專(zhuān)利名稱(chēng)：：磁頭用基板、磁頭以及記錄媒體驅(qū)動(dòng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、磁帶驅(qū)動(dòng)器等記錄媒體驅(qū)動(dòng)器所使用的磁頭，以及用于形成磁頭的基材的滑動(dòng)器的磁頭用基板。
背景技術(shù)：
：作為高密度磁盤(pán)的記錄再生用磁頭，一般是利用磁性薄膜。這磁頭要求耐磨耗性好，且浮上面具有良好的表面平滑性、機(jī)械加工性等。為制造這種磁頭，首先在Al2Cb-TiC系陶瓷形成的陶瓷基板上，通過(guò)濺射法形成由非晶質(zhì)狀的氧化鋁構(gòu)成的下地膜，并在上述下地膜上搭載電磁變換元件。電磁變換元件，用于發(fā)揮磁電阻效應(yīng)。這種電磁變換元件，被用于例如MR(MagnetroResistive)元件(以下稱(chēng)"MR元件")、GMR(GiantMagnetroResistive)元件(以下稱(chēng)"GMR元件")，或是TMR(TunnelMagnetroResistive)元件(以下稱(chēng)"TMR元件")。接著，將電磁變換元件所搭載的陶瓷基板以長(zhǎng)條形切斷，并在將切斷面研磨成鏡面后，除去鏡面的一部分而形成凹部。凹部是通過(guò)離子研磨加工、反應(yīng)性離子刻蝕而形成的。并且將切斷成長(zhǎng)條形的陶瓷基板分割為芯片狀，從而取得磁頭。這樣所制造的磁頭，未被除去的鏡面部分與磁記錄媒體相對(duì)成為浮上面，而凹部則起到使磁頭上浮的流通空氣的流路的作用。近年來(lái)，記錄媒體驅(qū)動(dòng)裝置，要求記錄媒體的具有更高的記錄密度。為順應(yīng)這一要求，磁頭相對(duì)記錄媒體的磁頭上浮量(間隙)必須非常的小，在lOnm以下。而磁頭的上浮量小，則磁頭的電磁變換元件的線(xiàn)圈所產(chǎn)生的熱影響就相對(duì)較強(qiáng)，將導(dǎo)致記錄媒體所保存的記錄遭到破壞。一方面，作為形成磁頭的滑動(dòng)器(磁頭用基板)的材料，所采用的氧化鋁系復(fù)合陶瓷。有關(guān)氧化鋁系復(fù)合陶瓷，有各種建議(例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1一4)。專(zhuān)利文獻(xiàn)l中，對(duì)使在具有0.5lim—100nm的結(jié)晶粒子的氧化鋁結(jié)晶粒內(nèi)的，顆粒直徑在2.0"m以下的氮化鈦微粒子分散的氧化鋁系復(fù)合陶瓷進(jìn)行了闡述。該氧化鋁系復(fù)合陶瓷，謀求更高強(qiáng)度以及耐熱性。專(zhuān)利文獻(xiàn)2對(duì)包含有氮化鈦重量比例為10—25%，在氧化鋁的結(jié)晶粒內(nèi)均一分散氮化鈦超微粒子的，相對(duì)密度在96%以下，且體積固有電阻控制在1X104—5X106Q-cm燒結(jié)體組成的氧化鋁系復(fù)合陶瓷進(jìn)行了闡述。該氧化鋁系復(fù)合陶瓷，謀求高強(qiáng)度化、高密度化以及比電阻的優(yōu)化。專(zhuān)利文獻(xiàn)3對(duì)包括由氧化鋁例子77—96體積％、炭化鈦、氮化鈦、炭化鋯、氮化鋯、炭化鉿、氮化鉿、氮化鈮、炭化鉭以及氮化鉭構(gòu)成的群中所選的一種以上的導(dǎo)電性化合物粒子體積比例4-23%，氧化鋁粒子與前述導(dǎo)電性化合物粒子的平均粒子直徑在5um以下的，面電阻率為106—1(^Q/cmS的氧化鋁系復(fù)合陶瓷進(jìn)行了闡述。該氧化鋁系復(fù)合陶瓷，在電子部品中，被用于帶電除去。專(zhuān)利文獻(xiàn)4，對(duì)作為磁頭用的陶瓷的各種進(jìn)行了舉例說(shuō)明，對(duì)作為氧化鋁系復(fù)合材料的氧化鋁、炭化鎢進(jìn)行了舉例說(shuō)明。專(zhuān)利文獻(xiàn)l:特開(kāi)平2-229756號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2:特開(kāi)平8-119722號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3:特許3313380號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)4:特幵2000-348321號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明預(yù)解決的問(wèn)題但是，專(zhuān)利文獻(xiàn)l一3所闡述的氧化鋁系復(fù)合陶瓷，并非以作為磁頭滑動(dòng)器的材料為目的，因此較難用于磁頭。也就是說(shuō)，專(zhuān)利文獻(xiàn)l中所闡述的氧化鋁系復(fù)合陶瓷，是高強(qiáng)度、高耐熱沖擊性的復(fù)合陶瓷，破壞韌性也高。因此，其機(jī)械加工性低，較難從磁頭用基板加工成磁頭。專(zhuān)利文獻(xiàn)2以及專(zhuān)利文獻(xiàn)3所闡述氧化鋁系復(fù)合陶瓷，是高密度的復(fù)合陶瓷，導(dǎo)電性低而不適用于磁頭。如上所述，專(zhuān)利文獻(xiàn)l一3中所說(shuō)明的氧化鋁系復(fù)合陶瓷，若被用于磁頭，將導(dǎo)致機(jī)械加工性或是導(dǎo)電性低等問(wèn)題。而專(zhuān)利文獻(xiàn)4所闡述的氧化鋁"炭化鎢燒結(jié)體，是用于磁頭的，但是有機(jī)械加工性差的問(wèn)題。也就是說(shuō)，由于鴇的比重大于氧化鋁，在制造工程中，調(diào)合原料粉末時(shí)，不易均一混合，容易發(fā)生沉淀凝集等問(wèn)題。因此制成的磁頭用基板容易發(fā)生凝集缺陷，在使用磁頭用基板制造磁頭時(shí)，所進(jìn)行的離子研磨加工，由于該凝集缺陷，導(dǎo)致無(wú)法進(jìn)行高精度加工。于是，難于控制以磁頭表面為目的的表面粗糙度，亦難于保持磁頭一定的上浮量。特別是無(wú)法釆用低背化磁頭。本發(fā)明的課題是提供兼具機(jī)械加工性以及導(dǎo)電性的磁頭材料。解決課題的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的第l側(cè)面，是提供一種磁頭用基板，由含有氧化鋁質(zhì)量比在35°/。以上，60%以下，導(dǎo)電性化合物質(zhì)量比在40%以上，65%以下的燒結(jié)體組成，上述導(dǎo)電性化合物，包括鎢的炭化物，氮化物以及炭氮化物中的至少一種，上述燒結(jié)體的最大結(jié)晶粒徑在4ym以下(0nm除外)。本發(fā)明的第2側(cè)面，是提供一種磁頭，該磁頭具備滑動(dòng)器以及電磁變換元件，上述滑動(dòng)器由含有氧化鋁質(zhì)量比在35%以上，60%以下，導(dǎo)電性化合物質(zhì)量比在40%以上，65%以下的燒結(jié)體組成，上述導(dǎo)電性化合物，包括鎢的炭化物，氮化物以及炭氮化物中的至少一種，上述燒結(jié)體的最大結(jié)晶粒徑在4um以下(0um除外)。上述滑動(dòng)器，具有浮上面以及用于導(dǎo)入空氣的凹部。上述凹部，理想情況為表面的算術(shù)平均高Ra為20nm以下。本發(fā)明的第3側(cè)面，是提供一種記錄媒體驅(qū)動(dòng)裝置，該裝置具備與本發(fā)明的第2側(cè)面相關(guān)的磁頭、具有通過(guò)上述磁頭進(jìn)行信息記錄以及再生的磁記錄層的記錄媒體、以及使上述記錄媒體驅(qū)動(dòng)的馬達(dá)。理想情況下，上述燒結(jié)體，平均結(jié)晶粒徑在lym以下(Ojxm除外)。理想情況下，上述氧化鋁，平均結(jié)晶粒徑在lPm以下(Oum除外)。理想情況下，上述導(dǎo)電性化合物，是鎢的炭化物。上述導(dǎo)電性化合物，若平均結(jié)晶粒徑10nm(O.Olum)以上lum以下，則理想為包含有楔形形狀粒子。本發(fā)明的磁頭用基板以及磁頭，在從電磁變換元件所形成的主面、滑動(dòng)器的端面到深度lmm處的領(lǐng)域內(nèi)，上述主面、端面以及平行面中，導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子的分布密度為5X105個(gè)/mm2以上。上述燒結(jié)體，其熱傳導(dǎo)率，例如在30W/(m.k)以上，抗折強(qiáng)度，例如在700MPa以上。發(fā)明效果本發(fā)明的磁頭用基板，含有氧化鋁質(zhì)量比在35%以上，60%以下，導(dǎo)電性化合物質(zhì)量比在40%以上，65%以下，并包含有鎢的炭化物，氮化物以及炭氮化物中的至少一種，且可恰當(dāng)維持導(dǎo)電性。上述燒結(jié)體的最大結(jié)晶粒徑在4ym以下(Oum除外)，因此可抑制氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物的凝集，從而可謀求組織的均一化，實(shí)現(xiàn)良好的機(jī)械加工性。從而提供以機(jī)械加工面的表面粗糙度為目的的優(yōu)良上浮特性的磁頭。本發(fā)明的磁頭，由于滑動(dòng)頭與上述磁體用基板具有相同組成以及組織狀態(tài)，因此可適當(dāng)維持導(dǎo)電性，同時(shí)具有良好的機(jī)械加工性，從而獲得良好的上浮特性。本發(fā)明的磁頭用基板以及磁頭的滑動(dòng)器中，作為導(dǎo)電性化合物，若使用鉤的炭化物所構(gòu)成的物質(zhì)，由于鎢的炭化物比鎢的氮化物、炭氮化物廉價(jià)，因此有利于節(jié)約制造成本。而作為導(dǎo)電性化合物，若使用鎢碳化物，在對(duì)磁頭用基板或其分割片進(jìn)行研磨時(shí)，由于可充分確保砥粒與鎢化合物間的電阻，因此可提高磁頭用基板或其分割片的研磨率。本發(fā)明的磁頭用基板以及磁頭的滑動(dòng)器，導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子若含有楔形形狀的粒子，則在制造磁頭時(shí)，通過(guò)氧化鋁的結(jié)晶相對(duì)的導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子的固定效果，可抑制氧化鋁的結(jié)晶粒子以及導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子的脫粒。因此，本發(fā)明的磁頭用基板具有良好的機(jī)械加工性，并可以機(jī)械加工性的表面粗糙度為目的，因此可使磁頭的上浮量更安定化。本發(fā)明的磁頭用基板以及磁頭滑動(dòng)器，若導(dǎo)電性化合物的平均結(jié)晶粒徑在10nm(O.Olum)以上lum以下，則可實(shí)現(xiàn)磁頭用基板以及滑動(dòng)器全體的電阻值的均一性，同時(shí)使體積固有電阻在1Q'cra以下。本發(fā)明的磁頭用基板以及磁頭的滑動(dòng)器，若電磁變換元件所形成的主面、端面至深度為lmm的領(lǐng)域中，主面、端面以及平行面的導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子分布密度在5Xl()S個(gè)/mm2以上，則由于組織均一化，因此可實(shí)現(xiàn)更良好的機(jī)械加工性。而在維持適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電性的同時(shí)，由于滑動(dòng)器端面的帶電領(lǐng)域的減少(分散)，因此可抑制靜電的產(chǎn)生。并且，若分布密度在5Xl()S個(gè)/mm2，則由于導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子的放熱性良好，因此還可提高燒結(jié)體全體的放熱性。本發(fā)明的磁頭用基板以及磁頭的滑動(dòng)器，若熱傳導(dǎo)率在30W/(m-k)以上，由于可使磁頭中從電磁變換元件的線(xiàn)圈中所產(chǎn)生的熱迅速散熱，因此可抑制由熱導(dǎo)致的對(duì)記錄媒體所保存的記錄的破壞。本發(fā)明的磁頭用基板以及磁頭的滑動(dòng)器，若抗折強(qiáng)度在700MPa以上，由于可適當(dāng)防止微型裂口，其結(jié)果是可抑制氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物的脫粒，從而獲得具有良好CSS(ContactStartStop)特性的磁頭。本發(fā)明的磁頭，若滑動(dòng)器的凹部表面的算術(shù)平均高Ra在20rnn以下(Onm除外)，由于提高了凹部的平滑性，可使上浮特性安定化。本發(fā)明的記錄媒體驅(qū)動(dòng)裝置，由于磁頭的上浮特性實(shí)現(xiàn)了安定化，即使滑動(dòng)器為小型化，也可使其上浮量保持一定，因此可進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的正確的信息記錄、再生。圖1表示與本發(fā)明相關(guān)的記錄媒體驅(qū)動(dòng)裝置的一例的平面圖。圖2沿圖1的II-II線(xiàn)的斷面圖。圖3沿圖i的m-m線(xiàn)的斷面圖。圖4表示與本發(fā)明相關(guān)的磁頭的一例的整體斜視圖。圖5表示與本發(fā)明相關(guān)的磁頭的滑動(dòng)器以及磁頭用基板的組織構(gòu)造的模式圖。圖6楔形形狀的導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子模式圖。圖7圖7A是用于說(shuō)明磁頭用基板的制造工程的斜視圖，圖7B是用于說(shuō)明磁頭用基板中形成電磁變換元件工程的集合基板的斜視圖。圖8圖8A以及圖8B是用于說(shuō)明將磁頭用基板切斷后形成長(zhǎng)條片的工程的斜視圖。圖9表示長(zhǎng)條片的研磨所使用的研磨裝置的概略構(gòu)成的斜視圖。圖10將圖9所示的研磨裝置的一部分以斷面進(jìn)行表示的正面圖。圖ll用于說(shuō)明在長(zhǎng)條片上形成凹部的工程的斜視圖。圖12用于說(shuō)明切斷長(zhǎng)條片取得磁頭的工程的斜視圖。圖13表示圖10所示的研磨裝置的研磨裝置夾具中配置磁頭用基板的分割片狀態(tài)的斜視圖。符號(hào)說(shuō)明1硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(記錄媒體驅(qū)動(dòng)裝置)2磁頭20(磁頭的)電磁變換元件21(磁頭的)滑動(dòng)器22(滑動(dòng)器的)浮上面23(滑動(dòng)器的)凹部24(滑動(dòng)器的)端面3A,3B磁盤(pán)(記錄媒體)40馬達(dá)6燒結(jié)體61導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子7磁頭用基板70(磁頭用基板的)主面具體實(shí)施例方式以下參照?qǐng)D，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體說(shuō)明。圖1至3所示的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器1，與記錄媒體驅(qū)動(dòng)裝置的一例相當(dāng)，在箱體10內(nèi)部，收容有磁頭2、磁盤(pán)3A，3B、以及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)4。磁頭2，訪(fǎng)問(wèn)任意磁盤(pán)軌道，用于進(jìn)行信息的記錄以及再生。磁頭2，相對(duì)調(diào)節(jié)器5，由懸掛臂50支持，在磁盤(pán)3A，3B上以非接觸狀態(tài)移動(dòng)。更具體的說(shuō)，磁頭2，以調(diào)節(jié)器5為中心，可在磁盤(pán)3A，3B的半徑方向旋轉(zhuǎn)，且能在上下方向往返移動(dòng)。磁頭2，具備有電磁變換元件20以及滑動(dòng)器21。如圖4所示，電磁變換元件20，發(fā)揮磁電阻效果，作為例如MR(MagnetroResistive)元件(以下稱(chēng)"MR元件")、GMR(GiantMagnetroResistive)元件(以下稱(chēng)"GMR元件")或是TMR(TunnelMagnetroResistive)元件(以下稱(chēng)"TMR元件")等而構(gòu)成?；瑒?dòng)器21，是磁頭2的基材，具有浮上面22以及凹部23。浮上面22，是與磁盤(pán)3相對(duì)的面，為鏡面。凹部23，是使磁頭上浮的流通空氣的流路。凹部23，通過(guò)離子研磨加工、反應(yīng)性離子刻蝕等方法，形成所需要的深度以及形狀，比如表面的算術(shù)平均高Ra，在20ntn以下(0//m除外)。若在這樣的表面粗糙度上形成凹部23，則可提高凹部23的平滑性，適當(dāng)控制空氣的流動(dòng)，并使磁頭2的上浮特性安定化?；瑒?dòng)器21，如圖5所示，由含有氧化鋁質(zhì)量比在35%以上，60%以下，導(dǎo)電性化合物質(zhì)量比在40%以上，65%以下的燒結(jié)體6組成?？赏ㄟ^(guò)ICP(InductivityCou。ledPlasma)發(fā)光分析法，獲取鋁以及鉤的比率，再對(duì)鋁以重量換算為氧化物的同時(shí)，對(duì)鎢則以重量換算為導(dǎo)電性化合物的種類(lèi)相應(yīng)的炭化物，氮化物或炭氮化物，從而求得燒結(jié)體6(滑動(dòng)器21)的氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物的比率。燒結(jié)體6，包含有氧化鋁的結(jié)晶粒子60以及導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61，最大結(jié)晶粒徑在4/zm以下(0/im除外)，理想為lMm以下。這種滑動(dòng)器21，可防止氧化鋁結(jié)晶粒子60以及導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的凝集，可實(shí)現(xiàn)組織的均一化，由于表面粗糙度低，因此在提高組織均一性的同時(shí)，可維持適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電性。氧化鋁的結(jié)晶粒子60，比如平均結(jié)晶粒徑在lMiii以下(0Azm除外)。一方面，導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61，由鎢的炭化物，氮化物以及炭氮化物的至少其中之一的化合物構(gòu)成，理想為鎢炭化物。導(dǎo)電性化合物，若使用鎢的炭化物，由于鎢的炭化物比鎢的氮化物、炭氮化物廉價(jià)，因此有利于節(jié)約制造成本。導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61，比如平均結(jié)晶粒徑在10nm(0.OIaiii)以上l;um以下。氧化鋁的結(jié)晶粒子60以及導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的最大結(jié)晶粒徑，平均結(jié)晶粒徑，如果使用掃描型電子顯微鏡(SEM)對(duì)例如滑動(dòng)器21的端面24或是其他目的的斷面進(jìn)行觀察，對(duì)應(yīng)最大結(jié)晶粒徑、平均結(jié)晶粒徑的大小，從放大倍率325013000倍中選擇適當(dāng)?shù)谋堵时判袛z影，將所獲得的5"m女8/im20/ztn大32/iin范圍的圖像通過(guò)圖像解析軟件(Image—ProPlus)進(jìn)行解析，從而算出其直徑大小。導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61，理想情況是包含有楔形形狀的粒子。若導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61包含有楔形形狀的粒子，則由于相對(duì)氧化鋁結(jié)晶粒子60的導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的固定效果，氧化鋁都以及導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子60、61都不易發(fā)生脫粒。這里所謂的楔形形狀，是指以?huà)呙栊碗娮语@微鏡(SEM)等觀察研磨滑動(dòng)器21的電磁變換元件20側(cè)的端面24或該端面24以下lmm的領(lǐng)域所獲得鏡面時(shí)，如圖6所示，具有一個(gè)以上不滿(mǎn)90度的，由導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的輪廓線(xiàn)所形成的交差角e的粒子。最小的交差角6，相對(duì)磁頭2的浮上面22(參照?qǐng)D4)，理想情況為可獲得最高規(guī)定固定效果的垂直位置。如圖4所示，滑動(dòng)器21，從電磁變換元件20側(cè)的端面24到深度D為lmm的領(lǐng)域中，端面24與平行面25，理想的導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61(參照?qǐng)D5以及圖6)的分布密度為5X105個(gè)/咖2以上。導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的分布密度，在1乂106個(gè)/,2則更為理想。有關(guān)滑動(dòng)器21，從端面24到深度D為lmm的面25的導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的分布密度若為5*105個(gè)/咖2以上，則可更適合地維持導(dǎo)電性，同時(shí)可抑制端面24的用于減少(分散)耐電領(lǐng)域的靜電。若分布密度在5乂105個(gè)/咖2以上，由于導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的放熱性良好，一次可提高燒結(jié)體6的放熱性。將從端面24到深度D為lmm的領(lǐng)域的平行于端面24的面25作為測(cè)定分布密度的領(lǐng)域，是由于端面24的放熱性，會(huì)對(duì)磁頭2的上浮量，磁盤(pán)3A，3B的記錄的破壞產(chǎn)生影響。分布密度的測(cè)定面，若是從端面24到深度為D為lmni的領(lǐng)域，則可以是該端面24，也可以是斷面。分布密度的測(cè)定范圍，理想為測(cè)定面為20/imX20Mm。在該范圍內(nèi)，可充分確認(rèn)導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的分散。這里，所謂分布密度在5乂1()5個(gè)/鵬2以上，是指例如端面24或指定端面的20/in^20/zm的范圍內(nèi)，導(dǎo)電性化合物粒子2存在有200個(gè)以上的狀態(tài)。這一狀態(tài)可以通過(guò)掃描型電子顯微鏡以7000倍13000倍的倍率進(jìn)行觀察?；瑒?dòng)器21，其熱傳導(dǎo)率例如在30W/(m'k)以上，抗折強(qiáng)度例如在700MPa以上。滑動(dòng)器21的熱傳導(dǎo)率若在30W/(m'k)以上，則磁頭2所形成的線(xiàn)圈所產(chǎn)生的熱可迅速散熱，因此可抑制由熱導(dǎo)致的對(duì)磁盤(pán)3A，3B中所保存的記錄的破壞。一方面，若抗折強(qiáng)度若在700MPa以上，由于可防止微型裂口，因此可抑制氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物的脫粒，可取得具有良好的CSS(ContactStartStop)特性的磁頭。這里，形成滑動(dòng)器21的燒結(jié)體6的熱傳導(dǎo)率，可以JISR1611—1997為依據(jù)進(jìn)行測(cè)定，而抗折強(qiáng)度，以JISR1601—1995為依據(jù)，通過(guò)3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度進(jìn)行評(píng)價(jià)。圖1或圖3所示的磁盤(pán)3A，3B，是記錄媒體的一例，具有磁記錄層(省略圖示)。這些磁盤(pán)3A,3B，為圓板狀，圓板上具有貫通孔30A，30B。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)4，是用于使磁盤(pán)3旋轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)，具備馬達(dá)40以及旋轉(zhuǎn)軸41。馬達(dá)40，固定于箱體10的底壁11，向旋轉(zhuǎn)軸41付與旋轉(zhuǎn)力。旋轉(zhuǎn)軸41，在通過(guò)馬達(dá)40迸行旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，還支持磁盤(pán)3A，3B。集線(xiàn)器42相對(duì)該旋轉(zhuǎn)軸41固定。集線(xiàn)器42與旋轉(zhuǎn)軸41共同旋轉(zhuǎn)，具有插入部43以及凸緣部44。磁盤(pán)3A，3B，在貫通孔30A，30B中插入有插入部43的狀態(tài)下，通過(guò)隔離物45，46，47，積層于凸緣部44。磁盤(pán)3A，3B，還通過(guò)螺釘48，將夾板49固定于隔離物47，進(jìn)而使旋轉(zhuǎn)軸41固定于馬達(dá)40上。這樣的旋轉(zhuǎn)機(jī)械4，通過(guò)馬達(dá)40，使旋轉(zhuǎn)軸41轉(zhuǎn)動(dòng)，從而使集線(xiàn)器42乃至磁盤(pán)3A，3B旋轉(zhuǎn)。接著，對(duì)磁頭2的制造方法，參照?qǐng)D7至圖12進(jìn)行說(shuō)明。首先如圖7A所示，形成有圓板狀的磁頭用基板7。該磁頭用基板7，是使用混合材料粉末、制造顆粒所取得的顆粒，通過(guò)加壓燒結(jié)制造而成的。作為材料粉末，采用含有氧化鋁粉末質(zhì)量比為35%以上，60%以下的，以及導(dǎo)電性化合物質(zhì)量比在40%以上，65%以下的物質(zhì)。作為材料粉末，為使促進(jìn)燒結(jié)的燒結(jié)體更為致密，可添加丫1)203、、03以及^^0中至少一種，質(zhì)量比在0.1%以上，0.6%以下。材料粉末的混合，采用例如球磨機(jī)，振動(dòng)磨機(jī)、膠體磨，攪拌研磨機(jī)或是高速攪拌機(jī)進(jìn)行。氧化鋁粉末，使用例如平均粒徑為0.3;utn以上，0.7Mm以下的微粒。作為氧化鋁粉末，使用0.3;am以上，0.7/zm以下的微粒，是由于氧化鋁發(fā)粉末的平均粒徑若超出0.7Mm，則會(huì)造成燒結(jié)體的致密化的不充分，導(dǎo)致強(qiáng)度不足，若小于0.3^um，易造成成形性低下，使燒結(jié)難于控制。因此，氧化鋁粉末通過(guò)使用平均粒徑在0.3^m以上，0.7Mm以下的微粒，促進(jìn)燒結(jié)體的致密化，并易于獲得作為磁頭用基板7所必要的強(qiáng)度。特別是作為氧化鋁粉末，通過(guò)使用平均粒徑在0.05Mm以上，0.5Mm以下的微粒，可使氧化鋁的結(jié)晶粒子的粒徑為l.Owm以下。導(dǎo)電性化合物，使用平均粒徑10nm以上，800ntn以下的鉤(W)的炭化物、氮化物以及炭氮化物中的至少一種，其中特別理想是使用相比氮化物鎢、炭氮化物鉤，較為廉價(jià)的炭化物的鎢。這樣有利于節(jié)約制造成本。導(dǎo)電性化合物使用平均粒徑在10nm以上，800nm的顆粒，是因?yàn)槿羝骄叫∮?0nm，會(huì)造成導(dǎo)電性化合物粒子的粉末凝集力過(guò)強(qiáng)，容易形成凝集體，若超出800nm，則會(huì)導(dǎo)致低溫下的燒結(jié)性惡化傾向。因此，作為導(dǎo)電性化合物粒子的粉末，通過(guò)使用平均粒徑在lOnni以上，800mn以下的顆粒，可在不形成凝集體的條件下，使導(dǎo)電性化合物的平均結(jié)晶粒徑在10nm以上，10Mm以下，獲得在低溫下的燒結(jié)性良好的磁頭用基板7。再者，氧化鋁粉末以及導(dǎo)電性化合物的粉末的平均粒徑，可通過(guò)液相沉淀法、離心沉淀光透過(guò)法、激光曲折散亂法、激光多普勒法等進(jìn)行測(cè)定。顆粒的制造，是在材料粉末的混合物中，添加結(jié)合劑、分散劑等成形助劑，均一混合后，使用滾動(dòng)造粒機(jī)、噴霧吹風(fēng)機(jī)、壓縮造粒機(jī)等各種造粒機(jī)進(jìn)行。加壓燒結(jié)，是將所取得顆粒以成形方法，形成所希望的形狀，成為成形體后，在還原性氣體氛圍中進(jìn)行的。成形通過(guò)干式加壓成形，冷間等方靜水壓成形等眾所周知的方法進(jìn)行。還原性氣體氛圍，由例如氬、氦、氖、氮、真空而實(shí)現(xiàn)。加壓力，理想為設(shè)定在30MPa以上。這樣，可促進(jìn)燒結(jié)體的致密化，可滿(mǎn)足磁頭用基板7所要求的強(qiáng)度，例如抗折強(qiáng)度在700MPa以上。若磁頭用基板7的抗折強(qiáng)度在700MPa以上，則可適當(dāng)防止微型裂口的發(fā)生。其結(jié)果，由于磁頭用基板7可抑制氧化鋁粒子、導(dǎo)電性化合物粒子的脫粒，因此可提供具有良好CSS(ContactStartStop)特性的磁頭。而抗折強(qiáng)度，可以JISR1601—1995為依據(jù)，通過(guò)3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度進(jìn)行評(píng)價(jià)。燒結(jié)溫度，比如在1400。C以上，1700。C以下。燒結(jié)溫度若不滿(mǎn)1400°C，則無(wú)法充分使材料粉末燒結(jié)，若超出1700。C，則導(dǎo)電性化合物粒子易于凝集，將導(dǎo)致無(wú)法充分發(fā)揮導(dǎo)電性化合物本身具備的功能。包含炭質(zhì)量材料的遮蔽材料配置于上述成形體周?chē)?，較合適進(jìn)行加壓燒結(jié)。這樣，可防止導(dǎo)電性化合物粒子變質(zhì)為氧化物粒子，可成為具有優(yōu)良機(jī)械特性的磁頭用基板7。這樣形成的磁頭用基板7，如圖4所示，含有氧化鋁(結(jié)晶粒子60)質(zhì)量比為35%以上，60%以下，導(dǎo)電性化合物(結(jié)晶粒子61)質(zhì)量比在40%以上，65%以下，成為最大結(jié)晶粒徑在4/im以下(0;um除外)的燒結(jié)體6。這種燒結(jié)體(磁頭用基板7)，由于導(dǎo)電性化合物(結(jié)晶粒子61)質(zhì)量比在40%以上，因此不會(huì)導(dǎo)致切片加工等的耐切削性、電荷除去速度等的低下，導(dǎo)電性化合物(結(jié)晶粒子61)質(zhì)量比在65%以下，因此不會(huì)損傷表面品位，可適當(dāng)維持滑動(dòng)特性。這里表示的燒結(jié)體6(磁頭用基板7)中氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物粒子的合計(jì)質(zhì)量比為100%，但也可包含有質(zhì)量比在0.5%以下的雜質(zhì)。而燒結(jié)體6(磁頭用基板7)的氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物粒子的比率，與滑動(dòng)器21相同，通過(guò)ICP(InductivitycoupledPlasma)發(fā)光分析法，基于氧化鋁以及鎢的比率可以求得。燒結(jié)體6(磁頭用基板7)還通過(guò)適當(dāng)調(diào)節(jié)材料粉末的粒徑、燒結(jié)條件(燒結(jié)溫度、燒結(jié)壓力)，導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的平均結(jié)晶粒徑比如在10nm(0.Olym)以上，1〃m以下，使電磁變換元件所形成的主面70至深度為lmm的領(lǐng)域的與主面70平行的面71(參照?qǐng)D7)的分布密度在5X105個(gè)/mm2以上。若磁頭基板7的導(dǎo)電性化合物的平均結(jié)晶粒徑在10nm(O.Ol"m)以上，lgm以下，則可使磁頭用基板7的全體電阻值均一，且體積固有電阻在1Q'cm以下。若導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的分布密度在5X10S個(gè)/ra^以上，可維持導(dǎo)電性的同時(shí)，使之具有良好的機(jī)械加工性，并提高其放熱性。另外，導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的分布密度的定義以及測(cè)定方法，與滑動(dòng)器21相同。并且，通過(guò)將燒結(jié)溫度設(shè)定為1500。C以上，使導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61在一定程度上凝集，還可使導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的一部分型成為楔形形狀。這里，有關(guān)楔形形狀的定義，參照?qǐng)D4，與對(duì)滑動(dòng)器21的說(shuō)明相同。磁頭用基板7中，若含有作為導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的楔形形狀粒子，相對(duì)氧化鋁結(jié)晶粒子60的導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61的固定效果，氧化鋁的結(jié)晶粒子60以及導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子61不易發(fā)生脫粒。因此，磁頭用基板7具有良好機(jī)械加工性，可以機(jī)械加工面的表面粗糙度為目的，從而可提供安定的上浮特性的磁頭2。通過(guò)適當(dāng)選擇材料粉末的組成，可使燒結(jié)體(磁頭用基板7)的熱傳導(dǎo)率為30W/(m'k)以上。這樣從磁頭用基板7所獲得的滑動(dòng)器21(磁頭2)具有良好的熱傳導(dǎo)性。因此，可使磁頭2的電磁變換元件20的線(xiàn)圈(省略圖示)所產(chǎn)生的熱迅速散熱，因此磁頭用基板7可提供抑制由熱導(dǎo)致的對(duì)記錄媒體所保存的記錄的破壞的磁頭2。而熱傳導(dǎo)率，可以JISR1611—1997為依據(jù)進(jìn)行測(cè)定。接著，如圖7B所示，磁頭用基板7，在通過(guò)偏壓濺射法對(duì)預(yù)磁頭用基板7形成由非晶質(zhì)的氧化鋁構(gòu)成的下地膜后，將多個(gè)電磁變換元件80共同造入，從而形成集合基板8。使用半導(dǎo)體集成技術(shù)，通過(guò)形成例如間膜、保護(hù)膜、上下磁極膜、線(xiàn)圈膜以及絕緣膜，將多個(gè)電磁變換元件80造入磁頭用基板7。間膜以及保護(hù)膜，通過(guò)例如偏壓濺射法，形成作為氧化鋁濺射膜。上下磁極膜以及線(xiàn)圈膜，則通過(guò)例如鍍膜法形成。上下磁極膜，由例如Ni—Fe合金形成，而線(xiàn)圈膜由例如銅形成。絕緣膜，是用于保持磁極膜與線(xiàn)圈間的，以及線(xiàn)圈間的絕緣性，使用例如具有絕緣性的熱硬化性樹(shù)脂的，通過(guò)光刻方法形成。如圖8A以及圖8B所示，將集合基板8切斷后取得長(zhǎng)條片81。該工程包括有如圖8A所示的將集合基板8切為四角形的第1切斷加工、如圖8B所示的將電磁變換元件80的所排的列作為一個(gè)單位，切斷成長(zhǎng)條片81的第2切斷加工。第1以及第2切斷加工，使用例如金剛切刀進(jìn)行。然后，對(duì)長(zhǎng)條片81的滑動(dòng)器21的成為上浮面22(參照?qǐng)D4)的面進(jìn)行研磨。該研磨使用如圖9以及圖10所示的研磨裝置9進(jìn)行。研磨裝置9具備研磨盤(pán)90、研磨夾具91以及容器92。研磨盤(pán)90，是通過(guò)驅(qū)動(dòng)部(省略圖示)實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)的，例如通過(guò)錫，在平坦度為10Aim以下，維氏硬度(H)在78MPa的條件下形成。該研磨盤(pán)90，具有漩渦狀的溝93。溝93的斷面為矩形，螺距Pt設(shè)定為0.l—0.5mm。研磨夾具91，用于保持長(zhǎng)條片81,成圓板狀。該研磨夾具91，由驅(qū)動(dòng)器(省略圖示)驅(qū)動(dòng)，可在上下方向上反復(fù)移動(dòng)，以所定壓力將所保持的長(zhǎng)條片81按上于研磨盤(pán)90而構(gòu)成。容器92，用于保持供給研磨盤(pán)90的研磨液94。研磨液94，可使用例如包含濃度為0.11.0/L的研磨粒的PH7.58.5的泥漿狀物質(zhì)。研磨粒，可使用例如平均粒徑為0.05~0.15Mm的金剛石砥粒。使用該研磨裝置9研磨長(zhǎng)條片81時(shí)，使研磨盤(pán)90以所定周速度旋轉(zhuǎn)，同時(shí)以向著研磨盤(pán)90，從容器92吐出研磨液94的狀態(tài)下，通過(guò)將保持長(zhǎng)條片81的研磨夾具91按上于研磨盤(pán)90而進(jìn)行研磨。來(lái)自容器92的研磨液94的吐出速度，比如設(shè)定為0.3mL/60sec，研磨盤(pán)90的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定為比如0.51.0m/sec，將長(zhǎng)條片81(研磨夾具91)按上研磨盤(pán)90的壓力設(shè)定為比如50100MPa。這樣，通過(guò)對(duì)長(zhǎng)條片81的應(yīng)成為滑動(dòng)器21的浮上面22(參照?qǐng)D4)的面進(jìn)行研磨，則研磨面82成為算數(shù)平均粗糙度Ra為O.20.4nm的鏡面。然后，如圖11所示，在長(zhǎng)條片81的研磨面82上形成凹部83。凹部83，是用于流通使磁頭2上浮的空氣的流路(凹部23)(參照?qǐng)D4)，研磨面82的非除去鏡面部分，是磁頭2的與磁記錄媒體相對(duì)的浮上面22(參照?qǐng)D4)。上面的凹部83，通過(guò)例如離子研磨加工、反應(yīng)性離子刻蝕，形成所希望的形狀、深度以及表面粗燥度。凹部83的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra，在例如20nm以下(Onm除外)。若在這種表面粗糙度上形成凹部83，則將提高磁頭2的凹部23(參照?qǐng)D4)的平滑性，可適當(dāng)控制空氣的流動(dòng)，使磁頭2的上浮特性安定化。最后，如圖12所示，通過(guò)切斷形成凹部83的長(zhǎng)條片81，可取得如圖4所示的芯片狀磁頭2。實(shí)施例下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。但是，本發(fā)明并不僅限于這些實(shí)施[實(shí)施例1]本實(shí)施例，使用組成以及組織狀態(tài)不同的多個(gè)試驗(yàn)片，探討組成以及組織狀態(tài)對(duì)機(jī)械特性的影響。(試驗(yàn)片的制作)試驗(yàn)片，使用包含所希望的組成而調(diào)合的材料粉末的研磨料，形成成形體后，對(duì)該成形體加壓燒結(jié)，形成磁頭基板，并通過(guò)切斷該磁頭基板，制作試驗(yàn)片。作為材料粉末，使用氧化鋁、導(dǎo)電性化合物以及Yb203，并對(duì)這些材料粉末添加分散劑。再者，通過(guò)選擇材料粉末的氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物的平均粒徑、含有量，如下面表l所示，調(diào)整了燒結(jié)體(試驗(yàn)片)的氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物的平均結(jié)晶粒徑以及含有量。而材料粉末的￥13203的含有量的質(zhì)量比為0.2%。在將研磨料投入噴霧千燥機(jī)成為顆粒后，用離子交換水10%向顆粒噴霧，成為粘合劑后，通過(guò)千式加壓成形，形成成形體。加壓燒結(jié)，是將成形體配置于模具中(直徑127mm，深度2mm)，在氬氣氛圍中進(jìn)行。燒結(jié)溫度，參照下面表l。試驗(yàn)片，通過(guò)切斷磁頭用基板，形成10mm大10mm女2mm的板狀，以及20mm*50mm*1.2mm的板狀。(組織狀態(tài)的觀察)試驗(yàn)片的組織狀態(tài)，以氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物的各個(gè)平均結(jié)晶粒徑，試驗(yàn)片的最大結(jié)晶粒徑以及平均結(jié)晶粒徑進(jìn)行觀察。使用那個(gè)掃描型電子顯微鏡(SEM),根據(jù)最大結(jié)晶粒徑、平均結(jié)晶粒徑的大小，從倍率325013000倍中選定適當(dāng)倍率，將拍攝下的5mm*8mm20Mm*32Mm范圍的畫(huà)像，通過(guò)圖像分析軟件(Iroage—ProPlus),分析計(jì)算出最大結(jié)晶粒徑以及平均結(jié)晶粒徑。有關(guān)氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物的各個(gè)平均結(jié)晶粒徑，試驗(yàn)片的最大結(jié)晶粒徑以及平均結(jié)晶粒徑的計(jì)算結(jié)果，如表l所不O(試驗(yàn)片的組成)試驗(yàn)片的組成，是算出氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物的重量比率。首先，使用ICP(InductivityCoupledPlasma)發(fā)光分析裝置(精工電子工業(yè)制造，SPS1200VR)，求得鋁以及鎢的比率。接著，換算鋁的氧化物的重量，以及根據(jù)導(dǎo)電性化合物的種類(lèi)，換算鎢的炭化物、氮化物或炭氮化物的重量，并算出它們的比率(重量百分比)。有關(guān)重量比率的算出結(jié)果，如表1所示。(機(jī)械的特性評(píng)價(jià))機(jī)械的特性，是評(píng)價(jià)研磨率，凹部的表面粗糙度，以及維氏硬度。研磨率，是使用如圖9以及圖10所示的研磨裝置9(LAPMASTERSFT社制9"型)，評(píng)價(jià)單位時(shí)間的研磨量。研磨液94,是使用將平均粒徑0.1^m的金剛石砥粒，以濃度0.5g/L分散的PH8.1的泥漿狀物質(zhì)。研磨盤(pán)90，使用平坦度10;am以下，維氏硬度(H)78MPa,溝95的螺距Pt為0.3mm的錫制物質(zhì)。研磨盤(pán)90的旋轉(zhuǎn)速度，周速設(shè)定為0.65m/秒。如圖13所示，對(duì)研磨夾具91，將10mmX10mmX2mm的試驗(yàn)片95，以30枚等間隔，圓周狀配置。相對(duì)研磨盤(pán)90的研磨液94的供給速度，設(shè)定為0.3mL/60sec，相對(duì)研磨盤(pán)90的試驗(yàn)片95的按下壓力設(shè)定為0.07MPa。使用萬(wàn)分表，分別測(cè)定研磨加工前的試驗(yàn)片95的厚度(ta)以及研磨加工后的試驗(yàn)片95的厚度(tb)，將其差(ta—tb)除以研磨加工所需要的時(shí)間，求得研磨率。凹部的表面粗糙度，是使用原子間力顯微鏡，依據(jù)JISB0601—2001，測(cè)定算術(shù)平均高(Ra)。而評(píng)價(jià)長(zhǎng)度為10/im。凹部是使用離子研磨裝置(『AP—MIED型』日本電子株式會(huì)社制)而形成的。離子研磨，是對(duì)20mmX50mmX1.2mm的試驗(yàn)片，使用Ar+離子，加速電壓3kV/30mA，維氏硬度，是試驗(yàn)力為196N以外，依據(jù)JISR1610—2003進(jìn)行測(cè)定。研磨率、凹部的表面粗糙度、以及維氏硬度的測(cè)定結(jié)果，如表1所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>如表1所示，含有氧化鋁質(zhì)量比在35%以上，60%以下，導(dǎo)電性化合物質(zhì)量比在40%以上，65%以下的，且燒結(jié)體(試驗(yàn)片)的最大結(jié)晶粒徑在4um以下的本發(fā)明的試料(No.2，46，8，1012，1419，22，24，2729，3234，36)，研磨率為0.064ym/min以上，離子研磨加工后的凹部的算術(shù)平均高Ra在22nm以下，維氏硬度在19.2GPa以上，離子研磨加工后的氧化鋁、導(dǎo)電性化合物的組織的分散性高，可取的非常高精度的表面。本發(fā)明的試料中，除No.24的燒結(jié)體(試驗(yàn)片)的平均結(jié)晶粒徑在lixm以下的試料，在離子研磨加工后的凹部的算術(shù)平均高Ra在21nm以下，可獲得更高精度的表面。并且，除No.l7的燒結(jié)體(試驗(yàn)片)的氧化鋁的平均結(jié)晶粒徑在1Pm以下的試料，以及除No.6的導(dǎo)電性化合物粒子的平均結(jié)晶粒徑在10nm(0.01um)以上，lum以下的試料，在離子研磨加工后的算術(shù)平均高Ra在20nm以下，可獲得更高精度的表面。本發(fā)明的試料中，被作為導(dǎo)電性化合物的使用鎢的炭化物(WC)的試料(No.2，46，8，1012，1419，22，24，36)，與其他導(dǎo)電性化合物(WN，WCN)相比，與金剛石砥粒間的電阻增加，研磨率大于0.093um/min或?yàn)楦咧?。?duì)此，試料No.l，其氧化鋁粉末的平均粒徑在0.3um以下，因此氧化鋁粉末自身的分散性變壞，而成形體的彈性回復(fù)也大，結(jié)果導(dǎo)致無(wú)法進(jìn)行良好的燒結(jié)。試料No.7，由于其加壓燒結(jié)溫度不滿(mǎn)1400。C，而試料No.21使用常壓燒結(jié)，因此都無(wú)法進(jìn)行充分燒結(jié)，無(wú)法進(jìn)行全面評(píng)價(jià)。并且，燒結(jié)體的最大粒徑超出4nm的試料(No.3，20，21，23，25，37)，在離子研磨加工后的算術(shù)平均高Ra非常大，在24nm以上，36nm以下。同樣，不含有氧化鋁質(zhì)量比在35%以上，60%以下，導(dǎo)電性化合物質(zhì)量比在40%以上，65%以下的試料(No.9，13，26，30，31，35)，多為研磨率為0.045um/min或更低，研磨加工后的算術(shù)平均高Ra在25nm左右的試料，加工性低下。本實(shí)施例，探討試驗(yàn)片的導(dǎo)電性化合物的分布密度對(duì)導(dǎo)電性、機(jī)械的特性的影響。(試驗(yàn)片的制作)試驗(yàn)片，與實(shí)施例1同樣制作。而對(duì)于燒結(jié)體(試驗(yàn)片)的氧化鋁以及導(dǎo)電性化合物粒子，如表2對(duì)平均結(jié)晶粒徑以及含有量進(jìn)行調(diào)整，通過(guò)調(diào)整燒成溫度，調(diào)整試驗(yàn)片的導(dǎo)電性化合物粒子的分布密度。而對(duì)試驗(yàn)片，通過(guò)切斷燒結(jié)體，制作成10mmX2mm的板狀，20mmX50mmX3.5mm的長(zhǎng)尺狀。(分布密度的測(cè)定)分布密度，是以實(shí)施例l相同的條件，對(duì)試驗(yàn)片施加研磨加工，使用掃描型電子顯微鏡，計(jì)算研磨加工面中20umX20nm范圍的導(dǎo)電性化合物粒子數(shù)量，確認(rèn)其分布密度。掃描型電子顯微鏡的倍率，從700013000倍的范圍內(nèi)選擇最適合的倍率。以?huà)呙栊碗娮语@微鏡進(jìn)行觀察時(shí)，可同時(shí)確認(rèn)導(dǎo)電性化合物粒子的形狀。(機(jī)械的特性)機(jī)械特性，以體積固有電阻、研磨率以及最大切片量進(jìn)行評(píng)價(jià)。體積固有電阻，依據(jù)JISC2141—1992進(jìn)行測(cè)定。研磨率，與實(shí)施例1一樣進(jìn)行測(cè)定。最大切片量，是在使用切片機(jī)(「SPG25N—13K型」(株)不二越社制)形成溝時(shí)，從溝表面測(cè)定而得的。作為試驗(yàn)片，各試料分別準(zhǔn)備10個(gè)，呈20mmX50mmX3.5mm的長(zhǎng)尺狀。切片機(jī)的金剛刀片，使用SD1200EL—1H/Size(金剛刀片尺寸為寬99mmX高40mmX厚0,07mm)。溝是在金剛刀的傳送速度為220mm/min，旋轉(zhuǎn)數(shù)lOOOOrpm下，以加工深度3.5mm，加工螺距2mm，加工長(zhǎng)度50mm而形成的。對(duì)于溝表面，則使用金屬顯微鏡，以倍率IOOO倍進(jìn)行拍攝，通過(guò)對(duì)60ymX80ixm的范圍的進(jìn)行解析，算出最大切片量。體積固有電阻、研磨率以及最大切片量的測(cè)定結(jié)果，如表2所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>如表2所示，本發(fā)明的試料中，導(dǎo)電性化合物粒子的分布密度在5*1()5個(gè)/mm2以上的試料(No.4147),體積固有電阻在3X105Q'cm以下則較低，最大切片量在llwm以下則較小。特別是在這些試料中，作為導(dǎo)電性化合物粒子，包含有楔形形狀粒子的試料(No.4145)，最大切片量在6um以下則能實(shí)現(xiàn)更小。權(quán)利要求1.一種磁頭用基板，是由包含有質(zhì)量比在35％以上，60％以下的氧化鋁、質(zhì)量比40％以上，65％以下的導(dǎo)電性化合物的燒結(jié)體所構(gòu)成；上述導(dǎo)電性化合物，是從鎢的炭化物、氮化物以及炭氮化物中選擇的至少一種；上述燒結(jié)體的最大結(jié)晶粒徑在4μm以下(0μm除外)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板，上述燒結(jié)體，平均結(jié)晶粒徑在1lim以下(0ym除外)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板，上述氧化鋁，平均結(jié)晶粒徑在lixm以下(0um除外)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板，上述導(dǎo)電性化合物，是鎢的炭化物。5.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板，上述導(dǎo)電性化合物，平均結(jié)晶粒徑在10nm(0.01um)以上，lum以下。6.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板，從電磁變換元件所形成的主面至深度lmm的領(lǐng)域，在與前述主面平行的面中，上述導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子的分布密度在5X105個(gè)/mm2以上。7.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板，前述導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子，包含有楔形形狀的粒子。8.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板，前述燒結(jié)體，熱傳導(dǎo)率在30W/(mk)以上。9.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板，前述燒結(jié)體，抗折強(qiáng)度在700MPa以上。10.—種磁頭，具備滑動(dòng)器、電磁變換元件上述滑動(dòng)器，由包含有質(zhì)量比在35%以上，60%以下的氧化鋁、質(zhì)量比40%以上，65%以下的導(dǎo)電性化合物的燒結(jié)體所構(gòu)成；上述導(dǎo)電性化合物，是從鎢的炭化物、氮化物以及炭氮化物中選擇的至少一種；上述燒結(jié)體的最大結(jié)晶粒徑在4um以下(0nm除外)。11.根據(jù)權(quán)利要求IO所記載的磁頭，上述燒結(jié)體，平均結(jié)晶粒徑在lum以下(0um除外)。12.根據(jù)權(quán)利要求IO所記載的磁頭，上述氧化鋁，平均結(jié)晶粒徑在llim以下(0um除外)。13.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭，上述導(dǎo)電性化合物，是鎢的炭化物。14.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭，上述導(dǎo)電性化合物，平均結(jié)晶粒徑在10nm(0.01um)以上，lym以下。15.根據(jù)權(quán)利要求IO所記載的磁頭，從上述滑動(dòng)器的電磁變換元件所形成的端面至深度lmm的領(lǐng)域，在與前述端面平行的面中，上述導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子的分布密度在5*105個(gè)/,2以上。16.根據(jù)權(quán)利要求IO所記載的磁頭，前述導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子，包含有楔形形狀的粒子。17.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭，前述燒結(jié)體，熱傳導(dǎo)率在30W/(m.k)以上。18.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭，前述燒結(jié)體，抗折強(qiáng)度在700MPa以上。19.根據(jù)權(quán)利要求IO所記載的磁頭，上述滑動(dòng)器，具有浮上面、以及導(dǎo)入空氣的凹部；前述凹部，表面的算術(shù)平均高Ra在20nm以下。20.—種記錄媒體驅(qū)動(dòng)裝置，具備權(quán)利要求10至19的任意一項(xiàng)所記載的磁頭；具有通過(guò)前述磁頭進(jìn)行信息記錄以及再生的磁記錄層的記錄媒體；以及驅(qū)動(dòng)前述記錄媒體的馬達(dá)。全文摘要本發(fā)明是有關(guān)由包含有質(zhì)量比在35％以上，60％以下的氧化鋁、質(zhì)量比40％以上，65％以下的導(dǎo)電性化合物的燒結(jié)體所構(gòu)成磁頭用基板。導(dǎo)電性化合物，包含有鎢的炭化物、氮化物以及炭氮化物中選擇的至少一種。前述燒結(jié)體的最大結(jié)晶粒徑在4μm以下(0μm除外)。本發(fā)明還提供具備前述磁頭用基板所形成的滑動(dòng)器的磁頭，以及具備該磁頭的記錄媒體驅(qū)動(dòng)裝置。文檔編號(hào)G11B5/31GK101432806SQ20078001530公開(kāi)日2009年5月13日申請(qǐng)日期2007年2月26日優(yōu)先權(quán)日2006年2月27日發(fā)明者中原正博,源通拓哉,須惠敏幸申請(qǐng)人:京瓷株式會(huì)社