專利名稱：存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)芯片的測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及存儲(chǔ)芯片中相同存儲(chǔ)單元組合 的-驗(yàn)纟正方法。
背景技術(shù)：
存儲(chǔ)芯片是目前電子消費(fèi)品市場(chǎng)常見(jiàn)的電子產(chǎn)品。存儲(chǔ)芯片可有效的存儲(chǔ) 一定容量的數(shù)字信息。存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品通常是由若干相同的存儲(chǔ)單元重復(fù)組成， 因此在存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)階段通常只設(shè)計(jì)基本的存儲(chǔ)單元，然后將所述基本的存 儲(chǔ)單元按照一定的規(guī)律組合形成完整的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品。在對(duì)制作好的存儲(chǔ)芯片
測(cè)試時(shí)需驗(yàn)證存儲(chǔ)單元的組合(Scramble )規(guī)律是否與設(shè)計(jì)階段的組合規(guī)律相符。 只有制作存儲(chǔ)單元的組合規(guī)律與設(shè)計(jì)階段的組合規(guī)律相符的存儲(chǔ)芯片，在后續(xù) 的測(cè)試階段才可對(duì)失效的單元進(jìn)行準(zhǔn)確的定位，做產(chǎn)品的失效分析來(lái)達(dá)到提高 存儲(chǔ)芯片的性能和良率的目的。
傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片上存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法是采用光學(xué)顯微鏡和激光對(duì) 所驗(yàn)證芯片制造人為損傷凹口 ；然后采用測(cè)試機(jī)對(duì)人為制造有損傷的存儲(chǔ)芯片 進(jìn)行測(cè)試，確定測(cè)試機(jī)上測(cè)試到的存儲(chǔ)芯片位圖(bitmap)上損傷位置；比對(duì)實(shí) 際人為在存儲(chǔ)芯片制作損傷的位置及測(cè)試到的存儲(chǔ)芯片位圖上損傷的位置就可
致。傳統(tǒng)方法由于激光損傷的面積會(huì)很大，因而不能準(zhǔn)確確定實(shí)際損傷的存儲(chǔ) 單元的物理位置。因此，在確定存儲(chǔ)芯片人為制造損傷的位置只能進(jìn)行大致的 確認(rèn)，即位置的精確性較低，從而造成比對(duì)結(jié)果的精確性低。同時(shí)，采用激光 對(duì)所驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片制造人為損傷存在激光的能量難以控制的問(wèn)題，易導(dǎo)致?lián)p 傷過(guò)度造成存儲(chǔ)芯片的整體失效的問(wèn)題
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，以解決傳統(tǒng)存
致存儲(chǔ)芯片整體失效的問(wèn)題。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，其中，存儲(chǔ)單 元重復(fù)組合為存儲(chǔ)芯片。該存儲(chǔ)芯片包括存儲(chǔ)單元的有源區(qū)層、形成在有源區(qū) 表面的介質(zhì)層和介質(zhì)層上的金屬連線層。本發(fā)明的存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方
法包括以下步驟步驟l:在待驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片上標(biāo)記待損傷位置；步驟2:采 用聚焦離子束在待損傷位置制作預(yù)定面積和深度的損傷凹口；步驟3:采用測(cè)試 機(jī)測(cè)試已制作好損傷凹口的存儲(chǔ)芯片，標(biāo)記測(cè)試機(jī)測(cè)試到的存儲(chǔ)單元失效位置； 步驟4:去除存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)單元有源層表面的介質(zhì)層和金屬連線層，確定步驟2 制作的損傷凹口的位置；步驟5:比對(duì)步驟3測(cè)得的存儲(chǔ)單元失效位置與步驟4 確定的損傷凹口的位置。步驟1中標(biāo)記待損傷的位置是采用光學(xué)顯微鏡和激光 在待驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片標(biāo)記若干個(gè)待損傷位置。
進(jìn)一步地，所標(biāo)記的若干個(gè)待損傷位置團(tuán)簇在待驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片的一角。 步驟2制作的損傷凹口的待損傷位置為團(tuán)簇在待驗(yàn)證存儲(chǔ)芯片一角的若干待損 傷位置中的其一。在步驟2和步驟3之間還包括用金屬填充損傷凹口的。進(jìn)一 步地，采用化學(xué)氣相法沉積金屬填充所述損傷凹口。填充損傷凹口的金屬采用 柏、鴒或鉬金屬。步驟4去除所述存儲(chǔ)芯片有源層表面的介質(zhì)層和金屬連線層 采用濕法蝕刻去除。其中，濕法蝕刻采用氟化氫溶液。
與傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片上存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法相比，本發(fā)明的存儲(chǔ)單元 組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，通過(guò)采用離子聚焦束制作存儲(chǔ)芯片上的損傷凹口可精確 控制制作的損傷凹口的面積及深度，避免因損傷過(guò)度造成芯片整體失效的問(wèn)題 出現(xiàn)。通過(guò)去除存儲(chǔ)芯片上有源層表面的介質(zhì)層和金屬連線層可精確確定損傷 的存儲(chǔ)單元的位置，因此可更精確得到存儲(chǔ)芯片上實(shí)際損傷的存儲(chǔ)單元物理地 址與所測(cè)試的存儲(chǔ)芯片位圖上損傷的存儲(chǔ)單元的邏輯地址的比較結(jié)果，提高存 儲(chǔ)單元組合驗(yàn)證的精確性。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的存儲(chǔ)單元組合的驗(yàn)證方法作進(jìn)一步詳細(xì)具體的說(shuō)明。
圖l是本發(fā)明的存儲(chǔ)單元組合的驗(yàn)證方法示意圖。
具體實(shí)施例方式
本實(shí)施例的存儲(chǔ)單元組合的驗(yàn)證方法，其中，存儲(chǔ)單元重復(fù)組合為存儲(chǔ)芯 片，存儲(chǔ)單元按照一定的規(guī)律組合形成存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)單元完整結(jié)構(gòu)。為驗(yàn)證
規(guī)律，就需對(duì)制作好的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行驗(yàn)證。
本實(shí)施例所述的存儲(chǔ)單元組合的驗(yàn)證可有效保證后續(xù)的測(cè)試中能對(duì)失效的 存儲(chǔ)單元進(jìn)行準(zhǔn)確的定位，提高存儲(chǔ)芯片的性能和良率。通常存儲(chǔ)芯片上包括 存儲(chǔ)單元的有源區(qū)層、有源區(qū)層表面的介質(zhì)層和介質(zhì)層上的金屬連線層。
本發(fā)明的存儲(chǔ)單元組合的驗(yàn)證方法，參閱

圖1，包括以下步驟步驟Sl: 在待驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片上標(biāo)記待損傷位置。步驟S1中標(biāo)記待損傷的位置是采用光 學(xué)顯微鏡和激光在待驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片標(biāo)記若干個(gè)待損傷位置。此時(shí)采用光學(xué)顯 微鏡和激光標(biāo)記待損傷位置時(shí)采用的激光能量小，激光損傷時(shí)間短。為使得后 續(xù)步驟S2中在高放大倍率下釆用聚焦離子束制作損傷凹口時(shí)易于找到待損傷位 置，步驟S1所標(biāo)記的待損傷位置為若干個(gè)，且團(tuán)簇在待驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片的一角。 使標(biāo)記的待損傷位置團(tuán)簇在存儲(chǔ)芯片的一角主要有兩個(gè)作用 一，使得步驟S2 快速定位待損傷的位置；二，步驟S4去除有源區(qū)表面的介質(zhì)層和金屬連線層后， 存儲(chǔ)單元的有源區(qū)就暴露在芯片的表面，若以方形存儲(chǔ)芯片頂點(diǎn)位置的存儲(chǔ)單 元有源區(qū)為參考有源區(qū)，這樣可快速確定實(shí)際有源區(qū)損傷的存儲(chǔ)單元相對(duì)頂點(diǎn) 位置的存儲(chǔ)單元的準(zhǔn)確位置。本發(fā)明存儲(chǔ)單元組合的驗(yàn)證方法中光學(xué)顯微鏡和 激光不再用作制作損傷凹口，僅用來(lái)標(biāo)記待損傷位置，不影響待損傷位置對(duì)應(yīng) 的存儲(chǔ)單元的正常工作。
步驟S2:采用聚焦離子束在待損傷位置制作預(yù)定面積和深度的損傷凹口。 聚焦離子束相對(duì)激光其能量易于控制，損傷面積相對(duì)激光要更小，單位時(shí)間內(nèi) 的損傷深度也相對(duì)能更精確的進(jìn)行控制。
步驟S2制作損傷凹口的待損傷位置為步驟Sl團(tuán)簇在一起的若干待損傷位 置中的其一。損傷凹口相對(duì)步驟1制作的待損傷位置造成的損傷較深，會(huì)造成損傷凹口下對(duì)應(yīng)位置的存儲(chǔ)單元的失效。在進(jìn)行步驟S3的測(cè)試之前，可在步驟 S2制作的損傷凹口中填充金屬，這樣可直接造成損傷凹口位置金屬連線層的字 線和位線之間的短路，便于步驟S3可測(cè)試到步驟S2中損傷凹口造成的交錯(cuò)失 效。在損傷凹口中填充金屬采用化學(xué)氣相沉積法填充。測(cè)試時(shí)，為區(qū)別于制作 存儲(chǔ)芯片介質(zhì)層和金屬連線層的金屬材料銅或鋁，填充損傷凹口的金屬采用鉑、 鵠或鉬均可。本實(shí)施例中填充損傷凹口的金屬采用鉑，為實(shí)現(xiàn)損傷凹口位置的 交錯(cuò)失效，同樣可采用鎢或鉬實(shí)現(xiàn)。步驟S3:釆用測(cè)試機(jī)測(cè)試已制作好損傷凹 口的存儲(chǔ)芯片，標(biāo)記測(cè)試機(jī)測(cè)試到的存儲(chǔ)單元失效位置。采用測(cè)試存儲(chǔ)芯片的 測(cè)試機(jī)可有效測(cè)試到存儲(chǔ)芯片位圖上失效的存儲(chǔ)單元的邏輯地址。
步驟S4:去除存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)單元有源層表面的介質(zhì)層和金屬連線層確定步 驟S2制作的損傷凹口的位置。當(dāng)去除存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)單元有源層表面的介質(zhì)層和 金屬連線層時(shí)，可清晰的看到曝露出的損傷有源區(qū)的存儲(chǔ)單元的精確位置。
步驟S5:比對(duì)步驟S3測(cè)得的存儲(chǔ)單元失效位置與步驟S4確定的損傷凹口 的存儲(chǔ)單元位置進(jìn)行存儲(chǔ)單元組合驗(yàn)證。即比較步驟S4測(cè)出的失效邏輯地址對(duì) 應(yīng)的存儲(chǔ)單元的位置是否與步驟S4確定的損傷凹口導(dǎo)致?lián)p傷的存儲(chǔ)單元實(shí)際的 物理地址相匹配，這樣就可驗(yàn)證制作的存儲(chǔ)芯片上存儲(chǔ)單元組合規(guī)律是否正確。
除。其中，濕法蝕刻釆用氟化氬溶液。
本發(fā)明的存儲(chǔ)單元組合的驗(yàn)證方法通過(guò)采用聚焦離子束制作存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ) 單元的損傷凹口可有效解決傳統(tǒng)驗(yàn)證方法中激光易導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片整體失效的問(wèn) 題。在制作的損傷凹口中沉積金屬，這樣可在小的損傷面積下得到損傷后的測(cè) 試結(jié)果，提高測(cè)試效率。進(jìn)一步地，通過(guò)去除存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)單元有源層表面的 介質(zhì)層和金屬連線層可準(zhǔn)確地確定損傷凹口導(dǎo)致?lián)p傷的存儲(chǔ)單元的精確位置， 因此可更精確得到存儲(chǔ)芯片上實(shí)際損傷的存儲(chǔ)單元物理地址與所測(cè)試的存儲(chǔ)芯 片位圖上損傷的存儲(chǔ)單元的邏輯地址的比較結(jié)果，提高存儲(chǔ)單元組合驗(yàn)證的精 確性。
權(quán)利要求
1、一種存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，所述存儲(chǔ)單元重復(fù)組合為存儲(chǔ)芯片，所述存儲(chǔ)芯片包括存儲(chǔ)單元的有源區(qū)、形成在有源區(qū)表面的介質(zhì)層和介質(zhì)層上的金屬連線層，所述存儲(chǔ)單元組合的驗(yàn)證方法包括以下步驟步驟1在所述待驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片上標(biāo)記待損傷位置；步驟2采用聚焦離子束在待損傷位置制作預(yù)定面積和深度的損傷凹口；步驟3采用測(cè)試機(jī)測(cè)試已制作好損傷凹口的存儲(chǔ)芯片，標(biāo)記所述測(cè)試機(jī)測(cè)試到的存儲(chǔ)單元失效位置；步驟4去除所述存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)單元有源層表面的介質(zhì)層和金屬連線層，確定步驟2制作的損傷凹口的位置；步驟5比對(duì)步驟3測(cè)得的存儲(chǔ)單元失效位置與步驟4確定的損傷凹口的位置。
2、 如權(quán)利要求1所述存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，其特征在于，所述步驟1 是采用光學(xué)顯微鏡和激光在所述待驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片上標(biāo)記若干個(gè)待損傷位置。
3、 如權(quán)利要求2所述存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，其特征在于，所述標(biāo)記的 若干個(gè)待損傷位置團(tuán)簇在所述待驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片的一角。
4、 如權(quán)利要求3所述存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，其特征在于，所述步驟2 制作損傷凹口的待損傷位置為團(tuán)簇在所述待驗(yàn)證存儲(chǔ)芯片 一角的若干待損傷位 置中的其一。
5、 如權(quán)利要求1所述存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，其特征在于，在步驟2和 步驟3之間還包括用金屬填充損傷凹口的步驟。
6、 如權(quán)利要求5所述存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，其特征在于，采用化學(xué)氣 相法沉積金屬填充所述損傷凹口 。
7、 如權(quán)利要求5所述存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，其特征在于，所述填充損 傷凹口的金屬采用柏、鴒或鉬金屬。
8、 如權(quán)利要求1所述存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，其特征在于，所述步驟4 去除所述存儲(chǔ)芯片有源層表面的介質(zhì)層和金屬連線層采用濕法蝕刻去除。
9、 如權(quán)利要求8所述存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，其特征在于，所述濕法蝕 刻采用氟化氫溶液。
全文摘要
本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法，用于驗(yàn)證存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的正確性，它包括以下步驟1.在待驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片上標(biāo)記待損傷位置；2.采用聚焦離子束在待損傷位置制作損傷凹口；3.采用測(cè)試機(jī)測(cè)試存儲(chǔ)芯片，標(biāo)記測(cè)試機(jī)測(cè)試的存儲(chǔ)單元失效位置；4.去除存儲(chǔ)單元有源層表面的介質(zhì)層和金屬連線層，確定步驟2制作的損傷凹口的存儲(chǔ)單元位置；5.比對(duì)步驟3測(cè)得的存儲(chǔ)單元失效位置與步驟4確定的損傷凹口的存儲(chǔ)單元位置進(jìn)行存儲(chǔ)單元組合驗(yàn)證。本發(fā)明存儲(chǔ)單元組合的驗(yàn)證方法通過(guò)采用聚焦離子束制作損傷凹口和去除存儲(chǔ)單元有源層表面介質(zhì)層和金屬連線層可有效解決傳統(tǒng)驗(yàn)證方法存在的存儲(chǔ)芯片易整體失效和精確性低的問(wèn)題。
文檔編號(hào)G11C29/04GK101625904SQ20081004035
公開(kāi)日2010年1月13日 申請(qǐng)日期2008年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月8日
發(fā)明者鳴 章, 粱山安, 強(qiáng) 郭, 郭志蓉 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司