專利名稱：：信息記錄介質(zhì)及其制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及通過激光照射使記錄層發(fā)生光學變化來進行信息記錄的追記型信息記錄介質(zhì)及其制作方法。
背景技術：
：已知的信息記錄介質(zhì)能夠以大容量、高速度進行信息的記錄再生。這是利用通過將激光對記錄材料進行局部照射時產(chǎn)生的熱、記錄材料向可做光學性區(qū)別的不同狀態(tài)進行變化的原理實現(xiàn)記錄的。由于這種信息記錄介質(zhì)具有可根據(jù)需要進行隨機存取且可搬性優(yōu)異的較大優(yōu)點，近年來其重要性日益提高。諸如在通過計算機的個人數(shù)據(jù)及影像信息等的記錄或保存、醫(yī)療領域、學術領域或家用錄像機的轉(zhuǎn)換等各方面的需要日益提高。目前，伴隨著應用的高性能化、圖像信息的高性能化，對相變化形記錄介質(zhì)進一步提出了達到大容量化、高密度化、高速化的要求。作為現(xiàn)有提出的介質(zhì)的種類，有可進行多次重寫的重寫型介質(zhì)和只能進行一次寫入的追記型介質(zhì)。一般情況下，由于與重寫型介質(zhì)相比追記型介質(zhì)大多可以以較少層數(shù)來實現(xiàn)，因此制作簡單并可實現(xiàn)介質(zhì)的低成本化。又因其不能重寫，適合在用戶記錄不想被破壞的數(shù)據(jù)時使用。為此，保存壽命長、可靠性高的追記型介質(zhì)在應用于檔案庫方面具有很大的需求。于是，作為追記型介質(zhì)材料，提出了若干種氧化物材料的方案。例如將以Te和Te02的混合物TeOx(0<x<2)為主要成分的記錄材料便是其中之一(參見特開昭50-46317號公報)。雖然TeC^記錄材料存在著從記錄后到信號飽和為止需要一些時間的問題，但有報告稱通過加入Pd等添加材料可以改善(參見特開昭58-54338號公報)。Te-O-Pd系記錄材料的記錄裝置可認識如下，即成膜后的Te-0-Pd膜在Te02中是Te-Pd、Te、或Pd以微粒子狀分散著的復合材料。激光照射后，此復合材料熔融，形成比Te、Te-Pd及Pd更大的結(jié)晶粒子并析出，因此光學狀態(tài)改變，其差別可作為信號進行檢測。此記錄裝置也可認為是通過改變其組成來進行變化的。另一方面，近年來，伴隨著信息的大容量化，要求信息記錄介質(zhì)的記錄密度加以提高。因此需要開發(fā)出更短波長、高數(shù)值口徑(高NA)的光學系統(tǒng)，尤其是能夠?qū)褂盟{紫色激光的高密度記錄的記錄介質(zhì)。于是提出了為了將上述的Te-O-Pd系記錄材料在藍紫色波段使用，通過在記錄層上并設電介質(zhì)層，增大信息層上記錄-未記錄間的反射率差的方案(參見特開2002-133712號公報)。又，為進一步提高記錄密度，提出了能夠在多個信息層上記錄信息的多層信息記錄介質(zhì)的方案。這種介質(zhì)上，當在配置于距光入射面遠的一側(cè)的信息層上記錄數(shù)據(jù)時，激光必須透過距光入射面更近的一側(cè)的信息層。因此，距光入射面近的一側(cè)的信息層必須在激光透過率高的狀態(tài)下確保良好的信號品質(zhì)。以Te-O-Pd為主要成分的材料以幾乎透明的Te02為母材，因此容易提高膜的透過率，能夠適用于多層光學信息介質(zhì)的記錄材料，該材料通過從單側(cè)入射的激光可在多個信息層上進行記錄。要想得到含有2層以上信息層的多層信息記錄介質(zhì)，就存在著在從位于激光入射側(cè)來看較深的信息層進行信息記錄再生時，會受到位于更近前的信息層的影響的可能性。也就是說，當由于位于近前的信息層的記錄的有無而形成此信息層的透過率不同時，由于此信息層從記錄部或未記錄部到達位于更深側(cè)的信息層的激光量不同，因此，由透過此近前的信息層的激光對位于深側(cè)的信息層進行正確的信號記錄或再生便造成困難。這一點在層疊的信息層的層數(shù)越多問題就越大。作為解決這一問題的方法，提出了將含有信息層的電介質(zhì)層的材料及膜厚進行調(diào)節(jié)并將透過率差抑制在最小限度的提案。然而，在采用了Te-O-Pd記錄材料的追記型信息記錄介質(zhì)上存在著僅靠對含有信息層的電介質(zhì)層的材料及膜厚進行調(diào)整不能將透過率差充分的變小的問題。又，在采用了特開2002-133712號公報記載的、將從非結(jié)晶狀態(tài)向結(jié)晶狀態(tài)的變化作為記錄原理的Te-O-Pd記錄材料的追記型信息記錄介質(zhì)上，為了將反射率的變化從高電平變?yōu)榈碗娖?，需要在記錄層的兩?cè)設置電介質(zhì)層，并相對記錄層在與激光入射側(cè)的反對側(cè)設置反射層。又，此信息記錄介質(zhì)通過在信息層中包含電介質(zhì)層及反射層的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的信號品質(zhì)。這將意味著一個信息層需要至少包含4層，存在最終導致信息記錄介質(zhì)的制作成本提高的問題。這一點也在層疊的信息層的層數(shù)越多問題就越大。這樣，為了得到能進行正確的信號記錄再生的多層信息記錄介質(zhì)，迫切期待一種近前的信息層的透過率差小且制作成本便宜的信息記錄介質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種在能夠降低記錄-未記錄間的信息層的透過率差的同時還能降低制作成本的信息記錄介質(zhì)及其制作方法。本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)是設有基板和含有記錄層的信息層、通過對所述信息層照射激光進行信息的記錄及再生的信息記錄介質(zhì)，所述記錄層以由Te、O及M組成的材料為主要成分，所述材料中Te原子的含量比例為119原子％、0原子的含量比例為2070原子％、M原子的含量比例為1179原子％。這里，M表示從Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au中選出的至少l種元素，本說明書中以下所示的M也是一樣。另外，本說明書中所謂「包含由Te、O及M組成的材料為主要成分」意指在將記錄層中包含的全部原子的合計為100原子％時，含有Te、O及M原子的合計為70%原子以上、最好為85%原子以上。本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的制作方法是制作上述本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的方法，是包含形成所述信息層的工程、在所述工程中將所述記錄層通過氣相薄膜堆積法加以形成的方法。通過本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)及其制作方法能夠降低信息層的記錄-未記錄間的透過率差，同時還能降低制作成本。因此，通過本發(fā)明能夠提供一種可實現(xiàn)正確記錄再生且便宜的多層信息記錄介質(zhì)。圖1為用于本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的記錄層的記錄材料的一例的Te-O-Pd的組成范圍的圖2為本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的一個結(jié)構(gòu)例的截面圖3為本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的其他結(jié)構(gòu)例的截面圖4為本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的另一其他結(jié)構(gòu)例的截面圖5為本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的另一其他結(jié)構(gòu)例的截面圖6為用于本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的記錄再生的記錄再生裝置的一例中部分結(jié)構(gòu)的示意圖。具體實施例方式設于本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)上的信息層中包含的記錄層如上所述以由Te、O及M組成的材料為主要成分，如上所述M為從Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au中選出的一種或多種元素。此材料中Te原子的含量比例為119原子％、O原子的含量比例為2070原子％、M原子的含量比例為1179原子％。通過使用此材料制作記錄層，能夠同時實現(xiàn)降低信息層的記錄-未記錄間的透過率差和降低制作成本。以下，本說明書中有時將用于記錄層的所述材料稱為「本發(fā)明中的Te-O-M材料」。為了進一步降低信息層的記錄-未記錄間的透過率差，諸如在用于記錄層的由Te、O及M組成的材料中，以Te原子的含量比例為119原子％、O原子的含量比例為4070原子％、M原子的含量比例為1159原子％優(yōu)選。又，為了同時實現(xiàn)充分降低信息層的記錄-未記錄間的透過率差和優(yōu)異的信號品質(zhì)(如良好的C/N比)，以進一步將M原子的含量比超過35原子％優(yōu)選。為了提高信號品質(zhì)，例如可以采用再包含至少一個電介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)，該電介質(zhì)層與記錄層相鄰配置，還可以采用再包含一個反射層的結(jié)構(gòu)，該反射層配置在相對于記錄層與激光入射側(cè)的相反側(cè)。為了提高信號品質(zhì)，也可以將記錄層的膜厚設定在3nm200nm的范圍內(nèi)。本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)也可以是多個信息層層疊后的多層信息記錄介質(zhì)。這種場合，以第l信息層第n信息層(n為2以上的整數(shù))的順序通過分離層相互層疊于基板上，從所述第1信息層所述第n信息層選擇的至少一層采用包含所述記錄層的結(jié)構(gòu)。也就是說，第l信息層第n信息層的至少一層以設有包含上述的本發(fā)明中的Te-O-M材料的記錄層的結(jié)構(gòu)即可。通過這樣的結(jié)構(gòu)，能實現(xiàn)正確信息的記錄再生，并能得到制作成本便宜的多層信息記錄介質(zhì)。另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)設有基板及信息層，進而該信息層至少包含一個記錄層且該記錄層為以上述己說明的由Te-O-M組成的材料為主要成分的結(jié)構(gòu)為好，因此信息層的層結(jié)構(gòu)等無特別限定。以下，參照附圖就本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)及其制作方法的實施方式加以說明。以下為說明的實施例的一例，本發(fā)明不僅限于以下實施方式。又，以下實施方式中，同樣的部件賦予同樣的符號，故有時省略重復的說明。圖l為用于本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)記錄層Te-O-Pd的材料的一例的說明圖。詳細后述，圖l為Te-0-Pd的3元系統(tǒng)的組成圖，表示本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)所使用的記錄材料的組成范圍。圖2、圖3、圖4及圖5分別表示本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)例。圖2所示的信息記錄介質(zhì)1在基板2上設有由記錄層3組成的信息層，在此信息層上再設置光透明層4。在記錄層3與光透明層4及/或記錄層3與基板層2之間，為了能以信息層有效地吸收光來進行光學特性的調(diào)節(jié)，也可適宜地插入電介質(zhì)層、進而由合金材料等組成的反射層。圖3所示為這種設有電介質(zhì)層或反射層的信息記錄介質(zhì)的例子。在圖3所示的信息記錄介質(zhì)6中，基板7上設有包含記錄層10的信息層13，在信息層13中設有與記錄層IO相鄰配置的第1電介質(zhì)層9及第2電介質(zhì)層11和在相對于記錄層10與激光入射側(cè)的相反側(cè)配置的反射層8。也就是說，設于信息記錄介質(zhì)6的信息層13由記錄層10、第1電介質(zhì)層9、第2電介質(zhì)層11及反射層8形成。相對于這些信息記錄介質(zhì)1、6的信息層，通過從光透明層4、12側(cè)照射激光5進行信息的記錄再生。圖4所示的信息記錄介質(zhì)14中，2個信息層通過分離層即中間層21相互層疊。也就是說，信息記錄介質(zhì)14作為本發(fā)明的一例是上述的包含n個信息層的多層信息記錄介質(zhì)中的n=2時的一例。信息記錄介質(zhì)14中，基板15上按第1信息層20、第2信息層25及光透明層26的順序設置并構(gòu)成。通過在第1信息層20與第2信息層25之間介入中間層21，將第1信息層20與第2信息層25進行光學性分離、排除多余的光學干涉。相對于此信息記錄介質(zhì)14，通過從光透明層26側(cè)照射激光5進行信息的記錄再生。為了同時獲得高反射率和高信號品質(zhì)，第一信號層20具有按反射層16、第1電介質(zhì)層17、記錄層18及第2電介質(zhì)層19的順序?qū)盈B的結(jié)構(gòu)。為了同時獲得高反射率和高信號品質(zhì)，第2信息層25具有按第1電介質(zhì)層22、記錄層23及第2電介質(zhì)層24的順序?qū)盈B的結(jié)構(gòu)。第2信息層25中也能再設置相對于記錄層配置在與激光入射側(cè)的相反側(cè)、具體地說即配置于第1電介質(zhì)層22與中間層21之間的、由合金材料等組成的反射層。又，第2信息層25中也可以省去各電介質(zhì)層。圖5所示的信息記錄介質(zhì)28具有在基板29上按第1信息層34、第2信息層39.....第n信息層44的n個信息層的順序?qū)盈B的結(jié)構(gòu)。而圖5所示的例中n為3以上的整數(shù)。通過在各信息層之間介入中間層35、40、...，將各信息層相互進行光學性分離、排除多余的光學干涉。通過相對此信息記錄介質(zhì)28，從光透明層45側(cè)照射激光5，進行信息的記錄再生。為了同時獲得高反射率和高信號品質(zhì)，第1信息層34具有按反射層30、第1電介質(zhì)層31、記錄層32及第2電介質(zhì)層33的順序?qū)盈B的結(jié)構(gòu)。為了同時獲得高反射率和高信號品質(zhì)，第2信息層39第n信息層44(nS)由第1電介質(zhì)層36、41、...、記錄層37、42、...、第2電介質(zhì)層38、43構(gòu)成。在第2信息層39第n信息層44中也能再設置相對于記錄層配置于激光入射側(cè)的相反側(cè)、具體地說即配置于第1電介質(zhì)層與中間層之間的、由合金材料等組成的反射層。又，第2信息層39第n信息層44中也可省去各電介質(zhì)層。當本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中設有多個信息層時，其中的至少一個信息層設有以本發(fā)明中的Te-O-M材料為主要成分的記錄層的結(jié)構(gòu)即可，也可進而再設置不包含以這種材料形成的記錄層的信息層。例如可以將不是追記型的、而是重寫型或再生專用型的信息層追加在任意的位置上。又，信息層也可在基板的一個面上形成；例如還可以將在基板上形成有一個或多個信息層的2張信息記錄介質(zhì)與各自的基板側(cè)相對來進行粘合而獲得兩面結(jié)構(gòu)等，在基板的表里兩面上形成。由此，能進一步增加每張介質(zhì)可記錄的信息量。作為圖2圖5所示的基板2、7、15、29(以下簡稱基板)的材料，可以采用透明的聚碳酸酯樹脂、聚甲基丙烯酸酯樹脂、聚烯樹脂、降冰片烯樹脂、紫外線硬化性樹脂、玻璃、或?qū)⑦@些適當組合后的材料等。其厚度雖無特別限定，但以0.011.5mm為宜。其形狀雖也無特別限定，但以圓盤形為宜。作為圖2圖5所示的光透明層4、12、26、45(以下簡稱光透明層)的材料，相對使用的激光的波長，以光吸收小、在短波帶光學性復屈折率小的優(yōu)選，可以采用透明的聚碳酸酯樹脂、聚甲基丙烯酸酯樹脂、聚烯樹脂、降冰片烯樹脂、紫外線硬化性樹脂、玻璃、或?qū)⑦@些適當組合后的材料等。又，光透明層的厚度雖無特別限定，但能夠使用0.011.5nun的材料。其形狀雖也無特別限定，但能夠使用圓盤形的材料。當記錄及再生所使用的物鏡的數(shù)值口徑為0.750.95時，為了保持信息記錄介質(zhì)制作時的強度，基板的厚度以1.001.20nun的范圍內(nèi)優(yōu)選；為了縮小相對傾斜的容許幅度，光透明層的厚度以0.03mm0.20mm的范圍內(nèi)優(yōu)選。另一方面，當物鏡的數(shù)值口徑為0.550.75時，基板的厚度以0.500.70mm的范圍內(nèi)優(yōu)選；光透明層的厚度以0.50mm0.70mm的范圍內(nèi)優(yōu)選。作為圖2圖5所示的中間層21、35、40(以下簡稱中間層)的材料，可以采用與基板相同的材料。其厚度在圖4所示的信息記錄介質(zhì)14的場合時，要使第1信息層20與第2信息層25之間的交調(diào)失真變小；在圖5所示的信息記錄介質(zhì)的場合時，要使第1信息層第n信息層的任意一層在再生時來自其它信息層的交調(diào)失真變??；至少要使厚度在由物鏡的數(shù)值口徑和激光的波長X決定的焦點深度以上。又，當在進行記錄再生拾取頭以特定的基材厚度t使像差變到最小的設計時，還要以記錄再生時對信號品質(zhì)的影響在容許范圍內(nèi)為準，使整個信息層的厚度收納在特定的范圍內(nèi)。當在層疊3層以上的信息層時，優(yōu)選將各中間層的厚度做成不同的厚度。原因是，當中間層為同一厚度時信息層的位置為等間隔，從激光入射側(cè)進行n號信息層(第n信息層)的記錄再生時有(n-2)號信息層(第ii_2信息層)存在的情況下，與n號信息層的焦點不同的其它焦點也在(n-2)號信息層上結(jié)像，(n-2)號信息層的信息將對n號信息層的信息形成干擾影響。在基板、光透明層、中間層的至少任意一個上，用于引導激光的引導溝或坑(pit)最好在信息層所處的位置一側(cè)形成。圖2及圖3所示的記錄層3、10由能獲得光學特性不同的2個以上的狀態(tài)間的材料構(gòu)成。此記錄層3、IO的材料最好是能將此不同狀態(tài)間形成非可逆性變化的材料，由Te、O及M組成的材料中，可以采用滿足該材料所含有的Te原子的含量比例為119原子％、0原子的含量比例為2070原子％、M原子的含量比例為1179%的組成范圍內(nèi)的本發(fā)明中的Te-O-M材料。相當于圖l所示的Te-O-Pd的例中以A、B、C、D圍起的區(qū)域的組成。設有以滿足此組成范圍的材料為主要成分的記錄層的信息層能夠降低記錄-未記錄間的透過率差，并且能夠減少構(gòu)成信息層的層數(shù)，因此能夠降低制作成本。多層信息記錄介質(zhì)即圖4所示的信息記錄介質(zhì)14的記錄層18、23的至少任意一方包含本發(fā)明中的Te-O-M材料為主要成分。又，圖5所示的信息記錄介質(zhì)28的記錄層32、37、42也一樣，至少任意一方的記錄層包含本發(fā)明中的Te-O-M材料為主要成分。本發(fā)明中的Te-O-M材料遵照在確保透過率的同時將記錄層的熱傳導率保持在適當?shù)姆秶挠^點，O原子的含量比例為2070原子％程度。進而，遵照在激光照射時確保充分的光學特性的變化、獲得適當?shù)腃/N比的觀點，材料中含有119原子％的Te原子、進而1179原子％的M原子。又，在本發(fā)明中的Te-O-M材料中，更優(yōu)選的是組成范圍在Te原子的含量比例為119原子％、O原子的含量比例為4070原子％、M原子的含量比例為1159%。另外，此組成范圍相當于圖1所示的Te-O-Pd的例中以C、D、E、F圍起的區(qū)域。由此能夠獲得進一步降低在記錄-未記錄間的透過率差的信息記錄介質(zhì)。進而，為了同時實現(xiàn)充分降低信息層的記錄-未記錄間的透過率差和優(yōu)異的信號品質(zhì)(如良好的C/N比)，以M原子的含量比例為超過35原子％優(yōu)選。另外，此組成范圍相當于圖1所示的Te-O-Pd的例中以E、F、G、H圍起的區(qū)域(不含G—H線上)。另外，記錄層可以僅以本發(fā)明中的Te-O-M材料形成，也可以包含Te、O及M以外的元素。還可以以諸如調(diào)整熱傳導率及光學常數(shù)、提高耐熱性及環(huán)境可靠性等為目的，添加從S、N、.F、B及C中選出的至少1種元素。這些添加元素以占記錄層全體的20原子％以內(nèi)優(yōu)選。作為元素M，可認為是從Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au中選取的1種或多種元素。尤其是當選取了Pd作為元素M時能夠獲得良好的信號品質(zhì)，而其它的元素也能確保同樣的信號品質(zhì)。記錄層的膜厚以3nm以上200nm以下為好?？刂圃谶@樣的膜厚范圍內(nèi)，為的是易于在記錄再生特性方面容易獲得充分的C/N比，將記錄層的薄膜面內(nèi)的熱擴散調(diào)整為適當?shù)闹担軌蚍乐乖诟呙芏扔涗洉rC/N比降低。尤其是在為了獲得充分的反射率及反射率變化而提高C/N比時，以3nm以上50nm以下為優(yōu)選。圖3圖5所示的第1電介質(zhì)層9、17、22、31、36、41(以下簡稱第1電介質(zhì)層)和第2電介質(zhì)層11、19、24、33、38、43(以下簡稱第？電介質(zhì)層)在設計時將記錄材料的保護、能在信息層進行有效的光吸收等光學特性的調(diào)節(jié)為主要目的。作為第1電介質(zhì)層及第2電介質(zhì)層的材料可采用ZnS等硫化物;ZnSe等硒化物；Si-O、AI-O、Ti-O、Ta-O、Zr-O、Cr-O等氧化物；Ge-N、Cr-N、Si-N、Al-N、Nb陽N、Mo-N、Ti-N、Zr-N、Ta-N等氮化物；Ge-O-N、Cr-O-N、Si-O-N、Al-O-N、Nb-O-N、Mo-O-N、Ti-O-N、Zr-O-N、Ta-O畫N等氮氧化物；Ge-C、Cr-C、Si-C、Al-C、Ti-C、Zr-C、Ta-C等碳化物;Si-F、Al-F、Ca-F、La-F等氟化物或?qū)⑦@些做適當組合(如ZnS-Si02等)。第1電介質(zhì)層的膜厚以lnm以上60nm以下為好。這樣易于在記錄再生特性方面獲得充分的C/N比。圖3圖5所示的反射層8、16、30(以下簡稱反射層)優(yōu)選能起到散熱作用及在記錄層進行有效的光吸收等光學效果而設置。反射層可由Au、Ag、Cu、Al、Ni、Cr、Ti等金屬或做適當選擇后的金屬合金形成。其膜厚以lnm以上優(yōu)選。將膜均勻成層，意在確保熱學及光學的效果。圖3圖5所示的信息記錄介質(zhì)是具有反射層的結(jié)構(gòu)，而沒有反射層的結(jié)構(gòu)也可以。圖4中僅第l信息層20具有反射層16，而第2信息層25具有反射層也可以，第1信息層20沒有反射層16也可以。一般情況，設置反射層后信息層的透過率將下降，但通過上述的散熱效果及光學效果，能方便地獲得高信號品質(zhì)。為此，有關位于激光入射側(cè)的信息層(圖4所示的第2信息層25)是否設置反射層要進行適當?shù)脑O計，當設置反射層時，通過將其膜厚定在諸如10nm以下，便能保證信息層的較高的透過率。作為制作本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的方法的一例，可舉在形成信息層的工序中采用氣相薄膜堆積法形成的以本發(fā)明中的Te-O-M材料為主要成分的記錄層的方法。又，構(gòu)成本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的上述各薄膜還可通過真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、CVD(ChemicalVaporDeposition)法、MBE(MolecularBeamEpitaxy)法等氣相薄膜堆積法來形成。例如在圖3所示的信息記錄介質(zhì)6的場合，基板7上采用氣相薄膜堆積法依次形成反射層8、第1電介質(zhì)層9、記錄層10及第2電介質(zhì)層11的膜，進而在其上形成光透明層12。光透明層12的形成方法可以通過將到第2電介質(zhì)層11為止制成的介質(zhì)、與單面具有粘著樹脂的基材粘合來形成，也可以將到第2電介質(zhì)層11為止制成的介質(zhì)、與片狀基材通過紫外線硬化性樹脂粘合來形成，還可以通過在到第2電介質(zhì)層11為止制成的介質(zhì)上涂布紫外線硬化性樹脂來形成。同樣，關于圖2、圖4及圖5所示的信息記錄介質(zhì)，也可以通過設置構(gòu)成信息層各層的成膜工序和中間層及光透明層的形成工序來制作。接下來，就本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的記錄再生方法的一例敘述如下。圖6所示為當信息記錄介質(zhì)為光盤時用于記錄再生的裝置的一例的概略圖。在信號記錄再生所使用的裝置47中設有搭載了激光光源51及物鏡50的光頭(圖略)；為了將照射激光49的位置導向規(guī)定位置的驅(qū)動裝置(圖略)；用于控制光軌方向及垂直于膜面方向的位置的尋軌控制裝置及調(diào)焦控制裝置(圖略)；用于調(diào)制激光功率的激光驅(qū)動裝置(圖略)；用于使介質(zhì)48旋轉(zhuǎn)的主軸馬達53;從介質(zhì)48上讀取信號的光檢測器52。信號的記錄及再生，首先通過主軸馬達53使介質(zhì)48旋轉(zhuǎn)，然后通過光學系統(tǒng)將激光聚為微小的點，最后通過向介質(zhì)48照射激光49來進行。在進行信號再生時可先進行激光束照射，該激光束的功率比進行信號記錄時的功率級低，以該功率級的激光進行照射不會影響記錄痕跡的光學狀態(tài)且能獲得用于通過其照射從介質(zhì)上再生記錄痕跡時所需的充分的光量，再由光檢測器52讀取獲得的來自介質(zhì)的信號。實施例下面通過實施例將本發(fā)明作更具體地說明，而下面的實施例并非為本發(fā)明的限定。(實施例1)實施例1制作的信息記錄介質(zhì)具有從圖3所示的信息記錄介質(zhì)6中省去反射層的層結(jié)構(gòu)。本實施例以使用了由作為元素M使用了Pd的Te-O-Pd材料組成的記錄層為例進行了研究。在設有由聚碳酸酯樹脂組成的厚度1.2mm、槽距0.32/mi的激光引導槽的透明基板上，通過濺射法將下列各層依次成膜即使用ZnS-Si02圓盤(target)，成膜膜厚20nm的ZnS-Si02電介質(zhì)層；使用由Te-Pd組成的圓盤，在噴濺氣體Ar(050sccm)及02(550sccm)的環(huán)境中，成膜由10nm的Te-O-Pd材料組成的記錄層；使用ZnS-Si02圓盤成膜膜厚30nm的ZnS-Si02電介質(zhì)層。在此表面上，由相對激光呈透明狀的紫外線硬化性樹脂形成厚度100/xm的光透明層。通過改變圓盤組成及噴濺氣體中的02量，制作了記錄層的組成各異的樣本光盤共14種(光盤114)。這些是為了了解記錄層組成的依存性而制作的光盤，表1所示為各光盤的記錄層的X線微型分析器的元素分析結(jié)果。對于光盤114，采用波長405nm、數(shù)值孔徑NA0.85的光學系統(tǒng)，邊以線速度4.9m/s進行旋轉(zhuǎn)，邊記錄下支配隨機信號信號品質(zhì)的12.2MHz的單一信號。未記錄的光軌上只進行一次記錄，其信號的C/N比由光譜分析儀進行測定。這里，若能得到大于43dB的C/N比則能得到良好的信號品質(zhì)的判定為、3843dB時為可使用的信號品質(zhì)的判定為o、不足38dB時信號品質(zhì)不良的判定為x。又，將記錄了信息的光盤114在溫度9(TC、相對濕度80%的環(huán)境中保持50小時之后執(zhí)行加速試驗。將加速試驗后的光盤114上記錄的信息進行再生，并將加速試驗后的C/N比劣化量進行測定。這里，若C/N比的劣化量不足2dB則介質(zhì)的可靠性良好的判定為o、2dB以上時介質(zhì)的可靠性不良的判定為x。進而，將各光盤的未記錄/記錄部的透過率用以下方法進行測定。具體地說，先由分光器進行未記錄部的透光率測定，接著在評價裝置上對該部分進行隨機信號記錄。用分光器對記錄了信號的部分的透光率進行測定，算出記錄-未記錄間的透過率變化。這里，若透過率的變化量不足20%則透過率平衡良好的判定為、25%時能獲得可使用程度的透過率的判定為O、大于5%時為不適合透過率平衡之點的判定為><。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>由表1可知，記錄層中的Te量在不足1原子％的范圍內(nèi)時Pd-0起支配性，由于加速試驗中Pd-O變質(zhì)、C/N比劣化，因此在實用上存在問題。又，記錄層中的0量在大于70原子％的范圍時，記錄層中的O量過大，由于加速試驗中Pd-O變質(zhì)、C/N比劣化，因此在實用上存在問題。與其相對，記錄層中的0量在不足20原子％的范圍內(nèi)時，由于O量少，作為光學變化的基礎的Pd-O的結(jié)合過少，因此初期的C/N比低，在實用上存在問題。又，記錄層中的Te量在大于19原子e/。的范圍時，由于Te量過大，在成膜時Te-O的結(jié)合呈支配性。其結(jié)果，由于作為光學變化的基礎的Pd-O的結(jié)合過少，因此初期的C/N比低，在實用上存在問題。于是，當考慮到初期的C/N比和加速試驗后的C/N比劣化量時，可認為記錄層中Te原子的含量比例為119原子％、0原子的含量比例為2070原子％、Pd原子的含量比例為1179%的組成范圍為合適。此組成范圍如圖1的組成圖中以A、B、C、D圍起的區(qū)域所示。又，由于有時當記錄層中的O量小于40原子％的范圍時記錄-未記錄間的透過率的變化量將變大，因此，若在多層信息記錄介質(zhì)的激光入射側(cè)的層(如圖4中的第2信息層；圖5中的第2信息層至第n信息層)使用，有時實用上也成問題。于是，為了關于初期的C/N比、加速試驗后的C/N比劣化量及透過率的變化量獲得更好的特性，記錄層中Te原子的含量比例為119原子％、O原子的含量比例為40原子％以上70原子％以下的組成范圍優(yōu)選。此組成范圍如圖1的組成圖中以E、F、C、D圍起的區(qū)域所示。又，當記錄層中的0原子的含量比例為40原子％以上、Pd原子的含量比例超過35原子％、Te原子的含量比例為19原子％以下的范圍時，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的初期的C/N比。于是，為了關于初期的C/N比、加速試驗后的C/N比劣化量及透過率的變化量獲得更好的特性，記錄層中的Te原子的含量比例為119原子%、0原子的含量比例為40原子％以上、Pd原子的比例為超過35原子。/。的組成范圍優(yōu)選。此組成范圍如圖1的組成圖中以E、F、G、H圍起的區(qū)域所示。由以上情況可知，圖1的組成圖中A、B、C、D圍起的區(qū)域可作為圖2圖5所示的全部信息層的記錄材料來使用，而其中以C、D、E、F圍起的區(qū)域和E、F、G、H圍起的區(qū)域的組成范圍尤為合適。又知，同僅設置1層信息層的信息記錄介質(zhì)(參見圖2及圖3)及多個信息層中從激光入射側(cè)看，配置于最深處的信息層(圖4及圖5所示的第1信息層)一樣，作為可用于記錄-未記錄間透過率的變化無問題的信息層的記錄材料，能夠滿意地使用以A、B、C、D圍起的區(qū)域的組成。通過本實施例能夠確認，作為記錄層的組成，通過選擇滿足Te原子的含量比例為119原子％、O原子的含量比例為2070原子％、Pd原子的含量比例為1179原子％的組成范圍的材料，可以獲得良好的記錄特性。進而還能夠確認，作為記錄層的組成，通過選擇滿足Te原子的含量比例為119原子％、O原子的含量比例為4070原子％的組成范圍的材料，能進一步降低記錄-未記錄間的透過率差，并可以獲得良好的初期的C/N比。進而還能夠確認，作為記錄層的組成，通過選擇Te原子的含量比例為119原子％、O原子的含量比例為40原子％以上、Pd原子的比例為超過35原子％的組成范圍，能夠降低記錄-未記錄間的透過率差，并能獲得更好的初期的C/N比。(實施例2)實施例2制作的信息記錄介質(zhì)具有從圖3所示的信息記錄介質(zhì)6中省去反射層的層結(jié)構(gòu)。在用于制作記錄層的Te-O-M材料中，作為元素M使用了除實施例1中使用的Pd之外的Ru、Rh、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au元素。在設有由聚碳酸酯樹脂組成的厚度1.2mm、槽距0.32Mm的激光引導槽的透明基板上，通過濺射法將下列各層依次成膜即使用ZnS-Si02圓盤、成膜膜厚20nm的ZnS-Si02電介質(zhì)層；使用由Te-M(本實施例中的M為Ru、Rh、Ag、Re、Os、Ir、Pt、Au的任意一個)組成的圓盤、在噴濺氣體Ar(050sccm)及02(550sccm)的環(huán)境中、成膜由10nm的Te-O-M材料組成的記錄層；使用ZnS-Si02圓盤、成膜膜厚30nm的ZnS-SiQ2電介質(zhì)層。在此表面上，由對激光呈透明狀的紫外線硬化性樹脂形成厚度100/mi的光透明層。通過改變圓盤的組成制作了記錄層的組成各異的樣本光盤共8種(光盤1522)。將制作的各光盤的記錄層的組成經(jīng)X線微型分析器確認的結(jié)果，Te:O:M之比皆為5:58:37(原子％)。同實施例1一樣，對于上述制作的各光盤進行了初期C/N比、加速試驗后的C/N比劣化量、透過率的變化量的評價。結(jié)果如表2所示。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>由表2所示可以確認，在作為元素M使用了Ru、Rh、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au的任意元素的場合，都能實現(xiàn)初期的C/N比充分高、加速試驗后的C/N比劣化量小、記錄前后的透過率的變化量充分小的信息層。由此能夠確認，在作為元素M使用了Ru、Rh、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au的任意元素的場合，都同使用了Pd的場合一樣，能夠在初期C/N比、、可靠性及透過率平衡方面實現(xiàn)良好的特性。(實施例3)實施例3制作的信息記錄介質(zhì)具有與圖2所示的信息記錄介質(zhì)1同樣的層結(jié)構(gòu)。在設有由聚碳酸酯樹脂組成的厚度1.2mm、槽距0.32/mi的激光引導槽的透明基板上，使用由Te-Pd組成的圓盤、在噴濺氣體Ar及02的氛圍氣中、以濺射法成膜由20nm的Te-O-Pd材料組成的記錄層。在此表面上，使用對激光呈透明狀的紫外線硬化性樹脂形成厚度100/mi的光透明層(光盤23)。記錄層的組成與實施例1的光盤6相同。同實施例l一樣，對于光盤23進行了初期的C/N比、加速試驗后的C/N比劣化量、透過率的變化量的評價。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>由表3可知，光盤23與光盤6—樣，在初期的C/N比、加速試驗后的C/N比劣化量、透過率的變化量方面表現(xiàn)良好。本實施例也是將滿足實施例1確認的記錄材料的良好的組成條件即Te原子的含量比例為119原子％、O原子的含量比例為2070原子％、Pd原子的含量比例為1179%的組成范圍的材料組成的記錄層通過氣相薄膜堆積法形成的，能夠獲得良好特性的光盤。(實施例4)實施例4制作了層疊了4個信息層的信息記錄介質(zhì)，也就是說，制作了圖5所示的信息記錄介質(zhì)28中n=4時的信息記錄介質(zhì)。作為各信息層的記錄層的材料，使用了Te-O-Pd，對于制作后的樣本光盤，以與實施例1同樣的方法進行了初期的C/N比和環(huán)境可靠性(加速試驗后的C/N比劣化量)的測試。作為基板，使用了聚碳酸酯樹脂，基板的直徑為12cm、厚度為l.lmm、激光引導槽的槽距為0.32/mi、槽的深度為20nm。在基板的形成引導槽一側(cè)的表面上，作為第l信息層，通過濺射法將下列各層依次成膜即使用Ag-Pd-Cu(Ag:Pd:Cu=98.1:0.9:1.0(重量比))圓盤、成膜膜厚80nm的Ag-Pd-Cu反射層；使用ZnO圓盤、成膜膜厚20nm的ZnO電介質(zhì)層；使用由Te-Pd組成的圓盤、成膜膜厚20nm的由Te-O-Pd組成的記錄層；使用ZnS-Si02(ZnS:SiO2=80:20(分子數(shù)比))圓盤、成膜膜厚30nm的ZnS-SiO2電介質(zhì)層。在這種條件下制得的第l信息層上(具體為ZnS-Si02電介質(zhì)層上)，用紫外線硬化性樹脂，轉(zhuǎn)寫形成與基板相同槽圖案的厚度約13.5/mi的中間層。如上述在第l信息層上形成的中間層的表面上，作為第2信息層，通過濺射法將下列各層依次成膜即使用A1N圓盤、成膜膜厚15nm的AIN電介質(zhì)層；使用Te-Pd圓盤、成膜膜厚llnm的由Te-O-Pd組成的記錄層；使用ZnS-Si02(ZnS:SiO2=80:20(分子數(shù)比))圓盤、成膜膜厚22nm的ZnS-Si02電介質(zhì)層。在這種條件下制得的第2信息層上(具體為ZnS-Si02電介質(zhì)層上)，用的紫外線硬化性樹脂，轉(zhuǎn)寫形成與基板相同槽圖案的厚度約17.5Mm的中間層。在第2信息層上形成的中間層的表面上，作為第3信息層，通過濺射法將下列各層依次成膜即使用A1N圓盤、成膜膜厚10nm的AIN電介質(zhì)層；使用Te-Pd圓盤、成膜膜厚7nm的由Te-O-Pd組成的記錄層；使用ZnS-Si02(ZnS:SiO2=80:20(分子數(shù)比))圓盤、成膜膜厚34nm的ZnS-Si02電介質(zhì)層。在這種條件下制得的第3信息層上(即ZnS-Si02電介質(zhì)層上)，用紫外線硬化性樹脂，轉(zhuǎn)寫形成與基板相同槽圖案的厚度約9.5^m的中間層。在第3信息層上形成的中間層的表面上，作為第4信息層，通過濺射法將下列各層依次成膜即使用A1N圓盤、成膜膜厚10nm的A1N電介質(zhì)層；使用Te-Pd圓盤、成膜膜厚6nm的由Te-0-Pd組成的記錄層；使用ZnS-Si02(ZnS:SiO2=80:20(分子數(shù)比))圓盤、成膜膜厚45nm的ZnS-Si02電介質(zhì)層。在這種條件下制得的第4信息層上(具體為ZnS-Si02電介質(zhì)層上)，用的紫外線硬化性樹脂，轉(zhuǎn)寫形成與基板相同槽圖案的厚度約59.5/mi的光透明層。各層的成膜全都使用直徑100mm、厚度6mm的圓盤，反射層以DC電源200W、電介質(zhì)層以RF電源300W、記錄層以RF電源100W進行成膜。又，反射層形成時使用4.2xl0—71113/3(25sccm)的Ar氣體；記錄層形成時使用4.2x10—7m3/S(25sccm)的Ar氣體與適量的氧氣的混合氣體；電介質(zhì)層形成時使用4.2x10—7m3/S(25sccm)的Ar氣體，所有氣體的氣壓均保持在約0.13Pa的環(huán)境下成膜。本實施例制作的各信息層中的記錄層的組成比如表4所示，第1信息層及第2信息層為Te:O:Pd=5:45:50(原子％);第3信息層及第4信息層為Te:O:Pd二5:58:37(原子％)。同實施例1一樣，對于以上制作的樣本光盤24進行了初期的C/N比、加速試驗后的C/N比劣化量的評價。但是，本實施例設有4個信息層，在做各信息層評價時其它的信息層不進行信息記錄。例如，在做第l信息層的C/N比評價時，在第2信息層、第3信息層及第4信息層上不進行信息記錄。本實施例中，若初期的C/N比大于38dB則能得到良好的信號品質(zhì)的判定為o、不足38dB時信號品質(zhì)不良的判定為x。又，若加速試驗后的C/N比劣化量不足2dB則介質(zhì)的可靠性良好的判定為o、2dB以上則介質(zhì)的可靠性不良的判定為x。<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>如表4所示，可以確認，本實施例的光盤24能夠?qū)崿F(xiàn)良好的初期C/N比和再生耐久性。本實施例中，作為用于本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的記錄層的材料，以具有Te:O:Pd=5:45:50(原子％)、Te:O:Pd=5:58:37(原子％)的組成比的材料為例將本發(fā)明的效果進行了檢測，而關于圖1所示的由組成圖中A、B、C、D圍起的區(qū)域內(nèi)的其它的組成，也能獲得與光盤24同樣良好的特性。從以上結(jié)果可以確認，作為記錄層的材料，通過選擇滿足Te原子的含量比例為119原子％、O原子的含量比例為2070原子％、M原子的含量比例為1179%的組成范圍的材料，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示良好的信號品質(zhì)的4層的信息記錄介質(zhì)。產(chǎn)業(yè)上的應用通過本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)及其制作方法，能夠降低信息層的記錄-未記錄間的透過率差，還能進一步降低制作信息層的成本，因此有益于獲得記錄再生特性良好的信息記錄介質(zhì)，尤其能以低成本獲得多層信息記錄介質(zhì)。權利要求1.一種信息記錄介質(zhì)，具備基板和含有記錄層的信息層，通過激光照射進行信息的記錄及再生，所述記錄層以包含Te、O及M(M表示從Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au中選出的至少1種元素)組成的材料為主要成分，所述材料中Te原子的含量比例為1～19原子％、O原子的含量比例為20～70原子％、M原子的含量比例為11～79原子％。2.根據(jù)權利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述材料中Te原子的含量比例為119原子％、O原子的含量比例為4070原子％、M原子的含量比例為1159原子％。3.根據(jù)權利要求2所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述材料中M原子的含量比例超過35原子％。4.根據(jù)權利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述信息層還包含與所述記錄層相鄰配置的電介質(zhì)層。5.根據(jù)權利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述信息層還包含相對于所述記錄層在與激光入射側(cè)相反一側(cè)配置的反射層。6.根據(jù)權利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層的膜厚為3nm200nm。7.根據(jù)權利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述基板上第1信息層第n信息層(n為2以上的整數(shù))隔著分離層依次相互層疊，從所述第1信息層所述第n信息層選擇的至少1層包含所述記錄層。8.—種信息記錄介質(zhì)的制造方法，制造權利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，包含形成所述信息層的工序，在所述工序中，通過氣相薄膜堆積法形成所述記錄層。全文摘要本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)，設有基板和含有記錄層的信息層、通過對所述信息層照射激光進行信息的記錄及再生。記錄層包含以由Te、O及M(其中M為從Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au中選出的至少1種元素)組成的材料為主要成分，此材料中Te原子的含量比例為1～19原子％、O原子的含量比例為20～70原子％(以40～70原子％優(yōu)選)、M原子的含量比例為11～79原子％(以11～59原子％優(yōu)選；更優(yōu)選超過35原子％的范圍)。所述材料在如圖1所示的Te-O-Pd的3元系統(tǒng)組成圖中是以A、B、C、D圍起的區(qū)域，優(yōu)選是以C、D、E、F圍起的區(qū)域，更優(yōu)選的是以E、F、H、G圍起的區(qū)域。文檔編號G11B7/24GK101426658SQ200780014450公開日2009年5月6日申請日期2007年4月23日優(yōu)先權日2006年4月24日發(fā)明者土生田晴比古,富山盛央,山田升申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社