專(zhuān)利名稱(chēng)：減小非易失性存儲(chǔ)器讀取延遲的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，具體地涉及具有NAND結(jié)構(gòu) 的閃存設(shè)備，并且更具體地涉及通過(guò)附加的命令集和/或寄存器組來(lái) 減小NAND閃存訪問(wèn)操作延遲的方法。
背景技術(shù)：
閃存設(shè)備，例如在移動(dòng)終端中使用的閃存設(shè)備，通常具有多個(gè) 分區(qū)。這些分區(qū)可以是二進(jìn)制分區(qū)(只讀)和讀寫(xiě)分區(qū)。在寫(xiě)入操 作期間，在寫(xiě)操作完成之前都不能從存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)。對(duì)于實(shí)時(shí) 應(yīng)用，這會(huì)引發(fā)不期望的或不能接受的讀取延遲。在任何應(yīng)用中， 如果在執(zhí)行寫(xiě)入操作時(shí)可以從只讀分區(qū)讀取數(shù)據(jù)，則整體系統(tǒng)性能
將提高。
其中，按需調(diào)頁(yè)(paging-on-demand )技術(shù)是讀取延遲對(duì)于其很 關(guān)鍵的應(yīng)用的例子，其中，在需要數(shù)據(jù)頁(yè)之前，不會(huì)將數(shù)據(jù)頁(yè)從數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)器拷貝到RAM中。存儲(chǔ)器被組織為通常所稱(chēng)的塊和頁(yè)，每一 頁(yè)典型地包含512字節(jié)。塊由若干頁(yè)組組成并具有16kB的大小。為 了降低所需的存儲(chǔ)器大小，僅裝載應(yīng)用當(dāng)前需要的頁(yè)。因此，請(qǐng)求 調(diào)頁(yè)需要連續(xù)的讀取過(guò)程和寫(xiě)入過(guò)程。在NAND閃存系統(tǒng)中，普遍 應(yīng)用按需調(diào)頁(yè)，但是用于該技術(shù)的系統(tǒng)的主要缺點(diǎn)是讀取操作和寫(xiě) 入操作不能同時(shí)執(zhí)行。每個(gè)頁(yè)的取回操作將阻礙整個(gè)系統(tǒng)，直到該 頁(yè)被完全加載，這相當(dāng)大地減緩了應(yīng)用的執(zhí)行。
雖然NOR閃存支持同時(shí)讀寫(xiě)(read-while-write )技術(shù)，但是NOR 類(lèi)型的存儲(chǔ)器因?yàn)槎喾N原因 一般不用于存儲(chǔ)卡。由于NOR存儲(chǔ)器的 并行結(jié)構(gòu)，與NAND相比，NOR存儲(chǔ)器表現(xiàn)出較慢的寫(xiě)入和擦除性 能，因此主要用作只讀存儲(chǔ)器，例如用于程序代碼。另外，與NAND設(shè)備相比，對(duì)于每一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量，NOR設(shè)備占用更多的棵片空間， 所以NAND閃存更適于將大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在有限的空間中，例如存儲(chǔ) 在移動(dòng)設(shè)備中。
所描述的任何特性和問(wèn)題都存在于基于閃存的存儲(chǔ)卡和嵌入式 大容量存儲(chǔ)設(shè)備中。因此，需要提供一種控制NAND閃存卡和嵌入 式大容量存儲(chǔ)設(shè)備上的讀取過(guò)程的方法，以降低讀取延遲時(shí)間。這 可以通過(guò)附加的命令集和/或寄存器組控制讀寫(xiě)入操作來(lái)實(shí)現(xiàn)。新的 命令集和/或寄存器組可以作為閃存設(shè)備的存儲(chǔ)器控制器的第二 "虛 擬，，端口，其允許即-使另外的寫(xiě)入^^乘作正在進(jìn)行也可以快速讀訪問(wèn) 存儲(chǔ)器設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
為了降低訪問(wèn)NAND閃存的讀取延遲，可定義由閃存支持的附 加命令集和/或寄存器組。借助于該命令集和/或寄存器組，除了存儲(chǔ) 器控制器的現(xiàn)有數(shù)據(jù)端口還創(chuàng)建了 "虛擬"端口。這可以通過(guò)在存 儲(chǔ)器設(shè)備中控制任何讀取/寫(xiě)入命令以使得能夠在寫(xiě)入操作/擦除操 作進(jìn)行時(shí)處理讀取請(qǐng)求來(lái)實(shí)現(xiàn)?？梢杂脙蓚€(gè)或更多NAND芯片來(lái)應(yīng) 用控制，其中存儲(chǔ)器控制器以這樣的方式控制同時(shí)讀寫(xiě)，即，當(dāng)在 一個(gè)芯片上寫(xiě)入/或擦除的同時(shí)，能夠從一個(gè)芯片上讀?。换蛘呖蛇x 地，可以使用具有附加功能(例如實(shí)時(shí)的同時(shí)讀寫(xiě)訪問(wèn)功能或掛起 功能)的NAND芯片來(lái)應(yīng)用控制，其中只需要一個(gè)這樣的NAND芯 片，并且存儲(chǔ)器控制器可在該一個(gè)芯片分離的塊上進(jìn)行讀取和寫(xiě)入， 或者在執(zhí)行讀取操作前桂起寫(xiě)入操作。


以下通過(guò)用于解釋說(shuō)明的示例性實(shí)施例和附圖描述本發(fā)明，其
中
圖1示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的閃存系統(tǒng)； 圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的自動(dòng)掛起讀取過(guò)程的流程圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的方法示出的優(yōu)先權(quán)參數(shù)的另一個(gè)流程圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示出桂起參數(shù)的另 一個(gè)流程圖。
具體實(shí)施例方式
在圖1中，根據(jù)本發(fā)明的配置被示意性示出。非易失性存儲(chǔ)設(shè) 備l包括至少一個(gè)NAND類(lèi)型閃存芯片12、 14、 16和具有連接到外 部主機(jī)4的接口的存儲(chǔ)器控制器2。外部主機(jī)設(shè)備4可用這樣的終端
器。主機(jī)可能需要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器設(shè)備1中的信息以執(zhí)行程序代碼或 在主機(jī)上顯示信息，例如存儲(chǔ)在移動(dòng)通信終端中的內(nèi)部閃存或閃存 卡上的信息。主機(jī)能夠控制此存儲(chǔ)器訪問(wèn)并與存儲(chǔ)器設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù) 通信。為此，主機(jī)連接到存儲(chǔ)器控制器，或可選地，若主機(jī)負(fù)責(zé)所 有的訪問(wèn)控制并且若存儲(chǔ)器設(shè)備的結(jié)構(gòu)不需要分離的控制器，則主 機(jī)可直接連接到存儲(chǔ)器設(shè)備。例如，主機(jī)可以是臺(tái)式機(jī)、掌上電腦、 移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)或任何基于能夠使用非易失性存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ) 介質(zhì)的其它類(lèi)型計(jì)算機(jī)/微控制器。非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備可以提供為 例如可移動(dòng)存儲(chǔ)器元件(存儲(chǔ)卡)或配置在設(shè)備中的嵌入式大容量 存儲(chǔ)器。
存儲(chǔ)器控制器2的讀取/寫(xiě)入端口 8用于訪問(wèn)NAND存儲(chǔ)器芯片 以根據(jù)預(yù)先定義的說(shuō)明書(shū)在存儲(chǔ)器芯片1上執(zhí)行讀取操作和/或?qū)懭?操作。存儲(chǔ)器芯片包括在若干分區(qū)上的讀寫(xiě)數(shù)據(jù)(即，用于數(shù)據(jù)存 儲(chǔ))和只讀數(shù)據(jù)(例如程序代碼)。讀寫(xiě)數(shù)據(jù)可置于若干芯片中或 至少一個(gè)存儲(chǔ)器芯片的若干塊中。
通過(guò)提供命令集(單狀態(tài)機(jī))和/或寄存器組(多狀態(tài)機(jī))，存 儲(chǔ)器控制器能夠允許讀訪問(wèn)存儲(chǔ)器設(shè)備的 一個(gè)第 一存儲(chǔ)器單元，同 時(shí)寫(xiě)入/擦除該設(shè)備的第二存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器單元可對(duì)應(yīng)于例如分 離的NAND芯片或至對(duì)應(yīng)于少一個(gè)存儲(chǔ)器芯片的分離的塊。如果 NAND芯片不能進(jìn)行內(nèi)部的同時(shí)讀寫(xiě)操作或掛起操作，則至少應(yīng)該 提供兩個(gè)NAND芯片以應(yīng)用本發(fā)明的方法。如圖l所示，存儲(chǔ)器控制器具有用于NAND存儲(chǔ)器芯片的讀取 和寫(xiě)入/擦除訪問(wèn)或用于NAND存儲(chǔ)器芯片的至少第一存儲(chǔ)器單元 12、 14的讀耳又和寫(xiě)入/4察除訪問(wèn)的讀寫(xiě)端口 8。另外，通過(guò)上文提及 的命令集和/或寄存器組可將第二讀寫(xiě)端口 IO實(shí)現(xiàn)為"虛擬"端口。 該端口用于加快對(duì)圖1例子中的第二存儲(chǔ)器單元16上的只讀數(shù)據(jù)的 讀取訪問(wèn)操作。主機(jī)可經(jīng)由主機(jī)接口 6與存儲(chǔ)器控制器2進(jìn)行通信， 從而使對(duì)讀取操作和寫(xiě)入操作的控制可選地可以由主才幾4執(zhí)行。將 要寫(xiě)入到存儲(chǔ)器上的數(shù)據(jù)或?qū)⒁獜拇鎯?chǔ)器中讀取的數(shù)據(jù)也經(jīng)由主機(jī) 接口傳輸。
另一個(gè)示例性實(shí)施例使用具有附加功能的NADN類(lèi)型閃存芯 片，這些芯片有望在近年被研發(fā)出來(lái)。附加的能力可包括在NAND 芯片上實(shí)際的同時(shí)讀寫(xiě)訪問(wèn)或在其它類(lèi)型的閃存中知的掛起功 能。這些附加的特性使得實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的思想僅需要一個(gè)NAND芯片， 盡管多芯片可以如在上述NAND結(jié)構(gòu)的情況下使用。
當(dāng)NAND芯片支持同時(shí)讀取操作/寫(xiě)入操作時(shí)，存儲(chǔ)卡控制器可 發(fā)出命令給同一NAND芯片的不同存儲(chǔ)塊。這樣，寫(xiě)入操作/擦除操 作可在芯片的第一存儲(chǔ)塊上執(zhí)行，而一個(gè)或多個(gè)讀取操作同時(shí)在其 它存儲(chǔ)塊上執(zhí)行。這些存儲(chǔ)塊可設(shè)置在同一 NAND芯片上作為第一 存儲(chǔ)塊或設(shè)置在不同的存儲(chǔ)器芯片上。存儲(chǔ)卡控制器防止交疊的存 儲(chǔ)器訪問(wèn)(即，防止對(duì)單個(gè)存儲(chǔ)器組的多于一個(gè)的請(qǐng)求)。
為了防止這樣的交疊，控制器應(yīng)當(dāng)意識(shí)到正在執(zhí)行的操作在存 儲(chǔ)器設(shè)備的哪里執(zhí)行。這例如可以通過(guò)忙碌信號(hào)或指示對(duì)存儲(chǔ)器設(shè) 備的訪問(wèn)正被請(qǐng)求或正在處理的某類(lèi)標(biāo)志來(lái)確保。當(dāng)控制器檢測(cè)至'j 正在執(zhí)行的操作或接收到若干請(qǐng)求時(shí)，如上所述的，控制器將以確 保同 一時(shí)間只有一個(gè)命令指向 一個(gè)存儲(chǔ)器單元的方式發(fā)出命令。
在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中，使用具有掛起能力的NAND 芯片來(lái)減小讀取延遲。這里，寫(xiě)入操作/擦除操作被掛起以能夠執(zhí)行 具有更高優(yōu)先級(jí)的讀取操作。讀取進(jìn)程應(yīng)當(dāng)在恢復(fù)中斷的寫(xiě)入操作 或擦除操作之前完成。具有掛起時(shí)間為500口秒的NAND存儲(chǔ)器設(shè)備可以得到并且足夠用于實(shí)時(shí)讀取應(yīng)用/寫(xiě)入應(yīng)用。
為此目的，若干實(shí)現(xiàn)新的讀取命令的方式是可行的。 一個(gè)選擇 就是以任何讀取命令自動(dòng)具有比擦除命令/寫(xiě)入命令更高優(yōu)先級(jí)的方 式定義命令集。接著，讀取命令的使用將觸發(fā)正在存儲(chǔ)器芯片上執(zhí)
行的任何操作的掛起。圖2中示出了在讀過(guò)程中這樣的自動(dòng)掛起可
能的執(zhí)行。
為了保留根據(jù)發(fā)生的情況決定掛起的可能性，主機(jī)可在可由存 儲(chǔ)器控制器檢測(cè)的讀取命令幀中包括優(yōu)先權(quán)參數(shù)，使得并非所有的
讀取操作都必然地觸發(fā)掛起。圖3中示出了這樣的示例性實(shí)施例。 在步驟301中，存儲(chǔ)器控制器等待接收主機(jī)的新命令。當(dāng)接收到讀 取命令(步驟302 )，封裝在該命令中的優(yōu)先權(quán)參數(shù)被存儲(chǔ)器控制器 校驗(yàn)(303 )。優(yōu)先權(quán)參數(shù)的執(zhí)行例如通過(guò)以下方式，即需要實(shí)現(xiàn)特 定條件以觸發(fā)桂起，或定義若干優(yōu)先權(quán)級(jí)以允許存儲(chǔ)器控制器確定 是否讀取命令比活躍的寫(xiě)入操作/擦除操作具有更高的優(yōu)先權(quán)。該寫(xiě)
入操作/擦除操作的在前發(fā)起在圖3中未示出。以下通過(guò)示例的方式 來(lái)假設(shè)讀取命令的優(yōu)先權(quán)作為比特值或數(shù)字值給出，并且為存儲(chǔ)器 控制器定義預(yù)先設(shè)定的優(yōu)先權(quán)閾值。如果接收到的讀取命令的優(yōu)先 權(quán)參數(shù)超出了預(yù)先設(shè)定的優(yōu)先權(quán)閾值，則任何正在進(jìn)行的寫(xiě)入操作/ 擦除操作或任何可選的操作(包括讀取操作)被掛起(步驟305 )。 然而，如果優(yōu)先權(quán)參數(shù)表現(xiàn)出比接收到的讀取命令更低的優(yōu)先權(quán)，
這可以通過(guò)發(fā)信號(hào)響應(yīng)給主機(jī)?？蛇x地，讀取命令可以通過(guò)存儲(chǔ)器 控制器以適當(dāng)?shù)姆绞奖淮鎯?chǔ)，并且一旦寫(xiě)入操作/擦除操作完成該讀 取命令便被執(zhí)行。
如步驟306所示，寫(xiě)入操作/擦除操作掛起之后，存儲(chǔ)器控制器 執(zhí)行讀取操作并且傳輸讀取命令所請(qǐng)求的數(shù)據(jù)給主機(jī)。接著，寫(xiě)入 操作/擦除操作由存儲(chǔ)器控制器自動(dòng)恢復(fù)(步驟307 )。正如在步驟 306中所看到的，數(shù)據(jù)傳輸回主機(jī)后，存儲(chǔ)器控制器已經(jīng)在等待來(lái)自 主機(jī)的新命令。以這種方式，單個(gè)寫(xiě)入操作/擦除操作或例如順續(xù)地寫(xiě)入可以由具有相應(yīng)優(yōu)先權(quán)參數(shù)的讀取操作掛起多次。雖然主機(jī)發(fā) 出優(yōu)先權(quán)參數(shù)被或?qū)⑵浒ㄔ诿钪?，但是?shí)際的過(guò)程由存儲(chǔ)器控
制器控制。
以同樣的方式，如圖4中的示例，掛起參數(shù)可以附加到讀取命 令并且因此觸發(fā)任何其它操作的掛起。在步驟402中，當(dāng)讀取命令 由存儲(chǔ)器控制器接收時(shí)，存儲(chǔ)器控制器在步驟403中例如通過(guò)校驗(yàn) 標(biāo)記來(lái)確定讀取命令是否包括掛起參數(shù)。如果在命令中檢測(cè)到掛起 參數(shù)，就像前面描述的在步驟305中的優(yōu)先權(quán)參數(shù)的情形一樣，執(zhí) 行正在進(jìn)行的寫(xiě)入操作和后續(xù)的讀取操作的掛起。不具有掛起參數(shù) 的讀取命令因此對(duì)應(yīng)于具有圖3中較低優(yōu)先權(quán)的讀取命令，并且僅 僅當(dāng)沒(méi)有寫(xiě)入操作/擦除操作在存儲(chǔ)器單元運(yùn)行時(shí)才執(zhí)行。
也可以發(fā)出分離的掛起命令，其觸發(fā)正在進(jìn)行的操作的掛起， 并且接著可以以傳統(tǒng)方式在存儲(chǔ)器芯片上處理任何被期待的訪問(wèn)命 令，例如讀取命令。
另 一種可能性是掛起任何正在進(jìn)行的來(lái)自或去往閃存設(shè)備的數(shù) 據(jù)傳輸，并且立即發(fā)出快速讀取命令。數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪@種掛起可通過(guò) 與正在進(jìn)行的訪問(wèn)操作的掛起相同的方式觸發(fā)，也就是通過(guò)具有優(yōu) 先權(quán)參數(shù)的讀取命令、不具有優(yōu)先權(quán)參數(shù)的讀取命令來(lái)觸發(fā)或者通 過(guò)分離的掛起命令來(lái)觸發(fā)。
操作/擦除操作的掛起或同時(shí)的同時(shí)讀寫(xiě)觸發(fā)使能除了已存在的訪問(wèn) 之外的并行狀態(tài)機(jī)。此附加的訪問(wèn)可被認(rèn)為是虛擬端口 。
在所有給出的示例中，存儲(chǔ)器訪問(wèn)的控制或者可以由主機(jī)設(shè)備 代替存儲(chǔ)器控制器實(shí)現(xiàn)。存儲(chǔ)器芯片訪問(wèn)可以是地址控制的或非地 址控制的，例如該存儲(chǔ)器芯片訪問(wèn)可以經(jīng)由片選信號(hào)實(shí)現(xiàn)。
歸因于所需的附加邏輯和各種支持本發(fā)明思想的更昂貴的存儲(chǔ) 器芯片，本發(fā)明的方法顯然增加了系統(tǒng)閃存的花銷(xiāo)，然而，作為回 報(bào)，典型地減少了系統(tǒng)中所需的RAM,應(yīng)用本發(fā)明方法的系統(tǒng)的整 體存儲(chǔ)器花費(fèi)將顯著地降低，同時(shí)就像描述的可獲得讀取延遲的進(jìn)一步的利益。
因此，給出了實(shí)現(xiàn)具有低讀取延遲的NAND閃存設(shè)備的方法， 以使得具有大存儲(chǔ)能力并具有快速存取時(shí)間的存儲(chǔ)卡和/或嵌入式存 儲(chǔ)器容易實(shí)現(xiàn)。盡管本發(fā)明已經(jīng)針對(duì)特定實(shí)施例、存儲(chǔ)器類(lèi)型和具 體命令機(jī)制說(shuō)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到這些只能以示例的 方式加以理解，并且決不是試圖于限定由說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求及它們 的結(jié)合而給出的本發(fā)明的范圍。因此，說(shuō)明書(shū)和附圖也認(rèn)為是示例 而不是限制的意思。
權(quán)利要求
1、一種用于在非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備中控制訪問(wèn)操作的方法，所述非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備包括存儲(chǔ)器控制器和至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器芯片，所述方法包括利用所述存儲(chǔ)器控制器在第一存儲(chǔ)器單元上發(fā)起寫(xiě)入操作和/或擦除操作；利用所述存儲(chǔ)器控制器通過(guò)命令集在第二存儲(chǔ)器單元上發(fā)起讀取操作；并且其中，所述讀取操作與所述寫(xiě)入操作和/或擦除操作同時(shí)執(zhí)行。
2、 如權(quán)利要求l所述的方法，所述非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備包括至 少兩個(gè)NAND閃存芯片，其中所述第一存儲(chǔ)器單元和所述第二存儲(chǔ) 器單元對(duì)應(yīng)于第一 NAND存儲(chǔ)器芯片和第二 NAND存儲(chǔ)器芯片。
3、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ) 器芯片包括能夠同時(shí)執(zhí)行同時(shí)讀寫(xiě)訪問(wèn)的NAND閃存芯片，其中所 述第 一存儲(chǔ)器單元是所述至少 一個(gè)存儲(chǔ)器芯片上的第 一存儲(chǔ)塊，并 且所述第二存儲(chǔ)器單元是所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器芯片上的第二存儲(chǔ) 塊。
4、 如權(quán)利要求3所述的方法，所述非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備包括至 少兩個(gè)NAND存儲(chǔ)器芯片，其中所述第一存儲(chǔ)器塊和所述第二存儲(chǔ) 器塊是兩個(gè)不同NAND芯片的存儲(chǔ)器塊。
5、 如權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包括利用所述存儲(chǔ)器控 制器從外部主機(jī)設(shè)備接收所述命令集中的至少 一 個(gè)。
6、 一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的程序 代碼裝置，當(dāng)所述程序代碼裝置在計(jì)算裝置或處理裝置上執(zhí)行時(shí)， 其用于執(zhí)行權(quán)利要求1的操作。
7、 一種用于在非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備中控制訪問(wèn)操作的方法，所 述非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備包括存儲(chǔ)器控制器和至少 一 個(gè)NAND類(lèi)型的存儲(chǔ)器芯片，其中所述NAND芯片具有掛起能力，所述方法包括 利用所述存儲(chǔ)器控制器通過(guò)命令集在第一存儲(chǔ)器單元上掛起至少一個(gè)寫(xiě)入操作和/或擦除操作；以及隨后利用所述存儲(chǔ)器控制器通過(guò)命令集在存儲(chǔ)器單元上發(fā)起讀取操作。
8、 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述命令集包括用于發(fā)起所述讀取#:作的讀取命令。
9、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述讀取命令自動(dòng)觸發(fā)任何 正在進(jìn)行的寫(xiě)入操作/擦除操作的掛起。
10、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述讀取命令自動(dòng)觸發(fā)去往 和來(lái)自所述閃存設(shè)備的任何數(shù)據(jù)傳輸?shù)膾炱稹?br> 11、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述讀取命令包括優(yōu)先權(quán)參 數(shù)，所述方法進(jìn)一步包括基于所述優(yōu)先權(quán)參數(shù)，確定正在進(jìn)行的 寫(xiě)入操作/擦除操作是否將被掛起。
12、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述讀取命令包括優(yōu)先權(quán)參 數(shù)，所述方法進(jìn)一步包括基于所述優(yōu)先權(quán)參數(shù)，確定正在進(jìn)行的出 和/或入的數(shù)據(jù)傳輸是否將被掛起。
13、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述讀取命令包括掛起參數(shù)， 并且其中所述掛起任何正在進(jìn)行的寫(xiě)入操作/擦除操作響應(yīng)于所述掛 起參數(shù)而被執(zhí)行。
14、 如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括在發(fā)出所述讀取命令 之前發(fā)出掛起命令，所述掛起命令用于觸發(fā)任何正在進(jìn)行的讀取操 作/寫(xiě)入操作的掛起。
15、 如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括在發(fā)出所述讀取命令 之前發(fā)出掛起命令，所述掛起命令用于觸發(fā)去往和/或來(lái)自所述閃存 設(shè)備的任何數(shù)據(jù)傳輸?shù)膾炱稹?br> 16、 一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的程序 代碼裝置，當(dāng)所述程序代碼裝置在計(jì)算機(jī)或處理器上執(zhí)行時(shí)，其用 于執(zhí)行權(quán)利要求7的操作。
17、 一種非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，包括存儲(chǔ)器控制器和至少一個(gè)非 易失性存儲(chǔ)器芯片，其中提供有第一存儲(chǔ)器單元和第二存儲(chǔ)器單元， 其中所述存儲(chǔ)器控制器被配置為在所述第一存儲(chǔ)器單元上發(fā)起寫(xiě)入操作和/或擦除操作；并且所述存儲(chǔ)器控制器被進(jìn)一步配置為通過(guò)命 令集在所述第二存儲(chǔ)器單元上發(fā)起讀取操作，并且其中所述存儲(chǔ)器 控制器適于同時(shí)執(zhí)行所述讀取操作與所述寫(xiě)入操作和/或擦除操作。
18、 如權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)器控制器 被進(jìn)一 步配置為掛起對(duì)存儲(chǔ)器單元的訪問(wèn)操作。
19、 如權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)器控制器 被進(jìn)一步配置為檢測(cè)所述命令集中的附加優(yōu)先權(quán)參數(shù)或掛起參數(shù)。
20、 如權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中所述第一存儲(chǔ)器單 元和第二存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)NAND閃存芯片的分離的塊。
21、 如權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，包括至少兩個(gè)NAND閃 存芯片，其中所述第一存儲(chǔ)器芯片和第二存儲(chǔ)器芯片對(duì)應(yīng)于第一 NAND閃存芯片和第二NAND閃存芯片。
22、 如權(quán)利要求17所述的設(shè)備包括用于在所述存儲(chǔ)器設(shè)備的第一存儲(chǔ)器單元上發(fā)起寫(xiě)入操作和/或 擦除操作的裝置；用于在所述存儲(chǔ)器設(shè)備的第二存儲(chǔ)器單元上發(fā)起讀取操作的裝 置；以及用于控制所述讀取操作與寫(xiě)入操作/擦除操作同時(shí)執(zhí)行的裝置。
23、 一種主機(jī)設(shè)備，包括數(shù)據(jù)傳輸單元，其被配置為在所述主機(jī)設(shè)備和閃存設(shè)備之間通信 數(shù)據(jù)；命令單元，其被配置為向所述閃存設(shè)備發(fā)出控制命令；以及其中所述主機(jī)設(shè)備能夠控制所述閃存設(shè)備，使得在完成第 一 正在 進(jìn)行的訪問(wèn)操作前，在所述閃存設(shè)備上發(fā)起第二訪問(wèn)操作。
24、 一種存儲(chǔ)器模塊，包括存儲(chǔ)器控制器和至少一個(gè)非易失性存 儲(chǔ)器芯片，其中提供有第一和第二存儲(chǔ)器單元，其中所述存儲(chǔ)器控制器被配置為在所述第 一存儲(chǔ)器單元上發(fā)起寫(xiě)入操作和/或擦除操作；并且所述存儲(chǔ)器控制器被進(jìn)一步配置為通過(guò)命令集在所述第二存儲(chǔ)器單元上發(fā)起讀取操作；并且其中所述存儲(chǔ)器控制器適于同時(shí)執(zhí)行所述讀取操作與所述寫(xiě)入 操作和/或擦除操作。
25、 一種系統(tǒng)，包括存儲(chǔ)器模塊，包括，存儲(chǔ)器控制器和至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器芯片，其中提供有第一存儲(chǔ)器單元和第二存儲(chǔ)器單元；其中所述存儲(chǔ)器控制器被配置為在所述第一存儲(chǔ)器單元 上發(fā)起寫(xiě)入操作和/或擦除操作；并且存儲(chǔ)器單元被進(jìn)一步配 置為通過(guò)命令集在所述第二存儲(chǔ)器單元上發(fā)起讀取操作；其中所述存儲(chǔ)器控制器適于同時(shí)執(zhí)行所述讀取操作與所 述寫(xiě)入操作和/或擦除操作；以及主機(jī)設(shè)備，包括數(shù)據(jù)傳輸單元，其被配置為在所述主機(jī)設(shè)備和閃存設(shè)備 之間通信數(shù)據(jù)；命令單元，其被配置為向所述閃存設(shè)備發(fā)出 控制命令；以及 其中所述主機(jī)設(shè)備能夠控制所述閃存設(shè)備，使得在第 一正在進(jìn)行 的訪問(wèn)操作完成前在所述閃存設(shè)備上發(fā)起第二訪問(wèn)操作。
全文摘要
用于控制存儲(chǔ)器設(shè)備中的訪問(wèn)操作的系統(tǒng)、裝置和方法，其中該存儲(chǔ)器設(shè)備可包括存儲(chǔ)器控制器和存儲(chǔ)器?？啥x存儲(chǔ)器裝置支持的命令、寄存器和/或其它機(jī)制，其中這樣的命令、寄存器和/或其它機(jī)制促進(jìn)控制讀取操作和寫(xiě)入操作/擦除操作，以允許這些操作同時(shí)執(zhí)行。因此，可以在第一存儲(chǔ)器上發(fā)起寫(xiě)入操作和/或擦除操作，利用命令集在第二存儲(chǔ)器上發(fā)起讀取操作，其中讀取操作和寫(xiě)入操作/擦除操作基本上同時(shí)執(zhí)行。
文檔編號(hào)G11C16/02GK101410905SQ200780010916
公開(kāi)日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2007年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月28日
發(fā)明者J·哈基南, K·米爾利, Y·格伊爾 申請(qǐng)人:諾基亞公司