué)記錄介質(zhì)23的圓周方向。 [光程長度調(diào)節(jié)步驟]
光程長度調(diào)節(jié)步驟是下列步驟將信息光束和參考光束中的至少一
束在信息光束和參考光束的光源和光學(xué)記錄介質(zhì)之間分成兩束或更多
束，并且調(diào)節(jié)分開的信息光束和參考光束的光程長度，使得它們聚焦在
記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上。
光程長度調(diào)節(jié)步驟通過光學(xué)記錄裝置的光程長度調(diào)節(jié)單元實(shí)現(xiàn)。 在光程長度調(diào)節(jié)步驟中，將信息光束和參考光束中的至少一束在信
息光束和參考光束的光源和光學(xué)記錄介質(zhì)之間分成兩束或更多束。例如，
在共線系統(tǒng)的情況下，將信息光束和參考光束同軸發(fā)射；因此，信息光 束和參考光束兩者都可分成兩束或更多束，或者可以將信息光束和參考 光束分成兩束，即信息光束和參考光束，或者可以將信息光束和參考光 束各自進(jìn)一步分開。在其中分別發(fā)射信息光束和參考光束的雙光束干涉 系統(tǒng)的情況下，可以只將信息光束分成兩束或更多束，或者可以只將參 考光束分成兩束或更多束。備選地，可以將信息光束和參考光束各自分 成兩束或更多束。
由于上述分開，在如圖l中所示的共線系統(tǒng)的情況下，信息光束和參 考光束通過物鏡，聚焦在記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上；因此， 將記錄信息整個(gè)分開并且記錄在記錄層4的整個(gè)厚度上的多個(gè)區(qū)域中。
因?yàn)榉珠_，光密度散布并且在每一個(gè)焦點(diǎn)的光密度降低。因此，降
低記錄層材料在記錄層的整個(gè)厚度上的位置之間的消耗差別，并且防止 記錄層材料在一次記錄中的過度消耗。因此，可以在多重記錄中降低相 鄰的全息記錄(干涉條紋3)之間的間隔。如圖6中所示，除在記錄層的水平 方向上的多重記錄以外，在記錄層的整個(gè)厚度上的位移允許在己經(jīng)記錄 的干涉條紋3上的新的記錄。在記錄層的整個(gè)厚度和水平方向上可得到的 多重記錄顯著增加光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄容量。在圖1和6中，箭頭表示光 學(xué)記錄介質(zhì)的圓周方向。
-光程長度調(diào)節(jié)單元-
對光程長度的調(diào)節(jié)方法沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例 如，優(yōu)選使用安置在信息光束和參考光束的光源與光學(xué)記錄介質(zhì)之間的 至少一個(gè)光程長度調(diào)節(jié)單元。
對光程長度調(diào)節(jié)單元沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如， 優(yōu)選使用焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件和空間光調(diào)制器。只要可以調(diào)節(jié)光程長度，還可 以使用其它構(gòu)件。在它們之中，更優(yōu)選焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件，因?yàn)樗臉?gòu)造簡 單并且成本低。
焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件和空間光調(diào)制器可以單獨(dú)使用或兩種或更多種組合使用。
-焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件-
優(yōu)選的焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件包括片構(gòu)件，如透鏡、棱鏡和光學(xué)片。這些構(gòu)
件優(yōu)選具有等于或高于1.4的折射率。當(dāng)它們具有低于1.4的折射率時(shí)，不
能成功地調(diào)節(jié)光程長度。
焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的厚度優(yōu)選為lO[im至10mm并且更優(yōu)選為50pm至 5mm。當(dāng)厚度小于10pm時(shí)，焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件不能保持輪廓精度。當(dāng)厚度大 于10mm時(shí)，因?yàn)椴痪鶆虻男纬刹牧希赡塬@得失真的圖像。
焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件的優(yōu)選材料包括玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸類和非晶態(tài) 聚烯烴。在它們之中，更優(yōu)選玻璃和丙烯酸類。這些材料可以單獨(dú)或兩 種或更多種組合使用。
焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件優(yōu)選至少在一側(cè)并且優(yōu)選在兩側(cè)具有抗反射層，以防
止信息光束和參考光束的反射。
抗反射層優(yōu)選由無機(jī)多層干涉膜形成。
--空間光調(diào)制器--
對空間光調(diào)制器沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，優(yōu)
選液晶片、DMD和機(jī)械快門。在它們之中，更優(yōu)選DMD。
光程長度調(diào)節(jié)量優(yōu)選為lpm至l,OOOnm，更優(yōu)選為10(im至500^im，并
且還優(yōu)選為50^im至300(im。當(dāng)調(diào)節(jié)量小于lpm時(shí)，在記錄層中的不同位
置的焦點(diǎn)之間的距離小，并且不能得到高密度的功效。當(dāng)調(diào)節(jié)量大于
l,OOOpm時(shí)，記錄層必須具有過大的厚度，從而可能導(dǎo)致難以形成記錄層
或者產(chǎn)生球面像差。
例如，使用在其發(fā)光表面上具有在離光學(xué)記錄介質(zhì)不同距離的點(diǎn)的
光程長度調(diào)節(jié)單元，并且更優(yōu)選使用具有在離光學(xué)記錄介質(zhì)不同距離的
表面的光程長度調(diào)節(jié)單元，可以容易地調(diào)節(jié)光程長度。
對實(shí)現(xiàn)與光學(xué)記錄介質(zhì)不同的距離的方式?jīng)]有特別限制，可根據(jù)目
的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，使用焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件或空間光調(diào)制器，并且可以在
發(fā)光表面上安置階梯。備選地，可以相對于發(fā)光方向傾斜放置光程長度
調(diào)節(jié)單元。
在離光學(xué)記錄介質(zhì)不同距離的點(diǎn)或表面之間與光學(xué)記錄介質(zhì)的距離 之差T，對應(yīng)光程長度調(diào)節(jié)量。如上所述，距離"l"優(yōu)選為liim至l，00(^m， 更優(yōu)選為10nm至500pm，并且還優(yōu)選為50nm至300pm。
可以通過下列方法調(diào)節(jié)光程長度將兩個(gè)或更多個(gè)光程長度調(diào)節(jié)單 元安置在離光學(xué)記錄介質(zhì)不同距離的位置，如上所述在發(fā)光表面上安置 階梯，或者將兩個(gè)或更多個(gè)傾斜排列的光程調(diào)節(jié)單元安置在發(fā)光方向上。
在兩個(gè)或更多個(gè)光程調(diào)節(jié)單元之間的發(fā)光方向上的距離'T，對應(yīng)光程 長度調(diào)節(jié)量。如上所述，距離T優(yōu)選為l)im至l,OOO(im，更優(yōu)選為l(Hmi 至500(im，并且還優(yōu)選為50(im至300pm。
在本發(fā)明中，發(fā)光表面是當(dāng)具有通過光程長度調(diào)節(jié)單元調(diào)節(jié)的光程 長度的光從光程長度調(diào)節(jié)單元出射到光學(xué)記錄介質(zhì)或光接受單元(稍后描 述)中時(shí)，光程長度調(diào)節(jié)單元在出射側(cè)或者在到光學(xué)記錄介質(zhì)或光接受單
元一側(cè)的表面。
當(dāng)使用焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件時(shí)，可以如下計(jì)算光程長度調(diào)節(jié)量L: I^(n-i) x t
其中"n"是焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的折射率，"i"是為l的空氣折射率并且"t"是 焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的厚度。L的單位取決于厚度的單位(例如，在"t"以mm為單 位時(shí)，L以mm為單位并且在"t"以pm為單位時(shí)，L以pm為單位)。
上述L優(yōu)選為lpm至l,000nm，更優(yōu)選為10^im至500(im，并且還優(yōu)選 為50^im至300(im。
在安置于不同位置的兩個(gè)或更多個(gè)光程長度調(diào)節(jié)單元之間的與發(fā)光 方向相交的方向上的距離"d"和跨過所有光程長度調(diào)節(jié)單元的總寬度D優(yōu) 選滿足d/D =1/1,000至1/2，更優(yōu)選滿足1/500至1/5并且還優(yōu)選滿足1/100至 1/10。
小于1/I,000的值d/D有時(shí)使多重記錄變得困難。大于l/2的值d/D有時(shí) 使光學(xué)系統(tǒng)過大。
圖3A至3E和圖4A至4D顯示了空間光調(diào)制器的實(shí)施方案，并且圖5A 至5K顯示了焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的實(shí)施方案。然而，本發(fā)明不限于此。 -空間光調(diào)制器的實(shí)施方案-
在圖3A至3E中，空間光調(diào)制器的發(fā)光表面具有在離光學(xué)記錄介質(zhì)不
同距離的點(diǎn)(或表面)。
在圖3A中，空間光調(diào)制器20在發(fā)光表面上具有階梯以將用于產(chǎn)生信 息光束和參考光束的圖案水平(或垂直)分成兩個(gè)，即圖案A和圖案B。通 過一個(gè)發(fā)光表面A產(chǎn)生并且發(fā)射對應(yīng)一個(gè)圖案A的信息光束和參考光束， 并且通過另一個(gè)發(fā)光表面B產(chǎn)生并且發(fā)射對應(yīng)另一個(gè)圖案B的信息光束和
參考光束。
在圖3B中，使用圓形圖案，空間光調(diào)制器20具有形成中心信息光束 圖案A區(qū)域和外圍參考光束圖案B區(qū)域的階梯，由此將信息光束和參考光
束在它們輻照光學(xué)記錄介質(zhì)之前調(diào)節(jié)為具有彼此不同的光程長度。
在圖3C中，使用正方形圖案，空間光調(diào)制器20具有形成中心信息光束圖案A區(qū)域和外圍參考光束圖案B區(qū)域的階梯，由此將信息光束和參考 光束在它們輻照光學(xué)記錄介質(zhì)之前調(diào)節(jié)為具有彼此不同的光程長度。
在圖3D中，將空間光調(diào)制器20相對于發(fā)光方向傾斜安置，由此得到 在離光學(xué)記錄介質(zhì)不同距離的點(diǎn)。具體而言，如在圖3D的圓圈內(nèi)的放大 圖中所示，在發(fā)光方向上階梯式安置組成空間光調(diào)制器20的多個(gè)數(shù)字微 鏡裝置(DMD)，由此傾斜安置空間光調(diào)制器20。在發(fā)光表面之間的距離T， 可以彼此相等或不同。在這種結(jié)構(gòu)的情況下，空間光調(diào)制器20的各個(gè)DMD 具有在離光學(xué)記錄介質(zhì)不同距離的點(diǎn)，由此可以調(diào)節(jié)信息光束和參考光 束的光程長度。
在圖3E中，將用于產(chǎn)生信息光束和參考光束的圖案分成關(guān)于點(diǎn)對稱 的四個(gè)區(qū)域(圖案A、 B、 C和D)。在空間光調(diào)制器20的發(fā)光表面上的相對 表面A和D在相同平面上，并且相對表面B和C在相同平面上。另外，表面 A和D比表面B和C向光學(xué)記錄介質(zhì)突出得更多以在發(fā)光表面上形成階梯， 由此將信息光束和參考光束調(diào)節(jié)為具有不同的光程長度。
在圖4A至4D中，使用兩個(gè)空間光調(diào)制器20將信息光束和參考光束分 成兩束，由此將它們各自調(diào)節(jié)為具有不同的光程長度。
在圖4A中，在發(fā)光方向上以距離'T，并且在相交方向上以距離"d"安置
各自由信息光束圖案和參考光束圖案組成的兩個(gè)半圓形空間光調(diào)制器 20。在這種結(jié)構(gòu)的情況下，空間光調(diào)制器20將信息光束和參考光束的圖 案分成兩個(gè)，即A和B,由此將對應(yīng)于圖案A的信息光束和參考光束以及 對應(yīng)于圖案B的信息光束和參考光束在輻照之前調(diào)節(jié)為具有彼此不同的光 程長度。
在圖4B中，使用圓形圖案，分別形成用于形成參考光束圖案A的空 間光調(diào)制器20和用于形成信息光束圖案B的空間光調(diào)制器20。將它們在發(fā) 光方向上以距離T'安置。此外，如圖4B中所示，在將環(huán)形參考光束圖案 A的內(nèi)圓周和圓形信息光束圖案B的外圓周以距離"d"隔開的情況下安置兩 個(gè)空間光調(diào)制器20以防止它們的像素相互重疊。采用這種結(jié)構(gòu)，可以將 信息光束和參考光束在它們輻照光學(xué)記錄介質(zhì)之前調(diào)節(jié)為具有彼此不同 的光程長度。
在圖4C中，以與圖4B中類似的方式使用正方形圖案，分別形成用于
產(chǎn)生參考光束圖案A的空間光調(diào)制器20和用于產(chǎn)生信息光束圖案B的空間
光調(diào)制器20。將它們在發(fā)光方向上以距離'T，安置。此外，它們是在將參 考光束圖案A的內(nèi)圓周和圓形信息光束圖案B的外圓周以距離"d"隔開的情 況下安置的。采用這種結(jié)構(gòu)，可以將信息光束和參考光束在它們輻照光 學(xué)記錄介質(zhì)之前調(diào)節(jié)為具有彼此不同的光程長度。
在圖4D中，交替安置四個(gè)空間光調(diào)制器20以將用于產(chǎn)生信息光束和 參考光束的圖案分成關(guān)于點(diǎn)對稱的四個(gè)區(qū)域(圖案A、 B、 C和D)。用于圖 案A和C的相對空間光調(diào)制器20在離光學(xué)記錄介質(zhì)相同距離處。以距離"l" 隔開的是用于圖案B和C的相對空間光調(diào)制器20。相鄰的空間光調(diào)制器20 在與發(fā)光方向相交的方向上以距離"d"隔開。采用這種結(jié)構(gòu)，將信息光束 和參考光束分成四束以調(diào)節(jié)它們的光程長度。
-焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的實(shí)施方案-
在圖5A中，將焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21安置在從空間光調(diào)制器20中發(fā)射的信 息光束和參考光束的光程上，所述焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21的寬度約為空間光調(diào) 制器20的寬度的一半。在安置這種焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21的情況下，可以將近 一半信息光束和參考光束的光程長度在它們輻照光學(xué)記錄介質(zhì)之前調(diào)節(jié)。
在圖5B中，將焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21安置在信息光束和參考光束的光程上， 所述焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21的寬度與空間光調(diào)制器20幾乎相同，并且其厚度沿 著寬度變化。這種焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21在兩側(cè)具有傾斜于信息光束和參考光 束發(fā)射方向的表面。因此，形成在離光學(xué)記錄介質(zhì)不同距離的多個(gè)點(diǎn)， 由此將信息光束和參考光束分成具有不同光程長度的多束光。
在圖5C和5D中，使用焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21調(diào)節(jié)信息光束和參考光束的光 程長度，所述焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21具有V形橫截面的斜表面作為信息光束和參 考光束的發(fā)光表面。將發(fā)光表面切割成圓錐形以形成圖5C中的斜表面。 同時(shí)，形成V形直線凹槽以產(chǎn)生圖5D中的斜表面。
在圖5E和5F中，安置焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21，所述焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21具有弧 形橫截面的凹面作為信息光束和參考光束的發(fā)光表面。在圖5E中，形成 球形凹面。同時(shí)，形成弧形凹槽以形成圖5F中的凹面。
在圖5G中，安置焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21，所述焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21具有弧形橫
截面的凸面作為信息光束和參考光束的發(fā)光表面。
在圖5H中，安置厚度在中心最大，并且向外圍降低以在兩側(cè)形成凸 面的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21。所述凸面可以是彎曲的錐形或者由兩個(gè)平面組成。
在圖5I中，安置焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21，所述焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21在發(fā)光表面 的中心的一側(cè)具有大的厚度而在另一側(cè)具有較小的厚度以在發(fā)光表面上 形成階梯。
在圖5J中，安置焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21，所述焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21在中心具有 大的厚度而在外圍具有更較的厚度以在發(fā)光表面上形成階梯。
在圖5K中，安置具有三種不同的厚度以在發(fā)光表面上形成階梯的焦 距調(diào)節(jié)構(gòu)件21。所述階梯(即距離T')的尺寸可以彼此相等或不同。
上述焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21可以單獨(dú)使用或兩種或更多種組合使用。它們 可以是圓形或矩形的。
伺服控制步驟是這樣的步驟使用伺服光輻照光學(xué)記錄介質(zhì)并且接 受來自光學(xué)記錄介質(zhì)的衍射光以進(jìn)行記錄位置確定(跟蹤伺服)、焦距調(diào)節(jié) (聚焦伺服)和其它伺服控制。通常，這些控制與在光學(xué)記錄步驟中的記錄 同吋進(jìn)行(換句話說，記錄與伺服控制一起進(jìn)行)。
伺服控制步驟通過光學(xué)記錄裝置的伺服控制單元進(jìn)行。
對于伺服控制，預(yù)先在壓印凹坑(伺服凹坑)圖案(預(yù)先格式)中記錄通 過取樣的伺服系統(tǒng)聚焦并且跟蹤伺服控制的信息和地址信息。可以使用 反射涂層的反射表面進(jìn)行聚焦伺服控制。例如，可以使用擺動凹坑作為 用于跟蹤伺服控制的信息。
對跟蹤伺服控制沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，可 以使用通過三光束法、推挽法(push-pull method)、相位差檢測法(在Heitaro Nakaiama禾卩Hiroshi Ogawa的"Illustrated Reading Book on Compact Discs," Ohmsha中描述，第一版，于1986年11月10日出版)檢測跟蹤位置的伺服控 制。
對聚焦伺服控制沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，可
以使用通過像散法、傅科法和臨界角法(在Heitaro Nakajima和Hiroshi Ogawa的"Illustrated Reading Book on Compact Discs," Ohmsha中描述，第 一版，于1986年11月10日出版)檢測聚焦的伺服控制。
備選地，在光學(xué)記錄介質(zhì)中記錄全息記憶，其中記錄包括跟蹤信息 和地址信息的焦點(diǎn)信息和表示在會聚透鏡和記錄光的焦點(diǎn)之間的距離的 焦距信息，并且可以讀取在全息記憶中的信息以確定信息記錄跟蹤位置 或圓周記錄位置并且調(diào)節(jié)焦距。
可以用使位置旋轉(zhuǎn)并且移動的伺服凹坑圖案伺服控制用信息光束和 參考光束輻照的位置，以使用跟蹤輻照位置的信息光束和參考光束輻照。
對跟蹤控制和聚焦控制單元沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。 例如，可以使用伺服機(jī)構(gòu)。
對伺服機(jī)構(gòu)沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，可以使 用基于上述移動產(chǎn)生聚焦誤差信號并且引導(dǎo)驅(qū)動單元以通過相位補(bǔ)償激 勵(lì)放大器移動物鏡的機(jī)構(gòu)，所述相位補(bǔ)償激勵(lì)放大器放大用于控制焦距 的信號。
對上述驅(qū)動單元沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，可 以使用致動器或步進(jìn)馬達(dá)。
對伺服控制光波長沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。所述波 長優(yōu)選與信息光束和參考光束的波長不同。具體而言，所述波長優(yōu)選為 350nm至500nm、 620至700nm和750nm至l，000nm中的任何一種，更優(yōu)選 為390nm至440nm、 640至690nm和770nm至900nm中的任何一種，并且還 優(yōu)選為400nm至420nm、 650至680nm和780nm至830nm中的任何一種。在 它們之中，特別優(yōu)選405nm、 650nm和780nm中的任何一種，并且最優(yōu)選 405nm。
對伺服凹坑圖案的跟蹤凹坑沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。 例如，當(dāng)伺服控制光波長為620nm至700nm時(shí)，跟蹤凹坑優(yōu)選為0.85pm至 30|am，更優(yōu)選為l.lfim至20iim，特別優(yōu)選為1.3pm至10nm，并且最優(yōu)選 為1.5pm至2)im。當(dāng)跟蹤凹坑小于0.85nm時(shí)，因?yàn)樵谟涗泴又虚g的散射光， 跟蹤可能不穩(wěn)定。當(dāng)跟蹤凹坑大于30pm時(shí)，在某些情況下可能降低記錄 密度。
當(dāng)伺服控制光波長為750nm至l,000nm時(shí)，跟蹤凹坑優(yōu)選為1.7pm至 30|im，更優(yōu)選為1.9(am至20Mm，并且特別優(yōu)選為2.3nm至5pm。當(dāng)跟蹤凹 坑小于1.7pm時(shí)，因?yàn)樵谟涗泴又虚g的散射光，跟蹤可能不穩(wěn)定。當(dāng)跟蹤 凹坑大于30pm時(shí)，在某些情況下可能降低記錄密度。
當(dāng)伺服控制光波長為350nm至500nm時(shí)，跟蹤凹坑優(yōu)選為0.4pm至 30pm，更優(yōu)選為0.6(im至2(Vm，特別優(yōu)選為0.8nm至5pm，并且最優(yōu)選為 lpm至2(am。當(dāng)跟蹤凹坑小于0.4pm時(shí)，因?yàn)樵谟涗泴又虚g的散射光，跟 蹤可能不穩(wěn)定。當(dāng)跟蹤凹坑大于30^im時(shí)，可能在某些情況下降低記錄密
當(dāng)伺服控制光波長約為405nm時(shí)，跟蹤凹坑優(yōu)選為0.32pm至0.4pm。 對伺服凹坑圖案的凹槽深度沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。 例如，凹槽深度優(yōu)選為V(10n)至V(3n)、更優(yōu)選為X/(8n)至X/(4n)，并且還 優(yōu)選為人/(7n)至人/(5n)，其中人是伺服控制光波長并且"n"是伺服凹坑圖案的
介質(zhì)的折射率或在凹坑的光進(jìn)入表面?zhèn)鹊牟牧系恼凵渎省?br> 當(dāng)人為650nm并且"n"是1.6時(shí)，凹槽深度優(yōu)選為41nm至135nm。通常， 當(dāng)人為650nm時(shí)，即使略微改變"n"，凹槽深度也優(yōu)選為50nm至120nm，更 優(yōu)選為60nm至110nm，并且特別優(yōu)選為80nm至100nm。對于其它波長， 凹槽深度優(yōu)選與波長成比例。例如，當(dāng)伺服控制光波長為780nm并且"n" 為1.6時(shí)，凹槽深度優(yōu)選為49nm至163nm。當(dāng)伺服控制光波長為405nm并 且"n"為1.6時(shí)，凹槽深度優(yōu)選為25nm至84nm。
對伺服凹坑圖案的凹槽寬度沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。 例如，優(yōu)選凹槽寬度大于常規(guī)CD、 DVD和BD/HD DVD的凹槽寬度。具 體而言，當(dāng)伺服控制光波長為650nm時(shí)，凹槽寬度優(yōu)選為0.25pm至 1.05pm，更優(yōu)選為0.35^im至0.95(am，特別優(yōu)選為0.45pm至0.85iim，并且 最優(yōu)選為0.55pm至0.75nm。
當(dāng)伺服控制光波長為780nm時(shí)，凹槽寬度優(yōu)選為0.45^im至2pm,更優(yōu) 選為0.6pm至1.6nm，特別優(yōu)選為0.8pm至1.3iam，并且最優(yōu)選為1.0pm至 l.l(im。
當(dāng)伺服控制光波長為405nm時(shí)，凹槽寬度優(yōu)選為0.2pm至1.0|im，更 優(yōu)選為0.25nm至0.8pm，特別優(yōu)選為0.3jLim至0.6(im，并且最優(yōu)選為0.35]um
至0.5um。
對伺服凹坑圖案的角度沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例 如，所述角度優(yōu)選為25。至90。，更優(yōu)選為35°至80°，特別優(yōu)選為40。至70。， 并且最優(yōu)選為45。至60。。當(dāng)角度為90。時(shí)，圖案具有矩形的形狀。
<固定步驟〉
固定步驟是在記錄層進(jìn)行記錄之后，通過使用固定光輻照記錄層固 定記錄，從而穩(wěn)定記錄的干涉條紋的步驟。
固定步驟通過光學(xué)記錄裝置的固定單元進(jìn)行。
對固定光輻照法沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，可 以使用來自與信息光束和參考光束相同的光源的光或來自與它們的光源 不同的光源的光。
-固定光-
對固定光輻照區(qū)域沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如， 固定光輻照區(qū)域優(yōu)選是與被信息光束和參考光束在記錄層的任何位置瞄 準(zhǔn)的記錄區(qū)相同的區(qū)域，或者大于瞄準(zhǔn)的記錄區(qū)且從其外圍向外延伸至 少Ipm的區(qū)域。如果使用固定光輻照從瞄準(zhǔn)的記錄區(qū)向外延伸到liim以外 的區(qū)域，則相鄰的區(qū)域也被輻照，并且過多輻照能得到無效率的利用。
對固定光輻照時(shí)間沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如， 在記錄層的任何位置的輻照時(shí)間優(yōu)選為lns至100ms，并且更優(yōu)選為lns至 80ms。當(dāng)輻照時(shí)間少于lns時(shí)，可能發(fā)生不充分的固定。當(dāng)輻照時(shí)間多于 100ms時(shí)，輻照過多能量。優(yōu)選在記錄干涉圖像之后28小時(shí)內(nèi)進(jìn)行固定光 輻照。當(dāng)在記錄干涉圖像之后超過28小時(shí)進(jìn)行固定光輻照時(shí)，記錄的信 息的信號質(zhì)量可能劣化。
對固定光發(fā)射方向沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如， 將固定光在與信息光束和參考光束相同的方向或者不同于它們的方向上
發(fā)射到記錄層的任何位置。相對于記錄層的層表面的發(fā)射角優(yōu)選為o。至
60°，并且更優(yōu)選為0°至40°。當(dāng)發(fā)射角不同于這些角時(shí)，可能發(fā)生不充分 的固定。
對固定光波長沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，在記
錄層的任何位置的固定光波長均優(yōu)選為350nm至850nm，并且更優(yōu)選為 400nm至600nm。
當(dāng)波長小于350nm時(shí)，材料可被分解。當(dāng)波長大于850nm時(shí)，因?yàn)楦?溫，材料可被劣化。
可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇固定光源。例如，可以使用與信息光束和參 考光束相同的光源，這是優(yōu)選的，因?yàn)椴槐匦枰硗獾墓庠?。因?yàn)榭梢?使用與信息光束和參考光束相同的光源，所以使用來自上述光源的光輻 照光學(xué)記錄介質(zhì)。使用相同的光源易于將干涉圖像記錄區(qū)與固定光輻照 區(qū)重合，從而實(shí)現(xiàn)有效率的固定光輻照。
對固定光輻照速率沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如， 在記錄層的任何位置的固定光輻照速率均優(yōu)選為0.001mJ/cm2至 100mJ/cm2，并且更優(yōu)選為0.01mJ/cm2至10 mJ/cm2。
對固定光輻照法沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，優(yōu) 選在記錄層的任何位置使用來自與信息光束和參考光束相同的光源的光 輻照。在某些情況下，可以使用采用來自不同光源的光的輻照。
(光學(xué)記錄介質(zhì))
在本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)中，通過本發(fā)明的光學(xué)記錄方法記錄信息。
本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)是至少具有記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)，在所述 記錄層中全息記錄信息，其中將干涉圖像(干涉條紋)以全息記憶的形式記 錄在記錄層中并且通過固定光固定。
在本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)中，全息記錄的信息可以是其中記錄二維 信息的透射型或反射型較薄平面全息圖，或者其中記錄大容量信息如三 維圖像的透射型或反射型體全息圖。
此外，可以使用任何全息記錄體系，包括振幅全息圖、相全息圖、 閃耀全息圖和復(fù)振幅全息圖。
光學(xué)記錄介質(zhì)是具有上述記錄層、第一襯底和第二襯底以及在必要 時(shí)適當(dāng)選擇的其它層的光學(xué)記錄介質(zhì)。
<記錄層〉
作為記錄層的光敏材料，使用其中可以全息記錄信息并且具有光學(xué) 性能如吸收系數(shù)和折射率的材料，所述光學(xué)性能在使用特定波長的電磁 波輻照時(shí)可以根據(jù)電磁波的強(qiáng)度變化。
對記錄層的材料沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。所述材料 的實(shí)例包括(l)通過光輻照經(jīng)由聚合反應(yīng)聚合的光敏聚合物；(2)具有光折 變效應(yīng)(通過光輻照，由于空間電荷分布，改變折射率)的光折變材料；(3) 通過光輻照經(jīng)由分子異構(gòu)化調(diào)節(jié)折射率的光致變色材料；(4)無機(jī)材料如 鈮酸鋰和鈦酸鋇；和(5)硫族元素材料。
對上述(l)的光敏聚合物沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例 如，所述光敏聚合物包含單體和光引發(fā)劑并且在必要時(shí)包含其它組分如 敏化劑和低聚物。
光敏聚合物的可用實(shí)例包括在下列參考文獻(xiàn)中描述的光敏聚合物
"Photopolymer Handbook，，(Kogyo Chosakai Publishing, 1989); "Photopolymer Technology"(Nikkan Kogyo Shimbun,1989); SPIE Outlines,第3010巻， 354-372頁(1997)和SPIE Outlines,第3291巻，89-103頁(1998)。光敏聚合物 的可用實(shí)例還包括在美國專利5,759,721、 4,942,112、 4,959,284和6,221,536 的說明書中描述的光敏聚合物；國際公布WO 97/44714、 WO 97/13183、 W099/26112和WO 97/13183的小冊子;日本專利(JP-B) 2880342 、 2873126、 2849021、 3057082和3161230;日本專利申請公開(JP-A) 2001-316416和2000-275859。
通過記錄光輻照改變光敏聚合物的光學(xué)性能的方法包括利用低分子 量組分的擴(kuò)散。可以加入在相反方向上擴(kuò)散到聚合物組分中的組分以降 低聚合過程中的體積變化。備選地，除所述聚合物以外，還可以另外使 用具有酸裂解結(jié)構(gòu)的化合物。當(dāng)使用包含低分子量組分的光敏聚合物形 成記錄層時(shí)，在某些情況下可能需要使記錄層保持為液態(tài)的結(jié)構(gòu)。當(dāng)另 外使用具有酸裂解結(jié)構(gòu)的化合物時(shí)，可以通過以由單體的聚合產(chǎn)生的收 縮抵消由裂解產(chǎn)生的膨脹降低體積變化。
對上述單體沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。所述單體的實(shí) 例包括具有不飽和鍵(如丙烯酸類和甲基丙烯酸類基團(tuán))的自由基聚合
型單體；和具有醚結(jié)構(gòu)(如環(huán)氧環(huán)和氧雜環(huán)丁垸環(huán))的陽離子聚合型單 體。這些單體可以是單官能團(tuán)或多官能團(tuán)的。此外，它們可以是光交聯(lián) 反應(yīng)型。
所述自由基聚合型單體的實(shí)例包括丙烯?；鶈徇?、丙烯酸苯氧基乙
酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸2-羥丙酯、丙烯酸2-乙基己酯、1,6-己二醇 二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇PO改性的二丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯、羥基新戊酸新戊二醇二丙烯酸酯、EO改性的雙酚A 二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四 丙烯酸酯、季戊四醇六丙烯酸酯、EO改性的甘油三丙烯酸酯、三羥甲基 丙烷三丙烯酸酯、EO改性的三甲基丙垸三丙烯酸酯、2-萘-l-氧乙基丙烯 酸酯、2-咔唑-9-基乙基丙烯酸酯、(三甲基甲硅烷氧基)二甲基甲硅垸基丙 基丙烯酸酯、乙烯基-l-萘甲酸酯和N-乙烯基咔唑。
所述陽離子聚合型單體的實(shí)例包括雙酚A環(huán)氧樹脂、線型酚醛樹脂、 甘油三縮水甘油醚、1,6-己垸縮水甘油醚、乙烯基三甲氧基硅烷、4-乙烯 基苯基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅垸和具有結(jié)構(gòu)式
(A)至(E)的化合物。
這些單體可以單獨(dú)使用或兩種或更多種組合使用。
<formula>formula see original document page 26</formula>
結(jié)構(gòu)式(D)
結(jié)構(gòu)式(E)
只要對記錄光敏感，光引發(fā)劑不受特別限制并且可以是通過光輻照 引發(fā)自由基聚合、陽離子聚合或交聯(lián)反應(yīng)的材料。
光引發(fā)劑的實(shí)例包括2,2'-雙(鄰氯苯基)-4,4',5，5'-四苯基-l，r-聯(lián)咪 唑、2，4，6-三(三氯甲基)-1,3，5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-(對甲氧基苯基乙 烯基)-l,3,5-三嗪、四氟硼酸二苯基碘鎗、六氟磷酸二苯基碘鑰、四氟硼 酸4,4，-二叔丁基二苯基碘鑰、六氟磷酸4-二乙基氨基苯基重氮苯、苯偶姻、 2-羥基-2-甲基-l-苯基丙垸-2-酮、二苯甲酮、噻噸酮、2，4,6-三甲基苯甲酰 基二苯基?；趸ⅰ⑷交』鹚崴囊忆@、雙(if-2,4-環(huán)戊二烯-l-基)、 雙[2，6-二氟-3-(lH-吡咯-l-基)苯基鈦、六氟磷酸二苯基-4-苯基苯硫基锍和 具有下面的結(jié)構(gòu)式的二茂鈦化合物。這些材料可以單獨(dú)使用或兩種或更 多種組合使用。可以根據(jù)發(fā)光波長另外使用敏化染料。
可以通過攪拌并且混合上述單體、光引發(fā)劑以及在必要時(shí)的其它組 分以使它們反應(yīng)得到所述光敏聚合物。當(dāng)?shù)玫降墓饷艟酆衔锞哂凶銐虻?的粘度時(shí)，可以將它流延以形成記錄層。同時(shí)，當(dāng)光敏聚合物具有太高 的粘度以致不能流延時(shí)，使用分配器將光敏聚合物成堆安放置在第二襯 底上，然后將第一襯底從上擠壓光敏聚合物以將它涂布到整個(gè)表面上， 從而形成記錄層。
只要具有光折變效應(yīng)，對上述(2)的光折變材料沒有特別限制，可根 據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，光折變材料包含電荷生成材料和電荷傳輸材 料并且在必要時(shí)包含其它組分。
對電荷生成材料沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。電荷生成 材料的實(shí)例包括酞菁染料/顏料，如金屬酞菁、非金屬酞菁或它們的衍生 物；萘菁染料/顏料；偶氮染料/顏料，如單偶氮、重氮和三偶氮；茈染料/ 顏料；靛藍(lán)染料/顏料；喹吖啶酮染料/顏料；多環(huán)奎寧染料/顏料，如蒽醌 和蒽嵌蒽二酮；花青染料/顏料；由電子受體和由TTF-TCNQ代表的電子 給體組成的電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物；天青鎗鹽(azurenium salts);和由(:6()和(370代 表的富勒烯以及它們的衍生物亞甲基富勒烯。這些材料可以單獨(dú)使用或 兩種或更多種組合使用。
電荷傳輸材料是傳輸空穴或電子的材料。它可以是低分子量化合物 或高分子量化合物。
對電荷傳輸材料沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。電荷傳輸 材料的實(shí)例包括含氮環(huán)狀化合物，如吲哚、咔唑、噁唑、inoxazole、噻 唑、咪唑、吡唑、噁二唑、吡唑啉、噻三唑(thiathiazole)和三唑或它們的 衍生物；腙化合物；三苯基胺；三苯基甲垸；丁二烯；芪；醌化合物， 如蒽醌二苯氧基醌；富勒烯如C^和C7。以及它們的衍生物；兀-共軛聚合物 或低聚物如聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩和聚苯胺；o-共軛聚合物或低聚物， 如聚硅烷和聚鍺烷；和多環(huán)芳族化合物，如蒽、芘、菲和六苯并苯。這 些化合物可以單獨(dú)使用或兩種或更多種組合使用。
為了使用光折變材料形成記錄層，例如，使用溶解或分散于溶劑中 的光折變材料的涂布溶液形成涂層并且從涂層中除去溶劑以形成記錄 層。備選地，使用加熱并且流體化的光折變材料形成涂層并且使涂層驟
冷以形成記錄層。
只要引發(fā)光致變色反應(yīng)，對上述(3)的光致變色材料沒有特別限制， 可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。光致變色材料的實(shí)例包括偶氮苯化合物、芪化 合物、靛藍(lán)化合物、硫靛化合物、螺吡喃化合物、螺噁嗪化合物，俘精酸 酐化合物、蒽化合物、腙化合物和肉桂酸化合物。在它們之中，特別優(yōu) 選通過光輻照進(jìn)行由順反異構(gòu)化引起的結(jié)構(gòu)變化的偶氮苯衍生物和茛衍 生物，以及通過光輻照進(jìn)行由開環(huán)-閉環(huán)引起的結(jié)構(gòu)變化的螺吡喃衍生物 和螺噁嗪衍生物。
上述(5)的硫族元素材料的實(shí)例包括含有硫族化物玻璃的材料，所述 硫族化物玻璃含有分散在硫族化物玻璃中并且可通過光輻照散步在硫族 化物玻璃中的硫族元素和金屬顆粒。
硫族化物玻璃由含有硫族元素如S、 Te和Se的非氧化物無定形材料組 成。只要可以用金屬顆粒光摻雜，對硫族化物玻璃沒有特別限制。
含硫族元素的無定形材料的實(shí)例包括Ge-S玻璃、As-S玻璃、As-Se玻 璃和As-Se-Ce玻璃。在它們之中，優(yōu)選Ge-S玻璃。當(dāng)使用Ge-S玻璃作為 硫族化物玻璃時(shí)，可以根據(jù)輻照光波長在任意基礎(chǔ)上改變組成玻璃的Ge/S 的組成比。然而，優(yōu)選主要具有GeS2的化學(xué)組成的硫族化物玻璃。
只要可以用于光摻雜硫族化物玻璃，對金屬顆粒沒有特別限制，可 根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。金屬顆粒的實(shí)例包括A1、 Au、 Cu、 Cr、 Ni、 Pt、 Sn、 In、 Pd、 Ti、 Fe、 Ta、 W、 Zn和Ag。在它們之中，Ag、 Au和Cu易于光摻 雜，并且因?yàn)閷?dǎo)致顯著的光摻雜，特別優(yōu)選Ag。
分散在硫族化物玻璃中的金屬顆粒的含量基于總體積優(yōu)選為0.1體積 %至2體積％，并且更優(yōu)選為0.1體積％至1.0體積％。當(dāng)金屬顆粒的含量低 于0.1體積％時(shí)，由光摻雜引起的透射率的變化可能不足，從而導(dǎo)致記錄 精度下降。當(dāng)含量高于2體積％時(shí)，可能降低記錄材料的光透射率，從而 阻礙了充分的光摻雜。
可以根據(jù)材料通過已知的技術(shù)形成記錄層。它可以優(yōu)選通過例如下 列方法形成氣相沉積、濕法涂布、MBE(分子束外延)、簇離子束、分子 層疊、LB、印刷或轉(zhuǎn)印。在它們之中，優(yōu)選氣相沉積和濕法涂布。
對氣相沉積沒有特別限制，并且根據(jù)目的在已知的技術(shù)中適當(dāng)?shù)剡x
擇。氣相沉積的實(shí)例包括真空氣相沉積、電阻加熱沉積、化學(xué)氣相沉積
和物理氣相沉積?；瘜W(xué)氣相沉積包括等離子體CVD、激光CVD、熱CVD 和氣體CVD。
為了通過濕法涂布形成記錄層，例如，優(yōu)選使用溶解或分散于溶劑 中的記錄層材料的溶液(涂布溶液)(涂布并且干燥)。對濕法涂布方法沒有 特別限制，可根據(jù)目的在已知的技術(shù)中適當(dāng)?shù)剡x擇。濕法涂布方法的實(shí) 例包括噴墨、旋涂、捏合機(jī)涂布、刮棒涂布、刮刀涂布、流延、浸漬和
幕涂o
對記錄層的厚度沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。所述厚度
優(yōu)選為1 jam至1，000jim并且更優(yōu)選為10(Vm至700i^n。
當(dāng)涂層的厚度在上述優(yōu)選的數(shù)值范圍內(nèi)時(shí)，在10重至300重的位移多 重記錄中可以得到令人滿意的S/N比，并且當(dāng)涂布層的厚度在上述更優(yōu)選 的數(shù)值范圍內(nèi)時(shí)，這種效果有利地更顯著。
<第一襯底>
對第一襯底的形狀、結(jié)構(gòu)、尺寸等沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng) 地選擇。例如，第一襯底可以為盤或卡片的形狀，從而應(yīng)該由確保光學(xué) 記錄介質(zhì)的機(jī)械強(qiáng)度的材料制成。當(dāng)用于記錄和復(fù)制的光進(jìn)入襯底中時(shí)， 所述襯底必須對操作光波長范圍足夠透明。
第一襯底一般可以由玻璃、陶瓷或樹脂制成。根據(jù)可模塑性和成本， 特別優(yōu)選樹脂。根據(jù)精度，還優(yōu)選玻璃。
樹脂的實(shí)例包括聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙 烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、有機(jī)硅樹脂、 氟樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂和非晶態(tài)聚烯烴樹脂。在它們之中，根 據(jù)可模塑性、光學(xué)性能和成本，特別優(yōu)選聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類樹脂 和非晶態(tài)聚烯烴樹脂。
第一襯底可以是適當(dāng)?shù)睾铣苫蚩缮藤彽哪切?br> 對第一襯底的厚度沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。所述厚 度優(yōu)選為0.1mm至5mm并且更優(yōu)選為0.3mm至2mm。當(dāng)襯底具有小于 O.lmm的厚度時(shí)，盤在存儲的同時(shí)不能抵制變形。當(dāng)襯底具有大于5mm
的厚度時(shí)，盤的總重量增加并且驅(qū)動馬達(dá)可能被強(qiáng)加過量的負(fù)荷。
對于入射角為士30。的405nm的光，第一襯底的光透射率優(yōu)選為70%至 99.9%，更優(yōu)選為80%至99%，并且特別優(yōu)選為90°/。至98%。
當(dāng)光透射率低于70%時(shí)，可能降低信號讀取精度。當(dāng)光透射率高于 99.9%時(shí)，可能降低生產(chǎn)率。
第一襯底優(yōu)選配置有抗反射層以增加信號強(qiáng)度。對于直角入射光， 抗反射層的反射率優(yōu)選為0.001%至2%，更優(yōu)選為0.01%至1%，并且特別 優(yōu)選為0.1%至0.5%。
<第二襯底>
第二襯底在形狀、結(jié)構(gòu)、尺寸、材料和厚度方面可以與第一襯底相 同或不同。在這些之中，優(yōu)選第二襯底在形狀和尺寸方面與第一襯底相 同。
第二襯底可以在與記錄層接觸的一側(cè)上具有反射膜。 -反射膜-
形成反射膜，由此使發(fā)射的信息光束和參考光束或復(fù)制光束(稍后描 述)聚焦在反射膜的表面上并且信息光束和參考光束或復(fù)制光束被反射膜 的表面反射。
對反射膜的材料沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，優(yōu) 選對記錄光和參考光束具有高反射率的材料。當(dāng)操作光波長為400nm至 780nm時(shí)，例如，優(yōu)選使用A1、 Al合金、Ag和Ag合金。當(dāng)操作光波長等 于或大于650nm時(shí)，優(yōu)選使用A1、 Al合金、Ag、 Ag合金、Au、 Cu合金和 TiN。
對反射膜的形成方法沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。所述
形成方法的實(shí)例包括真空氣相沉積、濺射、等離子體CVD、光CVD、離
子電鍍和電子束氣相沉積。在它們之中，根據(jù)大規(guī)模生產(chǎn)率和涂布質(zhì)量，
濺射是優(yōu)異的方法。
反射膜的厚度優(yōu)選等于或大于50nm并且更優(yōu)選等于或大于100nm，
使得可以得到足夠的反射率。
-伺服圖案凹坑-
優(yōu)選將論及光學(xué)記錄方法時(shí)所述的用于跟蹤、滑動和聚焦伺服控制 的伺服凹坑圖案安置到第二襯底上。
伺服凹坑圖案的尺寸和其它詳情是在上面論及本發(fā)明的光學(xué)記錄方 法時(shí)所描述的。
<其它層>
對其它層沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，可以安置 間隙層。
-間隙層-
在必要時(shí)將間隙層安置在記錄層和反射膜之間以使第二襯底的表面 變平滑。它還用于調(diào)節(jié)記錄層中產(chǎn)生的全息圖的尺寸。換句話說，記錄 層必須具有一定尺寸的區(qū)域，所述區(qū)域用于在記錄用的參考光束和信息
光束之間的干涉；因此，它用于在記錄層和伺服凹坑圖案之間提供間隙。
例如，通過例如使用旋涂將材料如可紫外線固化的樹脂涂布到伺服 凹坑圖案上，并且使所述材料固化，可以形成間隙層。對間隙層的厚度
沒有特別限制，可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。所述厚度優(yōu)選為l^m至20(^m。
以下，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的實(shí)施方案的一 個(gè)具體實(shí)例。
<實(shí)施方案的具體實(shí)例〉
圖2是顯示本發(fā)明的實(shí)施方案的一個(gè)具體實(shí)例的光學(xué)記錄介質(zhì)23的結(jié) 構(gòu)的示意性橫截面圖。光學(xué)記錄介質(zhì)23具有在其表面安置鋁、金或鉑反 射膜2的聚碳酸酯樹脂或玻璃襯底1。在此，還可以將伺服凹坑圖案安置 在襯底l的表面上。在圖2中，箭頭表示光學(xué)記錄介質(zhì)23的圓周方向。
當(dāng)在實(shí)施方案的這種具體實(shí)例中形成上述間隙層時(shí)，可以通過例如 旋涂將材料如可紫外線固化的樹脂涂布在第二襯底1的反射膜2上形成間 隙層。間隙層保護(hù)反射膜2并且用于調(diào)節(jié)在記錄層4中產(chǎn)生的全息圖的尺
寸。換句話說，記錄層4必須具有一定尺寸的區(qū)域，所述區(qū)域用于在記錄 用的參考光束和信息光束之間的干涉；因此，它用于在記錄層4和反射膜 之間提供間隙。
在間隙層上沉積記錄層。將記錄層4置于第一襯底5(聚碳酸酯樹脂或
玻璃襯底)和第二襯底1之間以形成光學(xué)記錄介質(zhì)23。
在實(shí)施方案的這種具體實(shí)例的光學(xué)記錄介質(zhì)23中，第二襯底l具有 0.6mm的厚度；記錄層4具有0.6mm的厚度；并且第一襯底5具有0.6mm的 厚度；因此總厚度約為l.Smm。當(dāng)在反射膜2上形成間隙層時(shí)，間隙層優(yōu) 選具有100(im的厚度。
(光學(xué)復(fù)制方法和光學(xué)復(fù)制裝置)
本發(fā)明的光學(xué)復(fù)制方法至少包括光學(xué)復(fù)制步驟，優(yōu)選包括光程長度 調(diào)節(jié)步驟，并且在必要時(shí)包括其它步驟如伺服控制步驟。
本發(fā)明的光學(xué)復(fù)制裝置至少包含光學(xué)復(fù)制單元和光程長度調(diào)節(jié)單 元，并且在必要時(shí)，包含其它單元如伺服控制單元。
優(yōu)選通過所謂的共線光學(xué)記錄方法，其中將信息光束和參考光束以 它們的光軸同軸排列的方式發(fā)射，在光學(xué)記錄介質(zhì)中記錄的復(fù)制信息中 使用本發(fā)明的光學(xué)復(fù)制方法。下列說明主要是針對共線系統(tǒng)進(jìn)行的。然 而，本發(fā)明的光學(xué)復(fù)制方法不限于共線系統(tǒng)，并且適用于通過其它系統(tǒng) 如雙光束干涉系統(tǒng)光學(xué)記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的光學(xué)復(fù)制方法可以通過本發(fā)明的光學(xué)復(fù)制裝置實(shí)現(xiàn)。通過 光學(xué)復(fù)制方法的步驟的說明也將澄清光學(xué)復(fù)制裝置。
光學(xué)復(fù)制步驟是這樣的步驟使用與在記錄過程中使用的參考光束 相同的復(fù)制光束輻照干涉圖像，所述干涉圖像是采用本發(fā)明的光學(xué)記錄 方法在記錄層中形成的，在光接受單元接受通過輻照產(chǎn)生的衍生光，并 且基于干涉圖像復(fù)制記錄的信息。
復(fù)制光束可以與在記錄過程中使用的參考光束相同。優(yōu)選在與參考 光束相同的方向上發(fā)射復(fù)制光束以復(fù)制記錄的信息。
當(dāng)使用復(fù)制光束輻照在光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層的整個(gè)厚度上形成的 多個(gè)干涉條紋時(shí)，與對應(yīng)干涉圖像的記錄信息一樣產(chǎn)生在記錄層中形成 的衍射光，所述衍射光具有對應(yīng)光學(xué)性能分布的強(qiáng)度分布。可以通過用
于復(fù)制的CCD、 C-MOS、 PD陣列等的光接受單元接受衍射光。通過本發(fā)
明的光學(xué)記錄方法部分記錄一批記錄信息，因此在每一個(gè)干涉條紋的記 錄密度低，并且由于來自相鄰的干涉條紋的衍射光，衍射噪聲降低，由 此實(shí)現(xiàn)高精度和優(yōu)異的復(fù)制。
當(dāng)使用如圖3B、 3C、 4B和4C中所示的光程長度調(diào)節(jié)單元在記錄過程 中將信息光束和參考光束的光程長度調(diào)節(jié)為彼此不同時(shí)，可以在復(fù)制過 程中沒有特別的光學(xué)調(diào)節(jié)的情況下，使用與參考光束相同的復(fù)制光束由 干涉圖像產(chǎn)生衍射光。衍射光被光接受單元接受并且用于照原樣復(fù)制。
光程長度調(diào)節(jié)步驟包括下列步驟中的至少一個(gè)(l)將復(fù)制光束在復(fù)
制光束的光源和光學(xué)記錄介質(zhì)之間分成兩束或更多束，并且調(diào)節(jié)分開的 復(fù)制光束的光程長度使得它們聚焦在記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)
上；和(2)在光學(xué)記錄介質(zhì)和光接受單元之間調(diào)節(jié)具有不同光程長度的衍 射光的光程長度，使得它們聚焦在光接受單元的相同平面上。
光程長度調(diào)節(jié)步驟通過光學(xué)復(fù)制裝置的光程長度調(diào)節(jié)單元進(jìn)行。 可以進(jìn)行下列一個(gè)或兩個(gè)步驟(l)調(diào)節(jié)復(fù)制光束的光源和光學(xué)記錄 介質(zhì)之間的光程長度；和(2)調(diào)節(jié)光學(xué)記錄介質(zhì)和光接受單元之間的光程 長度。例如，在還將參考光束分成兩束或更多束以在本發(fā)明的光學(xué)記錄 方法中調(diào)節(jié)光程長度時(shí)，優(yōu)選進(jìn)行上述(1)和(2)兩個(gè)步驟。
在任何情況下，優(yōu)選光程長度調(diào)節(jié)通過至少一個(gè)安置的光程長度調(diào) 節(jié)單元進(jìn)行。
優(yōu)選光程長度調(diào)節(jié)單元在它的發(fā)光表面上具有在離光學(xué)記錄介質(zhì)不 同距離的點(diǎn)。備選地，將兩個(gè)或更多個(gè)光程長度調(diào)節(jié)單元安置在發(fā)光方 向上的不同位置以具有在離光學(xué)記錄介質(zhì)不同距離的點(diǎn)。
光程長度調(diào)節(jié)單元可以包含焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件或空間光調(diào)制器或它們兩 個(gè)。只要可以調(diào)節(jié)光程長度，光程長度調(diào)節(jié)單元可以包含其它適當(dāng)選擇
的構(gòu)件。
焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件和空間光調(diào)制器可以與論及本發(fā)明的光學(xué)記錄方法時(shí) 所述的那些相同。
(1) 調(diào)節(jié)復(fù)制光束的光源和光學(xué)記錄介質(zhì)之間的光程長度 在調(diào)節(jié)復(fù)制光束的光源和光學(xué)記錄介質(zhì)之間的光程長度的情況下，
使用復(fù)制光束各自輻照通過本發(fā)明的光學(xué)記錄方法記錄在記錄層的整個(gè) 厚度上不同位置的干涉條紋。由干涉條紋產(chǎn)生衍射光，并且通過光接受 單元接受衍射光以復(fù)制對應(yīng)干涉條紋的信息。
(2) 調(diào)節(jié)光學(xué)記錄介質(zhì)和光接受單元之間的光程長度
在光學(xué)記錄過程中調(diào)節(jié)光程長度的情況下，由記錄在記錄層的整個(gè) 厚度上不同位置的干涉條紋產(chǎn)生的衍射光被衍射。因此，當(dāng)通過光接受 單元接受時(shí)，它們可以具有不同的焦距。在以與記錄過程中的光學(xué)調(diào)節(jié) 相同的方法調(diào)節(jié)光學(xué)記錄介質(zhì)和光接受單元之間的衍射光的光程長度的 情況下，具有不同光程長度的衍射光聚焦在光接受單元的相同平面上。 因此，可得到高精度的復(fù)制，而沒有位移或離焦。
只要調(diào)節(jié)光程長度使得具有不同光程長度的衍射光聚焦在光接受單 元的相同平面上，可以通過下列方法和單元調(diào)節(jié)在光學(xué)記錄介質(zhì)和光接 受單元之間的光程長度采用與上述(l)的復(fù)制光束的光源和光學(xué)記錄介 質(zhì)之間的光程長度相同的方法和單元(例如，當(dāng)通過兩個(gè)空間光調(diào)制器調(diào) 節(jié)復(fù)制光束的光源和光學(xué)記錄介質(zhì)之間的光程長度時(shí)，也通過相同的兩 個(gè)空間光調(diào)制器調(diào)節(jié)光學(xué)記錄介質(zhì)和光接受單元之間的光程長度)；采用 不同的方法和單元(例如，通過兩個(gè)空間光調(diào)制器調(diào)節(jié)復(fù)制光束的光源和 光學(xué)記錄介質(zhì)之間的光程長度，并且通過焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件調(diào)節(jié)光學(xué)記錄介 質(zhì)和光接受單元之間的光程長度)。
復(fù)制光束的光源和光學(xué)記錄介質(zhì)之間的光程長度的調(diào)節(jié)量優(yōu)選為l^m 至l，000pm，更優(yōu)選為10iim至50(Vm，并且還優(yōu)選為50iim至30(Vm。
更具體而言，在安置于復(fù)制光束的光源和光學(xué)記錄介質(zhì)之間，且在
光發(fā)射表面上具有在離光學(xué)記錄介質(zhì)不同距離的點(diǎn)的光程長度調(diào)節(jié)單元 中，在發(fā)光表面和光學(xué)記錄介質(zhì)之間的距離差"r優(yōu)選為^m至l,OOOjim， 更優(yōu)選為10nm至500nm，并且還優(yōu)選為50jim至300iim。
當(dāng)將兩個(gè)或更多個(gè)光程長度調(diào)節(jié)單元安置在復(fù)制光束的光源和光學(xué) 記錄介質(zhì)之間時(shí)，在光程長度調(diào)節(jié)單元之間的發(fā)光方向上的距離'T，優(yōu)選
為llim至l,OOO^im，更優(yōu)選為10nm至500iim，并且還優(yōu)選為5(Vm至300^im。
當(dāng)使用焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件時(shí)，光程長度調(diào)節(jié)量L可以如下計(jì)算
L = (n-i) x t
其中"n"是焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的折射率，"i"是為l的空氣折射率，并且"t" 是焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的厚度。
上述L優(yōu)選為l^m至l,00(^m，更優(yōu)選為10^im至500(im，并且還優(yōu)選 為50^im至300pm。
在安置于復(fù)制光束的光源和光學(xué)記錄介質(zhì)之間的不同位置的兩個(gè)或 更多個(gè)光程長度調(diào)節(jié)單元之間的與發(fā)光方向相交的方向上的距離"d"和跨 過所有光程長度調(diào)節(jié)單元的總寬度D優(yōu)選滿足d/D-l/l，000至1/2，更優(yōu)選 滿足1/500至1/5并且還優(yōu)選滿足1/100至1/10。
同時(shí)，在某些情況下，光接受單元任選放大/縮小復(fù)制的圖像的尺寸。 為此，在安置于光學(xué)記錄介質(zhì)和光接受單元之間，且在光發(fā)射表面上具 有在離光學(xué)記錄介質(zhì)不同距離的點(diǎn)的光程長度調(diào)節(jié)單元中，在發(fā)光表面 和光學(xué)記錄介質(zhì)之間的距離差'T，優(yōu)選為x^im至l，OOOxnm(其中x為在光接 受單元的復(fù)制圖像放大或縮小的比例)，更優(yōu)選為10xpm至500xpm，并且 還優(yōu)選為50xium至300x(im。
當(dāng)將兩個(gè)或更多個(gè)光程長度調(diào)節(jié)單元安置在光學(xué)記錄介質(zhì)和光接受 單元之間時(shí)，優(yōu)選在所述兩個(gè)或更多個(gè)光程長度調(diào)節(jié)單元之間的光發(fā)射 方向上的距離"l"滿足上述數(shù)值范圍。
優(yōu)選地，當(dāng)在光源側(cè)和光接受單元側(cè)調(diào)節(jié)光程長度時(shí)，r=xi。
當(dāng)使用焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件時(shí)，可以如下計(jì)算光程長度調(diào)節(jié)量L': L' =(n-i) x t
其中"n"是焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的折射率，"i"是為l的空氣折射率，并且"t"
是焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的厚度。
上述L'優(yōu)選為x至l,OOOx^im(其中x為在光接受單元中的復(fù)制圖像放大 或縮小的比例)，更優(yōu)選為10x^im至500x^im，并且還優(yōu)選為50xpn至 300x(im。
優(yōu)選地，當(dāng)在光源側(cè)和光接受單元側(cè)調(diào)節(jié)光程長度時(shí)，L'=XL。優(yōu) 選地，通過不同于焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的某物在光源側(cè)調(diào)節(jié)光程長度時(shí)，L'=xL。
在上述調(diào)節(jié)的情況下，兩個(gè)或更多個(gè)分開的圖像以相同的放大或縮 小比例聚焦在相同平面上，由此得到優(yōu)良的圖像復(fù)制，而沒有離焦、位 移或失真。
在安置于光學(xué)記錄介質(zhì)和光接受單元之間的不同位置的兩個(gè)或更多 個(gè)光程長度調(diào)節(jié)單元之間的與光發(fā)射方向相交的方向上的距離"d'"和光接 受單元的寬度D'優(yōu)選滿足d7D'4/l，000至1/2，更優(yōu)選滿足l/500至l/5并且 還優(yōu)選滿足1/100至1/10。
當(dāng)在本發(fā)明的光學(xué)復(fù)制方法中的上述i、 r、 d'及其它不滿足上述優(yōu)選
的數(shù)值范圍時(shí)，觀察到論及本發(fā)明的光學(xué)記錄方法時(shí)所述的問題。
(光學(xué)記錄/復(fù)制裝置)
使用本發(fā)明的光學(xué)記錄/復(fù)制裝置(稍后描述)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的光學(xué)記錄 方法和光學(xué)復(fù)制方法。
參考圖7描述用于本發(fā)明的光學(xué)記錄方法和光學(xué)復(fù)制方法的光學(xué)記錄/ 復(fù)制裝置。
圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的光學(xué)記錄/復(fù)制裝置的整個(gè)結(jié) 構(gòu)的圖解。所述光學(xué)記錄/復(fù)制裝置包含光學(xué)記錄裝置和光學(xué)復(fù)制裝置。
光學(xué)記錄/復(fù)制裝置100配置有用于安放光學(xué)記錄介質(zhì)23的軸81、用于 使軸81旋轉(zhuǎn)的軸馬達(dá)82和用于控制軸馬達(dá)82以將光學(xué)記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)速 度保持在特定值的軸伺服電路83。
光學(xué)記錄/復(fù)制裝置100還配置有拾波器31，所述拾波器31在記錄過 程中將信息光束和記錄參考光束發(fā)射到光學(xué)記錄介質(zhì)上，并且在信息復(fù) 制過程中將復(fù)制光束發(fā)射到光學(xué)記錄介質(zhì)上并且檢測衍射光；和驅(qū)動單 元84，所述驅(qū)動單元84使拾波器31在光學(xué)記錄介質(zhì)23的徑向上移動。
光學(xué)記錄/復(fù)制裝置100還配置有用于將信息光束和參考光束中的至 少一束分成兩束或更多束，并且調(diào)節(jié)分開的信息光束和參考光束的光程 長度，使得它們聚焦在記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)的單元；用于
將復(fù)制光束分成兩束或更多束并且調(diào)節(jié)分開的復(fù)制光束的光程長度，使 得它們聚焦在記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)的單元；和通過使用具 有不同光程長度的復(fù)制光束輻照，用于調(diào)節(jié)由干涉條紋產(chǎn)生的衍射光的 光長度使得它們聚焦在光接受單元的相同平面上的單元。
光學(xué)記錄復(fù)制裝置100配置有檢測電路85，用于檢測來自拾波器31
的輸出信號中的聚焦誤差信號FE、跟蹤誤差信號TE和復(fù)制誤差信號RF; 用于聚焦伺服控制的聚焦伺服電路86，所述聚焦伺服電路86用于基于通 過檢測電路85檢測的聚焦誤差信號FE驅(qū)動在拾波器31中的致動器以在光 學(xué)記錄介質(zhì)23的厚度方向上移動物鏡(沒有顯示)；用于跟蹤伺服控制的跟 蹤伺服電路87，所述跟蹤伺服電路87用于基于通過檢測電路85檢測的跟 蹤誤差信號TE驅(qū)動在拾波器31中的致動器以在光學(xué)記錄介質(zhì)的徑向上移 動物鏡；和用于滑動伺服控制的滑動伺服電路88，所述滑動伺服電路88 用于基于跟蹤誤差信號TE和來自控制器(稍后描述)的指令控制驅(qū)動單元 84以在光學(xué)記錄介質(zhì)23的徑向上移動拾波器31。
光學(xué)記錄/復(fù)制裝置100還配置有信號處理電路89，用于解碼來自拾 波器31中的CM0S或CCD陣列灘后描述)的輸出數(shù)據(jù)，復(fù)制在光學(xué)記錄介 質(zhì)的記錄層中記錄的信息，并且復(fù)制基本時(shí)鐘脈沖(basic clock)且識別來 自檢測電路85的復(fù)制信號RF的地址；用于控制整個(gè)光學(xué)記錄/復(fù)制裝置100 的控制器90;和用于給控制器90各種指令的操作部件91 。
控制器90接受從信號處理電路89輸出的基本時(shí)鐘脈沖和地址信息， 并且控制拾波器31、軸伺服電路83、滑動伺服電路88等。軸伺服電路83 接受從信號處理電路89輸出的基本時(shí)鐘脈沖?？刂破?0具有CPU(中央處 理器)、ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機(jī)存取存儲器)。CPU使用RAM作為 暫存器執(zhí)行存儲在ROM中的程序以實(shí)現(xiàn)控制器90的功能。
以下參考附圖描述使用光程長度調(diào)節(jié)單元的本發(fā)明的光學(xué)記錄方法 和本發(fā)明的光學(xué)復(fù)制方法的實(shí)施方案l。
在實(shí)施方案l中，如圖i中所示，將兩個(gè)空間光調(diào)制器20a和20b在光
發(fā)射方向上以距離'T，安置在信息光束和參考光束及復(fù)制光束的光源(沒有
顯示)和光學(xué)記錄介質(zhì)23之間。兩個(gè)空間光調(diào)制器20a和20b產(chǎn)生光程長度l 的差別。兩個(gè)空間光調(diào)制器20a和20b在與光發(fā)射方向相交的方向上以距 離"d"隔開。距離T，和d的詳情如上所述。
將焦距調(diào)節(jié)片21安置在光學(xué)記錄介質(zhì)23和光接受單元14之間，所述 焦距調(diào)節(jié)片21用于調(diào)節(jié)由來自空間光調(diào)制器20a的復(fù)制光束產(chǎn)生的衍射光 的光程長度。在此，焦距調(diào)節(jié)片21的光程長度調(diào)節(jié)量L'滿足l^xl(其中x是 在光接受單元的放大或縮小的比例)?？梢匀缦掠?jì)算調(diào)節(jié)量L': L'=(n-i) x t(其中"n"是焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的折射率，"i"是為l的空氣折射率，并且"t"是焦 距調(diào)節(jié)構(gòu)件的厚度。
<光學(xué)記錄>
描述在這種實(shí)施方案中的光學(xué)記錄介質(zhì)23上的光學(xué)記錄和光學(xué)性 能。如圖1中所示，將激光束從光源發(fā)射到空間光調(diào)制器20a和20b?？臻g 光調(diào)制器20a和20b將要記錄的信息分成兩份，產(chǎn)生具有不同光程長度的 信息光束和參考光束34并且將其發(fā)射到光學(xué)記錄介質(zhì)23上。將兩束分開 的光程長度不同的信息光束和參考光束34在它們進(jìn)入光學(xué)記錄介質(zhì)之前 通過偏振元件16線偏振，并且通過半透明反射鏡17和四分之一波片I5圓 偏振。兩束分開的信息光束和參考光束34聚焦在光學(xué)記錄介質(zhì)23的整個(gè) 厚度上彼此不同的點(diǎn)上。由于信息光束和參考光束34之間的干涉，形成 干涉條紋，由此記錄信息。
在記錄之后，以特定的間距水平移動光學(xué)記錄介質(zhì)23或信息光束和 參考光束34。在此位置，發(fā)射信息光束和參考光束，并且在它們進(jìn)入記 錄層4之前，通過空間光調(diào)制器20a和20b調(diào)節(jié)它們的光程長度。然后，以 與之前相同的方法在記錄層4中部分記錄信息。
以這種方式，光學(xué)密度分布在用于記錄一批信息的多個(gè)位置之中。 因此，在光密度高的區(qū)域中或倒圓錐形干涉條紋3的頂點(diǎn)附近的記錄材料 沒有過度耗盡。降低了在上部和下部之間的材料在記錄層4的整個(gè)厚度上 的不均勻消耗。可以以更小的間距重寫隨后的記錄信息，從而增加記錄 密度并且允許高的多重記錄。
-記錄的固定-
至少在記錄層4中記錄干涉圖像3之后的28小時(shí)內(nèi)使用固定光輻照記
錄區(qū)以固定記錄的干涉圖像3。
<光學(xué)復(fù)制>
為了復(fù)制記錄的信息，使用激光束輻照光學(xué)記錄介質(zhì)23。然后，如 圖1中所示，通過空間光調(diào)制器20a和2b調(diào)制激光束以產(chǎn)生具有不同光程 長度的兩束復(fù)制光束34。將兩束復(fù)制光束34在它們進(jìn)入光學(xué)記錄介質(zhì)23 之前，通過偏振元件16線偏振，通過半透明反射鏡17和四分之一波片15 圓偏振，并且通過物鏡12會聚。然后，它們聚焦在記錄于記錄層4的整個(gè) 厚度上不同位置的干涉圖像3上。通過這種輻照，由干涉圖像3各自產(chǎn)生 衍射光35。因?yàn)楸环瓷淠?反射，衍射光35從光學(xué)記錄介質(zhì)23中出射，通 過物鏡12，并且被半透明反射鏡17反射。通過光接受單元14照原樣接受 由來自空間光調(diào)制器20b的復(fù)制光束34產(chǎn)生的衍生光35。同時(shí)，在通過在 光接受單元14一側(cè)的焦距調(diào)節(jié)片21調(diào)節(jié)光程長度使其聚焦在光接受單元 14的平面上之后，通過光接受單元14接受由來自空間光調(diào)制器20a的復(fù)制 光束34產(chǎn)生的衍生光35。光接受單元14以相等、放大或縮小的尺寸復(fù)制 對應(yīng)干涉圖像3的信息。
在通過在光接受單元14一側(cè)的焦距調(diào)節(jié)片21調(diào)節(jié)光程長度的情況
下，可以得到記錄的信息的優(yōu)良的復(fù)制，而沒有離焦、位移或失真。
以下參考附圖描述使用光程長度調(diào)節(jié)單元的本發(fā)明的光學(xué)記錄方法 和本發(fā)明的光學(xué)復(fù)制方法的實(shí)施方案2。
在實(shí)施方案2中，如圖2中所示，將焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件21a安置在空間光調(diào) 制器20和光學(xué)記錄介質(zhì)23之間，所述空間光調(diào)制器20調(diào)制從光源發(fā)射的 激光束并且產(chǎn)生信息光束和參考光束。因?yàn)榫哂行∮诳臻g光調(diào)制器20的 寬度，焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件21a調(diào)節(jié)來自空間光調(diào)制器20的一半信息光束和參考 光束的光程長度。如下計(jì)算光程長度調(diào)節(jié)量L=(n - i) x t(其中"n"是焦距 調(diào)節(jié)構(gòu)件的折射率，"i"是為l的空氣折射率，并且"t"是焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的厚
40 度)。
將與焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件21a類似的焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件21b安置在光學(xué)記錄介質(zhì) 23和光接受單元14之間以調(diào)節(jié)衍射光35的光程長度。如下計(jì)算通過焦點(diǎn) 調(diào)節(jié)構(gòu)件21b的光程長度調(diào)節(jié)量L' = (n -i) x t(其中"n"是焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的 折射率，"i"是為l的空氣折射率，并且"t"是焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件的厚度)。優(yōu)選 地，L'-xL(其中x是在光接受單元的放大或縮小比例)。
<光學(xué)記錄>
描述在實(shí)施方案2中的光學(xué)記錄介質(zhì)23的光學(xué)記錄和光學(xué)性能。偏振 元件16、半透明反射鏡17、四分之一波片15的光學(xué)性能與實(shí)施方案1中相 同，并且在此不進(jìn)行描述。首先，如圖2中所示，將激光束從光源發(fā)射到 空間光調(diào)制器20上?？臻g光調(diào)制器20產(chǎn)生信息光束和參考光束，并且使 用信息光束和參考光束34輻照光學(xué)記錄介質(zhì)23。信息光束和參考光束34 的一半通過安置在信息光束和參考光束34的光程上的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21a， 使得它們具有與不通過焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21a的另一半信息光束和參考光束34 不同的光程長度。通過會聚透鏡12使具有不同光程長度的兩束信息光束 和參考光束34在它們進(jìn)入光學(xué)記錄介質(zhì)23之前會聚。具有不同光程長度 的信息光束和參考光束34聚焦在光學(xué)記錄介質(zhì)23的整個(gè)厚度上不同的 點(diǎn)，并且由于信息光束和參考光束之間的干涉，形成干涉條紋3，由此記 錄信息。
在記錄之后，以特定的間距水平移動光學(xué)記錄介質(zhì)23或信息光束和 參考光束34。在此位置，從空間光調(diào)制器20發(fā)射信息光束和參考光束34。 它們中的一半照原樣進(jìn)入記錄層4，而另一半具有通過焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21a 調(diào)節(jié)的光程長度并且進(jìn)入記錄層4。然后，以與上面所述相同的方法在記 錄層4中部分記錄信息。
同樣在實(shí)施方案2中，降低了記錄層4的材料的不均勻消耗，從而增
加記錄密度并且允許高的多重記錄。 -記錄的固定-
使用固定光至少在記錄層4中記錄干涉圖像3之后的28小時(shí)內(nèi)輻照記
錄區(qū)以固定記錄的干涉圖像3。 <光學(xué)復(fù)制>
然后，如圖2中所示，將激光束發(fā)射到其上記錄信息的記錄介質(zhì)23上。
通過空間光調(diào)制器20，由激光束產(chǎn)生復(fù)制光34。通過安置在光程上的焦 距調(diào)節(jié)構(gòu)件21a以與記錄過程相同的調(diào)節(jié)量L調(diào)節(jié)復(fù)制光束34的一半的光 程長度，以產(chǎn)生具有不同光程長度的兩束復(fù)制光束34。因?yàn)橥ㄟ^物鏡12 會聚，兩束復(fù)制光束34進(jìn)入到光學(xué)記錄介質(zhì)23中，并且輻照記錄在記錄 層4的整個(gè)厚度上不同的位置的干涉圖像3。通過輻照，由干涉圖像3各自 產(chǎn)生衍射光35。被及射膜2反射的衍射光35從光學(xué)記錄介質(zhì)23發(fā)射，并且 通過物鏡12，被半透明反射鏡17反射并且被光接受單元14接受。在接受 之前，通過在光接受單元14一側(cè)的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21b調(diào)節(jié)由復(fù)制光束34產(chǎn) 生的衍射光35，所述復(fù)制光束34具有不通過焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21調(diào)節(jié)的光程 長度。然后，當(dāng)接受時(shí)，兩束衍射光35聚焦在光接受單元14的相同平面 上。光接受單元14以相等、放大或縮小的尺寸復(fù)制對應(yīng)干涉圖像3的信息。 在通過在空間光調(diào)制器20—側(cè)和光接受單元14一側(cè)的焦距調(diào)節(jié)片21a 和21b調(diào)節(jié)復(fù)制光束34和衍射光35的光程長度的情況下，可以得到記錄信 息的優(yōu)良的復(fù)制，而沒有離焦、位移或失真。
實(shí)施例
以下將參考本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明，然而，本 發(fā)明不限于公開的實(shí)施例。
(實(shí)施例l)
以下列方法制備光學(xué)記錄介質(zhì)以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的光學(xué)記錄方法。
-光學(xué)記錄介質(zhì)的制備-
如圖1中所示，實(shí)施例1的光學(xué)記錄介質(zhì)具有第一襯底5、第二襯底l 和記錄層4。
對于第二襯底5，使用用于DVD + RW并且直徑為120mm且厚度為0.6mm的常規(guī)聚碳酸酯樹脂襯底。第二襯底5在表面上具有厚度為200nm 的反射膜2。
可以通過使用鋁(A1)的DC磁控管濺射形成反射膜2。使用可紫外線固 化的樹脂，將厚度為10(Vm的聚碳酸酯膜粘附到反射膜2上以形成間隙層 (沒有顯示)。
制備具有下列組成的光敏聚合物涂布溶液作為記錄層材料。 -光敏聚合物涂布溶液的組成-
，二(氨基甲酸酯丙烯酸甲酯)低聚物
(ex. EchoResins， ALU-351) 59質(zhì)量份
，丙烯酸異冰片酯 30質(zhì)量份
，苯甲酸乙烯酯 10質(zhì)量份
，聚合引發(fā)劑
(ex. Chiba Special Chemicals, IRGACURE 784) 1質(zhì)量份
使用分配器將得到的光敏聚合物涂布溶液成堆放置在第二襯底上。 將直徑為12cm并且厚度為0.6mm的聚碳酸酯樹脂的第一襯底從上擠壓光
敏聚合物以將盤邊緣和第一襯底粘附在一起。
盤邊緣配置有將光敏聚合物層厚度限定為500pm的凸緣。通過附上
的第一襯底確定光敏聚合物層的厚度，并且除去溢出的額外光敏聚合物。 以這種方式，制備實(shí)施例l的光學(xué)記錄介質(zhì)。圖2是顯示類似于實(shí)施例1的 一個(gè)實(shí)施方案的示意性橫截面圖。
<在記錄層中記錄信息>
如圖1中所示，使用光學(xué)記錄/復(fù)制裝置在光學(xué)記錄介質(zhì)上記錄信息， 所述光學(xué)記錄/復(fù)制裝置具有在激光束源和光學(xué)記錄介質(zhì)23之間的兩個(gè)空 間光調(diào)制器20a和20b和在光學(xué)記錄介質(zhì)23和光接受單元"之間的焦距調(diào) 節(jié)構(gòu)件21?？臻g光調(diào)制器20a和20b在發(fā)光方向上以距離卜0.2mm并且在相 交方向上以距離dK).lmm相互隔開。
空間光調(diào)制器20a和20b的總寬度D為5mm并且 d/D=l/50。
焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21是折射率為1.5并且厚度為0.4mm的丙烯酸類透鏡。 光程長度調(diào)節(jié)量L'為0.2mm。
使用上述光學(xué)記錄/復(fù)制裝置，以輻照能約為50 mJ/cn^的半導(dǎo)體激光 將光學(xué)記錄介質(zhì)23的記錄層4輻照100ns。如圖1中所示，在輻照的情況下， 兩個(gè)空間光調(diào)制器20c和20d產(chǎn)生具有不同光程長度的信息光束和參考光 束34，使用信息光束和參考光束34輻照光學(xué)記錄介質(zhì)23使其聚焦在記錄 層4的整個(gè)厚度上不同的點(diǎn)。由于在信息光束和參考光束之間的干涉，形 成干涉條紋3，由此記錄信息。
在實(shí)施例1中，可得到等于或高于50重的多重記錄。
根據(jù)實(shí)施例l的光學(xué)記錄方法，如上所述，將信息光束和參考光束分 成兩束，并且在使光學(xué)密度散布的情況下形成干涉條紋。因此，在倒三 角形干涉條紋的頂點(diǎn)的記錄層材料沒有被過度消耗，并且在小位移的情 況下進(jìn)行隨后的記錄以多重記錄。此外，還可得到在整個(gè)厚度上的多重 記錄。因此，增加在記錄層中的記錄密度并且顯著增加光學(xué)記錄介質(zhì)的 記錄容量。
<記錄復(fù)制質(zhì)量的評價(jià)>
使用與在圖l顯示的光學(xué)記錄中使用的光學(xué)記錄/復(fù)制裝置相同的光學(xué) 記錄/復(fù)制裝置評價(jià)記錄復(fù)制質(zhì)量。在光學(xué)記錄/復(fù)制裝置中，發(fā)射用于光 學(xué)復(fù)制的激光束，并且通過空間光調(diào)制器20a和20b調(diào)制激光束以產(chǎn)生具 有到光學(xué)記錄介質(zhì)的不同光程長度的兩束復(fù)制光束34。兩束復(fù)制光束34 輻照并且聚焦在兩個(gè)干涉圖像3上，所述兩個(gè)干涉圖像3在光學(xué)記錄過程 中被記錄在整個(gè)厚度上不同的位置。由干涉圖像3產(chǎn)生具有不同光程長度 的兩束衍射光35。通過焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21調(diào)制一種衍射光35。然后，兩種 衍射光35聚焦在用于復(fù)制的光接受單元14的相同平面上。根據(jù)實(shí)施例l的 光學(xué)記錄方法，在記錄的信息的復(fù)制過程中的錯(cuò)誤數(shù)量等于或小于10/幀， 從而確保錯(cuò)誤更少。 (實(shí)施例2)
<在記錄層中記錄信息>
如圖2中所示，使用光學(xué)記錄/復(fù)制裝置在與實(shí)施例l中相同的光學(xué)記
錄介質(zhì)上光學(xué)記錄信息，所述光學(xué)記錄/復(fù)制裝置配置有空間光調(diào)制器20、 在光源和光學(xué)記錄介質(zhì)23之間的寬度為空間光調(diào)制器20的近一半的聚焦 調(diào)節(jié)構(gòu)件21a(丙烯酸類透鏡、折射率為1.5并且厚度為0.5mm)和在光學(xué)記 錄介質(zhì)23和光接受單元14之間的焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21b(丙烯酸類透鏡、折射率 為1.5并且厚度為0.5mm)。焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21a和21b用來以調(diào)節(jié)量L-0.25mm 將通過它們的光的光程長度縮短得更小。
使用上述光學(xué)記錄/復(fù)制裝置，以輻照能約為50mJ/cn^的半導(dǎo)體激光 將光學(xué)記錄介質(zhì)23的記錄層4輻照100ns。在輻照的情況下，通過空間光 調(diào)制器20產(chǎn)生信息光束和參考光束34以輻照光學(xué)記錄介質(zhì)23。在以其輻 照光學(xué)記錄介質(zhì)23之前，通過焦距調(diào)節(jié)構(gòu)件21a調(diào)節(jié)它們的一部分的光程 長度。因此，信息光束和參考光束34聚焦在記錄層4的整個(gè)厚度上不同的 點(diǎn)。然后，由于在信息光束和參考光束34之間的干涉，形成干涉條紋3， 由此記錄信息。
在實(shí)施例2中，可得到等于或高于50重的多重記錄。
根據(jù)實(shí)施例2的光學(xué)記錄方法，如上所述，將信息光束和參考光束分 成兩束，并且在使光學(xué)密度散布的情況下形成干涉條紋。因此，在倒三 角形干涉條紋的頂點(diǎn)附近的記錄層材料沒有被過度消耗，并且在小位移 的情況下進(jìn)行隨后的記錄以多重記錄。此外，還可得到在整個(gè)厚度上的 多重記錄。因此，增加在記錄層中的記錄密度并且顯著增加光學(xué)記錄介 質(zhì)的記錄容量。
<記錄復(fù)制質(zhì)量的評價(jià)>
使用與在圖2顯示的光學(xué)記錄中使用的光學(xué)記錄/復(fù)制裝置相同的光學(xué) 記錄/復(fù)制裝置評價(jià)記錄復(fù)制質(zhì)量。在光學(xué)記錄/復(fù)制裝置中，發(fā)射用于光 學(xué)復(fù)制的激光束，并且通過空間光調(diào)制器20調(diào)制激光束以產(chǎn)生用于福照 光學(xué)記錄介質(zhì)的復(fù)制光束34。將復(fù)制光束34的一部分的光程長度在它輻 照光學(xué)記錄介質(zhì)23之前調(diào)節(jié)。因此，復(fù)制光束34聚焦于兩個(gè)干涉圖像3上
并且輻照，所述兩個(gè)干涉圖像3在光學(xué)記錄過程中被記錄在整個(gè)厚度上不 同的位置。由干涉圖像3產(chǎn)生具有不同光程長度的兩束衍射光35。通過焦
距調(diào)節(jié)構(gòu)件21b調(diào)制一種衍射光35。然后，在接受時(shí)，兩種衍射光35聚焦 在用于復(fù)制的光接受單元14的相同平面上。根據(jù)實(shí)施例2的光學(xué)記錄方 法，在記錄的信息的復(fù)制過程中的錯(cuò)誤數(shù)量等于或小于10/幀，從而確保 錯(cuò)誤更少。
(比較例l)
<在記錄層中記錄信息>
使用與實(shí)施例l相同的光學(xué)記錄介質(zhì)，以與實(shí)施例l中相同的方法記 錄信息，不同之處在于使用一個(gè)空間光調(diào)制器并且省略產(chǎn)生具有不同光 程長度的信息光束和參考光束的調(diào)節(jié)。
在比較例1中，省略產(chǎn)生具有不同光程長度的信息光束和參考光束的 調(diào)節(jié)。然后，如圖8中所示，在干涉圖像3的頂點(diǎn)附近的光學(xué)密度高，并 且記錄層材料被耗盡。不能將隨后的干涉條紋3重寫在此位置。記錄層4 的記錄密度被降低，并且可得到等于或低于50重的多重記錄。不能增加 記錄介質(zhì)的記錄容量。在圖8中，箭頭表示光學(xué)記錄介質(zhì)的圓周方向。
<記錄復(fù)制質(zhì)量的評價(jià)>
使用在光學(xué)記錄中所用的相同光學(xué)記錄/復(fù)制裝置評價(jià)比較例l的記錄 復(fù)制質(zhì)量。在復(fù)制過程中不調(diào)節(jié)復(fù)制光束的光程長度。
當(dāng)通過常規(guī)的光學(xué)復(fù)制方法復(fù)制通過相關(guān)技術(shù)的記錄方法記錄的信 息時(shí)，在復(fù)制過程中的錯(cuò)誤的數(shù)量等于或小于10/幀。盡管發(fā)生少量錯(cuò)誤， 但是對更小的記錄容量進(jìn)行復(fù)制。
本發(fā)明解決了相關(guān)技術(shù)的問題并且提供 一種用于全息記錄信息的 光學(xué)記錄方法和光學(xué)記錄裝置，其中在記錄過程中降低材料在記錄層的 整個(gè)厚度上的不均勻消耗，以實(shí)現(xiàn)高密度記錄和增加的記錄容量； 一種 光學(xué)記錄介質(zhì)，所述光學(xué)記錄介質(zhì)用于通過所述光學(xué)記錄方法記錄以有 效復(fù)制以大容量和高密度記錄的信息；和一種光學(xué)復(fù)制方法和光學(xué)復(fù)制 裝置，所述光學(xué)復(fù)制方法和光學(xué)復(fù)制裝置用于以有效和優(yōu)異的方式復(fù)制
通過所述光學(xué)記錄方法記錄的信息。
本發(fā)明的光學(xué)記錄方法和光學(xué)記錄裝置在記錄過程中降低了材料在 記錄層的整個(gè)厚度上的不均勻消耗，以實(shí)現(xiàn)高密度記錄和增加的記錄容 量，因此優(yōu)選用于能夠高多重記錄的全息光學(xué)記錄方法和光學(xué)記錄裝置。
本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)允許有效復(fù)制以高容量和高密度記錄的信 息，并且優(yōu)選用于記錄二維信息用的透射型或反射型較薄平面全息圖和 記錄大容量信息如三維圖像的透射型或反射型體全息圖。本發(fā)明的光學(xué) 記錄介質(zhì)廣泛用作用于記錄或復(fù)制各種全息圖如振幅全息圖、相全息圖、
閃耀全息圖和復(fù)振幅全息圖的介質(zhì)以及用于記錄或復(fù)制在CD、 DVD、 BD/HDDVD、磁帶、電腦備份帶和廣播帶中使用的信息。
本發(fā)明的光學(xué)復(fù)制方法和光學(xué)復(fù)制裝置可以以有效和優(yōu)良的方式復(fù) 制高密度和大記錄容量的光學(xué)記錄介質(zhì)，并且優(yōu)選用于能夠高多重記錄 的全息光學(xué)復(fù)制方法和光學(xué)復(fù)制裝置。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)記錄方法，該方法包括使用信息光束和參考光束輻照光學(xué)記錄介質(zhì)，將所述信息光束和所述參考光束中的至少一束在所述信息光束和參考光束的光源與所述光學(xué)記錄介質(zhì)之間分開成兩束或更多束，和調(diào)節(jié)分開的信息光束和參考光束的光程長度，使得它們聚焦在記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上，其中所述光學(xué)記錄介質(zhì)包含記錄層，在所述記錄層中信息被全息記錄。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光學(xué)記錄方法，其中通過安置在所述信息光 束和參考光束的光源和所述光學(xué)記錄介質(zhì)之間的至少一個(gè)光程長度調(diào)節(jié) 單元調(diào)節(jié)光程長度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)記錄方法，其中所述光程長度調(diào)節(jié)單元 在其光發(fā)射表面上具有離所述光學(xué)記錄介質(zhì)不同距離的點(diǎn)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)記錄方法，其中將至少兩個(gè)所述光程長 度調(diào)節(jié)單元安置在光發(fā)射方向上的不同位置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)記錄方法，其中所述光程長度調(diào)節(jié)單元 包含焦點(diǎn)調(diào)節(jié)構(gòu)件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)記錄方法，其中所述光程長度調(diào)節(jié)單元 包含空間光調(diào)制器。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光學(xué)記錄方法，其中以l(im至l,000^im調(diào)節(jié)光程長度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)記錄方法，其中在安置于不同位置的兩 個(gè)或更多個(gè)所述光程長度調(diào)節(jié)單元之間的、與所述光發(fā)射方向相交的方 向上的距離"d"和跨過所有光程長度調(diào)節(jié)單元的總寬度D滿足等式d/D^/l,000至1/2。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光學(xué)記錄方法，其中將所述信息光束和所述 參考光束以它們的光軸同軸排列的方式發(fā)射。
10. —種光學(xué)記錄裝置，其包含光源；光學(xué)記錄單元，所述光學(xué)記錄單元被配置成下列形式在具有記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)上記錄信息，在所述記錄層中通過使用信息光束和參考光束輻照所述光學(xué)記錄介質(zhì)全息記錄信息；和被配置成下列形式的單元將所述信息光束和參考光束中的至少一束在所述信息光束和參考光束的光源和所述光學(xué)記錄介質(zhì)之間分開成兩 束或更多束，并且調(diào)節(jié)分開的信息光束和參考光束的光程長度，使得它 們聚焦在所述記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求io所述的光學(xué)記錄裝置，其中將至少一個(gè)光程長度調(diào)節(jié)單元安置在所述信息光束和參考光束的光源和所述光學(xué)記錄介質(zhì)之 間，并且將所述光程長度調(diào)節(jié)單元配置成調(diào)節(jié)光程長度的形式。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)記錄裝置，其中以lpm至l,00(Him調(diào)節(jié)光程長度。
13. —種光學(xué)記錄介質(zhì)，其包含記錄層，其中通過光學(xué)記錄方法在記錄層中全息記錄信息，并且 其中所述光學(xué)記錄方法包括使用信息光束和參考光束輻照所述光學(xué) 記錄介質(zhì)，將所述信息光束和所述參考光束中的至少一個(gè)在所述信息光 束和參考光束的光源和所述光學(xué)記錄介質(zhì)之間分開成兩束或更多束，并 且調(diào)節(jié)分開的信息光束和參考光束的光程長度，使得它們聚焦在所述記 錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中以反射型全息圖和透 射型全息圖中的任何一種的形式記錄信息。
15. —種光學(xué)復(fù)制方法，該方法包括使用與記錄過程中所用的參考光束相同的復(fù)制光束輻照干涉圖像， 所述干涉圖像是采用光學(xué)記錄方法在光學(xué)記錄介質(zhì)中的記錄層上形成 的；由光接受單元接受通過所述輻照產(chǎn)生的衍射光；和 基于所述干涉圖像復(fù)制記錄的信息，其中所述光學(xué)記錄方法包括使用信息光束和參考光束輻照所述光學(xué) 記錄介質(zhì)，將所述信息光束和所述參考光束中的至少一束在所述信息光 束和參考光束的光源與所述光學(xué)記錄介質(zhì)之間分開成兩束或更多束；和 調(diào)節(jié)分開的信息光束和參考光束的光程長度，使得它們聚焦在所述記錄 層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上，其中所述光學(xué)記錄介質(zhì)包含所述記錄層，并且通過所述光學(xué)記錄方 法在所述記錄層中全息記錄記錄的信息。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)復(fù)制方法，其中進(jìn)行下列步驟中的至 少任何一個(gè)，將所述復(fù)制光束在所述復(fù)制光束的光源和所述光學(xué)記錄介質(zhì)之間分 開成兩束或更多束，并且調(diào)節(jié)分開的復(fù)制光束的光程長度，使得它們聚 焦在所述記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上；和調(diào)節(jié)在所述光學(xué)記錄介質(zhì)和所述光接受單元之間各自具有不同光程 長度的衍射光的光程長度，使得它們聚焦在所述光接受單元的相同平面 上。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的光學(xué)復(fù)制方法，其中以l[im至l,000(im調(diào)節(jié)光程長度。
18. —種光學(xué)復(fù)制裝置，其包含 光源；光接受單元；和光學(xué)復(fù)制單元，所述光學(xué)復(fù)制單元被配置成下列形式使用與記錄 過程中所用的參考光束相同的復(fù)制光束輻照干涉圖像，所述干涉圖像是 采用光學(xué)記錄裝置在光學(xué)記錄介質(zhì)中的記錄層上形成的，在所述光接受 單元接受通過所述輻照產(chǎn)生的衍射光以基于所述干涉圖像復(fù)制記錄的信串./K、 5下列單元中的任何一個(gè)被配置成下列形式的單元將復(fù)制光束在所述復(fù)制光束的光源和光 學(xué)記錄介質(zhì)之間分開成兩束或更多束，并且調(diào)節(jié)分開的復(fù)制光束的光程 長度，使得它們聚焦在所述記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上；和被配置成下列形式的單元調(diào)節(jié)在所述光學(xué)記錄介質(zhì)和所述光接受 單元之間各自具有不同光程長度的衍射光的光程長度，使得它們聚焦在 所述光接受單元的相同平面上，其中所述光學(xué)記錄裝置包含光源；光學(xué)記錄單元，所述光學(xué)記錄單 元被配置成下列形式在具有記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)上記錄信息，在所 述記錄層中通過使用信息光束和參考光束輻照所述光學(xué)記錄介質(zhì)全息記 錄信息；和被配置成下列形式的單元將所述信息光束和所述參考光束 中的至少一束在所述信息光束和參考光束的光源和所述光學(xué)記錄介質(zhì)之 間分開成兩束或更多束，并且調(diào)節(jié)分開的信息光束和參考光束的光程長 度，使得它們聚焦在所述記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的光學(xué)復(fù)制裝置，其中將至少一個(gè)光程長度調(diào)節(jié)單元安置在所述信息光束和參考光束的光源和所述光學(xué)記錄介質(zhì)之 間，并且將所述光程長度調(diào)節(jié)單元配置成調(diào)節(jié)光程長度的形式。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光學(xué)復(fù)制裝置，其中以l^im至l,000^im調(diào)節(jié)光程長度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于全息記錄信息的光學(xué)記錄方法和光學(xué)記錄裝置、使用所述光學(xué)記錄方法的光學(xué)記錄介質(zhì)以及光學(xué)復(fù)制方法和光學(xué)復(fù)制裝置，所述光學(xué)記錄方法和光學(xué)記錄裝置允許在記錄過程中降低材料在記錄層的整個(gè)厚度上的不均勻消耗，以實(shí)現(xiàn)高密度記錄和增加的記錄容量。所述光學(xué)記錄方法包括使用信息光束和參考光束輻照所述光學(xué)記錄介質(zhì)；將所述信息光束和所述參考光束中的至少一束在其光源和光學(xué)記錄介質(zhì)之間分成兩束或更多束；和調(diào)節(jié)分開的信息光束和參考光束的光程長度，使得它們聚焦在所述記錄層的整個(gè)厚度上彼此不同的點(diǎn)上。
文檔編號G11B7/0065GK101110228SQ20071013706
公開日2008年1月23日 申請日期2007年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月21日
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