專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和使用其的數(shù)據(jù)管理方法
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和使用其的數(shù)據(jù)管理方法技術(shù)領(lǐng)域制器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和使用半導(dǎo)體;儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)管^方法。 \ 背景技術(shù)作為電可重寫的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(EEPR0M)之一，人們知道NAND 型閃速存儲(chǔ)器。NAND型閃速存儲(chǔ)器單位單元面積比NOR型小，大容量化是 容易的。此外，以單元為單位進(jìn)行的讀取/寫入速度，雖然與NOR型相比較 慢，但是，采用加大在單元陣列和頁(yè)緩沖器之間同時(shí)進(jìn)行讀取/寫入的單元 范圍(物理上的頁(yè)長(zhǎng))的辦法，高速的讀取/寫入實(shí)質(zhì)上是可實(shí)現(xiàn)的。靈活利用這樣的特征，就可以把NAND型閃速存儲(chǔ)器用作以文件存儲(chǔ) 器、存儲(chǔ)卡為代表的各種記錄媒介物。在存儲(chǔ)卡等中，采用把非易失性存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)控制器封裝起來(lái)、借助 于從主機(jī)供給的指令和邏輯地址，就可以進(jìn)行對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的讀取/ 寫入的控制。例如，人們提出了采用從主機(jī)提供邏輯地址和區(qū)段數(shù)的辦法， 進(jìn)行多個(gè)扇區(qū)的數(shù)據(jù)的讀取的方案(參看特開2006-155335號(hào)公報(bào))。另一方面，在NAND型閃速存儲(chǔ)器中，可以以128KB、 256KB這樣的存 儲(chǔ)塊為單位進(jìn)行數(shù)據(jù)的擦除。為此，在發(fā)生了對(duì)已經(jīng)寫入完畢的存儲(chǔ)單元 進(jìn)行的重寫指令的情況下，或者，在要擦除存儲(chǔ)塊的一部分的數(shù)據(jù)的情況 下，就必須先暫時(shí)把含有該存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)塊的別的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)復(fù)制 到另外的存儲(chǔ)塊內(nèi)之后，再擦除存儲(chǔ)塊整體進(jìn)行再寫入或追加寫入等。為此，以往，在初始化時(shí)在所有存儲(chǔ)塊之中把除去了任意地已分配給 用戶塊和系統(tǒng)塊的存儲(chǔ)塊后的剩余部分登記為空閑塊(free block)，在 發(fā)生了對(duì)用戶塊的追加寫入、部分擦除的情況下，就從所登記的空閑塊中
調(diào)用新的寫入塊，以進(jìn)行復(fù)制和il^寫入等，使該寫入塊與該用戶塊進(jìn)行 置換，不再需要的用戶塊，就作為空閑塊進(jìn)行再登記。被再登記為空閑塊 的存儲(chǔ)塊， 一攬子地被擦除而變成為用于接下來(lái)的使用的等待狀態(tài)。若采用這樣的寫入控制，雖然在各個(gè)存儲(chǔ)單元都要求同 一可靠性的情況下沒有問(wèn)題，但是，例如就像多值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域和2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域那 樣，具有要求級(jí)別不同的多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域的情況下，在多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域中，就 會(huì)產(chǎn)生使用塊的混雜，存在著NAND單元的可靠性降低的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容在本發(fā)明的一個(gè)方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于具備具有 包括能存儲(chǔ)需要不同的特性的存儲(chǔ)區(qū)域的多種數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元的多個(gè)存儲(chǔ) 塊的存儲(chǔ)部；和具有把上述各個(gè)存儲(chǔ)塊作為擦除單位來(lái)管理上述存儲(chǔ)部、行上述存儲(chǔ):的重寫時(shí)，執(zhí)行對(duì)該存儲(chǔ)塊和預(yù)先所登記的空閑塊進(jìn)行置換 的處理的存儲(chǔ)控制器；上述存儲(chǔ)控制器，以使得向上述存儲(chǔ)部的各個(gè)存儲(chǔ) 塊和空閑塊內(nèi)存儲(chǔ)在重寫后也與重寫前為同一種類的數(shù)據(jù)的方式，對(duì)存儲(chǔ) 在存儲(chǔ)部?jī)?nèi)的數(shù)據(jù)的種類進(jìn)行管理。在本發(fā)明的另一方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于具備具有 包括能以需要不同特性的存儲(chǔ)區(qū)域的多種寫入、讀取方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ) 單元的多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)部；和具有把上述各個(gè)存儲(chǔ)塊作為擦除單位來(lái)管 理上述存儲(chǔ)部、把上述存儲(chǔ)部的邏輯地址變換成特定上述存儲(chǔ)塊的物理地 址的功能，在進(jìn)行上述存儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，執(zhí)行對(duì)該存儲(chǔ)塊和預(yù)先所登記的 空閑塊進(jìn)行置換的處理的存儲(chǔ)控制器，上述存儲(chǔ)控制器，以使得向上述存 儲(chǔ)部的各個(gè)存儲(chǔ)塊和空閑塊以重寫后也與重寫前相同的寫入、讀取方式存 儲(chǔ)的方式，對(duì)存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)部?jī)?nèi)的數(shù)據(jù)的種類進(jìn)行管理。在本發(fā)明的另一方式中，數(shù)據(jù)管理方法中，使用具備具有包括能存 儲(chǔ)需要不同特性的存儲(chǔ)區(qū)域的多種數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元的多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ) 部；和具有把上述各個(gè)存儲(chǔ)塊作為擦除單位來(lái)管理上述存儲(chǔ)部、把上述存 儲(chǔ)部的邏輯地址變換成特定上述存儲(chǔ)塊的物理地址的功能，在進(jìn)行上述存
儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，執(zhí)行對(duì)該存儲(chǔ)塊和預(yù)先所登記的空閑塊進(jìn)行置換的處理的存儲(chǔ)控制器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于在上述存儲(chǔ) 控制器中，以使得向上述存儲(chǔ)部的各個(gè)存儲(chǔ)塊和空閑塊內(nèi)存儲(chǔ)在重寫后也 與重寫前為同一種類的數(shù)據(jù)的方式，對(duì)存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)部?jī)?nèi)的數(shù)據(jù)的種類 進(jìn)行管理。


圖1示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的LBA-NAND存儲(chǔ)系統(tǒng)的構(gòu)成。 圖2示出了同上的LBA-NAND存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元陣列的構(gòu)成。 圖3示出了同上的LBA-NAND存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域。 圖4示出了同上的LBA-NAND存儲(chǔ)器的各種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的例子。 圖5示出了同上的LBA-MND存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)塊構(gòu)成和對(duì)各個(gè)區(qū)域的分配 的一個(gè)例子。圖6概念性地示出了邏輯地址空間與NAND塊地址之間的關(guān)系。 圖7概念性地示出了邏輯地址空間與NAND塊地址之間的關(guān)系的另 一個(gè) 例子。圖8概略地示出了實(shí)施方式1的LBA-NAND存儲(chǔ)器的塊管理。 圖9概略地示出了實(shí)施方式2的LBA-MND存儲(chǔ)器的塊管理。 圖10的時(shí)間圖示出了同上的LB A-MND存儲(chǔ)器的2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域SDA 的建立過(guò)程。圖11示出了同上的LBA-NAND存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域設(shè)定例。
具體實(shí)施方式
以下，邊參看圖面邊詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的實(shí)施方式進(jìn) 行說(shuō)明。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的構(gòu)成圖1的框圖示出了本實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，構(gòu)成借助于例如一個(gè)或多個(gè)MND閃速存 儲(chǔ)器21和控制其讀取/寫入的存儲(chǔ)控制器22 —體地封裝起來(lái)的存儲(chǔ)器組件。由于搭載的所有的閃速存儲(chǔ)器21可用一個(gè)存儲(chǔ)控制器22作為邏輯存 儲(chǔ)器進(jìn)行控制，故以下將之叫做邏輯塊地址(Logic Block Address)NAND 閃速存儲(chǔ)器(以下，簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)BA-NAND存儲(chǔ)器)。搭載在LBA-NAND存儲(chǔ)器20上的MND閃速存儲(chǔ)器21,由1個(gè)或多個(gè)存 儲(chǔ)器芯片構(gòu)成。在圖1中，雖然示出的是N個(gè)存儲(chǔ)器芯片chipl、…chipN, 但是，即便是在該情況下，也可以用一個(gè)存儲(chǔ)控制器22進(jìn)行控制。最大搭 栽存儲(chǔ)器芯片數(shù)，要由調(diào)整器的電流能力、與別的要素之間的關(guān)系確定。存儲(chǔ)控制器22,是具有用來(lái)在其與閃速存儲(chǔ)器21之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳 送的MND閃速接口 23，用來(lái)在其與主器件之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳送的主接口 25， 暫時(shí)保持讀取/寫入數(shù)據(jù)等的緩沖RAM26，進(jìn)行數(shù)據(jù)傳送控制的MPU24，用 于NAND閃速存儲(chǔ)器21內(nèi)的固件(FW)的讀取/寫入的順序控制等的硬件順序 控制器(sequencer) 27的單個(gè)芯片控制器。另夕卜，NAND閃速存儲(chǔ)器21和存儲(chǔ)控制器22,是單芯片或是別的芯片， 對(duì)于該LBA-NAND存儲(chǔ)器20來(lái)說(shuō)是非本質(zhì)的。圖2示出了圖1的MND閃速存儲(chǔ)器21的存儲(chǔ)器芯核(core)部的單 元陣列構(gòu)成。存儲(chǔ)器單元陣列1，被構(gòu)成為把將多個(gè)電可重寫的非易失性存儲(chǔ)單元 (在圖的例子中是32個(gè)存儲(chǔ)單元)M0 M31串聯(lián)連接起來(lái)的NAND單元組件 (cell unit) (MND串)NU排列起來(lái)。MND單元組件NU的一端通過(guò)選擇門控晶體管SI連接到位線BLo、 BLe 上，另一端則通過(guò)選擇門控晶體管S2連接到共用源線CELSRC上。存儲(chǔ)單 元M0-M31的控制柵分別連接到字線WL0-WU1上，選擇門控晶體管S1、 S2 的柵則連接到選擇門控線SGD、 SGS上。排列于字線方向上的NAND單元組件的集合，構(gòu)成將成為數(shù)據(jù)擦除的最 小單位的存儲(chǔ)塊，如圖所示，在位線的方向上配置多個(gè)存儲(chǔ)塊 BLK0-BLKn-1。在位線BLo、 BLe的一端一側(cè)，配置用來(lái)進(jìn)行單元數(shù)據(jù)的讀取和寫入 的讀取方丈大器電路3，在字線的一端一側(cè)，配置進(jìn)行字線和選擇門控線的 選棒驅(qū)動(dòng)的行譯碼器2。在圖2中，示出的是借助于位線選擇電路選擇性
地把相鄰的偶數(shù)號(hào)位線BLe和奇數(shù)號(hào)位線BLo連接到讀取放大器3的各個(gè) 讀取放大器SA上的情況。在像上述那樣地構(gòu)成的LBA-MND存儲(chǔ)器20中，指令、地址(邏輯地址) 和數(shù)據(jù)以及芯片使能信號(hào)/CE、寫入使能信號(hào)/WE、讀取使能信號(hào)/RE、準(zhǔn)備 就緒/忙信號(hào)RY/BY等的外部控制信號(hào)，向主機(jī)I/F25輸入。在主機(jī)I/F25 中，把指令、控制信號(hào)分配給MPU24和硬件順序控制器27，并把地址和數(shù) 據(jù)存放在緩沖RAM26內(nèi)。從外部輸入進(jìn)來(lái)的邏輯地址，在NAND閃速I/F23中，被變換成NAND 閃速存儲(chǔ)器21的物理地址。此外，在基于各種控制信號(hào)的硬件順序控制器 27的控制下，執(zhí)行數(shù)據(jù)的傳送控制和寫入/擦除/讀取的順序控制。變換后 的物理地址，通過(guò)NAND閃速存儲(chǔ)器21內(nèi)的地址寄存器被傳送給#^碼器 2、列譯碼器(未圖示)。寫入數(shù)據(jù)，通過(guò)I/0控制電路等被裝載到讀取放大 器電路3內(nèi)，讀取數(shù)據(jù)則通過(guò)I/0控制電路等向外部輸出。存儲(chǔ)區(qū)域圖3示出了本實(shí)施方式的LBA-MND存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)區(qū)域的細(xì)節(jié)。 本實(shí)施方式的LBA-NAND存儲(chǔ)器20，具有可借助于指令進(jìn)行存取的轉(zhuǎn) 換的多個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域(邏輯塊存取區(qū)域)。具體地說(shuō)，在本實(shí)施方式中，具有 根據(jù)用途和數(shù)據(jù)的可靠性劃分的2個(gè)或3個(gè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域。在圖3(a)所示的標(biāo)準(zhǔn)操作模式中，每一者皆具有存儲(chǔ)特性不同的信息 的2個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域。 一個(gè)區(qū)域是4吏用SLC(單層單元)的2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū) 域SDA (SLC數(shù)據(jù)區(qū)域)，另 一個(gè)區(qū)域是使用MLC (多層單元)的多值數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)區(qū)域MDA (MLC數(shù)據(jù)區(qū)域)。2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域SDA適合于存儲(chǔ)文件系統(tǒng)或 網(wǎng)絡(luò)通信的記錄數(shù)據(jù)等，多值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域MDA適合于存儲(chǔ)音樂、圖像、 各種應(yīng)用程序等。在圖3(b)所示的備選通電模式中，除去存儲(chǔ)上述特性不同的信息的2 個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域SDA、 MDA之外，還要在存儲(chǔ)區(qū)域的起始設(shè)置存儲(chǔ)引導(dǎo)碼的 引導(dǎo)碼塊。在這2個(gè)模式中，2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域SDA和多值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域MDA的 邊界，可借助于指令的指示任意地進(jìn)行變更。例如，在使用也可以把MLC(4值)用作SLC (2值)的存儲(chǔ)單元陣列、把全部存儲(chǔ)區(qū)域都用作MLC的情況下 的存儲(chǔ)容量為4GB的存儲(chǔ)器中，如圖4所示，在分別把2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域 SM的存儲(chǔ)容量設(shè)定為0MB、 50MB、 500MB及1GB的情況下，多值數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 區(qū)域MDA的存儲(chǔ)容量就將分別變成為4GB、 3. 9GB、 3GB和2GB。 存儲(chǔ)塊管理的實(shí)施方式1其次，邊參看圖面邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ) 塊的管理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖5示出了作為存儲(chǔ)部的2平面(plane )構(gòu)成的NAND閃速存儲(chǔ)器21 的存儲(chǔ)塊構(gòu)成。存儲(chǔ)器芯片0~N，分別通過(guò)平面0、 l，具有把塊序號(hào) 0x0000 ~ Ox 07FF(其中，0x表明是16進(jìn)制)作為物理;也址附加上去的多個(gè) 存儲(chǔ)塊。存儲(chǔ)控制器22，根據(jù)上邊所說(shuō)的SDA、 MDA邊界設(shè)定指令，在初 始化處理時(shí)，把例如由塊序號(hào)0x0000 ~ 0x00FF和塊序號(hào)0x400 ~ 0x4FF的 存儲(chǔ)塊構(gòu)成的存儲(chǔ)區(qū)域分配成SDA，把由塊序號(hào)0x0100 ~0x 03FF和塊序 號(hào)0x500 ~ 0x7FF的存儲(chǔ)塊構(gòu)成的存儲(chǔ)區(qū)域分配成MDA。具體地說(shuō)，如圖6所示，把邏輯地址空間50分割成SDA區(qū)域51和MDA 區(qū)域52，制作成邏輯/物理地址變換表(以下，簡(jiǎn)稱為"L/P表，，)60。該對(duì)應(yīng)的表。在該例子中，把從邏輯地址"0x0000"到"Ox 27FF"分配給 SDA區(qū)域51， le^邏輯地址"0x2800" ~ "0x 3FFF"連續(xù)地分配給MDA 區(qū)域52。然后，把與各個(gè)邏輯地址對(duì)應(yīng)的物理地址登記到L/P表60中。 另外，在圖6中，為了使說(shuō)明簡(jiǎn)單起見，在SDA區(qū)域51和MDA區(qū)域52中， 邏輯地址和物理地址變成了 1對(duì)1的關(guān)系，但是，實(shí)際上，例如假定把128KB 分配給用SDA區(qū)域51的一個(gè)邏輯地址特定的1個(gè)存儲(chǔ)塊，由于在以MDA(例 如4值)區(qū)域52的一個(gè)邏輯地址特定的1個(gè)存儲(chǔ)塊中可以存儲(chǔ)其一倍的 256KB，故在MDA區(qū)域52中，對(duì)于1個(gè)存儲(chǔ)塊的地址范圍，相對(duì)于SDA區(qū) 域51的地址范圍就需要設(shè)定成2倍。為了使處理更為簡(jiǎn)化起見，例如如圖 7所示，L/P表60自身就登記為都是MDA區(qū)域52,在SDA區(qū)域51被進(jìn)行 存取時(shí)，就或者是把其邏輯地址換算成2倍來(lái)參照L/P表60，或者(雖然 未圖示)用SDA區(qū)域51換算來(lái)登記L/P表60，在MDA區(qū)域52被進(jìn)行存取
時(shí)，只要把地址變成為1/2后再參照L/P表60即可。SDA區(qū)域51和MDA區(qū)域52的分割并不限定于2。例如，在MDA包括4 值、8值、16值等的MLC的情況下，也可以分割成與之對(duì)應(yīng)的個(gè)數(shù)的MDA 區(qū)域。這些邏輯地址空間50，如上所述，可借助于指令任意地確定。登記于L/P表60內(nèi)的存儲(chǔ)塊，就變成為擦除的單位。在NAND型閃速 存儲(chǔ)器中，在進(jìn)行數(shù)據(jù)的重寫的情況下，或者在重寫存儲(chǔ)塊的一部分的數(shù) 據(jù)的情況下，由于必須暫時(shí)擦除存儲(chǔ)塊整體然后再次寫入，故對(duì)于同一塊 中的不進(jìn)行重寫的數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)，就需要預(yù)先在塊擦除之前暫時(shí)復(fù)制到別的存 儲(chǔ)塊內(nèi)。為了簡(jiǎn)化這樣的處理，存儲(chǔ)控制器22，在進(jìn)行初始化工作時(shí)，與上邊 所說(shuō)的L/P表60同時(shí)地，制作圖8所示的那樣的把一部分的存儲(chǔ)塊登記成 空閑塊的空閑塊表(以下，叫做FB表)61。登記于該FB表61內(nèi)的空閑塊， 從L/P表60中去掉。然而， 一般地說(shuō)相對(duì)于SLC的寫/擦限度為幾十萬(wàn)次，MLC的寫/擦限 度為幾萬(wàn)次。這是因?yàn)樵贛LC的情況下，向1個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行的寫入工作， 必須進(jìn)行用來(lái)進(jìn)行多次的閾值移動(dòng)的電壓施加，而且，施加電壓也較高的 緣故。因此，如果反復(fù)進(jìn)行或者把作為SLC使用的塊用作MLC，或者，反 過(guò)來(lái)把作為MLC使用的存儲(chǔ)塊用作SLC，則單元的性能就要劣化，確保存 儲(chǔ)器整體的可靠性就變得困難起來(lái)。特別是如果把作為MLC使用的塊用作 SLC，則就不能確保用SLC所保證的寫/擦次數(shù)。于是，采用防止上述那樣的塊的單元用途的混雜的辦法，提高存儲(chǔ)器 整體的可靠性。在本發(fā)明的實(shí)施方式l中，存儲(chǔ)控制器22，如圖5所示，在確定了分 別分配給SDA區(qū)域和MDA區(qū)域的塊的范圍后，從各個(gè)區(qū)域分別選擇每者各 幾％的存儲(chǔ)塊，將之登記為空閑塊。然后，判斷根據(jù)邏輯地址應(yīng)該進(jìn)行存取 的區(qū)域究竟是SDA區(qū)域還是MDA區(qū)域，空閑塊的選擇，也要根據(jù)存儲(chǔ)塊序 號(hào)判斷究竟是包括在哪一個(gè)區(qū)域內(nèi)的空閑塊，再選擇與各個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的空 閑塊。借助于此，結(jié)果就變成為包括在SDA區(qū)域內(nèi)的存儲(chǔ)塊和空閑塊，僅 僅能以SDA區(qū)域使用，包括在MDA區(qū)域內(nèi)的存儲(chǔ)塊和空閑塊，僅僅能以MDA
區(qū)域使用，就可以消除單元用途混雜的問(wèn)題。作為其結(jié)果，就會(huì)提高存儲(chǔ) 器整體的可靠性。以下，邊參看圖面邊詳細(xì)地對(duì)上邊所說(shuō)的實(shí)施方式1的塊管理的方法 進(jìn)行說(shuō)明。圖8概略性地示出了本發(fā)明的實(shí)施方式1的LBA-MND存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)塊 管理。首先，存儲(chǔ)控制器22，借助于來(lái)自外部的指令，把邏輯地址空間50 分割成MDA區(qū)域52和SDA區(qū)域51。其次，存儲(chǔ)控制器22，在初始化時(shí)，如圖5所示，確定芯片O-N的 存儲(chǔ)器構(gòu)成，確定各個(gè)存儲(chǔ)塊要在哪個(gè)區(qū)域使用。同時(shí)，存儲(chǔ)控制器22， 還要制作L/P表60和FB表61。在向NAND閃速存儲(chǔ)器21進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入時(shí)，可參照L/P表60。例如， 在要向SDA區(qū)域51的邏輯地址"0x0002"寫入2值數(shù)據(jù)的情況下，就可以 參照L/P表60，向?qū)?yīng)的塊地址"芯片0，塊序號(hào)0x0002"(以下，省略 "芯片"和"塊序號(hào)"的表述)的存儲(chǔ)塊寫入2值數(shù)據(jù)。同樣，在要向MDA 區(qū)域52的邏輯地址"0x2801"寫入多值數(shù)據(jù)的情況下，就可以參照L/P 表60,向?qū)?yīng)的塊地址"0, 0x0101"的存儲(chǔ)塊內(nèi)寫入多值數(shù)據(jù)。對(duì)于對(duì) 登記在L/P表60內(nèi)的存儲(chǔ)塊的最初的寫入，要反復(fù)進(jìn)行以上那樣的工作。相對(duì)于此，在從外部輸入了對(duì)已經(jīng)寫入了數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)塊的追加寫入、 部分擦除等的重寫指令時(shí)，就可以把作為重寫對(duì)象的存儲(chǔ)塊和空閑塊進(jìn)行 置換。例如，在SDA區(qū)域51的數(shù)據(jù)寫入完畢的邏輯地址"0x0002"內(nèi)發(fā)生了 寫入的情況下，存儲(chǔ)控制器22，就根據(jù)FB表61參照應(yīng)當(dāng)使用的新的塊。 這時(shí)，存儲(chǔ)控制器22,就根據(jù)指令判斷應(yīng)進(jìn)行寫入的數(shù)據(jù)是2值數(shù)據(jù)，確 認(rèn)塊地址是包括在圖5所示的SDA區(qū)域內(nèi)的存儲(chǔ)塊，對(duì)于包括在SDA區(qū)域 內(nèi)的空閑塊，例如要選擇塊地址"0, 0x0030"的空閑塊。接著，從FB表 61內(nèi)調(diào)用塊地址"0， 0x0030"的空閑塊，與L/P表60的發(fā)生了寫的塊地 址為"0, 0x0002"的存儲(chǔ)塊進(jìn)行交換。具體地說(shuō)，先讀取"0, 0x0002" 的存儲(chǔ)塊的內(nèi)容，置換其一部分的發(fā)生了寫的部分，寫入到塊地址"0，0x0030"的空閑塊內(nèi)。然后，擦除"0， 0x0002"的存儲(chǔ)塊的內(nèi)容，從L/P 表60刪除該已擦除的存儲(chǔ)塊，加到FB表61的隊(duì)列的最后部，并使新寫入 了數(shù)據(jù)的"0， 0x0030"的空閑塊與L/P表60的邏輯地址"0x0002"相關(guān) 聯(lián)。在FB表61中，隊(duì)列的位次僅僅提升1位。同樣，在MDA區(qū)域52的數(shù)據(jù)寫入完畢的邏輯地址"0x2801"中發(fā)生了 寫入的情況下，就要從FB表61參照應(yīng)使用的新的塊。這時(shí)，存儲(chǔ)控制器 22，就要根據(jù)指令判斷應(yīng)寫入的數(shù)據(jù)是多值數(shù)據(jù)，確認(rèn)塊地址是包括在圖 5所示的MDA區(qū)域內(nèi)的存儲(chǔ)塊，選擇包括在MDA區(qū)域內(nèi)的空閑塊，例如， 選擇塊地址為"N， 0x03FE"的空閑塊。然后，從FB表61調(diào)用塊地址"N， 0x03FE"，與L/P表60的發(fā)生了寫的"0， 0x0101"存儲(chǔ)塊進(jìn)行交換。具 體地說(shuō)，先讀取"0， 0x0101"的存儲(chǔ)塊的內(nèi)容，置換其一部分的發(fā)生了寫 的部分，寫入到塊地址"N, 0x03FE"的空閑塊內(nèi)。然后，擦除"0， 0x0101" 的存儲(chǔ)塊的內(nèi)容，從L/P表60中刪除該已擦除的存儲(chǔ)塊，加到FB表61 的隊(duì)列的最后部，并使新寫入了數(shù)據(jù)的"N, 0x03FE"的空閑塊與L/P表 60的邏輯地址"0x0101"相關(guān)聯(lián)。在FB表61中，隊(duì)列的位次僅僅提升l 位。在塊的重寫時(shí)，每一次都要執(zhí)行以上的工作。倘采用上邊所說(shuō)的實(shí)施方式1,由于先把芯片內(nèi)的所有的塊地址都分 配給SDA區(qū)域或MDA區(qū)域，再根據(jù)空閑塊的塊地址對(duì)究竟把該空閑塊用作 2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用還是用作多值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用進(jìn)行管理，故可以防止1個(gè)塊在2 值數(shù)據(jù)和多值數(shù)據(jù)中混雜地使用。作為其結(jié)果，可以提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件 的可靠性。存儲(chǔ)塊管理的實(shí)施方式2接著，邊參看圖面邊詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件 的存儲(chǔ)塊的管理進(jìn)行說(shuō)明。圖9概略性地示出了本發(fā)明的實(shí)施方式2的LBA-NAND存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)塊 管理。實(shí)施方式2,在獨(dú)立地形成2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用空閑塊表(以下，叫做"SD A 用FB表")70和多值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用空閑塊表(以下，叫做"MDA用FB表")71 而與NAND閃速存儲(chǔ)器的芯片內(nèi)的塊地址無(wú)關(guān)這一點(diǎn)上，與上述實(shí)施方式1
不同。即便是采用實(shí)施方式2，也可以防止塊的單元用途的混雜，可以提 高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的可靠性。在圖9中，對(duì)于那些與圖8所示的實(shí)施方式1 相同的要素，賦予同一標(biāo)號(hào)，省略其說(shuō)明。在實(shí)施方式2中，在初始化時(shí)，與L/P表60同時(shí)，獨(dú)立地形成SDA 用FB表70和MDA用FB表71。作為要登記在這些FB表70、 71內(nèi)的空閑 塊，把全部存儲(chǔ)塊的幾y。不登記于L/P表60內(nèi)地進(jìn)行分配。另外，要登記 于這些SDA用FB表70和MDA用FB表71內(nèi)的空閑塊，沒有必要遵從圖5 所示的存儲(chǔ)塊的劃分。以下，把MDA用FB表71為1個(gè)的情況作為代表例 子進(jìn)行說(shuō)明，但是，并不限于該例子，例如，也可以設(shè)置多個(gè)與4值、8 值、16值等對(duì)應(yīng)的MDA用FB表。SDA用FB表70，是用來(lái)參照未使用的2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用塊的表。向SDA 用FB表70內(nèi)，輸入了 SDA用的空閑塊地址。暫時(shí)輸入到SDA用FB表70 內(nèi)的塊，然后，與SDA區(qū)域51的存儲(chǔ)塊置換，因此不會(huì)用作多值數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 用的塊。MDA用FB表71，是用來(lái)參照未使用的多值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用塊的表。向MDA 用FB表71內(nèi)，輸入了 MDA用的空閑塊地址。暫時(shí)輸入到MM用FB表71 內(nèi)的塊，然后，被用作多值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用的塊，而不會(huì)用作2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用 的塊。接著，詳細(xì)地對(duì)實(shí)施方式2的LBA-NAND存儲(chǔ)器的塊管理的方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，存儲(chǔ)控制器22,借助于來(lái)自外部的指令，把邏輯地址空間50 分割成MDA區(qū)域52和SDA區(qū)域51，例如，把從邏輯地址"0x0000"到"0x 27FF"分配給SDA區(qū)域51，把從邏輯地址"0x2800 ~ 0x 3FFF，，分配給MDA 區(qū)域52。邏輯地址的分配方法，并不限于此。其次，存儲(chǔ)控制器22，與實(shí)施方式l同樣，在初始化時(shí)，形成L/P表 60,參照L/P表60把SDA區(qū)域51和MDA區(qū)域52的邏輯地址變換成物理地 址。借助于此，就可以進(jìn)行由外部器件進(jìn)行的對(duì)NAND閃速存儲(chǔ)器21的各 個(gè)單元的存取。向MND閃速存儲(chǔ)器21的各個(gè)單元內(nèi)，寫入2值或多值數(shù)據(jù)中的任何
一方。例如，向SDA區(qū)域51的與邏輯地址"0x0002"對(duì)應(yīng)的塊地址"0， 0x0002"內(nèi)寫入2值數(shù)據(jù)。同樣，向MDA區(qū)域52的與邏輯地址"0x2801" 對(duì)應(yīng)的塊地址"0， 0x0101"內(nèi)，寫入多值數(shù)據(jù)。對(duì)于對(duì)已登記在L/P表 60內(nèi)的存儲(chǔ)塊的最初的寫入來(lái)說(shuō)，要反復(fù)進(jìn)行以上那樣的工作。相對(duì)于此，在從外部輸入了對(duì)已經(jīng)寫入了數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)塊的追加寫入、 部分擦除等的重寫指令時(shí)，就可以把作為重寫對(duì)象的存儲(chǔ)塊和空閑塊進(jìn)行 置換。例如，在SDA區(qū)域51的數(shù)據(jù)寫入完畢的邏輯地址"0x0002"內(nèi)發(fā)生了 寫入的情況下，存儲(chǔ)控制器22，就根據(jù)指令判斷應(yīng)進(jìn)行寫入的數(shù)據(jù)是2值 數(shù)據(jù)，根據(jù)SDA用FB表70來(lái)參照應(yīng)當(dāng)使用的新的塊，例如，選擇塊地址 "0， 0x0030"的空閑塊。然后，從SDA用FB表70內(nèi)調(diào)用所選擇的塊地址 為"0， 0x0030"的空閑塊，與L/P表60的發(fā)生了寫的塊地址為"0， 0x0002" 的存儲(chǔ)塊進(jìn)行交換。然后，從L/P表60中刪除塊地址為"0， 0x0002"的 存儲(chǔ)塊，加到SDA用FB表70的隊(duì)列的最后部，并使新寫入了數(shù)據(jù)的"0， 0x0030"的空閑塊與L/P表60的邏輯地址"0x0002"相關(guān)聯(lián)。在SDA用 FB表70中，空閑塊地址的隊(duì)列的位次僅僅提升l位。同樣，在MDA區(qū)域52的數(shù)據(jù)寫入完畢的邏輯地址"0x2801"中發(fā)生了 寫入的情況下，存儲(chǔ)控制器22，就要根據(jù)指令判斷應(yīng)進(jìn)行寫入的數(shù)據(jù)是多 值數(shù)據(jù)，并利用MDA用FB表71參照應(yīng)使用的新的塊，例如，選擇塊地址 為"0， 0x0212"的空閑塊。然后，從MDA用FB表71調(diào)用所選擇的塊地址 "0, 0x0212"的空閑塊，與L/P表60的發(fā)生了寫的"0, 0x0101"的存儲(chǔ) 塊進(jìn)行交換。然后，從L/P表60刪除塊地址"0， 0x0101"的存儲(chǔ)塊，加 到MDA用FB表71的隊(duì)列的最后部，并使新寫入了數(shù)據(jù)的"0， 0x0212"的 空閑塊與L/P表60的邏輯地址"0x2801"相關(guān)聯(lián)。在MDA用FB表71中， 空閑塊地址的隊(duì)列的位次僅僅提升1位。在2值數(shù)據(jù)的寫時(shí)，每一次都要執(zhí)行以上的工作。倘采用實(shí)施方式2，由于獨(dú)立地形成2值用的FB表和多值用的FB表， 并在寫時(shí)確認(rèn)究竟參照哪一個(gè)表，故就可以防止塊的單元用途的混雜。作 為其結(jié)果，可以提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的可靠性。 另夕卜，上邊所說(shuō)的實(shí)施方式1和2的塊管理，雖然是作為NAND閃速存 儲(chǔ)器21的外部的存儲(chǔ)控制器22的控制進(jìn)行的說(shuō)明，但是，也可以借助于 NAND閃速存儲(chǔ)器21的內(nèi)部的未圖示的存儲(chǔ)控制器的控制(固件)執(zhí)行。 圖IO是從外部提供的2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域SDA的建立的時(shí)序圖。 在這里，CLE表示指令閂鎖使能，CE表示芯片使能，WE表示寫入使能， ALE表示地址閂鎖使能，RE表示讀取使能，RY/BY表示準(zhǔn)備就緒/忙的各控 制信號(hào)。在指令輸入的定時(shí)，讀入讀取SDA指令"00h，，，接著，用地址閂 鎖的5個(gè)周期，依次輸入建立SDA指令"A5h"和分配單元I", 2nd， 3、 4th。分配單元，例如如圖11所示，指定2值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域SDA的邊界位置。 借助于此，由于可以在存儲(chǔ)控制器22中設(shè)定SDA和MDA之間的邊界區(qū)域， 故以后的邏輯地址和物理地址的變換處理，就可以根據(jù)所設(shè)定的邊界區(qū)域 執(zhí)行。另外，本發(fā)明并不限定于上邊所說(shuō)的實(shí)施方式。例如，在上述實(shí)施方 式中，雖然把LBA-NAND型的存儲(chǔ)器作為例子進(jìn)行說(shuō)明，但是，作為NAND型閃速存儲(chǔ)器單體的內(nèi)部的存儲(chǔ)器管理也可以應(yīng)用本發(fā)明，這是不言而喻 的。此外，可以應(yīng)用本發(fā)明的存儲(chǔ)器，并不限定于作為閃速存儲(chǔ)器使用 NAND型的存儲(chǔ)器，在使用NOR型等別的形式的存儲(chǔ)器的情況下，也可以在 進(jìn)行同樣的存儲(chǔ)管理的情況下使用。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，具備具有多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)部，上述存儲(chǔ)塊包括能存儲(chǔ)需要不同特性的存儲(chǔ)區(qū)域的多種數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元，和存儲(chǔ)控制器，其具有把上述各個(gè)存儲(chǔ)塊作為擦除單位來(lái)管理上述存儲(chǔ)部、把上述存儲(chǔ)部的邏輯地址變換成特定上述存儲(chǔ)塊的物理地址的功能，在進(jìn)行上述存儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，執(zhí)行對(duì)該存儲(chǔ)塊和預(yù)先所登記的空閑塊進(jìn)行置換的處理，上述存儲(chǔ)控制器，以使得向上述存儲(chǔ)部的各個(gè)存儲(chǔ)塊和空閑塊內(nèi)存儲(chǔ)在重寫后也與重寫前為同一種類的數(shù)據(jù)的方式，對(duì)存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)部?jī)?nèi)的數(shù)據(jù)的種類進(jìn)行管理。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于 上述存儲(chǔ)控制器，形成有限定上述存儲(chǔ)部的邏輯地址和與該邏輯地址
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其;特征在于'' 上述存儲(chǔ)控制器，設(shè)定上述存儲(chǔ)部的存儲(chǔ)區(qū)域與分配給各個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域 的存儲(chǔ)塊之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，根據(jù)該對(duì)應(yīng)關(guān)系來(lái)管理存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)部?jī)?nèi)的 數(shù)據(jù)的種類。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于 上述存儲(chǔ)控制器，把上述存儲(chǔ)部的一部分的存儲(chǔ)塊作為空閑塊登記在空閑塊表內(nèi)，在發(fā)生了上述存儲(chǔ)部的已經(jīng)寫入的存儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，根據(jù)上 述存儲(chǔ)區(qū)域和分配給存儲(chǔ)區(qū)域的存儲(chǔ)塊之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，使包括在與該發(fā) 生了重寫的存儲(chǔ)塊為同一存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的空閑塊，與上述發(fā)生了重寫的塊進(jìn) 行置換。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于 上述存儲(chǔ)控制器，在把上述存儲(chǔ)部的一部分的存儲(chǔ)塊作為空閑塊登記于按各個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域的每一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域所設(shè)置的空閑塊表內(nèi)、在發(fā)生了上述 存儲(chǔ)部的已經(jīng)寫入的存儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，從與存儲(chǔ)在該發(fā)生了重寫的存儲(chǔ)塊 內(nèi)的數(shù)據(jù)為同一種類的空閑塊表調(diào)用空閑塊，將其與上述發(fā)生了重寫的存 儲(chǔ)塊進(jìn)行置換。
6. 根據(jù)^又利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于在上述數(shù)據(jù) 的種類中，包括2值數(shù)據(jù)和多值數(shù)據(jù)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于上述存儲(chǔ)部， 具有存儲(chǔ)引導(dǎo)碼的引導(dǎo)碼塊。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于上述存儲(chǔ)部， 包括NAND型閃速存儲(chǔ)器或N0R型閃速存儲(chǔ)器。
9. 一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，具備存儲(chǔ)部，其具有多個(gè)存儲(chǔ)塊，該存儲(chǔ)塊包括能以需要不同特性的存儲(chǔ) 區(qū)域的多種寫入、讀取方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元，和存儲(chǔ)控制部，其具有把上述各個(gè)存儲(chǔ)塊作為擦除單位來(lái)管理上述存儲(chǔ)在進(jìn)行上述存儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，執(zhí)行對(duì)該存儲(chǔ)塊和預(yù)先所登記的空閑塊進(jìn)行 置換的處理，上述存儲(chǔ)控制器，以使得向上述存儲(chǔ)部的各個(gè)存儲(chǔ)塊和空閑塊內(nèi)以在 重寫后也與重寫前相同的寫入、讀取方式進(jìn)行存儲(chǔ)的方式，對(duì)存儲(chǔ)在上述 存儲(chǔ)部?jī)?nèi)的數(shù)據(jù)的種類進(jìn)行管理。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于 上述存儲(chǔ)控制器，形成限定上述存儲(chǔ)部的邏輯地址和與該邏輯地址對(duì)應(yīng)的上述存儲(chǔ)塊的物理地址之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的邏輯/物理地址變換表，參照 該邏輯/物理地址變換表來(lái)管理存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)部?jī)?nèi)的數(shù)據(jù)的種類。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于 上述存儲(chǔ)控制器，設(shè)定上述存儲(chǔ)部的存儲(chǔ)區(qū)域與分配給各個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域的存儲(chǔ)塊之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，根據(jù)該對(duì)應(yīng)關(guān)系來(lái)管理存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)部?jī)?nèi)的 數(shù)據(jù)的種類。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于 上述存儲(chǔ)控制器，把上述存儲(chǔ)部的一部分的存儲(chǔ)塊作為空閑塊登記在 工閑塊表內(nèi)，在發(fā)生了上述存儲(chǔ)部的已經(jīng)寫入的存儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，根據(jù)上 述存儲(chǔ)區(qū)域和分配給存儲(chǔ)區(qū)域的存儲(chǔ)塊之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，使包括在與該發(fā) 生了重寫的存儲(chǔ)塊為同一存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的空閑塊，與上述發(fā)生了重寫的塊進(jìn) 行置換。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于 上述存儲(chǔ)控制器，在把上述存儲(chǔ)部的一部分的存儲(chǔ)塊作為空閑塊登記于按各個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域的每一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域所設(shè)置的空閑塊表內(nèi)、在發(fā)生了上述 存儲(chǔ)部的已經(jīng)寫入的存儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，從與存儲(chǔ)在該發(fā)生了重寫的存儲(chǔ)塊 內(nèi)的數(shù)據(jù)為同 一種類的空閑塊表調(diào)用空閑塊，將其與上述發(fā)生了重寫的存 儲(chǔ)塊進(jìn)行置換。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于在上述數(shù)據(jù) 的種類中，包括2值數(shù)據(jù)和多值數(shù)據(jù)。
15. —種使用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)管理方法，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件具備存儲(chǔ)部，其具有多個(gè)存儲(chǔ)塊，該存儲(chǔ)塊包括能存儲(chǔ)需要不同特性的存 儲(chǔ)區(qū)域的多種數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元，和存儲(chǔ)控制部，其具有把上述各個(gè)存儲(chǔ)塊作為擦除單位來(lái)管理上述存儲(chǔ)在進(jìn)行上述存儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，執(zhí)行對(duì)該存儲(chǔ)塊與預(yù)先所登記的空閑塊進(jìn)行 置換的處理，該數(shù)據(jù)管理方法的特征在于在上述存儲(chǔ)控制器中，以使得向上迷存儲(chǔ)部的各個(gè)存儲(chǔ)塊和空閑塊內(nèi) 存儲(chǔ)在重寫后也與重寫前為同 一種類的數(shù)據(jù)的方式，對(duì)存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)部 內(nèi)的數(shù)據(jù)的種類進(jìn)行管理。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于用上述存儲(chǔ)控制器，形成限定上述存儲(chǔ)部的邏輯地址和與該邏輯地址照i邏輯;物理地址變換表來(lái)管理存儲(chǔ)2上述、存儲(chǔ)部?jī)?nèi)的數(shù)據(jù)的種類。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于 用上述存儲(chǔ)控制器，設(shè)定上述存儲(chǔ)部的存儲(chǔ)區(qū)域與分配給各個(gè)存儲(chǔ)區(qū) 域的存儲(chǔ)塊之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，根據(jù)該對(duì)應(yīng)關(guān)系來(lái)管理存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)部?jī)?nèi) 的數(shù)據(jù)的種類。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于用上述存儲(chǔ)控制器，把上述存儲(chǔ)部的一部分的存儲(chǔ)塊作為空閑塊登記 在空閑塊表內(nèi)，在發(fā)生了上述存儲(chǔ)部的已經(jīng)寫入的存儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，根據(jù) 上述存儲(chǔ)區(qū)域和分配給存儲(chǔ)區(qū)域的存儲(chǔ)塊之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，使包括在與該 發(fā)生了重寫的存儲(chǔ)塊為同一存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的空閑塊，與上述發(fā)生了重寫的塊 進(jìn)行置換。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于用上述存儲(chǔ)控制器，把上述存儲(chǔ)部的一部分的存儲(chǔ)塊作為空閑塊登記 于按各個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域的每一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域所設(shè)置的空閑塊表內(nèi)，在發(fā)生了上述 存儲(chǔ)部的已經(jīng)寫入的存儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，從與存儲(chǔ)在該發(fā)生了重寫的存儲(chǔ)塊 內(nèi)的數(shù)據(jù)為同一種類的空閑塊表調(diào)用空閑塊，將其與上述發(fā)生了重寫的存 儲(chǔ)塊進(jìn)行置換。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于在上述數(shù)據(jù) 的種類中，包括2值數(shù)據(jù)和多值數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和使用其的數(shù)據(jù)管理辦法，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件具備具有多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)部，該存儲(chǔ)塊包括能存儲(chǔ)需要不同特性的存儲(chǔ)區(qū)域的多種數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元；和存儲(chǔ)控制器，具有把上述各個(gè)存儲(chǔ)塊作為擦除單位來(lái)管理上述存儲(chǔ)部、把上述存儲(chǔ)部的邏輯地址變換成特定上述存儲(chǔ)塊的物理地址的功能，在進(jìn)行上述存儲(chǔ)塊的重寫時(shí)，執(zhí)行對(duì)該存儲(chǔ)塊和預(yù)先所登記的空閑塊進(jìn)行置換的處理；該存儲(chǔ)控制器，以使得向上述存儲(chǔ)部的各個(gè)存儲(chǔ)塊和空閑塊內(nèi)存儲(chǔ)在重寫后也與重寫前為同一種類的數(shù)據(jù)的方式，對(duì)存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)部?jī)?nèi)的數(shù)據(jù)的種類進(jìn)行管理。
文檔編號(hào)G11C16/06GK101399081SQ20081014981
公開日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2008年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日
發(fā)明者大石宏治, 栗山光, 畑中幸二郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝