專利名稱：垂直磁記錄頭及其制造方法以及磁記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及以垂直磁性記錄方式進(jìn)行記錄處理的垂直磁記錄頭及其制造方 法，以及裝有垂直》茲記錄頭的^f茲記錄裝置。
背景技術(shù)：
近幾年，隨著硬盤等磁性記錄介質(zhì)(以下稱記錄介質(zhì))的面記錄密度的提 高，需要提高裝配在硬盤驅(qū)動器等磁記錄裝置上的薄膜磁頭的性能。作為這種 薄膜磁頭的記錄方式，已知有把信號磁場的方向設(shè)定為記錄介質(zhì)的面內(nèi)方向(長 度方向)的縱向記錄方式，把與記錄介質(zhì)面相交叉方向設(shè)定成信號磁場方向的 垂直記錄方式。在現(xiàn)階段，雖然縱向記錄方式^^皮廣泛利用，^f旦考慮到面記錄密 度逐漸提高的市場動向，認(rèn)為在今后垂直記錄方式能代替縱向記錄方式而更被 重視。因?yàn)?，這種垂直記錄方式具有在線記錄密度提高時(shí)已記錄的記錄介質(zhì)不 容易受到熱起伏影響等優(yōu)點(diǎn)。
垂直記錄方式的薄膜磁頭(以下稱垂直磁記錄頭)具有產(chǎn)生記錄用磁場(即 垂直磁場)的磁極。使用垂直磁記錄頭時(shí)，由于記錄介質(zhì)被記錄用磁場磁化， 因此信息將^茲性地記錄在該記錄介質(zhì)上。
這種垂直磁記錄頭，目前公知的有具備在與空氣承載面相交叉的方向上延
伸的磁極的垂直磁記錄頭(例如參照專利文獻(xiàn)1、 2)。這種垂直磁記錄頭一般 被稱為"單磁極型磁頭"。但是，單磁極型磁頭在提高記錄介質(zhì)的記錄密度的方面 存在局限性。
作為最近常被使用的垂直磁記錄頭，為了抑制記錄用磁頭的擴(kuò)散，并為了 防止意外刪除已記錄在記錄介質(zhì)上的信息，在磁極的周圍裝載了用于收攏磁束 的屏蔽板的垂直磁記錄頭。這種垂直磁記錄頭一般被稱為"屏蔽型磁頭"。這種屏 蔽板，包括有配置在記錄磁軌寬度方向上的磁極兩側(cè)的兩個(gè)側(cè)屏蔽板、配置在
》茲極前側(cè)的前屏蔽^1、以及配置在》茲極后側(cè)的后屏蔽板三種。作為具有這種屏 蔽板的垂直磁記錄頭的具體結(jié)構(gòu)，公知的有只裝載有側(cè)屏蔽板的結(jié)構(gòu)(例如
參照專利文獻(xiàn)3)、只裝載有后屏蔽板的結(jié)構(gòu)(例如參照專利文獻(xiàn)4、 5)、裝 載有側(cè)屏蔽板及前屏蔽板的結(jié)構(gòu)(例如參照專利文獻(xiàn)6)、裝載有側(cè)屏蔽板及后 屏蔽板的結(jié)構(gòu)(例如參照專利文獻(xiàn)7)、裝載有側(cè)屏蔽板、前屏蔽板及后屏蔽板 的結(jié)構(gòu)(例如，參照專利文獻(xiàn)8、 9)。
另外，最近在垂直磁記錄頭的制造領(lǐng)域中常使用膜厚控制性極佳的成膜方 法，即原子層沉積方法(ALD， atomic layer deposition)(例如參照非專利文獻(xiàn) 1 )。這種ALD法是可以在150。C以上的高溫條件下制造出非常薄又精密的氧化 膜、氬化膜或者金屬膜的方法，而廣泛用于對絕緣耐壓等物理性質(zhì)具有嚴(yán)格要 求的制造行業(yè)中。在垂直磁記錄頭的制造領(lǐng)域中，ALD法被用在讀取間隙的形 成工序中(例如參照專利文獻(xiàn)IO)。
然而，在現(xiàn)有的屏蔽型磁頭中不管是否裝載有收攏磁束的屏蔽板，都不能 充分抑制記錄用磁場的擴(kuò)散，因此存在很難防止信息被意外刪除等問題。具體 而言，伴隨著面記錄密度的飛躍增加，對防止意外刪除信息的要求變得更佳嚴(yán) 格，單單裝載有屏蔽板仍無法充分抑制記錄用磁場的擴(kuò)散。
鑒于以上問題，本發(fā)明的目的在于提供一種垂直磁記錄頭及其制造方法、 以及磁記錄裝置，從而可以防止發(fā)生由于記錄用磁場擴(kuò)散而導(dǎo)致信息被意外刪 除的情況。
專利文獻(xiàn)1 專利文獻(xiàn)2 專利文獻(xiàn)3 專利文獻(xiàn)4 專利文獻(xiàn)5 專利文獻(xiàn)6 專利文獻(xiàn)7 專利文獻(xiàn)8
曰本專利申請?zhí)亻_2002-066710號公報(bào) 曰本專利申請?zhí)亻_2002-197615號公報(bào) 曰本專利申請?zhí)亻_2004-127480號公報(bào) 曰本專利申請?zhí)亻_2001-250204號公報(bào) 歐洲專利申請公開第0360978號公報(bào) 美國專利第4656546號公報(bào) 曰本專利申請?zhí)亻_2005-192518號公報(bào) 美國專利第6954340號公報(bào)
專利文獻(xiàn)9:美國專利第7042682號公報(bào) 專利文獻(xiàn)10:美國專利第6759081號乂/H艮
非專利文獻(xiàn)l: "ALD原子層沉積裝置"，抹式會社TECHSCIENCE，網(wǎng)頁 http: 〃techsc.co.jp/products/mems/ALD.htm

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供的第一垂直磁記錄頭，包括產(chǎn)生記錄用磁場的磁極、以及配設(shè)在 記錄磁軌寬度方向上的磁極兩側(cè)并與該磁極相分離的兩個(gè)側(cè)屏蔽板，其中所述 磁極與所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板之間的間距是固定的并不以位置的變化而改變。
本發(fā)明提供的第二垂直磁記錄頭，包括產(chǎn)生記錄用磁場的磁極、配設(shè)在記錄 磁軌寬度方向上的磁極兩側(cè)并與該磁極相分離的兩個(gè)側(cè)屏蔽板、配置在所述磁 極的前側(cè)并與該磁極分離的前屏蔽板、以及配置在所述磁極的后側(cè)并與該磁極 分離的后屏蔽板，其中所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板與所述前屏蔽板連結(jié)，且同時(shí)與所述 后屏蔽板相分離。
本發(fā)明提供的第三垂直磁記錄頭，包括產(chǎn)生記錄用磁場的磁極、配置在記錄 磁軌寬度方向上的所述磁極兩側(cè)并與該磁極分離的兩個(gè)側(cè)屏蔽板、配置在所述 磁極的前側(cè)并與該》茲極分離的前屏蔽^L、以及配置在所述磁極的后側(cè)并與該磁 極分離的后屏蔽板，其中所述磁極與所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板之間的間距是固定的并 不以位置的變化而改變，所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板與所述前屏蔽板連結(jié)且與所述后屏 蔽板相分離。另外，本發(fā)明提供的磁記錄裝置，包括有記錄介質(zhì)以及上述垂直 磁記錄頭。
制造本發(fā)明提供的第一垂直磁記錄頭的方法包括在底層上形成具有開口 部的套種樣式的第1工序；形成非磁性層，并使其以均等的厚度覆蓋至少在所 述開口部上的所述套種樣式的內(nèi)壁從而縮窄該開口部的第2工序；形成產(chǎn)生記 錄用》茲場的》茲極，從而埋入所述具有非》茲性層的開口部的第3工序；除去殘存 的套種樣式的第4工序；在記錄磁軌寬度方向的所述磁極兩側(cè)形成通過所述非 磁性層與該磁極相隔開的兩個(gè)側(cè)屏蔽板的第5工序。
制造本發(fā)明提供的第二垂直磁記錄頭的方法包括在襯底上制造前屏蔽板
的第1工序；在所述前屏蔽板上形成具有開口部的套種樣式的第2工序；形成 非磁性層，并使其以均等的厚度覆蓋至少在所述開口部上的所述套種樣式的內(nèi) 壁從而縮窄該開口部的第3工序；形成產(chǎn)生記錄用磁場的磁極，從而埋入所述 具有第一非磁性層的開口部的第4工序；除去殘存的套種樣式的第5工序；通 過把所述前屏蔽板作為電極膜而進(jìn)行鍍膜成長，從而在所述磁極兩側(cè)形成通過 所述第一非磁性層與該磁極相隔開的兩個(gè)側(cè)屏蔽板的第6工序；在所述磁極、 所述第一非磁性層以及所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板上形成第二非磁性層的第7工序；在 所述第二非磁性層上形成后屏蔽板的第8工序。
制造本發(fā)明提供的第三垂直磁記錄頭的方法包括在襯底上形成前屏蔽板 的第1工序；在所述前屏蔽板上形成具有開口部的套種樣式的第2工序；形成 第一非磁性層，并使其以均等的厚度覆蓋至少在所述開口部上的所述套種樣式 的內(nèi)壁從而縮窄該開口部的第3工序；形成產(chǎn)生記錄用石茲場的磁極，從而埋入 所述具有第一非磁性層的開口部的第4工序；除去殘存的套種樣式的第5工序； 通過把所述前屏蔽板作為電極膜而進(jìn)行鍍膜成長，從而在所述磁極兩側(cè)形成通 過所述第一非磁性層與該磁極相隔開的兩個(gè)側(cè)屏蔽板的第6工序；在所述磁極、 所述第一非磁性層以及所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板上形成第二非磁性層的第7工序；在 所述第二非磁性層上形成后屏蔽板的第8工序。
在本發(fā)明提供的第一垂直磁記錄頭或其制造方法中，由于磁極與兩個(gè)側(cè)屏 蔽板之間的間隔固定且不因位置變化而改變，這與該間隔隨位置變化而改變的 情況相比較，側(cè)屏蔽板更容易收攏磁束的擴(kuò)散。在本發(fā)明提供的第二垂直磁記 錄頭或其制造方法中，由于兩個(gè)側(cè)屏蔽板與前屏蔽板相連結(jié)的同時(shí)與后屏蔽板 相分離，這與該側(cè)屏蔽板與前屏蔽板以及后屏蔽板連結(jié)的情況相比較，側(cè)屏蔽 板更容易收攏磁束的擴(kuò)散。在本發(fā)明提供的第三垂直磁記錄頭或其制造方法中， 由于磁極與兩個(gè)側(cè)屏蔽板之間的間隔固定且不隨位置變化而改變，并且兩個(gè)側(cè) 屏蔽板與前屏蔽板相連結(jié)的同時(shí)其與后屏蔽板相分離，因此可以獲得所述第一 及第二垂直磁記錄頭所能實(shí)現(xiàn)的作用。
優(yōu)選的，在本發(fā)明l是供的第一垂直》茲記錄頭中，至少在》茲才及與兩個(gè)側(cè)屏蔽
板之間設(shè)置由ALD法制成的均等厚度的非磁性層。并在磁極的后側(cè)配設(shè)與該磁
極相分離的后屏蔽板，在磁極的前側(cè)配設(shè)與該磁極相分離的前屏蔽板。接近空 氣承載面一側(cè)的磁極端面可以形成為倒梯形性狀。優(yōu)選的，在本發(fā)明提供的第 二垂直磁記錄頭中，前屏蔽板是用于成長鍍膜的電極膜，而且所述兩個(gè)側(cè)屏蔽 板是把所述前屏蔽板作為電極膜并選擇性地成長鍍膜而形成的。優(yōu)選的，在本 發(fā)明提供的第三垂直磁記錄頭中，后屏蔽板在其后方通過連結(jié)用磁性體與磁極 相連結(jié)。另外，在本發(fā)明提供的磁記錄裝置中，記錄介質(zhì)也可以包含分別設(shè)置 在所述垂直磁記錄頭的近側(cè)及遠(yuǎn)側(cè)的磁化層以及軟磁性層。
優(yōu)選的，在本發(fā)明提供的第一垂直磁記錄頭的制造方法中，在其第2工序 中通過使用ALD法來形成非磁性層，并使ALD法的成膜溫度低于套種樣式的 玻璃轉(zhuǎn)移溫度。而且，其第3工序中還可以包括形成磁性層，從而至少埋入 所述具有非磁性層的開口部的步驟；以及，選擇性地除去所述非磁性層及所述 磁性層，直到至少能露出所述套種樣式的步驟。還有，通過所述第1工序可以 使所述開口部隨著遠(yuǎn)離襯底而逐漸變寬；并通過第3工序可以使靠近空氣承載 面一側(cè)的所述磁極的端面呈倒梯形形狀。優(yōu)選的，在本發(fā)明提供的第二《茲記錄 頭的制造方法中，其第4工序包括形成第一磁性層，從而至少埋入所述具有 第一非磁性層的開口部的步驟；以及，選擇性地除去所述第一非磁性層及所述 第一磁性層，直到至少露出所述套種樣式的步驟。而且，其第6工序也可以包 括形成第二磁性層，從而至少埋入所述磁極及所述第一非磁性層的步驟；以 及，選擇性地除去所述第二非磁性層，直到至少能露出所述磁極及所述第一非 磁性層的步驟。優(yōu)選的，在本發(fā)明提供的第三垂直磁記錄頭制造方法的第8工 序中，所述后屏蔽板在其后方通過連結(jié)用磁性體與所述磁極相連結(jié)。
根據(jù)本發(fā)明提供的垂直磁記錄頭及其制造方法或包含該垂直磁記錄頭的磁 記錄裝置，由于(1)磁極與兩個(gè)側(cè)屏蔽;f反之間的間隔固定即不因位置變化而改 變；(2)兩個(gè)側(cè)屏蔽板，其與前屏蔽板連結(jié)的同時(shí)與后屏蔽板相分離；(3)磁 極與兩個(gè)側(cè)屏蔽板之間的間隔固定即不因位置變化而改變，而且兩個(gè)側(cè)屏蔽板與前屏蔽板連結(jié)的同時(shí)與后屏蔽板相分離，因此可以充分抑制記錄用磁場的擴(kuò) 散。從而，可以防止由于記錄用磁場的擴(kuò)散而導(dǎo)致信息被意外刪除掉的現(xiàn)象。


圖1是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的具有垂直磁性記錄頭的薄膜磁頭 之截面結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是表示圖1所示之薄膜磁頭的主要部分平面結(jié)構(gòu)的平面圖。 圖3是表示圖1所示之薄膜磁頭的主要部分端面結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖4是表示圖1所示之薄膜磁頭的主要部分端面的其他結(jié)構(gòu)的平面圖。 圖5是表示圖1所示之薄膜磁頭的主要部分截面結(jié)構(gòu)的截面圖。 圖6是說明制造本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的具有垂直磁性記錄頭之薄膜 石茲頭的方法中的 一個(gè)工序的截面圖。
圖7是說明圖6所示工序的下一工序的截面圖。 圖8是說明圖7所示工序的下一工序的截面圖。 圖9是說明圖8所示工序的下一工序的截面圖。 圖IO是說明圖9所示工序的下一工序的截面圖。 圖ll是"i兌明圖IO所示工序的下一工序的截面圖。 圖12是說明圖11所示工序的下一工序的截面圖。 圖13是說明圖12所示工序的下一工序的截面圖。 圖14是說明圖13所示工序的下一工序的截面圖。
圖15是說明與本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的薄膜磁頭相對的第l對比實(shí)施 例中的薄膜磁頭所存在的問題點(diǎn)的截面圖。
圖16是說明與本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所涉及的薄膜磁頭相對的第2對比實(shí)施例 中的薄膜磁頭所存在的問題點(diǎn)的截面圖。
圖17是說明與本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所涉及的薄膜磁頭相對的第3對比實(shí)施例 中的薄膜磁頭所存在的問題點(diǎn)的截面圖。
圖18是說明本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所涉及的薄膜磁頭之優(yōu)點(diǎn)的截面圖
圖19是說明本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所涉及的薄膜磁頭之其他優(yōu)點(diǎn)的截面圖
圖20是說明與本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的薄膜磁頭相對的第4對比實(shí)施
例中的薄膜磁頭所存在的問題點(diǎn)的截面圖。
圖21是說明使用ALD法之外的方法來形成非磁性層時(shí)的薄膜磁頭制造工
序的截面圖。
圖22是說明圖21所示工序的下一工序的截面圖。
圖23是說明本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的薄膜磁頭制造方法之變形實(shí)施例 中的一個(gè)工序的截面圖。
圖24是說明圖23所示工序的下一工序的截面圖。
圖25是表示承載了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的薄膜磁頭之磁記錄裝置立 體結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖26是放大表示圖25所示之磁記錄裝置的主要部分立體結(jié)構(gòu)的立體圖。 圖27是表示接線方向上的主磁極層附近磁場強(qiáng)度分布的示意圖。 圖28是表示半徑方向上的主磁極層附近磁場強(qiáng)度分布的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖將對本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。 首先，對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的具有垂直磁記錄頭的薄膜磁頭的 結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1 5分別表示了薄膜磁頭的結(jié)構(gòu)，圖l是整體截面的結(jié)構(gòu)， 圖2是主要部分的平面結(jié)構(gòu)，圖3和圖4是主要部分的端面結(jié)構(gòu)，圖5是主要 部分的截面結(jié)構(gòu)。另外，在圖5中與薄膜磁頭一同還示出了記錄介質(zhì)70，而且 在圖1及圖5中標(biāo)出的箭頭表示相對于薄膜磁頭所述記錄介質(zhì)70相對移動的方 向(移動方向M)。圖1中，(A)表示平行于面向記錄介質(zhì)70的空氣承載面 60的截面，(B)表示垂直于空氣承載面60的截面。
在以下說明中，將圖1 圖5中標(biāo)出的X、 Y、Z軸方向上的尺寸分別表示"寬 度"、"長度"以及"厚度、高度或深度"。在Y軸方向上，將空氣承載面60的近 側(cè)和遠(yuǎn)側(cè)分別表記為"前方"和"后方"。這些表記在圖6之后的附圖中也表示相同
的意思。
薄膜磁頭是可以對如圖5所示的記錄介質(zhì)70 (例如硬盤)進(jìn)行磁性處理的 部件，例如是一種可以進(jìn)行讀取和寫入兩種磁性處理的復(fù)合型磁頭。如圖1所
示，這種薄膜磁頭可以是在基板1上依次層積絕緣層2、利用磁阻效應(yīng)(MR: maneto-resistive effect)進(jìn)行讀取處理的讀取》茲頭部100A、分離層9、進(jìn)4亍垂直 記錄方式的寫入處理的寫入i茲頭部100B、以及套種樣式27而形成的部件。其中， 所述基板1由氧化鋁-碳化鈦復(fù)合物(Al203.Tic)等的陶資材料制成；絕緣層2、 分離層9及套種樣式27由氧化鋁(A1203)等的非磁性絕緣材料制成。
所述讀取J茲頭部100A是依次層積下部引導(dǎo)屏蔽層3、屏蔽間隙膜4、上部 引導(dǎo)屏蔽層30而形成。其中，屏蔽間隙膜4中埋設(shè)有可露出到空氣承載面60 上的讀取元件(MR元件8 )。
下部引導(dǎo)屏蔽層3和上部引導(dǎo)屏蔽層30，兩者均與MR元件8的周邊f(xié)茲性 分離，并從空氣承載面60 —直向后方延伸。下部引導(dǎo)屏蔽層3由鎳鐵合金[NiFe， (例如Ni:質(zhì)量百分比80%, Fe:重量百分比20%),以下稱為"坡莫合金(商 品名)"]等磁性材料制成。上部引導(dǎo)屏蔽層30則由夾著非^f茲性層6的兩個(gè)上部 引導(dǎo)屏蔽層部位5、 7層積而成。上部引導(dǎo)屏蔽層部位5、 7都由坡莫合金等磁 性材料制成，非磁性層6由釕(Ru)以及氧化鋁等非磁性材料制成。當(dāng)然，上 部引導(dǎo)屏蔽層30并非必須具有層積結(jié)構(gòu)，也可以是由^f茲性材料制成的單層結(jié)構(gòu)。
屏蔽間隙膜4與MR元件8的周邊處于電分離狀態(tài)，并由氧化鋁等非磁性 絕緣材料制成。該MR元件8是一種利用巨石茲阻效應(yīng)(GMR: giant magneto-resistive effect) v乂及卩逸道f茲卩且步文應(yīng)(TMR: tunneling magneto-resistive effect)等效應(yīng)的部件。
寫入磁頭IOOB是依次層積埋設(shè)于絕緣層11、 12和13中的第一段薄膜線圏 10、前屏蔽板14、兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R和18L、磁極層50、間隙層19、后屏蔽板 20、絕緣層22、以及埋設(shè)于絕緣層23及25中的第二段薄膜線圈24、旁軛26 而形成，即所謂的屏蔽型磁頭。
薄膜線圏10是為了防止在薄膜線圏24上的記錄用磁束發(fā)生泄露(記錄用磁束擅自擴(kuò)散至讀取磁頭部100A)而產(chǎn)生抑制泄露的磁束的裝置。薄膜線圈10 可以用銅(Cu)等高導(dǎo)電性材料制成，如圖1和圖2所示具有以背面間隙BG 為中心的螺圏結(jié)構(gòu)(螺旋結(jié)構(gòu))。薄膜線圏IO的螺圏數(shù)(繞數(shù))可以任意設(shè)定， 但該轉(zhuǎn)數(shù)最好與薄膜線圈24的轉(zhuǎn)數(shù)相一致。
絕緣層11~13是從周邊起與薄膜1 0電分離的部分。絕緣層11則設(shè)置在薄 膜線圈IO的各線圈之間及其周圍，并可以用加熱時(shí)能顯示出流動性的光阻材料 和旋涂玻璃(SOG; Spin On Glass)等非磁性絕緣材料形成。絕緣層12設(shè)置于 絕緣層11的周圍，可以由氧化鋁等非磁性絕緣材料形成。絕緣層13覆蓋在薄 膜線圏10和絕緣層11、 12上，并可以由與絕緣層12相同的非磁性絕緣性材料 形成。
磁極層50是將薄膜線圈24產(chǎn)生的磁束引導(dǎo)到記錄介質(zhì)7上從而產(chǎn)生記錄 磁場的部分，并從空氣承載面60向后方延伸。該磁極層50是依次層積非磁性 層15、主》茲極層40和輔助》茲極層21而形成。
非磁性層15是在薄膜磁頭的制造工序中用于形成主磁極層40的部分，并 從空氣承栽面60向后方延伸。該非磁性層15可以由氧化鋁及氮化鋁等非磁性 材料制成。該非磁性層15中與空氣承載面60相平行的截面，其形狀如圖1 (A) 和圖3所示呈U字形，在非磁性層15的內(nèi)側(cè)埋設(shè)有主磁極層40的主要部分(后 述的前端部40A)。特別是，非磁性層15采用具有良好膜厚控制特性的干膜形 成方法制成，并沿著主磁極層40的周邊具有均等的厚度。在干膜形成方法中， 為了實(shí)現(xiàn)非磁性層15厚度的嚴(yán)格的均等化，優(yōu)選的采用ALD法。另外，在圖2 中省略了非磁性層15的圖示。
該非磁性層15由與絕緣層12和13等相同的非磁性絕緣性材料(例如氧化 鋁)制成，當(dāng)采用ALD法制成時(shí)，由于形成方法的不同所述絕緣層12、 13等 的組成也不同。即，當(dāng)絕緣層12、 13等是使用惰性氣體及采用賊鍍法制成時(shí)， 其中將含有氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)等的惰性氣體。與此對應(yīng)，如果該 非磁性層15是由不使用惰性氣體的ALD法所制成的，則其中就不會含有惰性 氣體。對于是否含有惰性氣體，可以采用掃描透射式電子顯微鏡(STEM: scanning
transmission electron microscopy)-能量分散型X射線光語(EDS:energy-dispersive X-ray spectroscopy)等纟且成分沖斤方法來溯'J定。
通過ALD法制成的非磁性層15由于制造方法不同，其特定成分的含量也 有差別。即，與在ALD法中使用水和三甲胺(TMA)的情況相比，濺鍍法不4吏 用水等成分，因此就氫(H)來說，其在非磁性層15中的含量比在絕緣層12、 13中的含量多。
主磁極層40是主要的磁束收聚部分以及該磁束的釋放部分，并從空氣承載 面60向后方延伸。如圖2所示，該主i茲極層40具有整體上大致呈板羽球球板 (battledore)形的平面形狀，并從空氣承載面60起依次包括規(guī)定記錄磁軌寬 度并具有一定寬度W1的前端部40A、從寬度W1到大于該寬度W1的寬度W2 為止逐漸變寬的中間部40B、以及具有比寬度W2更大的一定寬度W3的后端部 40C。所述前端部40A是通過向記錄介質(zhì)70釋放磁束，從而實(shí)際產(chǎn)生記錄用磁 場的部分(所述磁極)。對于該主磁極層40來說，寬度從寬度W1起開始變寬 的位置即是所述閃光點(diǎn)(FP)。
如圖3和圖4所示，在靠近空氣承載面60的一側(cè)主磁極層40的端面呈倒 梯形形狀(高度H),該倒梯形形狀分別以位于后側(cè)的長邊和位于前側(cè)的短邊 作為上底和下底。具體如圖4所示，主》茲才及層40的端面具有被位于后側(cè)的上端 邊El (寬度Wl )、位于前側(cè)的下端邊E2 (寬度W6 )以及兩個(gè)側(cè)端邊E3所圍 成的形狀，其中寬度W6小于寬度W1。該上端邊E1是主磁極層中40的實(shí)際記 錄位置(所述尾邊TE),其寬度W1小于0. 2jxm。該主磁極層40端面上的斜 角e(下端邊E2的延伸方向與側(cè)端邊E3之間的角度)，可以在小于90。范圍內(nèi) 任意選定。另外，當(dāng)把向著進(jìn)行方向M移動的記錄介質(zhì)70的移動狀態(tài)看作一個(gè) 流動時(shí)，該流動的流出側(cè)(在進(jìn)行方向M的前側(cè))即稱為所述"后側(cè)，，，在此， 是指厚度方向(Z軸方向)上的上側(cè)。反之，把流動的流入側(cè)(在進(jìn)行方向M 的后側(cè))叫{故"前側(cè)"，即此時(shí)在厚度方向上的下側(cè)。
例如，主磁極層40包括種晶層(seed layer) 16及形成在其上的鍍層17。 該種晶層16是在薄膜磁頭的制造工序中為了生長鍍層17而當(dāng)作電極膜使用的
膜層，可以用與鍍層17相同的磁性材料制成。鍍層17由鐵類合金等高飽和磁
束密度磁性材料制成。作為這種鐵類合金，可以舉出鐵鈷合金(FeCo),或者 鈷鐵鎳合金(CoFeNi)等。
輔助磁極層21是收聚輔助磁束的部分，比空氣承載面60還要靠后的位置 起向后延伸而成。例如，該輔助,茲極層21設(shè)置于主磁極層40的后側(cè)，同時(shí)具 有如圖2所示的矩形平面形狀(寬度W3)。
前屏蔽板14通過非f茲性層15與主磁極層40 (前端部40A)的前側(cè)相隔(石茲 性分離)，并吸收記錄前的磁束(從主磁極層40向記錄介質(zhì)70釋放出的磁束) 中擴(kuò)散成分。該前屏蔽板14從空氣承載面60延伸至閃光點(diǎn)FP，同時(shí)具有如圖 2所示的矩形的平面形狀(大于寬度W3的寬度W4)。特別是，前屏蔽板14 是用于在薄膜磁頭的制造工序中通過成長鍍膜而形成2個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L的 電極膜(種晶層)，例如由坡莫合金以及鐵類合金等高飽和磁束密度磁性材料 制成。該前屏蔽板14的厚度可為0. 2jim。當(dāng)然，薄膜磁頭中并非一定要設(shè)有 前屏蔽板14,也可以不包含該前屏蔽板14。
2個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L通過非磁性層15在記錄磁軌的寬度方向(X軸方 向)與主磁極層40 (前端部40A)的兩側(cè)相隔(磁氣分離設(shè)置)，并吸收記錄 前磁束中擴(kuò)散成分的部分。該側(cè)屏蔽板18R、 18L如前所述，在薄膜磁頭的制造 工序中把前屏蔽板14作為電極膜并進(jìn)行鍍膜成長而制成，而且，可從空氣承載 面60延伸至閃光點(diǎn)FP。側(cè)屏蔽板18R、 18L可以采用與前屏蔽板14相同的磁 性材料制成，并且具有如圖2所示的矩形平面形狀。
間隙層19是為了磁性隔開磁極層50與后屏蔽板20而設(shè)置的間隙，可由氧 化鋁等非磁性絕緣性材料以及釘?shù)确谴判詫?dǎo)電性材料制成。該間隙層19的厚度 約為0.03,~0. 1 ,。
后屏蔽板20通過間隙層19與主磁極層40 (前端部40A)的后側(cè)相隔(磁 性分離設(shè)置)而吸收記錄前磁束中的擴(kuò)散成分。特別是，通過收聚上述磁束， 該后屏蔽板20可以實(shí)現(xiàn)如下效果(1)增大記錄用磁場的梯度；(2)減小記 錄寬度；(3)作為含有記錄用磁場中的傾斜磁場成分的部分，具有所謂右屏蔽
板的功能。該后屏蔽板20與間隙層19相鄰，并且從空氣承載面60延伸至閃光 點(diǎn)FP,并與在其后端與絕緣層22相鄰。因此，后屏蔽板20可以起到設(shè)定絕緣 層22的最前端位置(喉部高度為零的位置TP)的作用。后屏蔽板20可以由與 前屏蔽板14相同的磁性材料制成，且可以具有如圖2所示的矩形平面形狀(大 于寬度W4的寬度W5)。
該后屏蔽板20 —方面在前方通過間隙層19與前端部40A相隔(磁氣分離 設(shè)置)，另 一方面在后方通過連接用磁性體與前端部40A相連接(磁氣連接)。 該連接用磁性體可以是中間部40B、后端部40C、輔助^茲極層21以及旁扼26。
絕緣層22,是用于設(shè)定薄膜磁頭記錄特性的決定性重要因素之一的喉部高 度(TH)，并填充于與后屏蔽板20和輔助磁極層21之間。該絕緣層22的最前 端位置是喉部高度為零的位置TP，而把該喉部高度為零的位置與空氣承載面60 間的間距稱為所謂的喉部高度。該絕緣層22由氧化鋁等非磁性絕緣性材料制成， 圖1和圖2中表示了當(dāng)喉部高度為零的位置TP與閃光點(diǎn)FP相同的情況。
薄膜磁頭24是用于產(chǎn)生記錄用磁束的部件。該薄膜線圈24中電流的流動 方向與薄膜線圈io中電流的流動方向相反。除此之外，薄膜線圏24的材料、 厚度以及立體構(gòu)造都與薄膜線圈IO相同。
絕緣層23和25是為了使薄膜線圈24與其周圍電分離而設(shè)的部分。絕緣層 23為薄膜線圈24的襯底，由與絕緣層12相同的非磁性絕緣性材料制成。絕緣 層25與薄膜線圏24 —同覆蓋在絕緣層13上，由于絕緣層11同樣的非磁性絕 緣性材料制成。該絕緣層23和25與絕緣層22相連接，絕緣層25的最前端可 位于比絕緣層22的最后端還要靠口的位置。
旁軛26是通過吸收記錄后的磁束(從記錄介質(zhì)70開始回到薄膜磁頭的磁 束)而使磁束在寫入磁頭部100B和記錄介質(zhì)70之間循環(huán)的部分。除了旁輒26 外，后屏蔽板20也可以承擔(dān)該磁束的循環(huán)功能。在后屏蔽板20的后側(cè)，該旁 軛26從空氣承載面60起向后方延伸，據(jù)此，在前方其與的后屏蔽板20相連接， 同時(shí)在后方通過背面間隙BG與石茲極層50相連接。而且，旁軛26可以由與前屏 蔽板14相同的磁性材料制成，并具有如圖2所示的矩形平面形狀(寬度W5 )。
在該薄膜磁頭中，為了充分抑制記錄用磁場的擴(kuò)散，如圖3所示，用前屏
蔽板14、 2個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L以及后屏蔽板從4個(gè)方向包圍了主f茲極層40。
此時(shí)，如前所述，由于非》茲性層15的厚度均一，因此側(cè)屏蔽板18R、 18L 與前端部40A之間隔有一定的間隔。即，前端部40A與側(cè)屏蔽板18R之間的間 距SR與前端部40A與側(cè)屏蔽板18L間的間距SL不論在那個(gè)位置都是相同的。 因此，在前端部40A與側(cè)屏蔽板18R、 18L之間，相對的側(cè)面互相平行。
如前所述，在靠近空氣承載面60的一側(cè)，前屏蔽板14以及側(cè)屏蔽板18R、 18L均通過非^磁性層15與前端部40A相隔。而且，當(dāng)后屏蔽板20通過間隙層 19與前端部40A相隔時(shí)，側(cè)屏蔽板18R、 18L—方面與前屏蔽板14相連，同時(shí) 通過間隙層19與后屏蔽板20相隔。
另外，如圖5所示，記錄介質(zhì)70具有包含^f茲化層71和軟》茲性層72的層積 結(jié)構(gòu)，而這些磁化層71和軟磁性層72本別設(shè)置在靠近和遠(yuǎn)離薄膜磁頭的一側(cè)。 磁化層71是磁性記錄信息的部分，而軟磁層72則使用為記錄介質(zhì)70中磁束的 流路(所謂的磁通路線)。這種記錄介質(zhì)70—般叫做用于垂直記錄的雙層記錄 介質(zhì)。當(dāng)然，除了包含上述磁化層71和軟磁性層72之外，記錄介質(zhì)70還可以 再包含其他的層。
以下說明這種薄膜磁頭的動作。
即如圖1 ~圖5所示，在記錄信息時(shí)，若電流從外部電路(圖未示)流到寫 入磁頭部100B的薄膜線圏24,則會產(chǎn)生用于記錄的磁束J。該磁束J收容到磁 極層50中的主磁極層40和輔助磁極層21中后，再流入前端部40A。此時(shí)，磁 束J通過集中在閃光點(diǎn)FP處而被聚集，從而最終集中在尾邊TE附近。通過向 外部釋放集中到該尾邊TE附近的磁束J從而產(chǎn)生記錄用的磁場(垂直磁場)時(shí)， 由于磁化層71被該磁場磁化，因此信息將會磁性記錄到所述記錄介質(zhì)70上。
這種情況下，由于電流以相反的方向流過薄膜線圈10、 24，因此在這些部 件中將產(chǎn)生相反方向的磁束。具體地說，參照圖1，在薄膜線圈IO上將會朝上 產(chǎn)生用于抑制泄露的磁束，與之相對，在薄膜線圏24上將會朝下產(chǎn)生記錄用的 磁束。因此，受到抑制泄露用磁束的影響，記錄用的磁束很難從寫入磁頭部100B
流向讀取磁頭部IOOA，從而抑制了該記錄用的磁束的泄露(記錄用的》茲束意外
涉及到讀取磁頭部)。其結(jié)果，可以避免因受到記錄用磁束的影響而導(dǎo)致MR 元件8的檢測精密度下降的現(xiàn)象發(fā)生。并且，還可以抑制通過記錄用的磁束被 下部引導(dǎo)屏蔽層3和上部引導(dǎo)屏蔽層30吸收的現(xiàn)象而產(chǎn)生不必要的磁場，而正 因?yàn)檫@些不必要的磁場導(dǎo)致記錄在記錄介質(zhì)70上的信息被意外刪除掉的現(xiàn)象發(fā) 生。
而且，從前端部40發(fā)射出磁束J時(shí)，磁束J中的擴(kuò)散部分會被前屏蔽板14、 2個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L以及后屏蔽板20吸收，因而防止了記錄用的》茲場的擴(kuò) 散。被該后屏蔽板20吸收的磁束，經(jīng)由旁軛26再次提供到主磁極層40中。
另外，從主磁極層40向記錄介質(zhì)70發(fā)射出的磁束J，將磁化層71磁化后 經(jīng)過軟磁性層72后被旁軛26吸收。此時(shí)， -磁束J的一部分也被后屏蔽板20吸 收。這些被吸收的磁束也被再次供給到主磁極層40中。據(jù)此，磁束J在寫入磁 頭IOOB和記錄介質(zhì)70之間循環(huán)，從而構(gòu)成磁氣回路。
另一方面，讀取信息時(shí)，若感應(yīng)電流流過讀耳3U茲頭部100A的MR元件8， 則根據(jù)從記錄介質(zhì)70讀取的信號磁場，MR元件8的磁阻值將會發(fā)生變化。并 把這種磁阻變化作為電壓變化檢測，從而可以磁性讀取記錄在記錄介質(zhì)70上的 信息。
下面將對薄膜磁頭的制造方法進(jìn)行說明。圖6~圖14是說明薄膜磁頭的制造 工序的示意圖，這些圖均表示與圖1的(A)部分相對應(yīng)的截面結(jié)構(gòu)。
首先，參照圖1說明薄膜磁頭制造工序的整體概況，然后，參照圖1~圖14, 對適用本發(fā)明 一個(gè)實(shí)施方式中所涉及的垂直磁記錄頭的制造方法的寫入磁頭部 100B的主要部件的形成工序進(jìn)行詳細(xì)的說明。其中，因?yàn)橐呀?jīng)對構(gòu)成薄膜磁頭 的一系列構(gòu)成要素如材質(zhì)、尺寸及構(gòu)造等進(jìn)行了詳細(xì)介紹，所以在此將省略對 它們的說明。
這種薄膜磁頭是使用已知的薄膜加工程序并依次形成一系列的構(gòu)成要素再 將其層積而成的部件，作為已知的薄膜形成程序主要采用以電鍍法及濺鍍法 為代表的膜形成技術(shù)，以光刻法為代表的圖樣制定(patterning)技術(shù)、以干蝕
刻法或濕蝕刻法為代表的蝕刻技術(shù)、以及以化學(xué)機(jī)械研磨(CMP; chemical mechanical polishing )法為代表的除去技術(shù)等。即，制造薄膜磁頭時(shí)，如圖1 所示，首先在基板1上形成絕緣層2,然后在絕緣層2上依次層積讀^^屏蔽層3、 埋設(shè)有MR元件8的屏蔽間隙膜4、上部引導(dǎo)屏蔽層30(上部引導(dǎo)屏蔽層部分5, 7，非磁性層6)，以此形成讀取磁頭部100A。接著，在讀取磁頭部100A上形 部分離層9，然后在分離層9上依次層積埋設(shè)于絕緣層11~13中的薄膜線圏10、 前屏蔽板14、兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L、磁極層50 (非磁極層15,主磁極層40, 輔助磁極層21)、間隙層19、后屏蔽板20、絕緣層22、埋設(shè)于絕緣層23、 25 中的薄膜線圈24、以及旁軛26,以此形成了寫入磁頭部100B。最后，在寫入磁 頭部100B上形成保護(hù)層27后，并采用機(jī)械加工及研磨加工的方法形成空氣承 載面60,從而完成薄膜磁頭的制造。
在形成寫入磁頭部100B的主要部件時(shí)，形成用作襯底的絕緣層13之后， 首先，如圖6所示，可采用濺鍍法在絕緣層13上形成前屏蔽板14。
接著，在前屏蔽板14上，形成具有開口部81K的套種樣式81。在形成這 種套種樣式81時(shí)，在前屏蔽板14的表面涂一層光阻而形成光阻膜，之后采用 光刻法對該光阻膜進(jìn)行圖樣制定(曝光.顯影)。此時(shí)，調(diào)整曝光條件，使得 隨著開口部81K與前屏蔽板14之間距離的逐漸增大，內(nèi)壁81W的傾斜角度 (內(nèi)壁81W與前屏蔽板14表面之間的角度)也逐漸與傾斜角e (參照圖4)相 等。
接著，如圖7所示，采用干膜形成方法，形成作為第一非磁性層的非磁性 層15,并將其以均等厚度覆蓋至少在具有開口部81K的套種樣式81的內(nèi)壁81W, 從而使開口部81K變窄。在形成非-茲性層15時(shí)，可以采用ALD法，從而覆蓋 在套種樣式81的表面(包含內(nèi)壁81W)及開口部81K之中的前屏蔽板14的露 出面。此時(shí)，特別是，ALD法的膜形成溫度(所謂的基板溫度)要比套種樣式 81的變形溫度(玻璃轉(zhuǎn)移溫度)低。通過采用這種ALD法，可使內(nèi)壁81W被 均等厚度的非磁性層15覆蓋，因此與該內(nèi)壁81 W對應(yīng)的非磁性層15的內(nèi)壁15W 的傾斜角度F (內(nèi)壁15W與前屏蔽板14的表面之間的角度)與傾斜角co相等。
接著，如圖8-圖IO所示，形成主磁極層40,使得可以覆蓋已形成有非磁性 層15的開口部81K。
形成主》茲;歐層40時(shí)，要形成作為主石茲才及層40形成用第一i茲性層的種晶層 16及鍍層17 ，使得至少要覆蓋(埋入)已形成有非磁性層15的開口部81K。 即，如圖8所示，可采用賊鍍法，在非磁性層15上形成種晶層16之后，如圖9 所示，把種晶層16作為電極膜進(jìn)行鍍膜成長，以此形成在種晶層16上可填埋 開口部81K的鍍層17。
其中，可采用CMP法等研磨法及離子銑加工法或反應(yīng)性離子蝕刻(RIE; reactive ion etching)等蝕刻法，選擇性地除去所述非磁性層15、種晶層16以及 電鍍層17,直至至少可以樓出套種樣式81。從而，如圖IO所示，形成主磁極 層40,使得可以填埋已形成有非磁性層15的開口部81K。在形成主磁極層40 時(shí)，設(shè)定傾斜角0從而使該角度與非磁性層15的傾斜角度F相等，即，該傾斜 角e與套種樣式81的傾斜角度oo相等。
接著，可使用有機(jī)溶劑進(jìn)行洗凈處理及灰化處理等，除去殘存的套種樣式 81，從而如圖ll所示，使前屏蔽板14露出。
接著，如圖12及圖13所示，在記錄磁軌寬度方向的主磁極層40的兩側(cè)， 形成通過非磁極層15與該主磁極層40隔開的兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L。
在形成這些側(cè)屏蔽板18R、 18L時(shí)，如圖12所示，通過把前屏蔽板14作為 電極膜進(jìn)形鍍膜成長，形成作為側(cè)屏蔽板l汰、18L形成用第2磁性層的鍍層 82，從而至少覆蓋在非磁極層15與主磁極層40。其后，可采用與形成主磁極層 40時(shí)同樣的研磨法及蝕刻法選擇性地除去鍍層82,直到至少露出非磁性層15 及主磁極層40。據(jù)此，如圖13所示，在主磁極層40的兩側(cè)，有兩個(gè)側(cè)屏蔽板 18R、 18L形成在前屏蔽板14上。在形成這些側(cè)屏蔽板18R、 18L時(shí)，可調(diào)整除 去量，從而使主磁極層40的寬度Wl及高度H達(dá)到期望值。
最后，如圖14所示，可采用'減鍍法在非磁性層15、主磁極層40及兩個(gè)側(cè) 屏蔽板18R、 18L上面形成作為第二非磁性層的間隙層19,然后，可采用與形 成主-茲極層40時(shí)同樣的方法，在間隙層19上面形成后屏蔽板20。此外，關(guān)于
后屏蔽板20，省略了種晶層及電鍍層的圖示。這樣，完成了寫入磁頭部100B 的主要部件的制作。
本實(shí)施方式中的薄膜磁頭及其制造方法中，主》茲極層40 (前端部40A)及 兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L之間的間隔SR、 SL是一定的，不因位置的改變而改變， 并且兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L與前屏蔽板14連接的同時(shí)，又通過間隙層19與后 屏蔽板20分離，因此根據(jù)以下的原因，可以防止因記錄用磁場的擴(kuò)散而無意刪 除信息的情況發(fā)生。
圖15~圖19是，為了說明列有無用于吸收磁束的屏蔽板與發(fā)生信息無意被 刪掉的情況之間的一系列關(guān)系，而表示的對比實(shí)施例中的薄膜磁頭的結(jié)構(gòu)(圖 15~圖17)及本發(fā)明實(shí)施方式中的薄膜磁頭的結(jié)構(gòu)(圖18-圖19)示意圖，這些 圖均表示對應(yīng)于圖3的結(jié)構(gòu)。除了下面說明的不同之處，對比實(shí)施例中的薄膜 磁頭與本實(shí)施方式中的薄膜磁頭的構(gòu)造相同。即，在如圖15所示的第1對比實(shí) 施例中，沒有設(shè)置前屏蔽板14與側(cè)屏蔽板18R、 18L，只設(shè)有后屏蔽板20。在 如圖16所示的第2對比實(shí)施例中，沒有設(shè)置前屏蔽板14,設(shè)置了后屏蔽板20 的同時(shí)還設(shè)置了與側(cè)屏蔽板18R、 18L相對應(yīng)的側(cè)屏蔽板118R、 118L。在該第 2對比實(shí)施例中，間距SR、 SL因位置的不同而不同，并向著前屏蔽板方向逐漸 增大。在如圖17所示的第3對比實(shí)施例中，設(shè)置了前屏蔽板14和后屏蔽板20 的同時(shí)還設(shè)置了上述側(cè)屏蔽板118R、 118L。此外，如圖18所示，本實(shí)施方式 中的薄膜磁頭中未設(shè)有前屏蔽板14，只設(shè)有側(cè)屏蔽板18R、 18L及后屏蔽板20， 而如圖19所示，設(shè)置了前屏蔽板14、側(cè)屏蔽板18R、 18L及后屏蔽板20。
從前端部40A發(fā)出磁束時(shí)，為了達(dá)到利用屏蔽板來吸收磁束中擴(kuò)散的成分 而防止信息被無意刪除的情況發(fā)生的目的，重要的是應(yīng)盡可能地把記錄用磁場 的擴(kuò)散范圍縮小到前端部40A附近的狹窄范圍內(nèi)。
如圖15所示，在第l對比實(shí)施例中，由于后屏蔽板20吸收磁束中擴(kuò)散的 部分，因而在尾邊TE的附近記錄用磁場F的傾斜度將會增大。然而，由于在前 端部40A的前側(cè)及沿記錄磁軌寬度方向的兩側(cè)(以下簡稱"兩側(cè)")沒有設(shè)置屏 蔽板，因此磁場F會在其前端部40A的前側(cè)及兩側(cè)顯著增大。在這種情況下，
當(dāng)記錄媒體70上的特定磁軌(正常記錄信息的記錄對象磁軌)被磁場F磁化時(shí)， 因?yàn)榕c記錄對象磁軌相鄰的磁軌(相鄰磁軌)易被磁化，所以已經(jīng)記錄在相鄰 磁軌上的信息就容易被無意刪除。
如圖16所示，在第2對比實(shí)施例中，由于側(cè)屏蔽板118R、 118L會吸收》茲 束的擴(kuò)散部分，因而相較于第l對比實(shí)施例(參照圖15)，先端部40A兩側(cè)的 磁場F擴(kuò)散將會被抑制。然而，因?yàn)殚g距SR、 SL會隨著位置的不同而不同， 所以側(cè)屏蔽板118R、 118L很難吸收磁束的擴(kuò)散部分，所以無法充分抑制先端部 40A兩側(cè)的磁場F的擴(kuò)散部分。進(jìn)而，尤其是在產(chǎn)生偏斜的時(shí)候，相鄰磁軌上 已記錄的信息就更容易被刪除。這里所說的偏斜是指，先端部40A相對于以彎 曲線狀被設(shè)置在記錄媒體70上的記錄對象磁軌的接線方向的傾斜現(xiàn)象。而且， 由于先端部40A的前側(cè)未設(shè)有屏蔽板，所以在先端部40A前側(cè)的磁場F的擴(kuò)散 程度與第1對比實(shí)施例相同。
如圖17所示，在第3對比實(shí)施例中，由于前屏蔽板14及側(cè)屏蔽板118R、 118L會吸收磁束的擴(kuò)散部分，因而相較于第2對比實(shí)施例(參照圖16)，先端 部40A前側(cè)及兩側(cè)的石茲場F的擴(kuò)散能夠:故抑制。然而，正如對第2對比實(shí)施例 的說明，由于間距SR、 SL是隨著位置的變化而改變的，所以仍然不能充分抑制 先端部40A兩側(cè)的磁場F的擴(kuò)散。因此，與第2對比實(shí)施例相同，在產(chǎn)生偏斜 的時(shí)候，相鄰磁軌上的信息就很容易被刪除。
與此相對，如圖18所示，在本實(shí)施方式中，因?yàn)殚g隔SR、 SL是固定的， 即不因位置的改變而改變，所以側(cè)屏蔽板118R、 118L很容易吸收磁束的擴(kuò)散部 分。因此，與第2對比實(shí)施例相比，能充分抑制先端部40A兩側(cè)的》茲場F的擴(kuò) 散。在這種情況下，如圖19所示，若先端部40A的前側(cè)設(shè)有前屏蔽板14,則 能更充分的抑制先端部40A前側(cè)的i茲場F的擴(kuò)散。與第1至第3對比實(shí)施例相 比較，擴(kuò)散的范圍可以縮小到比前端部40附近更狹小的范圍。根據(jù)于此，即使 在產(chǎn)生了偏斜，相鄰磁軌上的信息就也不易^R刪除。因此，本實(shí)施方式可以防 止因記錄用磁場的擴(kuò)散而導(dǎo)致信息被無意刪掉的情況發(fā)生。
此時(shí)，如果使用ALD法形成非磁性層15，與使用ALD法以外的方法(例
如濺鍍法、或者CVD ( chemical vapor deposition )法等)相比，可以嚴(yán)格的保 持固定間距SR、 SL。其原因有以下幾點(diǎn)。使用ALD法以外的方法時(shí)，如圖7 所示，當(dāng)形成了可覆蓋套種樣式81的內(nèi)壁81W的非磁性層15時(shí)，隨著開口部 81K的深度或傾斜角度co的改變非磁性層15的厚度也會沿內(nèi)壁81W而變化， 因此傾斜角度F有從傾斜角度co偏離的可能性。在這種情況下，如圖10所示， 若形成了主磁極層40，則由于傾斜角e從傾斜角度co偏離，將會導(dǎo)致尾邊寬度 Wl及傾斜角e與目標(biāo)值偏離。對此，若使用ALD法，則由于非磁性層15以均 等的厚度沿著內(nèi)壁81W所形成，因此傾斜角度F與傾斜角度co相等。在這種情
況下，因?yàn)閮A斜角e與傾斜角度co相等，所以尾邊寬度wi及傾斜角e與目標(biāo)
值一致。因此可以嚴(yán)格的保持固定間距SR、 SL。特別是，如果使ALD法的膜 形成溫度比套種樣式81的玻璃轉(zhuǎn)移溫度低，則由于在非磁性層15的形成步驟 中套種樣式81不易變形，所以可以防止因發(fā)泡現(xiàn)象而導(dǎo)致的套種樣式81的形 狀破壞，或者因流動現(xiàn)象導(dǎo)致的傾斜角度co相對形成初始值的改變。
此外，本實(shí)施方式中，在主磁極層40 (前端部40A)的周圍設(shè)置前屏蔽板 14、兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L及后屏蔽板20時(shí)，由于其側(cè)屏蔽板18R、 18L與 前屏蔽板14連4妄但不與后屏蔽板20連接，因此根據(jù)以下原因，可以確保記錄 用磁場的強(qiáng)度。
圖20是為了說明一系列用于吸收磁束的屏蔽板的連接狀態(tài)與無意刪除信息 情況的發(fā)生之間的關(guān)系而表示的第4對比實(shí)施例中的薄膜磁頭結(jié)構(gòu)的示意圖， 并表示了與圖3相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)。第4對比實(shí)施例中，除了設(shè)置有分別與間隙層 19及后屏蔽板20對應(yīng)的間隙層119及后屏蔽板120外，其他結(jié)構(gòu)與本實(shí)施方式 中薄膜磁頭相同。為了與主磁極層40分離，所述后屏蔽板120在其與主磁極層 40之間形成了狹小寬度的間隙層119那樣，并且其與兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L 連接。
如圖20所示，第4對比實(shí)施例中，側(cè)屏蔽板18R、 18L未與后屏蔽板120 連接(處于磁導(dǎo)通狀態(tài))，盡管設(shè)置了后屏蔽板120，但是因?yàn)樵谖策匱E附近 記錄磁場的傾斜度不會充分增大，其在尾邊TE附近的磁場的強(qiáng)度也不會充分增
大。在這種情況下，對相鄰磁軌產(chǎn)生不必要影響的磁場強(qiáng)度減小了，但隨之記 錄用磁場的強(qiáng)度也減小了。
與之相對，如圖3所示，在本發(fā)明實(shí)施方式中，側(cè)屏蔽板18R、 18L與后屏 蔽板20不連接(不處于磁性導(dǎo)通狀態(tài))，后屏蔽板20通過間隙層19與側(cè)屏蔽 板18R、 18L分離，因此在尾邊TE附近記錄磁場的傾斜度充分增大，其磁場的 強(qiáng)度也充分增大。從而，本實(shí)施方式中可以確保記錄用磁場的強(qiáng)度。
此外，在本實(shí)施方式中，相對于前屏蔽板14及兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L與 主磁極層40 (前端部40A)分離(磁性分離)的現(xiàn)象，在前方后屏蔽板20與主 磁極層40分離(磁性分離)，并且在后方與主磁極層40連接(磁性連接)， 因此，在主磁極層40中的后側(cè)部附近磁場的強(qiáng)度充分增大，同時(shí)在前側(cè)部附近 爿磁場強(qiáng)度大大減小了 。從而可以穩(wěn)定地進(jìn)行記錄處理。
此外，如圖11 13所示，在本實(shí)施方式中，通過把前屏蔽板14作為電極膜 而進(jìn)行的鍍膜成長形成了兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L,因此與前屏蔽板14不作為 電極膜使用而形成兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L的情況相比較，前屏蔽板14及兩個(gè) 側(cè)屏蔽板18R、 18L的形成步驟被簡化了。具體的說，形成前屏蔽板14時(shí)，無 需采用復(fù)雜的電鍍法等濕膜形成方法形成厚膜，采用簡單的賊鍍法等千膜形成 方法形成薄膜即可。而且，在形成側(cè)屏蔽板18R、 18L時(shí)，也沒有必要為了鍍膜 成而形成新的種晶層。因此，根據(jù)本實(shí)施方式可以簡單的制造薄膜磁頭。
此外，如圖8 10所示，在本實(shí)施方式中形成了包含種晶層16及電鍍層17 的主^茲才及層40, ^S并不局限于此。例如，與圖8 10對應(yīng)的圖21 22所示，可采 用濺鍍法及CVD法，代替種晶層16及電鍍層17可以在非磁性層15上形成磁 性層83,之后選擇性除去非磁性層15及磁性層83直至套種樣式81露出，從而 可以形成主vF茲極層84并以此來代替主f茲極層40。這種情況下當(dāng)然也可以取得同 樣的效果。
此外，如圖6所示，在本實(shí)施方式中，內(nèi)壁81W相對于前屏蔽板14的表 面傾斜形成了套種樣式81 (傾斜角度co〈 9 0。)，并如圖10所示形成了具有 倒梯形形狀的主磁極層40,但是并不局限于此。例如，如與圖6對應(yīng)的圖23所
示，可以使內(nèi)壁81W相對于前屏蔽板14的表面垂直相交的形式形成套種樣式
81 (傾斜角度to二9 0°),如與圖IO對應(yīng)的如圖24所示，也可以形成具有矩形 形狀的主磁極層40。這種情況下同樣可以取得相同的效果。
以下對裝載有本發(fā)明提供的垂直磁記錄頭的磁記錄裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。 圖25及圖26為磁記錄裝置的結(jié)構(gòu)圖，圖25與圖26分別為立體結(jié)構(gòu)圖及主要 部件的放大立體結(jié)構(gòu)圖。該磁記錄裝置是裝載有上述薄膜磁頭的裝置，例如可 以是硬盤驅(qū)動器。
這種磁記錄裝置，如圖25所示，可在殼體200內(nèi)部設(shè)置與記錄媒體70 (參照圖5 )相對的多個(gè)磁盤(如硬盤)201;與各f茲盤201相對應(yīng)設(shè)置并在 一端支撐^茲頭滑塊202的多個(gè)懸臂203;支撐該懸臂203的另 一端的多個(gè)臂204。 石茲盤201可以以固定在殼體200上的主軸馬達(dá)205為中心旋轉(zhuǎn)。臂204與作為 動力源的驅(qū)動部206相連"l妄，可以以固定在殼體200上的固定軸207為中心并 借助軸承208進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。而且驅(qū)動部206可以由包含音圏馬達(dá)等的驅(qū)動源構(gòu)成。 這種磁記錄裝置是可以以固定軸207為中心的多個(gè)臂204 —體旋轉(zhuǎn)的裝置。此 外，在圖25中，為了更好的看到磁記錄裝置的內(nèi)部構(gòu)造，圖中示出了去掉部分 殼體200的不完整結(jié)構(gòu)。
如圖26所示，磁頭滑塊202是，在由碳化鈦鋁(AlTiC)等非石茲性絕緣性 材料構(gòu)成的略層長方體結(jié)構(gòu)的基體211 —個(gè)面上安裝了可進(jìn)行寫入及讀取兩方 面處理的薄膜磁頭212而形成的部件。這種基體211，可以具有為減小臂204在 旋轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的空氣阻力而設(shè)置的具有凹凸結(jié)構(gòu)的一個(gè)面(空氣承載面220),并 將薄膜^f茲頭212安裝在與空氣承載面220垂直相交的面(圖26中，右手前側(cè)的 面)上。這種薄膜磁頭212具有上述實(shí)施方式中說明的結(jié)構(gòu)。當(dāng)進(jìn)行寫入和讀 取信息時(shí)，轉(zhuǎn)動磁盤201，則磁頭滑塊202會利用磁盤201的記錄面(磁頭滑塊 202的相對面)與空氣承載面220之間產(chǎn)成的氣流而飛行在磁盤201的記錄面上。 此外，為了能更好的看到磁頭滑塊202中的空氣承載面220 —側(cè)的結(jié)構(gòu)，在圖 26中顯示出了將圖25的狀態(tài)上下翻轉(zhuǎn)后的狀態(tài)。
在這種磁記錄裝置中，進(jìn)行信息的寫入或讀取時(shí)，通過臂204旋轉(zhuǎn)把磁頭
滑塊202移動至磁盤201中的規(guī)定區(qū)域(記錄區(qū)域)中。然后，在面向磁盤201 的狀態(tài)下對薄膜磁頭212通電，則根據(jù)上述工作原理該薄膜磁頭212開始運(yùn)作， 從而，薄膜磁頭212在磁盤201進(jìn)行寫入和讀取處理。
這種磁記錄裝置，由于裝載了上述薄膜磁頭，可以防止因記錄磁場擴(kuò)散而 引起的信息無意被刪掉的情況發(fā)生。
以下是本發(fā)明的具體實(shí)施例。
對于上述的垂直磁記錄頭，研究了信息無意被刪掉的發(fā)生狀況，并得到了 如圖27及圖28所示的結(jié)果。圖27及圖28表示了主^茲極層40 (前端部40A) 附近的記錄用磁場的強(qiáng)度分布，縱坐標(biāo)表示磁場強(qiáng)度(xi 03 / ( 4p) A/m = e )，橫坐標(biāo)分別表示接線方向(圖27)或半徑方向(圖28 )。圖27及圖28 中顯示的"27A、 28A"是兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L與后屏蔽板120連接的第4對 比實(shí)施例(參照圖20)的結(jié)果，"27B、 28B"是兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L通過間 隙層19與后屏蔽板20分離的本發(fā)明(參照圖3 )的結(jié)果。參照圖20及圖3, 所謂的接線方向是在I - I線上的位置，所謂的半徑方向是在I I - I I上的 位置。此外，圖27所示的"TE"表示尾邊TE的位置。
研究這些磁場的強(qiáng)度分布時(shí)，作為各構(gòu)成要素的材料及厚度，分別設(shè)定為 前屏蔽板14的材料是鈷鐵鎳合金及厚度為0.2pm;非磁性層15的材料是氧化 鋁及厚度為0.05pm;主磁極層40的材料是鈷鐵鎳合金及厚度為0.3pm;側(cè)屏 蔽板18R、 18L的材料是鎳鐵導(dǎo)磁合金(permalloy)及厚度為0.3pm;間隙層 19的材料是氧化鋁及厚度為O.O化m;后屏蔽板20的材料是鈷鐵鎳合金及厚度 為l.Opm。此外，各要素的形成方法分別采用前屏蔽板14采用濺鍍法；非磁 性層15采用ALD法；主磁極層40、側(cè)屏蔽板18R、 18L及后屏蔽板20采用電 鍍法。
根據(jù)圖27表示的結(jié)果，就接線方向上的磁場強(qiáng)度而言，其在第4對比實(shí)施 例及本發(fā)明實(shí)施例中均呈現(xiàn)出了隨著接近尾邊TE而緩慢增加之后再急劇減少 的趨勢。這個(gè)結(jié)果顯示，由于在前端部40A的后側(cè)設(shè)置了后屏蔽板20、 120, 因此在接線方向上可以抑制記錄用磁場的擴(kuò)散，從而增大了磁場的傾斜度。但
是，比較第4對比實(shí)施例及本發(fā)明，在尾邊TE的磁場強(qiáng)度，比起前者在后者中 有所增加。
而且，根據(jù)圖28表示的結(jié)果，就半徑方向上的磁場強(qiáng)度而言，其在第4對 比實(shí)施例及本發(fā)明實(shí)施例中均呈現(xiàn)出了在前端部40A的中心位置處最大，并隨 著遠(yuǎn)離中心位置而急劇減少的趨勢。這個(gè)結(jié)果顯示，由于在前端部40A的記錄 磁軌寬度方向的兩側(cè)設(shè)置了側(cè)屏蔽板18R、 18L,因此在記錄磁軌寬度方向上可 以抑制記錄用磁場的擴(kuò)散，從而增大了磁場的傾斜度。
根據(jù)所述說明，在本發(fā)明的垂直磁記錄頭中，在前端部40A的周圍設(shè)置了 前屏蔽板14、兩個(gè)側(cè)屏蔽板18R、 18L及后屏蔽板20的情況下，通過把側(cè)屏蔽 板18R、 18L連接到前屏蔽板14的同時(shí)與后屏蔽板20分離的措施，可以確保記 錄用磁場強(qiáng)度的同時(shí)，還可以防止因磁場擴(kuò)散導(dǎo)致信息被無意刪除掉的情況發(fā) 生。
以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了舉例說明，本發(fā)明并非僅限于以上實(shí)施例，還 可以進(jìn)行其他的各種變化。例如在上述實(shí)施例中，本發(fā)明所涉及的垂直磁記錄 頭適用于復(fù)合型磁頭中，但并不局限于此，還可適用于未具備讀取頭的記錄專 用頭上。在這種情況下，也能獲得相同的效果。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
本發(fā)明涉及垂直磁記錄頭及其制造方法以及磁記錄裝置，可應(yīng)用于將信息 磁性的記錄在硬盤上的硬盤驅(qū)動器中。
權(quán)利要求
1.一種垂直磁記錄頭，其特征在于包括產(chǎn)生記錄用磁場的磁極；以及配置在記錄磁軌寬度方向上的所述磁極兩側(cè)并與該磁極相分離的兩個(gè)側(cè)屏蔽板，其中所述磁極與所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板之間的間距是固定的并不以位置的變化而改變。
2. 如權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄頭，其特征在于至少在所述磁極與所述兩 個(gè)側(cè)屏蔽板之間配設(shè)有以原子層沉積方法形成的均等厚度的非磁性層。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的垂直磁記錄頭，其特征在于在所述^茲極的后側(cè)配 置有與該》茲極分離的后屏蔽板。
4. 如權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的垂直磁記錄頭，其特征在于在所述 磁極的前側(cè)配置有與該磁極分離的前屏蔽板。
5. 如權(quán)利要求1至4中的任意一項(xiàng)所述的垂直^茲記錄頭，其特征在于接近空 氣承載面 一側(cè)的所述磁極的橫截面呈倒梯形形狀。
6. —種垂直磁記錄頭，其特征在于包括 產(chǎn)生記錄用磁場的磁極；配置在記錄磁軌寬度方向上的所述磁極兩側(cè)并與該i茲極分離的兩個(gè)側(cè)屏蔽 板；配置在所述磁極的前側(cè)并與該磁極分離的前屏蔽板； 配置在所述磁極的后側(cè)并與該磁極分離的后屏蔽板， 其中所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板與所述前屏蔽板連結(jié)，且同時(shí)與所述后屏蔽板相分離。
7. 如權(quán)利要求6所述的垂直磁記錄頭，其特征在于所述前屏蔽板是用于成長 鍍膜的電極膜；所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板是把所述前屏蔽板作為電極膜并選擇性地成 長鍍膜而形成的。
8. —種垂直磁記錄頭，其特征在于包括 產(chǎn)生記錄用磁場的磁極；配置在記錄磁軌寬度方向上的所述磁極兩側(cè)并與該磁才及分離的兩個(gè)側(cè)屏蔽 板；配置在所述磁極的前側(cè)并與該^茲極分離的前屏蔽板； 配置在所述》茲才及的后側(cè)并與該^i極分離的后屏蔽4反，而改變，所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板與所述前屏蔽板連結(jié)且與所述后屏蔽板相分離。
9. 如權(quán)利要求8所述的垂直磁記錄頭，其特征在于所述后屏蔽板在其后方 通過連結(jié)用磁性體與所述磁極相連結(jié)。
10. —種磁記錄裝置，其包括記錄介質(zhì)以及權(quán)利要求1至9中的任意一項(xiàng)所 述的垂直石茲記錄頭。
11. 如權(quán)利要求IO所述的磁記錄裝置，其特征在于所述記錄介質(zhì)包含分別設(shè) 置在所述垂直磁記錄頭的近側(cè)及遠(yuǎn)側(cè)的磁化層以及軟磁性層。
12. —種垂直》茲記錄頭的制造方法，其包括以下工序 第一工序在襯底上形成具有開口部的套種樣式；第二工序形成非磁性層，并使其以均等的厚度覆蓋至少在所述開口部上的 所述套種樣式的內(nèi)壁，從而使該開口部變窄；第三工序形成產(chǎn)生記錄用磁場的磁極，從而埋入所述具有非磁性層的開口部；第四工序除去殘存的套種樣式；第五工序在記錄磁軌寬度方向的所述磁極兩側(cè)形成通過所述非磁性層與該 磁極相隔開的兩個(gè)側(cè)屏蔽板。
13. 如權(quán)利要求12所述的垂直磁記錄頭的制造方法，其特征在于在所述第二 工序中使用原子層沉積方法形成所述非磁性層。
14. 如權(quán)利要求13所述的垂直磁記錄頭的制造方法，其特征在于原子層沉積 方法的成膜溫度低于所述套種樣式的玻璃轉(zhuǎn)移溫度。
15. 如權(quán)利要求12至14中的任意一項(xiàng)所述的垂直磁記錄頭的制造方法，其特 征在于所述第三工序包括以下步驟(1) 形成磁性層，從而至少埋入所述具有非磁性層的開口部；(2) 選擇性地除去所述非磁性層及所述磁性層，直到至少露出所述套種樣式。
16. 如權(quán)利要求12至15中的任意一項(xiàng)所述的垂直磁記錄頭的制造方法，其特 征在于通過所述第一工序使得所述開口部隨著遠(yuǎn)離所述村底而逐漸變寬；通 過所述第三工序使得靠近空氣承載面一側(cè)的所述^f茲極的端面呈倒梯形形狀。
17. —種制造垂直^F茲記錄頭的方法，其包括以下工序 第一工序在襯底上形成前屏蔽板；第二工序在所述前屏蔽板上形成具有開口部的套種樣式；第三工序形成非磁性層，并使其以均等的厚度覆蓋至少在所述開口部上的所述套種樣式的內(nèi)壁，從而使該開口部變窄；第四工序形成產(chǎn)生記錄用磁場的f茲極，從而埋入所述具有第一非》茲性層的開口部；第五工序除去殘存的所述套種樣式；第六工序通過把所述前屏蔽板作為電極膜而進(jìn)行鍍膜成長，從而在所述磁 極兩側(cè)形成通過所述第 一非磁性層與該磁極相隔開的兩個(gè)側(cè)屏蔽板；第七工序在所述磁極、所述第一非磁性層以及所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板上形成第 二非磁性層；第八工序在所述第二非磁性層上形成后屏蔽板。
18. 如權(quán)利要求17所述的垂直磁記錄頭的制造方法，其特征在于所述第四工 序包括以下步驟(1) 形成第一石茲性層，乂人而至少埋入所述具有第一非》茲性層的開口部；(2) 選擇性地除去所述第一非磁性層及所述第一磁性層，直到至少露出所述 套種樣式。
19. 如權(quán)利要求17或18所述的垂直磁記錄頭的制造方法，其特征在于所述 第六工序包括以下步驟(1) 形成第二磁性層，從而至少埋入所述磁極及所述第一非磁性層；(2) 選擇性地除去所述第二非磁性層，直到至少露出所述磁極及所述第一非 磁性層。
20. —種制造垂直磁記錄頭的方法，其包括以下工序 第一工序在襯底上形成前屏蔽層；第二工序在所述前屏蔽板上形成具有開口部的套種樣式；第三工序形成第一非磁性層，并使其以均等的厚度覆蓋至少在所述開口部上的所述套種樣式的內(nèi)壁，從而使該開口部變窄；第四工序形成產(chǎn)生記錄用磁場的磁極，從而埋入所述具有第一非磁性層的開口部；第五工序除去殘存的所述套種樣式；第六工序通過把所述前屏蔽板作為電極膜而進(jìn)行鍍膜成長，從而在所述磁 極兩側(cè)形成通過所述第 一非磁性層與該磁極相隔開的兩個(gè)側(cè)屏蔽板；第七工序在所述磁極、所述第一非磁性層以及所述兩個(gè)側(cè)屏蔽板上形成第 二非磁性層；第八工序在所述第二非磁性層上形成后屏蔽板。
21. 如權(quán)利要求20所述的垂直磁記錄頭的制造方法,其特征在于在所述第八工 序中，所述后屏蔽板在其后方通過連結(jié)用f茲性體與所述》茲極相連結(jié)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠防止發(fā)生記錄用磁場擴(kuò)散導(dǎo)致信息被意外丟失現(xiàn)象的垂直磁記錄頭。該垂直磁記錄頭的主磁極層40(前端部40A)上設(shè)置有前屏蔽板14、2個(gè)側(cè)屏蔽板18R和18L、以及后屏蔽板20。由于在前端部40A與2個(gè)側(cè)屏蔽板18R、18L之間，設(shè)置有通過ALD法制成的厚度均一的非磁性層15，所以間隔SR、SL在不同位置上也是相等的。與間隔SR、SL隨位置的不同而改變的情況相比，能更加充分地防止記錄用磁場的擴(kuò)散。
文檔編號G11B5/127GK101178902SQ20071016507
公開日2008年5月14日 申請日期2007年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月10日
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