專利名稱：存儲器編碼方法與裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲器編碼技術(shù)領(lǐng)域，有關(guān)于一種存儲器編碼的方法
與裝置，特別是指一種關(guān)于浮柵(Floating Gate)閃存編碼的方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著便攜式電子產(chǎn)品的日益增加，快閃(Flash)存儲器 的技術(shù)及市場應(yīng)用也日益成熟擴大。這些便攜式電子產(chǎn)品。這些便攜 式電子產(chǎn)品例如數(shù)字相機、移動電話、個人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant, PDA)、游戲機、隨身聽、可編程IC、數(shù)字電視等，皆已大 量采用閃存作為其數(shù)據(jù)儲存或暫存空間。
閃存是一種非易失性存儲器(Non-Volatile Memory),其運作原理 是通過改變晶體管或存儲單元的閾值電壓(ThresholdVoltage)來控制 柵極通道的開關(guān)以達(dá)到存儲數(shù)據(jù)的目的，使儲存在存儲器中的數(shù)據(jù)不 會因為電源中斷而消失。 一般而言，評估閃存的實用效能不外乎容量、 存取速度、耗電量、與使用壽命(以重復(fù)寫入的次數(shù)計)等等。隨著 近年微縮工藝的進(jìn)步，閃存的容量增加、存取速度增加、與耗電量的 減低皆獲得大幅度的進(jìn)展，只有存儲器的使用壽命上相關(guān)技術(shù)的進(jìn)展 相對較少，然而對許多消費電子產(chǎn)品例如可錄放的數(shù)字電視等需要短 時間進(jìn)行大量數(shù)據(jù)存取的情況，其產(chǎn)品壽命往往取決于存儲器的使用 壽命。例如目前市面上熱門的暫停電視(PauseTV)，由于系統(tǒng)不知道 使用者會在什么時候按下暫停鍵，因此其需要不斷將每個播放過的廣 播電視畫面寫入至其內(nèi)部的閃存，然而閃存通常沒有系統(tǒng)中其它元件 長壽。
過去延長存儲器壽命常見的方法不外乎增加閃存容量，或?qū)?shù)據(jù) 傳送的位率降低，即刻意大幅降低數(shù)據(jù)存取速度以延長存儲器的使用 時間，然而這些方式皆會造成閃存效能的大幅降低。
4為了進(jìn)一步提高閃存的使用壽命，同時避免上述常用方法所造成的效能的降低，發(fā)明人本著孜孜矻矻及精勤修習(xí)的求好精神，復(fù)以累積多年之專業(yè)知識與制造設(shè)計經(jīng)驗相互輔佐，歷經(jīng)多方巧思及試作后，而成就此一 「存儲器編碼方法」的實用發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種存儲器編碼方法及其裝置，可用以減少存儲器損耗，延長存儲器使用壽命而提高存儲器穩(wěn)定性。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想，提出一種存儲器編碼方法，對于具有多個存儲單元的一存儲器，包括以下步驟A、接收多個二進(jìn)制碼，其中該二進(jìn)制碼包括表示需進(jìn)行編程的一第一二進(jìn)制碼與表示不需進(jìn)行編程的一第二二進(jìn)制碼；B、統(tǒng)計該多個二進(jìn)制碼中為該第一二進(jìn)制碼和該第二二進(jìn)制碼至少其一的數(shù)量；C、當(dāng)該第二二進(jìn)制碼的數(shù)量超過該多個二進(jìn)制碼全部數(shù)量的一半時，反轉(zhuǎn)該多個二進(jìn)制碼；以及D、將該存儲器中的存儲單元對應(yīng)于該第一二進(jìn)制碼的部分進(jìn)行編程，并包括編程一用以于讀取檢核的反轉(zhuǎn)標(biāo)識位。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編碼方法，其中步驟B是通過一加法器(adder)來實現(xiàn)的。
較佳地，本發(fā)明所提供第存儲器編碼方法，其中該二進(jìn)制碼以一分頁為單位。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編碼方法，其中該存儲器為一閃存。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編碼方法，其中該存儲器為一浮柵(Floating Gate)閃存。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編碼方法，其中將存儲器中的存儲單元進(jìn)行編程是指將該存儲單元的閾值電壓由一第二閾值電壓調(diào)整為一第一閾值電壓。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編碼方法，進(jìn)一步包括以下步驟:E、將該存儲器中的存儲單元對應(yīng)于該第二二進(jìn)制碼的部分進(jìn)行編程；以及F、將該存儲器中已編程的存儲單元進(jìn)行一擦除程序。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編碼方法，其中步驟F的該擦除程序是將該存儲單元的閾值電壓由一第一閾值電壓調(diào)整為一第二閾值電壓。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想，提出另一種存儲器編碼方法，對于具有多個存儲單元的一存儲器，該方法包括以下步驟a、接收多個二進(jìn)制碼，其中該二進(jìn)制碼包括表示需進(jìn)行編程的一第一二進(jìn)制碼與表示不需進(jìn)行編程的一第二二進(jìn)制碼；b、統(tǒng)計該第一二進(jìn)制碼與該第二二進(jìn)制碼
之中至少其一的數(shù)量；C、當(dāng)該第一二進(jìn)制碼的數(shù)量少于該多個二進(jìn)制
碼全部數(shù)量的一半時，反轉(zhuǎn)該多個二進(jìn)制碼；以及d、將該存儲器中的存儲單元對應(yīng)于該第一二進(jìn)制碼的部分進(jìn)行編程。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編碼方法，其中步驟d進(jìn)一步包括編程一用以于讀取檢核的反轉(zhuǎn)標(biāo)識位。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編碼方法，其中步驟b是通過一加法器(adder)來達(dá)成。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編碼方法，其中該二進(jìn)制碼以一分頁為單位。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編碼方法，其中該存儲器為一閃存。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編碼方法，其中該存儲器為一浮柵閃存。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想，提出一種存儲裝置，其包括一加法器、 一比較器、以及一編碼器，其中該加法器用以統(tǒng)計該集合的數(shù)據(jù)位需編程的數(shù)量，該比較器用以將該集合的數(shù)據(jù)位需編程的數(shù)量與該集合的數(shù)據(jù)位總數(shù)的一半作比較，該編碼器則是當(dāng)該集合的數(shù)據(jù)位需編程的數(shù)量未達(dá)該集合的數(shù)據(jù)位總數(shù)的一半時，用以反轉(zhuǎn)該集合的數(shù)據(jù)位，使該經(jīng)反轉(zhuǎn)的集合中有超過半數(shù)的數(shù)據(jù)位需要編程。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲裝置，其中該比較器包括XOR邏輯柵和XNOR邏輯柵其中之一。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲裝置，其中該存儲器為一浮柵閃存。根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想，提出又一種存儲器編程方法，包括以下步驟 A)、接收一集合的數(shù)據(jù)位；B)、統(tǒng)計該集合的數(shù)據(jù)位需被編程的數(shù)量； C)、若在該集合的數(shù)據(jù)位需被編程的數(shù)量未達(dá)該集合的數(shù)據(jù)位總數(shù)的 一半，則反轉(zhuǎn)該集合的數(shù)據(jù)位，使該經(jīng)反轉(zhuǎn)的集合中有超過半數(shù)的數(shù) 據(jù)位需被編程；以及D)、針對需要編程的數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編程方法，其中步驟D)進(jìn)一步 包括編程一用于讀取檢核的反轉(zhuǎn)標(biāo)識位。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編程方法，其中該數(shù)據(jù)位的編程 是指將該數(shù)據(jù)位輸入一存儲器的存儲單元。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編程方法，其中將該數(shù)據(jù)位輸入 該存儲器的存儲單元是指將對應(yīng)該數(shù)據(jù)位的存儲單元編程為一第一閾 值電壓。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編程方法，其更包括E)將該集 合中尚未編程的數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程；以及F)將該存儲器中對應(yīng)該集合的 所有存儲單元進(jìn)行一擦除程序。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編程方法，其中步驟F)的擦除程 序是將該存儲器中對應(yīng)該集合的數(shù)據(jù)位的所有存儲單元編程為一第二 閾值電壓。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編程方法，其中該存儲器為一快 閃(Flash)存儲器。
較佳地，本發(fā)明所提供的存儲器編程方法，其中該存儲器為一浮 柵(Floating Gate)閃存。


圖1是本發(fā)明的存儲器編碼方法及裝置的第一實施例示意圖。 圖2是本發(fā)明的存儲器編碼方法及裝置的第二實施例示意圖。 圖3是存儲器循環(huán)時間和該其使用壽命的關(guān)系示意圖。
主要元件符號說明10:存儲器的數(shù)據(jù)寫入程序
11:輸入一分頁數(shù)據(jù)位
13:統(tǒng)計該分頁中需編程數(shù)據(jù)位的數(shù)量
15:比較該分頁中需編程數(shù)據(jù)位數(shù)量與不需編程數(shù)據(jù)位數(shù)量 17:反轉(zhuǎn)該分頁數(shù)據(jù)位 19:進(jìn)行編程
20:存儲器的數(shù)據(jù)擦除程序
21:將該分頁中尚未編程的數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程
23:擦除程序
30:存儲裝置 31:加法器
33:比較器 35:編碼器
37:執(zhí)行器 41:輸入端
具體實施例方式
本發(fā)明將可由以下的實施例說明而得到充分了解，使得熟習(xí)本技 藝之人士可以據(jù)以完成之，然本發(fā)明之實施并非可由下列實例而被限 制其實施型態(tài)。
請參考圖1，其為本案存儲器編碼方法第一實施例的流程圖。由于 一般存儲器的數(shù)據(jù)讀寫皆以一定位數(shù)量的群組集合為操作單位，例如
一分頁(Page)或一緩存空間(Buffer space)等，故在此一實施例中 以一分頁為例， 一分頁的位空間可采如128位或512位的空間量。在 圖1中，左側(cè)的流程圖10是表示一組數(shù)據(jù)位被寫入存儲器的過程，右 側(cè)的流程圖20是表示該存儲器進(jìn)行擦除數(shù)據(jù)的過程。
當(dāng)一分頁的數(shù)據(jù)位被接收后(步驟11)，統(tǒng)計該分頁數(shù)據(jù)位中需作 編程的數(shù)量(步驟13)，其后比較該分頁中需作編程的數(shù)據(jù)位數(shù)量(步 驟15)，若該需作編程的數(shù)據(jù)位數(shù)量未達(dá)該分頁所有位空間的一半，則 反轉(zhuǎn)該分頁所有的數(shù)據(jù)位(步驟17)，接著再針對該經(jīng)反轉(zhuǎn)后的數(shù)據(jù)位 進(jìn)行編程(步驟19);若該需作編程的數(shù)據(jù)位數(shù)量己超過該分頁所有位 空間的一半，則不針對該分頁的數(shù)據(jù)位作反轉(zhuǎn)編碼程序，而直接根據(jù) 所接收的數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程(步驟19)。在上述的步驟11中，所接收的分頁中其數(shù)據(jù)位是根據(jù)是否需要進(jìn) 行編程而被編碼為一二進(jìn)制碼，例如，表示需進(jìn)行編程的二進(jìn)制1及
表示不需進(jìn)行編程的二進(jìn)制0 ;其后，在步驟13中再分別統(tǒng)計該分頁 數(shù)據(jù)位中為二進(jìn)制1及二進(jìn)制0的數(shù)量；而后，在步驟15中比較分別 為二進(jìn)制1及二進(jìn)制0的數(shù)量，若該分頁數(shù)據(jù)位中二進(jìn)制1的數(shù)量小 于二進(jìn)制0的數(shù)量，則反轉(zhuǎn)該分頁的數(shù)據(jù)位，即原為二進(jìn)制1的數(shù)據(jù) 位反轉(zhuǎn)為0 ，且原為二進(jìn)制1的數(shù)據(jù)位反轉(zhuǎn)為1，使得該分頁有較多的 數(shù)據(jù)位為二進(jìn)制l，亦即有較多的數(shù)據(jù)位需被編程，最后在步驟19中 根據(jù)反轉(zhuǎn)后的數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程。若經(jīng)比較后該分頁數(shù)據(jù)位中二進(jìn)制1 的數(shù)量已大于二進(jìn)制0的數(shù)量，則在步驟19中直接針對該分頁的數(shù)據(jù) 位進(jìn)行編程。
當(dāng)步驟19完成，該組數(shù)據(jù)位已被寫入存儲器中，此時，該分頁的 數(shù)據(jù)位更具有一存儲空間用以記錄該分頁的反轉(zhuǎn)狀態(tài)，亦即，該步驟 包括編程一用以于讀取檢核的一反轉(zhuǎn)標(biāo)識位。若該分頁的數(shù)據(jù)位在寫 入時是經(jīng)過反轉(zhuǎn)的程序，則在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取作業(yè)時需再根據(jù)該反轉(zhuǎn)標(biāo) 識位的標(biāo)示進(jìn)行一回復(fù)的反轉(zhuǎn)程序，亦即經(jīng)反轉(zhuǎn)后的二進(jìn)制1回復(fù)為 二進(jìn)制0 ，經(jīng)反轉(zhuǎn)后的二進(jìn)制0回復(fù)為二進(jìn)制1。
在上述的過程中， 一數(shù)據(jù)位的編程是指將該數(shù)據(jù)位輸入該存儲器 的一存儲單元， 一般在浮柵閃存中是透過將存儲器中對應(yīng)二進(jìn)制1的 數(shù)據(jù)位的存儲單元編程為一第一閾值電壓來完成。
當(dāng)該存儲器的數(shù)據(jù)儲存作業(yè)終結(jié)時，則該存儲器中對應(yīng)該分頁的 存儲單元需進(jìn)行一數(shù)據(jù)擦除的程序，在浮柵閃存中數(shù)據(jù)擦除的程序是 需先將該分頁中尚未經(jīng)編程的數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程，亦即該存儲器中對應(yīng) 該分頁的所有的存儲單元皆被編程為該第一閾值電壓，如步驟21所示， 其后再進(jìn)行如步驟23的擦除程序，即將對應(yīng)該分頁的所有的存儲單元 編程為一第二閾值電壓，該第二閾值電壓即為該存儲器的存儲單元初 始閾值電壓，亦即該存儲器的存儲單元回復(fù)原有尚未輸入數(shù)據(jù)的狀態(tài)， 可再進(jìn)行下一階段的數(shù)據(jù)儲存作業(yè)。
上述的步驟13中，可通過許多的演算器來統(tǒng)計該分頁中數(shù)據(jù)位為 二進(jìn)制1或二進(jìn)制0的數(shù)量，例如加法器(Adder)或全加法器(FullAdder);步驟15中則可通過一比較器(Comparator)來比較該分頁中 需作編程的數(shù)據(jù)位數(shù)量，例如XOR和XNOR等邏輯柵比較器。
該第一閾值電壓與第二閾值電壓可依實際的需求而被制定， 一般 而言，該第一閾值電壓通常采取相對較高的電壓值，而第二閾值電壓
則采取相對較低的電壓值，然而亦可采第一閾值電壓為相對較低的閾 值電壓值而第二閾值電壓則采取相對較高的閾值電壓值。
存儲器中的存儲單元經(jīng)編程為第一閾值電壓后再經(jīng)擦除(erase) 為初始的第二閾值電壓，如此被稱作經(jīng)為一 「循環(huán)」，該循環(huán)的時間是 影響存儲器使用壽命的主要因素之一，該循環(huán)的時間愈短，則存儲器 的壽命將愈受影響而縮短。
對閃存來說，通常在進(jìn)行擦除程序之前需讓其所有的存儲單元被 編程，其目的在避免不統(tǒng)一的擦除，即所謂的「過度擦除」。因此，本 發(fā)明采取的手段讓一開始讓愈多的數(shù)據(jù)位編程愈好，確保超過二分之 一分頁的數(shù)據(jù)位被編程，如此該存儲器在進(jìn)行擦除程序之前，超過一 半分頁的存儲單元可以說是處于休息狀態(tài)(relaxing)的。
請參考圖3，其為循環(huán)時間和該存儲器壽命的關(guān)系示意圖。其中， X軸表示存儲器的操作時間與使用壽命，Y軸代表存儲器的閾值電壓， 尤其是較高的閾值電壓。
在圖3 (a)中，當(dāng)該存儲器所有的循環(huán)操作，例如一萬次的循環(huán)， 是均勻分布在5年時，該存儲器的閾值電壓衰退的很慢，而該存儲器 的使用壽命可以延長到IO年；反之，如圖3 (b)中表示，當(dāng)該存儲器
所有的循環(huán)操作是在一個星期內(nèi)完成時，該存儲器的閾值電壓衰退的 很快，而導(dǎo)致該存儲器的使用壽命只能到4個星期。
在浮柵閃存的運作過程中，存儲單元的閾值電壓調(diào)整是透過將電 子注入或移出浮柵(Floating Gate)來完成，當(dāng)電子注入浮柵時為高閾 值電壓，當(dāng)電子移出浮柵時則為低閾值電壓，而浮柵閾值電壓的變化 即可用以定義O與1的變化。
由于在電子由源極(Source)移入和移出浮柵的過程中，會穿越源 極和浮柵間的一接口層(Interface),當(dāng)每一次電子穿越該接口層時， 皆會造成該接口層輕微的破壞，而該輕微的破壞會隨著時間而自行復(fù)
10原。然而當(dāng)電子愈頻繁的被注入與移出該浮柵，該接口層亦將愈頻繁 的被電子穿越而愈有可能被耗損，即電子愈有可能非預(yù)期的穿透該接
口層而逸出該浮柵，即一般所稱的接口層電子陷阱(Interface Trap Charges)效應(yīng)，如此則影響存儲器的數(shù)據(jù)保存能力，即是該存儲器的 壽命終結(jié)。
由于如圖1的流程圖20中所表示存儲器進(jìn)行擦除數(shù)據(jù)的過程是一 個連續(xù)快速的過程，即該分頁中原未經(jīng)編程的數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程為該第 一閾值電壓后立即再被編程為該第二閾值電壓，意即在對應(yīng)該原未經(jīng) 編程的數(shù)據(jù)位的存儲單元中，電子迅速在短時間內(nèi)的被移入和移出該 等存儲單元的浮柵，如此則較易造成該浮柵接口層的耗損。
本發(fā)明的反轉(zhuǎn)編碼方法的功效即在于， 一開始在數(shù)據(jù)寫入階段即 使存儲器中較多的存儲單元被編程，即超過該分頁的二分之一的存儲 單元被編程，而在數(shù)據(jù)儲存階段該被編程的存儲單元即處在一穩(wěn)定的 第一閾值電壓的休息狀態(tài)，當(dāng)進(jìn)行擦除數(shù)據(jù)時，原已具第一閾值電壓 的存儲單元僅需作一次編程為第二閾值電壓，該浮柵接口層的具有較 長的復(fù)原時間，而較不易耗損。而由于存儲器中較多的存儲單元其浮 柵接口層得到較長的復(fù)原期而減少耗損，故此該存儲器亦得以有較長 的使用壽命。
上述方法也可以以一具體的存儲裝置實施，請參考圖2，其為本案 第二實施例的示意圖。在圖2中， 一存儲裝置30包括一加法器31、 一 比較器33、 一編碼器35和一執(zhí)行器37; —分頁的數(shù)據(jù)位是由一輸入 端41接收，其中該加法器31可用以統(tǒng)計該分頁的數(shù)據(jù)位需編程的數(shù) 量；該比較器33可用以比較該分頁的數(shù)據(jù)位需編程的數(shù)量，例如XOR 和XNOR;該編碼器35用以在該分頁的數(shù)據(jù)位需編程的數(shù)量未達(dá)該分 頁的數(shù)據(jù)位總數(shù)的一半時用以反轉(zhuǎn)該分頁的數(shù)據(jù)位，而使該經(jīng)反轉(zhuǎn)的 分頁中有超過半數(shù)的數(shù)據(jù)位需要編程；該執(zhí)行器37則用以將需要編程 的數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程。
上述輸入的數(shù)據(jù)位通常以一二進(jìn)制編碼來表示其是否需作編程， 其中編程作業(yè)包括將數(shù)據(jù)位寫入存儲器中的存儲單元，對一般閃存而 言，執(zhí)行器37即是根據(jù)該的閾值電壓，例如，將相應(yīng)的存儲單元由一較低的閾值電壓提高到一
較高的閾值電壓，由此可反應(yīng)o與i的二進(jìn)制數(shù)據(jù)位。
該執(zhí)行器37尚可進(jìn)行一反編程的擦除作業(yè)，對一般閃存而言，該 擦除作業(yè)即是將對該分頁的所有存儲單元皆調(diào)整回初始的閾值電壓。 對于所有具有接口層電子陷阱效應(yīng)的閃存，本發(fā)明皆可應(yīng)用而發(fā)揮其 減少接口層損耗而延長存儲器壽命的功效。
綜合以上描述，本案確實提供一特出的存儲器編碼方法與裝置， 其具有提升延長存儲器壽命、存儲器穩(wěn)度性等諸般優(yōu)點，兼具產(chǎn)業(yè)的 實用性，實屬難能之創(chuàng)新設(shè)計，深具產(chǎn)業(yè)價值，遂依法提出申請。
本案得由熟悉技藝之人任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如權(quán)利 要求所保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求
1、一種存儲器編碼方法，該存儲器具有多個存儲單元，其特征在于，該方法包括以下步驟A、接收多個二進(jìn)制碼，其中該二進(jìn)制碼包括表示需進(jìn)行編程的一第一二進(jìn)制碼與表示不需進(jìn)行編程的一第二二進(jìn)制碼；B、統(tǒng)計該多個二進(jìn)制碼中為該第一二進(jìn)制碼和該第二二進(jìn)制碼至少其一的數(shù)量；C、當(dāng)該第二二進(jìn)制碼的數(shù)量超過該多個二進(jìn)制碼全部數(shù)量的一半時，反轉(zhuǎn)該多個二進(jìn)制碼；以及D、將該存儲器中的存儲單元對應(yīng)于該第一二進(jìn)制碼的部分進(jìn)行編程。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器編碼方法，其特征在于，步驟D 進(jìn)一步包括編程一用以于讀取檢核的反轉(zhuǎn)標(biāo)識位。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器編碼方法，其特征在于，該方法 進(jìn)一步包括E、 將該存儲器中的存儲單元對應(yīng)于該第二二進(jìn)制碼的部分進(jìn)行編 程；以及F、 將該存儲器中已編程的存儲單元進(jìn)行一擦除程序。
4、 一種存儲器編碼方法，該存儲器具有多個存儲單元，其特征在 于，該方法包括以下步驟-a、 接收多個二進(jìn)制碼，其中該二進(jìn)制碼包括表示需進(jìn)行編程的一 第一二進(jìn)制碼與表示不需進(jìn)行編程的一第二二進(jìn)制碼；b、 統(tǒng)計該第一二進(jìn)制碼與該第二二進(jìn)制碼之中至少其一的數(shù)量；c、 當(dāng)該第一二進(jìn)制碼的數(shù)量少于該多個二進(jìn)制碼全部數(shù)量的一半 時，反轉(zhuǎn)該多個二進(jìn)制碼；以及d、 將該存儲器中的存儲單元對應(yīng)于該第一二進(jìn)制碼的部分進(jìn)行編程。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器編碼方法，其特征在于，該步驟 d進(jìn)一步包括編程一用以于讀取檢核的反轉(zhuǎn)標(biāo)識位。
6、 一種存儲裝置，其特征在于，該存儲裝置包括 一加法器，用以統(tǒng)計該集合的數(shù)據(jù)位需編程的數(shù)量； 一比較器，用以將該集合的數(shù)據(jù)位需編程的數(shù)量與該集合的數(shù)據(jù)位總數(shù)的一半數(shù)量作比較；以及一編碼器，當(dāng)該集合的數(shù)據(jù)位需編程的數(shù)量未達(dá)該集合的數(shù)據(jù)位 總數(shù)的一半時，用以反轉(zhuǎn)該集合的數(shù)據(jù)位，使該經(jīng)反轉(zhuǎn)的集合中有超 過半數(shù)的數(shù)據(jù)位需要編程。
7、 一種存儲器編程方法，其特征在于，該方法包括以下步驟A) 、接收一集合的數(shù)據(jù)位；B) 、統(tǒng)計該集合的數(shù)據(jù)位需被編程的數(shù)量；C) 、若在該集合的數(shù)據(jù)位需被編程的數(shù)量未達(dá)該集合的數(shù)據(jù)位總 數(shù)的一半，則反轉(zhuǎn)該集合的數(shù)據(jù)位，使該經(jīng)反轉(zhuǎn)的集合中有超過半數(shù) 的數(shù)據(jù)位需被編程；以及 D) 、針對需要編程的數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器編碼方法，其特征在于，步驟D) 進(jìn)一步包括編程一用于讀取檢核的反轉(zhuǎn)標(biāo)識位。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器編程方法，其特征在于，該方法 進(jìn)一步包括E) 、將該集合中尚未編程的數(shù)據(jù)位進(jìn)行編程；以及F) 、將該存儲器中對應(yīng)該集合的所有存儲單元進(jìn)行一擦除程序。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器編程方法，其中步驟F)的擦除 程序是將該存儲器中對應(yīng)該集合的數(shù)據(jù)位的所有存儲單元調(diào)整為一第 二閾值電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種存儲器編碼方法，可用以減少存儲器損耗而延長存儲器使用壽命，該方法包括以下步驟A.接收多個二進(jìn)制碼，其中該二進(jìn)制碼包括表示需進(jìn)行編程的一第一二進(jìn)制碼與表示不需進(jìn)行編程的一第二二進(jìn)制碼；B.統(tǒng)計該多個二進(jìn)制碼中為該第一二進(jìn)制碼和該第二二進(jìn)制碼至少其一的數(shù)量；C.當(dāng)該第二二進(jìn)制碼的數(shù)量超過該多個二進(jìn)制碼全部數(shù)量的一半時，反轉(zhuǎn)該多個二進(jìn)制碼；以及D.將該存儲器中的存儲單元對應(yīng)于該第一二進(jìn)制碼的部分進(jìn)行編程，并編程一用以于讀取檢核的反轉(zhuǎn)標(biāo)識位。
文檔編號G11C16/06GK101483066SQ20081000288
公開日2009年7月15日 申請日期2008年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月11日
發(fā)明者陳泳旭 申請人:旺宏電子股份有限公司