專利名稱：只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)、 一種信息記錄/和再現(xiàn)方法、以 及一種記錄/再現(xiàn)設(shè)備，更具體地講，涉及一種具有多個(gè)區(qū)的光學(xué)信息存儲(chǔ)介 質(zhì)以及對(duì)該光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)記錄/和再現(xiàn)信息的方法和設(shè)備，在該多個(gè)區(qū)中 數(shù)據(jù)根據(jù)不同的記錄調(diào)制方法或者作為不同的凹坑擺動(dòng)被記錄。
背景技術(shù)：
光盤通常被用作光學(xué)拾取裝置的信息存儲(chǔ)介質(zhì)，該光學(xué)拾取裝置將信息 記錄在光盤上和/或從光盤再現(xiàn)信息，而無(wú)須接觸光盤。光盤根據(jù)其信息記錄 容量被分為壓縮盤(CD)或數(shù)字多用途盤(DVD)。 CD和DVD還包括650MB CD-R、 CD-RW、 4.7GBDVD+RW等。上述光學(xué)信息介質(zhì)被標(biāo)準(zhǔn)化并且彼此兼容，這使得它們經(jīng)濟(jì)并方便使用。 已經(jīng)進(jìn)行了對(duì)未被標(biāo)準(zhǔn)化的存儲(chǔ)介質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)化的嘗試。具體地講，新存儲(chǔ)介質(zhì) 的格式必須被研發(fā)，從而新存儲(chǔ)介質(zhì)與現(xiàn)存存儲(chǔ)介質(zhì)兼容或一致。如圖1所示，傳統(tǒng)只讀光盤包括燒錄區(qū)(BCA) 10、導(dǎo)入?yún)^(qū)20、用戶數(shù)據(jù) 區(qū)30和導(dǎo)出區(qū)40。如傳統(tǒng)只讀光盤的序列號(hào)的信息作為條碼被記錄在BCA 10中，傳統(tǒng)只讀盤相關(guān)信息被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種可保持與其它類型的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的 一致性并且規(guī) 定記錄圖樣或記錄調(diào)制方法的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)，從而提高與驅(qū)動(dòng)器的兼容 性。將在接下來(lái)的描述中部分闡述本發(fā)明另外和/或其它方面和其它優(yōu)點(diǎn)，還 有一部分通過(guò)描述將是清楚的，或者可以經(jīng)過(guò)本發(fā)明的實(shí)施而得知。根據(jù)本發(fā)明的 一方面，提供一種包括數(shù)據(jù)在其中以凹坑的形式被記錄的 多個(gè)區(qū)的只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)。在該多個(gè)區(qū)中的至少一個(gè)中的凹坑具有與 形成在該多個(gè)區(qū)中的其它區(qū)中的凹坑不同的凹坑圖樣。該多個(gè)區(qū)可包括燒錄區(qū)、導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)。形成在燒錄區(qū)中的凹坑的圖樣可與形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)的至少一 個(gè)中的凹坑的圖樣不同。形成在燒錄區(qū)中的凹坑的圖樣可以是第一直線凹坑行和第一凹坑擺動(dòng)中 的 一個(gè)，形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)的至少 一個(gè)中的凹坑的圖樣是與第 一直 線凹坑行不同的第二直線凹坑行和與第 一 凹坑擺動(dòng)不同的第二凹坑擺動(dòng)中的 一個(gè)。導(dǎo)入?yún)^(qū)可包括第一和第二區(qū)，凹坑以第三直線凹坑圖樣和第三凹坑擺動(dòng) 圖樣中的 一個(gè)形成在第 一 區(qū)中，凹坑以第四直線凹坑圖樣和第四凹坑擺動(dòng)圖 樣中的一個(gè)形成在第二區(qū)中。第三直線凹坑圖樣和第四直線凹坑圖樣的每個(gè)可以是單一直線凹坑圖 樣、特定直線凹坑圖樣或隨機(jī)直線凹坑圖樣中的一個(gè)。第三凹坑擺動(dòng)和第四凹坑擺動(dòng)的每個(gè)可以是單一 凹坑擺動(dòng)、特定凹坑擺 動(dòng)和隨機(jī)凹坑擺動(dòng)中的一個(gè)。用戶數(shù)據(jù)區(qū)可包括多個(gè)基本記錄單元以及分別位于基本記錄單元之前和之后的移入?yún)^(qū)(run-in)和移出區(qū)(run-out)。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供一種包括數(shù)據(jù)在其中以凹坑的形式被記錄 的多個(gè)區(qū)的只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)。該多個(gè)區(qū)中的至少一個(gè)中的凹坑通過(guò)與 用于形成該多個(gè)區(qū)的其它區(qū)中的凹坑的記錄調(diào)制方法不同的記錄調(diào)制方法而 形成。該多個(gè)區(qū)可包括燒錄區(qū)、導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)。使用在燒錄區(qū) 中的記錄調(diào)制方法可與使用在導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的至少一個(gè)中的記錄調(diào) 制方法不同。使用在燒錄區(qū)、導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的記錄調(diào)制方法可以是 RLL(d， k)調(diào)制方法和二相調(diào)制方法中的 一個(gè)。燒錄區(qū)、導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的至少一個(gè)可^C分為多個(gè)子區(qū)， 子區(qū)中的凹坑可使用不同的調(diào)制方法。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)，其包括多個(gè) 記錄層，每個(gè)記錄層具有數(shù)據(jù)在其中以凹坑的方式被記錄的多個(gè)區(qū)，其中， 該多個(gè)區(qū)中的至少一個(gè)中的凹坑具有與形成在該多個(gè)區(qū)的其它區(qū)中的凹坑不同的凹坑圖樣。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種將信息記錄到具有多個(gè)區(qū)的只讀光學(xué)信 息存儲(chǔ)介質(zhì)的方法，包括將數(shù)據(jù)以第一凹坑圖樣以凹坑的形式記錄在該多個(gè)區(qū)中的至少一個(gè)中；和將數(shù)據(jù)以與第一凹坑圖樣不同的第二凹坑圖樣以凹坑的形式記錄在該多個(gè)區(qū)中的其它區(qū)中。根據(jù)本發(fā)明另 一方面，提供一種將信息記錄到包括多個(gè)區(qū)的只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的方法，包括根據(jù)第一調(diào)制方法將數(shù)據(jù)以凹坑的形式記錄在該 多個(gè)區(qū)中的至少 一個(gè)中；和根據(jù)與第 一調(diào)制方法不同的第二調(diào)制方法將數(shù)據(jù) 以凹坑的形式記錄在該多個(gè)區(qū)的其它區(qū)中。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供一種將數(shù)據(jù)記錄在只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì) 上的方法，包括使用第一凹坑圖樣和第一記錄調(diào)制方法中的一個(gè)將數(shù)據(jù)記 錄在該多個(gè)區(qū)中的一個(gè)中，該第一凹坑圖樣和第一記錄調(diào)制方法由介質(zhì)規(guī)定； 和使用第二凹坑圖樣和第二記錄調(diào)制方法中的一個(gè)將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)的 其它區(qū)中的至少一個(gè)中。當(dāng)?shù)谝话伎訄D樣被用于將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)中的 一個(gè)中時(shí)，僅第二凹坑圖樣被用于將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)的其它區(qū)的至少一 個(gè)中。當(dāng)?shù)谝徽{(diào)制方法被用于將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)中的一個(gè)中時(shí)，僅第二 調(diào)制方法被用于將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)的其它區(qū)的至少一個(gè)中。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于具有多個(gè)區(qū)的只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介 質(zhì)的記錄設(shè)備，包括記錄單元，用于將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)中；和控制器， 控制記錄單元以將萄:據(jù)以第 一 凹坑圖樣以凹坑形式記錄在該多個(gè)區(qū)中的至少 一個(gè)中，并控制記錄單元以將數(shù)據(jù)以與第一凹坑圖樣不同的第二凹坑圖樣以 凹坑形式記錄在該多個(gè)區(qū)的其它區(qū)中。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供一種用于具有多個(gè)區(qū)的只讀光學(xué)信息存儲(chǔ) 介質(zhì)的記錄設(shè)備，包括記錄單元，用于將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)中；和控制 器，控制記錄單元以使用第一凹坑圖樣和第一記錄調(diào)制方法中的一個(gè)將數(shù)據(jù) 記錄在該多個(gè)區(qū)中的 一個(gè)中，該第 一凹坑圖樣和第 一記錄調(diào)制方法由介質(zhì)規(guī) 定，并且該控制器控制記錄和/或讀單元以使用第二凹坑圖樣和第二記錄調(diào)制 方法中的一個(gè)將凝:據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)的其它區(qū)的至少一個(gè)中。當(dāng)?shù)谝话伎訄D 樣被用于將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)中的 一個(gè)中時(shí)，僅第二凹坑圖樣被用于將數(shù) 據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)的其它區(qū)的至少一個(gè)中。當(dāng)?shù)谝徽{(diào)制方法被用于將數(shù)據(jù)記 錄在該多個(gè)區(qū)中的一個(gè)中時(shí)，僅第二調(diào)制方法被用于將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)的其它區(qū)的至少一個(gè)中。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供一種用于在多個(gè)層上具有多個(gè)區(qū)的只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄設(shè)備，包括記錄單元，用于將數(shù)據(jù)記錄在多個(gè)區(qū)上； 和控制器，控制記錄單元以以第 一凹坑圖樣以凹坑形式將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè) 區(qū)中的至少一個(gè)中，和控制記錄單元以以與第一凹坑圖樣不同的第二凹坑圖 樣以凹坑形式將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)的其它區(qū)中。根據(jù)本發(fā)明另 一方面，提供一種用于具有多個(gè)區(qū)的只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介 質(zhì)的記錄和再現(xiàn)設(shè)備，包括記錄和讀單元，用于將數(shù)據(jù)記錄在該多個(gè)區(qū)中 和從該多個(gè)區(qū)讀取數(shù)據(jù)；和控制器，控制記錄和讀單元以根據(jù)第一調(diào)制方法 將數(shù)據(jù)以凹坑的形式記錄在該多個(gè)區(qū)的至少一個(gè)中，控制記錄和讀單元以根 據(jù)與第 一調(diào)制方法不同的第二調(diào)制方法將數(shù)據(jù)以凹坑的形式記錄在該多個(gè)區(qū) 的其它區(qū)中，和控制記錄和讀單元以再現(xiàn)第一調(diào)制的至少一個(gè)的數(shù)據(jù)。


圖1示出傳統(tǒng)只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的整個(gè)結(jié)構(gòu)；圖2A示出具有單一直線圖樣的凹坑行；圖2B示出具有單一圖樣的凹坑擺動(dòng)；圖2C示出具有特定直線圖樣的凹坑行；圖2D示出具有特定圖樣的凹坑擺動(dòng)；圖2E示出具有隨機(jī)直線的凹坑行；圖2F示出具有隨^/L圖樣的凹坑擺動(dòng)；圖3A至3D、 4A和4B示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的每 一區(qū)中形成的凹坑的圖樣；圖5A和5B是用于解釋二相調(diào)制方法的示圖；圖6示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的整個(gè)結(jié)構(gòu)；圖7A、 7B、 8A和8B示出在圖6中顯示的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的每一區(qū) 中形成的圖樣凹坑；圖9示出圖6中顯示的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的記錄單元、移入?yún)^(qū)和移出 區(qū)的記錄圖樣；圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄/再現(xiàn)設(shè)備的示意圖；和 圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄/再現(xiàn)系統(tǒng)的方框圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在，詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，其示例在附圖中表示，其中，相同的 標(biāo)號(hào)始終表示相同的部件。以下通過(guò)參考附圖描述實(shí)施例以解釋本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)是只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)。該光 學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)根據(jù)功能或使用目的被分為多個(gè)區(qū)。使用在該多個(gè)區(qū)的一部 分中的記錄調(diào)制方法或記錄圖樣與使用在該多個(gè)區(qū)的剩余部分中的記錄調(diào)制 方法或記錄圖樣不同。如上所述，光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)根據(jù)功能或用途被分為多個(gè)區(qū)。例如，如圖l所示，光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括BCAIO、導(dǎo)入?yún)^(qū)20、用戶數(shù)據(jù)區(qū)30和導(dǎo) 出區(qū)40。另外，數(shù)據(jù)作為凹坑被記錄在光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的每處。換句話說(shuō)， 數(shù)據(jù)作為凹坑被記錄在BCAIO、導(dǎo)入?yún)^(qū)20、用戶數(shù)據(jù)區(qū)30和導(dǎo)出區(qū)40中。 因此，只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)與可記錄光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)一致，因?yàn)閿?shù)據(jù)作 為凹槽擺動(dòng)被記錄在可記錄光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的每處。關(guān)于光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的序列號(hào)的信息或指示BCA 10的信息作為凹坑 被記錄在BCA10中。盤相關(guān)(或光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)相關(guān))信息、復(fù)制保護(hù)信息 等被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中。例如，盤相關(guān)信息包括關(guān)于如可記錄盤、 一次寫入 盤或只讀盤的存儲(chǔ)介質(zhì)的類型的信息、關(guān)于記錄層的數(shù)量的信息、關(guān)于記錄 速度的信息和關(guān)于盤的大小的信息。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，在BCA 10、導(dǎo)入?yún)^(qū)20、 用戶數(shù)據(jù)區(qū)30和導(dǎo)出區(qū)40中形成的凹坑的圖樣或使用在它們中的記錄調(diào)制 方法不同。將描述在BCA 10、導(dǎo)入?yún)^(qū)20、用戶凝:據(jù)區(qū)30和導(dǎo)出區(qū)40中形成的凹 坑的不同圖樣。例如，在BCA 10中形成的凹坑的圖樣可與在導(dǎo)入?yún)^(qū)20、用 戶數(shù)據(jù)區(qū)30和導(dǎo)出區(qū)40中形成的凹坑的圖樣不同。這里，在BCA 10中形 成的凹坑的圖樣可為直線凹坑行或凹坑擺動(dòng)。直線凹坑行具有以直線行排列 的凹坑，凹坑擺動(dòng)具有以波形排列的凹坑。直線凹坑行和凹坑擺動(dòng)的圖樣可為單一圖樣、特定圖樣或隨機(jī)圖樣。單 一圖樣指的是在其中長(zhǎng)度nT的凹坑以規(guī)則間隔排列的圖樣。這里，n表示自 然數(shù)，T表示最小凹坑長(zhǎng)度。例如，如圖2A所示，直線凹坑行的單一圖樣指 的是以直線行排列的相同長(zhǎng)度的凹坑。如圖2B所示，凹坑擺動(dòng)的單一圖樣指的是以波形排列的相同長(zhǎng)度的凹坑。特定圖樣表示不同長(zhǎng)度的凹坑的序列被重復(fù)。例如，長(zhǎng)度3T和6T的凹 坑的序列可被重復(fù)。這里，同步圖樣可具有長(zhǎng)度9T的凹坑。如圖2C所示， 直線凹坑行的特定圖樣指的是以直線行排列的特定凹坑。如圖2D所示，凹 坑擺動(dòng)的特定圖樣指的是按波形排列的特定凹坑。隨機(jī)圖樣指的是以不規(guī)則間隔排列的不同長(zhǎng)度的凹坑。例如，如圖2E 所示，直線凹坑行的隨機(jī)圖樣指的是以直線行隨機(jī)排列的不同長(zhǎng)度的凹坑。 如圖2F所示，凹坑擺動(dòng)的隨機(jī)圖樣指的是按波形隨機(jī)排列的不同長(zhǎng)度的凹 坑。凹坑以直線凹坑行的單一、特定和隨機(jī)圖樣以及凹坑擺動(dòng)的單一、特定 和隨機(jī)圖樣中的 一個(gè)被形成在BCA 10中。凹坑以與使用在BCA 10中的圖樣 不同的圖樣形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中。詳細(xì)地講，如圖3A所示，凹坑可以以直線凹坑行的單一圖樣被形成在 BCA10中，并以直線凹坑行的隨機(jī)圖樣被形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30 中 如圖3B所示，凹坑可以以lL線凹坑行的特定圖樣被形成在BCA 10中， 并以直線凹坑行的隨機(jī)圖樣形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中。作為另一 例子，如圖3C所示，凹坑可以以直線凹坑行的信號(hào)圖樣形成在BCA 10中， 并以凹坑擺動(dòng)的隨機(jī)圖樣形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中。特別地，在 凹坑擺動(dòng)的隨機(jī)圖樣的情況下，如圖3D所示，凹坑擺動(dòng)的幅度可逐漸減小 或增力口。這里，只讀數(shù)據(jù)的跟蹤伺服通常根據(jù)微分相位檢測(cè)(DPD)方法被執(zhí)行。 由于DPD方法已知，因此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。如果只讀數(shù)據(jù)以單一圖樣被 記錄，則DPD信號(hào)不被檢測(cè)。因此，在這種情況下，DPD方法不能被使用。 然而，在本實(shí)施例中，記錄在BCA中的信息僅使用聚焦伺服被讀取。因此， DPD方法不影響B(tài)CAIO。換句話說(shuō)，如圖3A、 3C和3D所示，盡管凹坑以 單一圖樣被形成在BCAIO中，但是不必使用跟蹤伺服。其結(jié)果是，使用DPD 方法，可從導(dǎo)入?yún)^(qū)20、用戶數(shù)據(jù)區(qū)30和導(dǎo)出區(qū)40,而不從BCA10中讀取 數(shù)據(jù)。作為另 一例子，凹坑可以以直線凹坑行的隨機(jī)圖樣形成在BCA 10中， 并以直線凹坑行的隨機(jī)圖樣或凹坑擺動(dòng)的隨機(jī)圖樣形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶 數(shù)據(jù)區(qū)30中?；蛘撸伎涌梢砸灾本€凹坑行的隨機(jī)圖樣形成在BCAIO中，并以凹坑擺動(dòng)的隨機(jī)圖樣形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中。這里，如果 凹坑以隨機(jī)圖樣形成在BCAIO中，則凹坑的圖樣可為"00h"圖樣或包含用 于表示BCA 10的信息的圖樣。另外，凹坑可以以不同的凹坑圖樣形成在BCA 10、導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù) 據(jù)區(qū)30中。例如，如圖4A所示，凹坑可以以直線凹坑行的單一圖樣形成在 BCA10中，以直線凹坑行的隨機(jī)圖樣形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中，并以凹坑擺動(dòng)的 隨^L圖樣形成在用戶^:據(jù)區(qū)30中?；蛘?，如圖4B所示，凹坑可以以直線凹 坑行的特定圖樣形成在BCA 10中，以凹坑擺動(dòng)的隨^/L圖樣形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)20 中，以直線凹坑行的隨^/L圖樣形成在用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中?，F(xiàn)在將解釋使用在BCA10、導(dǎo)入?yún)^(qū)20和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中的不同記錄調(diào) 制方法。使用在BCA 10中的記錄調(diào)制方法是RLL(d, k)調(diào)制方法或二相調(diào)制方 法，不同記錄調(diào)制方法被使用在導(dǎo)入?yún)^(qū)20、用戶數(shù)據(jù)區(qū)30和導(dǎo)入?yún)^(qū)40中。二相調(diào)制是指根據(jù)信號(hào)在預(yù)定周期P內(nèi)是否改變來(lái)顯示數(shù)據(jù)的方法。例 如，如圖5A所示，當(dāng)凹槽擺動(dòng)的相位在預(yù)定周期P內(nèi)不改變時(shí)，位值"0" 被讀取。當(dāng)凹槽擺動(dòng)的相位在預(yù)定周期P內(nèi)改變時(shí)，位值"1"被讀取。換句 話說(shuō)，二相調(diào)制方法是根據(jù)在給定周期內(nèi)信號(hào)是否改變，例如根據(jù)在給定周 期內(nèi)信號(hào)的相位是否改變來(lái)記錄數(shù)據(jù)的方法。這里，已經(jīng)描述了凹槽擺動(dòng)的 相位的調(diào)制，但是不同圖樣可被調(diào)制。如圖5B所示，如果在給定周期P內(nèi)凹坑不改變，則位值"0"被讀取， 如果在給定周期P內(nèi)凹坑改變，則位值'T，(或"0")被讀取。換句話說(shuō)， 如果凹坑形成在給定周期P內(nèi)的每處，則位值"0"(或"1")被讀取，如果 凹坑和間隔形成在給定周期P內(nèi)，則位值"1"(或"0")被讀取。RLL調(diào)制方法指示多少個(gè)位值"0"存在于兩個(gè)位值'T，之間。這里， RLL(d, k)指示兩個(gè)位值'T，之間的位值"0"的最小數(shù)量和最大數(shù)量分別是 d和k。例如，在RLL(1，7)調(diào)制方法中，兩個(gè)位值"1"之間的位值"0"的最 小數(shù)量和最大數(shù)量分別是1和7。根據(jù)RLL(l, 7)調(diào)制方法，當(dāng)d=l時(shí)，數(shù)據(jù) "1010101" 4皮記錄，因此長(zhǎng)度2T的標(biāo)記形成在兩個(gè)位值'T，之間。另夕卜， 當(dāng)d=7,數(shù)據(jù)"10000000100000001"被記錄，因此長(zhǎng)度8T的標(biāo)記形成在兩 個(gè)位值"1"之間。這里，T表示最小標(biāo)記長(zhǎng)度，即最小凹坑長(zhǎng)度。因此，在 RLL(l， 7)調(diào)制方法中，數(shù)據(jù)作為長(zhǎng)度2T到8T的標(biāo)記和間隔-陂記錄。如以上例子所述，使用在BCAIO中的記錄調(diào)制方法與使用在導(dǎo)入?yún)^(qū)20、 用戶數(shù)據(jù)區(qū)30和導(dǎo)出區(qū)40中的記錄調(diào)制方法不同?；蛘撸褂迷趯?dǎo)入?yún)^(qū)20 中的記錄調(diào)制方法可與使用在BCA 10、用戶數(shù)據(jù)區(qū)30和導(dǎo)出區(qū)40中的記錄 調(diào)制方法不同。例如，使用在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中的記錄調(diào)制方法可為RLL(d, k)調(diào) 制方法或二相方法，使用在BCAIO、用戶數(shù)據(jù)區(qū)30和導(dǎo)出區(qū)40中的記錄調(diào) 制方法可與使用在導(dǎo)入?yún)^(qū)20中的記錄調(diào)制方法不同。/或用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中的凹坑的軌道間距。根據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)根據(jù)功能或用途被分為多個(gè) 區(qū)。使用在該多個(gè)區(qū)中的 一部分中的凹坑圖樣或記錄調(diào)制方法與使用在該多 個(gè)區(qū)的剩余部分中的凹坑圖才羊或記錄調(diào)制方法不同。例如，導(dǎo)入?yún)^(qū)20可被分為多個(gè)子區(qū)。換句話說(shuō)，如圖6所示，當(dāng)導(dǎo)入?yún)^(qū) 20被分為第 一 區(qū)20a和第二區(qū)20b時(shí)，凹坑可以以不同的凹坑圖樣或根據(jù)不 同的調(diào)制方法在第一區(qū)20a和第二區(qū)20b中形成。凹坑以直線凹坑行的單一、 特定或隨機(jī)圖樣或凹坑擺動(dòng)的單一、特定或隨機(jī)圖樣形成在第一區(qū)20a中。 凹坑以與第一區(qū)20a中的圖樣不同的圖樣形成在第二區(qū)20b中。例如，如圖7A所示，凹坑可以以直線凹坑4亍的隨才幾圖樣形成在第一區(qū) 20a中，以凹坑擺動(dòng)的隨機(jī)圖樣形成在第二區(qū)20b中。或者，如圖7B所示， 凹坑可以以直線凹坑4亍的特定圖樣形成在第一區(qū)20a中，以直線凹坑行的隨 機(jī)圖樣形成在第二區(qū)20b中。另夕卜，使用在第一區(qū)20a或第二區(qū)20b中的凹坑圖樣可與使用在BCAIO 和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中的凹坑圖樣不同。例如，如圖8A所示，凹坑以直線凹坑 行的單一圖樣形成在BCAIO中，以直線凹坑行的特定圖樣形成在第一區(qū)20a 中，并以直線凹坑行的隨機(jī)圖樣形成在第二區(qū)20b以及用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中。如 圖8B所示，凹坑可以以直線凹坑行的單一圖樣形成在BCAIO中，以直線凹 坑行的隨機(jī)圖樣形成在第一區(qū)20a中，以直線凹坑行的特定圖樣形成在第二 區(qū)20b中，并以凹坑擺動(dòng)的隨機(jī)圖樣形成在用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中。作為另一例子，用戶數(shù)據(jù)區(qū)30可被分為兩個(gè)或多個(gè)子區(qū)。凹坑可以以不 同的凹坑圖樣形成在子區(qū)中，或者使用在子區(qū)中的凹坑圖樣可與使用在BCA 10或?qū)雲(yún)^(qū)20中的凹坑圖樣不同。另外，不同的記錄調(diào)制方法可被使用在 子區(qū)中，或者使用在子區(qū)中的記錄調(diào)制方法可與使用在BCA 10或?qū)雲(yún)^(qū)20中的記錄調(diào)制方法不同。同時(shí)，當(dāng)數(shù)據(jù)被記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)30(如圖6所示)時(shí)，如圖9所示，數(shù) 據(jù)詳皮記錄在基本記錄單元33的每個(gè)中。移入?yún)^(qū)31和移出區(qū)35位于基本記錄 單元33之前和之后。這里，基本記錄單元33可為物理簇、扇區(qū)、ECC塊、 幀等。移入?yún)^(qū)31和移出區(qū)35用于在基本記錄單元33中準(zhǔn)確地記錄和/或再 現(xiàn)數(shù)據(jù)。換句話說(shuō)，如果數(shù)據(jù)被記錄在移入?yún)^(qū)31或移出區(qū)35稍微錯(cuò)誤的位 置，則移入?yún)^(qū)31和移出區(qū)35糾正該錯(cuò)誤，從而數(shù)據(jù)被有效地記錄和/或再現(xiàn)。凹坑可以以與^吏用在用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中的凹坑圖樣相同的凹坑圖樣形成 在移入?yún)^(qū)31和移出區(qū)35中。例如，當(dāng)凹坑以直線凹坑4亍的隨才幾圖樣或凹坑 擺動(dòng)的隨機(jī)圖樣形成在用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中時(shí)，凹坑還以直線凹坑行的隨機(jī)圖樣 或凹坑擺動(dòng)的隨;f幾圖樣形成在移入?yún)^(qū)31和移出區(qū)35中。作為隨機(jī)圖樣的例 子，"00h，，可被記錄。如圖9所示，凹坑可在移入?yún)^(qū)31、基本記錄單元33 和移出區(qū)35中記錄為"00h"。同時(shí)，凹坑可以以與用戶數(shù)據(jù)區(qū)30不同的凹坑圖樣形成在移入?yún)^(qū)31和 移出區(qū)35中。可使用與光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)的剩余區(qū)不同的記錄調(diào)制方法將數(shù)據(jù)記錄在光學(xué) 信息存儲(chǔ)介質(zhì)的多個(gè)區(qū)中的至少 一個(gè)的 一部分中。例如，數(shù)據(jù)可根據(jù)RLL(d, k)調(diào)制方法被記錄在第一區(qū)20a中，并根據(jù)二 相調(diào)制方法被記錄在第二區(qū)20b中?；蛘?，數(shù)據(jù)可根據(jù)二相調(diào)制方法被記錄 在第一區(qū)20a中并根據(jù)RLL(d, k)調(diào)制方法被記錄在第二區(qū)20b、 BCA 10和用 戶數(shù)據(jù)區(qū)30中。相反，數(shù)據(jù)可根據(jù)RLL(d, k)調(diào)制方法被記錄在第一區(qū)20a 中，并根據(jù)二相調(diào)制方法被記錄在第二區(qū)20b、 BCA10和用戶數(shù)據(jù)區(qū)30中。參照?qǐng)D10，顯示向如作為非限制例子的CD或DVD的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)記 錄和從該光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的記錄/讀單元100的示意圖。記錄/讀單元包括100包括光源101,用于將信息記錄在光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì) 300上和從光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)300再現(xiàn)信息。記錄/讀單元100還包括分束器102， 安裝在從光源101發(fā)射隨后從分束器102向光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)300反射的光束的 路徑上；和物鏡104,聚焦從分束器102反射的光束。記錄/讀單元IO還包括光電二極管105，用于從自光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)反射的 光束檢測(cè)記錄的信息和誤差。參照?qǐng)D11,顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄/再現(xiàn)系統(tǒng)的方框圖。該設(shè)備包括記錄/讀單元10和控制器20。記錄/讀單元10將數(shù)據(jù)寫入作為信息存儲(chǔ) 介質(zhì)的一次寫入記錄介質(zhì)30和/或從該一次寫入記錄介質(zhì)30再現(xiàn)數(shù)據(jù)。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明可被應(yīng)用到具有兩個(gè)或多個(gè)記錄層的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)以及具有 單一記錄層的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)中。換句話說(shuō)，本發(fā)明可被應(yīng)用到多層光學(xué) 信息存儲(chǔ)介質(zhì)的每一記錄層中。如上所述，通過(guò)規(guī)定使用在BCA而不是數(shù)據(jù)區(qū)中的凹坑圖樣或記錄調(diào)制 方法，根據(jù)所述實(shí)施例的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)、記錄/再現(xiàn)方法和記錄/再現(xiàn)設(shè)備 確保與驅(qū)動(dòng)器的兼容性。其結(jié)果是，數(shù)據(jù)再現(xiàn)效率可被提高，光學(xué)信息存儲(chǔ) 介質(zhì)可被方便地使用。另外，光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)可保持與可記錄光學(xué)信息存 儲(chǔ)介質(zhì)的格式的一致性。盡管已經(jīng)顯示和描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施 例。相反，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由所附權(quán)利要求及其等同 物限定其范圍的本發(fā)明的原理和精神的情況下可對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行改變。
權(quán)利要求
1、一種用于具有多個(gè)區(qū)的只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄設(shè)備，包括記錄單元，用于將數(shù)據(jù)記錄在所述多個(gè)區(qū)中；和控制器，其控制記錄單元將數(shù)據(jù)以第一凹坑圖樣的凹坑形式記錄在所述多個(gè)區(qū)中的至少一個(gè)中，和控制記錄單元將數(shù)據(jù)以與第一凹坑圖樣不同的第二凹坑圖樣的凹坑形式記錄在所述多個(gè)區(qū)的其它區(qū)中，其中，所述多個(gè)區(qū)包括燒錄區(qū)、導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)，形成在燒錄區(qū)中的凹坑的圖樣與形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的至少一個(gè)中的凹坑的圖樣不同。
2、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，形成在燒錄區(qū)中的凹坑的圖樣是第 一直線凹坑行和第 一凹坑擺動(dòng)中的一個(gè)，形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)和用戶凝:據(jù)區(qū)中的至 少 一個(gè)中的凹坑的圖樣是與第 一直線凹坑行不同的第二直線凹坑行和與第一 凹坑擺動(dòng)不同的第二凹坑擺動(dòng)中的一個(gè)。
3、 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，第一直線凹坑行和第二直線凹坑行 的每個(gè)具有以單一直線凹坑圖樣、特定直線凹坑圖樣或隨才幾直線凹坑圖樣中 的一個(gè)形成的凹坑。
4、 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，第一凹坑擺動(dòng)和第二凹坑擺動(dòng)的每 個(gè)是單一 凹坑擺動(dòng)圖樣、特定凹坑擺動(dòng)圖樣或隨機(jī)凹坑擺動(dòng)圖樣中的 一個(gè)。
5、 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，燒錄區(qū)、導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo) 出區(qū)中的至少一個(gè)被分為多個(gè)子區(qū)，其中，每個(gè)子區(qū)中的凹坑具有不同的凹 坑圖樣。
6、 如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，導(dǎo)入?yún)^(qū)包括第一和第二區(qū)，凹坑以 第三直線凹坑圖樣和第三凹坑擺動(dòng)圖樣中的一個(gè)形成在第一區(qū)中，凹坑以第 四直線凹坑圖樣和第四凹坑擺動(dòng)圖樣中的一個(gè)形成在第二區(qū)中。
7、 如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，第三直線凹坑圖樣和第四直線凹坑 圖樣的每個(gè)是單一直線凹坑圖樣、特定直線凹坑圖樣和隨機(jī)直線凹坑圖樣中 的一個(gè)。
8、 如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，第三凹坑擺動(dòng)和第四凹坑擺動(dòng)的每個(gè)是單一 凹坑擺動(dòng)、特定凹坑擺動(dòng)和隨機(jī)凹坑擺動(dòng)中的 一個(gè)。
9、 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括多個(gè)基本記錄單元 以及分別位于基本記錄單元之前和之后的移入?yún)^(qū)和移出區(qū)。
10、 如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，基本記錄單元是物理簇、扇區(qū)、 ECC塊和幀中的一個(gè)。
11、 如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，形成在基本記錄單元中的凹坑的 圖樣與形成在移入?yún)^(qū)和移出區(qū)中的凹坑的圖樣相同。
12、 如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，形成在基本記錄單元中的凹坑的 圖樣與形成在移入?yún)^(qū)和移出區(qū)中的凹坑的圖樣不同。
13、 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，第一凹坑擺動(dòng)和第二凹坑擺動(dòng)中 的每個(gè)是單一 凹坑擺動(dòng)圖樣、特定凹坑擺動(dòng)圖樣和隨機(jī)凹坑擺動(dòng)圖樣中的一 個(gè)。
14、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，燒錄區(qū)、導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和 導(dǎo)出區(qū)中的至少一個(gè)被分為多個(gè)子區(qū)，其中，在每個(gè)子區(qū)中的凹坑具有不同 的凹坑圖才羊。
15、 如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中，導(dǎo)入?yún)^(qū)包括第一區(qū)和第二區(qū)，凹 坑以第三直線凹坑圖樣和第三凹坑擺動(dòng)圖樣中的一個(gè)形成在第一區(qū)中，并且 凹坑以第四直線凹坑圖樣和第四凹坑擺動(dòng)圖樣中的一個(gè)形成在第二區(qū)中。
16、 如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中，第三直線凹坑圖樣和第四直線凹 坑圖樣的每個(gè)是單一直線凹坑圖樣、特定直線凹坑圖樣和隨機(jī)直線凹坑圖樣 中的一個(gè)。
17、 如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中，第三凹坑擺動(dòng)和第四凹坑擺動(dòng)的 每個(gè)是單一 凹坑擺動(dòng)、特定凹坑擺動(dòng)或隨機(jī)凹坑擺動(dòng)中的 一個(gè)。
18、 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，燒錄區(qū)、導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和 導(dǎo)出區(qū)中的至少一個(gè)被分為多個(gè)子區(qū)，其中，每個(gè)子區(qū)中的凹坑具有不同的 凹坑圖樣。
19、 如權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中，導(dǎo)入?yún)^(qū)包括第一和第二區(qū)，凹坑 以第三直線凹坑圖樣和第三凹坑擺動(dòng)圖樣中的一個(gè)被記錄在第一區(qū)中，并且 凹坑以第四直線凹坑圖樣和第四凹坑擺動(dòng)圖樣中的一個(gè)^^皮記錄在第二區(qū)中。
20、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括多個(gè)基本記錄單 元以及分別位于基本記錄單元之前和之后的移入?yún)^(qū)和移出區(qū)。
21、 如權(quán)利要求20所述的設(shè)備，其中，基本記錄單元是物理簇、扇區(qū)、ECC塊和幀中的一個(gè)。
22、 如權(quán)利要求20所述的設(shè)備，其中，形成在基本記錄單元中的凹坑的 圖樣與形成在移入?yún)^(qū)和移出區(qū)中的凹坑的圖樣相同。
全文摘要
一種包括數(shù)據(jù)在其中以凹坑的形式被記錄的多個(gè)區(qū)的只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，該多個(gè)區(qū)中的至少一個(gè)中的凹坑具有與形成在該多個(gè)區(qū)的其它區(qū)中的凹坑不同的凹坑圖樣。
文檔編號(hào)G11B7/26GK101231854SQ200710165030
公開日2008年7月30日 申請(qǐng)日期2004年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月3日
發(fā)明者李坰根 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社