專利名稱：用于閃存器件的字線增壓器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體集成電路，并且具體而言，本發(fā)明提供一種字 線增壓器電路，以便在非易失性存儲(chǔ)器器件的讀模式或者數(shù)據(jù)lHt^式過程 中驅(qū)動(dòng)字線。
背景技術(shù)：
存儲(chǔ)器器件包括按行和列來排列的存儲(chǔ)器單元陣列。并行數(shù)據(jù)傳送線或 者位線被提供且連接到存儲(chǔ)器單元列中單元晶體管的電流承載電極。并行控 制線或者字線與存儲(chǔ)器單元行的控制電似目關(guān)聯(lián)。當(dāng)激活字線并且選擇某一 位線時(shí)，致使所選存儲(chǔ)器單元中的晶體管導(dǎo)通以將數(shù)字信息從單元電容器傳 送到其中的相應(yīng)位線。由此從所選存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)字信息。
經(jīng)由字線向存儲(chǔ)器單元晶體管的控制柵極供應(yīng)的高電壓應(yīng)當(dāng)被布置為 在電勢(shì)上量值大于位線上高電平的信息電壓。電壓之間的差是必要的以便補(bǔ) 償由存儲(chǔ)器單元晶體管的閾值電壓所引起的字線驅(qū)動(dòng)電壓的電勢(shì)下降。使用 在字線增壓器電路內(nèi)布置的具體電容器來生成高電壓。電容器可以充當(dāng)用于
產(chǎn)生比DRAM的電源電壓Vcc更高的字線驅(qū)動(dòng)電壓的"增壓"或者自溢 (bootstrap)電容器。 一般而言，自溢電容器在其朝向電源電壓的一個(gè)電極 被預(yù)充電，而它的另一電極初始地處于接地電勢(shì)、然后被驅(qū)動(dòng)上升到電源電 壓，由此利用這樣的電壓增壓系統(tǒng)來產(chǎn)生適當(dāng)電勢(shì)電平的字線驅(qū)動(dòng)電壓。
一般而言，只要因地址改變而觸發(fā)地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)，字線增壓器電路 就生成字線電壓。在寫模式過程中，來自邏輯控制器的寫控制信號(hào)生成相關(guān) 信號(hào)以l更控制電荷泵。電荷泵所生成的抽運(yùn)電壓通過高電壓開關(guān)來驅(qū)動(dòng)行解 碼器和列解碼器。在讀模式過程中，提供來自字線增壓器的字線電壓而不是 抽運(yùn)電壓。
在閃存EEPROM的情況下，為了使用熱電子注入機(jī)制將數(shù)據(jù)編程到存 儲(chǔ)器單元中，需要約9V的字線偏置和約5V的位線偏置。在讀模式過程中， 需要約3V的字線偏置和約IV的位線電壓，以〗更從編程的單元或者擦除的 單元讀取信息。針對(duì)這些存儲(chǔ)器操作，希望有一種字線增壓器電路，其可以在低功耗的電源電壓時(shí)生成具有小變化的穩(wěn)定的字線電壓，以便制造低功率 高電壓非易失性存儲(chǔ)器器件。
從上文中可見，希望有一種在存儲(chǔ)器操作的讀模式或者^模式過程中 具有較小的電源電壓變化的改進(jìn)字線增壓器電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體集成電路，并且具體而言，本發(fā)明提供一種字 線驅(qū)動(dòng)器電路，以便在非易失性存儲(chǔ)器器件的讀模式或者數(shù)據(jù)!HiE模式過程 中驅(qū)動(dòng)字線。
在一個(gè)具體實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器器件，包括存 儲(chǔ)器單元行和列的陣列；以及與存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的多個(gè)字線和位線。該存 儲(chǔ)器器件還包括與字線^的字線增壓器電路，用于在存儲(chǔ)器器件的操作 過程中向所選字線供應(yīng)字線電壓，其中字線增壓器電路包括并聯(lián)連接的第 一增壓電容器和第二增壓電容器；以及第一預(yù)充電電路，用于對(duì)第一增壓電 容器和第二增壓電容器預(yù)充電。字線增壓器電路還包括第三增壓電容器， 經(jīng)由電荷共享晶體管可操作地連接到第一增壓電容器和第二增壓電容器，第 三增壓電容器連接到負(fù)載電阻器的一端以在電荷共享晶體管被使能時(shí)在負(fù) 栽電阻器的另一端生成用作字線電壓的輸出信號(hào)；以及第二預(yù)充電電路，用 于對(duì)第三增壓電容器預(yù)充電。此外，字線增壓器電路還包括高電壓檢測(cè)器 電路，用于在非易失性存儲(chǔ)器器件的讀模式過程中當(dāng)字線電壓達(dá)到目標(biāo)電壓 時(shí)生成檢測(cè)信號(hào)；以及時(shí)鐘控制電路，用于在接收來自地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)器的控 制信號(hào)和來自電壓檢測(cè)器的檢測(cè)信號(hào)時(shí)使能電荷共享晶體管以及使第一增 壓電容器和第二增壓電容器中的一個(gè)去使能。
在另一實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器器件，包括存儲(chǔ)器 單元行和列的陣列；以及與存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的多個(gè)字線和位線。該存儲(chǔ)器 器件還包括與字線耦合的字線增壓器電路，用于在存儲(chǔ)器器件的操作過程 中向所選字線供應(yīng)特定電壓作為驅(qū)動(dòng)電壓，其中字線增壓器電路包括并聯(lián) 連接的第一增壓電容器和第二增壓電容器，用于生成增壓電壓；以及第一預(yù) 充電電路，用于對(duì)第一增壓電容器和第二增壓電容器預(yù)充電.字線增壓器電 路還包括第三增壓電容器，經(jīng)由電荷共享晶體管可操作地連接到第一增壓 電容器和第二增壓電容器，第三增壓電容器連接到負(fù)栽電阻器的一端以在電 荷共享晶體管被使能時(shí)在負(fù)載電阻器的另一端生成輸出信號(hào)；以及高電壓檢
7測(cè)器，用于響應(yīng)來自地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)器的控制信號(hào)以及第三增壓電容器和負(fù)栽
電阻器所生成的輸出信號(hào)來生成檢測(cè)信號(hào)。此外，字線增壓器電路包括時(shí) 鐘控制電路，用于在接收來自地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)器的控制信號(hào)和來自電壓檢測(cè)器 的檢測(cè)信號(hào)時(shí)使能電荷共享晶體管以及使第一增壓電容器和第二增壓電容
器中的一個(gè)去4吏能；以;Sj故電電路，用于對(duì)連接到第三增壓電容器的節(jié)點(diǎn)處 的增壓電壓放電。
通過本發(fā)明的實(shí)施例可以獲得超過常規(guī)技術(shù)的許多益處。本發(fā)明在具有 改善短溝道效應(yīng)和泄漏特征的非易失性存儲(chǔ)器器件的制作上帶來了顯著優(yōu) 點(diǎn)。才艮據(jù)實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)這些益處中的一個(gè)或者多個(gè)。將在本i兌明書中并 且特別是在下文中具體地描述這些和其它益處。


參照附圖更具體和詳細(xì)地描述本發(fā)明的典型實(shí)施例。本發(fā)明可以用許多 不同形式來實(shí)施而不應(yīng)當(dāng)理解為限于這里闡述的典型實(shí)施例。事實(shí)上，提供 這些典型實(shí)施例是為了使得本申請(qǐng)公開充分和完整，以便向本領(lǐng)域技術(shù)人員 傳達(dá)本發(fā)明的構(gòu)思。
圖i是圖示了常規(guī)閃存器件的筒化框圖2是圖示了常規(guī)字線增壓器電路的簡(jiǎn)化圖3是圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的字線增壓器電路的簡(jiǎn)化圖4是圖示了預(yù)充電電路實(shí)施例的簡(jiǎn)化圖5是圖示了電壓檢測(cè)器實(shí)施例的筒化圖6是圖示了放電電路例子的筒化圖7是圖示了時(shí)鐘控制電路實(shí)施例的簡(jiǎn)化圖8是圖示了字線增壓器電路的輸出電壓比對(duì)電源電壓的簡(jiǎn)化圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體集成電路，并且具體而言，本發(fā)明提供一 字 線增壓器電路，以便在非易失性存儲(chǔ)器器件的讀模式或者數(shù)據(jù)Jm^式過程 中驅(qū)動(dòng)字線。理解到這里描述的例子和實(shí)施例僅用于說明的目的，并且基于或者變化被包括在本申請(qǐng)的精神和范圍以及所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
圖l是圖示了常規(guī)閃存器件的簡(jiǎn)化框圖。包括狀態(tài)機(jī)的邏輯控制器101
利用輸入地址和數(shù)據(jù)來控制全部電路塊。地址總線信號(hào)輸入到地址緩存器
107和地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)器(APD) 105。只要地址在讀模式下改變，ATD電路 就生成相關(guān)信號(hào)以便控制存儲(chǔ)器的存取。ATD也生成輸出信號(hào)Vatd來控制 字線增壓器103。只要地址改變觸發(fā)了 ATD信號(hào)，字線增壓器103就生成字 線電壓Vwl。在寫模式過程中，來自邏輯控制器101的寫控制信號(hào)Vwr生成 相關(guān)信號(hào)來控制電荷泵102。抽運(yùn)電壓Vpp通過高電壓開關(guān)111來驅(qū)動(dòng)行解 碼器113和列解碼器117。在讀模式過程中，提供來自字線增壓器103的字 線電壓Vwl而不是圖1中所示的抽運(yùn)電壓Vpp。
在閃存EEPROM的情況下，為了使用熱電子注入機(jī)制將數(shù)據(jù)編程到存 儲(chǔ)器單元中，需要約9V的字線偏置和約5V的位線偏置。在讀模式過程中， 需要約3V的字線偏置和約IV的位線電壓以便從編程的單元或者擦除的單 元中讀取信息。閃存陣列117包含存儲(chǔ)器單元和解碼器電路。
圖12是圖示了圖1中所示常規(guī)字線增壓器電路103的簡(jiǎn)化圖。各電路 塊和元件的功能如下。來自圖1的ATD塊105的"EN"信號(hào)被輸入到時(shí)鐘控 制電路201。電容器C2—1和C2—2是增壓電容器，而電容器CL代表全部負(fù)
載電容，包括在讀模式ii程中在驅(qū)動(dòng)字線時(shí)的所有輸出結(jié)電容和信號(hào)電容。
預(yù)充電電路塊203和205用于在增壓這些節(jié)點(diǎn)之前對(duì)節(jié)點(diǎn)n2_2和n2一4預(yù)充 電。
假設(shè)這些電容器節(jié)點(diǎn)在Vcc (電源電壓)預(yù)充電。當(dāng)"EN"信號(hào)變?yōu)?H，， (使能狀態(tài))時(shí)，節(jié)點(diǎn)n2一5處的突然電勢(shì)增加使得電容器C2—1將節(jié)點(diǎn)n2—2 處的電壓增壓到VCC+aVcc (a:耦合系數(shù))。響應(yīng)于節(jié)點(diǎn)n2_2處的增加+ 點(diǎn)電壓，PMOS晶體管M2接通使得節(jié)點(diǎn)n2_3處的電壓通ii電荷共享向節(jié) 點(diǎn)n2一2處的電壓增加。然后，節(jié)點(diǎn)n2一3處的這種電荷共享電壓4吏得負(fù)載電 容器 與CL串聯(lián)連接的C2—2 )自溢。電阻器R2_l代表包括信號(hào)加載的輸 出電阻。根據(jù)上文，可以獲^以下的字線增壓器電路100的輸出電壓Vout: Vout=Vcc+C2—2/(CL+C2—2) x [(C2一1+C2—2)/CL)x (Vcc+aVcc)。
如上式所示，字線增壓器電路的輸出電壓Vout通常依賴于電源電壓 Vcc。然而，希望向字線提供更穩(wěn)定的偏置電壓。參照?qǐng)D3根據(jù)本發(fā)明的一 個(gè)實(shí)施例來描述一種改進(jìn)的字線增壓器電路。
圖3是圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的字線增壓器電路的簡(jiǎn)化圖。參照?qǐng)D3，電壓檢測(cè)器309連接到字線增壓器電路300的輸出端子且其輸出M 饋到時(shí)鐘控制電路301，以便控制字線增壓器電路300的輸出電壓Vout。在 本實(shí)施例中，電容器C3一l和C3一2構(gòu)成由時(shí)鐘控制電路201來控制的增壓電 容器。來自圖1的ATD塊105的"EN"信號(hào)被輸入到時(shí)鐘控制電路201。負(fù) 載電容器CL代表在讀模式過程中在驅(qū)動(dòng)字線時(shí)的所有輸出結(jié)電容和信號(hào)電 容。
預(yù)充電電路203和205在增壓這些節(jié)點(diǎn)之前對(duì)節(jié)點(diǎn)n3—5和n3一7預(yù)充電。 為了進(jìn)fr說明，假設(shè)這些節(jié)點(diǎn)電壓在Vcc(電源電壓)預(yù)充電。當(dāng)EN變?yōu)?H" (使能狀態(tài))時(shí)，節(jié)點(diǎn)n3—3和ii3—4處的電壓使得電容器C3—1和C3—2將 n3—5處的節(jié)點(diǎn)電壓增壓到Vcc+aVcc (a:耦合系數(shù))。PMOS晶體管M3通 過i自時(shí)鐘控制電路的信號(hào)而接通(見圖7)，并且由于n3—5處的節(jié)點(diǎn)電壓， 導(dǎo)致在節(jié)點(diǎn)n3一5與n3一6之間出現(xiàn)電荷共享。然而，如圖7中所示，如果電 壓檢測(cè)器309的輸出信號(hào)DET為"L"，則節(jié)點(diǎn)n3一4處的節(jié)點(diǎn)電壓為"L"，這 使電容器C3—2去使能。
節(jié)點(diǎn)n3_6處的這種電荷共享電壓使得電容器C3—3和CL增壓輸出電壓 Vout。電阻I^R3一1代表輸出節(jié)點(diǎn)處的總電阻值.根i上文能夠得到Vout 如下<formula>formula see original document page 10</formula>
如上式所示，可以通過由時(shí)鐘控制電路201所控制的附加增壓電容器來更 為靈活地調(diào)整電荷耦合量。根據(jù)字線增壓器電路的目標(biāo)輸出電壓Vout， 可以利用并耦合多于兩個(gè)的增壓電容器。
圖4是圖示了圖3中所示預(yù)充電電路303或者305的實(shí)施例的簡(jiǎn)化圖。 通過圖3中所示時(shí)鐘控制電路301來控制信號(hào)"ENPRE"。當(dāng)此信號(hào)為"L"時(shí)， PMOS晶體管M4_2接通而VPRE節(jié)點(diǎn)電壓上升到增壓電壓從而接通PMOS M4_3。如果ENPRE信號(hào)為"H"，則NMOS晶體管M4_l接通，使得節(jié)點(diǎn) 電壓Vn4_l被下拉到0V。然后，PMOS M4_3接通而節(jié)點(diǎn)電壓VPRE 充電至Vcc。在本實(shí)施例所示的預(yù)充電電路中，通過PMOS晶體管M4一3的 閾值電壓沒有損耗。因此，節(jié)點(diǎn)電壓VPRE最高可以預(yù)充電至Vcc，這是由 單個(gè)NMOS晶體管組成的常規(guī)預(yù)充電電路所不能達(dá)到的，在常規(guī)預(yù)充電電 路中，節(jié)點(diǎn)電壓VPRE由于通過NMOS晶體管的Vt損耗而只能預(yù)充電到 Vcc匿Vt。圖5是圖示了圖3中所示電壓檢測(cè)器309的實(shí)施例的簡(jiǎn)化圖。參照?qǐng)D3 和圖5,要作為字線電壓的輸出電壓Vout被輸入到PMOS晶體管M5—1的 源極，該晶體管串聯(lián)連接到另一PMOS晶體管M5一2，并且如圖5中^示， 這些晶體管的柵極和漏極節(jié)點(diǎn)二極管連接。PMOS M5_2的漏極節(jié)點(diǎn)串聯(lián)連 接到NMOS晶體管M5一3和M5一4并且還連接到NMOS晶體管M5一5的柵 極。節(jié)點(diǎn)n5—2處的電壓取決于PMOS晶體管M5_l、 M5_2和NMOS晶體 管M5—3的&兄。晶體管M5—4用于在非激活模式^斷電^。節(jié)點(diǎn)n5—2處的 電壓控制NMOS晶體管M5一5。 NMOS晶體管M5一5和M5—6相互共發(fā)共基 相連。電阻器R5是共發(fā)共i ( cascode)放大器15—1和15_2的負(fù)載電阻器。 共發(fā)共基放大器是一種組合了兩個(gè)放大器級(jí)的電子^源器4布局，以便增加 輸出電阻和減少寄生電容，從而實(shí)現(xiàn)高增益以及增加的帶寬。節(jié)點(diǎn)n5—2處的 電壓等于PMOS晶體管M5—1和M5_2處的Vout-2Vt。電壓檢測(cè)器309的輸 出信號(hào)DET,皮輸入到時(shí)鐘S制電路301。如圖7中所示，這一DET信號(hào)用 來在EN和DET信號(hào)中的一個(gè)為"L，，電平時(shí)使增壓電容器C3_2去使能。
當(dāng)Vout節(jié)點(diǎn)起初為Vcc(電源電壓)時(shí)，節(jié)點(diǎn)n5—4處的初始電壓為"H，， (M5—4接通)而節(jié)點(diǎn)n5_2處的電壓約為NMOS晶體管M5—3的閾值電壓 或者Vtn。在通過圖3的^壓器電路的增壓(En為"H"，晶體管M5—6接通) 之后，Vout電壓增加至Vcc以上。隨著Vout電壓增加，節(jié)點(diǎn)n5_2處的電壓 也增加至NMOS晶體管M5—3的閾值電壓以上，接通M5_3和M5_5。由此， 節(jié)點(diǎn)n5—4處的電壓下拉到^J4電平。然后DET信號(hào)變成"L"。由于+點(diǎn)n5—4 處的電壓為"L"，所以NMOS晶體管M5一4關(guān)斷。如圖3中所示，NMOS晶 體管M5_6通過EN信號(hào)來控制。電壓檢測(cè)器309的輸出信號(hào)DET被>^饋到 時(shí)鐘控制電路，以便控制增壓器電路的輸出電壓Vout。
圖6是圖示了圖3中所示放電電路307的例子的電路圖。如圖7中所示， 通過使信號(hào)EN反相來生成信號(hào)ENDIS，并且如圖3所示，信號(hào)EN通過時(shí) 鐘控制電路301來控制。在增壓之后通過NMOS晶體管M6對(duì)圖3中所示節(jié) 點(diǎn)n3—6處的電壓放電。
圖7是圖示了圖3中所示時(shí)鐘控制電路301的實(shí)施例的筒化電路圖。信 號(hào)"EN，，連接到反相器17—6和NAND門17—4，以控制圖3中所示節(jié)點(diǎn)n3—3 和n3_4處的增壓時(shí)鐘。同時(shí)，將它輸入到反相器17一1以生成信號(hào)"ENDIS"。 如上所述，該ENDIS信號(hào)使能圖6中所示放電電路。如圖3中所示，在節(jié) 點(diǎn)n3—1處的反相器17一3的輸出信號(hào)控制PMOS晶體管M3。
圖8是圖示了當(dāng)應(yīng)用本發(fā)明時(shí)字線增壓器電路的輸出電壓Vout比對(duì)電源電壓Vcc的圖。Vread是字線增壓器電路所生成的目標(biāo)字線電壓，用于在 讀模式或者mi模式過程中感測(cè)來自非易失性存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)。如圖8中 所示，在寬的電源電壓范圍內(nèi)獲得了穩(wěn)定的字線電壓。
盡管上文已經(jīng)描述了本發(fā)明的各種實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解僅通過舉例而 不是以限制方式來呈現(xiàn)這些實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員不言而喻，可以在
因》匕，^^及明四，「延 所附權(quán)利要求及其等同來限定
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲(chǔ)器器件，包括存儲(chǔ)器單元行和列的陣列；與所述存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的多個(gè)字線和位線；與所述字線耦合的字線增壓器電路，用于在所述存儲(chǔ)器器件的操作過程中向所選字線供應(yīng)字線電壓，其中所述字線增壓器電路包括并聯(lián)連接的第一增壓電容器和第二增壓電容器；第一預(yù)充電電路，用于對(duì)所述第一增壓電容器和所述第二增壓電容器預(yù)充電；第三增壓電容器，經(jīng)由電荷共享晶體管可操作地連接到所述第一增壓電容器和所述第二增壓電容器，所述第三增壓電容器連接到負(fù)載電阻器的一端以便在所述電荷共享晶體管被使能時(shí)在所述負(fù)載電阻器的另一端生成輸出信號(hào)以用作所述字線電壓；第二預(yù)充電電路，用于對(duì)所述第三增壓電容器預(yù)充電；高電壓檢測(cè)器電路，用于在所述非易失性存儲(chǔ)器器件的讀模式過程中當(dāng)所述字線電壓達(dá)到目標(biāo)電壓時(shí)生成檢測(cè)信號(hào)；以及時(shí)鐘控制電路，用于在接收到來自所述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)器的控制信號(hào)和來自所述電壓檢測(cè)器的所述檢測(cè)信號(hào)時(shí)、使能所述電荷共享晶體管以及使所述第一增壓電容器和所述第二增壓電容器中的一個(gè)去使能。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中至少一個(gè)附加增壓電容 器并聯(lián)連接到所述第 一增壓電容器和所述第二電壓增壓器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述第三增壓電容器連 接到放電電路，以便響應(yīng)放電使能信號(hào)對(duì)由所述第一增壓電容器或者由所 述第二增壓電容器所增壓的增壓電壓進(jìn)行放電。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述電荷共享晶體管是 PMOS晶體管。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中用于對(duì)所述第一增壓電 容器和所述第二增壓電容器預(yù)充電的所述第一預(yù)充電電路包括NMOS晶體管，在其柵極連接到來自所述時(shí)鐘控制電路的預(yù)充電使能信號(hào)，所述NMOS晶體管的漏極接地；以及PMOS晶體管，在其源極連接到電源電壓，所述PMOS晶體管的漏 極連接到所述第一增壓電容器和所述第二增壓電容器，而所述PMOS晶 體管的柵極連接到所述NMOS晶體管的源極，由此預(yù)充電所述第一增壓 電容器和所述第二增壓電容器至所述電源電壓而無閾值電壓損耗。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述高電壓檢測(cè)器電路 響應(yīng)于來自所述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)器的所述控制信號(hào)和所述第三增壓電容器 所生成的所述輸出信號(hào)來生成所述檢測(cè)信號(hào)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述高電壓檢測(cè)器電路 包括串聯(lián)連接的第一 PMOS晶體管和第二 PMOS晶體管，所述第一 PMOS晶體管和所述第二 PMOS晶體管的柵極和漏極節(jié)點(diǎn)為二極管連接；所述第二 PMOS晶體管的漏極節(jié)點(diǎn)連接到相互串聯(lián)連接的第一 NMOS晶體管和第二NMOS晶體管并連接到第三NMOS晶體管的^fr極；第四NMOS晶體管，串聯(lián)連接到所述第三NMOS晶體管；以及負(fù)載電阻器，連接到電源電壓并公共地連接到所述第三NMMOS晶 體管的源極和共發(fā)共M大器，用于生成適于使所述第 一增壓電容器和所 述第二增壓電容器中的 一個(gè)去4吏能的所述檢測(cè)信號(hào)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述負(fù)載電阻器連接到 所述第二 NMOS晶體管的柵極。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述共發(fā)共基故大器包 括至少兩級(jí)。
10. —種非易失性存儲(chǔ)器器件，包括 存儲(chǔ)器單元行和列的陣列； 與所述存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的多個(gè)字線和位線；與所述字線耦合的字線增壓器電路，用于在所述存儲(chǔ)器器件的操作過 程中向所選字線供應(yīng)特定電壓作為驅(qū)動(dòng)電壓，其中所述字線增壓器電路包 括并聯(lián)連接的第一增壓電容器和第二增壓電容器，用于生成增壓電壓；第 一預(yù)充電電路，用于對(duì)所述第 一增壓電容器和所述第二增壓電容器預(yù)充電；第三增壓電容器，經(jīng)由電荷共享晶體管可IMt地連接到所述第一增壓 電容器和所述第二增壓電容器，所述第三增壓電容器連接到負(fù)載電阻器的一端以在所述電荷共享晶體管被使能時(shí)在所述負(fù)載電阻器的另一端生成輸出信號(hào)；高電壓檢測(cè)器，用于響應(yīng)于來自地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)器的控制信號(hào)以及由所 述第三增壓電容器和負(fù)栽電阻器所生成的所述輸出信號(hào)來生成檢測(cè)信號(hào)；時(shí)鐘控制電路，用于在接收到來自所述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)器的所述控制信 號(hào)和來自所述電壓檢測(cè)器的所述檢測(cè)信號(hào)時(shí)使能所述電荷共享晶體管以及4吏所述第 一增壓電容器和所述第二增壓電容器中的 一個(gè)去4吏能；以及放電電路，用于對(duì)連接到所述第三增壓電容器的節(jié)點(diǎn)處的所述增壓電 壓放電。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器器件，其中至少一個(gè)附加增壓電 容器與所述第一增壓電容器和所述第二電壓增壓器并聯(lián)連接。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述第三增壓電容器 連接到所述放電電路，以便響應(yīng)放電使能信號(hào)對(duì)所述增壓電壓放電。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述電荷共享晶體管 是PMOS晶體管。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器器件，其中用于對(duì)所述第一增壓 電容器和所述第二增壓電容器預(yù)充電的所述第 一預(yù)充電電路包括NMOS晶體管，在其柵極連接到來自所述時(shí)鐘控制電路的預(yù)充電使 能信號(hào)，所述NMOS晶體管的漏核^接地；以及PMOS晶體管，在其源極連接到電源電壓，所述PMOS晶體管的漏 極連接到所述第一增壓電容器和所述第二增壓電容器，且所述PMOS晶 體管的柵極連接到所述NMOS晶體管的源極，由此預(yù)充電所述第一增壓 電容器和所述第二增壓電容器至所述電源電壓而無閾值電壓損耗。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述高電壓檢測(cè)器電 路響應(yīng)于來自所述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)器的所述控制信號(hào)和所述第三增壓電容 器所生成的所述輸出信號(hào)來生成所述檢測(cè)信號(hào)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述高電壓檢測(cè)器電路包括串聯(lián)連接的第一 PMOS晶體管和第二 PMOS晶體管，所述第一 PMOS晶體管和所述第二 PMOS晶體管的柵極和漏極節(jié)點(diǎn)為二極管連接；所述第二PMOS晶體管的漏極節(jié)點(diǎn)連接到串聯(lián)連接的第一NMOS晶 體管和第二 NMOS晶體管，并連接到第三NMOS晶體管的柵極；第四NMOS晶體管，串聯(lián)連接到所述第三NMOS晶體管；以及負(fù)載電阻器，連接到電源電壓并公共地連接到所述第三NMOS晶體 管的源極和共發(fā)共基改大器，用于生成適于使所述第一增壓電容器和所述 第二增壓電容器中的 一個(gè)去4吏能的所述檢測(cè)信號(hào)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述負(fù)載電阻器連接 到所述第二 NMOS晶體管的柵極。
18. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述共發(fā)共基放大器 包括至少兩級(jí)。
全文摘要
公開一種用于閃存器件的字線增壓器。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種非易失性存儲(chǔ)器器件包括存儲(chǔ)器單元行和列的陣列；以及與存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的多個(gè)字線和位線。該存儲(chǔ)器器件還包括與字線耦合的字線增壓器電路，用于在存儲(chǔ)器器件的操作過程中向所選字線供應(yīng)特定電壓作為驅(qū)動(dòng)電壓。所述字線增壓器電路包括并聯(lián)的第一增壓電容器和第二增壓電容器、第一預(yù)充電電路、第三增壓電容器、第二預(yù)充電電路、高電壓檢測(cè)器電路以及時(shí)鐘控制電路。
文檔編號(hào)G11C16/08GK101620886SQ20081004028
公開日2010年1月6日 申請(qǐng)日期2008年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月2日
發(fā)明者周永東 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司