專利名稱：閃存裝置的編程方法
閃存裝置的編程方法
相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
本發(fā)明要求由參考其全部?jī)?nèi)容已結(jié)合的，2007年9月10日提交的韓國(guó) 專利申請(qǐng)?zhí)?0-2007-91529的優(yōu)先權(quán)。
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及閃存裝置的編程方法，并且更具體地，涉及在編程操作期間 將編程擾動(dòng)最小化的閃存裝置的編程方法。
閃存裝置是一種非易失性存儲(chǔ)裝置，在其中當(dāng)移除電源時(shí)，不擦除所存 儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
通過(guò)編程操作或擦除操作，能夠在閃存裝置中存儲(chǔ)或從閃存裝置中刪除 數(shù)據(jù)。依賴于存儲(chǔ)單元陣列的形狀，能夠?qū)㈤W存裝置分成NOR類或NAND類。 NAND閃存裝置是有利的，因?yàn)榕cNOR閃存裝置相比其能夠具有高水平的集成 度。下文描述NAND閃存裝置的存儲(chǔ)單元陣列和編程操作方法。
圖1是闡明傳統(tǒng)的NAND閃存裝置的單元陣列和其編程操作方法的電路圖。
參考圖1， NAND閃存裝置的單元陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元塊。每個(gè)單元塊 包括多個(gè)單元串(為方便起見(jiàn)，僅闡明兩個(gè)單元串ST1和ST2)。單元串分別 連接至位線BL1和BL2。更詳細(xì)地，單元串ST1具有在其中漏極選擇晶體管 DST、多個(gè)存儲(chǔ)單元CAO至CAn、和源極選擇晶體管SST串聯(lián)地連接的結(jié)構(gòu)。 每個(gè)單元串中所包括的漏極選擇晶體管DST具有連接至相應(yīng)的位線BL1的漏 極，以及每個(gè)單元串中所包括的源極選擇晶體管SST具有連接至公共源極線 CSL的源極。各個(gè)單元串ST1和ST2中所包括的漏極選擇晶體管DST具有彼 此連接的柵極，從而形成漏極選擇線DSL。各個(gè)單元串ST1和ST2中所包括 的源極選擇晶體管SST具有彼此連接的柵極，從而形成源極選擇線SSL。存 儲(chǔ)單元CAO至CAn和CBO至CBn具有彼此連接的4冊(cè)極，從而形成字線WLO至 WLn。在每頁(yè)的基礎(chǔ)上將共享一個(gè)字線(例如，WLk)的存儲(chǔ)單元CAk和CBk 分類。
在每頁(yè)的基礎(chǔ)上執(zhí)行NAND閃存裝置的編程操作。在編程操作期間，漏極 選擇線DSL提供有漏極選擇電壓，例如電源電壓Vcc,以及源極選擇線SSL 提供有地電壓。將編程電壓施加到所選擇的字線(例如WLk),并將通過(guò)電壓 施加到剩余的字線。在上述條件下，執(zhí)行共享所選擇的字線WLk的存儲(chǔ)單元 的編程操作。
通過(guò)該編程操作提升了存儲(chǔ)單元的閾值電壓，并根據(jù)存儲(chǔ)單元的已改變 的閾值電壓將所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的邏輯值分類。
盡管能夠?qū)⒐蚕硭x擇的字線WLk的存儲(chǔ)單元CAk和CBk兩者編程，但 在某些情況下，根據(jù)所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，不能將共享所選擇的字線WLk的存儲(chǔ)單 元CAk和CBk兩者編程。依賴于串中包括將要被編程的單元和不被編程的單 元的那一個(gè)(在其中將維持擦除狀態(tài)或先前狀態(tài)的單元)，將不同的電壓施加 到連接至相應(yīng)的串的位線。以下將不會(huì)被編程的單元稱為"編程禁止單元"。
明確地，將地電壓施加到連接至包括將要被編程的單元(例如，CAk)的 串ST1的位線BL1。地電壓促使串ST1內(nèi)的溝道區(qū)域的電壓電平下降到地電 壓的電平。因此，在字線WLk和溝道區(qū)域之間維持很高的電壓，并且通過(guò)F-N 隧穿，將電子從溝道區(qū)域注入存儲(chǔ)單元CAk的浮動(dòng)?xùn)艠O，以致提升存儲(chǔ)單元 的閾值電壓。相應(yīng)地，執(zhí)行編程操作。
將用于溝道升壓的編程禁止電壓(例如，電源電壓Vcc)施加到連接至 包括編程禁止單元(例如，CBk)的串ST2的位線BL2。電源電壓促使串S丁2 內(nèi)的溝道區(qū)域被預(yù)先充電至高于OV的電平(Vcc-Vth，這里V為漏才及選擇晶 體管的閾值電壓)。如果將溝道區(qū)域預(yù)先充電，則漏極選擇晶體管DST截止， 且包括編程禁止單元CBk的串ST2的溝道區(qū)域在預(yù)先充電的狀態(tài)中浮動(dòng)，因 為漏極選擇晶體管DST的Vgs (柵極與源極之間的電勢(shì))不比閾值電壓大。 如果然后將通過(guò)電壓和編程電壓施加到字線WLO至WLk,則由于溝道升壓現(xiàn) 象，溝道區(qū)域的電壓電平被提升到高于電源電壓電平。因此，字線WLk與溝 道區(qū)域之間的電勢(shì)降低，以致不產(chǎn)生F-N隧穿，并且不改變存儲(chǔ)單元的閱值 電壓。相應(yīng)地，編程禁止單元不經(jīng)歷編程操作。在這種情形，施加到字線的 電壓與溝道區(qū)域的電壓之間的差別越大，則溝道升壓特征越好。
最近已開(kāi)發(fā)了在一個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)或更多位數(shù)據(jù)的編程方 法。為了在一個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)，必須將存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布 分成四類，并且在一個(gè)存儲(chǔ)單元上必須執(zhí)行至少兩個(gè)編程操作。
在擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)單元中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)定義為"11"的情況下，必須執(zhí) 行用于將較低的位變?yōu)?0"的第一編程操作和用于將較高的位變?yōu)?0"的
第二編程操作。 一般從第一字線乳O至最后的字線WLn順序地實(shí)行第一和第 二編程操作。
當(dāng)根據(jù)上述方法執(zhí)行共享第k字線WLk的存儲(chǔ)單元CAk和CBk的編程操 作時(shí)，在源極選擇晶體管(SST )側(cè)所布置的存儲(chǔ)單元CBO至CBk-l已經(jīng)歷了 編程操作。根據(jù)所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，將單元分類為編程狀態(tài)或擦除狀態(tài)。在漏極 選擇晶體管(DST)側(cè)所布置的存儲(chǔ)單元CBk+l未經(jīng)歷編程操作，并因此維持 在擦除狀態(tài)。如果源極選擇晶體管(SST)側(cè)存在較大數(shù)量的已編程的單元， 則由于注入浮動(dòng)?xùn)艠O的電子，字線與溝道區(qū)域之間的電勢(shì)降低，以致可能出 現(xiàn)弱溝道升壓現(xiàn)象。因而，如果已編程的單元的數(shù)量關(guān)于每個(gè)串都不同，則 出現(xiàn)不同強(qiáng)度的溝道升壓，其可能導(dǎo)致經(jīng)改變的編程特征。這種現(xiàn)象不但可 能在用于存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)的編程搡作中發(fā)生，而且可能在存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)的編程 方法中發(fā)生。
為了防止這種現(xiàn)象，能夠通過(guò)使用僅在存儲(chǔ)單元的溝道區(qū)域中產(chǎn)生溝道 升壓的擦除區(qū)自升壓(EASB)方法，執(zhí)行編程操作，當(dāng)放置于所選擇的字線 WLk中漏極選擇晶體管(DST)側(cè)時(shí)，該存儲(chǔ)單元維持在擦除狀態(tài)?？蛇x擇地，
方法，執(zhí)行編程操作，通過(guò)截止鄰近所選擇的字線WLk的存儲(chǔ)單元WLk-1和 WLk+1,該單元共享所選擇的字線WLk。
當(dāng)所選擇的字線WLk與漏極選擇線DSL之間所布置的存儲(chǔ)單元處于擦除 狀態(tài)時(shí)，EASB方法或LSB方法的編程操作能夠具有很好的效果。然而，為了 使在共享所選擇的字線的編程操作期間，鄰近的存儲(chǔ)單元的閾值電壓改變的 干擾現(xiàn)象最小化，第一和第二編程操作的順序或字線的順序改變。在這種情 形，因?yàn)樵谒x擇的字線WLk與漏極選擇線DSL之間可能存在已編程的單元， 即使用EASB方法或LSB方法的編程操作，也很難獲得良好的編程特征。特別 地，在LSB方法的編程操作中，如果施加了編程電壓，則根據(jù)編程電壓，將 從在所選擇的字線WLk的兩邊都已截止的存儲(chǔ)單元的結(jié)區(qū)域而產(chǎn)生的熱電子 注入到編程禁止單元CBk的浮動(dòng)?xùn)艠O，這導(dǎo)致閾值電壓上升的編程擾動(dòng)現(xiàn)象。
因此，為了獲得良好的編程特征，而同時(shí)防止編程擾動(dòng)，在包括編程禁 止單元的串內(nèi)控制溝道升壓的發(fā)生是非常重要的。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，在串內(nèi)的所有存儲(chǔ)單元都導(dǎo)通，以電連接溝道區(qū)域的狀態(tài) 中，通過(guò)將地電壓施加于連接至包括將要被編程的單元的第 一 串的第 一位線， 并將編程禁止電壓施加于連接至包括編程禁止單元的第二串的第二位線，均 勻地將第二串內(nèi)的所有的溝道區(qū)域預(yù)先充電。如果執(zhí)行編程操作，則在包括 編程禁止單元的第二串內(nèi)的溝道區(qū)域中出現(xiàn)溝道升壓。相應(yīng)地，能夠增加溝 道升壓電壓，并且能夠防止在其中編程禁止單元的閾值電壓改變的編程擾動(dòng) 現(xiàn)象。
根據(jù)本發(fā)明的第 一 實(shí)施例的閃存裝置的編程方法包括提供包括漏極選擇 線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串分別連接在位線與公共源極線
之間；在串內(nèi)的溝道區(qū)域未電連接至位線的狀態(tài)中，施加編程禁止電壓；將 通過(guò)電壓施加于字線；將漏極選擇電壓施加于漏極選擇線；并通過(guò)將比通過(guò) 電壓高的編程電壓施加于所選擇的字線的一個(gè)，而執(zhí)行編程操作。
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的閃存裝置的編程方法包括提供包括漏極選擇 線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串分別連接在位線與公共源極線 之間；在串內(nèi)的溝道區(qū)域未電連接至位線的狀態(tài)中，將地電壓施加于和包括 將要被編程的存儲(chǔ)單元的第 一 串連接的第 一位線，并將編程禁止電壓施加于 和包括編程禁止單元的第二串連接的第二位線；將通過(guò)電壓施加于字線；將 漏極選擇電壓施加于漏才及選4奪線；并通過(guò)將比通過(guò)電壓高的編程電壓施加于 所選擇的字線的一個(gè)，而執(zhí)行編程操作。
可以根據(jù)通過(guò)電壓導(dǎo)通所有的共享字線的存儲(chǔ)單元，而不論編程狀態(tài)。 在編程操作的執(zhí)行期間，施加于所選擇的字線的通過(guò)電壓的電平可能上升至 編程電壓的電平?？梢愿鶕?jù)漏極選擇電壓導(dǎo)通第一串中所包括的漏極選擇晶 體管，以致第 一 串內(nèi)的溝道區(qū)域可以電連接至第 一 位線。
根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的閃存裝置的編程方法包括提供包括漏極選擇 線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串分別連接在位線與公共源極線 之間；將編程禁止電壓施加于串內(nèi)的溝道區(qū)域未電連接至位線的浮動(dòng)狀態(tài)中 的位線；電連接溝道區(qū)域未電連接至位線的狀態(tài)中的溝道區(qū)域；將漏極選4奪 電壓施加于漏極選擇線；并通過(guò)將高于通過(guò)電壓的編程電壓施加于所選擇的 字線的一個(gè)，而執(zhí)行編程操作。
可以根據(jù)施加于字線的每一個(gè)的通過(guò)電壓而連接溝道區(qū)域。當(dāng)根據(jù)通過(guò) 電壓連接溝道區(qū)域時(shí)，可能會(huì)產(chǎn)生溝道升壓現(xiàn)象，并且溝道區(qū)域的電壓可能 會(huì)上升?？梢栽谕ㄟ^(guò)電壓之前施加編程禁止電壓，可以在編程禁止電壓之前 施加通過(guò)電壓，或者可以同時(shí)施加通過(guò)電壓和編程禁止電壓?？梢栽谑┘泳?程禁止電壓和通過(guò)電壓之后施加漏4及選擇電壓。
根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的閃存裝置的編程方法包括提供包括漏極選擇 線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串分別連接在位線與公共源極線
之間；在串內(nèi)的溝道區(qū)域未電連接至位線的浮動(dòng)狀態(tài)中，將地電壓施加于和 包括將要被編程的存儲(chǔ)單元的第 一 串連接的第 一位線，并將編程禁止電壓施 加于和包括編程禁止單元的第二串連接的第二位線；在溝道區(qū)域未連接至位 線的狀態(tài)中，分別電連接第一串中所包括的存儲(chǔ)單元的第一溝道區(qū)域，和第 二串中所包括的存儲(chǔ)單元的第二溝道區(qū)域；在第 一和第二溝道區(qū)域彼此連接 的狀態(tài)中，將第一溝道區(qū)域電連接至第一位線；并執(zhí)行編程操作，以致將要 被編程的存儲(chǔ)單元的閾值電壓上升。
可以根據(jù)施加于字線的每一個(gè)的通過(guò)電壓而彼此連接第一溝道區(qū)域，并 且可以根據(jù)施加于字線的每一個(gè)的通過(guò)電壓而彼此連接第二溝道區(qū)域。因?yàn)?由通過(guò)電壓，在第一和第二溝道區(qū)域的每一個(gè)中產(chǎn)生溝道升壓現(xiàn)象，第一和 第二溝道區(qū)域的電壓可能會(huì)上升。當(dāng)根據(jù)施加于漏極選擇線的漏極選擇電壓 導(dǎo)通第一串的漏極選擇晶體管時(shí)，可以將第一溝道區(qū)域連接至第一位線。漏 極選擇電壓可以具有與編程禁止電壓相同的電平?？梢栽诘谝缓偷诙系绤^(qū) 域彼此連接之前施加編程禁止電壓，可以在第 一和第二溝道區(qū)域彼此連接之 后施加編程禁止電壓，或者可以在當(dāng)施加編程禁止電壓的同時(shí)彼此連接第一 和第二溝道區(qū)域。在第一和第二溝道區(qū)域彼此連接，且施加了編程禁止電壓 之后，可以將第一溝道區(qū)域電連接至第一位線。在編程禁止電壓的施加中， 可以將用于截止源極選擇晶體管的源極選擇電壓施加于源極選擇線，并可以 將正電壓施加于公共源極線。
根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的閃存裝置的編程方法包括提供包括漏極選擇 線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串分別連接在位線與公共源極線 之間；將地電壓施加于位線，并將第一電壓施加于漏極選擇線；將第二電壓 施加于字線，以致導(dǎo)通存儲(chǔ)單元；在將編程禁止電壓施加于位線的同時(shí)，將 高于第二電壓的通過(guò)電壓施加于字線；并通過(guò)將高于通過(guò)電壓的編程電壓施
加于所選擇的字線的一個(gè)，而執(zhí)行編程操作。
根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的閃存裝置的編程方法包括提供包括漏極選擇 線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串分別連接在位線與公共源極線
之間；將地電壓施加于位線，并將第一電壓施加于漏極選擇線；將第二電壓 施加于字線，以致導(dǎo)通存儲(chǔ)單元；將高于第二電壓的通過(guò)電壓施加于字線， 將地電壓施加于連接至包括將要被編程的存儲(chǔ)單元的第一串的第一位線，以 及將編程禁止電壓施加于連接至包括編程禁止單元的第二串的第二位線；并 通過(guò)將高于通過(guò)電壓的編程電壓施加于所選擇的字線的一個(gè)，而執(zhí)行編程操 作。
可以根據(jù)第二電壓導(dǎo)通所有的存儲(chǔ)單元，而不論編程狀態(tài)或擦除狀態(tài)。 在編程操作的執(zhí)行期間，施加于所選擇的字線的通過(guò)電壓的電平可能上升至 編程電壓的電平。
可以根據(jù)施加于漏極選擇線的第一電壓導(dǎo)通第一 串中所包括的漏極選擇 晶體管，以致第一串內(nèi)的溝道區(qū)域可以電連接至第一位線。串內(nèi)的溝道區(qū)域 可以根據(jù)第二電壓彼此電連接。可以在源極選擇線和漏極選擇線之間的半導(dǎo) 體襯底中，或者字線下的半導(dǎo)體襯底中布置串內(nèi)的溝道區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的閃存裝置的編程方法包括提供包括漏極選褲: 線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串分別連接在位線與公共源極線 之間；將地電壓施加于位線，并將第一電壓施加于漏極選#^線；電連4妾串內(nèi) 的溝道區(qū)域；在溝道區(qū)域中產(chǎn)生溝道升壓現(xiàn)象，從而提升溝道區(qū)域的電壓； 并通過(guò)將編程電壓施加于所選#^的字線的一個(gè)，而執(zhí)行編程操作。
當(dāng)根據(jù)施加于字線的第二電壓導(dǎo)通共享字線的存儲(chǔ)單元時(shí)，溝道區(qū)域可 以彼此連接。當(dāng)根據(jù)施加于位線的編程禁止電壓截止共享漏極選擇線的漏極 選擇晶體管，且溝道區(qū)域進(jìn)入浮動(dòng)狀態(tài)時(shí)，溝道區(qū)域的電壓可以與在其中施 加于字線的電壓上升的值成比例地上升。
根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例的閃存裝置的編程方法包括提供包括漏極選擇 線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串分別連接在位線與公共源極線 之間；將地電壓施加于位線，并將第一電壓施加于漏極選擇線；連4矣包括將 要被編程的存儲(chǔ)單元的串的第一串的第一溝道區(qū)域，和包括編程禁止單元的 串的第二串的第二溝道區(qū)域；將地電壓施加于第一串的第一溝道區(qū)域，并在 第二串的第二溝道區(qū)域中產(chǎn)生溝道升壓現(xiàn)象，從而提升第二溝道區(qū)域的電壓；
并通過(guò)將編程電壓施加于所選"t奪的字線的一個(gè)，而執(zhí)行編程操作。
可以根據(jù)施加于字線的第二電壓導(dǎo)通共享字線的存儲(chǔ)單元，以致第一溝 道區(qū)域和第二溝道區(qū)域彼此連接。在導(dǎo)通共享漏極選擇線的第 一 串的漏極選 擇晶體管時(shí)，可以將第一溝道區(qū)域電連接至第一位線，以致將地電壓施加于 第一溝道區(qū)域。當(dāng)根據(jù)施加于第二位線的編程禁止電壓截止共享漏極選擇線 的第二串的漏極選擇晶體管，且溝道區(qū)域進(jìn)入浮動(dòng)狀態(tài)時(shí)，溝道區(qū)域的電壓 可以與在其中施加于字線的電壓上升的值成比例地上升。在第一電壓施加于
漏極選擇線期間，可以將源極選擇電壓施加于源極選擇線，以致截止源極選 擇晶體管，并且將正電壓施加于公共源極線。可以在源極選擇線與漏極選擇 線之間的半導(dǎo)體襯底中布置串內(nèi)的溝道區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明，在導(dǎo)通串內(nèi)的所有存儲(chǔ)單元的狀態(tài)中，將編程禁止電壓施 加于位線。相應(yīng)地，能夠均勻地為串內(nèi)的所有的溝道區(qū)域預(yù)先充電。
此外，可在均勻地為溝道區(qū)域預(yù)先充電的狀態(tài)中產(chǎn)生溝道升壓。相應(yīng)地， 能夠增加溝道升壓電壓，并能夠使編程擾動(dòng)的發(fā)生最小化。
本發(fā)明也能夠應(yīng)用于為了防止由于編程操作期間的干擾現(xiàn)象的鄰近單元 的閾值電壓的變化，而改變字線或編程操作的順序的情形。特別地，本發(fā)明 也能夠應(yīng)用于位于所選擇的字線與漏極選擇線之間的存儲(chǔ)單元已編程的情 形。
此外，不但在串內(nèi)的溝道區(qū)域中，而且在整個(gè)溝道區(qū)域中都能產(chǎn)生溝道 升壓。因此防止編程禁止單元的閾值電壓由于當(dāng)某些區(qū)域中出現(xiàn)的溝道升壓 時(shí)的熱電子而改變，是可能的。


圖1是闡明傳統(tǒng)的NAND閃存裝置的單元陣列和其編程操作方法的電路
圖2是闡明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的閃存裝置的編程方法的電路圖； 圖3是闡明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的閃存裝置的編程方法的波形； 圖4是共享圖2的電路圖中第k字線的存儲(chǔ)單元CAk、CBk的橫截面視圖； 圖5A至5D是圖2的電路圖中的串的橫截面視圖； 圖6是闡明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的閃存裝置的編程方法的波形； 圖7是闡明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的閃存裝置的編程方法的波形； 圖8是闡明根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的閃存裝置的編程方法的波形；
具體實(shí)施例方式
將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)施例。
圖2是闡明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的閃存裝置的編程方法的電路圖。圖3 是闡明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的閃存裝置的編程方法的波形。圖4是共享 圖2的電路圖中第k字線的存儲(chǔ)單元CAk、 CBk的橫截面視圖。
參考圖2,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的閃存裝置包括存儲(chǔ)單元陣列210、電壓 產(chǎn)生器220、和頁(yè)面緩沖器230A和230B。存儲(chǔ)單元陣列210包括多個(gè)塊、其 每一個(gè)都包括多個(gè)串(為方便起見(jiàn)，僅闡明兩個(gè)單元串ST1和ST2)。如圖4 和5A中所示，字線和選擇線包括隧道絕緣層305、浮動(dòng)?xùn)艠O307、電介質(zhì)層 309、和控制柵極311;其所有的都堆疊在半導(dǎo)體襯底301上。因?yàn)樵陔娊赓|(zhì) 層309中形成空穴，兩條選擇線SSL和DSL連接至浮動(dòng)?xùn)艠O307和控制柵極 311。在字線與選擇線之間的半導(dǎo)體襯底301中形成結(jié)區(qū)域315J。位線BL1 連接至在公共源極線CSL的側(cè)所形成的源極315S。位線BL2連接至漏極選擇 線DSL的漏極315D。存儲(chǔ)單元陣列210具有與圖1 一樣的存儲(chǔ)單元陣列結(jié)構(gòu)，
并且為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，將省略其描述。
返回參考圖2，電壓產(chǎn)生器220將編程操作必需的操作電壓提供給漏極 選擇線DSL、字線WLO至WLn、和源極選擇線SSL。頁(yè)面緩沖器230A和230B 通過(guò)位線BL1和BL2分別連接至串ST1和ST2中所包括的漏極選擇晶體管DST 的漏極。根據(jù)外部輸入數(shù)據(jù)，頁(yè)面緩沖器230A和230B將編程禁止電壓(例 如，電源電壓)或地電壓施加于位線。
下文描述當(dāng)共享第k字線WLk的存儲(chǔ)單元CAk和CBk的存儲(chǔ)單元CAk為 將要被編程的單元，而存儲(chǔ)單元CBk為應(yīng)該維持在先前的狀態(tài)的編程禁止單 元時(shí)的編程操作。
參考圖3、 4和5A，在第一周期T1，根據(jù)外部輸入數(shù)據(jù)，將編程禁止電 壓或地電壓應(yīng)用于位線BL1和BL2。將地電壓施加于連接至包括將要被編程 的第一存儲(chǔ)單元CAk的第一串ST1的第一位線BL1，并將編程禁止電壓Vpch 施加于連接至包括第二存儲(chǔ)單元CBk (即，編程禁止單元)的第二串ST2的 第二位線BL2。將電源電壓施加于公共源極線CSL，并將地電壓施加于源極選 擇線SSL。因?yàn)榈仉妷菏┘佑诼O選擇線DSL，編程禁止電壓Vpch并不傳遞
至第二串ST2內(nèi)的第二溝道區(qū)域313B。即，即4吏施加了編程禁止電壓Vpch, 并不為第二串ST2的第二溝道區(qū)域313B預(yù)先充電。
參考圖3、 4和5B,在第二周期T2，將通過(guò)電壓Vpass施加于字線WLO 至WLn,以致導(dǎo)通在編程操作的時(shí)候所選擇的塊中所包括的所有的存儲(chǔ)單元 CAO至CAn和CBO至CBn。通過(guò)電壓Vpass指在一對(duì)編程操作期間施加以導(dǎo)通 連接至未選擇的字線的存儲(chǔ)單元的電壓。隨著通過(guò)電壓Vpass施加于字線WLO 至WLn,所有的存儲(chǔ)單元CA0至CAn和CBO至CBn都導(dǎo)通，并且所有的溝道 區(qū)域都電連接至串ST1和ST2的每一個(gè)之內(nèi)的源極選擇線SSL和漏極選擇線 DSL之間的半導(dǎo)體襯底301。因?yàn)槁O選擇線DSL和源極選擇線SSL提供有地 電壓，并且漏極選擇晶體管DST和源極選擇晶體管SST處于截止的狀態(tài)，在 浮動(dòng)狀態(tài)，串ST1和ST2的第一和第二溝道區(qū)域313A和313B提供有通過(guò)電 壓Vpass。相應(yīng)地，由于電容耦合現(xiàn)象，在串ST1和ST2中出現(xiàn)升壓現(xiàn)象， 以致第一和第二溝道區(qū)域313A和313B的電壓電平上升。
盡管在包括編程禁止單元CBk的第二串ST2中存在已被編程的單元，所 有的存儲(chǔ)單元CBO至CBn都導(dǎo)通以連接溝道區(qū)域。因而，在產(chǎn)生升壓現(xiàn)象之 后，不論已被編程的單元如何，在第一串ST2內(nèi)的第二溝道區(qū)域313B中能夠 維持均勻的電勢(shì)。
參考圖3、 4、和5C,在第三周期T3，將漏極選擇電壓施加于漏極選擇 線DSL。施加于漏極選擇線DSL的漏極選擇電壓可以具有與施加于第二位線 BL2的編程禁止電壓相同的電平。如果將漏極選擇電壓施加于漏極選擇線 DSL，則第一串ST1的漏極選擇晶體管DST導(dǎo)通，并因此，施加有地電壓的第 一位線BL1電連接至第一串ST1的第一溝道區(qū)域313A。因而，第一串ST1的 第一溝道區(qū)域313A電壓電平下降至地電壓的電平。盡管將漏極選擇電壓施加 于第二串ST2中的漏極選擇線DSL,但由于Vgs (柵極與源極之間的電勢(shì))與 Vth (漏極選擇晶體管的閾值電壓)之間的差別，漏極選擇晶體管DST并不導(dǎo) 通。第二串ST2的第二溝道區(qū)域313B保持在通過(guò)升壓現(xiàn)象而提升的電壓電平。 如果第二溝道區(qū)域313B的經(jīng)升壓的電壓電平低于編程禁止電壓，則第二串 ST2的漏極選^^晶體管DST導(dǎo)通，并且第二串ST2的第二溝道區(qū)域被預(yù)先充 電至預(yù)定的電平(即，為漏極選擇晶體管的闞值電壓的編程禁止電壓)。漏極 選擇晶體管DST于是截止。
參考圖3、 4、和5D,在第四周期T4，通過(guò)將編程電壓Vpgm施加于所選
擇的字線WLk，而執(zhí)行編程操作。由于存儲(chǔ)單元CAk的字線WLk與第一溝道 區(qū)域313A之間的電勢(shì)，在第一串ST1中，電子從第一溝道區(qū)域313A注入到 存儲(chǔ)單元CAk的浮動(dòng)?xùn)艠O307，以致閾值電壓上升。因此，將存儲(chǔ)單元CAk 編禾呈。
在第二串ST2的漏極選擇晶體管DST截止，并且第二串ST2的第二溝道 區(qū)域313B浮動(dòng)的狀態(tài)中，施加編程電壓Vpgni。因而，由于編程電壓Vpgm, 在第二串ST2的第二溝道區(qū)域313B中出現(xiàn)升壓現(xiàn)象，并且第二溝道區(qū)域313B 的電壓額外地上升。結(jié)果，因?yàn)榫幊探箚卧狢Bk的字線WLk與第二溝道區(qū) 域313B之間的電勢(shì)進(jìn)一步降低，并不將編程禁止單元CBk編程，并且不產(chǎn)生 編程擾動(dòng)現(xiàn)象。
在施加編程電壓Vpgm以足夠?qū)⒋鎯?chǔ)單元CAk編程的一段時(shí)間之后，在剩 余的周期中，停止用于編程操作所施加的編程電壓Vpgm、通過(guò)電壓Vpass、 和施加于漏極選擇線DSL的漏極選擇電壓的供給?？梢皂樞虻赝Ｖ咕幊屉妷?Vpgm、通過(guò)電壓Vpass、和漏極選擇電壓的供給。盡管在繪圖中未示出，也 停止編程禁止電壓Vpch和公共源極線CSL的電壓的供給。
在執(zhí)行編程操作之后，執(zhí)行用于檢驗(yàn)存儲(chǔ)單元CAk的閾值電壓是否已上 升到目標(biāo)電壓的編程檢驗(yàn)操作。作為檢驗(yàn)的結(jié)果，如果存儲(chǔ)單元CAk的閾值 電壓已上升到目標(biāo)電壓，則結(jié)束編程操作。然而，作為檢驗(yàn)的結(jié)果，如果閾 值電壓還未上升到目標(biāo)電壓，則在逐步提升編程電壓Vpgm的電平，直到閾值 電壓變?yōu)榕c目標(biāo)電壓相同或高于目標(biāo)電壓的同時(shí)，根據(jù)上述方法，再次執(zhí)行 編程操作。
上文已經(jīng)描述，在將漏極選4奪電壓施加于漏極選擇線DSL之前，即，在 串內(nèi)的溝道區(qū)域電連接至位線之前，在通過(guò)電壓前將編程禁止電壓施加于位 線。然而，可以各種各樣的方式將編程禁止電壓施加于位線。
圖6是闡明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的閃存裝置的編程方法的波形。 參考圖6,在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的閃存裝置的編程方法中，在將 漏極選擇電壓施加于漏極選擇線DSL之前，在編程禁止電壓前將通過(guò)電壓施 加于字線WLO至WLn。即使在這種情形，能夠均勻地產(chǎn)生參考圖3所描述的 溝道升壓現(xiàn)象。
盡管已經(jīng)描述了在漏極選4奪電壓之前施加編程禁止電壓，但可以同時(shí)施 加編程禁止電壓和漏極選擇電壓。
第三實(shí)施例的閃存裝置的編程方法的波形。
參考圖7,在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的閃存裝置的編程方法中，在將 漏極選擇電壓施加于漏極選擇線DSL之前，可以同時(shí)分別將通過(guò)電壓和編程 禁止電壓施加于字線WLO至WLn和位線。在這種情形，也能夠均勻地產(chǎn)生參 考圖3所描述的溝道升壓現(xiàn)象。
上文已描述，參考圖6和7，與將正電壓施加于公共源極線CSL的同時(shí) 施加通過(guò)電壓。然而，可以在公共源極線CSL的正電壓之前施加通過(guò)電壓。
圖8是闡明根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的閃存裝置的編程方法的波形。
參考圖2、 4、和8，在第一周期T1中，將用于導(dǎo)通漏極選擇晶體管DST 的第一電壓施加于漏極選擇線DSL,并將地電壓施加于位線BL1和BL2以及 字線WLO至WLn。即使漏極選"t奪晶體管DST已導(dǎo)通，也不為溝道區(qū)域313A和 313B預(yù)先充電，因?yàn)橐褜⒌仉妷菏┘佑谖痪€BL1和BL2。
可以將，例如，OV的源極選擇電壓施加于源極選擇線SSL，以致截止源 極選擇晶體管SST。此外，盡管源極選擇晶體管SST已截止，也能夠產(chǎn)生公 共源極線CSL的漏極電流。相應(yīng)地，可以將公共源極電壓施加于公共源極線 CSL和電源電壓Vcc。
在第二周期T2中，不論編程狀態(tài)如何，將第二電壓施加于字線WLO至 WLn，以致導(dǎo)通存儲(chǔ)單元CAO至CAn和CBO至CBk。如果在導(dǎo)通漏極選擇晶體 管DST,并且將地電壓施加于位線BL1和BL2的狀態(tài)中導(dǎo)通存儲(chǔ)單元CAO至 CAn和CBO至CBk,則將地電壓施加于第一串ST1的第一溝道區(qū)域313A和第 二串ST2的第二溝道區(qū)域313B。
在第三周期T3中，根據(jù)外部輸入數(shù)據(jù)將編程禁止電壓Vpch或地電壓施 加于位線BL1和BL2。將地電壓施加于連接至包括將要^皮編程的第一存儲(chǔ)單 元CAk的第一串ST1的第一位線BLl,并將編程禁止電壓Vpch施加于連接至 包括第二存儲(chǔ)單元CBk (即，編程禁止單元)的第二串ST2的第二位線BU。 將高于第二電壓的通過(guò)電壓Vpass施加于字線WLO至WLn。在第二串SH中， 根據(jù)通過(guò)第二位線BL2所施加的編程禁止電壓Vpch,將第二溝道區(qū)域n鄧 預(yù)先充電至與Vpch-Vth (漏極選擇晶體管的閾值電壓) 一樣的電平。因?yàn)榈?二溝道區(qū)域313B已預(yù)先充電，漏極選擇晶體管DST截止，以致第二溝道區(qū)域 313B進(jìn)入浮動(dòng)狀態(tài)。此外，因?yàn)轫憫?yīng)通過(guò)電壓Vpass而產(chǎn)生升壓現(xiàn)象，第二 溝道區(qū)域313B的電壓上升。在第二周期T2中施加于字線WLO至WLn的第二
電壓促使所有的存儲(chǔ)單元CBO至CBn都導(dǎo)通，從而連接存儲(chǔ)單元CBO至CBn 的溝道區(qū)域313B。相應(yīng)地，根據(jù)通過(guò)電壓Vpass,在存儲(chǔ)單元CBO至CBn的 溝道區(qū)域313B中均勻地產(chǎn)生升壓現(xiàn)象，而不論編程狀態(tài)如何。
在第四周期T4中，通過(guò)將編程電壓Vpgm施加于所選擇的字線WLk,執(zhí) 行編程操作。在第一串ST1中，由于存儲(chǔ)單元CAk的字線WLk與第一溝道區(qū) 域313A之間的電勢(shì)，將電子從第一溝道區(qū)域313A注入存儲(chǔ)單元CAk的浮動(dòng) 柵極307,以致閾值電壓上升。因此，將存儲(chǔ)單元CAk編程。
在第二串ST2的漏極選擇晶體管DST截止，并且第二串ST2的第二溝道 區(qū)域313B浮動(dòng)的狀態(tài)中施加編程電壓Vpgra。因而，根據(jù)編程電壓Vpgm,在 第二串ST2的第二溝道區(qū)域313B中額外地出現(xiàn)升壓現(xiàn)象，以致第二溝道區(qū)域 313B的電壓順帶地上升。相應(yīng)地，編程禁止單元CBk的字線WLk與第二溝道 區(qū)域313B之間的電勢(shì)進(jìn)一步降低。因此，編程禁止單元CBk不被編程，并且 不產(chǎn)生編程擾動(dòng)現(xiàn)象。
在施加編程電壓Vpgm以足夠?qū)⒋鎯?chǔ)單元CAk編程的一4殳時(shí)間之后，在剩 余的周期中，停止用于編程操作的編程電壓Vpgm、通過(guò)電壓Vpass、和用于 漏極選4斧線DSL所施加的漏極選擇電壓的供給。可以順序地停止電壓的供給。 盡管在繪圖中未示出，也停止編程禁止電壓Vpch和施加于公共源極線CSL的 電壓的供給。
在執(zhí)行編程操作之后，執(zhí)行用于檢驗(yàn)存儲(chǔ)單元CAk的閾值電壓是否已上 升至目標(biāo)電壓的編程檢驗(yàn)操作。作為檢驗(yàn)的結(jié)果，如果存儲(chǔ)單元CAk的閾值 電壓已上升至目標(biāo)電壓，則結(jié)束編程搡作。然而，作為檢驗(yàn)的結(jié)果，如果閾 值電壓還未上升至目標(biāo)電壓，則在逐步提升編程電壓Vp gm的電平直到閾值電 壓變?yōu)榕c目標(biāo)電壓相同或高于目標(biāo)電壓的同時(shí)，根據(jù)上述方法再次執(zhí)行編程 操作。
將上述編程方法與下文的現(xiàn)有技術(shù)相比較。在現(xiàn)有^t術(shù)中，因?yàn)樵谟删?程禁止電壓局部地為串內(nèi)的溝道區(qū)域預(yù)先充電的狀態(tài)中施加通過(guò)電壓或編程 電壓，根據(jù)相同串內(nèi)的存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)，不規(guī)則地產(chǎn)生升壓現(xiàn)象。然而， 在本發(fā)明中，因?yàn)橛捎谠诎ň幊探箚卧拇恼麄€(gè)溝道區(qū)域中的升壓現(xiàn) 象，電壓均勻地上升，能夠有效地防止編程擾動(dòng)現(xiàn)象的發(fā)生。
盡管已關(guān)于特定的實(shí)施例作了前述描迷，將理解到，本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員可以作本發(fā)明的改變或更改，而不背離本發(fā)明和附屬權(quán)利要求的精神和范 圍。
權(quán)利要求
1. 一種閃存裝置的編程方法，所述編程方法包括提供包括漏極選擇線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串連接在位線與公共源極線之間；在所述串內(nèi)的溝道區(qū)域未電連接至所述位線的狀態(tài)中，施加編程禁止電壓；將通過(guò)電壓施加于所述字線；將漏極選擇電壓施加于所述漏極選擇線；以及通過(guò)將比所述通過(guò)電壓高的編程電壓施加于所述字線中所選的一條，而執(zhí)行編程操作。
2. 如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中不論編程狀態(tài)如何，根據(jù)所述通 過(guò)電壓導(dǎo)通共享所述字線的存儲(chǔ)單元。
3. 如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中在所述編程操作的執(zhí)行期間，施 加于所述選擇的字線的所述通過(guò)電壓的值上升至所迷編程電壓的值。
4. 如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中在所述通過(guò)電壓之前施加所述編 程禁止電壓。
5. 如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中在所述編程禁止電壓之前施加所 述通過(guò)電壓。
6. 如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中在大致相同的時(shí)間施加所述通過(guò) 電壓和所述編程禁止電壓。
7. 如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中在施加所述編程禁止電壓和所述 通過(guò)電壓之后，施加所述漏極選擇電壓。
8. 如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中所述漏極選擇電壓具有與所述編 程禁止電壓大致相同的值。
9. 如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中在所述編程禁止電壓的施加期間， 將用于截止源極選擇晶體管的源極選擇電壓施加于所述源極選擇線，并將正 電壓施加于7>共源極線。
10. 如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中在所述源極選擇線與所述漏極 選擇線之間的半導(dǎo)體襯底中布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
11. 如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中在所述字線下的半導(dǎo)體襯底中布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
12. —種閃存裝置的編程方法，所述編程方法包括 提供包括漏極選擇線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串分別連接在位線與公共源極線之間；在所述串內(nèi)的溝道區(qū)域未電連接至所述位線的狀態(tài)中，將地電壓施加于 連接至包括將要被編程的存儲(chǔ)單元的第 一 串的第 一位線，并將編程禁止電壓 施加于連接至包括編程禁止單元的第二串的第二位線；將通過(guò)電壓施加于所述字線；將漏極選擇電壓施加于所述漏極選擇線；以及通過(guò)將比所述通過(guò)電壓高的編程電壓施加于所述字線中所選的一條，而 執(zhí)行編程操作。
13. 如權(quán)利要求12所述的編程方法，其中不論編程狀態(tài)如何，根據(jù)所述 通過(guò)電壓導(dǎo)通共享所述字線的存儲(chǔ)單元。
14. 如權(quán)利要求12所述的編程方法，其中在所述編程操作的執(zhí)行期間， 施加于所述選擇的字線的所述通過(guò)電壓的值上升至所述編程電壓的值。
15. 如權(quán)利要求12所述的編程方法，其中根據(jù)所述漏極選擇電壓導(dǎo)通所 述第 一 串中所包括的漏極選擇晶體管，以致所述第 一 串內(nèi)的溝道區(qū)域電連接至所述第一位線。
16. 如權(quán)利要求12所述的編程方法，其中在所述通過(guò)電壓之前施加所述 編程禁止電壓。
17. 如權(quán)利要求12所述的編程方法，其中在所述編程禁止電壓之前施加 所述通過(guò)電壓。
18. 如權(quán)利要求12所述的編程方法，其中在大致相同的時(shí)間施加所述通 過(guò)電壓和所述編程禁止電壓。
19. 如;f又利要求12所述的編程方法，其中在施加所述編程禁止電壓和所 述通過(guò)電壓之后，施加所述漏極選4奪電壓。
20. 如權(quán)利要求12所述的編程方法，其中所述漏極選擇電壓具有與所述 編程禁止電壓相同的值。
21. 如權(quán)利要求12所述的編程方法，其中在所述編程禁止電壓的施加期 間，將用于截止源極選擇晶體管的源極選擇電壓施加于所述源極選擇線，并將正電壓施加于公共源極線。
22. 如權(quán)利要求12所述的編程方法，其中在所述源極選擇線與所述漏極選擇線之間的半導(dǎo)體襯底中布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
23. 如權(quán)利要求12所述的編程方法，其中在所述字線下的半導(dǎo)體襯底中 布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
24. —種閃存裝置的編程方法，所述編程方法包括 提供包括漏極選擇線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串連接在位線與公共源極線之間；在所述串內(nèi)的溝道區(qū)域未電連接至所述位線的浮動(dòng)狀態(tài)中，將編程禁止 電壓施力o于所述位線；在所述溝道區(qū)域未電連接至所述位線的狀態(tài)中，電連接所述溝道區(qū)域；將漏極選擇電壓施加于所述漏極選擇線；以及通過(guò)將比通過(guò)電壓高的編程電壓施加于所述字線中所選的一條，而執(zhí)行 編程操作。
25. 如權(quán)利要求24所述的編程方法，其中根據(jù)施加于所述字線的每一個(gè) 的所述通過(guò)電壓連接所述溝道區(qū)域。
26，如權(quán)利要求25所述的編程方法，其中當(dāng)根據(jù)所述通過(guò)電壓連接所述 溝道區(qū)域時(shí)，產(chǎn)生溝道升壓現(xiàn)象，并且所述溝道區(qū)域的電壓上升。
27. 如權(quán)利要求24所述的編程方法，其中在所述通過(guò)電壓之前施加所述 編程禁止電壓。
28. 如權(quán)利要求24所述的編程方法，其中在所述編程禁止電壓之前施加 所述通過(guò)電壓。
29. 如權(quán)利要求24所述的編程方法，其中在大致相同的時(shí)間施加所述通 過(guò)電壓和所述編程禁止電壓。
30. 如權(quán)利要求24所述的編程方法，其中在施加所述編程禁止電壓和所 述通過(guò)電壓之后，施加所述漏極選擇電壓。
31. 如權(quán)利要求24所述的編程方法，其中在所述編程禁止電壓的施加期 間，將用于截止源極選擇晶體管的源極選擇電壓施加于所述源極選擇線，并 將正電壓施加于公共源纟及線。
32. 如權(quán)利要求24所述的編程方法，其中在所述源極選擇線與所述漏極 選擇線之間的半導(dǎo)體村底中布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
33. 如權(quán)利要求24所述的編程方法，其中在所述字線下的半導(dǎo)體襯底中布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
34. —種閃存裝置的編程方法，所述編程方法包括提供包括漏極選擇線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串分別連接在位線與7>共源極線之間；在所述串內(nèi)的溝道區(qū)域未電連接至所述位線的浮動(dòng)狀態(tài)中，將地電壓施 加于連接至包括將要被編程的存儲(chǔ)單元的第 一 串的第 一位線，并將編程禁止 電壓施加于連接至包括編程禁止單元的第二串的第二位線；在所述溝道區(qū)域未電連接至所述位線的狀態(tài)中，分別電連接所述第 一 串 中所包括的存儲(chǔ)單元的第一溝道區(qū)域，和所述第二串中所包括的存儲(chǔ)單元的 第二溝道區(qū)域；在所述第 一 和第二溝道區(qū)域彼此連接的狀態(tài)中，將所述第 一 溝道區(qū)域電 連接至所述第一位線；以及執(zhí)行編程操作，以致所述將要被編程的存儲(chǔ)單元的闞值電壓上升。
35. 如權(quán)利要求34所述的編程方法，其中根據(jù)施加于所述字線的每一個(gè)的通過(guò)電壓彼此連接所述第一溝道區(qū)域，以及根據(jù)施加于所述字線的每一個(gè)的所述通過(guò)電壓彼此連接所述第二溝道區(qū)域。
36. 如權(quán)利要求35所述的編程方法，其中當(dāng)由所述通過(guò)電壓，在所述第 一和第二溝道區(qū)域的每一個(gè)中產(chǎn)生溝道升壓現(xiàn)象時(shí)，所述第一和第二溝道區(qū) 域的電壓上升。
37. 如權(quán)利要求34所述的編程方法，其中當(dāng)根據(jù)施加于所述漏極選擇線 的漏極選擇電壓導(dǎo)通所述第一串的漏極選擇晶體管時(shí)，將所述第一溝道區(qū)域 連接至所述第一位線。
38. 如權(quán)利要求34所述的編程方法，其中所述漏極選擇電壓具有與所述 編程禁止電壓大致相同的值。
39. 如權(quán)利要求34所述的編程方法，其中在所述第一和第二溝道區(qū)域彼 此連接之前，施加所述編程禁止電壓。
40. 如權(quán)利要求34所述的編程方法，其中在所述第一和第二溝道區(qū)域彼 此連接之后，施加所述編程禁止電壓。
41. 如權(quán)利要求34所述的編程方法，其中與施加所述編程禁止電壓大致同時(shí)彼此連接所述第一和第二溝道區(qū)域。
42. 如權(quán)利要求34所述的編程方法，其中在所述第一和第二溝道區(qū)域彼 此連接，并且已施加所述編程禁止電壓之后，將所述第一溝道區(qū)域電連接至 所述第一位線。
43. 如權(quán)利要求34所述的編程方法，其中在所述編程禁止電壓的施加中， 將用于截止源極選擇晶體管的源極選擇電壓施加于所述源極選擇線，并將正 電壓施加于公共源極線。
44. 如權(quán)利要求34所述的編程方法，其中在所述源極選擇線與所述漏極 選擇線之間的半導(dǎo)體襯底中布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
45. 如權(quán)利要求34所述的編程方法，其中在所述字線下的半導(dǎo)體襯底中 布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
46. —種閃存裝置的編程方法，所述編程方法包括 提供包括漏極選擇線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串連接在位線與公共源極線之間；將地電壓施加于所述位線，并將第一電壓施加于所述漏極選擇線；將第二電壓施加于所述字線，以致導(dǎo)通存儲(chǔ)單元； 在將編程禁止電壓施加于所述位線的同時(shí)，將高于所述第二電壓的通過(guò)電壓施加于所述字線；以及通過(guò)將高于所述通過(guò)電壓的編程電壓施加于所述字線中所選的一條，而 執(zhí)行編程操作。
47. 如權(quán)利要求46所述的編程方法，其中不論編程狀態(tài)或擦除狀態(tài)，根 據(jù)所述第二電壓導(dǎo)通所述存儲(chǔ)單元。
48. 如權(quán)利要求46所迷的編程方法，其中在所述編程操作的執(zhí)行期間， 施加于所述選擇的字線的所述通過(guò)電壓的值上升至所述編程電壓的值。
49. 如權(quán)利要求46所述的編程方法，其中根據(jù)所述第二電壓，所述串內(nèi) 的溝道區(qū)域彼此電連接。
50. 如權(quán)利要求49所述的編程方法，其中在所述源極選擇線與所述漏極 選擇線之間的半導(dǎo)體襯底中布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
51. 如權(quán)利要求50所述的編程方法，其中在所述字線下的半導(dǎo)體襯底中 布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
52. 如權(quán)利要求46所述的編程方法，其中在將所述第一電壓施加于所述漏極選4奪線期間，將源極選沖奪電壓施加于所述源極選擇線，以致截止源極選 擇晶體管，并將正電壓施加于公共源極線。
53. —種閃存裝置的編程方法，所述編程方法包括提供包括漏極選擇線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串分別連接在位線與公共源極線之間；將地電壓施加于所述位線，并將第一電壓施加于所述漏極選"#線； 將第二電壓施加于所述字線，以致導(dǎo)通存儲(chǔ)單元；將高于所述第二電壓的通過(guò)電壓施加于所述字線，將地電壓施加于連接 至包括將要被編程的存儲(chǔ)單元的第 一 串的第 一位線，并將編程禁止電壓施加 于連接至包括編程禁止單元的第二串的第二位線；以及通過(guò)將高于所述通過(guò)電壓的編程電壓施加于所述字線中所選的一條，而 執(zhí)行編程操作。
54. 如權(quán)利要求53所述的編程方法，其中不論編程狀態(tài)或擦除狀態(tài)，根 據(jù)所述第二電壓導(dǎo)通所述存儲(chǔ)單元。
55. 如權(quán)利要求53所述的編程方法，其中在所述編程操作的執(zhí)行中，施 加于所述選擇的字線的所述通過(guò)電壓的值上升至所述編程電壓的值。
56. 如權(quán)利要求53所述的編程方法，其中根據(jù)施加于所述漏極選擇線的 所述第 一電壓導(dǎo)通所述第 一 串中所包括的漏極選擇晶體管，以致所述第 一 串 內(nèi)的溝道區(qū)域電連接至所述第一位線。
57. 如權(quán)利要求53所述的編程方法，其中根據(jù)所述第二電壓，所述串內(nèi) 的溝道區(qū)i戔-波此電連4妄。
58. 如權(quán)利要求57所述的編程方法，其中在所述源極選擇線與所述漏極 選擇線之間的半導(dǎo)體襯底中布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
59. 如權(quán)利要求58所述的編程方法，其中在所述字線下的半導(dǎo)體襯底中 布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
60. 如權(quán)利要求53所述的編程方法，其中在將所述第一電壓施加于所述 漏極選擇線期間，將源極選纟奪電壓施加于所述源極選4奪線，以致截止源極選 擇晶體管，并將正電壓施加于公共源極線。
61. —種閃存裝置的編程方法，所述編程方法包括 提供包括漏極選擇線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串連接在位線與公共源極線之間；將地電壓施加于所述位線，并將第一電壓施加于所迷漏極選擇線；電連接所述串內(nèi)的溝道區(qū)域；在所述溝道區(qū)域中產(chǎn)生溝道升壓現(xiàn)象，從而提升所述溝道區(qū)域的電勢(shì)；以及通過(guò)將編程電壓施加于所述字線中所選的一條，而執(zhí)行編程操作。
62. 如權(quán)利要求61所述的編程方法，其中當(dāng)根據(jù)施加于所述字線的第二 電壓導(dǎo)通共享所述字線的存儲(chǔ)單元時(shí)，所述溝道區(qū)域彼此連接。
63. 如權(quán)利要求61所述的編程方法，其中當(dāng)根據(jù)施加于所述位線的編程 禁止電壓截止共享所述漏極選擇線的漏極選擇晶體管，且所述溝道區(qū)域進(jìn)入 浮動(dòng)狀態(tài)時(shí)，所述溝道區(qū)域的電勢(shì)與施加于所述字線的電壓上升的值成比例 地上升。
64. 如權(quán)利要求61所述的編程方法，其中在將所述第一電壓施加于所述 漏極選擇線期間，將源極選擇電壓施加于所述源極選擇線，以致截止源極選 擇晶體管，并將正電壓施加于公共源極線。
65. 如權(quán)利要求61所述的編程方法，其中在所述源極選擇線與所述漏極 選擇線之間的半導(dǎo)體襯底中布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
66. 如權(quán)利要求61所述的編程方法，其中在所述字線下的半導(dǎo)體襯底中 布置所述串內(nèi)的所迷溝道區(qū)域。
67. —種閃存裝置的編程方法，所述編程方法包括 提供包括漏極選擇線、源極選擇線、和字線的存儲(chǔ)裝置，并將串連接在位線與公共源才及線之間；將地電壓施加于所述位線，并將第一電壓施加于所述漏極選擇線；連接包括將要被編程的存^f諸單元的所述串的第 一 串的第 一 溝道區(qū)域，和包括編程禁止單元的所述串的第二串的第二溝道區(qū)域；將地電壓施加于所述第一串的所述第一溝道區(qū)域，并在所述第二串的所迷第二溝道區(qū)域中產(chǎn)生溝道升壓現(xiàn)象，從而提升所述第二溝道區(qū)域的電勢(shì)；以及通過(guò)將編程電壓施加于所述字線中所選的一條，而執(zhí)行編程操作。
68. 如權(quán)利要求67所述的編程方法，其中根據(jù)施加于所述字線的第二電 壓導(dǎo)通共享所述字線的存儲(chǔ)單元，以致所述第一溝道區(qū)域和所述第二溝道區(qū) 域彼此連接。
69. 如權(quán)利要求68所述的編程方法，其中在導(dǎo)通共享所述漏極選#^線的 所述第一串的漏極選擇晶體管的同時(shí)，所述第一溝道區(qū)域電連接至所述第一 位線，以致將所述地電壓施加于所述第 一溝道區(qū)域。
70. 如權(quán)利要求67所述的編程方法，其中當(dāng)根據(jù)施加于所述第二位線的 編程禁止電壓截止共享所述漏極選擇線的所述第二串的漏極選擇晶體管，且 所述溝道區(qū)域變?yōu)楦?dòng)狀態(tài)時(shí)，所述溝道區(qū)域的電壓與施加于所述字線的電 壓上升的值成比例地上升。
71. 如權(quán)利要求67所述的編程方法，其中在將所述第一電壓施加于所述 漏極選4奪線期間，將源極選擇電壓施加于所述源極選4奪線，以致截止源極選 擇晶體管，并將正電壓施加于公共源極線。
72.如權(quán)利要求67所述的編程方法，其中在所述源極選擇線與所述漏極 選擇線之間的半導(dǎo)體襯底中布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
73.如權(quán)利要求67所述的編程方法，其中在所述字線下的半導(dǎo)體襯底中 布置所述串內(nèi)的所述溝道區(qū)域。
全文摘要
在導(dǎo)通串內(nèi)的存儲(chǔ)單元，以電連接溝道區(qū)域的閃存裝置的編程方法中，通過(guò)將地電壓施加于連接至包括將要被編程的單元的第一串的第一位線，均勻地為第二串內(nèi)的所有的溝道區(qū)域預(yù)先充電，并將編程禁止電壓施加于連接至包括編程禁止單元的第二串的第二位線。如果執(zhí)行編程操作，則在包括編程禁止單元的第二串內(nèi)的溝道區(qū)域中出現(xiàn)溝道升壓。相應(yīng)地，能夠增加溝道升壓電壓，并且能夠防止在其中編程禁止單元的閾值電壓改變的編程擾動(dòng)現(xiàn)象。
文檔編號(hào)G11C16/10GK101388250SQ200810074090
公開(kāi)日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2008年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月10日
發(fā)明者李熙烈 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司