專利名稱:光學拾取裝置的制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及一種光學拾取裝置,該光學拾取裝置對光盤以及光卡 等光信息記錄介質進行信息的記錄、再生以及刪除。
背景技術:
采用具冇槽狀圖案的光信息記錄介質(即高密度、大容量的記錄 介質)的光存儲技術,在數(shù)字音頻盤、視頻盤、文檔盤以及數(shù)據(jù)盤等 中的應用正在不斷擴大。在光存儲技術中,信息通過被縮得很細的光 束,以高精度以及高可靠性,被記錄在光信息記錄介質中并被再生。 此記錄再生工作完全取決于光學系統(tǒng)。光學系統(tǒng)的主要部分即光學拾 取裝置的基本功能大致可分為聚光,形成衍射界限的微小光點;控 制光學系統(tǒng)的焦點;控制光學系統(tǒng)的追蹤;以及檢測出小坑信號(pit signal)。這些功能是按照該功能的目的和用途,通過與各種光學系統(tǒng) 和光電轉換檢測方式相結合來實現(xiàn)的。近幾年,為了將光學拾取裝置 小型化以及薄型化,而采用了衍射元件(全息攝影)(例如參照專利文 獻1 )。圖1是采用以往的衍射元件的光學拾取裝置的構成示意圖。圖1 中所示出的光學拾取裝置1000對光信息記錄介質1106進行信息的記 錄、再生以及刪除。例如,光信息記錄介質1106是CD(Compact Disc)、 DVD(Digital Versatile Disc) 、 BD(Blu-ray Disc :藍光光碟)或是 HD-DVD(High Definition DVD:高解析DVD)。光學拾取裝置誦包 括:光源IIOIA與1101B;光檢測器1102A、 1102B、 1102C以及1102D; 衍射元件1103;光路結合部1104;以及聚光部1105。 光源1101A是射出第一波長的光(例如,藍色光)1120的光源。 光源1101B是射出第二波長的光(例如,紅色光)1121以及第三波K 的光(例如,紅外光)1122的光源,ii第二波長比第-波長長,第三 波長比第二波長長。從光源1101A射出的第一波長的光1120,由光路結合部1104來反 射,在聚光部1105聚光,被照射到光信息記錄介質1106,并由光信息 記錄介質1106反射。由光信息記錄介質1106反射的反射光,由聚光 部1105聚光,透過光路結合部1104,入射到衍射元件1103,并被衍 射為入射到光檢測器U02A以及1102B。從光源1101B射出的第二波長的光1121,在聚光部1105聚光,被 照射到光信息記錄介質1106,并由光信息記錄介質1106來反射。由光 信息記錄介質1106反射的反射光,由聚光部1105聚光,入射到衍射 元件1103,并被衍射為有選擇性地入射到光檢測器1102A以及1102C。 從光源1101B射出的第三波長的光1122,由聚光部1105來聚光,照射 到光信息記錄介質1106,并由光信息記錄介質1106來反射。由光信息 記錄介質1106反射的反射光,由聚光部1105來聚光,入射到衍射元 件1103,并被衍射為有選擇性地入射到光檢測器1102A以及1102D。即,在將通過衍射元件1103向圖中右側衍射的光定義為一 (負), 向左側衍射的光定義為十(正)時,第一^^第三波長的光的衍射光中, +1次衍射光入射到同一個光檢測器1102A。對于-1次衍射光,第一波 長光的衍射光入射到光檢測器1102B,第二波長光的衍射光入射到光檢 測器1102C,第三波長光的衍射光入射到光檢測器1102D。從光檢測器 1102A 1102D按照各自的受光量來輸出信號。專利文獻l特開2001 —176119號公報然而,以+1次衍射光以及-1次衍射光獲得光信息記錄介質1106 的信號的通常的光學拾取裝置中,存在與第一 第三波長分別對應的 光軸(三條)。據(jù)此,將第一 第三波長的光中任1條光軸與聚光部1105 的中心對準,剩余的2條光軸偏離聚光部1105的中心。這樣,出現(xiàn)的 問題是導致偏離聚光部ii05的中心的光軸所對應的光的利用效率降 低。即,在以往的光學拾取裝置中,光學拾取裝置整體的光的利用效 率降低。發(fā)明內容為了解決上述問題,本發(fā)明的目的在于提供一種光學拾取裝置, 該光學拾取裝置利用三個波長的光,且對光的利用效率高。為了達成上述目的,本發(fā)明所涉及的光學拾取裝置對光信息記錄 介質至少進行信息的寫入以及讀出中的某一個,包括光源,發(fā)出第一、第二以及第三波長的光;光路結合單元,使所述光源發(fā)出的所述第一、第二以及第三波長的光的行進方向相同,并使所述第一波長的光和所述第三波長的光的光軸一致;聚光單元,將來自所述光路結合 單元的光聚光到所述光信息記錄介質;衍射元件,將所述光信息記錄 介質所反射的所述第一、第二以及第三波長的光,分別向第'-方向以 及第二方向衍射;第一光檢測器,接收來自所述衍射元件的所述第一、 第二以及第三波長的光的、所述第一方向的衍射光;第二光檢測器, 接收來自所述衍射元件的所述第一以及第三波長的光的、所述第二方 向的衍射光;以及第三光檢測器,接收來自所述衍射元件的所述第二 波長的光的、所述第二方向的衍射光。根據(jù)此構成,可以將光軸數(shù)從通常的三個減少為兩個。據(jù)此,可 以減少偏離聚光單元中心的光軸數(shù),從而提高光的利用效率。并且,也可以是所述第一光檢測器接收來自所述衍射元件的所 述第一波長的光的+2次衍射光、所述第二波長的光的+1次衍射光、以 及所述第三波長的光的+1次衍射光;所述第二光檢測器接收來自所 述衍射元件的所述第一波長的光的一2次衍射光,以及所述第三波長的 光的一l次衍射光;所述第三光檢測器接收來自所述衍射元件的所述 第二波長的光的一l次衍射光。并且,也可以是所述光學拾取裝置進一步包括漫射光反射單元,
該漫射光反射單元形成在所述衍射元件所衍射的所述第一波長的光的 ±1次衍射光所照射的位置上,并反射照射來的光。根據(jù)此構成,可以防止本來就不需要的第一波長的光的士l次衍射 光成為漫射光。據(jù)此,可以防止因漫射光而造成的光信息記錄介質的 記錄、再生、以及消除信號的不良。并且,也可以是所述漫射光反射單元由鋁或金構成。根據(jù)此構成,漫射光反射單元可以由半導體基板制造(擴散)工 序中所普遍使用的材料來構成,因此,不必增加新的材料就可以實現(xiàn)。并且,也可以是所述第一光檢測器、所述第二光檢測器以及所述第三光檢測器形成在同一基板上;所述光學拾取裝置進一步包括反射 防止單元,該反射防止單元形成在所述衍射元件所衍射的所述第一波 長的光的士l次衍射光所照射的位置上,并防止照射來的光入射到所述 基板上。根據(jù)此構成,可以防止(反射)漫射光的發(fā)生,該漫射光是由基 板上所形成的光檢測器反射第一波長的光的士l次衍射光而發(fā)生的,所 述第一波長的光的士l次衍射光是由衍射元件發(fā)生的不作為信號光使 用的光。并且,通過在反射防止單元的正下方設置光檢測二極管,可 以防止基板內的漫射光(由不使用的光發(fā)生的載流子)入射到第一光 檢測器、第二光檢測器以及第三光檢測器,所述基板內的漫射光是由 第一波長的光的士l次衍射光入射到光檢測器的半導體基板上而發(fā)生 的。并且,也可以是所述光學拾取裝置進一步包括第四光檢測器,該 第四光檢測器接收所述衍射元件所衍射的所述第一波長的光的土l次 衍射光。根據(jù)此構成,第四光檢測器可以接收第一波長的光的士l次衍射 光,并可以轉換為電氣信號。并且,也可以是所述第四光檢湖i器用于對所述第-波長的光的輸出進行監(jiān)視。
根據(jù)此構成,通過將第四光檢測器用于對所述第一波長的光的輸 出進行監(jiān)視,從而可以減少用于對第一波長的光的輸出進行監(jiān)視的光 檢測器,由此,可以減少部件數(shù)量。據(jù)此,可以使光學拾取裝置小型 化。并且,也可以是所述第四光檢測器輸出來自所述光信息記錄介質 的信號。根據(jù)此構成,通過將第一波長的光的士l次衍射光作為來自信息記 錄介質的信兮光來使用,從而可以進一歩改善第一波長的光的利月]效 率。并且,也可以是所述第一波長的光為藍色光,所述第二波長的光 為紅色光,所述第三波長的光為紅外光。根據(jù)此構成,例如對于使用藍色光的BD(或HD—DVD)、使用紅色 光的DVD、以及使用紅外光的CD所對應的光學拾取裝置,可以使光的 利用效率增高。并且,也可以是所述光源包括第一光源和第二光源,所述第一光 源發(fā)出所述第一波長的光;所述第二光源發(fā)出所述第二以及第三波長 的光;所述第二光源、所述第一光檢測器、所述第二光檢測器、以及 所述第三光檢測器配置在同一基板上。根據(jù)此構成,通過將第二光源和第一到第三光檢測器集成化,從 而可以縮小設置空間,據(jù)此,可以實現(xiàn)光學拾取裝置的低成本化。并且,也可以是衍射元件的截面形狀為鋸齒狀。根據(jù)此構成,例如第一波長的光(波長為405nm)的2次衍射效率 的波峰,幾乎和第二波長的光(波長為650nin)以及第三波長的光(波 長為780rim)的1次衍射效率的波峰所處的光柵深度相同。據(jù)此,第一 波長的光(波長為405nm)、第二波長的光(波長為650nm)以及第三 波長的光(波長為780nm)可以在單一的第一光檢測器容易地檢測出來。本發(fā)明可以提供一種光學拾取裝置,該光學拾取裝置利用三個波 長的光,且光的利用效率高。
圖1是示出通常的光學拾取裝置的構成圖。圖2是示出本發(fā)明實施例1中所涉及的光學拾取裝置的構成圖。圖3是示出第一波長的光的2次衍射光以及第三波長的光的1次 衍射光的光柵間隔和衍射角度的關系圖。圖4A是示出衍射元件中所使用的光柵形狀的截面結構圖。圖4B是示出光柵深度和衍射效率的關系圖。圖5A是示出衍射元件所使用的光柵形狀的截面結構圖。圖5B是示出光柵深度和衍射效率的關系圖。圖6A是本發(fā)明的實施例1所涉及的光學拾取裝置的光源以及光檢 測器的結構的立體圖。圖6B是本發(fā)明的實施例1所涉及的光學拾取裝置的光源以及光檢 測器的結構的平面圖。圖7是示出本發(fā)明的實施例2所涉及的光學拾取裝置的結構圖。圖8A是本發(fā)明的實施例2所涉及的光學拾取裝置的光源以及光檢 測器的結構的立體圖。圖8B是本發(fā)明的實施例2所涉及的光學拾取裝置的光源以及光檢 測器的結構的平面圖。圖9是示出本發(fā)明的實施例3所涉及的光學拾取裝置的結構圖。圖10A是本發(fā)明的實施例3所涉及光學拾取裝置的光源以及光檢 測器的結構的立體圖。圖10B是本發(fā)明的實施例3所涉及的光學拾取裝置的官員以及光 檢測器的結構的平面圖。圖11是示出本發(fā)明的實施例4所涉及的光學拾取裝置的結構圖。圖12A是本發(fā)明的實施例4所涉及的光學拾取裝眞的光源以及光 檢測器的結構的立體圖。圖12B是本發(fā)明的實施例4所涉及的光學拾取裝置的光源以及光
檢測器的結構的平面圖。
具體實施方式
以下,參照附圖對本發(fā)明所涉及的光拾取裝置的實施例進行詳細 說明。(實施例1 )本發(fā)明的實施例1所涉及的光學拾取裝置是與3個波長的光相對 應的光學拾取裝置,通過將2個波長的光的光軸設為一致,從而使光 軸成為2個。據(jù)此,可以提高光的利用效率。首先,對本發(fā)明的實施例1所涉及的光學拾取裝置的構成進行說明。圖2是示出本發(fā)明的實施例1所涉及的光學拾取裝置的概略構成圖。圖2屮所示的光拾取裝置100對光信息記錄介質106進行信息的 記錄、再生以及刪除。光學拾取裝置100包括光源101A與101B;光 檢測器102A、 102BD以及102C;衍射元件103;光路結合部104;聚光 部105;以及漫射光反射區(qū)域lll。本發(fā)明的實施例l所涉及的光學拾取裝置100與通常的光學拾取 裝置相比,不同之處在于光路結合部104使第一波長的光和第三波 長的光的光軸基本一致,并且還具備了漫射光反射區(qū)域lll。光源101A是射出第一波長的光120的光源。光源101B是射出第 二波長的光121以及第三波長的光122的光源,且第二波長比第一波 長長,第三波長比第二波長長。第-'波長例如是BD或HD-DVD所用的 405nm(藍色光),第二波長例如是DVD所用的650mn(紅色光),第三波 長例如是CD用的780nm(紅外光)。并且,光源101A以及101B例如是 半導體激光器。光檢測器102A、 102C以及102BD輸出與受光量相對應的信號。例 如,光檢測器102A、 102C以及102BD是同一個半導體(Si)基板上所
形成的光檢測二極管。而且,在不特意區(qū)別光檢測器102A、 102C以及 102BD的情況下,記作光檢測器102。衍射元件103衍射來自光信息記錄介質106的反射光。衍射元件 103例如是全息攝影元件。光路結合部104使光源101A以及101B發(fā)出的第 、第二以及第 三波長的光的行進方向相問。光路結合部104使第一波長的光和第三 波長的光的光軸一致。光路結合部104例如是偏振光光束分離器。光 路結合部104按照第一波長(405mn)的光的偏振光方向使第一波長的 光反射或透過。聚光部105將來自光路結合部104的光聚光到光信息記錄介質106 上。聚光部105例如是具有準直透鏡和對物透鏡的執(zhí)行構件。漫射光反射區(qū)域111形成在這樣一個位置上,該位置是形成光檢 測器102的半導體基板上的第一波長的光的土l次折射光入射的位置。 漫射光反射區(qū)域111反射照射來的光。例如,漫射光反射區(qū)域111由 鋁或金等金屬構成。在光源101B的設置位置和光信總記錄介質106的設置位覽之間, 從光源101B開始依次布置有衍射元件103、光路結合部104以及聚光 部105。光源IOIA被布置在可以直接向光路結合部104射出的位置上。 在衍射元件103的一側(與布置有光路結合部104相反的方向)布置 有光檢測器102以及漫射光反射區(qū)域111。其次,對光學拾取裝置100的工作進行說明。從光源IOIA射出的光由光路結合部104反射,在聚光部105聚光, 照射在光信息記錄介質106,并由光信息記錄介質106來反射。由光信 息記錄介質106反射的反射光由聚光部105聚光,并透過光路結合部 104入射到衍射元件103,并由某-一個光檢測器102衍射為有選擇性地 入射。從光源101B射出的光透過衍射元件103和光路結合部104,在聚 光部105聚光,照射在光信息記錄介質106,并由光信息記錄介質106 來反射。由光信息記錄介質106反射的反射光由聚光部105聚光,并 透過光路結合部104入射到衍射元件103,并由衍射元件103來衍射, 從而使光有選擇性地入射到某一個光檢測器102上。在將通過衍射元件103向圖中右側衍射的光定義為一 (負),向左 側衍射的光定義為十(正)時,入射到光檢測器102A的光是第--波 長的光的+2次衍射光;和第二波長及第三波長的光各A的+l次衍射光。 入射到光檢測器102BD的光足第一波長的光的-2次衍射光和第二波 長的光的-1次衍射光。入射到光檢測器102C的光是第二波長的光的 -l次衍射光。并且,漫射光反射區(qū)域ill反射的光是由衍射元件103而發(fā)生的不作為信號光來使用的第一波長的光的士l次衍射光。據(jù)此,通過將第一波長的光的士l次衍射光入射到形成光檢測器102的半導體基板上,從而可以防止在基板內漫射光(由不使用的光發(fā)生的載流子)的 發(fā)生。而且,針對各波長的光檢測正、負這兩個衍射光是通常的技術中就有的,在此用于生成信號,該信號是針對光信息記錄介質106的上下方向的變動,以使兩個光的檢測器上的兩個光點尺寸保持一定的聚 焦伺服的信^"。為此,使衍射光柵保持一定的曲率,從而使在衍射元件103的一 側的衍射光的焦點位置在單一的光檢測器(在此為光檢測器102A)的 下側,而另一側的衍射光的焦點位置在多個光檢測器(在此為光檢測 器102C以及102BD)的上側。并且,光檢測器102最好是采用在表面 形成光反射防止膜,在此所謂的光例如可以是波長為405nm、 650nm以 及780nm的光。圖3是分別針對第一波長的光(波長為405mn)的2次衍射光和第 三波長的光(波長為780nm)的1次射光而示出光柵間隔和衍射角的 關系圖。如圖3所示,對于光柵間隔的各個值,第一波長的光的2次 衍射光和第三波長的光的1次衍射光的衍射角幾乎為相同的值。利用
此性質,如上所述,對于第一波長的光的-2次衍射光和第三波長的光的-l次衍射光,可以在單一的光檢測器102BD檢測。通常,只要"第 一波長的光的2次衍射角"減去"第三波長的光的1次衍射角"的差 在2度以內即可。圖4A以及圖5A是示出使用了衍射元件103的光柵形狀的截面構 造圖。圖4B以及圖5B是示出光柵深度和衍射效率之間關系的圖。圖 4A是矩形波狀的光柵形狀的截面結構的模式上的示意圖。圖4B是示出 矩形波狀的光柵形狀中光柵深度和衍射效率之間的關系圖。而且,衍 射元件103的折射率為1. 52,光柵間隔為2. 5 n m 。如同4A所示,衍射光柵的截面形狀為矩形波狀,即在衍射元件103 的一側上排列的矩形呈凹凸形狀的情況下,則如圖4B所示,第一波長 的光(波長為405mn)的2次衍射效率的波峰,和第二波長的光(波長 為650nnO以及第三波長的光(波長為780raO的1次衍射效率的波峰 所處的光柵深度彼此遠離。圖5A是在模式上示出鋸齒狀光柵形狀的截面結構圖。圖5B是示 出鋸齒狀光柵形狀的光柵深度和衍射效率之間的關系圖。而且,衍射 元件103的折射率為1.52,光柵間隔為2.5n m。如圖5A所示,衍射光柵的截面形狀為鋸齒狀,即在衍射元件103 的一側上排列的三角形呈凹凸形狀的情況下,第一波長的光(波長為 405nm)的2次衍射效率的波峰,幾乎和第二波長的光(波長為650nm) 以及第三波長的光(波長為780nm)的1次衍射效率的波峰所處的光柵 深度相同。因此,對于第一波長的光(波長為405nm)、第二波長的光 (波長為650nnO以及第三波長的光(波長為780nm),可以在單一的 光檢測器102A容易地檢測出來。因此,在利用來自衍射元件103的衍射光的本發(fā)明的光學拾取裝 置100,通過采用如圖5A所示的鋸齒狀的衍射元件103,可對于第一 波長的光、第二波長的光以及第三波長的光,在單一的光檢測器102A 容易地進行檢測。
而且,在上述實施例中,將衍射元件103配置在光源101B和光路 結合部104之間,不過也可以配覽在光路結合部104和聚光部105之 間,或在聚光部105的內部,或在聚光部105和光信總記錄介質106 之間,也可以得到同樣的效果。并且,雖然對光源101B和光檢測器102是分開配置的,也可以將 光源101B和光檢測器102 —體化,使用這樣被一體化了的集成單元也 可以得到同樣的效果。圖6A是將光源101B和光檢測器102 —體化了 的集成單元的斜視圖。圖6B是將光源101B和光檢測器102 —體化了 的集成單元的平面圖。如圖6A和圖6B所示,在同一個半導體基板107 上配置有光檢測器102 (102A、 102C以及102BD)、光源101B以及漫 射光反射區(qū)域lll。并且,從光源101B射出的第二波長的光121以及 第三波長的光122由微型反光鏡108反射后,以垂直方向向上射出。綜上所述,本發(fā)明的實施例l所涉及的光學拾取裝置100,使最短 波長的第--波長的光和最長波長的第三波長的光的光軸--致。據(jù)此, 可以將以往的3個光軸減少為2個光軸。因此,可以減少與聚光部105的中心偏離了的光軸數(shù),從而可以提高光的利用效率。并且,本發(fā)明的實施例l所涉及的光學拾取裝置100具有漫射光 反射區(qū)域111。據(jù)此,可以減少基板內漫射光(不使用光所發(fā)生的載體) 的發(fā)生,該漫射光是不作為信號光來使用的第一波長的光的土l次衍射 光,入射到光檢測器102的半導體基板上而發(fā)生的,所述第一波長的 光的±1次衍射光是由衍射元件103發(fā)生的。并且,漫射光反射區(qū)域111由鋁或金等金屬構成。g口,漫射光反 射區(qū)域111是由半導體裝置的制造(擴散)工藝中所普遍使用的材料 構成的,因此,可以在不增加新的材料的條件下來實現(xiàn)漫射光反射區(qū) 域111。并且,光路結合部104具有根據(jù)第--波長(405nm)的光的偏振光 方向^^反射或透過第一波長的光的功能。據(jù)此,可以進一步提高光的 利用效率。
并且,衍射元件103具有鋸齒狀的截面形狀。據(jù)此,第一波長的光(波長為405mn)的2次衍射效率的波峰,和第二波長的光(波長為 650nm)以及第三波長的光(波長為780nm)的1次衍射效率的波峰, 所處的光柵深皮幾乎相問。因此,對于第--波1<;的光(波長為405nm)、 第二波長的光(波長為650nm)以及第三波長的光(波長為780nm), 可以在單一的光檢測器102A檢測出來。 (實施例2)本發(fā)明的實施例2所涉及的光學拾取裝置具有防止漫射光反射發(fā) 生的反射防止區(qū)域。圖7是示出本發(fā)明的實施例2所涉及的光學拾取裝置的概略構成 圖。而且,對與圖2相同的要素賦予相同的符號,并省略其詳細說明。圖7所示的光學拾取裝置200對光信息記錄介質106進行信息的 記錄、再生以及刪除。光學拾取裝置200包括光源IOIA與101B;光 檢測器102A、 102BD以及102C;衍射元件103;光路結合部l(M;聚光 部105;以及漫射光反射區(qū)域112。漫射光反射區(qū)域112形成在這樣一個位置上,該位置是形成光檢 測器102的半導體基板上的第一波長的光的士l次折射光所照射的位 置。反射防止區(qū)域112防止照射來的光入射到半導體基板上。反射防 止區(qū)域112例如由氧化膜或/及氮化膜構成。反射防止區(qū)域112具有 使(反射)漫射光不發(fā)生的功能,該(反射)漫射光是由光檢測器102 反射衍射元件103所發(fā)生的、不作為信號光來使用的第一波長的光的 ±1次衍射光。并且,反射防止區(qū)域112的正下方配置有光檢測二極管, 因此可以防止基板內漫射光(由不使用的光發(fā)生的載體)入射到用于 信號檢測的光檢測器102A、 102C或/及102BD,上述基板內漫射光是 由第一波長的光的土l次衍射光入射到光檢測器102的半導體基板上 而發(fā)生的。并且,構成反射防止區(qū)域112的氧化膜或/及氮化膜是在半導體 裝置的制造(擴散)工藝中普遍所使用的材料,因此可以不必增加新 的材料。圖8A是將光源101B和光檢測器102 —體化了的集成單元的立體 圖。圖8B是將光源101B和光檢測器102 —體化了的集成單元的平面 圖。如圖8A和圖8B所示,在半導體基板107上形成有光檢測器102 (102A、 102C以及102BD)、光源101B以及反射防止區(qū)域112。 (實施例3)本發(fā)明的實施例3所涉及的光學拾取裝置具有接收第--波長的 光的±1次衍射光的光檢測器113。圖9是示出本發(fā)明的實施例3所涉及的光學拾取裝置的概略構成 圖。而且,對與圖2相同的要素賦予相同的符號,并省略詳細說明。圖9中所示的光拾取裝置300對光信息記錄介質106進行信息的 記錄、再生以及刪除。光學拾取裝置300包括光源101A與101B;光 檢測器102A、 102BD以及102C;衍射元件103;光路結合部104;聚光 部105;以及光檢測器113。光檢測器113形成在這樣一個位置上,該位置是形成光檢測器102 的半導體基板上的第-'波長的光的士1次折射光入射的位置。光檢測器 113具冇這樣的功能,即接收由衍射元件103而發(fā)生的、不作為信號光來使用的第一波長的光的士l次衍射光,并檢測作為信號光的光。例如, 光檢測器113具有第一波長的光的輸出監(jiān)視功能,可作為用于監(jiān)視光 輸出的光檢測器來使用。據(jù)此,可以減少配置在與光檢測器102不同 位置上的、用于監(jiān)視第一波長的光的輸出的光檢測器,從而可以減少 元件數(shù)量,所述光檢測器在此未做圖示。因此,可以使光拾取裝置小 型化。圖10A是將光源101B和光檢測器102 —體化了的集成單元的斜視 圖。圖10B是將光源101B和光檢測器102—體化了的集成單元的平面 圖。如圖IOA和圖10B所示,在基板107上形成有光檢測器102(102A、 102C以及102BD)、光源101B以及光檢測器113。 (實施例4)
本發(fā)明的實施例4所涉及的光拾取裝置具有光檢測器114,該光檢測器114具有輸出來自信息記錄介質的信號的功能。圖11是示出本發(fā)明的實施例4所涉及的光拾取裝置的概略構成 圖。而且,對與圖2相同的要素賦予相同的符號,并省略詳細說明。圖11中所示的光拾取裝置400對光信息記錄介質106進行信息的 記錄、再生以及刪除。光學拾取裝置400包括光源IOIA與101B;光 檢測器腿、102BD以及102C;衍射元件103;光路結合部跳聚光 部105;以及光檢測器114。光檢測器114形成在這樣'-個位置上,該位覽是形成光檢測器102 的半導體基板上的第一波長的光的士l次折射光所照射的位置。光檢測 器114具有這樣一個功能,即接收由衍射元件103而發(fā)生的、不作為 上述實施例1及實施例2中的信號光來使用的第一波長的光的士l次 衍射光,并檢測作為信號光的光。即光檢測器114具有輸出來自光信 息記錄媒體106的信號的功能。因此,可以將第一波長的光的士l次衍 射光作為來自光信息記錄介質106的信號光來使用,從而能夠進一步 改善第一波長的光的利用效率。并且,光檢測器114也可以按照第一波長的光的士l次衍射光來分割。圖12A是將光源101B和光檢測器102 —體化了的集成單元的立體 圖。圖12B是將光源101B和光檢測器102 --體化了的集成單元的平面 圖。如圖12A和圖12B所示,在基板107上形成有光檢測器102(102A、 102C以及翻D)、光源101B以及光檢測器114。本發(fā)明可以適用于光學拾取裝置,尤其適用于對BD、(或HD—DVD)、 DVD以及CD進行信息的記錄、再生以及刪除的光學拾取裝置。
權利要求
1.一種光學拾取裝置,對光信息記錄介質至少進行信息的寫入以及讀出中的某一個,包括光源,發(fā)出第一、第二以及第三波長的光;光路結合單元,使所述光源發(fā)出的所述第一、第二以及第三波長的光的行進方向相同,并使所述第一波長的光和所述第三波長的光的光軸一致;聚光單元,將來自所述光路結合單元的光聚光到所述光信息記錄介質;衍射元件,將所述光信息記錄介質所反射的所述第一、第二以及第三波長的光,分別向第一方向以及第二方向衍射;第一光檢測器,接改來自所述衍射元件的所述第一、第二以及第三波長的光的、所述第一方向的衍射光;第二光檢測器,接收來自所述衍射元件的所述第一以及第三波長的光的、所述第二方向的衍射光;以及第三光檢測器,接收來自所述衍射元件的所述第二波長的光的、所述第二方向的衍射光。
全文摘要
本發(fā)明所涉及的光學拾取裝置包括光源,發(fā)出第一、第二以及第三波長的光;光路結合單元,使所述第一、第二以及第三波長的光的行進方向相同,并使所述第一波長的光和所述第三波長的光的光軸一致;聚光單元,將來自所述光路結合單元的光聚光到所述光信息記錄介質;衍射元件,將所述光信息記錄介質所反射的所述第一、第二以及第三波長的光,分別向第一方向以及第二方向衍射;第一光檢測器,接收來自所述衍射元件的所述第一、第二以及第三波長的光的、所述第一方向的衍射光;第二光檢測器,接收來自所述衍射元件的所述第一以及第三波長的光的、所述第二方向的衍射光;以及第三光檢測器,接收來自所述衍射元件的所述第二波長的光的、所述第二方向的衍射光。
文檔編號G11B7/135GK101131835SQ200710146889
公開日2008年2月27日 申請日期2007年8月24日 優(yōu)先權日2006年8月25日
發(fā)明者中森達哉, 中西直樹, 島田直人, 濱口真一 申請人:松下電器產業(yè)株式會社