專利名稱：閃存的資料寫入方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于 一 種非揮發(fā)性存儲器的資料寫入方
法，且特別是關(guān)于 一 種閃存的資料寫入方法。
3匕 冃景技術(shù)
閃存因員有非揮發(fā)性(non-volatile).高密集^￡ 、
以及反應(yīng)速度快…等特性，而在眾多的存儲器中嶄露
頭角。對于存儲器而言，存儲資料的保存與元件的可
罪度息息相關(guān)。因此，近年來許多不同的閃存的資料
寫入方法陸續(xù)被提出，以提升閃存的可靠度。
圖1為傳統(tǒng)閃存的資料寫入方法，其利用施加
方波信號VB L T,至切換單元1 1 Q ，與施加 一 方波信號
Vw,」至字符線(word line) WL 1的方式，達(dá)至U得以寫
入的目的中切換單元1 1 0由一 N型晶體管MN1
所構(gòu)成，若將N型晶體管MN 1的等效阻抗視為 一 電阻 R,，則由切換單元1 1 0提供至位線(bit line ) BL 1的漏極電壓VD1可表示為
<formula>formula see original document page 5</formula> (1)
其中VDD為切換單元1 1 0的操作電壓、IDI為流經(jīng) 位線BL 1的漏極電流。
參照圖2來看圖1傳統(tǒng)閃存的資料寫入方法。隨 著寫入時間的增加，快閃存儲胞1 0 1的臨界電壓Vth (threshold voltage)將隨之上升，相對的流經(jīng)位線 BL 1的漏極電流IDI ，也將隨著寫入時間的增加而遞減。 如此 一 來，參照式(1 )來看，漏極電流ID1的遞減將 引發(fā)漏極電壓VD1的上升。此時，建構(gòu)在與快閃存儲胞 1 0 1同 一 位線 BL 1上的快閃存儲胞1 0 1 — 1 0 4 ，會因共享位線BL 1上的偏壓(不斷上升的漏極電 壓VD1)，而引發(fā)漏極干擾(drain disturb),進(jìn)而影響 閃存1 2 0的可靠度。
為了避免引發(fā)嚴(yán)重的漏極干擾，圖3傳統(tǒng)閃存的 資料寫入方法，采用施加一方波信號V"T3至切換單元 1 1 0 ，與施加一遞增信號V^至字符線WL 1的方式， 讓流經(jīng)位線BL 1的漏極電流ID3，因遞增信號Vwu內(nèi)的 電壓準(zhǔn)位，會隨著寫入時間的增加而遞增，致使漏極 電流ID3不會隨著快閃存儲胞1 3 0的臨界電壓Vth的 變動而遞減。如此 一 來，不隨寫入時間而變動的漏極
電流I D3 ，將形成 一 穩(wěn)定的漏極電壓VD3 ，進(jìn)而減低漏極 干擾的影響。其中圖3中的漏極電流I D3與漏極電壓VD3 的相關(guān)時序圖，如圖4所示。然而，圖3傳統(tǒng)閃存的
資料寫入方法雖然減低了漏極干擾對閃存1 2 0的影 響，但建構(gòu)在與快閃存儲胞1 0 1同 一 字符線WL 1上 的快閃存儲胞1 0 5 ，卻會因共享字符線WL 1上的偏 壓(不斷上升的信號)，而引發(fā)柵極干擾(gate disturb),進(jìn)而影響閃存1 2 0的可靠度。
由上述可知，傳統(tǒng)閃存的資料寫入方法會導(dǎo)致建
構(gòu)在與正在寫入的快閃存儲胞，同—字符線或位線上
的其它快閃存儲胞，因承受與正在寫入的快閃存儲胞
相同的偏壓，而產(chǎn)生所謂的柵極干擾或漏極干擾換
而言之，傳統(tǒng)閃存的資料寫入方法會隨著寫入動作的
次數(shù)增加，致使閃存的可一. 罪度，因柵極干擾或漏極干
擾而曰漸衰減，進(jìn)而影響存儲資料的正確性，甚至導(dǎo)
致閃存的損壞

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的百的是在提供種閃存的資
料寫入方法由遞減信號與方波信號對閃存所形成的
偏壓執(zhí)行存儲資料的寫入，并同時達(dá)到降低微極干
擾與漏極干擾的隱憂，由此有效地提升閃存的可靠度。
為達(dá)成上述及其它目的，本發(fā)明提出—種閃存的
資料寫入方法，適用于由 一 切換單元控制位線的閃
存該閃存的資料寫入方法包括施加一遞減信號至切
換單元，致使閃存-的位線接收 一 穩(wěn)定的漏極電壓
中的遞減信號的電壓準(zhǔn)位，隨著寫入時間的增加而遞
減以及，于遞減信號的信號的作用期間施加方
波信號至閃存的字符線。如此 一 來，閃存在遞減信號
與方波信號所形成的偏壓下，就可執(zhí)行存儲資料的寫
入
上述的該些方波信號，在一較佳實(shí)施例中，于每
一該些信號的作用期間，所施加的每一該些方波信號
的電壓準(zhǔn)位相同。且切換單元的等效電阻，隨著寫入
時間的增加而遞增。而漏極電壓則不隨著寫入時間的
增加而變動。
上述閃存的資料寫入方法，在，較佳實(shí)施例中，
適用于N0R型陣列結(jié)構(gòu)的閃存。
上述閃存的資料寫入方法，在一較佳實(shí)施例中，
切換單元串接在閃存的位線與操作電壓之間，并用以
依據(jù)遞減信號而控制輸出漏極電壓。
本發(fā)明因采用遞減信號所形成的 穩(wěn)定漏極電
壓，與在該信號的作用期間所施加的方波信號，讓閃
存于寫入的過程中，免除漏極干擾與柵極干擾進(jìn)而
確保存儲資料的正確性，與提升閃存的可靠度。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下，其中
圖1為種傳鄉(xiāng)充閃存的資料寫入方法示意圖。
圖2為用以說明圖1的相關(guān)時序圖。
圖3為另種傳統(tǒng)閃存的資料寫入方法示意圖。
圖4為用以說明圖3的相關(guān)時序圖。
圖5為根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的閃存的資料寫入方法示意圖
圖6為用以說明圖5的相關(guān)時序圖。
且
具體實(shí)施例方式
圖5為根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的閃存的資料寫入方法為了說明方便，在此繪示出切換單元1 1 0與
閃存1020中閃存12 0包括八個快閃存儲胞1
01—108、兩條位線(bit line) BL 1一 BL 2、
以及四條字符線word1i n e )WL 1 — WL 4 。而切換單
元110則串接在閃存12 0的位線BL 1與操作電壓
VUD之間，其用以依據(jù)遞減信號VBlT5而控制輸出漏極電壓vD5。
繼續(xù)參照圖5 。在此，假設(shè)以 一 存儲資料寫入由 位線BL 1與字符線WL 1所定出的快閃存儲胞1 0 1作 為例子。當(dāng)要對快閃存儲胞1 0 1進(jìn)行寫入操作時， 將施加一遞減信號Vblt5至切換単元1 1 0，致使閃存 1 2 0的位線BL 1接收漏極電壓VD5 。其中遞減信號 VBI.T5的電壓準(zhǔn)位隨著寫入時間的增加而遞減。此外，本 實(shí)施例在遞減信號VBtT5的每 一 個信號的作用期間，都 施加 一 方波信號至閃存1 2 0的字符線WL 1 。
上述快閃存儲胞1 0 1的寫入過程中，若將切換 單元1 1 0的等效阻抗，視為 一 電阻R5 ，則漏極電壓 VD5可表示為<formula>formula see original document page 9</formula>
其中VDD為切換單元1 1 0的操作電壓、ID5為流經(jīng) 位線1 0 1的漏極電流。參照圖6 ，當(dāng)快閃存儲胞101因遞減信號Vbus與方波信號V^5所構(gòu)成的偏壓， 而進(jìn)行寫入操作時，快閃存儲胞101的臨界電壓Vth(threshold voltage)將著寫入日寸間的增力口而遞增， 導(dǎo)致流經(jīng)位線BL 1的漏極電流工D5 ，也隨著寫入時間的
增加而遞減。為了避免如圖1傳統(tǒng)閃存的資料寫入方
法，所引發(fā)的漏極干擾，本實(shí)施例采用隨著寫入時間
的增加而遞減的信號vBlT5，使得切換單元1 10的等
效阻抗(電阻R5)隨著寫入時間的增加而遞增，讓漏
極電流Ids與電阻Rs的乘積(ID5* R5)維持在一定值或
是一變動極小值的情況下，參照式(2 )，此情況將致
使切換單元1 1 0產(chǎn)生 一 個不隨著寫入時間的增加而
變動的漏極電壓VD5，或是漏極電壓VD5隨著寫入時間的
增加而變動幅度小于0 . 5 V 。如此 一 來，快閃存儲胞
1 01在進(jìn)行寫入操作時，位在與快閃存儲胞101
同一位線BL 1上的快閃存儲胞1 0 2 — 1 04，將不
會因承受與快閃存儲胞1 Q 1的相同偏壓(漏極電壓
v1)5)，而導(dǎo)致漏極干擾的問題。換而言之，閃存120
因漏極干擾的降低，進(jìn)而達(dá)到提升閃存1 2 0的可靠度。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，遞減信號VBm的每一
作用期間，所施加的方波信號的電壓準(zhǔn)位相同因此
與圖3傳統(tǒng)閃存的資料寫入方法，本實(shí)施例于字符線
WL 1上所施加的方波信號(不斷上升的信號)，將
不會導(dǎo)致位在與快閃存儲胞1 0 1同 一 字符線1上
的快閃存儲胞1 0 5 ，因承受與快閃存儲胞101的
相同偏壓(方波信號V^5)，而產(chǎn)生柵極干擾。如此
來，閃存12Q的可靠度，也因柵極干擾的降低而提升。
此外，本發(fā)明較佳實(shí)施例適用于一NOR型陣列結(jié)
構(gòu)的閃存。且切換單元1 1 0包括開關(guān)SW 1 。其中開
關(guān)SW 1的第 一 端耦接至操作電壓vDD。開關(guān)SW 1的第二
端則耦接至閃存的位線BL 1 。而開關(guān)SW 1并依據(jù)遞減
信號而決定開關(guān)SW 1的第丄山 J> _■ 丄山 一 y而與第—乂而的導(dǎo)通狀
態(tài)上述的開關(guān)SW 1可由一 N型晶體管所構(gòu)成，然而
熟習(xí)此技藝者也可依設(shè)計(jì)所需，輕易地將開^sw1由
苴 z 、它元件取代而成。
疏 逾一提的是，雖然在較佳實(shí)施例中己經(jīng)對切換
單元1 10的內(nèi)部電描繪出了一個可能的型態(tài)但熟
知此技術(shù)者應(yīng)知，各廠商對于切換單元1 10的設(shè)計(jì)
方式都不樣，因此本發(fā)明的應(yīng)用當(dāng)不限制于此種可
能的型態(tài)換言之，只要是用以控制閃存120的位
線BL 1的切換單元1 1 Q ，就已經(jīng)是符合了本發(fā)明的
精神所在。
綜上所述，本發(fā)明因采用遞減信號所形成的穩(wěn)
定漏極電壓，與在遞減信號的作用期間，所施加的方
波信號讓閃存于寫入的過程中，位在與正在寫入的
快閃存儲胞(比如快閃存儲胞1 0 1 )，同一字符線或
位線上的它快閃存儲胞(比如快閃存儲胞1021 0 5 )，不會因承受相同的偏壓(比如漏極電壓 VDf 或方波信號V l5 )，而產(chǎn)生所謂的柵極干擾或漏極干擾，
進(jìn)而在提升閃存可罪度的小主 l冃況下，確保存儲資料的正
確性
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然苴 Z 并非
用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)
明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此
本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的中請利范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種閃存的資料寫入方法，適用于由一切換單元控制一位線的一閃存，其特征在于，該閃存的資料寫入方法包括施加一遞減信號至該切換單元，致使該閃存的該位線接收一漏極電壓，其中該遞減信號的電壓準(zhǔn)位，隨著寫入時間的增加而遞減；以及于該遞減信號的信號作用期間，施加一字符線信號至該閃存的一字符線。
2 .如權(quán)利要求1所述的閃存的資料寫入方法，其特征在于，其中該閃存為一 N0R型陣列結(jié)構(gòu)的閃存。
3 .如權(quán)利要求1所述的閃存的資料寫入方法，其 特征在于，其中該切換單元的等效阻抗，隨著寫入時 間的增力Q而遞增。
4 .如權(quán)利要求1所述的閃存的資料寫入方法，其 特征在于，其中該漏極電壓隨著寫入時間的增加而變 動幅度小于0 . 5 V 。
5 .如權(quán)利要求1所述的閃存的資料寫入方法，其 特征在于，其中該漏極電壓不隨著寫入時間的增加而
6.如權(quán)利要求1所述的閃存的資料寫入方法，特征在于，其中該切換單元串接在該閃存的該位線與操作電壓之間，用以依據(jù)該遞減信號而決定是否輸出該漏極電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的閃存的資料寫入方法，苴 z 、特征在于，其中該切換單元包括—開關(guān)，其第 一 端耦接至該操作電壓該開關(guān)的第一一山 順耦接至該閃存的該位線，用以依據(jù)該遞減信號而決定該開關(guān)的第一端與第二端的導(dǎo)通狀態(tài)。
8 .如權(quán)利要求7所述的閃存的資料寫入方法，其 特征在于，其中該開關(guān)由一 N型晶體管所構(gòu)成。
9 .如權(quán)利要求1所述的閃存的資料寫入方法，其 特征在于，其中該遞減信號為 一 方波信號。
10 .如權(quán)利要求1所述的閃存的資料寫入方法， 其特征在于，其中該字符線信號為 一 方波信號。
全文摘要
一種閃存的資料寫入方法，適用于由一切換單元控制一位線的閃存。該閃存的資料寫入方法包括施加一方波信號至閃存的字符線，同時施加一遞減信號至切換單元，致使閃存的位線接收一穩(wěn)定的漏極電壓。
文檔編號G11C16/06GK101369456SQ200710142518
公開日2009年2月18日 申請日期2007年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月15日
發(fā)明者何之浩, 易成名 申請人:旺宏電子股份有限公司