專利名稱：擦除非易失性存儲器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非易失性存儲器件的操作，并且更具體地，涉及一種 擦除非易失性存儲器件的方法，其能同時對偶數(shù)位線和奇數(shù)位線執(zhí)行擦除 校驗操作。
背景技術(shù)：
類型為非易失性存儲器件的閃速存儲器件，通常包括多個串，每個串 中多個存儲單元相串聯(lián)。閃速存儲器件已經(jīng)被廣泛地用于各種半導體設(shè)備 中，比如可移動電子i殳備，包括筆記本電腦、個人數(shù)字助理(PDA)和移 動電話、計算機bios、打印機以及通用串行總線(USB)存儲器。
典型閃速存儲器件的存儲單元陣列具有其中存儲單元在位線BL和單 元源線CSL之間串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。在NAND閃速存儲器件中，兩個包括 漏極選擇線DSL和源極選擇線SSL的晶體管連接起來以將存儲單元電連 接至位線BL和單元源線CSL。
在以上NAND閃速存儲器件的存儲單元中，數(shù)據(jù)編程操作和擦除操 作借助于根據(jù)施加至控制柵或襯底(或塊，PWELL)的電壓通過浮動柵 之間的隧道氧化物層所產(chǎn)生的Fowler-Nordheim (F-N)隨道效應(yīng)來執(zhí)行。
非易失性存儲器件包括數(shù)個分別由多個存儲單元構(gòu)成的存儲區(qū)塊，并 且按每個存儲區(qū)塊偏壓的方式執(zhí)行擦除^Mt。在存儲區(qū)塊被擦除之后，存 儲區(qū)塊受到硬擦除校驗操作以及之后是軟編程和校驗操作，以使得存儲單 元具有幾乎0伏(低于0伏)的閾值電壓。
更詳細地，在通過將高電壓施加至存儲區(qū)塊的襯底來執(zhí)行擦除操作之后，選擇偶數(shù)位線并對存儲區(qū)塊執(zhí)行擦除校驗操作，并且選擇奇數(shù)位線并 對存儲區(qū)塊執(zhí)行擦除校驗操作。對偶數(shù)位線和奇數(shù)位線執(zhí)行的擦除校驗操 作的不同之處僅在于位線的選擇，但是以相同的方式執(zhí)行。
擦除校驗操作除了存儲單元的閾值電壓確定為0伏或更小之外類似
于編程校驗操作。擦除校驗操作通過順序地預充電位線、執(zhí)行評測、根據(jù) 位線電壓鎖存數(shù)據(jù)以及對位線電壓放電來執(zhí)行?；阪i存數(shù)據(jù)來確定擦除 校驗通過或失敗。
如果擦除校驗操作以此方式執(zhí)行，則必須對偶數(shù)和奇數(shù)位線分開地執(zhí) 行校驗。因此，考慮到總體擦除操作，實際擦除時間很短，但是校驗時間 相對較長。這在包括多級單元的非易失性存儲器件中變?yōu)楦用黠@的問
題。也就是，擦除校驗操作不僅需^L行軟編程和軟編程校驗操作的過程， 而且還需要硬擦除校驗。因此，如果軟編程操作沒有很好地執(zhí)行，則執(zhí)行 軟編程校驗操作所需的時間就會延長。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對一種非易失性存儲器件的擦除方法，其能在對非易失性存
根據(jù)按照本發(fā)明一個方面的擦除非易失性存儲器件的方法，對選擇的 存儲區(qū)塊執(zhí)行擦除操作。預充電存儲區(qū)塊的位線，并且才艮據(jù)存儲單元的擦 除狀態(tài)校驗位線的電壓電平的變化。才艮據(jù)位線中的第一位線的電壓電平來 對第一位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作。根據(jù)位線中的第二位線的電壓電平來對第 二位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作。對第二位線執(zhí)行的數(shù)據(jù)讀取操作是在對第一位
線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作之后進行的。然后才艮據(jù)數(shù)據(jù)讀取^Mt的結(jié)果確定擦除
校驗操作的結(jié)果。
在擦除校驗結(jié)果通過時，還執(zhí)行軟編程和校驗操作。 用于擦除操作的預充電位線的電壓電平高于用于編程校驗或數(shù)據(jù)讀
取操作的預充電位線的電壓電平。
如果擦除校驗操作沒有通過，通過增大擦除電壓對存儲區(qū)塊執(zhí)行擦除
操作，并且再次執(zhí)行擦除校a^Mt。根據(jù)按照本發(fā)明 一個方面的擦除非易失性存儲器件的方法，對存儲區(qū) 塊執(zhí)行擦除操作。預充電第一位線和第二位線。根據(jù)存儲單元的擦除狀態(tài) 改變第一和第二位線的電壓。棉^據(jù)第一位線的電壓電平來鎖存lt據(jù)。才艮據(jù)
第二位線的電壓電平來鎖存數(shù)據(jù)。基于鎖存結(jié)果確定擦除^Mt的校驗。 第二位線的數(shù)據(jù)鎖存是在第一位線的數(shù)據(jù)鎖存之后進行的。 如果擦除操作沒有通過，通過將擦除電壓增大階躍電壓來擦除存儲區(qū)塊。
如果擦除操作通過，執(zhí)行軟編考呈和;^l^^作。 執(zhí)行根據(jù)軟編程操作的軟擦除校驗操作。
軟擦除校驗操作包括預充電第一位線和第二位線，根據(jù)存儲單元的 擦除狀態(tài)改變第一和第二位線的電壓，根據(jù)第一位線的電壓電平來鎖存數(shù) 據(jù)，根據(jù)第二位線的電壓電平來鎖存數(shù)據(jù)，和基于鎖存結(jié)果確定軟擦除操 作是否通過。
軟擦除校驗^作的電壓高于擦除校ar操作的電壓，并且軟擦除^^驗操 作的電壓低于0伏。


圖1A是用于描述本發(fā)明實施例的閃速存儲器件的框圖； 圖1B是示出頁面緩沖電路的一部分的電路圖； 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的非易失性存儲器件的擦除方法的操 作的流程圖；和
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的擦除校驗方法的操作的流程圖。
具體實施例方式
根據(jù)本發(fā)明的具體實施例將參照附圖來描述。然而，本發(fā)明并不限于 所公開的實施例，而是能以各種方式實施。實施例是提供來使本發(fā)明的公 開完整以及允許本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能明白本發(fā)明的范圍。本發(fā)明由權(quán)利 要求書的范疇限定。
圖1A是用于描述本發(fā)明實施例的閃速存儲器件的框圖。參照圖1，閃速存儲器件100，即非易失性存儲器件，包括存儲單元 陣列IIO、頁面緩沖單元120、 Y解碼器130、 X解碼器140、電壓供應(yīng)單 元150以;5L控制器160。
存儲單元陣列110包括多個存儲區(qū)塊，每個存儲區(qū)塊中有多個存儲單 元通過位線和字線相連接。頁面緩沖單元120包括頁面緩沖電路。每個頁 面緩沖電路連接至一對位線，并臨時存儲要編程的數(shù)據(jù)并將存儲的數(shù)據(jù)提 供至位線，或讀M儲在位線中的數(shù)據(jù)。
Y解碼器130根據(jù)輸入地址接收控制器160的控制信號并提供頁面緩 沖電路的數(shù)據(jù)輸V輸出5M^。 X解碼器140根據(jù)輸入地址選擇存儲單元 陣列110的字線。
電壓供應(yīng)單元150在控制器160的控制之下產(chǎn)生IMt電壓，比如編程 電壓、通過電壓以及擦除電壓。控制器160控制閃速存儲器件100的整個操作。
頁面緩沖電路在下面更詳細地描述。
圖1B是示出頁面緩沖電路的一部分的電路圖。
參照圖1B,頁面緩沖電路121包括位線選擇單元122、預充電單元 123、鎖存單元124和校驗單元125。
位線選擇單元122將預充電電壓輸入至偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線 BLo或從其中放電并響應(yīng)于控制信號將選擇的位線連接至感測節(jié)點SO。
預充電單元123對感測節(jié)點SO預充電。鎖存單元124鎖存要編程的 數(shù)據(jù)、將鎖存的數(shù)據(jù)傳送至感測節(jié)點SO或感測感測節(jié)點SO的電壓電平， 并存儲感測結(jié)果。校驗單元125根據(jù)鎖存單元124的數(shù)據(jù)狀態(tài)輸出編程或 擦除校驗信號。
位線選擇單元122包括第一至第四NMOS晶體管Nl至N4。預充電 單元123包括第一PMOS晶體管Pl。鎖存單元124包括第五至第八NMOS 晶體管N5至N8以及第一和第二反相器IN1、 IN2。校驗單元125包括第 二 PMOS晶體管P2。
第一和第二 NMOS晶體管Nl、 N2在第一節(jié)點K和第二節(jié)點K2之 間串聯(lián)連接。虛擬電源VIRPWR輸入至第三節(jié)點K3，即第一和第二NMOS晶體管Nl、 N2的連接點。虛擬電源VIRPWR可被施加用于預充 電位線的供電電壓Vcc或者可被施加用于使位線放電的0伏電壓。
偶數(shù)位線放電控制信號DISCHE和奇數(shù)位線放電控制信號DISCHO 分別施加至第一和第二 NMOS晶體管Nl、 N2的柵極。
第三NMOS晶體管N3連接在第一節(jié)點Kl和感測節(jié)點SO之間。偶 數(shù)位線選擇控制信號BSLE施加至第三NMOS晶體管N3的柵極。
第四NMOS晶體管N4連接在第二節(jié)點K2和感測節(jié)點SO之間。奇 數(shù)位線選擇控制信號BSLO施加至第四NMOS晶體管N4的柵極。
預充電單元123的第一PMOS晶體管Pl連接在供電電壓輸入端子和 感測節(jié)點SO之間。預充電控制信號PRECHN輸入至第一 PMOS晶體管 Pl的柵極。
鎖存單元124的第五NMOS晶體管N5連接在感測節(jié)點SO和節(jié)點 QN之間。數(shù)據(jù)傳輸控制信號TRAN輸入至第五NMOS晶體管N5的柵 極。
第一和第二反相器IN1、 IN2連接至節(jié)點Q和節(jié)點QN之間的鎖存器 L。第六NMOS晶體管N6連接在節(jié)點Q和第四節(jié)點K4之間。設(shè)定信號 QSET施加至第六NMOS晶體管N6的柵極。第七NMOS晶體管N7連 接在節(jié)點QN和第四節(jié)點K4之間。復位信號QRST輸入至第七NMOS 晶體管N7的柵極。
第八NMOS晶體管N8連接在第四節(jié)點K4和接地節(jié)點之間。第八 NMOS晶體管N8的槺極連接至感測節(jié)點SO。
校驗單元125的第二 PMOS晶體管P2的柵極連接至節(jié)點QN。第二 PMOS晶體管P2輸出作為校驗信號VER_N的供電電壓或者才艮據(jù)節(jié)點QN 的電壓電平消除供電電壓。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，在存儲區(qū)塊的擦除操作中，對耦接至頁面緩沖 電路121的偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo同時執(zhí)行擦除校驗操作。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的非易失性存儲器件的擦除方法的操 作的流程圖。
參照圖2,當在步驟S201至S205輸入用于執(zhí)行擦除指令和擦除操作的地址信息和執(zhí)行指令時，在步驟S207基于輸入的地址信息對存儲區(qū)塊 執(zhí)行擦除操作。
在擦除操作中，以與非易失性存儲器件上的擦除方法相同的方式，施 加高電壓至襯底以使得存儲單元的閾值電壓為0伏或更小。當存儲單元是 能存儲1位或多位數(shù)據(jù)的多級單元時，存儲單元被編程為具有屬于最高閾 值電壓分布的閾值電壓，并且施加高電壓至襯底以擦除存儲單元。
在步驟S207執(zhí)行擦除操作之后，在步驟209中對存儲單元執(zhí)行硬擦 除校驗操作。執(zhí)行硬擦除校驗操作來確定存儲單元是否已經(jīng)被擦除(即處 于OV或更^f氐的電壓電平)。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，對偶數(shù)位線和奇數(shù)位線同時執(zhí)行硬擦除校驗操 作。這將參照圖3更詳細地描述。
接著在步驟S211確定硬擦除校驗操作是否通過。如果作為在步驟 S211中確定的結(jié)果，硬擦除校驗IMt通過，則在步驟S215中執(zhí)行軟編程
接近OV。接著在步驟S217確定軟編程校驗操作是否通過。如果作為在步 驟S217中確定的結(jié)果，軟編程校驗操作通過，則完成擦除操作。
然而，如果作為在步驟S211中確定的結(jié)果，硬擦除校驗操作失敗， 則在步驟S213將擦除電壓增大階躍電壓并且使處理返回至步驟S207，在 該步驟再次對存儲區(qū)塊執(zhí)行擦除操作。根據(jù)增量階躍脈沖擦除(ISPE )方 法從擦除開始電壓將擦除電壓增大預定的階躍電壓的同時施加該擦除電 壓。
甚至在步驟S215中在軟編程上執(zhí)行軟校驗時，同時校驗偶數(shù)位線和 奇數(shù)位線。
在步驟S209中的在擦除操作中執(zhí)行的硬校驗、在步驟S215中執(zhí)行的 軟編程校驗等根據(jù)下面的方法在偶數(shù)位線和奇數(shù)位線上同時執(zhí)行。 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的擦除校驗方法的操作的流程圖。 現(xiàn)在參照圖1B來詳細描ii^執(zhí)行圖3的操作時頁面緩沖電路121操 作的過程。
參照圖3，假設(shè)首先執(zhí)行硬擦除校驗操作。在步驟301中將偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo同時預充電。為了同時預充電偶數(shù)位線BLe和奇數(shù) 位線BLo，偶數(shù)位線放電控制信號DISCHE和奇數(shù)位線放電控制信號 DISCHO被充電至高電平，從而導通頁面緩沖電路121的第一和第二 NMOS晶體管Nl、 N2。虛擬電壓VIRPWR具有用于預充電位線的電壓 電平。
因而，偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo同時被預充電。虛擬電壓 VIRPWR的電壓電平可優(yōu)選地高于用于數(shù)據(jù)讀取或編程校驗所施加的電 壓電平。這是因為，當同時對偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo執(zhí)行位線電 壓校驗時，由于干擾可能會有偏壓降低。
在偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo被預充電時，第一和第二 NMOS晶 體管N1、 N2截止。
在步驟S301中的偶勿奇數(shù)位線的預充電步驟之后，在步驟S303中 如上所述對偶lt/奇數(shù)位線同時執(zhí)行校驗操作。
在硬擦除校驗操作中，存儲單元的字線施加有O伏的電壓。然而，在 軟編程校驗操作的情況下，設(shè)置適合于軟編程校驗操作的軟編程校驗電壓 并將該電壓施加至字線。
如果存儲單元已經(jīng)正常地被編程至0伏或更小，施加至偶數(shù)位線和奇 數(shù)位線的電壓就被放電。偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo變?yōu)榻咏?伏的 低電平電壓狀態(tài)。如果任何位線具有還沒有被擦除(即處于0伏或更低的 電壓電平)的存儲單元，維持預充電電壓電平。
在位線校驗之后，利用位線電壓由頁面緩沖電路121讀取數(shù)據(jù)。當在 步驟S305中讀取偶數(shù)位線的數(shù)據(jù)之后，在步驟S307中讀取奇數(shù)位線的數(shù) 據(jù)。
下面將詳細描述步驟S305和S307。在頁面緩沖電路121的鎖存器L 中，節(jié)點QN根據(jù)復位操作被設(shè)置為高電平。在讀取數(shù)據(jù)之前，預充電控 制信號PRECHN作為低電平被施加以導通第一 PMOS晶體管Pl。
在第一PMOS晶體管Pl導通之后，預充電感測節(jié)點SO。當以高電 平施加偶數(shù)位線選擇控制信號BSLE時，第三NMOS晶體管N3導通。 當?shù)谌齆MOS晶體管N3導通時，偶數(shù)位線BLe與感測節(jié)點SO連接。如果連接至偶數(shù)位線BLe的存儲單元已經(jīng)被擦除，則在步驟S303中 偶數(shù)位線BLe就已經(jīng)枕坎電至低電平。因此，感測節(jié)點SO也變化至低電 平。
因而，第八NMOS晶體管N8截止。施加高電平的復位信號QRST， 從而導通第七NMOS晶體管N7。節(jié)點QN最初梯^據(jù)復位操作設(shè)置至高電 平。然而，如果第八NMOS晶體管N8截止，則即使第七NMOS晶體管 N7導通，節(jié)點QN維持高電平而不會變化。
當節(jié)點QN處于高電平時，第二PMOS晶體管P2仍然截止。因而， 不會輸出校驗信號VER一N。在執(zhí)行擦除校驗操作時，如果輸出了一個校 驗信號VER一N，則確定擦除^Mt已經(jīng)失敗。
在讀取了偶數(shù)位線BLe的數(shù)據(jù)之后，在步驟S307中讀取奇數(shù)位線的 數(shù)據(jù)。在讀取偶數(shù)位線BLe的數(shù)據(jù)時導通的第三NMOS晶體管N3被截 止，然后預充電感測節(jié)點SO。
以高電平施加奇數(shù)位線選擇控制信號BSLO以導通第四NMOS晶體 管N4。奇數(shù)位線BLo和具有在步驟S303中已經(jīng)校驗的電壓電平的感測 節(jié)點SO連接起來。
如果連接至奇數(shù)位線BLo的一個存儲單元還沒有被完全編程，奇數(shù) 位線BLo甚至在執(zhí)行步驟S303的校驗之后也維持預充電電壓。
因此，盡管感測節(jié)點SO和奇數(shù)位線BLo連接，但是維持了預充電的 高電平狀態(tài)。在感測節(jié)點SO處于高電平時，第八NMOS晶體管N8導通。 節(jié)點QN根據(jù)偶數(shù)位線BLe的翁:據(jù)讀取結(jié)果而維持高電平。
以高電平施加復位信號QRST時，第七NMOS晶體管N7導通。在 第七NMOS晶體管N7導通時，連接至第八NMOS晶體管N8的接地節(jié) 點和節(jié)點QN連接起來，以使得節(jié)點QN移至低電平。
在節(jié)點QN處于低電平時，第二 PMOS晶體管P2導通并且校驗信號 VEI^N以高電平輸出。因此，控制器160確定有存儲單元還沒有被完全 擦除。如果有存儲單元還沒有被完全擦除，在步驟S309中擦除校驗操作 不會通過并且然后再次在步驟S311中執(zhí)行擦除操作。利用增大階躍電壓 的擦除電壓來再次執(zhí)行擦除操作。這個操作具有與偶數(shù)位線BLe沒有通過而奇數(shù)位線BLo通過時相同 的結(jié)果。當偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo同時通過時，第二 PMOS晶體 管P2保持截止。
因此，盡管執(zhí)行校驗以使得偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo同時被預 充電和校驗，并且偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo的數(shù)據(jù)被順序地讀取， 但是能獲得準確的校驗結(jié)果。進一步，通過同時預充電和校驗偶數(shù)位線 BLe和奇數(shù)位線BLo，與現(xiàn)有方法相比能縮短核^驗時間。
如果在步驟S309中校驗通過，由偶數(shù)位線和奇數(shù)位線預充電的電壓 就枕故電。在放電操作中，偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo通過以下方式 變?yōu)?伏通過施加0伏的虛擬電壓VIRPWR、高電平的偶數(shù)位線放電 控制信號DISCHE和高電平的奇數(shù)位線放電控制信號DISCHO來導通第 一和第二NMOS晶體管Nl、 N2。
校驗操作的示例進行了描述。要注意到，這個操作也適用于以相同的方式 在軟編程上進行的軟擦除校驗操作。
如上所述，按照根據(jù)本發(fā)明的擦除非易失性存儲器件的方法，在執(zhí)行 擦除校驗操作時，同時選擇偶數(shù)位線和奇數(shù)位線并進行擦除校驗操作。因 此，能減少校驗時間并縮短總體擦除時間。
已經(jīng)提出了這里所公開的實施例以允許本領(lǐng)域技術(shù)人員易于實施本 發(fā)明，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過這些實施例的組合來實施本發(fā)明。因此， 本發(fā)明的范圍不限于上述實施例，并且應(yīng)當解釋為僅由所附權(quán)利要求及其 等同概念所限定。
權(quán)利要求
1.一種擦除非易失性存儲器件的方法，該方法包括對選擇的存儲區(qū)塊執(zhí)行擦除操作；預充電所述存儲區(qū)塊的位線；根據(jù)所述存儲區(qū)塊的存儲單元的擦除狀態(tài)來校驗所述位線的電壓電平的變化；根據(jù)所述位線中的第一位線的電壓電平來對所述第一位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作；根據(jù)所述位線中的第二位線的電壓電平來對所述第二位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作，其中對所述第二位線執(zhí)行的所述數(shù)據(jù)讀取操作是在對所述第一位線執(zhí)行所述數(shù)據(jù)讀取操作之后進行的；和根據(jù)所述第一和第二位線的數(shù)據(jù)讀取操作的結(jié)果確定擦除校驗結(jié)果。
2. 才H^;(5U'溪求1的方法，還包括，^j^斤雄除耕結(jié)絲過時，^ff軟編禾沐校驗棘
3. 才N^U0^求l的方法，其中預充電所述位線的電壓電平高于用于編程 ^il^^ltll^W怍的電壓電平。
4. #^1權(quán)矛溪求1的方法，其中，在所ii^^麟彩殳有通過的情況下，通過增大 電壓^所述，區(qū)塊^#除#^，并且^ft^^驗^ft。
5. —種擦除非易失'I4^^ff的方法，該方法包括 對絲區(qū)塊^^辦； 預充電第一位線和第^^i線；才IL^ H^單元的^l^狀態(tài)^所^""^笫1線的電壓； 才娥所^一M的電壓電平來鎖^ ^t據(jù)； 才娥所^^^的電壓電平來鎖^t據(jù)；和基于所錄一雄和所絲^^的鎖存結(jié)果確"斤雄除鰣是否通ito
6. 才iL^M'J^求5的方法，其中所絲>=^的數(shù)*1^貞存是在所^一位 線的數(shù)4^T貞存^進^^。
7. 才Nt^'讀求5的方法，其中，在所ii^^Mt沒有通過的情況下，通 過^^除電壓增大階躍電壓來蹄所述絲區(qū)塊。
8. #^擬怯求5的方法，其中，在所i^^雜通過的情況下，#^軟 編禾沐校驗辦。
9. 才m^M'溪求8的方法，其中才緣所^y^呈辦來^t^^R驗操作。
10. 才^^M'溪求9的方法，其中所i^^^驗耕包括 預充電所i^一M和所^^^; ##所述^#單元的^^狀態(tài)^^所^^ 第《^線的電壓； #^所^一^的電壓電平;^鎖^ N^據(jù)； ##所^^^的電壓電平來鎖> ^^據(jù)；和 基于所述鎖存的結(jié)果確定 除#^是否通達
11. #^;^'溪求10的方法，其中所i^^l^^驗耕的電壓高于所錄1 _驗#^的電壓，其中所^^^a^ft的電壓低于o伏。
12. —種擦除非易失'j!i^器件的方法，該方法包括 對選糾絲區(qū)塊^^靴預充電所述存賭區(qū)塊的第"Hi^和第^n^，其中所錄-H^和所述第二 位線同0 _預充電；位線的電壓電平的變化，其中所"一位線和所"二位線"電壓電平的變化 同晰皮微才娥所^一位線的電壓電平^^所^一^^Wt數(shù)ll^^;#^所^>^線的電壓電平*^所^^=^^^數(shù)#^*怍；和 對所^一>^和所^1線^^^^驗#^,其中所i^m^驗^t是對所絲一位線和所i^^i^同時^f亍的；和才^l所^一和第4線的數(shù)，WMt的結(jié)果確^^斤述擦^^驗操怍的結(jié)果。
13. 才Mt權(quán)矛Jr^求12的方法，還^，在所ii^l^l^耕的結(jié)絲過的 情況下，脅絲禾l^fe驗耕。
14. 才N^5^'漆求13的方法，其中才娥所i^^程^t來Wt軟^^驗 耕。
15. 才^&權(quán)矛J^求14的方法，其中所述，^^驗^ft包拾 預充電所^一^^和所^^r^; #^所述《##單元的^1^狀態(tài) _所^"-^第^^的電壓； 才Mt所^一位線的電壓電平Wt所^一M的數(shù)^^; 才NH所^^線的電壓電平^Wt所i^^^線的數(shù)4i^;和才Nt所^一和第^i線的數(shù)^W怍的結(jié)果確定Wl^操怍的結(jié)果。
16. 才N^U'溪求12的方法，其中預充電所錄4第^^^的電壓電平高于用于所^考^^^|^^*怍的電壓電平。
17. 推據(jù);M，漆求12的方法，其中，在所錄l^^緣怍的結(jié)果狄的情 況下，通過增大擦除電壓iM"所ii^區(qū)塊^t所述擦除^ft，并且再M所 錄""^第J^i^同時齡所^l^驗辦。
18. ^^;^'虔求12的方法，其中對所錢^^Wf^所述數(shù)I^W 作是對所錄一雔敝所述數(shù)#^*^"進魏
19. 才N^M'JJI"求12的方法，其中所錄"H^]"應(yīng)于^lt鏈而所錢 ^^f應(yīng)于奇數(shù)^，所述^b^和奇數(shù)^與相同的^^目關(guān)氣
20. 才M^U，澳求12的方法，其中如^^斤絲""^第^i^中的至少一個 沒有被 ，則所^ ^^"#^的結(jié)果3^
21. 才N^權(quán)矛J^求12的方法，其中對所^一M^W亍所述數(shù)^^t包括:#^所^一位線的電壓電平 來鎖械據(jù)；和來鎖械據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種擦除非易失性存儲器件的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，對選擇的存儲區(qū)塊執(zhí)行擦除操作。預充電存儲區(qū)塊的位線，并且根據(jù)存儲單元的擦除狀態(tài)校驗位線的電壓電平的變化。根據(jù)第一位線的電壓電平來對第一位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作。根據(jù)第二位線的電壓電平來對第二位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作。對第二位線執(zhí)行的數(shù)據(jù)讀取操作是在對第一位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作之后進行的。然后根據(jù)數(shù)據(jù)讀取操作的結(jié)果確定擦除校驗結(jié)果。
文檔編號G11C16/14GK101587751SQ20081014407
公開日2009年11月25日 申請日期2008年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月20日
發(fā)明者樸榮洙 申請人:海力士半導體有限公司