專利名稱：半導(dǎo)體集成電路及其測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路及其測試方法。
技術(shù)背景圖U是示出了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的結(jié)構(gòu)示例的圖。半導(dǎo)體存儲(chǔ) 器芯片121包括測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122、激光熔絲電路125、內(nèi)部電 勢產(chǎn)生電路123和存儲(chǔ)器核心(存儲(chǔ)器單元陣列)124。測試模式信號(hào)產(chǎn) 生電路122包括易失性存儲(chǔ)器，并且輸出修整碼TM作為該易失性存儲(chǔ)器 中的測試模式信號(hào)。修整碼TM是用于向加方向或減方向調(diào)整內(nèi)部電勢的 水平的信號(hào)。激光熔絲電路125是具有激光熔絲的非易失性存儲(chǔ)器，并且 與測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122相類似地輸出修整碼LF。內(nèi)部電勢產(chǎn)生電路 123根據(jù)修整碼TM或LF產(chǎn)生內(nèi)部電勢，并且將內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核 心124。存儲(chǔ)器核心124基于內(nèi)部電勢進(jìn)行操作并存儲(chǔ)多個(gè)數(shù)據(jù)。存在針對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的兩個(gè)測試。 一個(gè)是在激光熔絲電路125中的激光熔絲切斷處理之前的測試。另一個(gè)是在激光熔絲電路125中 激光熔絲切斷處理之后的測試。在激光熔絲切斷處理之前的測試中，內(nèi)部 電勢產(chǎn)生電路123基于修整碼TM產(chǎn)生內(nèi)部電勢。在激光熔絲切斷處理之 后的測試中，內(nèi)部電勢產(chǎn)生電路基于修整碼LF產(chǎn)生內(nèi)部電勢。圖12是示出了激光熔絲切斷處理之前的測試過程示例的圖。下文將 描述一個(gè)示例，其中半導(dǎo)體晶圓上的十六個(gè)(第一到第十六)半導(dǎo)體存儲(chǔ) 器芯片121被測試。步驟S1201到S1217是針對(duì)第一測試項(xiàng)目的測試。首先，在步驟 S1201中，測試儀設(shè)置第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電 路122中的易失性存儲(chǔ)器中的修整碼TM。接下來，在步驟S1202中，測 試儀設(shè)置第二半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122中的易整碼TM。接下來，測試儀類似地設(shè)置第三到第十五半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122中的易失性存儲(chǔ)器中的 修整碼TM。最后，在步驟S1216中，測試儀設(shè)置第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯 片121的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122中的易失性存儲(chǔ)器中的修整碼TM。 由此，第一到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121根據(jù)相應(yīng)的修整碼TM產(chǎn)生內(nèi) 部電勢并將內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核124。接下來，在步驟1217中，測試 儀執(zhí)行對(duì)第一到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的第一測試項(xiàng)目的測試。當(dāng)對(duì)第一測試項(xiàng)目的測試結(jié)束時(shí)，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的電源 被關(guān)斷以進(jìn)行初始化。然后，測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122中的易失性存儲(chǔ) 器所存儲(chǔ)的修整碼TM被清除。接下來，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的電 源再次被接通，以便執(zhí)行對(duì)第二項(xiàng)目的測試。接下來，步驟S1221到S1237是針對(duì)第二測試項(xiàng)目的測試。首先，在 步驟S1221中，測試儀設(shè)置第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的測試模式信號(hào)產(chǎn) 生電路122中的易失性存儲(chǔ)器中的修整碼TM。接下來，在步驟S1222到 S1236中，測試儀設(shè)置第二到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的測試模式信 號(hào)產(chǎn)生電路122中的易失性存儲(chǔ)器中的修整碼TM。由此，第一到第十六 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121根據(jù)相應(yīng)的修整碼TM產(chǎn)生內(nèi)部電勢并將內(nèi)部電勢 提供給存儲(chǔ)器核124。接下來，在步驟1237中，測試儀執(zhí)行對(duì)第一到第十 六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的第二測試項(xiàng)目的測試。當(dāng)對(duì)第二測試項(xiàng)目的測試結(jié)束時(shí)，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的電源 被關(guān)斷以進(jìn)行初始化。然后，測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122中的易失性存儲(chǔ) 器所存儲(chǔ)的修整碼TM被清除。接下來，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的電 源再次被接通，以便執(zhí)行對(duì)第三測試項(xiàng)目的測試。接下來，步驟S1241到S1257是針對(duì)第三測試項(xiàng)目的測試。首先，在 步驟S1241到S1256中，測試儀設(shè)置第一到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121 的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122中的易失性存儲(chǔ)器中的修整碼TM。由此， 第一到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121根據(jù)相應(yīng)的修整碼TM產(chǎn)生內(nèi)部電勢 并將內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核124。接下來，在步驟1257中，測試儀執(zhí)行 對(duì)第一到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的第三測試項(xiàng)目的測試。 當(dāng)對(duì)第三測試項(xiàng)目的測試結(jié)束時(shí)，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的電源 被關(guān)斷以進(jìn)行初始化。然后，測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122中的易失性存儲(chǔ)器所存儲(chǔ)的修整碼TM被清除。接下來，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的電 源再次被接通，以便執(zhí)行對(duì)第四測試項(xiàng)目的測試。接下來，步驟S1261到S1277是針對(duì)第四測試項(xiàng)目的測試。首先，在 步驟S1261到S1276中，測試儀設(shè)置第一到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121 的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122中的易失性存儲(chǔ)器中的修整碼TM。由此， 第一到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121根據(jù)相應(yīng)的修整碼TM產(chǎn)生內(nèi)部電勢 并將內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核124。接下來，在步驟1277中，測試儀執(zhí)行 對(duì)第一到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片12的第四測試項(xiàng)目的測試。當(dāng)對(duì)第四測試項(xiàng)目的測試結(jié)束時(shí)，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的電源 被關(guān)斷以進(jìn)行初始化。然后，測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122中的易失性存儲(chǔ) 器所存儲(chǔ)的修整碼TM被清除。接下來，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的電 源再次被接通，以便執(zhí)行對(duì)第五測試項(xiàng)目的測試。接下來，步驟S1281到S1297是針對(duì)第五測試項(xiàng)目的測試。首先，在 步驟S1281到S1296中，測試儀設(shè)置第一到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121 的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122中的易失性存儲(chǔ)器中的修整碼TM。由此， 第一到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121根據(jù)相應(yīng)的修整碼TM產(chǎn)生內(nèi)部電勢 并將內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核124。接下來，在步驟1297中，測試儀執(zhí)行 對(duì)第一到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的第五測試項(xiàng)目的測試。下文中，按照前述方式對(duì)多個(gè)測試項(xiàng)目重復(fù)類似的處理。在激光熔絲 切斷之前的測試中，執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)器核124的寫/讀測試，以檢測不合格的存 儲(chǔ)器單元的地址。在那種情況下，希望在內(nèi)部電勢取決于修整碼LF的狀 態(tài)下執(zhí)行測試。然而，由于測試是在激光熔絲切斷之前執(zhí)行的，因此半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器芯片121中的激光熔絲電路(非易失性ROM) 125還沒有存儲(chǔ)適 當(dāng)?shù)男拚aLF。因而，在內(nèi)部電勢的修整碼TM被預(yù)先存儲(chǔ)在半導(dǎo)體存儲(chǔ) 器芯片121中的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122的鎖存器(易失性存儲(chǔ)元件) 中之后，上述寫/讀測試被執(zhí)行。同時(shí)，隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的小型化，必須 測試大量的項(xiàng)目。對(duì)每個(gè)項(xiàng)目的測試從電源的激活開始被執(zhí)行，并且最后 結(jié)束于電源的關(guān)斷。在下面的專利文獻(xiàn)1中，描述了一種包括熔絲部分、解碼器部分和晶 體管組的修整電路。在下面的專利文獻(xiàn)2中，描述了一種延遲時(shí)間調(diào)節(jié)電路，其包括選擇 熔絲和多路復(fù)用器，所述選擇熔絲響應(yīng)于熔絲切斷信號(hào)被切斷，所述多路 復(fù)用器在選擇熔絲的控制下選擇延遲控制信號(hào)或熔絲碼信號(hào)中的一個(gè)并將 其輸出到可變延遲電路。在下面的專利文獻(xiàn)3中，描述了一種片上電路，其用于切斷熔絲，以精確地修整密封在塑料封裝器件中的模擬集成電路。[專利文獻(xiàn)1]日本專利申請(qǐng)?jiān)缙诠_No. Hei 3-283638 [專利文獻(xiàn)2]日本專利申請(qǐng)?jiān)缙诠_No. 2003-69397 [專利文獻(xiàn)3]日本專利申請(qǐng)?jiān)缙诠_No. Hei 7-183387 在激光熔絲切斷之前的測試中，由于十六個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121中 的每一個(gè)的要存儲(chǔ)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121中的修整碼TM各不相同，所 以在執(zhí)行對(duì)相應(yīng)項(xiàng)目的測試之前，要多次執(zhí)行使芯片中的鎖存器存儲(chǔ)修整 碼TM的操作，執(zhí)行該操作的次數(shù)等于同時(shí)被測試的芯片的數(shù)目。當(dāng)為了 縮短測試時(shí)間而增加同時(shí)被測試的芯片的數(shù)目時(shí)，存在一個(gè)問題，即用在 使芯片中的鎖存器存儲(chǔ)修整碼TM的操作上的時(shí)間變得非常多，導(dǎo)致不能 充分達(dá)到縮短時(shí)間的效果。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種能夠縮短測試時(shí)間并且提高可靠性的半導(dǎo) 體集成電路及其測試方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體集成電路，其包括被使得 通過激光輻射來存儲(chǔ)第一修整碼的激光熔絲電路，被使得通過電壓施加來 存儲(chǔ)第二修整碼的電熔絲電路，以及根據(jù)第一或第二修整碼調(diào)整電勢水平 或定時(shí)的調(diào)整電路。


圖1是示出了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片(半導(dǎo)體集成電路)的結(jié)構(gòu)示例的圖；圖2是示出了在激光熔絲切斷處理之前的測試過程示例的圖；圖3是示出了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路的結(jié)構(gòu)示例的電路圖；圖4是示出了圖3的電路的操作示例的時(shí)序圖；圖5是示出了要連接到圖3的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路的結(jié)構(gòu)示例的電 路圖；圖6是示出了地址信號(hào)和修整碼的種類的對(duì)應(yīng)關(guān)系的圖；圖7是示出了圖1的選擇器和內(nèi)部電勢產(chǎn)生電路的結(jié)構(gòu)示例的電路圖；圖8是示出了圖7的修整碼解碼器和選擇器的結(jié)構(gòu)示例的電路圖； 圖9是示出了圖l的電熔絲電路的結(jié)構(gòu)示例的圖；圖10是在電源激活時(shí)包括電熔絲電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的時(shí)序圖；圖11是示出了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的結(jié)構(gòu)示例的圖；圖12是示出了在激光熔絲切斷處理之前的測試過程示例的圖；圖13是示出了半導(dǎo)體晶圓的結(jié)構(gòu)示例的圖；圖14是示出了第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片和 用于測試第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的測試儀的 圖；以及圖15是示出了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的測試過程示例的圖。
具體實(shí)施方式
圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體晶圓1300的結(jié)構(gòu)示例的 圖。例如，在半導(dǎo)體晶圓1300上形成有十六個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片，即第 一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1316。圖14是示出了第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯 片1316和用于檢查第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯
片1316的測試儀1401的圖。測試儀14Q1輸出寫使能信號(hào)/WE、輸出使能 信號(hào)/OE和地址信號(hào)A0到A22，這些信號(hào)對(duì)于十六個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片 1301到1316是公用的。另外，對(duì)于十六個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到1316 中的每一個(gè)，測試儀1401輸出單獨(dú)的芯片使能信號(hào)/CE并且輸入和輸出單 獨(dú)的數(shù)據(jù)DQ。測試儀1401可以同時(shí)測試十六個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301 到1316。以晶圓狀態(tài)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到1316同時(shí)執(zhí)行測試，以 便縮短測試時(shí)間。在這種情況下，多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到1316所 公用的地址信號(hào)A0到A22的端子和決定寫/讀的控制端子(/WE、 /OE) 被連接到測試儀1401，因此減少了到測試儀1401的連接信號(hào)的數(shù)目。對(duì) 于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到1316中的每一個(gè)，數(shù)據(jù)DQ的端子被分別連 接到測試儀1401。因?yàn)楸仨殞?duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到1316中的每一個(gè) 執(zhí)行合格/不合格的判斷。另外，對(duì)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到1316中的 每一個(gè)，芯片選擇控制端子(/CE)被預(yù)先分別連接到測試儀1401，以實(shí) 現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到1316中的每一個(gè)的控制，使得可以對(duì)半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器芯片1301到1316中的每一個(gè)進(jìn)行單獨(dú)控制。圖1是示出了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片(半導(dǎo)體集成電路)121的結(jié)構(gòu)示例 的圖。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121對(duì)應(yīng)于上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到 1316。圖1比圖11多增加了電熔絲(eFuse)電路126和選擇器127。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121包括測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122、激光熔絲電 路125、電熔絲電路126、選擇器127、內(nèi)部電勢產(chǎn)生電路123和存儲(chǔ)器核 (存儲(chǔ)器單元陣列)124。測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122包括易失性存儲(chǔ)器 并且輸出修整碼TM作為易失性存儲(chǔ)器中的測試模式信號(hào)。修整碼TM是 用于向加方向或減方向調(diào)整內(nèi)部電勢的水平的信號(hào)。激光熔絲電路125是 包括激光熔絲的非易失性存儲(chǔ)器，并且與測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122相類 似地存儲(chǔ)和輸出修整碼LF。電熔絲電路126是包括電熔絲的非易失性存儲(chǔ) 器，并且與測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122相類似地存儲(chǔ)和輸出修整碼EF。選 擇器127輸入來自測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122的控制信號(hào)CTL，并且根據(jù) 控制信號(hào)CTL選擇修整碼TM、 LF和EF中的一個(gè)，并將該修整碼輸出到 內(nèi)部電勢產(chǎn)生電路123。內(nèi)部電勢產(chǎn)生電路123根據(jù)選擇器127所輸出的 修整碼產(chǎn)生內(nèi)部電勢，并將該內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核124。存儲(chǔ)器核 124基于內(nèi)部電勢進(jìn)行工作，并存儲(chǔ)多個(gè)數(shù)據(jù)。圖15是示出了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的測試過程示例的圖?？梢酝?過激光輻射切斷激光熔絲電路125中的激光熔絲?？梢允辜す馊劢z根據(jù)激 光熔絲的切斷狀態(tài)或連接狀態(tài)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)(修整碼LF)。在步驟S1501中，在激光熔絲切斷處理之前，以半導(dǎo)體晶圓狀態(tài)在激 光熔絲電路125中對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121執(zhí)行測試。在這些測試中，多 個(gè)測試項(xiàng)目被測試。首先，使得電熔絲電路126存儲(chǔ)修整碼EF。可以通過 在電熔絲的兩端上施加高電壓來切斷電熔絲電路126中的電熔絲?？梢允?得電熔絲根據(jù)電熔絲的切斷狀態(tài)或連接狀態(tài)來存儲(chǔ)修整碼EF。選擇器127 選擇并輸出由電熔絲電路126輸出的修整碼EF。內(nèi)部電勢產(chǎn)生電路123根 據(jù)修整碼EF產(chǎn)生內(nèi)部電勢并將該內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核124。存儲(chǔ)器核 124基于內(nèi)部電勢執(zhí)行用于測試的操作。接下來，在步驟S1502中，執(zhí)行激光熔絲切斷處理。更具體而言，激 光LS被輻射到半導(dǎo)體晶圓1300上的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121上，以使得半 導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121中的激光熔絲電路125的激光熔絲存儲(chǔ)修整碼LF。接下來，在步驟S1503中，在激光熔絲切斷處理之后，以半導(dǎo)體晶圓 狀態(tài)對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121執(zhí)行測試。選擇器127選擇并輸出由激光熔 絲電路125輸出的修整碼LF。內(nèi)部電勢產(chǎn)生電路123根據(jù)修整碼LF產(chǎn)生 內(nèi)部電勢并將該內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核124。存儲(chǔ)器核124基于內(nèi)部電 勢執(zhí)行用于測試的操作。同時(shí)，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121中，通過使用激光熔絲電路125，可 以利用另一備用的存儲(chǔ)器單元來替換存儲(chǔ)器核124中的不合格存儲(chǔ)單元。 激光熔絲是通過在布線層上輻射激光而被切斷從而執(zhí)行寫入的非易失性 ROM。例如，可以使激光烙絲在未被切斷的狀態(tài)(即導(dǎo)電狀態(tài))下存儲(chǔ) "0"，并且在被切斷的狀態(tài)(即不導(dǎo)電狀態(tài))下存儲(chǔ)"1"。通過使激光 熔絲存儲(chǔ)不合格存儲(chǔ)器單元的地址，執(zhí)行上述替換。同時(shí)，在內(nèi)部電勢產(chǎn) 生電路123中，由于半導(dǎo)體晶圓表面中晶體管特性的變化的影響，使得所
產(chǎn)生的電壓值偏離所預(yù)期的電壓值。因而，同樣利用激光熔絲電路125，使得修整碼LF被存儲(chǔ)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中，并且對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中的每一個(gè)進(jìn)行修整。在這種環(huán)境下，作為在晶圓狀態(tài)下對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的測試，存在兩個(gè)步驟S1501禾n S1503的測試。步驟S1501是激光熔絲切斷之前的測 試，并且在該步驟中執(zhí)行對(duì)不合格存儲(chǔ)器單元的地址的檢測和對(duì)內(nèi)部電勢 的修整值的檢測，以及對(duì)其中不可能用備用的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行替換/不可能 修整的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的選擇。歩驟S1503是激光熔絲切斷之后的測 試，并且檢査不合格的存儲(chǔ)器單元是否被備用的存儲(chǔ)器單元所替換以便可 以執(zhí)行正常的寫/讀、內(nèi)部電勢是否是所預(yù)期的電勢，等等。圖2是示出了步驟S1501的激光熔絲切斷處理之前的測試過程示例的 圖。首先，在步驟S201中，測試儀1401為第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301 中的電熔絲電路126設(shè)置修整碼EF。更具體而言，使得電熔絲電路126中 的觸發(fā)器存儲(chǔ)修整碼EF。接下來，在步驟S202中，測試儀1401為第二半 導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片13Q2中的電熔絲電路126設(shè)置修整碼EF。接下來，測試 儀1401類似地為第三半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1303到第十五半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片 1315中的電熔絲電路126設(shè)置修整碼EF。接下來，在步驟S216中，測試 儀1401為第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1316中的電熔絲電路126設(shè)置修整碼 EF。由于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到1316中的每一個(gè)的修整碼EF各不相 同，所以修整碼被分別設(shè)置。接下來，在步驟S217中，測試儀1401引導(dǎo) 第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1316中的電熔絲 電路126的電熔絲寫入上述修整碼。由此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到 1316實(shí)現(xiàn)了修整碼EF的寫入。在電熔絲電路126中，修整碼EF被存儲(chǔ)。當(dāng)上述對(duì)電熔絲的寫入結(jié)束時(shí)，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到1316 的電源被關(guān)斷以進(jìn)行初始化。由于電熔絲電路126中的電熔絲是非易失性 存儲(chǔ)器，因此即使電源被關(guān)斷，所存儲(chǔ)的修整碼EF也仍被保持。接下 來，為了執(zhí)行對(duì)第一測試項(xiàng)目的測試，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到 1316的電源再次被接通。接下來，在步驟S221中，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo)
體存儲(chǔ)器芯片1316根據(jù)電熔絲電路126所存儲(chǔ)的修整碼EF產(chǎn)生內(nèi)部電 勢，并將該內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核124。接下來，在步驟S222中，觀U試 儀1401執(zhí)行對(duì)第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片 1316的第一測試項(xiàng)目的測試。當(dāng)對(duì)第一測試項(xiàng)目的測試結(jié)束時(shí)，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到 1316的電源被關(guān)斷以進(jìn)行初始化。由于電熔絲電路126中的電熔絲是非易 失性存儲(chǔ)器，因此即使電源被關(guān)斷，所存儲(chǔ)的修整碼EF也仍被保持。接 下來，為了執(zhí)行對(duì)第二測試項(xiàng)目的測試，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到 1316的電源再次被接通。接下來，在步驟S231中，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器芯片1316根據(jù)電熔絲電路126所存儲(chǔ)的修整碼EF產(chǎn)生內(nèi)部電 勢，并將該內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核124。接下來，在步驟S232中，測試 儀1401執(zhí)行對(duì)第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片 1316的第二測試項(xiàng)目的測試。當(dāng)對(duì)第二測試項(xiàng)目的測試結(jié)束時(shí)，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到 1316的電源被關(guān)斷以進(jìn)行初始化。由于電熔絲電路126中的電熔絲是非易 失性存儲(chǔ)器，因此即使電源被關(guān)斷，所存儲(chǔ)的修整碼EF也仍被保持。接 下來，為了執(zhí)行對(duì)第三測試項(xiàng)目的測試，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到 1316的電源再次被接通。接下來，在步驟S241中，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器芯片1316根據(jù)電熔絲電路126所存儲(chǔ)的修整碼EF產(chǎn)生內(nèi)部電 勢，并將該內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核124。接下來，在步驟S242中，測試 儀1401執(zhí)行對(duì)第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片 1316的第三測試項(xiàng)目的測試。當(dāng)對(duì)第三測試項(xiàng)目的測試結(jié)束時(shí)，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到 1316的電源被關(guān)斷以進(jìn)行初始化。由于電熔絲電路126中的電熔絲是非易 失性存儲(chǔ)器，因此即使電源被關(guān)斷，所存儲(chǔ)的修整碼EF也仍被保持。接 下來，為了執(zhí)行對(duì)第四測試項(xiàng)目的測試，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到 1316的電源再次被接通。接下來，在步驟S251中，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器芯片1316根據(jù)電熔絲電路126所存儲(chǔ)的修整碼EF產(chǎn)生內(nèi)部電 勢，并將該內(nèi)部電勢提供給存儲(chǔ)器核124。接下來，在步驟S252中，測試 儀1401執(zhí)行對(duì)第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片1301到第十六半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片 1316的第四測試項(xiàng)目的測試。下文中，按照前述方式對(duì)多個(gè)測試項(xiàng)目重復(fù)類似的處理。在激光熔絲 切斷之前的測試中，執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)器核124的寫/讀測試，以檢測不合格的存 儲(chǔ)器單元的地址。在那種情況下，希望在內(nèi)部電勢取決于修整碼LF的狀 態(tài)下執(zhí)行測試。然而，由于測試是在激光熔絲切斷之前被執(zhí)行的，因此半 導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121中的激光熔絲電路(非易失性ROM) 125還沒有存儲(chǔ) 適當(dāng)?shù)男拚aLF。因而，在預(yù)先使電熔絲電路存儲(chǔ)內(nèi)部電勢的修整碼EF 之后，執(zhí)行上述寫/讀測試。在圖12中，因?yàn)閷?duì)于每個(gè)測試項(xiàng)目要為十六個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片設(shè) 置修整碼TM，所以測試時(shí)間較長。在本實(shí)施例中，通過使作為非易失性 存儲(chǔ)器的電熔絲電路126存儲(chǔ)修整碼EF，使得對(duì)于每個(gè)測試項(xiàng)目，即使電 源被關(guān)斷，所存儲(chǔ)的修整碼EF也可以被保持，并且不需要針對(duì)每個(gè)測試 項(xiàng)目設(shè)置修整碼。因此，在本實(shí)施例中，與圖12的情況相比，可以縮短 測試時(shí)間。通過將用于存儲(chǔ)修整碼EF的電熔絲電路126安裝在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯 片上來省去在開始每個(gè)項(xiàng)目的測試時(shí)使半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中的鎖存器存儲(chǔ) 修整碼的處理，可以縮短測試時(shí)間。同時(shí)，由于電熔絲電路126使用內(nèi)部 電勢來進(jìn)行所存儲(chǔ)值的讀操作，因此電熔絲電路126不適合存儲(chǔ)內(nèi)部電勢 的修整碼。換言之，擔(dān)心由于在內(nèi)部電勢產(chǎn)生之后修整碼EF被讀取，使 得在激活后不久內(nèi)部電勢就會(huì)變得高于預(yù)期電勢，并且存在可靠性方面的 問題。在激光熔絲切斷之后，可以通過選擇器127選擇激光熔絲電路125 的修整碼LF并根據(jù)修整碼LF產(chǎn)生內(nèi)部電勢來避免這個(gè)問題。因?yàn)殡娙劢z電路126是非易失性存儲(chǔ)器，所以一旦修整碼EF被存 儲(chǔ)，即使電源被關(guān)斷，對(duì)修整碼EF的存儲(chǔ)也可以被保持。因此，可以縮 短需要大量測試項(xiàng)目的半導(dǎo)體集成電路的測試時(shí)間，使得可以提供可靠且
廉價(jià)的半導(dǎo)體集成電路。圖3是示出了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121中的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122 的結(jié)構(gòu)示例的電路圖，而圖4是示出了其操作示例的時(shí)序圖。測試儀1401 通過向測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122提供信號(hào)A5到A22、 /CE、 /WE和/OE 來控制選擇器127的修整碼選擇。為了控制修整碼選擇，地址信號(hào)A5到 A22被設(shè)為"1"(高電平)，芯片使能信號(hào)/CE被設(shè)為低電平，寫使能信 號(hào)/WE被設(shè)為低電平并且四個(gè)脈沖被輸入作為輸出使能信號(hào)/OE。加電復(fù) 位信號(hào)POR是在加電時(shí)具有高電平的脈沖的信號(hào)。復(fù)位信號(hào)RST利用加 電復(fù)位信號(hào)POR重新復(fù)位四個(gè)觸發(fā)器(FF)。最后一級(jí)的觸發(fā)器利用輸 出使能信號(hào)/OE的四個(gè)脈沖輸出高電平的脈沖作為信號(hào)測試輸入。圖5是示出了連接到圖3的測試模式信號(hào)產(chǎn)生電路122的結(jié)構(gòu)示例的 電路圖，而圖6是示出了地址信號(hào)和修整碼的種類的對(duì)應(yīng)關(guān)系的圖。當(dāng)?shù)刂沸盘?hào)A3和A4為"0"(低電平)時(shí)，測試模式被復(fù)位并且測 試模式使能信號(hào)TM-EN和電熔絲使能信號(hào)EF-EN變?yōu)榈碗娖?，使得選擇 器127選擇激光熔絲電路125的修整碼LF，后面將描述。當(dāng)?shù)刂沸盘?hào)A3為"1"(高電平)并且地址信號(hào)A4為"0"(低電 平)時(shí)，允許輸入測試模式。然后，測試模式使能信號(hào)TM-EN變?yōu)楦唠?平并且電熔絲使能信號(hào)EF-EN變?yōu)榈碗娖?，使得選擇器127選擇測試模式 信號(hào)產(chǎn)生電路122的修整碼TM，后面將描述。這個(gè)修整碼TM例如是三 位的修整碼TM0到TM2。測試儀1401輸出的三位地址信號(hào)A0到A2被 輸出作為三位的修整碼TM0到TM2。當(dāng)控制信號(hào)變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，開關(guān) 501閉合。當(dāng)?shù)刂沸盘?hào)A3為"0"(低電平)并且地址信號(hào)A4為"1"(高電 平)時(shí)，允許輸入測試模式。然后，測試模式使能信號(hào)TM-EN變?yōu)榈碗?平并且電熔絲使能信號(hào)EF-EN變?yōu)楦唠娖剑沟眠x擇器127選擇電熔絲電 路126的修整碼EF，后面將描述。順便提及，在加電時(shí)，信號(hào)TM0到TM2、 TM-EN和EF-EN通過加電 復(fù)位信號(hào)PQR被復(fù)位為低電平。圖7是示出了圖1的選擇器127和內(nèi)部電勢產(chǎn)生電路123的結(jié)構(gòu)示例200710142549. 4說明書第12/15頁的電路圖。修整碼解碼器和選擇器701對(duì)應(yīng)于圖1的選擇器127，而其它電路對(duì)應(yīng)于圖1的內(nèi)部電勢產(chǎn)生電路123。修整碼解碼器和選擇器701在圖5的信號(hào)TM-EN和EF-EN為低電平 時(shí)選擇、解碼并輸出修整碼LF，在信號(hào)TM-EN為高電平時(shí)選擇、解碼并 輸出修整碼TM，并且在信號(hào)EF-EN為高電平時(shí)選擇、解碼并輸出修整碼 EF。在這種情況下，修整碼解碼器和選擇器701對(duì)修整碼進(jìn)行解碼并且將 顯示"-2" 、 、 "0"、 "+l"或"+2"的信號(hào)中的任一個(gè)設(shè)為高電平，并將該信號(hào)輸出到開關(guān)705。后面將參考圖8描述修整碼解碼器和選 擇器701的細(xì)節(jié)。當(dāng)從修整碼解碼器和選擇器701輸入高電平信號(hào)時(shí)，開關(guān)705閉合， 并且當(dāng)?shù)碗娖叫盘?hào)被輸入時(shí)，開關(guān)705斷開。信號(hào)"-2"意味著將內(nèi)部電 勢降低兩個(gè)級(jí)別，信號(hào)意味著將內(nèi)部電勢降低一個(gè)級(jí)別，信號(hào)"0" 意味著內(nèi)部電勢加/減零的級(jí)別調(diào)整，信號(hào)"+l"意味著將內(nèi)部電勢升高一 個(gè)級(jí)別，信號(hào)"+2"意味著將內(nèi)部電勢升高兩個(gè)級(jí)別。參考電勢產(chǎn)生電路702接收所提供的電源電壓VDD并產(chǎn)生參考電勢 VREFO。比較器703將參考電勢VREFO輸入到正輸入端，并將來自開關(guān) 705的電勢VREF2輸入到負(fù)輸入端，并且輸出參考電勢VREF1。在這種 情況下，比較器703輸出參考電勢VREF1，使得輸入電勢VREFO和 VREF2相等。例如，在修整碼解碼器和選擇器701將輸出信號(hào)"0"設(shè)為高電平的 情況下，通過電阻分壓，電勢VREF2變?yōu)閰⒖茧妱軻REF1的一半。例 如，當(dāng)參考電勢VREFO為0.5V時(shí)，比較器703輸出參考電勢VREF1，使 得電勢VREF2變?yōu)?.5V，與VREFO相同。結(jié)果，參考電勢VREF1變?yōu)?IV。順便提及，測試儀1401可以利用面板704輸入?yún)⒖茧妱軻REF1或檢 測參考電勢VREF1。比較器706輸入從參考電勢VREF1電阻分壓后的電勢和泵浦電路707 的輸出電壓，并且輸出電勢VPP-EN。泵浦電路707根據(jù)電勢VPP-EN提 升電壓并輸出內(nèi)部電勢VPP?？梢允箖?nèi)部電勢VPP高于電源電壓VDD。 例如，當(dāng)參考電勢VREF1為IV時(shí)，可以通過將電阻分壓的電阻比設(shè)為15 2:1來使得內(nèi)部電勢VPP為3V。此外，比較器708輸入從參考電勢VREF1電阻分壓的電勢和輸出電 勢VG，并且輸出電勢VG。在n溝道場效應(yīng)晶體管709中，柵極連接到電 勢VG的線路，漏極連接到電源電勢VDD的端子，并且源極被連接到內(nèi) 部電勢VII的端子。晶體管709可以產(chǎn)生低于電源電壓VDD的電勢VII。如上所述，可以根據(jù)修整碼基于電源電壓VDD產(chǎn)生內(nèi)部電勢VPP和 VII。例如，電源電壓VDD為1.8V，內(nèi)部電勢VPP為3V且內(nèi)部電勢VII 為1.6V。圖8是示出了圖7的修整碼解碼器和選擇器701的結(jié)構(gòu)示例的電路 圖。三位的修整碼TMO到TM2對(duì)應(yīng)于圖7的修整碼TM，三位的修整碼 EFO到EF2對(duì)應(yīng)于圖7的修整碼EF，并且三位的修整碼LFO到LF2對(duì)應(yīng) 于圖7的修整碼LF。當(dāng)使能信號(hào)EF-EN為"1"時(shí)，選擇器800a選擇并輸出修整碼EF0， 并且當(dāng)使能信號(hào)EF-EN為"0"時(shí)，選擇器800a選擇并輸出修整碼LF0。當(dāng)使能信號(hào)TM-EN為"1"時(shí)，選擇器800b選擇并輸出修整碼 TMO，并且當(dāng)使能信號(hào)TM-EN為"Q"時(shí)，選擇器800b選擇并輸出由選 擇器800a輸出的修整碼EFO或LFQ。當(dāng)使能信號(hào)EF-EN為"1"時(shí)，選擇器801a選擇并輸出修整碼EFl， 并且當(dāng)使能信號(hào)EF-EN為"0"時(shí)，選擇器801a選擇并輸出修整碼LFl。當(dāng)使能信號(hào)TM-EN為"1"時(shí)，選擇器801b選擇并輸出修整碼 TM1，并且當(dāng)使能信號(hào)TM-EN為"0"時(shí)，選擇器801b選擇并輸出由選 擇器8Qla輸出的修整碼EFl或LF1。當(dāng)使能信號(hào)EF-EN為"1"時(shí)，選擇器802a選擇并輸出修整碼EF2， 并且當(dāng)使能信號(hào)EF-EN為"0"時(shí)，選擇器802a選擇并輸出修整碼LF2。當(dāng)使能信號(hào)TM-EN為"1"時(shí)，選擇器802b選擇并輸出修整碼 TM2，并且當(dāng)使能信號(hào)TM-EN為"0"時(shí)，選擇器802b選擇并輸出由選 擇器802a輸出的修整碼EF2或LF2。非(NOT)電路811輸出顯示"+2"的信號(hào)，非電路812輸出顯示 "+l"的信號(hào)，非電路813輸出顯示"0"的信號(hào)，非電路814輸出顯示
的信號(hào)，非電路815輸出顯示"-2"的信號(hào)。圖9是示出了圖1的電熔絲電路126的結(jié)構(gòu)示例的圖。電熔絲電路 126包括三個(gè)電熔絲電路，并且這三個(gè)電熔絲電路存儲(chǔ)并輸出三位的修整 碼EFO到EF2。電壓控制電路901產(chǎn)生電壓VRR并將電壓VRR提供給三 個(gè)電熔絲電路。下文中，將描述各個(gè)電熔絲電路的結(jié)構(gòu)示例。下文中，場效應(yīng)晶體管被簡單地稱為晶體管。電熔絲電容器101被連 接到電壓VRR和節(jié)點(diǎn)3之間。N溝道晶體管102是保護(hù)晶體管，其中柵極 被連接到電壓(內(nèi)部電勢)VPP，漏極被連接到節(jié)點(diǎn)n3并且源極被連接到 節(jié)點(diǎn)n2。例如電壓VPP為3V。 n溝道晶體管103是寫電路，其中柵極被 連接到寫信號(hào)WRT，漏極被連接到節(jié)點(diǎn)n2并且源極被接地。接下來，將描述讀電路110的結(jié)構(gòu)。在n溝道晶體管111中，柵極被 連接到讀信號(hào)RD、漏極被連接到節(jié)點(diǎn)n2并且源極被連接到節(jié)點(diǎn)n4。在n 溝道晶體管113中，柵極被連接到節(jié)點(diǎn)n5，漏極被連接到節(jié)點(diǎn)n4并且源 極經(jīng)由晶體管114接地。在p溝道晶體管112中，柵極被連接到節(jié)點(diǎn)n5， 源極被連接到電壓(內(nèi)部電勢)VII并且漏極被連接到節(jié)點(diǎn)n4。例如電壓 VII為1.6V。在被連接到電源電壓VII的與非電路115中，輸入端被連接 到節(jié)點(diǎn)n4和信號(hào)RSTb的線路并且輸出端被連接到節(jié)點(diǎn)n5。在非電路116 中，輸入端被連接到節(jié)點(diǎn)n5且輸出端被連接到信號(hào)EF0、 EF1或EF2的線 路。下文中，將說明采用信號(hào)EFO的示例。當(dāng)寫信號(hào)WRT變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，晶體管103導(dǎo)通。高電壓VRR (例如 為8V)被施加到電容器101。電熔絲由電容器101構(gòu)成，并且當(dāng)處于無動(dòng) 作的狀態(tài)時(shí)為不導(dǎo)電狀態(tài)。當(dāng)高電壓(例如為8V)被施加到電容器的兩 端之間時(shí)，電容器101的絕緣層被破壞并且電容器101變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)。這 兩個(gè)狀態(tài)被指定為數(shù)據(jù)"0"和"1"。例如，當(dāng)電容器101處于電容器 101的絕緣層未被破壞的狀態(tài)下的不導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，該狀態(tài)被指定為"0"。 當(dāng)電容器101處于電容器101的絕緣層被破壞的狀態(tài)下的導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，該 狀態(tài)被指定為"1"。電容器101可以被用作非易失性ROM。將描述對(duì)電容器(電熔絲)101的寫操作。首先，電壓控制電路901 將電容器101的電壓VRR提升為高電壓(例如為8V)。此時(shí)，由于電容
器101的另一端節(jié)點(diǎn)n3處于懸空狀態(tài)，所以節(jié)點(diǎn)n3的電勢也升高。在這 種狀態(tài)下，電容器101的兩端之間的電勢差仍然很小。之后，使寫信號(hào) WRT為高電平以使寫晶體管103導(dǎo)通，并且節(jié)點(diǎn)n3接地，高電壓被施加 到電容器101的兩個(gè)電極之間，因此電容器101的絕緣層被破壞。相比之 下，當(dāng)寫信號(hào)WRT為低電平時(shí)，節(jié)點(diǎn)n3仍處于懸空狀態(tài)，并且高電壓未 被施加到電容器101的兩端之間，因此電容器101保持不導(dǎo)電狀態(tài)。
圖IO是示出了包括電熔絲電路126的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片121的電源激 活時(shí)的時(shí)序圖。電源電壓VDD是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的電源電壓，并且例 如為1.8V。電壓VDD、 VRR和RD由于電源的激活而逐漸升高。很快， 電壓VRR保持為大約1.6V。信號(hào)RSTb保持為低電平。在圖9中，當(dāng)信 號(hào)RSTb為低電平時(shí)，節(jié)點(diǎn)n5變?yōu)楦唠娖?。然后，晶體管112被斷開并且 晶體管113被導(dǎo)通。結(jié)果，節(jié)點(diǎn)n4從懸空狀態(tài)變?yōu)榈碗娖?。之后，信?hào) RSTb從低電平變?yōu)楦唠娖?。?dāng)電容器101處于導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，節(jié)點(diǎn)n4變?yōu)?高電平并且輸出信號(hào)EF0變?yōu)楦唠娖?。相比之下，?dāng)電容器101處于不導(dǎo) 電狀態(tài)時(shí)，節(jié)點(diǎn)n4變?yōu)榈碗娖讲⑶逸敵鲂盘?hào)EF0變?yōu)榈碗娖?。之后，?壓VRR和讀信號(hào)RD變?yōu)榻拥?，晶體管111被斷開并且輸出信號(hào)EF0被 保持。讀電路110通過上述操作將電容器101的狀態(tài)輸出為信號(hào)EFO。
應(yīng)當(dāng)注意，雖然示例是內(nèi)部電勢產(chǎn)生電路(調(diào)整電路)123根據(jù)修整 碼調(diào)整內(nèi)部電勢水平，但是調(diào)整電路123也可以根據(jù)修整碼調(diào)整存儲(chǔ)器核 124的信號(hào)的定時(shí)。
由于電熔絲電路是非易失性存儲(chǔ)器，所以一旦第一修整碼被存儲(chǔ)，則 即使之后電源被關(guān)斷，也可以保持對(duì)第一修整碼的存儲(chǔ)。因此，可以縮短 需要大量測試項(xiàng)目的半導(dǎo)體集成電路的測試時(shí)間，使得可以提供可靠且廉 價(jià)的半導(dǎo)體集成電路。
所給出的實(shí)施例從任何方面來看都應(yīng)被認(rèn)為是示例性的而非限制性 的，并且因此意圖包括落在權(quán)利要求的等同物的意義和范圍內(nèi)的所有改 變。本發(fā)明可以按其它特定的形式來實(shí)現(xiàn)而不脫離其精神或?qū)嵸|(zhì)特征。
本申請(qǐng)基于2006年8月22日提交的在先日本專利申請(qǐng)No. 2006-225020，并要求該申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路，包括激光熔絲電路，其被使得通過激光輻射來存儲(chǔ)第一修整碼；電熔絲電路，其被使得通過電壓施加來存儲(chǔ)第二修整碼；以及調(diào)整電路，其根據(jù)所述第一或第二修整碼調(diào)整電勢水平或定時(shí)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體集成電路，還包括選擇器，該選擇器選擇由所述激光熔絲電路存儲(chǔ)的第一修整碼 或者由所述電熔絲電路存儲(chǔ)的第二修整碼，并且其中所述調(diào)整電路根據(jù)由所述選擇器選擇的第一或第二修整碼調(diào)整所 述電勢水平或所述定時(shí)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路，其中在所述激光熔絲被使得通過所述激光輻射存儲(chǔ)所述第一修整碼之 前，所述選擇器選擇所述第二修整碼。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路，其中在所述激光熔絲電路被使得通過所述激光輻射存儲(chǔ)所述第一修整 碼之后，所述選擇器選擇所述第一修整碼。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述選擇器選擇所述第一修整碼、所述第二修整碼和從外部輸入 的第三修整碼中的一個(gè)，并且其中所述調(diào)整電路根據(jù)由所述選擇器選擇的第一、第二或第三修整碼 調(diào)整所述電勢水平或所述定時(shí)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述調(diào)整電路根據(jù)所述第一或第二修整碼調(diào)整所述電勢水平。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路，還包括存儲(chǔ)器單元陣列，其利用經(jīng)所述調(diào)整電路調(diào)整的電勢存儲(chǔ)多個(gè) 數(shù)據(jù)。
8. —種根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路的測試方法，所述方法包括 電壓施加步驟，其通過電壓施加使得所述電熔絲電路存儲(chǔ)所述第二修 整碼；第一測試步驟，其在所述電壓施加步驟之后通過根據(jù)所述第二修整碼 調(diào)整電勢水平或定時(shí)來執(zhí)行第一測試；激光輻射步驟，其在所述第一測試步驟之后使得所述激光熔絲電路通 過激光輻射來存儲(chǔ)所述第一修整碼；以及第二測試步驟，其在所述激光輻射步驟之后通過根據(jù)所述第一修整碼 調(diào)整電勢水平或定時(shí)來執(zhí)行第二測試。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體集成電路的測試方法， 其中所述電壓施加步驟能夠使得半導(dǎo)體晶圓上的所述多個(gè)半導(dǎo)體集成電路存儲(chǔ)各自的第二修整碼。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體集成電路的測試方法， 其中當(dāng)對(duì)多個(gè)測試項(xiàng)目的測試被執(zhí)行時(shí)，每當(dāng)對(duì)所述相應(yīng)測試項(xiàng)目的測試結(jié)束時(shí)，所述第一測試步驟關(guān)斷所述半導(dǎo)體集成電路的電源。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體集成電路及其測試方法。該半導(dǎo)體集成電路包括激光熔絲電路、電熔絲電路和調(diào)整電路，所述激光熔絲電路被使得通過激光輻射存儲(chǔ)第一修整碼，所述電熔絲電路被使得通過電壓施加來存儲(chǔ)第二修整碼，所述調(diào)整電路根據(jù)所述第一或第二修整碼調(diào)整電勢水平或定時(shí)。
文檔編號(hào)G11C29/44GK101131874SQ200710142549
公開日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2007年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月22日
發(fā)明者山口秀策 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社