專利名稱：：用于存儲器的組合讀/寫電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一般涉及存儲器裝置，更具體地涉及存儲器裝置中與讀和寫電路結(jié)合的電路,以及與其相關(guān)的方法。
背景技術(shù)：
：在傳統(tǒng)存儲器裝置中，特別在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置中，通常區(qū)分為功能性存儲裝置(例如，PLA,PAL等)和嵌入式存儲裝置(tablememorydevice)。例如，一些嵌入式存儲裝置包4舌i者如PROM、EPROM、EEPROM、閃存等的ROM(只讀存儲器)裝置和諸如DRAM和SRAM的RAM(隨4幾存々者裝置或讀寫存々者器)裝置。在SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)的情況下，單個的存儲單元包括例如配置為交叉連4妻鎖存器的六個晶體管。在DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)的情況下，通常僅采用一個單一的對應(yīng)受控電容元件(例如，MOSFET的柵-源電容)，其中電荷可以存儲在電容中。然而，DRAM中的電荷只能保持很短的時間，必須執(zhí)行周期刷新以維持數(shù)據(jù)狀態(tài)。與DRAM相反，SRAM不需要刷新，并且存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)在SRAM被提供適當(dāng)?shù)墓╇婋妷旱那闆r下就能存儲。SRAM和DRAM都被稱作易失性存儲器，其中數(shù)據(jù)狀態(tài)僅在向其供電時保持。'與易失性存儲器相比，非易失性存儲器(NVM)，例如EPROM、EEPROM和閃存，表現(xiàn)出不同的特性，即使在與其相關(guān)的供電電壓被切斷的情況下，其所存儲的數(shù)據(jù)也能保持。這種類型的存儲器對于各種移動通信裝置來說具有很多優(yōu)點，例如，在移動電話上的電子羅拉代克斯(rolodex)中，存儲在其中的數(shù)據(jù)即使在移動電話關(guān)機時也能保持。近來開發(fā)的一種非易失性存儲器被稱作阻抗或阻性切換存儲裝置。在這種阻抗存儲器中，通過適當(dāng)?shù)那袚Q處理來將位于兩個適當(dāng)電極(即，陽極和陰極)之間的存儲材料布置在或多或少的導(dǎo)電狀態(tài)上，其中，4交多的導(dǎo)電狀態(tài)對應(yīng)于邏輯"1",以及4交少的導(dǎo)電狀態(tài)對應(yīng)于邏輯"0"(反之亦然)。合適的阻抗存儲器可以是例如4丐鈥礦存儲器(如W.W.Zhuamg等人的"NovellColossalMagnetoresistiveThinFilmNonvolatileResistanceRandomAccessMemory(RRAM)"IEMD2002中所描述的)、二元氧化物阻抗開關(guān)(OxRAM)(侈寸:i口，I.G.Baek等人的"Multi-layercrosspointbinaryoxideresistive(OxRAM)forpost-NANDstorageapplication",IEDM2005中所描述的)，相變存卡者器(PCRAM)和導(dǎo)電橋4妄RAM(CBRAM)。在相變存4諸器的情況下，適當(dāng)?shù)氖倩衔?例如，GeSbTe或AglnSbTe化合物)可以作為放置在兩個相應(yīng)電極之間的活性材料。石危屬化合物材并+可以通過適當(dāng)?shù)那袚Q處理成非晶布置，即，相對較弱導(dǎo)電，或結(jié)晶布置，即，相對較強導(dǎo)電狀態(tài)，并因此作為不同的阻抗元件，如上所述可以作為不同數(shù)據(jù)狀態(tài)。為了實現(xiàn)從非晶狀態(tài)到結(jié)晶狀態(tài)的相變材料的變化，適當(dāng)?shù)募訜犭娏魈峁┙o電極，其中電流加熱相變材料使其溫度超過結(jié)晶溫度。該操作有時被稱作SET(置位)操作。類似地，從結(jié)晶狀態(tài)到非晶狀態(tài)的相變是通過應(yīng)用適當(dāng)?shù)募訜犭娏髅}沖來實現(xiàn)的，其中，相變材料4皮加熱以^f吏其溫度超過其融合溫度，并且在其快速冷卻過程中獲得非晶狀態(tài)。該操作有時被稱作RESET(復(fù)位)操作。SET操作和RESET操作的結(jié)合是數(shù)據(jù)被寫入相變存儲單元的一種方法。
發(fā)明內(nèi)容下面筒單的概述是為了提供對本發(fā)明的一個或多個方面的基本理解。此概述不是本發(fā)明的擴展概述，也不意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵和重要的部分，更不用于描述本發(fā)明的范圍。相反，概述的主要目的是以簡潔的形式呈現(xiàn)本發(fā)明的一些概念，并作為以下具體實施方式的前續(xù)部分。本發(fā)明旨在提供一種存儲裝置，其包括存儲單元的成行列布置的陣列部。^是供了一種組合讀/寫電路，其與陣列部中的每條相應(yīng)位線相關(guān)聯(lián)，被配置為從與每條相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的存儲單元讀取或向與每條相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的存儲單元寫入。還提供了一種尋址存儲器的方法，該方法包括使用單獨與每個位線相相關(guān)的組合讀/寫電路尋址與位線相關(guān)聯(lián)的存儲單元。下面的說明和附圖具體描述了本發(fā)明的示例性方面和實施例。僅用幾種方式表示了本發(fā)明的原理。圖l是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器結(jié)構(gòu)的框圖；以及圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的存儲器結(jié)構(gòu)的示意圖。具體實施例方式下面將結(jié)合附圖描述本發(fā)明的一個或多個實施方式，其中相同的參考標號用于表示相同的元件。本發(fā)明涉及存儲器電路結(jié)構(gòu)以及尋址這樣結(jié)構(gòu)的存儲器的方法。參考圖1,圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲陣列結(jié)構(gòu)100的框圖。在一個實施例中，該結(jié)構(gòu)包括存儲陣列的一部分，該存儲陣列包括以列布置的多條位線102a-102n,以及成行布置的多條字線104a-104m。與每條位線相關(guān)聯(lián)的是電流源電路106、位線選擇電路108、以及位線預(yù)充電電路110。類似地，在一個實施例中與每條位線相關(guān)聯(lián)的是位線逸擇電路112和存儲元件114(例如相變存儲元件)。在一個實施例中，相變存儲元件包括包含過渡金屬氧化物的部件。盡管在此結(jié)合相變存儲器描述各種實施例，但是應(yīng)該理解本發(fā)明可以應(yīng)用于各種類型的存儲技術(shù)，以及所有這樣的存儲器都將落入本發(fā)明的范圍。參考圖1,讀電路120與存儲陣列部相關(guān)聯(lián)，并操作以從與其相關(guān)聯(lián)的各存儲元件114中讀取數(shù)據(jù)。在一個實施例中，讀電路120可才喿作地一次讀取一列U立線)，并且在各個實施例中，與讀電路相關(guān)聯(lián)的列凄t可以改變，例如4、8、16或32列。也可以采用其它可替換的配置，并且可以預(yù)見其它可替換的配置都落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。在一個實施例中，讀電路120包4舌電流4竟電路122、電流_電壓(I/V)轉(zhuǎn)換器124、以及讀出力欠大器電路126。在一個實施例中，讀出放大器配置為產(chǎn)生輸出128，輸出128是I/V轉(zhuǎn)換器124和參考電壓130的比較結(jié)果的函數(shù)。在一個實施例中，電流鏡電路122的輸出電流直接與參考電流進行比較以從存儲單元讀取數(shù)據(jù)。才艮據(jù)本發(fā)明的一個實施例，上述結(jié)構(gòu)IOO提供了一種讀寫電路的緊湊結(jié)構(gòu)，其有利地減少了在傳統(tǒng)陣列結(jié)構(gòu)中所采用的讀和寫電路的面積和復(fù)雜程度。在讀操作時，位線選擇電路108配置為選擇性將位線102a-102n中的一條連接到讀電路120。在一個實施例中，位線選擇電路108作為切換矩陣，其中一條位線可操作地連接到讀電路120，而剩下的位線與其電絕緣。在一個實施例中，位線選擇電路被電流源106和位線的直接電連接所代替，包括后面將提到的鉗位裝置。如以下將描述的，位線選擇電路108還配置為鉗住激活位線的位線電壓，從而保護與其相關(guān)聯(lián)的存儲元件，并且減少與讀條件相關(guān)的變化性。在本發(fā)明的一個實施例中，位線選擇電路配置為將激活位線的位線電壓4計住為與偏壓(VBIAS)有關(guān)的電壓，該偏壓可以隨著存儲裝置的電源電壓(VDD)而改變。仍然參考圖1中的讀操作，電流源電路106可操作地為激活位線提供所需的電流，其中從其拉出的電流的幅值是所讀取的存儲元件(ME)114的數(shù)據(jù)狀態(tài)的函數(shù)。電流源電路106處的電流在讀電路120的電流鏡電路122處被4竟像以讀取數(shù)據(jù)。另外，在本發(fā)明的一個實施例中，位線預(yù)充電電路110配置為將每個未選擇(或未激活)位線的拉到預(yù)定電位(例如，電路的地)，從而使這些位線放電以使未選擇位線不浮動(float)。與激活位線相關(guān)聯(lián)的位線預(yù)充電電路110配置為將位線從預(yù)定電位釋放,以使其能夠上升到與位線選擇電路108的偏壓相關(guān)聯(lián)的位線電位。另外，電流源電路106配置為將相應(yīng)的非選擇位線與讀電路120隔離分開以有利于正確讀取-在一個實施例中，在讀取過程中，基于相應(yīng)的字線104a-104m的控制，一次^f又有一個與位線相關(guān)聯(lián)的存々者元件114纟皮讀取(或讀出)。在一個實施例中，與將被讀取的存儲元件相關(guān)聯(lián)的字線被激活(即，拉高)而其它字線為非激活(即，拉低)。在該實施例中，相關(guān)聯(lián)的字線選擇電路104將相應(yīng)的存儲元件114電連接到相應(yīng)的位線?；诖鎯υ?14的數(shù)據(jù)狀態(tài)，與其相關(guān)聯(lián)的唯一電流從電流源電路1064i到^f立線，并且該電流通過讀電路120被^竟1象用于讀取。在一個實施例中，存儲陣列配置為交叉點陣列，其中位線和字線上的偏壓用于選擇陣列中的單元。在本發(fā)明的一個實施例中，基于相應(yīng)的字線104a-104m的選擇性增加的激活和去激活，與激活位線相關(guān)聯(lián)的每個存儲元件114依次被讀取。為了讀取與其它位線相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)，相應(yīng)的位線選擇電路108可操作地激活相應(yīng)的位線并將其鉗位在期望的位線讀取電位，而其它位線選擇電路是相應(yīng)的位線去激活，并且位線預(yù)充電電路110將這些未選項的位線拉到預(yù)定電壓。根據(jù)一個實施例，在對與給定位線相關(guān)聯(lián)的一個或多個單元執(zhí);f亍寫纟喿作時，電流源電路106配置為將相應(yīng)的位線與讀電路120絕桑彖隔離。另外，電流源電路可以作為用于為所選項的存々者元件114編程的電流源工作。在本發(fā)明的一個實施例中，存儲元件(ME)包括相變存儲元件(PCE),根據(jù)期望的數(shù)據(jù)狀態(tài)提供兩個不同的編程電流，并且在該實施例中，電流源電路106配置為提供SET電流脈沖，而其它電路(以下將描述)操作以提供RESET電流脈沖。對于SET操作(有限功率)，電流源106提供SET電流。為了更有效地擊穿(break-down)單元，在一個實施例中，在通過裝置207限制功率之前，RESET裝置215用于提供較高電壓的短擊穿脈沖。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在SET寫操作中，位線選擇電路108和電流源106操作以將位線4計位在與偏壓相關(guān)的電壓，而位線預(yù)充電電^各110不才喿作。在上述方式中，因為4甘位電壓影響SET電流的幅值，所以位線選擇電路108作為寫SET電路操作。對于該位線上需要被SET的每個存儲元件，相應(yīng)的字線被激活以將相應(yīng)的相變存儲元件114連接到該位線，從而使由電流源電路106提供的SET電流通過。在本發(fā)明的一個實施例中，SET電流脈沖的持續(xù)時間由相應(yīng)的字線4皮激活的時間周期來決定。在替換實施例中，與相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的位線預(yù)充電電路110可選擇地被激活以在適當(dāng)時刻使SET電流分流，盡管這種選項消耗更多功率。在本發(fā)明的一個實施例中，每個需要SET脈沖的相變存儲元件114以增量的方式被激活，使得每個單元被依次編程直到每個期望單元都被SET。在本發(fā)明的替換實施例中，所有需要SET脈沖的單元都并聯(lián)到位線，使得每個單元均同時被SET。此外，因為每條位線都具有自身的寫電路，所以每條位線可以同時^皮尋址。在一個實施例中，在RESET寫才喿作中，沒有采用電流源電路106來提供RESET電流，因此相應(yīng)的位線選擇電路108操作以使位線與電流源電路絕緣隔離。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，位線預(yù)充電電路110配置為將相應(yīng)的位線連4妄到RESET電位，該電位具有大于電源電壓的電位VoD的電位。在一個實施例中，RESET電位等于電源電壓。在一個實施例中，RESET電位小于電源電壓。在另一實施例中，電荷泵被使用且RESET電流脈沖高于芯片電源電壓。得到的RESET電流月永沖幅^直是所^是高的RESET電^f立的函凄t。因此，因為RESET電壓影響RESET電流樂P中幅^直，所以位線預(yù)充電電路110作為寫RESET電路工作。在一個實施例中，RESET電流樂jo中持續(xù)時間是由相應(yīng)的字線被激活的時刻決定的。在替換實施例中，RESET脈沖持續(xù)時間可以由位線預(yù)充電電路110將其與RESET電4立斷開或4夸RESET電流經(jīng)由另一電流贈4圣分力乾至地來決定的。參考圖2，圖2示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的讀/寫電路結(jié)構(gòu)200。該電路結(jié)構(gòu)包括讀電路220,其包括具有柵極控制端223的晶體管221,柵4及控制端通過切換元件209選擇性地連接到另一晶體管207。閉合時，作為用于相應(yīng)的位線202a的電流源電路206的晶體管207連接到晶體管221以形成電流鏡電路222。以上述方式，在讀取過程中流過位線的電流^皮帶有增益系教:地鏡-像到讀取電路220，該增益系數(shù)是晶體管207、222的相對尺寸的函數(shù)。電流鏡電路222中的鏡像電流由轉(zhuǎn)換電路224(例如，在示例性實施例中的電阻)轉(zhuǎn)換為電壓。然后讀取放電電路226將該讀取電壓與參考電壓230進行比較，因此其輸出狀態(tài)表示所讀取的存儲單元214的4犬態(tài)。由以上描述可知，與每個電流源電路206相關(guān)聯(lián)的開關(guān)209可操作地將相應(yīng)的位線202與讀電路220相連或絕緣隔離。在一個實施例中，結(jié)構(gòu)200配置為多條位線202a-202n,多條位線可操作地與給定讀電路220連接，僅一個開關(guān)209閉合。因此，僅那條位線可操作地連接到讀電路，而其它位線開關(guān)209都斷開，從而將這些4立線與讀電路220電絕^彖隔離。在讀取與給定位線(即，位線202a)相關(guān)聯(lián)的存^f諸單元214的過程中，當(dāng)開關(guān)213將晶體管211的控制端連接到偏電位VBIAS時，晶體管211通過開關(guān)213被激活。在上述實施例中，晶體管211操作為將位線202a連接到電流源電路206的位線選擇電路208。仍然參考圖2的結(jié)構(gòu)200的讀操作，位線預(yù)充電電路210操作以保證激活的位線202a不祐j立到預(yù)定電位，例如一個實施例中的電路地。在這種情況下，包括晶體管215和217的電路210分別被在其控制輸入端225和227的適當(dāng)控制信號關(guān)閉。然而，在讀取之前，晶體管217可以被激活以將單獨位線202a預(yù)充電到預(yù)定電位。此外，對于圖2中諸如位線220b在讀取過程中的未選擇位線，晶體管2174皮激活以經(jīng)未選4奪位線4立到諸如電路地的預(yù)定電位。隨著激活位線的位線預(yù)充電電路210的去激活，與將^皮讀取的期望存儲單元相關(guān)聯(lián)的字線選擇電路212被激活，從而將存儲元件214連接到位線202a。在一個實施例中，字線選擇電路212包括被:粒高的字線204a導(dǎo)通的字線選擇晶體管229。在上述方式中，在位線202a中將有電流流動，電流值是將^皮讀取的存儲元件214的狀態(tài)的函凄史。額外注意的是，在讀取過程中，位線選擇電路208作為位線電壓鉗工作。當(dāng)晶體管211被連接到VwAs的開關(guān)213激活時，位線202a被鉗位在與VwAs成比例的電壓，從而使得位線電壓基本上與電源電壓VoD的波動無關(guān)。此外，在一個實施例中，Vbias的值可以被優(yōu)選，而與VoD無關(guān)。在一個實施例中，放大器反饋回路與鉗位裝置一起用于改進4餘位電路的速度和準確性。位線202a上的電流源自電流源電路206的晶體管207,并由于開關(guān)209閉合而鏡像到讀電路220。讀電路220然后輸出所讀取的存々者單元214的值或狀態(tài)。在一個實施例中，通過一次選擇性地激活不同字線204a-204m(未示出)中的一條，可以以交替的方式繼續(xù)讀取;敫活4立線202a的其它單元。下面結(jié)合圖2中結(jié)構(gòu)200描述編程或?qū)懖僮?，下面的描述將結(jié)合諸如相變存儲器的阻抗切換存儲裝置。然而，應(yīng)該理解在此強調(diào)的結(jié)構(gòu)不是局限于此，也可以釆用和預(yù)見到其它的存儲元件也適于本發(fā)明。在相變存儲器中，相變元件可以;陂編程為SET(置位)狀態(tài)或RESET(重置)狀態(tài)。典型地，用與用于RESET脈沖的電流脈沖相比具有4交長持續(xù)時間的輕欣幅值的電流脈沖建立SET狀態(tài)。SET脈沖^^慢地加熱相變材料以實現(xiàn)相對的結(jié)晶狀態(tài)，而RESET脈沖快速加熱/融化該材料，然后快速冷卻該材料以形成非晶狀態(tài)。在SET操作中，與將被編程的存儲單元相關(guān)聯(lián)的位線通過斷開離。此夕卜，與相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的4立線選擇電路208通過由相應(yīng)的開關(guān)213將晶體管211的控制端連接到偏電位Vwas而被激活。在一個實施例中，相應(yīng)的4立線的4立線預(yù)充電電路210是未;敫活的，其中晶體管215和217截止。一旦與纟奪凈皮SET的存々者單元214相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)字線激活，存儲元件被連接到激活的位線，從而使SET電流流過存儲元件214。位線上的電壓幅值(從而SET脈沖的電流幅值)相對于VB!As被作為嵌位的電阻211限制。在一個實施例中，SET電流脈沖的出現(xiàn)持續(xù)時間由相應(yīng)的字線被激活的時刻所決定，其中，當(dāng)字線再次被拉低時，SET脈沖結(jié)束。在替換實施例中，位線預(yù)充電電路210中的晶體管217可以#皮激活以<吏SET電流分流至地，盡管這樣的解決方案提取較大量的功率。在RESET操作中，通過斷開相應(yīng)的開關(guān)209使相應(yīng)位線再次與所述讀電路220電絕緣隔離。另外，通過將晶體管211的控制端連接到諸如電路地的低電位，相應(yīng)的開關(guān)213使得位線選擇電路208去激活。在RESET操作中，位線預(yù)充電電路210被激活，其中晶體管215導(dǎo)通，而晶體管217截止(在很多情況下，晶體管217可以先前為導(dǎo)通以在未^皮激活時將位線接j也)。通過激活晶體管215,相應(yīng)的位線被拉升到RESET電壓值Vreset。在一個實施例中，Vreset是大于電源電壓Vdd的但。在一個實施例中，RESET電壓等于或小于電源電壓。與將被編程的存儲單元相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)的字線被激活。在一個實施例中，這樣的激活包括將字線提升為"高"，從而激活晶體管229并將存儲元件214連接到位線。然后，具有由大約為Vreset的提升的位線電壓決定的電流值的RESET電流流過存儲元件214。在一個實施例中，RESET脈沖持續(xù)時間是由對應(yīng)于提升的字線的晶體管229導(dǎo)通的持續(xù)時間決定的。在另一實施例中，RESET脈沖持續(xù)時間是由位線預(yù)充電電路210中的晶體管225的導(dǎo)通時刻決定。在又一實施例中，RESET脈沖持續(xù)時間是由晶體管227被再激活從而將RESET電;危分流至;也的時刻決定的。在圖2的本發(fā)明的一個實施例200中，對于沿給定位線的單元的編程，每次執(zhí)行一個存儲單元。此外，由于每個位線具有其自身的編程電路，所以可以同時執(zhí)行沿多條位線的編程。在替換實施例中，沿^會定^f立線的多個單元可以以同時的方式^皮SET。然后，在SET操作后，沿給定位線的多個單元可以以同時的方式被RESET(SET/RESET的順序可以交換)。盡管根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例描述和示出了本發(fā)明，但是可以在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，可以對本發(fā)明的實施例進行替換或i多改。特別對于上述部件或結(jié)構(gòu)(組件、裝置、電路、系統(tǒng)等)所執(zhí)行的各種功能、用于描述這些功能的術(shù)語(包括涉及的"裝置(means)，，)，除了特別指出的，旨在對應(yīng)于執(zhí)行所述部件的特定功能的任何部件或結(jié)構(gòu)(即，功能上等同)，盡管結(jié)構(gòu)上不等同于所披露的執(zhí)行在此示出的根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例中的功能的結(jié)構(gòu)。此外，盡管本發(fā)明的特定特征可能僅被多個實施例中的一個實施例所披露，但是這樣的特征可以根據(jù)需要與其它實施例中的一個或多個其它特征和給定特別應(yīng)用中的有利部分相結(jié)合。此外，對于在具體實施方式和權(quán)利要求中所使用的術(shù)語"包括"、"具有"或其它變體的范圍應(yīng)理解為"包括"，與術(shù)語"包括(comprising)，，類似。權(quán)利要求1.一種存儲器裝置，包括存儲單元的陣列部，成行和列布置，其中，所述行與字線對應(yīng)以及所述列與位線對應(yīng)；以及組合讀/寫電路，與所述陣列部中的每條相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)，所述組合讀/寫電路被配置為從與所述相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的存儲單元讀取或者向與所述相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的存儲單元寫入。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述組合讀/寫電路包括位線選擇電路，被配置為選擇性地將所述相應(yīng)的位線連接到與所述陣列部中每條所述位線相關(guān)聯(lián)的讀出線。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述存儲器包括相變存儲器，以及其中，所述組合讀/寫電路包括寫置位電路部，被配置為在置位操作中，影響提供給與所述相應(yīng)的位線的所選擇的字線相關(guān)聯(lián)的相變元件的電流置位脈沖幅值。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述存儲器包括相變存儲器，以及其中所述組合讀/寫電路包括寫復(fù)位電路部，被配置為在復(fù)位操作中，提供給與所述相應(yīng)的位線的所選擇的字線相關(guān)聯(lián)的相變元件的電流復(fù)4立樂P中幅值。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述組合讀/寫電路包括位線預(yù)充電電路部，被配置為將非選擇的位線拉到預(yù)定的電4立。6.—種阻抗存々者器，包4舌阻抗存儲單元的陣列部，包括多條位線；以及組合讀/寫電路，可操作地與位線相關(guān)聯(lián)，其中，所述組合讀/寫電路包括位線選擇電路，被配置為在第一狀態(tài)中將所述位線與讀出電路隔離，以及在第二狀態(tài)中將所述位線連接到讀偏壓電位。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲器，其中，所述組合讀/寫電路還包括位線預(yù)充電電路，被配置為在所述位線沒有被選作對其進行尋址時，將所述位線拉到第一預(yù)定電位。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的阻抗存儲器，其中，所述位線預(yù)充電電3各還#:配置為當(dāng)與所述位線相關(guān)聯(lián)的阻抗元件^皮選作編程為復(fù)位狀態(tài)時，將所述位線拉到第二預(yù)定電位，其中，所述第二預(yù)定電位等于、小于、或大于所述阻抗存儲器的電源電壓電位。9.才艮據(jù)權(quán)利要求7所述的阻抗存儲器，其中，所述位線預(yù)充電電路還^皮配置為當(dāng)與所述位線相關(guān)聯(lián)的阻抗存儲元件;汰選作編程為置位狀態(tài)時，使得所述位線浮動。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲器，其中，所述組合讀/寫電路還包括選擇地可激活的電流鏡電路，被配置為在所述第二狀態(tài)中將所述位線中的電流鏡到讀出電路，以及在所述第一狀態(tài)中將所述位線與所述讀出電路隔離。11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲器，其中，所述組合讀/寫電路還包括字線選擇電路，被配置為選擇性地將阻抗元件連接到所述^f立線。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的阻抗存儲器，其中，所述字線選擇電路還^皮配置為指示所述阻抗元件岸義受編程電流的時間周期。13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲器，其中，所述位線選擇電路被配置為指示所述阻抗存儲器承受置位狀態(tài)編程電流的時間周期。14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲器，其中，所述阻抗存儲單元包括相變存々者單元。15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲器，其中，所述阻抗存儲器單元包括包含過渡金屬氧化物的部件。16.—種存儲器裝置，包括阻抗存儲單元的陣列部，以4亍和列布置，其中，所述4亍與字線對應(yīng)以及所述列與4立線對應(yīng)；以及尋址裝置，用于為讀操作和寫操作沿位線尋址一個或多個存儲單元，其中，所述尋址裝置唯一地與所述位線相關(guān)聯(lián)。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器裝置，還包括讀出裝置，可操作地與多條位線相關(guān)聯(lián)，用于輸出與所述多條位線的一條相關(guān)聯(lián)的存儲單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的值。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器裝置，其中，所述尋址裝置包括位線選擇裝置，用于選擇地將所述相應(yīng)的位線連接到與所述陣列部中每條所述位線相關(guān)聯(lián)的讀出線。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器裝置，其中，所述存儲器包括阻抗存儲器，以及其中，所述尋址裝置包括寫置位電路裝置，用于在置位操作中影響提供給與所述相應(yīng)的位線的所選擇的字線相關(guān)聯(lián)的阻抗元件的電流置位力永沖幅值。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器裝置，其中，所述存儲器包括阻抗存儲器，以及其中所述尋址裝置包括寫復(fù)位電路裝置，用于在復(fù)位操作中，將電流復(fù)位脈沖幅值提供給與所述相應(yīng)的位線的所選擇的字線相關(guān)聯(lián)的阻抗元件。21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器裝置，其中，所述阻抗存儲單元包括相變存々者單元。22.—種尋址存儲器的方法，包括使用與位線唯一相關(guān)聯(lián)的組合讀/寫電路尋址與所述位線相關(guān)聯(lián)的存書者單元。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，使用所述組合讀/寫電路包括選擇性地將位線連接到與所述存儲器的多條位線相關(guān)聯(lián)的讀出線。24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述存儲器包括相變存儲器，以及其中使用所述組合讀/寫電路包括在置位寫操作期間，將所述位線連接到第一預(yù)定電位以影響編禾呈電《u幅值；以及在復(fù)位寫#:作期間，將所述位線連接到比所述第一預(yù)定電位高的第二預(yù)定電位以影響編程電流幅值。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，還包括通過選擇地將相變元件連接到所述位線和將所述相變元件與所述位線分離來控制所述編禾呈電;充的持續(xù)時間。全文摘要一種存儲器裝置，包括成行列布置的阻抗存儲單元的陣列部，其中行對應(yīng)于字線以及列對應(yīng)于位線。該裝置還包括與陣列部中每個位線相關(guān)聯(lián)的組合讀/寫電路，該電路用于從與相應(yīng)的位線連接的阻抗存儲單元讀取或向與相應(yīng)的位線連接的阻抗存儲單元寫入。文檔編號G11C7/22GK101169965SQ20071016542公開日2008年4月30日申請日期2007年10月25日優(yōu)先權(quán)日2006年10月25日發(fā)明者托馬斯·哈普,托馬斯·尼爾希申請人:奇夢達北美公司